JP2000183120A - プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 - Google Patents
プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微少電流領域における評価を適切に実行し得
るプローバ装置を得る。 【解決手段】 外箱1内に配置されたチャック8上に
は、ウェハ9が載置されている。また、チャック8の上
面には電極8aが設けられている。電極8aは、配線1
0を介して電源11に接続されている。外箱1内には、
上面が開口した円筒状の電磁シールドボックス7が配置
されている。外箱1の上面と、電磁シールドボックス7
の側面及び底面とによって、チャック8及びウェハ9を
取り囲む密閉空間30が形成される。また、外箱1内に
は、チャック8及び電磁シールドボックス7を駆動する
ためのローダ6が配置されている。また、外箱1の上面
上にはテスタヘッド3が配置されており、テスタヘッド
3にはプローブカード4が配置されている。外箱1の上
面は、一部が開口しており、プローブカード4の有する
プローブ針5は、この開口を介して外箱1内に突出して
いる。
るプローバ装置を得る。 【解決手段】 外箱1内に配置されたチャック8上に
は、ウェハ9が載置されている。また、チャック8の上
面には電極8aが設けられている。電極8aは、配線1
0を介して電源11に接続されている。外箱1内には、
上面が開口した円筒状の電磁シールドボックス7が配置
されている。外箱1の上面と、電磁シールドボックス7
の側面及び底面とによって、チャック8及びウェハ9を
取り囲む密閉空間30が形成される。また、外箱1内に
は、チャック8及び電磁シールドボックス7を駆動する
ためのローダ6が配置されている。また、外箱1の上面
上にはテスタヘッド3が配置されており、テスタヘッド
3にはプローブカード4が配置されている。外箱1の上
面は、一部が開口しており、プローブカード4の有する
プローブ針5は、この開口を介して外箱1内に突出して
いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、プローバ装置の
構造、及びそのプローバ装置を用いた半導体装置の電気
的評価方法に関するものである。
構造、及びそのプローバ装置を用いた半導体装置の電気
的評価方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プローバ装置とは、チップの入出力端子
にプローブ針を接触させてテスタとの信号伝授を行うこ
とにより、ウェハ上に形成された半導体装置の電気的特
性を評価する装置である。
にプローブ針を接触させてテスタとの信号伝授を行うこ
とにより、ウェハ上に形成された半導体装置の電気的特
性を評価する装置である。
【0003】図15は、従来のプローバ装置の構成を模
式的に示す側面図である。チャック108上には、評価
対象たる半導体装置(図示しない)が形成されたウェハ
109が載置されている。また、チャック108の上面
には、ウェハ109の裏面側から半導体装置と電気的接
触をとるための電極108aが設けられている。そし
て、この電極108aは、配線110を介して、電源1
11に接続されている。また、チャック108の内部に
は、半導体装置の評価時にウェハ109の温度を制御す
るための電熱ヒータ107が設けられている。
式的に示す側面図である。チャック108上には、評価
対象たる半導体装置(図示しない)が形成されたウェハ
109が載置されている。また、チャック108の上面
には、ウェハ109の裏面側から半導体装置と電気的接
触をとるための電極108aが設けられている。そし
て、この電極108aは、配線110を介して、電源1
11に接続されている。また、チャック108の内部に
は、半導体装置の評価時にウェハ109の温度を制御す
るための電熱ヒータ107が設けられている。
【0004】ところで、近年における半導体装置の微細
化に伴い、プローバ装置にも、微少電流領域における評
価を実行し得る能力が要求されつつある。そのため、チ
ャック108は、例えば電源111等の周辺装置が発生
する電磁波を遮蔽して、評価に悪影響を及ぼす電気的雑
音を低減するために、電磁シールド101内に配置され
ている。
化に伴い、プローバ装置にも、微少電流領域における評
価を実行し得る能力が要求されつつある。そのため、チ
ャック108は、例えば電源111等の周辺装置が発生
する電磁波を遮蔽して、評価に悪影響を及ぼす電気的雑
音を低減するために、電磁シールド101内に配置され
ている。
【0005】この電磁シールド101には、電磁シール
ド101内部の空気を換気するための換気ファン102
が設けられている。また、電磁シールド101内には、
図15に示したX,Y,Zの各方向にチャック108を
駆動するためのローダ106が配置されている。ローダ
106は、チャック108をX方向及びY方向に駆動す
るためのXYローダ部106cと、チャック108をZ
方向に駆動するためのZローダ部106dとを有してい
る。Zローダ部106dの上端は、チャック108の底
面に固定されている。また、ローダ106は、XYロー
ダ部106c及びZローダ部106dに供給すべき駆動
力を発生するモータ部106aと、その駆動力をXYロ
ーダ部106c及びZローダ部106dに伝達するため
の駆動力伝達部106bとを有している。
ド101内部の空気を換気するための換気ファン102
が設けられている。また、電磁シールド101内には、
図15に示したX,Y,Zの各方向にチャック108を
駆動するためのローダ106が配置されている。ローダ
106は、チャック108をX方向及びY方向に駆動す
るためのXYローダ部106cと、チャック108をZ
方向に駆動するためのZローダ部106dとを有してい
る。Zローダ部106dの上端は、チャック108の底
面に固定されている。また、ローダ106は、XYロー
ダ部106c及びZローダ部106dに供給すべき駆動
力を発生するモータ部106aと、その駆動力をXYロ
ーダ部106c及びZローダ部106dに伝達するため
の駆動力伝達部106bとを有している。
【0006】また、電磁シールド101の上面上にはテ
スタヘッド103が配置されており、テスタヘッド10
3の底面部分にはプローブカード104が配置されてい
る。電磁シールド101の上面は、一部が開口してお
り、プローブカード104の有するプローブ針105
は、この開口を介して電磁シールド101内に突出して
いる。
スタヘッド103が配置されており、テスタヘッド10
3の底面部分にはプローブカード104が配置されてい
る。電磁シールド101の上面は、一部が開口してお
り、プローブカード104の有するプローブ針105
は、この開口を介して電磁シールド101内に突出して
いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のプローバ装置によると、電源111等の周辺装置が
発生する電磁波は電磁シールド101によって遮蔽され
るが、換気ファン102、ローダ106のモータ部10
6a、電熱ヒータ107等のように、電磁シールド10
1の内部に配置される各装置が発生する電磁波は、電磁
シールド101によって遮蔽することができない。この
ようなプローバ装置を用いた半導体装置の電気的評価に
おいて、この電磁波は数百fAレベルの電気的雑音とな
り、微少電流領域における評価の妨げになるという問題
があった。
来のプローバ装置によると、電源111等の周辺装置が
発生する電磁波は電磁シールド101によって遮蔽され
るが、換気ファン102、ローダ106のモータ部10
6a、電熱ヒータ107等のように、電磁シールド10
1の内部に配置される各装置が発生する電磁波は、電磁
シールド101によって遮蔽することができない。この
ようなプローバ装置を用いた半導体装置の電気的評価に
おいて、この電磁波は数百fAレベルの電気的雑音とな
り、微少電流領域における評価の妨げになるという問題
があった。
【0008】本発明はこのような問題を解決するために
成されたものであり、換気ファンやローダのモータ部が
発生する電磁波をも遮蔽して評価における電気的雑音を
低減することにより、微少電流領域における評価を適切
に実行し得るプローバ装置を得ることを目的とし、さら
に、そのプローバ装置を用いた半導体装置の電気的評価
方法を得ることを目的とするものである。
成されたものであり、換気ファンやローダのモータ部が
発生する電磁波をも遮蔽して評価における電気的雑音を
低減することにより、微少電流領域における評価を適切
に実行し得るプローバ装置を得ることを目的とし、さら
に、そのプローバ装置を用いた半導体装置の電気的評価
方法を得ることを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項1
に記載のプローバ装置は、ウェハ上に形成された評価対
象たる半導体装置に評価用の電気信号を供給するための
信号供給部が配置された一面を有する外箱と、いずれも
外箱内に配置された、ウェハを載置するための載置台
と、載置台の側縁に対向し、半導体装置の評価時におい
て一面に接触する側面と、載置台の裏面に対向する底面
とを有し、一面と、該一面に接触した側面と、底面とに
よって載置台を取り囲む空間を形成する電磁遮蔽体とを
備えるものである。
に記載のプローバ装置は、ウェハ上に形成された評価対
象たる半導体装置に評価用の電気信号を供給するための
信号供給部が配置された一面を有する外箱と、いずれも
外箱内に配置された、ウェハを載置するための載置台
と、載置台の側縁に対向し、半導体装置の評価時におい
て一面に接触する側面と、載置台の裏面に対向する底面
とを有し、一面と、該一面に接触した側面と、底面とに
よって載置台を取り囲む空間を形成する電磁遮蔽体とを
備えるものである。
【0010】また、この発明のうち請求項2に記載のプ
ローバ装置は、請求項1に記載のプローバ装置であっ
て、載置台は、ウェハの裏面側から半導体装置と電気的
接触をとるための電極を有し、電磁遮蔽体と電極とを同
電位に保つための配線をさらに備えることを特徴とする
ものである。
ローバ装置は、請求項1に記載のプローバ装置であっ
て、載置台は、ウェハの裏面側から半導体装置と電気的
接触をとるための電極を有し、電磁遮蔽体と電極とを同
電位に保つための配線をさらに備えることを特徴とする
ものである。
【0011】また、この発明のうち請求項3に記載のプ
ローバ装置は、請求項2に記載のプローバ装置であっ
て、外箱の一面のうち、該一面と電磁遮蔽体の側面とが
接触する部分から空間側に延在して配置された導体板を
さらに備えることを特徴とするものである。
ローバ装置は、請求項2に記載のプローバ装置であっ
て、外箱の一面のうち、該一面と電磁遮蔽体の側面とが
接触する部分から空間側に延在して配置された導体板を
さらに備えることを特徴とするものである。
【0012】また、この発明のうち請求項4に記載のプ
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、不活性ガスを密閉空間内に導入
するためのガス導入口を有することを特徴とするもので
ある。
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、不活性ガスを密閉空間内に導入
するためのガス導入口を有することを特徴とするもので
ある。
【0013】また、この発明のうち請求項5に記載のプ
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の空気を密閉空間外
に排出することにより密閉空間内を真空状態にするため
の空気排出口を有することを特徴とするものである。
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の空気を密閉空間外
に排出することにより密閉空間内を真空状態にするため
の空気排出口を有することを特徴とするものである。
【0014】また、この発明のうち請求項6に記載のプ
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の温度を制御するた
めの加熱・冷却ガスを密閉空間内に導入するためのガス
導入口を有することを特徴とするものである。
ローバ装置は、請求項1〜3のいずれか一つに記載のプ
ローバ装置であって、載置台を取り囲む空間は密閉空間
であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の温度を制御するた
めの加熱・冷却ガスを密閉空間内に導入するためのガス
導入口を有することを特徴とするものである。
【0015】また、この発明のうち請求項7に記載の半
導体装置の電気的評価方法は、評価対象たる半導体装置
に評価用の電気信号を供給するための電極を有する信号
供給部が配置された一面を有する外箱と、いずれも外箱
内に配置された、評価対象を載置するための載置台と、
載置台を、外箱内において、外箱の一面の法線方向に駆
動する第1の駆動部と、載置台の側縁に対向する側面
と、載置台の裏面に対向する底面とを有し、側面が一面
に接触することにより、一面と、側面と、底面とによっ
て載置台を取り囲む空間を形成する電磁遮蔽体と、電磁
遮蔽体を、外箱内において、法線方向に駆動する第2の
駆動部とを備えるプローバ装置を用いた半導体装置の評
価方法であって、(a)第1の駆動部によって載置台を
駆動することにより、半導体装置と電極とを接触させる
工程と、(b)第2の駆動部によって電磁遮蔽体を駆動
することにより、電磁遮蔽体の側面と外箱の一面とを接
触させる工程と、(c)工程(a)及び(b)よりも後
に実行され、信号供給部から電極を介して、半導体装置
に電気信号を供給する工程とを備えるものである。
導体装置の電気的評価方法は、評価対象たる半導体装置
に評価用の電気信号を供給するための電極を有する信号
供給部が配置された一面を有する外箱と、いずれも外箱
内に配置された、評価対象を載置するための載置台と、
載置台を、外箱内において、外箱の一面の法線方向に駆
動する第1の駆動部と、載置台の側縁に対向する側面
と、載置台の裏面に対向する底面とを有し、側面が一面
に接触することにより、一面と、側面と、底面とによっ
て載置台を取り囲む空間を形成する電磁遮蔽体と、電磁
遮蔽体を、外箱内において、法線方向に駆動する第2の
駆動部とを備えるプローバ装置を用いた半導体装置の評
価方法であって、(a)第1の駆動部によって載置台を
駆動することにより、半導体装置と電極とを接触させる
工程と、(b)第2の駆動部によって電磁遮蔽体を駆動
することにより、電磁遮蔽体の側面と外箱の一面とを接
触させる工程と、(c)工程(a)及び(b)よりも後
に実行され、信号供給部から電極を介して、半導体装置
に電気信号を供給する工程とを備えるものである。
【0016】また、この発明のうち請求項8に記載の半
導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導体
装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空間
は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、不活性ガスを密閉空
間内に導入するためのガス導入口を有し、(d)工程
(c)よりも前に実行され、ガス導入口から密閉空間内
に不活性ガスを導入する工程をさらに備えることを特徴
とするものである。
導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導体
装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空間
は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、不活性ガスを密閉空
間内に導入するためのガス導入口を有し、(d)工程
(c)よりも前に実行され、ガス導入口から密閉空間内
に不活性ガスを導入する工程をさらに備えることを特徴
とするものである。
【0017】また、この発明のうち請求項9に記載の半
導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導体
装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空間
は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の空気を
密閉空間外に排出するための空気排出口を有し、(d)
工程(c)よりも前に実行され、密閉空間内の空気を空
気排出口から密閉空間外に排出することにより密閉空間
内を真空状態にする工程をさらに備えることを特徴とす
るものである。
導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導体
装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空間
は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、密閉空間内の空気を
密閉空間外に排出するための空気排出口を有し、(d)
工程(c)よりも前に実行され、密閉空間内の空気を空
気排出口から密閉空間外に排出することにより密閉空間
内を真空状態にする工程をさらに備えることを特徴とす
るものである。
【0018】また、この発明のうち請求項10に記載の
半導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導
体装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空
間は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、加熱・冷却ガスを
密閉空間内に導入するためのガス導入口を有し、(d)
工程(c)よりも前に実行され、ガス導入口から密閉空
間内に加熱・冷却ガスを導入することにより、密閉空間
内の温度を制御する工程をさらに備えることを特徴とす
るものである。
半導体装置の電気的評価方法は、請求項7に記載の半導
体装置の電気的評価方法であって、載置台を取り囲む空
間は密閉空間であり、電磁遮蔽体は、加熱・冷却ガスを
密閉空間内に導入するためのガス導入口を有し、(d)
工程(c)よりも前に実行され、ガス導入口から密閉空
間内に加熱・冷却ガスを導入することにより、密閉空間
内の温度を制御する工程をさらに備えることを特徴とす
るものである。
【0019】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、本発明の
実施の形態1に係るプローバ装置の構成を模式的に示す
側面図である。外箱1内に配置されたチャック8上に
は、評価対象たる半導体装置(図示しない)が形成され
たウェハ9が載置されている。また、チャック8の上面
には、ウェハ9の裏面側から半導体装置と電気的接触を
とるための電極8aが設けられている。そして、この電
極8aは、配線10を介して、電源11に接続されてい
る。ここで、電源11等の周辺装置が発生する電磁波を
遮蔽して評価における電気的雑音を低減するためには、
外箱1を電磁遮蔽体によって構成するのが望ましい。
実施の形態1に係るプローバ装置の構成を模式的に示す
側面図である。外箱1内に配置されたチャック8上に
は、評価対象たる半導体装置(図示しない)が形成され
たウェハ9が載置されている。また、チャック8の上面
には、ウェハ9の裏面側から半導体装置と電気的接触を
とるための電極8aが設けられている。そして、この電
極8aは、配線10を介して、電源11に接続されてい
る。ここで、電源11等の周辺装置が発生する電磁波を
遮蔽して評価における電気的雑音を低減するためには、
外箱1を電磁遮蔽体によって構成するのが望ましい。
【0020】また、外箱1内には、チャック8の側縁に
対向し、半導体装置の評価時において外箱1の上面に接
触する側面と、チャック8の底面に対向し、チャック8
よりも下方に位置する底面とを有する、上面が開口した
円筒状の電磁シールドボックス7が配置されている。後
述するZローダ部6dを駆動することにより、電磁シー
ルドボックス7の側面と外箱1の上面との接触を解くこ
ともできる。電磁シールドボックス7の側面の上端を外
箱1の上面に接触させることにより、外箱1の上面と、
電磁シールドボックス7の側面及び底面とによって、チ
ャック8及びウェハ9を取り囲む密閉空間30が形成さ
れる。
対向し、半導体装置の評価時において外箱1の上面に接
触する側面と、チャック8の底面に対向し、チャック8
よりも下方に位置する底面とを有する、上面が開口した
円筒状の電磁シールドボックス7が配置されている。後
述するZローダ部6dを駆動することにより、電磁シー
ルドボックス7の側面と外箱1の上面との接触を解くこ
ともできる。電磁シールドボックス7の側面の上端を外
箱1の上面に接触させることにより、外箱1の上面と、
電磁シールドボックス7の側面及び底面とによって、チ
ャック8及びウェハ9を取り囲む密閉空間30が形成さ
れる。
【0021】さらに、外箱1には、外箱1内部の空気を
換気するための換気ファン2が設けられている。また、
外箱1内には、図1に示したX,Y,Zの各方向にチャ
ック8及び電磁シールドボックス7をそれぞれ駆動する
ためのローダ6が配置されている。ここで、X方向は紙
面に垂直な方向であり、Y方向は紙面における左右方向
である。例えばウェハ9の上面や外箱1の上面は、それ
ぞれXY平面に含まれる。また、Z方向は紙面における
上下方向であり、これは、例えばウェハ9の上面の法線
方向や外箱1の上面の法線方向と一致する。ローダ6
は、チャック8及び電磁シールドボックス7を一体とし
てX方向及びY方向に駆動するためのXYローダ部6c
と、電磁シールドボックス7をZ方向に駆動するための
Zローダ部6dと、チャック8をZ方向に駆動するため
のZローダ部6eとを有している。Zローダ部6d,6
eの各上端は、それぞれ電磁シールドボックス7の底面
及びチャック8の底面に固定されている。また、ローダ
6は、XYローダ部6c及びZローダ部6d,6eに供
給すべき駆動力を発生するモータ部6aと、その駆動力
をXYローダ部6c及びZローダ部6d,6eに伝達す
るための駆動力伝達部6bとを有している。
換気するための換気ファン2が設けられている。また、
外箱1内には、図1に示したX,Y,Zの各方向にチャ
ック8及び電磁シールドボックス7をそれぞれ駆動する
ためのローダ6が配置されている。ここで、X方向は紙
面に垂直な方向であり、Y方向は紙面における左右方向
である。例えばウェハ9の上面や外箱1の上面は、それ
ぞれXY平面に含まれる。また、Z方向は紙面における
上下方向であり、これは、例えばウェハ9の上面の法線
方向や外箱1の上面の法線方向と一致する。ローダ6
は、チャック8及び電磁シールドボックス7を一体とし
てX方向及びY方向に駆動するためのXYローダ部6c
と、電磁シールドボックス7をZ方向に駆動するための
Zローダ部6dと、チャック8をZ方向に駆動するため
のZローダ部6eとを有している。Zローダ部6d,6
eの各上端は、それぞれ電磁シールドボックス7の底面
及びチャック8の底面に固定されている。また、ローダ
6は、XYローダ部6c及びZローダ部6d,6eに供
給すべき駆動力を発生するモータ部6aと、その駆動力
をXYローダ部6c及びZローダ部6d,6eに伝達す
るための駆動力伝達部6bとを有している。
【0022】また、外箱1の上面上にはテスタヘッド3
が配置されており、テスタヘッド3の底面部分にはプロ
ーブカード4が配置されている。図1に示すように、プ
ローブカード4は外箱1の上面の一部を構成するとみな
すこともできる。外箱1の上面は、一部が開口してお
り、プローブカード4の有するプローブ針5は、この開
口を介して外箱1内に突出している。
が配置されており、テスタヘッド3の底面部分にはプロ
ーブカード4が配置されている。図1に示すように、プ
ローブカード4は外箱1の上面の一部を構成するとみな
すこともできる。外箱1の上面は、一部が開口してお
り、プローブカード4の有するプローブ針5は、この開
口を介して外箱1内に突出している。
【0023】図2〜7は、図1に示した本発明の実施の
形態1に係るプローバ装置を用いた、半導体装置の電気
的評価方法を工程順に説明する側面図である。但し、図
面の簡略化のため、配線10及び電源11の記載は省略
している。
形態1に係るプローバ装置を用いた、半導体装置の電気
的評価方法を工程順に説明する側面図である。但し、図
面の簡略化のため、配線10及び電源11の記載は省略
している。
【0024】<第1工程>まず、XYローダ部6cを駆
動して、電磁シールドボックス7及びチャック8を、ウ
ェハ9を交換するための所定の位置に移動する。このと
き、Zローダ部6d,6eによって、電磁シールドボッ
クス7及びチャック8はともに降下された状態となって
いる。そして、この状態で、チャック8の電極8a上
に、ウェハ9を位置合わせして載置する(図2)。
動して、電磁シールドボックス7及びチャック8を、ウ
ェハ9を交換するための所定の位置に移動する。このと
き、Zローダ部6d,6eによって、電磁シールドボッ
クス7及びチャック8はともに降下された状態となって
いる。そして、この状態で、チャック8の電極8a上
に、ウェハ9を位置合わせして載置する(図2)。
【0025】<第2工程>次に、XYローダ部6cを駆
動して、ウェハ9上に形成された複数の半導体装置のう
ち、1番目に評価すべき半導体装置の入出力端子(図示
しない)がプローブ針5の真下に来るように、電磁シー
ルドボックス7及びチャック8を移動する(図3)。
動して、ウェハ9上に形成された複数の半導体装置のう
ち、1番目に評価すべき半導体装置の入出力端子(図示
しない)がプローブ針5の真下に来るように、電磁シー
ルドボックス7及びチャック8を移動する(図3)。
【0026】<第3工程>次に、Zローダ部6eを駆動
してチャック8をZ方向に上昇させることにより、上記
入出力端子とプローブ針5とを接触させる(図4)。
してチャック8をZ方向に上昇させることにより、上記
入出力端子とプローブ針5とを接触させる(図4)。
【0027】<第4工程>次に、Zローダ部6dを駆動
して電磁シールドボックス7をZ方向に上昇させること
により、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と、
外箱1の上面とを接触させる。これにより、外箱1の上
面と、電磁シールドボックス7の側面及び底面とによっ
て、チャック8及びウェハ9を取り囲む密閉空間30が
形成される。なお、ここでは、プローブカード4が外箱
1の上面の一部を構成するものとみなしたが、プローブ
カード4と外箱1の上面とを別々に考える場合は、密閉
空間30は、プローブカード4と、外箱1の上面と、電
磁シールドボックス7の側面及び底面とによって形成さ
れる。また、第4工程におけるここまでの工程は、上記
第3工程と同時に実行することもできる。
して電磁シールドボックス7をZ方向に上昇させること
により、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と、
外箱1の上面とを接触させる。これにより、外箱1の上
面と、電磁シールドボックス7の側面及び底面とによっ
て、チャック8及びウェハ9を取り囲む密閉空間30が
形成される。なお、ここでは、プローブカード4が外箱
1の上面の一部を構成するものとみなしたが、プローブ
カード4と外箱1の上面とを別々に考える場合は、密閉
空間30は、プローブカード4と、外箱1の上面と、電
磁シールドボックス7の側面及び底面とによって形成さ
れる。また、第4工程におけるここまでの工程は、上記
第3工程と同時に実行することもできる。
【0028】この状態で、テスタヘッド3からプローブ
針5及び上記入出力端子を介して、半導体装置に評価用
の電気信号を印加する。また、電源11から配線10及
び電極8aを介して、ウェハ9の裏面側から半導体装置
に所定の電位を供給する。このようにして、1番目に評
価すべき半導体装置に関する電気的評価が行われる(図
5)。
針5及び上記入出力端子を介して、半導体装置に評価用
の電気信号を印加する。また、電源11から配線10及
び電極8aを介して、ウェハ9の裏面側から半導体装置
に所定の電位を供給する。このようにして、1番目に評
価すべき半導体装置に関する電気的評価が行われる(図
5)。
【0029】<第5工程>1番目に評価すべき半導体装
置に関する電気的評価が終了し、テスタヘッド3からの
電気信号の印加、及び電源11からの所定の電位の供給
をそれぞれ停止した後、次に、Zローダ部6d,6eを
駆動して、電磁シールドボックス7及びチャック8をZ
方向に微量だけ降下させる。これにより、外箱1の上面
と電磁シールドボックス7の側面との接触、及び、1番
目に評価すべき半導体装置の入出力端子とプローブ針5
との接触がそれぞれ解かれる(図6)。
置に関する電気的評価が終了し、テスタヘッド3からの
電気信号の印加、及び電源11からの所定の電位の供給
をそれぞれ停止した後、次に、Zローダ部6d,6eを
駆動して、電磁シールドボックス7及びチャック8をZ
方向に微量だけ降下させる。これにより、外箱1の上面
と電磁シールドボックス7の側面との接触、及び、1番
目に評価すべき半導体装置の入出力端子とプローブ針5
との接触がそれぞれ解かれる(図6)。
【0030】<第6工程>次に、XYローダ部6cを駆
動して、ウェハ9上に形成された複数の半導体装置のう
ち、2番目に評価すべき半導体装置の入出力端子(図示
しない)がプローブ針5の真下に来るように、電磁シー
ルドボックス7及びチャック8を移動する(図7)。そ
の後、2番目に評価すべき半導体装置に関して、上記第
3工程から第6工程をこの順に繰り返して実行し、2番
目に評価すべき半導体装置に関する電気的評価が行われ
る。
動して、ウェハ9上に形成された複数の半導体装置のう
ち、2番目に評価すべき半導体装置の入出力端子(図示
しない)がプローブ針5の真下に来るように、電磁シー
ルドボックス7及びチャック8を移動する(図7)。そ
の後、2番目に評価すべき半導体装置に関して、上記第
3工程から第6工程をこの順に繰り返して実行し、2番
目に評価すべき半導体装置に関する電気的評価が行われ
る。
【0031】さらに、ウェハ9上に形成された全ての半
導体装置に関して、上記第2工程から第6工程をこの順
に繰り返して実行し、各半導体装置に関する電気的評価
を行う。
導体装置に関して、上記第2工程から第6工程をこの順
に繰り返して実行し、各半導体装置に関する電気的評価
を行う。
【0032】このように本実施の形態1に係るプローバ
装置によれば、半導体装置の評価時において、チャック
8及びウェハ9は、外箱1の上面と、電磁シールドボッ
クス7の側面及び底面とによって取り囲まれる密閉空間
30内に閉じ込められる。従って、この電磁シールドボ
ックス7によって、外箱1の外部に配置された電源11
等の周辺装置が発生する電磁波のみならず、外箱1の内
部に配置された換気ファン2やローダ6のモータ部6a
が発生する電磁波をも遮蔽することができる。その結
果、評価における電気的雑音を数fAレベルに低減する
ことができ、微少電流領域における評価(例えば、fA
レベルの微少リーク電流の測定等)を適切に実行するこ
とができる。
装置によれば、半導体装置の評価時において、チャック
8及びウェハ9は、外箱1の上面と、電磁シールドボッ
クス7の側面及び底面とによって取り囲まれる密閉空間
30内に閉じ込められる。従って、この電磁シールドボ
ックス7によって、外箱1の外部に配置された電源11
等の周辺装置が発生する電磁波のみならず、外箱1の内
部に配置された換気ファン2やローダ6のモータ部6a
が発生する電磁波をも遮蔽することができる。その結
果、評価における電気的雑音を数fAレベルに低減する
ことができ、微少電流領域における評価(例えば、fA
レベルの微少リーク電流の測定等)を適切に実行するこ
とができる。
【0033】なお、特開平1−181432号公報に
は、チャックを超電導体材料で構成することにより、超
電導体固有の特徴であるマイスナー効果によって電磁波
を遮蔽するプローバ装置が記載されている。しかし、上
記公報記載のプローバ装置では、電磁遮蔽体として機能
するチャックは平板状であるため、ウェハの底面側から
照射される電磁波は遮蔽できたとしても、側面側から照
射される電磁波は遮蔽することができない。これに対
し、本実施の形態1に係るプローバ装置では、ウェハ9
の底面側から照射される電磁波は電磁シールドボックス
7の底面によって遮蔽することができるとともに、ウェ
ハ9の側面側から照射される電磁波は電磁シールドボッ
クス7の側面によって遮蔽することができる。この意味
で、本実施の形態1に係るプローバ装置は、上記公報記
載のプローバ装置よりも電磁波の遮蔽能力に優れてい
る。
は、チャックを超電導体材料で構成することにより、超
電導体固有の特徴であるマイスナー効果によって電磁波
を遮蔽するプローバ装置が記載されている。しかし、上
記公報記載のプローバ装置では、電磁遮蔽体として機能
するチャックは平板状であるため、ウェハの底面側から
照射される電磁波は遮蔽できたとしても、側面側から照
射される電磁波は遮蔽することができない。これに対
し、本実施の形態1に係るプローバ装置では、ウェハ9
の底面側から照射される電磁波は電磁シールドボックス
7の底面によって遮蔽することができるとともに、ウェ
ハ9の側面側から照射される電磁波は電磁シールドボッ
クス7の側面によって遮蔽することができる。この意味
で、本実施の形態1に係るプローバ装置は、上記公報記
載のプローバ装置よりも電磁波の遮蔽能力に優れてい
る。
【0034】実施の形態2.図8は、本発明の実施の形
態2に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図で
ある。電源11、チャック8の電極8a、及び電磁シー
ルドボックス7を、トライアキシャルケーブル12によ
って互いに接続している。本実施の形態2に係るプロー
バ装置のその他の構成は、図1に示した上記実施の形態
1に係るプローバ装置の構成と同様である。
態2に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図で
ある。電源11、チャック8の電極8a、及び電磁シー
ルドボックス7を、トライアキシャルケーブル12によ
って互いに接続している。本実施の形態2に係るプロー
バ装置のその他の構成は、図1に示した上記実施の形態
1に係るプローバ装置の構成と同様である。
【0035】図9は、トライアキシャルケーブル12の
構造を示す斜視図である。トライアキシャルケーブル1
2は、それぞれが絶縁体によって被覆された、同軸の第
1配線12a、第2配線12b、及び第3配線12cに
よって構成されている。各配線には、電源11から個別
の電位を供給することができる。
構造を示す斜視図である。トライアキシャルケーブル1
2は、それぞれが絶縁体によって被覆された、同軸の第
1配線12a、第2配線12b、及び第3配線12cに
よって構成されている。各配線には、電源11から個別
の電位を供給することができる。
【0036】図10は、トライアキシャルケーブル12
の接続状況を示す斜視図である。第1配線12a及び第
2配線12bは、Zローダ部6eの内部を介して、それ
ぞれチャック8の電極8a及び電磁シールドボックス7
に接続される。第3配線12cは、例えばZローダ部6
dやZローダ部6e等、プローバ装置の全体に接続され
る。そして、電源11によって、第1配線12a及び第
2配線12bには同一の電位(例えば5V)を、第3配
線12cには接地電位(0V)を供給する。これによ
り、電極8a及び電磁シールドボックス7以外のプロー
バ装置の全体が接地されるとともに、電極8a及び電磁
シールドボックス7は同電位に設定される。
の接続状況を示す斜視図である。第1配線12a及び第
2配線12bは、Zローダ部6eの内部を介して、それ
ぞれチャック8の電極8a及び電磁シールドボックス7
に接続される。第3配線12cは、例えばZローダ部6
dやZローダ部6e等、プローバ装置の全体に接続され
る。そして、電源11によって、第1配線12a及び第
2配線12bには同一の電位(例えば5V)を、第3配
線12cには接地電位(0V)を供給する。これによ
り、電極8a及び電磁シールドボックス7以外のプロー
バ装置の全体が接地されるとともに、電極8a及び電磁
シールドボックス7は同電位に設定される。
【0037】このように本実施の形態2に係るプローバ
装置によれば、チャック8の電極8aと電磁シールドボ
ックス7とを同電位に設定する。従って、電極8aと電
磁シールドボックス7との間の電位差に起因する電気的
雑音の影響を除去することができ、微少電流領域におけ
る半導体装置の電気的評価をさらに高精度に実行するこ
とが可能となる。
装置によれば、チャック8の電極8aと電磁シールドボ
ックス7とを同電位に設定する。従って、電極8aと電
磁シールドボックス7との間の電位差に起因する電気的
雑音の影響を除去することができ、微少電流領域におけ
る半導体装置の電気的評価をさらに高精度に実行するこ
とが可能となる。
【0038】また、図11は、本発明の実施の形態2に
係るプローバ装置の他の構成を模式的に示す側面図であ
る。図8に示したプローバ装置を基礎として、外箱1の
上面に、金属板13を配置したものである。金属板13
は、外箱1の上面のうち、該上面と電磁シールドボック
ス7の側面とが接触する部分から密閉空間30側に延在
して形成されている。このような構成とすることによ
り、電源11から第2配線12b及び電磁シールドボッ
クス7を介して、チャック8の電極8aの電位と等しい
電位を金属板13に供給することができる。その結果、
金属板13は電磁遮蔽体として機能し、ウェハ9の上面
側から照射される電磁波をこの金属板13によって遮蔽
することができるため、プローバ装置の有する電磁遮蔽
能力をさらに高めることが可能となる。
係るプローバ装置の他の構成を模式的に示す側面図であ
る。図8に示したプローバ装置を基礎として、外箱1の
上面に、金属板13を配置したものである。金属板13
は、外箱1の上面のうち、該上面と電磁シールドボック
ス7の側面とが接触する部分から密閉空間30側に延在
して形成されている。このような構成とすることによ
り、電源11から第2配線12b及び電磁シールドボッ
クス7を介して、チャック8の電極8aの電位と等しい
電位を金属板13に供給することができる。その結果、
金属板13は電磁遮蔽体として機能し、ウェハ9の上面
側から照射される電磁波をこの金属板13によって遮蔽
することができるため、プローバ装置の有する電磁遮蔽
能力をさらに高めることが可能となる。
【0039】実施の形態3.図12は、本発明の実施の
形態3に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に不活性ガス導入口14
を配置した。不活性ガス導入口14には配管15が接続
され、配管15は、外箱1の外部に配置された不活性ガ
ス供給装置16に接続されている。本実施の形態3に係
るプローバ装置のその他の構成は、図11に示したプロ
ーバ装置の構成と同様である。但し、図1に示したプロ
ーバ装置、あるいは図8に示したプローバ装置を基礎と
して、本実施の形態3に係るプローバ装置を構成するこ
ともできる。
形態3に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に不活性ガス導入口14
を配置した。不活性ガス導入口14には配管15が接続
され、配管15は、外箱1の外部に配置された不活性ガ
ス供給装置16に接続されている。本実施の形態3に係
るプローバ装置のその他の構成は、図11に示したプロ
ーバ装置の構成と同様である。但し、図1に示したプロ
ーバ装置、あるいは図8に示したプローバ装置を基礎と
して、本実施の形態3に係るプローバ装置を構成するこ
ともできる。
【0040】上記実施の形態1で説明した第4工程にお
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態で、不活性ガス供給装置16から配管
15及び不活性ガス導入口14を介して、例えば窒素等
の不活性ガスを密閉空間30の内部に導入する。これに
より、密閉空間30の内部は不活性ガスによって充填さ
れる。その後、テスタヘッド3及び電源11から半導体
装置に電気信号や所定の電位をそれぞれ印加・供給し、
半導体装置の電気的評価を実行する。
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態で、不活性ガス供給装置16から配管
15及び不活性ガス導入口14を介して、例えば窒素等
の不活性ガスを密閉空間30の内部に導入する。これに
より、密閉空間30の内部は不活性ガスによって充填さ
れる。その後、テスタヘッド3及び電源11から半導体
装置に電気信号や所定の電位をそれぞれ印加・供給し、
半導体装置の電気的評価を実行する。
【0041】このように本実施の形態3に係るプローバ
装置によれば、電磁シールドボックス7に不活性ガス導
入口14を配置し、密閉空間30を不活性ガスによって
充填してから半導体装置の電気的評価を実行する。従っ
て、電気的評価の実行途中における、半導体装置や入出
力端子の酸化等の経時変化を抑制することができる。
装置によれば、電磁シールドボックス7に不活性ガス導
入口14を配置し、密閉空間30を不活性ガスによって
充填してから半導体装置の電気的評価を実行する。従っ
て、電気的評価の実行途中における、半導体装置や入出
力端子の酸化等の経時変化を抑制することができる。
【0042】実施の形態4.図13は、本発明の実施の
形態4に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に空気排出口17を配置
した。空気排出口17には配管18が接続され、配管1
8は、外箱1の外部に配置されたロータリポンプ19に
接続されている。本実施の形態4に係るプローバ装置の
その他の構成は、図11に示したプローバ装置の構成と
同様である。但し、図1に示したプローバ装置、あるい
は図8に示したプローバ装置を基礎として、本実施の形
態4に係るプローバ装置を構成することもできる。
形態4に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に空気排出口17を配置
した。空気排出口17には配管18が接続され、配管1
8は、外箱1の外部に配置されたロータリポンプ19に
接続されている。本実施の形態4に係るプローバ装置の
その他の構成は、図11に示したプローバ装置の構成と
同様である。但し、図1に示したプローバ装置、あるい
は図8に示したプローバ装置を基礎として、本実施の形
態4に係るプローバ装置を構成することもできる。
【0043】上記実施の形態1で説明した第4工程にお
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態でロータリポンプ19を動作させ、空
気排出口17及び配管18を介して密閉空間30内の空
気を排出する。これにより、密閉空間30の内部は真空
状態となる。その後、テスタヘッド3及び電源11から
半導体装置に電気信号や所定の電位をそれぞれ印加・供
給し、半導体装置の電気的評価を実行する。
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態でロータリポンプ19を動作させ、空
気排出口17及び配管18を介して密閉空間30内の空
気を排出する。これにより、密閉空間30の内部は真空
状態となる。その後、テスタヘッド3及び電源11から
半導体装置に電気信号や所定の電位をそれぞれ印加・供
給し、半導体装置の電気的評価を実行する。
【0044】このように本実施の形態4に係るプローバ
装置によれば、電磁シールドボックス7に空気排出口1
7を配置し、密閉空間30を真空状態にしてから半導体
装置の電気的評価を実行する。従って、電気的評価の実
行途中における、半導体装置や入出力端子の酸化等の経
時変化を抑制することができる。
装置によれば、電磁シールドボックス7に空気排出口1
7を配置し、密閉空間30を真空状態にしてから半導体
装置の電気的評価を実行する。従って、電気的評価の実
行途中における、半導体装置や入出力端子の酸化等の経
時変化を抑制することができる。
【0045】実施の形態5.図14は、本発明の実施の
形態5に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に、加熱・冷却ガス導入
口20を配置した。加熱・冷却ガス導入口20には配管
21が接続され、配管21は、外箱1の外部に配置され
た加熱・冷却ガス供給装置22に接続されている。本実
施の形態5に係るプローバ装置のその他の構成は、図1
1に示したプローバ装置の構成と同様である。但し、図
1に示したプローバ装置、あるいは図8に示したプロー
バ装置を基礎として、本実施の形態5に係るプローバ装
置を構成することもできる。
形態5に係るプローバ装置の構成を模式的に示す側面図
である。図11に示したプローバ装置を基礎として、電
磁シールドボックス7の側面部に、加熱・冷却ガス導入
口20を配置した。加熱・冷却ガス導入口20には配管
21が接続され、配管21は、外箱1の外部に配置され
た加熱・冷却ガス供給装置22に接続されている。本実
施の形態5に係るプローバ装置のその他の構成は、図1
1に示したプローバ装置の構成と同様である。但し、図
1に示したプローバ装置、あるいは図8に示したプロー
バ装置を基礎として、本実施の形態5に係るプローバ装
置を構成することもできる。
【0046】上記実施の形態1で説明した第4工程にお
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態で、加熱・冷却ガス供給装置22から
配管21及び加熱・冷却ガス導入口20を介して、任意
の加熱・冷却ガスを密閉空間30の内部に導入する。加
熱・冷却ガスの温度は、加熱・冷却ガス供給装置22に
よって任意に調整することができる。その後、テスタヘ
ッド3及び電源11から半導体装置に電気信号や所定の
電位をそれぞれ印加・供給し、半導体装置の電気的評価
を実行する。
いて、電磁シールドボックス7の側面の上端部分と外箱
1の上面とを接触させることにより密閉空間30を形成
した後、この状態で、加熱・冷却ガス供給装置22から
配管21及び加熱・冷却ガス導入口20を介して、任意
の加熱・冷却ガスを密閉空間30の内部に導入する。加
熱・冷却ガスの温度は、加熱・冷却ガス供給装置22に
よって任意に調整することができる。その後、テスタヘ
ッド3及び電源11から半導体装置に電気信号や所定の
電位をそれぞれ印加・供給し、半導体装置の電気的評価
を実行する。
【0047】このように本実施の形態5に係るプローバ
装置によれば、電磁シールドボックス7に加熱・冷却ガ
ス導入口20を配置し、密閉空間30内に加熱・冷却ガ
スを導入してから半導体装置の電気的評価を実行する。
これにより、密閉空間30内部の温度、ひいてはウェハ
9の温度を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整
することができる。
装置によれば、電磁シールドボックス7に加熱・冷却ガ
ス導入口20を配置し、密閉空間30内に加熱・冷却ガ
スを導入してから半導体装置の電気的評価を実行する。
これにより、密閉空間30内部の温度、ひいてはウェハ
9の温度を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整
することができる。
【0048】ところで、図15に示した従来のプローバ
装置のように、チャック108の内部に電熱ヒータ10
7を設ける場合は、この電熱ヒータ107が発生する電
磁波が、評価における電気的雑音となっていた。これに
対し、本実施の形態5に係るプローバ装置では、加熱・
冷却ガス供給装置22は外箱1の外部に配置されてい
る。このため、加熱・冷却ガス供給装置22が発生する
電磁波は、電磁シールドボックス7(外箱1が電磁遮蔽
体で構成されている場合は外箱1及び電磁シールドボッ
クス7)によって適切に遮蔽され、この電磁波に起因す
る電気的雑音を数fAレベルにまで低減することができ
る。
装置のように、チャック108の内部に電熱ヒータ10
7を設ける場合は、この電熱ヒータ107が発生する電
磁波が、評価における電気的雑音となっていた。これに
対し、本実施の形態5に係るプローバ装置では、加熱・
冷却ガス供給装置22は外箱1の外部に配置されてい
る。このため、加熱・冷却ガス供給装置22が発生する
電磁波は、電磁シールドボックス7(外箱1が電磁遮蔽
体で構成されている場合は外箱1及び電磁シールドボッ
クス7)によって適切に遮蔽され、この電磁波に起因す
る電気的雑音を数fAレベルにまで低減することができ
る。
【0049】なお、特開昭62−63439号公報に
は、チャック上に密閉空間を構成し、この密閉空間内に
温度制御された空気を導入することにより、ウェハの温
度を制御するプローバ装置が記載されている。しかし、
上記公報記載のプローバ装置では、テフロン(商標名)
から成るフードと、強化ガラス板とによって密閉空間を
構成しており、外部からの電磁遮蔽を目的とするもので
はない。これに対し、本実施の形態5に係るプローバ装
置は、密閉空間30を電磁遮蔽体たる電磁シールドボッ
クス7によって構成しており、外部からの電磁波を遮蔽
しつつ、ウェハ9の温度を制御し得る点で、上記公報記
載のプローバ装置よりも優れた効果を有する。
は、チャック上に密閉空間を構成し、この密閉空間内に
温度制御された空気を導入することにより、ウェハの温
度を制御するプローバ装置が記載されている。しかし、
上記公報記載のプローバ装置では、テフロン(商標名)
から成るフードと、強化ガラス板とによって密閉空間を
構成しており、外部からの電磁遮蔽を目的とするもので
はない。これに対し、本実施の形態5に係るプローバ装
置は、密閉空間30を電磁遮蔽体たる電磁シールドボッ
クス7によって構成しており、外部からの電磁波を遮蔽
しつつ、ウェハ9の温度を制御し得る点で、上記公報記
載のプローバ装置よりも優れた効果を有する。
【0050】
【発明の効果】この発明のうち請求項1に係るものによ
れば、半導体装置の評価時において、載置台及び載置台
上に載置されたウェハは、外箱内に配置された電磁遮蔽
体によって取り囲まれる。従って、この電磁遮蔽体によ
って、周囲の電磁波に起因する電気的雑音を適切に低減
することができる。
れば、半導体装置の評価時において、載置台及び載置台
上に載置されたウェハは、外箱内に配置された電磁遮蔽
体によって取り囲まれる。従って、この電磁遮蔽体によ
って、周囲の電磁波に起因する電気的雑音を適切に低減
することができる。
【0051】また、この発明のうち請求項2に係るもの
によれば、載置台の有する電極と電磁遮蔽体とは、配線
によって同電位に保たれる。従って、この電極と電磁遮
蔽体との間に電位差が生じることに起因する電気的雑音
の影響を除去することができる。
によれば、載置台の有する電極と電磁遮蔽体とは、配線
によって同電位に保たれる。従って、この電極と電磁遮
蔽体との間に電位差が生じることに起因する電気的雑音
の影響を除去することができる。
【0052】また、この発明のうち請求項3に係るもの
によれば、載置台の有する電極、電磁遮蔽体、及び導体
板を、いずれも同電位に保つことができる。その結果、
ウェハの上面側から照射される電磁波を、この導体板に
よって遮蔽することができる。
によれば、載置台の有する電極、電磁遮蔽体、及び導体
板を、いずれも同電位に保つことができる。その結果、
ウェハの上面側から照射される電磁波を、この導体板に
よって遮蔽することができる。
【0053】また、この発明のうち請求項4に係るもの
によれば、ガス導入口から不活性ガスを導入することに
より、密閉空間を不活性ガスによって充填してから半導
体装置の電気的評価を実行することができる。従って、
電気的評価の実行途中における、半導体装置等の経時変
化を抑制することができる。
によれば、ガス導入口から不活性ガスを導入することに
より、密閉空間を不活性ガスによって充填してから半導
体装置の電気的評価を実行することができる。従って、
電気的評価の実行途中における、半導体装置等の経時変
化を抑制することができる。
【0054】また、この発明のうち請求項5に係るもの
によれば、空気排出口から密閉空間内の空気を排出する
ことにより、密閉空間内を真空状態にしてから半導体装
置の電気的評価を実行することができる。従って、電気
的評価の実行途中における、半導体装置等の経時変化を
抑制することができる。
によれば、空気排出口から密閉空間内の空気を排出する
ことにより、密閉空間内を真空状態にしてから半導体装
置の電気的評価を実行することができる。従って、電気
的評価の実行途中における、半導体装置等の経時変化を
抑制することができる。
【0055】また、この発明のうち請求項6に係るもの
によれば、ガス導入口から加熱・冷却ガスを導入するこ
とにより、密閉空間内の温度、ひいてはウェハの温度
を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整すること
ができる。
によれば、ガス導入口から加熱・冷却ガスを導入するこ
とにより、密閉空間内の温度、ひいてはウェハの温度
を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整すること
ができる。
【0056】しかも、載置台の内部に電熱ヒータを設け
る場合と比較すると、この電熱ヒータが発生する電磁波
が評価における電気的雑音となることを回避することが
できる。
る場合と比較すると、この電熱ヒータが発生する電磁波
が評価における電気的雑音となることを回避することが
できる。
【0057】また、この発明のうち請求項7に係るもの
によれば、工程(b)によって電磁遮蔽体の側面と外箱
の一面とを接触させることにより、外箱の一面と電磁遮
蔽体の側面及び底面とによって、ウェハ及び載置台を取
り囲む。従って、この電磁遮蔽体によって、周囲の電磁
波に起因する電気的雑音を適切に低減することができ
る。
によれば、工程(b)によって電磁遮蔽体の側面と外箱
の一面とを接触させることにより、外箱の一面と電磁遮
蔽体の側面及び底面とによって、ウェハ及び載置台を取
り囲む。従って、この電磁遮蔽体によって、周囲の電磁
波に起因する電気的雑音を適切に低減することができ
る。
【0058】また、この発明のうち請求項8に係るもの
によれば、工程(d)によって密閉空間内を不活性ガス
によって充填した後、工程(c)によって、半導体装置
への電気信号の供給が実行される。従って、電気的評価
の実行途中における、半導体装置等の経時変化を抑制す
ることができる。
によれば、工程(d)によって密閉空間内を不活性ガス
によって充填した後、工程(c)によって、半導体装置
への電気信号の供給が実行される。従って、電気的評価
の実行途中における、半導体装置等の経時変化を抑制す
ることができる。
【0059】また、この発明のうち請求項9に係るもの
によれば、工程(d)によって密閉空間内を真空状態に
した後、工程(c)によって、半導体装置への電気信号
の供給が実行される。従って、電気的評価の実行途中に
おける、半導体装置等の経時変化を抑制することができ
る。
によれば、工程(d)によって密閉空間内を真空状態に
した後、工程(c)によって、半導体装置への電気信号
の供給が実行される。従って、電気的評価の実行途中に
おける、半導体装置等の経時変化を抑制することができ
る。
【0060】また、この発明のうち請求項10に係るも
のによれば、工程(d)によって密閉空間内に加熱・冷
却ガスを導入した後、工程(c)によって、半導体装置
への電気信号の供給が実行される。従って、電気的評価
の実行時において、密閉空間内の温度、ひいてはウェハ
の温度を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整す
ることができる。
のによれば、工程(d)によって密閉空間内に加熱・冷
却ガスを導入した後、工程(c)によって、半導体装置
への電気信号の供給が実行される。従って、電気的評価
の実行時において、密閉空間内の温度、ひいてはウェハ
の温度を、加熱・冷却ガスの温度によって任意に調整す
ることができる。
【0061】しかも、載置台の内部に電熱ヒータを設け
る場合と比較すると、この電熱ヒータが発生する電磁波
が評価における電気的雑音となることを回避することが
できる。
る場合と比較すると、この電熱ヒータが発生する電磁波
が評価における電気的雑音となることを回避することが
できる。
【図1】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置の
構成を模式的に示す側面図である。
構成を模式的に示す側面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図3】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図4】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図5】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図6】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図7】 本発明の実施の形態1に係るプローバ装置を
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
用いた、半導体装置の電気的評価方法を工程順に説明す
る側面図である。
【図8】 本発明の実施の形態2に係るプローバ装置の
構成を模式的に示す側面図である。
構成を模式的に示す側面図である。
【図9】 トライアキシャルケーブルの構造を示す斜視
図である。
図である。
【図10】 トライアキシャルケーブルの接続状況を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図11】 本発明の実施の形態2に係るプローバ装置
の他の構成を模式的に示す側面図である。
の他の構成を模式的に示す側面図である。
【図12】 本発明の実施の形態3に係るプローバ装置
の構成を模式的に示す側面図である。
の構成を模式的に示す側面図である。
【図13】 本発明の実施の形態4に係るプローバ装置
の構成を模式的に示す側面図である。
の構成を模式的に示す側面図である。
【図14】 本発明の実施の形態5に係るプローバ装置
の構成を模式的に示す側面図である。
の構成を模式的に示す側面図である。
【図15】 従来のプローバ装置の構成を模式的に示す
側面図である。
側面図である。
1 外箱、4 プローブカード、5 プローブ針、6
ローダ、7 電磁シールドボックス、8 チャック、9
ウェハ、12 トライアキシャルケーブル、13 金
属板、14 不活性ガス導入口、17 空気排出口、2
0 加熱・冷却ガス導入口、30 密閉空間。
ローダ、7 電磁シールドボックス、8 チャック、9
ウェハ、12 トライアキシャルケーブル、13 金
属板、14 不活性ガス導入口、17 空気排出口、2
0 加熱・冷却ガス導入口、30 密閉空間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江口 剛治 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山口 徹 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2G011 AA17 AC33 AE03 2G032 AA00 AE00 AE02 AE14 AF02 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 DD10 DD22 DD23 DD30 DJ02 DJ04 DJ05 9A001 BB05 KK15 KK17 KK31 KK35 KK37 LL02 LL05
Claims (10)
- 【請求項1】 ウェハ上に形成された評価対象たる半導
体装置に評価用の電気信号を供給するための信号供給部
が配置された一面を有する外箱と、 いずれも前記外箱内に配置された、 前記ウェハを載置するための載置台と、 前記載置台の側縁に対向し、前記半導体装置の評価時に
おいて前記一面に接触する側面と、前記載置台の裏面に
対向する底面とを有し、前記一面と、該一面に接触した
前記側面と、前記底面とによって前記載置台を取り囲む
空間を形成する電磁遮蔽体とを備えるプローバ装置。 - 【請求項2】 前記載置台は、前記ウェハの裏面側から
前記半導体装置と電気的接触をとるための電極を有し、 前記電磁遮蔽体と前記電極とを同電位に保つための配線
をさらに備える、請求項1に記載のプローバ装置。 - 【請求項3】 前記外箱の前記一面のうち、該一面と前
記電磁遮蔽体の前記側面とが接触する部分から前記空間
側に延在して配置された導体板をさらに備える、請求項
2に記載のプローバ装置。 - 【請求項4】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉空
間であり、 前記電磁遮蔽体は、不活性ガスを前記密閉空間内に導入
するためのガス導入口を有する、請求項1〜3のいずれ
か一つに記載のプローバ装置。 - 【請求項5】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉空
間であり、 前記電磁遮蔽体は、前記密閉空間内の空気を前記密閉空
間外に排出することにより前記密閉空間内を真空状態に
するための空気排出口を有する、請求項1〜3のいずれ
か一つに記載のプローバ装置。 - 【請求項6】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉空
間であり、 前記電磁遮蔽体は、前記密閉空間内の温度を制御するた
めの加熱・冷却ガスを前記密閉空間内に導入するための
ガス導入口を有する、請求項1〜3のいずれか一つに記
載のプローバ装置。 - 【請求項7】 評価対象たる半導体装置に評価用の電気
信号を供給するための電極を有する信号供給部が配置さ
れた一面を有する外箱と、 いずれも前記外箱内に配置された、 前記評価対象を載置するための載置台と、 前記載置台を、前記外箱内において、前記外箱の前記一
面の法線方向に駆動する第1の駆動部と、 前記載置台の側縁に対向する側面と、前記載置台の裏面
に対向する底面とを有し、前記側面が前記一面に接触す
ることにより、前記一面と、前記側面と、前記底面とに
よって前記載置台を取り囲む空間を形成する電磁遮蔽体
と、 前記電磁遮蔽体を、前記外箱内において、前記法線方向
に駆動する第2の駆動部とを備えるプローバ装置を用い
た半導体装置の評価方法であって、 (a)前記第1の駆動部によって前記載置台を駆動する
ことにより、前記半導体装置と前記電極とを接触させる
工程と、 (b)前記第2の駆動部によって前記電磁遮蔽体を駆動
することにより、前記電磁遮蔽体の前記側面と前記外箱
の前記一面とを接触させる工程と、 (c)前記工程(a)及び(b)よりも後に実行され、
前記信号供給部から前記電極を介して、前記半導体装置
に前記電気信号を供給する工程とを備える、半導体装置
の電気的評価方法。 - 【請求項8】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉空
間であり、 前記電磁遮蔽体は、不活性ガスを前記密閉空間内に導入
するためのガス導入口を有し、 (d)前記工程(c)よりも前に実行され、前記ガス導
入口から前記密閉空間内に前記不活性ガスを導入する工
程をさらに備える、請求項7に記載の半導体装置の電気
的評価方法。 - 【請求項9】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉空
間であり、 前記電磁遮蔽体は、前記密閉空間内の空気を前記密閉空
間外に排出するための空気排出口を有し、 (d)前記工程(c)よりも前に実行され、前記密閉空
間内の前記空気を前記空気排出口から前記密閉空間外に
排出することにより前記密閉空間内を真空状態にする工
程をさらに備える、請求項7に記載の半導体装置の電気
的評価方法。 - 【請求項10】 前記載置台を取り囲む前記空間は密閉
空間であり、 前記電磁遮蔽体は、加熱・冷却ガスを前記密閉空間内に
導入するためのガス導入口を有し、 (d)前記工程(c)よりも前に実行され、前記ガス導
入口から前記密閉空間内に前記加熱・冷却ガスを導入す
ることにより、前記密閉空間内の温度を制御する工程を
さらに備える、請求項7に記載の半導体装置の電気的評
価方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10359326A JP2000183120A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10359326A JP2000183120A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000183120A true JP2000183120A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18463942
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10359326A Pending JP2000183120A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法 |
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Country | Link |
---|---|
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