CN113495178A - 用于探测系统的屏蔽 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种探测系统的屏蔽，该探测系统包括一卡盘，其配置成支撑一待测件；一探针卡，其布置在该卡盘上面，并包括从该探针卡朝向该卡盘突出的多个探针；以及一压板，其布置在该卡盘和该探针卡之间，并配置成支撑该探针卡，其中该卡盘包括一屏蔽构件，其布置在该压板和该卡盘之间。

Description

用于探测系统的屏蔽

技术领域

本发明所公开内容涉及一种包括配置成在其上支撑一待测件((Device undertest，DUT))的一卡盘的探测器件(device)，尤其涉及具有可从该卡盘的圆周夹具(circumferential fixture)延伸并可缩进其中或是该卡盘的一部分的屏蔽构件的卡盘。又，本发明所公开内容涉及一种操作用于探测布置在卡盘上的DUT的探测系统的方法，尤其涉及一种在广泛变化的温度、压力、湿度或气体填充环境下，探测由可从该卡盘延伸并可缩进其中的屏蔽构件围绕的DUT的方法。这种圆周卡盘屏蔽可小化以干燥空气、气体或任何测试所需的环境进行冲洗排净(purging)所需腔室的体积空间。

背景技术

在制造之后，半导体器件(如晶圆)由探测系统加以测试。在该测试或探测过程中，该半导体器件必须在指定条件(如预定温度、压力、湿度或气体填充环境)下。然而，这样的指定条件可能在该测试或探测过程中，难以对该半导体晶圆维持。因此该半导体器件的测试准确度可能降低。

举例来说，外壳用于围绕和屏蔽整个探测系统。然而，由该外壳屏蔽这样的大型屏蔽腔室非常困难或事实上在技术上不可能。在另一范例中，外壳用于围绕和屏蔽卡盘及该卡盘上的半导体晶圆。尽管这样的屏蔽腔室小于用于该整个探测系统的屏蔽腔室，但仍然相当大型，因此仍然难以可靠屏蔽该卡盘和该半导体晶圆。

据此，本领域亟需不断改进该探测系统的配置。在不同环境下进行测试很难以现有探测系统实现，或可能需求高气体流量、需要高能耗的设备、使用大量气体等，才能以大型腔室填充或冲洗排净该探测系统的环境。对该卡盘的整个空间移动而言，需要该大型腔室。

此现有技术段落仅为了背景信息而提供。此现有技术中的陈述并非承认此现有技术段落中所公开主旨对本发明所公开内容构成现有技术，且此现有技术段落的任何部分皆无法用于承认本公开的任何部分(包括此现有技术段落)对本发明所公开内容构成现有技术。

发明内容

本发明所公开内容的一个实施方式提供一种探测系统。该探测系统包括一卡盘，其配置成支撑一待测件(DUT)；一探针卡，其布置在该卡盘上面，并包括从该探针卡朝向该卡盘突出的多个探针或附带单一探针的多个探针操纵器；以及一压板，其布置在该卡盘和该探针卡或探针操纵器之间，并配置成支撑该探针卡或探针操纵器，其中该卡盘包括一屏蔽构件，其环绕该卡盘，并具有布置在该压板和该卡盘之间的屏蔽件。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件环绕该卡盘的周围并从其朝向该压板突出。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件可从该卡盘延伸并可缩进其中，且若应用需求，则将具有真空抽吸，从而提高该卡盘和该环境之间的屏蔽。

在一些具体实施例中，该卡盘包括一狭槽，其凹入该卡盘边缘，并配置成使得该屏蔽构件的部分或全部能够布置在该狭槽内。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件与该压板接触以提供该卡盘与该周围环境的完全隔离。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件实质上与该卡盘的表面正交。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件的高度可延伸或压低，该高度实质上与该卡盘和该压板之间的距离相同。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件的高度实质上大于该DUT晶圆的厚度，从而确保该晶圆和该压板之间的足够隔距。

在一些具体实施例中，该DUT布置在由该卡盘、该屏蔽构件、该压板及该探针卡或操纵器所界定的腔室内。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件包括一第一端以及相对于该第一端的一第二端，该第一端与该卡盘接触，且该第二端与该压板接触。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件围绕该卡盘上的DUT。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件与该探针卡或该压板隔离。

在一些具体实施例中，封围该探针卡或操纵器的盖体(cover)确保该卡盘和DUT与该环境的完全屏蔽。

本发明所公开内容的另一实施方式提供一种操作探测系统的方法。该方法包括提供包括可从该卡盘的圆周夹具延伸并可缩进其中的一屏蔽构件的一卡盘；在该卡盘上布置一待测件(DUT)；在一压板上以及在该DUT和该卡盘上面提供一探针卡；以及将该屏蔽构件从该卡盘朝向该压板延伸。

在一些具体实施例中，该方法还包含将该屏蔽构件缩进卡盘的圆周夹具中并远离该压板。这可择一自动或通过将该卡盘升高进入该压板完成。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件的延伸在该屏蔽构件的缩进之前进行。

在一些具体实施例中，由该卡盘、该屏蔽构件、该压板及该探针卡或附带盖体的操纵器所界定的腔室在该屏蔽构件的缩进之后形成。

在一些具体实施例中，该方法还包含提高或降低该腔室的温度，或以惰性气体填充该腔室。

在一些具体实施例中，该方法还包含通过以变化湿度的空气填充来提高或降低该腔室的湿度。

在一些具体实施例中，该方法还包含通过以较高或较低压力的空气或气体填充来提高或降低该腔室的压力。

在一些具体实施例中，该方法还包含在该屏蔽构件的缩进之前将该卡盘朝向该探针卡移动。

在一些具体实施例中，该方法还包含在该屏蔽构件的延伸之后探测该DUT。

在一些具体实施例中，该屏蔽构件在该DUT的探测之后缩进该卡盘中。

前述已相当广泛概述特征与技术优势，特别是在将该屏蔽腔室的体积空间减少本发明所公开内容的90％以上方面，以便接下来所公开内容的实施方式可更好理解。所公开内容的附加特征与优势将在以下说明，并形成所公开内容的权利要求的主题。熟习此领域技术者应可了解，所公开的概念与具体实施例可容易作为为了执行本发明所公开内容的相同目的而修改或设计其他结构或程序的基础。熟习此领域技术者也应可意识到，这样的等同构造并未悖离如所附权利要求中所阐述的所公开内容的构思与范围。

附图说明

当与说明书附图(其中类似的参考号码在整个说明书附图中指称相似的元件)有关加以考虑时，对本发明所公开内容的更完整的理解可能通过参照实施方式与权利要求推导出。

图1是依据本发明所公开内容的一些具体实施例的第一探测系统的示意剖面图。

图2和图3是沿着图1中的线AA'的屏蔽构件的剖面图的示例性具体实施例。

图4是依据本发明所公开内容的一些具体实施例的第二探测系统的示意剖面图。

图5是表示在一个或多个具体实施例中，根据本发明所公开内容的各实施方式操作探测系统的方法的流程图。

图6至图10是依据本发明所公开内容的一些具体实施例，通过图5的方法操作探测系统的示意图。

附图标记说明：

100：第一探测系统；探测系统

101：壳体

101a：第一腔室

101b：压板

102：卡盘

102a：表面

102b：狭槽

103：待测件(DUT)

103a：正面侧

103b：背面侧

104：探针卡

104a：探针

105：屏蔽构件

105a：第一端

105b：第二端

106：第二腔室

200：第二探测系统；探测系统

S300：方法

S301～S304：步骤

AA'：线

具体实施方式

下列所公开内容的说明伴随并入本说明书中且构成其一部分的各附图，并例示所公开内容的各具体实施例，但所公开内容不限于所述多个具体实施例。此外，下列各具体实施例可适当整合以完成另一具体实施例。

参照“一个具体实施例”(one embodiment)、“一具体实施例”(an embodiment)、“示例性具体实施例”(exemplary embodiment)、“其他具体实施例”(other embodiments)、“另一具体实施例”(another embodiment)等指示如此所说明的所公开内容的该(等)具体实施例可包括一特定特征、结构或特性，但并非每个具体实施例皆有必要包括该特定特征、结构或特性。又，尽管可能，但该片语“在该具体实施例中”(in the embodiment)的重复使用不一定指称同一具体实施例。

为了使本发明所公开内容完全可理解，在下列说明中提供详细步骤和结构。显然，本发明所公开内容的实作不限于熟习此领域技术者已知的特殊细节。此外，已知的结构和步骤并非详细地说明，以免非必要限制本发明所公开内容。以下将详细说明本发明所公开内容的各优选具体实施例。然而，除了实施方式以外，本发明所公开内容也可能广泛实行在其他具体实施例中。本发明所公开内容的范围不限于实施方式，并由权利要求所界定。

在本发明所公开内容中，公开一种探测系统。该探测系统包括一卡盘，其配置成支撑一待测件(DUT)；以及一探针卡，其布置在该卡盘上面。该卡盘包括一屏蔽构件，其可从该卡盘延伸并可缩进其中。该屏蔽构件从该卡盘延伸以形成围绕该DUT的腔室。如此，该腔室的形成使得该DUT能够在测试或探测过程中，轻松维持在指定条件(如预定温度或压力)下。所以，可改进对该DUT的测试或探测。再者，由该屏蔽构件形成的腔室是非常小型的腔室(如与用于该整个探测系统的屏蔽腔室或用于该卡盘及该卡盘上的半导体晶圆的屏蔽腔室相比)，将可更轻松将该DUT控制和维持在指定条件下，因此成本也可减少。

图1是依据本发明所公开内容的各种具体实施例的第一探测系统100的示意剖面图。在一些具体实施例中，第一探测系统100配置成对待测件(DUT)103进行测试。在一些具体实施例中，第一探测系统100包括一壳体101；一卡盘102，其布置在壳体101内；以及一探针卡104，其布置在卡盘102上方。

在一些具体实施例中，壳体101界定第一腔室101a，且卡盘102布置在第一腔室101a中。在一些具体实施例中，壳体101包括一压板101b，其在壳体101的顶部上方。在一些具体实施例中，压板101b用于在其上托住和支撑探针卡104的平台。在一些具体实施例中，压板101b包括一平坦表面，其用于在其上支撑探针卡104。在一些具体实施例中，压板101b布置在卡盘102和探针卡104之间。

在一些具体实施例中，卡盘102配置成托住和支撑DUT 103。在一些具体实施例中，卡盘102可绕着卡盘102的中心旋转，并可朝向探针卡104移动且从其远离。在一些具体实施例中，卡盘102具有圆形、四边形或多边形的形状。在一些具体实施例中，卡盘102包括一表面102a，其面向探针卡104。

在一些具体实施例中，DUT 103在探测或测试操作过程中布置在卡盘102上。在一些具体实施例中，通过使用抽吸将DUT 103朝向卡盘102吸住(draw)，在卡盘102上托住DUT103。在一些具体实施例中，DUT 103包括形成在其上的电路。在一些具体实施例中，用于测试操作的几个测试焊垫形成在DUT 103上方。

在一些具体实施例中，DUT 103包括一正面侧103a以及相对于正面侧103a的一背面侧103b。在一些具体实施例中，电路或器件形成在正面侧103a上方。在一些具体实施例中，所述多个测试焊垫形成在正面侧103a上方。在一些具体实施例中，DUT 103的背面侧103b接触卡盘102。在一些具体实施例中，背面侧103b接触卡盘102的表面102a。在一些具体实施例中，背面侧103b是实质上平坦的表面。在一些具体实施例中，DUT 103是半导体器件、半导体结构、晶圆、芯片或其类似物。

在一些具体实施例中，探针卡104布置在压板101b上方以及在卡盘102和DUT 103上面。在一些具体实施例中，探针卡104包括一电路板，其用于测试DUT 103。在一些具体实施例中，探针卡104是操纵器、定位器或其类似物。在一些具体实施例中，支撑件布置在该电路板上，且几个探针104a以环氧树脂固定在该支撑件上，并从探针卡104朝向卡盘102突出。在一些具体实施例中，探针卡104包括几个探针操纵器，其附带一单一探针。在一些具体实施例中，每个探针104a的尖端皆配置成接触布置在DUT103上方的测试焊垫。在一些具体实施例中，DUT 103的电路通过所述多个探针104a电连接到探针卡104的电路板。在一些具体实施例中，盖体布置在探针卡104上方以封围探针卡104，以确保卡盘102和DUT 103与所述多个周围环境的完全屏蔽。

在一些具体实施例中，卡盘102包括一屏蔽构件105，其布置在压板101b和卡盘102之间。在一些具体实施例中，屏蔽构件105从卡盘102朝向压板101b突出。在一些具体实施例中，屏蔽构件105从卡盘102的周围突出。在一些具体实施例中，屏蔽构件105从卡盘102的表面102a突出。在一些具体实施例中，屏蔽构件105实质上与卡盘102的表面102a正交。在一些具体实施例中，屏蔽构件105与压板101b接触。在一些具体实施例中，屏蔽构件105在卡盘102的表面102a和压板101b之间延伸。在一些具体实施例中，屏蔽构件105环绕卡盘102。在一些具体实施例中，探针卡104的所述多个探针104a可碰触DUT 103。在一些具体实施例中，屏蔽构件105与该压板101b接触以提供卡盘102与所述多个周围环境的完全隔离。

在一些具体实施例中，屏蔽构件105包括一第一端105a以及相对于第一端105a的一第二端105b。第一端105a与压板101b接触，且第二端105b与卡盘102接触。在一些具体实施例中，第二端105b布置在卡盘102的表面102a下方或其上。在一些具体实施例中，屏蔽构件105与探针卡104隔离。在一些具体实施例中，屏蔽构件105与压板101b隔离。

在一些具体实施例中，屏蔽构件105的高度H实质上与卡盘102和压板101b之间的距离D相同。在一些具体实施例中，屏蔽构件105的高度H实质上大于DUT 103的厚度T。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可沿着其高度延伸或压低。在一些具体实施例中，该高度H实质上大于该厚度T以便确保DUT 103和压板101b之间的足够隔距。在一些具体实施例中，屏蔽构件105沿着线AA'的剖面具有圆形形状(如图2中所示)、四边形形状(如图3中所示)或多边形形状。

在一些具体实施例中，第二腔室106由卡盘102、屏蔽构件105、压板101b及探针卡104所界定。在一些具体实施例中，DUT 103布置在第二腔室106内，并由屏蔽构件105围绕。在一些具体实施例中，第二腔室106的温度实质上不同于或大于第一腔室101a的温度。在一些具体实施例中，第二腔室106中的压力实质上不同于或大于第一腔室101a的压力。在一些具体实施例中，第一腔室101a和第二腔室106通过屏蔽构件105彼此隔离。在一些具体实施例中(例如图1、图4及图6至图10中所例示)，第二腔室106比第一腔室101a更小许多。

在一些具体实施例中，屏蔽构件105可相对于卡盘102移动。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可从卡盘102延伸并可缩进其中。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可从卡盘102朝向压板101b延伸，直到屏蔽构件105与压板101b接触且第二腔室106形成。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可缩进以与压板101b分开，直到屏蔽构件105布置在卡盘102中。在一些具体实施例中，屏蔽构件105是卡盘102的圆周夹具。在一些具体实施例中，屏蔽构件105是卡盘102的一部分。

在一些具体实施例中，卡盘102包括一狭槽102b，其形成在卡盘102中，并配置成使得屏蔽构件105能够全部或部分布置在狭槽102b内。在一些具体实施例中，狭槽102b凹入卡盘102的边缘。在一些具体实施例中，当屏蔽构件105处于延伸状态时，屏蔽构件105几乎完全延伸出狭槽102b。在一些具体实施例中，当屏蔽构件105处于缩进状态时，屏蔽构件105完全布置在狭槽102b内。

由于第二腔室106在屏蔽构件105处于该延伸状态时与第一腔室101a隔离，因此在对DUT 103的测试或探测过程中，DUT 103可维持在指定条件(如预定温度或压力)下。所以，可改进对DUT 103的测试或探测。再者，由于第二腔室106是小型腔室(如与第一腔室101a相比)，因此将DUT 103控制和维持在指定条件下将更轻松，因此成本也可减少。在一些具体实施例中，若应用需求，则施加真空抽吸以便提高卡盘102和所述多个周围环境之间的屏蔽。

图4是依据本发明所公开内容的各种具体实施例的第二探测系统200的示意剖面图。在一些具体实施例中，第二探测系统200以与如图1中所例示的第一探测系统100相似的方式配置。

在一些具体实施例中，第二探测系统200的屏蔽构件105布置在探针卡104和卡盘102之间。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可从卡盘102朝向探针卡104延伸。在一些具体实施例中，屏蔽构件105与探针卡104接触。在一些具体实施例中，屏蔽构件105的高度H实质上大于卡盘102和压板101b之间的距离D。

在本发明所公开内容中，公开操作探测系统100或200的方法S300。方法S300包括若干操作，且该说明和各例示图并不视为对所述多个操作的顺序的限制。图5是描绘操作探测系统100或200的方法S300的具体实施例的流程图。该方法包括步骤S301、S302、S303及S304。

在步骤S301中，如图6中所示提供包括一屏蔽构件105的卡盘102。在一些具体实施例中，探测系统100包括卡盘102，其布置在壳体101或第一腔室101a内。在一些具体实施例中，屏蔽构件105处于缩进状态且最初布置在卡盘102内。在一些具体实施例中，屏蔽构件105布置在卡盘102的狭槽102b内。

在步骤S302中，DUT 103如图6中所示布置在卡盘102上。在一些具体实施例中，包括一DUT 103的半导体晶圆布置在卡盘102上。在一些具体实施例中，通过使用抽吸将DUT103朝向卡盘102吸住来布置DUT 103。在一些具体实施例中，DUT 103的背面侧103b与卡盘102的表面102a接触。

在步骤S303中，如图6中所示提供探针卡104。在一些具体实施例中，探针卡104或探针操纵器布置在压板101b上以及在DUT 103和卡盘102上面。在一些具体实施例中，探针卡104包括几个探针104a，其从探针卡104突出，并配置成探测DUT 103。在一些具体实施例中，探测卡104布置在DUT 103的正面侧103a上面。

在一些具体实施例中，卡盘102如图7中所示，在DUT 103的布置之后朝向探针卡104移动。在一些具体实施例中，在DUT 103布置在卡盘102上之后，卡盘102朝向探针卡104移动以使卡盘102和DUT 103靠近探针卡104。

在步骤S304中，屏蔽构件105如图8中所示，从卡盘102朝向压板101b延伸。在一些具体实施例中，在DUT 103的布置或卡盘102的移动之后，屏蔽构件105从卡盘102朝向压板101b延伸。在一些具体实施例中，屏蔽构件105可从卡盘102延伸并可缩进其中。在一些具体实施例中，屏蔽构件105从卡盘102延伸，直到屏蔽构件105与压板101b接触以形成由卡盘102、屏蔽构件105、压板101b及探针卡104所界定的第二腔室106。

在一些具体实施例中，屏蔽构件105如图9中所示，从卡盘102朝向探针卡104延伸。在一些具体实施例中，在DUT 103的布置或卡盘102的移动之后，屏蔽构件105从卡盘102朝向探针卡104延伸。在一些具体实施例中，屏蔽构件105从卡盘102延伸，直到屏蔽构件105与探针卡104接触以形成由卡盘102、屏蔽构件105及探针卡104所界定的第二腔室106。

在一些具体实施例中，卡盘102在屏蔽构件105的延伸之后进一步朝向探针卡104移动。在一些具体实施例中，屏蔽构件105并未在卡盘102的进一步移动过程中移动。在一些具体实施例中，通过将卡盘102朝向探针卡104进一步移动，使得探针卡104的所述多个探针104a接触DUT 103。在一些具体实施例中，卡盘102在屏蔽构件105的延伸或缩进之前朝向探针卡104移动。

在屏蔽构件105的延伸以及卡盘102的进一步移动之后，DUT 103由所述多个探针104a探测。在一些具体实施例中，所述多个探针104a为了测试DUT 103而接触DUT 103的正面侧103a。在一些具体实施例中，DUT 103上的几个测试焊垫接触所述多个对应探针104a。在该探测或测试过程中，测试信号通过所述多个探针104a传输到DUT 103，且来自DUT 103的回应信号传输回到所述多个探针104a。

在一些具体实施例中，在第二腔室106形成之后以及在对DUT 103的探测或测试之前，提高或降低第二腔室106的温度。在一些具体实施例中，提高或降低第二腔室106的压力。在一些具体实施例中，第二腔室106以惰性气体(如氮气)填充。在一些具体实施例中，通过以相对于所述多个周围环境较高或较低压力的空气或(多种)气体填充，提高或降低第二腔室106的压力。在一些具体实施例中，通过以变化湿度的空气填充，提高或降低第二腔室106的湿度。如此，DUT 103可在指定条件(如第二腔室106内的高温、高压等)下加以测试或探测。第二腔室106可轻松维持在预定条件下。

在一些具体实施例中，在对DUT 103的探测或测试之后，屏蔽构件105如图10中所示缩进卡盘102中。在一些具体实施例中，屏蔽构件105缩进，直到屏蔽构件105布置在卡盘102或狭槽102b中。在一些具体实施例中，自动进行屏蔽构件105的缩进。在一些具体实施例中，屏蔽构件105的缩进是通过将卡盘102朝向压板101b升高或进入其中来进行。在一些具体实施例中，卡盘102在屏蔽构件105的缩进之前远离探针卡104移动。卡盘102远离探针卡104移动使得所述多个探针104a不再碰触DUT 103，然后屏蔽构件105缩进卡盘102中。

尽管已详细说明本发明所公开内容及其优势，但应可理解，各种改变、代换及变更皆可在文中做到，而不悖离如后附权利要求所界定的所公开内容的构思与范围。举例来说，以上所讨论的许多程序可通过不同方法、由其他程序替代或其组合实行。

而且，本发明所申请内容的范围不欲限于本说明书中所说明的程序、机器、制造、物质的成分、手段、方法及步骤的所述多个特定具体实施例。如此领域一般技术者的一将很容易从本发明所公开内容的公开内容了解，进行与文中所说明所述多个对应具体实施例实质上相同的功能或实现实质上相同的结果的现存或日后将开发出的程序、机器、制造、物质的成分、手段、方法或步骤，可根据本发明所公开内容加以利用。据此，后附权利要求欲在其范围内包括这样的程序、机器、制造、物质的成分、手段、方法及步骤。

Claims (20)

1.一种探测系统，包含：

一卡盘，其配置成支撑一待测件；

一探针卡，其布置在该卡盘上面，并包括从该探针卡朝向该卡盘突出的多个探针；以及

一压板，其布置在该卡盘和该探针卡之间，并配置成支撑该探针卡，

其中该卡盘包括一屏蔽构件，其布置在该压板和该卡盘之间。

2.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件从该卡盘朝向该压板突出。

3.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件可从该卡盘延伸并可缩进其中。

4.如权利要求1所述的探测系统，其中，该卡盘包括一狭槽，其凹入该卡盘，并配置成使得该屏蔽构件能够全部或部分布置在该狭槽内。

5.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件与该压板接触。

6.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件实质上与该卡盘的一表面正交。

7.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件的一高度实质上与该卡盘和该压板之间的一距离相同。

8.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件的一高度实质上大于该待测件的一厚度。

9.如权利要求1所述的探测系统，其中，该待测件布置在由该卡盘、该屏蔽构件、该压板及该探针卡所界定的一腔室内。

10.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件包括一第一端以及相对于该第一端的一第二端，该第一端与该卡盘接触，且该第二端与该压板接触。

11.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件围绕该待测件。

12.如权利要求1所述的探测系统，其中，该屏蔽构件与该探针卡隔离。

13.一种操作探测系统的方法，包含：

提供包括可从该卡盘延伸并可缩进其中的一屏蔽构件的一卡盘；

在该卡盘上布置一待测件；

在一压板上以及在该待测件和该卡盘上面提供一探针卡；以及

将该屏蔽构件从该卡盘朝向该压板延伸。

14.如权利要求13所述的方法，还包含将该屏蔽构件缩进该卡盘中并远离该压板。

15.如权利要求14所述的方法，其中，该屏蔽构件的延伸在该屏蔽构件的该缩进之前进行。

16.如权利要求13所述的方法，其中，由该卡盘、该屏蔽构件、该压板及该探针卡所界定的一腔室在该屏蔽构件的延伸之后形成。

17.如权利要求16所述的方法，还包含提高或降低该腔室的一温度；或以一惰性气体填充该腔室。

18.如权利要求13所述的方法，还包含在该屏蔽构件的延伸之前将该卡盘朝向该探针卡移动。

19.如权利要求13所述的方法，还包含在该屏蔽构件的延伸之后探测该待测件。

20.如权利要求19所述的方法，其中，该屏蔽构件在该待测件的探测之后缩进该卡盘中。

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