DE112013005478T5 - Biegbare Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine biegbare Anzeigevorrichtung mit einer Anordnung von Pixeln oder Subpixeln ist vorgesehen. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein biegbares Substrat und eine Anordnung von Dünnschichttransistoren (TFT), die der Anordnung von Pixeln oder Subpixeln auf dem Substrat entspricht. Die Anzeigevorrichtung umfasst auch eine erste Vielzahl von Metallleitungen, die mit Gate-Elektroden der TFT gekoppelt sind, und eine zweite Vielzahl von Metallleitungen, die mit Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT gekoppelt sind. Mindestens eine der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen umfasst einen nicht-dehnbaren Teil in den TFT-Bereichen und einen dehnbaren Teil außerhalb der TFT-Bereiche.

Description

  • Querverweis auf verwandte Anmeldungen
  • Diese Patentanmeldung unter dem Vertrag über die internationale Zusammenarbeit auf dem Gebiet des Patentwesens beansprucht die Priorität der nicht-provisorischen US-Anmeldung Nr. 13/837,311, eingereicht am 15. März 2013, mit dem Titel „Flexible Display”, die die Priorität der provisorischen US-Patentanmeldung Nr. 61/727,473 mit dem Titel „Flexible Display”, eingereicht am 16. November 2012, beansprucht, deren beider Inhalte hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen sind.
  • Technisches Gebiet
  • Hierin beschriebene Ausführungsformen beziehen sich im Allgemeinen auf biegbare Anzeigevorrichtungen für Computervorrichtungen und insbesondere auf das Implementieren einer biegbaren Anzeigevorrichtung mit Metallbahnen, die sich krümmen können, ohne zu brechen oder Risse zu bilden, wenn die Anzeigevorrichtung gebogen wird.
  • Allgemeiner Stand der Technik
  • Zur Herstellung einer biegbaren Anzeigevorrichtung wurden viele Anzeigekomponenten entwickelt, um organische Materialien, wie z. B. eine organische Leuchtschicht, eine organische Passivierungsschicht und ein Polymersubstrat als ein biegbares Substrat zu verwenden. Jedoch ist es schwierig, Metallbahnen der Anzeigevorrichtung durch ein organisches Material zu ersetzen, weil die elektrische Leitfähigkeit des organischen Materials nicht so hoch ist wie die von Metallbahnen. Die Metallbahnen können zerbrechen oder getrennt werden, wenn ein Anzeigefeld gebogen wird, weil die Metallbahnen eine Bruchdehnungsgrenze von etwa 1% haben. Einige andere Komponenten verwenden immer noch Siliziumnitrid, welches auch Risse bilden kann. Deshalb ist es wünschenswert, biegbare oder krümmbare Anzeigekomponenten zu haben.
  • Kurze Zusammenfassung
  • Im Allgemeinen beziehen sich hierin beschriebene Ausführungsformen auf eine Anzeigevorrichtung für eine elektronische Vorrichtung. Die Anzeigevorrichtung kann eine Anzeigevorrichtung mit organischen Leuchtdioden (OLED) sein. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein biegbares Substrat, das eine Anordnung von Pixeln oder Subpixeln und Dünnschichttransistoren trägt, die jedes Pixel oder Subpixel steuern. Die Anzeigevorrichtung kann um eine oder mehrere Achsen biegbar sein. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gerollt werden, um einen Zylinder zu bilden, oder in eine nicht-planare Form gebogen werden. Durch Schaffung einer solchen Flexibilität können die Tragbarkeit und bestimmte Prozesse der Anzeigevorrichtung verbessert werden.
  • In einer Ausführungsform wird eine biegbare Anzeigevorrichtung mit einer Anordnung von Pixeln oder Subpixeln bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein biegbares Substrat und eine Anordnung von Dünnschichttransistoren (TFT), die der Anordnung von Pixeln oder Subpixeln auf dem Substrat entsprechen. Die Anzeigevorrichtung umfasst auch eine erste Vielzahl von Metallleitungen, die mit Gate-Elektroden der TFT gekoppelt sind, und eine zweite Vielzahl von Metallleitungen, die mit Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT gekoppelt sind. Mindestens eine der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen umfasst einen nicht-dehnbaren Teil in den TFT-Bereichen und einen dehnbaren Teil außerhalb der TFT-Bereiche.
  • In einer anderen Ausführungsform wird eine biegbare Anzeigevorrichtung mit einer Anordnung von Pixeln oder Subpixeln bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein biegbares Substrat und eine Pufferschicht über dem biegbaren Substrat. Die Anzeigevorrichtung umfasst auch eine Anordnung von Dünnschichttransistoren (TFT), die der Anordnung von Pixeln oder Subpixeln auf dem Substrat entspricht. Die Anzeigevorrichtung umfasst ferner eine erste Vielzahl von Metallleitungen, die mit Gate-Elektroden der TFT gekoppelt sind, und eine zweite Vielzahl von Metallleitungen, die mit Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT gekoppelt sind. Die Anzeigevorrichtung umfasst auch eine Leiterplatte mit integrierter Schaltung (IC) außerhalb des TFT und Pixel und eine Vielzahl von Metallbahnen, die zwischen die TFT und die Leiterplatte mit integrierter Schaltung gekoppelt sind. Die Vielzahl von Metallbahnen ist aus mindestens einem des ersten Metalls für die Gate-Elektrode des TFT und des zweiten Metalls für die Source-Elektrode und Drain-Elektrode des TFT gebildet. Die Vielzahl von Metallbahnen ist über der Pufferschicht angeordnet. Die Pufferschicht außerhalb des TFT-Bereichs ist mit einem ein Riefenmuster konfiguriert.
  • Zusätzliche Ausführungsformen und Merkmale sind teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden dem Fachmann auf Betrachtung der Beschreibung hin teilweise ersichtlich oder durch die Praxis der hierin erörterten Ausführungsformen zu verstehen sein. Ein weiteres Verständnis der Natur und der Vorzüge bestimmter Ausführungsformen kann durch Verweis auf die übrigen Teile der Beschreibung und die Zeichnungen, welche Teil dieser Offenbarung bilden, erlangt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt ein einzelnes Pixel einer beispielhaften Anzeigevorrichtung.
  • 2 zeigt ein Beispiel für eine biegbare Anzeigevorrichtung, die eine Dehnungsspannung auf eine Metallleitung ausübt.
  • 3 zeigt allgemein eine Datenleitung, die eine Reihe von Gate-Leitungen überlappt.
  • 4 zeigt eine Reihe von Dünnschichttransistoren (TFT) für die Anzeigevorrichtung.
  • 5 zeigt eine biegbare Anzeigevorrichtung mit einer serpentinenförmigen Datenleitung, die dazu in der Lage ist, eine durch Biegen der Anzeigevorrichtung bedingte Spannung aufzunehmen.
  • 6 zeigt eine Metallbahn, die entlang ihrer Länge einer Sinuskurve ähnelt.
  • 7 zeigt zwei mögliche Redundanzausführungen für Metallbahnen gemäß hierin beschriebenen Ausführungsformen.
  • 8 zeigt die Gate-/Steuerleitungen und Datenleitungen einer beispielhaften Anzeigevorrichtung zusammen mit einer Anzahl von TFT.
  • 9 zeigt allgemein einen Querschnitt eines Teils eines TFT eines Anzeigepixels und dem TFT zugehörige Metallbahnen.
  • 10 zeigt eine vereinfachte Ansicht der Pufferschicht in 9.
  • 11 zeigt eine vereinfachte Ansicht einer alternativen Ausführungsform der Pufferschicht aus 9.
  • 12 und 13 zeigen einen Mustermaskierungs- und Ätzprozess, der die in 10 gezeigte Pufferschicht erzeugen kann.
  • 14 zeigt eine alternative Ausführungsform einer Pufferschicht in dem Siliziumnitrid der Pufferschicht mit in den zu erwartenden Rissintervallen gebildeten Riefen.
  • 15 zeigt eine alternative Ausführungsform einer Pufferschicht, in der das Siliziumnitrid dünner gemacht wurde, um einen Bereich zu bilden, der gebogen oder gekrümmt werden kann, ohne Risse zu bilden.
  • 16 zeigt ein ILD, das für die Verwendung in einer biegbaren Anzeigevorrichtung geeignet ist, in dem Riefen in dem Siliziumnitridteil des ILD gebildet sind.
  • 17 ist eine Alternative eines ILD, in dem das Siliziumnitrid über der Gate-Metallverzweigung entfernt ist, aber in den Metallbereichen innerhalb des Gates erhalten ist.
  • 18 ist noch eine andere Ausführungsform eines für die Verwendung in einer biegbaren Anzeigevorrichtung geeigneten ILD.
  • 19A zeigt ein beispielhaftes serpentinenförmiges Muster für eine dehnbare Metallbahn in einer ersten Ausführungsform.
  • 19B zeigt ein beispielhaftes Sinuskurvenmuster für eine dehnbare Metallbahn in einer zweiten Ausführungsform.
  • 19C zeigt ein beispielhaftes Muster in Sinuskurvenform für eine dehnbare Metallbahn in einer dritten Ausführungsform.
  • 19D zeigt ein Paar serpentinenförmige Muster für eine dehnbare Metallbahn in einer vierten Ausführungsform.
  • 19E zeigt ein Paar sinuskurvenförmige Muster für eine dehnbare Metallbahn in einer fünften Ausführungsform.
  • 19F zeigt ein Paar rechteckwellenförmige Muster für eine dehnbare Metallbahn in einer sechsten Ausführungsform.
  • 19G zeigt die Querschnittsansicht des ersten überlappenden Bereichs zwischen zwei Metallbahnen in 19D gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 19H zeigt die Querschnittsansicht des zweiten überlappenden Bereichs zwischen zwei Metallbahnen in 19D gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 20A zeigt eine Draufsicht auf eine biegbare Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • 20B zeigt eine Draufsicht auf den Bereich, der ein einheitliches Puffer- oder Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD umfasst, das Metallbahnen überlappt, die zwischen die Leiterplatte mit integrierter Schaltung (IC) und TFT gekoppelt sind, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 20C zeigt eine Draufsicht auf einen Bereich, der ein gerieftes Puffer- oder ILD-Muster umfasst, das Metallbahnen überlappt, die zwischen die Leiterplatte mit integrierter Schaltung (IC) und TFT gekoppelt sind, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 20D zeigt eine Draufsicht auf einen Bereich, der gerieften Puffer oder ILD-Muster umfasst, die Metallbahnen überlappen, die zwischen die Leiterplatte mit integrierter Schaltung (IC) und TFT gekoppelt sind, gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 21A zeigt eine Querschnittsansicht von 20A gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • 21B zeigt eine Querschnittsansicht von 20B gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • 21C zeigt eine Querschnittsansicht von 20C gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • 21D zeigt eine Querschnittsansicht von 20D gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Im Allgemeinen beziehen sich hierin beschriebene Ausführungsformen auf eine Anzeigevorrichtung für eine elektronische Vorrichtung. Die Anzeigevorrichtung kann eine Anzeigevorrichtung mit organischen Leuchtdioden (OLED) sein. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein biegbares Substrat, das eine Anordnung von Pixeln oder Subpixeln und Dünnschichttransistoren (TFT) trägt, die jedes Pixel oder Subpixel steuern. Die Anzeigevorrichtung kann um eine oder mehrere Achsen biegbar sein. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung gerollt werden, um einen Zylinder zu bilden, oder in eine nicht-planare Form gebogen werden. Durch Schaffung einer solchen Flexibilität können die Tragbarkeit und bestimmte Prozesse der Anzeigevorrichtung verbessert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung kann außerhalb der TFT biegbar sein. Zum Beispiel kann die Anzeigevorrichtung dehnbare Gate-Leitungen und/oder dehnbare Datenleitungen in Bereichen außerhalb der TFT umfassen. Die Anzeigevorrichtung kann auch eine Pufferschicht zwischen dem biegbaren Substrat und den TFT und Pixeln oder Subpixeln umfassen. Die Pufferschicht kann dafür konfiguriert sein, rissbeständig zu sein. Die Anzeigevorrichtung kann auch ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD) zwischen einer ersten Metallschicht für Gate-Elektroden und einer zweiten Metallschicht für Source-/Drain-Elektroden der TFT umfassen. Das ILD kann auch dafür konfiguriert sein, rissbeständig zu sein. Sowohl der Puffer als auch die ILD-Schichten können eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid enthalten. Da das Siliziumnitrid anfälliger für Rissbildung sein kann, wenn es gebogen wird, kann eine Ausführungsform Riefen im Siliziumnitrid enthalten.
  • Die Anzeigevorrichtung kann auch einen biegbaren Bereich in der Nähe ihres Randes umfassen. Im Allgemeinen umfasst die Anzeigevorrichtung einen integrierten Schaltungs(IC)-Bereich außerhalb der Pixelbereiche oder des aktiven Bereichs. Zwischen die IC und die TFT können viele Metallbahnen gekoppelt sein. Diese Metallbahnen können entweder aus der Gate-Metallschicht oder der Source/Drain-Metallschicht, d. h. einer ersten Metallschicht oder einer zweiten Metallschicht, gebildet sein. Diese Metallbahnen können dafür konfiguriert sein, dehnbar zu sein. Die Metallbahnen sind gebildet getragen von einem biegbaren Substrat mit einer Pufferschicht zwischen den Metallbahnen und dem biegbaren Substrat. Die Pufferschicht kann ein Riefenmuster haben, um rissbeständig zu sein.
  • Die Anzeigevorrichtung kann eine Anzahl von einzelnen Pixeln umfassen, von denen jedes aus einem Satz von Subpixeln gebildet sein kann. Zum Beispiel zeigt 1 ein einzelnes Pixel einer Anzeigevorrichtung. Das Pixel umfasst drei Subpixel, nämlich ein rotes, ein grünes und ein blaues Subpixel.
  • Die Pixel und ihre Subpixel können in einigen Ausführungsformen aus einem organischen Leuchtdioden(OLED)-Material gebildet sein. In anderen können verschiedene biegbare Materialien verwendet werden, um die Pixel und die Subpixel zu bilden.
  • Breit betrachtet kann eine beispielhafte biegbare Anzeigevorrichtung aus einem Polymersubstrat, einer organischen Licht-emittierenden Schicht (z. B. einer OLED-Schicht) auf dem Substrat und einer organischen Passivierungsschicht, die die Licht-emittierende Schicht einkapselt oder darüber liegt, gebildet sein. Das Substrat kann aus jeglichem geeigneten Material gebildet sein; ein Polymer ist nur ein Beispiel. Als ein spezielleres Beispiel kann das Substrat aus Polyimid gebildet sein. Es sollte zu verstehen sein, dass in einer beispielhaften biegbaren Anzeigevorrichtung zusätzliche Schichten vorhanden sein können. Ebenso können die hierin erörterten Schichten selbst aus mehreren Schichten bestehen. Ein beispielhafter Teilquerschnitt einer beispielhaften biegbaren Anzeigevorrichtung ist nachstehend detaillierter in Bezug auf 9 erörtert.
  • Allgemein und wie in 1 gezeigt, umfasst eine biegbare Anzeigevorrichtung 100 ein biegbares Substrat, das Subpixel 102A–C trägt. Eine Metallleitung 104 kann die verschiedenen Subpixel 102A–C und auch die Pixel verbinden. Solche Leitungen können zum Beispiel dem Fachmann bekannte Gate- und/oder Datenleitungen sein. Dies sind jedoch nur zwei Beispiele; die Metallsignalleitungen können andere Informationen und/oder Signale tragen.
  • Herkömmliche Metallsignalleitungen oder -bahnen sind gerade und können Risse bilden oder brechen, wenn die biegbare Anzeigevorrichtung gebogen wird. Das heißt, die Biegebewegung kann die Metallleitungen unter Spannung setzen, was zu Rissbildung oder Brechen führen kann. Dementsprechend verwenden gewisse hierin offenbarte Ausführungsformen serpentinenförmige Metallbahnen, wie in 1 gezeigt. Diese serpentinenförmigen Bahnen können mehrere Eigenschaften haben, die sie für die Verwendung in biegbaren Anzeigevorrichtungen geeignet machen. Zum Beispiel können, wenn die biegbare Anzeigevorrichtung gebogen, gerollt oder anderweitig verformt wird, die serpentinenförmigen Metallleitungen sich entlang ihrer kreisförmigen Teile dehnen, anstatt zu brechen. Ein Beispiel für eine biegbare Anzeigevorrichtung, die eine Dehnungsspannung auf eine Metallleitung ausübt, ist in 2 gezeigt. Wie in der Figur gezeigt, kann die Metallleitung 104 sich in die Richtung, wie von Pfeilen 202 gezeigt, dehnen und/oder sich als Reaktion auf die durch Biegen der Anzeigevorrichtung ausgeübte Spannung verziehen. Wieder sollte zu verstehen sein, dass 2 ein einzelnes Pixel einer größeren Anzeigevorrichtung zeigt.
  • Im Allgemeinen ist die in 1 und 2 gezeigte serpentinenförmige Metallleitung aus einem sich wiederholenden Muster von verbundenen Halbkreisen gebildet. Der obere und der untere Rand der serpentinenförmigen Metallbahn sind im Allgemeinen die Teile, die sich dehnen oder sich als Reaktion auf eine Biegebewegung der Anzeigevorrichtung verformen. Das heißt, die serpentinenförmige Metallleitung, wenn sie gedehnt oder gebogen oder Ähnliches wird, erstreckt sich so, dass die halbkreisförmigen Teile länger und teilweise etwas ellipsenförmiger werden. Dies ist im Vergleich der Metallleitung aus 2 mit der aus 1 zu sehen.
  • Die in 1 und 2 gezeigte Metallbahn erfährt normalerweise eine größere Spannung an dem inneren Teil jedes halbkreisförmigen Segments als an den äußeren Teilen solcher Segmente und/oder den Verbindungsteilen zwischen halbkreisförmigen Segmenten.
  • Es sollte zu verstehen sein, dass in alternativen Ausführungsformen verschiedene Ausführungen und/oder Formen für die Metallleitungen verwendet werden können. Ebenso können die Metallleitungen aus einer Vielzahl von Materialien gebildet sein. Beispielsweise können die Leitungen aus Gold gebildet sein. Weitere beispielhafte Materialien können Kupfer, Silber und andere leitfähige Metalle ein. Die Metallleitung kann oder kann nicht aus einem relativ verformbaren Metall gebildet sein. In Ausführungsformen mit serpentinenförmigen Metallbahnen aus Gold kann die auf die Bahn ausgeübte Maximalspannung etwa 0,5% sein, was weniger ist als die Dehnungsbruchgrenze von Gold (z. B. 1%).
  • Die Subpixel 102A102C können als OLED-Subpixel gebildet sein. Ein OLED-Subpixel umfasst allgemein eine Anode, eine oder mehrere organische Schichten und eine Kathode. Die entsprechende OLED kann entweder ein Unterseitenemissionstyp oder ein Oberseitenemissionstyp sein. In einer Unterseitenemissions-OLED wird Licht von einer Anodenseite extrahiert. Im Gegensatz dazu wird bei einer Oberseitenemissions-OLED Licht von einer Kathodenseite extrahiert. Die Kathode ist optisch transparent, während die Anode reflektierend ist. Diese Oberseitenemissions-OLED ermöglicht normalerweise eine größere OLED-Apertur als eine Unterseitenemissions-OLED.
  • Es sollte hier erwähnt werden, dass die serpentinenförmigen Metallleitungen 104 mit dem Pixelbereich einer Oberseitenemissions-OLED überlappen, wie in 1 und 2 gezeigt. Die serpentinenförmigen Metallleitungen beeinflussen im Allgemeinen das Öffnungsverhältnis für die Oberseitenemissions-OLED-Vorrichtung nicht, weil die Metallleitungen sich unter den OLED-Leuchtschichten befinden und somit die Lichtemission nicht blockieren. Für eine Unterseitenemissions-OLED überlappen die serpentinenförmigen Metallleitungen nicht mit dem (nicht gezeigten) Pixelbereich.
  • Der Fachmann wird erkennen, dass eine biegbare Anzeigevorrichtung netzartige Metallbahnen mit Serpentinenform oder netzartige Metallbahnen mit einer anderen Form umfassen kann. Für eine Oberseitenemissions-OLED-Anzeigevorrichtung können aktive Komponenten mit dem Netz der serpentinenförmigen Metallbahnen überlappen.
  • 3 zeigt allgemein eine Gate-Leitung, die eine Reihe von Datenleitungen 302 überlappt. Wie gezeigt, kann die Gate-Leitung 304 für einen ersten Teil 304A ihrer Länge gerade und dann für einen zweiten Teil 304B ihrer Länge serpentinenförmig sein. In solch einer Anordnung ist es vorgesehen, dass der Abschnitt des Feldes mit der geraden Datenleitung sich nicht biegt, während der Abschnitt mit der serpentinenförmigen Leitung dazu in der Lage ist, sich zu biegen. Es sollte zu verstehen sein, dass einige Ausführungsformen ein Biegen der Anzeigevorrichtung ermöglichen können, selbst wenn die Gate-(oder andere)Leitungen alle gerade sind. Die als „Biegekante” gekennzeichnete Linie zeigt eine mögliche Linie, entlang derer die biegbare Anzeigevorrichtung sich biegen kann. Es sollte zu verstehen sein, dass die Stelle der Biegekante beliebig ist und Veranschaulichungszwecken dient; die Anzeigevorrichtung kann sich an vielen anderen Punkten oder entlang vieler anderer Linien biegen, die nicht gezeigt sind. Ebenso kann die Anzeigevorrichtung sich entlang einer komplexen Kurve oder in mehreren Dimensionen biegen. Einige Ausführungsformen können sogar das Falten einer Anzeigevorrichtung ermöglichen.
  • Die Datenleitung 302 kann auch andere Steuersignalleitungen für die biegbare Anzeigevorrichtung, wie z. B. eine Emissionssteuerleitung, überlappen. Im Allgemeinen kann es nützlich sein, die kapazitive Last im überlappenden Bereich 306 der Daten- und Gate-Leitungen zu haben, damit sie in flachen und biegbaren Teilen der Anzeigevorrichtung gleich sind. Dementsprechend sollte der Gate-Metallraum, der von Abmessung 308 in 3 gekennzeichnet ist, breiter sein als die Minimalbreite des Datenmetalls 302, gezeigt bei Abmessung 306 in 3. Das heißt, die Abmessung 308 sollte größer als die Abmessung 306 sein. Wenn beide gleich sind, kann die Seitenwandkapazität eine zusätzliche Last auf den Daten- und/oder Gate-Leitungen in dem gebogenen/gekrümmten Teil der Anzeigevorrichtung bewirken. In einigen Ausführungsformen können die Datenmetallleitungen um etwa 0,5 Mikrometer auf jeder Seite dünner gemacht werden, um die Minimaldatenmetallbreite zu schaffen. Solch ein Rand kann sicherstellen, dass die Überlappungskapazität die gleiche bleibt, unabhängig davon, ob die Anzeigevorrichtung gebogen oder anderweitig gekrümmt wird.
  • 4 zeigt eine Reihe von Dünnschichttransistoren (TFT) für die Anzeigevorrichtung. Jeder TFT 402 befindet sich im Allgemeinen an der Schnittstelle einer Gate-/Steuerungsleitung 304 und einer Datenleitung 302. Drain und Source 404 befinden sich in der gleichen Metallschicht wie die Datenleitung 302. Im Allgemeinen steuert jeder TFT ein (nicht gezeigtes) einzelnes Pixel. Im Allgemeinen sollte bei Anzeigevorrichtungen mit einem biegbaren und einem nicht biegbaren Teil jeder TFT 402 die Gate/Steuerleitung/en 304 im gleichen Ausmaß überlappen wie die anderen TFT. Das heißt, die Überlappung zwischen der/n Gate/Steuerungsleitung/en und einem TFT in einem nicht-biegbaren Bereich (wie auf der linken Seite in 4 gezeigt) sollte die gleiche sein wie die Überlappung zwischen den beiden in einem biegbaren Teil der Anzeigevorrichtung (wie auf der rechten Seite in 4 gezeigt). Die Überlappung kann allgemein für alle TFT und alle Gate-/Steuerleitungen gleich sein, unabhängig davon, ob die Leitungen gerade oder serpentinenförmig sind oder anderweitig variieren. Auf diese Weise kann eine kapazitive Leitungslast aufgrund der TFT konstant sein, unabhängig von dem betroffenen Teil der Anzeigevorrichtung.
  • 5 zeigt eine biegbare Anzeigevorrichtung 500 mit einer serpentinenförmigen Datenleitung 502, die dazu in der Lage ist, durch Biegen der Anzeigevorrichtung bedingte Spannung aufzunehmen. In dieser biegbaren Anzeigevorrichtung können Gate-Leitungen 504 im Wesentlichen gerade sein. Die Biegekante ist im Wesentlichen parallel zu den Gate-Leitungen 504. Wie in der Ausführungsform in 4, sollte die kapazitive Leitungslast zwischen dem TFT und den verschiedenen Metallleitungen die gleiche sein für TFT, die sich in dem biegbaren und in dem nicht-biegbaren Teil der Anzeigevorrichtung befinden. Dies kann durch Überlappen des TFT mit einem relativ geraden Teil der serpentinenförmigen Metallleitung erreicht werden, wie in 5 gezeigt. In diesem Beispiel hat die serpentinenförmige Metalldatenleitung relativ gerade Ränder und Verbindungselemente, mit abgerundeten Übergängen zwischen Randteilen und Verbindungsteilen. Jeder TFT liegt über einem Randteil. Da der Randteil im Wesentlichen gerade ist, ist die Leitungslast für die serpentinenförmige Datenleitung in 5 identisch mit oder fast identisch mit der Leitungslast zwischen einem TFT und einer geraden Datenleitung. Es sollte zu verstehen sein, dass die in 5 (z. B. mit abgeflachten oder geraden Randteilen statt halbkreisförmigen Randteilen) gezeigte serpentinenförmige Leitungskonfiguration mit hierin erörterten anderen Ausführungsformen, wie z. B. der Ausführungsform in 4, verwendet werden kann.
  • Wie zuvor erwähnt, können einige Ausführungsformen Metallsignalleitungen verwenden, die eine nicht-lineare Form haben, jedoch nicht serpentinenförmig sind. Zum Beispiel zeigt 6 eine Metallbahn 600, die entlang ihrer Länge einer Sinuskurve ähnlich ist. Solch eine Konfiguration kann die Fläche der Anzeigevorrichtung, die zum Beispiel für die Metallleitung bestimmt oder dieser zugeordnet ist, reduzieren. Solche Konfigurationen können, neben anderen Anwendungen, die hohe Pixeldichten und/oder mehrere Steuer-, Daten- oder Gate-Leitungen haben, bei OLED mit hoher Dichte verwendet werden. Die genaue Höhe und Amplitude einer sinuskurvenförmigen Metallbahn kann je nach den elektrischen Eigenschaften des Feldes, dessen Verwendungszweck und Betriebsparametern usw. variieren. Dementsprechend werden hierin keine genauen Abmessungen erörtert, da solche Abmessungen von der Anwendung abhängen und empirisch bestimmt werden können.
  • Noch eine weitere Option ist es, mehrere Metallbahnen statt einer einzelnen Metallbahn, wie in den vorhergehenden Figuren gezeigt, zu verwenden. Es sollte zu verstehen sein, dass jede Metallleitung in der biegbaren Anzeigevorrichtung redundant gemacht sein kann. Ferner können, da solch eine Anzeigevorrichtung im Allgemeinen mehrere Schichten hat, auf denen Metallleitungen geführt werden können, die erste und die zweite (z. B. normale und redundante) Metallbahn sich in verschiedenen Metallschichten befinden. 7 zeigt zwei mögliche Redundanzausführungen.
  • Die in 7 gezeigte erste Ausführung 700A verwendet ein Paar sinuskurvenförmige Metallbahnen 702 und 704. Die zwei Metallbahnen überlappen sich nur an bestimmten Punkten 706. Im Wesentlichen verlaufen die erste und die zweite Metallbahn etwa 180 Grad gegenphasig zueinander, so dass der obere Teil der zweiten Metallbahn linear zu dem unteren Teil der ersten Metallbahn ausgerichtet ist. Dies ist entlang der als „Biegekante” gekennzeichneten Linie in der ersten Redundanzausführung 700A in 7 zu sehen. Es sollte zu verstehen sein, dass der Versatz zwischen den zwei Bahnen so groß oder klein wie erwünscht sein kann.
  • Als ein anderes Beispiel können die erste und die zweite Metallbahn einander entlang ihrer Längen ganz oder teilweise überlappen, wie in 7 und speziell in der Redundanzausführung 700B gezeigt. Das Überlappen der zwei Bahnen 702 und 704 ermöglicht es, das eine weiterhin funktioniert, selbst wenn die andere bricht, Risse bekommt oder anderweitig unterbrochen wird.
  • 8 zeigt die Gate-/Steuerleitungen und Datenleitungen einer beispielhaften Anzeigevorrichtung, zusammen mit einer Anzahl von TFT. Wieder entspricht jeder TFT 402, der Drain/Source 404 umfasst, allgemein einem einzelnen Pixel. Die Gate-/Steuerleitungen 804 verbinden alle TFT in einer Reihe, während die Datenleitungen 802 alle TFT in einer Spalte verbinden. Wie bei vorherigen Ausführungsformen soll die schematische Ansicht aus 8 eine Anzeigevorrichtung zeigen, die sowohl einen nicht-biegbaren Teil (z. B. den Teil, wo die Gate-/Steuerleitungen linear sind) und einen biegbaren Teil (z. B. den Teil, wo die Gate-/Steuerleitungen serpentinenförmig sind) hat. Es sollte zu verstehen sein, dass Anzeigevorrichtungen je nach Ausführungsform vollständig biegbar sein und keine nicht biegbaren Teile haben können und dennoch die in 8 gezeigten Eigenschaften aufweisen können (z. B. kann ein serpentinenförmiges Muster mit mehreren Bahnen über eine gesamte Anzeigevorrichtung hinweg verwendet werden). Ebenso können sowohl die Daten- als auch die Gate-/Steuerleitungen serpentinenförmig, sinuskurvenförmig oder anderweitig gemustert sein, um unter Spannung biegbar zu sein.
  • Wie in 8 gezeigt, können sowohl überlappende als auch versetzte redundante Metallbahnen in dergleichen Anzeigevorrichtung verwendet werden. 8 zeigt ein versetztes Paar serpentinenförmige Metallbahnen entlang der oberen Reihe von Gate-/Steuerleitungen und ein überlappendes Paar Metallbahnen entlang der unteren Gate-/Steuerungsleitungen. Es sollte auch zu verstehen sein, dass diese Redundanz nur in bestimmten Teilen einer Anzeigevorrichtung verwendet werden kann, wie bei denjenigen in einem Bereich oder Abschnitt, der anfälliger dafür sein kann, unter Spannung zu brechen oder Risse zu bekommen, oder in Bereichen, die ausreichend Platz haben, um solche Redundanz zu unterstützen.
  • Jetzt werden beispielhafte Stapelungen einer biegbaren Anzeigevorrichtung erörtert. 9 zeigt allgemein einen Querschnitt eines Teils eines TFT eines Anzeigepixels sowie dem TFT zugehörige Metallbahnen. Der Querschnitt ist wie von Pfeilen A-A in 4 gezeigt genommen. Im Allgemeinen biegt sich der TFT selbst nicht (auch wenn er dies in alternativen Ausführungsformen tun kann). Die Anzeigevorrichtung biegt sich vielmehr entlang und nach rechts der als „Biegebereich” gekennzeichneten Linie (in Bezug auf 9). Der TFT selbst ist im Allgemeinen links von der Biegebereichslinie in 9, während der Bereich zwischen den TFT, der die zuvor erörterten Metallbahnen umfasst, rechts ist.
  • Zur Erläuterung werden jetzt die Bezeichnungen für verschiedene Schichten erörtert. Das Substrat 902 kann aus Polyimid (PI) gebildet sein, was ein Beispiel für ein geeignetes Substrat ist, auf dem eine biegbare Anzeigevorrichtung gebildet sein kann. Andere Ausführungsformen können andere Substrate verwenden. Die Pufferschicht 904 ist eine Basisschicht zwischen dem Substrat (z. B. PI) und den Gate-Metall 910/Gate-Isolatoren 908. Die Pufferschicht kann aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid gebildet sein. Die Schicht 906 ist die aktive Halbleiterschicht des TFT. Der Halbleiter kann aus amorphem Silizium, Niedrigtemperatur-Polysilizium oder Metalloxid gebildet sein. Die Gate-Isolierungs(GI)-Schicht 908 kann aus einem Siliziumoxid gebildet sein. Auf der GI-Schicht befindet sich die Gateschicht, die wieder ein Metall ist. Ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD) umgibt das Gate 910 teilweise und befindet sich teilweise auf der GI-Schicht 908. Dieses Zwischenschicht-Dielektrikum kann aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid gebildet sein. (Es sollte zu verstehen sein, dass jegliches Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid in jeder der Schichten geeignet sein kann). Das Source/Drain-Metall 918 ist mit der aktiven Schicht 906 verbunden. Eine Passivierungsschicht 914, bezeichnet als „PAS”, ist über dem Source-/Drain-Metall 918 gebildet und kann aus einem Siliziumnitrid sein. Der in 9 gezeigte „PAD” ist die Kontaktfläche, z. B. die Verbindungsstelle zwischen dem Feld und/oder einer steuernden integrierten Schaltung und einer biegbaren Schaltung.
  • In einigen Ausführungsformen liegt eine Einkapselungsschicht über einer TFT-Struktur.
  • Eine beispielhafte vereinfachte Ansicht der Pufferschicht 904 aus 9 ist in 10 gezeigt. Die Pufferschicht 904 kann eine erste Schicht 904B umfassen, die aus Siliziumoxid und Ähnlichem gebildet sein kann. Die Pufferschicht 904 kann auch eine zweite Schicht 904A umfassen, die aus Siliziumnitrid und Ähnlichem gebildet sein kann. Insbesondere ist die gestrichelte Linie in 1013 die gleiche wie die als „Biegebereich” bezeichnete gestrichelte Linie in 9. Im Allgemeinen können Siliziumoxide sich zuverlässiger biegen, ohne zu versagen, als Siliziumnitride, wenn sie in der in 9 gezeigten Struktur oder einer ähnlichen Struktur verwendet werden. Die zweite Schicht 904 kann einige Riefen 906 haben. Im Allgemeinen ist das Intervall zwischen Rissen im Siliziumnitrid einer gegebenen Schicht eine Funktion der Schichtdicke. Somit kann es nützlich sein, ein spezielles Muster in dem Siliziumnitridteil der Pufferschicht zu bilden, um Rissbildung zu verhindern, wenn sich die Anzeigevorrichtung biegt.
  • Verschiedene Ausführungsformen können die Abscheidungsreihenfolge von Siliziumnitrid (z. B. SiNx) und Siliziumoxid (z. B. SiO) in der Pufferschicht 904 ändern. Dementsprechend gehen 1013 davon aus, dass zuerst Siliziumoxid aufgebracht und dann Siliziumnitrid aufgebracht wird. Im Gegensatz dazu gehen 1415 davon aus, dass zuerst Siliziumnitrid, gefolgt von Siliziumnitrid, aufgebracht wird.
  • Mit Bezugnahme auf 10 kann es nützlich sein, in ziemlich regelmäßigen Abständen Riefen in dem Siliziumnitrid der Pufferschicht (oder einer anderen Schicht) zu schaffen, um die Bildung von Rissen in der Pufferschicht zu verhindern. Da das Rissintervall als Funktion der Schichtdicke bestimmt werden kann, kann die Schicht in den gleichen Intervallen gerieft sein, in denen sich zu erwartende Riss- oder Bruchstellen bilden können. 10 zeigt die Pufferschicht 904 mit diesen in solchen Intervallen gebildeten Riefen.
  • Alternativ kann das Siliziumnitrid dünner gemacht werden anstatt mit Riefen versehen zu werden. Eine dünner gemachte Schicht wird sich wahrscheinlicher eher krümmen oder biegen, als Risse zu bilden. Die dünner gemachte SiNx-Schicht 904C kann dementsprechend in dem Biegebereich rechts von der gestrichelten Linie, wie in 11 gezeigt, die Leistungsfähigkeit der Anzeigevorrichtung verbessern. Insbesondere können einer oder mehrere dünner gemachte Bereiche gebildet werden, so dass ein Stufenmuster geschaffen wird. Die dünner gemachten Bereiche können größer oder kleiner sein als in 11 gezeigt. In einigen Ausführungsformen kann das SiNx einen dünner gemachten Bereich definieren, dann zu einem dickeren Bereich zunehmen und dann einen weiteren dünner gemachten Bereich definieren. Solche dünner gemachten Bereiche können in zu erwartenden Rissintervallen gebildet sein.
  • 12 und 13 zeigen einen beispielhaften Maskierungs- und Ätzprozess, der die in 10 gezeigte Pufferschicht erzeugen kann. Anfangs kann eine (als „PR” gekennzeichnete) Ätz-Photolack-Maske 1202 über die gesamte SiNx-Schicht der Pufferschicht 904 aufgebracht werden. Eine Belichtung mit Ultraviolettlicht kann den Photolack und die SiNx-Schicht ätzen. Hier können drei verschiedene Belichtungen verwendet werden. 100% Belichtung mit Ultraviolettlicht kann verwendet werden, um vollständig durch den Photolack und die Siliziumnitridschicht zu ätzen, um die Riefen zu bilden. 30% Belichtung mit Ultraviolettlicht kann verwendet werden, um den Photolack zu entfernen, aber nichts von der Siliziumnitridschicht zu entfernen. Außerdem kann 0% Belichtung mit Ultraviolettlicht den Photolack erhalten, der die aktive Schicht 906 schützt. Was nach solch einem Ätzprozess übrig bleibt, ist in 13 gezeigt. Der Photolack kann durch einen zusätzlichen Maskierungsprozess bei der Bildung der TFT und Metallleitungsstruktur aufgebracht werden.
  • 14 und 15 zeigen allgemein beispielhafte Pufferschichten für die Verwendung mit einer biegbaren Anzeigevorrichtung. Im Gegensatz zu den in 10 und 11 gezeigten Pufferschichten liegt Siliziumoxid in diesen Schichten über dem Siliziumnitrid. Wieder können das Siliziumoxid und Siliziumnitrid des Puffers aus einem Polyimidsubstrat gebildet sein.
  • 14 ist 10 darin ähnlich, dass Riefen im Siliziumnitrid 1402B der Pufferschicht 904 in den zu erwartenden Rissintervallen gebildet werden können. Hier kann das Siliziumoxid 1402A solche Riefen jedoch teilweise oder vollständig füllen. Eine zusätzliche Maske kann erforderlich sein, um die Siliziumnitridschicht zu bilden, im Vergleich zu Maskierungsprozessen, bei denen die oben genannten Riefen oder Gräben fehlen.
  • 15 ist im Gegensatz dazu 11 ähnlich. Wieder wurde das Siliziumnitrid 1502B dünner gemacht, um einen Bereich zu bilden, der sich biegen oder krümmen kann, ohne Risse zu bilden. Wieder kann das Siliziumoxid über diesem dünner gemachten Bereich liegen. Obgleich 15 die Siliziumoxidschicht 1502A mit einer ungefähr gleichmäßigen Dicke entlang der ganzen Schicht zeigt, kann das Siliziumoxid in einigen Ausführungsformen dicker sein, wo es über dem dünner gemachten Siliziumnitrid liegt. Auf diese Weise kann die Pufferschicht eine einheitliche glatte obere Oberfläche haben. Da das Siliziumoxid weniger anfällig für Rissbildung während eines Biegungs- oder Krümmungsprozesses ist, kann es in bestimmten Ausführungsformen bei Bedarf dicker gemacht werden.
  • 1618 werden jetzt erörtert. Diese Figuren zeigen verschiedene Ausführungsformen des allgemein in 9 gezeigten Zwischenschicht-Dielektrikums. Der Querschnitt wird, wie durch Pfeile B-B in 4 gezeigt, genommen. Wie aus den Figuren zu sehen ist, befindet sich das ILD 912 allgemein zwischen dem Puffer 904 und/oder den Gate-Isolatorschichten 908 und der Passivierungsschicht 914. Das in den Figuren gezeigte aktive Element 906 ist ein Teil des in 9 gezeigten Source-/Drainmetalls. Es ist zu beachten, dass das Gate-Metall sich zwischen dem Gate-Isolator 908 und dem ILD 912 befindet, welches nicht über der aktiven Schicht 906 in 1618 gezeigt ist. Das Source/Drain-Metall ist auch zwischen dem ILD 912 und der Passivierungsschicht 914, welches in 1618 nicht über der aktiven Schicht 906 gezeigt ist.
  • Die ILD-Schicht 1602 ist allgemein aus einer Teilschicht aus Siliziumoxid 1602A und einer Teilschicht aus Siliziumnitrid 1602B gebildet. Somit kann der Siliziumnitridteil des ILD auch dafür anfällig sein, während eines Biegens der Anzeigevorrichtung Risse zu bilden. Dementsprechend und wie in 16 gezeigt, können Riefen im Siliziumnitridteil des ILD gebildet werden. Siliziumnitrid liegt nichtsdestotrotz allgemein über den Verzweigungsteilen des Gate-Metalls, wie auch in 16 gezeigt. Ferner kann das Siliziumoxid die Riefen im Siliziumnitrid mindestens teilweise ausfüllen, wie es auch die Passivierungsschicht über dem ILD 1602 tun kann.
  • 17 ist eine alternative Ausführungsform zu der Ausführungsform in 16. Hier wird das Siliziumnitrid 1602B des ILD 1602 über der Gate-Metallverzweigung entfernt, aber in den Metallbereichen innerhalb des Gates erhalten.
  • 18 ist noch eine andere Ausführungsform eines für die Verwendung in einer biegbaren Anzeigevorrichtung geeigneten ILD. In dieser Ausführungsform wird das ILD 1702 vollständig aus dem Krümmungsbereich der Anzeigevorrichtung entfernt. Das heißt, die Siliziumoxid- 1702A und Siliziumnitrid-1702B-Schicht des ILD bedecken den Gate-Metallverzweigungsbereich überhaupt nicht.
  • 19A–C zeigen beispielhafte Muster des serpentinenförmigen Teils aus 1 als alternative Ausführungsformen. Wie in 19A gezeigt, kann die dehnbare Metallbahn ein serpentinenförmiges Muster haben. In einer bestimmten Ausführungsform kann die Bahnbreite „w”, wie in 19A gezeigt, etwa 4 μm sein, während der Radius „r”, wie in 19A gezeigt, 5 μm sein kann. Die Bahnbreite kann auch auf etwa 8 μm zunehmen, während der Radius „r” auf etwa 6 μm zunehmen kann. Es sollte zu verstehen sein, dass die Abmessungen für eine Ausführungsform beispielhaft sind; die Abmessungen können von Ausführungsform zu Ausführungsform variieren und sollten deshalb als Beispiele und nicht als Beschränkungen oder Anforderungen betrachtet werden.
  • Wie in 19B gezeigt, kann die dehnbare Metallbahn ein Sinuskurvenmuster haben. In einer bestimmten Ausführungsform kann die Bahnbreite „w”, wie in 19B gezeigt, etwa 4 μm sein, während der in 19B gezeigte Radius „r” etwa 8 μm sein kann. Die Bahnbreite kann auch auf etwa 8 μm zunehmen, während der Radius auf etwa 20 μm zunehmen kann.
  • Wie in 19C gezeigt, kann die dehnbare Metallbahn ein rechteckiges Muster haben. Die Bahnbreite „w” und der Radius „r” sind, wie in 19C. gezeigt, definiert. Die Bahnbreite und der Radius können ein dem sinuskurvenförmigen ähnliches Muster haben. Der Fachmann wird erkennen, dass das Muster variieren kann, solange das Muster ermöglicht, dass die Metallbahn dehnbar ist.
  • 19D–F zeigen beispielhafte Muster der Redundanzausführung 700A in 7 als alternative Ausführungsformen. Wie gezeigt, sind zwei Metallbahnen mit einem ersten überlappenden Bereich und einem zweiten überlappenden Bereich 1904 zwischen einer ersten Metallbahn 1906 und einer zweiten Metallbahn 1908 verschachtelt. Der erste und der zweite überlappende Bereich 1902 und 1904 sind innerhalb gestrichelter Linien gezeigt. Die erste Metallbahn 1902 ist aus einer ersten Metallschicht gebildet, die die gleiche wie die Gate-Leitung oder Gate-Elektrode ist. Die zweite Metallbahn 1904 ist aus einer zweiten Metallschicht gebildet, die die gleiche wie die Datenleitung und die Source-/Drain-Elektroden ist. Die Bahnbreite und der Radius können großer sein als die Muster mit einzelnen Metallbahnen ohne Redundanz, wie in 19A–C gezeigt.
  • Unten sind Beispielabmessungen angegeben. Die Definitionen der Bahnbreite und des Bahnradius bleiben die gleichen wie bei der entsprechenden einzelnen Metallbahn. Im Fall der serpentinenförmigen Redundanzmuster, wie in 19D gezeigt, kann die Bahnbreite 4 μm sein und kann der Radius 10 μm sein. Wenn die Bahnbreite 8 μm ist, kann der Radius 15 μm sein. Wieder sind dies beispielhafte Abmessungen, die in verschiedenen Ausführungsformen variieren können, wie es für alle Abmessungen, Toleranzen, Maße und Ähnliches überall in diesem Dokument gilt.
  • Im Fall des Redundanzsinuskurvenmusters, wie in 19E gezeigt, kann die Bahnbreite 4 μm sein und kann der Radius 15 μm sein. Wenn die Bahnbreite 8 μm ist, kann der Radius 30 μm sein. Wieder kann das Redundanzrechteckmuster eine ähnliche Bahnbreite und einen ähnlichen Radius wie das Redundanzsinuskurvenmuster haben.
  • 19G–H zeigen die Querschnittsansicht des ersten und des zweiten überlappenden Bereichs zwischen zwei Metallbahnen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Der erste überlappende Bereich 1902 kann mit einem geraden Leitungsteil entweder einer Datenleitung oder einer Gate-Leitung (wie der überlappende Bereich 706, wie in 7 gezeigt) verbunden sein. Wie in 19G gezeigt, ist das erste Metall oder Gate mit dem zweiten Metall oder den Source-/Drain-Elektroden durch eine leitfähige Schicht 1910 mittels einer Durchgangsöffnung (VIA) 1912 verbunden, die in der Passivierungsschicht und dem Gate-Isolator definiert ist. Die leitfähige Schicht 1910 kann aus einem transparenten Leiter, wie z. B. Indiumzinnoxid, gebildet sein. Die leitfähige Schicht ist auch über einer Passivierungsschicht 914 angeordnet, die auf der zweiten Metallbahn 1908 angeordnet ist. Das erste Metall ist mit der Gate-Leitung 304 gekoppelt, während das zweite Metall mit der Datenleitung 302 gekoppelt ist.
  • Alternativ kann die (nicht gezeigte) leitfähige Schicht 1910 weggelassen werden. Die zweite Metallbahn kann auf der ersten Metallbahn in einer Durchgangsöffnung angeordnet sein, so dass die zwei Metallbahnen so verbunden sind, dass sie redundante Metallbahnen haben. Falls eine Metallbahn zerbricht, ist die andere Metallbahn immer noch verbunden.
  • Jetzt wird Bezug auf 19H genommen, in der die erste Metallbahn 1906 und die zweite Metallbahn 1908 in dem zweiten überlappenden Bereich 1904 nicht miteinander verbunden sind. Sie werden von einem ILD 912 getrennt.
  • 20A zeigt eine Draufsicht auf eine biegbare Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie gezeigt, umfasst eine biegbare Anzeigevorrichtung 2000 einen Anzeigebereich 2020, der Pixelbereiche 102 und TFT, Gate-Leitungen 304 und Datenleitungen 302 umfasst. Außerdem umfasst die biegbare Anzeigevorrichtung integrierte Gate-Treiber 2008 auf der linken und der rechten Seite des Anzeigebereichs und eine integrierte Schaltung (IC) 2006 auf der Oberseite des Anzeigebereichs. Die integrierten Gate-Treiber können gleichzeitig als die aktive Schicht 906 hergestellt sein. Die integrierten Treiber 2008 und die IC 2006 sind außerhalb des Anzeigebereichs 2020 angeordnet. Die biegbare Anzeigevorrichtung umfasst ferner zwischen die IC 2006 und den Anzeigebereich 2020 gekoppelte Metallbahnen 2002.
  • 20B20D zeigen Draufsichten auf eine Siliziumnitridteilschicht, die mit Metallbahnen überlappt, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Die Siliziumnitridteilschicht kann entweder in der Pufferschicht oder dem ILD enthalten sein. Die Metallbahnen 2002 sind zwischen die IC 2006 und den Anzeigebereich 2020 gekoppelt, wie in 20A gezeigt. 20B zeigt, dass die Siliziumnitridteilschicht 2004A über die Metallbahnen 2002 gleichförmig ist. 20C zeigt, dass das Siliziumnitrid ein Riefenmuster 2004B hat und dass das geriefte Muster 2004B die Metallbahnen 2002 überlappt. 20D zeigt, dass die Siliziumnitridteilschicht auch ein Riefenmuster 2004C hat, das sich vom Überlappen der Metallbahnen 2002 zum Füllen des Raums zwischen den Metallbahnen 2002 verschieben kann.
  • 21A–D zeigen beispielhafte Querschnittsansichten der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 21A zeigt eine Querschnittsansicht mit der Siliziumnitridteilschicht 904A und 912A in einem einheitlichen Muster für die Pufferschicht 904 und die ILD-Schicht 912, wie in 20B gezeigt. Wie gezeigt, haben die Siliziumnitridteilschichten in sowohl der Pufferschicht als auch dem ILD kein Riefenmuster, wie die Draufsicht in 20B zeigt. Der Fachmann wird verstehen, dass die Position der Siliziumnitridteilschicht 904A in der Pufferschicht 904 mit der Position der Siliziumoxidteilschicht 904B getauscht werden kann. Die Siliziumoxidteilschicht 904B kann nämlich auf der Siliziumnitridteilschicht 904A angeordnet sein. Ebenso kann die Position der Siliziumnitridteilschicht 912A in der ILD-Schicht 912 mit der Position der Siliziumoxidteilschicht 912B getauscht werden.
  • 21B zeigt eine Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie gezeigt, hat die Siliziumnitridteilschicht 2014B der Pufferschicht 904 ein Riefenmuster, wie in 20C gezeigt. Die Siliziumoxidteilschicht 2014B ist in einigen Ausführungsformen einheitlich. Das geriefte Muster 2014B überlappt die Metallbahn 2002 des ersten Metalls (z. B. Gate-Metall). In dieser Ausführungsform ist das ILD 912, wie in 21A gezeigt, in diesem Bereich jenseits der TFT 402 oder des Anzeigebereichs 2020 entfernt. Wieder wird zu verstehen sein, dass die Position der Siliziumnitridteilschicht 2014B mit der Position der Siliziumoxidteilschicht 2014A getauscht werden kann. Es wird außerdem zu verstehen sein, dass die Anzeigevorrichtung eine ILD-Schicht umfassen kann, die eine einheitliche Siliziumnitridteilschicht in 21B in einer alternativen Ausführungsform umfasst. Das ILD kann in einer anderen Ausführungsform auch ein Riefenmuster wie die Siliziumnitridteilschicht 2014B in der Pufferschicht umfassen.
  • 21C zeigt eine Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie gezeigt, hat die Siliziumnitridteilschicht der ILD-Schicht 912 ein Riefenmuster, wie in 20D gezeigt. Das geriefte Siliziumnitridmuster 2012B der ILD-Schicht füllt den Raum zwischen den Metallbahnen 2002. Jedoch überlappt die Siliziumnitridteilschicht 2014B mit einem gerieften Muster, wie in 20C gezeigt, normalerweise immer noch die Metallbahn 2002 des ersten Metalls (z. B. Gate-Metall).
  • 21D zeigt eine Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie gezeigt, umfasst die ILD-Schicht eine geriefte Siliziumnitridteilschicht 2012C mit einem gerieften Muster 2004B, wie in 20C gezeigt. Die geriefte Siliziumnitridteilschicht 2012C überlappt die Metallbahn 2002, während die geriefte Siliziumnitridteilschicht 2014B gegenüber der Metallbahn 2002 und zwischen zwei Metallbahnen 2002 versetzt angeordnet ist. Die Siliziumoxidteilschicht 2014A in der Pufferschicht 904 und die Siliziumoxidteilschicht 2012A in der ILD-Schicht 912 sind einheitlich mit einem einheitlichen Muster 2004A, wie in 20A gezeigt.
  • Der Fachmann wird verstehen, dass die Metallbahnen 2002 aus redundanten Metallbahnen gebildet sein können, wie z. B. zwei überlappenden oder verschachtelten Metallbahnen in 7 und 19A–F mit verschiedenen Formen gezeigte, wie z. B. serpentinenförmig, sinuskurvenförmig, rechteckwellenförmig und Ähnliche. Die Metallbahnen 2002 können aus dem Gate-Metall und/oder dem Drain-/Sourcemetall gebildet sein. Der Fachmann wird verstehen, dass eine Kombination aus den Siliziumnitridteilschichten in der Pufferschicht und der ILD-Schicht und den Metallbahnen variieren kann, um widerstandsfähig gegen Rissbildung oder Unterbrechungen zu sein, wenn sie Dehnung oder Krümmung ausgesetzt werden, die zu Belastung oder Spannung führen.
  • Obgleich Ausführungsformen in Bezug auf bestimmte Strukturen und Herstellungsprozesse erörtert wurden, wird der Fachmann auf das Lesen der Offenbarung hin verstehen, dass Abwandlungen solcher Ausführungsformen möglich sind. Solche Abwandlungen und Änderungen sind von diesem Dokument vollständig erfasst.

Claims (36)

  1. Biegbare Anzeigevorrichtung mit einer Anordnung von Pixeln oder Subpixeln, wobei die Anzeigevorrichtung umfasst: ein biegbares Substrat; eine Anordnung von Dünnschichttransistoren (TFT), die der Anordnung von Pixeln oder Subpixeln auf dem Substrat entspricht; eine erste Vielzahl von Metallleitungen, die mit Gate-Elektroden der TFT gekoppelt sind; und eine zweite Vielzahl von Metallleitungen, die mit Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT gekoppelt sind, wobei mindestens eine der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen einen nicht-dehnbaren Teil in den TFT-Bereichen und einen dehnbaren Teil außerhalb der TFT-Bereiche umfasst.
  2. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der dehnbare Teil eine Metallbahn umfasst, die in einem Muster gebildet ist, das dafür konfiguriert ist, biegbar zu sein.
  3. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Muster mindestens eine von einer serpentinenförmigen, sinuskurvenförmigen oder rechteckwellenförmigen Form aufweist.
  4. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Pixel oder Subpixel eine organische Leuchtdiode umfassen.
  5. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine Pufferschicht zwischen dem Substrat und den TFT umfasst.
  6. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, die ferner eine aktive Halbleiterschicht über der Pufferschicht und einen Gate-Isolator über der aktiven Schicht umfasst, wobei die Gate-Elektrode über dem Gate-Isolator angeordnet ist.
  7. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei die aktive Halbleiterschicht ein Material umfasst, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus amorphem Silizium, Niedrigtemperatur-Polysilizium und Metalloxid besteht.
  8. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Pufferschicht eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid eine Riefung in dem biegbaren Bereich aufweist.
  9. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Pufferschicht eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid einen dickeren Teil im TFT-Bereich als im biegbaren Bereich außerhalb des TFT-Bereichs umfasst.
  10. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD) zwischen der Gate-Elektrode des TFT und Source/Drain des TFT umfasst.
  11. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei das ILD eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid ein Riefenmuster in dem biegbaren Bereich außerhalb des TFT-Bereichs aufweist.
  12. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei die ILD-Schicht in dem TFT-Bereich vorhanden ist und außerhalb des TFT-Bereichs nicht vorhanden ist.
  13. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine Passivierung umfasst, die über den Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT angeordnet ist.
  14. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Passivierungsschicht ein biegbares organisches Material aufweist.
  15. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das biegbare Substrat Polyimid aufweist.
  16. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der dehnbare Teil der mindestens einen der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen ferner einen ersten dehnbaren Teil umfasst, der mit einem zweiten dehnbaren Teil zur Redundanz verschachtelt oder überlappend gebildet ist.
  17. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 16, wobei der erste dehnbare Teil aus dem ersten Metall für die Gate-Elektrode und Gate-Leitung gebildet ist und der zweite dehnbare Teil aus dem zweiten Metall für die Drain- und Source- und Datenleitung gebildet ist.
  18. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17, wobei der erste dehnbare Teil und der zweite dehnbare Teil an mindestens einer Stelle außerhalb des TFT-Bereichs verbunden sind.
  19. Biegbare Anzeigevorrichtung mit einer Anordnung von Pixeln oder Subpixeln, wobei die Vorrichtung umfasst: ein biegbares Substrat; eine Pufferschicht über dem biegbaren Substrat; eine Anordnung von Dünnschichttransistoren (TFT), die der Anordnung von Pixeln oder Subpixeln entspricht; eine erste Vielzahl von Metallleitungen, die mit Gate-Elektroden der TFT gekoppelt sind; und eine zweite Vielzahl von Metallleitungen, die mit Source-Elektroden und Drain-Elektroden der TFT gekoppelt sind; eine Leiterplatte mit integrierter Schaltung (IC) außerhalb der TFT und Pixel; und eine Vielzahl von Metallbahnen, die zwischen die TFT und die IC-Leiterplatte gekoppelt sind, wobei die Vielzahl von Metallbahnen aus dem ersten Metall für die Gate-Elektrode der TFT und dem zweiten Metall für die Source-Elektrode und Drain-Elektrode der TFT gebildet ist, wobei die Vielzahl von Metallbahnen über der Pufferschicht angeordnet ist, wobei die Pufferschicht außerhalb des TFT-Bereichs mit einem Riefenmuster konfiguriert ist.
  20. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Vielzahl von Metallbahnen dafür konfiguriert ist, dehnbar zu sein.
  21. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei mindestens eine der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen einen nicht dehnbaren Teil in den TFT-Bereichen und einen dehnbaren Teil außerhalb der TFT-Bereiche umfasst.
  22. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei der dehnbare Teil eine Metallbahn umfasst, die in einem Muster geformt ist, das dafür konfiguriert ist, biegbar zu sein.
  23. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei das Muster mindestens eine von einer serpentinenförmigen, sinuskurvenförmigen oder rechteckwellenförmigen Form aufweist.
  24. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Pixel oder Subpixel eine organische Leuchtdiode umfassen.
  25. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, die ferner eine Pufferschicht zwischen dem Substrat und dem TFT umfasst.
  26. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Pufferschicht eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid eine Riefung in dem biegbaren Teil aufweist.
  27. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Pufferschicht eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid einen dickeren Teil in dem TFT-Bereich als im biegbaren Bereich außerhalb des TFT-Bereichs umfasst.
  28. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, die ferner ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD) zwischen der Gate-Elektrode des TFT und dem Source-/Drain des TFT umfasst.
  29. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 28, wobei das ILD eine Teilschicht aus Siliziumoxid und eine Teilschicht aus Siliziumnitrid umfasst, wobei das Siliziumnitrid ein Riefenmuster in dem biegbaren Teil außerhalb des TFT-Bereichs aufweist.
  30. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 28, wobei die ILD-Schicht in dem TFT-Bereich vorhanden ist und außerhalb des TFT-Bereichs nicht vorhanden ist.
  31. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, die ferner eine Passivierung umfasst, die über den Source-Elektroden und den Drain-Elektroden der TFT angeordnet ist.
  32. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Passivierungsschicht ein biegbares organisches Material aufweist.
  33. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei das biegbare Substrat Polyimid aufweist.
  34. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 19, wobei der dehnbare Teil der mindestens einen der ersten Vielzahl von Metallleitungen und der zweiten Vielzahl von Metallleitungen ferner einen ersten dehnbaren Teil umfasst, der mit einem zweiten dehnbaren Teil zur Redundanz verschachtelt oder überlappend angeordnet ist.
  35. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 34, wobei der erste dehnbare Teil aus dem ersten Metall für die Gate-Elektrode und die Gate-Leitung gebildet ist und der zweite dehnbare Teil aus dem zweiten Metall für die Drain- und Source- und Datenleitung gebildet ist.
  36. Biegbare Anzeigevorrichtung nach Anspruch 34, wobei der erste dehnbare Teil und der zweite dehnbare Teil an mindestens einer Stelle außerhalb des TFT-Bereichs verbunden sind.
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Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10261370B2 (en) 2011-10-05 2019-04-16 Apple Inc. Displays with minimized border regions having an apertured TFT layer for signal conductors
US10314492B2 (en) 2013-05-23 2019-06-11 Medibotics Llc Wearable spectroscopic sensor to measure food consumption based on interaction between light and the human body
US9582035B2 (en) 2014-02-25 2017-02-28 Medibotics Llc Wearable computing devices and methods for the wrist and/or forearm
US8941128B2 (en) * 2012-11-21 2015-01-27 Intel Corporation Passivation layer for flexible display
KR102099865B1 (ko) 2013-08-12 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI688850B (zh) 2013-08-13 2020-03-21 飛利斯有限公司 具有電子顯示器之物品
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9564478B2 (en) 2013-08-26 2017-02-07 Apple Inc. Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors
WO2015031426A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Polyera Corporation Flexible display and detection of flex state
WO2015031501A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Polyera Corporation Attachable device having a flexible electronic component
CN103454821B (zh) * 2013-09-04 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、柔性显示器件及电子设备
WO2015038684A1 (en) 2013-09-10 2015-03-19 Polyera Corporation Attachable article with signaling, split display and messaging features
WO2015100224A1 (en) 2013-12-24 2015-07-02 Polyera Corporation Flexible electronic display with user interface based on sensed movements
CN106030688B (zh) 2013-12-24 2020-01-24 飞利斯有限公司 可挠性电子物品
JP6639400B2 (ja) 2013-12-24 2020-02-05 フレックステラ, インコーポレイテッドFlexterra, Inc. 取り付け可能な二次元可撓性電子デバイスのための支持構造
CN106030687B (zh) 2013-12-24 2020-08-14 飞利斯有限公司 动态可挠物品
US20150227245A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 Polyera Corporation Attachable Device with Flexible Electronic Display Orientation Detection
US10429888B2 (en) 2014-02-25 2019-10-01 Medibotics Llc Wearable computer display devices for the forearm, wrist, and/or hand
WO2015184045A2 (en) 2014-05-28 2015-12-03 Polyera Corporation Device with flexible electronic components on multiple surfaces
US10582612B2 (en) * 2014-06-30 2020-03-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
US9515099B2 (en) * 2014-07-31 2016-12-06 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
US9544994B2 (en) 2014-08-30 2017-01-10 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
US9543370B2 (en) 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
EP3201958B1 (de) * 2014-09-29 2020-08-26 LG Display Co., Ltd. Flexible anzeigevorrichtung mit drähten mit reduzierter biegespannung
US9349758B2 (en) 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
KR102199359B1 (ko) * 2014-10-13 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9627463B2 (en) * 2014-11-28 2017-04-18 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with space reducing wire configuration
US9706607B2 (en) * 2014-12-10 2017-07-11 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers
US9356087B1 (en) 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
US9780157B2 (en) * 2014-12-23 2017-10-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with gate-in-panel circuit
KR102388729B1 (ko) * 2014-12-31 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102278508B1 (ko) * 2015-01-15 2021-07-16 삼성디스플레이 주식회사 신축성 디스플레이 장치
KR102405257B1 (ko) * 2015-01-28 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102350029B1 (ko) 2015-02-17 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2016138356A1 (en) 2015-02-26 2016-09-01 Polyera Corporation Attachable device having a flexible electronic component
KR102282492B1 (ko) 2015-03-10 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362819B1 (ko) * 2015-03-23 2022-02-14 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
JP2016201439A (ja) * 2015-04-09 2016-12-01 ソニー株式会社 可撓性デバイス
KR102388711B1 (ko) * 2015-04-27 2022-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106298798A (zh) * 2015-06-04 2017-01-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器件及其制造方法
CN104966791B (zh) * 2015-07-01 2018-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板及其制造方法、oled器件封装方法
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
JP6692034B2 (ja) * 2015-12-14 2020-05-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 映像表示装置
WO2017110490A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 国立研究開発法人産業技術総合研究所 伸縮性配線シート並びにその製造方法及び製造装置、伸縮性タッチセンサシート
EP3407686A4 (de) * 2016-01-19 2019-08-21 Tokusen Kogyo Co., Ltd Dehnbare verdrahtungsplatte und dehnbare berührungssensorplatte
KR102488076B1 (ko) * 2016-01-21 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
US10361385B2 (en) * 2016-02-12 2019-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102596956B1 (ko) * 2016-05-23 2023-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP3249639A1 (de) * 2016-05-26 2017-11-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Anpassbare matrixanzeigenvorrichtung
US10209602B2 (en) * 2016-05-31 2019-02-19 E Ink Corporation Stretchable electro-optic displays
JP6736379B2 (ja) * 2016-06-24 2020-08-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10607932B2 (en) 2016-07-05 2020-03-31 E Ink Holdings Inc. Circuit structure
KR20180021292A (ko) * 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180021306A (ko) 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN106206613B (zh) 2016-08-24 2020-12-29 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法
JP6962673B2 (ja) * 2016-09-12 2021-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 樹脂基板
JP6745065B2 (ja) * 2016-09-12 2020-08-26 大日本印刷株式会社 電子デバイス
KR102593455B1 (ko) * 2016-09-29 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN106469523A (zh) * 2016-09-30 2017-03-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制造方法
JP6872343B2 (ja) * 2016-10-18 2021-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
JP2018066933A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11158619B2 (en) * 2016-10-31 2021-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Redistribution layers in semiconductor packages and methods of forming same
JP6978573B2 (ja) * 2016-11-11 2021-12-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180072022A (ko) * 2016-12-20 2018-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115101558A (zh) 2016-12-22 2022-09-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
KR20180075733A (ko) 2016-12-26 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US10444912B2 (en) * 2016-12-30 2019-10-15 Industrial Technology Research Institute Sensing method of sensing device and stretchable sensor device
CN108695340A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN106971671B (zh) * 2017-04-28 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
CN106952937A (zh) 2017-04-28 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
US10263107B2 (en) * 2017-05-01 2019-04-16 The Regents Of The University Of California Strain gated transistors and method
US20180323239A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Innolux Corporation Display device
CN108806506A (zh) * 2017-05-05 2018-11-13 元太科技工业股份有限公司 开关元件阵列结构
TWI648572B (zh) * 2017-05-05 2019-01-21 元太科技工業股份有限公司 開關元件陣列結構
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102030235B1 (ko) * 2017-06-15 2019-10-10 고려대학교 세종산학협력단 신축성 기판 구조체 및 그 제조방법, 신축성 디스플레이 및 그 제조방법 그리고 신축성 디스플레이 사용방법
CN107331686A (zh) * 2017-06-30 2017-11-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板、线路结构及oled显示设备
KR102370406B1 (ko) 2017-07-10 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2019026237A1 (ja) * 2017-08-03 2019-02-07 シャープ株式会社 表示装置
US10644096B2 (en) 2017-08-22 2020-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US11148398B2 (en) 2017-09-15 2021-10-19 Apple Inc. Multilayer composite including metallic glass and polymer with reduced fatigue
US10811488B2 (en) 2017-09-22 2020-10-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US10754387B2 (en) 2017-09-29 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible display device
CN107678196B (zh) 2017-10-10 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 连接器及显示屏
KR102465788B1 (ko) 2017-11-30 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10566352B2 (en) * 2017-12-07 2020-02-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof
CN108091612B (zh) * 2017-12-07 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
US11145707B2 (en) * 2018-01-09 2021-10-12 Wuhan China Star Opotelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel, trace structure and organic light emitting diode display apparatus
KR102550504B1 (ko) 2018-02-09 2023-07-03 삼성전자주식회사 복수개의 배선층을 벤딩 영역에 포함하는 디스플레이
WO2019163030A1 (ja) * 2018-02-21 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
EP3776681A4 (de) 2018-03-30 2021-12-08 BOE Technology Group Co., Ltd. Organische lichtemittierende diodenanzeigetafel und anzeigevorrichtung sowie herstellungsverfahren dafür
CN108461531B (zh) * 2018-04-09 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及其制备方法和柔性显示面板
CN108899328A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 昆山国显光电有限公司 互连线结构、显示基板及其制作方法、显示装置
CN108962952B (zh) 2018-07-17 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN108899352B (zh) 2018-07-20 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN109037295A (zh) * 2018-08-03 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板和显示面板
CN109449190B (zh) * 2018-11-14 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及oled显示装置
CN109860207B (zh) * 2019-02-27 2022-07-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US11004363B2 (en) * 2019-03-05 2021-05-11 Innolux Corporation Stretchable display device and method of controlling stretchable display device
CN209912403U (zh) 2019-06-13 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和柔性显示装置
KR102652324B1 (ko) * 2019-07-25 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
KR20210048945A (ko) * 2019-10-24 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
TWI762894B (zh) * 2019-11-05 2022-05-01 友達光電股份有限公司 電路裝置
CN111341813B (zh) * 2020-03-11 2022-11-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
TWI733479B (zh) * 2020-06-03 2021-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 可撓式微型元件顯示面板
CN114120811A (zh) * 2020-08-26 2022-03-01 深圳市柔宇科技股份有限公司 柔性显示面板及显示装置
US11551829B2 (en) 2020-09-03 2023-01-10 Industrial Technology Research Institute Electronic device
CN112234090A (zh) * 2020-10-20 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066855B1 (en) 1976-11-22 1997-05-13 St Clair Intellectual Property Vented membrane-type touch panel
US4085302A (en) 1976-11-22 1978-04-18 Control Data Corporation Membrane-type touch panel
EP0196915B1 (de) 1985-03-29 1991-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dünnschicht-Transistorenanordnung und Methode zu deren Herstellung
US5075237A (en) 1990-07-26 1991-12-24 Industrial Technology Research Institute Process of making a high photosensitive depletion-gate thin film transistor
US5483261A (en) 1992-02-14 1996-01-09 Itu Research, Inc. Graphical input controller and method with rear screen image detection
US5880411A (en) 1992-06-08 1999-03-09 Synaptics, Incorporated Object position detector with edge motion feature and gesture recognition
US5488204A (en) 1992-06-08 1996-01-30 Synaptics, Incorporated Paintbrush stylus for capacitive touch sensor pad
US5235451A (en) 1992-09-09 1993-08-10 Litton Systems Canada Limited Liquid crystal display module
US5592199A (en) 1993-01-27 1997-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Assembly structure of a flat type device including a panel having electrode terminals disposed on a peripheral portion thereof and method for assembling the same
TW269743B (de) 1994-04-26 1996-02-01 Toshiba Eng Co
GB2292004A (en) 1994-07-29 1996-02-07 Ibm Uk Electronic circuit package
JPH08186336A (ja) 1994-12-28 1996-07-16 Mitsubishi Electric Corp 回路基板、駆動回路モジュール及びそれを用いた液晶表示装置並びにそれらの製造方法
JP2606177B2 (ja) 1995-04-26 1997-04-30 日本電気株式会社 印刷配線板
US5990492A (en) 1995-05-30 1999-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Self-aligned thin-film transistor for a liquid crystal display having source and drain electrodes of different material
US5825352A (en) 1996-01-04 1998-10-20 Logitech, Inc. Multiple fingers contact sensing method for emulating mouse buttons and mouse operations on a touch sensor pad
US5835079A (en) 1996-06-13 1998-11-10 International Business Machines Corporation Virtual pointing device for touchscreens
US6310610B1 (en) 1997-12-04 2001-10-30 Nortel Networks Limited Intelligent touch display
US7663607B2 (en) 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
EP1717677B1 (de) 1998-01-26 2015-06-17 Apple Inc. Verfahren und Vorrichtung zur Integration von manuellen Eingabeverfahren und Vorrichtung zur Integration von manuellen Eingaben
US8479122B2 (en) 2004-07-30 2013-07-02 Apple Inc. Gestures for touch sensitive input devices
US6188391B1 (en) 1998-07-09 2001-02-13 Synaptics, Inc. Two-layer capacitive touchpad and method of making same
JP4542637B2 (ja) 1998-11-25 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 携帯情報機器及び情報記憶媒体
US6351029B1 (en) 1999-05-05 2002-02-26 Harlan R. Isaak Stackable flex circuit chip package and method of making same
JP4497596B2 (ja) 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
WO2001069577A2 (en) 2000-03-14 2001-09-20 Sarnoff Corporation Fiber display module and panel assembly
US6633360B2 (en) 2000-03-30 2003-10-14 Yoshihiro Okada Active matrix type liquid crystal display apparatus
US6500701B2 (en) 2000-04-28 2002-12-31 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor panel having protective film of channel region
US6372636B1 (en) 2000-06-05 2002-04-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Composite silicon-metal nitride barrier to prevent formation of metal fluorides in copper damascene
JP3739640B2 (ja) 2000-08-28 2006-01-25 シャープ株式会社 液晶モジュールの製造方法
KR20020081562A (ko) 2001-04-17 2002-10-28 닛본 덴기 가부시끼가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3800984B2 (ja) 2001-05-21 2006-07-26 ソニー株式会社 ユーザ入力装置
JP2003057661A (ja) 2001-08-10 2003-02-26 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造装置
JP2003173237A (ja) 2001-09-28 2003-06-20 Ricoh Co Ltd 情報入出力システム、プログラム及び記憶媒体
US6803245B2 (en) 2001-09-28 2004-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedure for encapsulation of electronic devices
US7474002B2 (en) 2001-10-30 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dielectric film having aperture portion
JP2003255381A (ja) 2001-12-28 2003-09-10 Advanced Display Inc 画像表示装置およびその製造方法
US6690387B2 (en) 2001-12-28 2004-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Touch-screen image scrolling system and method
JP3803596B2 (ja) 2002-03-14 2006-08-02 日本電気株式会社 パッケージ型半導体装置
US11275405B2 (en) 2005-03-04 2022-03-15 Apple Inc. Multi-functional hand-held device
US6970219B1 (en) 2002-07-26 2005-11-29 Alien Technology Corporation Flexible display and method of making the same
JP3931780B2 (ja) 2002-09-27 2007-06-20 株式会社デンソー 多層プリント基板
US20040063001A1 (en) 2002-09-30 2004-04-01 Wu Wei E. Method of making an integrated circuit using a photomask having a dual antireflective coating
US7799369B2 (en) 2002-11-19 2010-09-21 Daniels John J Organic and inorganic light active devices and methods for making the same
TWI303909B (en) * 2002-11-25 2008-12-01 Nichia Corp Ridge waveguide semiconductor laser diode
US7550842B2 (en) 2002-12-12 2009-06-23 Formfactor, Inc. Integrated circuit assembly
US7152957B2 (en) 2002-12-18 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Recording device board having a plurality of bumps for connecting an electrode pad and an electrode lead, liquid ejection head, and manufacturing method for the same
US6869825B2 (en) 2002-12-31 2005-03-22 Intel Corporation Folded BGA package design with shortened communication paths and more electrical routing flexibility
KR100528326B1 (ko) 2002-12-31 2005-11-15 삼성전자주식회사 가요성 기판 상에 보호캡을 구비하는 박막 반도체 소자 및 이를 이용하는 전자장치 및 그 제조방법
JP3996535B2 (ja) 2003-03-20 2007-10-24 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
US7465678B2 (en) 2003-03-28 2008-12-16 The Trustees Of Princeton University Deformable organic devices
US6879032B2 (en) 2003-07-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Folded flex circuit interconnect having a grid array interface
JP2005079472A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置及び電子機器
US7453542B2 (en) 2003-09-09 2008-11-18 Citizen Holdings Co., Ltd. Display device having first and second offsetting transfer-connections connected between driving electrodes and wiring lines and bent respectively in different directions to adjust wiring line resistances
KR100961268B1 (ko) 2003-12-30 2010-06-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
TWI232065B (en) * 2003-12-31 2005-05-01 Toppoly Optoelectronics Corp An organic light emitting diode panel
US7258549B2 (en) 2004-02-20 2007-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connection member and mount assembly and production method of the same
US20060283212A1 (en) 2004-03-13 2006-12-21 Wilson Rodney W Tile sponge washing and conditioning apparatus
JP4661076B2 (ja) 2004-04-16 2011-03-30 三菱電機株式会社 Tftアレイ基板、液晶表示パネル及び液晶表示装置
US7629691B2 (en) 2004-06-16 2009-12-08 Honeywell International Inc. Conductor geometry for electronic circuits fabricated on flexible substrates
US7173678B2 (en) 2004-06-25 2007-02-06 Northrop Grumman Corporation Non-ruggedized COTS display packaging for severe environment applications
JP2006064791A (ja) 2004-08-25 2006-03-09 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置の製造装置及び製造方法
JP4407815B2 (ja) 2004-09-10 2010-02-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4576185B2 (ja) 2004-09-22 2010-11-04 オリンパス株式会社 超音波振動子
US7291907B2 (en) 2005-02-28 2007-11-06 Infineon Technologies, Ag Chip stack employing a flex circuit
US7541671B2 (en) 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
KR100645718B1 (ko) 2005-04-28 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JPWO2006120858A1 (ja) 2005-05-10 2008-12-18 松下電器産業株式会社 画像形成装置
JP2008197125A (ja) 2005-05-24 2008-08-28 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100655218B1 (ko) 2005-07-01 2006-12-08 삼성전자주식회사 다각기둥 형상의 접지 블록을 갖는 3차원 반도체 모듈
TW200705001A (en) 2005-07-20 2007-02-01 Ind Tech Res Inst Pixel layout structure with flexibility for display
KR100658267B1 (ko) 2005-08-31 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 플렉시블 디스플레이 제조용 필름 트레이
TWI281586B (en) 2005-09-13 2007-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel array
TWI318698B (en) * 2005-10-06 2009-12-21 Au Optronics Corp Display panels
KR100730152B1 (ko) 2005-10-14 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 플렉시블 평판 표시장치
US7462939B2 (en) 2005-10-20 2008-12-09 Honeywell International Inc. Interposer for compliant interfacial coupling
US20080185705A1 (en) 2005-12-23 2008-08-07 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
JP2007173652A (ja) 2005-12-23 2007-07-05 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、ならびに、該薄膜トランジスタ装置を備えた表示装置
JP5344360B2 (ja) * 2006-01-24 2013-11-20 セイコーエプソン株式会社 薄膜回路装置、電子機器及び製造方法
US7482186B2 (en) 2006-04-07 2009-01-27 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method for fabricating active matrix organic light emitting diode display device and structure of such device
GB0612777D0 (en) 2006-06-28 2006-08-09 Polymertronics Ltd Multi-layered ultra-violet cured organic electronic device
KR100821042B1 (ko) 2006-09-22 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치 및 이를 이용한 휴대용 표시기기
JP5068067B2 (ja) 2006-11-22 2012-11-07 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置および平面型表示装置
KR101319088B1 (ko) * 2006-11-30 2013-10-17 엘지디스플레이 주식회사 평판 패널용 화상 모드 제어기 및 그를 포함한 평판 표시장치
US7787917B2 (en) 2006-12-28 2010-08-31 Intel Corporation Folding electronic device with continuous display
TWI306364B (en) * 2006-12-29 2009-02-11 Ind Tech Res Inst Flexible display panel device
KR101356238B1 (ko) 2007-03-26 2014-01-28 삼성전자주식회사 Uv 패터닝 가능한 전도성 고분자 필름의 제조방법 및이에 의해 제조되는 전도성 고분자 필름
KR100882909B1 (ko) * 2007-06-27 2009-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 포함하는유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법
JP5074129B2 (ja) 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP2009094099A (ja) 2007-10-03 2009-04-30 Nec Lcd Technologies Ltd フレキシブル基板の接続部の構造、フレキシブル基板、フラットパネル表示装置
US8434909B2 (en) 2007-10-09 2013-05-07 Flex Lighting Ii, Llc Light emitting display with light mixing within a film
JP5093725B2 (ja) 2007-10-29 2012-12-12 Nltテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2009116090A (ja) 2007-11-07 2009-05-28 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US20090167171A1 (en) 2007-11-22 2009-07-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device, organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR101415567B1 (ko) 2007-12-11 2014-07-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 인쇄 회로막 및 이를 포함하는 표시 장치
TW201001624A (en) 2008-01-24 2010-01-01 Soligie Inc Silicon thin film transistors, systems, and methods of making same
KR100942553B1 (ko) 2008-02-11 2010-02-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판표시장치
JP2009230108A (ja) 2008-02-29 2009-10-08 Canon Inc 表示パネルの駆動回路および表示装置
KR100932981B1 (ko) 2008-04-11 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 모듈
JP5502289B2 (ja) 2008-05-14 2014-05-28 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
WO2010001812A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 新日鐵化学株式会社 可撓性回路基板及びその製造方法並びに可撓性回路基板の屈曲部構造
KR101274709B1 (ko) 2008-07-08 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5258436B2 (ja) 2008-07-30 2013-08-07 株式会社東芝 表示装置及びその製造方法
KR20100023559A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2010060866A (ja) 2008-09-04 2010-03-18 Epson Imaging Devices Corp 電気光学パネル、電気光学装置及び電子機器
US10774235B2 (en) 2008-10-27 2020-09-15 Arkema France Nano-structure coated sheets/films for optical electronic displays and photovoltaic modules
KR100965254B1 (ko) 2008-10-28 2010-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 패널 실링 장치 및 그 방법
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
EP2374149B1 (de) * 2008-12-05 2018-06-13 Hydis Technologies Co., Ltd Verfahren zur herstellung von elektronischen vorrichtungen mit kunststoffsubstraten
TW201033707A (en) 2009-03-04 2010-09-16 Au Optronics Corp Flat display panel
JP4543115B1 (ja) 2009-03-06 2010-09-15 株式会社東芝 電子機器及びフレキシブルプリント配線板
CN104597651B (zh) 2009-05-02 2017-12-05 株式会社半导体能源研究所 显示设备
US20100315399A1 (en) 2009-06-10 2010-12-16 Jacobson Joseph M Flexible Electronic Device and Method of Manufacture
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101460868B1 (ko) 2009-07-10 2014-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101615379B1 (ko) 2009-10-14 2016-04-26 삼성전자주식회사 플렉서블 디스플레이부를 구비하는 휴대단말기 및 휴대단말기의 정보표시 방법
US20120206658A1 (en) 2009-10-23 2012-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, and television receiver
WO2011071198A1 (ko) 2009-12-10 2011-06-16 경기대학교 산학협력단 트랜지스터와, 그를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 평판 표시 장치
US10020374B2 (en) 2009-12-25 2018-07-10 Ricoh Company, Ltd. Field-effect transistor, semiconductor memory display element, image display device, and system
JP5611811B2 (ja) 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
JP5370944B2 (ja) 2010-03-17 2013-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネルおよびその製造方法
EP2369627B1 (de) 2010-03-22 2017-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Dünnschichttransistoren, Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren und Halbleiterbauelement mit Dünnschichttransistoren
KR101587541B1 (ko) * 2010-04-23 2016-01-22 삼성디스플레이 주식회사 정보인식 표시장치
KR101130697B1 (ko) 2010-05-07 2012-04-02 삼성전자주식회사 복수 층의 신축성 배선
KR101245424B1 (ko) 2010-06-02 2013-03-22 샤프 가부시키가이샤 콘택트 구조, 기판, 표시장치, 그리고 상기 콘택트 구조 및 상기 기판의 제조방법
EP2426720A1 (de) 2010-09-03 2012-03-07 Applied Materials, Inc. Versetzter Dünnfilmtransistor und Herstellungsverfahren dafür
TWI419094B (zh) * 2010-09-10 2013-12-11 Au Optronics Corp 可撓性顯示面板
US9213428B2 (en) 2010-11-19 2015-12-15 Blackberry Limited Portable electronic device including flexible display
CN103348398A (zh) 2010-12-06 2013-10-09 创造者科技有限公司 用于软性显示器的照明器
JP5720222B2 (ja) 2010-12-13 2015-05-20 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
CN102593182A (zh) 2011-01-07 2012-07-18 元太科技工业股份有限公司 薄膜晶体管结构及其制造方法
JP5382010B2 (ja) 2011-01-24 2014-01-08 ブラザー工業株式会社 配線基板、及び、配線基板の製造方法
US8716932B2 (en) 2011-02-28 2014-05-06 Apple Inc. Displays with minimized borders
US8934228B2 (en) 2011-03-21 2015-01-13 Apple Inc. Display-based speaker structures for electronic devices
US8816977B2 (en) 2011-03-21 2014-08-26 Apple Inc. Electronic devices with flexible displays
US9866660B2 (en) 2011-03-21 2018-01-09 Apple Inc. Electronic devices with concave displays
US9178970B2 (en) 2011-03-21 2015-11-03 Apple Inc. Electronic devices with convex displays
US9207477B2 (en) 2011-04-28 2015-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display module and display device
US9176535B2 (en) 2011-06-03 2015-11-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Flexible display flexure assembly
US8373181B2 (en) 2011-06-29 2013-02-12 General Electric Company Method and device for a cathode structure for flexible organic light emitting diode (OLED) device
US8787016B2 (en) 2011-07-06 2014-07-22 Apple Inc. Flexible display devices
KR101774278B1 (ko) 2011-07-18 2017-09-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
US9400576B2 (en) 2011-07-19 2016-07-26 Apple Inc. Touch sensor arrangements for organic light-emitting diode displays
US8804347B2 (en) 2011-09-09 2014-08-12 Apple Inc. Reducing the border area of a device
TWI440186B (zh) 2011-09-23 2014-06-01 E Ink Holdings Inc 驅動基板及使用其之顯示裝置
US8723824B2 (en) 2011-09-27 2014-05-13 Apple Inc. Electronic devices with sidewall displays
US10245776B2 (en) 2011-09-30 2019-04-02 Apple Inc. Methods for forming electronic devices with bent display edges
US8929085B2 (en) 2011-09-30 2015-01-06 Apple Inc. Flexible electronic devices
US9098242B2 (en) 2011-09-30 2015-08-04 Apple Inc. Electronic devices with cover layers mounted to displays
US9756733B2 (en) 2011-10-04 2017-09-05 Apple Inc. Display and multi-layer printed circuit board with shared flexible substrate
US10261370B2 (en) 2011-10-05 2019-04-16 Apple Inc. Displays with minimized border regions having an apertured TFT layer for signal conductors
US8947627B2 (en) 2011-10-14 2015-02-03 Apple Inc. Electronic devices having displays with openings
US9864403B2 (en) 2011-12-02 2018-01-09 Apple Inc. Electronic devices with structural glass members
TWI515910B (zh) 2011-12-22 2016-01-01 群創光電股份有限公司 薄膜電晶體基板與其製作方法、顯示器
US8724304B2 (en) 2012-04-20 2014-05-13 Apple Inc. Electronic devices with flexible displays having fastened bent edges
US9072165B2 (en) 2012-06-19 2015-06-30 Apple Inc. Hollow conductive gaskets with curves and openings
US9226347B2 (en) 2012-06-25 2015-12-29 Apple Inc. Displays with vias
US9419065B2 (en) 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
US8823003B2 (en) 2012-08-10 2014-09-02 Apple Inc. Gate insulator loss free etch-stop oxide thin film transistor
US9110320B2 (en) 2012-08-14 2015-08-18 Apple Inc. Display with bent inactive edge regions
US9195108B2 (en) 2012-08-21 2015-11-24 Apple Inc. Displays with bent signal lines
US9093360B2 (en) 2013-01-11 2015-07-28 Analog Devices, Inc. Compact device package
KR102097150B1 (ko) 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9600112B2 (en) 2014-10-10 2017-03-21 Apple Inc. Signal trace patterns for flexible substrates

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