JP2018066933A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】伸縮性を有する表示装置を提供する。【解決手段】フレキシブル基板と、一方向及び前記一方向と交差する方向に配列される複数の画素１０８と、前記一方向に伸延する第１配線及び第２配線と、第１絶縁膜とを含み、前記第１配線と前記第２配線の間に前記第１絶縁膜を含み、前記第１配線及び前記第２配線は伸縮性を有する部分を有し、前記第１絶縁膜は伸縮性を有し、前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、前記第１配線と前記第２配線との間隔が変化することを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、伸縮性を有する表示装置に関する。本発明の一実施形態は、画素領域の伸縮を検出する機能を有する表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置（以下、ＥＬ表示装置と記す）は、基板上に形成された複数の画素内の各々に複数のトランジスタ及び有機発光素子（以下、発光素子）を有している。各画素は、画素を制御する信号により駆動される。各画素が有するトランジスタの駆動を信号により制御することで、発光素子へ電流が供給され、表示装置は映像を表示することができる。有機ＥＬ表示装置は、発光素子が薄い有機膜の積層構造であること、バックライトが不要なこと、などから、柔軟化、薄型化に適している。この特徴を活用し、可撓性の基板上に発光素子が作製された、いわゆるフレキシブルディスプレイ（シートディスプレイ）が作製されている。そして、フレキシブルディスプレイを曲面や衣服や人体などに張り付ける検討がされている。フレキシブルディスプレイを曲面や衣服や人体などに張り付ける場合、装着のし易さが重要になり、伸縮性も求められるようになってきている。

例えば、特許文献１は、伸縮性基材上に伸縮性配線を有する伸縮性配線板が開示されている。

特開２０１４−１５１６１７号公報

フレキシブルディスプレイが、伸び縮みが可能になると、これまでの曲がる特性に加えて、画面のサイズを変化させることが可能となる。具体的には、ディスプレイのサイズの変更、曲面や衣服などの平面でない面への装着が可能となる。このようにフレキシブルディスプレイの形態を変化させることを可能としても、その変化の態様を検知してフレキシブルディスプレイやシステム全体の動作に反映させる方式は検討されていない。

一方、フレキシブルディスプレイは、伸び縮みが可能になると、映像が歪むなどの問題が発生する。また、フレキシブルディスプレイは、多数の膜が積層された構造を有している。それぞれの膜は、画素のトランジスタを制御するために形成された複数の配線、配線を保護する絶縁膜などが含まれる。よって、フレキシブルディスプレイは、伸び縮みが可能になると、配線および絶縁膜も伸び縮みし、動作に影響を及ぼすことが懸念される。例えば、駆動回路や画素領域に設けられた配線のインピーダンスが変化して、フレキシブルディスプレイ動作に影響を及ぼすことが懸念される。

このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、伸縮性を有する表示装置を提供することを目的の１つとする。

本発明の一実施形態は、フレキシブル基板と、一方向及び一方向と交差する方向に配列される複数の画素と、一方向に伸延する第１配線及び第２配線と、第１絶縁膜とを含む表示装置である。第１配線と第２配線の間に第１絶縁膜を含む。第１配線及び第２配線とは伸縮性を有する部分を有する。第１絶縁膜は、伸縮性を有する。フレキシブル基板が伸縮すると共に、第１配線と第２配線との間隔が変化する。

本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の模式的な断面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な断面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の形状を説明する模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の形状を説明する模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の模式的な断面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む画素領域の模式的な平面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の模式的な断面図。 本発明の一実施形態に係る表示装置が含む配線の形状を説明する模式的な平面図。

以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第１基板に対して第２基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。

本明細書において説明される第１基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び表示素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第１基板の一主面を基準とし、第１基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第１基板の一主面を基準にして述べるものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る伸縮性を有する表示装置を説明する。また、伸縮性を有する表示装置において、その伸縮を容量変化で検出可能な表示装置を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が有する画素領域１０６の模式的な平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００が有する画素領域１０６が含む配線の模式的な断面図である。

画素領域１０６は、一方向及び一方向に交差する方向に沿って、複数の画素１０８が配置される。複数の画素１０８の配列数は任意である。例えば、Ｘ方向にｍ個、Ｙ方向にｎ個の画素１０８が配列される。ｍとｎはそれぞれ独立に、１よりも大きい自然数である。図１では複数の画素１０８の配列が４行４列の例を示している。複数の走査信号線１１０及び複数の第１中間配線２１０はＸ方向に並行に伸延される。複数の映像信号線１０９及び複数の第２中間配線２０９はＹ方向に並行に伸延される。図１においては、説明をわかりやすくするため、走査信号線１１０と第１中間配線２１０は並行に配置され、映像信号線１０９と第２中間配線２０９も並行に配置されている。走査信号線１１０と第１中間配線２１０は重なっていてもよい。映像信号線１０９と第２中間配線２０９は重なっていてもよい。各画素１０８には画素回路が設けられる。図１においては、説明をわかりやすくするため、画素回路はトランジスタ２６４のみを示している。画素回路は複数のトランジスタ及び容量を含む。

複数の走査信号線１１０、複数の映像信号線１０９、複数の第１中間配線２１０、及び、第２中間配線２０９は、その一部が伸縮性を有していてもよいし、その全てが伸縮性を有していてもよい。すなわち、各々の信号線及び各々の配線は、一部が伸縮性を有する材料で形成されてもよいし、全てが伸縮性を有する材料で形成されてもよい。

図１（Ａ）は、表示装置が伸縮されていない状態（非伸縮状態、標準状態、定常状態ともいう）を示している。Ｘ１はＸ方向の画素間の間隔を示し、Ｙ１はＹ方向の画素間の間隔を示している。図１（Ｂ）は、表示装置がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、伸ばされている状態を示している。Ｘ２はＸ方向の画素間の間隔を示し、Ｙ２はＹ方向の画素間の間隔を示している。Ｘ２はＸ１よりも長く、Ｙ２はＹ１よりも長い。複数の走査信号線１１０、複数の映像信号線１０９、複数の第１中間配線２１０、及び、第２中間配線２０９は、伸縮性を有する材料を用いて形成された配線であるから、配線が伸ばされていることがわかる。

配線の伸縮の検出は、以下の手順で行う。表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値を測定する。次に、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値を測定する。二つの容量値を比較する。続いて、表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の映像信号線１０９と第２中間配線２０９の容量値を測定する。さらに、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の映像信号線１０９と第２中間配線２０９の容量値を測定する。二つの容量値を比較する。

図２に、表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の走査信号線１１０及び第１中間配線２１０の断面図（図２（Ａ））、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の断面（図２（Ｂ））をそれぞれ示す。例えば、走査信号線１１０と第１中間配線２１０が平行平板コンデンサと見立てた場合、容量値は、配線の重なり面積をＳ１、配線の幅をＷ１、配線の長さをＬ１、平行平板の間の距離（間隔と言い換えてもよい）をｄ１、平行平板の間の膜の比誘電率をεとすると、以下の式で表される。

表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態の配線の重なり面積をＳ２、配線の長さをＬ２、並行平板の間の距離（間隔と言い換えてもよい）をｄ２、とすると、Ｌ２はＬ１よりも長く、ｄ２はｄ１よりも短い。したがって、数１より、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の容量値は、表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の容量値よりも大きくなっている。こうして、Ｘ方向及びＹ方向の配線の伸縮を検出することができる。そして、表示装置の画素領域１０６は、Ｘ方向及びＹ方向に拡大されていることがわかる。

図１においては、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態の、配線の伸縮の検出を説明した。表示装置の画素領域１０６が縮められた状態の、配線の検出も同様である。表示装置の画素領域１０６が縮められた状態は、表示装置の画素領域１０６が標準状態と比較して、配線の長さが短く、平行平板の間の距離が長くなっている。したがって、数式１より、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の容量値は、表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の容量値よりも小さくなっている。こうして、Ｘ方向及びＹ方向の配線の伸縮を検出することができる。そして、表示装置の画素領域１０６は、Ｘ方向及びＹ方向に縮小されていることがわかる。

以上、表示装置の画素領域１０６がＸ方向及びＹ方向に伸ばされた状態を例に、配線の伸縮の検出を説明した。なお、表示装置の画素領域１０６がＸ方向又はＹ方向の一方が伸ばされた状態においても、配線の伸縮の検出が可能である。また、表示装置の画素領域１０６がＸ方向又はＹ方向の少なくとも一方が縮められた状態においても、配線の伸縮の検出が可能である。すなわち、走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値、及び、映像信号線１０９と第２中間配線２０９の容量値を測定することで、表示装置の伸縮を検出することができる。

配線の容量値の測定は、ＬＣＲメーターを用いて行ってもよいし、容量計を用いて行ってもよい。配線の容量値の測定は、静電容量を測定できる機器で測定すればよい。

容量値の測定は、例えば、映像信号を書き込むフレームとフレームの間のブランク期間で行えばよい。あらかじめ、容量値を測定する走査信号線（ｎ−ｋ）本目を決めておき、各信号線は端子電極１１６（後述）まで引き延ばしておけばよい。その際、各信号線はスイッチにより走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路１２０と切り離せるようにしておいてもよい。なお、容量値の測定は、上記フレーム期間の間でなくともよい。点順次走査の場合は、走査信号線（ｎ−ｋ）本目と走査信号線（ｎ−ｋ＋１）本目の間の水平帰線期間で行ってもよい。測定が可能であれば、いかような状態で行ってもよい。ｎは、ｋよりも大きく、２よりも大きい自然数である。ｋは１よりも大きい自然数である。

以上のような表示装置とすることで、伸縮性を有する表示装置を提供することができる。伸縮性を有する表示装置は、例えば、標準状態においてテキストデータの表示及び入力を行い、画像を視認するときは表示画面を拡大して視認することが可能となる。具体的には、標準状態が５インチサイズの携帯端末装置であったとする。この表示画面をＸ方向およびＹ方向に伸ばすと、表示領域は拡大され、例えば、８〜１２インチサイズのタブレット端末装置として利用できる。あるいは、表示装置をＸ方向に伸ばすと、表示領域はＸ方向に拡大され、例えば、映画を見るのに適した横長の６〜７インチサイズのタブレット端末装置として利用できる。すなわち、伸縮性を有する表示装置は、画面のサイズを変化させる機能を有することができる。

また、伸縮性を有する表示装置において、表示装置が含む画素領域１０６が有する走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値、及び、映像信号線１０９と第２中間配線２０９の容量値を測定することで、表示領域が拡大されているのか、縮小されているのかを検出することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る伸縮性を有する表示装置において、その伸縮を容量変化で検出した後に、伸縮に応じて補正された映像信号を表示装置にフィードバックすることについて、説明する。なお、第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置２００の模式的な平面図である。

表示装置２００は、一方向と一方向に交差する方向に配置される複数の画素１０８を備えた画素領域１０６、走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路１２０を、フレキシブル基板１０２の一方の面（上面）に有している。複数の画素１０８のそれぞれは、映像信号線１０９、走査信号線１１０、及び、駆動電源線に電気的に接続されている。画素領域１０６、走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路１２０は、フレキシブル基板１０２とバリアフィルム１０４（図示を省略する）との間に設けられる。走査信号線駆動回路１１８及び映像信号線駆動回路１２０は、画素領域１０６とは別に作製され、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタを経由して、各々の走査信号線、各々の映像信号線と接続されてもよい。外部回路（図示を省略する）からの各種信号は、フレキシブル基板１０２上に設けられた複数の電極端子１１６含む端子領域１１４に接続されるフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタを経由して走査信号線駆動回路１１８や映像信号線駆動回路１２０に入力され、これらの信号に基づいて各画素１０８が制御される。

画像処理回路３００は、表示装置２００の外側に設けられていている。画像処理回路３００は、表示装置２００が有する走査信号線１１０、第１中間配線２１０、映像信号線１０９、及び、第２中間配線２０９と、電極端子１１６を介して電気的に接続されている。画像処理回路３００は、容量値又は抵抗値を測定する機器３１０、ＡＤ変換回路３２０、補正回路３３０、ＤＡ変換回路３６０を含む。画像処理装置３００は比較器を含んでいてもよい。補正回路３３０は、メモリ３４０、及び、演算回路３５０を含む。画像処理回路３００は、ＣＰＵを有していてもよい。補正回路３３０はメモリを複数有していてもよい。

画像処理回路３００の動作について説明する。容量値又は抵抗値を測定する機器３１０は、表示装置の画素領域１０６が標準状態（図１（Ａ））の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値を測定する。次に、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１（Ｂ））の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値を測定する。測定された各々の容量値はアナログ値である。測定された各々の容量値はＡＤ変換回路３２０で各々デジタル値に変換される。デジタル値に変換された各々の容量値は、補正回路に送られる。ここで、演算器により、デジタル値に変換された各々の容量値の差分を求めてもよい。メモリ３４０は、表示装置の収縮に関する情報と容量値の関係を紐づけしたデータを有している。補正回路３３０は、メモリ３４０が有する表示装置の収縮に関する情報とデジタル値に変換された容量値を紐づけし、映像信号線に供給する映像信号の補正データをＤＡ変換回路３６０に送信する。ＤＡ変換回路３６０によってアナログ値に変換された映像信号の補正データが、表示装置１００が有する電極端子１１４を介して各々の映像信号線１０９に供給される。なお、図３においては、画像処理回路３００が有する容量値又は抵抗値を測定する機器３１０は、走査信号線１１０と接続されているが、映像信号線１０９とも接続されている（図示を省略する）。走査信号線の容量値を測定するのか、映像信号線の容量値を測定するのかは、スイッチを設けて、切り替えてもよいし、両方を一度に測定できるように、測定機器３１０を二つ実装してもよい。また、図３においては、ＤＡ変換回路３６０によってアナログ値に変換された映像信号の補正データが、表示装置１００が有する一つの電極端子１１４に接続されている。映像信号の補正データが複数であって、その各々が複数の電極端子１１４を介して、複数の映像信号線１０９に供給されていてもよい。

ＤＡ変換回路３６０によってアナログ値に変換された映像信号の補正データが、表示装置１００が有する電極端子１１４を介して各々の映像信号線１０９に供給されることを説明した。表示装置１００が、デジタル表示が可能な場合、画像処理回路３００は、映像信号線に供給する映像信号の補正データを、ＤＡ変換回路３６０を介さずに、表示装置１００が有する電極端子１１４を介して各々の映像信号線１０９に、直接供給してもよい。

画像処理回路３００が、画素領域１０６が伸縮された際の配線の容量値を測定することで、映像信号の補正データを表示装置１００にフィードバックすることを説明した。画像処理回路３００は、表示装置１００の収縮に応じて、映像信号の補正データを表示装置１００にフィードバックするだけでなく、画素１０８が有するトランジスタを制御する信号、例えば、走査信号線駆動回路１１８に供給されるクロック信号の周波数を変更するようにしてもよい。

このように、表示装置２００が変形されても、変形された際の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値を測定することで、映像の補正データを表示装置２００に供給することができる。よって、伸縮性を有する表示装置２００において、その伸縮を容量変化で検出可能な表示装置を提供することができる。また、容量値を検出し、映像信号の補正データを表示装置２００に送ることで、映像が歪むなどの問題を解消することができる。さらに、表示装置２００の収縮に応じて、クロック周波数などの信号を変更することで、表示品位の低下を抑制することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る伸縮性を有する表示装置において、表示装置の構造を説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図４は、図１及び図３に示した表示装置１００が有する画素領域１０６の３行３列の模式的な平面図である。図４（Ａ）は、表示装置の画素領域１０６が標準状態を示している。図４（Ｂ）は、表示装置の画素領域１０６がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、伸ばされている状態を示している。図４は、配線形状が直線状である。

図５は、図１及び図３に示した表示装置１００が有する画素領域１０６の３行３列の模式的な平面図である。図５（Ａ）は、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態を示している。図５（Ｂ）は、表示装置１００の画素領域１０６がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、伸ばされている状態を示している。図５は、配線形状が矩形である。

図５においては、走査信号線１１０と第１中間配線２１０は重なって配置され、映像信号線１０９と第２中間配線２０９も重なって配置されている。走査信号線１１０と第１中間配線２１０は並行に配置され、映像信号線１０９と第２中間配線２０９も並行に配置されいてもよい。なお、走査信号線１１０と第１中間配線２１０は重なって配置され、映像信号線１０９と第２中間配線２０９も並行に配置されいてもよい。走査信号線１１０と第１中間配線２１０は並行に配置され、映像信号線１０９と第２中間配線２０９も重なって配置されていてもよい。

画素１０８は、トランジスタ１３４を有する。図４及び図５においては、説明をわかりやすくするため、画素回路がトランジスタ１３４のみを示している。画素回路は複数のトランジスタ及び容量を含む。

画素１０８が有するトランジスタ１３４は、半導体膜１６２、ゲート電極１６７、ソース／ドレイン電極１６８及び１７０を有している。ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、それぞれ開口部１８１ｂ、１８１ａを介して、半導体膜１６２ａが有するソース／ドレイン領域と電気的に接続される。ソース／ドレイン電極１７０は、映像信号線１０９と電気的に接続される。第１中間配線２１０は、走査信号線１１０よりも上層に配置され、第１中間配線２１０は、走査信号線１１０に重ねられて配置される。第１中間配線２１０の幅は、走査信号線１１０の線幅よりも細い。第２中間配線２０９は、映像信号線１０９よりも上層に配置され、第２中間配線２０９は、映像信号線１０９に重ねられて配置される。第２中間配線２０９の幅は、映像信号線１０９の線幅よりも細い。第１中間配線２１０が走査信号線１１０と、第２中間配線２０９が映像信号線１０９と、それぞれ重なるマージンを十分に確保することができ、容量値を精度よく検出することができる。

図６は、画素領域１０６が有する画素１０８の模式的な断面図である。表示装置１００はＥＬ表示装置を例に説明する。

積層構造を説明する。画素１０８は、フレキシブル基板１０２の上面に、任意の構成である下地膜１４０を介してトランジスタ１３４を有している。トランジスタ１３４は、半導体膜１６２、ゲート絶縁膜１６４、ゲート電極１６７、ソース／ドレイン電極１６８及び１７０を有している。半導体膜１６２のうちゲート電極１６７と重なる領域がチャネル領域であり、このチャネル領域を一対のソース／ドレイン領域が挟持する。ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、層間膜１５２、ゲート絶縁膜１６４、第１絶縁膜２１１及び第２絶縁膜２１２に設けられる開口部１８１ａ、１８１ｂを介してソース／ドレイン領域と電気的に接続される。ソース／ドレイン電極１７０は、映像信号線１０９と電気的に接続される。ゲート電極１６７は、走査信号線１１０と電気的に接続される。トランジスタ１３４は非伸縮領域に配置される。

非伸縮領域は、下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２が配置される領域とする。伸縮領域は、画素領域１０６と非伸縮領域が重なる領域の外側とする。

トランジスタ１３４の構造に制約はなく、図６示すようないわゆるトップゲート型のトランジスタのみならず、ボトムゲート型トランジスタや、複数のゲート電極１６７を有するマルチゲート型トランジスタ、半導体膜１６２の上下にゲート電極１６７を有するデュアルゲート型トランジスタを用いてもよい。また、半導体膜１６２とソース／ドレイン電極１６８の上下関係にも制約はない。

下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２の端は、それぞれテーパー状になっており、層間膜１５２が第１絶縁膜２１１で覆われている。

下地膜１４０は基板１０２から不純物の拡散を防ぐ機能を有し、例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を用い、ＣＶＤ法などで形成される。ゲート絶縁膜１６４は、下地膜１４０で用いる材料を適宜組み合わせて形成することができる。形成方法も、下地膜１４０の形成で適用可能な方法から選択することができる。層間膜１５２は下地膜１４０やゲート絶縁膜１６４で用いる材料を適宜組み合わせて、単層あるいは積層構造で形成することができる。例えば窒化ケイ素と酸化ケイ素の積層構造を採用することができる。形成方法も、下地膜１４０の形成で適用可能な方法から選択することができる。

非伸縮領域に、無機化合物を用いた下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２の端部が配置されることで、無機化合物を含む膜が損傷することを防ぐことができる。表示装置１００、あるいは、画素領域１０６の全面に無機化合物を含む膜がある場合と比較して、容易に伸縮させることができる。よって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

伸縮領域内にある走査信号線１１０は、下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２が配置される領域の外側に配置されている。伸縮領域内にある走査信号線１１０は、第１絶縁膜で覆われている。第１中間配線２１０は、第１絶縁膜２１１と第２絶縁膜２１２の間に形成され、第２絶縁膜で覆われている。第１中間配線２１０の幅は、走査信号線１１０の幅よりも細い。第１中間配線２１０が走査信号線１１０と重なるマージンを十分に確保することができ、容量値を精度よく検出することができる。

伸縮領域内にある走査信号線１１０は、下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２が配置される領域の外側に配置されている。伸縮領域内にある走査信号線１１０は、第１絶縁膜で覆われている。第１中間配線２１０は、第１絶縁膜２１１と第２絶縁膜２１２の間に形成され、第２絶縁膜で覆われている。第１中間配線２１０の幅は、走査信号線１１０の幅よりも細い。第１中間配線２１０が走査信号線１１０と重なるマージンを十分に確保することができ、容量値を精度よく検出することができる。

ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、第３絶縁膜２１３で覆われている。第２中間配線２０９は、第３絶縁膜２１３と第４絶縁膜２１４の間に形成され、第３絶縁膜で覆われている。第２中間配線２０９の幅は、映像信号線２１０の幅よりも細い。第２中間配線２０９が映像信号線２１０と重なるマージンを十分に確保することができ、容量値を精度よく検出することができる。

第１絶縁膜、第２絶縁膜、第３絶縁膜、及び、第４絶縁膜は、伸縮性を有する材料で形成される。例えば、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートなどの高分子材料あるいはその前駆体を用いることができる。又は、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、クロロプレンゴム、スチレンゴム、エチレンプロピレンゴム等のうち、少なくとも一つを含む樹脂であってもよい。このような材料を用いることで、膜を平坦にすることができる。すなわち、配線などの凹凸があるパターンを覆い、表面を平坦にすることができるので、凸凹から生じるクラックなどの欠陥を抑制することができる。また、第１絶縁膜、第２絶縁膜、第３絶縁膜、及び、第４絶縁膜は、伸縮性を有する材料で形成されることで、表示装置１００、あるいは、画素領域１０６は、容易に伸縮させることができる。よって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

第４絶縁膜の上面には、第１の電極１８２が配置される。発光素子１８０は第１の電極１８２、第２の電極１８６、及びこれらの間に設けられるＥＬ層１８４によって構成される。ＥＬ層１８４は、第１の電極１８２と隔壁１７８を覆うように形成され、その上に第２の電極１８６が設けられる。第１の電極１８２と第２の電極１８６からキャリア（電子、ホール）がＥＬ層１８４へ注入され、ＥＬ層１８４内でキャリアの再結合が生じる。これによってＥＬ層１８４中に含まれる有機化合物の励起状態が形成され、この励起状態が基底状態へ緩和する際に放出されるエネルギーが発光として利用される。したがって、ＥＬ層１８４と第１の電極１８２とが接している領域が発光領域である。

図６ではＥＬ層は三つの層（１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ）を有する例が示されているが、ＥＬ層の層構造に限定はなく、四つ以上の層が積層されていてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などの各種機能層を適宜積層することで発光素子１８０を構成することができる。

図６では、ＥＬ層１８４ａ、１８４ｃは隣接する画素１０８へも伸びるのに対し、層１８４ｂ（例えば発光層）は一つの画素１０８内のみに選択的に設けられている。このように、隣接する画素１０８間でＥＬ層１８４の構造は異なってもよい。これにより、例えば隣接する画素１０８間で異なる発光色を与えることができる。あるいは、隣接する画素１０８間で同一の構造を有するＥＬ層１８４を形成してもよい。この場合、例えば白色発光可能な発光素子を各画素１０８で構築し、隣接する画素間で光学特性の異なるカラーフィルタを設けることで、種々の色を画素１０８から取り出すことができ、フルカラー表示が可能となる。

発光素子１８０上には、発光素子１８０を保護するためのパッシベーション膜（保護膜）２０４が設けられる。

パッシベーション膜２０４上には、バリアフィルム１０４が設けられる。バリアフィルム１０４により、パッシベーション膜２０４やそれより下に設けられる各素子が保護される。

フレキシブル基板１０２は、バリアフィルム１４１で保護されてもよい。バリアフィルム１４１は、無機化合物を含むフィルムであればよい。バリアフィルムは、表示装置１００への水分などの侵入を防ぐ。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。また、フレキシブル基板１０２には可撓性を有する材料を用いればよく、例えばポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートなどの高分子材料あるいはその前駆体を用いることができる。これらの材料にガラスの微粒子や繊維が混合されていてもよい。又は、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、クロロプレンゴム、スチレンゴム、エチレンプロピレンゴム等のうち、少なくとも一つを含む樹脂であってもよい。

バリアフィルム１０４は、バリアフィルム１４１と同様、無機化合物を含むフィルムであればよく、表示装置１００への水分などの侵入を防ぐことができる。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。

以上のような構造とすることで、表示装置１００が伸縮されても、伸縮前後の走査信号線１１０と第１中間配線２１０の容量値、および、伸縮前後の映像信号線１０９と第２中間配線２０９の容量値、を測定することで、その伸縮を容量変化で検出可能な表示装置を提供することができる。また、非伸縮領域にはゲート絶縁膜などの無機化合物、トランジスタなどが配置されることで、非伸縮領域は伸縮領域と比べて、変形しにくくできる。すなわち、トランジスタを保護することができる。一方、伸縮領域にはポリイミドなどが配置されることで、伸縮領域は非伸縮領域と比べて、伸縮しやすくできる。よって、伸縮したい領域を伸縮しやすく、かつ、保護したい領域を伸縮し難い構造が実現できる。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。

図７は、走査信号線１１０及び第１中間配線２１０に用いる配線の形状の例を示す。図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）は、伸縮性を有する配線形状の例を示す。映像信号線１０９及び第２中間配線２０９にも同様に用いられる。なお、配線形状は図７の形状に限定されない。図４においては、伸縮配線の形状が矩形（図７（Ａ））である例を示した。配線の形状は、矩形の角をとった形状（図７（Ｂ））、波状（図７（Ｃ））、半円をつなげたような形状（図７（Ｄ））であってもよい。配線形状は、いずれの配線形状も、直線状と比べて、伸縮性に優れた伸縮させた際に変形しやすい形状であるため、伸縮性を有する表示装置に用いる配線に適している。

図７（Ｅ）、図７（Ｆ）は伸縮性を有する部分２２０と非伸縮性を有する部分２２２を含む配線の形状の例を示す。伸縮性を有する部分２２０と非伸縮性を有する部分を含む配線２２２は、第２開口部２２１を介して電気的に接続される。なお、配線形状は図７の形状に限定されない。また、伸縮性を有する部分２２０と非伸縮性を有する部分を含む配線２２２の形状は、矩形（図７（Ｅ））、半円をつなげたような形状（図７（Ｆ））を示した。また、例えば、走査信号線１１０のみを示したが、第１中間配線２１０も同様の形状を有し、走査信号線１１０に重ねされてもよい。映像信号線１０９及び第２中間配線２０９も同様である。

走査信号線１１０、第１中間配線２１０、映像信号線１０９、第２中間配線２０９、ゲート電極１６７、ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、伸縮性を有する部分を有していてもよいし、全てが伸縮性を有していてもよい。走査信号線１１０、第１中間配線２１０、映像信号線１０９、第２中間配線２０９、ゲート電極１６７、ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、導電性の金属、あるいは、導電性の金属粉及び樹脂を含む導電性の材料を用いて形成される膜を有している。例えば、導電性の金属、あるいは、導電性の金属粉は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び、アルミニウム（Ａｌ）のうち、少なくとも一つを含む。また、樹脂は、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、クロロプレンゴム、スチレンゴム、エチレンプロピレンゴム等のうち、少なくとも一つを含む。伸縮性を有する導電性の膜は、塗布、又は、印刷によって形成される。

このように、走査信号線１１０、第１中間配線２１０、映像信号線１０９、第２中間配線２０９、ゲート電極１６７、ソース／ドレイン電極１６８及び１７０は、一部に伸縮性を持たせること、全てに伸縮性を持たせることができる。各配線が伸縮性を有する部分を有することで、伸縮性を有する部分は伸び縮みしやすく、柔軟性に優れ、伸縮性の部分以外の非伸縮性を有する部分は剛性に優れた表示装置を提供することができる。剛性を有する部分は、例えば、トランジスタなどの保護したい領域を配置すればよい。

（第４実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置、特に、伸縮性を有する表示装置において、第２実施形態とは別の構造を説明する。第１乃至第３実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。本実施形態で述べる表示装置の構造は、容量値を検出する二つの層の配線が、互いにＹ軸反転して重なって配置されている。

図８は、図１及び図３に示した表示装置１００が有する画素領域１０６の３行３列の模式的な平面図である。図８（Ａ）は、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態を示している。図８（Ｂ）は、表示装置１００の画素領域１０６がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、伸ばされている状態を示している。

図９は、図１及び図３に示した表示装置１００が有する画素領域１０６の３行３列の模式的な平面図である。図９（Ａ）は、図８（Ａ）と同じく、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態を示している。図９（Ｂ）は、表示装置１００の画素領域１０６がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、縮められている状態を示している。

第１中間配線２１０は、走査信号線１１０よりも上層に配置される。第１中間配線２１０の形状は、走査信号線１１０の形状と同じである。第１中間配線２１０と走査信号線１１０は、互いにＹ軸反転し、重ねられて配置される。

図８及び図９においては、第１中間配線２１０と走査信号線１１０について述べたが、第２中間配線２０９の形状は、映像信号線１０９も同様の構造としてもよい。すなわち、第２中間配線２０９を設け、第２中間配線２０９と映像信号線１０９は、互いにＹ軸反転し、重ねられて配置されてもよい。

図１０は、走査信号線１１０及び第１中間配線２１０に用いる伸縮配線の形状の例を示す。映像信号線１０９及び第２中間配線２０９にも同様に用いられる。なお、配線形状は図１０の形状に限定されない。図１０においては、伸縮配線の形状が半円をつなげたような形状（図１０（Ｃ））である例を示した。図１０（Ｄ）は図１０（Ｃ）が縮められた状態を示している。図１０（Ｄ）においては、走査信号線１１０と第１中間配線２１０の重なり面積（図の点線内）が、図１０（Ｃ）よりも大きくなっている。図１０（Ｅ）は図１０（Ｃ）が伸ばされた状態を示している。図１０（Ｄ）においては、走査信号線１１０と第１中間配線２１０の重なり面積（図の点線内）が、図１０（Ｃ）よりも小さくなっている。配線の形状は、矩形（図１０（Ａ））、矩形の角をとった形状（図１０（Ｂ））であってもよい。配線形状は、いずれの配線形状も、直線状と比べて、伸縮性に優れた伸縮させた際に変形しやすい形状であるため、伸縮性を有する表示装置に用いる配線に適している。

図１１は、図８及び図９に示した模式的な平面図の断面を示している。図１１（Ａ）は、図８（Ａ）に示した表示装置１００の画素領域１０６が標準状態のＡ１−Ａ２の模式的な断面を示している。図１１（Ｂ）は、図８（Ｂ）に示した表示装置１００の画素領域１０６が伸ばされた状態のＢ１−Ｂ２の模式的な断面を示している。図１１（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示した表示装置１００の画素領域１０６が縮められた状態のＣ１−Ｃ２の模式的な断面を示している。

表示装置１００が有する画素領域１０６は、図８乃至図１１に示すような構造にすることで、配線の抵抗値と容量値の積を一定に保つことができる。表示装置１００が有する画素領域１０６が伸ばされた状態（図８（Ｂ））では、画素領域１０６が標準状態（図８（Ａ））と比較して、走査信号線１１０の長さが長くなっており、抵抗値は大きくなり、走査信号線１１０と第１中間配線２１０の重なり面積は大きくなっており、走査信号線１１０と第１中間配線２１０と第１絶縁膜で形成される容量の容量値は小さくなるが、その抵抗値とその容量値の積が一定となるようにする。また、表示装置１００が有する画素領域１０６が縮められた状態（図９（Ｂ））では、画素領域１０６が標準状態（図９（Ａ））と比較して、走査信号線１１０の長さが短くなっており、走査信号線１１０の抵抗値は小さくなり、走査信号線１１０と第１中間配線２１０の重なり面積は小さくなっており、走査信号線１１０と第１中間配線２１０と第１絶縁膜で形成される容量の容量値は大きくなっているが、その抵抗値とその容量値の積が一定となるようにする。なお、インダクタンスを考慮してもよい。

表示装置１００は、以上のような構造にすることで、伸縮した際の配線の抵抗値と配線間の容量値のバランスを取ることができる。すなわち、表示装置１００が伸縮されても、配線抵抗値と配線間容量値の積を一定に保つことができる、あるいは、インピーダンスを一定に保つことができるので、表示装置１００が伸縮しても、表示装置の内部で信号が遅れたり、早くなったりすることを抑制することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置、特に、伸縮性を有する表示装置において、その伸縮を抵抗変化で検出可能な表示装置を説明する。第１乃至第４実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。

図１２は、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素領域１０６の模式的な平面図である。

画素領域１０６は、一方向及び一方向に交差する方向に沿って、複数の画素１０８が配置される。複数の画素１０８の配列数は任意である。例えば、Ｘ方向にｍ個、Ｙ方向にｎ個の画素１０８が配列される。ｍとｎはそれぞれ独立に、１よりも大きい自然数である。図１２では複数の画素１０８の配列が３行３列の例を示している。画素領域１０６において、複数の映像信号線１０９はＹ方向に並行に伸延され、複数の走査信号線１１０はＸ方向に並行に伸延される。各画素１０８には画素回路が設けられる。図１２においては、説明をわかりやすくするため、画素回路はトランジスタ１３４のみを示している。画素回路は複数のトランジスタ及び容量を含む。

複数の映像信号線１０９及び複数の走査信号線１１０は、伸縮性を有する材料を用いて形成された配線である。

図１２（Ａ）は、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態を示している。図１２（Ｂ）は、表示装置１００の画素領域１０６がＸ方向の上下、Ｙ方向の左右に、伸ばされている状態を示している。複数の映像信号線１０９及び複数の走査信号線１１０は、伸縮性を有する材料を用いて形成された配線であるから、配線が伸びて細くなっていることがわかる。

配線の伸縮の検出は、以下の手順で行う。表示装置１００の画素領域１０６が標準状態（図１２（Ａ））の走査信号線１１０の抵抗値を測定する。次に、表示装置１００の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１２（Ｂ））の走査信号線１１０の抵抗値を測定する。二つの抵抗値を比較する。続いて、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態（図１２（Ａ））の映像信号線１０９の抵抗値を測定する。次に、表示装置１００の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１２（Ｂ））の映像信号線１０９の抵抗値を測定する。二つの抵抗値を比較する。表示装置１００の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１２（Ｂ））の走査信号線１１０及び映像信号線１０９は幅が細く、長さが長くなっている。よって、表示装置１００の画素領域１０６が伸ばされた状態（図１２（Ｂ））の走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値は、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態（図１２（Ａ））の走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値よりも大きくなっている。こうして、Ｘ方向及びＹ方向の配線の伸縮を検出することができる。そして、表示装置の画素領域１０６は、Ｘ方向及びＹ方向に拡大されていることがわかる。

図１２においては、表示装置の画素領域１０６が伸ばされた状態の、配線の伸縮の検出を説明した。表示装置の画素領域１０６が縮められた状態の、配線の検出も同様である。表示装置１００の画素領域１０６が縮められた状態は、走査信号線１１０及び映像信号線１０９は幅が太く、長さが短くなっている。よって、表示装置１００の画素領域１０６が縮められた状態の走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値は、表示装置１００の画素領域１０６が標準状態（図１２（Ａ））の走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値よりも小さくなっている。こうして、配線の伸縮を検出することができる。そして、表示装置の画素領域１０６はＸ方向及びＹ方向に縮小されていることがわかる。

以上、表示装置の画素領域１０６が伸縮された状態の配線の伸縮の検出を説明した。なお、配線の伸縮の検出は、Ｘ方向は伸ばされ、Ｙ方向は縮められても、夫々の方向の、走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値を測定することで、表示装置の伸縮を検出することができる。また、配線の伸縮の検出は、Ｘ方向は縮められ、Ｙ方向は伸ばされても、夫々の方向の、走査信号線１１０及び映像信号線１０９の抵抗値を測定することで、表示装置の伸縮を検出することができる。

配線の抵抗値の測定は、二端子法でもよいし、四端子でもよい。例えば、二端子法について説明する。配線の抵抗値の測定は、測定すべき配線の二端子に電位差を与えることで、電流値を測定する。抵抗値は、電位差と測定された電流値から算出される。あるいは、測定すべき配線の二端子に電流を供給することで、電位差を測定する。抵抗値は、供給された電流値と測定された電位差から算出される。配線の抵抗値の測定においては、測定すべき配線に電気的に接続されたトランジスタが導通し、表示が変化する可能性がある。したがって、前記電位差は、トランジスタが変化しない電位差、具体的には、トランジスタの閾値電圧以下の電位差を与える。あるいは、前記電流は、トランジスタの閾値電圧以下の電圧が検出できるような電流値を与える。このようにして、配線の抵抗値を測定することができる。

配線の抵抗値の測定は、例えば、映像信号を書き込むフレームとフレームの間のブランク期間で行えばよい。あらかじめ、抵抗値を測定する走査信号線（ｎ−ｋ１）本目及び映像信号線（ｍ−ｋ２）本目を決めておき、各信号線は端子電極１１６まで引き延ばしておけばよい。その際、各信号線はスイッチにより走査信号線駆動回路１１８、映像信号線駆動回路１２０と切り離せるようにしておけばよい。なお、配線の抵抗値の測定は、上記フレーム期間の間でなくともよい。点順次走査の場合は、走査信号線（ｎ−ｋ１）本目と走査信号線（ｎ−ｋ１＋１）本目の間の水平帰線期間で行ってもよい。測定が可能であれば、いかような状態で行ってもよい。ｎ及びｍはそれぞれ独立に、２よりも大きい自然数である。また、ｋ１及びｋ２はそれぞれ独立に、１よりも大きい自然数である。さらに、ｎはｋ１よりも大きく、ｍはｋ２よりも大きい。

図１３は、画素領域１０６が有する画素１０８の模式的な断面図である。表示装置１００はＥＬ表示装置を例にしている。図１３の断面図は、図６に示した断面図において、第２絶縁膜２１２、第１中間配線２１０、第３絶縁膜２１３、第２中間配線２０９、第４絶縁膜２１４を配置しない構造である。

非伸縮領域は、下地膜１４０、ゲート絶縁膜１６４、層間膜１５２が配置される領域とする。伸縮領域は、画素領域１０６と非伸縮領域が重なる領域の外側とする。トランジスタ１３４は、非伸縮領域に含まれる。

図１４は、走査信号線１１０に用いる伸縮配線の形状の例を示す。映像信号線１０９にも同様に用いられる。なお、配線形状は図１４の形状に限定されない。図１２においては、伸縮配線の形状が直線状である例を示した。配線の形状は、矩形（図７（Ａ））、矩形の角をとった形状（図７（Ｂ））、波状（図７（Ｃ））、半円をつなげたような形状（図７（Ｄ））であってもよい。

以上のような表示装置とすることで、伸縮性を有する表示装置を提供することができる。伸縮性を有する表示装置は、表示領域を変形可能な機能を有することができる。伸縮性を有する表示装置は、表示領域が伸縮することを検出することができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００、２００・・・表示装置、１０２・・・フレキシブル基板、１０４、１４２・・・バリアフィルム、１０６・・・画素領域、１０８・・・画素、１０９・・・映像信号線、１１０・・・走査信号線、１１４・・・端子領域、１１６・・・接続端子、１１８・・・走査信号線駆動回路、１２０・・・映像信号線駆動回路、１２８・・・駆動電源線、１３４、２６４・・・トランジスタ、１４０・・・下地膜、１４１・・・バリアフィルム、１５２・・・層間膜、１６２・・・半導体層、１６４・・・ゲート絶縁膜、１６７・・・ゲート電極、１６８、１７０・・・ソース／ドレイン電極、１７８・・・隔壁、１８０・・・発光素子、１８１ａ、１８１ｂ・・・開口部、１８２・・・第１の電極、１８４、１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ・・・ＥＬ層、１８６・・・第２の電極、２０４・・・パッシベーション膜、２０９・・・第２中間配線、２１０・・・第１中間配線、２１１・・・第１絶縁膜、２１２・・・第２絶縁膜、２１３・・・第３絶縁膜、２１４・・・第４絶縁膜、２２０・・・非伸縮配線、２２１・・・第２開口部、２２２・・・伸縮配線、３００・・・画像処理装置、３１０・・・容量値又は抵抗値を測定する機器、３２０・・・ＡＤ変換回路、３３０・・・補正回路、３４０・・・メモリ、３５０・・・演算回路、３６０・・・ＤＡ変換回路

Claims (20)

1. フレキシブル基板と、
   一方向及び前記一方向と交差する方向に配列される複数の画素と、
   前記一方向に伸延する第１配線及び第２配線と、第１絶縁膜と
   を含み、
   前記第１配線と前記第２配線の間に前記第１絶縁膜を含み、
   前記第１配線及び前記第２配線は、伸縮性を有する部分を有し、
   前記第１絶縁膜は、伸縮性を有し、
   前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、前記第１配線と前記第２配線との間隔が変化すること、を特徴とする表示装置。
2. フレキシブル基板と、
   一方向及び前記一方向と交差する方向に配列される複数の画素と、
   前記一方向に交差する方向に伸延する第３配線及び第４配線と、第２絶縁膜と
   を含み、
   前記第３配線と前記第４配線の間に前記第２絶縁膜を含み、
   前記第３配線及び前記第４配線は、伸縮性を有する部分を有し、
   前記第２絶縁膜は、伸縮性を有し、
   前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、前記第３配線と前記第４配線との間隔が変化すること、を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１配線は前記第１絶縁膜に接し、
   前記第１絶縁膜は前記第２配線に接し、
   前記第２配線は前記第１配線に重なり、
   前記第１配線と前記第２配線とは前記第１絶縁膜を介して、第１容量を形成し、
   前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、第１容量の容量値が変化すること、を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第３配線は前記第２絶縁膜に接し、
   前記第２絶縁膜は前記第４配線に接し、
   前記第４配線は前記第３配線に重なり、
   前記第２配線と前記第４配線とは前記第２絶縁膜を介して、第２容量を形成し、
   前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、第２容量の容量値が変化すること、を特徴とする請求項２に記載の表示装置。
5. 前記複数の画素の各々はトランジスタを含むこと、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
6. 前記複数の画素は、伸縮領域及び非伸縮領域を含むこと、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
7. 前記第１配線の形状、前記第２配線の形状、前記第３配線の形状、及び、前記第４配線の形状は、直線状、蛇行状、矩形波状、波状の少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
8. 前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜とは、有機樹脂を含むこと、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
9. さらに、画像処理回路を含み、
   前記画像処理回路は、前記第１容量の容量値と、前記第２容量値の少なくとも一方を測定する回路と、
   前記測定した容量値をデジタルデータに変換するＡＤ変換回路と、
   前記デジタルデータに基づき、前記複数の画素に表示される画像を補正する補正回路と、
   前記複数の画素に表示される画像を補正するデータを格納するメモリと、を含むことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の表示装置。
10. 前記トランジスタは、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、
    を含み、
    前記フレキシブル基板と、前記半導体膜との間に配置される第３絶縁膜と、
    前記ゲート電極の上に配置される第４絶縁膜と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
11. 前記トランジスタは、前記非伸縮領域に含まれること、を特徴とする請求項５に記載の表示装置。
12. 前記第１配線は走査信号線であり、前記ゲート電極と電気的に接続され、
    前記第３配線は映像信号線であること、を特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
13. 前記ゲート絶縁膜と、前記第３絶縁膜及び前記第４絶縁膜は、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素のうち、少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
14. フレキシブル基板と、
    一方向及び前記一方向と交差する方向に配列される複数の画素と、
    前記一方向に伸延する第１配線と、
    前記一方向と交差する方向に伸延する第２配線と、
    第１絶縁膜と、
    を含み、
    前記複数の画素の各々はトランジスタを含み、
    前記トランジスタは、前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続され、
    前記第１配線及び前記第２配線は伸縮性を有する部分を有し、
    前記第１絶縁膜は伸縮性を有し、
    前記第１配線及び前記第２配線は前記第１絶縁膜に接し、
    前記フレキシブル基板が伸縮すると共に、前記第１配線の抵抗値と、前記第２配線の抵抗値の少なくとも一方が変化すること、を特徴とする表示装置。
15. 前記複数の画素は、伸縮領域及び非伸縮領域を含み、
    前記トランジスタは、非伸縮領域に含まれること、を特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記第１配線、及び、前記第２配線の形状は、直線状、蛇行状、矩形波状、波状の少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
17. 前記トランジスタは、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を含み、
    前記フレキシブル基板と、前記半導体膜との間に配置される第２絶縁膜と、
    前記ゲート電極の上に配置される第３絶縁膜と、を含むこと、
    を特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
18. 前記第１絶縁膜は、有機樹脂を含むこと、を特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
19. 前記第１配線は走査信号線であり、前記ゲート電極と電気的に接続され、
    前記第２配線は映像信号線であること、を特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
20. 前記ゲート絶縁膜と、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜は、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素のうち、少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
    
    
    

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