TWI471640B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI471640B
TWI471640B TW100148185A TW100148185A TWI471640B TW I471640 B TWI471640 B TW I471640B TW 100148185 A TW100148185 A TW 100148185A TW 100148185 A TW100148185 A TW 100148185A TW I471640 B TWI471640 B TW I471640B
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Kazuhiro Sasaki
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Casio Computer Co Ltd
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Description

顯示裝置 [相關申請案之參考]
本申請案根據2010年12月24日所提出的日本專利申請案第2010-288851號，主張其優先權，併入其全文以供參考。
本發明係有關具有觸控板機能的顯示裝置。
顯示裝置有內建觸控板機能者。該裝置中，第1基板(TFT基板)和第2基板(濾色基板)對向配置。在TFT基板上，複數個畫素電極係在第1方向(X方向)和第2方向(Y方向)以一定間隔形成。該等畫素電極形成矩形狀。在濾色基板形成有對向電極。在複數個畫素電極和對向電極之間封入液晶以形成液晶層。
圖15係表示該裝置的平面配置圖。複數個畫素電極1在X方向和Y方向分別以一定間隔作配置。在畫素電極1的端部連接有作為畫素用電晶體的薄膜電晶體(以下，亦稱為TFT)2。在X方向相鄰的各畫素電極1彼此間，配置有作為信號線的資料配線3。又，各畫素電極1在X方向中相鄰的3個之間當中的1個，配置有X座標檢知配線4。如圖15所示，各畫素電極1在X方向之間，係從圖面上的左側朝向右側方向，依序以1條資料配線3、在與其右鄰之間1條資料配線3、然後在與其右鄰之間1條X座標檢知配線4及1條資料配線3的順序作反覆配置。
另一方面，在Y方向相鄰的各畫素電極1之間，配置 有：TFT2、作為掃描線的閘極配線5、Y座標檢知配線7、及輔助電容配線6。TFT2為，閘極電極連接於閘極配線5、汲極電極連接於資料配線3、源極電極連接於畫素電極1。
在畫素電極1的Y方向之間、各畫素電極1在X方向之1條資料配線3和其右鄰的X座標檢知配線4之間、且在Y座標檢知配線7上，設有基座部8。圖16係表示基座部8之配置周邊部的平面配置圖。
又，在畫素電極1的Y方向之間、在X方向之1條資料配線3和其右鄰的X座標檢知配線4之間，且在Y座標檢知配線7上，設有成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10。圖17係表示成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10之配置周邊部的平面配置圖。
成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10當中，X座標檢知接點部9係在TFT基板和濾色基板上分別設置接點，透過該等接點導通而產生X座標信號。Y座標檢知接點部10亦同樣地在TFT基板和濾色基板上分別設置接點，透過該等接點導通而產生Y座標信號。基座部8為，將未承受來自外部的按壓時的成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10之各接點間隔設定成預設的間隔。
在觸控板的技術方面，例如日本特開2007-095044號公報所揭示。
然而，於具有觸控板機能的顯示裝置中，各畫素電極1在Y方向之間分別配置TFT2、閘極配線5、Y座標檢 知配線7及輔助電容配線6，於X方向中的1條資料配線3和其右鄰的X座標檢知配線4之間且是在Y座標檢知配線7上，配置基座部8或成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10。
關於有助於提升顯示裝置的顯示性能，例如顯示的亮度等之要因方面，可例舉增大如各畫素電極1的大小、亦即作為顯示裝置的開口率。
[先前技術文獻]
日本特開2007-095044號
然而，於上述顯示裝置中，在各畫素電極1的Y方向之間分別配置TFT2、閘極配線5、Y座標檢知配線7及輔助電容配線6，及配置發揮接觸機能之Y座標檢知配線7。在X方向中之1條資料配線3和其右鄰的X座標檢知配線4之間且於Y座標檢知配線7上，配置基座部8或成對的X座標檢知接點部9及Y座標檢知接點部10。因此，無法增大各畫素電極1的大小、亦即作為顯示裝置的開口率。
該發明之顯示裝置的態樣之一係具備如下之構成：分別配列在第1方向及不同於該第1方向的第2方向上之複數個畫素電極；和前述複數個畫素電極對向配置的對向電極；和前述複數個畫素電極分別連接的複數個畫素電晶體；順著前述第1方向配設的複數條Y座標檢知配線；順著前述第2方向配設的複數條X座標檢知配線； 供給掃描信號予前述複數個畫素電晶體之順著前述第1方向配設的複數條掃描線，順著前述第2方向配設的複數條信號線，供給顯示信號予前述複數個畫素電晶體；複數個Y座標檢知部，分別具有第1接點，且分別連接於前述複數條Y座標檢知配線，藉由承受來自外部的按壓使前述第1接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述Y座標檢知配線導通；及複數個X座標檢知部，分別具有第2接點，且分別連接於前述複數條X座標檢知配線，承受來自前述外部的按壓使前述第2接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述X座標檢知配線導通，前述X座標檢知配線，係配置在前述複數個畫素電極當中的連續配列於前述第1方向的第1畫素電極、第2畫素電極、第3畫素電極及第4畫素電極中的前述第2畫素電極和前述第3畫素電極之間，前述信號線，係在前述第1畫素電極和前述第2畫素電極之間及前述第3畫素電極和前述第4畫素電極之間當中任一方之間配設2條，於前述第2畫素電極和前述第3畫素電極上，前述畫素電晶體係夾著前述X座標檢知配線而配置在偏離前述X座標檢知配線之側而各自連接，前述掃描線係具有配置在前述畫素電極和前述Y座標檢知配線之間且在前述Y座標檢知配線側具有自前述掃描線突出的突出部， 前述畫素電晶體的前述突出部係成為閘極電極，前述複數個Y座標檢知部及前述複數個X座標檢知部，係以1個前述Y座標檢知部和1個前述X座標檢知部成對分別配置，複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係以與前述Y座標檢知配線和前述X座標檢知配線之交叉部分對應地分別配置，連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極在前述第1方向之間隔，係比前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部在前述第1方向之長度還長，前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係配置在連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極之間。
該發明之顯示裝置的態樣之一係具備如下之構成：分別配列在第1方向及不同於該第1方向的第2方向上的複數個畫素電極；和前述複數個畫素電極對向配置的對向電極；和前述複數個畫素電極分別連接的複數個畫素電晶體；順著前述第1方向配設的複數條Y座標檢知配線；順著前述第2方向配設的複數條X座標檢知配線；順著前述第1方向配設的複數條掃描線，供給掃描 信號予前述複數個畫素電晶體；順著前述第2方向配設的複數條信號線，供給顯示信號予前述複數個畫素電晶體；複數個Y座標檢知部，分別具有第1接點，且分別連接於前述複數條Y座標檢知配線，藉由承受來自外部的按壓使前述第1接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述Y座標檢知配線導通；複數個X座標檢知部，分別具有第2接點，且分別連接於前述複數條X座標檢知配線，承受來自前述外部的前述按壓使前述第2接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述X座標檢知配線導通；及複數個基座部，該複數個基座部具有將前述複數個Y座標檢知部和前述對向電極之間隔及前述複數個X座標檢知部和前述對向電極之間隔分別保持的間隔件，且將未承受前述按壓時的前述第1接點及前述第2接點和前述對向電極之間隔設定成預設的接點間隔，前述X座標檢知配線，係配置在前述複數個畫素電極當中的連續配列於前述第1方向的第1畫素電極、第2畫素電極、第3畫素電極及第4畫素電極中的前述第2畫素電極和前述第3畫素電極之間，前述信號線，係在前述第1畫素電極和前述第2畫素電極之間及前述第3畫素電極和前述第4畫素電極之間當中任一方之間配設2條，而在另一方之間配設1條，於前述第2畫素電極和前述第3畫素電極上，前述 畫素電晶體係夾著前述X座標檢知配線而配置在偏離前述X座標檢知配線之側而各自連接，前述掃描線係具有配置在前述畫素電極和前述Y座標檢知配線之間且在前述Y座標檢知配線側具有自前述掃描線突出的突出部，前述畫素電晶體的前述突出部係成為閘極電極，前述複數個Y座標檢知部及前述複數個X座標檢知部，係以1個前述Y座標檢知部和1個前述X座標檢知部成對分別配置，複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係以與前述Y座標檢知配線和前述X座標檢知配線之交叉部分對應地分別配置，連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極在前述第1方向之間隔，係比前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部在前述第1方向之長度還長，前述基座部，或，前述成對的Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係配置在連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的閘極電極之間。
本發明附加的實施例及優點將於以下說明中闡明，且部分優點將由以下說明中顯然得知、或將透過本發明之實施習得。本發明附加的實施例及優點可由以下特別 指出之手段及組合實現並獲得。
以下，插入且構成本說明書之一部分的附圖係圖解本發明之實施例，且連同以上一般說明與以下實施例詳細說明，用以闡明本發明之要素。
[第1實施形態]
以下，茲參照圖面說明本發明第1實施形態。此外，和圖15相同部分賦予同一符號並省略該詳細說明。
圖1係表示具有觸控板機能的顯示裝置之構成圖。在本裝置100，設置有相互地對向配置的第1基板(TFT基板)和第2基板(濾色基板)。在TFT基板上設有複數個畫素電極1。該等畫素電極1形成矩形狀。該等畫素電極1係在X方向(亦稱為橫方向)和Y方向(亦稱為縱方向)分別按每一定間隔各配置複數個。例如，圖1中，將配置在Y方向的最上側之X方向的各畫素電極1的列設為橫向第1列，將配置在該橫向第1列的下側之X方向的各畫素電極1的列設為橫向第2列，依序朝下方設為橫向第3列、橫向第4列。
又，圖1中，將配置在X方向的最左側之Y方向的各畫素電極1的行設為縱向第1行，將配置在該縱向第1行的右側之Y方向的各畫素電極1的行設為縱向第2行，以下依序朝右側設為縱向第3行、縱向第4行。
在第2基板上，隔著濾色器層設有對向電極20。畫素電極1和對向電極20係對向配置。在畫素電極1和對向電極20之間封入液晶以形成液晶層Q。此外，不限於液晶，亦可為帶電的電泳粒子。又，對向電極20在圖面上 係配置於畫素電極1之上方。
如圖1所示，在畫素電極1連接有作為畫素用電晶體的薄膜電晶體(TFT)2。該等TFT2分別為：閘極電極連接於閘極配線5、汲極電極連接於資料配線3、源極電極連接於畫素電極1。在圖面上，從對向電極20側觀察畫素電極1，TFT2的源極電極係在畫素電極1中的Y方向之下端邊且連接於該下端邊中之X方向的左側或右側之任一方。
具體而言，複數個畫素電極1在X方向彼此間，如同後述，配置有1條或2條資料配線3。依此，TFT2的源極電極係連接於配置資料配線3之側的畫素電極1中的下端邊的左側或右側之任一方。TFT2係連接於配置資料配線3之側的畫素電極1的下端邊，因此TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的左側或右側之任一方。
例如，在圖1的圖面上，在橫向第1列中，相對於配置在最左側的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接於該畫素電極1中的下端邊的左側。依此，TFT2本身係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。在該橫向第1列中，相對於上述畫素電極1之右側鄰接的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接於該畫素電極1中的下端邊的右側。依此，該TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的右側。相對於再右側鄰接的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接在該畫素電極1中的下端邊的左側。依此，該TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的左側。
以下，和上述同樣地反覆如下之配置，相對於右側 鄰接的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接於該畫素電極1中的下端邊的左側，該TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的左側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接於該畫素電極1中的下端邊的右側，該TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的右側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2的源極電極係連接於該畫素電極1中的下端邊的左側，該TFT2本身係配置在畫素電極1中的下端邊的左側。
另一方面，複數個畫素電極1在Y方向彼此間，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26與基座部27交互地配置。該等成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27，係配置在配有X座標檢知配線4的縱向行上的各畫素電極1之間。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26係相互地鄰接地配置。
例如，在圖1中，在橫向第1列和橫向第2列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第1行和縱向第2行的各畫素電極1之間，配置有基座部27。該基座部27在圖中係配置在左斜上方。
在橫向第2列和橫向第3列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第1行和縱向第2行的各畫素電極1之間，配置成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26。
在橫向第3列和橫向第4列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第1行和縱向第2行的各畫素電極1之間，再配置基座部27。
以下，在橫方向的各列上的畫素電極1各自間的X座標檢知配線4上部，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26交互地反覆配置。
又，在橫向第1列和橫向第2列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第4行和縱向第5行的各畫素電極1之間，配置成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26。
在橫向第2列和橫向第3列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第4行和縱向第5行的各畫素電極1之間，配置基座部27。
在橫向第3列和橫向第4列的各畫素電極1之間，且X座標檢知配線4上部的縱向第4行和縱向第5行的各畫素電極1之間，再配置成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26。
以下，在橫方向之各列上的各畫素電極1各自間的X座標檢知配線4上部，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26係交互地反覆配置。
在本裝置100設有：資料驅動器(資料驅動電路)21、掃描驅動器(掃描驅動電路)22、X座標檢測部23、及Y座標檢測部24。
資料驅動器21為，連接作為信號線的複數條資料配線3，供給畫像信號予資料配線3。資料配線3係連接於TFT2的汲極電極。
掃描驅動器22連接有複數條閘極配線5，且一邊以預設的掃描時序在Y方向掃描，一邊將掃描信號送至閘 極配線5。該掃描信號使各TFT2依序導通動作。閘極配線5係連接於TFT2的閘極電極。
從掃描驅動器22輸出的掃描信號和從資料驅動器21輸出的畫像信號之時序，係在掃描驅動器22對各閘極配線5依序輸出掃描信號時，按對各閘極配線5輸出掃描信號的期間，從資料驅動器21向全部的資料配線3同時地輸出畫像信號。依此，複數個TFT2中之掃描信號是藉閘極配線5供予閘極電極，且畫像信號是藉資料配線3供予汲極電極之TFT2的汲極電極和源極電極導通，對應於畫像信號的電壓被寫入於和該導通的源極電極連接的畫素電極1。然後在畫素電極1和對向電極20之間產生電壓差以驅動該液晶層Q。
X座標檢測部23連接有複數條X座標檢知配線4。在X座標檢知配線4上部設有複數個X座標檢知部25。X座標檢知部25具有接點，透過承受來自外部的按壓使該接點和對向電極20接觸，使得該對向電極20和X座標檢知配線4導通。依此，X座標檢測部23，係經由X座標檢知配線4輸入例如因操作者之接觸而從外部承受按壓的部分之X座標檢知部25導通時所產生的X座標信號，從該X座標檢知配線4的配置位置檢測接觸部分的X座標。
Y座標檢測部24係連接有複數條Y座標檢知配線7。在Y座標檢知配線7上設有複數個Y座標檢知部26。Y座標檢知部26具有接點，透過承受來自上述外部的按壓使該接點和對向電極20接觸，使得該對向電極20和Y座標檢知配線7。依此，Y座標檢測知部24為，經由Y座標檢 知配線7輸入在承受上述按壓的部分之Y座標檢知部26導通時所產生的Y座標信號，從該Y座標檢知配線7的配置位置檢測接觸部分的Y座標。
基座部27為，未承受上述按壓時的X座標檢知部25的接點和對向電極20之間隔及Y座標檢知部26的接點和對向電極20之間隔設定成預設的接點間隔。該基座部27設在Y座標檢知配線7上。
此外，在Y方向中相鄰的畫素電極1彼此之間配置有輔助電容配線6。利用畫素電極1和輔助電容配線6形成輔助電容28，輔助電容配線6係連接各輔助電容28。
於上述構成中，複數個畫素電極1在橫方向彼此間，係從圖面上的左側朝向右側的方向，依序以1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3的方式反覆配置。此外，1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3的反覆配置之順序並不限於以1條資料配線3為開始基準，亦可以X座標檢知配線4或2條資料配線3作為開始基準。例如若以X座標檢知配線4作為開始基準，則成為X座標檢知配線4、2條資料配線3及1條資料配線3反覆配置。
如此，透過以1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3的順序配置，按1條資料配線3和2條資料配線3之配置位置，各TFT2在橫方向的配置位置係成為配置在相對於畫素電極1的右側或左側。例如，在圖1的圖面上，於橫向第1列中，相對於配置在最左側的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。 相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的右側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。
以下，同樣地反覆如下之配置，相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在畫素電極1中的下端邊的左側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在畫素電極1中的下端邊的右側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係連接於該畫素電極1中的下端邊的左側。
藉由各TFT2這樣的配置，配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係形成比圖15所示之各TFT2的橫方向之間隔還寬。亦即，相對於配置在X座標檢知配線4左右兩側之各畫素電極1，各TFT2係配置在偏離X座標檢知配線4之側的畫素電極1之下端邊，例如相對於X座標檢知配線4的左側之畫素電極1配置在其下端邊的左側，相對於X座標檢知配線4的右側之畫素電極1配置在其下端邊的右側。
基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係分別配置在X座標檢知配線4上部。基座部27係以X座標檢知配線4可於橫方向通過該基座部27的中心部之方式配置。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26係並設於橫方向，且以X座標檢知配線4可通過該等X座標檢知部25和Y座標檢知部26之間的方式配置。
配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方 向之間隔，係比基座部27之橫方向的長度、並設之成對的X座標檢知部25和Y座標檢知部26之橫方向的長度還長。因此，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係可分別不在縱方向上和TFT2一起配列，而配置在橫方向的各TFT2之間。藉由將基座部27與成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26分別配置在橫方向上的各TFT2之間，可將各畫素電極1的縱方向之間隔縮成比圖15所示之習知的各畫素電極1的縱方向之間隔還窄。
此外，本裝置100中的顯示區域之右端的畫素電極1右側及同一顯示區域之左端的畫素電極1的左側亦設為包含在畫素電極1的X方向之間。
成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係夾著X座標檢知配線4而配置在橫方向。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係配置在承受上述按壓時在對向電極20產生的彎曲量會最大的複數個部位。亦即，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26為，在X座標檢知配線4和Y座標檢知配線7之交叉部分的上部且橫方向，按每6個畫素電極1作配置。
基座部27為，在除了配置有成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26以外的X座標檢知配線4和Y座標檢知配線7之交叉部分的上部且於橫方向，按每6個畫素電極1作配置。
依此，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係分別配置在對向電極20產生的彎曲量會最大，即各基 座部27之配置位置的中央部。例如，圖1中存在3個基座部27。此外，除了該3個基座部27以外，還存在第4個基座部27，以該等基座部27的配置位置作為各角隅而形成正四邊形。實際上，基座部27亦於圖1中未圖示的部位上存在複數個。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係配置在以4個基座部27的配置位置作為各角隅的正四邊形的中央部。
圖2係表示本顯示裝置100之具體的部分平面構成圖。複數個畫素電極1在橫方向彼此間，如同上述，從圖面上的左側朝右側的方向，依序反覆配置1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3。藉由這樣的配置，各TFT2在橫方向中之配置位置為，配置在相對於畫素電極1的右側或左側。例如，於圖2的圖面上，在橫向第1列中，相對於配置在最左側的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的右側。相對於再下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。以下，TFT2係配置成和上述圖1所示之配置相同。
藉由各TFT2這樣的配置，相對於配置在X座標檢知配線4左右兩側的各畫素電極1，各TFT2係配置在偏離X座標檢知配線4之側的畫素電極1之下端邊，例如相對於X座標檢知配線4的左側之畫素電極1是配置在其下端邊的左側，相對於X座標檢知配線4的右側之畫素電極1是配置在其下端邊的右側。依此，配置於X座標檢知配線4 左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係形成比圖15所示之各TFT2的橫方向之間隔還寬。
基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係分別配置在X座標檢知配線4上。基座部27係以X座標檢知配線4可於橫方向通過該基座部27的中心部之方式作配置。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26係並設於橫方向，且以X座標檢知配線4可通過該等X座標檢知部25和Y座標檢知部26之間的方式作配置。
配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係形成比基座部27之橫方向的長度及並設之成對的X座標檢知部25和Y座標檢知部26之橫方向的長度還長。因此，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係分別可不在縱方向上和TFT2一起配列，而配置在橫方向的各TFT2之間。藉由將基座部27與成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26分別配置在橫方向上的各TFT2之間，使得各畫素電極1的縱方向之間隔變得比圖15所示之習知的各畫素電極1的縱方向之間隔還窄。
成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係夾著X座標檢知配線4而配置在橫方向。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係配置在承受上述按壓時對向電極20產生彎曲量會最大的部位。
亦即，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26為，在X座標檢知配線4和Y座標檢知配線7之交叉部分的上部且於橫方向按每6個畫素電極1作配置。
基座部27為，在除了配置有成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26以外的X座標檢知配線4和Y座標檢知配線7之交叉部分的上部、且於橫方向按每6個畫素電極1作配置。
又，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27在縱方向的畫素電極1的配置中，係按每1行在橫方向各錯開3個畫素電極1地作配置。藉由該配置，在X座標檢知配線4的縱方向上，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26與基座部27交互地配置，於下個配置在右側之X座標檢知配線4的縱方向上，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26交互地配置。亦即，在橫方向，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27亦按每3個畫素電極1作交互地配置。
藉由這樣的配置，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係分別配置於對向電極20產生彎曲量最大，即各基座部27之配置位置的中央部。例如，圖2中成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係配置在以4個基座部27的配置位置作為各角隅的正四邊形W的中央部。
圖3係表示基座部27之周邊部的平面構成圖。複數個畫素電極1在橫方向彼此間，係從圖面上的左側朝向右側的方向，依序反覆配置1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3。資料配線3係同上所述配線於Y方向，且在與閘極配線5交叉處朝和該閘極配線5相同方向(Y方向)延伸配置。該延伸的資料配線(資料配線延伸部)3a係連接於TFT2的汲極電極。
各TFT2在橫方向中之配置位置，係配置在相對於畫素電極1的右側或左側。例如，於圖3的圖面上，在配置於最左側的畫素電極1和其右側鄰接的畫素電極1之間，配置有X座標檢知配線4。相對於這樣配置於最左側的畫素電極1，TFT2係配置於該畫素電極1中的下端邊的左側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的右側。依此，配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係形成比圖16所示之各TFT2的橫方向之間隔更寬。
配置於該X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係比基座部27之橫方向的長度還長。因此，基座部27係可不在縱方向上和TFT2一起配列，而配置於橫方向的各TFT2之間，可將各畫素電極1的縱方向之間隔縮成比圖16所示之習知的各畫素電極1的縱方向之間隔還窄。
圖4係表示圖3所示之基座部27的A-A剖面圖。TFT基板形成有TFT2。該TFT2係積層由例如鋁、鉻或鉬構成的閘極膜、由例如矽氮化膜構成的閘極絕緣膜100a、由例如本徵非晶質矽構成的本徵矽膜、由例如矽氮化膜構成的通道保護膜、例如由n+ 非晶質矽構成的n+ 矽膜、由例如鋁、鉻或鉬構成的源極‧汲極膜、及由例如矽氮化膜構成的頂塗絕緣膜100b所形成。
另一方面，在濾色基板設有濾色器103、黑色矩陣104、及複數個接點用突起部105。該等接點用突起105係分別與X座標檢知部25、Y座標檢知部26及基座部27 的各部分對峙地設置。該等接點用突起部105，濾色器103及黑色矩陣104上設有對向電極20。
基座部27為，在頂塗絕緣膜100b上使用和畫素電極1相同材料，例如使用ITO形成電極108，接著例如配置形成由矽氮化膜構成的絕緣體之高度調整部11a。接點用突起部105係達成柱狀間隔件的作用並接觸於高度調整部11a。依此，未承受來自外部的按壓時的X座標檢知部25和Y座標檢知部26之各接點間隔，係設定成和預設的相同之接點間隔。
圖5係表示成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26之周邊部的平面構成圖。和上述同樣地，複數個畫素電極1在橫方向彼此之間，係從圖面上的左側朝向右側的方向，依序反覆配置1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26為，在X座標檢知配線4和Y座標檢知配線7之交叉部分的上部，且於Y方向按每2個畫素電極1作配置。
各TFT2在橫方向的配置位置為，配置在相對於畫素電極1的右側或左側。例如，於圖5的圖面上，在配置於最左側的畫素電極1和其右側鄰接的畫素電極1之間，配置有X座標檢知配線4。相對於這樣配置於最左側的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的左側。相對於下個右側鄰接的畫素電極1，TFT2係配置在該畫素電極1中的下端邊的右側。依此，配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係形成比圖17所示之各TFT2的橫方向之間隔還寬廣。
配置於該X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，係比成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26之橫方向的長度還長。因此，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26係可不在縱方向上和TFT2一起配列，而配置在橫方向的各TFT2之間，可將各畫素電極1的縱方向之間隔縮成比圖17所示之習知的各畫素電極1的縱方向之間隔還窄。
圖6係表示圖5所示之成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26的B-B箭頭方向剖面圖。此處，圖5中的B-B線係將IVC-IVC線和IVD-IVD線繫接的線。X座標檢知部25係在頂塗絕緣膜100b上使用和畫素電極相同材料，例如使用ITO形成X座標檢知接點電極107。該X座標檢知接點電極107係連接於積層構造102中的X座標檢知配線4。依此，X座標檢知部25係在當承受來自外部的按壓而對向電極20和X座標檢知接點電極107導通時，於X座標檢知配線4生成X座標信號。
Y座標檢知部26係在頂塗絕緣膜100b上使用和畫素電極相同材料，例如使用ITO形成Y座標檢知接點電極106。該Y座標檢知接點電極106連接於積層構造102中的Y座標檢知配線7。依此，Y座標檢知部26係在當承受來自外部的按壓而對向電極20和Y座標檢知接點電極106導通時，於Y座標檢知配線7生成Y座標信號。
其次，參照圖7A至圖11D針對第1基板(TFT基板)上的TFT2、基座部27、X座標檢知部25、Y座標檢知部26之共通的作成步驟作詳細說明。
此外，圖7A、圖8A、圖9A、圖10A及圖11A各圖，係分別表示在圖3所示之IVA-IVA部分中依序形成TFT2的形態之剖面圖。
圖7B、圖8B、圖9B、圖10B及圖11B各圖，係分別表示在圖3所示之A-A(IVB-IVB)部分作成TFT2的同時所依序形成之基座部27的形態之剖面圖。
圖7C、圖8C、圖9C、圖10C及圖11C各圖，係分別表示在圖5所示之IVC-IVC部分作成TFT2的同時所依序形成之X座標檢知部25的形態之剖面圖。
圖7D、圖8D、圖9D、圖10D及圖11D各圖，係分別表示在圖5所示之IVD-IVD部分作成TFT2的同時所依序形成之Y座標檢知部26的形態之剖面圖。
最初，如圖7A至圖7D所示，在與TFT2、基座部27、X座標檢知部25及Y座標檢知部26相對應的各部分，於第1基板(TFT基板)上利用光微影術，例如使用由鋁、鉻或鉬構成的閘極膜以形成閘極配線5及順著閘極配線5延伸的Y座標檢知配線7。而且，閘極配線5中對應於TFT2的部分係提供TFT2用的閘極電極5c。又，Y座標檢知配線7中對應於Y座標檢知部26的部分係提供該Y座標檢知部26用的連接部分7b。
其次，如圖8A至圖8D所示，在與TFT2、基座部27、X座標檢知部25、Y座標檢知部26相對應的各部分，於第1基板(TFT基板)上例如使用了矽氮化膜(SiNx)的透明閘極絕緣膜100是以覆蓋閘極配線5及Y座標檢知配線7的方式形成。
其次，例如由本徵非晶質矽構成的a-Si層52及例如由n+ 非晶質矽構成的n+ a-Si層54，係部分地中間隔有例如使用了SiNx的通道保護膜56而積層。
其次，以覆蓋n+ a-Si層54的方式，形成例如由鋁、鉻或鉬構成的源極‧汲極膜58。源極‧汲極膜58係提供TFT2附近的資料配線3及X座標檢知部25附近的X座標檢知配線4。而且，X座標檢知配線4中對應於X座標檢知部25的部分係提供該X座標檢知部25用的連接部分25b。
n+ a-Si層54及源極‧汲極膜58係如圖8A中所示，藉由接近於畫素電極1之側和自畫素電極1遠離之側而一分為二。
a-Si層52、通道保護膜56以及如此一分為二的n+ a-Si層54的積層之組合，係提供TFT2的歐姆層24d。又，如此一分為二的源極‧汲極膜58為，接近於畫素電極1之側係提供TFT2的源極電極24a，且自畫素電極1遠離之側係提供在TFT2中自資料配線3延伸的汲極電極24b。
其次，如圖9A至圖9D所示，在與TFT2、基座部27、X座標檢知部25、Y座標檢知部26相對應的各部分，以覆蓋源極‧汲極膜58的方式形成例如使用有矽氮化膜(SiNx)之透明的頂塗絕緣膜101。
此處，如圖9A中所圖示，於頂塗絕緣膜101中TFT2的對應部分，在與源極‧汲極膜58的源極電極24a對應的位置，形成有用以使源極電極24a露出的接觸孔101a。
又，如圖9C中所示，在頂塗絕緣膜101中與X座標檢知配線4之X座標檢知部25用的連接部分25b對應的部 分，形成有用以使該連接部分25b露出的接觸孔101b。
再者，如圖9D中所圖示，在頂塗絕緣膜101中與Y座標檢知配線7之Y座標檢知部26用的連接部分26b對應的部分，形成有用以使該連接部分26b露出的接觸孔101c。接觸孔101c亦貫通於存在於頂塗絕緣膜101和Y座標檢知部26用的連接部分26b之間的閘極絕緣膜100。
於該階段，在如圖9A中所圖示之TFT2的對應部分中，利用閘極配線5的閘極電極5c、重疊於閘極電極5c上的閘極絕緣膜100的部分、重疊於閘極絕緣膜100之前述部分的a-Si層52、通道保護膜56及含有被一分為二的n+ a-Si膜54之半導體用的歐姆層24d、歐姆層24d之被一分為二的n+ a-Si膜54上的源極電極24a及汲極電極24b、以及覆蓋源極電極24a及汲極電極24b的頂塗絕緣膜101，係提供TFT2。
其次，如圖10A至圖10D所示，在與TFT2、基座部27、X座標檢知部25、Y座標檢知部26、基座部27相對應的各部分，以覆蓋頂塗絕緣膜101的方式，形成例如由ITO構成的透明導電膜62。
透明導電膜62係如圖10A中所示，亦形成於用以使源極電極24a露出的接觸孔101a中並和源極電極24a電性連接。透明導電膜62係如圖10C中所示，亦形成在用以使X座標檢知部25用的連接部分25b露出的接觸孔101b中並和該連接部分25b電性連接。透明導電膜62更如圖10D中所示，亦形成在用以使Y座標檢知部26用的連接部分26b露出的接觸孔101c中並和該連接部分26b電性連接。
在形成透明導電膜62的時間點，如圖10A至圖10D中所示，由於TFT2之斷面的一部分、基座部27之斷面的一部分、X座標檢知部25之斷面的一部分及Y座標檢知部26之斷面的一部分係分別藉由形成TFT2的前述作成方法而共通地同時形成於第1基板(TFT基板)上，所以自第1基板(TFT基板)上起算的高度係彼此相同。
其次，在顯示基座部27的斷面之一部分的圖10B中，於透明導電膜62之上，再利用使用了規定高度之例如矽氮化膜(SiNx)的透明基座部絕緣膜而形成高度調整部27a，其頂點提供基座部27的突出端面(前端)27b。
最後，如圖11A中所示，以TFT2的對應部分而言，透明導電膜62除了與源極電極24a電性連接的接觸孔101a中之部分及提供鄰接於TFT2的畫素電極1之部分以外的部分是被削除的。
又，如圖11B中所示，以基座部27的對應部分而言，最後，透明導電膜62除了被高度調整部27a覆蓋的部分108以外的部分是被削除的。
又，最後如圖11C中所示，透明導電膜62在X座標檢知部25的對應部分及X座標檢知配線4的連接部分4b中，除了提供X座標檢知接點電極106之X座標檢知部25的對應部分、及使該X座標檢知部25電性連接於X座標檢知配線4的連接部分4b之接觸孔101b中的部分以外的部分是被削除的。
接著，最後如圖11D中所示，透明導電膜62在Y座標檢知部26的對應部分及Y座標檢知配線7的連接部分7b 中，除了提供Y座標檢知接點電極107之Y座標檢知部26的對應部分、及使該Y座標檢知部26電性連接於Y座標檢知配線7的連接部分7b之接觸孔101c中的部分以外的部分是被削除的。
經比對圖11A至圖11D所示之與TFT2、基座部27、X座標檢知部25、Y座標檢知部26對應的各部分後可知，從第1基板(TFT基板)迄至圖11C所示之X座標檢知部25的突出端面(前端)為止的高度及迄至圖11D所示之Y座標檢知部26的突出端面(前端)為止的高度相互之間係相同的。
從第1基板(TFT基板)迄至圖11A所示之TFT2的突出端面(前端)為止的高度，與迄至圖11C所示之前述X座標檢知部25的突出端面(前端)為止的高度及迄至圖11D所示之Y座標檢知部26的突出端面(前端)為止的高度相較下，僅低了最後從TFT2的突出端面(前端)除去的透明導電膜62之厚度份量。
再者，從第1基板(TFT基板)迄至基座部27的突出端面(前端)27b為止的高度，與迄至圖11C所示之前述X座標檢知部25的突出端面(前端)為止的高度及迄至圖11D所示之Y座標檢知部26的突出端面(前端)為止的高度，僅高出了最後形成於透明導電膜62之上的高度調整部27a的突出端面(前端)27b為止的高度份量。
如此，依據上述第1實施形態，在橫方向(X方向)之複數個畫素電極1彼此之間，係例如反覆配置1條資料配線3、X座標檢知配線4及2條資料配線3，所以藉由該等1 條資料配線3和2條資料配線3之配置位置，使得各TFT2相對於畫素電極1在橫方向的配置位置成為配置在相對於該畫素電極1的右側或左側。藉由各TFT2這樣的配置，可將配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，形成為比圖15所示之習知的各TFT2的橫方向之間隔還寬。配置於該X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，可形成比基座部27之橫方向的長度或並設之成對的X座標檢知部25和Y座標檢知部26之橫方向的長度還長。因此，基座部27和成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26分別可在橫方向的各TFT2之間緊密地配置。該結果為，各畫素電極1的縱方向之間隔，可縮成比圖15所示之習知的各畫素電極1的縱方向之間隔還窄。
亦即，在縱方向(Y方向)，TFT2、成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26、及基座部27係緊密地配列於Y方向，可縮小該縱方向(Y方向)的各畫素電極1之間隔。該結果為，相當於縮小各畫素電極1之間隔的長度之份量可加大作為本裝置100的開口率，可提升本裝置100的顯示性能，例如顯示的亮度等之畫質。
經比較本裝置100和習知裝置後，如圖12所示，本裝置100的畫素電極1間的Y方向之間隔La係形成比習知裝置的畫素電極1間之間隔Lb還狹窄(La<Lb)。因此，本裝置100的各畫素電極1的Y方向之長度可形成比習知裝置的各畫素電極1的Y方向之長度還長。依此，本裝置100的各畫素電極1之面積Sa可形成比習知裝置的各畫素 電極1之面積Sb還寬(Sa>Sb)。
本裝置100的各畫素電極1的X方向之長度雖與習知裝置的各畫素電極1同方向之長度相同，但各畫素電極1的Y方向之長度，則是本裝置100的Y方向之長度比起習知裝置的來得長。因此，本裝置100的各畫素電極1之面積Sa比起習知裝置的各畫素電極1之面積Sb來得寬大。
例如，圖2中成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26，係配置在以4個基座部27的配置位置作為各角隅的正四邊形W的中央部。成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26之配置位置係在承受依接觸操作所致來自外部的按壓時對向電極20產生彎曲量會最大的部位。亦即，在正四邊形W內對向電極20最容易彎曲處，透過接觸操作之稍微按壓，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26分別可生成XY座標信號。亦即，可提高承受接觸操作之X座標及Y座標檢知之感度。
[第2實施形態]
其次，茲參照圖面說明本發明第2實施形態。此外，和圖2相同部分賦予同一符號並省略該詳細說明。
圖13係表示具有觸控板機能的顯示裝置之構成圖。本裝置100為，在X方向之各畫素電極1之間，從圖面上的左側朝向右側方向，係依序以2條資料配線3、和其右鄰之間有X座標檢知配線4，然後再和其右鄰之間有1條資料配線3的順序反覆配置。
若為這樣的2條資料配線3、X座標檢知配線4、1條 資料配線3的配置順序，則與上述第1實施形態同樣，可將配置於X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔，形成比圖15所示之習知的各TFT2的橫方向之間隔還寬，在該等TFT2的橫方向之間內，可將成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27緊密地配列於Y方向，可縮小Y方向的各畫素電極1之間隔。
該結果為，相當於縮小各畫素電極1之間隔的長度之份量可加大作為本裝置100的開口率，可提升本裝置100的顯示性能，例如顯示的亮度等之畫質等，可獲得和上述第1實施形態同樣的效果。
[第3實施形態]
其次，茲參照圖面說明本發明第3實施形態。此外，和圖2相同部分賦予同一符號並省略該詳細說明。
圖14係表示具有觸控板機能的顯示裝置之構成圖。本裝置100為，在X方向之各畫素電極1之間，從圖面上的左側朝向右側方向，係依序以1條資料配線3、在與其右鄰之間有X座標檢知配線4、然後再與其右鄰之間有2條資料配線3的順序作反覆配置。
又，本裝置100為，將成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26配置於配線在Y方向的1條X座標檢知配線4上部。同時，本裝置100為，將基座部27配置在配線於Y方向的1條X座標檢知配線4上部。而且，成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27，係按配置在X方向的每3個畫素電極1作交互地配置。
若為這樣的構成，則與上述第1實施形態同樣，可 將配置在X座標檢知配線4左右兩側之各TFT2的橫方向之間隔形成比圖15所示之習知的各TFT2的橫方向之間隔還寬，在該等TFT2的橫方向之間內，可將成對的X座標檢知部25及Y座標檢知部26和基座部27緊密地配列於Y方向，可縮小Y方向的各畫素電極1之間隔。
該結果為，可加大作為本裝置100的開口率，可提升本裝置100的顯示性能，例如顯示的亮度等之畫質等，可獲得和上述第1實施形態同樣的效果。
此外，本發明未受限於上述實施形態，於實施階段可在不逸脫其要旨之範圍內將構成要素變形並予以具體化。又，透過上述實施形態所揭示之複數個構成要素的適宜組合，可完成各種發明。例如，亦可從實施形態所示的全部構成要素刪除幾個構成要素。再者，亦可適宜地組合跨不同實施形態的構成要素。
Q‧‧‧液晶層
1‧‧‧畫素電極
2‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
3‧‧‧資料配線
3a‧‧‧資料配線(資料配線延伸部)
4‧‧‧X座標檢知配線
5‧‧‧閘極配線
5c‧‧‧閘極電極
6‧‧‧輔助電容配線
7‧‧‧Y座標檢知配線
11a‧‧‧高度調整部
20‧‧‧對向電極
21‧‧‧資料驅動器(資料驅動電路)
22‧‧‧掃描驅動器(掃描驅動電路)
23‧‧‧X座標檢知部
24‧‧‧Y座標檢知部
24a‧‧‧源極電極
24b‧‧‧汲極電極
24d‧‧‧歐姆層
25‧‧‧X座標檢知部
25b‧‧‧連接部分
26‧‧‧Y座標檢知部
26b‧‧‧連接部分
27‧‧‧基座部
28‧‧‧輔助電容
52‧‧‧a-Si層
54‧‧‧n+ a-Si膜
56‧‧‧通道保護膜
58‧‧‧源極‧汲極膜
62‧‧‧透明導電膜
100‧‧‧顯示裝置
100‧‧‧閘極絕緣膜
100b‧‧‧頂塗絕緣膜
101‧‧‧頂塗絕緣膜
101b‧‧‧接觸孔
101c‧‧‧接觸孔
103‧‧‧濾色器
104‧‧‧黑色矩陣
105‧‧‧接點用突起部
106‧‧‧Y座標檢知接點電極
107‧‧‧X座標檢知接點電極
108‧‧‧電極
圖1係表示具有本發明的觸控板機能之顯示裝置的第1實施形態的構成圖。
圖2係表示該裝置之具體的部分平面構成圖。
圖3係表示該裝置中之基座部的周邊部之平面構成圖。
圖4係表示圖3中之基座部的A-A(IVB-IVB)剖面圖。
圖5係表示該裝置中之X座標檢知部及Y座標檢知部的周邊部之平面構成圖。
圖6係表示圖5中之X座標檢知部及Y座標檢知部的B-B(IVC-IVC及IVD-IVD)剖面圖。
圖7A、圖7B、圖7C及圖7D，係表示與沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5的IVC-IVC線及圖5的IVD-IVD線之、該裝置中的TFT、基座部、X座標檢知部及Y座標檢知部相對應的各部分之最初階段的作成步驟之圖。
圖8A、圖8B、圖8C及圖8D，係表示與沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5的IVC-IVC線及圖5的IVD-IVD線之、該裝置中的TFT、基座部、X座標檢知部及Y座標檢知部相對應的各部分之下個階段的作成步驟之圖。
圖9A、圖9B、圖9C及圖9D，係表示與沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5的IVC-IVC線及圖5的IVD-IVD線之、該裝置中的TFT、基座部、X座標檢知部及Y座標檢知部相對應的各部分之下個階段的作成步驟之圖。
圖10A、圖10B、圖10C及圖10D，係表示與沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5的IVC-IVC線及圖5的IVD-IVD線之、該裝置中的TFT、基座部、X座標檢知部及Y座標檢知部相對應的各部分之下個階段的作成步驟之圖。
圖11A、圖11B、圖11C及圖11D，係表示與沿著圖3的IVA-IVA線、圖3的IVB-IVB線、圖5的IVC-IVC線及圖5的IVD-IVD線之、該裝置中的TFT、基座部、X座標檢知部及Y座標檢知部相對應的各部分之下個階段的作成步驟之圖。
圖12係表示該裝置和習知裝置之對比圖。
圖13係表示具有本發明的觸控板機能之顯示裝置的2實施形態之構成圖。
圖14係表示具有本發明的觸控板機能之顯示裝置的第3實施形態之構成圖。
圖15係表示習知之顯示裝置的平面配置圖。
圖16係表示該裝置之基座的周邊部之平面配置圖。
圖17係表示該裝置之X座標檢知接點部及Y座標檢知接點部之配置周邊部的平面配置圖。
1‧‧‧畫素電極
2‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
3‧‧‧資料配線
4‧‧‧X座標檢知配線
5‧‧‧閘極配線
6‧‧‧輔助電容配線
7‧‧‧Y座標檢知配線
25‧‧‧X座標檢知部
26‧‧‧Y座標檢知部
27‧‧‧基座部
100‧‧‧顯示裝置

Claims (14)

  1. 一種顯示裝置，具備：分別配列在第1方向及不同於該第1方向的第2方向上之複數個畫素電極；和前述複數個畫素電極對向配置的對向電極；和前述複數個畫素電極分別連接的複數個畫素電晶體；順著前述第1方向配設的複數條Y座標檢知配線；順著前述第2方向配設的複數條X座標檢知配線；供給掃描信號予前述複數個畫素電晶體之順著前述第1方向配設的複數條掃描線，順著前述第2方向配設的複數條信號線，供給顯示信號予前述複數個畫素電晶體；複數個Y座標檢知部，分別具有第1接點，且分別連接於前述複數條Y座標檢知配線，藉由承受來自外部的按壓使前述第1接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述Y座標檢知配線導通；及複數個X座標檢知部，分別具有第2接點，且分別連接於前述複數條X座標檢知配線，承受來自前述外部的按壓使前述第2接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述X座標檢知配線導通，前述X座標檢知配線，係配置在前述複數個畫素電極當中的連續配列於前述第1方向的第1畫素電 極、第2畫素電極、第3畫素電極及第4畫素電極中的前述第2畫素電極和前述第3畫素電極之間，前述信號線，係在前述第1畫素電極和前述第2畫素電極之間及前述第3畫素電極和前述第4畫素電極之間當中任一方之間配設2條，於前述第2畫素電極和前述第3畫素電極上，前述畫素電晶體係夾著前述X座標檢知配線而配置在偏離前述X座標檢知配線之側而各自連接，前述掃描線係配置在前述畫素電極和前述Y座標檢知配線之間且在前述Y座標檢知配線側具有自前述掃描線突出的突出部，前述畫素電晶體的前述突出部係成為閘極電極，前述複數個Y座標檢知部及前述複數個X座標檢知部，係以1個前述Y座標檢知部和1個前述X座標檢知部成對分別配置，複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係以與前述Y座標檢知配線和前述X座標檢知配線之交叉部分對應地分別配置，連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極在前述第1方向之間隔，係比前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部在前述第1方向之長度還長，前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係配置在連接於前述第2畫素電極的前述畫素電 晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中進一步具有：封入前述複數個畫素電極和前述對向電極之間的液晶層。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中進一步具有封入前述複數個畫素電極和前述對向電極之間的帶電的電泳粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中進一步具備複數個基座部，該複數個基座部具有將前述複數個Y座標檢知部和前述對向電極之間隔及前述複數個X座標檢知部和前述對向電極之間隔分別保持的間隔件，將未承受前述按壓時的前述第1接點及前述第2接點和前述對向電極之間隔設定成預設的接點間隔，前述X座標檢知配線，係配設在前述複數個畫素電極當中的連續配列於前述第1方向的第5畫素電極、第6畫素電極、第7畫素電極及第8畫素電極中的前述第6畫素電極和前述第7畫素電極之間，前述信號線，係在前述第5畫素電極和前述第6畫素電極之間及前述第7畫素電極和前述第8畫素電極之間當中任一方之間配設2條，於前述第6畫素電極和前述第7畫素電極上，前述畫素電晶體係夾著前述X座標檢知配線而配置在偏離前述X座標檢知配線之側而各自連接， 前述基座部，係配置在連接於前述第6畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第7畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中連接於前述第6畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第7畫素電極的前述畫素電晶體的前述間極電極在前述第1方向之閘隔，係比前述基座部在前述第1方向之長度還長。
  6. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中前述基座部配置在前述Y座標檢知配線上。
  7. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中前述複數條信號線和前述複數條X座標檢知配線，係在前述複數個畫素電極中的連續配列於前述第1方向之連續的複數個前述畫素電極間，反覆以1條前述信號線和1條前述X座標檢知配線及2條前述信號線之配置順序，或，2條前述信號線和1條前述X座標檢知配線及1條前述信號線之配置順序作配設。
  8. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中前述複數個成對的前述Y座標檢知部及前述個X座標檢知部，係在沿著前述第1方向的列上每隔1個前述交叉部分分別作配置，且在相對於沿著前述第1方向的該列在前述第2方向鄰接的1列上，以於前述第1方向僅錯開1個前述交叉部分的方式分別作配置，前述複數個基座部為，沿著前述第1方向形成，且以在除了配置有前述複數個成對的前述Y座標檢知 部及前述X座標檢知部以外的前述交叉部分重疊的方式分別配置。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中前述複數個成對的Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係分別配置在承受前述按壓時在前述對向電極產生的彎曲量會最大的部位。
  10. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中前述複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係沿著前述第1方向按每個前述交叉部分分別配置，且按在前述第2方向鄰接的每列分別配置，前述複數個基座部為，沿著前述第1方向形成，且以在除了配置有前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部以外的前述交叉部分重疊的方式分別配置。
  11. 如申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中前述複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係分別配置在承受前述按壓時在前述對向電極產生的彎曲量會最大的部位。
  12. 一種顯示裝置，具備：分別配列在第1方向及不同於該第1方向的第2方向上的複數個畫素電極；和前述複數個畫素電極對向配置的對向電極；和前述複數個畫素電極分別連接的複數個畫素電晶體；順著前述第1方向配設的複數條Y座標檢知配 線；順著前述第2方向配設的複數條X座標檢知配線；順著前述第1方向配設的複數條掃描線，供給掃描信號予前述複數個畫素電晶體；順著前述第2方向配設的複數條信號線，供給顯示信號予前述複數個畫素電晶體；複數個Y座標檢知部，分別具有第1接點，且分別連接於前述複數條Y座標檢知配線，藉由承受來自外部的按壓使前述第1接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述Y座標檢知配線導通；複數個X座標檢知部，分別具有第2接點，且分別連接於前述複數條X座標檢知配線，承受來自前述外部的前述按壓使前述第2接點接觸前述對向電極，使得前述對向電極和前述X座標檢知配線導通；及複數個基座部，該複數個基座部具有將前述複數個Y座標檢知部和前述對向電極之間隔及前述複數個X座標檢知部和前述對向電極之間隔分別保持的間隔件，且將未承受前述按壓時的前述第1接點及前述第2接點和前述對向電極之間隔設定成預設的接點間隔，前述X座標檢知配線，係配置在前述複數個畫素電極當中的連續配列於前述第1方向的第1畫素電極、第2畫素電極、第3畫素電極及第4畫素電極中的前述第2畫素電極和前述第3畫素電極之間，前述信號線，係在前述第1畫素電極和前述第2 畫素電極之間及前述第3畫素電極和前述第4畫素電極之間當中任一方之間配設2條，而在另一方之間配設1條，於前述第2畫素電極和前述第3畫素電極上，前述畫素電晶體係夾著前述X座標檢知配線而配置在偏離前述X座標檢知配線之側而各自連接，前述掃描線係配置在前述畫素電極和前述Y座標檢知配線之間且在前述Y座標檢知配線側具有自前述掃描線突出的突出部，前述畫素電晶體的前述突出部係成為閘極電極，前述複數個Y座標檢知部及前述複數個X座標檢知部，係以1個前述Y座標檢知部和1個前述X座標檢知部成對分別配置，複數個成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係以與前述Y座標檢知配線和前述X座標檢知配線之交叉部分對應地分別配置，連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的前述閘極電極在前述第1方向之間隔，係比前述成對的前述Y座標檢知部及前述X座標檢知部在前述第1方向之長度還長，前述基座部，或，前述成對的Y座標檢知部及前述X座標檢知部，係配置在連接於前述第2畫素電極的前述畫素電晶體的閘極電極和連接於前述第3畫素電極的前述畫素電晶體的閘極電極之間。
  13. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中進一步具有封入前述複數個畫素電極和前述對向電極之間的液晶層。
  14. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中進一步具有封入前述複數個畫素電極和前述對向電極之間的帶電的電泳粒子。
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