CN102566819A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够加大开口率、并提高显示性能的显示装置。第二坐标检测布线配设在多个像素电极之中在第一方向上连续排列的第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极及第四像素电极中的、第二像素电极与第三像素电极之间的间隔，在第一像素电极与第二像素电极之间的间隔、以及第三像素电极与第四像素电极之间的间隔中的一个间隔中配设2条配设信号线，在第二像素电极和第三像素电极上分别连接了像素晶体管，使该像素晶体管隔着第二坐标检测布线配置在从第二坐标检测布线离开的侧方，第一坐标检测部及第二坐标检测部配置在与第二像素电极连接的像素晶体管和与第三像素电极连接的像素晶体管之间的间隔中。

Description

显示装置
本发明基于并要求享受申请号为2010-288851，申请日为2010年12月24日的日本专利申请的优先权，该在先专利申请的所有内容通过参考包含在本申请中。
技术领域
本发明涉及具有触摸板功能的显示装置。
背景技术
在有些显示装置中内置了触摸板功能。在该装置中，对置配置了第一基板(TFT基板)和第二基板(滤色器基板)。在TFT基板上，在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上，以一定间隔形成了多个像素电极。这些像素电极形成为矩形状。在滤色器基板上形成了对置电极。在多个像素电极和对置电极之间封入液晶而形成了液晶层。
图15示出该装置的平面配置图。多个像素电极1分别在X方向和Y方向上以一定间隔配置。在像素电极1的端部，连接了作为像素用晶体管的薄膜晶体管(以下，称作TFT)2。在各像素电极1的X方向上相邻的间隔，配置了作为信号线的数据布线3。此外，在各像素电极1的X方向上相邻的3个间隔中的1个间隔，配置了X坐标检测布线4。如图15所示，在各像素电极1的X方向上的间隔中，从图面上的左侧朝向右侧方向，以依次配置1条数据布线3，在其右相邻的间隔配置1条数据布线3，以及在其右相邻的间隔配置1条X坐标检测布线4及1条数据布线3的顺序重复地配置。
另一方面，在各像素电极1的Y方向上相邻的间隔，配置了TFT2、作为扫描线的栅极布线5、Y坐标检测布线6和辅助电容布线7。TFT2的栅极与栅极布线5，漏极与数据布线3连接，源极与像素电极1连接。
在像素电极1的Y方向上的间隔，在各像素电极1的X方向上的1条数据布线3和其右相邻的X坐标检测布线4之间、且在Y坐标检测布线6上，设置了基座部8。图16表示基座部8的配置周边部的平面配置图。
此外，在像素电极1的Y方向上的间隔，在X方向上的1条数据布线3和其右相邻的X坐标检测布线4之间、且在Y坐标检测布线6上，设置了一对X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10。图17表示一对X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10的配置周边部的平面配置图。
在一对X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10中，X坐标检测接点部9在TFT基板和滤色器基板上分别设有接点，通过这些接点导通，产生X坐标信号。Y坐标检测接点部10也同样，在TFT基板和滤色器基板上分别设有接点，通过这些接点导通，产生Y坐标信号。基座部8将在未受到来自外部的按压时的一对X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10的各接点间隔设定为预先设定的间隔。
作为触摸板的技术，例如有日本特开2007-095044号公报所公开的技术。
但是，在具有触摸功能的显示装置中，在各像素电极1的Y方向上的间隔中分别配置了TFT2、栅极布线5、Y坐标检测布线6、辅助电容布线7，在X方向上的1条数据布线3和其右相邻的X坐标检测布线4之间、且Y坐标检测布线6上，配置了基座部8或一对X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10。
作为对显示装置的显示性能(如显示亮度等)的提高做出贡献的主要原因，例如，可以增大各像素电极1的大小即作为显示装置的开口率(aperture rate)。但是，在上述显示装置中，在各像素电极1的Y方向的间隔中分别配置了TFT2、栅极布线5、Y坐标检测布线6、辅助电容布线7，并且，作为触摸功能，配置Y坐标检测布线6，并在X方向上的1条数据布线3和其右相邻的X坐标检测布线4之间、且Y坐标检测布线6上，配置了基座部8或一对的X坐标检测接点部9及Y坐标检测接点部10。因此，不能增大各像素电极1的大小，即不能增大显示装置的开口率。
发明内容
本发明的显示装置的一个方式，具备：
具备：
多个像素电极，分别在第一方向及与上述第一方向不同的第二方向上排列；
对置电极，与上述多个像素电极对置配置；
多个像素晶体管，分别连接于上述多个像素电极；
多个第一坐标检测布线，沿着上述第一方向配设；
多个第二坐标检测布线，沿着上述第二方向配设；
多个信号线，沿着上述第二方向配设，向上述多个像素晶体管供给显示信号；
多个第一坐标检测部，分别具有第一接点，并分别与上述多个第一坐标检测布线连接，通过受到来自外部的按压而使上述第一接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第一坐标检测布线导通；以及
多个第二坐标检测部，分别具有第二接点，并分别与上述多个第二坐标检测布线连接，通过受到来自上述外部的上述按压而使上述第二接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第二坐标检测布线导通，
上述第二坐标检测布线配设在上述多个像素电极之中在上述第一方向上连续排列的第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极及第四像素电极中的、上述第二像素电极与上述第三像素电极之间的间隔中，
在上述第一像素电极与上述第二像素电极之间的间隔、以及上述第三像素电极与上述第四像素电极之间的间隔中的一个间隔中，配设2条上述信号线，
在上述第二像素电极和上述第三像素电极上分别连接上述像素晶体管，使上述像素晶体管隔着上述第二坐标检测布线配置在远离上述第二坐标检测布线的侧方，
上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部配置在与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管之间的间隔中。
本发明的显示装置的方式之一，具备：
多个像素电极，分别在第一方向及与上述第一方向不同的第二方向上排列；
对置电极，与上述多个像素电极对置配置；
多个像素晶体管，分别连接于上述多个像素电极；
多个第一坐标检测布线，沿着上述第一方向配设；
多个第二坐标检测布线，沿着上述第二方向配设；
多个信号线，沿着上述第二方向配设，向上述多个像素晶体管供给显示信号；
多个第一坐标检测部，分别具有第一接点，并分别与上述多个第一坐标检测布线连接，通过受到来自外部的按压而使上述第一接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第一坐标检测布线导通；
多个第二坐标检测部，分别具有第二接点，并分别与上述多个第二坐标检测布线连接，通过受到来自上述外部的上述按压而使上述第二接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第二坐标检测布线导通；以及
多个基座部，该基座部具有分别保持上述多个第一坐标检测部与上述对置电极之间的间隔及上述多个第二坐标检测部与上述对置电极之间的间隔的间隔件，并将在未受到上述按压时的上述第一接点及上述第二接点与上述对置电极之间的间隔设定为预先设定的接点间隔，
上述第二坐标检测布线配设在上述多个像素电极之中在上述第一方向上连续排列的第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极及第四像素电极中的、上述第二像素电极与上述第三像素电极之间的间隔中，
在上述第一像素电极与上述第二像素电极之间的间隔、以及上述第三像素电极与上述第四像素电极之间的间隔中的一个间隔中配设2条上述信号线，并且，在另一个间隔中配设1条上述信号线，
在上述第二像素电极和上述第三像素电极上分别连接了上述像素晶体管，使上述像素晶体管隔着上述第二坐标检测布线配置在远离上述第二坐标检测布线的侧方，
上述基座部、或上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部，配置在与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管之间的间隔中。
本发明中追加的要件以及优点置于本说明书的后面的第四部分，并且本发明的部分优点通过说明变明显，或通过实施本发明得知。本发明的要件以及优点能够通过在后面详细指出的装置和组合来实现。
附图说明
所附的附图结合并包含于本发明的一部分，说明本发明的实施方式，并与上面给出的总的说明以及下面给出的实施方式的说明一起，用于解释本发明的原理。
图1是示出具有本发明的触摸功能的显示装置的第一实施方式的结构图。
图2是示出该装置的具体的局部平面结构图。
图3是示出该装置的基座部的周边部的平面结构图。
图4是示出该装置的基座部的A-A(IVB-IVB)截面图。
图5是示出该装置的X坐标检测部及Y坐标检测部的周边部的平面结构图。
图6是示出该装置的X坐标检测部及Y坐标检测部的B-B(IVC-IVC及IVD-IVD)截面图。
图7A、图7B、图7C、图7D是示出沿着图3的IVA-IVA线、图3的IVB-IVB线、图5的IVC-IVC线、图5的IVD-IVD线的、与该装置的TFT、基座部、X坐标检测部、Y坐标检测部对应的各部分的最初阶段的制作工序的图。
图8A、图8B、图8C、图8D是示出沿着图3的IVA-IVA线、图3的IVB-IVB线、图5的IVC-IVC线、图5的IVD-IVD线的、与该装置的TFT、基座部、X坐标检测部、Y坐标检测部对应的各部分的下一阶段的制作工序的图。
图9A、图9B、图9C、图9D是示出沿着图3的IVA-IVA线、图3的IVB-IVB线、图5的IVC-IVC线、图5的IVD-IVD线的、与该装置的TFT、基座部、X坐标检测部、Y坐标检测部对应的各部分的下一阶段的制作工序。
图10A、图10B、图10C、图10D是示出沿着图3的IVA-IVA线、图3的IVB-IVB线、图5的IVC-IVC线、图5的IVD-IVD线的、与该装置的TFT、基座部、X坐标检测部、Y坐标检测部对应的各部分的下一阶段的制作工序的图。
图11A、图11B、图11C、图11D是示出沿着图3的IVA-IVA线、图3的IVB-IVB线、图5的IVC-IVC线、图5的IVD-IVD线的、与该装置的TFT、基座部、X坐标检测部、Y坐标检测部对应的各部分的下一阶段的制作工序的图。
图12是示出该装置和现有装置之间的对比的图。
图13是示出本发明的具有触摸板功能的显示装置的第二实施方式的结构图。
图14是示出本发明的具有触摸板功能的显示装置的第三实施方式的结构图。
图15是示出现有的显示装置的平面配置图。
图16是示出该装置的基座的周边部的平面配置图。
图17是示出该装置的X坐标检测接点部及Y坐标检测接点部的配置周边部的平面配置图。
具体实施方式
[第一实施方式]
下面，参照附图，对本发明的第一实施方式进行说明。此外，在与图15相同的部分标注同一标记来省略详细说明。
图1示出具有触摸板功能的显示装置的结构图。在本装置100上，设有相互对置配置的第一基板(TFT基板)和第二基板(滤色器基板)。在TFT基板上设有多个像素电极1。这些像素电极1形成为矩形状。在X方向(称作横向)和Y方向(称作纵向)上，这些个像素电极1分别每隔一定间隔配置有多个像素电极1。例如，在图1中，将配置在Y方向的最上侧的X方向的各像素电极1的行设为横第1行，将配置在该横第1行的下侧的X方向的各像素电极1的行设为横第2行，依次朝向下方设为横第3行、横第4行。
此外，在图1中，将配置在X方向的最左侧的Y方向的各像素电极1的列设为纵第1列，将配置在该纵第1列的右侧的Y方向的各像素电极1的列设为纵第2列，下面，依次朝向右侧，设为纵第3列、纵第4列。
在第二基板上，隔着滤色器层设有对置电极20。像素电极1和对置电极20被对置配置。在像素电极1和对置电极20之间封入液晶而形成了液晶层Q。此外，在图面上，对置电极20配置在像素电极1的上方。
如图1所示，在像素电极1上连接了作为像素用晶体管的薄膜晶体管(TFT)2。这些TFT2的各个栅极连接在栅极布线5上，漏极与数据布线3连接，源极与像素电极1连接。在图面上，从对置电极20侧观察像素电极1时，在像素电极1的Y方向的下端边且该下端边的X方向的左侧或右侧中某一方连接TFT2的源极。
具体来说，如后所述，在多个像素电极1的X方向的各间隔配置有1本或2条数据布线3。由此，在配置有数据布线3的一侧的像素电极1的下端边的左侧或右侧中某一方，连接了TFT2的源极。TFT2通过与配置有数据布线3的一侧的像素电极1的下端边连接，TFT2自身配置在像素电极1的下端边的左侧或右侧中某一方。
例如，在图1的图面上，在横第1行中，相对于配置在最左侧的像素电极1，TFT2的源极连接在该像素电极1的下端边的左侧。由此，TFT2自身配置在该像素电极1的下端边的左侧。在该横第1行中，相对于上述像素电极1的右侧相邻的像素电极1，将TFT2的源极配置在该像素电极1的下端边的右侧。由此，该TFT2自身配置在像素电极1的下端边的右侧。并且，相对于进一步右侧相邻的像素电极1，TFT2的源极连接在该像素电极1的下端边的左侧。由此，该TFT2自身配置在像素电极1的下端边的左侧。
以下，与上述同样，相对于右侧相邻的像素电极1，TFT2的源极连接在该像素电极1的下端边的左侧，该TFT2自身配置在像素电极1的下端边的左侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2的源极连接在该像素电极1的下端边的右侧，该TFT2自身配置在像素电极1的下端边的右侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2的源极连接在该像素电极1的下端边的左侧，该TFT2自身配置在像素电极1的下端边的左侧，重复如上配置。
另一方面，在多个像素电极1的Y方向的各间隔中，交替配置了一对的X坐标检测部25及Y坐标检测部26、和基座部27。这些一对的X坐标检测部25及Y坐标检测部26、和基座部27配置在配置有X坐标检测布线4的纵列的各像素电极1之间。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26相互相邻配置。
例如，在图1中，在横第1行和横第2行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第1列和纵第2列的各像素电极1之间，配置有基座部27。该基座部27配置在图中左斜上方。
在横第2行和横第3行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第1列和纵第2列的各像素电极1之间，配置有一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
在横第3行和横第4行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第1列和纵第2列的各像素电极1之间，又配置有基座部27。
下面，在各像素电极1的横向各行的各间隔的X坐标检测布线4上，重复交替配置了基座部27、和一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
此外，在横第1行和横第2行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第4列和纵第5列的各像素电极1之间，配置有一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
在横第2行和横第3行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第4列和纵第5列的各像素电极1之间，配置有基座部27。
在横第3行和横第4行的各像素电极1之间、且X坐标检测布线4上的纵第4列和纵第5列的各像素电极1之间，又配置有一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
下面，在各像素电极1的横向的各行的各间隔的各X坐标检测布线4上，交替重复配置了基座部27、和一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
在本装置100上，设有：数据驱动器(数据驱动电路)21、扫描驱动器(扫描驱动电路)22、X坐标检测电路23、以及Y坐标检测部24。
数据驱动器21连接了多个作为信号线的数据布线3，并向数据布线3供给图像信号。数据布线3与TFT2的漏极连接。
扫描驱动器22连接多个栅极布线5，并在按预先设定的扫描定时沿着Y方向扫描的同时向栅极布线5发送扫描信号。该扫描信号使各TFT2依次进行导通动作。栅极布线5与TFT2的栅极连接。
从扫描驱动器22输出的扫描信号和从数据驱动器21输出的图像信号的定时，是在扫描驱动器22依次向各栅极布线5输出扫描信号时，在每个向各栅极布线5输出扫描信号的期间，从数据驱动器21向所有数据布线3同时输出图像信号。由此，多个TFT2中，扫描信号通过数据布线3向漏极供给、图像信号通过栅极布线5向栅极供给的TFT2，其漏极和源极导通，向与该导通的源极连接的像素电极1写入与图像信号对应的电压。然后，在像素电极1和对置电极20之间产生电压差，从而驱动该液晶层Q。
在X坐标检测电路23上连接了多个X坐标检测布线4。在X坐标检测布线4上，设置了多个X坐标检测部25。X坐标检测部25具有接点，通过接受来自外部的按压而该接点接触对置电极20，使该对置电极20和X坐标检测布线4导通。由此，X坐标检测电路23例如为，将在通过操作者的触摸而从外部接受了按压的部分的X坐标检测部25导通时产生的X坐标信号，经由X坐标检测布线4输入该X坐标检测电路23，由该X坐标检测电路23根据该X坐标检测布线4的配置位置检测触摸部分的X坐标。
在Y坐标检测电路24上连接了多个Y坐标检测布线7。在Y坐标检测布线7上，设有多个Y坐标检测部26。Y坐标检测部26具有接点，通过接受来自上述外部的按压而该接点接触对置电极20，由此使该对置电极20和Y坐标检测布线7导通。由此，Y坐标检测电路24为，将在接受了上述按压的部分的Y坐标检测部26导通时产生的Y坐标信号，经由Y坐标检测布线7输入该Y坐标检测电路24，并由该Y坐标检测电路24根据该Y坐标检测布线7的配置位置检测触摸部分的Y坐标。
基座部27为，将未受到上述按压时的X坐标检测部25的接点和对置电极20之间的间隔、以及Y坐标检测部26的接点和对置电极20之间的间隔设定为预先设定的接点间隔。该基座部27设置在Y坐标检测布线7上。
此外，在Y方向的相邻的像素电极1的间隔中配置了辅助电容布线6。由像素电极1和辅助电容布线6形成辅助电容28，辅助电容布线6连接各辅助电容28。
在上述结构中，在多个像素电极1的横向的各间隔中，从图面上的左侧朝向右侧的方向，依次重复配置了1条数据布线3、X坐标检测布线4以及2条数据布线3。此外，重复配置1条数据布线3、X坐标检测布线4以及2条数据布线3的顺序不限于以1条数据布线3作为开始基准的方式，也可以将X坐标检测布线4或2条数据布线3作为开始基准。例如，若将X坐标检测布线4作为开始基准，则重复配置X坐标检测布线4、2条数据布线3以及1条数据布线3。
如上所示，通过按照1条数据布线3、X坐标检测布线4以及2条数据布线3的顺序配置，由于1条数据布线3和2条数据布线3的配置位置，各TFT2的横向的配置位置相对于像素电极1位于右侧或左侧。例如，在图1的图面上，在横第1行中，相对于配置在最左侧的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的左侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的右侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的左侧。
下面，同样，相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于像素电极1的下端边的左侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于像素电极1的下端边的右侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2连接到该像素电极1的下端边的左侧，如上重复上述配置和连接方式。
通过上述各TFT2的配置，配置于X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图15所示的各TFT2的横向的间隔宽。即，相对于配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各像素电极1，各TFT2配置于远离X坐标检测布线4的一侧的像素电极1的下端边，例如，TFT2相对于X坐标检测布线4的左侧的像素电极1而配置在其下端边的左侧，相对于X坐标检测布线4的右侧的像素电极1而配置在其下端边的右侧。
基座部27、一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别配置在X坐标检测布线4上。基座部27配置成在横向上X坐标检测布线4通过该基座部27的中心部。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26在横向上并列设置，配置成X坐标检测布线4通过这些X坐标检测部25和Y坐标检测部26之间。
配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔比基座部27的横向的长度或并列设置的一对X坐标检测部25和Y坐标检测部26的横向长度长。因此，基座部27和一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别不在纵向上与TFT2一同排列，而是能够配置在横向的各TFT2之间。通过将基座部27、一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别配置在横向上的各TFT2之间，能够将各像素电极1的纵向的间隔配置成比图15所示的现有的各像素电极1的纵向的间隔狭窄。
此外，本装置100的显示区域的右端的像素电极1的右侧及该显示区域的左端的像素电极1的左侧也包括在像素电极1的X方向上的间隔内。
一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26夹着X坐标检测布线4配置在横向上。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置于在受到上述按压时对置电极20所产生的弯曲量成为最大的多个部位。即，在X坐标检测布线4和Y坐标检测布线7的交叉部分，且在横向上对每6个像素电极1配置一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
在X坐标检测布线4和Y坐标检测布线7的交叉部分上的除了配置有一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26以外的交叉部分上，且在横向上对每6个像素电极1配置了1个基座部27。
由此，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别配置在对置电极20上所产生的弯曲量成为最大的各基座部27的配置位置的中央部。例如，在图1中，存在3个基座部27。此外，除了该3个基座部27之外，还存在第4个基座部27，以这些基座部27的配置位置作为各角形成正四边形。实际上，在图1中不存在的部位也存在多个基座部27。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置在以4个基座部27的配置位置作为各角的正四边形的中央部。
图2表示本装置100的具体的局部平面结构图。在多个像素电极1的横向的间隔中，如上所述，从图面上的左侧朝向右侧的方向依次重复配置了1条数据布线3、X坐标检测布线4、2条数据布线3。通过这些配置，各TFT2的横向的配置位置相对于像素电极1位于右侧或左侧。例如，在图2的图面上，在横第1行中，相对于配置在最左侧的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的左侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的右侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置于该像素电极1的下端边的左侧。以下，TFT2配置成与上述图1所示的配置相同的配置。
通过上述的各TFT2的配置，相对于配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各像素电极1，各TFT2配置在远离X坐标检测布线4的一侧的像素电极1的下端边，例如，相对于X坐标检测布线4的左侧的像素电极1而配置在其下端边的左侧，相对于X坐标检测布线4的右侧的像素电极1而配置在其下端边的右侧。由此，配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图15所示的各TFT2的横向间隔宽。
基座部27、一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别配置在X坐标检测布线4上。基座部27配置成，在横向上X坐标检测布线4通过该基座部27的中心部。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26在横向上并列设置，配置成X坐标检测布线4通过该X坐标检测部25和Y坐标检测部26之间。
配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔比基座部27的横向长度或并列设置的一对X坐标检测部25和Y坐标检测部26的横向长度长。因此，基座部27、一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别不在纵向上与TFT2一同排列，而是能够配置在横向的各TFT2之间。通过将基座部27、一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26分别配置在横向上的各TFT2之间，使各像素电极1的纵向的间隔比图15所示的现有的各像素电极1的纵向的间隔狭窄。
一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26隔着X坐标检测布线4配置在横向上。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置于在受到上述按压时对置电极20所产生的弯曲量成为最大的部位。
即，在X坐标检测布线4和Y坐标检测布线7的交叉部分上，且在横向上对每6个像素电极1配置了一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
在X坐标检测布线4和Y坐标检测布线7的交叉部分上的除了配置有一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26以外的交叉部分上，且在横向上对每6个像素电极1配置了1个基座部27。
此外，在纵向的像素电极1的配置中，对于每1列，在横向上每错开3个像素电极1地配置了一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26和基座部27。通过该配置，在X坐标检测布线4的纵向上，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26和基座部27交替配置，在配置于接着右侧的X坐标检测布线4的纵向上，则是基座部27和一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26交替配置。即，在横向上，对每3个像素电极1交替配置一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26和基座部27。
通过上述配置，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置到各个对置电极20所产生的弯曲量成为最大的各基座部27的配置位置的中央部。例如，在图2中，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置在以4个基座部27的配置位置作为各角的正四边形W的中央部。
图3示出基座部27的周边部的平面结构图。在多个像素电极1的横向的各间隔中，从图面上的左侧朝向右侧的方向依次重复配置了1条数据布线3、X坐标检测布线4以及2条数据布线3。数据布线3如上所述在Y方向上布线，且在与栅极布线5交叉的部位向与该栅极布线5相同的方向(X方向)延伸配置。该延伸的数据布线(数据布线延出部)3a连接到TFT2的漏极。
各TFT2的横向的配置位置相对于像素电极1位于右侧或左侧。例如，在图3的图面上，在配置于最左侧的像素电极1和在其右侧相邻的像素电极1之间，配置有X坐标检测布线4。相对于上述配置于最左侧的像素电极1，TFT2配置在该像素电极1的下端边的左侧。相对于接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置在该像素电极1的下端边的右侧。由此，配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图16所示的各TFT2的横向间隔宽。
配置于该X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向间隔比基座部27的横向的长度长。因此，基座部27在纵向上不与TFT2一同排列，而是能够配置在横向的各TFT2之间，能够将各像素电极1的纵向的间隔设置成比图16所示的现有的各像素电极1的纵向的间隔狭窄。
图4表示图3所示的基座部27的A-A截面图。在TFT基板上形成有TFT2。将例如由铝、铬或钼构成的栅极膜、例如由氮化硅膜构成的栅极绝缘膜100a、例如由本征非晶硅构成的本征硅膜、例如由氮化硅膜构成的沟道保护膜、例如由n+非晶硅构成的n+硅膜、例如由铝、铬或钼构成的源·漏极膜和例如由氮化硅膜构成的被覆绝缘膜100b层叠而形成了该TFT2。
另一方面，在滤色器基板上，设有滤色器103、黑矩阵104和多个接点用突起部105。这些接点用突起105分别与X坐标检测部25、Y坐标检测部26及基座部27的各部分对置设置。在这些接点用突起部105、滤色器103及黑矩阵104上，设有对置电极20。
在被覆绝缘膜100b上，使用与像素电极1相同的材料，例如使用ITO来形成电极108，并且，例如形成由氮化硅膜构成的绝缘体的高度调整部11a，从而配置了基座部27。接点用突起部105起到柱状间隔件的作用，与高度调整部11a接触。由此，将在未受到来自外部的按压时的X坐标检测部25和Y坐标检测部26之间的各接点间隔设定为预先设定的相同的接点间隔。
图5表示一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26的周边部的平面结构图。与上述同样，在多个像素电极1的横向的各间隔中，从图面上的左侧朝向右侧的方向，依次重复配置了1条数据布线3、X坐标检测布线4以及2条数据布线3。在X坐标检测布线4和Y坐标检测布线7的交叉部分上、且在Y方向上，对每2个像素电极1配置了一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26。
各TFT2的横向的配置位置相对于像素电极1配置在右侧或左侧。例如，在图5的图面上，在配置于最左侧的像素电极1和在其右侧相邻的像素电极1之间，配置了X坐标检测布线4。相对于配置于最左侧的像素电极1，TFT2配置在该像素电极1的下端边的左侧。相对于与接着右侧相邻的像素电极1，TFT2配置在该像素电极1的下端边的右侧。由此，在配置于X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图17所示的各TFT2的横向的间隔宽。
配置于该X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔比一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26的横向的长度长。因此，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26在纵向上不与TFT2一同排列，而是能够配置在横向的各TFT2之间，能够将各像素电极1的纵向的间隔设置成比图17所示的现有的各像素电极1的纵向的间隔狭窄。
图6示出图5所示的一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26的B-B向视截面图。在此，在图5中，B-B线是连接了IVC-IVC线和IVD-IVD线的线。在X坐标检测部25，在被覆绝缘膜100b上，使用与像素电极相同的材料，例如ITO形成了X坐标检测接点电极107。该X坐标检测接点电极107与层叠结构102中的X坐标检测布线4连接。由此，在受到来自外部的按压而对置电极20和X坐标检测接点电极107导通时，X坐标检测部25向X坐标检测布线4生成X坐标信号。
在Y坐标检测部26，在被覆绝缘膜100b上，使用与像素电极相同的材料，例如ITO形成了Y坐标检测接点电极106。该Y坐标检测接点电极106与层叠结构102中的Y坐标检测布线7连接。由此，在受到来自外部的按压而对置电极20和Y坐标检测接点电极106导通时，Y坐标检测部26向Y坐标检测布线7生成Y坐标信号。
接着，参照图7A～图11D，对第一基板(TFT基板)上的TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26的共同的制作工序进行详细说明。
此外，图7A、图8A、图9A、图10A、图11A的各图分别示出在图3所示的IVA-IVA部分依次形成TFT2的状态的截面图。
图7B、图8B、图9B、图10B、图11B的各图分别示出在图3所示的A-A(IVB-IVB)部分与TFT2的制作同时依次形成的基座部27的状态的截面图。
图7C、图8C、图9C、图10C、图11C的各图分别示出在图5所示的IVC-IVC部分与TFT2的制作同时依次形成的X坐标检测部25的状态的截面图。
图7D、图8D、图9D、图10D、图11D的各图分别示出在图5所示的IVD-IVD部分与TFT2的制作同时依次形成的Y坐标检测部26的状态的截面图。
最初，如图7A～图7D所示，在与TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26对应的各部分，在第1基板(TFT基板)上，通过光刻法，使用例如由铝、铬或钼构成的栅极膜形成栅极布线5及沿着栅极布线5延伸的Y坐标检测布线7。此外，在栅极布线5，在与TFT2对应的部分提供用于TFT2的栅极5c。此外，在Y坐标检测布线7上，与Y坐标检测部26对应的部分提供用于该Y坐标检测部26的连接部分7b。
接着，在如图8A～图8D所示与TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26对应的各部分，在第1基板(TFT基板)上，例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的栅极绝缘膜100形成为覆盖栅极布线5及Y坐标检测布线7。
接着，例如由本征非晶硅构成的a-Si层52及例如由n+非晶硅构成的n+a-Si层54，一部分隔着例如使用了SiNx的沟道保护膜56而层叠。
接着，以覆盖n+a-Si层54的方式，例如形成了由铝、铬或钼构成的源·漏极膜58。源·漏极膜58提供了TFT2的附近的数据布线3及X坐标检测部25的附近的X坐标检测布线4。此外，在X坐标检测布线4上，与X坐标检测部25对应的部分提供用于该X坐标检测部25的连接部分25b。
如图8A所示，n+a-Si层54及源·漏极膜58在靠近像素电极1的一侧和远离像素电极1的一侧分成2个。
a-Si层52、沟道保护膜56和如上分成2个的n+a-Si层54的层叠的组合提供TFT2的欧姆(ohmics)层24d。此外，如上所述，分成2个的源·漏极膜58的靠近像素电极1一侧提供TFT2的源极24a，此外，远离像素电极1的一侧提供在TFT2中从数据布线3延伸的漏极24b。
接着，如图9A～图9D所示，在与TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26对应的各部分，形成了覆盖源·漏极膜58的例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的被覆绝缘膜101。
在此，如图9A中所示，在被覆绝缘膜101中，在与TFT2的对应的部分，在与源·漏极膜58的源极24a对应的位置，形成了用于露出源极24a的接触孔101a。
此外，如图9C中所示，在被覆绝缘膜101，在与X坐标检测布线4的用于X坐标检测部25的连接部分25b对应的部分，形成有用于露出该连接部分25b的接触孔101b。
并且，如图9D中所示，在被覆绝缘膜101中，与Y坐标检测布线7的用于Y坐标检测部26的连接部分26b对应的部分，形成有用于露出该连接部分26b的接触孔101c。接触孔101c还贯通存在于被覆绝缘膜101和用于Y坐标检测部26的连接部分26b之间的栅极绝缘膜100。
在该阶段，在图9A中所示的TFT2的对应部分上，由基于栅极布线5的栅极5c、在栅极5c上重叠的栅极绝缘膜100的部分，在栅极绝缘膜100的上述部分上重叠的a-Si层52、沟道保护膜56、包括分成2个的n+a-Si膜54的用于半导体的欧姆层24d、欧姆层24d的分成2个的n+a-Si膜54上的源极24a及漏极24b、覆盖源极24a及漏极24b的被覆绝缘膜101提供TFT2。
接着，如图10A～图10D所示，在与TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26、基座部27对应的各部分，以覆盖被覆绝缘膜101的方式，形成了例如由ITO构成的透明导电膜62。
如图10A中所示，透明导电膜62还形成在用于露出与源极24a的接触孔101A中而与源极24a电连接。如图10C中所示，透明导电膜62还形成在露出用于X坐标检测部25的连接部分25b的接触孔101B中而与该连接部分25b电连接。如图10D中所示，透明导电膜62还形成在露出用于Y坐标检测部26的连接部分26b的接触孔101c中而与该连接部分26b电连接。
在形成了透明导电膜62的时刻，如图10A～图10D中所示，通过用于形成TFT2的上述制作方法，TFT2的截面的一部分、基座部27的断面的一部分、X坐标检测部25的断面的一部分以及Y坐标检测部26的断面的一部分，共同同时形成在第1基板(TFT基板)上，所以自第1基板(TFT基板)上的高度相互相同。
接着，在示出基座部27的断面的一部分的图10B中，在透明导电膜62的上，由规定的高度的例如使用了氮化硅膜(SiNx)的透明的基座部绝缘膜形成高度调整部27a，其顶点提供基座部27的突出端面(前端)27B。
最后，对透明导电膜62，如图11A中所示，在TFT2的对应部分，除了与源极24a电连接的接触孔101a中的部分及与TFT2相邻的用于提供像素电极1的部分之外，其余的部分都去除掉。
此外，最后对于透明导电膜62，如图11B中所示，在基座部27的对应部分，除了覆盖高度调整部27a的部分108之外，其余部分都去除掉。
此外，最后对于透明导电膜62，如图11C中所示，在X坐标检测部25的对应部分及X坐标检测布线4的连接部分4b，除了用于提供X坐标检测接点电极106的X坐标检测部25的对应部分、以及将该X坐标检测部25与X坐标检测布线4的连接部分4b电连接的接触孔101b中的部分之外，其他部分都去除掉。
并且，最后对于透明导电膜62，如图11D中所示，在Y坐标检测部26的对应部分及Y坐标检测布线7的连接部分7B，除了用于提供Y坐标检测接点电极107的Y坐标检测部26的对应部分、以及将该Y坐标检测部26与Y坐标检测布线7的连接部分7B电连接的接触孔101c中的部分之外，其他部分都去除掉。
若将图11A～图11D所示的与TFT2、基座部27、X坐标检测部25、Y坐标检测部26对应的各部分进行对比，从第1基板(TFT基板)到图11C所示的X坐标检测部25的突出端面(前端)为止的高度及到图11D所示的Y坐标检测部26的突出端面(前端)为止的高度相互相同。
从第1基板(TFT基板)到图11A所示的TFT2的突出端面(前端)为止的高度，与到图11C所示的上述X坐标检测部25的突出端面(前端)为止的高度、及到图11D所示的Y坐标检测部26的突出端面(前端)为止的高度相比，低最后从TFT2的突出端面(前端)去掉的透明导电膜62的厚度的量。
并且，从第1基板(TFT基板)到基座部27的突出端面(前端)27B为止的高度与到图11C所示的上述X坐标检测部25的突出端面(前端)为止的高度及到图11D所示的Y坐标检测部26的突出端面(前端)为止的高度相比，高最后形成在透明导电膜62之上的高度调整部27a的到突出端面(前端)27B为止的高度的量。
如上所示，根据上述第一实施方式，在多个像素电极1的横向(X方向)的各间隔中，例如重复配置1条数据布线3、X坐标检测布线4和2条数据布线3，所以通过这些1条数据布线3和2条数据布线3的配置位置，能够将各TFT2的相对于像素电极1的横向的配置位置相对于该像素电极1配置在右侧或左侧。通过这种各TFT2的配置，能够将配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图15所示的现有的各TFT2的横向的间隔宽。配置在该X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔能够比基座部27的横向的长度或并列设置的一对X坐标检测部25和Y坐标检测部26的横向的长度长。因此，基座部27和一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26能够分别紧凑配置在横向的各TFT2之间。其结果，各像素电极1的纵向的间隔能够比图15所示的现有的各像素电极1的纵向的间隔狭窄。
即，在纵向(Y方向)上，能够紧凑配置TFT2、一对X坐标检测部25、Y坐标检测部26和基座部27，能够使纵向(Y方向)的各像素电极1之间的间隔变狭窄。其结果，能够使本装置100的开口率增大相对于使各像素电极1之间的间隔变狭窄的长度的量，能够提高本装置100的显示性能，例如显示亮度等的画质。
比较本装置100和现有装置，则如图12所示，本装置100的像素电极1间的Y方向的间隔La形成为比现有装置的像素电极1间的间隔Lb狭窄(La＜Lb)。因此，本装置100的各像素电极1的Y方向的长度能够形成为比现有装置的各像素电极1的Y方向的长度长。由此，本装置100的各像素电极1的面积Sa能够比现有装置的各像素电极1的面积Sb大(Sa＞Sb)。
本装置100的各像素电极1的X方向的长度与现有装置的各像素电极1的同方向的长度相同，但是，关于各像素电极1的Y方向的长度，本装置100的长度比现有装置长。由此，本装置100的各像素电极1的面积Sa变得比现有装置的各像素电极1的面积Sb大。
例如，在图2中，以一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26配置在以4个基座部27的配置位置作为各角的正四边形W的中央部。一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26的配置位置位于在接受到基于触摸操作的来自外部的按压时对置电极20所产生的弯曲量成为最大的部位。即，正四边形W内对置电极20最容易弯曲，通过基于触摸操作的微小的按压，一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26能够分别生成XY坐标信号。即，能够提高用于接受触摸操作的X坐标及Y坐标检测的灵敏度。
[第二实施方式]
接着，参照附图，对本发明的第二实施方式进行说明。此外，对与图2相同的部分，标注同一标记，并省略详细说明。
图13示出具有触摸功能的显示装置的结构图。在本装置100中，在各像素电极1的X方向的间隔中，从图面上的左侧朝向右侧方向依次配置2条数据布线3，在其右相邻的间隔中配置X坐标检测布线4，在其进一步右相邻的间隔中配置1条数据布线3，按上述顺序重复配置。
若是如上所述的2条数据布线3、X坐标检测布线4和1条数据布线3的配置顺序，则与上述第一实施方式同样，能够将配置在X坐标检测布线4的左右两侧的各TFT2的横向的间隔形成为比图15所示的现有的各TFT2的横向的间隔宽，在这些TFT2的横向的间隔内，能够在Y方向上紧凑排列一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26、以及基座部27，能够使Y方向的各像素电极1的间隔狭窄。
其结果，能够使本装置100的开口率增大相当于使各像素电极1之间的间隔变狭窄的长度的量，能够提高本装置100的显示性能，例如显示亮度等的画质，能够起到与上述第一实施方式同样的效果。
[第三实施方式]
接着，参照附图，对本发明的第三实施方式进行说明。此外，在与图2相同的部分标注同一标记，并省略详细说明。
图14示出具有触摸板功能的显示装置的结构图。本装置100在各像素电极1的X方向的间隔中，从图面上的左侧朝向右侧方向依次配置1条数据布线3，在其右相邻的间隔中配置X坐标检测布线4，在其进一步右相邻的间隔中配置2条数据布线3，按如上顺序重复配置。
此外，本装置100配置在将一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26在Y方向上布线的1条X坐标检测布线4上。同样，本装置100将基座部27配置到在Y方向上布线的1条X坐标检测布线4上。此外，对于在X方向上配置的每3个像素电极1，交替配置一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26和基座部27。
根据这种结构，与上述第一实施方式同样，能够将配置于X坐标检测布线4的左右两侧的る各TFT2的横向的间隔形成为比图15所示的现有的各TFT2的横向的间宽，在这些TFT2的横向的间隔内，在Y方向上紧凑排列一对X坐标检测部25及Y坐标检测部26和基座部27，能够使Y方向的各像素电极1之间的间隔变狭窄。
其结果，能够使作为本装置100的开口率变大，能够提高本装置100的显示性能，例如显示亮度等的画质等，能够得到与上述第一实施方式同样的效果。
此外，本发明不限于上述实施方式，在实施阶段，在不脱离其主旨的范围内能够对构成要素予以变形来具体实施。此外，通过上述实施方式所公开的多个构成要素的适当组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全构成要素去掉几个构成要素。并且，也可以适当组合不同的实施方式的构成要素。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，
具备：
多个像素电极，分别在第一方向及与上述第一方向不同的第二方向上排列；
对置电极，与上述多个像素电极对置配置；
多个像素晶体管，分别连接于上述多个像素电极；
多个第一坐标检测布线，沿着上述第一方向配设；
多个第二坐标检测布线，沿着上述第二方向配设；
多个信号线，沿着上述第二方向配设，向上述多个像素晶体管供给显示信号；
多个第一坐标检测部，分别具有第一接点，并分别与上述多个第一坐标检测布线连接，通过受到来自外部的按压而使上述第一接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第一坐标检测布线导通；以及
多个第二坐标检测部，分别具有第二接点，并分别与上述多个第二坐标检测布线连接，通过受到来自上述外部的上述按压而使上述第二接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第二坐标检测布线导通，
上述第二坐标检测布线配设在上述多个像素电极之中在上述第一方向上连续排列的第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极及第四像素电极中的、上述第二像素电极与上述第三像素电极之间的间隔中，
在上述第一像素电极与上述第二像素电极之间的间隔、以及上述第三像素电极与上述第四像素电极之间的间隔中的一个间隔中，配设2条上述信号线，
在上述第二像素电极和上述第三像素电极上分别连接上述像素晶体管，使上述像素晶体管隔着上述第二坐标检测布线配置在远离上述第二坐标检测布线的侧方，
上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部配置在与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管之间的间隔中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部配置成一对。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管的在上述第一方向上的间隔，比上述成一对的上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部的在上述第一方向上的长度长。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述成一对的上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部配置在上述第一坐标检测布线上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具备沿着上述第一方向配设并向上述多个像素晶体管供给扫描信号的多个扫描线，
上述扫描线配置在上述像素电极与上述第一坐标检测布线之间的间隔中，具有从上述扫描线朝向上述第一坐标检测布线伸出的伸出部，
上述伸出部成为上述像素晶体管的栅极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具有液晶层，该液晶层被封入上述多个像素电极和上述对置电极之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具有被封入到上述多个像素电极和上述对置电极之间的带电的电泳粒子。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具备多个基座部，该基座部具有分别保持上述多个第一坐标检测部与上述对置电极之间的间隔及上述多个第二坐标检测部与上述对置电极之间的间隔的间隔件，并将在未受到上述按压时的上述第一接点及上述第二接点与上述对置电极之间的间隔设定为预先设定的接点间隔，
上述第二坐标检测布线配设在上述多个像素电极之中在上述第一方向上连续排列的第五像素电极、第六像素电极、第七像素电极及第八像素电极中的、上述第六像素电极与上述第七像素电极之间的间隔中，
在上述第五像素电极与上述第六像素电极之间的间隔、以及上述第七像素电极与上述第八像素电极之间的间隔中的一方间隔中，配设2条上述信号线，
在上述第六像素电极和上述第七像素电极上分别连接上述像素晶体管，使上述像素晶体管隔着上述第二坐标检测布线配置在远离上述第二坐标检测布线的侧方，
上述基座部配置在与上述第六像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第七像素电极连接的上述像素晶体管之间的间隔中。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
与上述第六像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第七像素电极连接的上述像素晶体管的在上述第一方向上的间隔，比上述基座部的在上述第一方向上的长度长。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
上述基座部配置在上述第一坐标检测布线上。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
还具备沿着上述第一方向配设并向上述多个像素晶体管供给扫描信号的多个扫描线，
上述扫描线配置在上述像素电极与上述第一坐标检测布线之间，具有从上述扫描线向着上述第一坐标检测布线伸出的伸出部，
上述伸出部成为上述像素晶体管的栅极。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
上述多个信号线和上述多个第二坐标检测布线，在上述多个像素电极之中连续排列在上述第一方向上的上述像素电极的连续的多个间隔中，按照1条上述信号线、1条上述第二坐标检测布线、2条上述信号线的配置顺序，或者，按照2条上述信号线、1条上述第二坐标检测布线、1条上述信号线的配置顺序重复配设。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部分别以成为一对的方式沿着上述第一方向形成，在上述第一坐标检测布线和上述第二坐标检测布线的交叉部分上，在沿着上述第一方向的行上对每2个上述交叉部分配置一对上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部，并且，在上述第二方向上相邻的每个行上，在上述第一方向上错开1个上述交叉部分地配置，
上述多个基座部沿着上述第一方向形成，配置在除了配置有上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部以外的上述交叉部分上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部分别配置于在受到上述按压时在上述对置电极上产生最大弯曲量的部位上。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部分别以成为一对的方式沿着上述第一方向形成，在上述第一坐标检测布线和上述第二坐标检测布线的交叉部分上，在上述第一方向上对每2个上述交叉部分配置一对上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部，并且，在上述第二方向上在每个上述交叉部分上配置一对上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部，
上述多个基座部沿着上述第一方向形成，配置在除了配置有上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部以外的上述交叉部分上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
上述多个第一坐标检测部及上述多个第二坐标检测部分别配置于在受到上述按压时在上述对置电极上产生最大弯曲量的部位上。
17.一种显示装置，其特征在于，
具备：
多个像素电极，分别在第一方向及与上述第一方向不同的第二方向上排列；
对置电极，与上述多个像素电极对置配置；
多个像素晶体管，分别连接于上述多个像素电极；
多个第一坐标检测布线，沿着上述第一方向配设；
多个第二坐标检测布线，沿着上述第二方向配设；
多个信号线，沿着上述第二方向配设，向上述多个像素晶体管供给显示信号；
多个第一坐标检测部，分别具有第一接点，并分别与上述多个第一坐标检测布线连接，通过受到来自外部的按压而使上述第一接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第一坐标检测布线导通；
多个第二坐标检测部，分别具有第二接点，并分别与上述多个第二坐标检测布线连接，通过受到来自上述外部的上述按压而使上述第二接点接触上述对置电极，从而使上述对置电极和上述第二坐标检测布线导通；以及
多个基座部，该基座部具有分别保持上述多个第一坐标检测部与上述对置电极之间的间隔及上述多个第二坐标检测部与上述对置电极之间的间隔的间隔件，并将在未受到上述按压时的上述第一接点及上述第二接点与上述对置电极之间的间隔设定为预先设定的接点间隔，
上述第二坐标检测布线配设在上述多个像素电极之中在上述第一方向上连续排列的第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极及第四像素电极中的、上述第二像素电极与上述第三像素电极之间的间隔中，
在上述第一像素电极与上述第二像素电极之间的间隔、以及上述第三像素电极与上述第四像素电极之间的间隔中的一个间隔中配设2条上述信号线，并且，在另一个间隔中配设1条上述信号线，
在上述第二像素电极和上述第三像素电极上分别连接了上述像素晶体管，使上述像素晶体管隔着上述第二坐标检测布线配置在远离上述第二坐标检测布线的侧方，
上述基座部、或上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部，配置在与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管之间的间隔中。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
与上述第二像素电极连接的上述像素晶体管和与上述第三像素电极连接的上述像素晶体管的在上述第一方向上的间隔，比上述第一坐标检测部及上述第二坐标检测部的在上述第一方向上的长度长，且比上述基座部的在上述第一方向上的长度长。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
还具有液晶层，该液晶层被封入上述多个像素电极和上述对置电极之间。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，
还具有被封入到上述多个像素电极和上述对置电极之间的带电的电泳粒子。
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