TWI733479B - 可撓式微型元件顯示面板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可撓式微型元件顯示面板，包含基板、多個微型發光元件、第一走線以及備用導電件。所述基板包含顯示區，顯示區具有彎折區域與非彎折區域。所述多個多個微型發光元件設置於基板上並位於顯示區中。第一走線設置於第一金屬層中，且第一走線經過彎折區域。備用導電件設置於第二金屬層中，電性連接第一走線，第一金屬層與第二金屬層設置於基板上且與基板距離不同。其中備用導電件不設置在非彎折區域內。
Description
本發明係關於一種顯示面板，特別是關於一種包含彎折區域的可撓式微型元件顯示面板。
隨著半導體技術的進步，顯示面板已不限制於平面的結構，市面上越來越多的顯示器與電子產品開始使用曲面或可摺疊的可撓式微型元件顯示面板。然而，將可撓式微型元件顯示面板彎折有可能使可撓式微型元件顯示面板內部結構受到破壞，例如在彎折區域內的走線可能因為彎折的應力而斷裂。實務上，走線斷裂表示著各種顯示信號的傳輸路徑被截斷，將會導致在彎折區域周邊或整體的顯示畫面出現程度不一的異常，也降低了可撓式微型元件顯示面板的良率。據此，業界需要一種新的可撓式微型元件顯示面板，能夠減少信號的傳輸路徑在彎折區域被截斷的風險，從而可以提高可撓式微型元件顯示面板的良率。
本發明提供了一種可撓式微型元件顯示面板，在可撓式微型元件顯示面板的彎折區域內具有備用導電件，備用導電件可以提供另一條信號傳輸路徑，減少信號在彎折區域內的傳遞問題。
本發明提供一種可撓式微型元件顯示面板，包含基板、多個微型發光元件、第一走線以及複數個備用導電件。所述基板包含顯示區，顯示區具有彎折區域與非彎折區域。所述多個多個微型發光元件設置於基板上並位於顯示區中。第一走線設置於第一金屬層中，且第一走線經過彎折區域。複數個備用導電件彼此間隔地設置於第二金屬層中，電性連接第一走線，第一金屬層與第二金
屬層設置於基板上且與基板距離不同。其中該複數個備用導電件不設置在非彎折區域內。於彎折區域內設置有導電柱，導電柱用以電性連接第一金屬層與第二金屬層。
於一些實施例中，第一走線可以經由導電柱電性連接所述複數個備用導電件，導電柱分別接觸第一金屬層與第二金屬層，且導電柱可以位於彎折區域內。此外，可撓式微型元件顯示面板更可以包含基板，第一金屬層與第二金屬層層疊地設置於基板上，導電柱遠離基板的第一端具有第一截面積，導電柱接近基板的第二端具有第二截面積，第一截面積大於第二截面積。另外，可撓式微型元件顯示面板還可以定義有出光面，其中於出光面的法線方向上，所述複數個備用導電件的投影重疊於第一走線的投影。
於一些實施例中，可撓式微型元件顯示面板更可以包含設置於基板上的元件結構層，元件結構層可以包含線路元件層與發光元件層，其中線路元件層可以包含第一走線與所述複數個備用導電件，發光元件層可以包含所述多個微型發光元件，線路元件層電性連接發光元件層以控制所述多個微型發光元件發光。此外，第一走線可以用以傳遞第一信號，在彎折區域內第一信號具有兩條傳輸路徑，在非彎折區域第一信號具有一條傳輸路徑。
本發明提供了一種可撓式微型元件顯示面板，在可撓式微型元件顯示面板的彎折區域內，走線可以在不同的金屬層中傳輸信號，減少信號在彎折區域內的傳遞問題。
本發明提供一種可撓式微型元件顯示面板包含基板以及第一走線。所述基板包含顯示區，顯示區具有彎折區域與非彎折區域。所述第一走線用以傳遞第一信號。其中於彎折區域內，第一信號電性連接至第一信號傳輸路徑與第二信號傳輸路徑，第一信號傳輸路徑係經過第一金屬層，第二信號傳輸路徑係
經過第二金屬層，且第二金屬層相對第一金屬層間隔分布於基板。其中於彎折區域內設置有導電柱，導電柱用以電性連接第一金屬層與第二金屬層。
於一些實施例中，於非彎折區域內，第一信號可以只電性連接一條傳輸路徑。此外，第一信號於彎折區域內更可以包含第三信號傳輸路徑，第三信號傳輸路徑係經過第一金屬層與第二金屬層。
綜上所述，本發明提供的可撓式微型元件顯示面板設計了不同的走線方式，例如本發明示範的走線在可撓式微型元件顯示面板的彎折區域內可以電性連接到多個金屬層，並經由多個金屬層傳輸信號。由於走線可以不限於在同一個金屬層中，縱使其中一層的金屬層在彎折區域內斷裂，也不至於影響信號在彎折區域內的傳遞。
1:可撓式微型元件顯示面板
10:基板
110:顯示區
12、12’、12”、12''':元件結構層
12a:出光面
12b:出光面
121:線路元件層
122:發光元件層
20:第一走線
22、24:備用導電件
A:彎折區域
NA:非彎折區域
C1、C2、C3、C4、C5、C6:信號傳輸路徑
M1、M2、M3:金屬層
V1、V2、V3、V4、V5、V6:導電柱
p1~p4:節點
圖1A係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的立體示意圖。
圖1B係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的上視示意圖。
圖1C係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的側視示意圖。
圖1D係繪示依據本發明另一實施例之可撓式微型元件顯示面板的側視示意圖。
圖2係繪示依據本發明一實施例之元件結構層的示意圖。
圖3係繪示本發明一實施例之元件結構層於線路元件層斷裂後的示意圖。
圖4係繪示依據本發明另一實施例之元件結構層的示意圖。
圖5係繪示依據本發明再一實施例之元件結構層的示意圖。
圖6A係繪示依據本發明又一實施例之元件結構層的示意圖。
圖6B係繪示本發明又一實施例之元件結構層於線路元件層斷裂後的示意圖。
圖7係繪示依據本發明更一實施例之元件結構層的示意圖。
下文將進一步揭露本發明之特徵、目的及功能。然而，以下所述者，僅為本發明之實施例，當不能以之限制本發明之範圍，即但凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化及修飾，仍將不失為本發明之要意所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故應將視為本發明的進一步實施態樣。
請一併參閱圖1A、圖1B與圖1C，圖1A係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的立體示意圖，圖1B係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的上視示意圖，圖1C係繪示依據本發明一實施例之可撓式微型元件顯示面板的側視示意圖。如圖所示，本實施例揭露的可撓式微型元件顯示面板1可以用來顯示畫面，並且在可撓式微型元件顯示面板1中包含用以顯示畫面的顯示區110，顯示區110可以具有彎折區域A與非彎折區域NA，。在此，本實施例的彎折區域A有可能是可撓式微型元件顯示面板1帶有固定曲度的區域，例如彎折區域A有可能對應手機或平板電腦螢幕的弧形邊緣。以圖1A的例子來說，可撓式微型元件顯示面板1的彎折區域A也有可能是不具備固定曲度的區域，彎折區域A可以在0度到180度之間彎曲，例如彎折區域A有可能對應摺疊式手機或平板電腦螢幕的彎折處。換句話說，本實施例的圖式並不用於限制彎折區域A的彎曲程度，也不用於限制彎折區域A在可撓式微型元件顯示面板1中的相對位置。另外，本實施例的非彎折區域NA有可能是可撓式微型元件顯示面板1的一個不具備彎折功能且大致上為平面的區域，本實施例不特別指出非彎折區
域NA的所在位置。舉例來說，在上述彎折區域A以外的部分，實務上都可以被看成非彎折區域NA。
此外，可撓式微型元件顯示面板1中可以包含基板10與元件結構層12，元件結構層12係設置於基板10一側的表面上。於一個例子中，元件結構層12包括一線路元件層121以及一發光元件層122，且定義元件結構層12相反於基板10的頂面為出光面12a。線路元件層121設有層疊的多個金屬層做為用於傳遞信號的走線。在此，線路元件層121還可以包含互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)或是薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)等主動元件，或是電容等被動元件，本實施例在此不加以限制。發光元件層122包含多個微型發光元件，所述多個微型發光元件是一種主動式發光元件，可以例如是垂直式或覆晶式的微型發光二極體、或有機發光二極體。於本實施例中，以微型發光二極體為一種實施態樣，且在每一畫素中分別包含紅光、綠光以及藍光微型發光二極體。另外，某些實施例元件結構層12亦可包含到其他微型元件，包括微型積體電路、微型雷射二極體、微型感測元件。此外，基板10可以是玻璃載板、藍寶石載板(Sapphire)、矽載板(Si)或氧化鋁載板(Al2O3)，所述多個微型元件也有可能是利用巨量轉移的方式被設置於基板10上。
此外，雖然圖1C的實施例定義了元件結構層12相反於基板10的頂面(例如圖1C的上方)為出光面12a，但本實施例不限制於圖1C的例子。請參閱圖1D，圖1D係繪示依據本發明另一實施例之可撓式微型元件顯示面板的側視示意圖。與圖1C相同的是，可撓式微型元件顯示面板1中同樣可以包含基板10與元件結構層12，且元件結構層12係設置於基板10一側的表面上。此外，元件結構層12也可以包含線路元件層121以及發光元件層122。其中，線路元件層121可以同樣設有層疊的多個金屬層做為用於傳遞信號的走線，發光元件層122可以同樣包
含多個微型發光元件。於一個例子中，發光元件層122會電性連接線路元件層121，並且可以藉由線路元件層121傳遞驅動信號給發光元件層122，從而可以驅動控制發光元件層122中的微型發光元件發光以顯示影像。與圖1C不同的是，在圖1D發光元件層122和線路元件層121的層疊關係中，發光元件層122較靠近基板10，上面再疊線路元件層121，使得發光元件層122大致上在基板10和線路元件層121之間。此外，圖1D發光元件層122中的多個微型發光元件的發光方向相是朝向基板10發光，有別於圖1C繪示的出光面12a在可撓式微型元件顯示面板1的上方側，圖1D繪示的出光面12b則是在可撓式微型元件顯示面板1的下方側。
為了更清楚說明可撓式微型元件顯示面板1的彎折區域A內的元件結構層12，請一併參閱圖1A、圖1B與圖2，圖2係繪示依據本發明一實施例之元件結構層的示意圖。詳細來說，圖2示範了部分元件結構層12的內部結構，而圖2大致上可以看成圖1B沿BB線的的剖面圖。雖然圖2的元件結構層12中，標示了多層的金屬層(第一金屬層M1與第二金屬層M2)以及多個導電柱(導電柱V1與導電柱V2)，但並不以此為限。舉例來說，元件結構層12中除了可以有多層的金屬層與導電柱之外，還會有填充於金屬層之間的間隔材料、絕緣材料或功能性元件。此外，圖2的元件結構層12大致上繪示了圖1C中屬於線路元件層121的部分，為了圖面的簡潔，圖2中未特別標示出線路元件層以及其他多層的金屬層與導電柱以外的元件。
此外，本實施例不限制金屬層的數量，雖然圖2僅繪示了第一金屬層M1與第二金屬層M2，但目的是為了方便說明，元件結構層12中還有可能包含更多層疊設置的金屬層。於一個例子中，第一金屬層M1與第二金屬層M2層疊地設置於元件結構層12中，且元件結構層12設置於基板10上。另外，為了減少寄生電容的效應，導電柱V1與導電柱V2可以非圓柱形，例如導電柱V1與導電柱V2
遠離基板10的一端可以較粗，而接近基板10的一端較細。舉例來說，假設基板10的相對位置在圖2的下方，則第一金屬層M1相對來說較遠離基板10，第二金屬層M2相對來說較接近基板10。此時，導電柱V1與導電柱V2接觸第一金屬層M1的截面積(第一截面積)會大於接觸第二金屬層M2的截面積(第二截面積)。
當然，本實施例不以圖2限制導電柱的數量與形狀，並且不限制導電柱與各個金屬層的相對位置。並且，本實施例也不限制第一金屬層M1、第二金屬層M2、導電柱V1與導電柱V2的材料，例如第一金屬層M1、第二金屬層M2、導電柱V1與導電柱V2可以選用鋁、鋁合金或矽化金屬等導電性較高的材料製成，或使用延展性較高的金屬，例如金、銀、鉑、鎳、銅、鋁、鋅等，於所屬技術領域具有通常知識者可以自行選擇。值得一提的是，本實施例不限制第一金屬層M1相鄰於第二金屬層M2，例如第一金屬層M1和第二金屬層M2之間還有可能包含其他的金屬層。
如圖2所示，部分的第一金屬層M1可以被設計做為第一走線20，第一走線20用來傳遞指定的信號(第一信號)，所述信號可以例如是顯示資料或驅動信號。此時，部分的第二金屬層M2在彎折區域A內可以被設計做為備用導電件22，備用導電件22電性連接到第一走線20，並且同樣可以用來傳遞指定的信號(第一信號)。於一個例子中，假設所述信號要從彎折區域A的左側傳遞向右側，則本實施例可以定義所述信號沿著第一走線20(也就是第一金屬層M1)的傳輸路徑為信號傳輸路徑C1(第一信號傳輸路徑)。並且，所述信號從第一金屬層M1開始，流經導電柱V1、備用導電件22(也就是第二金屬層M2)與導電柱V2，再回到第一金屬層M1的傳輸路徑可以被定義為信號傳輸路徑C2(第二信號傳輸路徑)。換句話說，圖2繪示的第一信號在進入彎折區域A之前(例如在彎折區域A左側，非彎折區域NA中)，係在第一金屬層M1中傳輸。在彎折區域A內，第一信號可以
同時在第一金屬層M1以及第二金屬層M2中傳輸。在離開彎折區域A後(例如在彎折區域A的右側)，第一信號又繼續在第一金屬層M1中傳輸。
由圖2也可以看出，本實施例的備用導電件22只會設置在彎折區域A內，而不設置在非彎折區域NA內。換句話說，在彎折區域A內，第一信號可以具有兩條傳輸路徑，例如第一信號傳輸路徑和第二信號傳輸路徑。在非彎折區域NA內，第一信號則只具有一條傳輸路徑，例如第一信號傳輸路徑。有別於一般顯示面板在彎折區域A內仍是用單一個金屬層傳輸訊號，本實施例在彎折區域A內的第一信號可以同時存在多個電性導通的信號傳輸路徑，以預防其中一個路徑斷路或損壞。
於一個例子中，彎折區域A中的元件結構層12因為被彎曲，而內部會承受較大的應力。假設線路元件層中的第一金屬層M1斷裂，則可以參閱圖3，圖3係繪示本發明一實施例之元件結構層於線路元件層斷裂後的示意圖。如圖所示，由於在彎折區域A內，第一信號可以同時在第一金屬層M1以及第二金屬層M2中傳輸，縱使第一金屬層M1受到應力破壞，也僅僅是信號傳輸路徑C1被截斷，而第一信號還是可以經由信號傳輸路徑C2傳輸。由此可知，傳統的可撓式微型元件顯示面板在彎折區域內沒有特殊的走線設計，還是經由單層的金屬層傳輸信號。一旦傳統的可撓式微型元件顯示面板用於走線的金屬層斷裂，會直接造成顯示畫面的異常。相比之下，本實施例的可撓式微型元件顯示面板1在彎折區域內除了利用走線傳輸信號之外，還使用了其他金屬層做為備用導電件，降低了顯示畫面異常的可能性。
本實施例雖然不限制第一走線20和備用導電件22的相對關係，但應可以理解，由於第一走線20和備用導電件22分別屬於不同層的金屬層，第一走線20和備用導電件22在垂直方向(例如圖2的上下方向)可以有間隔距離。於一個例子中，如果從圖1B的出光面12a的法線方向看入，第一走線20可以恰好在備用
導電件22上方。換句話說，從出光面12a的法線方向看入時，備用導電件22的投影會剛好部分或全部地重疊於第一走線20的投影。值得一提的是，雖然圖2將導電柱V1與導電柱V2繪示在彎折區域A中，但本實施例不以此為限，例如導電柱V1與導電柱V2可以都在彎折區域A外，或者在彎折區域A內僅有一個導電柱。於所屬技術領域具有通常知識者應可以理解，只要在彎折區域A內有兩條以上的信號傳輸路徑，且兩條以上的信號傳輸路徑位在不同的金屬層中，即可以避免單一層金屬層斷裂而造成顯示畫面異常的風險。
此外，雖然圖2繪示了信號傳輸路徑C2會經過一次第二金屬層M2中的備用導電件22，但本實施例不限制備用導電件22的數量。請參閱圖4，圖4係繪示依據本發明另一實施例之元件結構層的示意圖。如圖4所示，在彎折區域A內可以包含兩個以上的備用導電件22(複數個備用導電件)，使得信號傳輸路徑C2也可以反覆、多次地經過第一金屬層M1以及第二金屬層M2。與圖2實施例相同的是，本實施例當第一金屬層M1中的第一走線20斷裂時，第二金屬層M2中的備用導電件22也可以提供備用的傳輸路徑(信號傳輸路徑C2)。實務上，圖4實施例可以看成多段式的備用導電件22，例如節點p1到p2、節點p2到p3、節點p3到p4中間各有一段備用導電件22。複數個備用導電件22彼此間隔地設置於第二金屬層M2中。有別於圖2實施例中較長的備用導電件22，圖4實施例縮短了每個備用導電件22的長度，也可以減少備用導電件22斷裂的風險。舉例來說，假設節點p1到p2中的備用導電件22如果斷裂，不影響節點p2到p3、節點p3到p4中的備用導電件22正常工作，有助於更進一步降低顯示畫面異常的風險。
請一併參閱圖2與圖5，圖5係繪示依據本發明再一實施例之元件結構層的示意圖。與圖2相同的是，元件結構層12’同樣包含了第一金屬層M1、第二金屬層M2、導電柱V1與導電柱V2，部分的第一金屬層M1可以被設計做為第一走線20，並且部分的第二金屬層M2可以被設計做為備用導電件22。此外，
信號同樣可以經由第一走線20進行傳遞，且沿著第一金屬層M1的傳輸路徑可以被定義為信號傳輸路徑C1。
與圖2不同的是，元件結構層12’的導電柱V1與導電柱V2設置的位置是在彎折區域A之外，且元件結構層12’還更具有第三金屬層M3、導電柱V3與導電柱V4，部分的第三金屬層M3可以被設計做為另一個備用導電件24。在此，信號在彎折區域A內流經備用導電件22(第二金屬層M2)再到第三金屬層M3的傳輸路徑可以被定義為信號傳輸路徑C2。由圖5可知，本實施例不限制導電柱V1與導電柱V2是否要在彎折區域A內，縱使導電柱V1與導電柱V2不在彎折區域A內，也不妨礙信號傳輸路徑C2傳輸信號，只要至少部分的備用導電件22在彎折區域A內即可維持顯示畫面正常。此外，本實施例也示範了在彎折區域A內可以具有多條不同的信號傳輸路徑，於所屬技術領域具有通常知識者應可以理解，縱使部分的金屬層在彎折區域A內受到應力破壞，只要不是所有的信號傳輸路徑都被截斷，仍然可以使顯示畫面維持正常。另外，相比於圖2來說，圖5中的備用導電件24第三金屬層M3中，由於和第一金屬層M1隔開較遠，應當更能減少不同層金屬間的電性干擾。
請一併參閱圖5與圖6A，圖6A係繪示依據本發明再一實施例之元件結構層的示意圖。與圖5相同的是，元件結構層12”同樣包含了第一金屬層M1、第二金屬層M2、第三金屬層M3、導電柱V1、導電柱V2、導電柱V3與導電柱V4。同樣地，部分的第一金屬層M1可以被設計做為第一走線20，部分的第二金屬層M2可以被設計做為備用導電件22，部分的第三金屬層M3可以被設計做為另一個備用導電件24。
與圖5不同的是，元件結構層12”對應的彎折方向可以不同，且第一走線20在第一金屬層M1中可以是分段的，並且第一金屬層M1可以經過導電柱V3與導電柱V4直接連接第三金屬層M3。於一個例子中，假設基板10的相對位置
在圖6A的下方，也就是基板10上依序層疊第三金屬層M3、第二金屬層M2、以及第一金屬層M1，當基板10於彎折區域A內兩側下凹時，第一金屬層M1相對來說較遠離基板10且會承受較大的應力。此時，由於第一走線20在第一金屬層M1中是分段的，應可以分散第一走線20在彎折區域A內的應力，避免在其他地方發生不可預期的斷裂。於一個例子中，第一走線20在第一金屬層M1中還可以分更多段，本實施例在此不限制分段的數量。此外，由圖5可知，由於分段後的第一走線20還是會連接到備用導電件22，因此第一走線20仍可以傳輸信號，且於彎折區域A內的信號傳輸路徑C4(第四信號傳輸路徑)可以經過第一金屬層M1以及第二金屬層M2。另外，於彎折區域A內的信號傳輸路徑C5(第五信號傳輸路徑)可以經過第三金屬層M3中的備用導電件24，由於第三金屬層M3相對來說較接近基板10且應力相對較小，可以理解備用導電件24較不容易受到應力破壞，並可以確保顯示畫面維持正常。
再參閱圖6B，圖6B係繪示本發明又一實施例之元件結構層於線路元件層斷裂後的示意圖。在此，圖6B是圖6A實施例之元件結構層12”另一實施態樣的示意圖。圖6B的元件結構層12'''與圖6A的之元件結構層12”不同的是導電柱的連接設置。導電柱V5、V6設置於備用導電件22(第二金屬層M2)與備用導電件24(第三金屬層M3)之間。假設基板10的相對位置在圖6B的下方，也就是基板10上依序層疊第三金屬層M3、第二金屬層M2、以及第一金屬層M1，當基板10於彎折區域A內兩側下凹時，第三金屬層M3在曲率最大處斷裂，第一走線20的欲傳遞的信號仍可經由信號傳輸路徑C6(第六信號傳輸路徑)傳遞、確保顯示畫面維持正常。
另一方面，請一併參閱圖4與圖7，圖7係繪示依據本發明更一實施例之元件結構層的示意圖。有鑑於圖4實施例縮短了每個備用導電件22的長度，以減少備用導電件22斷裂的風險。於圖7的實施例中，在彎折區域A內將第
一走線20(第一金屬層M1)分成多段，意味著縮短了每一段的第一走線20，此時，由於信號傳輸路徑C1中的每一段第一走線20、備用導電件22都是用長度較短的金屬連接，減少彎折時發生斷線的可能性。此外，由於第一走線20、備用導電件22長度愈長彎曲時斷裂風險愈大，太短則在訊號傳輸上失真的干擾則愈大。實務上，每一段第一走線20、備用導電件22的長度可以相同或不同，較佳的是每一段第一走線20、備用導電件22的長度要小於0.1*πR。R是折疊曲率半徑。例如當折疊曲率半徑R為1.5mm時，第一走線20、備用導電件22的長度小於470um、同時不短於畫素長度為佳。
綜上所述，本發明提供的可撓式微型元件顯示面板在彎折區域處設計了備用導電件，由於原本的信號走線和備用導電件在不同的金屬層中，縱使其中一層的金屬層在彎折區域內斷裂，也不至於影響信號在彎折區域內的傳遞。
12:元件結構層
20:第一走線
22:備用導電件
A:彎折區域
C1、C2:信號傳輸路徑
M1、M2:金屬層
V1、V2:導電柱
Claims (9)
- 一種可撓式微型元件顯示面板，包含：一基板，包含一顯示區，該顯示區具有一彎折區域與一非彎折區域；多個微型發光元件，設置於該基板上並位於該顯示區中；一第一走線，設置於一第一金屬層中，且該第一走線經過該彎折區域；以及複數個備用導電件，彼此間隔地設置於一第二金屬層中，電性連接該第一走線，該第一金屬層與該第二金屬層設置於該基板上且與該基板距離不同；其中該些備用導電件不設置在該非彎折區域內；其中於該彎折區域內設置有一導電柱，該導電柱用以電性連接該第一金屬層與該第二金屬層。
- 如請求項1所述之可撓式微型元件顯示面板，其中該第一走線經由一導電柱電性連接該些備用導電件，該導電柱分別接觸該第一金屬層與該第二金屬層，且該導電柱位於該彎折區域內。
- 如請求項2所述之可撓式微型元件顯示面板，其中該第一金屬層與該第二金屬層層疊地設置於該基板上，該導電柱遠離該基板的一第一端具有一第一截面積，該導電柱接近該基板的一第二端具有一第二截面積，該第一截面積大於該第二截面積。
- 如請求項2所述之可撓式微型元件顯示面板，更定義有一出光面，其中於該出光面的一法線方向上，該些備用導電件的投影重疊於該第一走線的投影。
- 如請求項1所述之可撓式微型元件顯示面板，更包含設置於該基板上的一元件結構層，該元件結構層包含一線路元件層與一發光元件層，其中該線路元件層包含該第一走線與該些備用導電件，該發光元件層包含該些微型發光元件，該線路元件層電性連接該發光元件層以控制該些微型發光元件發光。
- 如請求項1所述之可撓式微型元件顯示面板，其中該第一走線傳遞一第一信號，在該彎折區域內該第一信號具有兩條傳輸路徑，在該非彎折區域該第一信號具有一條傳輸路徑。
- 一種可撓式微型元件顯示面板，包含.一基板，包含一顯示區，該顯示區具有一彎折區域與一非彎折區域；以及一第一走線，用以傳遞一第一信號；其中於該彎折區域內，該第一信號電性連接至一第一信號傳輸路徑與一第二信號傳輸路徑，該第一信號傳輸路徑係經過一第一金屬層，該第二信號傳輸路徑係經過一第二金屬層，且該第二金屬層相對該第一金屬層間隔分布於該基板；其中於該彎折區域內設置有一導電柱，該導電柱用以電性連接該第一金屬層與該第二金屬層。
- 如請求項7所述之可撓式微型元件顯示面板，其中於該非彎折區域內，該第一信號只電性連接一條傳輸路徑。
- 如請求項7所述之可撓式微型元件顯示面板，其中於該彎折區域內更包含一第三信號傳輸路徑，該第三信號傳輸路徑係經過該第一金屬層與該第二金屬層。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI538592B (zh) * | 2012-11-16 | 2016-06-11 | 蘋果公司 | 可撓式顯示器 |
| TWM568468U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-10-11 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | Flexible display panel and flexible display device |
| CN111063257A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN111128029A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠显示面板以及折叠显示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8813012B2 (en) * | 2012-07-16 | 2014-08-19 | Synopsys, Inc. | Self-aligned via interconnect using relaxed patterning exposure |
| CN106782122B (zh) | 2016-12-26 | 2019-03-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及装置 |
| CN108389869B (zh) * | 2018-03-01 | 2020-09-22 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示面板 |
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| CN109148487B (zh) | 2018-08-30 | 2021-02-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板 |
| CN109147574B (zh) | 2018-10-10 | 2020-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| US11270936B2 (en) * | 2018-10-31 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit including supervia and method of making |
| CN109949711B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-08-31 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| CN110600509A (zh) | 2019-08-22 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠oled显示面板 |
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| CN111048566B (zh) | 2019-12-20 | 2022-04-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
-
2020
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- 2020-12-29 US US17/136,029 patent/US12080686B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI538592B (zh) * | 2012-11-16 | 2016-06-11 | 蘋果公司 | 可撓式顯示器 |
| TWM568468U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-10-11 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | Flexible display panel and flexible display device |
| CN111063257A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN111128029A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠显示面板以及折叠显示装置 |
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