DE102016203356B4 - Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, Verfahren zum Bilden derselben und Berührungsanzeigevorrichtung - Google Patents

Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, Verfahren zum Bilden derselben und Berührungsanzeigevorrichtung Download PDF

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Abstract

Eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur für eine Berührungserfassung und - anzeige, die folgende Merkmale aufweist:ein Substrat (100);eine Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung auf dem Substrat erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten (120) aufweist, die in der ersten Richtung mit einem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet sind;eine Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130), die in einer selben Schicht wie die Mehrzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat (100) angeordnet sind, wobei die Berührungselektrodenleitungen (130) sich in einer zweiten Richtung erstrecken, jede Berührungselektrodenleitung (130) in dem Abstand zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung (130) mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) nicht in Kontakt ist;eine erste dielektrische Schicht (200), die auf der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130) angeordnet ist;eine Mehrzahl von Datenleitungen (210), die auf der ersten dielektrischen Schicht (200) angeordnet sind, wobei jede der Mehrzahl von Datenleitungen (210) entsprechend oberhalb der Berührungselektrodenleitungen (130) angeordnet ist;eine zweite dielektrische Schicht (300), die auf der Mehrzahl von Datenleitungen (210) angeordnet ist;eine Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310), die auf der zweiten dielektrischen Schicht (300) angeordnet sind;eine Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern (141) durch die erste dielektrische Schicht (200) und die zweite dielektrische Schicht (300), wobei die erste Verbindungsstruktur (310) mit benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) durch das erste Durchgangsloch (141) verbunden ist;eine dritte dielektrische Schicht (400), die auf der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) angeordnet ist;eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht (410), die auf der dritten dielektrischen Schicht (400) angeordnet ist;eine Mehrzahl zweiten Durchgangslöchern (142) durch die erste dielektrische Schicht (200) und die zweite dielektrische Schicht (300); undeine Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern (330) durch die dritte dielektrische Schicht (400),wobei jede Berührungselektrode mit einer Berührungselektrodenleitung (130) durch das zweite Durchgangsloch (142) und das dritte Durchgangsloch (330) verbunden ist.

Description

  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich allgemein auf das Gebiet einer Anzeige und insbesondere auf eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, ein Verfahren zum Bilden der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur und eine Berührungsanzeigevorrichtung.
  • Hintergrund
  • Anzeigevorrichtungen sind aufgrund der Vorteile wie beispielsweise eine geringe Größe, ein geringes Gewicht und schwache Strahlung in verschiedenen Gebieten weit verbreitet. Einige Anzeigevorrichtungen im Stand der Technik weisen Berührungsfunktionen auf. Allgemein ist eine gemeinsame Elektrode in der Anzeigevorrichtung in mehrere Blöcke unterteilt, gemeinsame Elektroden in jedem Block verwenden gemeinschaftlich eine Berührungselektrode. Im Stand der Technik ist für jede Berührungselektrode eine Anschlussleitung angeordnet, um zu ermöglichen, dass jede Berührungselektrode Signale ausgibt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Arraysubstrat in einer Mid-Com-Struktur (= Struktur eines Arraysubstrats, bei der sich die gemeinsame Elektrode zwischen dem Glassubstrat und der Pixelelektrode befindet) im Stand der Technik als ein Beispiel verwendet. Das Arraysubstrat in der Mid-Com-Struktur umfasst eine Gateschicht 2, die auf einem Substrat 1 gebildet ist, eine Isolierschicht 3 auf der Gateschicht 2, eine Transistorstruktur 5, eine Signalleitung 4 zum Verbinden der Transistorstruktur 5 und eine Isolierschicht 6 auf der Isolierschicht 3, eine gemeinsame Elektrode 10 auf der Isolierschicht 6, eine Pixelelektrode 9 auf einer Isolierschicht 8 und eine Signalleitung 11 auf der Isolierschicht 8, elektronisch verbunden mit der gemeinsamen Elektrode 10, wobei die Signalleitung 11 ausgebildet ist, in einer Berührungszeitspanne der gemeinsamen Elektrode 10 als eine Signalverdrahtung verwendet zu werden. Das heißt, im Stand der Technik ist ein zusätzlicher Schritt erforderlich, um die Signalleitung 11 als eine Berührungselektrodenleitung zu bilden.
  • Andere Strukturen (beispielsweise eine Top-Com-Struktur (= Struktur eines Arraysubstrats, bei der sich die Pixelelektrode zwischen dem Glassubstrat und der gemeinsamen Elektrode befindet)) im Stand der Technik erfordern ebenfalls den zusätzlichen Schritt, um die obigen Signalleitungen zu bilden. Daher ist der gesamte Herstellungsprozess kompliziert und die Kosten für die Herstellung sind hoch.
  • Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Druckschrift EP 2 357 513 A1 enthält: eine erste Hilfsleitung, die mit dem Sperrmuster und unterhalb einer Gate-Leitung verbunden ist; eine zweite Hilfsleitung in jedem Berührungsblock und auf derselben Schicht wie die Gate-Leitung angeordnet und aus demselben Material wie diese hergestellt; ein erstes Verbindungsmuster, das die ersten und zweiten Hilfsleitungen kontaktiert; eine gemeinsame Elektrode in jedem Berührungsblock; x- und y-Erfassungsleitungen auf der gemeinsamen Leitung und jeweils die Gate- und Datenleitungen überlappend; eine Pixelelektrode in jedem Pixelbereich, die mit einer Drain-Elektrode durch ein Drain-Kontaktloch verbunden ist und eine Vielzahl von Öffnungen enthält; und ein zweites Verbindungsmuster, das das erste Verbindungsmuster und die x-Erfassungsleitung durch erste bzw. zweite Kontaktlöcher kontaktiert.
  • Die Druckschrift US 2013 / 0 162 570 A1 offenbart eine LCD-Vorrichtung, wobei die LCD-Vorrichtung Gate- und Datenleitungen umfasst, die einander kreuzen, um mehrere Pixel auf einem unteren Substrat zu definieren; eine Pixelelektrode in jedem der mehreren Pixel; mehrere gemeinsame Elektrodenblöcke, die auf der von der Pixelelektrode verschiedenen Schicht strukturiert sind, wobei die gemeinsamen Elektrodenblöcke zusammen mit der Pixelelektrode ein elektrisches Feld bilden und eine Berührung eines Benutzers erfassen; und mehrere Erfassungsleitungen, die elektrisch mit den gemeinsamen Elektrodenblöcken verbunden sind, wobei, wenn die Erfassungsleitung elektrisch mit einem der gemeinsamen Elektrodenblöcke verbunden ist, die Erfassungsleitung von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert ist.
  • Kurzdarstellung
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung sind eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, ein Verfahren zum Bilden der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur und eine Berührungsanzeigevorrichtung bereitgestellt, um den Herstellungsprozess einer Anzeigevorrichtung zu vereinfachen.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur für eine Berührungserfassung und -anzeige bereitgestellt, um die oben erwähnten Probleme anzusprechen, und die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur umfasst:
    • ein Substrat;
    • eine Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung auf dem Substrat erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten umfasst, die in der ersten Richtung mit einem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten angeordnet sind;
    • eine Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen, die in derselben Schicht wie die Mehrzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat angeordnet sind, wobei die Berührungselektrodenleitungen sich in einer zweiten Richtung erstrecken, jede Berührungselektrodenleitung in dem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten nicht in Kontakt ist;
    • eine erste dielektrische Schicht, die auf der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen angeordnet ist;
    • eine Mehrzahl von Datenleitungen, die auf der ersten dielektrischen Schicht angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Datenleitungen oberhalb der Berührungselektrodenleitungen entsprechend angeordnet ist;
    • eine zweite dielektrische Schicht, die auf der Mehrzahl von Datenleitungen angeordnet ist;
    • eine Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen, die auf der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet sind;
    • eine Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern durch die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht, wobei die erste Verbindungsstruktur die benachbarten Abtastleitungssegmente durch das erste Durchgangsloch verbindet;
    • eine dritte dielektrische Schicht, die auf der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen angeordnet ist;
    • eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht, die auf der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist;
    • eine Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern durch die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht; und
    • eine Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern durch die dritte dielektrische Schicht,
    • wobei jede Berührungselektrode mit einer der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen durch das zweite Durchgangsloch und das dritte Durchgangsloch verbunden ist.
  • Verglichen mit dem Stand der Technik umfasst der vorteilhafte Effekt der technischen Lösung der vorliegenden Offenbarung Folgendes: die Abtastleitungen, die sich in der ersten Richtung erstrecken, sind in derselben Schicht wie die Berührungselektrodenleitungen auf dem Substrat angeordnet, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten umfasst, die durch die ersten Verbindungsstrukturen miteinander elektronisch verbunden sind, und die Berührungselektrodenleitung ist mit der gemeinsamen Elektrode durch zumindest das erste Durchgangsloch verbunden. Auf diese Weise können die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen bei dem Herstellungsprozess in einem Schritt gebildet werden anstatt wie im Stand der Technik, bei dem die Berührungselektrodenleitungen in einem zusätzlichen Schritt gebildet werden, wodurch der Herstellungsschritt vereinfacht wird und die Maske eingespart wird.
  • Außerdem werden die Datenleitungen direkt oberhalb der Berührungselektrodenleitungen gebildet, und die Vorsprünge der Datenleitungen in einer Richtung, die senkrecht zu dem Substrat ist, überlappen die Berührungselektrodenleitungen. Auf diese Weise tragen die Datenleitungen dazu bei, die Berührungselektrodenleitungen vor Störsignalen abzuschirmen, das heißt, die Datenleitungen tragen dazu bei, das Nebensprechen zu reduzieren, dem die Berührungselektrodenleitungen ausgesetzt sind.
  • Außerdem ist eine Berührungsanzeigevorrichtung bereitgestellt, die die obige Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst.
  • Wie oben beschrieben ist, kann die Berührungsanzeigevorrichtung den Herstellungsprozess vereinfachen und die Kosten reduzieren.
  • Außerdem ist gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bereitgestellt, wobei das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur Folgendes umfasst:
    • Bereitstellen eines Substrats;
    • Bilden einer Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und einer Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen, die sich in einer zweiten Richtung auf dem Substrat erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten umfasst, die in der ersten Richtung mit einem Abstand zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten angeordnet sind, jede Berührungselektrodenleitung in dem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung mit benachbarten Abtastleitungssegmenten nicht in Kontakt ist;
    • Bilden einer ersten dielektrischen Schicht auf der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen;
    • Bilden einer Mehrzahl von Datenleitungen auf der ersten dielektrischen Schicht, wobei jede der Mehrzahl von Datenleitungen oberhalb der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen entsprechend angeordnet ist;
    • Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf der Mehrzahl von Datenleitungen;
    • Bilden einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern und einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern durch die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht;
    • Bilden einer Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen auf der zweiten dielektrischen Schicht, wobei jede der ersten Verbindungsstrukturen benachbarte Abtastleitungssegmente durch das erste Durchgangsloch verbindet;
    • Bilden einer dritten dielektrischen Schicht auf der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen;
    • Bilden einer Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern durch die dritte dielektrische Schicht; und
    • Bilden einer Gemeinsame-Elektrode-Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht, wobei die Gemeinsame-Elektrode-Schicht eine Mehrzahl von Berührungselektroden umfasst, die voneinander getrennt sind, wobei jede Berührungselektrode mit einer der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen durch das zweite Durchgangsloch und das dritte Durchgangsloch verbunden ist.
  • Verglichen mit dem Stand der Technik, bei dem die Berührungselektrodenleitungen in einem zusätzlichen Schritt gebildet werden, können gemäß dem Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur in der vorliegenden Offenbarung die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen in einem Schritt gebildet werden, wodurch die Effekte eines Vereinfachens des Prozessschritts, eines Reduzierens der Kosten und eines Verbesserns der Herstellungseffizienz erreicht werden. Außerdem werden die Datenleitungen direkt oberhalb der Berührungselektrodenleitungen gebildet, und Vorsprünge der Datenleitungen in einer Richtung, die senkrecht zu dem Substrat ist, überlappen die Berührungselektrodenleitungen. Auf diese Weise tragen die Datenleitungen dazu bei, die Berührungselektrodenleitungen vor Störsignalen abzuschirmen, das heißt, die Datenleitungen tragen dazu bei, das Nebensprechen zu reduzieren, dem die Berührungselektrodenleitungen ausgesetzt sind.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Strukturdarstellung eines Arraysubstrats im Stand der Technik;
    • 2 ist eine schematische Draufsicht eines Arraysubstrats einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 2;
    • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 2;
    • 5 ist eine schematische Draufsicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, nachdem Datenleitungen gebildet wurden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 5;
    • 7 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 5;
    • 8 ist eine schematische Draufsicht des Substrats, nachdem erste Verbindungsstrukturen gebildet wurden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8;
    • 10 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8;
    • 11 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats des Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8;
    • 12 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8, nachdem eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht gebildet wurde;
    • 13 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8, nachdem die Gemeinsame-Elektrode-Schicht gebildet wurde;
    • 14 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8, nachdem die Gemeinsame-Elektrode-Schicht gebildet wurde;
    • 15 ist eine schematische Strukturdarstellung einer Berührungselektrode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
    • 16 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8, nachdem eine Flüssigkristallschicht gebildet wurde;
    • 17 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8, nachdem die Flüssigkristallschicht gebildet wurde;
    • 18 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8, nachdem die Flüssigkristallschicht gebildet wurde;
    • 19 ist eine schematische Strukturdarstellung einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, die durch ein Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung gebildet wird; und
    • 20 ist eine schematische Strukturdarstellung einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, die durch das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung gebildet wird.
  • Ausführliche Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Zwecks Klarheit bezüglich der obigen Aufgabe, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden bestimmte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung in Verbindung mit den angehängten Zeichnungen nachfolgend näher dargestellt.
  • Wie im Einleitungstext beschrieben ist, werden im Stand der Technik Berührungselektrodenleitungen zum Verbinden einer gemeinsamen Elektrode in einem zusätzlichen Schritt gebildet, um eine Berührungssteuerungsfunktion zu erreichen, was zu den Ergebnissen führt, dass der Prozessschritt und die Kosten zunehmen und die Herstellungseffizienz abnimmt.
  • Angesichts der oben beschriebenen Probleme wird ein Verfahren zum Bilden eines Arraysubstrats gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt. Es wird Bezug genommen auf 2 bis 18, bei denen es sich um schematische Strukturdarstellungen einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei verschiedenen Schritten des Verfahrens zum Bilden der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung handelt.
  • Es wird Bezug genommen auf 2 bis 4. 2 ist eine schematische Draufsicht eines Arraysubstrats einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 2. Und 4 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 2. Es ist festzustellen, dass zwecks Klarheit lediglich ein Teil der auf dem Substrat 100 gebildeten Struktur (beispielsweise ein Abtastleitungssegment 120 und eine Berührungselektrodenleitung 130, die in einer Abtastleitung enthalten sind) gezeigt wird, während andere Teile der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur in 2 nicht gezeigt werden, wodurch der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung nicht eingeschränkt wird.
  • Als Erstes wird das Substrat 100 bereitgestellt, das ein Basisträger für verschiedene Komponenten ist, die nachfolgend gebildet werden. Ein Bereitstellen des Substrats 100 ist ein gebräuchliches technisches Mittel für Fachleute, das hierin nicht beschrieben wird.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst das Substrat 100 eine Region 10 zum Bilden von Abtastleitungen, eine Region 20 zum Bilden von Berührungselektrodenleitungen und eine Region 40 zum Bilden von Transistoren. Die Region 10 zum Bilden der Abtastleitungen und die Region 20 zum Bilden der Berührungselektrodenleitungen überschneiden sich und schließen eine Region 30 zum Bilden eines Pixelelektrodenarrays bei einem nachfolgenden Schritt ein.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel kann das Substrat 100 ein Glassubstrat sein und ist hierin nicht beschränkt.
  • Danach werden eine Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und eine Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen 130, die sich in einer zweiten Richtung erstrecken, auf dem Substrat 100 gebildet. Jede der Mehrzahl von Abtastleitungen umfasst eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten 120, die in der ersten Richtung mit einem Abstand 50 angeordnet sind, der zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 gebildet wird.
  • Jede der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen 130 ist in dem Abstand 50 zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 angeordnet, und die Berührungselektrodenleitung 130 ist mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 nicht in Kontakt.
  • Der vorteilhafte Effekt eines Anordnens der Berührungselektrodenleitungen 130 und der Abtastleitungen in derselben Schicht liegt darin, dass die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 während des Herstellungsprozesses in einem Schritt gebildet werden können, anstatt wie im Stand der Technik, wo die Berührungselektrodenleitungen 130 in einem zusätzlichen Schritt gebildet werden, wodurch der Prozessschritt vereinfacht wird, die Maske eingespart wird und die Kosten reduziert werden.
  • Zusätzlich umfasst bei dem Ausführungsbeispiel die Berührungselektrodenleitung 130 ferner einen vorspringenden Abschnitt 131, wobei der vorspringende Abschnitt 131 breiter als andere Teile der Berührungselektrodenleitung 130 ist (unter Bezugnahme auf 4).
  • Der vorspringende Abschnitt 131 ist ausgebildet, bei einem nachfolgenden Schritt mit einer gemeinsamen Elektrode verbunden zu werden, was nachfolgend ausführlich beschrieben wird.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel können die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 durch ein Verfahren wie folgt gebildet werden:
    • Eine erste Leitfähiges-Material-Schicht wird auf dem Substrat 100 aufgebracht;
    • Insbesondere kann bei dem Ausführungsbeispiel die erste Leitfähiges-Material-Schicht durch ein Metallmaterial gebildet werden. Dies ist lediglich ein Beispiel und soll das Material der ersten Leitfähiges-Material-Schicht hierin nicht einschränken.
  • Eine erste Photoresistschicht wird auf der ersten Leitfähiges-Material-Schicht gebildet;
  • Eine erste Maske mit einer Struktur wird bereitgestellt. Die erste Photoresistschicht wird durch die erste Maske hindurch freigelegt, um die Struktur in der ersten Photoresistschicht zu bilden, und ein Teil der ersten Leitfähiges-Material-Schicht ist aufgrund der Struktur in der ersten Photoresistschicht unbedeckt.
  • Durch Verwenden der ersten Photoresistschicht mit der gebildeten Struktur als eine Ätzmaske wird der unbedeckte Teil der ersten Leitfähiges-Material-Schicht geätzt und entfernt, und der verbleibende Teil der ersten Leitfähiges-Material-Schicht bildet die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130.
  • Wie ersichtlich ist, können bei der vorliegenden Offenbarung die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 unter Verwendung lediglich einer ersten Maske gebildet werden, wodurch ein Effekt erreicht werden kann, dass die Maske eingespart wird, verglichen mit der Tatsache im Stand der Technik, dass die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen jeweils gebildet werden.
  • Nachdem die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 gebildet wurden, wird Bezug genommen auf 5 bis 7. 5 ist eine schematische Draufsicht des Arraysubstrats 100 der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, nachdem Datenleitungen 210 gebildet wurden, gemäß dem Ausführungsbeispiel. 6 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 5. Und 7 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 5. Ähnlich wird zwecks Klarheit lediglich ein Teil der auf dem Substrat 100 gebildeten Berührungsanzeigebedienfeldstruktur (beispielsweise Datenleitungen 210) gezeigt, während andere Teile der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur in diesen Figuren nicht gezeigt werden, wodurch der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung nicht eingeschränkt wird.
  • Eine erste dielektrische Schicht 200 wird auf dem Substrat 100 und oberhalb der Abtastleitungen und der Berührungselektrodenleitungen 130 gebildet.
  • Nachdem die erste dielektrische Schicht 200 gebildet wurde, werden die Datenleitungen 210 auf der ersten dielektrischen Schicht 200 gebildet, jede der Datenleitungen 210 wird oberhalb der Berührungselektrodenleitung 130 entsprechend angeordnet, der Vorsprung der Datenleitung 210 in einer Richtung, die senkrecht zu dem Substrat 100 ist, überlappt die entsprechende Berührungselektrodenleitung 130.
  • Die Datenleitungen 210 können die Berührungselektrodenleitungen 130 vor Störsignalen von anderen Strukturen abschirmen, das heißt, die Datenleitungen 210 können das Nebensprechen reduzieren, dem die Berührungselektrodenleitungen 130 ausgesetzt sind.
  • Nachdem die Datenleitungen 210 gebildet wurden, wird eine zweite dielektrische Schicht 300 auf der ersten dielektrischen Schicht 200 und oberhalb der Datenleitungen 210 gebildet. Es wird Bezug genommen auf 8 bis 11, wobei 8 eine schematische Draufsicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur ist, nachdem erste Verbindungsstrukturen 310 gebildet wurden, gemäß dem Ausführungsbeispiel. 9 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8. 10 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8. Und 11 ist eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8.
  • Nachdem die zweite dielektrische Schicht 300 gebildet wurde, werden erste Durchgangslöcher 141 und zweite Durchgangslöcher 142 durch die erste dielektrische Schicht 200 und die zweite dielektrische Schicht 300 gebildet.
  • Das erste Durchgangsloch 141 ist ausgebildet, die erste Verbindungsstruktur 310, die später gebildet wird, und die Abtastleitungssegmente 120 der Abtastleitungen elektronisch zu verbinden. Die Position des ersten Durchgangslochs 141 entspricht der des Abtastleitungssegments 120 der Abtastleitung. Insbesondere befindet sich das erste Durchgangsloch 141 in der ersten dielektrischen Schicht 200 und der zweiten dielektrischen Schicht 300 und liegt direkt oberhalb der Abtastleitungssegmente 120, so dass die erste Verbindungsstruktur 310, die später gebildet wird, die Abtastleitungssegmente 120 durch die ersten Durchgangslöcher 141 verbinden kann.
  • Das zweite Durchgangloch 142 ist für die Verbindung zwischen der Berührungselektrode in der Gemeinsame-Elektrode-Schicht und der Berührungselektrodenleitung 130 ausgebildet, was in dem folgenden Prozess ausführlich beschrieben wird.
  • Eine organische Schicht 320 wird auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet, nachdem die ersten Durchgangslöcher 141 und die zweiten Durchgangslöcher 142 gebildet wurden. Die organische Schicht 320 weist eine Struktur auf, aufgrund derer ein Teil der zweiten dielektrischen Schicht 300 freigelegt ist, wobei die ersten Verbindungsstrukturen 310 auf dem freigelegten Teil der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet werden. Die organische Schicht 320 kann die Flachheit der Oberfläche des Substrats 100 verbessern. Aufgrund der verschiedenen Strukturen der unterschiedlichen Schichten auf der Oberfläche des Substrats 100 kann eine Unebenheit der Oberfläche des Substrats 100 insofern von Bedeutung sein, als sie das Bilden von nachfolgenden Schichten beeinflusst. Die organische Schicht 320 kann die Unebenheit der Oberfläche aufgrund der guten Leistungsfähigkeit von organischen Materialien hinsichtlich Formerhaltung und Überdeckung reduzieren.
  • Es ist festzustellen, dass ein Bilden der organischen Schicht 320 lediglich ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ist. Ob es erforderlich ist, die organische Schicht 320 zu bilden, ist hierin nicht beschränkt.
  • Nachdem die organische Schicht 320 gebildet wurde, wird die erste Verbindungsstruktur 310 auf dem Teil der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet, der durch Zwischenräume der Struktur der organischen Schicht 320 freigelegt ist. Zwei Enden der ersten Verbindungsstruktur 310 sind jeweils mit zwei benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 durch das erste Durchgangsloch 141 verbunden, so dass die Abtastleitungssegmente 120 miteinander elektronisch verbunden sind. Eine erste Verbindungsstruktur 310 wird in 8 gezeigt, wobei die erste Verbindungsstruktur 310 den Abstand zwischen den zwei benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 und den Berührungselektrodenleitungen 130, die in den Abständen angeordnet sind, überspannt, wobei die benachbarten Abtastleitungssegmente 120 durch die zwei Enden der ersten Verbindungsstruktur 310 miteinander elektronisch verbunden sind.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel umfasst ferner eine leitfähige Unterlage 311, die in derselben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen 310 angeordnet ist und von den ersten Verbindungsstrukturen 310 isoliert ist. Die leitfähige Unterlage 311 wird durch das zweite Durchgangsloch 142 auf der Berührungselektrodenleitung 130 aufgebracht und ist ausgebildet, die gemeinsame Elektrode, die später gebildet wird, und die Berührungselektrodenleitung 130 auf der ersten dielektrischen Schicht 200 elektronisch zu verbinden.
  • Das Ausführungsbeispiel umfasst ferner ein Bilden eines Pixelelektrodenarrays. Bei dem Ausführungsbeispiel wird eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur einer FFS-(Fringe Field Switching-)Struktur gebildet. Das heißt, das Pixelelektrodenarray ist in einer anderen Schicht als die Gemeinsame-Elektrode-Schicht. Bei der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel befindet sich die Gemeinsame-Elektrode-Schicht oberhalb des Pixelelektrodenarrays.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel wird, da die organische Schicht 320 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet wird, das Pixelelektrodenarray auf der organischen Schicht 320 gebildet.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung wird ein Pixelelektrodenarray 350 (unter Bezugnahme auf 1) in derselben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen 310 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet. Um den Herstellungsschritt einzusparen, können das Pixelelektrodenarray 350 und die ersten Verbindungsstrukturen 310 wie folgt in einem Schritt gebildet werden:
    • eine zweite Leitfähiges-Material-Schicht wird auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet;
    • eine zweite Photoresistschicht wird auf der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht gebildet;
    • eine zweite Maske mit einer Struktur wird bereitgestellt. Die zweite Photoresistschicht wird durch die zweite Maske hindurch freigelegt, um die Struktur in der zweiten Photoresistschicht zu bilden, und ein Teil der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht ist aufgrund der Struktur in der zweiten Photoresistschicht unbedeckt.
  • Durch Verwenden der zweiten Photoresistschicht mit der gebildeten Struktur als eine Ätzmaske wird der unbedeckte Teil der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht durch Ätzen entfernt, und der verbleibende Teil der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht bildet die erste Verbindungsstruktur 310 und das Pixelelektrodenarray 350.
  • Bei den obigen Schritten können die ersten Verbindungsstrukturen 310 und das Pixelelektrodenarray 350 gebildet werden, indem lediglich eine zweite Maske verwendet wird, im Vergleich zum Stand der Technik wird ein Schritt eingespart und die Kosten werden reduziert.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel kann Indiumzinnoxid verwendet werden, um sowohl das Material des Pixelelektrodenarrays 350 als auch das Material der ersten Verbindungsstrukturen 310 zu bilden. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel, durch das der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung nicht eingeschränkt wird.
  • Es wird Bezug genommen auf 12 bis 14. Basierend auf 9 ist 12 eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8, nachdem eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet wurde. Basierend auf 10 ist 13 eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8, nachdem eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet wurde. Basierend auf 11 ist 14 eine schematische Querschnittsansicht des Arraysubstrats der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8, nachdem eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet wurde. Wie zuvor beschrieben wurde, wird ein Pixelelektrodenarray 350 in derselben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen 310 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet. Wie oben erwähnt wurde, wird bei dem Ausführungsbeispiel die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 oberhalb des Pixelelektrodenarrays 350 gebildet, davor wird eine dritte dielektrische Schicht 400 auf dem Pixelelektrodenarray 350, den ersten Verbindungsstrukturen 310, der organischen Schicht 320 und der leitfähigen Unterlage 311 gebildet. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 wird dann auf der dritten dielektrischen Schicht 400 gebildet.
  • Dann wird ein drittes Durchgangsloch 330, das mit dem zweiten Durchgangsloch 142 verbunden ist, in der dritten dielektrischen Schicht 400 gebildet. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 wird mit der Berührungselektrodenleitung 130 durch das dritte Durchgangsloch 330 und das zweite Durchgangsloch 142 verbunden.
  • 15 ist eine schematische Strukturdarstellung einer Berührungselektrode gemäß einem Ausführungsbeispiel, nachdem die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet wurde. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 umfasst eine Mehrzahl von Berührungselektroden 411, die voneinander getrennt sind. Ein gemeinsames Signal wird an die Mehrzahl von Berührungselektroden 411 während einer Anzeigezeitspanne angelegt, und ein Berührungssignal wird an die Mehrzahl von Berührungselektroden 411 während einer Berührungszeitspanne angelegt. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 wird in einer Richtung, die senkrecht zu dem Substrat 100 ist, dem Pixelelektrodenarray 350 gegenüber angeordnet und wird mit dem vorspringenden Abschnitt 131 der Berührungselektrodenleitung 130 durch das zweite Durchgangsloch 142 und das dritte Durchgangsloch 330 (und bei dem Ausführungsbeispiel ferner durch die leitfähige Unterlage 311) elektronisch verbunden.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel wird, nachdem die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet wurde, eine Flüssigkristallschicht auf der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 gebildet. Es wird Bezug genommen auf 16 bis 18. Basierend auf 12 ist 16 eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8, nachdem eine Flüssigkristallschicht 500 gebildet wurde. Basierend auf 13 ist 17 eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8, nachdem eine Flüssigkristallschicht 500 gebildet wurde. Und basierend auf 14 ist 18 eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8, nachdem die Flüssigkristallschicht 500 gebildet wurde.
  • Die gebildete Flüssigkristallschicht 500 liegt oberhalb der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410. Das heißt, die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, die bei dem Ausführungsbeispiel gebildet wird, ist eine Flüssigkristall-Berührungsanzeigebedienfeldstruktur.
  • Es ist festzustellen, dass, ob es erforderlich ist, die Flüssigkristallschicht 500 zu bilden, hierin nicht beschränkt ist. Bei anderen Typen von Berührungsanzeigebedienfeldstrukturen, beispielsweise bei einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur mit OLED (Organic Light-Emitting Diode) als einer Lichtquelle, ist die Flüssigkristallschicht 500 nicht erforderlich. Daher sollte die vorliegende Offenbarung nicht auf das hierin enthaltene Beispiel beschränkt sein.
  • Außerdem ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die oben beschriebene Berührungsanzeigebedienfeldstruktur der FFS-Struktur beschränkt, bei der das Pixelelektrodenarray 350 nicht in derselben Schicht wie die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 angeordnet ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung kann eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur einer IPS-(In-Plane Switching-)Struktur gebildet werden. Es wird Bezug genommen auf 19 und 20, die schematische Strukturdarstellungen einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur sind, die durch das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur in der vorliegenden Offenbarung unterscheidet sich von der oben beschriebenen Berührungsanzeigebedienfeldstruktur darin, dass ein Pixelelektrodenarray 350a in derselben Schicht wie eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a angeordnet ist. Besonders der Prozess vor dem Schritt eines Bildens erster Verbindungsstrukturen ist derselbe wie der bei dem obigen Ausführungsbeispiel. Nachdem die ersten Verbindungsstrukturen gebildet wurden und bevor die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a gebildet ist, wird eine dritte dielektrische Schicht 400a auf einer zweiten dielektrischen Schicht 300a, den ersten Verbindungsstrukturen (unter Bezugnahme auf 20) und einer organischen Schicht 320a gebildet. Und dann wird ein drittes Durchgangsloch 330a, das mit dem zweiten Durchgangsloch 142a verbunden ist, in der dritten dielektrischen Schicht 400a gebildet. Das Pixelelektrodenarray 350a (unter Bezugnahme auf 19) wird auf der dritten dielektrischen Schicht 400a gebildet, und die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a wird in derselben Schicht wie das Pixelelektrodenarray 350a angeordnet. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a ist mit einem vorspringenden Abschnitt 131 einer Berührungselektrodenleitung 130a durch das zweite Durchgangsloch 142a und das dritte Durchgangsloch 330a (und bei dem Ausführungsbeispiel ferner durch eine leitfähige Unterlage 311a) (welches dasselbe wie das obige Ausführungsbeispiel ist) elektronisch verbunden. Das heißt, der Unterschied zwischen der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei der vorliegenden Offenbarung und der obigen Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei dem obigen Ausführungsbeispiel liegt darin, dass bei diesem Ausführungsbeispiel das Pixelelektrodenarray 350a in derselben Schicht wie die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a angeordnet ist und die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei der vorliegenden Offenbarung eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur der IPS-Struktur ist.
  • Außerdem wird eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur zum Implementieren einer Berührungserfassung und -anzeige gemäß der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt. Es wird Bezug genommen auf 8 und 16 bis 18, die schematische Strukturdarstellungen einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung sind. 8 ist eine schematische Draufsicht des Substrats 100 gemäß dem Ausführungsbeispiel. 16 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung A-A' in 8. 17 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung B-B' in 8. Und 18 ist eine schematische Querschnittsansicht der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur entlang der Richtung C-C' in 8. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst:
    • ein Substrat 100, das ein Basisträger für nachfolgende Komponenten ist, die nachfolgend gebildet werden. Ein Bereitstellen des Substrats 100 ist ein gebräuchliches technisches Mittel für Fachleute, das hierin nicht ausführlich beschrieben wird.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst das Substrat 100 eine Region 10 zum Bilden von Abtastleitungen, eine Region 20 zum Bilden von Berührungselektrodenleitungen 130 und eine Region 40 zum Bilden von Transistoren. Die Region 10 und die Region 20 überschneiden sich und schließen eine Region 30 zum Bilden eines Pixelelektrodenarrays und einer Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 ein.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel kann das Substrat 100 ein Glassubstrat sein, was hierin nicht beschränkt ist.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner: eine Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung auf dem Substrat 100 erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten 120 in der ersten Richtung mit einem Abstand 50 umfasst, das zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 gebildet ist; und eine Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen 130, die in derselben Schicht wie die Mehrzahl von Abtastleitungen und auf dem Substrat 100 angeordnet sind, wobei die Berührungselektrodenleitungen 130 sich in einer zweiten Richtung erstrecken, jede Berührungselektrodenleitung 130 in dem Abstand 50 zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung 130 mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 nicht in Kontakt ist.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel ist die erste Richtung, in der sich die Abtastleitungen erstrecken, senkrecht zu der zweiten Richtung, in der sich die Berührungselektrodenleitungen 130 erstrecken, was lediglich ein Beispiel ist und hierin nicht beschränkt ist.
  • Der vorteilhafte Effekt eines Anordnens der Berührungselektrodenleitungen 130 und der Abtastleitungen in derselben Schicht liegt darin, dass die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 während des Herstellungsprozesses in einem Prozessschritt gebildet werden können anstatt wie im Stand der Technik, bei dem die Berührungselektrodenleitungen 130 in einem zusätzlichen Prozessschritt gebildet werden, wodurch der Prozessschritt vereinfacht wird und die Maske eingespart wird.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel werden die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen 130 durch dasselbe Material gebildet. Auf diese Weise können die Abtastleitung und die Berührungselektrodenleitung 130 durch Bilden einer Materialschicht und Ätzen der Materialschicht durch eine Maske gebildet werden, und der Herstellungsprozess kann vereinfacht werden.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner: eine erste dielektrische Schicht 200, die oberhalb der Abtastleitungen und der Berührungselektrodenleitungen 130 auf dem Substrat 100 angeordnet ist; und
    eine Mehrzahl von Datenleitungen 210, die auf der ersten dielektrischen Schicht 200 angeordnet sind. Jede der Mehrzahl von Datenleitungen 210 ist direkt oberhalb der entsprechenden Berührungselektrodenleitung 130 angeordnet, der Vorsprung der Datenleitungen 210 in einer Richtung, die senkrecht zu dem Substrat 100 ist, überlappt die Berührungselektrodenleitungen 130. Die Datenleitungen 210 können die Berührungselektrodenleitungen 130 vor Störsignalen abschirmen, das heißt, die Datenleitungen 210 können das Nebensprechen reduzieren, dem die Berührungselektrodenleitungen 130 ausgesetzt sind.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner: eine zweite dielektrische Schicht 300, die auf der ersten dielektrischen Schicht 200 und den Datenleitungen 210 angeordnet ist;
    eine Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern 141 und eine Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern 142 durch die erste dielektrische Schicht 200 und die zweite dielektrische Schicht 300, wobei das zweite Durchgangsloch 142 ausgebildet ist, eine Berührungselektrode und eine Berührungsleiterbahn zu verbinden; und
    eine Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen 310, die auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 angeordnet sind, wobei die ersten Verbindungsstrukturen 310 mit den Abtastleitungssegmenten 120 durch das erste Durchgangsloch 141 elektrisch verbunden sind.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner eine leitfähige Unterlage 311, die in derselben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen 310 angeordnet ist und von den ersten Verbindungsstrukturen 310 isoliert ist. Die leitfähige Unterlage 311 wird durch das zweite Durchgangsloch 142 auf der Berührungselektrodenleitung 130 aufgebracht und ist ausgebildet, eine gemeinsame Elektrode, die später gebildet wird, und die Berührungselektrodenleitung 130 auf der ersten dielektrischen Schicht 200 elektronisch zu verbinden.
  • Insbesondere überspannt bei dem Ausführungsbeispiel die erste Verbindungsstruktur 310 den Abstand 50 zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120, und zwei Enden der ersten Verbindungsstruktur 310 sind jeweils mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten 120 durch das erste Durchgangsloch 141 verbunden, so dass die Abtastleitungssegmente 120 elektronisch verbunden sind.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel wird eine organische Schicht 320 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet. In dem Fall, dass die organische Schicht 320 auf der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet wird, befinden sich die ersten Verbindungsstrukturen 310 auf der organischen Schicht 320. Die organische Schicht 320 weist eine Struktur auf, zwischen der ein Teil der zweiten dielektrischen Schicht 300 unbedeckt ist, und die ersten Verbindungsstrukturen 310 werden auf dem unbedeckten Teil der zweiten dielektrischen Schicht 300 gebildet.
  • Die organische Schicht 320 ist ausgebildet, die Flachheit der Oberfläche des Substrats 100 zu erhöhen. Da die Strukturen der unterschiedlichen Materialschichten auf der Oberfläche des Substrats 100 verschieden sind, kann eine bedeutsame Unebenheit der Oberfläche oberhalb des Substrats 100 bestehen, was das Bilden weiterer Materialschichten beeinflussen kann. Die organische Schicht 320 kann die Unebenheit aufgrund der guten Leistungsfähigkeit von organischen Materialien hinsichtlich Formerhaltung und Überdeckung reduzieren.
  • Es ist festzustellen, dass ein Bilden der organischen Schicht 320 lediglich ein technisches Merkmals eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Offenbarung ist. Ob es erforderlich ist, die organische Schicht 320 zu bilden, ist hierin nicht beschränkt.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner eine dritte dielektrische Schicht 400, die auf den ersten Verbindungsstrukturen 310 angeordnet ist. Ein drittes Durchgangsloch 330 verläuft durch die dritte dielektrische Schicht 400 und entspricht dem zweiten Durchgangsloch 142. Bei dem Ausführungsbeispiel wird eine leitfähige Unterlage 311 in dem zweiten Durchgangsloch 142 durch das dritte Durchgangsloch 330 freigelegt.
  • Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung umfasst ferner eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 auf der dritten dielektrischen Schicht 400. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 umfasst eine Mehrzahl von Berührungselektroden 411, die voneinander getrennt sind. Ein gemeinsames Signal wird an die Mehrzahl von Berührungselektroden 411 während einer Anzeigezeitspanne angelegt, und ein Berührungssignal wird an die Mehrzahl von Berührungselektroden 411 während einer Berührungszeitspanne angelegt. Jede Berührungselektrode 411 in der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 ist mit der Berührungselektrodenleitung 130 durch das zweite Durchgangsloch 142 und das dritte Durchgangsloch 330 elektronisch verbunden.
  • Außerdem umfasst die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur ferner ein Pixelelektrodenarray, das in derselben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen 310 angeordnet ist.
  • Insbesondere werden bei dem Ausführungsbeispiel das Pixelelektrodenarray und die ersten Verbindungsstrukturen 310 durch dasselbe Material gebildet. Auf diese Weise können das Pixelelektrodenarray und die ersten Verbindungsstrukturen 310 durch Bilden einer Materialschicht und Ätzen der Materialschicht gebildet werden und der Prozessschritt wird vereinfacht.
  • Insbesondere ist das Material des Pixelelektrodenarrays und der ersten Verbindungsstrukturen 310 ist Indiumzinnoxid, was lediglich ein Beispiel ist und hierin nicht beschränkt ist.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel ist eine Flüssigkristallschicht 500 auf der Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 angeordnet.
  • Es ist festzustellen, dass hierin nicht beschränkt ist, ob es erforderlich ist, die Flüssigkristallschicht 500 zu bilden. Bei anderen Typen von Berührungsanzeigebedienfeldstrukturen, beispielsweise bei einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur mit OLED als einer Lichtquelle, ist die Flüssigkristallschicht 500 nicht erforderlich.
  • Außerdem ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die oben beschriebene Berührungsanzeigebedienfeldstruktur der FFS-Struktur beschränkt, bei der das Pixelelektrodenarray nicht in derselben Schicht wie die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410 angeordnet ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung kann eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur einer IPS-Struktur gebildet werden. Es wird Bezug genommen auf 19 und 20, die schematische Strukturdarstellungen einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur sind, die durch das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung gebildet wird. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist von der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur bei dem obigen Ausführungsbeispiel darin verschieden, dass ein Pixelelektrodenarray 350a in derselben Schicht wie eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a angeordnet ist. Eine dritte dielektrische Schicht 400a wird auf einer zweiten dielektrischen Schicht 300a, ersten Verbindungsstrukturen und einer organischen Schicht 320a gebildet. Sowohl die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a als auch das Pixelelektrodenarray 350a werden auf der dritten dielektrischen Schicht 400a angeordnet. Ein drittes Durchgangsloch 330a, das mit einem zweiten Durchgangsloch 142a verbunden ist, wird durch die dritte dielektrische Schicht 400a gebildet. Die Gemeinsame-Elektrode-Schicht 410a ist mit der Berührungselektrodenleitung durch das zweite Durchgangsloch 142a und das dritte Durchgangsloch 330a (und bei dem Ausführungsbeispiel ferner durch eine leitfähige Unterlage 311 a) elektronisch verbunden. Außerdem wird eine Berührungsanzeigevorrichtung bereitgestellt, die die oben beschriebene Berührungsanzeigebedienfeldstruktur umfasst. Wie oben beschrieben wird, kann die Berührungsanzeigevorrichtung den Prozessschritt vereinfachen und die Kosten reduzieren.
  • Zusammenfassend können, gemäß der in der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, dem Verfahren zum Bilden der Berührungsanzeigebedienfeldstruktur und der Berührungsanzeigevorrichtung, die Abtastleitungen und die Berührungselektrodenleitungen während des Herstellungsprozesses in einem Schritt gebildet werden, anstatt wie im Stand der Technik, bei dem die Berührungselektrodenleitungen in einem zusätzlichen Prozessschritt gebildet werden. Auf diese Weise wird der Verarbeitungsschritt vereinfacht und die Maske wird eingespart, wodurch die Herstellungseffizienz verbessert wird und die Kosten reduziert werden.

Claims (18)

  1. Eine Berührungsanzeigebedienfeldstruktur für eine Berührungserfassung und - anzeige, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (100); eine Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung auf dem Substrat erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten (120) aufweist, die in der ersten Richtung mit einem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet sind; eine Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130), die in einer selben Schicht wie die Mehrzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat (100) angeordnet sind, wobei die Berührungselektrodenleitungen (130) sich in einer zweiten Richtung erstrecken, jede Berührungselektrodenleitung (130) in dem Abstand zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung (130) mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) nicht in Kontakt ist; eine erste dielektrische Schicht (200), die auf der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130) angeordnet ist; eine Mehrzahl von Datenleitungen (210), die auf der ersten dielektrischen Schicht (200) angeordnet sind, wobei jede der Mehrzahl von Datenleitungen (210) entsprechend oberhalb der Berührungselektrodenleitungen (130) angeordnet ist; eine zweite dielektrische Schicht (300), die auf der Mehrzahl von Datenleitungen (210) angeordnet ist; eine Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310), die auf der zweiten dielektrischen Schicht (300) angeordnet sind; eine Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern (141) durch die erste dielektrische Schicht (200) und die zweite dielektrische Schicht (300), wobei die erste Verbindungsstruktur (310) mit benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) durch das erste Durchgangsloch (141) verbunden ist; eine dritte dielektrische Schicht (400), die auf der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) angeordnet ist; eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht (410), die auf der dritten dielektrischen Schicht (400) angeordnet ist; eine Mehrzahl zweiten Durchgangslöchern (142) durch die erste dielektrische Schicht (200) und die zweite dielektrische Schicht (300); und eine Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern (330) durch die dritte dielektrische Schicht (400), wobei jede Berührungselektrode mit einer Berührungselektrodenleitung (130) durch das zweite Durchgangsloch (142) und das dritte Durchgangsloch (330) verbunden ist.
  2. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, die ferner eine leitfähige Unterlage (311) aufweist, die in einer selben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen (310) angeordnet ist, wobei die leitfähige Unterlage (311) auf der Berührungselektrodenleitung (130) durch das zweite Durchgangsloch (142) angeordnet ist.
  3. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, bei der die erste Verbindungsstruktur (310) den Abstand zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) überspannt und zwei Enden der ersten Verbindungsstruktur (310) jeweils mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) durch das erste Durchgangsloch (141) verbunden sind.
  4. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, die ferner ein Pixelelektrodenarray aufweist, das in einer selben Schicht wie die Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) angeordnet ist.
  5. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, die ferner ein Pixelelektrodenarray aufweist, das in derselben Schicht wie die Gemeinsame-Elektrode-Schicht angeordnet ist.
  6. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 4, bei der das Material des Pixelelektrodenarrays dasselbe wie das Material der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) ist.
  7. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 6, bei der sowohl das Material des Pixelelektrodenarrays als auch das Material der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) Indiumzinnoxid ist.
  8. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, bei der die erste Richtung, in der sich die Abtastleitungen erstrecken, senkrecht zu der zweiten Richtung, in der sich die Berührungselektrodenleitungen (130) erstrecken, ist.
  9. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, bei der das Material der Abtastleitung dasselbe wie das Material der Berührungselektrodenleitung (130) ist.
  10. Die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 1, die ferner eine organische Schicht (320) aufweist, die zwischen der zweiten dielektrischen Schicht (300) und der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) angeordnet ist, wobei die ersten Durchgangslöcher (141) und die zweiten Durchgangslöcher (142) ferner durch die organische Schicht (320) verlaufen.
  11. Eine Berührungsanzeigevorrichtung, die die Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 aufweist.
  12. Ein Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats, Bilden einer Mehrzahl von Abtastleitungen, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und einer Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130), die sich in einer zweiten Richtung auf dem Substrat erstrecken, wobei jede Abtastleitung eine Mehrzahl von Abtastleitungssegmenten (120) aufweist, die in der ersten Richtung mit einem Abstand zwischen benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet sind, jede Berührungselektrodenleitung (130) in dem Abstand zwischen den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) angeordnet ist und die Berührungselektrodenleitung (130) mit den benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) nicht in Kontakt ist; Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (200) auf der Mehrzahl von Abtastleitungen und der Mehrzahl von Berührungselektrodenleitungen (130); Bilden einer Mehrzahl von Datenleitungen (210) auf der ersten dielektrischen Schicht (200), wobei jede der Mehrzahl von Datenleitungen entsprechend oberhalb der Berührungselektrodenleitungen (130) angeordnet ist; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht (300) auf der Mehrzahl von Datenleitungen (210); Bilden einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern (141) und einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern (142) durch die erste dielektrische Schicht (200) und die zweite dielektrische Schicht (300); Bilden einer Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310) auf der zweiten dielektrischen Schicht (300), wobei jede der ersten Verbindungsstrukturen (310) mit benachbarten Abtastleitungssegmenten (120) durch das erste Durchgangsloch (141) verbunden ist; Bilden einer dritten dielektrischen Schicht (400) auf der Mehrzahl von ersten Verbindungsstrukturen (310); Bilden einer Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern (330) durch die dritte dielektrische Schicht (400); und Bilden einer Gemeinsame-Elektrode-Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht (400), wobei die Gemeinsame-Elektrode-Schicht eine Mehrzahl von Berührungselektroden aufweist, die voneinander getrennt sind, und jede der Berührungselektroden mit einer Berührungselektrodenleitung (130) durch das zweite Durchgangsloch (142) und das dritte Durchgangsloch (330) verbunden ist.
  13. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 12, bei dem der Prozess des Bildens der Abtastleitungen und der Berührungselektrodenleitungen (130) folgende Schritte aufweist: Aufbringen einer ersten Leitfähiges-Material-Schicht auf dem Substrat (100); Bilden einer ersten Photoresistschicht auf der ersten Leitfähiges-Material-Schicht; Bereitstellen einer ersten Maske mit einer Struktur, Freilegen der ersten Photoresistschicht durch die erste Maske hindurch, um die Struktur in der ersten Photoresistschicht zu bilden, wobei ein Teil der ersten Leitfähiges-Material-Schicht aufgrund der Struktur in der ersten Photoresistschicht unbedeckt ist; und Verwenden der ersten Photoresistschicht mit der gebildeten Struktur als eine Ätzmaske, Ätzen und Entfernen des unbedeckten Teils der ersten Leitfähiges-Material-Schicht, Bilden der Abtastleitungen und der Berührungselektrodenleitungen (130) durch den verbleibenden Teil der ersten Leitfähiges-Material-Schicht.
  14. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 12, bei dem eine Mehrzahl von leitfähigen Unterlagen (311) ferner in einer selben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen (310) bei dem Prozess des Bildens der ersten Verbindungsstrukturen (310) gebildet wird, die leitfähige Unterlage (311) durch das zweite Durchgangsloch (142) auf der Berührungselektrodenleitung (130) aufgebracht wird.
  15. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 12, bei dem der Prozess des Bildens der ersten Verbindungsstrukturen (310) ferner ein Bilden eines Pixelelektrodenarrays in einer selben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen (310) aufweist.
  16. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 15, bei dem der Prozess des Bildens eines Pixelelektrodenarrays in einer selben Schicht wie die ersten Verbindungsstrukturen (310) folgende Schritte aufweist: Bilden einer zweiten Leitfähiges-Material-Schicht auf der zweiten dielektrischen Schicht (300); Bilden einer zweiten Photoresistschicht auf der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht; Bereitstellen einer zweiten Maske mit einer Struktur, Freilegen der zweiten Photoresistschicht durch die zweite Maske hindurch, um die Struktur in der zweiten Photoresistschicht zu bilden, wobei ein Teil der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht aufgrund der Struktur in der zweiten Photoresistschicht unbedeckt ist; und Verwenden der zweiten Photoresistschicht mit der gebildeten Struktur als eine Ätzmaske, Ätzen und Entfernen des unbedeckten Teils der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht, Bilden der ersten Verbindungsstrukturen und des Pixelelektrodenarrays durch den verbleibenden Teil der zweiten Leitfähiges-Material-Schicht.
  17. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 12, bei dem der Prozess des Bildens der Gemeinsame-Elektrode-Schicht auf der dritten dielektrischen Schicht (300) ferner folgenden Schritt aufweist: Bilden eines Pixelelektrodenarrays in einer selben Schicht wie die Gemeinsame-Elektrode-Schicht.
  18. Das Verfahren zum Bilden einer Berührungsanzeigebedienfeldstruktur gemäß Anspruch 12, das ferner folgende Schritte aufweist: Bilden einer organischen Schicht (320) auf der zweiten dielektrischen Schicht nach einem Bilden der zweiten dielektrischen Schicht (300) auf der Mehrzahl von Datenleitungen (210); und Bilden einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern (141) und einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern (142) durch die erste dielektrische Schicht (200), die zweite dielektrische Schicht (300) und die organische Schicht (320).
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