DE102015217739B4 - TFT-Matrixsubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ein TFT-Matrixsubstrat, das Folgendes umfasst:eine Grundplatte;einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich (101); undeinen auf der Grundplatte angeordneten Gatetreiberschaltungsbereich (100),wobei der Anzeigebereich (101) Folgendes umfasst:eine Vielzahl von Datenleitungen (DL), die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, undeine Vielzahl von Abtastleitungen (SL), die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei die Abtastleitungen die Datenleitungen (DL) kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind,wobei der Gatetreiberschaltungsbereich (100) Folgendes umfasst:mindestens einen ersten Kondensator (12), wobei der mindestens eine erste Kondensator (12) zwei zueinander angeordnete Elektrodenplatten aufweist, undeine Vielzahl von TFTs (13), die jeweils voneinander getrennt sind, um einen Randbereich (14) zwischen Source/Drainelektroden benachbarter TFTs (13) zu bilden, wobei der Randbereich (14) Zwischenräume (14a, 14b) umfasst, die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) gebildet sind;wobei in einer Draufsicht, die Zwischenräume (14a, 14b) annähernd querverlaufenden Zwischenräume (14a), die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) in der Auf-Ab-Richtung gebildet werden, und annähernd vertikale Zwischenräume (14b), die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) in Links-Rechts-Richtung gebildet sind, aufweisen;wobei die zwei Elektrodenplatten des mindestens einen ersten Kondensators (12) vollständig sowohl in den annähernd querverlaufenden Zwischenräumen (14a) als auch in den annähernd vertikalen Zwischenräumen (14b) angeordnet sind.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Flüssigkristall-Anzeigetechnologien, insbesondere ein TFT-Matrixsubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung.
  • Hintergrund
  • Zur Ausführung eines dünnen und leichten Anzeigeprodukts wird gegenwärtig üblicherweise eine „Gate Driver on Array (GOA)“-Technologie - bei der eine schrittweise (oder zeilenweise) Abtastansteuerung eines Anzeigefeld erreicht wird, indem in einem Matrixsubstrat des Anzeigefeldes Gateschaltungen integriert sind - angewandt, um eine Abtastansteuerschaltung des Anzeigefeld herzustellen, an Stelle der bisherigen Bauweise einer getrennten integrierten Gatetreiberschaltung (IC). An einer oder an beiden Seiten eines Anzeigebereichs wird im Allgemeinen eine amorphe Silizium-Gatetreiberschaltung auf dem Matrixsubstrat angeordnet, die einen beträchtliche Fläche des Rahmenbereichs des Anzeigefeldes einnimmt. Es ist jedoch gegenwärtig erforderlich, die Fläche des Rahmenbereichs bei der vorherrschenden Ausführung des Anzeigeprodukts möglichst zu reduzieren.
  • Wie in 1 gezeigt, bei der es sich um ein Prinzipschaltbild einer Anordnung verschiedener Elemente einer Gatetreiberschaltung 1000 handelt, umfasst die Gatetreiberschaltung 1000 im Allgemeinen einen ASG(a-Si-Schieberegister)Busdraht 111, einen ASG-Kondensator 112 und einen ASG-Dünnschichttransistor (TFT) 113. In der verwandten Technik umfasst der ASG-Kondensator 112 zwei Elektrodenplatten, die üblicherweise mittels einer Gatemetallschicht 112b und einer Source-Drain-Metallschicht 112a geformt sind. Die Gatemetallschicht 112b und die Source-Drain-Metallschicht 112a sind üblicherweise aus lichtundurchlässigem Material, daher ist der ASG-Kondensator 112 lichtundurchlässig und kann die Lichtdurchlässigkeit des Rahmens des Anzeigefeldes beeinträchtigen, so dass bei der Aushärtung eines auf den Rahmen aufgebrachten Dichtungsmittels mithilfe von UV-Bestrahlung, die Aushärtung des Dichtungsmittels nicht zufriedenstellend ist, da der ASG-Kondensatorbereich undurchlässig ist. Wie in 2 dargestellt, ist der ASG-Kondensator 112 zur Lösung der obigen Probleme in der verwandten Technik ausgehöhlt, d.h., in der Gatemetallschicht 112b und der Source-Drain-Metallschicht 112a sind längliche Öffnungen geformt, so dass das Licht durch den ASG-Kondensator 112 hindurchdringen kann und die Lichtdurchlässigkeit des ASG-Kondensators 112 erhöht wird. Um eine ausreichende Kapazität des ASG-Kondensators 112 zu gewährleisten, müssen jedoch gegenüberliegende Flächen der zwei Elektrodenplatten des ASG-Kondensators 112 vergrößert werden, was dazu führt, dass der Bereich der Gatetreiberschaltung 1000 übermäßig belegt wird und es schwierig ist, einen schmalen Rahmen auszuführen. Alternativ ist eine Indium-Zinnoxidschicht (ITO) auf dem Matrixsubstrat vorgesehen, die ebenfalls wie die zwei Elektrodenplatten des ASG-Kondensators wirkt; aber selbst wenn die ITO-Schicht aus durchlässigem leitfähigem Material besteht, so dass die Lichtdurchlässigkeit des Anzeigefeldes verbessert wird, bleibt jedoch das Problem der mangelnden Verfestigung des Dichtungsmittels aufgrund des Vorhandenseins der ITO-Schicht bestehen.
  • Des Weiteren zeigen US 2014 / 0 175 446 A1 , CN 103 760 702 A und US 2015 / 0 138 465 A1 TFT-Matrixsubstrate mit Merkmalen des Anspruchs 1.
  • Zusammenfassung
  • Ein erfinderischer Aspekt betrifft ein TFT-Matrixsubstrat. Das TFT-Matrixsubstrat umfasst eine Grundplatte, einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich und einen auf der Grundplatte angeordneten Gatetreiberschaltungsbereich. Der Anzeigebereich umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, und eine Vielzahl von Abtastleitungen, die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei sich die Abtastleitungen mit den Datenleitungen kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind. Der Gatetreiberschaltungsbereich umfasst zudem mindestens einen ersten Kondensator und eine Vielzahl von TFTs, die jeweils voneinander getrennt sind, um einen Randbereich zwischen den TFTs zu bilden, in dem der erste Kondensator angeordnet ist.
  • Ein weiterer erfinderischer Aspekt betrifft ein Anzeigefeld, das ein TFT-Matrixsubstrat, ein Farbfiltersubstrat und eine zwischen dem TFT-Matrixsubstrat und dem Farbfiltersubstrat angeordnete Anzeigemediumschicht umfasst. Das TFT-Matrixsubstrat umfasst eine Grundplatte, einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich und einen auf der Grundplatte angeordneten Gatetreiberschaltungsbereich. Der Anzeigebereich umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, und eine Vielzahl von Abtastleitungen, die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei sich die Abtastleitungen mit den Datenleitungen kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind. Der Gatetreiberschaltungsbereich umfasst zudem mindestens einen ersten Kondensator und eine Vielzahl von TFTs, die jeweils voneinander getrennt sind, um einen Randbereich zwischen den TFTs zu bilden, in dem der erste Kondensator angeordnet ist.
  • Ein weiterer erfinderischer Aspekt betrifft eine Anzeigevorrichtung, die ein Anzeigefeld umfasst, das ein TFT-Matrixsubstrat, ein Farbfiltersubstrat und eine zwischen dem TFT-Matrixsubstrat und dem Farbfiltersubstrat angeordnete Anzeigemediumschicht umfasst. Das TFT-Matrixsubstrat umfasst eine Grundplatte, einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich und einen auf der Grundplatte angeordneten Gatetreiberschaltungsbereich. Der Anzeigebereich umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, und eine Vielzahl von Abtastleitungen, die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei sich die Abtastleitungen mit den Datenleitungen kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind. Der Gatetreiberschaltungsbereich umfasst zudem mindestens einen ersten Kondensator und eine Vielzahl von TFTs, die jeweils voneinander getrennt sind, um einen Randbereich zwischen den TFTs zu bilden, in dem der erste Kondensator angeordnet ist.
  • Anhand der oben beschriebenen technischen Lösung offenbart die vorliegende Offenbarung das Matrixsubstrat, das Anzeigefeld und die Anzeigevorrichtung, der Kondensator in dem Gatetreiberschaltungsbereich ist in dem Randbereich angeordnet, der zwischen den TFTs gebildet wird, d.h., der Kondensator ist in den Zwischenräumen angeordnet, die zwischen den TFTs gebildet werden, so dass der Bereich der Gatetreiberschaltung effizient genutzt wird, wodurch die Flächenausnutzung der Gatetreiberschaltung verbessert und die von dem Kondensator belegte Fläche im Vergleich zu der von dem früheren Kondensator belegte Fläche verkleinert wird. Aufgrund der relativ kleinen Fläche der peripheren Schaltung der im Anzeigebereich angeordneten Gatetreiberschaltung wird ein schmaler Rahmen ausgeführt.
  • Figurenliste
  • Zur näheren Beschreibung der technischen Lösungen in den Ausgestaltungen der vorliegenden Offenbarung werden die beigefügten Zeichnungen nachfolgend kurz beschrieben. Dabei veranschaulichen die beigefügten Zeichnungen nur einige Ausgestaltungen der Offenbarung. Für den Durchschnittsfachmann ist es möglich, nach den Begleitzeichnungen andere Figuren zu erstellen, ohne dass eine erfinderische Tätigkeit erforderlich ist.
    • 1 ist ein Prinzipschaltbild eines Gatetreiberschaltungsbereichs nach der verwandten Technik.
    • 2 ist ein Prinzipschaltbild eines weiteren Gatetreiberschaltungsbereichs nach der verwandten Technik.
    • 3 ist ein Prinzipschaltbild eines TFT-Matrixsubstrats gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 3A ist ein weiteres Prinzipschaltbild eines TFT-Matrixsubstrats gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist ein Prinzipschaltbild eines Gatetreiberschaltungsbereichs gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 5 ist ein Prinzipschaltbild eines weiteren Gatetreiberschaltungsbereichs gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A der 4.
    • 6A ist ein Prinzipschaltbild eines weiteren Gatetreiberschaltungsbereichs gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 ist ein Ersatzschaltbild eines Gatetreiberschaltungsbereichs gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 8 ist ein Prinzipschaltbild einer Drahtverbindungsstruktur in dem Gatetreiberschaltungsbereich gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung.
    • 9 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B der 8.
    • 10 ist ein Ersatzschaltbild eines ersten Kondensators in 8;
    • 11 ist ein Prinzipschaltbild der Struktur eines ersten Kondensators gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung;
    • 12 ist ein Prinzipschaltbild einer weiteren Struktur eines ersten Kondensators gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung;
    • 13 ist ein Prinzipschaltbild einer weiteren Struktur eines ersten Kondensators gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung;
    • 14 ist ein Ersatzschaltbild eines ersten Kondensators in 11.
    • 15 ist ein Ersatzschaltbild eines ersten Kondensators in 12;
    • 16 ist ein Ersatzschaltbild eines ersten Kondensators in 13;
    • 17 ist ein Prinzipschaltbild eines Anzeigefeldes gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung; und
    • 18 ist ein Prinzipschaltbild einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung; Anzeigevorrichtung.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausgestaltung
  • Die technischen Lösungen in den Ausgestaltungen der vorliegenden Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die Begleitzeichnungen, welche die Ausgestaltungen der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen, klar und sorgfältig beschrieben. Dabei handelt es sich bei den beschriebenen Ausgestaltungen nur um Teile und nicht um alle Ausgestaltungen der vorliegenden Offenbarung. Unter den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollen alle weiteren Ausgestaltungen fallen, die ein Durchschnittsfachmann ohne kreative Arbeit anhand der beschriebenen Ausgestaltungen bereitstellen kann.
  • Die Formen und Größen der einzelnen Bauelemente, die in den Begleitzeichnungen dargestellt sind, sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht, sondern dienen lediglich dazu, den Inhalt der vorliegenden Offenbarung zu veranschaulichen.
  • Wie in den 3 bis 6 dargestellt, offenbart die vorliegende Offenbarung ein TFT-Matrixsubstrat, das eine Grundplatte umfasst, einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich 101 und Gatetreiberschaltungsbereiche 100, die in dem peripheren Bereich um den Anzeigebereich 101 herum angeordnet sind. Wie in 3 dargestellt, sind die Gatetreiberschaltungsbereiche 100 in dem peripheren Bereich an zwei Seiten des Anzeigebereichs 101 angeordnet; alternativ können die Gatetreiberschaltungsbereiche 100 in dem peripheren Bereich entsprechend der speziellen Bauweise des Anzeigefeldes, die nicht hierauf beschränkt ist, nur an einer Seite des Anzeigebereichs 101 angeordnet sein. Der Anzeigebereich 101 umfasst eine Vielzahl von Datenleitungen DL (wie in 3A dargestellt), die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, und eine Vielzahl von Abtastleitungen SL (wie in 3A dargestellt), die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei die Abtastleitungen sich mit den Datenleitungen kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind. Die Datenleitungen werden durch Strukturierung einer Datenleitungs-Metallschicht gebildet, und die Abtastleitungen werden durch Strukturierung einer Gatemetallschicht gebildet. Im Allgemeinen weist das TFT-Matrixsubstrat eine Bottom-Gate-Struktur auf, d.h., eine Gateelektrode des TFT, die durch die Gatemetallschicht gebildet wird, befindet sich in einer unteren Metallschicht in dem Matrixsubstrat, und eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode des TFT, die durch die Datenmetallschicht gebildet werden, sind über der Gateelektrode angeordnet. Der TFT ist in der vorliegenden Ausgestaltung erläuternd mit einer Bottom-Gate-Struktur beschrieben, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein.
  • Die 4 bis 5 sind vergrößerte Prinzipschaltbilder des in 3 dargestellten Gatetreiberschaltungsbereichs 100, und 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A der 4. Der Gatetreiberschaltungsbereich 100 umfasst insbesondere mindestens einen ersten Kondensator 12, eine Vielzahl von TFTs 13 und gemeinsamer BUS-Drähte 11. Der erste Kondensator 12 ist üblicherweise ein Parallelplattenkondensator, d.h., der erste Kondensator 12 umfasst mindestens zwei Elektrodenplatten, z.B. eine erste Elektrodenplatte 12b und eine zweite Elektrodenplatte 12a, die über der ersten Elektrodenplatte 12b angeordnet und von dieser elektrisch isoliert ist, um den Parallelplattenkondensator zu bilden. Was den Parallelplattenkondensator betrifft, so ist der Abstand zwischen den zwei Elektrodenplatten ein kritischer Parameter für die Kapazität des Kondensators. In der vorliegenden Ausgestaltung kann bezüglich des ersten Kondensators 12 der Abstand zwischen der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweiten Elektrodenplatte 12a entsprechend der Dicke einer Isolierschicht 15b innerhalb eines auf dem Gebiet zulässigen Bereichs angepasst werden.
  • Wie ebenfalls in den 4 bis 6 dargestellt, umfasst die ASG-Ansteuerschaltung entsprechend der Struktur der ASG-Ansteuerschaltung im Allgemeinen eine Vielzahl der jeweils voneinander getrennten TFTs 13, so dass unterschiedliche Steuerungsfunktionen möglich sind. Der TFT 13 umfasst hauptsächlich eine Gateelektrode 13a, eine Source/Drainelektrode 13b (da die Sourceelektrode und die Drainelektrode austauschbar sind, werden sie in der vorliegenden Offenbarung nicht unterschieden und allgemein als Source/Drainelektrode bezeichnet) und eine Halbleiterschicht 13c (die aus amorphem Silizium, wie z.B. a-Si, bestehen kann). Da die TFTs 13 voneinander beabstandet sind, wird ein Randbereich 14 gebildet. Wie in den 4 bis 5 dargestellt, ist die Vielzahl von TFTs 13 so auf dem Matrixsubstrat angeordnet, dass zwischen je zwei benachbarten TFTs 13 ein Zwischenraum entsteht, wie durch die Ellipsen in den 4 bis 5 gekennzeichnet. Die Zwischenräume umfassen annähernd querverlaufenden Zwischenräume 14a, die zwischen benachbarten TFTs in der Auf-Ab-Richtung gebildet werden, und annähernd vertikale Zwischenräume 14b, die zwischen benachbarten TFTs in Links-Rechts-Richtung gebildet sind, wodurch der Randbereich 14 gebildet wird. Da eine beträchtliche Fläche des Gatetreiberschaltungsbereichs 100 von dem Randbereich 14 belegt wird und somit unbrauchbar ist, wird in dem Gatetreiberschaltungsbereich 100 ein ungültiger Bereich vergrößert, so dass auch eine Gesamtfläche des Gatetreiberschaltungsbereichs 100 vergrößert wird, d.h., eine Fläche des Gatetreiberschaltungsbereichs 100, der in dem peripheren Bereich um den Anzeigebereich herum angeordnet ist, ist zu groß, um einen schmalen Rahmen auszuführen. Um dieses Problem zu lösen, wird in der vorliegenden Offenbarung eine technische Lösung offenbart, die darin besteht, den ersten Kondensator 12 in dem Randbereich 14 anzuordnen, wodurch eine Fläche des Gatetreiberschaltungsbereichs 100 eingespart wird, die von dem ersten Kondensator 12 belegt wird.
  • Die Anordnung des ersten Kondensators 12 ist unter Bezugnahme auf die 4 bis 6 nachfolgend detailliert beschrieben.
  • Da der Randbereich 14, wie in den 4 bis 5 dargestellt, eine Vielzahl der annähernd querverlaufenden Zwischenräume 14a (durch Ellipsen gekennzeichnet) und eine Vielzahl der annähernd vertikalen Zwischenräume 14b (durch Ellipsen gekennzeichnet) umfasst, sind die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a des ersten Kondensators 12 in den annähernd querverlaufenden Zwischenräumen 14a und den annähernd vertikalen Zwischenräumen 14b angeordnet und bedecken die zwischen den TFTs 13 gebildeten Zwischenräume, und die Anordnung der Elektrodenplatten entspricht im Wesentlichen derjenigen der Zwischenräume, d.h., die Strukturen der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweiten Elektrodenplatte 12a sind mindestens teilweise mit den Strukturen der Zwischenräume identisch, so dass die Strukturen der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweiten Elektrodenplatte 12a mit den Strukturen oder Formen der Zwischenräume übereinstimmen oder ihnen ähneln. Da der erste Kondensator 12 als ein Parallelplattenkondensator gebildet ist, entspricht natürlich eine Struktur der ersten Elektrodenplatte 12b im Wesentlichen derjenigen der zweiten Elektrodenplatte 12a, aber die Größe der ersten Elektrodenplatte 12b kann sich von derjenigen der zweiten Elektrodenplatte 12a unterscheiden; die erste Elektrodenplatte 12b kann beispielsweise, wenn sie in einer unteren Schicht angeordnet ist, größer sein als die zweite Elektrodenplatte 12a; alternativ kann eine Breite der ersten Elektrodenplatte 12b größer sein als die der zweiten Elektrodenplatte 12a in derselben Schnittdarstellung.
  • Wenn, wie in 6 dargestellt, die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a des ersten Kondensators 12 in dem Randbereich 14 angeordnet sind, ist anzumerken, dass orthographische Projektionen der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweite Elektrodenplatte 12a auf der Grundplatte nicht mit einer Halbleiterschicht 13c des TFT 13 überlagert werden können, d.h., die maximale Breite der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweiten Elektrodenplatte 12a ist nicht größer als der Abstand D zwischen den Halbleiterschichten 13c zweier benachbarter TFTs 13, d.h., die maximale effektive Breite der ersten Elektrodenplatte 12b oder der zweiten Elektrodenplatte12a ist D, hierbei bezieht sich die effektive Breite auf die Breite eines Teils der Elektrodenplatte, der tatsächlich zur Erzeugung von Kapazität beiträgt. Wenn die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a die maximale effektive Breite haben, bedeckt der erste Kondensator 12 den Randbereich 14 vollständig, und die Form des ersten Kondensators 12 entspricht im Wesentlichen derjenigen des Zwischenraumes und eine Breite der Elektrodenplatte ist größer als eine Breite des Zwischenraumes. Eine Breite des Zwischenraumes zwischen Gateelektroden 13a zweiter benachbarter TFTs 13 ist z.B. im Allgemeinen größer als 10µm und der Abstand D zwischen zwei benachbarten Halbleiterschichten 13c beträgt im Allgemeinen etwa 20µm, d.h., eine Breite des entsprechenden Zwischenraumes und eine Länge jedes TFTs 13 betragen etwa 300µm, das entspricht einer Länge des jeweiligen Zwischenraumes, so dass eine Fläche eines zwischen je zwei benachbarten TFTs gebildeten Zwischenraumes in Links-Rechts-Richtung etwa 6000µm2 beträgt. Unter Berücksichtigung eines tatsächlichen Verdrahtungsbereichs eines ersten Kondensators 12 von etwa 10000µm2 und der Zwischenräume zwischen anderen benachbarten TFTs 13 ist es möglich, den ersten Kondensator 12 vollständig in den Zwischenräumen unterzubringen, so dass der erste Kondensator 12 in dem Randbereich 14 angeordnet ist und ein von dem ersten Kondensator 12 in der verwandten Technik belegter zugeordneter Verdrahtungsbereich nicht erforderlich ist, so dass eine Fläche, die von dem Gatetreiberschaltungsbereich 100 auf der Grundplatte belegt wird, eingespart wird.
  • Wie in 6 dargestellt, ist zwischen der ersten Elektrodenplatte 12b und der Datenleitungs-Metallschicht (welche die Source/Drainelektrode 13b bildet) eine erste dielektrische Schicht 15a vorgesehen; diese dielektrische Schicht sollte ausreichend dick sein, so dass, wenn Drähte in der Datenleitungs-Metallschicht und die erste Elektrodenplatte 12b, die an einer Ober- bzw. einer Unterseite der dielektrischen Schicht 15a angeordnet sind, sich in der Draufsicht überlagern, die Kopplungskapazität zwischen der ersten Elektrodenplatte 12b und der Datenleitungs-Metallschicht zu klein ist, um den Normalbetrieb der Gatetreiberschaltung zu beeinträchtigen. Überdies kann es sich bei der ersten dielektrischen Schicht 15a um eine Passivierungsschicht oder einen organischen Film handeln, deren Breite im Bereich von 0,8µm bis 5µm, vorzugsweise von 1µm bis 3µm, liegt.
  • Wie in den 7 bis 10 dargestellt, sind die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a des ersten Kondensators 12 über Durchstecklöcher mit einem ersten Potential V1 bzw. mit einem zweiten Potential V2 verbunden. Die vorliegende Ausgestaltung wird, wie in 7 dargestellt, mit Bezug auf eine schematische Darstellung einer Gatetreiberschaltung beschrieben, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Die Gatetreiberschaltung gemäß 7 umfasst neune TFTs und zwei Kondensatoren zur Ansteuerung des Anzeigefeldes. Das Potential-Verbindungsverhältnis für einen ersten Kondensator C1, d.h., den ersten Kondensator 12, wird z.B. so beschrieben, dass eine Klemme des ersten Kondensators C1 speziell mit einer Taktsignalklemme CK1 elektrisch verbunden ist und die andere Klemme des ersten Kondensators C1 mit einem Pulldown-Signalpunkt Q elektrisch verbunden ist, wie in 7 dargestellt. Somit kann davon ausgegangen werden, dass das erste Potential V1 an der Taktsignalklemme CK1 bereitgestellt wird und das zweite Potential V2 an dem Pulldown-Signalpunkt Q. Da ein von der Taktsignalklemme CK1 übertragenes Spannungssignal (d.h. das erste Potential V1) von einem gemeinsamen BUS-Draht 11 in der Gatetreiberschaltung kommt und die erste Elektrodenplatte 12b mittels einer ersten Drahtverbindungsstruktur K1 über andere Signalleitungen erreicht und die Pulldown-Signalklemme Q sowohl mit einer Gateelektrode eines TFT und einer Source/Drainelektrode eines anderen TFT verbunden ist - z.B. ist, wie in 7 dargestellt, der Pulldown-Signalpunkt Q mit der Gateelektrode eines TFT T6 und der Source/Drainelektrode eines anderen TFT T5 verbunden -, ist eine zweite Drahtverbindungsstruktur K2 notwendig, um das zweite Potential V2 mit der zweite Elektrodenplatte 12a zu verbinden.
  • Unter Bezugnahme auf die 8 bis 10 wird die Drahtverbindungsstruktur im Folgenden detailliert beschrieben; 8 ist ein Prinzipschaltbild einer Verbindungsstruktur, 9 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B in 8 und 10 ist ein Ersatzschaltbild des ersten Kondensators 12 .
  • Die erste Elektrodenplatte 12b ist mittels der ersten Drahtverbindungsstruktur K1 mit dem ersten Potential V1 verbunden (wie in den gestrichelten Ellipsen in den 8 bis 9 dargestellt); bei der ersten Drahtverbindungsstruktur K1 ist insbesondere die erste Elektrodenplatte 12b durch ein Durchsteckloch K11 in der ersten Drahtverbindungsstruktur K1 freigelegt, die Datenleitungs-Metallschicht 13b ist durch ein Durchsteckloch K12 freigelegt, die Abtastleitungs-Metallschicht 13a ist durch ein Durchsteckloch K13 freigelegt, und die erste Elektrodenplatte 12b, die Datenleitungs-Metallschicht 13b und die Abtastleitungs-Metallschicht 13a sind mittels einer ersten Verbindungsschicht K14 miteinander verbunden, so dass das erste Potential V1 an dem gemeinsamen BUS-Draht 11 an die erste Elektrodenplatte 12b übertragen werden kann. Der gemeinsame BUS-Draht 11 ist selbstverständlich in der Abtastleitungs-Metallschicht 13b angeordnet. Überdies können die erste Verbindungsschicht K14 und die zweite Elektrodenplatte 12a in derselben Schicht angeordnet sein und aus dem gleichen Material bestehen, z.B. aus einem durchlässigen leitfähigen Material, wie z.B. ITO, Indium-Zinkoxid (IZO) oder einem Metallmaterial.
  • Die zweite Elektrodenplatte 12a ist mittels der zweiten Drahtverbindungsstruktur K2 mit dem zweiten Potential V2 verbunden (wie in den gestrichelten Ellipsen in den 8 bis 9 dargestellt); bei der ersten Drahtverbindungsstruktur K2 ist insbesondere die Datenleitungs-Metallschicht 13b durch ein Durchsteckloch K22 in der ersten Drahtverbindungsstruktur K2 freigelegt, die Abtastleitungs-Metallschicht 13a ist durch eine Durchsteckloch K21 freigelegt, und die zweite Elektrodenplatte 12a, die Datenleitungs-Metallschicht 13b und die Abtastleitungs-Metallschicht 13a sind mittels einer zweiten Verbindungsschicht K24 miteinander verbunden, so dass das zweite Potential V2 an der Abtastleitungs-Metallschicht 13a an die zweite Elektrodenplatte 12a übertragen werden kann. Überdies können die zweite Verbindungsschicht K24 und die zweite Elektrodenplatte 12a in derselben Schicht angeordnet sein und aus dem gleichen Material bestehen, z.B. aus einem durchlässigen leitfähigen Material, wie z.B. ITO, Indium-Zinkoxid (IZO) oder einem Metallmaterial.
  • Die oben beschriebenen Durchstecklöcher stellen nur eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar und können je nach der Bauweise anderer Elemente unterschiedlich gestaltet sein, vorausgesetzt, sie ermöglichen, dass das erste Potential V1 und das zweite Potential V2 mit der ersten Elektrodenplatte 12b bzw. der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch verbunden werden, was an dieser Stelle nicht erneut beschrieben wird und nicht auf die vorliegende Ausgestaltung beschränkt ist.
  • In einer Ausgestaltung umfasst der Anzeigebereich des Matrixsubstrats eine erste durchlässige leitfähige Elektrode T2 (wie in 6A dargestellt), bei der es sich um eine Pixelelektrode oder eine gemeinsame Elektrode in dem Matrixsubstrat handelt, und eine zweite durchlässige leitfähige Elektrode T1 (wie in 6A dargestellt), bei der es sich um eine Pixelelektrode oder eine gemeinsame Elektrode in dem Matrixsubstrat handelt. Die erste Elektrodenplatte 12b kann in derselben Schicht wie die erste durchlässige leitfähige Elektrode T2 angeordnet sein und aus dem gleichen Material wie diese bestehen, und die zweite Elektrodenplatte 12a kann in derselben Schicht wie die zweite durchlässige leitfähige Elektrode T1 angeordnet sein und aus dem gleichen Material wie diese bestehen. In einer solchen Struktur kann die in dem Matrixsubstrat angeordnete durchlässige leitfähige Schicht dazu verwendet werden, sowohl die durchlässigen leitfähigen Elektroden in dem Anzeigebereich und die Kondensatoren in dem Gatetreiberschaltungsbereich 100 zu bilden, so dass das Herstellungsverfahren einer solchen Struktur vereinfacht und die Kosten gesenkt werden. Selbstverständlich kann der im Gatetreiberschaltungsbereich 100 angeordnete erste Kondensator auch aus anderen Metallschichten gebildet sein.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung umfasst der erste Kondensator zudem eine dritte Elektrodenplatte, die auf der zweiten Elektrodenplatte elektrisch von dieser isoliert angeordnet ist, und die dritte Elektrodenplatte ist mit der ersten Elektrodenplatte elektrisch verbunden, alternativ ist die dritte Elektrodenplatte mit der zweiten Elektrodenplatte elektrisch verbunden. Die dritte Elektrodenplatte wird beispielsweise als mit der ersten Elektrodenplatte elektrisch verbunden beschrieben.
  • Wie in 11 dargestellt, umfasst der erste Kondensator 12 zudem eine dritte Elektrodenplatte 16a, die zusätzlich zu der ersten Elektrodenplatte 12b und der zweiten Elektrodenplatte 12a über der zweite Elektrodenplatte 12a angeordnet ist, wobei die dritte Elektrodenplatte 16a durch eine Isolierschicht 15c von der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch isoliert ist. Da es sich bei dem ersten Kondensator 12 um einen Parallelplattenkondensator handelt, kann ein Abstand zwischen der zweiten Elektrodenplatte 12a und der dritten Elektrodenplatte 16a durch die Dicke der Isolierschicht 15c angepasst werden, vorausgesetzt der Abstand liegt mit Bezug auf die verwandte Technik innerhalb eines zulässigen Bereichs. Die dritte Elektrodenplatte 16a ist über ein Durchsteckloch 17a mit der ersten Elektrodenplatte 12b elektrisch verbunden, d.h., das Potential der dritten Elektrodenplatte 16a ist gleich dem der ersten Elektrodenplatte 12b, da sowohl die dritte Elektrodenplatte 16a und die erste Elektrodenplatte 12b mit dem erste Potential V1 elektrisch verbunden sind, folglich bilden die dritte Elektrodenplatte 16a und die erste Elektrodenplatte 12b keinen Kondensator.
  • Wie in 11 und 14 dargestellt, wobei die 14 ein Ersatzschaltbild des ersten Kondensators 12 in 11 ist, umfasst der erste Kondensator 12 drei Elektrodenplatten, ein Kondensator C11 wird durch erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und ein Kondensator C12 wird durch die zweite Elektrodenplatte 12a und die dritte Elektrodenplatte 16a gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, d.h. der erste Kondensator 12 wird, wie in 14 dargestellt, durch die parallel verbundenen Kondensatoren C11 und C12 gebildet. Somit wird die Kapazität des ersten Kondensators 12 erhöht und Flächen der Elektrodenplatten werden reduziert, wodurch eine Fläche des kapazitiven ASG-Bereichs, die von dem ersten Kondensator 12 belegt wird, verringert und Raum gespart wird.
  • Auf der Basis der obigen Ausgestaltungen wird eine weitere Ausgestaltung der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt, bei der der erste Kondensator zudem eine vierte Elektrodenplatte umfasst, die über der dritten Elektrodenplatte elektrisch von dieser isoliert angeordnet ist, und die vierte Elektrodenplatte ist mit der ersten Elektrodenplatte elektrisch verbunden und die dritte Elektrodenplatte ist mit der zweiten Elektrodenplatte elektrisch verbunden. Alternativ ist die vierte Elektrodenplatte mit der zweiten Elektrodenplatte elektrisch verbunden und die dritte Elektrodenplatte ist mit der ersten Elektrodenplatte elektrisch verbunden.
  • Die obige Ausgestaltung ist im Folgenden detailliert beschrieben; wie in 12 und 15 dargestellt, ist innerhalb des ersten Kondensators 12 die vierte Elektrodenplatte 16b mit der ersten Elektrodenplatte 12b elektrisch verbunden und die dritte Elektrodenplatte 16a ist mit der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch verbunden.
  • Zusätzlich zu der ersten Elektrodenplatte 12b, der zweiten Elektrodenplatte 12a und der dritten Elektrodenplatte 16a umfasst der erste Kondensator 12 zudem eine vierte Elektrodenplatte 16b, die über der dritten Elektrodenplatte 16a angeordnet und durch eine Isolierschicht 15d von dieser elektrisch isoliert ist. Zudem ist der erste Kondensator 12 ein Parallelplattenkondensator, folglich kann ein Abstand zwischen der dritten Elektrodenplatte 16a und der vierten Elektrodenplatte 16b durch die Dicke der Isolierschicht 15d angepasst werden, vorausgesetzt der Abstand liegt mit Bezug auf die verwandte Technik innerhalb eines zulässigen Bereichs. Die dritte Elektrodenplatte 16a ist über ein Durchsteckloch 17a mit der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch verbunden; und die vierte Elektrodenplatte 16b ist über ein Durchsteckloch 17b mit der ersten Elektrodenplatte 12b elektrisch verbunden. D.h., das Potential der dritten Elektrodenplatte 16a ist gleich dem der zweiten Elektrodenplatte 12a und sowohl die dritte Elektrodenplatte 16a und die zweite Elektrodenplatte 12a sind mit dem zweiten Potential V2 elektrisch verbunden, folglich bilden die dritte Elektrodenplatte 16a und die zweite Elektrodenplatte 12a keinen Kondensator. Das Potential der vierten Elektrodenplatte 16b ist gleich dem der ersten Elektrodenplatte 12b und die vierte Elektrodenplatte 16b und die erste Elektrodenplatte 12b sind mit dem ersten Potential V1 elektrisch verbunden, daher bilden die vierte Elektrodenplatte 16b und die erste Elektrodenplatte 12b keinen Kondensator.
  • Wie in 12 und 15 dargestellt, wobei es sich bei der 15 um ein Ersatzschaltbild des ersten Kondensators in 11 handelt, umfasst der erste Kondensator 12 vier Elektrodenplatten, ein Kondensator C11 wird durch die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und ein Kondensator C12 wird durch die dritte Elektrodenplatte 16a und die vierte Elektrodenplatte 16b gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, d.h., der erste Kondensator 12 wird, wie in 15 dargestellt, durch die parallel verbundenen Kondensatoren C11 und C12 gebildet. Folglich wird die Kapazität des ersten Kondensators 12 erhöht und die Flächen der Elektrodenplatten werden verkleinert, wodurch eine Fläche des kapazitiven ASG-Bereichs, die von dem ersten Kondensator 12 belegt wird, verringert und Raum gespart wird.
  • In einer weiteren in 13 und 16 dargestellten Ausgestaltung ist innerhalb des ersten Kondensators 12 die vierte Elektrodenplatte 16b mit der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch verbunden und die dritte Elektrodenplatte 16a ist mit der ersten Elektrodenplatte 12b elektrisch verbunden.
  • Darüber hinaus umfasst der erste Kondensator 12 zusätzlich zu der ersten Elektrodenplatte 12b, der zweiten Elektrodenplatte 12a und der dritten Elektrodenplatte 16a eine vierte Elektrodenplatte 16b, die auf der dritten Elektrodenplatte 16a angeordnet und mittels der Isolationsschicht 15d von dieser elektrisch isoliert ist. Zudem handelt es sich bei dem ersten Kondensator 12 um einen Parallelplattenkondensator, daher kann ein Abstand zwischen der dritten Elektrodenplatte 16a und der vierte Elektrodenplatte 16b durch die Dicke der Isolierschicht 15d angepasst werden, vorausgesetzt der Abstand liegt mit Bezug auf die verwandte Technik innerhalb eines zulässigen Bereichs. Die dritte Elektrodenplatte 16a ist über ein Durchsteckloch 17c mit der ersten Elektrodenplatte 12b elektrisch verbunden, und die vierte Elektrodenplatte 16b ist über ein Durchsteckloch 17d mit der zweiten Elektrodenplatte 12a elektrisch verbunden. D.h. das Potential der dritten Elektrodenplatte 16a ist gleich dem der ersten Elektrodenplatte 12b und sowohl die dritte Elektrodenplatte 16a und die erste Elektrodenplatte 12b sind mit dem ersten Potential V1 elektrisch verbunden, daher bilden die dritte Elektrodenplatte 16a und die erste Elektrodenplatte 12b keinen Kondensator. Das Potential der vierten Elektrodenplatte 16b ist gleich dem der zweiten Elektrodenplatte 12a und die vierte Elektrodenplatte 16b und die zweite Elektrodenplatte 12a sind mit dem ersten Potential V2 elektrisch verbunden, folglich bilden die vierte Elektrodenplatte 16b und die zweite Elektrodenplatte 12a keinen Kondensator.
  • Wie in 13 und 16 dargestellt - wobei die 16 ein Ersatzschaltbild des ersten Kondensators 12 in 11 ist - umfasst der erste Kondensator 12 eine vierte Elektrodenplatte, ein Kondensator C11 wird durch die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, ein Kondensator C22 wird durch die dritte Elektrodenplatte 16a und die vierte Elektrodenplatte 16b gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und ein Kondensator C12 wird durch die dritte Elektrodenplatte 16a und die zweite Elektrodenplatte 12a gebildet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind. D.h., wie in 16 dargestellt, wird der erste Kondensator 12 durch die parallel verbundenen Kondensatoren C11, C12 und C22 gebildet. Folglich wird die Kapazität des ersten Kondensators 12 erhöht und die Flächen der Elektrodenplatten werden verkleinert, wodurch eine Fläche des Gatetreiberschaltungsbereichs, die von dem ersten Kondensator 12 belegt wird, verringert und Raum gespart wird.
  • In den oben beschriebenen Ausgestaltungen bestehen die erste Elektrodenplatte, die zweite Elektrodenplatte, die dritte Elektrodenplatte und die vierte Elektrodenplatte aus Metallmaterial oder durchlässigem Metalloxidmaterial. Wenn die erste Elektrodenplatte 12b und die zweite Elektrodenplatte 12a aus dem gleichen Material gefertigt und in der gleichen Schicht angeordnet sind wie die durchlässige leitfähige Elektrode in dem Anzeigebereich, können die dritte Elektrodenplatte 16a und die vierte Elektrodenplatte 16b aus durchlässigem leitfähigem Material, wie z.B. durchlässigem Metalloxidmaterial wie ITO, IZO usf. gefertigt sein, folglich können diese vier Elektrodenplatten aus dem gleichem Material gefertigt werden, was die Herstellungsschritte vereinfacht. Selbstverständlich können die dritte Elektrodenplatte 16a und die vierte Elektrodenplatte 16b aus Metallmaterial bestehen, wofür hier keine Beschränkung gegeben wird.
  • Wie in 17 dargestellt, offenbart die vorliegende Offenbarung zudem ein Anzeigefeld 10, welches das oben beschriebene TFT-Matrixsubstrat 10b, ein Farbfiltersubstrat 10c und eine Anzeigemediumschicht 10a umfasst, die zwischen dem TFT-Matrixsubstrat 10b und dem Farbfiltersubstrat 10c angeordnet ist.
  • Wie in 18, dargestellt, offenbart die vorliegende Offenbarung zudem eine Anzeigevorrichtung 1, die das oben beschriebene Anzeigefeld 10 umfasst. Bei der Anzeigevorrichtung kann es sich um eine Anzeigevorrichtung für Mobiltelefone, Tablet-Computer, Fernseher, Displayer, Laptops, digitale Bilderrahmen, Navigatoren und alle anderen Produkte oder Komponenten mit einer Anzeigefunktion handeln. Die Ausführung der Anzeigevorrichtung kann die Ausgestaltung des Flüssigkristall-Anzeigefeldes betreffen, die hier nicht erneut beschrieben wird.
  • Die verschiedenen Ausgestaltungen der vorliegenden Spezifizierung sind schrittweise beschrieben, wobei der Schwerpunkt auf Unterschieden zwischen einer nachfolgenden und einer vorherigen Ausgestaltung liegt, aber ähnliche Teile zwischen den verschiedenen Ausgestaltungen sich aufeinander beziehen können.
  • Die vorliegende Offenbarung kann von Fachleuten gemäß den obigen Beschreibungen der Ausgestaltungen umgesetzt und angewandt werden. Es ist erkennbar, dass Fachleute verschiedene Modifikationen der Ausgestaltungen vornehmen können. Das allgemeine hierin festgelegte Prinzip kann in anderen Ausgestaltungen angewendet werden, ohne dass von dem Konzept und Umfang der vorliegenden Offenbarung abgewichen wird. Daher ist die vorliegende Offenbarung nicht auf ihre Ausgestaltungen beschränkt, sondern betrifft einen größtmöglichen Anwendungsbereich gemäß dem offenbarten Prinzip und den Neuheiten der vorliegenden Offenbarung.

Claims (19)

  1. Ein TFT-Matrixsubstrat, das Folgendes umfasst: eine Grundplatte; einen auf der Grundplatte angeordneten Anzeigebereich (101); und einen auf der Grundplatte angeordneten Gatetreiberschaltungsbereich (100), wobei der Anzeigebereich (101) Folgendes umfasst: eine Vielzahl von Datenleitungen (DL), die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, und eine Vielzahl von Abtastleitungen (SL), die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, wobei die Abtastleitungen die Datenleitungen (DL) kreuzen, von denen sie elektrisch isoliert sind, wobei der Gatetreiberschaltungsbereich (100) Folgendes umfasst: mindestens einen ersten Kondensator (12), wobei der mindestens eine erste Kondensator (12) zwei zueinander angeordnete Elektrodenplatten aufweist, und eine Vielzahl von TFTs (13), die jeweils voneinander getrennt sind, um einen Randbereich (14) zwischen Source/Drainelektroden benachbarter TFTs (13) zu bilden, wobei der Randbereich (14) Zwischenräume (14a, 14b) umfasst, die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) gebildet sind; wobei in einer Draufsicht, die Zwischenräume (14a, 14b) annähernd querverlaufenden Zwischenräume (14a), die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) in der Auf-Ab-Richtung gebildet werden, und annähernd vertikale Zwischenräume (14b), die zwischen den Source/Drainelektroden der benachbarten TFTs (13) in Links-Rechts-Richtung gebildet sind, aufweisen; wobei die zwei Elektrodenplatten des mindestens einen ersten Kondensators (12) vollständig sowohl in den annähernd querverlaufenden Zwischenräumen (14a) als auch in den annähernd vertikalen Zwischenräumen (14b) angeordnet sind.
  2. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 1, wobei die zwei Elektrodenplatten eine erste Elektrodenplatte (12b) und eine zweite Elektrodenplatte (12a) sind, die einander gegenüberliegend angeordnet und elektrisch voneinander isoliert sind, wobei Strukturen der ersten Elektrodenplatte (12b) und der zweite Elektrodenplatte (12a) mindestens teilweise mit den Formen der Zwischenräume (14a) identisch sind.
  3. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 2, wobei die erste Elektrodenplatte (12b) mit einem ersten Potential (V1) elektrisch verbunden ist und die zweite Elektrodenplatte (12a) mit einem zweiten Potential (V2).
  4. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 3, wobei der Gatetreiberschaltungsbereich (100) zudem Folgendes umfasst: mindestens eine erste Drahtverbindungsstruktur (K1), welche eine Datenleitungs-Metallschicht (13b), eine Abtastleitungs-Metallschicht (13a) und die erste Elektrodenplatte (12b) freilegt, wobei die erste Elektrodenplatte (12b) mittels der ersten Drahtverbindungsstruktur (K1) mit dem ersten Potential (V1) elektrisch verbunden ist.
  5. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 4, wobei der Gatetreiberschaltungsbereich (100) zudem Folgendes umfasst: mindestens einen zweite Drahtverbindungsstruktur (K2), welche die Datenleitungs-Metallschicht (13b) und die Abtastleitungs-Metallschicht (13a) freilegt, wobei die zweite Elektrodenplatte (12a) mittels der zweiten Drahtverbindungsstruktur (K2) mit dem zweiten Potential (V2) elektrisch verbunden ist.
  6. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 3, wobei der erste Kondensator (12) zudem eine dritte Elektrodenplatte (16a) umfasst, die über der zweiten Elektrodenplatte (12a) und elektrisch von dieser isoliert angeordnet ist.
  7. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 6, wobei die dritte Elektrodenplatte (16a) mit der ersten Elektrodenplatte (12b) oder mit der zweiten Elektrodenplatte (12a) elektrisch verbunden ist.
  8. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 6, wobei der erste Kondensator (12) zudem eine vierte Elektrodenplatte (16b) umfasst, die über der dritten Elektrodenplatte (16a) und elektrisch von dieser isoliert angeordnet ist.
  9. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 8, wobei die vierte Elektrodenplatte (16b) mit der ersten Elektrodenplatte (12b) elektrisch verbunden ist und die dritte Elektrodenplatte (16a) mit der zweiten Elektrodenplatte (12a).
  10. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 8, wobei die vierte Elektrodenplatte (16b) mit der zweiten Elektrodenplatte (12a) elektrisch verbunden ist und die dritte Elektrodenplatte (16a) mit der ersten Elektrodenplatte (12b).
  11. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 8, wobei Strukturen der dritten Elektrodenplatte (16a) und der vierten Elektrodenplatte (16b) mindestens teilweise mit den Formen der Zwischenräume (14a) identisch sind.
  12. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 8, wobei zwischen einem oder mehreren benachbarten Paaren der ersten Elektrodenplatte (12b), der zweiten Elektrodenplatte (12a), der dritten Elektrodenplatte (16a) und der vierten Elektrodenplatte (16b) eine Isolierschicht (15b, 15c, 15d) vorgesehen ist.
  13. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 1, wobei zwischen der ersten Elektrodenplatte (12b) und einer Datenleitungs-Metallschicht (13b) eine erste dielektrische Schicht (15a) vorgesehen ist.
  14. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 13, wobei die erste dielektrische Schicht (15a) eine Passivierungsschicht oder eine organische Filmschicht aufweist.
  15. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 14, wobei eine Dicke des organischen Film in einem Bereich von 0,8µm bis 5µm liegt und eine Dicke der Passivierungsschicht in einem Bereich von 0,8µm bis 5µm.
  16. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 2, wobei der Anzeigebereich (101) eine erste durchlässige leitfähige Elektrode (T2) und eine zweite durchlässige leitfähige Elektrode (T1) umfasst, wobei die erste Elektrodenplatte (12b) aus dem gleichen Material wie die erste durchlässige leitfähige Elektrode (T2) besteht und in derselben Schicht wie diese angeordnet ist, und wobei die zweite Elektrodenplatte (12a) aus dem gleichen Material wie die zweite durchlässige leitfähige Elektrode (T1) besteht und in derselben Schicht wie diese angeordnet ist.
  17. TFT-Matrixsubstrat nach Anspruch 8, wobei die erste Elektrodenplatte (12b), die zweite Elektrodenplatte (12a), die dritte Elektrodenplatte (16a) und die vierte Elektrodenplatte (16b) aus Metallmaterial oder Metalloxidmaterial bestehen.
  18. Ein Anzeigefeld, das ein TFT-Matrixsubstrat (10b) nach einem der Ansprüche 1-17 umfasst, ein Farbfiltersubstrat (10c) und eine zwischen dem TFT-Matrixsubstrat (10b) und dem Farbfiltersubstrat (10c) angeordnete Anzeigemediumschicht (10a).
  19. Eine Anzeigevorrichtung, die ein Anzeigefeld nach Anspruch 18 umfasst.
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