TWI648572B - 開關元件陣列結構 - Google Patents

Abstract

一種開關元件陣列結構，包括基板、第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線以及開關元件。基板具有第一區域以及第二區域。第一區域的彎折率大於第二區域。第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線以及開關元件設置於基板上。第一訊號線與第二訊號線橫跨第一區域以及第二區域。第一訊號線包括位於第一區域中的第一多線段結構。第一多線段結構包括彼此並聯的多條第一線段。第三訊號線的延伸方向交錯於第一訊號線與第二訊號線。每一條第三訊號線電性連接其中一條第一訊號線。開關元件電性連接第二訊號線以及第三訊號線。

Description

開關元件陣列結構

本發明是有關於一種開關元件陣列結構，且特別是有關於一種包括具有彎折區域的開關元件陣列結構。

隨著電子產品設計有越來越多樣化的趨勢，目前，已發展出多種具有彎折區域的顯示面板，例如，曲面顯示器或可撓式顯示器。然而，針對這類型的電子產品，由於訊號線容易在彎折區域出現破損或斷線，因此容易造成訊號線阻抗上升而使訊號延遲或失真。舉例來說，在具有可撓式顯示器的電子產品中，彎折區域中的訊號線在經過反覆的彎折以及回復以後，訊號線上的缺陷會逐漸產生。進而，會造成圖像顯示異常，並影響到電子產品的顯示品質。為了因應市場的需求，目前需要一種能夠改善訊號線在顯示面板的彎折區域中，出現破損或斷線問題的電子產品。

本發明提供一種開關元件陣列結構，能夠改善訊號線在彎折區域出現破損的問題。

本發明的一種開關元件陣列結構，包括基板、多條第一訊號線、多條第二訊號線、多條第三訊號線以及多個開關元件。基板具有第一區域以及第二區域，且第一區域的彎折率大於第二區域。第一訊號線設置於基板上，其中每一條第一訊號線橫跨第一區域以及第二區域且包括至少一第一多線段結構。第一多線段結構位於第一區域中並包括彼此並聯的多條第一線段。第二訊號線設置於基板上，且每一條第二訊號線橫跨第一區域以及第二區域並與第一訊號線電性獨立。第三訊號線設置於基板上，其中第三訊號線的延伸方向交錯於第一訊號線與第二訊號線且每一條第三訊號線電性連接其中一條第一訊號線或其中一條第二訊號線。開關元件設置於基板上，其中每一條第三訊號線電性連接其中一條第一訊號線時每一個開關元件電性連接其中一條第二訊號線以及其中一條第三訊號線，或是每一條第三訊號線電性連接其中一條第二訊號線時每一個開關元件電性連接其中一條第一訊號線以及其中一條第三訊號線。

在本發明的一實施例中，至少一部分上述的開關元件設置於第一區域中，且另一部分開關元件設置於第二區域中。

在本發明的一實施例中，上述的第一訊號線傳輸資料訊號，且第二訊號線傳輸掃描訊號。

在本發明的一實施例中，上述的第一訊號線傳輸掃描訊號，且第二訊號線傳輸資料訊號。

在本發明的一實施例中，上述的每一條第一訊號線更包括單線段結構，單線段結構與第一多線段結構沿每一條第一訊號線的延伸方向依序連接。

在本發明的一實施例中，上述的第一多線段結構包括彼此並聯的N條第一線段，且單線段結構的線寬為N條第一線段其中一者的線寬的N倍，且N為大於1的整數。

在本發明的一實施例中，上述的每一條第一訊號線包括多個單線段結構，且單線段結構與第一多線段結構沿每一條第一訊號線的延伸方向交替連接。

在本發明的一實施例中，上述的每一個第一多線段結構位於相鄰的兩條第三訊號線之間。

在本發明的一實施例中，上述的每一個第一多線段結構的第一線段的相鄰兩者由開口分隔開來。

在本發明的一實施例中，上述的開口的形狀包括長方形或菱形。

在本發明的一實施例中，上述的第一多線段結構的第一線段的相鄰兩者的間隔距離為4微米。

在本發明的一實施例中，上述的第一訊號線的延伸方向與第二訊號線的延伸方向平行。

在本發明的一實施例中，上述的每一條第三訊號線電性連接其中一條第二訊號線時，第二訊號線的數量等於第三訊號線的數量。

在本發明的一實施例中，上述的每一條第三訊號線電性連接其中一條第一訊號線時，第一訊號線的數量等於第三訊號線的數量。

在本發明的一實施例中，上述的其中至少一條第二訊號線包括至少一第二多線段結構，第二多線段結構位於第一區域中並包括彼此並聯的多條第二線段。

在本發明的一實施例中，上述的至少一條第二訊號線更包括至少一單線段結構，單線段結構與第二多線段結構沿該至少一條第二訊號線的延伸方向依序連接。

在本發明的一實施例中，上述的第二多線段結構包括彼此並聯的N條第二線段，且單線段結構的線寬為N條第二線段其中一者的線寬的N倍，且N為大於1的整數。

在本發明的一實施例中，上述的第一區域適於沿一彎折軸彎折，且第一訊號線與第二訊號線的延伸方向與彎折軸的交角大於第三訊號線的延伸方向與彎折軸的交角。

在本發明的一實施例中，上述的第一訊號線與第二訊號線的延伸方向與彎折軸垂直。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構中，橫越第一區域的訊號線包括位於第一區域的多線段結構。利用多線段結構的設計，橫越第一區域的訊號線不容易因為彎折的應力而破損，改善了訊號線因為破損而發生阻抗值不均的問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。請參考圖1，開關元件陣列結構10包括基板100、第一訊號線110、第二訊號線120、第三訊號線130以及開關元件140。第一訊號線110、第二訊號線120、第三訊號線130以及開關元件140都設置於基板100上以構成開關元件陣列結構10。另外，開關元件陣列結構10也可進一步包括畫素電極150與共通電極160。

基板100具有第一區域R1以及第二區域R2，且第一區域R1的彎折率(曲率)大於第二區域R2，一般而言，第一區域R1為基板彎折處，而第二區域R2為基板大致平坦區域。在一實施例中，基板100的材料例如是聚乙烯對苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate, PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚酯(polyester, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate, PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺(polyimide, PI）、金屬軟板或其他合適的材料。

以本實施例而言，第一區域R1位於兩個第二區域R2之間，但不以此為限。在其他的實施例中，第一區域R1可以位於基板100的邊緣部分，而不需限定位於兩個第二區域R2之間。在一實施例中，第二區域R2為不被彎折的區域，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，基板100經彎折後，第二區域R2亦會產生彎曲，只是第二區域R2的彎曲程度會小於第一區域R1的彎曲程度。換言之，基板100經彎折後，第一區域R1的曲率大於第二區域R2的曲率。

第一訊號線110與第二訊號線120橫跨第一區域R1以及第二區域R2。第二訊號線120與第一訊號線110電性獨立。第一訊號線110的延伸方向D1可不平行第二訊號線120的延伸方向D2。另外，第一訊號線110的延伸方向D1與彎折軸L的交角可大於第三訊號線130的延伸方向D3與彎折軸L的交角，且第二訊號線120的延伸方向D2與彎折軸L的交角也可以大於第三訊號線130的延伸方向D3與彎折軸L的交角，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一訊號線110與第二訊號線120實質上平行，且兩者的延伸方向D1、D2可皆與彎折軸L垂直。另外，第三訊號線130的延伸方向D3可與彎折軸L平行。

第一訊號線110包括多個第一多線段結構112以及多個單線段結構114。第一多線段結構112位於第一區域R1中。單線段結構114與第一多線段結構112沿著第一訊號線110的延伸方向D1交替連接。在本實施例中，第一訊號線110包括多個單線段結構114與兩個第一多線段結構112，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一訊號線110可以只包括一個單線段結構114以及一個第一多線段結構112，且單線段結構114與第一多線段結構112沿著第一訊號線110的延伸方向D1依序連接。此時，第一多線段結構112的延伸長度可以橫越第一區域R1。在其他實施例中，第一訊號線110可選擇地包括兩個以上的單線段結構114與兩個以上第一多線段結構112。

第三訊號線130的延伸方向D3交錯於第一訊號線110與第二訊號線120且每一條第三訊號線130電性連接至其中一條第一訊號線110。在本實施例中，每一個第一多線段結構112皆位於相鄰的兩條第三訊號線130之間，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一多線段結構112的延伸長度能橫跨數條第三訊號線130。在一實施例中，第三訊號線130電性連接其中一條第一訊號線110時，第一訊號線110的數量等於第三訊號線130的數量，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第三訊號線130的數量可以不等於第一訊號線110的數量。

開關元件140電性連接其中一條第二訊號線120以及其中一條第三訊號線130。在本實施例中，至少一部分的開關元件140設置於第一區域R1中，且另一部分開關元件140設置於第二區域R2中，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，開關元件140可選擇地只設置於第二區域R2中或只設置於第一區域R1中。在本實施例中，開關元件140可以是一種三端元件，例如電晶體。各開關元件140的閘極電性連接其中一條第二訊號線120，各開關元件140的源極電性連接其中一條第三訊號線130，而各開關元件140的汲極電性連接其中一個畫素電極150。然而，本發明不以此為限，在其他實施例中，開關元件140的源極可選擇地電性連接其中一條第二訊號線120，且開關元件的閘極則電性連接其中一條第三訊號線130。也就是說，第二訊號線120與第三訊號線130其中一者為傳輸掃描訊號用的掃描線，另一者為傳輸資料訊號用的資料線。

畫素電極150與共通電極160設置於基板上，且畫素電極150電性連接至開關元件140。畫素電極150可以為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料。在一實施例中，開關元件陣列結構10還進一步包括位於畫素電極150上的顯示介質（未繪示），顯示介質包括液晶分子、電泳顯示介質、或是其他可適用的介質。共通電極160獨立於畫素電極150，且共通電極160施加有共通電壓（Vcom）而可與畫素電極150電性耦合以形成儲存電容。在一實施例中，共通電壓例如為接地電壓，然而本發明不以此為限。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構10中，位於第一區域R1的第一訊號線110包括第一多線段結構112。利用第一多線段結構112的設計，第一區域R1內的第一訊號線110不容易因為彎折而出現破損，改善了第一訊號線110因為破損而產生阻抗值不均的問題。

圖2是依照本發明另一實施例的一種開關元件陣列結構的第二區域的上視示意圖。圖2例如是圖1的實施例中的開關元件陣列結構10的第二區域R2的局部上視示意圖，圖2也可以是本發明其他實施例中的開關元件陣列結構的第二區域R2的局部上視示意圖。圖3是依照本發明另一實施例的一種開關元件陣列結構的第一區域的上視示意圖。圖3例如是圖1的實施例中的開關元件陣列結構10的第一區域R1的局部上視示意圖，圖3也可以是本發明其他實施例中的開關元件陣列結構的第一區域R1的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖2與圖3的實施例沿用前一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參考圖2與圖3，開關元件140包括第一閘極G1、第二閘極G2、汲極D、源極S、連接部C以及半導體層P。第二訊號線120電性連接至第一閘極G1以及第二閘極G2。畫素電極150透過接觸窗H而與汲極D電性連接。第三訊號線130電性連接至源極S。連接部C位於汲極D與源極S之間，且與汲極D以及源極S分離。連接部C覆蓋部分第一閘極G1以及部分第二閘極G2。在一實施例中，半導體層P所在的膜層位於第一閘極G1所在的膜層以及源極S所在的膜層之間，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一閘極G1所在的膜層位於半導體層P所在的膜層以及源極S所在的膜層之間。本實施例中的開關元件140為具有雙閘極的開關元件，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，開關元件140也可以只具有一個閘極。

在本實施例中，開關元件陣列結構10更包括輔助電極150’，共通電極160夾置於輔助電極150’與畫素電極150之間，且輔助電極150’可電性連接於畫素電極150。畫素電極150與輔助電極150’電性獨立於共通電極160。在一實施例中，畫素電極150與共通電極160之間夾有絕緣層，且共通電極160與輔助電極150’之間也夾有絕緣層，使得畫素電極150與輔助電極150’電性耦合共通電極160以形成需要的儲存電容。

在本實施例中，第一訊號線110包括第一多線段結構112(如圖3所示)以及單線段結構114(如圖2所示)。在圖3中，第一多線段結構112位於第一區域R1中並具有彼此並聯的第一線段112A以及第一線段112B。第一多線段結構112的第一線段112A以及第一線段112B由開口OP分隔開來。在本實施例中，開口OP的形狀為長方形，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，開口OP可以為菱形或其他幾何形狀。第一多線段結構112的第一線段112A以及第一線段112B的間隔距離X最佳為製程能力的最小線距，在本實施例中約為4微米，但本發明不以此為限，也可以依據實際需求而有所調整。在本實施例中，第一多線段結構112由兩條第一線段並聯而成，且圖2的單線段結構114的線寬W1為第一線段112A以及第一線段112B的至少其中一者的線寬W1’的兩倍，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一多線段結構112包括彼此並聯的N條第一線段時，單線段結構114的線寬W1為N條第一線段的其中一者的線寬W1’的N倍，且N為大於1的整數。在一些實施例中，第一多線段結構112的總線寬可以等於單線段結構114的總線寬。

在本實施例中，參照圖1至圖3，第一訊號線110、第二訊號線120以及輔助電極150’位於同一膜層(例如第一導電層)，且第三訊號線130與共通電極160也位於同一膜層(例如第二導電層)。為了保持各構件的電性獨立，相鄰導電構件之間需要保持一定的間隔距離。舉例而言，在圖2中，在畫素電極150的一側，單線段結構114與鄰近的第二訊號線120之間需要保持一定的間隔距離，而在畫素電極150相對側，另一條單線段結構114’與共通電極160之間也需要保持一定的間隔距離。同樣地，在圖3中，在畫素電極150的一側，多線段結構112的第一線段112B與鄰近的第二訊號線120之間需要保持一定的間隔距離，第一線段112B與第一線段112A之間需要保持一定的間隔距離，而在畫素電極150相對側，另一條第一線段112A’與共通電極160之間也需要保持一定的間隔距離。在一實施例中，位於第一區域R1的共通電極160(如圖3所示)的面積可以小於位於第二區域R2的共通電極160(如圖2所示)的面積，這可能使儲存電容降低，但可以維持第一訊號線110在第一區域R1與第二區域R2中都具有相同的間距(pitch)且不會提升線路本身的電阻電容負載（RC loading）。

圖4是依照本發明又一實施例的一種開關元件陣列結構20的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用前一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖4的開關元件陣列結構20與圖1的開關元件陣列結構10的差異在於：圖4的開關元件陣列結構20中的第一訊號線210與圖1的開關元件陣列結構10中的第一訊號線110具有不同的結構設計。

請參考圖4，第一訊號線210設置於基板100上。第一訊號線210橫跨第一區域R1以及第二區域R2。第一訊號線210包括多個第一多線段結構212以及多個單線段結構214。第一多線段結構212位於第一區域R1中。單線段結構214與第一多線段結構212沿著第一訊號線210的延伸方向D1交替連接。在本實施例中，第一訊號線210的第一多線段結構212包括菱形的開口。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構20中，位於第一區域R1的第一訊號線210包括第一多線段結構212。利用第一多線段結構212的設計，第一區域R1內的第一訊號線210不容易因為彎折而出現破損，改善了第一訊號線210因為破損而產生阻抗值不均的問題。

圖5是依照本發明再一實施例的一種開關元件陣列結構30的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用前一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖5的開關元件陣列結構30與圖1的開關元件陣列結構10的差異在於：圖5的開關元件陣列結構30中的第一訊號線310與圖1的開關元件陣列結構10中的第一訊號線110不同。

請參考圖5，第一訊號線310設置於基板上。第一訊號線310橫跨第一區域R1以及第二區域R2。第一訊號線310包括由第一線段312A與第一線段312B構成的第一多線段結構312。第一線段312A與第一線段312B彼此並聯，且彼此相隔有一間距。在本實施例中，第一訊號線310是由兩條並聯的第一線段所構成的，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一訊號線310是由三條以上並聯的第一線段所構成。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構30中，位於第一區域R1的第一訊號線310包括第一多線段結構312。利用第一多線段結構312的設計，第一區域R1內的第一訊號線310不容易因為彎折而出現破損，改善了第一訊號線310因為破損而產生阻抗值不均的問題。

圖6是依照本發明再又一實施例的一種開關元件陣列結構40的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用前一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖6的開關元件陣列結構40與圖1的開關元件陣列結構10的差異在於：圖6的開關元件陣列結構40中的第二訊號線420與圖1的開關元件陣列結構10中的第二訊號線120不同。

請參考圖6，第二訊號線420設置於基板100上。第二訊號線420橫跨第一區域R1以及第二區域R2，且第二訊號線420包括多個第二多線段結構422以及多個單線段結構424。第二多線段結構422位於第一區域R1中。第二多線段結構422包括彼此並聯的多條第二線段422A、422B。單線段結構424與第二多線段結構422沿著第二訊號線420的延伸方向D1交替連接。第二訊號線420與第一訊號線110電性獨立。在本實施例中，第二訊號線420包括多個單線段結構424與兩個第二多線段結構422，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第二訊號線420只包括一個單線段結424構與一個第二多線段結構422，且單線段結構424與第二多線段結構422沿著第二訊號線420的延伸方向D2依序連接。在其他實施例中，第二訊號線420包括兩個以上的單線段結構424與兩個以上第二多線段結構422。在其他實施例中，第二多線段結構422包括彼此並聯的N條第二線段，且單線段結構424的線寬為N條第二線段其中一者的線寬的N倍，且N為大於1的整數。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構40中，位於第一區域R1的第一訊號線110包括第一多線段結構112，且第二訊號線420包括第二多線段結構422。利用第一多線段結構112與第二多線段結構422的設計，第一區域R1內的第一訊號線110及第二訊號線420不容易因為彎折而出現破損，改善了第一訊號線110及第二訊號線420因為破損而產生阻抗值不均的問題。

圖7是依照本發明更一實施例的一種開關元件陣列結構50的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用前一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖7的開關元件陣列結構50與圖1的開關元件陣列結構10的差異在於：圖7的開關元件陣列結構50中的第一訊號線520以及第二訊號線510與圖1的開關元件陣列結構10中的第一訊號線110以及第二訊號線120不同。

請參考圖7，第一訊號線520與第二訊號線510都橫跨第一區域R1以及第二區域R2。第一訊號線520包括多個第一多線段結構522以及多個單線段結構524。第一多線段結構522位於第一區域R1中。單線段結構524與第一多線段結構522沿著第一訊號線520的延伸方向D1交替連接。第二訊號線510與第一訊號線520電性獨立。

第三訊號線130電性連接其中一條第二訊號線510。開關元件140電性連接其中一條第一訊號線520以及其中一條第三訊號線130。在本實施例中，開關元件140的閘極電性連接至第一訊號線520，且開關元件140的源極電性連接至第三訊號線130，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，開關元件140的源極電性連接至第一訊號線520，且開關元件140的閘極電性連接至第三訊號線130。在一實施例中，第二訊號線510的數量等於第三訊號線520的數量，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第二訊號線510的數量可以不等於第三訊號線520的數量。

基於上述，在本發明的開關元件陣列結構50中，位於第一區域R1的第一訊號線520包括第一多線段結構522。利用第一多線段結構522的設計，第一區域R1內的第一訊號線520不容易因為彎折而出現破損，改善了第一訊號線520因為破損而產生阻抗值不均的問題。

綜上所述，在本發明的開關元件陣列結構中，位於第一區域的訊號線包括多線段結構。利用多線段結構的特殊設計，第一區域內的訊號線不容易因為彎折而出現破損，改善了訊號線因為破損而產生阻抗值不均的問題。在一實施例中，第一訊號線或第二訊號線可以做為掃描線的選擇線或資料線的選擇線，因此開關元件陣列結構可以減少電子產品的邊框寬度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50：開關元件陣列結構 100：基板 110、210、310、520：第一訊號線 112、212、522：第一多線段結構 112A、112A’、112B、312A、312B：第一線段 114、114’、214、424、524：單線段結構 120、420：第二訊號線

130‧‧‧第三訊號線

140‧‧‧開關元件

150‧‧‧畫素電極

160‧‧‧共通電極

150’‧‧‧輔助電極

422‧‧‧第二多線段結構

422A‧‧‧第二線段

422B‧‧‧第二線段

L‧‧‧彎折軸

D1、D2、D3‧‧‧延伸方向

R1‧‧‧第一區域

R2‧‧‧第二區域

H‧‧‧接觸窗

D‧‧‧汲極

S‧‧‧源極

C‧‧‧連接部

P‧‧‧半導體層

G1、G2‧‧‧閘極

OP‧‧‧開口

W1、W1’‧‧‧線寬

X‧‧‧間隔距離

圖1是依照本發明一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。 圖2是依照本發明另一實施例的一種開關元件陣列結構的第二區域的上視示意圖。 圖3是依照本發明另一實施例的一種開關元件陣列結構的第一區域的上視示意圖。 圖4是依照本發明又一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。 圖5是依照本發明再一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。 圖6是依照本發明再又一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。 圖7是依照本發明更一實施例的一種開關元件陣列結構的上視示意圖。

Claims (12)

1. 一種開關元件陣列結構，包括：一基板，具有一第一區域以及一第二區域，且該第一區域的彎折率大於該第二區域；多條第一訊號線，設置於該基板上，其中每一條第一訊號線橫跨該第一區域以及該第二區域且包括至少一第一多線段結構，該第一多線段結構位於該第一區域中並包括彼此並聯的多條第一線段；多條第二訊號線，設置於該基板上，且每一條第二訊號線橫跨該第一區域以及該第二區域並與該些第一訊號線電性獨立；多條第三訊號線，設置於該基板上，其中該些第三訊號線的延伸方向交錯於該些第一訊號線與該些第二訊號線且每一條第三訊號線電性連接其中一條第一訊號線或其中一條第二訊號線；以及多個開關元件，設置於該基板上，其中該每一條第三訊號線電性連接該其中一條第一訊號線時，每一個開關元件電性連接該其中一條第二訊號線以及其中一條第三訊號線，或是該每一條第三訊號線電性連接該其中一條第二訊號線時，該每一個開關元件電性連接該其中一條第一訊號線以及該其中一條第三訊號線。
2. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中該些第一訊號線傳輸資料訊號，且該些第二訊號線傳輸掃描訊號。
3. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中該些第一訊號線傳輸掃描訊號，且該些第二訊號線傳輸資料訊號。
4. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中該每一條第一訊號線更包括至少一單線段結構，該單線段結構與該第一多線段結構沿該些第一訊號線的延伸方向依序連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述的開關元件陣列結構，其中該第一多線段結構包括彼此並聯的N條第一線段，該單線段結構的線寬為該N條第一線段其中一者的線寬的N倍，且N為大於1的整數。
6. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中每一個第一多線段結構位於相鄰的兩條該些第三訊號線之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中每一個第一多線段結構的該些第一線段的相鄰兩者由一開口分隔開來。
8. 如申請專利範圍第7項所述的開關元件陣列結構，其中該開口的形狀包括長方形或菱形。
9. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中至少一條第二訊號線包括至少一第二多線段結構，該第二多線段結構位於該第一區域中並包括彼此並聯的多條第二線段。
10. 如申請專利範圍第9項所述的開關元件陣列結構，其中該至少一條第二訊號線更包括至少一單線段結構，該單線段結構 與該第二多線段結構沿該至少一條第二訊號線的延伸方向依序連接。
11. 如申請專利範圍第10項所述的開關元件陣列結構，其中該第二多線段結構包括彼此並聯的N條第二線段，該單線段結構的線寬為該N條第二線段其中一者的線寬的N倍，且N為大於1的整數。
12. 如申請專利範圍第1項所述的開關元件陣列結構，其中該第一區域適於沿一彎折軸彎折，且該些第一訊號線與該些第二訊號線的延伸方向與該彎折軸的交角大於該些第三訊號線的延伸方向與該彎折軸的交角。