DE102005051818A1 - Activmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden sowie Herstellverfahren für ein solches - Google Patents

Abstract

Es werden ein Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED) und ein Herstellungsverfahren für ein solches erörtert. Bei einer Ausführungsform ist ein OLED-Bauteil mit Folgendem versehen: einem EL-Element, das zum Emittieren von Licht konfiguriert ist; einem Treiber-TFT, der zum Steuern des EL-Elements konfiguriert ist; einem mit dem Treiber-TFT verbundenen Speicherkondensator sowie mindestens einer Isolierschicht, die so konfiguriert ist, dass sie, betreffend das EL-Element, den Treiber-TFT und den Speicherkondensator mindestens isoliert, und mit einer Vielzahl von Vertiefungen, die auf einer Fläche der mindestens einen Isolierschicht ausgebildet sind.

Description

• Prio.: 29. Okt. 2004, Rep. Korea (KR), 10-2004-0087479
• Die Erfindung beansprucht den Nutzen der am 29.10.2004 in Korea eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 2004-0087479, die hiermit durch Bezugnahme eingeschlossen wird.
• HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
• Die Erfindung betrifft ein Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED-Bauteil = active matrix type organic light emitting diode device), und spezieller betrifft sie ein AMOLED-Bauteil unter Verwendung eines Dünnschichttransistors (TFT) aus Polysilicium, bei dem ein Moiréeffekt beseitigt werden kann, sowie ein Herstellverfahren für ein derartiges Bauteil.
• Beschreibung der einschlägigen Technik
• In jüngerer Zeit werden Flüssigkristalldisplays (LCDs) wegen ihres geringen Gewichts und ihres niedrigen Energieverbrauchs in weiter Verbreitung bevorzugt als Flachtafeldisplays verwendet. Da jedoch ein LCD ein passives Bauteil, also kein solches ist, das Licht selbst emittieren würde, und wegen seiner technischen Einschränkungen hinsichtlich der Helligkeit, des Kontrasts, des Betrachtungswinkels und der Vergrößerung des Schirms bestanden Anstrengungen zum Entwickeln eines neuen Flachtafeldisplays, das derartige Mängel der LCDs überwinden kann.
• Ein OLED-Bauteil, das eines der neuen Flachtafeldisplays ist, ist ein Display, das selbst Licht emittiert und über einen hervorragenden Betrachtungswinkel und Kontrast im Vergleich zu einem herkömmlichen LCD verfügt, und da es keine Hinterleuchtung benötigt, ist ein OLED-Bauteil auch hinsichtlich des Energieverbrauchs von Vorteil.
• Außerdem zeigt ein OLED-Bauteil Vorteile dahingehend, dass es mit niedriger Gleichspannung betrieben werden kann, über eine schnelle Ansprechgeschwindigkeit verfügt, gegen Stöße von außen resistent ist, da es völlig massiv ist, über einen großen Bereich der Gebrauchstemperatur verfügt und seine Herstellkosten niedrig sind.
• Insbesondere benötigt ein OLED-Bauteil, was seinen Herstellprozess betrifft, abweichend von einem LCD oder einem PDP (Plasma Display Panel) nur eine Abscheidungs- und Verkapselungsanlage, wodurch sein Herstellprozess beträchtlich vereinfacht ist.
• Wenn ein OLED-Bauteil mit TFTs durch ein Aktivmatrixverfahren betrieben wird, kann an jedem Pixel dadurch dieselbe Leuchtstärke erzielt werden, dass ein relativ niedriger Strom zugeführt wird, so dass ein OLED-Bauteil niedrigen Energieverbrauch und hohe Auflösung zeigt, wobei es mit großen Abmessungen hergestellt werden kann.
• Nun werden der Grundaufbau und die Betriebseigenschaften eines Aktivmatrix-Bauteils mit organischen LEDs (AMOLED) gemäß einer einschlägigen Technik unter Bezugnahme auf die 1 beschrieben.
• Gemäß der 1 sind Scanleitungen (Gateleitungen) (G) voneinander beabstandet in einer ersten Richtung angeordnet, und eine Signalleitung (Datenleitung) (D) und eine Spannungsversorgungsleitung (P) sind in einer zweiten Richtung, die Scanleitung schneidend, angeordnet, um dadurch einen Pixelbereich zu bilden.
• Mit einer Schnittstelle zwischen der Scanleitung (G) und der Signalleitung (D) ist ein Schalt-TFT (TR1), als Adressierelement, verbunden, und mit dem Schalt-TFT (TR1) und der Spannungsversorgungsleitung (P) ist ein Speicherkondensator (Cst) verbunden. Mit diesem Speicherkondensator (Cst) und der Spannungsversorgungsleitung (P) ist ein Treiber-TFT (TR2), d.h. ein Stromquellenelement, verbunden, und mit diesem Treiber-TFT (TR2) ist ein EL (Elektrolumineszenzelement) verbunden.
• Hierbei verfügt der Schalt-TFT (TR1) über eine mit der Scanleitung (G) verbundene Gateelektrode (G1), eine mit der Signalleitung (D) verbundene Sourceelektrode (S1) zum Liefern eines Datensignals, und eine Drainelektrode (D1), die mit einer Gateelektrode (G2) des Treiber-TFT (TR2) verbunden ist und die das EL schaltet.
• Der Treiber-TFT (TR2) verfügt über die mit der Drainelektrode (D1) des Schalt-TFT (TR1) verbundene Gateelektrode (G2), eine mit einer Anodenelektrode des EL verbundene Drainelektrode (D2) sowie eine mit der Spannungsversorgungsleitung (P) und einer Masseleitung verbundene Sourceelektrode (S2).
• Eine Elektrode des Speicherkondensators (Cst) ist gemeinsam mit der Drainelektrode (D1) des Schalt-TFT (TR1) sowie der Gateelektrode (G2) des Treiber-TFT (TR2) verbunden, während seine andere Elektrode mit der Sourceelektrode (S2) des Treiber-TFT (TR2) und der Spannungsversorgungsleitung (P) verbunden ist.
• Das EL verfügt über die mit der Drainelektrode (D2) des Treiber-TFT (TR2) verbundene Anodenelektrode, eine mit einer Masseleitung verbundene Kathodenelektrode sowie eine zwischen der Kathoden- und der Anodenelektrode ausgebildete EL-Schicht. Die EL-Schicht verfügt über eine Löchertransfer schicht, eine Lichtemissionsschicht und eine Elektronentransferschicht.
• Beim AMOLED-Bauteil mit dem obigen Aufbau wird dem EL über dem Treiber-TFT ein Strom zugeführt. Diesbezüglich wird vorzugsweise, da existierende TFTs aus amorphem Silicium eine kleine Ladungsträgerbeweglichkeit aufweisen, in jüngerer Zeit bevorzugt ein Polysilicium-TFT mit besserer Ladungsträgerbeweglichkeit als derjenigen eines TFT aus amorphem Silicium verwendet.
• Auch ist die Fähigkeit einer genauen Graustufenanzeige für ein Display wesentlich, um eine feine Farbänderung korrekt zu zeigen. Beim oben angegebenen OLED-Bauteil wird die Stärke des durch das EL fließenden Stroms gesteuert. Bei einem aktiven Ansteuerungsverfahren wird die Stärke des durch den Treiber-TFT, der Strom an das EL liefert, fließenden Stroms so gesteuert, dass das Ausmaß der Lichtemission des OLED-Bauteils differiert, um dadurch eine Grauskala anzuzeigen.
• Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des oben beschriebenen üblichen AMOLED unter Bezugnahme auf die 2 zu einer einschlägigen Technik beschrieben.
• Gemäß der 2 wird eine Pufferschicht 13 unter Verwendung eines Isoliermaterials wie eines Oxidfilms auf einem isolierenden Substrat 11 hergestellt, und auf dieser Pufferschicht 13 wird unter Verwendung einer ersten Maske (nicht dargestellt) eine Halbleiterschicht 15 aus einem Polysiliciumfilm (Poly-Si) hergestellt.
• Als Nächstes wird auf der gesamten Oberfläche des isolierenden Substrats 11 einschließlich der Halbleiterschicht 15 ein Gateisolierfilm 17 hergestellt, auf dem ein Gateelektrodenmaterial abgeschieden wird, das dann unter Verwendung einer zweiten Maske (nicht dargestellt) strukturiert wird, um eine Gateelektrode 19, eine untere Elektrode 21 und eine Gateleitung (nicht dargestellt) gleichzeitig und gemeinsam herzustellen.
• Anschließend werden ein Sourceelektrodenbereich/ein Drainelektrodenbereich 15a und 15b durch Einbringen eines Fremdstoffs mit bestimmter Leitfähigkeit, z.B. eines Ions für p-Leitfähigkeit, in die Halbleiterschicht 15 unter Verwendung der Gateelektrode 19 als Maske ausgebildet.
• Dann wird auf dem Gateisolierfilm 17 einschließlich der Gateelektrode 19 ein erster Zwischenschichtisolierfilm 23 hergestellt, auf dem ein leitendes Material wie ein Metall abgeschieden wird, das dann unter Verwendung einer dritten Maske (nicht dargestellt) selektiv strukturiert wird, um eine Kathodenelektrode (d.h. eine Pixelelektrode) 25 des EL und eine obere Elektrode 27 des Kondensators im oberen Teil der unteren Elektrode 21 des Speicherkondensators Cst auszubilden.
• Anschließend wird auf der gesamten Fläche einschließlich der Kathodenelektrode 25 und der oberen Elektrode 27 des Kondensators ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm 29 hergestellt, und dieser zweite Zwischenschichtisolierfilm 29 und der erste Zwischenschichtisolierfilm 23 werden unter Verwendung einer vierten Maske (nicht dargestellt) selektiv strukturiert, um ein erstes bis fünften Kontaktloch 31a–31e auszubilden, die die Source-/Drainbereiche 15a und 15b sowie die obere und die untere Elektrode 27 und 21 des Kondensators Cst freilegen.
• Außerdem wird dann ein leitendes Material wie ein Metall vollständig auf dem Substrat mit dem ersten bis fünften Kontaktloch 31a–31e abgeschieden und dann unter Verwendung einer fünften Maske (nicht dargestellt) selektiv strukturiert, um ein erstes leitendes Schichtmuster 33 zum Verbinden des Drainelektrodenbereichs 15a und des EL, ein zweites leitendes Schichtmuster 35 zum Verbinden des Sourceelektrodenbereichs 15b und der oberen Elektrode 27 des Kondensators (d.h. eine Spannungsleitung) sowie ein drittes leitendes Schichtmuster 37 zum Verbinden der unteren Elektrode 21 des Kondensators, der Drainelektrode des ersten TFT (TR1) und der Gateelektrode des zweiten TFT (TR2) herzustellen.
• Danach wird ein dicker Passivierungsfilm 39 unter Verwendung eines isolierenden Materials wie eines Oxidfilms auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschieden, und dann werden dieser Passivierungsfilm 39 und der zweite Zwischenschichtisolierfilm 29 unter Verwendung einer sechsten Maske (nicht dargestellt) selektiv strukturiert, um eine die Kathodenelektrode 25 freilegende Öffnung 41 auszubilden.
• Anschließend wird eine EL-Schicht 43, d.h. eine organische Lichtemissionsschicht, auf der Kathodenelektrode 25 unter dem Öffnungsbereich 41 ausgebildet, und auf der EL-Schicht 43 wird eine Anodenelektrode 45 hergestellt, um das EL herzustellen. Dies führt zum AMOLED-Bauteil gemäß der einschlägigen Technik.
• Jedoch ist beim oben erörterten AMOLED-Bauteil und dem Herstellverfahren für dieses gemäß der einschlägigen Technik, nachdem das AMOLED durch SLS (Sequential Lateral Solidification = sequenzielle Erstarrung in der Querrichtung) kristallisiert wurde, der Herstellprozess für eine untere Platte abgeschlossen, und dann wird eine einfarbige, organische Lichtemissionsschicht abgeschieden, um einen Gleichstromtest auszuführen. In diesem Fall wird, wie es in der 3 dargestellt ist, ein Kammzahn-Moirémuster erzeugt, was ein Problem darstellt.
• Wenn als Treiber-TFT (TR2) ein TFT aus amorphem Silicium oder der oben beschriebene, vorhandene Polysilicium-TFT verwendet wird, tritt ein derartiger Moiréeffekt nicht auf. Wenn jedoch ein Prozess mit zwei Belichtungsvorgängen verwendet wird, der zu hervorragender Produktivität führt, tritt ein derartiger Moiréeffekt auf.
• Ein Hauptgrund für den Moiréeffekt ist ein Interferenzeffekt von Licht. D.h., dass davon auszugehen ist, dass zwischen einem regelmäßigen Metallmuster von Pixeln und einer anderen regelmäßigen optischen Schicht wechselseitige Interferenz wirkt. Die optische Schicht verfügt über eine andere optische Charakteristik als ein Isolierfilm sowie der Polysiliciumfilm, die während eines Kristallisationsprozesses einer hohen Temperatur ausgesetzt werden.
• Ein derartiger Moiréeffekt beeinflusst die Bildqualitätseigenschaften, so dass sich sogar der Grauton ändert, und die Kammzähne im Moiréeffekt verschwinden nicht sondern sie verbleiben dauerhaft.
• Der zu derartigen Problemen führende Moiréeffekt wird nun detaillierter beschrieben.
• Um den Moiréeffekt zu verstehen, ist als Erstes ein Schwebungseffekt einer Schallwelle zu verstehen.
• Der Schwebungseffekt ist ein Effekt dahingehend, dass zwei Wellen mit jeweils ähnlicher Frequenz einander so beeinflussen, dass sich die Frequenzbreite mit bestimmten Perioden entsprechend der Differenz zwischen den zwei Frequenzen der Wellen ändert. Wellen mit jeweils ähnlicher Frequenz werden durch die andere Frequenz aufgehoben oder verstärkt, um eine bestimmte Periode zu bilden, mit der die Welle groß wird oder ausgelöscht wird.
• Der Moiréeffekt entspricht einem visuell erzeugten Schwebungseffekt. Wenn Objekte ein bestimmtes wechselseitiges Intervall zeigen, wird zwischen ihnen ein Interferenzstreifen erzeugt. So bilden bei einer Flüssigkristalldisplay-Tafel oder einem OLED-Bauteil Gateleitungen, Datenleitungen, Korngrenzen oder dergleichen auf einem Schirm ein Moirémuster, da Lichtinterferenz an Beugungsschlitzen auftritt. In diesem Fall kann das Moirémuster ein regenbogenförmiges Gitter oder ein Kammzahngitter erzeugen.
• Der Moiréeffekt muss für Bildanzeigevorrichtungen wie Flüssigkristalldisplays (LCDs) überwunden werden, und dies ist im Fall einer EL-Bildanzeigevorrichtung unter Verwendung eines EL als Licht emittierendem Element ziemlich problematisch.
• Eine Bildanzeigevorrichtung unter Verwendung eines EL als Lichtemissionselement hat dahingehend Ähnlichkeit mit einem LCD, dass sie über eine Vielzahl parallel angeordneter Gateleitungen sowie eine Vielzahl von dieselben rechtwinklig schneidenden Datenleitungen verfügt, wobei durch den Schnittpunkt der Gateleitungen und der Datenleitungen eine Pixeleinheit gebildet ist und wobei an jeder Pixeleinheit ein TFT als Schaltbauteil vorhanden ist.
• Indessen unterscheidet sich eine EL-Bildanzeigevorrichtung von einem LCD durch Folgendes: (1) sie verwendet ein EL, das Licht selbst emittiert, als Lichtquelle, so dass sie keine Hinterleuchtungsanordnung (eine Lichtquelle bei einem LCD benötigt); (2) sie benötigt keine Flüssigkristallschicht, wie sie bei einem LCD verwendet wird, da sie die Lichtemissionsmenge des EL durch Steuern einer Spannung kontrolliert, um Farbe anzuzeigen; und (3) sie benötigt keine Farbfilter schicht, wie sie bei einem LCD verwendet wird, um natürliche Farben anzuzeigen, da ein EL selbst über die Farben Rot, Grün und Blau verfügt.
• Sowohl EL-Bildanzeigevorrichtungen als auch LCDs zeigen das Moiréproblem. Jedoch ist das Moiréproblem bei einem EL schwerwiegender, da dieses über keine Polarisationsplatte wie ein LCD verfügt. Daher muss der Moiréeffekt für EL-Bildanzeigevorrichtungen überwunden werden.
• ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
• Daher ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED-Bauteil), das einen durch Lichtinterferenz hervorgerufenen Moiréeffekt dadurch beseitigen kann, dass ein Pixelisolierfilm ein unregelmäßiges Muster aufweist, und ein Herstellverfahren für ein solches zu schaffen.
• Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED-Bauteil), das Eigenschaften eines Schirms durch Beseitigen eines Moiréeffekts, wenn das AMOLED-Bauteil kristallisiert wird, verbessern kann, und ein Herstellverfahren für ein solches zu schaffen.
• Eine andere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine EL-Bildanzeigevorrichtung und ein Herstellverfahren für eine solche zu schaffen, die die Probleme und Einschränkungen in Zusammenhang mit der einschlägigen Technik überwinden.
• Um diese und andere Vorteile zu erzielen, und gemäß dem Zweck der Erfindung, wie sie realisiert wurde und hier umfassend beschrieben wird, ist gemäß einer Erscheinungsform Folgendes geschaffen: ein Aktivmatrix-Bauteil mit organi schen Leuchtdioden (AMOLED) mit: einer auf einem isolierenden Substrat hergestellten Pufferschicht; einer auf der Pufferschicht hergestellten Halbleiterschicht, die über Drain-/Sourceelektroden verfügt; einem Gateisolierfilm, der auf der Pufferschicht mit der Halbleiterschicht hergestellt ist; einer Gateelektrode und einer unteren Kondensatorelektrode, die auf dem Gateisolierfilm ausgebildet sind; einem ersten Zwischenschichtisolierfilm, der auf der Gateelektrode und der unteren Kondensatorelektrode ausgebildet ist; einer Kathodenelektrode und einer oberen Kondensatorelektrode, die auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm ausgebildet sind; einem zweiten Zwischenschichtisolierfilm, der auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über Kontaktlöcher verfügt, die Teile der Kathodenelektrode, der Drainelektrode, der Sourceelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der unteren Kondensatorelektrode freilegen; einem ersten und einem zweiten leitenden Schichtmuster, die auf dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm, ausgebildet sind, wobei das erste leitende Schichtmuster die Kathodenelektrode und die Drainelektrode verbindet und das zweite leitende Schichtmuster die Sourceelektrode und die obere Kondensatorelektrode verbindet; einer Passivierungsschicht, die auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über eine Öffnung verfügt, die einen Teil der Kathodenelektrode freilegt; einer innerhalb der Öffnung ausgebildeten EL-Schicht und einer auf der EL-Schicht ausgebildeten Anodenelektrode; wobei auf einer Fläche mindestens einer der folgenden Schichten eine Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist der Pufferschicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht.
• Gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen: ein Verfahren zum Herstellen eines Aktivmatrix-Bauteils mit organischen Leuchtdioden (AMOLED), das Folgendes umfasst: Herstellen einer Pufferschicht auf einem isolierenden Substrat; Herstellen einer Halbleiterschicht auf der Pufferschicht; Herstellen eines Gateisolierfilms auf der Halbleiterschicht; Herstellen einer Gateelektrode und einer unteren Kondensatorelektrode auf dem Gateisolierfilm, und Herstellen eines Drainelektrodenbereichs und eines Sourceelektrodenbereichs in der Halbleiterschicht zu beiden Seiten der Gateelektrode; Herstellen eines ersten Zwischenschichtisolierfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur; Herstellen einer Kathodenelektrode und einer oberen Kondensatorelektrode auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm; Herstellen eines zweiten Zwischenschichtisolierfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur; Herstellen mehrerer Kontaktlöcher, die Teile der Kathodenelektrode, des Drainelektrodenbereichs, des Sourceelektrodenbereichs, der oberen Kondensatorelektrode und der unteren Kondensatorelektrode freilegen, durch mindestens einen Ätzprozess; Herstellen eines ersten leitenden Schichtmusters, das die Kathodenelektrode und den Drainelektrodenbereich verbindet, und eines zweiten leitenden Schichtmusters, das den Sourceelektrodenbereich und die obere Kondensatorelektrode durch die mehreren Kontaktlöcher verbindet; Herstellen eines Passivierungsfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur, und Strukturieren desselben zum Ausbilden einer Öffnung, die einen Teil der Kathodenelektrode freilegt; Herstellen einer EL-Schicht innerhalb der Öffnung und Herstellen einer Anodenelektrode darauf; und auf einer Fläche mindestens einer der folgenden Schichten eine Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist: der Pufferschicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht.
• Gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen: ein Bauteil mit organischen Leuchtdioden (OLED) mit: einem EL-Element, das zum Emittieren von Licht konfiguriert ist; einem Treiber-TFT, der zum Steuern des EL-Elements konfiguriert ist; einem mit dem Treiber-TFT verbundenen Speicherkondensator sowie mindestens einer Isolierschicht, die so konfiguriert ist, dass sie betreffend das EL-Element, den Treiber-TFT und den Speicherkondensator mindestens eines isoliert und mit einer Vielzahl von Vertiefungen, die auf einer Fläche der mindestens einen Isolierschicht ausgebildet sind.
• Gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung ist Folgendes geschaffen: ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils mit organischen Leuchtdioden (OLED), das Folgendes umfasst: Herstellen eines zum Emittieren von Licht konfigurierten EL-Elements; Herstellen eines zum Steuern des EL-Element konfigurierten Treiber-TFT; Herstellen eines mit dem Treiber-TFT verbundenen Speicherkondensators; und Herstellen mindestens einer Isolierschicht, die so konfiguriert ist, dass sie betreffend das EL-Element, den Treiber-TFT und den Speicherkondensator mindestens eines isoliert, wobei die mindestens eine Isolierschicht über eine Vielzahl von Vertiefungen verfügt, die auf einer Fläche dieser mindestens einen Isolierschicht ausgebildet sind.
• Die vorstehenden sowie andere Aufgaben, Merkmale, Gesichtspunkte und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung derselben in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen deutlicher werden.
• KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
• Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und die in diese Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfin dung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern.
• In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt.
• 1 veranschaulicht eine Pixel-Grundstruktur eines üblichen Aktivmatrix-Bauteils mit organischen Leuchtdioden (AMOLED-Bauteils);
• 2 ist eine Schnittansicht eines AMOLED-Bauteils gemäß einer einschlägigen Technik;
• 3 ist eine Fotografie zum Veranschaulichen eines Moiréeffekts mit verschiedenen Winkeln, wie er erzeugt wird, wenn das AMOLED-Bauteil gemäß der einschlägigen Technik angesteuert wird;
• 4 ist eine Schnittansicht eines AMOLED-Bauteils gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
• 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils A in der 4, die einen geschichteten Zustand von Isolierfilmen, in denen mehrere Vertiefungen ausgebildet sind, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;
• 6 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel mehrerer unregelmäßig strukturierter Vertiefungen zeigt, die in der Oberfläche eines Isolierfilms, innerhalb von Isolierfilmen, wie sie während eines Herstellprozesses des AMOLED-Bauteils hergestellt werden, gemäß der Erfindung ausgebildet sind; und
• 7a bis 7h sind Ansichten zum Veranschaulichen sequenzieller Prozesse bei einem Verfahren zum Herstellen des AMOLED-Bauteils gemäß der Erfindung.
• DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
• Die 4 ist eine Schnittansicht eines AMOLED-Bauteils gemäß der Erfindung; die 5 ist eine vergrößerte Ansicht des Teils A in der 4, wobei sie einen Schichtzustand von Isolierfilmen mit mehreren in diesen ausgebildeten Vertiefungen zeigt; und die 6 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für mehrere unregelmäßig strukturierte Vertiefungen zeigt, wie sie in der Oberfläche eines Isolierfilms während eines Herstellprozesses für das AMOLED-Bauteil hergestellt werden. Obwohl sich die 4 auf eine Pixeleinheit mit einem Schalt-TFT, einem Speicherkondensator Cst, einem Treiber-TFT und einem EL konzentriert, die alle funktionsmäßig verbunden sind, verfügt das AMOLED-Bauteil über eine Vielzahl derartiger Pixeleinheiten in einer bekannten Matrixanordnung.
• Wie es in den 4 und 5 dargestellt ist, ist das erfindungsgemäße AMOLED-Bauteil so aufgebaut, dass eine Pufferschicht 113 mit einer Vielzahl von in ihr ausgebildeten ersten Vertiefungen 113a auf einem isolierenden Substrat 110 ausgebildet ist und eine Halbleiterschicht 115 aus Polysilicium mit einem Drainelektrodenbereich 115b und einem Sourceelektrodenbereich 115a an den beiden Seiten derselben ausgebildet ist, um auf der Pufferschicht 113 eine Kanalschicht zu bilden. Auf der gesamten Oberfläche des Substrats, einschließlich der Halbleiterschicht 115, ist ein Gateisolierfilm 117 ausgebildet, in dem eine Vielzahl zweiter Vertiefungen 117a ausgebildet ist. Auf dem Gateisolierfilm 117 ist, der Halbleiterschicht 115 entsprechend zwischen dem Drainelektrodenbereich 115b und dem Sourceelektrodenbereich 115a eine Gateelektrode 119 ausgebildet, und auf dem Gateisolierfilm 117 des Speicherkondensatorbereichs ist eine untere Elektrode 121 eines Speicherkondensators Cst ausgebildet.
• Auf dem Substrat mit der Gateelektrode 119 ist vollständig ein erster Zwischenschichtisolierfilm 123 mit einer Vielzahl dritter Vertiefungen 123a ausgebildet, und eine Kathodenelektrode 125 eines EL sowie eine obere Elektrode 127 des Kondensators Cst sind auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm 123 des EL-Bereichs bzw. dem Speicherkondensatorbereich ausgebildet.
• Auf der gesamten Oberfläche des Substrats ist ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm 129 mit einer Vielzahl von in ihm ausgebildeten vierten Vertiefungen 129a ausgebildet, wobei er über ein erstes bis fünftes Kontaktloch 131a–131e verfügt, die die Kathodenelektrode 125, den Drainelektrodenbereich 115b, den Sourceelektrodenbereich 115a, die obere Elektrode 127 des Kondensators Cst bzw. die untere Elektrode 121 desselben freilegen.
• Auf dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm 129 sind ein erstes leitendes Schichtmuster 133, das die Kathodenelektrode 125 und den Drainelektrodenbereich 115b durch das erste bis fünfte Kontaktloch 131a–131e verbindet, ein zweites leitendes Schichtmuster 135, das den Sourceelektrodenbereich 115a und die obere Elektrode 127 des Kondensators Cst (d.h. eine Spannungsversorgungsleitung) verbindet, sowie ein drittes leitendes Schichtmuster 137, das mit der unteren Elektrode 121, dem Drainelektrodenbereich eines Schalt-TFT (der direkt mit den Gate- und Datenleitungen verbunden ist) und einer Gateelektrode des Treiber-TFT (der direkt mit dem EL verbunden ist) verbunden ist, ausgebildet.
• Ein Passivierungsfilm 139 ist aus einem isolierenden Material so ausgebildet, dass er über eine Öffnung 141 verfügt, die die Kathodenelektrode 125 des EL freilegt. Auch ist im Passivierungsfilm 139 eine Vielzahl fünfter Vertiefungen 139a ausgebildet.
• An der Öffnung 141 ist eine EL-Schicht 143 ausgebildet, auf der eine Anodenelektrode 145 des EL ausgebildet ist.
• Gemäß der 5, die eine vergrößerte Ansicht des Bereichs A in der 4 zeigt, sind beim erfindungsgemäßen AMOLED die Vielzahlen von Vertiefungen 113a, 117a, 123a, 129a und 139a unregelmäßig in den Oberflächen der Pufferschicht 113 aus einem isolierenden Material dem Gateisolierfilm 117, dem ersten Zwischenschichtisolierfilm 123, dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm 129 und dem Passivierungsfilm 139 ausgebildet, um so eine regelmäßige optische Pfaddifferenz zu beseitigen. D.h., dass diese Vertiefungen über unregelmäßige Muster, Formen und/oder Größen verfügen (siehe ein Beispiel in der 6). Demgemäß tritt mit einem regelmäßigen Pixel-Metallmuster keine Interferenz auf, weswegen der Moiréeffekt nicht vorliegt und er auch nicht auftreten kann, sondern effektiv berücksichtigt ist.
• Gemäß der 6, die ein Beispiel für die Vertiefungen zeigt, sind, für die mehreren Schichten aus einem isolierenden Material, die vielen Vertiefungen 129a an der Oberfläche eines isolierenden Films (des zweiten Zwischenschichtisolierfilms 129), wie er im Pixelbereich vorhanden ist, wo sich die Gateleitung (G) und die Datenleitung (D) schneiden, unregelmäßig ausgebildet. Diesbezüglich liegt das Verhältnis zwischen einem nicht geätzten Gebiet (Gebiet, in dem keine Vertiefung ausgebildet ist) und dem Gebiet mit den vielen durch Ätzen ausgebildeten Vertiefungen 129a im Bereich von ungefähr 1:1.
• Abweichend von dieser Ausführungsform, bei der die vielen Vertiefungen in allen Schichten aus einem isolierenden Material ausgebildet sind, kann bei einer anderen Ausführungs form der Erfindung eine Vielzahl von Vertiefungen in der Oberfläche mindestens einer dieser Schichten aus isolierendem Material ausgebildet sein. Z.B. kann eine oder mehrere der Schichten 113, 117, 123, 129, 139 usw. über die unregelmäßig strukturierten Vertiefungen verfügen.
• Nun wird ein Verfahren gemäß der Erfindung zum Herstellen des auf die oben beschriebene Weise aufgebauten AMOLED-Bauteils unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
• Die 7a bis 7h sind Ansichten, die sequenzielle Prozesse eines Verfahrens zum Herstellen des AMOLED-Bauteils gemäß den 4–6 gemäß der Erfindung veranschaulichen.
• Wie es in der 7a dargestellt ist, wird, gemäß dem Verfahren zum Herstellen des AMOLED-Bauteils, die Pufferschicht 113 auf dem isolierenden Substrat 110 hergestellt, auf ihr wird eine Polysiliciumschicht abgeschieden, und diese wird durch einen Ätzprozess unter Verwendung einer ersten Maske selektiv geätzt, um eine Halbleiterschicht 115 aus einem Polysiliciumfilm auszubilden.
• Dann wird die Vielzahl erster Vertiefungen 113a durch einen Ätzprozess 110 unregelmäßig in der Oberfläche der Pufferschicht 113 ausgebildet. Dabei können die ersten Vertiefungen 113a während eines Ätzprozesses für die Halbleiterschicht 115 hergestellt werden, oder sie können durch einen separaten Maskierprozess hergestellt werden.
• Anschließend wird, wie es in der 7b dargestellt ist, der Gateisolierfilm 117 auf der gesamten Oberfläche des Substrats einschließlich der Halbleiterschicht 115 hergestellt, und dann wird die Vielzahl zweiter Vertiefungen 117a durch einen Ätzprozess 120 unregelmäßig in der Oberfläche des Gateisolierfilms 117 ausgebildet. In diesem Fall werden die zweiten Vertiefungen 117a an Stellen ausgebildet, die nicht mit den Stellen der in der Oberfläche der Pufferschicht 113 ausgebildeten ersten Vertiefungen 113a übereinstimmen oder zu diesen passen, ausgebildet. Außerdem kann der Ätzprozess zum Herstellen der ersten Vertiefungen 117a durch einen Ätzprozess oder einen separaten Maskierprozess ausgeführt werden, was nicht der Fall sein muss, sondern von den Umständen abhängt.
• Dann kann, wie es in der 7c dargestellt ist, auf dem Gateisolierfilm 117 ein Gateelektrodenmaterial abgeschieden werden, und dieses kann dann unter Verwendung einer zweiten Maske selektiv strukturiert werden, um die Gateelektrode 119 auszubilden. Gleichzeitig werden auch die untere Elektrode 121 des Kondensators Cst und eine Gateleitung gemeinsam mit dem Herstellen der Gateelektrode 119 ausgebildet.
• Anschließend wird ein Fremdstoff von bestimmtem Leitungstyp, z.B. ein p-Fremdstoff, unter Verwendung der Gateelektrode 119 als Maske durch Ioneninjektion in die Halbleiterschicht 115 eingebracht, um einen Drainelektrodenbereich 115b/einen Sourceelektrodenbereich 115a hoher Dichte zu bilden.
• Dann wird der erste Zwischenschichtisolierfilm 123 auf dem Gateisolierfilm 117 mit der Gateelektrode 119 abgeschieden, und die Vielzahl dritter Vertiefungen wird durch einen Ätzprozess 130 unregelmäßig in der Oberfläche des ersten Zwischenschichtisolierfilms 123 ausgebildet. In diesem Fall werden die dritten Vertiefungen 123a an Stellen ausgebildet, die nicht den in der Oberfläche des Gateisolierfilms 123 ausgebildeten zweiten Vertiefungen 123a entsprechen oder zu diesen passen. Außerdem kann der Ätzprozess zum Ausbilden der dritten Vertiefungen 123a unter Verwendung separater Maskierprozesse ausgebildet werden, was nicht der Fall sein muss, sondern von den Umständen abhängt.
• Danach wird, wie es in der 7d dargestellt ist, ein leitendes Material, wie ein Metall, auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschieden, und anschließend wird es unter Verwendung einer dritten Maske selektiv strukturiert, um eine Kathodenelektrode (d.h. eine Pixelelektrode) 125 des EL und eine obere Elektrode 127 des Speicherkondensators Cst oberhalb der unteren Elektrode 121 desselben auszubilden.
• Dann wird der zweite Zwischenschichtisolierfilm 129 auf der gesamten Oberfläche des Substrats einschließlich der Kathodenelektrode 125 des EL und der oberen Elektrode 127 des Kondensators hergestellt, und der zweite und der erste Zwischenschichtisolierfilm 129 und 123 werden unter Verwendung einer vierten Maske selektiv strukturiert, um das erste bis fünfte Kontaktloch 131a–131e auszubilden, die Teile der Kathodenelektrode 125, des Drainelektrodenbereichs 115b/des Sourceelektrodenbereichs 115a sowie der oberen und der unteren Elektrode 127 und 121 des Kondensators freilegen.
• Dabei kann die Vielzahl vierter Vertiefungen 129a während eines Ätzprozesses 140 zum Herstellen des ersten bis fünften Kontaktlochs 131a–131e, d.h. beim Ätzen des zweiten Zwischenschichtisolierfilms 129, gleichzeitig unregelmäßig auf der Oberfläche des zweiten Zwischenschichtisolierfilms 129 ausgebildet werden, oder sie kann dadurch ausgebildet werden, dass ein separater Ätzprozess hinzugefügt wird. Die vierten Vertiefungen 129a werden an Stellen ausgebildet, die nicht den auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm 123 ausgebildeten dritten Vertiefungen 123a entsprechen oder zu diesen passen. Alternativ wird der Prozess zum Herstellen der vierten Vertiefungen 129a nicht ausgeführt, was alles von den Umständen abhängt, um die vierten Vertiefungen 129a nicht auszubilden.
• Anschließend wird, wie es in der 7e dargestellt ist, ein leitendes Material, wie ein Metall, auf der gesamten Oberfläche des Substrats einschließlich des ersten bis fünften Kontaktlochs 131a–131e abgeschieden, und dann wird die Zwischenschichtisolierfilmmaterialschicht unter Verwendung einer fünften Maske zum Ausbilden des ersten leitenden Schichtmusters 113, das die Kathodenelektrode 125 und den Drainelektrodenbereich 115b verbindet, des zweiten leitenden Schichtmusters 135, das den Sourceelektrodenbereich 115a und die obere Elektrode 127 des Kondensators verbindet, d.h. die Spannungsversorgungsleitung, und des dritten leitenden Schichtmusters 137, das die untere Elektrode 121 des Kondensators, die Drainelektrode des ersten TFT und die Gateelektrode des zweiten TFT verbindet, selektiv strukturiert.
• Danach wird, wie es in der 7f dargestellt ist, der Passivierungsfilm 139 aus einem isolierenden Material dick auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschieden und dann werden er und der zweite Zwischenschichtisolierfilm 129 unter Verwendung einer sechsten Maske selektiv strukturiert, um die Öffnung 141 auszubilden, die die Kathodenelektrode 125 freilegt. Dabei kann die Vielzahl fünfter Vertiefungen 139a während eines Ätzprozesses 150 zum Ausbilden der Öffnung 141 oder durch Hinzufügen eines separaten Ätzprozesses gleichzeitig unregelmäßig auf der Oberfläche ausgebildet werden. Außerdem werden die fünften Vertiefungen 139a an Stellen ausgebildet, die nicht den Stellen der auf der Oberfläche des zweiten Zwischenschichtisolierfilms 129 ausgebildeten vierten Vertiefungen 129a entsprechen oder mit diesen übereinstimmen. Alternativ muss der Prozess zum Herstellen der fünften Vertiefungen 139a nicht ausgeführt werden, was von den Umständen abhängt.
• Dann wird, wie es in den 7g und 7h dargestellt ist, die EL-Schicht 143 auf der Kathodenelektrode 125 innerhalb der Öffnung 141 hergestellt, worauf die Anodenelektrode 145 hergestellt wird, um das AMOLED-Bauteil fertigzustellen.
• Wie oben angegeben, existiert, da die Vielzahl von Vertiefungen auf jeder Isolierschicht aus einem isolierenden Material, wie für das AMOLED-Bauteil verwendet, unregelmäßig ausgebildet wird, oder da die Vielzahl von Vertiefungen auf einer Fläche mindestens einer der Schichten aus einem isolierenden Material unregelmäßig ausgebildet wird, keine Interferenz zwischen dieser mindestens einen Schicht mit unregelmäßigen Vertiefungen und dem regelmäßigen Metallmuster von Pixeln. So tritt der Moiréeffekt nicht auf. D.h., dass im Prozess des Herstellens der unregelmäßigen Muster, d.h. der Vertiefungen, in der Oberfläche des Isolierfilms derselbe durch den Ätzprozess teilweise geätzt wird, so dass ein nicht geätzter Bereich (ohne Vertiefung) und ein geätzter Bereich (Vertiefung) mir unregelmäßiger Form, Gestalt, Größe usw. in allen Pixeln ausgebildet werden kann. In diesem Fall werden, wie es in der 6 dargestellt ist, die vielen unregelmäßigen Vertiefungen so ausgebildet, dass das Verhältnis der Fläche eines nicht geätzten Bereichs und der Fläche des geätzten Bereichs ungefähr 1:1 betragen kann.
• Auch bei einer anderen Ausführungsform (anderen Ausführungsformen der Erfindung kann der Ätzprozess für den Isolierfilm mit den unregelmäßigen Vertiefungsmustern als separater Prozess hinzugefügt werden, oder die unregelmäßigen Muster können im Prozess des Herstellens eines Kontaktlochs im Isolierfilm zusätzlich hergestellt werden. Auch können die Vertiefungen unter Verwendung mindestens einer Maske oder durch einen doppelten Belichtungsprozess hergestellt werden.
• Wie es bisher beschrieben wurde, verfügen das AMOLED-Bauteil und das Herstellverfahren für ein solches gemäß der Erfin dung über viele Vorteile.
• Durch Herstellen der unregelmäßigen Muster, z.B. unregelmäßiger Vertiefungsmuster, auf dem Isolierfilm über mehrere Pixel hinweg, kann eine optische Pfaddifferenz keine Regelmäßigkeit zeigen. Demgemäß, da nämlich keine andere optische Schicht existiert, die zu Interferenz mit den regelmäßigen Metallmuster der Pixel führen könnte, kann der Moiréeffekt nicht auftreten, und das Moiréproblem ist effektiv beseitigt.
• Da der Moiréeffekt nicht auftritt, können die Eigenschaften eines Schirms verbessert werden.
• Außerdem kann, da der Moiréeffekt während eines Kristallisationsprozesses für das AMOLED-Bauteil nicht auftritt, die Produktivität desselben verbessert werden.
• Da die Erfindung auf verschiedene Arten realisiert werden kann, ohne dass von ihrem Grundgedanken oder wesentlichen Eigenschaften abgewichen würde, ist es auch zu beachten, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen durch keinerlei Einzelheiten der vorstehenden Beschreibung eingeschränkt sind, solange nichts anderes speziell angegeben ist, sondern dass sie innerhalb des Grundgedankens und des Schutzumfangs, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert, umfassend ausgelegt werden sollen, weswegen alle Änderungen und Modifizierungen, die in den Gegenstand der Ansprüche fallen, oder Äquivalente eines solchen Gegenstands durch die beigefügten Ansprüche umfasst sein sollen.

Claims (25)

1. Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden (AMOLED) mit: – einer auf einem isolierenden Substrat hergestellten Pufferschicht; – einer auf der Pufferschicht hergestellten Halbleiterschicht, die über Drain-/Sourceelektroden verfügt; – einem Gateisolierfilm, der auf der Pufferschicht mit der Halbleiterschicht hergestellt ist; – einer Gateelektrode und einer unteren Kondensatorelektrode, die auf dem Gateisolierfilm ausgebildet sind; – einem ersten Zwischenschichtisolierfilm, der auf der Gateelektrode und der unteren Kondensatorelektrode ausgebildet ist; – einer Kathodenelektrode und einer oberen Kondensatorelektrode, die auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm ausgebildet sind; – einem zweiten Zwischenschichtisolierfilm, der auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über Kontaktlöcher verfügt, die Teile der Kathodenelektrode, der Drainelektrode, der Sourceelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der unteren Kondensatorelektrode freilegen; – einem ersten und einem zweiten leitenden Schichtmuster, die auf dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm ausgebildet sind, wobei das erste leitende Schichtmuster die Kathodenelektrode und die Drainelektrode verbindet und das zweite leitende Schichtmuster die Sourceelektrode und die obere Kondensatorelektrode verbindet; – einer Passivierungsschicht, die auf der sich ergebenden Struktur ausgebildet ist und über eine Öffnung verfügt, die einen Teil der Kathodenelektrode freilegt; – einer innerhalb der Öffnung ausgebildeten EL-Schicht und – einer auf der EL-Schicht ausgebildeten Anodenelektrode; – wobei auf einer Fläche mindestens einer der folgenden Schichten eine Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist: der Pufferschicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht.
2. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl von Vertiefungen unregelmäßig strukturiert ist.
3. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl von Vertiefungen auf Flächen der Pufferschicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht ausgebildet ist.
4. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl von Vertiefungen so ausgebildet ist, dass sich die Vertiefungen nicht an denselben, entsprechenden Positionen überlappender oberer und unterer Schichten befinden.
5. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die vielen Vertiefungen über verschiedene Größen verfügen.
6. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem das Verhältnis der Größe einer Fläche, in der die Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, und der Größe einer Fläche, in der keine Vertiefung ausgebildet ist, ungefähr 1:1 beträgt.
7. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem das zweite leitende Schichtmuster mit einer Spannungsversorgungsleitung verbunden ist.
8. Bauteil nach Anspruch 1, bei dem die Vertiefungen in der Oberfläche der Pufferschicht ausgebildet sind.
9. Verfahren zum Herstellen eines Aktivmatrix-Bauteils mit organischen Leuchtdioden (AMOLED), das Folgendes umfasst: – Herstellen einer Pufferschicht auf einem isolierenden Substrat; – Herstellen einer Halbleiterschicht auf der Pufferschicht; – Herstellen eines Gateisolierfilms auf der Halbleiterschicht; – Herstellen einer Gateelektrode und einer unteren Kondensatorelektrode auf dem Gateisolierfilm, und Herstellen eines Drainelektrodenbereichs und eines Sourceelektrodenbereichs in der Halbleiterschicht zu beiden Seiten der Gateelektrode; – Herstellen eines ersten Zwischenschichtisolierfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur; – Herstellen einer Kathodenelektrode und einer oberen Kondensatorelektrode auf dem ersten Zwischenschichtisolierfilm; – Herstellen eines zweiten Zwischenschichtisolierfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur; – Herstellen mehrerer Kontaktlöcher, die Teile der Kathodenelektrode, des Drainelektrodenbereichs, des Sourceelektrodenbereichs, der oberen Kondensatorelektrode und der unteren Kondensatorelektrode freilegen, durch mindestens einen Ätzprozess; – Herstellen eines ersten leitenden Schichtmusters, das die Kathodenelektrode und den Drainelektrodenbereich verbindet, und eines zweiten leitenden Schichtmusters, das den Sourceelektrodenbereich und die obere Kondensatorelektrode durch die mehreren Kontaktlöcher verbindet; – Herstellen eines Passivierungsfilms auf einer Fläche der sich ergebenden Struktur, und Strukturieren desselben zum Ausbilden einer Öffnung, die einen Teil der Kathodenelektrode freilegt; – Herstellen einer EL-Schicht innerhalb der Öffnung und Herstellen einer Anodenelektrode darauf; und – auf einer Fläche mindestens einer der folgenden Schichten eine Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist: der Puffer schicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die vielen Vertiefungen unregelmäßig strukturiert werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die vielen Vertiefungen auf Flächen der Pufferschicht, des Gateisolierfilms, des ersten Zwischenschichtisolierfilms, des zweiten Zwischenschichtisolierfilms und der Passivierungsschicht hergestellt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die vielen Vertiefungen so hergestellt werden, dass sie sich nicht an denselben entsprechenden Positionen überlappender oberer und unterer Schichten befinden.
13. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die vielen Vertiefungen verschiedene Größen aufweisen.
14. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Verhältnis der Größe einer Fläche, in der die Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, und der Größe einer Fläche, in der keine Vertiefung ausgebildet ist, ungefähr 1:1 beträgt.
15. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem im Schritt des Herstellens der Vielzahl von Vertiefungen dieselben unter Verwendung einer Maske oder durch einen doppelten Belichtungsprozess hergestellt werden.
16. Bauteil mit organischen Leuchtdioden (OLED) mit: – einem EL-Element, das zum Emittieren von Licht konfiguriert ist; – einem Treiber-TFT, der zum Steuern des EL-Elements konfi guriert ist; – einem mit dem Treiber-TFT verbundenen Speicherkondensator sowie – mindestens einer Isolierschicht, die so konfiguriert ist, dass sie betreffend das EL-Element, den Treiber-TFT und den Speicherkondensator mindestens eines isoliert und mit einer Vielzahl von Vertiefungen, die auf einer Fläche der mindestens einen Isolierschicht ausgebildet sind.
17. OLED-Bauteil nach Anspruch 16, bei dem die vielen Vertiefungen über unregelmäßige Formen und/oder Größen verfügen.
18. OLED-Bauteil nach Anspruch 16, bei dem zur mindestens einen Isolierschicht mindestens eine der folgenden gehört: – eine Pufferschicht, auf der das EL-Element, der Treiber-TFT und der Speicherkondensator ausgebildet sind; – ein Gateisolierfilm zwischen Source-/Drainelektrodenbereichen und einer Gateelektrode des Treiber-TFT; – ein erster Zwischenschichtisolierfilm auf der Gateelektrode des Treiber-TFT; – ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm auf dem Speicherkondensator oder – ein Passivierungsfilm auf einer Elektrode des EL-Elements.
19. OLED-Bauteil nach Anspruch 16, bei dem die mindestens eine Isolierschicht mehrere verschiedene Isolierschichten beinhaltet, von denen jede über eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Fläche dieser entsprechenden Isolierschicht verfügt.
20. OLED-Bauteil nach Anspruch 16, bei dem das Verhältnis der Größe der Gesamtfläche auf der mindestens einen Isolierschicht, wo die Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, und der Größe der Gesamtfläche der mindestens einen Isolier schicht, wo keine Vertiefung ausgebildet ist, ungefähr 1:1 beträgt.
21. Verfahren zum Herstellen eines Bauteils mit organischen Leuchtdioden (OLED), das Folgendes umfasst: – Herstellen eines zum Emittieren von Licht konfigurierten EL-Elements; – Herstellen eines zum Steuern des EL-Element konfigurierten Treiber-TFT; – Herstellen eines mit dem Treiber-TFT verbundenen Speicherkondensators; und – Herstellen mindestens einer Isolierschicht, die so konfiguriert ist, dass sie betreffend das EL-Element, den Treiber-TFT und den Speicherkondensator mindestens eines isoliert, wobei die mindestens eine Isolierschicht über eine Vielzahl von Vertiefungen verfügt, die auf einer Fläche dieser mindestens einen Isolierschicht ausgebildet sind.
22. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem beim Schritt des Herstellens der mindestens einen Isolierschicht die Vielzahl von Vertiefungen über unregelmäßige Formen und/oder Größen verfügt.
23. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem im Schritt des Herstellens der mindestens einen Isolierschicht dieselbe mindestens eine der Folgenden beinhaltet: – eine Pufferschicht, auf der das EL-Element, der Treiber-TFT und der Speicherkondensator ausgebildet sind; – einen Gateisolierfilm zwischen Source-/Drainelektrodenbereichen und eine Gateelektrode des Treiber-TFT; – einen ersten Zwischenschichtisolierfilm auf der Gateelektrode des Treiber-TFT; – einen zweiten Zwischenschichtisolierfilm auf dem Speicherkondensator oder – einen Passivierungsfilm auf einer Elektrode des EL-Elements.
24. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem im Schritt des Herstellens der mindestens einen Isolierschicht dieselbe mehrere verschiedene Isolierschichten beinhaltet, von denen jede auf einer Fläche über eine Vielzahl von Vertiefungen verfügt.
25. Verfahren nach Anspruch 21, bei dem im Schritt des Herstellens der mindestens einen Isolierschicht das Verhältnis der Größe der Gesamtfläche auf der mindestens einen Isolierschicht, wo die Vielzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, und der Größe der Gesamtfläche der mindestens einen Isolierschicht, wo keine Vertiefung ausgebildet ist, ungefähr 1:1 beträgt.