DE10147040A1 - Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle - Google Patents
Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als LichtquelleInfo
- Publication number
- DE10147040A1 DE10147040A1 DE10147040A DE10147040A DE10147040A1 DE 10147040 A1 DE10147040 A1 DE 10147040A1 DE 10147040 A DE10147040 A DE 10147040A DE 10147040 A DE10147040 A DE 10147040A DE 10147040 A1 DE10147040 A1 DE 10147040A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lighting unit
- unit according
- nitride
- alone
- combination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 18
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- CFIPFJIKZAGWFH-WMYXADBDSA-N thyrsiferyl 23-acetate Chemical compound O1[C@@H](C(C)(C)OC(=O)C)CC[C@]1(C)[C@@H](O)CC[C@](C)(O)[C@@H]1O[C@@]2(C)CC[C@H]([C@@]3(C)OC(C)(C)[C@H](Br)CC3)O[C@@H]2CC1 CFIPFJIKZAGWFH-WMYXADBDSA-N 0.000 description 2
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/77218—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77747—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5463—Particle size distributions
- C04B2235/5481—Monomodal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/766—Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9646—Optical properties
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle, wobei die LED primäre Strahlung im Bereich von 300 bis 570 nm emittiert, wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert, wird durch Leuchtstoffe, die der primären Strahlung der LED ausgesetzt sind, wobei die Konversion zumindest unter Zuhilfenahme eines nitridhaltigen Leuchtstoffs erfolgt, der mit einer Wellenlänge der Peakemission bei 430 bis 670 nm emittiert und der aus der Klasse der Ce- der Eu-aktivierten Nitride, Oxynitride oder Sialone stammt.
Description
- Die Erfindung geht aus von einer Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Es handelt sich dabei insbesondere um eine im Sichtbaren oder Weiß emittierende LED auf Basis einer primär UV oder blau emittierenden LED.
- Eine Beleuchtungseinheit, die beispielsweise weißes Licht abgibt, wird derzeit vorwiegend durch die Kombination einer im Blauen bei etwa 460 nm emittierenden Ga(In)N-LED und eines gelb emittierenden YAG:Ce3+-Leuchtstoffs realisiert (US 5 998 925 und EP 862 794). Dabei werden für eine gute Farbwiedergabe oft zwei verschiedene Gelb-Leuchtstoffe verwendet wie in WO-A 01/08453 beschrieben. Problematisch dabei ist, dass die beiden Leuchtstoffe oft unterschiedliches Temperaturverhalten zeigen, auch wenn ihre Struktur ähnlich ist. Ein bekanntes Beispiel ist der im Gelben lumineszierende Ce-dotierte Y-Granat (YAG:Ce) und der im Vergleich dazu längerwellig lumineszierende (Y,Gd)-Granat. Dies führt zu Farbortschwankungen und Änderungen der Farbwiedergabe bei unterschiedlichen Betriebstemperaturen.
- Aus der Veröffentlichung "On new rare-earth doped M-Si-AL-O-N materials" von von Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4, Kapitel 11, sind mehrere Klassen von Leuchtstoffmaterialien bekannt, die die Struktur von Nitriden oder Oxynitriden aufweisen oder die in Abkürzung ihrer Zusammensetzung als Sialone (insbesondere α-Sialone) bezeichnet werden. Mittels Dotierung mit Eu, Tb oder Ce wird eine Emission in einem breiten optischen Spektralbereich erzielt bei Anregung mit 365 nm oder 254 nm.
- Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, die sich durch hohe Konstanz bei wechselnden Betriebstemperaturen auszeichnet. Eine weitere Aufgabe ist, eine Beleuchtungseinheit bereitzustellen, die weiß emittiert und insbesondere eine hohe Farbwiedergabe und hohe Ausbeute besitzt.
- Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
- Erfindungsgemäß wird als Leuchtstoff für die LEDs ein Leuchtstoff aus einer von mehreren nitridbasierten Leuchtstoffklassen verwendet.
- Es handelt sich dabei um bestimmte Klassen von Nitriden und deren DerivatenOxynitride und Sialone. Der aus einem Kation M und einem Siliziumnitrid oder einem Derivat eines Nitrids abgeleitete Leuchtstoff emittiert bei einer Wellenlänge der Peakemission von 430 bis 670 nm, wobei das Kation teilweise ersetzt ist durch einen Dotierstoff D, nämlich Eu2+ oder Ce3+, wobei als Kation M zumindest eines der zweiwertigen Metalle Ba, Ca, Sr und/oder zumindest eines der dreiwertigen Metalle Lu, La, Gd, Y verwendet wird, wobei der Leuchtstoff aus einer der folgenden Klassen stammt:
Nitride der Struktur MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11 und M9Si11N23;
Oxynitride der Struktur M16Si1506N32;
Sialone der Struktur MSiAl2O3N2, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 und M3Si5AlON10. - Besonders bevorzugt sind folgende spezielle Leuchtstoffe:
- 1. M'M"Si4N7:D
wobei
M' = Sr oder Ba jeweils alleine oder in Kombination, insbesondere ist M' teilweise (bis zu 20 mol-%) ersetzt durch Ca; M' ist ein zweiwertiges Ion.
M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La; M" ist ein dreiwertiges Ion.
Ein konkretes Beispiel ist SrLuSi4N7:Eu2+. - 2. M'M"Si6N11:D
wobei M" = BaxSr3-x, bevorzugt x = 1.5; M' ist zweiwertig;
wobei M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La u/o Y; M" ist dreiwertig;
Zu einem gewissen Teil können die Ba2+ und Sr2+ Mengen noch variieren (der Wert für x kann zwischen 1,3 und 1,7 schwanken) und teilweise (bis zu 20 mol-% der Gesamtmenge M') ersetzt werden durch Ca2+.
Ein konkretes Beispiel ist BaLuSi6N11:Eu. - 3. M"3Si6N11:D
Wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Y u/o Lu; M" ist ein dreiwertiges Ion.
Bevorzugt ist D = Ce3+.
Ein konkretes Beispiel ist La3Si6N11:Ce. - 4. M'2M"7Si11N23:D
Wobei M' = Ba alleine oder in Kombination mit Sr (bis zu 50 mol-%) M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu;
Ein konkretes Beispiel ist Ba2La7Si11N23:Eu. - 5. M"Si3N5:D
Wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu;
Wobei D = Ce.
Ein konkretes Beispiel ist LaSi3N5:Ce. - Des weiteren handelt sich dabei um bestimmte Klassen von Oxynitriden, nämlich diejenigen des Typs M"16Si15O6N32:D. diese verwenden als dreiwertiges Kation M" zumindest eines der Metalle La, Gd, Lu oder Y. Das Kation ist teilweise ersetzt durch einen Dotierstoff D, nämlich Eu2+ oder Ce3+. Besonders bevorzugt sind folgende spezielle Leuchtstoffe:
- 1. M"16Si15O6N32:Ce
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu;
ein konkretes Beispiel ist La16Si15O6N32:Ce.
Des weiteren handelt sich dabei um bestimmte Klassen von Sialonen, also diejenigen des Typs MSiAlON:D. Diese verwenden als zwei- oder dreiwertiges Kation M" zumindest eines der Metalle Ba, Sr, Ca, La, Gd, Lu oder Y. Das Kation ist teilweise ersetzt durch einen Dotierstoff D, nämlich Eu2+ oder Ce3+. Besonders bevorzugt sind folgende spezielle Leuchtstoffe: - 2. M'SiAl2O3N2:D
wobei M' = Sr alleine oder in Kombination mit Ba u/o Ca2+; der Anteil des Ba kann dabei bis zu 50 mol-% betragen, der des Ca bis zu 20 mol-%.
Ein konkretes Beispiel ist SrSiAl2O3N2:Eu. - 3. M'3M"10Si18Al12O18N36:D
wobei M' = Sr alleine oder in Kombination mit Ba u/o Ca; der Anteil des Ba kann dabei bis zu 50 mol-% betragen, der des Ca bis zu 20 mol-%;
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu;
bevorzugt ist M' = Sr2+ bzw. M" = La3+;
ein konkretes Beispiel ist Sr3La10Si18Al12O18N36:Eu. - 4. M"Si5Al2ON9:Ce3+
Wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu;
Ein konkretes Beispiel ist LaAl2Si5ON9:Ce. - 5. M"3Si5AlON10:Ce3+
Wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu; Bevorzugt ist M" = La3+.
Ein konkretes Beispiel ist La3Si5AlON10:Ce. - Der Anteil des Dotierstoffs (also der Eu- bzw. Ce-Anteil), der einen Teil des Kations M ersetzt, sollte bei 0,5 bis 15%, bevorzugt 1 bis 10%, des M-Kations liegen, wodurch eine genaue Wahl der Emissionswellenlänge getroffen werden kann und die Lichtausbeute optimiert werden kann. Ein steigender Dotierstoff-Gehalt bewirkt im allgemeinen eine Verschiebung der Peakemission zu längeren Wellenlängen hin. Überraschend hat sich herausgestellt, dass auch eine wechselnde Konzentration des Kations M die Wellenlänge der Peakemission verschiebt. Bei niedriger Konzentration des M-Kations kann man eine gute Absorption durch den Dotierstoff dadurch erhalten, dass man seinen Anteil bei 5 bis 10 mol-% des M-Kations wählt.
- Diese neuen optisch aktiven Materialien können als Pigmente mit Tageslichtfluoreszenz, insbesondere auch als Leuchtstoffe, zusammengefasst werden. Damit ist gemeint, dass das Material entweder anwendbar ist als Pigment oder als lichtkonvertierendes System für Anwendungen wie Displays, Lampen oder LEDs, oder auch für beide Zwecke geeignet ist.
- Ein weiterer vielversprechender Vertreter dieser Klasse der Eu-aktivierten Sialone ist ein α-Sialon, das der Formel Mp/2Si12-p-qAlp+qOqN16-q:Eu2+ gehorcht, mit M = Ca einzeln oder in Kombination mit mindestens einem der Metalle Sr oder Mg, mit q = 0 bis 2,5 und p = 0,5 bis 3, im folgenden als GO- Sialon bezeichnet.
- Diese neuen optisch aktiven Materialien sind bevorzugt dotiert mit (oder sie enthalten) M2+ = Eu2+ oder M3+ = Ce3+. Im Falle einer Ce-Dotierung kann außerdem eine geringfügige Kodotierung (bis zu 30 mol-% des Ce) mit Pr3+ oder Tb3+ erfolgen. Im Falle einer Dotierung mit Eu kann eine Kodotierung (bis zum Vierfachen des Eu) mit Mn2+ erfolgen. Bei diesen Kombinationen ist ein Transfer von Energie von der Erstdotierung auf die Kodotierung möglich.
- Mit Bezug auf die Anwendung als Konversionsmittel für Strahlungsquellen mit einer Primärstrahlung zwischen 300 und 570 nm sind insbesondere optisch aktive Materialien mit Eu-Dotierung bevorzugt.
- Die neuen optisch aktiven Materialien sind alle sehr robust, sowie thermisch und chemisch stabil, weil ihr Grundgerüst auf Tetraedern basiert, entweder vom Typ Si- (O,N) oder Al-(O,N). Hierbei bedeutet der Begriff Si-(O,N)- bzw. Al-(O,N)-Tetraeder: zum einen eine der Gruppen SiN4, SiON3, SiO2N2 oder SiO3N und zum andern eine der Gruppen AlN4, AlON3, AlO2N2 oder AlO3N. Bevorzugt sind die Materialien, deren Grundgerüst Si- und/oder Al-Tetraeder mit mindestens 2 oder mehr Nitrid (N3-)Liganden enthält. Generell wurde festgestellt, dass sich die Absorption von optisch aktiven Ionen D (unabhängig davon, ob sie zwei- oder dreiwertig sind), die breitbandig absorbieren, mit steigendem N-Anteil in den Tetraedern langwellig verschiebt.
- Die Absorption von zweiwertigen Aktivatoren D2+, bevorzugt Eu2+ in Alleinstellung, kann, abhängig von dem Nitrid-Anteil in den Tetraedern, im Prinzip vom UV bis hin ins Orange-Rote (bis etwa 590 nm) verschoben werden. Die Absorption von dreiwertigen Aktivatoren D3+, bevorzugt Ce3+ in Alleinstellung, kann, abhängig von dem Nitrid-Anteil in den Tetraedern, im Prinzip vom UV bis ins Blaugrüne (bis etwa 495 nm) verschoben werden. Weitere Faktoren, die die Lage des Absorptionsmaximums beeinflussen, sind die Koordination und die spezifische Gitterstelle, an der sich das Aktivatorion befindet.
- Die bevorzugten Gitterplätze für D2+ sind M' = Sr2+ und Ca2+, aber auch Ba2+ ist geeignet. Bevorzugt sind Koordinationszahlen von 6 bis 9 in bezug auf diese zweiwertigen Kationen. Je niedriger die Koordinationszahl ist, desto langwelliger ist die Absorption. Die Koordinationszahl hängt vom betrachteten Volumen ab, d. h. je größer man das Volumen wählt, desto höher wird die Koordination. Beispielsweise wird in SrSiAl2O3N2 das Ion Sr2+ von Liganden in Gestalt der Anionen N3- und O2- koordiniert. Im einzelnen handelt es sich um sechs Liganden miteinem Abstand zu Sr2+ von 2.04-2.95 Å und des weiteren noch um zwei zusätzliche Liganden mit einem Abstand von etwa 3.04 Å und schließlich auch noch um einen Liganden mit einem Abstand von 3.18 Å. Somit ist abhängig vom betrachteten Volumen die Koordinationszahl entweder 6, 8 oder 9.
- In der nachfolgenden Tabelle 1 sind die bevorzugten maximalen Abstände der koordinierten Ionen dargestellt, wobei jeweils der Mittelwert der Abstände aller in der Koordination berücksichtigten nächstliegenden Ionen genommen ist. Dies gilt im Falle ausschließlich zweiwertiger Kationen M' oder zumindest überwiegend (mehr als 80% Anteil) zweiwertiger Kationen M'. Beispielsweise lässt sich aus der Tabelle 1 folgendes ablesen: ein Eu2+ Ion, z. B. auf einer Ba2+-Stelle in einem Gitter, sollte 7 Liganden mit durchschnittlichem Abstand von höchstens 3.015 Å haben, oder es sollte 8 Liganden mit durchschnittlichem Abstand von höchstens 3.02 Å haben. Jeweils eine dieser Bedingungen, insbesondere diejenige für die geringste Ligandenanzahl, sollte erfüllt sein um die gewünschten guten Eigenschaften des Pigments zu erreichen. Die Ionen Ba2+ und Sr2+ sind so groß dass sie in der Regel immer mindestens sechs Liganden um sich scharen. Das kleinere Ca2+ kommt teilweise bereits mit fünf Liganden aus. Im Falle von Mischverbindungen der drei Kationen M' gilt die Bedingung des überwiegend vorhandenen Kations. Tabelle 1 gemittelte bevorzugte maximale Abstände (in Å) zwischen zweiwertigem Ion und Liganden in Abhängigkeit von der Anzahl der Liganden
- Für optische Anwendungen, bei denen D2+ = Eu2+, und wobei das optisch aktive Material Licht mit Wellenlängen zwischen 300-570 nm teilweise oder vollständig in sichtbares Licht umwandeln soll, sind die bevorzugten Ionen Sr2+ und Ca2+. Die bevorzugt einzuhaltende Bedingung hinsichtlich der Koordinationssphäre ist für Sr2+ diejenige für die Ligandenanzahl 6 oder 7. Für Ca2+ ist die bevorzugt einzuhaltende Bedingung hinsichtlich der Koordinationssphäre diejenige der Ligandenanzahl 5 oder 6.
- Verbindungen, die mindestens einer der Bedingungen der Tab. 1 entsprechen, haben eine hohe Absorption mit einem Maximum zwischen 300 und 570 nm, und konvertieren effizient.
- Es handelt sich dabei insbesondere um Verbindungen der Klasse 7 (M'SiAl2O3N2:D) und der α-Sialone gemäß der DE-Anmeldung Az 101 33 352.8. In Tab. 2 sind einige beispiele genannt.
- Abstande A1 bis A7 (in Å) des ersten bis siebten nächstliegenden Liganden sowie daraus berechneter Mittelwert Mw5 bis Mw7 der Abstände der ersten fünf bis sieben Liganden, bezogen auf das Ca- bzw. Sr-Ion, für verschiedene Verbindungen
- Solche Verbindungen sind thermisch und chemisch stabil. Für Anwendungen, in denen diese optisch aktiven Materialien dispergiert werden müssen (beispielsweise im Gießharz einer LED), ist ein weiterer Vorteil dieser Materialien, dass sie stoßfest sind und beim Mahlprozess in Mühlen kaum oder überhaupt nicht beschädigt werden. Derartige Beschädigungen der Körner durch den Mahlvorgang mindern bei anderen Leuchtstoffen die Effizienz.
- Durch Materialdesign können so gezielt Leuchtstoffe auf Si/Al-N-Basis geschaffen werden, die eine spezifische Emission in einem weiten Bereich zwischen blau und tiefrot zeigen.
- Ein besonderer Vorteil dieser nitridbasierten Systeme ist, dass es damit möglich wird, mehrere Si/Al-N-basierten Leuchtstoffe zusammen zu verwenden, die sich physikalisch ähnlich verhalten, um beispielsweise eine weite LED zu realisieren. Eine ähnliche Überlegung gilt auch im Hinblick auf die primäre Lichtquelle, die sehr häufig ebenfalls nitridbasiert ist, da es sich dabei in der Regel um auf InN, GaN und AIN basierte Halbleiterelemente handelt. Die erfindungsgemäßen Si/Al-N-basierten Leuchtstoffe können hier besonders gut direkt aufgetragen werden.
- Besondere Vorteile dieser Leuchtstoffe in Verbindung mit einer LED-basierten Beleuchtungseinheit sind hohe Effizienz, überragende Temperaturstabilität (keine Empfindlichkeit gegen Änderungen der Betriebstemperatur) und eine überraschend hohe Löschtemperatur der Lumineszenz sowie die damit erzielbare hohe Farbwiedergabe, insbesondere bei Kombination mit mindestens einem weiteren Leuchtstoff.
- Ein weiterer Vorteil dieser Leuchtstoffklasse ist, dass bereits das Ausgangsmaterial (insbesondere Si3N4) in feinstdisperser Form vorliegt. Damit ist ein Mahlen des Leuchtstoffs häufig nicht notwendig. Dagegen müssen konventionelle Leuchtstoffe wie YAG : Ce, die ebenfalls durch Festkörpersynthese hergestellt werden, gemahlen werden, damit sie im Gießharz dispergiert bleiben und nicht auf den Boden absinken. Dieser Mahlvorgang führt häufig zu Effizienzverlusten. Diese Leuchtstoffe müssen daher nicht mehr gemahlen werden, wodurch ein Arbeitsgang gespart wird und keine Effizienzverluste auftreten. Typische mittlere Korngrößen des Leuchtstoffpulvers liegen bei 0,5 bis 5 µm.
- Neben der Erzeugung einer farbigen Lichtquelle durch Anregung mittels UV- Strahlung einer LED bietet vor allem die Erzeugung von weißem Licht mit Hilfe dieser Leuchtstoffe Vorteile. Dies geschieht bei einer UV-emittierenden LED als primäre Lichtquelle unter Verwendung mindestens dreier Leuchtstoffe, bei einer blau emittierenden LED als primärer Lichtquelle unter Verwendung von wenigstens zwei Leuchtstoffen.
- Weißes Licht mit guter Farbwiedergabe wird insbesondere erzeugt durch die Kombination einer UV-LED (z. B. Primäremission bei 300 bis 470 nm) mit zwei bis drei Leuchtstoffen, von denen mindestens einer ein erfindungsgemäßer nitridhaltiger Leuchtstoff ist
- Die großen Vorteile nitridhaltiger Leuchtstoffe sind ihre ausgeprägte Stabilität gegenüber heißen Säuren, Laugen und auch ihre thermische und mechanische Stabilität.
- Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
- Fig. 1 ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient mit (Fig. 1a) und ohne (Fig. 1b) Gießharz;
- Fig. 2 eine Beleuchtungseinheit mit Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden Erfindung;
- Fig. 3 bis 4 das Emissionsspektrum und Reflexionsspektrum von verschiedenen nitridhaltigen Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden Erfindung;
- Fig. 5 das Emissionsspektrum einer LED mit drei nitridhaltigen Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden Erfindung.
- Für den Einsatz in einer weißen LED zusammen mit einem InGaN-Chip wird beispielsweise ein Aufbau ähnlich wie in US 5 998 925 beschrieben verwendet. Der Aufbau einer derartigen Lichtquelle für weißes Licht ist in Fig. 1a explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement (Chip 1) des Typs InGaN mit einer Peak-Emissionswellenlänge von 400 nm mit einem ersten und zweiten elektrischen Anschluss 2, 3, das in ein lichtundurchlässiges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Einer der Anschlüsse 3 ist über einen Bonddraht 4 mit dem Chip 1 verbunden. Die Ausnehmung hat eine Wand 7, die als Reflektor für die blaue Primärstrahlung des Chips 1 dient. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Silikongießharz (oder auch Epoxidgießharz) (80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoffpigmente 6 (weniger als 15 Gew.-%) enthält. Weitere geringe Anteile entfallen u. a. auf Methylether und Aerosil. Die Leuchtstoffpigmente sind eine Mischung aus zwei (oder auch mehr) nitridhaltigen Pigmenten, die rot und grün emittieren.
- In Fig. 1b ist ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 10 gezeigt, bei dem die Umwandlung in weißes Licht mittels Konversionsschichten 16 erfolgt, die direkt auf den einzelnen Chip aufgebracht sind, ähnlich wie in US 5 813 752 beschrieben. Auf einem Substrat 11 sitzt eine Kontaktschicht 12, ein Spiegel 13, eine LED 14, ein Filter 15, sowie eine durch die Primärstrahlung anregbare Leuchtstoffschicht 16 zur Konversion in sichtbare langweilige Strahlung. Diese Baueinheit ist von einer Kunststofflinse 17 umgeben. Von den beiden ohmschen Kontakten ist nur der obere Kontakt 18 dargestellt.
- In Fig. 2 ist ein Ausschnitt aus einer Flächenleuchte 20 als Beleuchtungseinheit gezeigt. Sie besteht aus einem gemeinsamen Träger 21, auf den ein quaderförmiges äußeres Gehäuse 22 aufgeklebt ist. Seine Oberseite ist mit einer gemeinsamen Abdeckung 23 versehen. Das quaderförmige Gehäuse besitzt Aussparungen, in denen einzelne Halbleiter-Bauelemente 24 untergebracht sind. Sie sind UV- emittierende Leuchtdioden mit einer Peakemission von 360 nm. Die Umwandlung in weißes Licht erfolgt mittels Konversionsschichten 25, die auf allen der UV-Strahlung zugänglichen Flächen angebracht sind. Dazu zählen die innen liegenden Oberflächen der Seitenwände des Gehäuses, der Abdeckung und des Bodenteils. Die Konversionsschichten 25 bestehen aus drei Leuchtstoffen, die im roten, grünen und blauen Spektralbereich emittieren unter Benutzung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe.
- Einige erfindungsgemäße Leuchtstoffe sind in Tab. 3 zusammengefasst. Es handelt sich um Sialone und Nitride verschiedener Koordinationszahl.
- Tab. 4 zeigt den typischen Lumineszenzbereich (in nm) verschiedener nitridhaltiger Leuchtstoffe, die im einzelnen aufgelistet sind. Diese Leuchtstoffe decken ein weites Spektrum von Blau bis Rot ab.
- Fig. 3 und 4 zeigt die Emission und das Reflexionsverhalten verschiedener nitridhaltiger Leuchtstoffe als Funktion der Wellenlänge.
- Im einzelnen zeigt Fig. 3a das Emissionsspektrum des Sialons SrSiAl2O3N2:Ce3+ (4%) (d. h. 4 mol-% Anteil des Ce am Kation Sr) (Versuchsnummer TF23A/01) bei Anregung durch 390 nm. Das Maximum liegt im Blauen bei 466 nm, die mittlere Wellenlänge bei 493 nm. Die Reflexion (Fig. 3b) beträgt bei 400 nm etwa R400 = 60% und bei 370 nm etwa R370 = 37%.
- Die Synthese des Sialons TF23A/01 wird im folgenden beispielhaft genauer beschrieben.
- Das Leuchtstoffpulver wird durch eine Hochtemperatur-Festkörperreaktion hergestellt. Dazu werden beispielsweise die hochreinen Ausgangsmaterialien SrCO3, AlN und Si3N4 zusammengemischt mit einem Mol-Verhältnis von 1 : 2 : 1. Die Korngröße des Si3N4 liegt bei d50 = 1,6 µm mit d10 = 0,4 und d90 = 3,9 µm. Eine kleine Menge CeO2 wird zum Zwecke der Dotierung hinzugefügt und ersetzt dabei die entsprechende Molmenge SrCO3.
- Nachdem die einzelnen Komponenten gut vermischt worden sind, wird das Pulver bei ca. 1400°C für etwa 15 h in einer reduzierenden Atmosphäre (N2/H2) erhitzt und reagiert so zu der oben angegebenen Verbindung.
- Fig. 4 zeigt das Emissionsspektrum (Fig. 4a) des Sialons SrSiAl2O3N2:Eu2+ (4%) (Versuchsnummer TF31A/01) bei Anregung durch 400 nm. Das Maximum liegt im Grünen bei 534 nm, die mittlere Wellenlänge bei 553 nm. Die Quanteneffizienz QE ist 43%. Die Reflexion (Fig. 4b) beträgt bei 400 nm etwa R400 = 31% und bei 370 nm etwa R370 = 22%.
- Fig. 5 zeigt das Emissionsspektrum einer weißen LED auf Basis einer Primäranregung mittels InGaN-Chip mit einer Peakemission von 360 nm entsprechend dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1a unter Verwendung der blau und grün emittierenden Sialone aus Fig. 3 und 4 sowie dem an sich bekannten rot emittierenden α Sialon Sr2Si5N8:Eu, siehe WO 01/39574. Bei geeigneter Mischung ergibt sich ein Farbort von x = 0,331, y = 0,330 in unmittelbarer Nähe des Weißpunkts.
- Dies zeigt die besondere Eignung der nitridhaltigen Leuchtstoffe für den Einsatz in Lumineszenzkonversions-LEDs und dabei insbesondere in Leuchtstoff-Mischungen zusammen mit anderen temperaturstabilen Leuchtstoffen. Tab. 3
Tab. 4
Claims (27)
1. Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle, wobei die LED
primäre Strahlung im Bereich 300 bis 570 nm emittiert, wobei diese Strahlung
teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch
Leuchtstoffe, die der primären Strahlung der LED ausgesetzt sind, und deren Struktur auf
Nitriden oder deren Derivaten beruht, dadurch gekennzeichnet, dass die Konversion
unter Zuhilfenahme zumindest eines Leuchtstoffs erfolgt, der aus einem Kation M
und einem Siliziumnitrid oder einem Derivat eines Nitrids abgeleitet ist, der mit einer
Wellenlänge der Peakemission bei 430 bis 670 nm emittiert, wobei das Kation
teilweise ersetzt ist durch einen Dotierstoff D, nämlich Eu2+ oder Ce3+, wobei als
Kation M zumindest eines der zweiwertigen Metalle Ba, Ca, Sr und/oder eines der
dreiwertigen Metalle Lu, La, Gd, Y verwendet wird, wobei der Leuchtstoff aus einer der
folgenden Klassen stammt:
Nitride der Struktur MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11 und M9Si11N23,
Oxynitride der Struktur M16Si15O6N32
Sialone der Struktur MSiAl2O3N2, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 und M3Si5AlON10.
Nitride der Struktur MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11 und M9Si11N23,
Oxynitride der Struktur M16Si15O6N32
Sialone der Struktur MSiAl2O3N2, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 und M3Si5AlON10.
2. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des
Dotierstoffs bei 0,5 bis 15 mol-% des Kations liegt.
3. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Falle einer
Dotierung mit Ce3+ ein zusätzlicher Dotierstoff, nämlich Pr3+ u/o Tb3+, verwendet wird,
dessen Anteil höchstens 30 mol-% des Anteils von Ce3+ ausmacht.
4. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Falle einer
Dotierung mit Eu2+ ein zusätzlicher Dotierstoff, nämlich Mn2+, verwendet wird, dessen
Anteil höchstens das Vierfache des Anteils von Eu2+ ausmacht.
5. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Eu2+-
Ion im Leuchtstoff mindestens von zwei oder mehr Nitrid-Liganden koordiniert wird.
6. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere
nitridhaltige Leuchtstoffe zusammen, und insbesondere ausschließlich, verwendet
werden, um insbesondere eine weiß emittierende Beleuchtungseinheit zu
realisieren.
7. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
erfindungsgemäßen Leuchtstoffe in Silikonharz dispergiert sind oder direkt auf die LED
aufgebracht sind.
8. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die LED ein
nitridbasiertes Halbleiterbauelement ist.
9. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur
Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 360
bis 420 nm liegt, wobei die primär emittierte Strahlung zumindest drei Leuchtstoffen
mit Emissionsmaximum im Blauen (430 bis 470 nm), Grünen (495 bis 540 nm) und
Roten (insbesondere 540 bis 620 nm) zur Konversion ausgesetzt ist.
10. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zur
Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 420
bis 480 nm liegt, wobei die primär emittierte Strahlung zumindest zwei Leuchtstoffen
mit Emissionsmaximum im Grünen (495 bis 540 nm) und Roten (insbesondere 540
bis 620 nm) zur Konversion ausgesetzt ist.
11. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur
Erzeugung von farbigem Licht die primär emittierte Strahlung im UV-Wellenlängenbereich
von 300 bis 570 nm liegt, wobei die primär emittierte Strahlung einem einzigen
Leuchtstoff entsprechend einem der vorherigen Ansprüche ausgesetzt wird.
12. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M'M"Si4N7:D ist, wobei
M' = Sr oder Ba jeweils alleine oder in Kombination, (insbesondere ist M' bis zu 20 mol-% ersetzt durch Ca);
M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La.
M' = Sr oder Ba jeweils alleine oder in Kombination, (insbesondere ist M' bis zu 20 mol-% ersetzt durch Ca);
M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La.
13. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M'M"Si6N11:D ist, wobei
M' = BaxSr3-x, mit 1,3 ≤ × ≤ 1,7; insbesondere mit geringem Ca-Zusatz;
M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La u/o Y.
M' = BaxSr3-x, mit 1,3 ≤ × ≤ 1,7; insbesondere mit geringem Ca-Zusatz;
M" = Lu alleine oder in Kombination mit Gd u/o La u/o Y.
14. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M'2M"7Si11N23:D ist, wobei
M' = Ba alleine oder in Kombination mit Sr (bis zu 50 mol-%)
M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
M' = Ba alleine oder in Kombination mit Sr (bis zu 50 mol-%)
M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
15. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M"Si3N5:D ist, wobei
M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu, und wobei D = Ce.
16. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M"16Si15O6N32:Ce ist, wobei
M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
17. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M'SiAl2O3N2:D ist, wobei
wobei M' = Sr alleine oder in Kombination mit Ba u/o Ca; insbesondere kann der
Anteil des Ba dabei bis zu 50 mol-% betragen, der des Ca bis zu 20 mol-%.
18. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M'3M"10Si18Al12O18N36:D ist, wobei
wobei M' = Sr alleine oder in Kombination mit Ba u/o Ca; insbesondere kann der Anteil des Ba dabei bis zu 50 mol-% betragen, der des Ca bis zu 20 mol-%;
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
wobei M' = Sr alleine oder in Kombination mit Ba u/o Ca; insbesondere kann der Anteil des Ba dabei bis zu 50 mol-% betragen, der des Ca bis zu 20 mol-%;
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
19. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M"Si5Al2ON9:Ce3+ ist, wobei
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
20. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff M"3Si5AlON10:Ce3+ ist, wobei
wobei M" = La alleine oder in Kombination mit Gd u/o Lu.
21. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Beleuchtungseinheit eine Lumineszenzkonversions-LED ist, bei der die Leuchtstoffe direkt
oder mittelbar in Kontakt mit dem Chip stehen.
22. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
nitridhaltige Leuchtstoff allein oder überwiegend zweiwertige Kationen des Typs M' enthält,
mit Aktivator D2+ dotiert ist und wobei die Abstände zwischen dem Kation und den
nächstliegenden Liganden zumindest einer der Bedingungen aus Tab. 1 gehorcht.
23. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Beleuchtungseinheit ein Feld (Array) von LEDs ist.
24. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest
einer der Leuchtstoffe auf einer vor dem LED-Feld angebrachten optischen
Vorrichtung angebracht ist.
25. Pigment mit Tageslichtfluoreszenz, insbesondere Leuchtstoff, dessen Struktur auf
Nitriden oder deren Derivaten beruht, dadurch gekennzeichnet, dass die
Zusammensetzung aus einem Kation M und einem Siliziumnitrid oder einem Derivat eines
Nitrids abgeleitet ist, wobei das Kation teilweise ersetzt ist durch einen Dotierstoff D,
nämlich Eu2+ oder Ce3+, wobei als Kation M zumindest eines der zweiwertigen
Metalle Ba, Ca, Sr und/oder eines der dreiwertigen Metalle Lu, La, Gd, Y verwendet
wird, wobei der Leuchtstoff aus einer der folgenden Klassen stammt:
Nitride der Struktur MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11 und M9Si11N23,
Oxynitride der Struktur M16Si15O6N32
Sialone der Struktur MSiAl2O3N2, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 und M3Si5AlON10.
Nitride der Struktur MSi3N5, M2Si4N7, M4Si6N11 und M9Si11N23,
Oxynitride der Struktur M16Si15O6N32
Sialone der Struktur MSiAl2O3N2, M13Si18Al12O18N36, MSi5Al2ON9 und M3Si5AlON10.
26. Pigment nach Anspruch 25, mit den Eigenschaften entsprechend einem der
Ansprüche 2 bis 5.
27. Pigment nach Anspruch 25, mit den Eigenschaften entsprechend einem der
Ansprüche 12 bis 20.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10147040A DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
EP02015875A EP1296376B1 (de) | 2001-09-25 | 2002-07-16 | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
EP10185943A EP2264762B8 (de) | 2001-09-25 | 2002-07-16 | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
US10/205,922 US6670748B2 (en) | 2001-09-25 | 2002-07-26 | Illumination unit having at least one LED as light source |
JP2002277736A JP4221202B2 (ja) | 2001-09-25 | 2002-09-24 | 光源として少なくとも1つのledを備えた照明ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10147040A DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10147040A1 true DE10147040A1 (de) | 2003-04-24 |
Family
ID=7700105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10147040A Withdrawn DE10147040A1 (de) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6670748B2 (de) |
EP (2) | EP1296376B1 (de) |
JP (1) | JP4221202B2 (de) |
DE (1) | DE10147040A1 (de) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007018837A1 (de) | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
DE102007042642A1 (de) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
DE102007044597A1 (de) | 2007-09-19 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102007054800A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung |
DE102007050876A1 (de) | 2007-09-26 | 2009-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
US7573190B2 (en) | 2004-02-18 | 2009-08-11 | National Institute For Materials Science | Light emitting element and lighting instrument |
US7679100B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an electromagnetic radiation emitting optoelectronic component, component and method of making a housing or a component |
DE102009010468A1 (de) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Funktionsmaterial mit darauf angeordneten Lichtkonversionsstoff-Partikeln, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement, enthaltend ein derartiges Funktionsmaterial |
US7906352B2 (en) | 2005-08-26 | 2011-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Chip and method for producing a chip |
DE102010024758A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Optikkörper und optoelektronisches Bauteil mit dem Optikkörper |
US8093610B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
US8115223B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation emitting device |
DE102010050832A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement |
US8189123B2 (en) | 2005-05-13 | 2012-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Projection apparatus |
DE102010054280A1 (de) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht |
US8267561B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip |
US8331746B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-12-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Illumination unit comprising luminescence diode chip and optical waveguide, method for producing an illumination unit and LCD display |
US8378366B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electromagnetic radiation emitting optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component |
US8409470B2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-02 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US8476655B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electromagnetic-radiation-emitting optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
US8545722B2 (en) | 2005-02-21 | 2013-10-01 | Koninklijke Philips N.V. | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material |
DE102012111123A1 (de) | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauelement |
DE102017130136A1 (de) | 2017-12-15 | 2019-06-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE112004001532B4 (de) * | 2003-10-03 | 2020-10-01 | National Institute For Materials Science | Oxynitrid-Leuchtstoff und Lichtemissionsvorrichtung |
DE112005003868B4 (de) * | 2004-03-12 | 2021-05-06 | National Institute For Materials Science | Beleuchtungsvorrichtung und Bildanzeigevorrichtung |
DE112004001533B4 (de) | 2003-08-22 | 2021-07-22 | National Institute For Materials Science | Leuchtbauelement und Bildanzeige enthaltend ein fluoreszierendes Oxynitridmaterial |
Families Citing this family (228)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10026435A1 (de) * | 2000-05-29 | 2002-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED |
US20050073846A1 (en) * | 2001-09-27 | 2005-04-07 | Kenji Takine | Lightemitting device and method of manufacturing the same |
DE20115914U1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-02-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
EP1433831B1 (de) * | 2002-03-22 | 2018-06-06 | Nichia Corporation | Nitrid-leuchtstoff und verfahren zu dessen herstellung sowie lichtemittierende einrichtung |
JP4207489B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2009-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | α−サイアロン蛍光体 |
US7224000B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
US7800121B2 (en) * | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
EP1413618A1 (de) * | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Lumineszentes Material, insbesondere zur Anwendung in Leuchtdioden |
ATE329479T1 (de) * | 2002-10-14 | 2006-06-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lichtemittierendes bauelement mit einem eu(ii)- aktivierten leuchtstoff |
JP2004210921A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nichia Chem Ind Ltd | オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置 |
MY149573A (en) | 2002-10-16 | 2013-09-13 | Nichia Corp | Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor |
DE10254175A1 (de) * | 2002-11-21 | 2004-06-09 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Plasmabildschirm mit blauemittierendem Leuchtstoff |
JP4072632B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-04-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光方法 |
US7544309B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
AT412928B (de) * | 2003-06-18 | 2005-08-25 | Guenther Dipl Ing Dr Leising | Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle |
JP4165318B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2008-10-15 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系蛍光体およびその製造方法 |
CN1886484B (zh) * | 2003-09-24 | 2010-06-16 | 电灯专利信托有限公司 | 具有确定色温的发射白光的发光二极管 |
TW200523340A (en) * | 2003-09-24 | 2005-07-16 | Patent Treuhand Ges Fur Elek Sche Gluhlampen Mbh | Hochefeizienter leuchtstoff |
KR101131648B1 (ko) | 2003-09-24 | 2012-03-28 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 연색성이 개선된 led-기반 고효율 조명 시스템 |
KR101130029B1 (ko) * | 2003-09-24 | 2012-03-28 | 오스람 아게 | 녹색 발광 led |
JP2005109085A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
TWI359187B (en) * | 2003-11-19 | 2012-03-01 | Panasonic Corp | Method for preparing nitridosilicate-based compoun |
JP4568894B2 (ja) | 2003-11-28 | 2010-10-27 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 複合導体および超電導機器システム |
JP4277666B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2009-06-10 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体 |
TW200525779A (en) * | 2004-01-27 | 2005-08-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | White-like light emitting device and its manufacturing method |
JP4511849B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled |
JP2005286312A (ja) | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Fujikura Ltd | 発光デバイス及び照明装置 |
TW200604325A (en) | 2004-03-22 | 2006-02-01 | Fujikura Ltd | Light-emitting device and illuminating device |
US7229573B2 (en) * | 2004-04-20 | 2007-06-12 | Gelcore, Llc | Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation |
US20070040502A1 (en) * | 2004-04-20 | 2007-02-22 | Gelcore Llc | High CRI LED lamps utilizing single phosphor |
KR101010880B1 (ko) * | 2004-04-26 | 2011-01-25 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 컬러 필터용 청색 조성물, 컬러 필터 및 컬러 화상 표시장치 |
JP4128564B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2008-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
KR101041311B1 (ko) | 2004-04-27 | 2011-06-14 | 파나소닉 주식회사 | 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치 |
JP4524468B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにled |
JP4491585B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-06-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 金属ペーストの製造方法 |
JP4762892B2 (ja) | 2004-06-18 | 2011-08-31 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | α型サイアロン及びその製造方法 |
WO2006012234A2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-02-02 | Sarnoff Corporation | Nitride phosphors and devices |
JP4414821B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-02-10 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体並びに光源およびled |
JP5226929B2 (ja) | 2004-06-30 | 2013-07-03 | 三菱化学株式会社 | 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置 |
JP4565141B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-10-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
CN1997723A (zh) * | 2004-07-05 | 2007-07-11 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括辐射源和荧光材料的照明系统 |
JP2008506011A (ja) | 2004-07-06 | 2008-02-28 | サーノフ コーポレーション | 効率的な緑色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体との組合せ |
JP4511885B2 (ja) | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びled並びに光源 |
WO2006006582A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Fujikura Ltd. | 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ |
US7476337B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
JP4933739B2 (ja) | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
US7138756B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
KR101168173B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2012-07-24 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체와 그 제조방법 |
US20060049414A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-09 | Chandran Ramachandran G | Novel oxynitride phosphors |
JP4524470B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
JP4543250B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2010-09-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
US7476338B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
EP1785465B1 (de) * | 2004-08-30 | 2013-03-27 | Fujikura, Ltd. | Oxynitridleuchtstoff und lichtemittierende vorrichtung |
JP4543251B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及び光源 |
JP4674348B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-04-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
CN101044222B (zh) * | 2004-09-22 | 2012-06-06 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 荧光体及其制造方法和发光器具 |
JP4754919B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-08-24 | 昭和電工株式会社 | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
DE102004060358A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
JP4543253B2 (ja) | 2004-10-28 | 2010-09-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
US7321191B2 (en) * | 2004-11-02 | 2008-01-22 | Lumination Llc | Phosphor blends for green traffic signals |
JP4275701B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-06-10 | 株式会社ナノテコ | 発光素子及びその製造方法 |
WO2006059260A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
JP4798335B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-10-19 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体および蛍光体を用いた光源 |
EP1837386B1 (de) | 2004-12-28 | 2016-11-23 | Nichia Corporation | Nitridphosphor, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung in lichtemittierender vorrichtung |
JP2006213910A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸窒化物蛍光体及び発光装置 |
JP4756261B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
US7358542B2 (en) | 2005-02-02 | 2008-04-15 | Lumination Llc | Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications |
US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
US20070114562A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Gelcore, Llc | Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications |
US7648649B2 (en) * | 2005-02-02 | 2010-01-19 | Lumination Llc | Red line emitting phosphors for use in led applications |
JP5080723B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2012-11-21 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101115855B1 (ko) | 2005-02-28 | 2012-03-08 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 형광체와 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 발광 소자 |
JP4892193B2 (ja) | 2005-03-01 | 2012-03-07 | Dowaホールディングス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
US7439668B2 (en) * | 2005-03-01 | 2008-10-21 | Lumination Llc | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality |
EP1867697B1 (de) * | 2005-03-04 | 2014-05-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Fluoreszierende substanz und herstellungsverfahren dafür sowie davon gebrauch machende lichtemittierende vorrichtung |
US7524437B2 (en) | 2005-03-04 | 2009-04-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
WO2006095285A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
US7276183B2 (en) | 2005-03-25 | 2007-10-02 | Sarnoff Corporation | Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices |
US8048338B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-11-01 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor, phosphor sheet, and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor |
US7445730B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-11-04 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
US7443094B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-10-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
US7733310B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-06-08 | Prysm, Inc. | Display screens having optical fluorescent materials |
US7791561B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-09-07 | Prysm, Inc. | Display systems having screens with optical fluorescent materials |
US7824573B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Alloy powder for material of inorganic functional material precursor and phosphor |
US7474286B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-01-06 | Spudnik, Inc. | Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light |
JP5130640B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2013-01-30 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
CN100403563C (zh) * | 2005-04-18 | 2008-07-16 | 光宝科技股份有限公司 | 白光发光二极管元件及相关荧光粉与制备方法 |
US7377893B2 (en) * | 2005-04-25 | 2008-05-27 | Fleetguard, Inc. | Hero-turbine centrifuge with flow-isolated collection chamber |
DE102005019376A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Lumineszenzkonversions-LED |
US7994702B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-08-09 | Prysm, Inc. | Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors |
US8089425B2 (en) * | 2006-03-03 | 2012-01-03 | Prysm, Inc. | Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens |
US8000005B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-16 | Prysm, Inc. | Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems |
JP4975269B2 (ja) | 2005-04-28 | 2012-07-11 | Dowaホールディングス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
CN101175835B (zh) * | 2005-05-24 | 2012-10-10 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其应用 |
EP2075288B1 (de) | 2005-06-14 | 2014-09-03 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Harzzusammensetzung und Folie, die Phosphor enthält, und lichtemittierendes Element, das eine solche Zusammensetzung und eine solche Folie verwendet |
JP4981042B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-07-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 黄緑色を放出するルミネッセント材料を含む照明系 |
JP4895541B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2012-03-14 | シャープ株式会社 | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
JP2007204730A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-08-16 | Sharp Corp | 蛍光体及び発光装置 |
US8062549B2 (en) | 2005-09-27 | 2011-11-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor |
JP2009510230A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 固体照明用途のニトリドおよびオキシニトリドセリウム系蛍光体材料 |
JP4943442B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2012-05-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光スクリーンに基づくレーザ投影システム |
US8906262B2 (en) | 2005-12-02 | 2014-12-09 | Lightscape Materials, Inc. | Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same |
DE602006021342D1 (de) * | 2005-12-08 | 2011-05-26 | Nat Inst For Materials Science | Leuchtstoff, herstellungsverfahren dafür sowie lumineszenzvorrichtung |
DE102005059521A1 (de) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff |
JP4932248B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2012-05-16 | Necライティング株式会社 | 黄色発光蛍光体、それを用いた白色発光素子、およびそれを用いた照明装置 |
US20070145879A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Abramov Vladimir S | Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems |
JP5030077B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-09-19 | 三菱化学株式会社 | 複合窒化物または複合酸窒化物セラミックス合成用前駆体およびそれを使用した複合窒化物または複合酸窒化物セラミックスの製造方法 |
CN101379163B (zh) * | 2006-02-02 | 2013-01-02 | 三菱化学株式会社 | 复合氧氮化物荧光体、使用该荧光体的发光装置、图像显示装置、照明装置、含荧光体的组合物以及复合氧氮化物 |
US8451195B2 (en) | 2006-02-15 | 2013-05-28 | Prysm, Inc. | Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens |
US7884816B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-02-08 | Prysm, Inc. | Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems |
CN101360805A (zh) | 2006-02-28 | 2009-02-04 | 三菱化学株式会社 | 荧光体原料和荧光体原料用合金的制造方法 |
JP5181492B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2013-04-10 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体原料及び蛍光体原料用合金の製造方法 |
EP2308946B1 (de) * | 2006-03-10 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lumineszierendes Material und lichtemittierende Vorrichtung |
KR101204573B1 (ko) | 2006-05-10 | 2012-11-26 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 사이알론 형광체 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 조명기구 및 발광소자 |
WO2007135975A1 (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒素含有合金、及びそれを使用した蛍光体の製造方法 |
JP2007324475A (ja) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 波長変換部材および発光装置 |
JP4911578B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-04-04 | シャープ株式会社 | 酸窒化物蛍光体および発光装置 |
JP5122765B2 (ja) | 2006-06-09 | 2013-01-16 | 電気化学工業株式会社 | 蛍光体の製造方法、蛍光体と照明器具 |
JP4908071B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-04-04 | シャープ株式会社 | 酸窒化物蛍光体および発光装置 |
JP5100059B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-12-19 | スタンレー電気株式会社 | 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置 |
US7842960B2 (en) * | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
US20080068295A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Hajjar Roger A | Compensation for Spatial Variation in Displayed Image in Scanning Beam Display Systems Using Light-Emitting Screens |
KR101497104B1 (ko) * | 2006-10-03 | 2015-02-27 | 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 led 조명 디바이스 |
US8013506B2 (en) * | 2006-12-12 | 2011-09-06 | Prysm, Inc. | Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity |
JP4228012B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2009-02-25 | Necライティング株式会社 | 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子 |
EP2109652B1 (de) * | 2007-02-06 | 2017-10-04 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Rotlicht emittierendes lumineszierendes material |
ATE504640T1 (de) * | 2007-02-06 | 2011-04-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rotlicht emittierende lumineszierende oxynitrid- materialien |
CN101682709B (zh) | 2007-03-20 | 2013-11-06 | Prysm公司 | 将广告或其它应用数据传送到显示系统并进行显示 |
JP2007189254A (ja) * | 2007-03-30 | 2007-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP5077930B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2012-11-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 燃焼合成による多元系窒化物蛍光体の製造方法 |
WO2008123581A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 燃焼合成による多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体の製造方法及び多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体 |
US7697183B2 (en) * | 2007-04-06 | 2010-04-13 | Prysm, Inc. | Post-objective scanning beam systems |
US8169454B1 (en) | 2007-04-06 | 2012-05-01 | Prysm, Inc. | Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems |
KR101260101B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-05-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조 방법, 형광체 함유 조성물, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치, 그리고 질소 함유 화합물 |
JP5355547B2 (ja) | 2007-04-20 | 2013-11-27 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 白色発光光源及び向上された色安定性を有する発光材料 |
CN101688979B (zh) | 2007-05-17 | 2011-02-09 | Prysm公司 | 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕 |
JP5463495B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2014-04-09 | 三星電子株式会社 | 蛍光体の製造方法及び発光装置 |
US7857994B2 (en) * | 2007-05-30 | 2010-12-28 | GE Lighting Solutions, LLC | Green emitting phosphors and blends thereof |
US8556430B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-10-15 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
US7878657B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-02-01 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
EP2009077A1 (de) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Leuchtstoffwerk Breitungen GmbH | Mangandotierte Metall-Silizium-Nitridphosphore |
TWI429731B (zh) * | 2007-07-16 | 2014-03-11 | Lumination Llc | 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體 |
JP4413955B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 蛍光体および発光装置 |
JP5578597B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-08-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
CN100462621C (zh) * | 2007-09-07 | 2009-02-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发射白光的发光二极管 |
JP5187817B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-04-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
US8546845B2 (en) * | 2007-12-03 | 2013-10-01 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device comprising a green emitting sialon-based material |
JP5294245B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-09-18 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP5644112B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5251140B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-07-31 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
CN102036999A (zh) * | 2008-03-21 | 2011-04-27 | 内诺格雷姆公司 | 金属硅氮化物或金属硅氧氮化物亚微米荧光粉颗粒及合成这些荧光粉的方法 |
US20100176751A1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-07-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same |
JP5002819B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2012-08-15 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | サイアロン蛍光体およびそれを用いた白色発光ダイオード |
US7869112B2 (en) * | 2008-07-25 | 2011-01-11 | Prysm, Inc. | Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications |
DE102008038249A1 (de) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | alpha-Sialon-Leuchtstoff |
US7955875B2 (en) * | 2008-09-26 | 2011-06-07 | Cree, Inc. | Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures |
JP5360370B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-12-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光装置 |
JP5641384B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-12-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 表示装置用照明装置及び表示装置 |
KR101103735B1 (ko) | 2009-09-21 | 2012-01-11 | 금호전기주식회사 | 산질화물 형광체, 그 제조방법 및 발광장치 |
WO2010114061A1 (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
CN102804322A (zh) | 2009-06-16 | 2012-11-28 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于固态照明应用的氟氧化物磷光体和包括所述氟氧化物磷光体的白光发光二极管 |
JP2013500379A (ja) * | 2009-07-28 | 2013-01-07 | 成均館大学校 産学協力団 | 酸窒化物系蛍光体粉末、窒化物系蛍光体粉末、及びこれらの製造方法 |
KR101172143B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자 |
WO2011019191A2 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 엘지이노텍주식회사 | 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자 |
WO2011028033A2 (ko) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 엘지이노텍주식회사 | 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자 |
KR101163902B1 (ko) | 2010-08-10 | 2012-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
CN102597161A (zh) | 2009-10-30 | 2012-07-18 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于固态白光照明应用的基于氧氟化物的固溶体磷光体和包括所述磷光体的白光发光二极管 |
KR20110050206A (ko) * | 2009-11-06 | 2011-05-13 | 삼성전자주식회사 | 옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자 |
US8878454B2 (en) | 2009-12-09 | 2014-11-04 | Tyco Electronics Corporation | Solid state lighting system |
US8241044B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-08-14 | Tyco Electronics Corporation | LED socket assembly |
US8210715B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-07-03 | Tyco Electronics Corporation | Socket assembly with a thermal management structure |
US8235549B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-08-07 | Tyco Electronics Corporation | Solid state lighting assembly |
US8845130B2 (en) * | 2009-12-09 | 2014-09-30 | Tyco Electronics Corporation | LED socket assembly |
JP2010095728A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-04-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法 |
JP5544161B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-09 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体 |
US8324798B2 (en) * | 2010-03-19 | 2012-12-04 | Nitto Denko Corporation | Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants |
EP2569395B1 (de) * | 2010-05-14 | 2015-01-21 | Lightscape Materials Inc. | Oxycarbonitrid-leuchtstoffe und lichtemittierende vorrichtungen damit |
JP2010248530A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
JP2010261048A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 発光装置及び、その製造方法 |
EP2610323B1 (de) * | 2010-08-27 | 2014-10-08 | National Institute for Materials Science | Phosphor, leuchtenhalterung und bildanzeigevorrichtung |
JP5234080B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法 |
JP5970467B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2016-08-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 赤色放射発光材料 |
US8968600B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-03-03 | Nitto Denko Corporation | Light emitting composite with phosphor components |
US8986842B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-03-24 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes |
TWI464241B (zh) | 2011-08-02 | 2014-12-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 螢光粉組成及使用該螢光粉組成的白色發光裝置 |
US9249955B2 (en) | 2011-09-26 | 2016-02-02 | Ideal Industries, Inc. | Device for securing a source of LED light to a heat sink surface |
US9423119B2 (en) | 2011-09-26 | 2016-08-23 | Ideal Industries, Inc. | Device for securing a source of LED light to a heat sink surface |
US9429309B2 (en) | 2011-09-26 | 2016-08-30 | Ideal Industries, Inc. | Device for securing a source of LED light to a heat sink surface |
KR101874905B1 (ko) | 2011-11-11 | 2018-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 파장 변환 물질 및 그 제조방법 |
JP2013127060A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-06-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 水分吸着した窒化物蛍光体とその製造方法 |
TW201326368A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-07-01 | Mitsubishi Chem Corp | 氮化物螢光體和其製造方法 |
JP2013127061A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-06-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物蛍光体とその製造方法 |
JP5762929B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2015-08-12 | 株式会社東芝 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
KR101942253B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2019-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 형광체 및 이를 구비한 발광 다이오드 패키지 |
JP2015506396A (ja) | 2011-12-30 | 2015-03-02 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | 荷電平衡のための格子間カチオンを有する窒化物蛍光体 |
US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
US8568001B2 (en) | 2012-02-03 | 2013-10-29 | Tyco Electronics Corporation | LED socket assembly |
JP2015083618A (ja) * | 2012-02-09 | 2015-04-30 | 電気化学工業株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JP5920773B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2016-05-18 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
TW201341503A (zh) * | 2012-04-02 | 2013-10-16 | Coremax Taiwan Corp | 螢光材料、含其之螢光材料組合物、及以其製得之發光裝置 |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
US8597545B1 (en) | 2012-07-18 | 2013-12-03 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors |
JP5557360B1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-07-23 | 電気化学工業株式会社 | 蛍光体、その製造方法及び発光装置 |
CN108285791B (zh) * | 2013-02-07 | 2021-06-15 | 三菱化学株式会社 | 氮化物荧光体及其制造方法 |
JP6102763B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
CN104140816A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-11-12 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 钐掺杂稀土氮化硅发光材料、制备方法及其应用 |
WO2014185415A1 (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
DE102013105307A1 (de) | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
JP2016535719A (ja) * | 2013-08-08 | 2016-11-17 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 蛍光体 |
JP6123611B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-05-10 | 宇部興産株式会社 | 蛍光顔料及び蛍光顔料を用いた塗膜 |
JP6176664B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-08-09 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料、および、紫外線吸収剤 |
WO2015080062A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
CN106164218B (zh) | 2014-03-13 | 2019-07-19 | 亮锐控股有限公司 | 用于固态照明的超四面体磷光体 |
JP2017518412A (ja) * | 2014-05-21 | 2017-07-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 変換蛍光体 |
JP6361549B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2018-07-25 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
JP6252396B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2017-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
JP6409441B2 (ja) * | 2014-09-22 | 2018-10-24 | 住友電気工業株式会社 | 立方晶型サイアロン、焼結体、焼結体を備える工具、立方晶型サイアロンの製造方法および焼結体の製造方法 |
US9528876B2 (en) | 2014-09-29 | 2016-12-27 | Innovative Science Tools, Inc. | Solid state broad band near-infrared light source |
US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
JP7108841B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2022-07-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
US11884202B2 (en) * | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5292489A (en) * | 1991-06-24 | 1994-03-08 | Alliedsignal Inc. | Ternary silicon-rare earth nitrides and process for their preparation |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US5813752A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters |
US7132786B1 (en) | 1999-07-23 | 2006-11-07 | Osram Gmbh | Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source |
EP1104799A1 (de) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Rotstrahlendes lumineszentes Material |
JP2001322867A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透光性焼結体と、これを用いた発光管及び放電灯 |
US6632379B2 (en) * | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
DE10133352A1 (de) | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE10146719A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
-
2001
- 2001-09-25 DE DE10147040A patent/DE10147040A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-07-16 EP EP02015875A patent/EP1296376B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-16 EP EP10185943A patent/EP2264762B8/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-26 US US10/205,922 patent/US6670748B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-24 JP JP2002277736A patent/JP4221202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112004001533B4 (de) | 2003-08-22 | 2021-07-22 | National Institute For Materials Science | Leuchtbauelement und Bildanzeige enthaltend ein fluoreszierendes Oxynitridmaterial |
DE112004001532B4 (de) * | 2003-10-03 | 2020-10-01 | National Institute For Materials Science | Oxynitrid-Leuchtstoff und Lichtemissionsvorrichtung |
US11697765B2 (en) | 2003-11-26 | 2023-07-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US10072207B2 (en) | 2003-11-26 | 2018-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US8409470B2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-02 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US9738829B2 (en) | 2003-11-26 | 2017-08-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US11084980B2 (en) | 2003-11-26 | 2021-08-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US7573190B2 (en) | 2004-02-18 | 2009-08-11 | National Institute For Materials Science | Light emitting element and lighting instrument |
DE112005003868B4 (de) * | 2004-03-12 | 2021-05-06 | National Institute For Materials Science | Beleuchtungsvorrichtung und Bildanzeigevorrichtung |
US8545722B2 (en) | 2005-02-21 | 2013-10-01 | Koninklijke Philips N.V. | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material |
US8189123B2 (en) | 2005-05-13 | 2012-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Projection apparatus |
US7906352B2 (en) | 2005-08-26 | 2011-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Chip and method for producing a chip |
US7679100B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an electromagnetic radiation emitting optoelectronic component, component and method of making a housing or a component |
US8476655B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electromagnetic-radiation-emitting optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
US8331746B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-12-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Illumination unit comprising luminescence diode chip and optical waveguide, method for producing an illumination unit and LCD display |
US8267561B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip |
US8814406B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-08-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip |
US8115223B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation emitting device |
US8093610B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE102007018837A1 (de) | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
US8378366B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electromagnetic radiation emitting optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component |
DE102007042642A1 (de) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
US8314547B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Opto-electronic component |
DE102007044597A1 (de) | 2007-09-19 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
US8987708B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE102007050876A1 (de) | 2007-09-26 | 2009-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102007054800A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung |
DE102009010468A1 (de) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Funktionsmaterial mit darauf angeordneten Lichtkonversionsstoff-Partikeln, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement, enthaltend ein derartiges Funktionsmaterial |
DE102010024758A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Optikkörper und optoelektronisches Bauteil mit dem Optikkörper |
US9299878B2 (en) | 2010-11-09 | 2016-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescence conversion element, method for the manufacture thereof and optoelectronic component having a luminescence conversion element |
WO2012062758A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionselement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauteil mit lumineszenzkonversionselement |
DE102010050832A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement |
US9142731B2 (en) | 2010-12-13 | 2015-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a luminescence conversion substance layer, a composition therefor and a component comprising such a luminescence conversion substance layer |
WO2012080263A1 (de) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum erzeugen einer lumineszenzkonversionsstoffschicht, zusammensetzung hierfür und bauelement umfassend eine solche lumineszenzkonversionsstoffschicht |
DE102010054280A1 (de) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht |
US9373759B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting semiconductor component |
DE102012111123A1 (de) | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauelement |
DE102017130136A1 (de) | 2017-12-15 | 2019-06-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
WO2019115539A1 (de) | 2017-12-15 | 2019-06-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2264762B1 (de) | 2011-09-07 |
EP1296376A3 (de) | 2007-03-21 |
EP1296376A2 (de) | 2003-03-26 |
EP2264762A3 (de) | 2010-12-29 |
JP2003206481A (ja) | 2003-07-22 |
US20030094893A1 (en) | 2003-05-22 |
US6670748B2 (en) | 2003-12-30 |
EP1296376B1 (de) | 2013-01-02 |
JP4221202B2 (ja) | 2009-02-12 |
EP2264762A2 (de) | 2010-12-22 |
EP2264762B8 (de) | 2012-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2264762B1 (de) | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle | |
EP1278250B1 (de) | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle | |
EP1296383A2 (de) | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle | |
EP1116419B1 (de) | Leuchtstoffanordnung wellenlängenkonvertierende vergussmasse und lichtquelle | |
DE60307411T2 (de) | Fotolumineszentes material und leuchtdiode | |
EP1206802B1 (de) | Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis | |
DE10241140A1 (de) | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle | |
DE60307415T2 (de) | Fotolumineszierende stoffe für leuchtdioden, und leuchtdiode | |
EP1352431B2 (de) | Lichtquelle mit einem lichtemittlierenden element | |
EP1670875B1 (de) | Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe | |
DE60038668T2 (de) | Lichtquelle mit gelben bis roten emittierenden leuchtstoff | |
EP2313473B1 (de) | Alpha-sialon-leuchtstoff | |
WO2001093341A1 (de) | Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis | |
EP1966345B1 (de) | Rot emittierender leuchtstoff und lichtquelle mit einem derartigen leuchtstoff | |
DE112011100522T5 (de) | Fluoreszierende Substanz, lichtemittierende Vorrichtung, Oberflächenlichtquellenvorrichtung, Anzeigevorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung | |
DE102005005263A1 (de) | Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff | |
WO2008015207A1 (de) | Leuchtstoff aus der klasse der nitridosilikate und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff | |
DE102006016548A1 (de) | Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff | |
DE102004060708B4 (de) | Rotes Fluoreszenzmaterial und Weißlicht emittierende Dioden, die rotes Fluoreszenzmaterial verwenden | |
DE20108013U1 (de) | Weiß emittierende Beleuchtungseinheit auf LED-Basis | |
DE102005037455A1 (de) | Weißlicht-Leuchtdiode | |
DE20122557U1 (de) | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle | |
DE20218717U1 (de) | Leuchtstoff, insbesondere für Lumineszenzkonversions-LED |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, , DE |
|
8141 | Disposal/no request for examination |