KR20110050206A - 옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자 - Google Patents

옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자 Download PDF

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김태형
임승재
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Abstract

옥시나이트라이드 형광체가 개시된다. 연색성 및 색재현성이 우수하여 백색발광소자에 유리하게 사용될 수 있다.
옥시나이트라이드 형광체, 백색 발광 소자

Description

옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자 {Oxynitride phosphor, method for preparing the same, and white light emitting device using the same}
옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자가 제공된다. 보다 상세하게는 우수한 연색성과 색재현성을 갖는 옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 백색 발광 소자기 제공된다.
종래 광 시스템으로 형광등 및 백열등이 널리 사용된다. 그러나, 형광등에서 사용되는 Hg은 환경 문제를 야기한다. 또한, 상기 종래 광 시스템들은 수명이 매우 짧을 뿐 아니라, 그 효율도 매우 낮기 때문에 절전 측면에서 바람직하지 못하다. 이에 대하여 최근 많은 연구에 의해 백색 발광 소자의 효율이 증대되었다.
이러한 백색 발광 소자를 구현하는 방법은, UV LED를 광원으로 이용하고 빛의 삼원색인 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 청색 LED를 광원으로 사용하여 적색 및 녹색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 또는 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식이 있다.
그러나 UV LED를 광원으로 단일 형광체를 여기시켜 백색광을 구현하는 방식은 없었는데, 이 경우 종래 청색 LED와 황색 형광체 또는 청색 LED와 녹색 형광체를 사용하는 경우에 비해 480 nm 부근의 색이 비는 것을 줄여 연색성의 향상을 기대할 수 있게 되며, 2개 또는 3개의 형광체를 사용함으로써 겪게 되는 재흡수 문제에서 자유로울 수 있게 된다. 또한 상기 단일 백색 형광체를 다른 형광체와 함께 사용할 때라 하더라도 넓은 반가폭으로, 백색 형광체를 적용하지 않은 경우보다 우수한 연색성을 얻을 수 있다.
한편, 다수의 공지된 나이트라이드 형광체의 제조 방법은 높은 온도, 0.1MPa 가 넘는 높은 질소 가스 압력의 공정 조건을 요구하기 때문에 이러한 고온, 고압을 견딜 수 있게 고안된 특별한 장치를 요구하며, 또한 출발 물질로 불안정한 물질을 사용하고 있기 때문에 이들 출발 물질의 취급시 요구되는 조건들이 까다롭다.
넓은 반가폭을 가지는 옥시나이트라이드 형광체를 제공하는 것이다.
상기 옥시나이트라이드 형광체의 제조 방법 및 상기 옥시나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면 하기 화학식 1로 표시되는 옥시나이트라이드 형광체를 제공한다.
M1 a - xM2 x - yCeySib - zAlzOc - xNx
상기 식에서
M1은 Ca, Sr, Ba, Mg, Zn 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
M2는 Sc, Y, Lu, La, Pr, Sm, Gd, Tb, Yb, 및 Dy 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
1.7≤a≤2.3, 0.7≤b≤1.3, 3.5≤c≤4.5, 0<x<2, 0<y<0.5, 및 0≤z<0.5이다.
상기 화학식 1에서 M1은 Sr 과 Eu의 혼합물일 수 있다.
상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체는 Lax-ySr2-xCeySiO4-xNx (0<x<2, 0<y<0.5) 일 수 있다.
상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체는 Lax - yCeySr2 -x- wEuwSiO4 - xNx (0<x<2, 0<y<0.5, 0<w<0.5)일 수 있다.
다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
상기 옥시나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자가 제공된다.
또 다른 측면에 따르면, M1 전구체 화합물, M2 전구체 화합물, Si 전구체 화합물 및 Ce 전구체 화합물을 혼합하는 단계;
상기 혼합물을 소성하는 단계; 및
상기 결과물을 분쇄하는 단계를 포함하는 상기 옥시나이트라이드 형광체 제 조 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면 Al 전구체 화합물을 상기 혼합 단계에서 더 혼합할 수 있다.
옥시나이트라이드 형광체는 백색 발광 소자에 사용시 우수한 연색성 및 색재현성을 나타낸다.
이하에서 예시적인 하나 이상의 구현예에 따른 옥시나이트라이드 형광체, 그 제조 방법 및 그것을 포함하는 백색 발광 소자에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
일 측면에 따른 옥시나이트라이드 형광체는 하기 화학식 1로 나타낼 수 있다:
[화학식 1]
M1 a-xM2 x-yCeySib-zAlzOc-xNx
상기 식에서
M1은 Ca, Sr, Ba, Mg, Zn 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
M2는 Sc, Y, Lu, La, Pr, Sm, Gd, Tb, Yb, 및 Dy 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
1.7≤a≤2.3, 0.7≤b≤1.3, 3.5≤c≤4.5, 0<x<2, 0<y<0.5, 및 0≤z<0.5이다.
종래의 형광체는 발광 다이오드의 빛을 받아 반가폭 90 nm 이하의 단색광을 발광하기 때문에, 백색광을 얻기 위하여 여러 가지 색의 형광체를 혼합하여 발광 소자에 적용하였다. 그와 같이 여러 가지 형광체를 혼합하여 사용하는 경우, 장파장을 발광하는 형광체가 단파장을 발광하는 형광체의 빛을 흡수해 버리는 재흡수 현상으로 전체적으로 백색광의 효율이 떨어지는 현상이 발생한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 옥시나이트라이드 형광체는 형광체 내에 2+와 3+의 양이온과, O2-와 N3-의 음이온이 혼재함으로서 발광 이온이 도핑되는 사이트의 크기가 다양해지면서 다양한 파장의 빛이 발광할 수 있으며, 광대역의 발광 파장 범위를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 옥시나이트라이드 형광체는 약 150nm 이상, 200nm 이상, 또는 약 250nm 이상의 넓은 반가폭을 가질 수 있고, 약 400nm ~ 800nm, 예컨대 약 450nm ~ 680m, 또는 480nm ~ 630nm의 파장 영역에서 발광할 수 있다. 또한, 520nm 부근의 녹색과 동시에 620nm 이상의 적색 부분에서도 높은 발광 강도를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 옥시나이트라이드 형광체는 UV LED 또는 청색 LED와 결합하여, 다른 색의 형광체와의 혼합 없이 단일 성분으로도 연색성이 우수한 백색광을 만들어 낼 수 있다. 종래에 청색 LED와 황색 발광 형광체(e.g., YAG)를 결합하여 백색광을 구현한 예가 있으나, YAG와 같은 황색 발광 형광체의 경우 적색 파장 영역에서의 발광 강도가 낮기 때문에 연색성이 떨어진다. 상기 옥시나이트라이드 형광체는 녹색 및 적색 영역에서의 발광 강도가 높아 우수한 연색성을 갖는 백색광의 구현이 가능하다.
또한 상기 옥시나이트라이드 형광체는 UV 영역에서는 빛의 여기 특성이 우수하고, 상대적으로 청색 및 녹색 파장의 빛의 흡수가 적어 본질적으로 재흡수에 의한 효율의 손실이 작다. 즉, 가시광선에서의 흡수율이 낮기 때문에, 다른 색의 형광체와 혼합 상태로 적용되더라도 적색 형광체나 청색 형광체의 재흡수 현상이 발생하지 않아 재흡수에 의한 발광 효율의 감소가 억제될 수 있다.
상기한 특성을 바탕으로 의료용, 식료품 전시용, 박물관, 미술관 등에서의 특수 조명 외에 일반 조명으로도 적용이 가능하며, 모바일 기기, 노트북 등 소형 디스플레이의 백라이트 유니트로 사용될 수 있다. 또한 자동차 헤드램프, 통신 기기의 광원 등으로도 사용 가능하다.
상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체는 Lax-ySr2-xCeySiO4-xNx (0<x<2, 0<y<0.5) 일 수 있다. 또한 상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체는 Lax-yCeySr2-x-wEuwSiO4-xNx (0<x<2, 0<y<0.5, 0<w<0.5)일 수 있다.
상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체는 예를 들면 LaSrSiO3N:0.02Ce3+, LaSrSiO3N:0.05Ce3+, La0.4Sr1.6SiO3.6N0.4:0.02Ce3+, LaSrSiO3N:0.02Ce3+,0.02Eu2+ 또는 LaSrSiO3N:0.02Ce3+,0.01Eu2+ 이다.
다른 측면에 따른 백색 발광 소자는 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및 상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체를 포함한다. 상기 백색 발광 소자는 연색성 지수가 80 이상일 수 있다.
상기 백색 발광 소자에서 LED는 UV-LED 또는 청색 LED일 수 있으며, UV-LED가 바람직할 수 있다. 상기 UV-LED는 여기 광원이 자외선, 근자외선 영역의 전자기파이다. 상기 백색 발광 소자에 있어서, 상기 UV LED의 여기 광원의 파장대역은 390 내지 460nm 범위일 수 있다. 상기 청색 LED는 여기 광원으로서, 420 내지 480 nm 파장 대역을 가질 수 있다.
상기 백색 발광 소자는 청색 형광체 또는 녹색 형광체 또는 적색 형광체 중하나 이상을 더 포함할 수 있으며, 예컨대 청색 형광체 및 녹색 형광체 둘 다를 더 포함할 수 있다.
상기 청색 형광체의 예를 들면, (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMg2Al16O27:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+; BaAl8O13:Eu2+; (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ 및 Sr2Si3O82SrCl2:Eu2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
상기 녹색 형광체의 예를 들면, (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있 다.
상기 적색 형광체의 예를 들면, (Sr,Ca)S:Eu2+; (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+; Sr2Si5N8:Eu2+; (Sr,Ba,Ca)2P2O7:Eu2+,Mn2+; (Ba,Mg)SiO4:Eu2+,Mn2+; (Ba,Ca)Ga2O7:Eu2+,Mn2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+; 3.5MgOㅇ0.5MgF2ㅇGeO4:Mn4+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
상기 청색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 440 내지 460 nm일 수 있다.
상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 510 내지 560 nm일 수 있다.
상기 적색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 600 내지 670 nm일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 백색 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도로서, 고분자 렌즈 타입의 표면실장형 백색 발광 소자를 도시한 것이다. 여기에서 고분자 렌즈의 일 실시예로서 에폭시 렌즈를 사용한다.
도 1을 참조하여, UV 발광 LED 칩 (10)을 금 와이어 (20)를 통하여 전기리드선 (30)과 다이본딩되고, 상기 화학식 1에 따른 옥시나이트라이드 형광체를 함유하는 형광체 조성물 (40)을 포함하도록 에폭시 몰드층 (50)이 형성되어 있다. 그리고 도 1에서 성형몰드 (60)의 내부는 알루미늄 또는 은으로 코팅된 반사막으로 이루어 지며, 이는 다이오드에서 방출된 광을 위로 반사시키는 역할 및 적당량의 에폭시를 가두는 역할을 한다.
상기 에폭시 몰드층 (50) 상부에는 에폭시 돔 렌즈 (70)이 형성되어 있고, 이 에폭시 돔 렌즈 (70)는 원하는 지향각에 따라 모양이 변화될 수 있다.
상기 백색 발광 소자는 도 1의 구조로만 한정되는 것을 의미하는 것은 아니며, 이밖에 다른 구조 예를 들어 LED에 형광체가 실장되는 타입, 포탄형, PCB 타입의 표면 실장형 타입의 구조를 갖는 LED일 수 있다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 옥시나이트라이드 형광체는 상술한 LED 이외에 수은 램프, 크세논 램프 등과 같은 램프 또는 자발광 액정 표시 소자 (LCD)에도 적용가능하다.
또 다른 측면에 따른 상기 화학식 1의 옥시나이트라이드 형광체의 제조 방법은 M1 전구체 화합물, M2 전구체 화합물, Si 전구체 화합물 및 Ce 전구체 화합물을 혼합하는 단계;
상기 혼합물을 소성하는 단계; 및
상기 결과물을 분쇄하는 단계를 포함한다.
상기 M1 전구체 화합물은 Ca, Sr, Ba, Mg, Zn 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상의 금속의 전구체 화합물이고, M2 전구체 화합물은 Sc, Y, Lu, La, Pr, Sm, Gd, Tb, Yb, 및 Dy 중에서 선택된 1종 이상의 금속의 전구체 화합물이다. 예를 들어, La 전구체 화합물의 예로서, La2O3, LaN, La2(CO3)3, La(NO3)3, La(OH)3, LaCl3 등이 있다. Sr 전구체 화합물의 예로서, SrCO3, Sr(NO3)2, SrCl2, SrO 등이 있다. Si 전구체 화합물의 예로서, SiO2, Si3N4, Si(NH)2 등이 있다. Ce 전구체 화합물의 예로서, CeO2, Ce2(CO3)3, (NH4)2Ce(NO3)6, CeCl4 등이 있다. 또한, Eu 전구체 화합물로서, Eu2O3, Eu(NO3)3, EuCl3 등을 사용할 수 있다.
필요에 따라 Al 전구체 화합물을 상기 전구체 화합물 혼합 단계에 첨가하여 혼합할 수 있다. Al 전구체 화합물로는 AlN, Al2O3 또는 Al(OH)3를 들 수 있다.
Si3N4와 AlN을 Si와 Al의 전구체 화합물로 사용하는 경우 대기 중에서 안정하고 1500 - 1600℃의 일반적인 고온로에서 소성할 수 있다.
상기 옥시나이트라이드 형광체 제조 방법을 일 구현예를 들어 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, M1 전구체 화합물, M2 전구체 화합물, Si 전구체 화합물, Al 전구체 화합물 및 Ce 전구체 화합물을 혼합한다. 그런 다음 상기 혼합된 분말을 질소/수소 환원 분위기에서 1100 내지 1900℃에서 1 내지 20 시간 동안 소성한다. 그런 다음 상기 결과물을 분쇄하여 옥시나이트라이드 형광체를 얻게 된다.
M1 전구체 화합물, M2 전구체 화합물, Si 전구체 화합물, Al 전구체 화합물 및 Ce 전구체 화합물은 해당 원소가 상기 화학식 1의 조성을 만족하는 양으로 사용 될 수 있다. 또한, 해당 전구체의 금속 이온의 몰 비를 기준으로 M1 M2 및 Ce 전구체의 합과, Si 및 Al 전구체의 합이 약 2:1의 비율로 혼합되는 것이 바람직하며, 해당 비율에서 10% 가량의 오차가 있더라도 유효한 특성을 나타낸다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1. LaSrSiO3N:0.02Ce3+ 형광체의 제조
고상 반응법을 사용하여 옥시나이트라이드 형광체를 제조하였다. 하기 표 1의 원료 분말을 막자 사발을 이용하여 10분간 혼합하였다. 혼합된 분말을 알루미나 반응 용기에 담고 N2/H2=95/5(부피비)의 환원 조건에서 1500˚C에서 6시간 동안 소성하였다. 반응이 끝난 형광체를 막자사발을 이용하여 10분간 분쇄하였다.
실시예 2. LaSrSiO3N:0.05Ce3+ 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체를 얻었다.
실시예 3. La0.4Sr1.6SiO3.6N0.4:0.02Ce3+ 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체를 얻었다.
실시예 4. LaSrSiO3N:0.02Ce3+,0.02Eu2+ 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체를 얻었다.
실시예 5. LaSrSiO3N:0.02Ce3 +,0.01Eu2 + 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체를 얻었다.
비교예 1. LaSrSiO3N:0.02Eu2 + 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체를 얻었다.
비교예 2. Sr2SiO4:0.02Ce3+ 형광체의 제조
하기 표 1에 나타낸 양의 원료 분말을 사용하고 소성 온도를 1400˚C로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 같은 방법으로 형광체를 얻었다.
La2O3(g) SrCO3(g) Si3N4(g) SiO2(g) CeO2(g) Eu2O3(g)
실시예 1 5.52 5.00 1.58 0 0.12 0
실시예 2 5.52 5.00 1.58 0 0.29 0
실시예 3 2.21 8 0.95 0.81 0.12 0
실시예 4 5.52 5.00 1.58 0 0.12 0.12
실시예 5 5.52 5.00 1.58 0 0.12 0.06
비교예 1 5.52 5.00 1.58 0 0 0.12
비교예 2 0 4.92 0 1.00 0.12 0
도 2는 실시예 1에 따른 형광체의 XRD 스펙트럼이다. 기준으로는 LaEuSiO3N의 XRD 피크를 나타내었다.
도 2의 XRD 스펙트럼에서 보듯이, 본 발명의 일 구현예에 따른 옥시나이트라이드 형광체는 LaEuSiO3N과 유사하게 사방정(Pnma Orthorhombic) 구조를 가지며, Sr2SiO4와도 동일한 결정 구조를 갖는다. 이러한 결정 구조의 동일성으로부터 Sr2SiO4에서 Sr-O 일부를 La-N으로 치환하여도 결정 구조가 안정하다고 볼 수 있다.
도 3은 상기 실시예 1 및 2에 따른 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 즉, LaSrSiO3N 중 La에 대하여 각각 0.02 및 0.05의 비율의 Ce를 도핑하여 얻은 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 도시한 것이다. LaSrSiO3N:0.02Ce의 경우 UV LED의 발광 파장인 400 nm에서 우수한 흡수가 가능하며, 발광 피크의 경우 535 nm에서 피크를 가지나, 반가폭이 200nm 가량으로 넓어 전체적으로 백색의 빛을 발광한다. 형광체가 넓은 반가폭을 가질 수 있는 이유는 LaSrSiO3N의 결정 구조 내부에 결정 구조적으로는 크게 2 종류의 도핑 사이트가 존재하지만 도핑 사이트 주변의 La와 Sr, O와 N의 분포 정도에 따라 다양한 종류의 도핑 사이트가 형성되기 때문이다. 도 3에서 Ce의 농도를 0.05로 하면 발광 피크가 약 560nm로 적색 편이하는 것을 관찰할 수 있는데, 이는 Ce의 농도가 높아질수록 Ce-N의 거리가 짧은 사이트에 도핑되는 Ce의 양이 늘어나고, 도핑된 Ce 중에서 낮은 에너지를 갖는 Ce 이온 쪽으로의 에너지 전달이 원활해 지는 것에서 비롯된다고 볼 수 있다.
도 4는 상기 실시예 1 및 2의 형광체의 색좌표 상의 위치를 나타낸 도면이다. 두 경우 모두 백색에 가까운 빛을 나타내고 있음을 확인할 수 있다. 본 스펙트럼으로 얻어진 연색지수(CRI)는 82 정도의 값을 가지며 이는 종래 청색 LED + 황색 형광체의 70 안팎의 값보다 우수한 값이다.
도 5는 실시예 1, 실시예 3 및 비교예 2의 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼이다. La/Sr의 비율을 변화하며 전하 균형을 위해 N/O의 비율을 동시에 바꾸어 형성한 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 살펴본 바, La/Sr의 비율이 증가할수록 발광 피크가 장파장화하고 반가폭이 넓어짐을 확인할 수 있다.
반가폭의 증가는 전술한 바와 같이 구성 이온의 혼재로 부활제가 도핑될 수 있는 다양한 사이트가 존재하는 것에 기인하며, 장파장화는 질소의 산소 치환으로 부활제-음이온 간의 공유결합성의 향상에서 기인한다. 이처럼 구성 이온에 대한 자유도가 높은 상기 옥시나이트라이드 형광체의 결정 구조는 다양한 피크 파장의 발광을 구현하는데 많은 이점을 제공한다.
도 6은 실시예 4 및 실시예 5의 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼이다. Ce3+가 도핑된 형광체에 Eu2+를 이중 도핑한 형광체의 경우, Ce3+의 발광 스펙트럼이 Eu2+의 흡수 스펙트럼과 겹치게 되어, Ce3+의 에너지의 상당 부분이 Eu2+로 에너지 전달됨으로써 Ce3+ 보다는 Eu2+ 발광 특성이 강하게 나타나며, 이는 Eu2+의 농도가 높을 때 더 강하게 나타난다.
도 1은 일 구현예에 따른 백색 발광 소자의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2는 실시예 1에 따른 형광체의 XRD 스펙트럼이다.
도 3은 실시예 1 및 실시예 2에 따른 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼이다.
도 4는 실시예 1 및 실시예 2에 따른 형광체의 발광 스펙트럼의 색좌표 상에서의 위치를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시예 1, 실시예 3 및 비교예 2에 따른 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼이다.
도 6은 실시예 4 및 실시예 5에 따른 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10… LED 칩 20… 금 와이어
30… 전기 리드선 40… 형광체 조성물
50… 에폭시 몰딩층 60… 성형 몰드
70… 에폭시 돔 렌즈

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 옥시나이트라이드 형광체:
    [화학식 1]
    M1 a-xM2 x-yCeySib-zAlzOc-xNx
    상기 식에서
    M1은 Ca, Sr, Ba, Mg, Zn 및 Eu 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
    M2는 Sc, Y, Lu, La, Pr, Sm, Gd, Tb, Yb, 및 Dy 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고,
    1.7≤a≤2.3, 0.7≤b≤1.3, 3.5≤c≤4.5, 0<x<2, 0<y<0.5, 0≤z<0.5이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 M1은 Sr 과 Eu의 혼합물인 옥시나이트라이드 형광체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물이 Lax - ySr2 - xCeySiO4 - xNx (0<x<2, 0<y<0.5)인 옥시나이트라이드 형광체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물이 Lax-yCeySr2-x-wEuwSiO4-xNx (0<x<2, 0<y<0.5, 0<w<0.5)인 옥시나이트라이드 형광체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식의 화합물이 LaSrSiO3N:0.02Ce3+, LaSrSiO3N:0.05Ce3+, La0.4Sr1.6SiO3.6N0.4:0.02Ce3+, LaSrSiO3N:0.02Ce3+,0.02Eu2+ 또는 LaSrSiO3N:0.02Ce3+,0.01Eu2+ 인 옥시나이트라이드 형광체.
  6. 제 1항에 있어서,
    발광 스펙트럼의 반가폭이 150nm 이상인 옥시나이트라이드 형광체.
  7. 제 1항에 있어서,
    발광 파장 범위가 450~ 680nm인 옥시나이트라이드 형광체.
  8. 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
    제1항의 옥시나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    연색성 지수가 80 이상인 백색 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 LED는 UV LED인 백색 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 LED의 여기 광원이 390 내지 460nm 범위의 파장 대역을 갖는 백색 발광 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    적색 형광체, 청색 형광체 및 녹색 형광체 중에서 선택된 하나 이상을 더 포 함하는 백색 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 청색 형광체는 (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMg2Al16O27:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+; BaAl8O13:Eu2+; (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ 및 Sr2Si3O82SrCl2:Eu2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 백색 발광 소자.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 녹색 형광체는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 백색 발광 소자.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 적색 형광체는 (Sr,Ca)S:Eu2+; (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+; Sr2Si5N8:Eu2+; (Sr,Ba,Ca)2P2O7:Eu2+,Mn2+; (Ba,Mg)SiO4:Eu2+,Mn2+; (Ba,Ca)Ga2O7:Eu2+,Mn2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+; 3.5MgOㅇ0.5MgF2ㅇGeO4:Mn4+ 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 백색 발광 소자.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 옥시나이트라이드 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 400 내지 800 nm인 백색 발광 소자.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 옥시나이트라이드 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 450 내지 680 nm인 백색 발광 소자.
  18. 제 8항에 있어서,
    상기 LED는 청색 LED인 백색 발광 소자.
  19. 제8항에 있어서,
    상기 백색 발광 소자는 신호등, 통신 기기, 디스플레이 장치의 백라이트 또는 조명용인 백색 발광 소자.
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