DE112004001532B4 - Oxynitrid-Leuchtstoff und Lichtemissionsvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Oxynitrid-Leuchtstoff, der als Hauptbestandteil eine durch die allgemeine Formel La3Si8N11O4dargestellte Kristallphase mit Ce oder Eu als einem als Lumineszenzzentrum zugesetzten optisch aktiven Element (M) aufweist, und der bei Anregung durch Licht mit einer Wellenlänge von 330 nm bis 420 nm blaues Licht emittiert falls das optisch aktive Element (M) Ce ist oder grünes Licht emittiert falls das optisch aktive Element (M) Eu ist.
Description
- TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft allgemein einen Siliciumoxynitrid-Leuchtstoff, der überwiegend aus einer Kristallphase besteht, die durch die allgemeine Formel La3Si8N11O4 oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x mit 0 < x ≤ 4 besteht.
- TECHNISCHER HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Leuchtstoffe werden für Vakuumfluoreszenzanzeigeröhren (VFDs), Feldemissionsbildschirme (FEDs), Plasmabildschirme (PDPs), Kathodenstrahlröhren (CRTs), weiße Leuchtdioden (LEDs) usw. verwendet. Um zu ermöglichen, daß der Leuchtstoff in irgendeiner Anwendung Licht emittiert, muß ihm Anregungsenergie zugeführt werden. Bei Anregung durch eine Anregungsquelle mit hoher Energie, wie zum Beispiel durch Vakuumultraviolettstrahlung, Ultraviolettstrahlung, Elektronenstrahlung, blaues Licht oder dergleichen, sendet der Leuchtstoff sichtbare Lichtstrahlung aus. Ein Problem bei dem Leuchtstoff ist daher, daß seine Leuchtdichte als Ergebnis der Bestrahlung mit einer solchen Anregungsquelle, wie oben erwähnt, abnimmt. Um dieses Problem zu überwinden, sind Sialon-Leuchtstoffe vorgeschlagen worden, da deren Leuchtdichteabnahmen stärker beschränkt sind als die von Leuchtstoffen nach dem Stand der Technik, die auf Silicaten, Phosphaten, Aluminaten und Sulfiden basieren.
- Der Sialon-Leuchtstoff wird zum Beispiel hergestellt, indem Siliciumnitrid (Si3N4), Aluminiumnitrid (AlN) und Europiumoxid (Eu2O3) in einem gegebenen Molverhältnis vermischt werden und das entstandene Gemisch dann in der Heißpresse gebrannt wird, in der es 1 Stunde in Stickstoff von 1 atm (0,1 MPa) auf einer Temperatur von 1700°C gehalten wird (siehe zum Beispiel Patentdokument 1). Es ist berichtet worden, daß durch dieses Verfahren gewonnenes α-Sialon mit aktivierten Eu-Ionen einen Leuchtstoff liefert, der durch blaues Licht von 450 bis 500 nm angeregt wird und gelbes Licht von 550 bis 600 nm ausstrahlt. Für Anwendungen wie zum Beispiel LEDs oder Plasmabildschirme mit Verwendung einer Ultraviolett-LED als Anregungsquelle werden jedoch außerdem noch Leuchtstoffe benötigt, die nicht nur gelbes Licht, sondern auch blaues Licht von 420 bis 470 nm oder grünes Licht von 500 bis 550 nm emittieren.
- Patentdokument 2 beschreibt eine Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle. Nichtpatentdokument 4 beschreibt Sialone.
- Patentdokument 1:
JP-A-2002-363554 - Patentdokument 2:
DE 101 47 040 A1 - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- GEGENSTAND DER ERFINDUNG
- Die Hauptaufgabe der Erfindung besteht darin, einen Oxynitrid-Leuchtstoff bereitzustellen, der Licht mit einem viel breiteren Wellenlängenbereich emittieren kann, als er mit herkömmlichen seltenerd-aktivierten Sialon-Leuchtstoffen erreichbar wäre.
- LÖSUNG DER AUFGABE
- Ausgehend von dieser Sachlage, haben wir viele Untersuchungen über Leuchtstoffe durchgeführt, die ein optisch aktives Element M und Elemente La, Si, Al, N und O enthalten, wobei M für ein oder zwei oder mehrere Elemente steht, die unter Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ausgewählt sind, und haben infolgedessen festgestellt, daß ein Material, das einen Domänenbereich mit einer bestimmten Zusammensetzung und eine bestimmte Kristallphase aufweist, einen Leuchtstoff liefern kann, der blaues Licht von etwa 450 nm und grünes Licht von etwa 540 nm emittiert. Das heißt, wir haben festgestellt, daß ein Kristall, der La3Si8N11O4 oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x mit 0 < x ≤ 4 und als Lumineszenzzentrum zugesetztes M (ein, zwei oder mehrere Elemente, ausgewählt unter Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu) aufweist, einen Leuchtstoff liefern kann, der zur Emission von blauem oder grünem Licht fähig ist.
- Die La3Si8N11O4-Kristallphase, die durch Brennen bei hoher Temperatur einer Zusammensetzung auftritt, die La2O3-2Si3N4 nahekommt, ist durch M. Mitomo et al. synthetisiert und durch Röntgenbeugung indexiert worden, und vor der Einreichung der vorliegenden Patentanmeldung ist bereits in der wissenschaftlichen Literatur (siehe Nichtpatentdokument 1) sehr ausführlich über ihre Details berichtet worden.
- Danach identifizierten R. K. Harris et al. die genaue Zusammensetzung dieses Kristalls als La3Si8N11O4 und berichteten sehr ausführlich über ihre Details in der wissenschaftlichen Literatur (Nichtpatentdokument 2).
- Die La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphase ist eine feste Lösung bzw. ein Mischkristall, der aus einem La3Si8N11O4-Kristall besteht, der Al und O enthält. Über Details dieser Kristallphase, deren Synthese und Strukturanalyse von Jekabs Grins et al. ausgeführt wurden, wurde vor der Einreichung der vorliegenden Patentanmeldung gleichfalls sehr ausführlich in der wissenschaftlichen Literatur berichtet (siehe Nichtpatentdokument 3).
- Nichtpatentdokument 1: M. Mitomo und drei andere, Journal of Materials Science, 1982, Bd. 17, S. 2359-2364
- Nichtpatentdokument 2: R. K. Harris und zwei andere, Chemical Materials, 1992, Bd. 4, S. 260-267
- Nichtpatentdokument 3: Jekabs Grins und drei andere, Journal of Materials Chemistry, 2001, Bd. 11, S. 2358-2362
- Nichtpatentdokument 4: J.W.H. van Krevel: On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials luminescence properties and oxidation resistance, ISBN 90-386-2711-4
- Soweit der Untersuchungsprozeß der Sinterung von Siliciumnitrid gegangen ist, wurde jedenfalls die La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphase an sich ausschließlich auf ihre Hitzebeständigkeit untersucht; bisher hat es nie eine Untersuchung zu ihrer Verwendung als Leuchtstoff gegeben. Daß die La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphase als Leuchtstoff verwendet werden kann, der durch Ultraviolettstrahlung, sichtbares Licht und Elektronenstrahlung angeregt wird und rotes Licht von hoher Leuchtdichte ausstrahlt, ist erstmalig von uns entdeckt worden.
- Wir haben weitere Forschungen zu diesem Ergebnis durchgeführt, die zur Entdeckung einer außergewöhnlichen Lichtemissionserscheinung mit verbesserten Leuchtdichteeigenschaften in einem bestimmten Wellenlängenbereich geführt haben.
- Als Ergebnis einer Untersuchungsreihe auf der Grundlage der oben erwähnten Ergebnisse, liefert die vorliegende Erfindung erfolgreich einen Oxynitrid-Leuchtstoff gemäß Anspruch 1, der Licht mit immer höherer Leuchtdichte emittieren kann, sowie eine Beleuchtungsvorrichtung nach Anspruch 12, die diesen Leuchtstoff nutzt, und eine Bildanzeigevorrichtung nach Anspruch 19.
- VORTEILE DER ERFINDUNG
- Der durch die Erfindung bereitgestellte Oxynitrid-Leuchtstoff mit der oben erwähnten außergewöhnlichen Struktur besteht aus dem Grund- oder Matrixkristall allein (der als Matrixkristall bezeichnet wird) erfolgt jedoch keine Lichtemission. Mit anderen Worten, entweder mit einer Struktur, in der ein Teil der Komponenten der durch La3Si8N11O4 oder La3Si8-xAlxN11-x O4+x mit 0 < x ≤ 4 dargestellten Grundkristallphase durch das optisch aktive Element (M) in Form eines Mischkristalls substituiert ist, oder mit einer Mischkristallstruktur, in der das optisch aktive Element (M) den Kristallzwischenraum dieser Kristallphase durchdringt, zeigen sich Fluoreszenzemissionsfähigkeiten. Der Grundkristall (Matrixkristall) (i) absorbiert Anregungslicht und überträgt Energie auf M, und (ii) ändert einen Elektronenzustand um M und beeinflußt Emissionsfarben oder Emissionsintensitäten. Der Leuchtstoff läßt sowohl (i) als auch (ii) zur Lichtemission zusammenwirken, und die Lichtemissionseigenschaften werden dadurch festgelegt und bestimmt, wie sich der Matrixkristall mit dem Aktivierungselement verbindet. Der Leuchtstoff hat insofern Vorteile gegenüber Sialon-Leuchtstoffen nach dem Stand der Technik, als eine höhere Leuchtdichte erreichbar ist und bei Bestrahlung mit Anregungsquellen das Material weniger empfindlich gegen Qualitätsminderung ist und Leuchtdichterückgänge viel geringer sind, und eignet sich daher gut für Vakuumfluoreszenzanzeigeröhren (VFDs), Feldemissionsbildschirme (FEDs), Plasmabildschirme (PDPs), Kathodenstrahlröhren (CRTs), weiße Leuchtdioden (LEDs) usw. Daher bietet der erfindungsgemäße Leuchtstoff ein neuartiges, brauchbares Material für Materialentwicklungen auf derartigen Gebieten und wäre daher von großer Bedeutung und würde einen großen Beitrag zu Entwicklungen in der Industrie leisten.
- Figurenliste
-
-
1 zeigt ein Spektraldiagramm für Anregungs- und Emissionsspektren eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Oxynitrids (Beispiel 1). -
2 zeigt ein Spektraldiagramm für Anregungs- und Emissionsspektren eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Oxynitrids (Beispiel 2). -
3 zeigt ein Schema eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung (LED-Beleuchtungsvorrichtung). -
4 zeigt ein Schema eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Bildanzeigevorrichtung (Plasmabildschirm). - Bezugszeichenliste
-
- 1:
- Gemisch des erfindungsgemäßen roten Leuchtstoffs (Beispiel 1) mit einem gelben Leuchtstoff oder einem blauen Leuchtstoff und mit einem grünen Leuchtstoff,
- 2:
- LED-Chip,
- 3, 4:
- elektrisch leitende Anschlüsse,
- 5:
- Drahtverbindung,
- 6:
- Harzschicht,
- 7:
- Behälter,
- 8:
- erfindungsgemäßer blauer Leuchtstoff (Beispiel 1),
- 9:
- grüner Leuchtstoff
- 10:
- roter Leuchtstoff
- 11, 12, 13:
- Ultraviolett-Emissionszellen,
- 14, 15, 16, 17:
- Elektroden
- 18, 19:
- dielektrische Schichten,
- 20:
- Schutzschicht, und
- 21, 22:
- Glassubstrate.
- BESTE AUSFÜHRUNGSART DER ERFINDUNG
- Der erfindungsgemäße Leuchtstoff weist als Hauptbestandteil eine Kristallphase mit der allgemeinen Formel La3Si8N11O4 oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x mit 0 < x ≤ 4 oder eine feste Lösung bzw. einen Mischkristall daraus auf. In Anbetracht der Fluoreszenzemission ist es hier erwünscht, daß La3Si8N11O4 oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x, das heißt der Hauptbestandteil des Oxynitrid-Leuchtstoffs, darin in möglichst hoher Reinheit enthalten ist, und wenn möglich in einphasiger Form. Wenn jedoch keine Verschlechterung der Eigenschaften auftritt, könnten sie (die obigen Phasen) in Beimischung mit der anderen Phase oder einer amorphen Phase verwendet werden.
- Für eine hohe Leuchtdichte sollte der Anteil der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase mindestens 50 Masse-% betragen. Der hierin benutzte Begriff „Hauptbestandteil“ ist so aufzufassen, daß der Anteil der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase mindestens 50 Masse-% beträgt. Alternativ könnte eine feste Lösung mit der gleichen Kristallstruktur wie der des La3Si8N11O4-Kristalls als Hauptbestandteil verwendet werden. In dieser festen Lösung ist ein Teil von La durch Metalle wie zum Beispiel Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu substituiert; ein Teil von Si ist durch Al oder dergleichen substituiert; und ein Teil von N ist durch Sauerstoff substituiert. In der La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase ist ein Teil von Si durch Al substituiert, und ein Teil von N ist durch O substituiert. Der Bereich 0 < x ≤ 4, wobei x ein Parameter ist, der den Festlösungsanteil anzeigt, gewährleistet, daß eine stabile La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase auftritt. Insbesondere gewährleistet der Bereich
0 < × ≤ 2, daß ein Leuchtstoff mit immer höherer Leuchtdichte erzielbar ist. Außerdem könnte die Erfindung eine gleichzeitige Substitution durch zwei oder mehr Elemente beinhalten. - Bei Einlagerung des Elements M (ein oder zwei oder mehrere Elemente, die aus Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ausgewählt sind) in Festlösungsform in die Matrix der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Matrixkristall-phase wirken diese Elemente als Lumineszenzzentren und weisen Fluoreszenzemissionsfähigkeiten auf. Von den Elementen M zeichnet sich Ce in der Emissionsfähigkeit von blauem Licht aus, und Tb zeichnet sich in der Emissionsfähigkeit von grünem Licht aus.
- Bei der Erfindung unterliegt bei gegebenem Kristall oder Festlösung der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase der Typ der Zusammensetzung keiner kritischen Beschränkung. Bei z. B. den nachstehend spezifizierten Zusammensetzungen ist jedoch wegen eines steigenden Anteils der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase ein Leuchtstoff mit immer höherer Leuchtdichte erzielbar.
- Bestimmte erfindungsgemäße Zusammensetzungen enthalten die Elemente M, La, Si, Al, N und O, wobei M für ein oder zwei oder mehrere Elemente steht, die aus Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu ausgewählt sind, und weisen die Zusammensetzungsformel MaLabSicAldNeOf mit a + b = 3 auf. Die Zusammensetzungsformel steht für das Verhältnis der Atomzahlen, das eine gegebene Substanz bildet, und eine Substanz, bei der a, b, c, d, e und f mit irgendeiner Zahl multipliziert sind, hat auch die gleiche Zusammensetzung. Deshalb werden die folgenden Bedingungen für eine Zusammensetzung festgelegt, wobei a, b, c, d, e und f auf eine solche Weise neu berechnet werden, daß a + b = 3 gilt.
-
- Hier steht der Kleinbuchstabe a für den Anteil des als Lumineszenzzentrum zugesetzten Elements, und c, d, e und f stellen Abweichungen von der La3Si8N11O4-Zusammensetzung dar.
- Der Kleinbuchstabe a steht für den Anteil des als Lumineszenzzentrum zugesetzten Elements M, der vorzugsweise so festgesetzt werden sollte, daß der Wert von 3xM/(M+La), das heißt das Atomzahlverhältnis zwischen M und (M+La) in dem Leuchtstoff, im Bereich von 0,00001 bis einschließlich 2,5 liegt. Wenn der Wert von 3xM/(M+La) kleiner als 0,00001 ist, erfolgt wegen der geringeren Zahl von M-Ionen ein Leuchtdichteabfall. Wenn der Wert von 3×M/(M+La) größer als 2,5 ist, tritt aufgrund der Konzentrationslöschung, die auf Interferenzen zwischen M-Ionen zurückzuführen ist, wieder ein Leuchtdichteabfall auf.
- Der Wert von c ist der Si-Gehalt, gegeben durch 4 ≤ c ≤ 10. Für den La3Si8N11O4-Kristall ist c = 8 zu bevorzugen, und für den La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristall gilt vorzugsweise c = 8 - d. Wenn der Wert von c von diesem Bereich abweicht, tritt wegen fehlender Bildung einer stabilen La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlx N11-xO4+x-Kristallphase ein Emissionsleuchtdichteabfall auf.
- Der Wert von d ist der Al-Gehalt, gegeben durch 0 ≤ d ≤ 4. Für den La3Si8N11O4-Kristall ist vorzugsweise d = 0, und für den La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristall ist vorzugsweise 0 < d ≤ 2. Wenn der Wert von d von diesem Bereich abweicht, tritt wegen fehlender Bildung einer stabilen La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlx N11-xO4+x-Kristallphase ein Emissionsleuchtdichteabfall auf.
- Der Wert von e ist der N-Gehalt, gegeben durch 7 ≤ e ≤ 14. Für den La3Si8N11O4-Kristall ist vorzugsweise e = 11, und für den La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristall ist vorzugsweise e = 11 - d. Wenn der Wert von e von diesem Bereich abweicht, tritt wegen fehlender Bildung einer stabilen La3Si8N11O4- oder La3Si8-x AlxN11-xO4+x-Kristallphase ein Emissionsleuchtdichteabfall auf.
- Der Wert von f ist der O-Gehalt, gegeben durch 2 ≤ f ≤ 8. Für den La3Si8N11O4-Kristall ist vorzugsweise f = 4, und für den La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristall ist vorzugsweise f = 4 + d. Wenn der Wert von f von diesem Bereich abweicht, tritt wegen fehlender Bildung einer stabilen La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphase ein Emissionsleuchtdichteabfall auf.
- Der erfindungsgemäße Leuchtstoff differiert in den Anregungsspektren und Fluoreszenzspektren mit seiner Zusammensetzung und liefert, wenn diese selektiv kombiniert werden, verschiedene Emissionsspektren. Mit anderen Worten, die in einer bestimmten Situation benötigten Spektren können nach Wunsch festgelegt werden. Insbesondere ist bei einer Zusammensetzung der La3Si8N11O4-Phase, der Eu so zugesetzt wird, daß 0,00001 ≤ 3×Ce/(Ce+La) ≤ 2,5 gilt, in einem blauen Bereich von etwa 450 nm ein höheres Emissionsvermögen erreichbar, und bei einer Zusammensetzung der La3Si8N11O4-Phase, der Tb so zugesetzt wird, daß 0,00001 ≤ 3×Tb/(Tb+La) ≤ 2,5 gilt, ist in einem grünen Bereich von etwa 540 nm ein höheres Emissionsvermögen erreichbar.
- Die hierin verwendete Kristallphase sollte vorzugsweise aus einer einzigen La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase bestehen; könnte jedoch in Beimischung mit einer anderen Kristallphase oder amorphen Phase in einem Bereich verwendet werden, der für das Emissionsvermögen nicht schädlich ist. Für höhere Leuchtdichte sollte der Anteil der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase vorzugsweise höher als 50 Masse-% sein. Daher bedeutet der Begriff „Hauptbestandteil“, daß der Anteil der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase mindestens 50 Masse-% beträgt. Der Sollanteil der La3Si8N11O4- oder La3Si8-x AlxN11-xO4+x-Phase kann aus dem durch Röntgenbeugungsmessung gemessenen Verhältnis der stärksten Maxima der La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Phase und einer oder mehrerer anderer Kristallphasen ermittelt werden.
- Bei Verwendung des erfindungsgemäßen Leuchtstoffs in Situationen, wo er durch Elektronenstrahlung angeregt wird, könnte der Leuchtstoff mit einem elektrisch leitenden anorganischen Material vermischt werden, um ihm elektrische Leitfähigkeit zu verleihen. Zu dem leitfähigen anorganischen Material gehören Oxide, Oxynitride oder Nitride, die ein, zwei oder mehrere aus Zn, Al, Ga, In und Sn ausgewählte Elemente enthalten, oder ein Gemisch daraus.
- Der durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren erhaltene Oxynitrid-Leuchtstoff kann Licht bei einer größeren Wellenlänge als derjenigen emittieren, bei der Sialon- oder Oxynitrid-Leuchtstoffe nach dem Stand der Technik eingesetzt werden, ist weniger empfindlich gegen Leuchtdichteminderung nach Bestrahlung mit Anregungsquellen und eignet sich daher gut für Vakuumfluoreszenzanzeigeröhren (VFDs), Feldemissionsbildschirme (FEDs), Plasmabildschirme (PDPs), Kathodenstrahlröhren (CRTs), weiße Leuchtdioden (LEDs) usw.
- Die erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung ist aus mindestens einer Lichtemissionsquelle und dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff aufgebaut. Die Beleuchtungsvorrichtung enthält beispielsweise eine LED-Beleuchtungsvorrichtung und eine Fluoreszenzlampe. Zum Beispiel kann die LED-Beleuchtungsvorrichtung unter Verwendung des erfindungsgemäßen Leuchtstoffs nach bekannten Verfahren hergestellt werden, wie sie in älteren Veröffentlichungen dargestellt werden, wie zum Beispiel in
JP-A-5-152609 JP-A-7-99345 Japanischen Patentschrift Nr. 2 927 279 - Einige Lichtemissionselemente bestehen aus Nitridhalbleitern, wie z. B. GaN und InGaN, und können, wenn ihre Zusammensetzung kontrolliert wird, eine Lichtemissionsquelle bereitstellen, die Licht bei einer gegebenen Wellenlänge emittieren kann.
- Beim Aufbau der Beleuchtungsvorrichtung könnte der erfindungsgemäße Leuchtstoff allein oder in Kombination mit einem Leuchtstoff mit anderen Emissionseigenschaften verwendet werden. Auf diese Weise könnte eine Beleuchtungsvorrichtung zusammengestellt werden, die imstande ist, Licht in der gewünschten Farbe zu emittieren. Als Beispiel gibt es eine Kombination aus einem Ultraviolett- oder Violett-LED-Emissionselement mit einer Wellenlänge von 330 nm bis 420 nm, einem grünen Leuchtstoff, der mit dieser Wellenlänge angeregt wird und Licht mit einer Wellenlänge von 520 nm bis einschließlich 570 nm emittiert, einem roten Leuchtstoff, der Licht von 570 nm bis einschließlich 700 nm emittieren kann, und dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff. Zu diesen grünen Leuchtstoffen gehören BaMgAl10O17:Eu, Mn oder β-Sialon, und zu diesen roten Leuchtstoffen gehören Y2O3:Eu und CaAlSiN3:Eu. Unter anderen sind β-Sialon:Eu und CaAlSiN3:Eu, da der Matrixkristall aus einem Nitrid oder Oxynitrid besteht, dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff ähnlich im Sinne der kristallographischen Eigenschaften und daher der Abhängigkeiten der Emissionsintensität von Temperaturänderungen. Folglich sind sie für den Einsatz in Form einer Beimischung zu dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff zu bevorzugen. Da die Leuchtstoffe in dieser Beleuchtungsvorrichtung mit Ultraviolettstrahlung bestrahlt werden, die aus der LED austritt, können drei Lichtkomponenten, rot, grün und blau, zu weißem Licht vermischt werden.
- Es gibt eine weitere Kombination eines Ultraviolett- oder Violett-LED-Emissionselements mit einer Wellenlänge von 330 nm bis 420 nm, einem bei dieser Wellenlänge angeregten gelben Leuchtstoff mit einem Emissionsmaximum bei einer Wellenlänge von 550 nm bis einschließlich 600 nm und dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff. Zu diesen gelben Leuchtstoffen gehören (Y, Gd)2(Al, Ga)5O12:Ce, wie in der
Japanischen Patentschrift Nr. 2 927 279 JP-A-2002-363554 - Die erfindungsgemäße Bildanzeigevorrichtung, die mindestens eine Anregungsquelle und den erfindungsgemäßen Leuchtstoff aufweist, wird in Form einer Vakuumfluoreszenzanzeigeröhre (VFD), eines Feldemissionsbildschirms (FED), eines Plasmabildschirms (PDP), einer Kathodenstrahlröhre (CRT) oder dergleichen realisiert. Es ist bereits festgestellt worden, daß der erfindungsgemäße Leuchtstoff nach Anregung mit Vakuumultraviolettstrahlung von 100 nm bis 190 nm und Ultraviolettstrahlung oder Elektronenstrahlung von 190 nm bis 380 nm Licht emittiert. Wie oben beschrieben, kann eine solche Bildanzeigevorrichtung durch Kombination dieser Anregungsquellen mit dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff aufgebaut werden.
- Die Erfindung wird nachstehend zwar unter Bezugnahme auf konkrete Beispiele näher erläutert, aber es versteht sich, daß diese Beispiele nur als Unterstützung zum besseren Verständnis der Erfindung angeführt werden und daß die Erfindung keineswegs darauf beschränkt ist.
- Beispiel 1
- Die verwendeten Ausgangspulver waren Siliciumnitrid mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 0,5 µm, einem Sauerstoffgehalt von 0,93 Gew.-% und einem α-Strukturgehalt von 92 %, Lanthanoxidpulver mit einer Reinheit von 99,9% und Ceroxidpulver mit einer Reinheit von 99,9%.
- Die Siliciumnitrid-, Lanthanoxid- und Ceroxidpulver wurden in Anteilen von 46,01 Gew.-%, 43,27 Gew.-% bzw. 10,72 Gew.-% abgewogen, um ein Gemisch mit der Zusammensetzungsformel Ce0,57La2,43Si9N12O4,5 zu erhalten (wobei Gemischzusammensetzungen der Ausgangspulver in Tabelle 1 und Zusammensetzungsparameter in Tabelle 2 dargestellt sind). Dann wurden die Pulver unter Zugabe von Hexan in einer Kugelmühle 2 Stunden miteinander vermischt und anschließend in einem Rotationsverdampfer getrocknet. Das daraus entstehende Gemisch wurde unter Anwendung eines Drucks von 20 MPa in einer Form formgepreßt, um einen Preßling von 12 mm Durchmesser und 5 mm Dicke zu erhalten.
- Dieser Preßling wurde in einen Bornitridtiegel eingebracht, der dann in einen Graphit-Elektroofen mit Widerstandsheizung eingesetzt wurde. Der Brennvorgang wurde durch Evakuieren mit einer Diffusionspumpe zur Erzeugung einer Brennatmosphäre begonnen. Dann wurde der Preßling mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 500°C/h von Raumtemperatur auf 800°C erhitzt, und bei 800°C wurde Stickstoff mit einer Reinheit von 99,999 Vol.-% in den Ofen eingelassen, um den Druck auf 1 MPa zu bringen. Schließlich wurde die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 500°C/h auf 1750°C erhöht, und der Preßling wurde 4 Stunden auf 1750°C gehalten. Nach dem Brennen wurden die Kristallbestandteile des erhaltenen gesinterten Preßlings auf die folgende Weise bestimmt. Als Ergebnis wurden sie als La3Si8N11O9-Phase beurteilt. Zunächst wurde die synthetisierte Probe zur Pulver-Röntgenbeugungsmessung mit Kα-Strahlung von Cu in einem Achatmörser zu Pulver gemahlen. Das sich ergebende Diagramm zeigte ein in
1 des Nichtpatentdokuments 1 dargestelltes Bild, das auf die La3Si8N11O4-Phase schließen läßt. Als Ergebnis der Bestrahlung der Pulverprobe mit Licht einer Wellenlänge von 365 nm, das von einer Lampe ausgestrahlt wurde, zeigte sich, daß die Probe blaues Licht emittierte. - Als Ergebnis der Messung des Emissionsspektrums und des Anregungsspektrums der Pulverprobe unter Verwendung eines Fluoreszenzemissionsspektrometers erwies sich die Probe als ein Leuchtstoff mit einem Maximum des Anregungsspektrums bei 371 nm und einem Maximum des blauen Lichts bei 424 nm in einem E-missionsspektrum bei Anregung durch Ultraviolettlicht von 371 nm (
1 ). Die maximale Emissionsintensität betrug 1787 Zählimpulse. Hierbei ist zu beachten, daß der Zählwert mit dem Meßgerät und den Meßbedingungen variiert; daher wird er als willkürliche Einheit angegeben. Mit anderen Worten, ein Vergleich ist nur zwischen erfindungsgemäßen Beispielen oder nur zwischen Vergleichsbeispielen möglich, die unter gleichen Bedingungen gemessen werden. - Emissionseigenschaften der Pulverprobe bei Anregung durch Elektronenstrahlung wurden unter einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) mit einem Kathodenlumineszenzdetektor (CLDetektor) beobachtet. Bei diesem System wird durch Bestrahlen mit Elektronenstrahlung erzeugtes sichtbares Licht durch einen Lichtleiter zu einem außerhalb angeordneten Photovervielfacher geleitet, so daß die Emissionsspektren von bei Anregung durch Elektronenstrahlung emittiertem Licht gemessen werden können. Es wurde festgestellt, daß der erfindungsgemäße Leuchtstoff durch Elektronenstrahlung zur Emission von blauem Licht mit einer Wellenlänge von 430 nm angeregt wurde.
- Beispiele 2-10
- Die hierbei verwendeten Ausgangspulver waren die gleichen Siliciumnitridpulver, Lanthanoxidpulver und Cernitridpulver wie in Beispiel 1 sowie Europiumoxidpulver mit einer Reinheit von 99,9%, Terbiumoxidpulver mit einer Reinheit von 99,9%, Aluminiumoxidpulver mit einer Reinheit von 99,9% und Lanthanoxidpulver mit einer Reinheit von 99,9%. Oxynitridpulver wurden gemäß Beispiel 1 hergestellt, wobei aber die in den Tabellen 1 und 2 dargestellten Zusammensetzungen verwendet wurden. Als Folge der Röntgenbeugungsmessung nach dem Pulverisieren der synthetisierten Proben wurden die Zusammensetzungen in den Beispielen 2 bis 8 sämtlich als La3Si8N11O4-Phase bestimmt, und die Zusammensetzungen in den Beispielen 9 und 10 wurden alle als La3Si8-xN11-xO4+x-Phase bestimmt. Ferner erhielt man Leuchtstoffe, die durch Ultraviolettstrahlung zur Emission von sichtbarem Licht mit hoher Leuchtdichte angeregt wurden, wie in den Beispielen 2 bis 10 in Tabelle 3 dargestellt. Insbesondere lieferten die Proben mit Ce-Zusatz hervorragende blaue Leuchtstoffe, und die Probe mit Tb-Zusatz lieferte hervorragende grüne Leuchtstoffe.
- Die Ergebnisse der Beispiele 1 bis 10 sind in den Tabellen 1, 2 und 3 zusammengefaßt.
- In Tabelle 1 sind die Gemischzusammensetzungen der Ausgangspulver in den Beispielen 1 bis 10 angegeben; in Tabelle 2 sind die Parameter für die vorgesehenen Zusammensetzungen der Ausgangspulver in den Beispielen 1 bis 10 angegeben; und in Tabelle 3 sind die Wellenlängen und Intensitäten der Anregungs- und Emissionsspektren in den Beispielen 1 bis 10 angegeben. Tabelle 1
Beispiel Si3N4 La2O3 CeO2 Eu2O3 1 46,01 43,27 10,72 0 2 45,59 42,87 0 0 3 45,9 43,16 0 10,94 4 46,26 53,17 0,57 0 5 46,13 48,21 5,66 0 6 45,58 26,46 27,96 0 7 45,18 10,49 44,33 0 8 43,28 40,2 10,62 0 9 37,81 45,15 11,93 0 10 37,42 44,69 0 0 Beispiel Tb4O7 Al2O3 AlN LaN 1 0 0 0 0 2 11,54 0 0 0 3 0 0 0 0 4 0 0 0 0 5 0 0 0 0 6 0 0 0 0 7 0 0 0 0 8 0 0 0 0 9 0 1,96 3,16 0 10 0 1,94 3,12 0 Beispiel a b c d e f 1 0,57 2,43 9 0 12 4,5 2 0,57 2,43 9 0 12 4,5 3 0,57 2,43 9 0 12 4,5 4 0,03 2,97 9 0 12 4,5 5 0,3 2,7 9 0 12 4,5 6 1,5 1,5 9 0 12 4,5 7 2,4 0,6 9 0 12 4,5 8 0,533 2,467 8 0 11 4 9 0,6 2,4 7 1 10 5 10 0,6 2,4 7 1 10 5 Beispiel Wellenlänge nm Intensität WE* Wellenlänge nm Intensität WE* 1 424 1239 371 1242 2 542 1124 256 1122 3 501 32 428 33 4 425 809 370 790 5 431 1421 372 1415 6 433 1720 372 1733 7 435 1056 374 1049 8 436 2013 372 2002 9 430 1884 365 1887 10 545 1911 258 1881 WE*: willkürliche Einheit - Nachstehend wird die Beleuchtungsvorrichtung mit Verwendung des erfindungsgemäßen nitridhaltigen Leuchtstoffs erläutert.
3 zeigt ein Strukturschema einer weißen LED, die als Beleuchtungsvorrichtung arbeitet. Eine violette 405 nm-LED 2 dient als Beleuchtungsvorrichtung. Der Leuchtstoff nach dem erfindungsgemäßen Beispiel 1 und ein gelber Ca-α-Sialon:Eu-Leuchtstoff mit der Zusammensetzung Ca0,75Eu0,25Si8,625Al3,375O1,125 N14,875, der in einer Harzschicht dispergiert ist, werden über der LED2 aufgebracht. Dieses Element funktioniert als Beleuchtungsvorrichtung, in der bei Anlegen von Strömen an einen elektrisch leitenden Anschluß die LED2 Licht von 405 nm emittiert, das seinerseits den blauen Leuchtstoff und den gelben Leuchtstoff zur Emission von blauem Licht und gelbem Licht anregt, so daß die Lichtkomponenten zur Emission von weißem Licht vermischt werden. - In einer alternativen Ausführungsform der Beleuchtungsvorrichtung ist eine Formulierung vorgesehen, die sich von der oben erwähnten unterscheidet. Zunächst wird eine violette LED mit einer Wellenlänge von 380 nm als Lichtemissionselement verwendet. Der Leuchtstoff nach dem erfindungsgemäßen Beispiel 1, ein grüner Leuchtstoff (β-Sialon:Eu) und ein roter Leuchtstoff (CaAlSiN3:Eu), die in einer Harzschicht dispergiert sind, werden über der violetten LED aufgebracht. Dieses Element funktioniert als Beleuchtungsvorrichtung, in der bei Anlegen von Strömen an einen elektrisch leitenden Anschluß die LED Licht von 380 nm emittiert, das seinerseits die roten, grünen und blauen Leuchtstoffe zur Emission von rotem, grünem und blauem Licht anregt, wobei die Lichtkomponenten dann miteinander zu weißem Licht vermischt werden.
- Nachstehend wird eine typische Bildanzeigevorrichtung mit Verwendung des erfindungsgemäßen Leuchtstoffs erläutert.
4 zeigt schematisch die Grundzüge eines Plasmabildschirms, der als diese Bildanzeigevorrichtung arbeitet. Der blaue Leuchtstoff nach dem erfindungsgemäßen Beispiel 1, ein grüner Leuchtstoff (Zn2SiO4:Mn) und ein roter Leuchtstoff (CaAlSiN3:Eu) werden auf die Innenflächen der entsprechenden Zellen11 ,12 bzw.13 aufgetragen. Das Anlegen von Strömen an Elektroden14 ,15 ,16 und17 bewirkt das Auftreten von Vakuumultraviolettstrahlung durch Xe-Entladung in den Zellen, wodurch die Leuchtstoffe angeregt werden und rotes, grünes und blaues sichtbares Licht erzeugen, das von außen durch eine Schutzschicht20 , eine dielektrische Schicht19 und ein Glassubstrat22 zu beobachten ist. Auf diese Weise funktioniert die Bildanzeigevorrichtung. - Da der erfindungsgemäße Leuchtstoff bei Bestrahlen mit Elektronenstrahlung blaues oder grünes Licht emittiert, funktioniert er auch als Leuchtstoff für Kathodenstrahlröhren (CRT) oder Feldemissionsbildschirme.
- MÖGLICHE ANWENDUNGEN IN DER INDUSTRIE
- Die vorliegende Erfindung stellt einen neuartigen Oxynitrid-Leuchtstoff bereit, der im Vergleich zu herkömmlichem Sialon Licht mit höherer Leuchtdichte emittieren kann und weniger zur Leuchtdichteminderung und Qualitätsminderung neigt und sich daher gut für Vakuumfluoreszenzanzeigeröhren (VFDs), Feldemissionsbildschirme (FEDs), Plasmabildschirme (PDPs), Kathodenstrahlröhren (CRTs), weiße Leuchtdioden (LEDs) und so weiter eignet. Dieser Leuchtstoff wird auf solchen Gebieten breite Anwendung für die Materialentwicklung finden.
Claims (20)
- Oxynitrid-Leuchtstoff, der als Hauptbestandteil eine durch die allgemeine Formel La3Si8N11O4 dargestellte Kristallphase mit Ce oder Eu als einem als Lumineszenzzentrum zugesetzten optisch aktiven Element (M) aufweist, und der bei Anregung durch Licht mit einer Wellenlänge von 330 nm bis 420 nm blaues Licht emittiert falls das optisch aktive Element (M) Ce ist oder grünes Licht emittiert falls das optisch aktive Element (M) Eu ist.
- Oxynitrid-Leuchtstoff, der als Hauptbestandteil eine durch die allgemeine Formel La3Si8-xAlxN11-xO4+x mit 0 < x ≤ 4 dargestellte Kristallphase mit einem als Lumineszenzzentrum zugesetzten optisch aktiven Element (M) aufweist, wobei das optisch aktive Element (M) ein oder zwei oder mehrere Elemente aufweist, die aus Ce, Eu und Tb ausgewählt sind.
- Oxynitrid-Leuchtstoff nach
Anspruch 2 , wobei 0 < x ≤ 2 ist. - Oxynitrid-Leuchtstoff nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei zumindest Ce als optisch aktives Element (M) enthalten ist. - Oxynitrid-Leuchtstoff nach einem der
Ansprüche 2 bis4 , wobei zumindest Tb enthalten ist. - Oxynitrid-Leuchtstoff, der ein optisch aktives Element (M) und Elemente La, Si, Al, N und O, wobei M für ein oder zwei oder mehrere Elemente steht, die aus Ce, Eu und Tb ausgewählt sind, mit einer Zusammensetzungsformel MaLabSicAld-NeOf mit a + b = 3 aufweist und alle Bedingungen (i), (ii),(iii), (iv) und (v) erfüllt:
- Oxynitrid-Leuchtstoff, der ein optisch aktives Element (M) und Elemente La, Si, Al, N und O, wobei M für Ce oder Eu steht, mit einer Zusammensetzungsformel MaLabSicAldNeOf mit a + b = 3 aufweist und alle Bedingungen (i), (ii), (iii), (iv) und (v) erfüllt:
- Oxynitrid-Leuchtstoff nach
Anspruch 6 oder7 , wobei c = 8, e = 11 und f = 4 ist. - Oxynitrid-Leuchtstoff nach einem der
Ansprüche 6 bis8 , wobei Ce als M-Komponente ausgewählt wird. - Oxynitrid-Leuchtstoff nach
Anspruch 6 oder8 soweit vonAnspruch 6 abhängig, wobei Tb als das optisch aktive Element (M) ausgewählt wird. - Oxynitrid-Leuchtstoff nach einem der
Ansprüche 1 bis10 , der ein Gemisch aus einer La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphase, wobei 0 < x ≤ 4 gilt, mit einer anderen Kristallphase oder einer amorphen Phase aufweist und einen La3Si8N11O4- oder La3Si8-xAlxN11-xO4+x-Kristallphasengehalt von mindestens 50 Masse-% aufweist. - Beleuchtungsvorrichtung, die eine Lichtemissionsquelle und einen Leuchtstoff aufweist, gekennzeichnet durch Verwendung mindestens eines Leuchtstoffs nach einem der
Ansprüche 1 bis11 . - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 12 , wobei die Lichtemissionsquelle eine Leuchtdiode (LED) ist, die Licht mit einer Wellenlänge von 330 bis 420 nm emittiert. - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 12 oder13 , wobei die Lichtemissionsquelle eine LED ist, die Licht mit einer Wellenlänge von 330 bis 420 nm emittiert und in Kombination mit einem Leuchtstoff nach einem derAnsprüche 1 bis11 , einem grünen Leuchtstoff, der als Reaktion auf Anregungslicht von 330 bis 420 nm Licht mit einer Wellenlänge von 520 nm bis einschließlich 570 nm emittiert, und einem roten Leuchtstoff eingesetzt wird, der als Reaktion auf Anregungslicht von 330 bis 420 nm Licht von 570 nm bis einschließlich 700 nm emittiert, um rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht miteinander zu mischen und dadurch weißes licht zu emittieren. - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 12 oder13 , wobei die Lichtemissionsquelle eine LED ist, die Licht mit einer Wellenlänge von 330 bis 420 nm emittiert und in Kombination mit einem Leuchtstoff nach einem derAnsprüche 1 bis13 und einem gelben Leuchtstoff eingesetzt wird, der als Reaktion auf Anregungslicht von 330 bis 420 nm Licht mit einer Wellenlänge von 550 nm bis einschließlich 600 nm emittiert, um gelbes Licht und blaues Licht miteinander zu mischen und dadurch weißes Licht zu emittieren. - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 14 , wobei der grüne Leuchtstoff β-Sialon mit Eu in Festlösungsform ist. - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 14 , wobei der rote Leuchtstoff CaAlSiN3 mit Eu in Festlösungsform ist. - Beleuchtungsvorrichtung nach
Anspruch 15 , wobei der gelbe Leuchtstoff Ca-α-Sialon mit Eu in Festlösungsform ist. - Bildanzeigevorrichtung, die eine Anregungsquelle und einen Leuchtstoff aufweist, und mindestens einen Leuchtstoff nach einem der
Ansprüche 1 bis11 verwendet. - Bildanzeigevorrichtung nach
Anspruch 19 , die eine Vakuumfluoreszenzanzeigeröhre (VFD), ein Feldemissionsbildschirm (FED), ein Plasmabildschirm (PDP) oder eine Kathodenstrahlröhre (CRT) ist.
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JP4511885B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びled並びに光源 |
JP4422653B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-02-24 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに光源 |
US7476338B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
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JP4104013B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-06-18 | 株式会社フジクラ | 発光デバイス及び照明装置 |
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WO2007066732A1 (ja) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP4238269B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2009-03-18 | 三菱化学株式会社 | 複合酸窒化物蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置、照明装置及び蛍光体含有組成物、並びに、複合酸窒化物 |
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JP2007266579A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP5378644B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-12-25 | Dowaホールディングス株式会社 | 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法 |
WO2008084848A1 (ja) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法および発光器具 |
TWI418609B (zh) * | 2007-03-28 | 2013-12-11 | Univ Hiroshima | MCNO is a phosphor |
CN103254900B (zh) | 2007-04-18 | 2014-12-17 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其发光装置 |
JP2009010315A (ja) * | 2007-05-30 | 2009-01-15 | Sharp Corp | 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置 |
US9279079B2 (en) | 2007-05-30 | 2016-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus |
EP2012343A3 (de) * | 2007-07-03 | 2010-09-08 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Lichtemittierende Vorrichtung |
JP4413955B2 (ja) | 2007-07-19 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 蛍光体および発光装置 |
CN102036999A (zh) * | 2008-03-21 | 2011-04-27 | 内诺格雷姆公司 | 金属硅氮化物或金属硅氧氮化物亚微米荧光粉颗粒及合成这些荧光粉的方法 |
KR101046046B1 (ko) * | 2008-12-22 | 2011-07-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 백색 발광 장치 |
JP2012519943A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-08-30 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 白色光発光方法及び発光装置 |
JP5544161B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-09 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体 |
US9023240B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-05-05 | Ube Industries, Ltd. | Silicon nitride powder for siliconnitride phosphor, CaAlSiN3 phosphor using same, Sr2Si5N8 phosphor using same, (Sr, Ca)AlSiN3 phosphor using same, La3Si6N11 Phosphor using same, and methods for producing the phosphors |
WO2012026592A1 (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、照明器具および画像表示装置 |
EP2784143B1 (de) | 2011-11-07 | 2016-10-05 | National Institute for Materials Science | Phosphor und verfahren zu seiner herstellung sowie lichtemittierende vorrichtung und bildanzeigevorrichtung mit dem phosphor |
KR101877416B1 (ko) * | 2011-11-23 | 2018-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지 |
EP2801599B1 (de) * | 2012-05-31 | 2016-01-13 | National Institute for Materials Science | Leuchtstoff, herstellungsverfahren dafür, lichtemittierende vorrichtung, und bildanzeigevorrichtung |
EP2868730B1 (de) | 2012-06-27 | 2016-04-06 | National Institute for Materials Science | Phosphor, verfahren zur herstellung von phosphor, lichtemittierendes bauelement und bildanzeigevorrichtung |
TW201404867A (zh) * | 2012-07-20 | 2014-02-01 | Formosa Epitaxy Inc | 一種氮氧化物螢光粉之組成物及其製造方法 |
US9666767B2 (en) | 2012-07-25 | 2017-05-30 | National Institute For Materials Science | Fluorophore, method for producing same, light-emitting device using fluorophore, image display device, pigment, and ultraviolet absorbent |
KR102019501B1 (ko) | 2012-11-05 | 2019-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 및 이를 구비한 발광 소자 |
US9617471B2 (en) | 2013-04-25 | 2017-04-11 | National Institute Of Materials Science | Inorganic phosphor, manufacture thereof, light-emitting device, and image display utilizing inorganic phosphor |
JP6083881B2 (ja) | 2013-05-14 | 2017-02-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
RU2584205C2 (ru) * | 2014-06-10 | 2016-05-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОНВЕРСИИ ВАКУУМНОГО УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ИЗЛУЧЕНИЕ ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА В ВИДЕ АМОРФНОЙ ПЛЕНКИ ОКСИДА КРЕМНИЯ SiO2Sx НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ |
JP6252396B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2017-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法 |
CN104927858A (zh) * | 2015-07-02 | 2015-09-23 | 河北大学 | 一种在蓝光激发下发绿光的氮化物荧光材料及其制备方法和应用 |
DE102016104875A1 (de) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Blitzlichtbeleuchtung für ein tragbares Gerät |
EP3438228B1 (de) | 2016-03-28 | 2020-04-15 | National Institute for Materials Science | Phosphor, verfahren zur herstellung davon, lichtemittierende vorrichtung, bildanzeige, pigment und ultraviolettlichtabsorber |
JP6684412B1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-04-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光装置 |
JPWO2022244523A1 (de) | 2021-05-21 | 2022-11-24 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8501600A (nl) | 1985-06-04 | 1987-01-02 | Philips Nv | Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
KR100784573B1 (ko) * | 2000-05-29 | 2007-12-10 | 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 | 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구 |
JP3668770B2 (ja) | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
DE10133352A1 (de) | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE10146719A1 (de) | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP4207489B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2009-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | α−サイアロン蛍光体 |
JP4072632B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-04-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光方法 |
JP4052136B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-02-27 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
US7074346B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-07-11 | Ube Industries, Ltd. | Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof |
JP2004277663A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | National Institute For Materials Science | サイアロン蛍光体とその製造方法 |
JP2004300247A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを用いた発光装置、並びに照明装置 |
US20060049414A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-09 | Chandran Ramachandran G | Novel oxynitride phosphors |
-
2003
- 2003-10-03 JP JP2003346013A patent/JP4834827B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-30 KR KR1020067005621A patent/KR101102301B1/ko active IP Right Grant
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- 2004-09-30 CN CNB2004800240599A patent/CN100516167C/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
GRINS, Jekabs [et al]: The structures of the Ce and La N-phases RE3Si8-xAlxN11-xO4+x, determined by single-crystal X-ray and time-of-flight neutron powder diffraction, respectively. In: Journal of Materials Chemistry, 11, 2001, 2358-2362. - ISSN 0959-9428 * |
KREVEL, Joost Willem Hendrik van: : Luminescence of Tb3+ in Ln-Si-O-N (Ln = Y, Gd, La) quarternary compounds. In: On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials: luminescence properties and oxidation resistance, 2000, 73-87. - ISSN 90-386-2711-4. [Eindhoven, Techn. Univ., Diss., 2000] * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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