CN104067381A - 微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法 - Google Patents

微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104067381A
CN104067381A CN201280067418.3A CN201280067418A CN104067381A CN 104067381 A CN104067381 A CN 104067381A CN 201280067418 A CN201280067418 A CN 201280067418A CN 104067381 A CN104067381 A CN 104067381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
transfer head
micro element
layer
bonded layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280067418.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104067381B (zh
Inventor
A·拜布尔
J·A·希金森
H-F·S·劳
胡馨华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apple Inc
Original Assignee
Lux Dimension Scientific & Technical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lux Dimension Scientific & Technical Corp filed Critical Lux Dimension Scientific & Technical Corp
Publication of CN104067381A publication Critical patent/CN104067381A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104067381B publication Critical patent/CN104067381B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67733—Overhead conveying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75723—Electrostatic holding means
    • H01L2224/75725—Electrostatic holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/83005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/142—HF devices
    • H01L2924/1421—RF devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1431—Logic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1434—Memory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1705—Lamina transferred to base from adhered flexible web or sheet type carrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1705—Lamina transferred to base from adhered flexible web or sheet type carrier
    • Y10T156/1707—Discrete spaced laminae on adhered carrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship
    • Y10T156/1749—All articles from single source only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744—Means bringing discrete articles into assembled relationship
    • Y10T156/1776—Means separating articles from bulk source
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

公开了一种传送微器件和微器件阵列的方法。将载有被连接到键合层的微器件的载体衬底加热至键合层的液相线温度之下的温度，并且将传送头加热至键合层的液相线温度之上的温度。在使微器件与传送头接触后，来自传送头的热量转移到键合层中以至少部分地熔化键合层。向传送头施加的电压产生从载体衬底拾起微器件的夹持力。

Description

微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法
相关申请
本申请要求来自2011年11月18日提交的第61/561,706号美国临时专利申请、2012年02月03日提交的第61/594,919号美国临时专利申请、2012年02月09日提交的第61/597,109号美国临时专利申请以及2012年02月10日提交的第61/597,658号美国临时专利申请的优先权的权益，这里通过引用将其全部公开内容并入于此。
技术领域
本发明涉及微器件。更具体而言，本发明的实施例涉及用微器件传送头来向接收衬底传送一个或多个微器件的方法。
背景技术
集成和封装问题是诸如为射频(RF)微机电系统(MEMS)微动开关、发光二极管(LED)显示系统、以及基于MEMS的振荡器或基于石英的振荡器的微器件的商业化的主要障碍之一。
用于传送器件的传统的技术包括通过晶片键合从传送晶片向接收晶片的传送。一个这样的实现方式是“直接印刷”，包含从传送晶片向接收晶片的器件阵列的一个键合步骤，跟着移除传送晶片。另一这样的实现方式是包含两个键合/去键合步骤的“传送印刷”。在传送印刷中，传送晶片可以从施主晶片中拾起器件阵列，并且然后将器件阵列键合到接收晶片，跟着移除传送晶片。
已经开发了某些印刷过程变型，其中器件能够在传送过程期间选择性地键合和去键合。在传统的和变型的直接印刷和传送印刷技术中，传送晶片在将器件键合到接收晶片之后从器件中去键合。此外，在传送过程中涉及到具有器件阵列的整个传送晶片。
发明内容
公开了一种微器件传送头和头阵列、以及一种向接收衬底传送一个或多个微器件的方法。例如，接收衬底可以是(但不限于)显示衬底、发光衬底、具有诸如为晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或具有金属重分布线(redistribution line)的衬底。
在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、包括侧壁——至少一个侧壁是在台面结构之上形成的电极——的台面结构、以及覆盖电极的介电层。例如，微器件传送头能够并入有单极或双极电极结构。台面结构能够与基底衬底分离地或全局地形成。侧壁能够呈锥形并且远离基底衬底向台面结构的顶表面突出，其中，电极形成在顶表面上。电极引线可以从电极延伸以便与基底衬底中的布线接触并且将微器件传送头连接到静电夹持器(gripper)组件的工作电子器件。电极引线能够从台面结构的顶表面上的电极并且沿着台面结构的侧壁延伸。电极引线能够可选地在台面结构之下延伸并且连接到穿过台面结构去往电极的过孔。
电极和电极引线可以覆盖有沉积的介电层。用于介电层的适当的材料包括(但不限于)氧化铝(Al2O3)和氧化钽(Ta2O5)。因为介电层是沉积的，因此电极和电极引线可以由能够耐高沉积温度的材料来形成，包括诸如为铂的高熔化温度金属以及难熔金属或诸如为钛钨(TiW)的难熔金属合金。
在实施例中，传送微器件的方法包括将传送头定位在被连接到载体衬底的微器件之上。微器件与传送头接触并且向传送头中的电极施加电压以产生对微器件的夹持压强。传送头拾起微器件并且然后将微器件释放到接收衬底上。在传送头接触微器件之前、同时或之后，能够向电极施加电压。电压能够是恒流电压、或交流电压。在实施例中，向双级电极结构施加交流电压。在实施例中，附加地执行操作以在拾起微器件之前或同时产生将微器件连接到载体衬底的键合层中的相变。
在实施例中，在拾起微器件之前、或同时加热键合层以产生键合层中的从固态至液态的相变。取决于操作条件，能够拾起键合层的一大部分并且与微器件一起传送。当拾起、传送、接触接收衬底、以及释放微器件和键合层的一部分到接收衬底上时，能够执行各种操作以控制键合层的该部分的相。例如，当接触接收衬底时以及在到接收衬底上的释放操作期间，用微器件拾起的键合层的该部分能够维持在液态。在另一实施例中，在被拾起之后，能够允许键合层中的该部分冷却到固相。例如，在接触接收衬底之前或期间，键合层的该部分能够是固相，并且在释放操作期间再次熔化到液态。根据本发明的实施例，能够执行各种温度和材料相周期。
在实施例中，传送微器件阵列的方法包括将传送头阵列定位在微器件阵列之上。微器件阵列与传送头阵列接触，并且选择性地向传送头阵列的一部分施加电压。选择性地施加电压可以包括向阵列中的所有传送头、或向对应于少于阵列中的所有传送头的部分施加电压。然后使用传送头阵列的该部分来拾起微器件阵列的对应的部分，并且选择性地将微器件阵列的该部分释放在至少一个接收衬底上。在实施例中，当接触时传送头阵列可以在微器件阵列上摩擦，以便逐出可能存在于传送头或微器件中的一者的接触表面上的任意颗粒。在实施例中，在拾起微器件阵列之前，在键合层的将微器件阵列连接到载体衬底的横向上单独的位置的阵列中产生了相变。
在实施例中，制作微器件传送头阵列的方法包括在基底衬底上形成台面结构阵列，每个台面结构包括侧壁。在每个台面结构之上形成单独的电极，并且介电层被沉积在台面结构阵列和每个电极之上。在实施例中，介电层使用原子层沉积(ALD)来沉积，并且可以是无针孔的。介电层可以包括一个或多个介电层。在每个对应的台面结构上形成独立的电极之前，保形钝化层可以可选地在基底衬底和台面结构阵列之上生长或沉积。在实施例中，导电接地面形成在介电层上并且围绕每个台面结构。
在实施例中，传送微器件的方法包括加热载有连接到键合层的微器件的载体衬底至键合层的液相线温度之下的温度，并且加热传送头至键合层的液相线温度之上的温度。微器件与传送头接触并且热量从传送头转移到键合层中以至少部分地熔化键合层。向传送头施加电压以产生对微器件的夹持压强，并且用传送头来拾起微器件。微器件接着能够放置成接触接收衬底并且被释放到接收衬底上。可以全局或局部地加热接收衬底以辅助传送过程。
在实施例中，传送微器件阵列的方法包括加热载有连接到键合层的多个位置的微器件阵列的衬底至键合层的液相线温度之下的温度，以及加热传送头阵列至键合层的液相线温度之上的温度。微器件阵列与传送头阵列接触并且热量从传送头阵列转移到键合层的该多个位置中以至少部分地熔化键合层的该多个位置的部分。选择性地向传送头阵列的一部分施加电压，并且用传送头阵列的该部分来拾起微器件阵列的对应的部分。微器件阵列的该部分然后能够放置成与至少一个接收衬底接触并且选择性地被释放到该至少一个接收衬底上。可以全局或局部地加热接收衬底以辅助传送过程。
在实施例中，微器件和微器件阵列为微LED器件，每个微LED器件包括微p-n二极管和金属化层，其中金属化层在微p-n二极管和形成在衬底上的键合层之间。当拾起微LED器件和微LED器件阵列时可以包括拾起微p-n二极管、金属化层、以及键合层的一部分。保形介电阻挡层可以横跨微p-n二极管的侧壁和微p-n二极管的底表面。保形介电阻挡层可以在微p-n二极管的底表面下方裂开。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的示出克服表面张力以拾起各种尺寸的微器件所需的压强的图形图示。
图2是根据本发明的实施例的表面张力与在拾起操作期间产生的增加的间隙距离之间的关系的图形图示。
图3是根据本发明的实施例的在各种拉动速率下粘性力压强与在拾起操作期间产生的增加的间隙距离之间的关系的图形图示。
图4是根据本发明的实施例的通过建模分析获取的图形图示，该图形图示示出了随着将传送头从微器件撤回而由传送头施加于微器件上的夹持压强。
图5是根据本发明的实施例的单极微器件传送头的截面侧视图图示。
图6是根据本发明的实施例的单极微器件传送头的等距视图图示。
图7是根据本发明的实施例的双极微器件传送头的截面侧视图图示。
图8是根据本发明的实施例的双极微器件传送头的等距视图图示。
图9-10是根据本发明的实施例的双极微器件传送头的顶视图图示。
图11是根据本发明的实施例的包括导电过孔的双极微器件传送头的等距视图图示。
图12是根据本发明的实施例的双极微器件传送头阵列的等距视图图示。
图13是根据本发明的实施例的包括导电接地面的双极微器件传送头阵列的等距视图图示。
图14是根据本发明的实施例的包括导电接地面的双极微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图15是根据本发明的实施例的图示拾起并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。
图16是根据本发明的实施例的在双极电极之上施加的交流电压的示意图示。
图17是根据本发明的实施例的在双极电极之上施加的恒定电压的示意图示。
图18是根据本发明的实施例的向单极电极施加的恒定电压的示意图示。
图19是包括具有比微p-n二极管的顶表面更小的宽度的接触开口的各种微LED结构的截面侧视图。
图20是包括具有比微p-n二极管的顶表面更大的宽度的接触开口的各种微LED结构的截面侧视图。
图21是包括具有与微p-n二极管的顶表面相同的宽度的接触开口的各种微LED结构的截面侧视图。
图22是根据本发明的实施例的经毛细作用(wicked up)的键合层的截面侧视图图示。
图23A-23B包括根据本发明的实施例的载体晶片和微LED器件阵列的顶视图和截面侧视图图示。
图24是根据本发明的实施例的图示拾起并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。
图25是根据本发明的实施例的图示拾起并且从载体衬底向至少一个接收衬底传送微器件阵列的方法的流程图。
图26是根据本发明的实施例的与微LED器件阵列接触的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图27是根据本发明的实施例的与微LED器件阵列接触的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图28是根据本发明的实施例的拾起微LED器件阵列的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图29是根据本发明的实施例的拾起微LED器件阵列的一部分的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图30是根据本发明的实施例的其中微LED器件阵列定位在接收衬底之上的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图31是根据本发明的实施例的选择性地释放到接收衬底上的微器件的截面侧视图图示。
图32是根据本发明的实施例的图示拾起并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。
图33A是根据本发明的实施例的横向上连续的键合层的至少部分熔化的位置的截面侧视图图示。
图33B是根据本发明的实施例的横向上连续的键合层的至少部分熔化的位置的截面侧视图图示。
图34A是根据本发明的实施例的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置的截面侧视图图示。
图34B是根据本发明的实施例的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置的截面侧视图图示。
图35A是根据本发明的实施例的支柱上的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置的截面侧视图图示。
图35B是根据本发明的实施例的(多个)支柱上的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置的截面侧视图图示。
图36是根据本发明的实施例的图示拾起微器件阵列并且从载体衬底向至少一个接收衬底传送微器件阵列的方法的流程图。
图37是根据本发明的实施例的与微LED器件阵列接触的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图38是根据本发明的实施例的拾起微LED器件阵列的微器件传送头阵列的截面侧视图图示。
图39是根据本发明的实施例的其中微LED器件阵列定位在接收衬底之上的微器件传送头阵列的侧视图图示。
图40是根据本发明的实施例的选择性地释放到接收衬底上的微LED器件阵列的侧视图图示。
具体实施方式
本发明的实施例描述了微器件传送头和头阵列、以及向接收衬底传送微器件和微器件阵列的方法。例如，接收衬底可以是(但不限于)显示衬底、发光衬底、具有诸如为晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或具有金属重分布线的衬底。在某些实施例中，这里描述的微器件和微器件阵列可以是图19-21中图示的任意微LED器件结构、以及在相关的第61/561,706号美国临时申请和第61/594,919号美国临时申请中描述的那些。虽然具体地关于微LED描述了本发明的某些实施例，将意识到本发明的实施例不如此受限并且意识到特定实施例还可以应用到诸如为二极管、晶体管、IC、以及MEMS的其他微器件。
在众多实施例中，参照附图来做出描述。然而，可以在没有这些具体细节中的一个或多个的情况下、或结合其他已知方法和配置来实践特定实施例。在下面的描述中，给出大量具体细节(诸如具体配置、尺寸和过程等)，以便提供对本发明的透彻理解。在其他例子中，没有特别详细地描述公知的半导体过程和制造技术，从而以免不必要地模糊本发明。通篇本说明书中“一个实施例”、“实施例”等等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、配置、或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因而，在通篇本说明书中的众多处出现的术语“在一个实施例中”、“实施例”等等不一定指本发明的相同的实施例。进而，在一个或多个实施例中，可以以任意适当的方式来组合特定特征、结构、配置、或特性。
如这里所使用的术语“在…之上”、“到”、“在…之间”以及“在…上”可以指一个层相对于其他层的相对的位置。一个层在另一层“之上”或在另一层“上”的一个层或键合“到”另一层的一个层可以是直接与该另一层接触或可以具有一个或多个居间层。在层“之间”的一个层可以直接与层接触或可以具有一个或多个居间层。
如这里所使用的术语“微”器件或“微”LED结构可以指根据本发明的实施例的特定器件或结构的说明性的大小。如这里所使用的，术语“微”器件或结构意指1到100μm的级别。然而，将意识到本发明的实施例不必然如此受限，并且将意识到实施例的特定方面可以应用到更大的以及可能更小的大小级别。
在一个方面中，本发明的实施例描述了用传送头阵列大量传送预制作的微器件阵列的方式。例如，预制作的微器件可以具有具体的功能性，诸如(但不限于)用于发光的LED、用于逻辑和存储的硅IC、用于射频(RF)通信的砷化镓(GaAs)电路。在某些实施例中，将预备好拾起的微LED器件阵列描述为具有10μmx10μm间距、或5μmx5μm间距。以这些密度，例如，6英寸衬底能够容纳近似1.65亿个具有10μmx10μm间距的微LED器件、或者容纳近似6.60亿个具有5μmx5μm间距的微LED器件。包括与对应的微LED器件阵列的间距的整数倍相匹配的传送头的阵列的传送工具能够用于拾起并且向接收衬底传送微LED器件阵列。以这一方式，有可能将微LED器件集成和组装到异质集成系统中，包括范围从微显示器到大面积显示器的任意大小的衬底，并且以高传送速率进行。例如，1cmx1cm的微器件传送头阵列能够拾起并且传送多于100,000个微器件，其中更大的微器件传送头阵列能够传送更多的微器件。传送头阵列中的每个传送头还可以独立地可控制，这实现了选择性拾起微器件和微器件的释放。
在一个方面中，不限于特定理论，本发明的实施例描述了根据静电夹持器的原理操作的使用相反电荷的吸引来拾起微器件的微器件传送头和头阵列。根据本发明的实施例，向微器件传送头施加吸附电压，以便生成对微器件的夹持力并且拾起微器件。夹持力与充电板面积成比例，因此计算为压强。根据理想的静电理论，单极电极与导电衬底之间的非导电介电层产生以帕斯卡(Pa)为单位的等式(1)中的夹持压强，其中，等式(1)为：
P＝[。/2][Vr/d]2------(1)
其中。＝8.85.10-12，V＝以伏特(V)为单位的电极-衬底电压，r＝介电常数，以及d＝以米(m)为单位的介电厚度。采用使用两个夹持电极的双极夹持器，以上等式中的电压(V)是电极A和B之间的电压的一半，[VA-VB]/2。衬底电势集中在平均电势，[VA＝VB]/2。这一均值通常为零，其中VA＝[-VB]。
在另一方面中，本发明的实施例描述了能够在特定处理和处置操作期间将微器件维持在载体衬底上的键合层，并且该键合层在经历相变之后提供微器件能够保持在其上、还在拾起操作期间从其易于释放的介质。例如，键合层可以是可重新熔化的或可回流的，使得键合层在拾起操作之前或在拾起操作期间经历从固态向液态的相变。在液态下，键合层可以将微器件保持就位在载体衬底上，同时还提供从其易于释放微器件的介质。不限于特定理论，在确定从载体衬底拾起微器件所需的夹持压强中，夹持压力应该超过将微器件保持到载体衬底的力，该力可以包括(但不限于)表面张力、毛细力、粘滞效应、弹性恢复力、范德瓦尔斯力、静摩擦和重力。
根据本发明的实施例，当微器件的尺寸减少到特定范围以下时，将微器件保持到载体衬底的液态键合层的表面张力可以变得比保持微器件的其他力占优势。图1是通过建模分析来获取的一个实施例的图形图示，该图形图示示出了克服表面张力以拾起各种尺寸的微器件所需的压强，假定液态铟(In)键合层在156.7℃的熔化温度具有560mN/m的表面张力。例如，参加图1，示例性的10μmx10μm宽的微器件保持在具有近似2.2个大气压(atm)的表面张压强的载体衬底上，其中铟键合层在156.7℃的该铟键合层的熔化温度具有560mN/m液体表面张力。这比由于重力的压强(对于示例性的10μmx10μm宽x3μm高的氮化镓(GaN)片，其为近似1.8x10-6atm)大得多。
在拾起操作期间表面张力压强和粘滞效应还可以是动态的。图2是通过建模分析来获取的一个实施例的图形图示，该图形图示示出了在保持在具有熔化的铟(In)键合层的载体衬底上的示例性的10μmx10μm宽的微器件的拾起操作期间、表面张力与产生的增加的间隙距离之间的关系。在图2中提及的沿着x轴的间隙距离是微器件的底部和载体衬底之间的距离，并且起始于2μm，其对应于In键合层的未熔化的厚度。如图2中所图示的，在拾起操作开始时，通过夹持压强来初始地克服沿着y轴的2.2atm的表面张力压强。随着接着从载体衬底抬升微器件，表面张力迅速下降，随着进一步抬升微器件远离载体衬底，压强平稳。
图3是通过建模分析来获取的一个实施例的图形图示，该图形图示示出了对于保持在具有熔化的铟(In)键合层的载体衬底上的示例性的10μmx10μm微器件而言在众多拉动速率下的粘滞力压强(atm)与在拾起操作期间创建的增加的间隙距离(μm)之间的关系。图3中提及的间隙距离是微器件的底部与载体衬底之间的距离，并且始于2μm，其对应于In键合层的未熔化的厚度。如所图示的，相比诸如为0.1mm/s的较慢的抬升速度，在诸如为1,000mm/s的较快的抬升速度期间，粘滞力压强更加明显。然而，图3中图示的使用示例性的抬升速度从粘滞效应中生成的压强比在图2中生成和图示的表面张力压强小很多，这表明表面张力压强是在拾起操作期间必须由夹持压强来克服的主导压强。
如果在微器件传送头的介电层与微器件的顶部导电表面之间存在大小(g)的气隙，则等式(2)中的夹持压强是：
P＝[。/2][Vr/(d+rg)]2------(2)
设想气隙能够由于各种源而存在，包括(但不限于)颗粒污染、翘曲、以及传送头或微器件的任一表面的未对准，或传送头或微器件上的附加层的存在(诸如保形介电阻挡层的围绕微器件的顶部导电表面的唇部)。在实施例中，保形介电阻挡层的唇部可以产生其中形成接触开口的气隙并且增加其中存在唇部的传送头的介电层的有效厚度。
如从以上等式(1)和(2)中可见的，可以利用较低的电压，其中在微器件传送头与待拾起的微器件之间不存在气隙。然而，当存在气隙时，这提供了其中气体电容可以与介电层电容竞争的串联电容。为了补偿待拾起的对应的微器件阵列之上的任意微器件传送头阵列之间的气体电容的可能性，可以使用更高的操作电压、更高的介电材料的介电常数、或更薄的介电材料来最大化电场。然而，由于可能的介电击穿和电弧，更高的电场的使用具有限制。
图4是通过建模分析来获取的一个实施例的图形图示，该图形图示示出了随着传送头从微器件的顶部导电表面抽出而由传送头对微器件施加的对应于增加的气隙大小的夹持压强。不同的线对应于传送头上0.5μm与2.0μm之间的不同的Ta2O5介电层厚度，其中，电场保持恒定。如所图示的，在低于近似1nm(0.001μm)的气隙大小的这些条件下，并且对于某些条件甚至高达10nm(0.01μm)，没有观察到对夹持压强的可感知的影响。然而，将意识到可容忍的气隙能够通过改变条件来增加或减少。因而，根据本发明的实施例，在拾起操作期间特定量的气隙容差是可能的并且可能不需要与微器件传送头接触以及微器件的顶部导电表面的实际接触。
现在假定从载体衬底拾起微器件所需的夹持压强应该超过将微器件保持在载体衬底上的压强的和(以及由于气隙的任意压强减少)，有可能通过求解夹持压强等式来取得微器件传送头中的介电材料的操作电压、介电常数、介电厚度之间的关系。为了清楚的目的，假定气隙距离为零，对于单极电极，这成为：
sqrt(P*2/。)＝Vr/d------(3)
根据本发明的实施例，在表1中对于在25V与300V之间的操作电压之间的Al2O3和Ta2O5介电材料、针对期望的2atm(202650Pa)和20atm(2026500Pa)的夹持压强提供了所计算的介电厚度值的示例性的范围，从而图示夹持压强、电压、介电常数和介电厚度的相互依赖性。提供的介电常数是近似的，并且理解到值能够取决于形成方式而变化。
表1
因为夹持压强与介电厚度的反向平方成比例，表1中所计算的介电厚度代表了能够形成的最大厚度以达到具有设定操作电压的必需的夹持压强。低于表1中所提供的那些的厚度可以导致设定操作电压下更高的夹持压强，然而更小的厚度增加了介电层上所施加的电场，这需要介电材料拥有足够抵抗所施加的电场而不短路的介电强度。还将意识到表1中提供的夹持压强、电压、介电常数和介电厚度值本质上是示例性的，并且被提供以便提供根据本发明的实施例的微器件传送头的工作范围的基础。已经按照理想的静电理论图示了表1中所提供的夹持压强、电压、介电常数以及介电厚度值之间的关系，并且本发明的实施例不由此限制。
现在参见图5，提供了根据本发明的实施例的单极微器件传送头和头阵列的侧视图图示。如所示的，每个单极器件传送头100可以包括基底衬底102、包括顶表面108和侧壁106的台面结构104、在台面结构104上形成并且包括顶表面109和侧壁107的可选的钝化层110、在台面结构104(以及可选的钝化层110)之上形成的电极116和具有覆盖电极116的顶表面121的介电层120。基底衬底102可以由各种材料形成，诸如能够提供结构支撑的硅、陶瓷和聚合物。在实施例中，基底衬底具有103与1018欧姆-厘米(ohm-cm)之间的导电率。基底衬底102可以附加地包括布线(未示出)以将微器件传送头100连接到静电夹持器组件的工作电子器件。
台面结构104可以使用适当的处理技术来形成，并且可以由与基底衬底102相同的或不同的材料形成。在一个实施例中，台面结构104例如通过使用微影图案化和蚀刻、或浇筑技术来与基底衬底104整体形成。在实施例中，能够利用各向异性蚀刻技术来形成台面结构104的锥形侧壁106。在另一实施例中，台面结构104可以在基底衬底102的顶部上沉积或生长、或图案化。在实施例中，台面结构104是在半导体衬底(诸如为硅)之上形成的图案化的氧化层(诸如为二氧化硅)。
在一个方面中，台面结构104生成从基底衬底突出的轮廓以使得提供局部的接触点以在拾起操作期间拾起具体的微器件。在实施例中，台面结构104具有近似1μm到5μm的高度，或者更具体地近似2μm的高度。台面结构104的具体尺寸可以取决于待拾起的微器件的具体尺寸，以及在台面结构之上形成的任意层的厚度。在实施例中，基底衬底102上的台面结构104阵列的高度、宽度、以及平坦度在基底衬底上是一致的，使得每个微器件传送头100能够在拾起操作期间与每个对应的微器件接触。在实施例中，相比于对应的微器件阵列中的每个微器件的顶表面的宽度，每个微器件传送头的顶表面121上的宽度稍大、近似相同、或者更小，使得在拾起操作期间传送头不会不经意地与相邻于意图的对应的微器件的微器件接触。如下面进一步详细描述的，因为附加的层110、112、120可以在台面结构104之上形成，台面结构的宽度可以考虑到上覆层的厚度，使得相比于对应的微器件阵列中的每个微器件的顶表面的宽度，每个微器件传送头的顶表面121上的宽度稍大、近似相同、或更小。
仍然参见图5，台面结构104具有顶表面108(可以是平坦的)以及侧壁106。在实施例中，例如，侧壁106可以呈锥形至10度。如下面进一步描述的，使侧壁106成锥形在形成电极116和电极引线114中可以是有益的。钝化层110然后可以可选地在基底衬底102和台面结构104阵列上沉积或生长。钝化层110能够通过各种适当的技术(诸如化学气相沉积(CVD)、溅射、或原子层沉积(ALD))来沉积。在实施例中，钝化层110可以是0.5μm-2.0μm厚的氧化物，诸如但不限于氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)或氧化钽(Ta2O5)。
导电层112然后可以被沉积在台面结构104阵列以及可选的钝化层110之上，并且图案化以形成电极116和电极引线114。例如，能够利用剥离(lift off)技术以形成电极116和电极引线114，其中光阻层在衬底上沉积和图案化，跟随有金属层的沉积，且将光阻(resist)和光阻的金属层的一部分剥离从而留下期望图案的。可替代地，能够执行跟随有图案化和蚀刻的金属层沉积以达到期望的图案。电极引线114可以从台面结构104的顶表面108(以及可选的钝化层110的顶表面109)上的电极116延伸并且沿着台面结构104的侧壁106(以及沿着可选的钝化层110的侧壁107)延伸。用于形成电极116和电极引线114的导电层112可以是单层或多层。包括金属、金属合金、难熔金属、以及难熔金属合金的各种导电材料可以被采用，以形成导电层112。在实施例中，导电层112具有达到5,000埃(0.5μm)的厚度。在实施例中，导电层112包括诸如为铂的高熔化温度金属、或难熔金属或难熔金属合金。例如，导电层可以包括铂、钛、钒、铬、锆、铌、钼、钌、铑、铪、钽、钨、铼、锇、铱以及其合金。难熔金属和难熔金属合金通常显示出比其他金属更高的耐热性和耐磨性。在实施例中，导电层112是近似500埃(0.05μm)厚的钛钨(TiW)难熔金属合金。
然后将介电层120沉积于电极116和基底衬底102上的其他暴露层之上。在实施例中，介电层120具有适当的厚度和用于达到微器件传送头100所需要的夹持压强的介电常数，且具有足够的介电强度以不在操作电压下损坏。介电层可以是单层或多层。在实施例中，介电层是0.5μm至2.0μm厚，尽管厚度或多或少取决于传送头100以及下层台面结构104的具体外形。适当的介电材料可以包括(但不限于)氧化铝(Al2O3)和氧化钽(Ta2O5)。返回参见上面的表1，提供了具有22V/μm至71V/μm的施加的电场(借由电压除以介电厚度来决定)的Al2O3介电层的实施例和具有9V/μm至28V/μm的施加的电场的Ta2O5介电层的实施例。根据本发明的实施例，介电层120拥有大于施加的电场的介电强度以便避免在操作期间传送头短路。能够借由各种适当的技术(诸如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和诸如为溅射的物理气相沉积(PVD))来沉积介电层120。跟随着沉积，可以附加地将介电层120退火。在一个实施例中，介电层120拥有至少400V/μm的介电强度。这样的高介电强度能够允许使用比示例性的表1中提供的经计算的厚度更薄的介电层。能够利用诸如为ALD的技术来沉积具有好的介电强度的均匀、保形、紧密和/或无针孔的介电层。还能够利用多个层来达到这样的无针孔介电层120。还可以利用不同介电材料的多层来形成介电层120。在实施例中，下面的导电层112包括拥有高于(多个)介电层材料的沉积温度的熔化温度的铂或难熔金属或难熔金属合金，以使得不是选择介电层的沉积温度中的限制因素。在实施例中，跟随着介电层120的沉积，可以在介电层120之上形成薄涂层(未示出)以提供特定静摩擦系数来增加横向摩擦且使微器件免于在拾起操作期间碰掉传送头。在这样的实施例中，附加薄涂层替代顶表面121作为接触表面，且这一表面保持这里描述的空间(dimensional)阵列要求。进而，附加涂层能够影响微器件传送头的介电性质，这可能影响微器件传送头的可操作性。在实施例中，附加涂层厚度能够为最小(例如，10nm以下)以使得对夹持压强具有很少甚至没有可感知的影响。
图6为在覆盖台面结构104的可选钝化层110之上形成的电极116和电极引线114的近视等距视图图示。为了清楚起见，未图示上面的介电层120，且将可选钝化层110和台面结构104图示为单个台面结构/钝化层104/110。在示例性的实施例中(其中钝化层110和介电层120都为0.5μm厚)，台面结构/钝化层104/110的电极116形成在其上的顶表面108/109为近似7μmx7μm从而达到传送头100的8μmx8μm顶表面。根据实施例，在保持在图案化容差内的同时，电极116尽可能覆盖台面结构/钝化层104/110的顶表面108/109的最大量的表面区域。最小化空闲空间的量增加了电容和能够由微器件传送头达到的所得的夹持压强。虽然在图6中的台面结构/钝化层104/110的顶表面108/109上图示了一定量的空闲空间，但是电极116可以覆盖整个顶表面108/109。电极116还可以稍微大于顶表面108/109，并且部分地沿着台面结构/钝化层104/110的侧壁106/107向下延伸以确保完全覆盖顶表面108/109。将意识到，台面阵列可以具有各种不同的间距，并且本发明的实施例不限于10μm间距的台面结构/钝化层104/110的示例性的7μmx7μm的顶表面。
现在参见图7，根据本发明的实施例，提供了双极微器件传送头100和头阵列的侧视图图示。如所示的，双极器件传送头100可以包括基底衬底102、包括顶表面108和侧壁106的台面结构104、包括顶表面109和侧壁107的钝化层110、在台面结构104上之上形成的一对电极116A、116B以及电极引线114A、114B、可选的钝化层110和覆盖该对电极116A、116B的介电层120。
图8为在覆盖台面结构104的可选钝化层110之上形成的电极116A、116B和电极引线114A、114B的近视等距视图。为了清楚的目的，未图示上面的介电层120，并且将可选钝化层110和台面结构104图示为单个台面结构/钝化层104/110。图8稍微区别于图7，在于将电极引线114A、114B图示为沿着台面结构/钝化层104/110的单个侧壁而非相对的侧壁延伸。根据本发明的实施例，电极引线114A、114B可以沿着任意适当侧壁延伸。在示例性的实施例中，其中台面结构/钝化层104/110的顶表面108/109为对应于具有10μm间距的台面阵列的近似7μmx7μm)，电极可以尽可能覆盖台面结构/钝化层104/110的顶表面108/109的最大量的表面面积，同时仍提供电极116A与电极116B之间的间隔。最小量的间隔距离可以通过考虑最大化表面面积、同时避免来自电极的电场重叠来平衡。例如，可以使电极116A、116B间隔0.5μm或更少，并且最小间隔距离可以受电极的高度限制。在实施例中，电极在一个方向上稍微长于顶表面108/109，且部分地沿着台面结构/钝化层104/110的侧壁向下延伸以确保顶表面108/109的最大覆盖。将意识到，台面阵列可以具有各种不同的间距，并且将意识到本发明的实施例不限于10μm间距的台面结构/钝化层104/110的示例性的7μmx7μm顶表面。
现在参见图9和图10，根据本发明的实施例，提供了双极微器件传送头的电极116A、116B的顶视图图示。至此，已经将台面结构104描述为图9中所示的单个台面结构。然而，本发明的实施例不如此受限。在图10中图示的实施例中，每个电极116在由沟槽105间隔的单独的台面结构104A、104B上形成。可选钝化层110(未图示)能够覆盖两个台面结构104A、104B。
现在参见图11，根据本发明的实施例，提供了备选的电极引线配置的等距视图图示。在这样的实施例中，电极引线114A、114B延伸到台面结构104的一部分的下面，并且导电过孔117A、117B延伸穿过台面结构104(以及未图示的可选钝化层110)，将电极116A、116B连接到相应的电极引线114A、114B。在这样的实施例中，电极引线114A、115B可以在形成台面结构104之前形成，并且可以由与电极引线114A、114B以及电极116A、116B相同或不同的导电材料来形成。尽管在图11中关于双极电极结构图示了过孔117A、117B，但是应该理解到，还可以将上面描述的过孔或多个过孔集成到单极电极结构中。
现在参见图12至图14，图示本发明的实施例，其中导电接地面在介电层之上并且围绕台面结构阵列形成。图12是具有如之前关于图8所描述的双极电极配置的微器件传送头100阵列的等距视图图示。为了清楚的目的，未图示可选的下面的钝化层和上面的介电层。现在参见图13至图14，导电接地面130在介电层120之上并且围绕台面结构104阵列形成。接地面130的出现可以帮助防止(特别是在施加高电压期间)传送头100之间的电弧。接地面130可以由导电材料形成，该导电材料可以与用来形成电极或过孔的导电材料相同或不同。接地面130还可以由具有比用来形成电极的导电材料低的熔化温度的导电材料形成，这是因为不需要在形成接地面130之后沉积较好质量(例如介电强度)的介电层至介电层120。
图15是图示根据本发明的实施例的拾起并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。在操作1510处，将传送头定位在被连接到载体衬底的微器件之上。如上面的实施例中所描述的，传送头可以包括台面结构、在台面结构之上的电极、以及覆盖电极的介电层。因而，如上面的实施例中所描述的，传送头可以具有单极或双极电极配置、以及任何其他结构变型。然后在操作1520处使微器件与传送头接触。在实施例中，微器件与传送头的介电层120接触。在备选实施例中，将传送头定位在微器件之上，其中不会显著影响夹持压强的适当气隙(例如，1nm(0.001μm)或10nm(0.01μm))间隔传送头和微器件。在操作1530处，向电极施加电压以产生对微器件的夹持压强，并且在操作1540处，使用传送头来拾起微器件。然后在操作1550处将微器件释放到接收衬底上。
尽管已经在图15中顺序地图示了操作1510至操作1550，但是将意识到，实施例不如此受限并且可以执行附加的操作并且可以以不同顺序来执行特定操作。例如，在一个实施例中，在使微器件与传送头接触之后，传送头摩擦过微器件的顶表面，以便逐出可能出现在传送头或微器件中的任一者的接触表面上的任何颗粒。在另一实施例中，在拾起微器件之前或拾起微器件的同时执行操作以产生将微器件连接到载体衬底的键合层的相变。如果键合层的一部分与微器件一起被拾起，则能够执行附加的操作以在随后处理期间控制键合层的该部分的相。
能够以众多顺序执行向电极施加电压以产生对微器件的夹持压强的操作1530。例如，能够在使微器件与传送头接触之前、使微器件与传送头接触的同时、或在使微器件与传送头接触之后施加电压。还可以在产生键合层的相变之前、同时、或之后施加电压。
图16为根据本发明的实施例的在双极电极上施加的交流电压的示意图，其中传送头与微器件接触。如所图示的，可以将单独的交流(AC)电压源施加于每个电极引线114A、114B，在该对电极116A、116B上施加交流电压，使得当向电极116A施加负电压的特定时间点向电极116B施加正电压，反之亦然。可以使用各种方法来完成从传送头释放微器件，该各种方法包括关闭电压源、降低该对电极上的电压、改变AC电压的波形、以及将电压源接地。图17是根据本发明的实施例的向双极电极施加的恒定电压的示意图。在图示的特定实施例中，向电极116A施加负电压，同时向电极116B施加正电压。图18是根据本发明的实施例的向单极电压施加的恒定电压的示意图。一旦传送头拾起图18中图示的微器件，则传送头能够保持微器件的时间量可以为介电层的放电速率的函数，因为仅仅向电极116施加单个电压。从图14中图示的传送头释放微器件可以通过关闭电压源、将电压源接地、或使得恒定电压的极性反向来完成。
在图16至图18所图示的特定实施例中，微器件200是图19示例19O中图示的那些微器件。然而，图16至图18中图示的微器件可以是来自图19至图21中图示的微型LED器件结构的任意微器件、以及在相关的第61/561,706号美国临时申请和第61/594,919号美国临时申请中所描述的那些。例如，微LED器件200可以包括微p-n二极管235、250以及金属化层220，其中，金属化层在微p-n二极管235、250与在衬底201上形成的键合层210之间。在实施例中，微p-n二极管250包括顶部n掺杂层214、一个或多个量子阱层216、以及下面的p掺杂层218。微p-n二极管能够由直侧壁或锥形壁来制作。在某些实施例中，微p-n二极管250拥有向外呈锥形的侧壁253(自顶部到底部)。在某些实施例中，微p-n二极管235拥有向内呈锥形的侧壁253(自顶部到底部)。金属化层220可以包括一个或多个层。例如，金属化层220可以包括电极层以及在电极层与键合层之间的阻挡层。微p-n二极管和金属化层中的每一者可以具有顶表面、底表面以及侧壁。在实施例中，微p-n二极管250的底表面251比微p-n二极管的顶表面252宽，并且侧壁253是从顶部到底部向外呈锥形的。微p-n二极管235的顶表面可以比p-n二极管的底表面宽、或者为近似相同的宽度。在实施例中，微p-n二极管250的底表面251比金属化层220的顶表面221宽。微p-n二极管的底表面还可以比金属化层的顶表面宽、或与金属化层的顶表面近似相同的宽度。
保形介电阻挡层260可以可选地在微p-n二极管235、250以及其他暴露面之上形成。保形介电阻挡层260可以比微p-n二极管235、250、金属化层220以及可选地比键合层210更薄，使得保形介电阻挡层260形成它在其上形成的外形的轮廓。在实施例中，微p-n二极管235、250为几微米厚，诸如3μm，金属化层220为0.1μm至2μm厚，并且键合层210为0.1μm至2μm厚。在实施例中，保形介电阻挡层260为近似50埃至600埃厚的氧化铝(Al2O3)。保形介电阻挡层260可以通过各种适当技术(诸如为(但不限于)原子层沉积(ALD))而被沉积。保形介电阻挡层260可以防止拾起过程期间在相邻微p-n二极管之间的电荷电弧，并且由此防止相邻微p-n二极管在拾起过程期间粘合在一起。保形介电阻挡层260还可以防止微p-n二极管的侧壁253、量子阱层216以及底表面251受污染，该污染能够影响微p-n二极管的完整性。例如，保形介电阻挡层260能够起物理阻挡的功能以沿着微p-n二极管150的侧壁以及量子层216向上对键合层材料210进行毛细作用。保形介电阻挡层260还可以在微p-n二极管250被置于接收衬底之后使微p-n二极管250绝缘。在实施例中，保形介电阻挡层260横跨微p-n二极管的侧壁253，并且可以覆盖微p-n二极管中的量子阱层216。保形介电阻挡层还可以部分地横跨微p-n二极管的底表面251，以及横跨金属化层220的侧壁。在某些实施例中，保形介电阻挡层还横跨图案化的键合层210的侧壁。接触开口262可以形成于保形介电阻挡层260中，从而暴露微p-n二极管的顶表面252。在实施例中，保形介电阻挡层260为由与键合头的介电层120相同的材料形成。取决于特定微LED器件结构，保形介电阻挡层260还可以横跨键合层210的侧壁、以及载体衬底和支柱(若支柱存在)。
参见图19，接触开口262可以具有比微p-n二极管的顶表面252小的宽度，并且保形介电阻挡层260形成围绕微p-n二极管的顶表面252的边缘的唇部。参见图20，接触开口262可以具有比微p-n二极管的顶表面稍大的宽度。在这样的实施例中，接触开口302暴露微p-n二极管的顶表面252以及微p-n二极管的侧壁253的上部，同时保形介电阻挡层260覆盖并且绝缘一个或更多个量子阱层216。参见图21，保形介电层260可以具有与微p-n二极管的顶表面近似相同的宽度。保形介电层260还可以沿着图19至图21中图示的微p-n二极管的底表面251进行横跨。
键合层210可以由能够在特定处理和处置操作期间维持微LED器件200于载体衬底201上的材料形成，并且在经历相变之后，提供其上能够保持并且还易于在拾起操作期间释放微LED器件200的介质。例如，键合层可以为可重新熔化的或可回流的，使得键合层在拾起操作之前或在拾起操作期间经历从固态向液态的相变。在液态下，键合层可以将微LED器保持就位在载体衬底上的地方，同时还提供易于从其释放微LED器件200的介质。在实施例中，键合层210具有低于近似350℃的液相线温度或熔化温度，或更具体地低于近似200℃。在这样的温度下，键合层可以经历相变而不实质上影响微LED器件的其他组件。例如，键合层可以由金属或金属合金或可移除的热塑性聚合物形成。例如，键合层可以包括铟、锡、或诸如聚乙烯或聚丙烯的热塑性聚合物。在实施例中，键合层可以为导电的。例如，在键合层响应于温度的改变而经历从固态向液态的相变的情况下，键合层的一部分可以在拾起操作期间保持于微LED器件上。在这样的实施例中，键合层由导电材料形成可以是有利的，使得当随后向接收衬底传送键合层时，键合层不会不利地影响微LED器件。在这一情形下，导电键合层的在传送期间保持在微LED器件上的该部分可以帮助将微LED器件键合到接收衬底上的导电衬垫。在具体的实施例中，键合层可以由铟形成，铟具有156.7℃的熔化温度。键合层可以在衬底201上横向上连续，或者还可以在横向上单独的位置被形成。例如，键合层的横向上单独的位置可以具有比微p-n二极管或金属化层的底表面小的宽度或与微p-n二极管或金属化层的底表面近似相同的宽度。在某些实施例中，微p-n二极管可以可选地在衬底的支柱202之上被形成。
焊料可以为用于键合层210的适当的材料，因为许多焊料在焊料的固态中通常为韧性材料并且半导体表面和金属表面显示出良好湿润性。典型的合金不是熔化在单个温度处，而是熔化在温度范围上。因此，焊料合金经常以对应于最低温度的液相线温度以及对应于最高温度的固相线温度为特征，合金在该最低温度下保持液态并且在该最高温度下保持固态。在表1中提供了可以与本发明的实施例一起利用的低熔化焊料材料的示例性清单。
表1
化学组成 液相线温度(℃) 固相线温度(℃)
100 In 156.7 156.7
66.3 In 33.7 Bi 72 72
51 In 32.5 Bi 16.5 Sn 60 60
57 Bi 26 In 17 Sn 79 79
54.02 Bi 29.68 In 16.3 Sn 81 81
67 Bi 33 In 109 109
50 In 50 Sn 125 118
52 Sn 48 In 131 118
58 Bi 42 Sn 138 138
97 In 3Ag 143 143
58 Sn 42 In 145 118
99.3 In 0.7 Ga 150 150
95 In 5 Bi 150 125
99.4 In 0.6 Ga 152 152
99.6 In 0.4 Ga 153 153
99.5 In 0.5 Ga 154 154
60 Sn 40 Bi 170 138
100 Sn 232 232
95 Sn 5 Sb 240 235
在表2中提供了可以与本发明的实施例一起利用的热塑性聚合物的示例性清单。
表2
聚合物 熔化温度(℃)
丙烯酸(PMMA) 130-140
聚甲醛(POM或乙缩醛) 166
聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT) 160
聚已酸内酯(PCL) 62
聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET) 260
聚碳酸酯(PC) 267
聚酯 260
聚乙烯(PE) 105-130
聚醚醚酮(PEEK) 343
聚乳酸(PLA) 50-80
聚丙烯(PP) 160
聚苯乙烯(PS) 240
聚偏二氯乙烯(PVDC) 185
现在参见图22，根据某些实施例，有可能一定量的键合层在制作载体衬底201上的微p-n二极管250阵列期间沿着金属化层220的侧表面并且沿着微p-n二极管250的底表面251受到毛细作用。以这一方式，沿着微p-n二极管250的底表面251和金属化层220的侧表面而横跨的保形介电阻挡层260可以起物理阻挡的作用以在随后的温度周期(特别地，在键合层材料210的液相线温度或熔化温度之上的温度)期间(诸如在从载体衬底拾起微LED器件并且将微LED器件释放到接收衬底上期间)防止微p-n二极管250的侧壁253和量子阱层216受键合层材料210污染。
图23A至图23B包括根据本发明的实施例的载体衬底201和微LED器件阵列的顶视图图示和截面侧视图图示。在图示的特定实施例中，阵列由包括微p-n二极管150的示例19N的微LED器件产生。然而，应该意识到，图23A至图23B意为示例性的，并且意指微LED器件阵列能够由之前描述的任意微LED器件形成。在图23A中图示的实施例中，将每个个体微p-n二极管250图示为具有不同的直径或宽度(对应于微p-n二极管250的顶表面和底表面的不同宽度)的一对同心圆、以及对应的横跨于顶表面与底表面之间的呈锥形的侧壁。在图23B中图示的实施例中，将每个个体微p-n二极管250图示为具有锥形角或圆角的一对同心正方形(其中每个正方形具有对应于微p-n二极管250的顶表面和底表面的不同宽度的不同宽度)、以及横跨顶表面和底表面的对应的呈锥形的侧壁。然而，本发明的实施例不要求呈锥形的侧壁，并且微p-n二极管250的顶表面和底表面可以具有相同直径或宽度以及竖直的侧壁。如在图23A至图23B中所图示的，将微LED器件阵列描述为具有间距(P)、在每个微LED器件之间的间隔(S)以及每个微LED器件的最大宽度(W)。为了清楚和简洁，在顶视图图示中仅仅通过虚线来图示x维，尽管理解到，可以存在类似的y维并且y维可以具有相同或不同的尺寸值。在图23A至图23B中图示的特定实施例中，x维值以及y维值在顶视图图示中是一致的。在一个实施例中，微LED器件阵列可以具有10μm的间距(P)，其中每个微LED器件具有2μm的间隔(S)和8μm的最大宽度(W)。在另一实施例中，微LED器件阵列可以具有5μm的间距(P)，其中每个微LED器件具有2μm的间隔(S)和3μm的最大宽度(W)。然而，本发明的实施例不限于这些具体的尺寸，并且可以利用任意适当的尺寸。
图24是图示根据本发明的实施例的拾起微器件并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。在操作2410处，将传送头定位在用键合层连接到载体衬底的微器件之上。传送头可以是这里所描述的任意传送头。微器件可以是图19至图21中图示的微LED器件结构中的任意微LED器件结构、以及在相关的第61/561,706号美国临时申请以及第61/594,919号美国临时申请中描述的那些。然后在操作2420处使微器件与传送头接触。在实施例中，微器件与传送头的介电层120接触。在备选实施例中，将传送头定位在微器件之上而具有分隔它们的不显著影响夹持压强的适当的气隙(例如1nm(0.001μm)或10nm(0.01μm))。在操作2425处，执行操作以产生键合层210的从固态向液态的相变。例如，操作可以包括在156.7℃的熔化温度或在156.7℃之上的熔化温度下加热In键合层。在另一实施例中，能够在操作2420之前执行操作2425。在操作2430处，向电极施加电压以产生对微器件的夹持压强，并且在操作2440处，用传送头来拾起微器件和键合层210的一大部分。例如，可以使用微器件来拾起近似一半的键合层210。在备选实施例中，全部键合层210都不被用传送头拾起。在操作2445处，将微器件和键合层210的部分放置成与接收衬底接触。然后在操作2450处将微器件和键合层210的部分释放到接收衬底上。当拾起、传送、接触接收衬底、以及将微器件和键合层210的部分释放到接收衬底上时，能够执行各种操作以控制键合层的该部分的相。例如，在接触操作2445期间以及在释放操作2450期间，能够将与微器件一起拾起的键合层的该部分维持在液态。在另一实施例中，能够在拾起之后允许将键合层的该部分冷却至固相。例如，键合层的该部分能够在接触操作2445期间处于固相，并且键合层的该部分能够在释放操作2450之前或在释放操作2450期间再次熔化到液态。能够根据本发明的实施例来执行各种温度和材料相周期。
图25是图示根据本发明的实施例的拾起并且从载体衬底向至少一个接收衬底传送微器件阵列的方法的流程图。在操作2510处，将传送头阵列定位在微型器件阵列之上，其中每个传送头具有台面结构、在台面结构之上的电极、以及覆盖电极的介电层。在操作2520处，使微器件阵列与传送头阵列接触。在备选实施例中，将传送头阵列定位在微器件阵列之上而具有间隔传送头阵列和微器件阵列的不显著影响夹持压强的适当的气隙(例如1nm(0.001μm)或10nm(0.01μm))。图26为根据本发明的实施例的与微LED器件200阵列接触的微器件传送头100阵列的侧视图图示。如图26中所图示的，传送头100阵列的间距(P)与微LED器件200的间距相匹配，其中，传送头阵列的间距(P)为在传送头之间的间隔(S)与传送头的宽度(W)的和。
在一个实施例中，微LED器件200阵列具有10μm的间距，其中，每个微LED器件具有2μm的间隔和8μm的最大宽度。在示例性的实施例中，假定具有直侧壁的微p-n二极管250，每个微LED器件200的顶表面具有近似8μm的宽度。在这样的示例性的实施例中，对应的传送头100的顶表面121的宽度为近似8μm或更小，以免与相邻的微LED器件非故意接触。在另一实施例中，微LED器件200阵列可以具有5μm的间距，其中每个微LED器件具有2μm的间隔和3μm的最大宽度。在示例性的实施例中，每个微LED器件200的顶表面具有近似3μm的宽度。在这样的示例性的实施例中，对应的传送头100的顶表面121的宽度为近似3μm或更小，以使得避免与相邻的微LED器件200非故意接触。然而，本发明的实施例不限于这些特定尺寸，并且可以是任意适当的尺寸。
图27是根据本发明的实施例的与微LED器件200阵列接触的微器件传送头阵列的侧视图图示。在图27图示的实施例中，传送头的间距(P)为微器件阵列的间距的整数倍。在图示的特定实施例中，传送头的间距(P)是微LED器件阵列的间距的3倍。在这样的实施例中，具有更大的传送头间距可以防止传送头之间的电弧。
再次参见图25，在操作2530处，选择性地向传送头100阵列的一部分施加电压。因而，可以独立地操作每个传送头100。在操作2540处，用传送头阵列的选择性地向其施加电压的部分来拾起微器件阵列的对应部分。在一个实施例中，选择性地向传送头阵列的一部分施加电压意指向传送头阵列中的每个传送头施加电压。图28是根据本发明的实施例的拾起微LED器件200阵列的微器件传送头阵列中的每一个传送头的侧视图图示。在另一实施例中，选择性地向传送头阵列的一部分施加电压意指向少于传送头阵列中的每一个传送头(例如，传送头的子集)施加电压。图29是根据本发明的实施例的拾起微LED器件200阵列的一部分的微器件传送头阵列的子集的侧视图图示。图28至图29中图示的特定实施例中，拾起操作包括拾起用于微LED器件200的微p-n二极管250、金属化层220以及保形介电阻挡层260的一部分。在图28至图29中图示的特定实施例中，拾起操作包括拾起键合层210的一大部分。相应地，关于图25至图31描述的任意实施例还可以跟随有如关于图24所描述的控制键合层210的该部分的温度。例如，关于图25至图31所描述的实施例可以包括执行操作以在拾起微器件阵列之前在将微器件阵列连接到载体衬底201的键合层的多个位置中产生从固态向液态的相变。在实施例中，键合层的该多个位置能够是相同键合层的区域。在实施例中，键合层的该多个位置能够是键合层的横向上单独的位置。
在操作2550处，然后将微器件阵列的该部分释放到至少一个接收衬底上。因而，能够将微LED阵列全部释放到单个接收衬底上、或选择性地释放到多个衬底上。例如，接收衬底可以是(但不限于)显示衬底、发光衬底、具有诸如为晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或具有金属重分布线的衬底。释放可以通过使用关于图16至图18所描述的任意方式来影所施加的电压来完成。
图30是将对应的微LED器件200阵列保持在包括多个驱动器触点310的接收衬底301之上的微器件传送头阵列的侧视图图示。然后微LED器件200阵列可以被放置成与接收衬底接触并且然后选择性地被释放。图31是根据本发明的实施例的选择性地被释放到接收衬底301上的、驱动器触点310之上的单个微LED器件200的侧视图图示。在另一实施例中，多于一个微LED器件200被释放、或整个微LED器件200阵列被释放。
图32是图示根据本发明的实施例的拾起微器件并且从载体衬底向接收衬底传送微器件的方法的流程图。为了清楚的目的，相对于图33A至图35B中图示的众多结构配置来描述图32，然而本发明的实施例不如此受限并且可以使用这里提及的其他结构配置来实践。在操作3210处，载有被连接到键合层的微器件的载体衬底可选地被加热至键合层的液相线温度之下的温度。在实施例中，载体衬底被加热至比键合层的液相线温度低1℃至10℃的温度，然而可以使用更低或更高的温度。来自载体衬底的热量可以从载体衬底转移到键合层，以还将键合层维持在近似相同的温度。在操作3220处，传送头被加热至键合层的液相线温度之上的温度。例如，传送头可以被加热至比键合层的液相线温度高1℃到150℃、并且更具体地高1℃到50℃的温度，然而可以使用更高的温度。然后在操作3225处使微器件与传送头接触，并且在操作3230处热量从传送头100被转移到键合层210中以至少部分地熔化键合层。备选地，在操作3225处能够使微器件与传送头接触，跟随有在操作3220处加热传送头至键合层的液相线温度之上的温度，使得在操作1030处热量从传送头100被转移到键合层210中以至少部分地熔化键合层。相应地，将理解到，能够按照与顺序编号的操作不同的顺序来进行在图32和图36中图示的流程图中的操作顺序。在实施例中，加热传送头和载体衬底至使得键合层的足够部分在微器件与被加热至比液相线之上的温度的传送头接触后快速熔化的温度，使得在产生克服将微器件保持到载体衬底的表面张力的夹持压强之后可以利用传送头来拾起微器件。系统的微器件的大小、拾起速度、以及热传导性为确定温度的因素。
图33A是根据本发明的实施例的键合层的直接在微LED器件200下方的横向上连续的至少部分熔化的位置215的侧视图图示。如所图示的，用指示区域211处于液态的深色阴影来图示键合层210的直接位于微器件200下方的位置215中的区域211，同时键合层210的较浅阴影部分213处于固态。在图33A中所图示的特定实施例中，键合层210的区域211的局部熔化可以通过单独地加热载有微器件200的衬底201以及载有传送头100的传送头组件来完成。例如，能够用可选的加热单元402(由虚线指示)和热分布平板400来将载体衬底201全局地加热至比键合层的液相线温度低1℃到10℃的温度，并且能够使用加热单元502和热分布平板500来加热传送头至比键合层的液相线温度高1℃到150℃(并且，更具体地高1℃到150℃)的温度。能够以其他方式来施加热量，诸如IR热灯、激光、电阻式加热单元，以及其他。还可以局部地加热衬底201。
图33B是根据本发明的实施例的键合层的直接在微LED器件200下方的横向上连续的至少部分熔化的位置的侧视图图示。如所图示的，用指示区域211处于液态的深色阴影来图示键合层210的直接位于微器件200下方的位置。在图33B中所图示的特定实施例中，基本上全部的横向上连续的键合层210都处于液态211，这可以通过例如用加热单元402和热分布平板400来全局地加热载有微器件200的衬底201至键合层210的液相线温度或该温度之上，而不要求传送头100的单独加热。
图34A是根据本发明的另一实施例的键合层的直接在微LED器件200下方的至少部分熔化的横向上单独的位置215的侧视图图示。如所图示的，键合层210的直接在微器件200下方的位置215是横向上单独的位置，其中键合层的直接位于与传送头100接触的微器件200下方的横向上单独的位置215至少部分地被熔化，由区域211的阴影来指示。类似于图33A，键合层210的横向上单独的位置的区域211的局部熔化可以通过单独加热载有微器件200的衬底201、以及载有传送头100的传送头组件来完成。对于局部加热，借由虚线指示的加热单元402可以是可选的。还可以局部地加热载体衬底201。
图34B是根据本发明的实施例的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置的侧视图图示。如所图示的，用指示区域211处于液态的深色阴影来图示键合层210的位于微器件200下方的横向上单独的位置215。在图34B中所图示的特定实施例中，基本上键合层210的每个横向上单独的位置215的所有都被熔化，这可以通过例如用加热单元402和热分布平板400来全局地加热载有微器件200的衬底201至键合层210的液相线温度或该温度之上来完成，而不要求对传送头100的单独加热。
图35A是根据本发明的实施例的在支柱202上的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置215的侧视图图示。如所图示的，键合层210的位于微器件200下方的位置215为横向上单独的位置，其中键合层的位于微器件200下方的横向上单独的位置215(由区域211的阴影指示)与至少部分熔化的传送头100接触。类似于图33A，键合层210的横向上单独的位置215的区域211的局部的熔化可以通过单独地加热载有微器件200的衬底201和载有传送头100的传送头组件来完成。对于局部的加热，由虚线指示的加热单元402可以是可选的。还可以将载体衬底201局部地加热。
图35B是根据本发明的实施例的支柱202上的键合层的至少部分熔化的横向上单独的位置215的侧视图图示。如所图示的，用指示区域211处于液态的深色阴影来图示键合层210的位于微器件200下方的横向上单独的位置。在图35B中所图示的特定实施例中，键合层210的每个横向上单独的位置215被熔化，这可以通过例如使用加热单元402和热分布平板400来全局地加热载有微器件200的衬底201至键合层210的液相线温度或该温度之上来完成，而不要求传送头100的单独加热。
再次参见图32，在操作3240处向传送头100中的一个或多个电极116施加电压以产生对微器件200的夹持压强，并且在操作3250处用传送头来拾起微器件。如上面所述的，能够按照与顺序编号操作不同的顺序来进行在图32和图36中图示的流程图的操作顺序。例如，在一系列的操作中能够较早执行向传送头施加电压以产生对微器件的夹持压强的操作3240。在实施例中，在操作3245处用传送头100来拾起键合层210的一大部分。例如，可以用微器件200来拾起键合层210的近似一半。在备选实施例中，所有键合层210都不用传送头来拾起。在实施例中，用微器件200来拾起保形介电阻挡层260的一部分。例如，用微器件来拾起保形介电阻挡层的横跨微器件的侧壁235和一部分底表面251的一部分。保形介电阻挡层的横跨侧壁253的部分可以覆盖微器件的量子阱层216。在操作1050处，将微器件和可选的键合层210的一部分以及保形介电阻挡层260放置成与接收衬底接触。然后在操作1060处将微器件和可选的键合层210的一部分以及保形介电阻挡层260释放到接收衬底上。
再次参见图33A至图35B，在图示的特定实施例中，微p-n二极管250的底表面比金属化层220的顶表面更宽，并且保形介电阻挡层260横跨微p-n二极管250的侧壁、微p-n型二极管150的底表面的一部分以及金属化层220的侧壁。在一方面，包裹在微p-n二极管250下面的保形介电阻挡层260的该部分防止微p-n二极管250的侧壁上的保形介电阻挡层260在传送头100的拾起操作期间破碎或断裂。可以在与金属化层220或键合层210相邻的保形介电阻挡层260中创建应力点，特别是在拐角和具有锐角的位置处。在使微LED器件与传送头100接触和/或产生键合层的相变后，这些应力点成为保形介电阻挡层260中的自然断裂点，保形介电层能够在这些自然断裂点上裂开。在实施例中，在使微LED器件与传送头接触之后和/或在产生键合层的相变之后，保形介电阻挡层260在自然断裂点处裂开，这可以在拾起微p-n二极管和金属化层之前或其期间。在液态下，键合层210可以响应于与微LED器件与传送头100接触相关联的压缩力而平滑于下层结构之上。在实施例中，在微LED器件与传送头接触之后，在产生键合层的相变之前在微LED器件的顶表面上摩擦传送头。摩擦可以逐出可以存在于传送头或微LED器件的任一者的接触表面上的任意颗粒。摩擦还可以向保形介电阻挡层传送压强。因而，从传送头100向保形介电阻挡层260传送压强以及加热键合层至键合层的液相线温度之上两者都能够贡献于使保形介电阻挡层260在微p-n二极管250下面的位置处裂开并且可以保持微型LED器件和量子阱层的完整性。在实施例中，微p-n二极管250的底表面比金属化层220的顶表面更宽到存在有用于将在微p-n二极管250的底表面上形成的保形介电阻挡层260并且产生断裂点的空间的程度，但是这一距离还可以通过微影容差来确定。在实施例中，微p-n二极管250的每一侧的0.25μm到1μm的距离容纳50埃到600埃厚的保形介电阻挡层260。
当拾起、传送、接触接收衬底、以及将微器件和键合层210的部分释放在接收衬底上时，能够执行各种操作以控制键合层的该部分的相。例如，在接触操作3250期间以及在释放操作3260期间，能够将与微器件一起拾起的键合层的该部分维持在液态。在另一实施例中，能够在被拾起之后允许键合层的该部分被冷却至固相。例如，在接触操作3250期间，键合层的该部分能够处于固相，并且在释放操作3260之前或其期间再次熔化成液态。能够根据本发明的实施例来执行各种温度和材料相周期。
在图36中图示的下面的方法和图37至图40中图示的结构配置中额外详细地描述了图示当拾起、传送、接触接收衬底、以及释放图33A的微器件时控制键合层的该部分的相的示例性实施例，然而本发明的实施例不如此受限并且可以使用其他结构配置来实践。在操作3610处，可选地加热载有被连接到键合层的多个位置的微器件阵列的衬底加热至键合层的液相线温度之下的温度。来自载体衬底的热量可以从载体衬底转移到键合层，以还将键合层维持在近似相同的温度下。在操作3620处，加热传送头至键合层的液相线温度之上的温度。然后在操作3625处微器件阵列与传送头阵列接触，并且在操作3630处热量从传送头100阵列转移到键合层210的该多个位置中以至少部分熔化键合层的该多个位置的部分。备选地，在操作3625处微器件阵列能够与传送头阵列接触，跟着在操作3620处，加热传送头阵列至键合层的液相线温度之上的温度，使得在操作3630处热量从传送头100阵列转移到键合层210的该多个位置中以至少部分地熔化键合层的该多个位置的该部分。相应地将理解到，能够按照与顺序编号操作不同的顺序来进行图32和图36中图示的流程图的操作顺序。
图37是根据本发明的实施例的与图33A的微LED器件阵列接触的微器件传送头阵列的侧视图图示，其中通过深色阴影区域211指示键合层的该多个位置至少部分地被熔化。在图37中图示的特定实施例中，键合层210的区域211的局部熔化可以通过单独地加热载有微器件200的载体衬底201和传送头100阵列来完成。例如，能够用加热单元402和热分布平板400来将载体衬底201加热至比键合层的液相线温度低1℃到10℃的温度，并且能够用加热单元502和热分布平板500来将传送头100的基底阵列加热至比键合层的液相线温度高1℃到150℃(并且更具体地高1℃到150℃)的温度，如相对于图33A所描述的。能够以其他方式来施加热量，诸如IR热灯、激光、电阻式加热单元，以及其他。还可以局部地加热载体衬底201。
再次参见图36，在操作3640处然后选择性地向传送头100阵列的一部分中的一个或多个电极116施加电压以产生对微器件200阵列的对应的部分的夹持压强，并且在操作3645处用传送头100阵列的该部分来拾起微器件200阵列的对应部分。如上面所述的，能够按照与顺序编号操作不同的顺序来进行图32和图36中图示的流程图的操作顺序。例如，在一系列的顺序中能够更早地执行向传送头施加电压以产生对微器件的夹持压强的操作3640。在实施例中，在操作3645处用微器件200阵列来拾起键合层210的该多个位置的一大部分。例如，可以用微器件200阵列来拾起键合层210的该多个位置的近似一半。在备选实施例中，全部键合层210都不用微器件200阵列来拾起。在实施例中，用微器件200来拾起保形介电阻挡层260的一部分。例如，用微器件来拾起保形介电阻挡层的横跨微器件的侧壁235和一部分底表面251的一部分。保形介电阻挡层的横跨侧壁253的该部分可以覆盖每个微器件中的量子阱层216。图38是根据本发明的实施例的拾起微LED器件200阵列的微器件传送头100阵列的侧视图图示，其中键合层的该多个位置的一大部分连同微LED器件200阵列一起以液态211被拾起。
在操作3650处，将微器件200阵列的对应部分和可选的键合层210的该部分以及保形介电阻挡层260的已经被拾起的部分放置成与接收衬底接触。键合层210可以在接触衬底时或为固态213或为液态211。然后在操作3660处将微器件阵列的该部分和可选的键合层210的该部分以及保形介电阻挡层260的部分选择性地释放到至少一个接收衬底上。因而，能够将微器件阵列全部释放到单个接收衬底上，或选择性地释放到多个衬底上。接收衬底可以是(但不限于)显示衬底、发光衬底、具有诸如为晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或具有金属重分布线的衬底。释放可以通过关闭电压源、将电压源接地、或使恒定电压的极性反向来完成。
图39是根据本发明的实施例的微器件传送头阵列的侧视图图示，其中将微LED器件阵列定位在包括多个驱动器触点310的接收衬底301之上，其中键合层的已经被拾起的部分处于液态211。图40是根据本发明的实施例的选择性释放到接收衬底301上的驱动器触点310之上的微LED器件阵列的侧视图图示。在另一实施例中，释放单个微LED器件200或微LED器件200的一部分。在将微器件200释放到接收衬底301上之后，允许键合层的对应部分冷却至固态213。
在实施例中，能够加热接收衬底301至键合层210的液相线温度之上或之下的温度以辅助传送过程。还能够将接收衬底301局部地加热或全局地加热。在一个实施例中，类似于载体衬底，使用加热单元602和热分布平板600来全局地加热接收衬底。能够以其他方式来施加热量，诸如IR热灯、激光、电阻式加热单元，以及其他。在一个实施例中，能够在接收衬底301的顶表面之上提供局部激光以提供对键合层或接收衬底的局部加热。在另一实施例中，能够在接收衬底301的底表面之下提供局部激光，使得从背侧局部加热键合层或接收衬底。在例如通过激光来利用接收衬底301的局部加热之处，可以达到键合层的液相线温度之下或之上的温度。例如，能够将相邻触点310的接收衬底301的局部区域局部地加热至键合层的液相线温度或高于该温度以促进键合，跟着冷却以固化键合。同样地，能够将接收衬底301局部或全局地维持在键合层的液相线温度之下的升高的温度，或被允许保持在室温。
当拾起、传送、接触接收衬底、以及将微器件和键合层210的一部分释放到接收衬底上时，能够执行各种操作来控制键合层的该部分的相。例如，能够在接触操作3650期间以及在释放操作3660期间将键合层的与微器件一起拾起的该部分维持在液态。在另一实施例中，能够在拾起之后允许将键合层的该部分冷却至固相。例如，键合层的该部分能够在接触操作3650期间处于固相，并且在释放操作3660期间再次熔化为液态。能够根据本发明的实施例来执行各种温度和材料相周期。
在利用本发明的众多方面中，对于本领域就技术人员将变得显而易见的是，上面的实施例的结合或变形对于形成微器件传送头和传送头阵列、以及对于传送微器件和微器件阵列是可能的。虽然已经用具体于结构特征和/或方法学动作的语言描述了本发明，然而将理解到，所附权利要求书中限定的发明不必然限于所描述的具体特征结构或动作。替代地，将所公开的具体特征结构和动作理解为对说明本发明有用的所要求保护的发明的特别号的实现方式。

Claims (24)

1.一种传送微器件的方法，包括：
加热载有被连接到键合层的微器件的载体衬底至所述键合层的液相线温度之下的温度；
加热传送头至所述键合层的所述液相线温度之上的温度；
使所述微器件与传送头接触，其中热量从所述传送头转移到所述键合层中以至少部分地熔化所述键合层；
向所述传送头施加电压以产生对所述微器件的夹持压强；以及
使用所述传送头拾起所述微器件；
将所述微器件放置成与接收衬底接触；以及
将所述微器件释放到所述接收衬底上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述载体衬底包括加热所述载体衬底至比所述键合层的所述液相线温度低1℃至10℃的温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述传送头包括加热所述传送头至比所述键合层的所述液相线温度高1℃至150℃的温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述传送头包括加热所述传送头至比所述键合层的所述液相线温度高1℃至50℃的温度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述微器件传送头包括：
基底衬底；
包括侧壁的台面结构；
形成在所述台面结构之上形成的电极；以及
覆盖所述电极的介电层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述微器件为微LED器件，所述微LED器件包括：
微p-n二极管；以及
金属化层，其中所述金属化层在所述微p-n二极管与所述载体衬底上的键合层之间。
7.根据权利要求6所述的方法，其中拾起所述微器件包括拾起所述微p-n二极管、所述金属化层、以及所述键合层的一部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中保形介电阻挡层横跨所述微p-n二极管的侧壁和所述微p-n二极管的底表面。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括使所述保形介电阻挡层的在所述微p-n二极管的所述底表面下方的部分裂开。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括全局地加热所述接收衬底。
11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括局部地加热所述接收衬底，其中微器件被释放到所述接收衬底上。
12.一种传送微器件阵列的方法，包括：
加热载有被连接到键合层的多个位置的微器件阵列的衬底至所述键合层的液相线温度；
加热传送头阵列至所述键合层的所述液相线温度之上的温度；
使所述微器件阵列与所述传送头阵列接触，其中热量从所述传送头阵列转移到所述键合层的所述多个位置中以至少部分地熔化所述键合层的所述多个位置的部分；
选择性地向所述传送头阵列的一部分施加电压；
使用所述传送头阵列的所述一部分来拾起所述微器件阵列的对应的部分；
使接收衬底与所述微器件阵列的所述部分接触；
选择性地将所述微器件阵列的所述部分释放到至少一个接收衬底上。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述传送头阵列包括：
基底衬底；
台面结构阵列，每个台面结构包括侧壁和在所述台面结构之上形成的电极；以及
覆盖所述台面结构阵列以及在每个台面结构之上形成的每个电极的介电层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中加热所述载体衬底包括加热所述载体衬底至比所述键合层的所述液相线温度低1℃到10℃的温度。
15.根据权利要求14所述的方法，包括全局地加热所述键合层的所述多个位置至比所述键合层的所述液相线温度低1℃到10℃的所述温度。
16.根据权利要求14所述的方法，包括局部地加热所述键合层的所述多个位置至比所述键合层的所述液相线温度低1℃到10℃的所述温度。
17.根据权利要求11所述的方法，其中加热所述传送头阵列包括加热所述传送头至比所述键合层的所述液相线温度高1℃到150℃的温度。
18.根据权利要求11所述的方法，其中加热所述传送头阵列包括加热所述传送头至比所述键合层的所述液相线温度高1℃到50℃的温度。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述微器件阵列中的每个微器件为微LED器件，所述微LED器件包括：
微p-n二极管；以及
金属化层，其中所述金属化层在所述微p-n二极管与所述载体衬底上的键合层之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其中拾起所述微器件阵列包括拾起所述微器件阵列中的每个微器件的所述微p-n二极管、所述金属化层、以及所述键合层的所述多个位置的一部分。
21.根据权利要求20所述的方法，其中保形介电阻挡层横跨每个所述微p-n二极管的侧壁和底表面。
22.根据权利要求21所述的方法，进一步包括使所述保形介电阻挡层的在每个微p-n二极管的所述底表面下方的单独位置处的部分裂开。
23.根据权利要求12所述的方法，进一步包括全局地加热所述接收衬底。
24.根据权利要求12所述的方法，进一步包括局部地加热所述接收衬底，其中微器件阵列被释放到所述接收衬底上。
CN201280067418.3A 2011-11-18 2012-11-08 微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法 Active CN104067381B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161561706P 2011-11-18 2011-11-18
US61/561,706 2011-11-18
US201261594919P 2012-02-03 2012-02-03
US61/594,919 2012-02-03
US201261597109P 2012-02-09 2012-02-09
US61/597,109 2012-02-09
US201261597658P 2012-02-10 2012-02-10
US61/597,658 2012-02-10
US13/372,422 US8349116B1 (en) 2011-11-18 2012-02-13 Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US13/372,422 2012-02-13
PCT/US2012/064221 WO2013074373A1 (en) 2011-11-18 2012-11-08 Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104067381A true CN104067381A (zh) 2014-09-24
CN104067381B CN104067381B (zh) 2016-09-07

Family

ID=47427843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280067418.3A Active CN104067381B (zh) 2011-11-18 2012-11-08 微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法

Country Status (10)

Country Link
US (7) US8349116B1 (zh)
EP (1) EP2780936A4 (zh)
JP (1) JP5783481B2 (zh)
KR (1) KR101585818B1 (zh)
CN (1) CN104067381B (zh)
AU (1) AU2012339941B2 (zh)
BR (1) BR112014011849B1 (zh)
MX (1) MX362327B (zh)
TW (1) TWI579221B (zh)
WO (1) WO2013074373A1 (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105129259A (zh) * 2015-05-15 2015-12-09 友达光电股份有限公司 微组件的传送方法以及显示面板的制作方法
CN105576088A (zh) * 2015-11-06 2016-05-11 友达光电股份有限公司 转置微元件的方法
US9607907B2 (en) 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
CN106903978A (zh) * 2017-02-21 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
US9773711B2 (en) 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
CN107833526A (zh) * 2016-09-15 2018-03-23 伊乐视有限公司 拾取‑移除系统以及发光显示器的修复方法
CN108122814A (zh) * 2017-10-27 2018-06-05 江西乾照光电有限公司 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法
CN108695412A (zh) * 2017-04-10 2018-10-23 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 传输微小元件的方法
US10211363B2 (en) 2017-02-21 2019-02-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Transfer printing template and transfer printing device of micro light-emitting diode
CN109830455A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 维耶尔公司 微器件转移设备以及微器件到系统衬底中的集成
CN109923680A (zh) * 2016-11-07 2019-06-21 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法和制造方法
US10373856B2 (en) 2015-08-03 2019-08-06 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array
CN110112091A (zh) * 2019-04-26 2019-08-09 清华大学深圳研究生院 一种批量转移晶片裸片的装置
CN110783252A (zh) * 2019-10-18 2020-02-11 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 微型器件转移头及其制作方法、微型器件的转移方法
CN111243980A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种转移件、转移方法以及转移件的制备方法

Families Citing this family (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9660218B2 (en) 2009-09-15 2017-05-23 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8518204B2 (en) * 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US9557215B2 (en) 2012-08-17 2017-01-31 Massachusetts Institute Of Technology Phonon-recyling light-emitting diodes
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9095980B2 (en) 2013-02-25 2015-08-04 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array mount with integrated displacement sensor
US9308649B2 (en) * 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
EP2973715B1 (en) * 2013-03-15 2021-10-27 Apple Inc. Light emitting diode display with redundancy scheme
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
EP3008553B1 (en) 2013-06-12 2023-06-07 Rohinni, Inc. Keyboard backlighting with deposited light-generating sources
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
WO2015023819A1 (en) 2013-08-16 2015-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Thermo-electrically pumped light-emitting diodes
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US10242892B2 (en) 2014-10-17 2019-03-26 Intel Corporation Micro pick and bond assembly
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
KR102399346B1 (ko) * 2014-12-19 2022-05-18 글로 에이비 백플레인 상에 발광 다이오드 어레이 제조 방법
US10179731B2 (en) 2015-08-17 2019-01-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array
US10950583B2 (en) 2015-08-26 2021-03-16 Lg Electronics Inc. Transfer head and transfer system for semiconductor light-emitting device and method for transferring semiconductor light-emitting device
US10297719B2 (en) 2015-08-27 2019-05-21 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light emitting diode (micro-LED) device
US10177127B2 (en) 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
US10032757B2 (en) 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10304811B2 (en) 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
WO2017041253A1 (en) * 2015-09-09 2017-03-16 Goertek. Inc Repairing method, manufacturing method, device and electronics apparatus of micro-led
CN105246261B (zh) * 2015-10-16 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种芯片去除装置
GB2544335A (en) * 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102298484B1 (ko) 2016-01-15 2021-09-03 로히니, 엘엘씨. 장치 상의 커버를 통해 후면 발광하는 장치 및 방법
CN105491869B (zh) * 2016-01-16 2022-05-24 深圳市坤亚电子有限公司 一种全自动多通道散装贴片供料装置
US10923023B1 (en) 2016-01-26 2021-02-16 Apple Inc. Stacked hybrid micro LED pixel architecture
KR102442612B1 (ko) * 2016-02-19 2022-09-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 트랜스퍼 방법
KR102572819B1 (ko) 2016-02-23 2023-08-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광모듈 제조방법 및 표시장치
CN105870265A (zh) 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
US10032827B2 (en) 2016-06-29 2018-07-24 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transfer of micro-devices
US11495571B2 (en) 2016-08-24 2022-11-08 Toray Engineering Co., Ltd. Mounting method and mounting device
US11854783B2 (en) 2016-09-06 2023-12-26 Vuereal Inc. Micro device arrangement in donor substrate
CA2941038A1 (en) 2016-09-06 2018-03-06 Reza Chaji Micro device arrangement in donor substrate
KR102510934B1 (ko) 2016-10-04 2023-03-16 뷰리얼 인크. 도너 기판 내의 마이크로 디바이스 배열
WO2018096455A1 (en) 2016-11-25 2018-05-31 Vuereal Inc. Integration of micro-devices into system substrate
US10916523B2 (en) 2016-11-25 2021-02-09 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
CN106629037A (zh) * 2016-11-25 2017-05-10 深圳市诚亿自动化科技有限公司 一种可实现多种ic不停机拾取装置
US10998352B2 (en) 2016-11-25 2021-05-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10978530B2 (en) * 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
WO2018191495A1 (en) 2017-04-12 2018-10-18 Sense Photonics, Inc. Beam shaping for ultra-small vertical cavity surface emitting laser (vcsel) arrays
TWI605536B (zh) 2017-04-12 2017-11-11 財團法人工業技術研究院 磁性轉移模組及轉移電子元件的方法
CN107154374B (zh) * 2017-05-23 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 微转印方法
US10457032B2 (en) * 2017-07-12 2019-10-29 SelfArray, Inc. Methods and systems for separating a plurality of directed self-assembled diamagnetic components
US10431483B2 (en) 2017-07-14 2019-10-01 Industrial Technology Research Institute Transfer support and transfer module
US11227787B2 (en) 2017-07-14 2022-01-18 Industrial Technology Research Institute Transfer support and transfer module
TWI633618B (zh) * 2017-08-02 2018-08-21 李美燕 積體化微型夾持器、其製造方法以及使用其之積體化微型夾持器陣列及轉移系統
WO2019035557A1 (ko) * 2017-08-14 2019-02-21 삼성전자주식회사 전기 소자 이송 장치
KR102572669B1 (ko) 2017-08-14 2023-08-31 삼성전자주식회사 전기 소자 이송 장치
KR102498252B1 (ko) 2017-09-26 2023-02-10 삼성전자주식회사 발광 칩들을 포함하는 디스플레이 및 그 제조 방법
KR102123348B1 (ko) * 2017-09-28 2020-06-16 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 소자 실장 장치, 소자 실장 방법 및 소자 실장 기판 제조 방법
DE102017123290A1 (de) 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US10020212B1 (en) * 2017-10-09 2018-07-10 Oculus Vr, Llc Micro-LED pick and place using metallic gallium
TWI647810B (zh) * 2017-10-13 2019-01-11 行家光電股份有限公司 微元件之巨量排列方法及系統
EP3471134A1 (en) 2017-10-13 2019-04-17 Maven Optronics Co., Ltd. Method and system for mass arrangement of micro-component devices
DE102017126338A1 (de) 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund, Bauteil und Verfahren zur Herstellung von Bauteilen
CA2985264A1 (en) * 2017-11-14 2019-05-14 Vuereal Inc. Integration of touch and sensing
KR101956231B1 (ko) 2017-11-20 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP3487269A1 (en) 2017-11-21 2019-05-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light induced selective transfer of components
TWI706554B (zh) 2017-12-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
US10236195B1 (en) * 2017-12-20 2019-03-19 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
JP6990577B2 (ja) * 2017-12-22 2022-01-12 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
US10325889B1 (en) 2018-01-12 2019-06-18 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Display device including LED devices with selective activation function
CN110071062B (zh) * 2018-01-24 2021-01-26 宏碁股份有限公司 微组件转移设备和相关方法
KR102493479B1 (ko) 2018-02-06 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
US10593581B2 (en) * 2018-02-26 2020-03-17 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head and method for transferring micro devices
US10593582B2 (en) * 2018-02-26 2020-03-17 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head and method for transferring micro devices
KR102386932B1 (ko) 2018-03-09 2022-04-14 주식회사 나노엑스 Led 검사 장치 및 이송 장치
WO2019199144A1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-17 주식회사 소프트에피 반도체 발광소자용 웨이퍼 및 이를 이용하는 반도체 발광소자 패널을 제조하는 방법
US10568242B1 (en) * 2018-05-24 2020-02-18 Facebook Technologies, Llc Dynamic adjustment of placement parameters for light emitting diodes
CN108538878A (zh) * 2018-07-11 2018-09-14 大连德豪光电科技有限公司 微发光二极管基板及其制备方法、显示装置
KR20200011024A (ko) 2018-07-23 2020-01-31 삼성전자주식회사 Led 전송 장치를 포함하는 전자 장치 및 그 제어 방법
WO2020022740A1 (ko) * 2018-07-23 2020-01-30 삼성전자주식회사 Led 전송 장치를 포함하는 전자 장치 및 그 제어 방법
KR20200015076A (ko) 2018-08-02 2020-02-12 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사를 위한 열풍헤드 및 이를 이용한 마이크로led 전사 시스템
KR102294101B1 (ko) * 2018-08-09 2021-08-27 (주)라이타이저 디스플레이 장치의 제조 방법
CN109449102B (zh) * 2018-11-09 2021-03-19 京东方科技集团股份有限公司 驱动基板的制作方法、驱动基板、显示面板及显示装置
US11417800B2 (en) * 2018-12-04 2022-08-16 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro semiconductor device and micro semiconductor display
TWI690079B (zh) * 2018-12-04 2020-04-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體元件結構
KR102559566B1 (ko) 2018-12-27 2023-07-25 주식회사 나노엑스 Led 검사 장치 및 이송 장치
CN109860092B (zh) * 2019-01-02 2020-10-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器
KR102548400B1 (ko) 2019-01-04 2023-06-27 주식회사 나노엑스 Led 이송 방법
US11302248B2 (en) 2019-01-29 2022-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh U-led, u-led device, display and method for the same
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
JP2020145421A (ja) 2019-02-28 2020-09-10 日東電工株式会社 接着デバイス、これを用いた移載装置、及び移載方法
US20220143838A1 (en) 2019-02-28 2022-05-12 Nitto Denko Corporation Adherent device, transfer equipment using the same, and transfer method
US11538852B2 (en) 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
CN111834248B (zh) * 2019-04-23 2023-11-07 美科米尚技术有限公司 用于转移微型元件的方法
CN111834239B (zh) * 2019-04-23 2024-02-02 美科米尚技术有限公司 用于转移微型元件的方法
CN114303236A (zh) * 2019-05-13 2022-04-08 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 多芯片承载结构
CN112018218B (zh) * 2019-05-31 2023-02-28 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的转移方法及显示面板的制作方法
CN110246785B (zh) * 2019-06-25 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 转印设备和转印方法
CN110265426B (zh) * 2019-06-26 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种转印装置及转印方法
JP7340365B2 (ja) * 2019-06-26 2023-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 転写用基板
DE102019118270B4 (de) * 2019-07-05 2021-10-07 X-Fab Semiconductor Foundries Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Ausbeutesteigerung beim Mikrotransferdruck
US10797009B1 (en) * 2019-07-09 2020-10-06 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring micro device
JP2021034398A (ja) * 2019-08-14 2021-03-01 株式会社ジャパンディスプレイ 素子移載装置、素子移載方法
KR102271347B1 (ko) 2019-10-28 2021-06-30 주식회사 나노엑스 전기 소자 검사 장치용 프로브 헤드
KR102339327B1 (ko) 2019-10-28 2021-12-15 주식회사 나노엑스 전기 소자 검사 장치용 프로브 헤드의 제조 방법
CN110803524A (zh) * 2019-11-11 2020-02-18 兰泽(荆门)智能科技有限公司 一种电磁变距式元件转移装置
US11121289B2 (en) 2019-11-20 2021-09-14 Tectus Corporation Ultra-dense quantum dot color converters
CN110817424B (zh) * 2019-11-20 2021-07-20 颜色空间(北京)科技有限公司 微小电子元器件巨量间距调节方法、巨量转移方法和设备
KR102293362B1 (ko) 2019-11-21 2021-08-24 엔젯 주식회사 전도성 잉크 조성물
US11062932B2 (en) * 2019-12-08 2021-07-13 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring micro devices
US11508704B2 (en) 2019-12-17 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device and display panel having repaired light emitting device
JP7465197B2 (ja) * 2019-12-17 2024-04-10 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置
KR102306773B1 (ko) * 2019-12-31 2021-09-30 주식회사 에이맵플러스 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 그 제조방법
WO2021137625A1 (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 주식회사 에이맵플러스 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210151597A (ko) 2020-06-05 2021-12-14 주식회사 나노엑스 반도체 소자 검사용 프로브 헤드의 제조 방법
CN112992759B (zh) * 2020-10-16 2022-04-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种器件转移设备及其制备方法、器件转移方法
KR102604789B1 (ko) * 2020-11-30 2023-11-21 세메스 주식회사 히터 조립체 및 이를 포함하는 본딩 헤드
KR20230142272A (ko) 2022-04-01 2023-10-11 주식회사 나노엑스 집적도가 향상된 프로브 헤드의 구조 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002240943A (ja) * 2001-02-13 2002-08-28 Ricoh Co Ltd 静電搬送装置、現像装置、画像形成装置及び分級装置
CN1666879A (zh) * 2004-03-08 2005-09-14 佳能株式会社 传送装置和记录装置
US20050232728A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Rice Michael R Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication
US20100316242A1 (en) * 2007-11-21 2010-12-16 Audio Pixels Ltd. Digital speaker apparatus

Family Cites Families (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3717743A (en) 1970-12-07 1973-02-20 Argus Eng Co Method and apparatus for heat-bonding in a local area using combined heating techniques
US3935986A (en) 1975-03-03 1976-02-03 Texas Instruments Incorporated Solid state bonding process employing the isothermal solidification of a liquid interface
JPS5469957A (en) 1977-11-15 1979-06-05 Nec Home Electronics Ltd Production of semiconductor device
JPS5850582A (ja) 1981-09-22 1983-03-25 株式会社東芝 発光ダイオ−ドを用いたデイスプレイ装置
JPS58180043A (ja) 1982-04-15 1983-10-21 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS5965490A (ja) 1982-10-05 1984-04-13 Ricoh Co Ltd 半導体発光素子アレイの製造方法
JPS61102787A (ja) 1984-10-26 1986-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光半導体装置
JPS61102787U (zh) 1984-12-13 1986-06-30
US5131582A (en) 1989-06-30 1992-07-21 Trustees Of Boston University Adhesive metallic alloys and methods of their use
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JPH0513820A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Omron Corp 半導体装置
JPH0563242A (ja) 1991-08-29 1993-03-12 Nippon Steel Corp 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ
JPH0574873A (ja) 1991-09-13 1993-03-26 Casio Comput Co Ltd 熱圧着方法およびその装置
US5156998A (en) 1991-09-30 1992-10-20 Hughes Aircraft Company Bonding of integrated circuit chip to carrier using gold/tin eutectic alloy and refractory metal barrier layer to block migration of tin through via holes
JP2797958B2 (ja) 1993-04-27 1998-09-17 日本電気株式会社 光半導体素子接合構造と接合方法
JPH06334217A (ja) 1993-05-25 1994-12-02 Victor Co Of Japan Ltd Ｌｅｄアレイ装置
JPH0760675A (ja) 1993-08-27 1995-03-07 Tokin Corp 静電吸着ハンド
JP3331570B2 (ja) 1993-09-08 2002-10-07 ソニー株式会社 熱圧着装置と熱圧着方法および液晶表示装置の生産方法
JPH07111339A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光型半導体発光装置
US5435857A (en) 1994-01-06 1995-07-25 Qualitek International, Inc. Soldering composition
KR100404631B1 (ko) * 1994-01-31 2004-02-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 두께가일정한절연체막을갖는정전기척
US5592358A (en) * 1994-07-18 1997-01-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for magnetic flux processing
JP3348528B2 (ja) 1994-07-20 2002-11-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
JP3271475B2 (ja) 1994-08-01 2002-04-02 株式会社デンソー 電気素子の接合材料および接合方法
TW311927B (zh) * 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
JP3132353B2 (ja) * 1995-08-24 2001-02-05 松下電器産業株式会社 チップの搭載装置および搭載方法
KR100186752B1 (ko) 1995-09-04 1999-04-15 황인길 반도체 칩 본딩방법
JP2793528B2 (ja) 1995-09-22 1998-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ハンダ付け方法、ハンダ付け装置
US5687901A (en) 1995-11-14 1997-11-18 Nippon Steel Corporation Process and apparatus for forming ball bumps
US5888847A (en) * 1995-12-08 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Technique for mounting a semiconductor die
JPH09237827A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Hitachi Ltd 静電吸着装置及びそれを用いた電子ビーム露光装置
US5858099A (en) 1996-04-09 1999-01-12 Sarnoff Corporation Electrostatic chucks and a particle deposition apparatus therefor
JPH10163261A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Kyocera Corp 電子部品搭載用配線基板の製造方法
US5851849A (en) 1997-05-22 1998-12-22 Lucent Technologies Inc. Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography
JPH1126733A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
KR100278137B1 (ko) * 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
JP2997231B2 (ja) 1997-09-12 2000-01-11 富士通株式会社 マルチ半導体ベアチップ実装モジュールの製造方法
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
JPH11168132A (ja) 1997-12-05 1999-06-22 Hitachi Ltd 静電吸着装置
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6080650A (en) 1998-02-04 2000-06-27 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for attaching particles to a substrate
JP4083866B2 (ja) 1998-04-28 2008-04-30 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
JP2000036501A (ja) 1998-05-12 2000-02-02 Sharp Corp ダイボンド装置
JPH11333765A (ja) 1998-05-26 1999-12-07 Tokai Rika Co Ltd 力センサ付きマイクロマニピュレータ
US7253445B2 (en) 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
KR100443840B1 (ko) 1998-09-01 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의제조방법
EP1030349B2 (de) 1999-01-07 2013-12-11 Kulicke & Soffa Die Bonding GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von auf einem Substrat angeordneten elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterchips
JP2000252352A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Nikon Corp 基板保持装置及びそれを有する荷電粒子線露光装置
JP3504543B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP3185783B2 (ja) 1999-05-11 2001-07-11 松下電器産業株式会社 チップの熱圧着用ノズル
US6427901B2 (en) 1999-06-30 2002-08-06 Lucent Technologies Inc. System and method for forming stable solder bonds
JP3372511B2 (ja) 1999-08-09 2003-02-04 ソニーケミカル株式会社 半導体素子の実装方法及び実装装置
JP2001144168A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
KR100700993B1 (ko) 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US6335263B1 (en) 2000-03-22 2002-01-01 The Regents Of The University Of California Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials
JP2001284328A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Taiheiyo Cement Corp セラミック部品
JP4489904B2 (ja) 2000-04-14 2010-06-23 株式会社アルバック 真空処理装置及び基板保持方法
US6558109B2 (en) * 2000-05-26 2003-05-06 Automation Technology, Inc. Method and apparatus for separating wafers
US6683368B1 (en) 2000-06-09 2004-01-27 National Semiconductor Corporation Lead frame design for chip scale package
JP4467720B2 (ja) 2000-06-15 2010-05-26 株式会社アルバック 基板搬送装置
KR20020005152A (ko) 2000-07-08 2002-01-17 구본준, 론 위라하디락사 투명도전막 패터닝 방법
JP4403434B2 (ja) * 2000-07-18 2010-01-27 ソニー株式会社 画像表示装置
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP3458953B2 (ja) * 2000-07-27 2003-10-20 洋太郎 畑村 マイクロチップのアライメント装置及びアライメント方法
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2002134822A (ja) 2000-10-24 2002-05-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
US6764367B2 (en) 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
JP2002158257A (ja) 2000-11-16 2002-05-31 Mitsubishi Electric Corp フリップチップボンディング方法
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002164695A (ja) 2000-11-29 2002-06-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 電子材料搬送用静電吸着板
US7022546B2 (en) * 2000-12-05 2006-04-04 Analog Devices, Inc. Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
JP4514321B2 (ja) 2000-12-08 2010-07-28 パナソニック株式会社 部品実装装置
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
EP1358673A1 (en) * 2001-02-08 2003-11-05 International Business Machines Corporation Chip transfer method and apparatus
DE10124328A1 (de) * 2001-05-17 2002-11-21 Ersa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entlöten eines elektronischen Bauteils
JP3747807B2 (ja) 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
US6787435B2 (en) 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
JP2003218138A (ja) * 2002-01-23 2003-07-31 Toray Eng Co Ltd 加熱接合方法および装置並びに加熱接合におけるキャリブレーション方法
JP3989254B2 (ja) 2002-01-25 2007-10-10 日本碍子株式会社 異種材料接合体及びその製造方法
US6871394B2 (en) 2002-01-31 2005-03-29 Texas Instruments Incorporated Method for aligning substrates in a tray
US6793829B2 (en) 2002-02-27 2004-09-21 Honeywell International Inc. Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices
JP4214704B2 (ja) 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
US7033842B2 (en) 2002-03-25 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP3843884B2 (ja) 2002-04-23 2006-11-08 住友電気工業株式会社 バイポーラトランジスタの製造方法
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
JP4338376B2 (ja) 2002-10-24 2009-10-07 キヤノンアネルバ株式会社 静電チャック装置
JP4281044B2 (ja) 2002-06-18 2009-06-17 財団法人名古屋産業科学研究所 微小部品の配置方法
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
TW549448U (en) 2002-07-15 2003-08-21 Chipmos Technologies Bermuda Probe card assembly
KR100459782B1 (ko) 2002-07-26 2004-12-03 주식회사 이츠웰 발광 다이오드를 포함하는 마이크로 칩 어레이 및 이를 포함하는 풀 칼라 표시 모듈
JP3850352B2 (ja) * 2002-08-01 2006-11-29 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4147073B2 (ja) 2002-09-02 2008-09-10 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2004096046A (ja) 2002-09-04 2004-03-25 Seiko Epson Corp Ｉｃチップの実装方法、ｉｃチップの実装構造、熱圧着装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP3873854B2 (ja) 2002-09-19 2007-01-31 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
DE10245631B4 (de) 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
US7180099B2 (en) 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
US7585703B2 (en) 2002-11-19 2009-09-08 Ishikawa Seisakusho, Ltd. Pixel control element selection transfer method, pixel control device mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate
JP4766831B2 (ja) 2002-11-26 2011-09-07 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
GB0229191D0 (en) 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
CN1742394A (zh) 2003-01-21 2006-03-01 西门子公司 有机电子元件的封装及其制造方法
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
JP4334892B2 (ja) * 2003-03-20 2009-09-30 パナソニック株式会社 部品実装方法
ATE486374T1 (de) 2003-08-08 2010-11-15 Kang Sang Kyu Nitrid-mikrolicht-emissionsdiode mit grosser helligkeit und herstellungsverfahren dafür
EP1517166B1 (en) 2003-09-15 2015-10-21 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
JP4672329B2 (ja) * 2003-10-22 2011-04-20 株式会社沖データ 半導体装置、及び、それを用いたｌｅｄプリントヘッド、画像形成装置、半導体装置の製造方法
JP4580633B2 (ja) 2003-11-14 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR20050082487A (ko) 2004-02-19 2005-08-24 삼성전자주식회사 면광원 장치 및 이를 갖는 표시장치
JP4868709B2 (ja) 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
US6919244B1 (en) * 2004-03-10 2005-07-19 Motorola, Inc. Method of making a semiconductor device, and semiconductor device made thereby
JP3994980B2 (ja) 2004-03-29 2007-10-24 株式会社日立製作所 素子搭載用基板及びその製造方法並びに半導体素子実装方法
KR100880812B1 (ko) * 2004-03-29 2009-01-30 아티큘레이티드 테크놀러지스 엘엘씨 롤-투-롤 제조된 광 시트 및 캡슐화된 반도체 회로디바이스들
US7462861B2 (en) 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
JP4632690B2 (ja) 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
US7622367B1 (en) 2004-06-04 2009-11-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US20060003548A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Kobrinsky Mauro J Highly compliant plate for wafer bonding
JP4830275B2 (ja) 2004-07-22 2011-12-07 ソニー株式会社 記憶素子
EP1774599B1 (de) 2004-07-30 2015-11-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur herstellung von halbleiterchips in dünnfilmtechnik und halbleiterchip in dünnfilmtechnik
KR100630698B1 (ko) 2004-08-17 2006-10-02 삼성전자주식회사 솔더볼 접착 신뢰도를 높이는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7229903B2 (en) * 2004-08-25 2007-06-12 Freescale Semiconductor, Inc. Recessed semiconductor device
JP3904571B2 (ja) 2004-09-02 2007-04-11 ローム株式会社 半導体発光装置
US7187078B2 (en) 2004-09-13 2007-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Bump structure
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
KR20060077801A (ko) 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7378288B2 (en) 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US7563625B2 (en) 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
JP4848638B2 (ja) 2005-01-13 2011-12-28 ソニー株式会社 半導体素子の形成方法および半導体素子のマウント方法
JP2006196692A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7535028B2 (en) 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
KR100707955B1 (ko) 2005-02-07 2007-04-16 (주) 비앤피 사이언스 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US7205652B2 (en) 2005-03-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc Electronic assembly including multiple substrates
US7628309B1 (en) 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
JP4950557B2 (ja) 2005-05-31 2012-06-13 三洋電機株式会社 半導体発光装置
EP1732116B1 (en) 2005-06-08 2017-02-01 Imec Methods for bonding and micro-electronic devices produced according to such methods
TWI258221B (en) 2005-06-28 2006-07-11 Ind Tech Res Inst A thin film transistor (TFT) for driving organic light emitting diodes and manufacturing method thereof
US20070000592A1 (en) 2005-06-29 2007-01-04 Intel Corporation Apparatus and method to operate on one or more attach sites in die package assembly
EP2323178B1 (en) * 2005-08-04 2015-08-19 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member
US7498240B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces, carriers, and associated methods
JP4163708B2 (ja) 2005-09-29 2008-10-08 東芝サムスン ストレージ・テクノロジー株式会社 光ピックアップ装置及びそれを用いた光ディスク装置
KR20070042214A (ko) 2005-10-18 2007-04-23 김성진 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7809461B2 (en) 2005-11-29 2010-10-05 Panasonic Corporation Working apparatus and working method for circuit board
KR100755874B1 (ko) 2005-11-30 2007-09-05 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 정전척, 그를 가지는 진공처리장치 및정전척의 제조방법
JP4564927B2 (ja) 2006-02-09 2010-10-20 太平洋セメント株式会社 双極型静電チャック
US7737451B2 (en) 2006-02-23 2010-06-15 Cree, Inc. High efficiency LED with tunnel junction layer
KR100778820B1 (ko) 2006-04-25 2007-11-22 포항공과대학교 산학협력단 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자
US7910945B2 (en) 2006-06-30 2011-03-22 Cree, Inc. Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices
JP2008028310A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5126875B2 (ja) 2006-08-11 2013-01-23 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2008053685A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
KR100856089B1 (ko) 2006-08-23 2008-09-02 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4535053B2 (ja) 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
JP2008103390A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4890421B2 (ja) 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP4835409B2 (ja) 2006-11-30 2011-12-14 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法
US7795054B2 (en) 2006-12-08 2010-09-14 Samsung Led Co., Ltd. Vertical structure LED device and method of manufacturing the same
CN102255018B (zh) 2006-12-22 2013-06-19 昆南诺股份有限公司 带有直立式纳米线结构的led及其制作方法
JP4980709B2 (ja) 2006-12-25 2012-07-18 ローム株式会社 半導体装置
KR101610885B1 (ko) 2007-01-17 2016-04-08 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프린팅­기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템
JP2008186959A (ja) 2007-01-29 2008-08-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法
US8188497B2 (en) 2007-02-02 2012-05-29 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW200834962A (en) 2007-02-08 2008-08-16 Touch Micro System Tech LED array package structure having Si-substrate and method of making the same
JP2008200821A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Denso Corp ハニカム体成形用金型の製造方法
FR2913145B1 (fr) 2007-02-22 2009-05-15 Stmicroelectronics Crolles Sas Assemblage de deux parties de circuit electronique integre
TWI325624B (en) * 2007-03-16 2010-06-01 Powertech Technology Inc Memory card structure
JP4290745B2 (ja) 2007-03-16 2009-07-08 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子の製造方法
US7732301B1 (en) 2007-04-20 2010-06-08 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4341693B2 (ja) 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子およびその製造方法
EP2146924B1 (en) * 2007-05-20 2013-03-06 Silverbrook Research Pty. Ltd Method of removing mems devices from a handle substrate
US8029164B2 (en) 2007-05-21 2011-10-04 Goldeneye, Inc. LED light recycling cavity with integrated optics
WO2009004980A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Showa Denko K.K. 発光ダイオードの製造方法
US8030757B2 (en) 2007-06-29 2011-10-04 Intel Corporation Forming a semiconductor package including a thermal interface material
US7838410B2 (en) 2007-07-11 2010-11-23 Sony Corporation Method of electrically connecting element to wiring, method of producing light-emitting element assembly, and light-emitting element assembly
US20090278233A1 (en) 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4844506B2 (ja) 2007-08-28 2011-12-28 パナソニック電工株式会社 発光装置
US20090072382A1 (en) 2007-09-18 2009-03-19 Guzek John S Microelectronic package and method of forming same
JP4809308B2 (ja) 2007-09-21 2011-11-09 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
EP2206145A4 (en) 2007-09-28 2012-03-28 Tessera Inc FLIP-CHIP CONNECTION WITH DOUBLE POSTS
EP2208239A1 (en) 2007-10-11 2010-07-21 Jie Yao Photo-detector array and semiconductor image intensifier
JP5167779B2 (ja) 2007-11-16 2013-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR101438811B1 (ko) 2008-01-03 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101475520B1 (ko) 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
JP2009182076A (ja) 2008-01-30 2009-08-13 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5288852B2 (ja) 2008-03-21 2013-09-11 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
WO2009117848A1 (en) 2008-03-26 2009-10-01 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating robust light-emitting diodes
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
DE102008050538B4 (de) 2008-06-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101603636B (zh) 2008-06-10 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
JPWO2010021267A1 (ja) 2008-08-21 2012-01-26 株式会社村田製作所 電子部品装置およびその製造方法
US20100060553A1 (en) 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M LED display utilizing freestanding epitaxial LEDs
WO2010021268A1 (ja) 2008-08-21 2010-02-25 株式会社村田製作所 電子部品装置およびその製造方法
WO2010020077A1 (en) 2008-08-22 2010-02-25 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating ingaain light-emitting device on a combined substrate
JP2010056458A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 発光素子の製造方法
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
TWI467691B (zh) 2008-10-15 2015-01-01 Creative Tech Corp Electrostatic chuck and its manufacturing method
KR20100043478A (ko) 2008-10-20 2010-04-29 삼성전기주식회사 정전 척 및 이를 구비한 기판 접합 장치
US7854365B2 (en) * 2008-10-27 2010-12-21 Asm Assembly Automation Ltd Direct die attach utilizing heated bond head
WO2010059781A1 (en) 2008-11-19 2010-05-27 Semprius, Inc. Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
JP5359734B2 (ja) 2008-11-20 2013-12-04 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4888473B2 (ja) 2008-11-20 2012-02-29 ソニー株式会社 実装基板
JP5225041B2 (ja) 2008-11-21 2013-07-03 京セラ株式会社 静電チャック
CN102308378A (zh) 2008-11-25 2012-01-04 M丘比德技术公司 静电吸盘
JP2010161212A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子用ウェハの製造方法
JP5293211B2 (ja) * 2009-01-14 2013-09-18 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックおよび静電チャックの製造方法
KR101809472B1 (ko) 2009-01-14 2018-01-18 삼성전자주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치
KR101001454B1 (ko) 2009-01-23 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
JP2010186829A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Toshiba Corp 発光素子の製造方法
KR100974776B1 (ko) 2009-02-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2010199204A (ja) 2009-02-24 2010-09-09 Sony Corp 発光装置およびその製造方法
JP5146356B2 (ja) 2009-02-24 2013-02-20 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5470601B2 (ja) 2009-03-02 2014-04-16 新光電気工業株式会社 静電チャック
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
WO2010114250A2 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
JP2010245412A (ja) 2009-04-09 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
TWI485879B (zh) 2009-04-09 2015-05-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片及其製造方法
US8153589B2 (en) 2009-04-27 2012-04-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill JNK3 as a target for the treatment of angiogenesis-related diseases
US8232566B2 (en) 2009-05-04 2012-07-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, package, and system
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
US7989266B2 (en) * 2009-06-18 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier
US8173456B2 (en) 2009-07-05 2012-05-08 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a light emitting diode element
DE102009033686A1 (de) 2009-07-17 2011-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP5349260B2 (ja) 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5301418B2 (ja) 2009-12-02 2013-09-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR100973928B1 (ko) 2009-12-10 2010-08-03 (주)옵토니카 Ｌｅｄ 다이본딩 방법
US9209059B2 (en) 2009-12-17 2015-12-08 Cooledge Lighting, Inc. Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US8334152B2 (en) 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
TWI467798B (zh) 2009-12-28 2015-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體晶片之製備方法
JP4996706B2 (ja) 2010-03-03 2012-08-08 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
CN101807649B (zh) 2010-03-19 2013-01-23 厦门市三安光电科技有限公司 具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9496155B2 (en) 2010-03-29 2016-11-15 Semprius, Inc. Methods of selectively transferring active components
JP5713578B2 (ja) * 2010-04-06 2015-05-07 株式会社アテクト 基板の製造方法
KR20110123118A (ko) 2010-05-06 2011-11-14 삼성전자주식회사 패터닝된 발광부를 구비한 수직형 발광소자
KR101028277B1 (ko) 2010-05-25 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
CN101872824A (zh) 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
US8381965B2 (en) * 2010-07-22 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compress bonding
JP5700504B2 (ja) 2010-08-05 2015-04-15 株式会社デンソー 半導体装置接合材
JP2010263251A (ja) 2010-08-25 2010-11-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子およびその製造方法
US8104666B1 (en) 2010-09-01 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
US8563334B2 (en) 2010-09-14 2013-10-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method to remove sapphire substrate
JP5875759B2 (ja) 2010-10-14 2016-03-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 熱処理方法および熱処理装置
JP4778107B1 (ja) 2010-10-19 2011-09-21 有限会社ナプラ 発光デバイス、及び、その製造方法
JP5740939B2 (ja) 2010-11-29 2015-07-01 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US8889485B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Semprius, Inc. Methods for surface attachment of flipped active componenets
GB201112376D0 (en) 2011-07-19 2011-08-31 Rolls Royce Plc Boding of metal components
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
JP5881992B2 (ja) 2011-08-09 2016-03-09 太陽誘電株式会社 積層インダクタ及びその製造方法
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
JP5961377B2 (ja) 2011-12-21 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US8383506B1 (en) 2012-07-06 2013-02-26 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US9255001B2 (en) * 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002240943A (ja) * 2001-02-13 2002-08-28 Ricoh Co Ltd 静電搬送装置、現像装置、画像形成装置及び分級装置
CN1666879A (zh) * 2004-03-08 2005-09-14 佳能株式会社 传送装置和记录装置
US20050232728A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Rice Michael R Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication
US20100316242A1 (en) * 2007-11-21 2010-12-16 Audio Pixels Ltd. Digital speaker apparatus

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9607907B2 (en) 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
US9773711B2 (en) 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
CN105129259A (zh) * 2015-05-15 2015-12-09 友达光电股份有限公司 微组件的传送方法以及显示面板的制作方法
US10373856B2 (en) 2015-08-03 2019-08-06 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array
CN105576088A (zh) * 2015-11-06 2016-05-11 友达光电股份有限公司 转置微元件的方法
CN105576088B (zh) * 2015-11-06 2018-05-25 友达光电股份有限公司 转置微元件的方法
CN107833526A (zh) * 2016-09-15 2018-03-23 伊乐视有限公司 拾取‑移除系统以及发光显示器的修复方法
CN109923680B (zh) * 2016-11-07 2021-05-18 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法和制造方法
CN109923680A (zh) * 2016-11-07 2019-06-21 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法和制造方法
US10211363B2 (en) 2017-02-21 2019-02-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Transfer printing template and transfer printing device of micro light-emitting diode
CN106903978B (zh) * 2017-02-21 2019-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
CN106903978A (zh) * 2017-02-21 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
CN108695412A (zh) * 2017-04-10 2018-10-23 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 传输微小元件的方法
CN108122814A (zh) * 2017-10-27 2018-06-05 江西乾照光电有限公司 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法
CN108122814B (zh) * 2017-10-27 2021-04-23 江西乾照光电有限公司 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法
CN109830455A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 维耶尔公司 微器件转移设备以及微器件到系统衬底中的集成
CN109830455B (zh) * 2017-11-23 2023-06-30 维耶尔公司 微器件转移到系统衬底中的方法
CN111243980A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种转移件、转移方法以及转移件的制备方法
CN111243980B (zh) * 2018-11-29 2022-10-28 成都辰显光电有限公司 一种转移件、转移方法以及转移件的制备方法
CN110112091A (zh) * 2019-04-26 2019-08-09 清华大学深圳研究生院 一种批量转移晶片裸片的装置
CN110112091B (zh) * 2019-04-26 2021-07-27 清华大学深圳研究生院 一种批量转移晶片裸片的装置
CN110783252A (zh) * 2019-10-18 2020-02-11 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 微型器件转移头及其制作方法、微型器件的转移方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201331110A (zh) 2013-08-01
JP5783481B2 (ja) 2015-09-24
US20190096846A1 (en) 2019-03-28
EP2780936A4 (en) 2015-07-29
US20200219840A1 (en) 2020-07-09
US20170018613A1 (en) 2017-01-19
TWI579221B (zh) 2017-04-21
US8349116B1 (en) 2013-01-08
AU2012339941B2 (en) 2014-11-13
US10607961B2 (en) 2020-03-31
MX2014006030A (es) 2015-01-16
US10121864B2 (en) 2018-11-06
US20230120136A1 (en) 2023-04-20
JP2015500561A (ja) 2015-01-05
CN104067381B (zh) 2016-09-07
BR112014011849A2 (pt) 2017-05-02
BR112014011849B1 (pt) 2020-12-15
AU2012339941A1 (en) 2014-06-05
KR20140109890A (ko) 2014-09-16
US20140290867A1 (en) 2014-10-02
US8789573B2 (en) 2014-07-29
EP2780936A1 (en) 2014-09-24
US9463613B2 (en) 2016-10-11
US11552046B2 (en) 2023-01-10
MX362327B (es) 2019-01-11
WO2013074373A1 (en) 2013-05-23
US20130126098A1 (en) 2013-05-23
KR101585818B1 (ko) 2016-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104067381A (zh) 微器件传送头加热器组件及传送微器件的方法
CN104054167A (zh) 微器件传送头

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160627

Address after: American California

Applicant after: Apple Computer, Inc.

Address before: American California

Applicant before: Lux dimension scientific & technical corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant