WO2010021268A1

WO2010021268A1 - 電子部品装置およびその製造方法

Info

Publication number: WO2010021268A1
Application number: PCT/JP2009/064156
Authority: WO
Inventors: 広貴堀口; 裕二木村
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2008-08-21
Filing date: 2009-08-11
Publication date: 2010-02-25
Also published as: US20140033525A1; US8558123B2; JP5522045B2; JPWO2010021268A1; US8950067B2; US20110132656A1

Abstract

　電子部品装置において、短時間で信頼性の高い気密封止構造が得られるようにする。　主基板（１２）に形成される第１の封止枠（１６）および蓋基板（１３）に形成される第２の封止枠（１９）を、ともにＮｉ膜から構成する。たとえば、第１の封止枠上にＢｉ層（２６）を形成しておき、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに近接させる方向に加圧しながら、たとえば３００℃の温度で少なくとも１０秒間加熱することによって、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに接合する接合部（２４）を形成する。接合部は、Ｎｉ‐Ｂｉ合金から構成されるが、加熱接合工程の初期の段階で、ＮｉＢｉ_３が生成され、その後、加熱接合工程を持続させると、ＮｉＢｉ_３とＮｉとの拡散が進み、すべてＮｉＢｉとなる。接合部がＮｉＢｉからなると、接合部を、繰返し応力による塑性疲労破壊に対して高い耐性を有するものとすることができる。

Description

電子部品装置およびその製造方法

　この発明は、電子部品装置およびその製造方法に関するもので、特に、気密封止のために封止枠同士を接合した構造を有する電子部品装置およびその製造方法に関するものである。

　この発明にとって興味ある電子部品装置として、たとえばＢＡＷフィルタがある。ＢＡＷフィルタは、電子回路形成部分およびこの電子回路形成部分を取り囲む第１の封止枠がその一方主面上に形成された主基板と、上記第１の封止枠に接合されるべき第２の封止枠がその一方主面上に形成された蓋基板とを備えている。そして、主基板と蓋基板とを、各々の主面が対向するように配置し、その状態で第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに接合することにより、上記電子回路形成部分を気密封止した構造が実現される。

　上記のような第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに接合して封止するための技術として、以下のようなものが提案されている。

　まず、特開２００４－１９４２９０号公報（特許文献１）および特開２００６－１３５２６４号公報（特許文献２）では、Ｃｕ－Ｓｎ合金による封止技術が提案されている。この封止技術について、図７を参照して説明する。

　図７には、互いに対向するように配置される主基板１および蓋基板２の各一部が図示されている。接合工程を実施する前の段階では、図７（１）に示すように、主基板１の上方主面上には第１の封止枠３が形成され、他方、蓋基板２の下方主面上には、第２の封止枠４が形成されている。第１および第２の封止枠３および４は、たとえばＣｕから構成される。第１の封止枠３上には、点線で示すように、必要に応じて、たとえばＡｕからなる酸化防止膜５が形成される。酸化防止膜５は、第１の封止枠３を構成するＣｕの酸化を防止するためのものであって、後述する接合に直接寄与するものではない。他方、第２の封止枠４上には、Ｃｕより融点の低いＳｎを主成分とするＳｎ層６が形成される。Ｓｎ層６は接合材として機能するものである。

　第１の封止枠３と第２の封止枠４とを互いに接合した状態とするため、Ｓｎ層６を挟んで第１の封止枠３と第２の封止枠４とが互いに対向する密着状態に加圧保持しながら、加熱される。その結果、まず、酸化防止膜５を構成するＡｕがＳｎ層６中に溶解し、次いで、第１および第２の封止枠３および４を構成するＣｕがＳｎ層６中へと拡散して、ＣｕとＳｎとの金属間化合物が生成される。

　より詳細には、上記の加圧状態での加熱を続けると、Ｓｎ層６が消失し、まず、図７（２）に示すように、融点４１５℃のＣｕ_６Ｓｎ_５を主成分とするＣｕ_６Ｓｎ_５層７が形成され、Ｃｕ_６Ｓｎ_５層７と第１および第２の封止枠３および４の各々との間に、融点６４０℃のＣｕ_３Ｓｎを主成分とするＣｕ_３Ｓｎ層８が形成され始める。

　さらに、加圧状態での加熱を続けると、図７（３）に示すように、Ｃｕ_６Ｓｎ_５層７が消失し、第１の封止枠３と第２の封止枠４とを互いに接合する接合部９がＣｕ_３Ｓｎ層８をもって構成された接合構造が得られる。

　以上のような接合構造において、Ｃｕ_６Ｓｎ_５層７が消失し、接合部９がＣｕ_３Ｓｎ層８をもって構成されていることが重要である。なぜなら、Ｃｕ_６Ｓｎ_５層７が残っていると、ユーザーリフローや高温環境に長時間さらされた場合、ＣｕとＳｎとの相互拡散がさらに進み、Ｃｕ_３Ｓｎ層８へ変化しようとするが、この相互拡散が進む間に、ＣｕとＳｎとの拡散係数の違いによりいわゆるカーケンダルボイドが発生し、封止不良が起こることがある。

　Ｃｕ_６Ｓｎ_５層７が消失し、接合部９がＣｕ_３Ｓｎ層８をもって構成されるようにするには、ＳｎにＣｕを十分に拡散させる必要があるが、Ｃｕ_３Ｓｎの合金成長速度は、図８に示すように、極めて遅い。なお、図８は、３００℃における合金の成長速度を示している。したがって、Ｃｕ_３Ｓｎ層８をもって接合部９を構成する状態を得るためには、たとえば、８．２ＭＰａの加圧下で、３００℃の温度を６０分間保持するといった条件が必要となる。よって、生産性が低く、製造コストが高くなるという問題を招く。また、上記の条件は、電子部品装置に備える電子回路形成部分の品質を損なわせるほどの過酷な条件となる場合もある。

特開２００４－１９４２９０号公報特開２００６－１３５２６４号公報

　そこで、この発明の目的は、上述した問題を解決し得る、電子部品装置およびその製造方法を提供しようとすることである。

　この発明は、電子回路形成部分および電子回路形成部分を取り囲む第１の封止枠がその一方主面上に形成された主基板と、第１の封止枠に接合されるべき第２の封止枠がその一方主面上に形成された蓋基板と、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに接合する接合部とを備える、電子部品装置の構造にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、第１および第２の封止枠の各々は、Ｎｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられ、接合部は、ＮｉおよびＢｉを主成分とするＮｉ－Ｂｉ合金からなることを特徴としている。

　上記Ｎｉ－Ｂｉ合金は、ＮｉＢｉであることが好ましい。

　また、Ｎｉ－Ｂｉ合金は、ＮｉＢｉ_３を含んでいてもよい。

　この発明に係る電子部品装置の好ましい実施態様では、主基板の一方主面上であって、第１の封止枠によって取り囲まれた位置に、第１の接続用電極が形成され、蓋基板の一方主面上であって、第２の封止枠によって取り囲まれた位置に、第２の接続用電極が形成され、第１の接続用電極と第２の接続用電極とを互いに電気的に接続する電気的接続部を有し、電気的接続部は、接合部と同様の構成を有する。

　この発明は、また、上述したような電子部品装置を製造する方法にも向けられる。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法は、電子回路形成部分および電子回路形成部分を取り囲む第１の封止枠がその一方主面上に形成され、第１の封止枠はＮｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられている、主基板を用意する工程と、第１の封止枠に接合されるべき第２の封止枠がその一方主面上に形成され、第２の封止枠はＮｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられている、蓋基板を用意する工程と、第１の封止枠と第２の封止枠との間に、Ｂｉを主成分とするＢｉ層を介在させた状態で、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに近接させて加熱することによって、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに接合する、ＮｉおよびＢｉを主成分とするＮｉ－Ｂｉ合金からなる接合部を形成する、加熱接合工程とを備えることを特徴としている。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法の好ましい実施態様では、上記加熱接合工程において、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに近接させる方向への加圧が実施される。

　上記加熱接合工程は、ＮｉＢｉからなる接合部が形成されるように実施されることが好ましい。

　あるいは、上記加熱接合工程は、ＮｉＢｉ_３を含む接合部が形成されるように実施されてもよい。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法の好ましい実施態様では、主基板の一方主面上であって、第１の封止枠によって取り囲まれた位置に、第１の接続用電極が形成され、蓋基板の一方主面上であって、第２の封止枠によって取り囲まれた位置に、第２の接続用電極が形成され、加熱接合工程と同時に、第１の接続用電極と第２の接続用電極とを互いに電気的に接続する工程が実施される。

　上記の好ましい実施態様の場合、第１の封止枠および第２の封止枠の少なくとも一方の幅方向寸法は、Ｂｉ層の幅方向寸法より大きいことが好ましい。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法において、加熱接合工程の前に、第１の封止枠および第２の封止枠のいずれか一方上にＢｉ層を形成しておくことが好ましい。

　この発明によれば、接合部において形成される、Ｎｉ－Ｂｉ合金は、前述したＣｕ_３Ｓｎと比較して、成長速度が速いため、接合部を短時間で形成でき、製造コストを安くすることができる。また、加熱接合のための時間を短縮することができるので、電子部品装置への熱負荷を軽減でき、高温負荷に弱い電子部品装置への適用が可能となる。

　また、この発明によれば、接合部において形成されるＮｉ－Ｂｉ合金は、ＮｉＢｉ_３で４６９℃、ＮｉＢｉで６５４℃というように、比較的高い融点を有しているため、たとえばはんだリフロー工程において溶融しないようにすることができる。したがって、はんだリフロー工程後においても電子部品装置の気密性が損なわれることはない。

　この発明において、ＮｉＢｉからなる接合部が形成されるようにすると、繰返し応力による塑性疲労破壊に対して高い耐性を有する接合部を得ることができる。

　他方、接合部のすべてを、前述のように、ＮｉＢｉからなるようにするには、加熱接合工程での加熱保持時間を長くする必要があるが、接合部において、ＮｉＢｉ_３を含むようにすれば、加熱接合工程での加熱保持時間の短縮化を図ることができる。

　この発明に係る電子部品装置が第１および第２の接続用電極を備えるとき、第１の封止枠と第２の封止枠とに対する加熱接合工程と同時に、第１の接続用電極と第２の接続用電極とを互いに電気的に接続するようにすれば、封止と電気的接続とを同時に達成することができ、その結果、電子部品装置の製造のための工程数を減らすことができ、よって、製造コストを低減することができる。

　この発明に係る電子部品の製造方法において、加熱接合工程において、第１の封止枠と第２の封止枠とを互いに近接させる方向への加圧が実施されると、ＮｉおよびＢｉ間の相互拡散が進む間にＮｉおよびＢｉの拡散係数の違いにより発生するカーケンダルボイドが押しつぶされながら接合が進むので、接合部に残存したカーケンダルボイドに起因する封止不良を抑制することができる。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法において、第１の封止枠および第２の封止枠の少なくとも一方の幅方向寸法が、Ｂｉ層の幅方向寸法より大きくされると、加熱接合工程において、接合部からのＢｉのはみ出しを抑制することができ、その結果、Ｂｉのはみ出しによる不所望な電気的短絡を生じさせにくくすることができる。

　この発明に係る電子部品装置の製造方法において、加熱接合工程の前に、第１の封止枠および第２の封止枠のいずれか一方上にＢｉ層を形成しておけば、加熱接合工程において、主基板と蓋基板とを所定の配置にするだけで、第１の封止枠と第２の封止枠との間にＢｉ層を介在させた状態を得ることができ、電子部品装置の製造工程を能率的に進めることができる。

この発明が適用され得る電子部品装置の一例としてのＢＡＷフィルタ１１を示す断面図である。この発明の第１の実施形態を説明するためのもので、図１に示した第１および第２の封止枠１６および１９を拡大して示す断面図であり、（１）は接合前、（２）は接合後の状態を示す。ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉについての応力－ひずみ特性を示す図である。この発明の第２の実施形態を説明するための図２（１）に対応する図である。この発明の第３の実施形態を説明するためのもので、電子部品装置４１に備える主基板４２と蓋基板４３とを互いに分離して示す斜視図である。図５に示した主基板４２と蓋基板４３との接合部分を拡大して示す断面図である。この発明にとって興味ある従来技術を説明するための接合工程を示す断面図である。３００℃における合金の成長速度を示す図であり、ＮｉＢｉ_３の場合の成長速度と、ＮｉＢｉの場合の成長速度と、Ｃｕ_３Ｓｎの場合の成長速度とを示している。

　図１は、この発明が適用され得る電子部品装置の一例としてのＢＡＷフィルタ１１を示す断面図である。

　ＢＡＷフィルタ１１は、たとえばＳｉからなる主基板１２と、たとえばホウケイ酸ガラスからなる蓋基板１３とを備えている。主基板１２と蓋基板１３とは、所定の間隔を隔てて互いに対向している。

　主基板１２の上方主面１４上には、ＢＡＷフィルタ回路を形成する電子回路形成部分１５（省略的に図示される。）および電子回路形成部分１５を取り囲む第１の封止枠１６が形成されている。また、主基板１２の上方主面１４上であって、第１の封止枠１６によって取り囲まれた位置には、電子回路形成部分１５から引き出されたいくつかの第１の接続用電極１７が形成されている。

　他方、蓋基板１３の下方主面１８上には、第１の封止枠１６に接合されるべき第２の封止枠１９が形成されている。また、蓋基板１３の下方主面１８上であって、第２の封止枠１９によって取り囲まれた位置には、第１の接続用電極１７に対応するいくつかの第２の接続用電極２０が形成されている。蓋基板１３の上方主面２１上には、いくつかの端子電極２２が形成され、これら端子電極２２は、蓋基板１３を厚み方向に貫通するように設けられたスルーホール導体２３を介して第２の接続用電極２０と電気的に接続されている。

　このようなＢＡＷフィルタ１１を製造するにあたって、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９とが互いに接合される。この接合によって形成された接合部２４が図１に示されている。第１および第２の封止枠１６および１９は、たとえばほぼ矩形をなすように延びていて、これらが接合されたとき、電子回路形成部分１５等が気密封止される。好ましくは、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９とを互いに接合する工程と同時に、第１の接続用電極１７と第２の接続用電極２０とを互いに電気的に接続する工程が実施される。この電気的接続によって得られた電気的接続部２５が図１に示されているが、この電気的接続部２５は、上述した接合部２４と同様の構成を有することが好ましい。

　以下に、図１に示したＢＡＷフィルタ１１を対象として、この発明のいくつかの実施形態について説明する。

　図２は、この発明の第１の実施形態を説明するためのもので、図１における第１および第２の封止枠１６および１９の部分を拡大して示している。図２において、（１）は接合前の状態を示し、（２）は接合後の状態を示している。

　図２（１）を参照して、第１および第２の封止枠１６および１９は、ともに、Ｎｉを主成分とするＮｉ膜から構成される。第１および第２の封止枠１６および１９の各々の幅はたとえば５０μｍとされる。なお、Ｎｉ膜と主基板１２および蓋基板１３の各々との密着性を高めるため、Ｎｉ膜と主基板１２との間およびＮｉ膜と蓋基板１３との間に、図示しないが、Ｔｉ膜が形成されてもよい。

　第１の封止枠１６上には、Ｂｉを主成分とするＢｉ層２６が形成される。第１の封止枠１６とＢｉ層２６との間には、点線で示すように、必要に応じて、Ａｕからなる酸化防止膜２７が形成される。他方、第２の封止枠１９上には、点線で示すように、必要に応じて、たとえばＡｕからなる酸化防止膜２７が形成される。酸化防止膜２７は、第１の封止枠１６および第２の封止枠１９を構成するＮｉの酸化を防止するためのものであって、後述する接合に直接寄与するものではない。これら第１の封止枠１６および第２の封止枠１９の各々となるＮｉ膜、Ｂｉ層２６およびＡｕからなる酸化防止膜２７は、たとえば、蒸着、めっき等により形成される。

　後述する図２（２）に示した構造を得るようにするため、第１および第２の封止枠１６および１９の各々を構成するＮｉ膜の厚みは、第１および第２の封止枠１６および１９によるＮｉの供給体積が、合計で、Ｂｉ層２６によるＢｉの供給体積の３４．６％以上となるようにされる。一例として、Ｂｉ層２６の厚みが５μｍの場合、第１および第２の封止枠１６および１９の各々を構成するＮｉ膜は、合計で、１．７３μｍ以上の厚みとなるようにされる。

　Ａｕからなる酸化防止膜２７は、酸化防止の機能を果たすのに十分な厚みであればよい。

　なお、図２（１）に示した実施形態では、第１の封止枠１６上にＢｉ層２６が形成され、第２の封止枠１９上に酸化防止膜２７が形成されたが、Ｂｉ層２６と酸化防止膜２７との位置関係が逆にされてもよい。また、Ｂｉ層２６を、第１の封止枠１６上および第２の封止枠１９上の双方に形成してもよい。

　次に、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９との間に、Ｂｉ層２６を介在させた状態で、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９とを互いに近接させる方向に加圧しながら加熱することによって、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９とを互いに接合する接合部２４を形成する、加熱接合工程が実施される。この加熱接合工程の初期の段階で、酸化防止膜２７を構成するＡｕがＢｉ層２６中に溶解する。そして、この加熱接合工程を実施した後の状態が図２（２）に示されている。

　上記加熱接合工程では、たとえば酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気が適用される。なお、加熱接合工程での雰囲気は、窒素以外の不活性ガス雰囲気であっても、還元性雰囲気であっても、真空であってもよい。加熱接合工程における加圧は、Ｂｉ層２６に含まれるＢｉの、Ｎｉ膜からなる第２の封止枠１６への濡れの促進、さらには合金形成時のボイド発生の抑制の効果があり、たとえば８ＭＰａの面圧が適用される。ただし、Ｎｉ膜の表面に形成された酸化膜をプラズマエッチングなどの物理的処理または化学的処理により除去し、その後は酸化性の雰囲気に晒さないようにして接合する場合は、無加圧で接合することも可能である。また、加熱接合工程でのピーク温度は、Ｂｉが溶融する２７１℃以上とされる。

　たとえば、Ｂｉ層２６の厚みが５μｍの場合、ピーク温度３００℃で、少なくとも１０秒間保持するだけで、Ｂｉ層２６を、すべて、図２（２）に示すように、Ｎｉ‐Ｂｉ合金からなる接合部２４とすることができる。この接合部２４は、そこに形成されるＮｉ－Ｂｉ合金がＮｉＢｉ_３である場合には、４６９℃の融点を有し、ＮｉＢｉである場合には、６５４℃の融点を有していて、そのため、たとえばはんだリフロー工程において溶融しないようにすることができる。したがって、はんだリフロー工程後においてもＢＡＷフィルタ１１の気密性が損なわれることはない。

　なお、上述したピーク温度およびピーク温度保持時間は、Ｂｉ層２６の厚み、昇温速度および冷却速度によって各々の最適値が異なってくる。

　Ｎｉ‐Ｂｉ合金のうち、ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉについての３００℃での合金成長速度が、それぞれ、図８の「ＮｉＢｉ_３」および「ＮｉＢｉ」によって示されている。この図８からわかるように、ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉは、いずれも、前述のＣｕ_３Ｓｎと比較して、成長速度が速いため、合金を短時間で生成することができ、その結果、製造コストの低減を図ることができる。

　また、ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉの間で比較すると、ＮｉＢｉ_３の方が、ＮｉＢｉより、成長速度が速い。このことからわかるように、加熱接合工程の初期の段階で、ＮｉＢｉ_３が生成され、その後、加熱接合工程を持続させると、ＮｉＢｉ_３とＮｉとの拡散が進み、すべてＮｉＢｉとなる。Ｂｉ層２６の厚み、昇温速度および冷却速度によって異なるが、一例として、Ｂｉ層２６の厚みが５μｍの場合、ピーク温度３００℃で、４００秒間保持すると、接合部２４を、すべて、ＮｉＢｉとすることができる。

　硬さおよび弾性率について、ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉを比較すると、ＮｉＢｉ_３は、硬さが１３００Ｎ／ｍｍ^２、弾性率が５０ＧＰａであるのに対し、ＮｉＢｉは、硬さが３６５０Ｎ／ｍｍ^２、弾性率が１００ＧＰａであり、硬さおよび弾性率ともに、ＮｉＢｉがＮｉＢｉ_３より大きい。硬さと引っ張り強度はほぼ比例するので、ＮｉＢｉ_３と比較して、ＮｉＢｉは強い材料である。

　図３は、ＮｉＢｉ_３およびＮｉＢｉについての応力－ひずみ特性を示している。図３に示すように、弾性域は、ＮｉＢｉの方がＮｉＢｉ_３より広い。

　よって、同じひずみが生じた場合でも、ＮｉＢｉ_３は、その弾性域がより狭いため、塑性変形し、応力を０にしても、永久ひずみが残ることがある。そのため、熱衝撃試験等において繰返し応力がかかる場合、この永久ひずみが蓄積し、破断に至ることがある。

　これに対して、ＮｉＢｉは弾性域がより広いため、ＮｉＢｉ_３の場合に塑性変形を生じさせたひずみが付与されても、弾性変形し、応力を０にすれば元の状態に戻り、永久ひずみが残らない。よって、たとえば熱応力により生じた負荷の大部分を、弾性エネルギとして蓄えて、塑性ひずみが生じにくく、繰返し応力による塑性疲労破壊に対して高耐性が得られる。

　以上のことから、ＮｉＢｉからなる接合部２４が形成されるようにすると、接合部２４を、繰返し応力による塑性疲労破壊に対して高い耐性を有するものとすることができる。

　他方、接合部２４において、ＮｉＢｉ_３を含むようにすれば、加熱接合工程での加熱保持時間の短縮化を図ることができる。

　図４は、この発明の第２の実施形態を説明するための図２（１）に対応する図である。図４において、図２（１）に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

　第２の実施形態は、第１の封止枠１６の幅方向寸法Ｗ１に比べて、第２の封止枠１９の幅方向寸法Ｗ２がより大きくされていることを特徴としている。これは、Ｂｉ層２６を構成するＢｉが、加熱接合工程での加圧により第１の封止枠１６からはみ出し、たとえば接続用電極２０との間で電気的短絡が生じることを抑制するためのものである。一例として、第２の封止枠１９の幅方向寸法Ｗ２が５０μｍであるとき、第１の封止枠１６の幅方向寸法Ｗ１は１５～２５μｍ程度とされる。

　なお、図４に示した実施形態では、第１の封止枠１６において、Ｎｉ膜３１を形成する前に、Ｃｕを主成分とするＣｕ膜３２が、厚膜形成技術によって、たとえばＮｉと合わせて７．５μｍ以上の厚みをもって形成されている。このように、比較的厚みのあるＣｕ膜３２を形成することにより、Ｂｉのはみ出し防止効果が高められる。また、Ｃｕ膜３２を厚く形成することにより、第１の部材と第２の部材の熱膨張係数の差によって生じる熱応力を緩和することが期待できる。しかしながら、このような利点を特に望まないならば、Ｃｕ膜３２を省略し、主基板１２上に、直接、Ｎｉ膜３１を形成してもよい。

　図４では、第１の封止枠１６の幅方向寸法Ｗ１に比べて、第２の封止枠１９の幅方向寸法Ｗ２をより大きくしたが、逆に、第１の封止枠１６の幅方向寸法Ｗ１を第２の封止枠１９の幅方向寸法Ｗ２より大きくしてもよい。ただし、Ｂｉ層２６の幅方向寸法は、Ｗ１とＷ２のいずれか小さい側の幅方向寸法に合わせる。Ｂｉ層２６の形成は、第１の封止枠１６上または第２の封止枠１９上のいずれでもよい。

　また、上述のようにＢｉがはみ出そうとするとき、封止枠１６および１９のコーナー部分においてＢｉが凝集する傾向があるが、このような凝集を抑制するため、コーナー部分を円弧状にすることが好ましい。

　以上説明した第１の封止枠１６と第２の封止枠１９との接合を図る接合部２４での構成は、第１の接続用電極１７と第２の接続用電極２０との電気的接続を図る電気的接続部２５においても同様に適用することができる。この場合、第１の封止枠１６と第２の封止枠１９とに対する加熱接合工程と同時に、第１の接続用電極１７と第２の接続用電極２０とを互いに電気的に接続する接続工程を実施するようにすれば、封止と電気的接続とを同時に達成することができ、その結果、ＢＡＷフィルタ１１の製造のための工程数を減らすことができ、よって、製造コストを低減することができる。

　また、図４を参照して説明したＢｉのはみ出し抑制のための構成は、上述したような接続用電極１７および２０についても適用することができる。

　また、この発明は、第１の封止枠１６が形成された主基板１２と第２の封止枠１９が形成された蓋基板１３とを備えるＢＡＷフィルタ１１だけでなく、同様の主基板および蓋基板を備える他の電子部品装置にも適用することができる。

　また、この発明に係る電子部品装置の製造方法において、複数の主基板および複数の蓋基板をそれぞれ与える第１および第２の集合基板が用意され、加熱接合工程が、第１および第２の集合基板の状態で実施されてもよい。この場合、加熱接合工程の後、個々の電子部品装置単位に、第１および第２の集合基板を分割する工程がさらに実施される。上記加熱接合工程では、第１および第２の集合基板を収容しながら、不活性ガスの導入または真空雰囲気の形成が可能なチャンバが用いられることが好ましい。このような製造方法によれば、複数の電子部品装置の製造を一括して行なうことができるので、電子部品装置の生産性の向上を期待することができる。

　また、蓋基板には、図５に示すようなキャップ状のものを用いてもよい。図５は、この発明の第３の実施形態を説明するためのもので、電子部品装置４１に備える主基板４２と蓋基板４３とを互いに分離して示す斜視図である。図６は、図５に示した主基板４２と蓋基板４３との接合部分を拡大して示す断面図である。図５において、図２（１）に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

　主基板４２の上方主面１４上には、必要な回路を形成する素子４４が実装されるとともに、この素子４４を取り囲む第１の封止枠１６が形成されている。なお、素子４４から引き出されるべき接続用導体については図示が省略されている。

　他方、キャップ状の蓋基板４３の下方主面には凹部４６（図６参照）が形成されるが、この凹部４６を規定する周縁部４７の下面には、第１の封止枠１６に接合されるべき第２の封止枠１９が形成されている。

　図６を参照して、第１および第２の封止枠１６および１９は、ともに、Ｎｉを主成分とするＮｉ膜から構成される。

　第１の封止枠１６上には、必要に応じて、Ａｕからなる酸化防止膜２７が形成される。他方、第２の封止枠１９上には、Ｂｉを主成分とするＢｉ層２６が形成される。

　なお、上記第１および第２の封止枠１６および１９の各々上でのＢｉ層２６および酸化防止膜２７等の配置は、他の実施形態のように変更されてもよい。たとえば、Ｂｉ層２６は、主基板４２側に形成されてもよい。

　また、この実施形態の場合も、主基板４２は、複数の主基板４２を構成する集合基板の状態で用意され、この集合基板の状態で蓋基板４３と接合され、その後、個々の主基板４２となるように分割されても、あるいは、個々の主基板４２の状態で、蓋基板４３と接合されてもよい。

１１　ＢＡＷフィルタ（電子部品装置）
１２，４２　主基板
１３，４３　蓋基板
１５　電子回路形成部分
１６　第１の封止枠
１７　第１の接続用電極
１９　第２の封止枠
２０　第２の接続用電極
２４　接合部
２５　電気的接続部
２６　Ｂｉ層
４１　電子部品装置

Claims

　電子回路形成部分および前記電子回路形成部分を取り囲む第１の封止枠がその一方主面上に形成された主基板と、
　前記第１の封止枠に接合されるべき第２の封止枠がその一方主面上に形成された蓋基板と、
　前記第１の封止枠と前記第２の封止枠とを互いに接合する接合部と
を備え、
　前記第１および第２の封止枠の各々は、Ｎｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられ、
　前記接合部は、ＮｉおよびＢｉを主成分とするＮｉ－Ｂｉ合金からなる、
電子部品装置。
　前記Ｎｉ－Ｂｉ合金は、ＮｉＢｉである、請求項１に記載の電子部品装置。
　前記Ｎｉ－Ｂｉ合金は、ＮｉＢｉ_３を含む、請求項１に記載の電子部品装置。
　前記主基板の前記一方主面上であって、前記第１の封止枠によって取り囲まれた位置に、第１の接続用電極が形成され、前記蓋基板の前記一方主面上であって、前記第２の封止枠によって取り囲まれた位置に、第２の接続用電極が形成され、前記第１の接続用電極と前記第２の接続用電極とを互いに電気的に接続する電気的接続部を有し、前記電気的接続部は、前記接合部と同様の構成を有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品装置。
　電子回路形成部分および前記電子回路形成部分を取り囲む第１の封止枠がその一方主面上に形成され、前記第１の封止枠はＮｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられている、主基板を用意する工程と、
　前記第１の封止枠に接合されるべき第２の封止枠がその一方主面上に形成され、前記第２の封止枠はＮｉを主成分とするＮｉ膜によって与えられている、蓋基板を用意する工程と、
　前記第１の封止枠と前記第２の封止枠との間に、Ｂｉを主成分とするＢｉ層を介在させた状態で、前記第１の封止枠と前記第２の封止枠とを互いに近接させて加熱することによって、前記第１の封止枠と前記第２の封止枠とを互いに接合する、ＮｉおよびＢｉを主成分とするＮｉ－Ｂｉ合金からなる接合部を形成する、加熱接合工程と
を備える、電子部品装置の製造方法。
　前記加熱接合工程において、前記第１の封止枠と前記第２の封止枠とを互いに近接させる方向への加圧が実施される、請求項５に記載の電子部品装置の製造方法。
　前記加熱接合工程は、ＮｉＢｉからなる前記接合部が形成されるように実施される、請求項５または６に記載の電子部品装置の製造方法。
　前記加熱接合工程は、ＮｉＢｉ_３を含む前記接合部が形成されるように実施される、請求項５または６に記載の電子部品装置の製造方法。
　前記主基板の前記一方主面上であって、前記第１の封止枠によって取り囲まれた位置に、第１の接続用電極が形成され、前記蓋基板の前記一方主面上であって、前記第２の封止枠によって取り囲まれた位置に、第２の接続用電極が形成され、前記加熱接合工程と同時に、前記第１の接続用電極と前記第２の接続用電極とを互いに電気的に接続する工程が実施される、請求項５に記載の電子部品装置の製造方法。
　前記第１の封止枠および前記第２の封止枠の少なくとも一方の幅方向寸法は、前記Ｂｉ層の幅方向寸法より大きい、請求項５に記載の電子部品装置の製造方法。
　前記加熱接合工程の前に、前記第１の封止枠および前記第２の封止枠のいずれか一方上に前記Ｂｉ層を形成する工程をさらに備える、請求項５に記載の電子部品装置の製造方法。