JP6859787B2 - はんだ接合体およびその製造方法 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 161
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 273
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 112
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 112
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- CJRQAPHWCGEATR-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-prop-2-ynylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)N(C)CC#C CJRQAPHWCGEATR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Description
第1実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態のはんだ接合体10は、バンプ1とバンプ2とを備えており、半導体チップ20と基板30とを接合している。半導体チップ20は、図示しないSi基板の表面に半導体素子が形成されたものである。基板30は、半導体チップ20が備える半導体素子の信号処理回路が形成されたものであり、エポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等の樹脂をベースとして構成されるプリント基板で構成されている。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 バンプ
4 Ni層
5 合金層
5b はんだ層
8 はんだ層
Claims (13)
- 金属層(4)、および、前記金属層に積層された合金層(5)を有し、表層部が前記合金層で構成された第1バンプ(1)と、
はんだで構成されたはんだ層(8)を有し、表層部が前記はんだ層で構成されるとともに、前記はんだ層において前記合金層に接合された第2バンプ(2)と、を備え、
前記合金層は、前記金属層に含まれる金属とスズを含むはんだとの合金で構成されており、
前記合金層の厚さは、前記はんだ層の厚さ以上とされており、
前記合金層は、前記はんだ層を貫通しているはんだ接合体。 - 前記金属層は、ニッケルで構成されており、
前記合金層に、ニッケルと、はんだに含まれるスズとの合金が形成されている請求項1に記載のはんだ接合体。 - 前記合金層および前記はんだ層は、厚さ方向が一致しており、
前記合金層の厚さ方向に垂直な方向において、前記はんだ層の幅は、前記合金層の幅以上とされている請求項1または2に記載のはんだ接合体。 - 前記第2バンプは、ニッケルで構成されたニッケル層(7)を有しており、
前記はんだ層は、前記ニッケル層に積層されており、
前記合金層は、前記はんだ層を貫通して前記ニッケル層に到達するとともに、前記ニッケル層との界面が平坦な形状とされている請求項1ないし3のいずれか1つに記載のはんだ接合体。 - 金属層(4)を形成することと、
前記金属層に、スズを含むはんだで構成された第1はんだ層(5b)を積層することと、
前記金属層および前記第1はんだ層を熱処理することにより、前記金属層に含まれる金属を前記第1はんだ層に拡散させて、前記金属層に含まれる金属と前記第1はんだ層に含まれるスズとの合金で構成された合金層(5)を形成し、表層部が前記合金層で構成された第1バンプ(1)を形成することと、
はんだで構成された第2はんだ層(8)を有し、表層部が前記第2はんだ層で構成された第2バンプ(2)を形成することと、
前記第1バンプを形成すること、および、前記第2バンプを形成することの後、前記合金層と前記第2はんだ層とを熱圧着により接合することと、を備えるはんだ接合体の製造方法。 - 前記金属層は、ニッケルで構成されており、
前記第1バンプを形成することでは、前記金属層に含まれるニッケルを前記第1はんだ層に拡散させる請求項5に記載のはんだ接合体の製造方法。 - 前記第1バンプを形成することでは、はんだが溶融する温度で前記金属層および前記第1はんだ層を熱処理する請求項5または6に記載のはんだ接合体の製造方法。
- 前記第1はんだ層を形成することでは、前記金属層の厚さの5/2以下の厚さとなるように前記第1はんだ層を形成する請求項5ないし7のいずれか1つに記載のはんだ接合体の製造方法。
- 前記第2バンプを形成することでは、前記第2はんだ層の面内方向の幅が前記合金層の面内方向の幅以上となるように、前記第2バンプを形成する請求項5ないし8のいずれか1つに記載のはんだ接合体の製造方法。
- 前記接合することでは、はんだの融点以下の温度で熱圧着を行う請求項5ないし9のいずれか1つに記載のはんだ接合体の製造方法。
- 前記第1バンプを形成することでは、前記第2はんだ層の厚さ以上の厚さとなるように前記合金層を形成し、
前記接合することでは、前記合金層が前記第2はんだ層を貫通するように熱圧着を行う請求項5ないし10のいずれか1つに記載のはんだ接合体の製造方法。 - 前記第2バンプを形成することでは、ニッケルで構成されたニッケル層(7)の上に前記第2はんだ層を積層し、
前記接合することでは、前記合金層が前記第2はんだ層を貫通して前記ニッケル層に到達するように熱圧着を行う請求項11に記載のはんだ接合体の製造方法。 - 前記第2バンプを形成することでは、電解メッキによって前記第2はんだ層を形成する請求項5ないし12のいずれか1つに記載のはんだ接合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017057822A JP6859787B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | はんだ接合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017057822A JP6859787B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | はんだ接合体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018160603A JP2018160603A (ja) | 2018-10-11 |
JP6859787B2 true JP6859787B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=63795724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017057822A Active JP6859787B2 (ja) | 2017-03-23 | 2017-03-23 | はんだ接合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6859787B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4366838B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2009-11-18 | 富士通株式会社 | 電子回路モジュールの製造方法 |
JP4656275B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-03-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4742844B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2014192383A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fujitsu Ltd | 電子部品及び電子装置の製造方法 |
JP6593119B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2019-10-23 | 富士通株式会社 | 電極構造、接合方法及び半導体装置 |
JP6729331B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-07-22 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-03-23 JP JP2017057822A patent/JP6859787B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018160603A (ja) | 2018-10-11 |
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