CN105129259A - 微组件的传送方法以及显示面板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种微组件的传送方法以及显示面板的制作方法，其中微组件的传送方法包含以下步骤：首先，提供承载基板，并形成多个微组件于承载基板上。接着，形成固定层于承载基板上，固定层至少接触微组件的底部。然后，图案化固定层，选择性地裸露部份的微组件。再来，提供转置装置，并对应位于承载基板上，且经由转置装置提取裸露的微组件。最后，提供接收基板，并移转提取裸露的微组件至接收基板上。本发明提供的上述方法，可减少添购新的操作设备，因而减少制造成本，同时因为制程为熟悉常用，亦可以增加制程良率。

Description

微组件的传送方法以及显示面板的制作方法
技术领域
本发明是涉及一种微组件的传送方法以及显示面板的制作方法。
背景技术
微型发光二极管数组(MicroLight-EmittingDiodeArray)为将尺寸微小(小于100微米)的微型发光二极管以数组方式排列设置于具有画素电路的数组基板上。透过寻址化驱动技术，每个微型发光二极管可以寻址控制、单独驱动点亮，因而可以作为点画素，于是，微型发光二极管数组将能发挥显示器的功能。
除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，微型发光二极管数组更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。比起同样是自发光的有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode)显示器，微型发光二极管数组有较佳的材料稳定性、寿命长、且无影像烙印等问题。
在制作微型发光二极管数组时，可以先分别形成微型发光二极管与数组基板，然后再透过封装技术如覆晶封装方式(FlipChipBonding)形成电性连结。微型发光二极管亦能藉由整合微透镜数组(MicrolensArray)，提高亮度及对比度。
为了进一步改善微型发光二极管数组的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的微型发光二极管数组与其相关制程，实属当前重要研发课题的一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
发明内容
本发明的目的旨在提供一种微组件的传送方法以及显示面板的制作方法，藉由整合制程方式，减少制造成本并增加制程良率。
根据本发明一实施方式，提供一种微组件的传送方法，包含以下步骤。首先，提供承载基板，并形成多个微组件于承载基板上。接着，形成固定层于承载基板上，固定层至少接触微组件的底部。然后，图案化固定层，选择性地裸露部份的微组件。再来，提供转置装置，并对应位于承载基板上，且经由转置装置提取裸露的微组件。最后，提供接收基板，并移转提取裸露的微组件至接收基板上。
于本发明的一或多个实施方式中，形成固定层为一种光感应有机材包括光阻材料或感光材料，光阻材料包括正型光阻材料(PositivePhotoresist)或负型光阻材料(NegativePhotoresist)。
于本发明的一或多个实施方式中，经由转置装置提取裸露的微组件，更包括转置装置提供提取面，且提取面与裸露的微组件接触，让转置装置进行提取。
于本发明的一或多个实施方式中，转置装置藉由超距力提取裸露的微组件。
于本发明的一或多个实施方式中，转置装置的提取面具有金属层，提供外电路于金属层产生静电力藉以提取裸露的微组件。
于本发明的一或多个实施方式中，转置装置的提取面具有导电磁化层，提供外电路于导电磁化层层产生磁力藉以提取裸露的微组件。
于本发明的一或多个实施方式中，转置装置的提取面具有弹性黏着层，转置装置以弹性黏着层提取裸露的微组件。
于本发明的一或多个实施方式中，形成多个微组件于承载基板上时，位于承载基板上的微组件间更形成第一间距；移转提取裸露的微组件至接收基板上时，位于接收基板上的微组件间更形成第二间距，且第二间距为第一间距的整数倍，其中整数较佳为大于二。
于本发明的一或多个实施方式中，传送方法还包括以下步骤。首先，再次图案化固定层，选择性地裸露其他部分的微组件。接着，经由转置装置提取裸露的其他部分微组件。然后，移转提取裸露的其他部份微组件至另一接收基板上。最后，重复进行多次前述的图案化固定层与移转提取裸露的微组件至多个其他接收基板。
于本发明的一或多个实施方式中，承载基板更包含离型层与本体，其中离型层暂时性地将微组件固定于本体上。
于本发明的一或多个实施方式中，离型层材料为一种有机聚合物、金属、合金、或减黏胶带。
于本发明的一或多个实施方式中，在经由转置装置提取裸露的微组件前，藉由照射紫外光、照射激光或加热使离型层脱离本体。
于本发明的一或多个实施方式中，接收基板包含连接层与数组基板，在移转提取裸露的微组件后，利用连接层固定移转的微组件于数组基板上，其中连接层的材料包括熔融态的金属、导电胶或黏着胶。
于本发明的一或多个实施方式中，提供一种显示面板的形成方法，包含以下步骤。首先，提供第一承载基板，并形成多个红色微型发光二极管于第一承载基板上。接着，形成并图案化固定层于第一承载基板上，因而选择性地裸露部分的红色微型发光二极管。然后，经由转置装置提取裸露的红色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的红色微型发光二极管至接收基板上。再来，提供第二承载基板，并形成多个绿色微型发光二极管于第二承载基板上。然后，形成并图案化固定层于第二承载基板上，因而选择性地裸露部分的绿色微型发光二极管。接着，经由转置装置提取裸露的绿色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的绿色微型发光二极管至接收基板上。再来，提供第三承载基板，并形成多个蓝色微型发光二极管于第三承载基板上。然后，形成并图案化固定层于第三承载基板上，因而选择性地裸露部分的蓝色微型发光二极管。接着，经由转置装置提取裸露的蓝色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的蓝色微型发光二极管至接收基板上。最后，形成上电极于设置于接收基板上的红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管，因而形成显示面板。
藉由固定层固定部份的微组件，再以转置装置提取裸露的微组件的方式来传送微组件，因此在使用此方法时，将可减少添购新的操作设备，因而减少制造成本，同时因为制程为熟悉常用，亦可以增加制程良率。
附图说明
图1示出本发明一实施方式的第一承载基板、第二承载基板、第三承载基板、接收基板、设置于其上的微组件以及转置装置的不同立体示意图。
图2A～2G示出本发明一实施方式的微组件的传送方法各步骤的剖面图。
图3A示出本发明一实施方式的微组件的上视图。
图3B示出本发明另一实施方式的微组件的上视图。
图3C示出本发明又一实施方式的微组件的上视图。
图4示出示本发明另一实施方式的微组件的传送方法其中一步骤的剖面图。
图5示出本发明又一实施方式的微组件的传送方法其中一步骤的剖面图。
图6示出本发明一实施方式的显示面板的剖面图。
图7示出本发明一实施方式的显示面板的形成方法的流程示意图。
图8示出本发明另一实施方式的显示面板的形成方法的流程示意图。
其中，附图标记说明如下：
110：承载基板
110r：第一承载基板
110g：第二承载基板
110b：第三承载基板
112：本体
114：离型层
120、120r、120g、120b：微组件
121：第一电极
122：第一半导体层
123：活性层
124：第二半导体层
126：辅助电极
130、130r、130g、130b：固定层
140：上电极
200、300：转置装置(第一转置装置)
200’:第二转置装置
202、301：提取面
302：弹性黏着层
400：接收基板
402：数组基板
404：连接层
406：画素电路
408：绝缘层
410：凸起部
490：容置空间
502、504、506、508、512、514、516、518、522、524、526、528、532、702、704、706、712、714、716、722、724、726、732：步骤
900：显示面板
L：边长
P、P’：间距
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示的。
图1是依照本发明一实施方式的第一承载基板110r、第二承载基板110g、第三承载基板110b、接收基板400、设置于其上的微组件120r、120g、120b以及转置装置400的不同立体示意图。如图1所示，第一承载基板110r、第二承载基板110g、第三承载基板110b上分别设置有微组件120r、120g、120b，微组件120r、120g、120b可为微型发光二极管(MicroLight-EmittingDiode)。在制造由微型发光二极管所组成的显示面板的过程中，需要进行传送微型发光二极管的动作，即预先设置于第一承载基板110r上的微组件120r、预先设置于第二承载基板110g上的微组件120g与预先设置于第三承载基板110b上的微组件120b必需经由转置装置200而转置于接收基板400上，藉此形成显示面板。微组件120r、120g、120b可为但不限于垂直型微型发光二极管或水平型微型发光二极管，其中垂直型微型发光二极管阴极与阳极位于微型发光二极管的上下两侧，水平型微型发光二极管阴极与阳极位于微型发光二极管面向接收基板400的另一侧上，本发明并不以此为限。
具体而言，微组件120r为红色微型发光二极管，微组件120g为绿色微型发光二极管，微组件120b为蓝色微型发光二极管。因为在第一承载基板110r、第二承载基板110g、第三承载基板110b上通常仅会分别设置有同种颜色的微型发光二极管例如微组件120r、120g、120b，因此微组件120r、120g、120b需要经由转置装置200批次转置于接收基板400上，藉此形成显示面板。更具体地说，经由转置装置200批次将设置于第一承载基板110r上的微组件120r转置于接收基板400上，经由转置装置200批次将设置于第二承载基板110g上的微组件120g转置于接收基板400上，经由转置装置200批次将设置于第三承载基板110b上的微组件120b转置于接收基板400上，于是微组件120r、120g、120b将以数组方式排列设置于接收基板400上。应了解到，以上所举的转置装置的立体示意图仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，可选择例如转置微组件120r、120g、120b的先后次序等具体实施方式。
于另一变化实施例中，第一承载基板110r、第二承载基板110g与第三承载基板110b可为同一个承载基板。于其他变化实施例中，转置装置200也可视需求为多个，提高传送效率缩短制程时间。
图2A～2G是依照本发明一实施方式的微组件120的传送方法各步骤的剖面图。具体而言，微组件120可为微型发光二极管，且微组件120的边长L≦100微米。另外，微组件120可对应于前述的微组件120r、120g、120b(即红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管或蓝色微型发光二极管)，但并不限于此。
如图2A所示，首先提供承载基板110，并形成多个微组件120设置于承载基板110上。具体而言，承载基板110包含离型层114与本体112。离型层114设置于本体112上，且微组件120设置于离型层114上。离型层114的功能为暂时性地将微组件120固定于本体112上。
在本实施方式中，离型层114为经过图案化，因而仅有微组件120下方设置有离型层114。在其他实施方式中，离型层114可以为未经图案化的整层结构。
具体而言，微组件120以数组方式排列设置于承载基板110上，相邻的微组件120之间具有间距P，其中间距P的大小为微组件120的边缘与相邻的微组件120的相对应边缘的距离，或者，间距P的大小为相邻的微组件120的中心的距离。
具体而言，微组件120包含第一电极(或称导体层)121、第一半导体层122、活性层123以及第二半导体层124。第一半导体层122设置于第一电极121上。第二半导体层124设置于第一半导体层122上。活性层123设置于第一半导体层122与第二半导体层124之间。
微组件120更可包含辅助电极(或称导体层)126。辅助电极126设置于第二半导体层124上且可为透明金属氧化物材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟(AIO)、氧化铟(InO)与氧化镓(GalliumOxide，GaO)的其中至少一者，或其它透明导电材料例如纳米碳管、纳米银颗粒、厚度小于60纳米(nm)的金属或合金、有机透明导电材料。
图3A为本发明一实施方式的微组件的上视图。图3B为本发明另一实施方式的微组件的上视图。图3C为本发明又一实施方式的微组件的上视图。如图3A、图3B以及图3C所示，辅助电极126可以为整面或局部的形式，局部的形式如图3A、图第3B图以及图第3C图的形状可为矩型、环状线型以及多个椭圆形。然而当吸引力为静电力或接触力时，微组件120可以不需要辅助电极126，此实施方式将于后面说明。应了解到，以上所举的辅置电极126的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择辅助电极126的具体实施方式。
如图2B所示，形成固定层130于承载基板110上，固定层130至少接触微组件120的底部。具体而言，固定层130的厚度大于微组件120的高度，因此固定层130覆盖微组件120。
具体而言，固定层130为形成于本体112上，但并不限于此。在其他实施方式中，离型层114可以为未经图案化的整层结构，固定层130形成于离型层114上。
固定层130为光阻材料或感光材料，光阻材料包括正型正型光阻材料(PositivePhotoresist)或负型光阻材料(NegativePhotoresist)利用其材料的感光特性图案化固定层130。举例而言，固定层130主要成分包括酚甲醛、酚醛树脂或聚亚酰胺。应了解到，以上所举的固定层130的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择固定层130的材质。
固定层130的厚度为3微米～20微米。应了解到，以上所举的固定层130的厚度仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择固定层130的厚度。
如图2C所示，图案化固定层130，是藉用曝光显影的方式选择性地裸露部分的微组件120。具体而言，图案化固定层130的步骤依序包含以下步骤。首先，软烤固定层130，其中软烤的温度为约摄氏80度至100度。接着，曝光固定层130。然后，显影固定层130，并因此选择性地裸露部分的微组件120。另外，在显影固定层130后，可以硬烤固定层130，使固定层130硬化，其中硬烤的温度为约摄氏100度至120度。
如图2D所示，提供转置装置200，并对应位于承载基板110上。具体而言，设置转置装置200于固定层130上。然后，如图2E所示，经由转置装置200，提取裸露的微组件120。
具体而言，转置装置200提供提取面202，转置装置200藉由提取面202与裸露的微组件120接触，让转置装置200进行选择性提取裸露的微组件120(因为仅有部份的微组件120为裸露，因此转置装置200为选择性提取微组件120)。应了解到，以上所举的转置装置200的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择转置装置200的具体实施方式。
在本实施方式中，转置装置200藉由超距力提取裸露的微组件120，其中超距力可为磁力或静电力，但并不限于此。在其他实施方式中，转置装置200可以藉由接触力提取裸露微组件120。当超距力为静电力时，转置装置200的提取面202可具有金属层，转置装置200提供外电路电连接于金属层，于是金属层产生静电力藉以提取裸露微组件120，并且微组件120可以不需要辅助电极126。当超距力为磁力时，转置装置200的提取面202可具有导电磁化层，转置装置200提供外电路电连接于导电磁化层，于是导电磁化层产生磁力藉以提取裸露微组件120。具体而言，导电磁化层产生磁力以吸引裸露微组件120的辅助电极126。本发明并不限于此，在其他实施方式中，转置装置200的提取面202可具有软磁铁层，软磁铁层产生磁力藉以提取裸露微组件120(磁力吸引辅助电极126)。另外，需要注意的是，转置装置200的提取面202为一平面结构。因此可以节省转置装置的设备成本，避免产品尺寸变化时，转置装置200会随着尺寸不同而需要更换，此外此全平面的转置装置更可以省去对位的问题，一但对位不准，微组件120可能会损坏或是产生电路不导通等问题。
另外，在经由转置装置200提取裸露的微组件120前，给予离型层114外加能量，因而使离型层114的黏度小于外加能量前。于是，离型层114失去固定微组件120于本体112的能力，转置装置200将可以提取裸露的微组件120并使微组件120脱离本体112。
离型层114的材质可为有机聚合物、金属、合金、或减黏胶带。给予离型层114外加能量的方式依照离型层114的性质不同可为照射紫外光、照射激光或加热。举例来说，离型层114的材质为锡，在转置装置200提取裸露的微组件120之前，对离型层114加热因而使离型层114熔化，于是微组件120得以脱离本体112(部份的离型层114可能会在微组件120脱离本体112的同时脱离本体112)。应了解到，以上所举的离型层114的材质与给予离型层114能量的方式仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择离型层114的材质与给予离型层114能量的方式。
本体112的材质可为塑料、硅基材或高分子材料。应了解到，以上所举的本体112的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择本体112的材质。
由于离型层114不再固定微组件120于本体112，所以裸露的微组件120可被转置装置200提取，而关于被固定层130覆盖的微组件120，因为被固定层130固定于本体112上，因此将不会被转置装置200提取。
如图2F所绘示，提供接收基板400，并藉由转置装置200，将微组件120转移提取至接收基板400上。具体而言，接收基板400包含数组基板402与连接层404。数组基板402包括多个薄膜晶体管(图未示)，用以驱动微组件120。连接层404设置于数组基板402上，微组件120为转置于连接层404上。
连结层404的材料包括熔融态的金属、导电胶或黏着胶。举例来说，当连结层404的材料为熔融态的金属，将给予连接层404能量，于是连接层404得以固定微组件120于数组基板402上。熔融态的金属可为例如铟(In)、铋(Bi)、锡(Sn)、银(Ag)、金、铜、镓(Ga)与锑(Sb)的其中至少一者，但不以此为限。在微组件120转置于接收基板400之后，对于连接层404加热因而使连接层404熔化，于是连接层404得以固定微组件120于数组基板402上。给予连接层404能量的方式可为照射紫外光、照射激光或加热焊接等方式。黏着胶可为任何具有黏性的薄膜层例如封装胶、硅胶或光阻材。
如图2G所示，移除转置装置200。将转置装置200的超距力移除，使得微组件120置于接收基板400上。
具体而言，数组基板402包含画素电路406与绝缘层408。绝缘层408为设置于画素电路406上。连接层404电连接画素电路406。绝缘层408更可具有凸起部410，于是凸起部410与连接层404形成容置空间490，容置空间490容置转置于连接层404上的微组件120。另外，凸起部410的高度与转置于连接层404上的微组件120的高度大致相同。
如图2A与图2G所示，设置于接收基板400上的微组件120具有间距P’，设置于承载基板110上的微组件120的间距P与设置于接收基板400上的微组件120的间距P’不同。具体而言，如图2E所绘示，设置于接收基板400上的微组件120的间距P’应为承载基板110上的微组件120的间距P的整数倍，整数大于二。
因为形成并图案化固定层130的制程均为常规制程，因此在使用此方法时，将可减少添购新的操作设备，因而减少制造成本。同时因为制程为常规制程，亦可以增加制程良率。
另外，如图2D所示，由于固定层130的厚度大于微组件120的高度，所以可以避免转置装置200直接撞击微组件120而使微组件120受损的情况，因而得以增加制程良率。
再者，由于转置装置200仅能提取裸露的微组件120，因此不用担心转置装置200与微组件120之间的对位问题，而微组件120的裸露选择为由固定层130的图案化决定，固定层130的图案化具有相当高的精度，因此不易产生误差。
至于被固定层130覆盖的微组件120，因为这些微组件120为被固定层130包覆，所以不受外在的微尘粒子污染，方便在后续的制程中使用，并提升相关制程良率。
图4是依照本发明另一实施方式的微组件120的传送方法其中一步骤的剖面图。本实施方式与前述实施方式大致相同，主要差异在于，本实施方式的转置装置300藉由接触力提取裸露微组件120。具体而言，如图4所示，转置装置300的提取面301具有弹性黏着层302，转置装置300以弹性黏着层302黏着提取裸露的微组件120。由于固定层130的厚度大于微组件120的高度，所以在转置装置300设置于固定层130上时，部份的弹性黏着层302将凸出于固定层130，因而得以接触裸露的微组件120，进而黏着微组件120。因为此时固定层130为固定于本体112上(固定层130为设置于本体112上)，所以在转置装置300黏着提取裸露的微组件120时固定层130将不会被提取。
图5是依照本发明又一实施方式的微组件120的传送方法其中一步骤的剖面图。本实施方式与图2A至图2G中的实施方式大致相同，主要差异在于，本实施方式的固定层130仅覆盖微组件120的底部。换句话说，如第5图所绘示，固定层130的厚度小于微组件120的高度。虽然在此实施方式中所有的微组件120的顶部皆裸露于固定层130，然而被固定层130所部份覆盖的微组件120，因为被固定层130固定于本体112上(固定层130为设置于本体112上)，因此将不会被转置装置200提取。
本发明还包括一种显示面板的制作方法，如图1所示，提供第一承载基板110r，并形成多个第一微型发光二极管120r于第一承载基板110r上。如图2A～图2E所示，形成并图案化固定层130于第一承载基板110r上，因而选择性地裸露部分第一微型发光二极管120r，经由第一转置装置200提取裸露的第一微型发光二极管120r至接收基板400上，并固定裸露的第一微型发光二极管120r于接收基板400上。提供第二承载基板110g，并形成多个第二微型发光二极管120g于第二承载基板110g上。如图2A～图2E所示，形成并图案化固定层130于第二承载基板110g上，因而选择性地裸露部分第二微型发光二极管120g，经由第二转置装置200’提取裸露的第二微型发光二极管110g，并移转提取与固定裸露的第二微型发光二极管120g至接收基板400。以及，如图6所示，形成上电极140于设置于接收基板400上的第一微型发光二极管120r与第二微型发光二极管120b上，其中第一微型发光二极管120r与第二微型发光二极管120b系发出不同的颜色光。于一变化实施例中，第一转置装置200与第二转置装置200’可为同一个转置装置，本领域的人员可依照需求使用不同数量的转置装置与承载基板，转置装置与承载基板数量并非用以限制本发明。
图6是依照本发明一实施方式的显示面板900的剖面图。如图6所示，显示面板900包含接收基板400、微组件120r(即红色微型发光二极管)、微组件120g(即绿色微型发光二极管)、微组件120b(即蓝色微型发光二极管)以及上电极140。微组件120r、微组件120g以及微组件120b设置于接收基板400上。上电极140设置于微组件120r、微组件120g以及微组件120b上，且分别电连接微组件120r、120g、120b。
具体而言，接收基板400包含数组基板402与连接层404。连接层404设置于数组基板402上，微组件120r、120g、120b设置于不同连接层404上(各连接层404之间没有电连接)。更具体地说，数组基板402包含画素电路406与绝缘层408。绝缘层408为设置于画素电路406上。连接层404电连接画素电路406。绝缘层408更可具有凸起部410，于是凸起部410与连接层404形成容置空间490，容置空间490容置设置于连接层404上的微组件120r、120g、120b。另外，凸起部410的高度与设置于连接层404的微组件120的高度大致相同，且上电极140更设置于凸起部410上。
具体而言，上电极140的材料可包括透明金属氧化物材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟(AIO)、氧化铟(InO)与氧化镓(GalliumOxide，GaO)的其中至少一者，或其它透明导电材料例如纳米碳管、纳米银颗粒、厚度小于60纳米(nm)的金属或合金、有机透明导电材料。应了解到，以上所举的上电极140的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，弹性选择上电极140的材质。
具体而言，在形成显示面板时，会需要将三种不同颜色(红色、绿色以及蓝色)的微型发光二极管分别设置于接收基板上，以下分别介绍两种不同的显示面板的形成方法。
图7是依照本发明一实施方式的显示面板的形成方法的流程示意图。如图7所绘示，步骤502为提供第一承载基板，并形成多个红色微型发光二极管于第一承载基板上。步骤502可以对应于图2A。
步骤504为形成并图案化固定层于第一承载基板上，因而选择性地裸露部分的红色微型发光二极管。步骤504可以对应于图2B与图2C。
具体而言，首先涂布固定层于第一承载基板上，固定层至少接触红色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层(实质温度约80～100度)。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的红色微型发光二极管。最后，硬烤固定层(实质温度约100～120度)，使固定层硬化。步骤504照明环境需要在黄光制程下进行，避免固定层受到照明的干扰。由于此实施例中，固定层使用硬烤的方式，为一次性消耗使用。待步骤508移除第一承载基板上的固定层后，必须进行重复地进行步骤504形成并图案化固定层于第一承载基板上。待步骤506红色微型发光二极管转置完成后才进行步骤512。同样地形成绿色微型发光二极管，重复步骤514与步骤518，才进行步骤522。类似地形成蓝色微型发光二极管，重复步骤524与步骤528，才进行步骤532。
步骤506为经由转置装置提取裸露的红色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的红色微型发光二极管至接收基板上。步骤506可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
步骤508为移除第一承载基板上的固定层。未被转置装置移转提取的红色微型发光二极管此时仍会设置于第一承载基板上。
步骤512为提供第二承载基板，并形成多个绿色微型发光二极管于第二承载基板上。步骤512可以对应于图2A。
步骤514为形成并图案化固定层于第二承载基板上，因而选择性地裸露部分的绿色微型发光二极管。步骤514可以对应于图2B与图2C。
具体而言，形成固定层于第二承载基板上，固定层至少接触绿色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的绿色微型发光二极管。最后，硬烤固定层，使固定层硬化。步骤514照明环境需要在黄光制程下进行。
步骤516为经由转置装置提取裸露的绿色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的绿色微型发光二极管至接收基板上。步骤516可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
由于在移转提取绿色微型发光二极管时，固定层已经硬化，因此步骤516不需要在照明环境为黄光制程的条件下进行。
步骤518为移除第二承载基板上的固定层。未被转置装置移转提取的绿色微型发光二极管此时仍会设置于第二承载基板上。
步骤522为提供第三承载基板，并形成多个蓝色微型发光二极管为设置于第三承载基板上。步骤522可以对应于图2A。
步骤524为形成并图案化固定层于第三承载基板上，因而选择性地裸露部分的蓝色微型发光二极管。步骤524可以对应于图2B与图2C。
具体而言，形成固定层于第三承载基板上，固定层至少接触蓝色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的蓝色微型发光二极管。最后，硬烤固定层，使固定层硬化。此处需要注意的是，步骤524照明环境需要在黄光制程条件下进行。
步骤526为经由转置装置提取裸露的蓝色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的蓝色微型发光二极管至接收基板上。步骤526可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
步骤528为移除第三承载基板上的固定层。未被转置装置移转提取的蓝色微型发光二极管此时仍会设置于第三承载基板上。
步骤532为形成上电极于设置于接收基板上的红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管与绝缘层的凸起部上，因而形成显示面板(见图6)。
图8是依照本发明另一实施方式的显示面板的形成方法的流程示意图。如图8所示，步骤702为提供第一承载基板，并形成多个红色微型发光二极管于第一承载基板上。步骤702可以对应于图2A。
步骤704为形成并图案化固定层于第一承载基板上，因而选择性地裸露部分的红色微型发光二极管。步骤704可以对应于图2B与图2C。
具体而言，首先形成固定层于第一承载基板上，固定层至少接触红色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的红色微型发光二极管。步骤704照明环境需要在黄光制程条件下进行。
步骤706为经由转置装置提取裸露的红色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的红色微型发光二极管至接收基板上。步骤706可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
由于在移转提取红色微型发光二极管时，固定层没有硬化，因此步骤706照明环境需要在黄光制程条件下进行，使避免固定层受到照明的干扰。另外，未被转置装置移转提取的红色微型发光二极管此时仍会设置于第一承载基板上。步骤710将第一承载基板上的固定层重复的进行曝光显影，相较于图7的实施方式，因固定层不需移除可重复利用，因此可降低生产的成本与减少制程中的站点较为省时。另外，在后续的移转提取绿色微型发光二极管与蓝色微型发光二极管时亦可以进行类似于步骤710的步骤。
步骤712为提供第二承载基板，并形成多个绿色微型发光二极管于第二承载基板上。步骤712可以对应于图2A。
步骤714为形成并图案化固定层于第二承载基板上，因而选择性地裸露部分的绿色微型发光二极管。步骤714可以对应于图2B与图2C。
具体而言，首先形成固定层于第二承载基板上，固定层至少接触绿色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的绿色微型发光二极管。
步骤716为经由转置装置提取裸露的绿色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的绿色微型发光二极管至接收基板上。步骤716可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
由于在移转提取绿色微型发光二极管时，固定层没有硬化，因此步骤716照明环境需要在黄光制程条件下进行。另外，未被转置装置移转提取的绿色微型发光二极管此时仍会设置于第二承载基板上。
步骤722为提供第三承载基板，并形成多个蓝色微型发光二极管为设置于第三承载基板上。步骤722可以对应于图2A。
步骤724为形成并图案化固定层于第三承载基板上，因而选择性地裸露部分的蓝色微型发光二极管。步骤724可以对应于图2B与图2C。
具体而言，首先形成固定层于第三承载基板上，固定层至少接触蓝色微型发光二极管的底部。接着，软烤固定层。然后，曝光与显影固定层，因而选择性地裸露部分的蓝色微型发光二极管。步骤724照明环境需要在黄光制程条件下进行。
步骤726为经由转置装置提取裸露的蓝色微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的蓝色微型发光二极管至接收基板上。步骤726可以对应于图2D、图2E、图2F以及图2G。
由于在移转提取蓝色微型发光二极管时，固定层没有硬化，因此步骤726照明环境需要在黄光制程条件下进行。另外，未被转置装置移转提取的蓝色微型发光二极管此时仍会设置于第三承载基板上。
步骤732为形成上电极于设置于接收基板上的红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管与绝缘层的凸起部上，因而形成显示面板(见图6)。
如图7与图8所绘示，在这两个形成显示面板的流程中，主要差异在于，步骤504、514、524有硬烤固定层而使固定层硬化，步骤704、714、724没有硬烤固定层而使固定层硬化。于是，步骤506、516、526照明环境可以不需在黄光制程条件下进行，但并非用以限制本发明。而步骤704、714、724照明环境需要在黄光制程条件下进行。另外，图6的形成方法在移转一次提取微型发光二极管后，便会将承载基板上的固定层移除(步骤508、518、528)，图8的形成方法在移转提取微型发光二极管后固定层可重复利用达到减省成本与时间。
应了解到，以上所举的显示面板的形成方法仅为例示，并非用以限制本发明，本领域的技术人员，应视实际需要，可自由组合转置红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管的先后次序。
如图2E所示，在转置装置200提取裸露的微组件120后，剩下未被提取的微组件120亦可以在后续制程中被提取转置于另一接收基板。转置此次未被提取的微组件120的制程可以藉由进一步再次图案化固定层130而裸露出其他至少部份的微组件120，之后再以类似前述制程的方式转置微组件120至另一接收基板﹔或者可以藉由先移除固定层130，再形成并图案化新的固定层而裸露出其他至少部份的微组件120，之后再以类似前述制程的方式转置微组件120至另一接收基板。转置微组件120至另一接收基板的动作可以重复进行，即在转置装置200提取裸露的微组件120后，剩下未被提取的微组件120可以重复进行多次前述的图案化固定层130与移转提取裸露的微组件120至多个其他接收基板；或者剩下未被提取的微组件120可以重复进行多次前述的移除固定层、形成并图案化新的固定层与移转提取裸露的微组件至多个其他接收基板。
前述的制程若以图7来讨论，即在进行步骤532后，再次依序进行步骤504、506、508、514、516、518、524、526、528、532，并因而形成另一显示面板。
前述的制程若以图8来讨论，即在进行步骤732后，再次依序进行步骤704、706、714、716、724、726、732，并因而形成另一显示面板。因为在第一承载基板、第二承载基板以及第三承载基板上的固定层没有被移除，所以在执行步骤704、714、724时，没有再另外形成新的固定层于第一承载基板、第二承载基板以及第三承载基板上。换句话说，第一承载基板、第二承载基板以及第三承载基板上的固定层在形成不同显示面板时为重复使用。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (15)

1.一种微组件的传送方法，包括：
提供一承载基板，并形成多个微组件于所述承载基板上；
形成一固定层于所述承载基板上，所述固定层至少接触所述多个微组件的底部；
图案化所述固定层，选择性地裸露部分的所述多个微组件；
提供一转置装置，并对应位于所述承载基板上，且经由所述转置装置提取裸露的所述多个微组件；以及
提供一接收基板，并移转提取裸露的所述多个微组件至所述接收基板上。
2.如权利要求1所述的微组件的传送方法，其中形成所述固定层为一种光感应有机材。
3.如权利要求1所述的微组件的传送方法，其中经由所述转置装置提取裸露的所述多个微组件，还包括所述转置装置提供一提取面，且所述提取面与裸露的所述多个微组件接触，让所述转置装置进行提取。
4.如权利要求3所述的微组件的传送方法，其中所述转置装置藉由一超距力提取裸露的所述多个微组件。
5.如权利要求4所述的微组件的传送方法，其中所述转置装置的所述提取面具有一金属层，提供一外电路于所述金属层产生静电力藉以提取裸露的所述多个微组件。
6.如权利要求4所述的微组件的传送方法，其中所述转置装置的所述提取面具有一导电磁化层，提供一外电路于所述导电磁化层层产生磁力藉以提取裸露的所述多个微组件。
7.如权利要求3所述的微组件的传送方法，其中所述转置装置的所述提取面具有一弹性黏着层，所述转置装置以所述弹性黏着层提取裸露的所述多个微组件。
8.如权利要求1所述的微组件的传送方法，其中所述多个微组件于所述承载基板上时，位于所述承载基板上的所述多个微组件间更形成一第一间距；所述转置装置提取裸露的所述多个微组件至所述接收基板上时，位于所述接收基板上的所述多个微组件间更形成一第二间距，且所述第二间距为所述第一间距的整数倍。
9.如权利要求1所述的微组件的传送方法，还包括：
再次图案化所述固定层，选择性地裸露其他部分的所述多个微组件；
经由所述转置装置提取裸露的其他部分所述多个微组件；
移转提取裸露的其他部份所述多个微组件至另一接收基板上；以及
重复进行多次前述的图案化所述固定层与移转提取裸露的所述多个微组件至多个其他接收基板。
10.如权利要求1所述的微组件的传送方法，其中所述承载基板更包含一离型层与一本体，其中所述离型层暂时性地将所述多个微组件固定于所述本体上。
11.如权利要求10所述的微组件的传送方法，所述离型层材料为一种有机聚合物、金属、合金、或减黏胶带。
12.如权利要求10所述的微组件的传送方法，其中在经由所述转置装置提取裸露的所述多个微组件前，藉由照射紫外光、照射激光或加热使所述离型层脱离所述本体。
13.如权利要求1所述的微组件的传送方法，其中所述接收基板包含一连接层与一数组基板，在移转提取裸露的所述多个微组件后，所述连接层固定移转的所述多个微组件于所述数组基板上。
14.如权利要求13所述的微组件的传送方法，所述连接层的材料包括熔融态的金属、导电胶或黏着胶。
15.一种显示面板的制作方法，包含：
提供一第一承载基板，并形成多个第一微型发光二极管于所述第一承载基板上；
形成并图案化一固定层于所述第一承载基板上，因而选择性地裸露部分所述多个第一微型发光二极管；
经由一第一转置装置提取裸露的所述多个第一微型发光二极管至一接收基板上，并固定裸露的所述多个第一微型发光二极管于所述接收基板上；
提供一第二承载基板，并形成多个第二微型发光二极管于所述第二承载基板上；
形成并图案化一固定层于所述第二承载基板上，因而选择性地裸露部分所述多个第二微型发光二极管；
经由一第二转置装置提取裸露的所述多个第二微型发光二极管，并移转提取与固定裸露的所述多个第二微型发光二极管至所述接收基板上；以及
形成一上电极于设置于所述接收基板上的所述多个第一微型发光二极管与所述多个第二微型发光二极管上，其中所述第一微型发光二极管与所述第二微型发光二极管系为不同的颜色。
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