CN106373895B - 过渡载板装置、显示面板及制造方法、微型发光件检测法 - Google Patents

过渡载板装置、显示面板及制造方法、微型发光件检测法 Download PDF

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Abstract

一种过渡载板装置、显示面板及制造方法、微型发光件检测法，该过渡载板装置的制造方法包括：首先，在基板上形成线路层。接着，在基板上形成支撑层，其具有多个暴露出线路层的开口。在支撑层上形成保护层，其覆盖支撑层以及开口所暴露的线路层。之后，在保护层上形成粘着图案层。接着，设置至少一微型发光件于粘着图案层上。接着，在保护层与微型发光件上形成绝缘层。之后，移除部分保护层与绝缘层，以形成多个接触孔。接着，在绝缘层上形成导线层，其借由这些接触孔电性连接微型发光件与线路层。另外，本发明还公开了过渡载板装置、检测微型发光件的方法以及显示面板及其制造方法。

Description

过渡载板装置、显示面板及制造方法、微型发光件检测法
技术领域
本发明涉及一种光电元件(optic electronic component)的承载装置、显示装置、承载装置与显示装置两者的制造方法以及光电元件的检测方法，特别是有关于一种用来承载微型发光件(micro light emitting device)的过渡载板装置(temporary carrierdevice)、利用此过渡载板装置检测微型发光件的方法、含有此微型发光件的显示面板(display panel)以及前述过渡载板装置与显示面板两者的制造方法。
背景技术
目前的固态发光技术(Solid-State Lighting，SSL)已发展出一种小尺寸的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，μLED)，其长度或宽度可在10微米(μm)以下。例如，微型发光二极管的底面可以是10微米乘10微米的正方形。由于微型发光二极管的尺寸小，所以微型发光二极管不仅可应用于照明技术，而且也适合用来制作显示面板。
一般的发光二极管在完成后都会进行电性检测，以确保完成的发光二极管能正常运作，而用于电性检测的设备通常使用探针(probe)来接触发光二极管的电极(electrode)。然而，微型发光二极管相较于一般的发光二极管，其尺寸较小，使得探针的尺寸过大而不容易接触微型发光二极管的电极进行电性检测，甚至探针可能会戳坏微型发光二极管，以至于上述检测设备难以使用探针直接检测微型发光二极管。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用来承载微型发光件(micro lightemitting device)的过渡载板装置(temporary carrier device)、利用此过渡载板装置检测微型发光件的方法、含有此微型发光件的显示面板(display panel)以及前述过渡载板装置与显示面板两者的制造方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种过渡载板装置，其能承载微型发光件，并能帮助检测微型发光件。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了上述过渡载板装置的制造方法。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，其所包括的微型发光件可由上述过渡载板装置转置(transfer)而成。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了上述显示面板的制造方法。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种微型发光件的检测方法，其检测上述过渡载板装置的微型发光件来进行。
本发明一实施例提出一种过渡载板装置的制造方法。首先，在基板上形成线路层。接着，在基板上形成支撑层，其具有多个开口，而这些开口暴露出线路层的至少一部分。接着，在支撑层上形成保护层，其中保护层覆盖支撑层以及这些开口所暴露的线路层。接着，在保护层上形成粘着图案层，其中部分保护层被夹置在粘着图案层与支撑层之间。之后，设置至少一微型发光件于粘着图案层上，其中微型发光件具有多个电极，且微型发光件于垂直投影于基板的方向与粘着图案层重叠。接着，在保护层与微型发光件上形成绝缘层。之后，移除部分保护层与绝缘层，以于保护层与绝缘层形成多个接触孔。然后，在绝缘层上形成导线层，其中导线层借由这些接触孔电性连接微型发光件与线路层。
本发明另一实施例提出一种过渡载板装置，其包括基板、线路层、保护层、粘着图案层、至少一微型发光件、绝缘层以及导线层。线路层位于基板上。保护层覆盖部分线路层，其中基板顶面、保护层底面与线路层部分表面组成至少一微通道。粘着图案层形成在微通道上。至少一微型发光件固定于粘着图案层上。绝缘层包覆至少一微型发光件与粘着图案层。导线层位于绝缘层上，并包括多个接脚，其中这些接脚分别电性连接线路层与这些电极，且这些接脚相互分隔。
本发明另一实施例提出一种显示面板的制造方法。在此制造方法中，进行上述过渡载板装置的制造方法。接着，利用转移头将微型发光件及其下的保护层至少一部分与导线层至少一部分从基板上的线路层分离。之后，将微型发光件及其下的保护层至少一部分与导线层至少一部分转置于元件阵列基板的子像素中。接着，将元件阵列基板的多个连接电极分别电性连接这些微型发光件的这些电极。
本发明另一实施例提出一种显示面板，其包括上述过渡载板装置中的微型发光件及其下的保护层至少一部分与这些接脚、元件阵列基板以及粘着层。元件阵列基板具有多个子像素，并与这些接脚电性连接。粘着层设置于元件阵列基板上。在微型发光件及其下的保护层至少一部分与导线层至少一部分从过渡载板装置转置于元件阵列基板的子像素之后，这些接脚插入于粘着层。
本发明另一实施例提出一种微型发光件的检测方法，用于对上述过渡载板装置作电性检测，而在这过渡载板装置中，微型发光件的数量为多个，而线路层包括一阴极测试垫与一阳极测试垫。在微型发光件的检测方法中，提供电源于阴极测试垫与阳极测试垫，对这些微型发光件进行一电性测试，以筛选这些微型发光件。
本发明的技术效果在于：
本发明在过渡载板装置中，利用基板上的线路层与至少一个微型发光件之间的电性连接，可提供电源于线路层，以对微型发光件进行电性检测。相较于现有技术采用探针的电性检测设备，利用过渡载板装置对至少一个微型发光件所作的电性检测可以免去探针与微型发光件之间的接触，防止探针戳微型发光件，从而帮助提升良率(yield)。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1B是本发明图1A中沿线1B-1B剖面所绘示的剖面图；
图1C是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1D是本发明图1C中沿线1D-1D剖面所绘示的剖面图；
图1E是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1F是本发明图1E中沿线1F-1F剖面所绘示的剖面图；
图1G是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1H是本发明图1G沿线1H-1H剖面所绘示的剖面图；
图1I是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1J是本发明图1I沿线1K-1K剖面所绘示的剖面图；
图1K是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图1L是本发明图1K沿线1M-1M剖面所绘示的剖面图；
图1M是本发明一实施例的过渡载板的剖面图；
图1N是本发明一实施例的过渡载板的剖面图；
图1O是本发明一实施例的过渡载板的俯视图；
图2A是本发明另一实施例的过渡载板转置到元件阵列基板的制造显示面板的示意图；
图2B是本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图2C是本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图；
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E是本发明又一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。
其中，附图标记
10：过渡载板
20：转移头
30：承载板
100a、100b、300a、300b：过渡载板装置
101、102：基板
101t、201a、202a：顶面
110：线路层
111：阳极测试垫
112：阴极测试垫
113：走线
120、120i：保护层
121、200b：底面
130、230：粘着图案层
140、140i、214：绝缘层
150、350：导线层
151、152、351、352：接脚
160：元件阵列基板
162：控制元件线路层
170、230i：粘着层
190：支撑层
190h：开口
200、300：微型发光件
201、304：第一型半导体层
202、306：第二型半导体层
203、305：量子井层
211、212：电极
164:第一电极
166:第二电极
221:第三电极
222:第四电极
220：连接导线
300i：半导体发光结构
303：电极层
400：显示面板
C1、C2：接触孔
T1：微通道
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、图1G、图1H、图1I、图1J、图1K、图1L、图1M、图1N与图1O是本发明一实施例的过渡载板装置的制造方法的示意图。请参阅图1A与图1B，在过渡载板装置的制造方法中，首先，在基板101上形成线路层110，以形成包括基板101与线路层110的过渡载板10。图1A绘示过渡载板10的俯视图，而图1B为图1A中沿线1B-1B剖面所绘示的剖面图。
基板101较佳为刚性基板(rigid substrate)，例如玻璃板或陶瓷板。线路层110可为导电层，例如不透明导电层、透明导电层、或上述的堆叠，并可经由沉积(deposition)与将沉积的膜层经由图案化而形成。图案化的方法包含微影(photolithography)与蚀刻(etching)、激光刻划、或其它合适的方法，其中此沉积例如是物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，PVD)、电镀(electroplating)或化学镀(chemical plating)或是其它合适的方法。于其它实施例中，线路层110亦可由网版印刷、喷墨或其它合适的方法。
线路层110可包括多条并列的走线(trace)113、多个阳极测试垫111与至少一阴极测试垫112。这些走线113分别连接阴极测试垫112与这些阳极测试垫111，并可位在阴极测试垫112与阳极测试垫111之间，其中这些阳极测试垫111排成列。当提供电源于阴极测试垫112与阳极测试垫111时，阴极测试垫112与阳极测试垫111之间产生流经走线113的电流，其中走线113为线路层110所组成的多条走线113。必需说明的是，当部分该些走线113的一端已连接阴极测试垫112，则此部分该些走线113的另一端就不会连接阳极测试垫111，以防止后续的电路短路，而另一部分该些走线113，同理类推。因此，可视为分别与连接阴极测试垫112与阳极测试垫111的走线113可交错排列(staggered arrangement)。
阴极测试垫112与阳极测试垫111其中之一的数量为至少一个。例如，在图1A所示的实施例中，阴极测试垫112的数量为一个，而阳极测试垫111的数量为多个，但在其他实施例中，阴极测试垫112的数量可为多个，而阳极测试垫111的数量可为一个。当然，阴极测试垫112的数量可为一个，而阳极测试垫111的数量可为一个。或者，阴极测试垫112的数量可为多个，而阳极测试垫111的数量可为多个。阴极测试垫112与阳极测试垫111分别电性连接后续形成微型发光体的阴极(cathode)与阳极(anode)。
请参阅图1C与图1D，其中图1D是图1C中沿线1D-1D剖面所绘示的剖面图。接着，在基板101上形成支撑层190，其可以是经曝光与显影之后的光阻层。支撑层190具有多个开口190h，而这些开口190h暴露出线路层110的至少一部分。于其它实施例中，支撑层190可为有机材料、无机材料、或前述的堆叠。具体而言，支撑层190覆盖线路层110的这些走线113(请参阅图1A)，而各个开口190h会暴露其中一条走线113的一部分，换句话说支撑层190覆盖部分线路层110。因此，该些开口190h的其中一个会对应其中一条走线113，且该条走线113的一端是连接阴极测试垫112，该些开口190h的另一个会对应其中另一条走线113，且该条走线113的一端是连接阳极测试垫111。支撑层190覆盖部分基板101，即支撑层190可部分地覆盖阴极测试垫112与这些阳极测试垫111。或者，阴极测试垫112与这些阳极测试垫111未被支撑层190所覆盖。此外，在本实施例中，开口190h的孔径(diameter)可小于或约等于2微米为范例，但不限于此。再者，也不限制于开口190h的垂直投影于基板101的形状，其可为多边形。
请参阅图1E与图1F，其中图1F是图1E中沿线1F-1F剖面所绘示的剖面图。在形成支撑层190之后，支撑层190上形成一层保护层120i。保护层120i覆盖支撑层190与未被支撑层190所覆盖的线路层110，也就是说保护层120i接触支撑层190与部分线路层110。保护层120i可全面性地覆盖支撑层190。当支撑层190已暴露阴极测试垫112与这些阳极测试垫111时，保护层120i也可部分覆盖并接触阴极测试垫112与阳极测试垫111(请参阅图1A)。
保护层120i为绝缘层，并可利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)而形成，而构成保护层120i的材料可以是无机材料，例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或前述材料的堆叠。详细而言，由于保护层120i可利用化学气相沉积而形成，所以保护层120i沿支撑层190表面形成或称共形地(conformally)并且覆盖支撑层190与线路层110。于其它实施例中，保护层120i可为有机材料、或有机材料与无机材料堆叠、或其它合适的材料。
在形成保护层120i之后，于保护层120i上形成至少一层粘着图案层130，其中部分保护层120i被夹置在粘着图案层130与支撑层190之间。粘着图案层130与支撑层190两者的形成方法与构成材料皆可实质上相同。也就是说，粘着图案层130也可以是经曝光与显影之后的光阻层。于其它实施例中，粘着图案层130与支撑层190两者的形成方法与构成材料也可不同。之后，设置至少一个微型发光件200于粘着图案层130上，以使微型发光件200固定于粘着图案层130上，其中微型发光件200于垂直投影于基板101的方向与粘着图案层130重叠。换言之，微型发光件200与粘着图案层130垂直投影于基板101上，二者位于二相邻的走线113之间，二相邻的走线113其中一条的一端是连接阴极测试垫112，二相邻的走线113另一条的一端是连接阳极测试垫111，而微型发光件200与粘着图案层130垂直投影于基板101上，可部分重叠于二相邻的走线113的一部分或不重叠于二相邻的走线113。此外，微型发光件200的数量可以仅为一个或多个，而粘着图案层130的数量也可相同于微型发光件200的数量，以使多个微型发光件200能一对一地设置于多个粘着图案层130。
微型发光件200可为从其他基板(图未示)转置于基板101上的多层半导体结构。详细而言，在微型发光件200通过磊晶(epitaxy)而形成于成长基板(growing substrate)上后，微型发光件200可经由举离(lift off)方式而离开成长基板(图未示)，并设置于转移基板上。举离方式可利用激光来进行，而成长基板具有晶体结构(crystalline structure)，且例如是蓝宝石基板(sapphire substrate)。之后，分离微型发光件200与转移基板，将微型发光件200转置于粘着图案层130上，其中分离微型发光件200与转移基板的方法也可以是利用激光的举离，但不限于此。因此，在微型发光件200设置于粘着图案层130上以前，微型发光件200可经过两次转置。此外，在其他实施例中，微型发光件200在成长基板上形成之后，也可直接从成长基板转置于基板101上或其它合适的方法。
微型发光件200可为半导体元件，其例如是微型发光二极管(μLED)。因此，微型发光件200的长度、宽度或粒径(diameter)可在10微米以下。例如，微型发光件200的底面200b可以是10微米乘10微米的正方形，或3微米乘8微米的矩形或其它尺寸的底面200b，但形状并非用以限制本发明。也就是说，微型发光件200占据保护层120i的面积可以小于或约等于100平方微米。微型发光件200包括多层半导体层，举例而言包括第一型半导体层以及与第一型半导体层极性相反的第二型半导体层或者是第一型半导体层、与第一型半导体层极性相反的第二型半导体层、以及位于第一型半导体层与第二型半导体层间的量子井层(或者是本征层)，其中，第一型半导体层与第二型半导体层的极性可分别为N或P型半导体层。
在图1E与图1F所示的实施例中，举例而言，微型发光件200在转置于基板101上以前，已包括第一型半导体层201、第二型半导体层202、量子井层203、绝缘层214以及多个电极211与212，其中绝缘层214可覆盖第二型半导体层202的部分上表面与侧面、量子井层(或者是本征层)203的侧面以及第一型半导体层201的部分上表面与侧面上，而电极211与212穿过绝缘层214而分别连接于第一型半导体层201与第二型半导体层202。
量子井层203位于第一型半导体层201与第二型半导体层202之间，而第一型半导体层201与第二型半导体层202为两种不同掺杂类型(doping type)的半导体层。例如，第一型半导体层201可为N型半导体层，而第二型半导体层202可为P型半导体层，反之亦然。图1F所示的微型发光件200为一种水平式发光二极管，所以第二型半导体层202底面积大于第一型半导体层201底面积，换句话说第二型半导体层202会凸出于第一型半导体层201的边缘并且接触电极212，电极211与212皆位于微型发光件200同一侧，即电极211与212分别位于远离基板101顶面101t的第一型半导体层201与第二型半导体层202的顶面201a、202a。不过，在其他实施例中，微型发光件200也可以是垂直式发光二极管，所以微型发光件200并不限定只能是水平式发光二极管。
请参阅图1G与图1H，其中图1H是图1G中沿线1H-1H剖面所绘示的剖面图。接着，在保护层120i与微型发光件200上形成绝缘层140i，其中绝缘层140i覆盖微型发光件200、至少部分的保护层120i与至少部分的电极211与212，如图1H所示。绝缘层140i的形成方法以及构成材料可以与保护层120i实质上相同，即绝缘层140i也可利用化学气相沉积而形成。因此，绝缘层140i也可以共形地覆盖保护层120i以及微型发光件200。于其它实施例中，绝缘层140i与保护层120i两者的形成方法与构成材料也可不同。
请参阅图1H与图1I。接着，移除部分保护层120i与绝缘层140i，以于保护层120i与绝缘层140i形成多个接触孔C1与C2。这些接触孔C1暴露部分线路层110，例如暴露部分走线113(请参阅图1A)。换言之，这些接触孔C1未遮蔽部分走线113或者是这些接触孔C1垂直投影于基板101与部分走线113重叠。因此，该些接触孔C1的其中一个会对应其中一条走线113，且该条走线113的一端是连接阴极测试垫112，该些接触孔C1的另一个会对应其中另一条走线113，且该条走线113的一端是连接阳极测试垫111。这些接触孔C2分别暴露部分电极211与部分电极212。换言之，这些接触孔C2分别未遮蔽部分电极211与部分电极212或者是这些接触孔C2垂直投影于基板101分别与部分电极211与部分电极212重叠。其中接触孔C1的孔径(diameter)可以约等于或小于2微米，但不限于此。这些接触孔C1与C2可经由微影与蚀刻而形成，其中此蚀刻可以是干蚀刻(dry etching)或湿蚀刻(wet etching)。此外，保护层120i与绝缘层140i可覆盖部分的阴极测试垫112与阳极测试垫111(请参阅图1A)，所以在形成接触孔C1与C2的过程中，也可移除覆盖阴极测试垫112与阳极测试垫111的保护层120i与绝缘层140i，以暴露阴极测试垫112与阳极测试垫111(或者是未遮蔽部分阴极测试垫112与部分阳极测试垫111)。其中，接触孔C1与C2垂直投影于基板101的投影形状可为多边形。
请参阅图1I，在本实施例中，接触孔C1完全形成于开口190h内，即垂直投影于基板101的接触孔C1投影范围完全落于开口190h内，所以接触孔C1的孔径会小于开口190h的孔径，且接触孔C1的边缘完全落在开口190h内。不过，在其他实施例中，接触孔C1的部分边缘落在开口190h内，但边缘的其他部分则形成在开口190h外。因此，开口190h的孔径，举例而言可大于2微米，以至于形成接脚151及/或接脚152电性连接线路层110，可由精度低的微影机台来形成，不需要使用精度高的微影机台。
请参阅图1J与图1K，其中图1K是图1J中沿线1K-1K剖面所绘示的剖面图。接着，在绝缘层140i上形成导线层150，其可为导电层，例如不透明导电层、透明导电层、或上述的堆叠。导线层150的形成方法可与线路层110实质上相同或不同，且导线层150局部覆盖绝缘层140i，并且延伸至这些接触孔C1与C2中与线路层110连接，例如：走线113连接。具体而言，位于绝缘层140i上的导线层150包括多个接脚151与152，其中接脚151连接线路层110(例如走线113，其一端连接阴极测试垫112与阳极测试垫111其中一个)与电极211，而接脚152电性连接线路层110(例如走线113，两相邻走线113其中一条的一端电性连接阴极测试垫112，另一条的一端电性连接阳极测试垫111)与电极212。如此，导线层150能借由这些接触孔C1与C2而连接微型发光件200的电极211、212以及线路层110，以使微型发光件200能经由导线层150而连接线路层110。此外，接脚151与152相互分隔，以避免发生短路(short circuit)。
在形成导线层150之后，过渡载板装置100a基本上已制造完成，其中过渡载板装置100a包括基板101、线路层110、保护层120i、粘着图案层130、绝缘层140i、至少一个微型发光件200、支撑层190以及导线层150。保护层120i覆盖部分线路层110，并接触及连接线路层110的走线113(请参阅图1A)。绝缘层140i包覆微型发光件200与粘着图案层130的侧边。
请参阅图1L与图1M，其中图1M是图1L中沿线1M-1M剖面所绘示的剖面图。在形成导线层150之后，移除位于微型发光件200与导线层150以外的部分保护层120i与部分绝缘层140i，例如移除位于阴极测试垫112与阳极测试垫111(请参阅图1A)上方的保护层120i与绝缘层140i及/或移除位于二相邻的走线113上方的部分保护层120i与部分绝缘层140i，其中二相邻的走线113其中一条的一端是连接阴极测试垫112，二相邻的走线113另一条的一端是连接阳极测试垫111，以形成暴露出部分支撑层190的保护层120与绝缘层140或者可称为部分的支撑层190未被微型发光件200、导线层150、保护层120与绝缘层140所遮蔽。保护层120i与绝缘层140i可经由同一道蚀刻来移除，如图1M所示，其中前述蚀刻可以是干蚀刻或湿蚀刻。于其它实施例中，保护层120i与绝缘层140i也可经由多道蚀刻来移除。
在本实施例中，保护层120与绝缘层140是在形成导线层150之后形成，但在其他实施例中，保护层120与绝缘层140也可与形成接触孔C1与C2的同一道工艺中完成。当移除部分保护层120i与绝缘层140i以形成接触孔C1与C2时，可同时移除位于微型发光件200以外的部分保护层120i与部分绝缘层140i，从而形成暴露出部分支撑层190的保护层120与绝缘层140或者可称为未被微型发光件200、导线层150、保护层120与绝缘层140所遮蔽的部分支撑层190。所以，保护层120与绝缘层140不仅可在形成导线层150之后形成，而且也可在形成导线层150之前形成。
请参阅图1M以及图1N，在形成导线层150之后，对保护层120与绝缘层140所暴露出部分支撑层190(即未被微型发光件200、导线层150、保护层120与绝缘层140所遮蔽的部分支撑层190)进行移除，并且会更移除位于微型发光件200下方的支撑层190。由于支撑层190可以是有机材料、无机材料、或前述的堆叠，较佳为光阻材料。支撑层190为光阻材料时，可利用灰化(ashing)来移除，其中此灰化可以采用含氧电浆(oxygen plasma)，例如：氧气电浆，来进行或是其它合适的方法，例如：清除液(stripper)。
举例来说，当含氧电浆接触未被保护层120与绝缘层140覆盖的支撑层190时，支撑层190会被含氧电浆氧化而移除。此外，保护层120与绝缘层140两者构成材料，例如可以是氧化硅或氮化硅，而氧化硅与氮化硅皆很难与含氧电浆产生反应，以至于含氧电浆难以氧化氧化硅与氮化硅。因此，在进行灰化以移除支撑层190之后，保护层120与绝缘层140基本上不会被含氧电浆所损伤而能保留下来，而被保护层120与绝缘层140完全包覆的粘着图案层130也能保留下来而不被含氧电浆移除。
在图1N所示的实施例中，由于支撑层190基本上可被完全移除而不残留于微通道T1内。然而，在其他实施例中，支撑层190可以被部分移除，以使部分支撑层190能保留下来。例如，只移除覆盖阴极测试垫112与阳极测试垫111(请参阅图1A)的支撑层190，并保留覆盖这些走线113的支撑层190，以使阴极测试垫112与阳极测试垫111被暴露出来(或称为未被遮蔽)而能外接电源。
图1O是图1N的俯视图，其中图1N为图1O中沿线1N-1N剖面所绘示的剖面图。请参阅图1N与图1O，在移除支撑层190之后，保护层120底面121、基板101顶面101t以及线路层110部分表面形成微通道T1，而过渡载板装置100b基本上已制造完成。过渡载板装置100a与100b相似，但过渡载板装置100b没有支撑层190，而形成微通道(micro-tunnel or micro-cavity)T1。其中微通道(micro-tunnel or micro-cavity)T1由基板101顶面101t、保护层120i底面121与线路层110部分表面所组成。粘着图案层130位于微通道T1上方。此外，在过渡载板装置100b(或过渡载板装置100a)中，各个微型发光件200位于二相邻走线113之间，其它描述可参阅前述，且这些微型发光件200呈阵列(array)排列，如图1O所示。
请参阅图1O，在移除支撑层190之后，可对过渡载板装置100b的多个微型发光件200进行检测。具体而言，在形成过渡载板装置100b之后，提供电源于阴极测试垫112与这些阳极测试垫111，以对这些微型发光件200进行电性测试。由于这些走线113连接阴极测试垫112与阳极测试垫111，且微型发光件200能经由导线层150而电性连接线路层110的走线113，因此电源所产生的电能可经由阴极测试垫112、阳极测试垫111及走线113而传输至微型发光件200。
当电能传输到这些微型发光件200时，检查这些微型发光件200是否正常发光，以筛选这些微型发光件200。也就是说，根据这些微型发光件200的发光情形，淘汰不正常发光与不发光的微型发光件200，并留下正常发光的微型发光件200进行后续转置。如此，利用过渡载板装置100b所进行的电性检测，可减少不良或故障的微型发光件200进行后续生产流程，降低不良品的产出，从而帮助良率的提升。另外，除了电性检测之外，也可以对这些微型发光件200进行光激发荧光检测(Photo-Luminescence，PL)，以检测这些微型发光件200的磊晶品质。
值得一提的是，以上电性检测不仅可以在移除支撑层190之后进行，也可以在移除支撑层190之前进行。详细于言，请参阅图1J与图1K，只要在阴极测试垫112与这些阳极测试垫111未被支撑层190、保护层120i与绝缘层140i所覆盖(遮蔽)，即阴极测试垫112与这些阳极测试垫111被暴露出来，这些微型发光件200仍可以通过导线层150而电性连接线路层110走线113。因此，包括支撑层190的过渡载板装置100a也可以进行以上检测，例如电性检测与光激发荧光检测。
图2A至图2C是本发明一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图，其中本实施例的显示面板制造方法可从图1N所揭示的步骤开始。请参阅图1N、图1O以及图2A，在移除支撑层190并形成过渡载板装置100b之后，进行转置步骤，将电性测试的结果为合格的微型发光件200从基板101取出，其中可利用转移头20来取出微型发光件200，以使微型发光件200与基板101分离，如图2A所示。转移头20可以是由高分子材料所制成的图章(stamp)，而高分子材料例如是聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或其它合适的材料。此外，在微型发光件200与基板101分离之后，留下来的基板101与线路层110可以重复使用，以用于下一次制造过渡载板装置100a或100b。
从图1N来看，保护层120与导线层150的接脚151、152皆接触及连接线路层110。然而，保护层120与导线层150两者与线路层110之间的接触面积都相当微小，可使得保护层120与导线层150两者与线路层110之间的接合力(bonding force,or namely adhesionforce)弱于转移头20对于微型发光件200的接合力(bonding force)。因此，保护层120与导线层150两者其实易于从线路层110分离，所以转移头20能将微型发光件200及其下的保护层120至少一部分与导线层150至少一部分(例如接脚151与152)从基板101上的线路层110分离，以使转移头20能从基板101取出微型发光件200。
请参阅图2B，接着，将多个电性测试合格的微型发光件200(图2B绘示一个微型发光件200作为举例说明)装设于具有多个子像素(sub-pixel)(图未示)的元件阵列基板(component array substrate)160，其中元件阵列基板160包括基板102与控制元件线路层162。具体而言，可以利用转移头20(图2B未绘示)将微型发光件200、保护层120至少一部分及绝缘层140至少一部分与导线层150至少一部分(例如接脚151与152)转置于元件阵列基板160的各个子像素中，其中一个子像素包括至少一个微型发光件200。
这些微型发光件200可通过粘着层170而装设于元件阵列基板160上。详细而言，在微型发光件200、保护层120至少一部分以及导线层150至少一部分从过渡载板装置100b转置于元件阵列基板160的子像素之后，这些接脚151与152会插入及/或粘着于粘着层170，以使这些微型发光件200能固定在元件阵列基板160上。此外，粘着层170的构成材料可实质上相同于粘着图案层130，即粘着层170可以是有机材料、无机材料、或前述的堆叠。举例而言，较佳地，粘着层170可为光阻或胶材(glue)，但不限于此。于其它实施例中，粘着层170的构成材料可不同于粘着图案层130。
元件阵列基板160具有多个控制元件线路层162。这些控制元件线路层162用于控制这些微型发光件200。控制元件线路层162包括主动元件(active component)或被动元件(passive component)，且前述元件会与走线连接，其中主动元件例如是薄膜电晶体(ThinFilm Transistor，TFT)，而被动元件例如是二极管。因此，依据不同类型的控制元件线路层162(例如主动元件或被动元件)，则元件阵列基板160可以是主动元件阵列基板或被动元件阵列基板。
请参与图2C，接着，将元件阵列基板160的多个控制元件线路层162分别电性连接这些微型发光件200的这些电极211与212，以使这些控制元件162能经由控制元件线路层162而分别电性连接这些微型发光件200，进而控制这些微型发光件200，其中多个控制元件线路层162相分隔。具体而言，可移除部分粘着层170，以使下方的这些控制元件线路层162一部分得以暴露出来，即部分控制元件线路层162未被粘着层170所遮蔽。接着，形成多个连接导线220，其与控制元件线路层162及这些接脚151、152连接。必需说明的是，多个控制元件线路层162与多个连接导线220皆可视为相分隔的电极，例如：以控制元件线路层162的主动元件为范例说明，则相分隔的元件线路层162又可称为第一电极164与第二电极166，则第一电极164可为主动元件的漏极，第二电极164可为固定电位电极或浮接电极，而多个连接导线220的相分隔的电极可称为第三电极221与第四电极222，则第三电极221连接微型发光件200的电极211与第一电极164，且第四电极222连接微型发光件200的电极212与第二电极166，其中，微型发光件200的电极211接触且连接第一型半导体层201与第二型半导体层202其中之一，而微型发光件200的电极212接触且连接第一型半导体层201与第二型半导体层202另一。以控制元件线路层162的被动元件为范例说明，则相分隔的电极可称为第一电极164与第二电极166，则第一电极164可为被动元件的阴极及阳极其中之一，第二电极166可为阴极及阳极另一，而多个连接导线220的相分隔的电极可称为第三电极221与第四电极222，则第三电极221连接微型发光件200的电极211与第一电极164，且第四电极222连接微型发光件200的电极212与第二电极166，其中，微型发光件200的电极211接触且连接第一型半导体层201与第二型半导体层202其中之一，而微型发光件200的电极212接触且连接第一型半导体层201与第二型半导体层202另一。至此，一种显示面板400基本上已制造完成。显示面板400包括微型发光件200及其下的保护层120至少一部分、这些接脚151与152、与这些接脚151、152电性连接的元件阵列基板160以及设置于元件阵列基板160上的粘着层170。
图3A至图3E是本发明另一实施例的过渡载板装置的制造方法的示意图，而图3A至图3E所揭露的过渡载板装置制造方法与前述实施例的过渡载板装置制造方法相似。例如，与前述实施例一样，本实施例也采用基板101、线路层110、保护层120i以及支撑层190来制造过渡载板装置。然而，本实施例与前述实施例两者形成微型发光件的方法却不相同。
请参阅图3A，在支撑层190与线路层110形成于基板101之后，直接形成半导体发光结构300i于粘着层230i上。半导体发光结构300i可具有发光二极管的膜层结构，即半导体发光结构300i实质上为发光二极管。半导体发光结构300i包括电极层303、第一型半导体层304、量子井层305与第二型半导体层306或者是包括电极层303、第一型半导体层304与第二型半导体层306。量子井层305位于第一型半导体层304与第二型半导体层306之间，而第一型半导体层304与第二型半导体层306为两种不同掺杂类型的半导体层。例如，第一型半导体层304可为N型半导体层，而第二型半导体层306可为P型半导体层，反之亦然。电极层303连接第一型半导体层304，并与第一型半导体层304之间形成欧姆接触(Ohmic contact)。
半导体发光结构300i也可以从一块承载板30转置过来。在本实施例中，承载板30可以是成长基板，例如蓝宝石基板，而半导体发光结构300i通过磊晶而形成于承载板30上。所以，半导体发光结构300i的第一次转置是转置到基板101的粘着层230i上。粘着层230i能填满支撑层190的这些开口190h，并接触保护层120i，而粘着层230i的构成材料可以是有机材料、无机材料、或前述的堆叠，较佳地，举例而言为光阻或胶材(glue)。
请参阅图3B，接着，分离承载板30与半导体发光结构300i。详细而言，可以进行举离来分离承载板30与半导体发光结构300i，其中此举离可以采用激光来进行。在分离承载板30与半导体发光结构300i之后，半导体发光结构300i会保留并固定于粘着层230i上。
请参阅图3B与图3C，接着，图案化半导体发光结构300i与粘着层230i，以形成多个微型发光件300与粘着图案层230。虽然图3C仅绘示出一个微型发光件300的图案化的半成品，但在本实施例中，微型发光件300的半成品的数量为多个，而这些微型发光件300的半成品的配置(arrangement)可相同于图1O所示的多个微型发光件200的配置。图案化半导体发光结构300i的方法可以是移除部分半导体发光结构300i，以从半导体发光结构300i中图案化成多个微型发光件300的半成品，其中移除部分半导体发光结构300i的方法例如是微影与蚀刻。
请参阅图3D，在形成图3C的微型发光件300的半成品后，依序形成绝缘层140i以及导线层350。至此，包括支撑层190的过渡载板装置300a以及微型发光件300基本上已制造完成。举例而言，绝缘层140i可覆盖部分保护层120i、部分第二型半导体层306与部分电极层303，而导线层350可覆盖部分绝缘层140i、部分第二型半导体层306、部分电极层303与部分线路层110。导线层350电性连接线路层110与微型发光件300，并且包括多个相互分隔的接脚351与352。导线层350局部覆盖绝缘层140i，而接脚351与352延伸至这些接触孔C1与C2中，并分别连接及接触第二型半导体层306与电极层303，且接脚351与352相分隔。如此，导线层350能借由这些接触孔C1与C2而电性连接微型发光件300。此外，绝缘层140i与导线层350两者的形成方法与构成材料皆相同于前述实施例中的绝缘层140i与导线层150，因此不再重复赘述。
请参阅图3D与图3E，接着，依序移除部分绝缘层140i、部分保护层120i以及支撑层190，以形成不包括至少一部分支撑层190的过渡载板装置300b，即过渡载板装置300b包含一部分的支撑层190或不包含支撑层190。移除部分绝缘层140i、部分保护层120i及支撑层190的方法已揭露于前述实施例，所以不再重复赘述。另外，可以对过渡载板装置300a或300b进行退火(annealing)，以使接脚351与第二型半导体层306之间形成欧姆接触。
在本实施例中，接脚351连接及接触于第二型半导体层306的一部分可作为微型发光件300的一个电极，而微型发光件300的另一个电极为电极层303。作为电极的一部分接脚351与电极层303分别位于微型发光件300的相对两侧，所以图3E所示的微型发光件300为一种垂直式发光二极管。不过，在其他实施例中，半导体发光结构300i与微型发光件300皆可不包括电极层303，且第一型半导体层304可凸出于第二型半导体层306的边缘，以使微型发光件300成为水平式发光二极管。因此，微型发光件300可以是水平式发光二极管或垂直式发光二极管。
与前述过渡载板装置100a与100b一样，过渡载板装置300a与300b也可用来检测多个微型发光件300。详细而言，在本实施例中，线路层110包括如图1O所示的阳极测试垫111与阴极测试垫112，而过渡载板装置300a与300b可利用阳极测试垫111与阴极测试垫112对多个微型发光件300进行电性检测，以筛选这些微型发光件200，如前面实施例所述。
请参阅图3E，在筛选这些微型发光件200以及移除支撑层190之后，也可以进行如图2A至图2C所揭露的显示面板制造方法。具体而言，可对过渡载板装置300b进行转置步骤，将电性测试的结果为合格的多个微型发光件300装设于元件阵列基板160(请参阅图2A与图2B)。接着，形成连接导线220，以使元件阵列基板160电性连接这些微型发光件300(请参阅图2C)。由于利用过渡载板装置300b来制造显示面板的详细流程与图2A至图2C所揭露的显示面板制造方法相同，且也揭露于图2A至图2C及对应的实施例内容，故不再重复赘述。
综上所述，以上实施例所揭示的过渡载板装置可以不用探针而能对多个微型发光件(例如微型发光二极管)进行电性检测，以筛选这些微型发光件，减少不良或故障的微型发光件继续进入后续生产流程，从而帮助良率的提升。相较于现有技术采用探针的电性检测设备，在利用上述过渡载板装置进行电性检测的过程中，这些受检测的微型发光件不必接触探针，因而不会出现探针戳坏微型发光件的情形。由此可知，本发明实施例所揭示的过渡载板装置适合用来电性检测一个或多个小尺寸的微型发光件，例如微型发光二极管。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (18)

1.一种过渡载板装置的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成一线路层；
在该基板上形成一支撑层，其具有多个开口，而该些开口暴露出该线路层的至少一部分；
在该支撑层上形成一保护层，其中该保护层覆盖该支撑层以及该些开口所暴露的该线路层；
在该保护层上形成一粘着图案层，其中部分该保护层被夹置在该粘着图案层与该支撑层之间；
设置至少一微型发光件于该粘着图案层上，其中该至少一微型发光件具有多个电极，且该微型发光件于垂直投影于该基板的方向与该粘着图案层重叠；
在该保护层与该至少一微型发光件上形成一绝缘层；
移除部分该保护层与该绝缘层，以于该保护层与该绝缘层形成多个接触孔；以及
在该绝缘层上形成一导线层，其中该导线层借由该些接触孔电性连接该至少一微型发光件与该线路层。
2.如权利要求1所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成该导线层之后，移除位于该微型发光件下方的该支撑层。
3.如权利要求2所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，在移除该支撑层以前，还包括：
移除位于该至少一微型发光件与该导线层以外的部分该保护层与部分该绝缘层，使得该保护层与该绝缘层暴露出部分的该支撑层。
4.如权利要求2所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，在移除该支撑层之后，该保护层底面、该基板顶面与该线路层部分表面形成一微通道。
5.如权利要求1所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，在移除部分该保护层与该绝缘层以形成该些接触孔的过程中，还移除位于该至少一微型发光件以外的部分该保护层与部分该绝缘层，使得该保护层与该绝缘层暴露出部分的该支撑层。
6.如权利要求5所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，还包括：
对该保护层与该绝缘层所暴露出部分的该支撑层进行移除。
7.如权利要求1所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，设置至少一微型发光件于该粘着图案层上的方法包括：
形成一半导体发光结构于一粘着层上；以及
图案化该半导体发光结构与该粘着层。
8.如权利要求1所述的过渡载板装置的制造方法，其特征在于，该粘着图案层为经曝光与显影之后的光阻层。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包含：
进行如权利要求1所述的过渡载板装置的制造方法；
利用一转移头将该微型发光件及其下的该保护层至少一部分与该导线层至少一部分从该基板上的该线路层分离；
将该微型发光件及其下的该保护层至少一部分与该导线层至少一部分转置于一元件阵列基板的子像素中；以及
将该元件阵列基板的多个连接电极分别电性连接该些微型发光件的该些电极。
10.一种过渡载板装置，其特征在于，包括：
一基板；
一线路层，位于该基板上；
一保护层，覆盖部分该线路层，其中该基板顶面、该保护层底面与该线路层部分表面组成至少一微通道；
一粘着图案层，形成在该微通道上方；
至少一微型发光件，固定于该粘着图案层上，其中该至少一微型发光件具有多个电极；
一绝缘层，包覆该至少一微型发光件与该粘着图案层；以及
一导线层，位于该绝缘层上，并包括多个接脚，其中该些接脚分别电性连接该线路层与该些电极，且该些接脚相互分隔。
11.如权利要求10所述的过渡载板装置，其特征在于，该线路层包括多条并列的走线，且该微型发光件位于二相邻的该些走线之间。
12.如权利要求10所述的过渡载板装置，其特征在于，还包括一支撑层，设置于该微型发光件下方。
13.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求10所述的过渡载板装置中的该微型发光件及其下的该保护层至少一部分与该些接脚；
一元件阵列基板，具有多个子像素，并与该些接脚电性连接；以及
一粘着层，设置于该元件阵列基板上，其中在该微型发光件及其下的该保护层至少一部分与该导线层至少一部分从该过渡载板装置转置于该元件阵列基板的子像素之后，该些接脚插入于该粘着层。
14.一种微型发光件的检测方法，用于对如权利要求10所述的过渡载板装置作电性检测，其特征在于，该微型发光件的数量为多个，而该线路层包括一阴极测试垫与一阳极测试垫，该检测方法包括：
提供一电源于该阴极测试垫与该阳极测试垫，对该些微型发光件进行一电性测试，以筛选该些微型发光件。
15.如权利要求14所述的微型发光件的检测方法，其特征在于，该过渡载板装置还包括一支撑层，该支撑层设置于该微型发光件下方。
16.如权利要求15所述的微型发光件的检测方法，其特征在于，该电性测试是在该支撑层移除之前进行。
17.如权利要求15所述的微型发光件的检测方法，其特征在于，该电性测试是在该支撑层移除之后进行。
18.如权利要求14所述的微型发光件的检测方法，其特征在于，还包括：
进行一转置步骤，将该电性测试的结果为合格的微型发光件从该基板取出，并装设于一元件阵列基板。
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