TWI470602B - 半導體裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種包括透過使用電晶體而形成的電路的顯示裝置。具體地講，本發明係關於一種使用光電元件(諸如液晶元件、發光元件等)作為顯示媒體的顯示裝置及其操作方法。
近幾年，隨著諸如液晶電視的大型顯示裝置的增加，顯示裝置得到了積極的發展。具體地講，由於透過使用由非晶半導體(以下也稱為非晶矽)形成的電晶體在同一絕緣基板上方形成像素電路和包括移位暫存器等的驅動器電路(以下也稱為內部電路)的技術極大地促進了低功耗和低成本，所以該技術得到了積極的發展。在絕緣基板上方形成的內部電路透過FPC等連接至控制器IC等(以下也稱為外部電路)，該內部電路的操作受到控制。
在上述內部電路中設計了透過使用由非晶半導體形成的電晶體(以下也稱為非晶電晶體)而形成的移位暫存器。圖30A顯示包括在習知的移位暫存器中的正反器的結構(參見參考文獻1：第2004-157508號日本公佈專利申請)。圖30A中的正反器包括電晶體11、電晶體12、電晶體13、電晶體14、電晶體15、電晶體16、和電晶體17，該正反器連接至信號線21、信號線22、佈線23、信號線24、電源線25和電源線26。啟始信號、重置信號、時鐘信號、電源電位VDD和電源電位VSS分別輸入到信號線21、信號線22、信號線24、電源線25和電源線26。如圖30B中的時序圖所示，圖30A中的正反器的操作期間分為設置期間、選擇期間、重置期間和非選擇期間，大部分操作期間為非選擇期間。
這裏，電晶體12和電晶體16在非選擇期間中導通。因而，由於非晶矽用於電晶體12和電晶體16中的每個的半導體層，所以由劣化等引起的臨界值電壓(Vth)波動發生。更具體地講，臨界值電壓上升。也就是說，由於臨界值電壓上升而使得電晶體12和電晶體16中的每個不能導通，所以VSS不能供應給節點41和佈線23，習知的移位暫存器發生故障。
為了解決這個問題，在參考文獻2(Soo Young Yoon等，“Highly Stable Integrated Gate Driver Circuit using a-Si TFT with Dual Pull-down Structure”,SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2005 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS,Volume XXXVI,pp.348~351)、參考文獻3(Binn Kim等，“a-Si Gate Driver Integration with Time Shared Data Driving”,Proceedings of The 12th
International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005,pp.1073~1076)和參考文獻4(Mindoo Chun等,“Integrated Gate Driver Using Highly Stable a-Si TFT’s”,Proceedings of The 12th
International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005,pp.1077~1080)中設計了這樣的移位暫存器，在該移位暫存器中可抑制電晶體12的臨界值電壓漂移。在參考文獻2、參考文獻3、和參考文獻4中，與電晶體12(說明為第二電晶體)平行地提供新的電晶體(說明為第一電晶體)，並且透過在非選擇期間中將反相信號輸入到第一電晶體的閘極和第二電晶體的閘極來抑制第一電晶體和第二電晶體中的每個的臨界值電壓漂移。
另外，在參考文獻5(Chun-Ching等，“Integrated Gate Driver Circuit Using a-Si TFT”,Proceedings of The 12th
International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005,pp.1023~1026)中設計了這樣的移位暫存器，在該移位暫存器中，不僅可抑制電晶體12的臨界值電壓漂移，而且可抑制電晶體16的臨界值電壓漂移。在參考文獻5中，與電晶體12(說明為第二電晶體)平行地提供新的電晶體(說明為第一電晶體)，與電晶體16(說明為第四電晶體)平行地提供新的電晶體(說明為第三電晶體)。然後，透過在非選擇期間中將信號輸入到第一電晶體的閘極、將反相信號輸入到第二電晶體的閘極以及將信號輸入到第三電晶體的閘極、將反相信號輸入到第四電晶體的閘極，來抑制第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體和第四電晶體中的每個的臨界值電壓漂移。
此外，在參考文獻6(Young Ho Jang等，“A-Si TFT Integrated Gate Driver with AC-Driven Single Pull-down Structure”,SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2006 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS,Volume XXXVII,pp.208~211)中，透過將AC脈衝施加到電晶體12的閘極來抑制電晶體12的臨界值電壓漂移。
注意到，對於參考文獻7(Jin Young Chio等，“A Compact and Cost-efficient TFT-LCD through the Triple-Gate Pixel Structure”,SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2006 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS,Volume XXXVII,pp.274~276)和參考文獻8(Yong Soon Lee等，“Advanced TFT-LCD Data Line Reduction Method”,SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2006 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS,Volume XXXVII,pp.1083~1086)中的顯示裝置中的每個，透過使用利用非晶矽電晶體形成的移位暫存器作為掃描線驅動器電路並將視頻信號從一條信號線輸入到R、G和B的子像素中的每個來將信號線的數量減少到三分之一。在參考文獻7和參考文獻8中的顯示裝置中的每個中，減少了顯示面板和驅動器IC的連接的數量。
根據習知技術，透過將AC脈衝施加到容易劣化的電晶體的閘極來抑制該電晶體的臨界值電壓漂移。然而，在非晶矽用於電晶體的半導體層的情況下，自然地，問題變為形成產生AC脈衝的電路的電晶體的臨界值電壓漂移發生。
另外，雖然已提出透過將信號線的數量減少到三分之一來減少顯示面板和驅動器IC的連接的數量(見參考文獻7和參考文獻8)，但是實際上要求與驅動器IC的連接的數量的進一步減少。
也就是說，作為習知技術沒有解決的問題，還留有用於控制電晶體的臨界值電壓波動的電路技術問題、用於減少安裝在顯示面板上的驅動器IC的連接數量的技術問題、顯示裝置的功耗減少的問題以及顯示裝置的尺寸和高清晰度的增加的問題。
本說明書中所公開的本發明的目的在於透過解決前述問題中的一個問題或多個問題來提供工業上有益的技術。
在根據本發明的顯示裝置中，可透過將正電源和負電源交替施加到容易劣化的電晶體的閘極來抑制該電晶體的臨界值電壓漂移。
另外，在根據本發明的顯示裝置中，可透過經由開關將高電位(VDD)和低電位(VSS)交替施加到容易劣化的電晶體的閘極來抑制該電晶體的臨界值電壓漂移。
具體地講，容易劣化的電晶體的閘極連接至高電位透過第一開關電晶體供應給其的佈線和低電位透過第二開關電晶體供應給其的佈線；時鐘信號輸入到第一開關電晶體的閘極；反向時鐘信號輸入第二開關電晶體的閘極。因而，高電位和低電位交替施加到容易劣化的電晶體的閘極。
應該指出，各種類型的開關可用作本說明書(說明書、申請專利範圍、附圖等)中所示的開關。作為示例給出電開關、機械開關等。也就是說，可使用任何元件，只要它可控制電流即可，而不限於某個元件。例如，電晶體(比如，雙極性電晶體或MOS電晶體)、二極體(比如，PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體、MIM(金屬絕緣體金屬)二極體、MIS(金屬絕緣體半導體)二極體或二極體連接的電晶體)、晶閘管等可用作開關。可選地，將這樣的元件組合在一起的邏輯電路可用作開關。
在使用電晶體作為開關的情況下，由於電晶體僅作為開關操作，所以不特別限制電晶體的極性(傳導類型)。然而，當將抑制截止電流時，較佳的使用具有較小截止電流的極性的電晶體。作為具有較小截止電流的電晶體的示例，給出提供有LDD區的電晶體、具有多閘極結構的電晶體等。另外，較佳的，當作為開關操作的電晶體的源極端子的電位更接近低電位側電源(比如，Vss、GND或0V)時，使用N通道電晶體，而當源極端子的電位更接近高電位側電源(比如，Vdd)時，使用P通道電晶體。這是因為：在N通道電晶體中，當作為開關操作的電晶體的源極端子的電位更接近低電位側電源時，以及在P通道電晶體中，當作為開關操作的電晶體的源極端子的電位更接近高電位側電源時，可增加閘極源極電壓的絕對值，從而該電晶體可更精確地作為開關操作。這還因為：不經常執行源極跟隨器操作，從而輸出電壓的減小不經常發生。
應該指出，可透過使用N通道電晶體和P通道電晶體來採用CMOS開關。透過採用CMOS開關，由於當P通道電晶體或N通道電晶體導通時電流可流動，所以該開關可更精確地作為開關操作。例如，無論開關的輸入信號的電壓是高還是低，都可適當地輸出電壓。另外，由於可使用於開啟或關閉開關的信號的電壓幅值變小，所以可減少功耗。
還應該指出，當電晶體用作開關時，該開關包括輸入端子(源極端子和汲極端子中的一個)、輸出端子(源極端子和汲極端子中的另一個)和用於控制電傳導的端子(閘極)。另一方面，當二極體用作開關時，在一些情況下，該開關不具有用於控制電傳導的端子。因此，當二極體用作開關時，可比使用電晶體作為開關的情況更多地減少用於控制端子的佈線的數量。
應該指出，在本說明書中，當明確地說明“A和B連接”時，元件電連接的情況、元件在功能上連接的情況和元件直接連接的情況包括在其中。這裏，A和B中的每個對應於物體(比如，設備、元件、電路、佈線、電極、端子、傳導膜或層)。因此，在本說明書中所公開的結構中，另一元件可插在具有附圖和文本中所示的連接關係的元件之間，所述連接關係不限於預定的連接關係，例如，附圖和文本中所示的連接關係。
例如，在A和B電連接的情況下，可在A和B之間提供能夠實現A和B的電連接的一個或多個元件(比如，開關、電晶體、電容器、感應器、電阻器和/或二極體)。另外，在A和B在功能上連接的情況下，可在A和B之間提供能夠實現A和B的功能連接的一個或多個電路(比如，邏輯電路、信號轉換器電路、電位位準轉換器電路、信號發生電路、記憶體電路和/或控制電路，所述邏輯電路諸如反相器、NAND電路或NOR電路，所述信號轉換器電路諸如DA轉換器電路、AD轉換器電路或伽馬校正電路，所述電位位準轉換器電路諸如電源電路(比如，升壓電路或壓降控制電路)或用於改變信號、電壓源、電流源的電位位準的位準轉換器電路、開關電路或放大器電路，所述放大器電路諸如可增加信號幅度、電流量等的電路(比如，運算放大器、差動放大器電路、源極跟隨器電路或緩衝器電路)。可選地，在A和B直接連接的情況下，A和B可直接連接，而不在A和B之間插入另一元件或另一電路。
應該指出，當明確地說明“A和B直接連接”時，A和B直接連接的情況(即，A和B直接連接，而不在A和B之間插入另一元件或另一電路的情況)以及A和B電連接的情況(即，透過在A和B之間插入另一元件或另一電路來連接A和B的情況)包括在其中。
應該指出，當明確地說明“A和B電連接”時，A和B電連接的情況(即，透過在A和B之間插入另一元件或另一電路來連接A和B的情況)、A和B在功能上連接的情況(即，透過在A和B之間插入另一電路來從功能上連接A和B的情況)以及A和B直接連接的情況(即，A和B連接，而不在A和B之間插入另一元件或另一電路的情況)包括在其中。也就是說，當明確地說明“A和B電連接”時，說明與僅明確地說明“A和B連接”的情況相同。
應該指出，顯示元件、作為具有顯示元件的設備的顯示裝置、發光元件、作為具有發光元件的設備的發光設備可採用各種類型，並且可包括各種元件。例如，作為其顯示媒體、對比度、亮度、反射性、透射性等根據電磁反應而改變的顯示元件、顯示裝置、發光元件和發光設備，可採用諸如EL元件(比如，有機EL元件、無機EL元件或包括有機材料和無機材料的EL元件)、電子發射器、液晶元件、電子墨、電泳元件、光柵光閥(GLV)、電漿顯示面板(PDP)、數位微鏡設備(DMD)、壓電陶瓷顯示器或碳奈米管。應該指出，使用EL元件的顯示裝置包括EL顯示器；使用電子發射器的顯示裝置包括場發射顯示器(FED)、SED型平板顯示器(SED：表面傳導電子發射器顯示器)等；使用液晶元件的顯示裝置包括液晶顯示器(比如，透射液晶顯示器、半透射液晶顯示器、反射液晶顯示器、直接觀看液晶顯示器或投影液晶顯示器)；使用電子墨的顯示裝置包括電子紙。
應該指出，在本說明輸(說明書、申請專利範圍、附圖等)中，各種類型的電晶體可用作電晶體，而不限於某種類型。例如，可採用包括非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)，非晶矽、多晶矽、微晶(也稱為半非晶)矽等為非單晶半導體的類型。在使用TFT的情況下，存在各種優點。例如，由於可在比使用單晶矽的情況下的溫度低的溫度下形成TFT，所以可降低製造成本，並且可使製造設備做得較大。由於可使製造設備做得較大，所以可使用大的基板形成TFT。因此，由於可同時形成許多顯示裝置，所以可以以低成本形成TFT。另外，由於製造溫度低，所以可使用具有低耐熱性的基板。因此，可在透光基板上方形成電晶體。此外，可透過使用在透光基板上方形成的電晶體來控制顯示元件中的光的透射。可選地，由於電晶體的膜厚度薄，所以膜的形成電晶體的部分可透射光。因此，可改進開口率。
應該指出，透過在形成多晶矽的情況下使用催化劑(比如，鎳)，可進一步改進結晶性，並且可形成具有優良的電特性的電晶體。因此，可在同一基板上方形成閘極驅動器電路(比如，掃描線驅動器電路)、源極驅動器電路(比如，信號線驅動器電路)和信號處理電路(比如，信號產生電路、伽馬校正電路或DA轉換器電路)。
應該指出，透過在形成微晶矽的情況下使用催化劑(比如，鎳)，可進一步改進結晶性，並且可形成具有優良的電特性的電晶體。此時，可透過執行熱處理而不使用雷射來改進結晶性。因此，可在同一基板上方形成閘極驅動器電路(比如，掃描線驅動器電路)和源極驅動器電路的一部分(比如，類比開關)。另外，在不使用雷射用於結晶的情況下，可抑制矽的結晶不勻。因此，可顯示具有高影像品質的影像。
還應該指出，可不使用催化劑(比如，鎳)形成多晶矽和微晶矽。
另外，可透過使用半導體基板、SOI基板等形成電晶體。在這種情況下，MOS電晶體、接面型電晶體、雙極電晶體等可用作本說明書中說明的電晶體。因此，可形成特性、尺寸、形狀等變化小、電流供應性能高且尺寸小的電晶體。透過使用這樣的電晶體，可減少電路的功耗，或者可高度積體電路。
另外，可使用包括化合半導體或氧化物半導體的電晶體和透過使這樣的化合半導體或氧化物半導體變薄而獲得的薄膜電晶體等，所述氧化物半導體諸如ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO、ITO(氧化銦錫)或SnO。因此，可降低製造溫度，例如，可在室溫下形成這樣的電晶體。因此，可在具有低耐熱性的基板，諸如塑膠基板或膜基板上直接形成電晶體。應該指出，這樣的化合半導體或氧化物半導體不僅可用於電晶體的通道部分，而且還可用於其他應用。例如，這樣的化合半導體或氧化物半導體可用作電阻器、像素電極或透光電極。此外，由於可在與電晶體相同的時間形成這樣的元件，所以可降低成本。
還可使用透過使用噴墨法或印刷法而形成的電晶體等。因此，可在室溫下形成這樣的電晶體，可在低真空下形成這樣的電晶體，或者可使用大的基板形成這樣的電晶體。另外，由於可不使用掩模(分劃板)形成電晶體，所以可容易改變電晶體的佈局。此外，由於沒有必要使用抗蝕劑，所以降低材料成本，並且可降低步驟的數量。再者，由於僅在必要的部分中形成膜，所以與在整個表面上方形成膜之後執行蝕刻的製造方法相比，沒有浪費材料，從而可降低成本。
此外，可使用包括有機半導體或碳奈米管的電晶體等。因此，可使用可彎曲的基板形成這樣的電晶體。因此，電晶體可抵抗衝擊。
再者，可使用各種電晶體。
而且，可使用各種類型的基板形成電晶體。基板的類型不限於某種類型。例如，單晶矽、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙質基板、玻璃紙質基板、石質基板、木質基板、布質基板(包括天然纖維(比如，絲、棉或大麻纖維)、合成纖維(比如，尼龍、聚氨酯或滌綸)、再生纖維(比如，醋酸纖維、銅氨纖維、人造纖維或再生滌綸)等)、皮質基板、橡膠基板、不銹鋼基板、包括不銹鋼箔的基板等可用作基板。可選地，動物，諸如人類的皮膚(比如，表皮或真皮)或者皮下組織可用作基板。另外，可使用一個基板形成電晶體，然後，可將該電晶體傳送到另一基板。單晶矽基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙質基板、玻璃紙質基板、石質基板、木質基板、布質基板(包括天然纖維(比如，絲、棉或大麻纖維)、合成纖維(比如，尼龍、聚氨酯或滌綸)、再生纖維(比如，醋酸纖維、銅氨纖維、人造纖維或再生滌綸)等)、皮質基板、橡膠基板、不銹鋼基板、包括不銹鋼箔的基板等可用作將所述電晶體傳送至其的基板。可選地，動物，諸如人類的皮膚(比如，表皮或真皮)或者皮下組織可用作將所述電晶體傳送至其的基板。透過使用這樣的基板，可形成具有優良屬性的電晶體或具有低功耗的電晶體，可形成具有高耐用性或高耐熱性的設備，或者可實現重量的減輕。
電晶體的結構可以是各種模式，不限於某種結構。例如，可使用具有兩個或多個閘極的多閘極結構。當使用多閘極結構時，由於提供通道區串聯的結構，所以提供多個電晶體串聯的結構。透過使用多閘極結構，可減小截止電流或者可增加電晶體的耐壓以提高可靠性。可選地，透過使用多閘極結構，當電晶體在飽和區中操作時，即使汲極源極電壓波動，汲極源極電流也不會波動太多，從而可獲得平緩坡度的電壓-電流特性。透過利用平緩坡度的電壓-電流特性，可實現理想的電流源電路或具有高阻抗值的主動負載。因此，可實現具有優良屬性的差動電路或電流鏡像電路。另外，可使用在通道上方和通道下方形成閘極的結構。透過使用在通道上方和通道下方形成閘極的結構，通道區擴大，從而可增加流過通道區的電流量或者可容易形成耗盡層以降低S值。當在通道上方和通道下方形成閘極時，提供多個電晶體並聯的結構。
此外，可採用在通道上方形成閘極的結構、在通道下方形成閘極的結構、交錯結構、反交錯結構、通道區分為多個區的結構或者通道區並聯或串聯的結構。另外，源極或汲極可與通道區(或其一部分)重疊。透過使用源極或汲極可與通道區(或其一部分)重疊的結構，可防止電荷在通道區的一部分中累積的情況，電荷在通道區的一部分中累積可導致不穩定的操作。此外，可提供LDD區。透過提供LDD區，可降低截止電流或者可增加耐壓以提高可靠性。可選地，當電晶體在飽和區中操作時，即使汲極源極電壓波動，汲極源極電流也不會波動太多，從而可獲得平緩坡度的電壓-電流特性。
應該指出，各種類型的電晶體可用於本說明書中的電晶體，並且可使用各種類型的基板形成電晶體。因此，可使用同一基板形成實現預定功能所需的所有電路。例如，可使用玻璃基板、塑膠基板、單晶基板、SOI基板或任何其他基板形成實現預定功能所需的所有電路。當使用同一基板形成實現預定功能所需的所有電路時，可減少元件部分的數量以削減成本，並且可減少與電路元件的連接的數量以提高可靠性。可選地，可使用一個基板形成實現預定功能所需的部分電路，使用另一基板形成實現預定功能所需的另一部分電路。也就是說，不需要使用同一基板形成實現預定功能所需的所有電路。例如，可用使用玻璃基板的電晶體形成實現預定功能所需的部分電路，可使用單晶基板形成實現預定功能所需的另一部分電路，從而可透過COG(晶片被貼裝在玻璃基板上)將透過使用單晶基板的電晶體形成的IC晶片與玻璃基板連接，並且可在玻璃基板上方提供IC晶片。可選地，可透過TAB(卷帶式自動結合)或印刷佈線板將IC晶片與玻璃基板連接。當以這種方式使用同一基板形成所述電路中的部分電路時，可減少元件部分的數量以削減成本，並且可減少與電路元件的連接的數量以提高可靠性。另外，例如，透過使用單晶基板和使用由電路形成的IC晶片形成具有高驅動電壓的部分或具有高驅動頻率的部分，而不是使用同一基板形成這樣的部分，可防止功耗的增加，其中，形成具有高驅動電壓的部分或具有高驅動頻率的部分耗費大功率。
還應該指出，在本說明書中，一個像素與其亮度可控的一個元件對應。因此，例如，一個像素與一個顏色元件對應，並且用該一個顏色元件表示亮度。因此，在具有R(紅)、G(綠)和B(藍)顏色元件的彩色顯示裝置的情況下，影像的最小單元由R像素、G像素和B像素三個像素形成。應該指出，顏色元件不限於三種顏色，可使用多於三種顏色的顏色元件，或者可添加不同於RGB的顏色。例如，可透過添加白色使用RGBW(W對應於白色)。另外，可使用RGB加上黃色、青綠色、品紅、鮮綠色、朱紅色等中的一種或多種顏色。此外，可將與R、G和B中的至少一個類似的顏色添加到RGB中。例如，可使用R、G、B1和B2。雖然B1和B2都是藍色，但是它們具有稍微不同的頻率。類似地，可使用R1、R2、G和B。透過使用這樣的顏色元件，可執行更接近實際物體的顯示，或者可減少功耗。可選地，作為另一示例，在透過使用多個區來控制一個顏色元件的亮度的情況下，一個區對應於一個像素。因此，例如，在執行面積比率灰階顯示的情況下或者在包括子像素的情況下，在每個顏色元件中提供控制亮度的多個區，並且用整個區表示灰階。在這種情況下，一個控制亮度的區可對應於一個像素。因而，在這種情況下，一個顏色元件包括多個像素。可選地，即使當在一個顏色元件中提供控制亮度的多個區時，也可將這些區集合為一個像素。因而，在這種情況下，一個顏色元件包括一個像素。在這種情況下，一個顏色元件包括一個像素。在每個顏色元件中的多個區中控制亮度的情況下，在一些情況下，對顯示有貢獻的區具有取決於像素的不同的面積大小。另外，在每個顏色元件中的控制亮度的多個區中，供應給所述多個區中的每個的信號可以稍微變化以使視角變寬。也就是說，包括在每個顏色元件中提供的所述多個區中的像素電極的電位可以彼此不同。因此，施加到液晶分子的電壓根據像素電極而變化。因此，可使視角變寬。
應該指出，當明確地說明“一個像素三種顏色”時，它與認為R、G和B三個像素為一個像素的情況對應。同時，當明確地說明“一個像素一種顏色”時，它與在每個顏色元件中提供多個區並且將所述多個區共認為是一個像素的情況對應。
還應該指出，在本說明書(說明書、申請專利範圍、附圖等)中，在一些情況下按矩陣佈置(提供)像素。這裏，按矩陣佈置(提供)像素的說明包括按直線佈置像素的情況以及按縱向或橫向的鋸齒形線佈置像素的情況。因此，在用三種顏色元件(比如，RGB)執行完全顏色顯示的情況下，以下情況包括在其中：按條紋佈置像素的情況和按delta圖案佈置三種顏色元件的點的情況。另外，按Bayer排列提供三種顏色元件的點的情況也包括在其中。應該指出，顏色元件不限於三種顏色，可採用多於三種顏色的顏色元件。作為示例給出RGBW(W對應於白色)、RGB加上黃色、青綠色、品紅等中的一個或多個。此外，顏色元件的各點之間顯示區域的大小可不同。因而，可減小功耗，並且可延長顯示元件的壽命。
還應該指出，在本說明書(說明書、申請專利範圍、附圖等)中，可使用主動元件包括在像素中的主動矩陣法或主動元件不包括在像素中的被動矩陣法。
在主動矩陣法中，作為主動元件(非線性元件)，不僅可使用電晶體，而且還可使用各種主動元件(非線性元件)。例如，還可使用MIM(金屬絕緣體金屬)、TFD(薄膜二極體)等。由於這樣的元件具有很少的製造步驟，所以可降低製造成本，或者可提高產量。此外，由於元件的尺寸小，所以可改進開口率，從而可減小功耗，或者可實現高亮度。
作為不同於主動矩陣法的方法，還可使用不使用主動元件(非線性元件)的被動矩陣法。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製造步驟少，從而可降低製造成本，或者可提高產量。此外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可改進開口率，從而可減小功耗，或者可實現高亮度。
應該指出，電晶體為至少具有閘極、汲極和源極三個端子的元件。電晶體具有汲區和源區之間的通道區，電流可流過汲區、通道區和源區。這裏，由於電晶體的源極和汲極可根據電晶體的結構、操作條件等而改變，所以難以定義哪個是源極或汲極。因此，在本說明書中，起源極和汲極作用的區可不稱為源極或汲極。在這樣的情況下，例如，可將源極和汲極中的一個說明為第一端子，可將其另一個說明為第二端子。可選地，可將源極和汲極中的一個說明為第一電極，可將其另一個說明為第二電極。此外可選地，可將源極和汲極中的一個說明為源區，可將其另一個稱為汲區。
還應該指出，電晶體可以是至少具有基極、射極和集極三個端子的元件。在這種情況下，可類似地將射極和集極中的一個稱為第一端子，可將另一端子稱為第二端子。
閘極對應於閘極和閘極佈線(也稱為閘極線、閘極信號線、掃描線、掃描信號線等)中的所有或部分。閘極對應於與這樣的半導體重疊的傳導膜，所述半導體形成具有插在其間的閘極絕緣膜的通道區。應該指出，在一些情況下，閘極的一部分與具有插在其間的閘極絕緣膜的LDD(輕摻雜汲極)區、源區或汲區重疊。閘極佈線對應於用於使每個電晶體的閘極相互連接的佈線、用於使每個像素的閘極相互連接的佈線或者用於將閘極與另一佈線連接的佈線。
然而，存在起閘極和閘極佈線兩個作用的部分(區域、傳導膜、佈線等)。這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)可稱為閘極或閘極佈線。也就是說，存在閘極和閘極佈線不能清楚地彼此區分的區域。例如，在通道區與延伸的閘極佈線的一部分重疊的情況下，重疊的部分(區域、傳導膜、佈線等)起閘極佈線和閘極的作用。因此，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)可稱為閘極或閘極佈線。
另外，由與閘極相同的材料形成、形成與閘極相同的島狀物並連接至閘極的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為閘極。類似地，由與閘極佈線相同的材料形成、形成與閘極佈線相同的島狀物並連接至閘極佈線的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為閘極佈線。嚴格意義上，在一些情況下，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)與通道區不重疊，或者不具有連接閘極和另一閘極的功能。然而，由於製造步驟的條件，存在由與閘極或閘極佈線相同的材料形成、形成與閘極或閘極佈線相同的島狀物並連接至閘極或閘極佈線的部分(區域、傳導膜、佈線等)。因而，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為閘極或閘極佈線。
在多閘極電晶體中，例如，透過使用由與閘極相同的材料形成的傳導膜，閘極通常連接至另一閘極。由於這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)為用於連接閘極與另一閘極的部分(區域、傳導膜、佈線等)，所以該部分可稱為閘極佈線，並且由於可認為多閘極電晶體是一個電晶體，所以該部分還可稱為閘極。也就是說，由與閘極或閘極佈線相同的材料形成、形成與閘極或閘極佈線相同的島狀物並連接至閘極或閘極佈線的部分(區域、傳導膜、佈線等)可稱為閘極或閘極佈線。另外，例如，連接閘極和閘極佈線並由與閘極或閘極佈線不同的材料形成的傳導膜的一部分也稱為閘極或閘極佈線。
應該指出，閘極對應於閘極的部分(區域、傳導膜、佈線等)或者電連接至閘極的部分(區域、傳導膜、佈線等)的一部分。
應該指出，當閘極稱為閘極佈線、閘極線、閘極信號線、掃描線、掃描信號線時，存在電晶體的閘極不連接至佈線的情況。在這種情況下，在一些情況下，閘極佈線、閘極線、閘極信號線、掃描線或掃描信號線對應於在與電晶體的閘極相同的層中形成的佈線、由與電晶體的閘極相同的材料形成的佈線或者在與電晶體的閘極相同的時間形成的佈線。作為示例，可給出用於儲存電容器、電源線、參考電位供應線等的佈線。
還應該指出，源極對應於源區、源極和源極佈線(也稱為源極線、源極信號線、資料線、資料信號線等)中的所有或部分。源區對應於包括大量p型雜質(比如，硼或鎵)或n型雜質(比如，磷或砷)的半導體區。因此，包括少量p型雜質或n型雜質的區，即，LDD(輕摻雜汲極)區不包括在源區中。源極為由與源區的材料不同的材料形成的導電層的一部分，其電連接至源區。然而，存在源極和源區共稱為源極的情況。源極佈線為用於使每個電晶體的源極相互連接的佈線、用於使每個像素的源極相互連接的佈線或者用於連接源極和另一佈線的佈線。
然而，存在起源極和源極佈線兩個作用的部分(區域、傳導膜、佈線等)。這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)可稱為源極或源極佈線。也就是說，存在源極和源極佈線不能清楚地彼此區分的情況。例如，在源區與延伸的源極佈線的一部分重疊的情況下，重疊的部分(區域、傳導膜、佈線等)起源極佈線和源極的作用。因此，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)可稱為源極或源極佈線。
另外，由與源極相同的材料形成、形成與源極相同的島狀物並連接至源極的部分或者連接源極和另一源極的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為源極。此外，與源區重疊的部分可稱為源極。類似地，由與源極佈線相同的材料形成、形成與源極佈線相同的島狀物並連接至源極佈線的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為源極佈線。嚴格意義上，在一些情況下，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)不具有連接源極和另一源極的功能。然而，由於製造步驟的條件，存在由與閘極或閘極佈線相同的材料形成、形成與閘極或閘極佈線相同的島狀物並連接至閘極或閘極佈線的部分(區域、傳導膜、佈線等)。因而，這樣的部分(區域、傳導膜、佈線等)也可稱為源極或源極佈線。
另外，例如，連接源極和源極佈線並由與源極或源極佈線的材料不同的材料形成的傳導膜的一部分可稱為源極或源極佈線。
應該指出，源極端子對應於源區、源極或電連接至源極的部分(區域、傳導膜、佈線等)的一部分。
應該指出，當源極稱為源極佈線、源極線、源極信號線、資料線、資料信號線時，存在電晶體的源極(汲極)不連接至佈線的情況。在這種情況下，在一些情況下，源極佈線、源極線、源極信號線、資料線或資料信號線對應於在與電晶體的源極(汲極)相同的層中形成的佈線、由與電晶體的源極(汲極)相同的材料形成的佈線或者在與電晶體的源極(汲極)相同的時間形成的佈線。作為示例，可給出用於儲存電容、電源線、參考電位供應線等的佈線。
還應該指出，相同的說明可用於說明汲極。
還應該指出，半導體裝置對應於具有包括半導體元件(比如，電晶體、二極體或晶閘管)的電路的設備。半導體裝置還可包括可透過利用半導體特性運行的所有設備。
還應該指出，顯示元件對應於光學調制元件、液晶元件、發光元件、EL元件(有機EL元件、無機EL元件或包括有機或無機材料的EL元件)、電子發射器、電泳元件、放電元件、反光元件、光衍射元件、數位微設備(DMD)等。應該指出，本發明不限於此。
另外，顯示裝置對應於具有顯示元件的設備。應該指出，顯示裝置還對應於顯示面板自身，在顯示面板上在與用於驅動像素的週邊驅動器電路相同的基板上方形成包括顯示元件的多個像素。另外，顯示裝置還可包括透過佈線鍵合或凸點鍵合在基板上方提供的週邊驅動器電路，即，透過晶片貼裝在玻璃基板上(COG)連接的IC晶片或者透過TAB等連接的IC晶片。此外，顯示裝置還可包括IC晶片、電阻器、電容器、感應器、電晶體等附到其上的撓性印刷電路(FPC)。還應該指出，顯示裝置包括印刷佈線板(PWB)，PWB透過撓性印刷電路(FPC)連接，並且IC晶片、電阻器、電容器、感應器、電晶體等附到PWB上。顯示裝置還可包括偏光片，諸如偏振板或延遲板。顯示裝置還可包括照明設備、機殼、音頻輸入和輸出設備、光感測器等。這裏，諸如背光單元的照明設備可包括導光板、棱鏡片、漫射片、反射片、光源(比如，LED或冷陰極熒光燈)、製冷設備(比如，水冷設備或氣冷設備)等。
而且，照明設備對應於具有背光單元、導光板、棱鏡片、漫射片、反射片或光源(比如，LED、冷陰極熒光燈或熱陰極熒光燈)、製冷設備等的設備。
另外，發光設備對應於具有發光元件等的設備。
應該指出，反射設備對應於具有反射元件、光衍射元件、反光電極等的設備。
液晶顯示裝置對應於包括液晶元件的顯示裝置。液晶顯示裝置包括直接觀看液晶顯示器、投影液晶顯示器、透射液晶顯示器、反射液晶顯示器、半透射液晶顯示器等。
還應該指出，驅動設備對應於具有半導體元件、電路或電子電路的設備。例如，控制信號從源極信號線輸入到像素的電晶體(也稱為選擇電晶體、開關電晶體等)、將電壓或電流供應給像素電極的電晶體、將電壓或電流供應給發光元件的電晶體等為驅動設備的示例。將信號供應給閘極信號線的電路(也稱為閘極驅動器、閘極線驅動器電路等)、將信號供應給源極信號線的電路(也稱為源極驅動器、源極線驅動器電路等)也是驅動設備的示例。
還應該指出，在一些情況下，顯示裝置、半導體裝置、照明設備、製冷設備、發光設備、反射設備、驅動設備等彼此重疊。例如，在一些情況下，顯示裝置包括半導體裝置和發光設備。可選地，在一些情況下，半導體裝置包括顯示裝置和驅動設備。
在本說明書(說明書、申請專利範圍、附圖等)中，當明確地說明“在A上形成B”或“在A上方形成B”時，並不一定意味著形成B與A直接接觸。該說明包括A和B不彼此直接接觸的情況，即，另一物體插在A和B之間的情況。這裏，A和B中的每個對應於物體(比如，設備、元件、佈線、電極、端子、傳導膜或層)。
因此，例如，當明確地說明在層A上(或上方)形成層B時，它包括形成層B與層A直接接觸的情況以及形成另一層(比如，層C或層D)與層A直接接觸並且形成層B與層C或層D直接接觸的情況。應該指出，另一層(比如，層C或層D)可以是單層或多層。
類似地，當明確地說明在A上方形成B時，並不一定意味著形成B與A直接接觸，另一物體可插在A和B之間。因此，例如，當明確地說明在層A上方形成層B時，它包括形成層B與層A直接接觸的情況以及形成另一層(比如，層C或層D)與層A直接接觸並且形成層B與層C或層D直接接觸的情況。應該指出，另一層(比如，層C或層D)可以是單層或多層。
應該指出，當明確地說明形成B與A直接接觸時，它不包括另一物體插在A和B之間的情況，而包括形成B與A直接接觸的情況。
應該指出，當明確地說明在A下或下方形成B時，可表述相同的說明。
透過使用該說明書中所公開的結構，可抑制包括在移位暫存器中的所有電晶體的特性的劣化。因此，可抑制應用移位暫存器的半導體裝置，諸如液晶顯示裝置的故障發生。
以下，將參考附圖透過實施例模式來說明本發明。然而，可以以各種不同的方式實現本發明，並且本領域的技術人員將容易理解各種改變和修改是可能的。除非這樣的改變和修改脫離本發明的精神和範圍，否則將它們解釋為包括在本發明中。因此，不應該將本發明解釋為限於所述實施例模式的說明。
在本實施例模式中，說明正反器、包括該正反器的驅動器電路和包括該驅動器電路的顯示裝置的結構和驅動方法。
參考圖1A說明本實施例模式的正反器的基本結構。圖1A所示的正反器包括第一電晶體101、第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第五電晶體105、第六電晶體106、第七電晶體107和第八電晶體108。在本實施例模式中，第一電晶體101、第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第五電晶體105、第六電晶體106、第七電晶體107、和第八電晶體108中的每個為N通道電晶體，並且當閘極源極電壓(Vgs)超過臨界值電壓(Vth)時，第一電晶體101、第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第五電晶體105、第六電晶體106、第七電晶體107、和第八電晶體108中的每個導通。
應該指出，在本實施例模式的正反器中，第一電晶體101、第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第五電晶體105、第六電晶體106、第七電晶體107、和第八電晶體108都是N通道電晶體。因此，由於非晶矽可用於本實施例模式的正反器中的每個電晶體的半導體層，所以可簡化製造方法，從而可降低製造成本，並可提高產量。應該指出，即使當多矽或單晶矽用於每個電晶體的半導體層時，也可簡化製造方法。
說明圖1A中的正反器的連接關係。第一電晶體101的第一電極(源極和汲極中的一個)連接至第五佈線125，第一電晶體101的第二電極(源極和汲極中的另一個)連接至第三佈線123。第二電晶體102的第一電極連接至第四佈線124；第二電晶體102的第二電極連接至第三佈線123；第二電晶體102的閘極連接至第八佈線128。第三電晶體103的第一電極連接至第六佈線126；第三電晶體103的第二電極連接至第六電晶體106的閘極；第三電晶體103的閘極連接至第七佈線127。第四電晶體104的第一電極連接至第十佈線130；第四電晶體104的第二電極連接至第六電晶體106的閘極；第四電晶體104的閘極連接至第八佈線128。第五電晶體105的第一電極連接至第九佈線129；第五電晶體105的第二電極連接至第一電晶體101的閘極；第五電晶體105的閘極連接至第一佈線121。第六電晶體106的第一電極連接至第十二佈線132，第六電晶體106的第二電極連接至第一電晶體101的閘極。第七電晶體107的第一電極連接至第十三佈線133；第七電晶體107的第二電極連接至第一電晶體101的閘極；第七電晶體107的閘極連接至第二佈線122。第八電晶體108的第一電極連接至第十一佈線131；第八電晶體108的第二電極連接至第六電晶體106的閘極；第八電晶體108的閘極連接至第一電晶體101的閘極。
應該指出，節點141表示第一電晶體101的閘極、第六電晶體106的第二電極、第七電晶體107的第二電極和第八電晶體108的閘極的連接點。此外，節點142表示第三電晶體103的第二電極、第四電晶體104的第二電極、第六電晶體106的閘極和第八電晶體108的第二電極的連接點。
應該指出，第一佈線121、第二佈線122、第三佈線123、第五佈線125、第七佈線127和第八佈線128可分別稱為第一信號線、第二信號線、第三信號線、第四信號線、第五信號線和第六信號線。此外，第四佈線124、第六佈線126、第九佈線129、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132和第十三佈線133可分別稱為第一電源線、第二電源線、第三電源線、第四電源線、第五電源線、第六電源線和第七電源線。
接下來，參考圖2中的時序圖和圖3A至圖4B來說明圖1A所示的正反器的操作。應該指出，透過將整個期間分為設置期間、選擇期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間來說明圖2中的時序圖。還應該指出，在一些情況下，設置期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間共稱為非選擇期間。
應該指出，電位V1供應給第六佈線126和第九佈線129，電位V2供應給第四佈線124、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132和第十三佈線133。這裏，滿足V1>V2。
應該指出，圖2所示的信號221、信號225、信號228、信號227和信號222分別輸入到第一佈線121、第五佈線125、第八佈線128、第七佈線127和第二佈線122。另外，從第三佈線123輸出圖2所示的信號223。這裏，信號221、信號225、信號228、信號227、信號222和信號223中的每個是這樣的數位信號，在該數位信號中，H位準信號的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號的電位為V2(以下也稱為L位準)。此外，信號221、信號225、信號228、信號227、信號222和信號223可分別稱為啟始信號、功率時鐘信號(PCK)、第一控制時鐘信號(CCK1)、第二控制時鐘信號(CCK2)、重置信號和輸出信號。
應該指出，任何信號、電位或電流可輸入到第一佈線121、第二佈線122、第四佈線124、第五佈線125、第六佈線126、第七佈線127、第八佈線128、第九佈線129、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132和第十三佈線133中的每個。
首先，在圖2的期間A和圖3A所示的設置期間中，信號221變成H位準，第五電晶體105導通；由於信號222處於L位準，所以第七電晶體107截止；信號228變成H位準，第二電晶體102和第四電晶體104導通；信號227變成L位準，第三電晶體103截止。此時，由於第五電晶體105的第二電極對應於源極並且節點141的電位(電位241)變成透過從第九佈線129的電位減去第五電晶體105的臨界值電壓而獲得的值，所以節點141的電位(電位241)此時變成V1-Vth105(Vth105對應於第五電晶體105的臨界值電壓)。因而，第一電晶體101和第八電晶體108導通，第五電晶體105截止。節點142的電位(電位242)此時變成V2，第六電晶體106截止。由於第三佈線123連接至第五佈線125和第四佈線124，所以第三佈線123的電位變成V2，其中，L位準信號輸入到第五佈線125，V2以這種方式在設置期間中供應給第四佈線124。因此，從第三佈線123輸出L位準信號。此外，在保持在V1-Vth105的同時，節點141進入漂浮狀態。
應該指出，即使當如圖5A所示第五電晶體105的第一電極連接至第一佈線121時，本實施例模式的正反器也可執行與上述設置期間中的操作類似的操作。由於在圖5A中的正反器中第九佈線129不是必需的，所以可提高產量。此外，在圖5A中的正反器中，可減小佈局面積。
應該指出，在本實施例模式的正反器中，可如圖5C所示另外提供電晶體501。電晶體501的第一電極連接至佈線511，V2供應給佈線511；電晶體501的第二電極連接至節點141；電晶體501的閘極連接至第一佈線121。由於在圖5C中的正反器中可透過電晶體501縮短節點142的電位下降的時間，所以可迅速地使第六電晶體106截止。因此，由於在圖5C中的正反器中可縮短節點141的電位變成V1-Vth105的時間，所以可執行高速運算，圖5C中的正反器可應用於較大型顯示裝置或較高清晰度的顯示裝置。
在圖2的期間B和圖3B所示的選擇期間中，信號221變成L位準，第五電晶體105截止；由於信號222保持在L位準，所以第七電晶體107保持截止；信號228變成L位準，第二電晶體102和第四電晶體104截止；信號227變成H位準，第三電晶體103導通。節點141此時保持在V1-Vth105。因而，第一電晶體101和第八電晶體108保持導通。由於第十一佈線131的電位(V2)和第六佈線126的電位(V1)之間的電位差(V1-V2)為透過第三電晶體103和第八電晶體108分割的電壓，所以節點142的電位此時變成V2+β(β對應於給定的正數)。此外，滿足β<Vth106(第六電晶體106的臨界值電壓)。因而，第六電晶體106保持截止。這裏，由於H位準信號輸入到第五佈線125，所以第三佈線123的電位開始上升。然後，透過自舉操作，節點141的電位從V1-Vth105上升，並變成V1+Vth101+α(Vth101對應於第一電晶體的臨界值電壓，α對應於給定的正數)。因此，由於第三佈線123的電位變成與第五佈線125的電位相等的電位，所以第三佈線123的電位變成V1。由於第三佈線123連接至第五佈線125，所以第三佈線123的電位變成V1，其中，H位準信號以這種方式在選擇期間中供應給第五佈線125。因此，從第三佈線123輸出H位準信號。
應該指出，透過第一電晶體101的閘極和第二電極之間的寄生電容的電容耦合執行自舉操作。還應該指出，可透過如圖1B所示在第一電晶體101的閘極和第二電極之間提供電容器151來穩定地執行自舉操作，並且可減小第一電晶體101的寄生電容。這裏，在電容器151中，閘極絕緣膜可用作絕緣層，閘極層和佈線層可用作導電層；閘極絕緣膜可用作絕緣層，閘極層和添加雜質的半導體層可用作導電層；或者中間層膜(絕緣膜)可用作絕緣層，佈線層和透光電極層可用作導電層。還應該指出，當在電容器151中閘極層和佈線層用作導電層時，較佳的，閘極層連接至第一電晶體101的閘極，佈線層連接至第一電晶體101的第二電極。當閘極層和佈線層用作導電層時，更佳的，閘極層直接連接至第一電晶體101的閘極，佈線層直接連接至第一電晶體101的第二電極。這是因為由於提供電容器151而導致正反器的佈局面積的增大被抑制。
此外，如圖1C所示，電晶體152可用作電容器151。電晶體152的閘極連接至節點141，電晶體152的第一電極和第二電極連接至第三佈線123，從而電晶體152可起具有大的電容元件的電容器的作用。應該指出，即使當電晶體152的第一電極和第二電極中的一個處於漂浮狀態時，電晶體152也可起電容器的作用。
應該指出，第一電晶體101將H位準信號供應給第三佈線123是必需的。因此，為了縮短信號223的下降時間和上升時間，較佳的，在第一電晶體101至第八電晶體108中，第一電晶體101具有最大的W/L值(通道寬度W與通道長度L之比)。
此外，由於需要第五電晶體105在設置期間中將節點141(第一電晶體101的閘極)的電位設置為V1-Vth105，所以第五電晶體105的W/L值較佳的為第一電晶體101的W/L值的1/2～1/5倍，更佳的為第一電晶體101的W/L值的1/3～1/4倍。
為了將節點142的電位設置為V2+β，較佳的，第八電晶體108的W/L值(通道寬度W與通道長度L之比)為第三電晶體103的W/L值的至少十倍。因此，增大了第八電晶體108的電晶體尺寸(W×L)。這裏，透過將第三電晶體103的通道長度L的值設置為比第八電晶體108的通道長度L長，較佳的，將第三電晶體103的通道長度L的值設置為第八電晶體108的通道長度L的2～3倍，可減小第八電晶體108的電晶體尺寸。因此，可減小佈局面積。
在圖2的期間C和圖3C所示的重置期間中，由於信號221保持在L位準，所以第五電晶體105保持截止；信號222變成H位準，第七電晶體107導通；信號228變成H位準，第二電晶體102和第四電晶體104導通；信號227變成L位準，第三電晶體103截止。由於透過第七電晶體107供應第十三佈線133的電位，所以節點141的電位此時變成V2。因而，第一電晶體101和第八電晶體108截止。由於第四電晶體104導通，所以節點142的電位此時變成V2。因而，第六電晶體106截止。由於第三佈線123連接至第四佈線124，所以第三佈線123的電位變成V2，其中，V2以這種方式在重置期間中供應給第四佈線124。因此，從第三佈線123輸出L位準信號。
應該指出，透過延遲第七電晶體107導通的時序，可縮短信號223的下降時間。這是因為可透過具有較大的W/L值的第一電晶體101將輸入到第五佈線125的L位準信號供應給第三佈線123。
可選地，透過減小第七電晶體107的W/L值並延長節點141的電位變成V2所需的下降時間，也可縮短信號223的下降時間。在這種情況下，第七電晶體107的W/L值較佳的為第一電晶體101的W/L值的1/10～1/40倍，更佳的為第一電晶體101的W/L值的1/20～1/30倍。
應該指出，即使當如圖5B所示不提供第七電晶體107時，也可執行與上述重置期間中的操作類似的操作。由於在圖5B中的正反器中可減少電晶體和佈線，所以可減小佈局面積。
在圖2的期間D和圖4A所示的第一非選擇期間中，由於信號221保持在L位準，所以第五電晶體105保持截止；信號222變成L位準，第七電晶體107截止；信號228變成L位準，第二電晶體102和第四電晶體104截止；信號227變成H位準，第三電晶體103導通。由於第三電晶體103的第二電極對應於源極並且節點142的電位變成透過從第七佈線127的電位(V1)減去第三電晶體103的臨界值電壓而獲得的值，所以節點142的電位此時變成V1-Vth103(Vth103對應於第三電晶體103的臨界值電壓)。因而，第六電晶體106導通。由於第六電晶體106導通，所以節點141的電位此時變成V2。因而，第一電晶體101和第八電晶體108保持截止。以這種方式，在第一非選擇期間中，第三佈線123進入漂浮狀態並保持在V2。應該指出，本實施例模式的每個正反器可透過使第二電晶體102截止來抑制第二電晶體102的臨界值電壓漂移。應該指出，可透過將信號227的電位設置為V1或更小並降低第三電晶體103的閘極的電位來抑制第三電晶體103的臨界值電壓漂移。此外，可透過將信號228的電位設置為V2或更小並將反向偏置電壓施加到第四電晶體104和第二電晶體102來抑制第四電晶體104的臨界值電壓漂移和第二電晶體102的臨界值電壓漂移。還應該指出，可透過如圖9A所示另外提供電晶體901來將V2供應給第三佈線123。電晶體901的第一電極連接至第四佈線124；電晶體901的第二電極連接至第三佈線123；電晶體901的閘極連接至節點142。因此，以與第六電晶體106相同的時序控制電晶體901的導通/截止。因此，由於第三佈線123沒有進入漂浮狀態，所以圖9A中的正反器可抵抗雜訊。此外，如圖9B所示，可提供電晶體901代替第二電晶體102。
在圖2的期間E和圖4B所示的第二非選擇期間中，由於信號221保持在L位準，所以第五電晶體105保持截止；由於信號222保持在L位準，所以第七電晶體107保持截止；信號228變成H位準，第二電晶體102和第四電晶體104導通；信號227變成L位準，第三電晶體103截止。由於第四電晶體104導通，所以節點142的電位此時變成V2。因而，第六電晶體106截止。由於節點141進入漂浮狀態，所以節點141此時保持在V2。因而，第一電晶體101和第八電晶體108保持截止。由於第三佈線123連接至第四佈線124，所以第三佈線123的電位變成V2，其中，V2以這種方式在第二非選擇期間中供應給第四佈線124。因此，從第三佈線123輸出L位準信號。應該指出，本實施例模式的每個正反器可透過使第六電晶體106截止來抑制第六電晶體106的臨界值電壓漂移。應該指出，在本實施例模式的每個正反器中，即使當由雜訊引起第三佈線123的電位波動時，也可在第二非選擇期間中將第三佈線123的電位設置為V2。此外，在本實施例模式的每個正反器中，即使當由雜訊引起節點141的電位波動時，也可在第一非選擇期間中將節點141的電位設置為V2。
應該指出，可透過將信號227的電位設置為V2或更小並將反向偏置電壓施加到第三電晶體103來抑制第三電晶體103的臨界值電壓漂移。此外，可透過將信號228的電位設置為V1或更小並降低第四電晶體104的閘極的電位和第二電晶體102的閘極的電位來抑制第四電晶體104的臨界值電壓漂移和第二電晶體102的臨界值電壓漂移。如上所述，由於在本實施例模式的每個正反器中可抑制第二電晶體102的臨界值電壓漂移和第六電晶體106的臨界值電壓漂移，所以可延長壽命。另外，由於在本實施例模式的每個正反器中可抑制所有電晶體的臨界值電壓漂移，所以可延長壽命。此外，由於本實施例模式的每個正反器可抵抗雜訊，所以可提高可靠性。
這裏，說明第一電晶體101至第八電晶體108的功能。第一電晶體101具有選擇用於將第五佈線125的電位供應給第三佈線123的時序和透過自舉操作使節點141的電位上升的功能，起自舉電晶體的作用。第二電晶體102具有選擇用於將第四佈線124的電位供應給第三佈線123的時序的功能，起開關電晶體的作用。第三電晶體103具有選擇用於將第六佈線126的電位供應給節點142的時序的功能，起開關電晶體的作用。第四電晶體104具有選擇用於將第十佈線130的電位供應給節點142的時序的功能，起開關電晶體的作用。第五電晶體105具有選擇用於將第九佈線129的電位供應給節點141的時序的功能，起輸入電晶體的作用。第六電晶體106具有選擇用於將第十二佈線132的電位供應給節點141的時序的功能，起開關電晶體的作用。第十二電晶體107具有選擇用於將第十三佈線133的電位供應給節點141的時序的功能，起開關電晶體的作用。第八電晶體108具有選擇用於將第十一佈線131的電位供應給節點142的時序的功能，起開關電晶體的作用。應該指出，第一電晶體101至第八電晶體108不限於電晶體，只要它們具有上述功能即可。例如，二極體、CMOS類比開關、任何邏輯電路等可應用於起開關電晶體作用的第二電晶體102、第三電晶體103、第四電晶體104、第六電晶體106、第七電晶體107和第八電晶體108中的每個，只要它是具有開關功能的元件即可。此外，PN結二極體、二極體連接的電晶體等可應用於起輸入電晶體作用的第五電晶體105，只要它具有選擇使節點141的電位上升以使其截止的時序的功能即可。應該指出，電晶體的佈置、數量等不限於圖1A的電晶體的佈置、數量等，只要執行與圖1A的操作類似的操作即可。如從顯示圖1A中的正反器的操作的圖3A至圖4B顯而易見的，如由圖3A至圖4B中的每個中的實線所示，在本實施例模式中，只需要在設置期間、選擇期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間中具有電連續性。因而，可另外提供電晶體、另一元件(比如，電阻器或電容器)、二極體、開關、任何邏輯電路等，只要採用提供電晶體等以滿足上述條件的這樣的結構並且可操作該結構即可。
例如，確定節點142的電位是使第三電晶體103導通還是使第四電晶體104導通。然而，透過如圖10A所示將電阻器1011和電阻器1012連接在第七佈線127和第八佈線128之間，也可執行與圖1A的操作類似的操作。由於在圖10A中的正反器中可減少電晶體的數量和佈線的數量，所以可實現佈局面積的減小、產量的提高等。此外，如圖10B所示，代替提供電阻器1011，可在第七佈線127和節點142之間提供二極體連接的電晶體1021和二極體連接的電晶體1022，代替提供電阻器1012，可在第八佈線128和節點142之間提供二極體連接的電晶體1023和二極體連接的電晶體1024。電晶體1021的第一電極、電晶體1021的閘極和電晶體1022的第一電極連接至第七佈線127。電晶體1023的第一電極、電晶體1024的第一電極和電晶體1024的閘極連接至第八佈線128。電晶體1021的第二電極、電晶體1022的第二電極、電晶體1022的閘極、電晶體1023的第二電極、電晶體1023的閘極和電晶體1024的第二電極連接至節點142。也就是說，兩個二極體反向並聯地連接在第七佈線127和節點142之間，兩個二極體反向並聯地連接在第八佈線128和節點142之間。應該指出，本實施例模式的正反器的驅動時序不限於圖2的驅動時序，只要執行與圖1A至圖1C的操作類似的操作即可。
例如，如圖6所示的時序圖所示，可縮短用於將H位準信號輸入到第一佈線121、第二佈線122、第五佈線125、第七佈線127和第八佈線128中的每個的期間。在圖6中，與圖2中的時序圖相比，信號從L位準切換到H位準的時序延遲了期間Ta1，信號從H位準切換到L位準的時序提前了期間Ta2。因此，在應用圖6中的時序圖的正反器中，每個佈線的暫態電流變小，從而可實現節電、抑制故障、改進操作條件的範圍等。此外，在採用圖6中的時序圖的正反器中，可在重置期間中縮短從第三佈線123輸出的信號的下降時間。這是因為節點141的電位變成L位準的時序延遲了期間Ta1+期間Ta2，從而透過具有高電流供應能力(具有寬通道寬度)的第一電晶體101將輸入到第五佈線125的L位準信號供應給第三佈線123。應該指出，用共同的標號表示與圖2中的時序圖共同的部分，省略其說明。應該指出，期間Ta1、期間Ta2和期間Tb之間的關係較佳的滿足((Ta1+Ta2)/(Ta1+Ta2+Tb))×100<10[%]。更佳的，期間Ta1、期間Ta2和期間Tb之間的關係滿足((Ta1+Ta2)/(Ta1+Ta2+Tb))×100<5[%]。另外，較佳的設置期間Ta1≈期間Ta2。
應該指出，可自由地連接第一佈線121至第十三佈線133，只要執行與圖1A至圖1C的操作類似的操作即可。例如，如圖7A所示，第二電晶體102的第一電極、第四電晶體104的第一電極、第六電晶體106的第一電極、第七電晶體107的第一電極和第八電晶體108的第一電極可連接至第七佈線707。另外，第五電晶體105的第一電極和第三電晶體103的第一電極可連接至第六佈線706。此外，第二電晶體102的閘極和第四電晶體104的閘極可連接至第五佈線705。再者，第一電晶體101的第一電極和第三電晶體103的閘極可連接至第四佈線704。應該指出，如圖7B所示，第一電晶體101的第一電極可連接至第八佈線708。另外，如圖8A所示，第三電晶體103的第一電極可連接至第九佈線709。此外，如圖8B所示，第四電晶體104的第一電極可連接至第十佈線710。還應該指出，用共同的標號表示與圖1A的部分共同的部分，省略其說明。由於在圖7A中的正反器中可減少佈線的數量，所以可提高產量，可減小佈局面積，可提高可靠性，或者可改善操作條件的範圍。另外，由於在圖7B中的正反器中降低了施加到第三電晶體103的電位並且可施加反向偏置電壓，所以可進一步抑制第三電晶體103的臨界值電壓漂移。此外，由於在圖8A中的正反器中可降低供應給第九佈線709的電位，所以可進一步抑制第六電晶體106的臨界值電壓漂移。再者，由於可設置流過第三電晶體103和第四電晶體104的電流以使其不會不利地影響其他電晶體的操作，所以可改善操作條件的範圍。
圖29顯示圖7A所示的正反器的俯視圖的示例。導電層2901具有起第一電晶體101的第一電極作用的部分，並透過佈線2951連接至第四佈線704。導電層2902具有作為第一電晶體101的第二電極的功能，並透過佈線2952連接至第三佈線703。導電層2903具有作為第一電晶體101的閘極和第八電晶體108的閘極的功能。導電層2904具有起第二電晶體102的第二電極作用的部分，並透過佈線2952連接至第三佈線703。導電層2905具有作為第二電晶體102的第一電極、第四電晶體104的第一電極、第六電晶體106的第一電極和第八電晶體108的第一電極的功能，並連接至第七佈線707。導電層2906具有作為第二電晶體102的閘極和第四電晶體104的閘極的功能，並透過佈線2953連接至第五佈線705。導電層2907具有作為第三電晶體103的第一電極的功能，並透過佈線2954連接至第六佈線706。導電層2908具有作為第三電晶體103的第二電極、第四電晶體104的第二電極和第八電晶體108的第二電極的功能。導電層2909具有作為第三電晶體103的閘極的功能，並透過佈線2955連接至第四佈線704。導電層2910具有作為第五電晶體105的第一電極的功能，並透過佈線2956連接至第六佈線706。導電層2911具有作為第五電晶體105的第二電極和第七電晶體107的第二電極的功能，並透過佈線2957連接至導電層2903。導電層2912具有作為第五電晶體105的閘極的功能，並透過佈線2958連接至第一佈線701。導電層2913具有作為第六電晶體106的第二電極的功能，並透過佈線2959連接至導電層2903。導電層2914具有作為第六電晶體106的閘極的功能，並透過佈線2961連接至導電層2908。導電層2915具有作為第七電晶體107的第二電極的功能，並連接至第七佈線707。導電層2916具有作為第七電晶體107的閘極的功能，並透過佈線2960連接至第二佈線702。
這裏，佈線2960具有比佈線2951、佈線2952、佈線2953、佈線2954、佈線2955、佈線2956、佈線2957、佈線2958、佈線2959或佈線2961的佈線寬度小的佈線寬度。可選地，佈線2960具有比佈線2951、佈線2952、佈線2953、佈線2954、佈線2955、佈線2956、佈線2957、佈線2958、佈線2959或佈線2961的佈線長度長的佈線長度。也就是說，增大了佈線2960的阻抗值。因而，可使重置期間中導電層2916的電位變成H位準的時序延遲。因此，由於可使重置期間中第七電晶體107導通的時序延遲，所以可迅速地將第三佈線703的信號設置為L位準。這是因為延遲了節點141變成L位準的時序並且在該延遲期間中L位準信號透過第一電晶體101供應給第三佈線703。應該指出，佈線2951、佈線2952、佈線2953、佈線2954、佈線2955、佈線2956、佈線2957、佈線2958、佈線2959、佈線2960和佈線2961類似於像素電極(或者稱為透光電極或反射電極)，並且透過在類似的方法中使用類似的材料形成佈線2951、佈線2952、佈線2953、佈線2954、佈線2955、佈線2956、佈線2957、佈線2958、佈線2959、佈線2960和佈線2961。
應該指出，起第一電晶體101的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體101的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2981重疊。起第一電晶體102的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體102的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2982重疊。起第一電晶體103的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體103的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2983重疊。起第一電晶體104的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體104的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2984重疊。起第一電晶體105的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體105的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2985重疊。起第一電晶體106的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體106的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2986重疊。起第一電晶體107的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體107的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2987重疊。起第一電晶體108的閘極、第一電極和第二電極作用的部分對應於這樣的部分，在所述部分中具有第一電晶體108的閘極、第一電極和第二電極的導電層與半導體層2988重疊。
接下來，說明包括上述本實施例模式的正反器的移位暫存器的結構和驅動方法。參考圖11說明本實施例模式的移位暫存器的結構。圖11中的移位暫存器包括n個正反器(正反器1101_1至1101_n)。說明圖11中的移位暫存器的連接關係。在圖11中的移位暫存器的第i級正反器1101_i(正反器1101_1至1101_n中的任何一個)中，圖1A所示的第一佈線121連接至第七佈線1117_i-1；圖1A所示的第二佈線122連接至第七佈線1117_i+1；圖1A所示的第三佈線123連接至第七連接至1117_i；圖1A所示的第四佈線124、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132和第十三佈線133連接至第五佈線1115；在奇數級的正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第二佈線1112；在偶數級的正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第三佈線1113；在奇數級的正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第三佈線1113；在偶數級的正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第二佈線1112；圖1A所示的第六佈線126和第九佈線129連接至第四佈線1114。應該指出，第一級正反器1101_1的圖1A所示的第一佈線121連接至第一佈線1111，第n級正反器1101_n的圖1A所示的第二佈線122連接至第六佈線1116。
應該指出，第一佈線1111、第二佈線1112、第三佈線1113和第六佈線1116可分別稱為第一信號線、第二信號線、第三信號線和第四信號線。此外，第四佈線1114和第五佈線1115可分別稱為第一電源線和第二電源線。接下來，參考圖12中的時序圖和圖13中的時序圖說明圖11所示的移位暫存器的操作。這裏，圖12中的時序圖分為掃描間隔和回程間隔。掃描間隔對應於這樣的間隔，該間隔從開始從第七佈線1117_1輸出選擇信號的時間至結束從第七佈線1117_n輸出選擇信號的時間。回程間隔對應於這樣的間隔，該間隔從結束從第七佈線1117_n輸出選擇信號的時間至開始從第七佈線1117_1輸出選擇信號的時間。應該指出，電位V1供應給第四佈線1114，電位V2供應給第五佈線1115。應該指出，圖12所示的信號1211、信號1212、信號1213和信號1216分別輸入到第一佈線1111、第二佈線1112、第三佈線1113和第六佈線1116。這裏，信號1211、信號1212、信號1213和信號1216中的每個為這樣的信號，在該信號中，H位準信號的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號為V2(以下也稱為L位準)。此外，信號1211、信號1212、信號1213和信號1216可分別稱為啟始信號、第一時鐘信號、第二時鐘信號(反向時鐘信號)和重置信號。應該指出，任何信號、電位或電流可輸入到第一佈線1111至第六佈線1116中的每個。
從第七佈線1117_1至1117_n中的每個輸出這樣的數位信號，在該數位信號中，H位準的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號的電位為V2(也稱為L位準)。應該指出，由於分別透過緩衝器1401_1至緩衝器1401_n從第七佈線1117_1至1117_n輸出信號，並且可對移位暫存器的輸出信號和每個正反器的轉移信號進行分割，所以可使操作條件的範圍變寬。這裏，參考圖15A和圖15B說明包括在圖14所示的移位暫存器中的緩衝器1401_1至緩衝器1401_n的示例。在圖15A所示的緩衝器8000中，反相器8001a、反相器8001b和反相器8001c連接在佈線8011和佈線8012之間，從而從佈線8012輸出輸入到佈線8011的信號的反相信號。應該指出，連接在佈線8011和佈線8012之間的反相器的數量不受限制，例如，當偶數個反相器連接在佈線8011和佈線8012之間時，從第二佈線8012輸出具有與輸入到佈線8011的信號的極性相同的極性的信號。另外，如圖15B中的緩衝器8100所示，串聯的反相器8002a、反相器8002b和反相器8002c以及串聯的反相器8003a、反相器8003b和反相器8003c可並聯。由於在圖15B中的緩衝器8100中可使電晶體的特性的差異平均，所以可減少從佈線8012輸出的信號的延遲和濁音。此外，可連接反相器8002a和反相器8003a的輸出，並且可連接反相器8002b和反相器8003b的輸出。
應該指出，在圖15A中，較佳的滿足：包括在反相器8001a中的電晶體的W<包括在反相器8001b中的電晶體的W<包括在反相器8001c中的電晶體的W。包括在反相器8001a中的電晶體的W小，可降低正反器的驅動性能(具體地講，圖1中的電晶體的W/L值)，從而可減小本發明的移位暫存器的佈局面積。類似地，在圖15B中，較佳的滿足：包括在反相器8002a中的電晶體的W<包括在反相器8002b中的電晶體的W<包括在反相器8002c中的電晶體的W。類似地，在圖15B中，較佳的滿足：包括在反相器8003a中的電晶體的W<包括在反相器8003b中的電晶體的W<包括在反相器8003c中的電晶體的W。此外，較佳的滿足：包括在反相器8002a中的電晶體的W=包括在反相器8003a中的電晶體的W，包括在反相器8002b中的電晶體的W=包括在反相器8003b中的電晶體的W，包括在反相器8002c中的電晶體的W=包括在反相器8003c中的電晶體的W。
應該指出，圖15A和圖15B所示的反相器不受特別限制，只要它們可輸出輸入信號的反相信號即可。例如，如圖15C所示，可由第一電晶體8201和第二電晶體8202形成反相器。另外，信號輸入到第一佈線8211；從第二佈線8212輸出信號；V1供應給第三佈線8213；V2供應給第四佈線8214。在圖15C中的反相器中，當H位準信號輸入到第一佈線8211時，從第二佈線8212輸出第一電晶體8201和第二電晶體8202(第一電晶體8201的W/L<第二電晶體8202的W/L)分割V1-V2的電位。此外，在圖15C中的反相器中，當L位準信號輸入到第一佈線8211時，從第二佈線8212輸出V1-Vth 8201(Vth 8201對應於第一電晶體8201的臨界值電壓)。再者，第一電晶體8201可以是PN接面二極體或者簡單地是電阻器，只要它是具有阻抗元件的元件即可。另外，如圖15D所示，可由第一電晶體8301、第二電晶體8302、第三電晶體8303和第四電晶體8304形成反相器。此外，信號輸入到第一佈線8311；從第二佈線8312輸出信號；V1供應給第三佈線8313和第五佈線8315；V2供應給第四佈線8314和第六佈線8316。在圖15D中的反相器中，當H位準信號輸入到第一佈線8311時，從第二佈線8312輸出V2。此時，由於節點8341的電位為L位準，所以第一電晶體8301截止。再者，在圖15D中的反相器中，當L位準信號輸入到第一佈線8311時，從第二佈線8312輸出V1。此時，當節點8341的電位變成V1-Vth8303(Vth8303對應於第三電晶體8303的臨界值電壓)時，節點8341進入漂浮狀態，並且透過自舉操作，節點8341的電位變得比V1+Vth8301(Vth8301對應於第一電晶體8301的臨界值電壓)高，從而第一電晶體8301導通。而且，由於第一電晶體8301起自舉電晶體的作用，所以可在第一電晶體8301的第二電極和閘極之間提供電容器。
另外，如圖16A所示，可由第一電晶體8401、第二電晶體8402、第三電晶體8403和第四電晶體8404形成反相器。圖16A中的反相器為兩個輸入的反相器，可執行自舉操作。此外，信號輸入到第一佈線8411；反相信號輸入到第二佈線8412；從第三佈線8413輸出信號；V1供應給第四佈線8414和第六佈線8416；V2供應給第五佈線8415和第七佈線8417。在圖16A中的反相器中，當L位準信號輸入到第一佈線8411並且H位準信號輸入到第二佈線8412時，從第三佈線8413輸出V2。此時，由於節點8441的電位為V2，所以第一電晶體8401截止。再者，在圖16A中的反相器中，當H位準信號輸入到第一佈線8411並且L位準信號輸入到第二佈線8412時，從第三佈線8413輸出V1。此時，當節點8411的電位變成V1-Vth8403(Vth8403對應於第三電晶體8403的臨界值電壓)時，節點8441進入漂浮狀態並且節透過自舉操作，節點8441的電位變得比V1+Vth8401(Vth8401對應於第一電晶體8401的臨界值電壓)高，從而第一電晶體8401導通。而且，由於第一電晶體8401起自舉電晶體的作用，所以可在第一電晶體8401的第二電極和閘極之間提供電容器。較佳的，第一佈線8411和第二佈線8412中的一個連接至圖1A所示的第三佈線123，第一佈線8411和第二佈線8412中的另一個連接至圖1A所示的節點142。
另外，如圖16B所示，可由第一電晶體8501、第二電晶體8502和第三電晶體8503形成反相器。圖16B中的反相器為兩個輸入的反相器，可執行自舉操作。此外，信號輸入到第一佈線8511；反相信號輸入到第二佈線8512；從第三佈線8513輸出信號；V1供應給第四佈線8514和第六佈線8516；V2供應給第五佈線8515。在圖16B中的反相器中，當L位準信號輸入到第一佈線8511並且H位準信號輸入到第二佈線8512時，從第三佈線8513輸出V2。此時，由於節點8541的電位為V2，所以第一電晶體8501截止。再者，在圖16B中的反相器中，當H位準信號輸入到第一佈線8511並且L位準信號輸入到第二佈線8512時，從第三佈線8513輸出V1。此時，當節點8541的電位變成V1-Vth8503(Vth8503對應於第三電晶體8503的臨界值電壓)時，節點8541進入漂浮狀態，並且透過自舉操作，節點8541的電位變得比V1+Vth8501(Vth8501對應於第一電晶體8501的臨界值電壓)高，從而第一電晶體8501導通。而且，由於第一電晶體8501起自舉電晶體的作用，所以可在第一電晶體8501的第二電極和閘極之間提供電容器。較佳的，第一佈線8511和第二佈線8512中的一個連接至圖1A所示的第三佈線123，第一佈線8511和第二佈線8512中的另一個連接至圖1A所示的節點142。
另外，如圖16C所示，可由第一電晶體8601、第二電晶體8602、第三電晶體8603和第四電晶體8604形成反相器。圖16C中的反相器為兩個輸入的反相器，可執行自舉操作。此外，信號輸入到第一佈線8611；反相信號輸入到第二佈線8612；從第三佈線8613輸出信號；V1供應給第四佈線8614；V2供應給第五佈線8615和第六佈線8616。在圖16C中的反相器中，當L位準信號輸入到第一佈線8611並且H位準信號輸入到第二佈線8612時，從第三佈線8613輸出V2。此時，由於節點8641的電位為V2，所以第一電晶體8601截止。再者，在圖16C中的反相器中，當H位準信號輸入到第一佈線8611並且L位準信號輸入到第二佈線8612時，從第三佈線8613輸出V1。此時，當節點8641的電位變成V1-Vth8603(Vth8603對應於第三電晶體8603的臨界值電壓)時，節點8641進入漂浮狀態，並且透過自舉操作，節點8641的電位變得比V1+Vth8601(Vth8601對應於第一電晶體8601的臨界值電壓)高，從而第一電晶體8601導通。而且，由於第一電晶體8601起自舉電晶體的作用，所以可在第一電晶體8601的第二電極和閘極之間提供電容器。較佳的，第一佈線8611和第二佈線8612中的一個連接至圖1A所示的第三佈線123，第一佈線8611和第二佈線8612中的另一個連接至圖1A所示的節點142。
應該指出，從第七佈線1117_i-1輸出的信號用作正反器1101_i的啟始信號，從第七佈線1117_i+1輸出的信號用作正反器1101_i的重置信號。從第一佈線1111輸入正反器1101_1的啟始信號，從第六佈線1116輸入正反器1101_n的重置信號。還應該指出，作為正反器1101_n的重置信號，可使用從第七佈線1117_1輸出的信號或從第七佈線1117_2輸出的信號。可選地，可另外提供空正反器，並且可使用該空正反器的輸出信號。因而，可減少佈線的數量和信號的數量。如圖13所示，例如，當正反器1101_i進入選擇期間時，從第七佈線1117_i輸出H位準信號(選擇信號)。此時，正反器1101_i+1進入設置期間。在這之後，正反器1101_i進入重置期間，並且從第七佈線1117_i輸出L位準信號。此時，正反器1101_i+1進入選擇期間。在這之後，正反器1101_i進入第一非選擇期間，第七佈線1117_i進入漂浮狀態並保持在V2。此時，正反器1101_i+1進入重置期間。在這之後，正反器1101_i進入第二非選擇期間，並且從第七佈線1117_i輸出L位準信號。此時，正反器1101_i+1進入第一非選擇期間。在圖11中的移位暫存器中，可以以這種方式從第七佈線1117_1至第七佈線1117_n順序地輸出選擇信號。也就是說，在圖11中的移位暫存器中，可掃描第七佈線1117_1至第七佈線1117_n。
另外，由於在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中可抑制每個電晶體的臨界值電壓漂移，所以可延長壽命。另外，由於在本實施例模式的正反器中可抑制所有電晶體的臨界值電壓漂移，所以可延長壽命。此外，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可提高可靠性。再者，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可抑制故障。另外，由於應用本實施例模式的正反器的移位暫存器可以以高速操作，所以可將它應用於較高清晰度的顯示裝置或較大型的顯示裝置。此外，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可簡化方法。再者，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可降低製造成本。而且，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可提高產量。接下來，說明包括上述本實施例模式的移位暫存器的顯示裝置的結構和驅動方法。應該指出，僅需要本實施例模式的顯示裝置至少包括本實施例模式的正反器。參考圖17說明本實施例模式的顯示裝置的結構。圖17中的顯示裝置包括信號線驅動器電路1701、掃描線驅動器電路1702和像素部分1704。像素部分1704包括從信號線驅動器電路1701行方向延伸的多條信號線S1至Sm、從掃描線驅動器電路1702列方向延伸的多條掃描線G1至Gn以及按根據信號線S1至Sm和掃描線G1至Gn的矩陣佈置的多個像素1703。另外，像素1703中的每個連接至信號線Sj(信號線S1至Sm中的任何一個)和掃描線Gi(掃描線G1至Gn中的任何一個)。此外，掃描線驅動器電路1702可稱為驅動器電路。應該指出，本實施例模式的移位暫存器可用作掃描線驅動器電路1702。不用說，本實施例模式的移位暫存器可用作信號線驅動器電路1701。應該指出，掃描線G1至Gn連接至第七佈線1117_1至1117_n。
還應該指出，信號線和掃描線中的每個可簡單地稱為佈線。另外，信號線驅動器電路1701和掃描線驅動器電路1702中的每個可稱為驅動器電路。像素1703中的每個至少包括開關元件、電容器和像素電極。應該指出，像素1703中的每個可包括多個開關元件或多個電容器。另外，像素1703中的每個沒有必要包括電容器。此外，像素1703中的每個還可包括在飽和區中操作的電晶體。再者，像素1703中的每個可包括顯示元件，諸如液晶元件或EL元件。這裏，電晶體或PN接面二極體可用作開關元件。還應該指出，當電晶體用作開關元件時，較佳的，電晶體在線性區操作。另外，當透過僅使用N通道電晶體形成掃描線驅動器電路1702時，較佳的，N通道電晶體用作開關元件。可選地，當透過僅使用P通道電晶體形成掃描線驅動器電路1702時，較佳的，P通道電晶體用作開關元件。在絕緣基板1705上方形成掃描線驅動器電路1702和像素部分1704，在絕緣基板1705上方不形成信號線驅動器電路1701。使用與絕緣基板1705不同的單晶基板、SOI基板或絕緣基板形成信號線驅動器電路1701。另外，信號線驅動器電路1701透過諸如FPC的印刷電路連接至信號線S1至Sm。應該指出，可在絕緣基板1705上方形成信號線驅動器電路1701，或者可在絕緣基板1705上方形成信號線驅動器電路1701的一部分。應該指出，上述佈線和/或電極還可應用於其他顯示裝置、移位暫存器和像素。
信號線驅動器電路1701將作為視頻信號的電壓或電流輸入到信號線S1至Sm中的每個。應該指出，視頻信號可以是數位信號或類比信號。另外，可在每框中將視頻信號的正極和負極反轉(即，框反轉驅動)，可在每列中將視頻信號的正極和負極反轉(即，閘極線反轉驅動)，可在每行中將視頻信號的正極和負極反轉(即，源極線反轉驅動)，或者可在每列和每行中將視頻信號的正極和負極反轉(即，點反轉驅動)。此外，可透過點順序驅動或線順序驅動將視頻信號輸入到信號線S1至Sm中的每個。再者，信號線驅動器電路1701不僅可將視頻信號輸入到信號線S1至Sm中的每個，而且還可將諸如預充電電壓的恒定電壓輸入到信號線S1至Sm中的每個。較佳的，在每個閘極選擇期間或每框中輸入諸如預充電電壓的恒定電壓。應該指出，掃描線驅動器電路1702將信號輸入到掃描線G1至Gn中的每個，並從第一列順序地選擇(以下也稱為掃描)掃描線G1至Gn。然後，掃描線驅動器電路1702選擇連接至選擇的掃描線的多個像素1703。這裏，選擇一條掃描線的期間稱為一個閘極選擇期間，不選擇一條掃描線的期間稱為非選擇期間。另外，透過掃描線驅動器電路1702輸出到每條掃描線的信號稱為掃描信號。此外，掃描信號的最大值大於視頻信號的最大值或信號線的最大電壓，掃描信號的最小值小於視頻信號的最小值或信號線的最小電壓。
當選擇像素1703時，視頻信號透過信號線從信號線驅動器電路1701輸入到像素1703。可選地，當不選擇像素1703時，像素1703保持在選擇期間中輸入的視頻信號(根據視頻信號的電位)。雖然沒有顯示，但是多個電位和多個信號供應給信號線驅動器電路1701和掃描線驅動器電路1702中的每個。接下來，參考圖18中的時序圖說明圖17所示的顯示裝置的操作。應該指出，圖18顯示一個框周期，其與顯示一個螢幕的影像的期間對應。應該指出，雖然一個框周期不受特別限制，但是較佳的，一個框周期為1/60秒或更短，從而觀看影像的人不會感受到閃爍。應該指出，圖18中的時序圖顯示第一列的掃描線G1、第i列的掃描線Gi、第(i+1)列的掃描線Gi+1和第n列的掃描線Gn中的每個的選擇時序。
在圖18中，例如，選擇第i列的掃描線，並選擇連接至掃描線Gi的多個像素1703。然後，將視頻信號輸入到連接至掃描線Gi的多個像素1703中的每個，連接至掃描線Gi的多個像素1703中的每個保持根據視頻信號的電位。在這之後，不選擇第i列的掃描線Gi，選擇第(i+1)列的掃描線Gi+1，選擇連接至掃描線Gi+1的多個像素1703。然後，將視頻信號輸入到連接至掃描線Gi+1的多個像素1703中的每個，連接至掃描線Gi+1的多個像素1703中的每個保持根據視頻信號的電位。以這種方式在一個框周期中順序地選擇掃描線G1至Gn，並且順序地選擇連接至每條掃描線的多個像素1703。然後，視頻信號輸入到連接至每條掃描線的多個像素1703中的每個，連接至每條掃描線的多個像素1703中的每個保持根據視頻信號的電位。另外，由於使用本實施例模式的移位暫存器作為掃描線驅動器電路1702的顯示裝置可以以高速操作，所以可使該顯示裝置做得較大或者可使該顯示裝置的清晰度更高。此外，在本實施例模式的顯示裝置中，可簡化方法。再者，在本實施例模式的顯示裝置中，可降低製造成本。而且，在本實施例模式的顯示裝置中，可提高產量。應該指出，在圖17中的顯示裝置中，由於在不同的基板上方形成必須以高速操作的信號線驅動器電路1701、掃描線驅動器電路1702和像素部分1704，所以非晶矽可用於包括在掃描線驅動器電路1702中的電晶體的半導體層和包括在像素1703中的電晶體的半導體層。因此，在圖17中的顯示裝置中，可簡化製造方法。另外，在圖17中的顯示裝置中，可降低製造成本。此外，在圖17中的顯示裝置中，可提高產量。再者，可使圖17中的顯示裝置做得較大。或者，即使當多矽或單晶矽用於每個電晶體的半導體層時，也可簡化製造方法。當在同一基板上方形成信號線驅動器電路1701、掃描線驅動器電路1702和像素1703時，較佳的，多矽或單晶矽用於包括在掃描線驅動器電路1702中的電晶體的半導體層和包括在像素1703中的電晶體的半導體層。
應該指出，每個驅動器電路的數量、佈置等不限於圖17的每個驅動器電路的數量、佈置等，只要如圖17所示選擇像素並且可將視頻信號寫入像素即可。例如，如圖19所示，可用第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b對掃描線G1至Gn進行掃描。第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b中的每個具有與圖17所示的掃描線驅動器電路1702的結構類似的結構；在第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b中對應的佈線彼此電連接；第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b用相同的時序對掃描線G1至Gn進行掃描。此外，第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b可分別稱為第一驅動器電路和第二驅動器電路。
在圖19中的顯示裝置中，即使當第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b中的一個中缺陷發生時，也可用第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b中的另一個對掃描線G1至Gn進行掃描。因此，圖19中的顯示裝置可具有冗餘。另外，圖19中的第一掃描線驅動器電路1902a的負載(掃描線的寫阻抗和寄生電容)和第二掃描線驅動器電路1902b的負載可大約減少為圖17中的顯示裝置中的掃描線驅動器電路1702的負載的一半。因此，可減少輸入到掃描線G1至Gn的信號(第一掃描線驅動器電路1902a和第二掃描線驅動器電路1902b的輸出信號)的延遲和濁音。此外，由於可減小圖19中的顯示裝置中的第一掃描線驅動器電路1902a的負載和第二掃描線驅動器電路1902b的負載，所以可以以高速對掃描線G1至Gn進行掃描。再者，由於能夠以高速對掃描線G1至Gn進行掃描，所以可使面板做得較大或者可使面板的清晰度更高。應該指出，用共同的標號表示與圖17中的部分共同的部分，省略其說明。作為另一示例，圖20顯示了可以以高速將視頻信號寫入像素的顯示裝置。在圖20中的顯示裝置中，視頻信號從奇數行的信號線輸入到奇數列的像素1703，視頻信號從偶數行的信號線輸入到偶數列的像素1703。另外，在圖20的顯示裝置中，用第一掃描線驅動器電路2002a對掃描線G1至Gn中的奇數級的掃描線進行掃描，用第二掃描線驅動器電路2002b對掃描線G1至Gn中的偶數級的掃描線進行掃描。此外，輸入到第一掃描線驅動器電路2002a的啟始信號比輸入到第二掃描線驅動器電路2002b的啟始信號晚輸入時鐘信號的1/4周期。應該指出，在圖20中的顯示裝置中，僅透過在一個框周期中將正的視頻信號和負的視頻信號輸入到每行中的每條信號線，就可執行點反轉驅動。另外，在圖20的顯示裝置中，可透過在每一個框周期中將輸入到每條信號線的視頻信號的極性反轉來執行框反轉驅動。
參考圖21中的時序圖說明圖20中的顯示裝置的操作。應該指出，圖21中的時序圖顯示第一列掃描線G1、第(i-1)列掃描線Gi-1、第i列掃描線Gi、第(i+1)列掃描線Gi+1和第n列掃描線Gn中的每個的選擇時序。另外，在圖21中的時序圖中，一個選擇期間分為選擇期間a和選擇期間b。此外，圖21中的時序圖顯示在圖20中的顯示裝置中執行點反轉驅動和框反轉驅動的情況。在圖21中，例如，第i列掃描線Gi的選擇期間a與第(i-1)列掃描線Gi-1的選擇期間b重疊，第i列掃描線Gi的選擇期間b與第(i+1)列掃描線Gi+1的選擇期間a重疊。因此，在選擇期間a中，與輸入到第(i-1)列第(j+1)行的像素1703的視頻信號類似的視頻信號輸入到第i列第j行的像素1703。另外，在選擇期間b中，與輸入到第i列第j行的像素1703的視頻信號類似的視頻信號輸入到第(i+1)列第(j+1)行的像素1703。應該指出，在選擇期間b中輸入到像素1703中的每個的視頻信號為原始視頻信號，在選擇期間a中輸入到像素1703中的每個的視頻信號為像素1703中的每個的預充電視頻信號。因此，在透過在選擇期間a中輸入到第(i-1)列第(j+1)行的像素1703的視頻信號對像素1703中的每個進行預充電之後，在選擇期間b中(第i列第j行的)原始視頻信號輸入到像素1703中的每個。
如上所述，由於可以以高速將視頻信號寫入像素1703中的每個，所以可容易地使圖20中的顯示裝置做得較大或者可容易地使圖20中的顯示裝置的清晰度較高。另外，由於在一個框周期中具有相同極性的視頻信號輸入到每條信號線，所以沒有太多的每條信號線的充電和放電並且可實現低功耗。此外，由於在圖20的顯示裝置中可顯著地減小用於輸入視頻信號的IC的負載，所以可減少IC的發熱、功耗等。再者，由於在圖20中的顯示裝置中第一掃描線驅動器電路2002a和第二掃描線驅動器電路2002b的驅動頻率可大約減小一半，所以可節省功率。應該指出，在本實施例模式的顯示裝置中，可根據像素1703的結構和驅動方法執行各種驅動方法。例如，可在一個框周期中多次用掃描線驅動器電路對掃描線進行掃描。
應該指出，可根據像素1703的結構將另一佈線等添加到圖17、圖19和圖20中的顯示裝置中的每個。例如，可添加值定電源線、電容器線、掃描線等。還應該指出，在添加掃描線的情況下，可添加應用本實施例模式的移位暫存器的掃描線驅動器電路。作為另一示例，可將空掃描線、信號線、電源線或電容器線提供到像素部分。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式2]在本實施例模式中，說明與實施例模式1不同的正反器、包括該正反器的驅動器電路和包括該驅動器電路的顯示裝置的結構和驅動方法。應該指出，用共同的標號表示與實施例模式1的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。作為本實施例模式的正反器的結構，可使用與實施例模式1的正反器的結構類似的結構。應該指出，正反器的驅動時序不同於實施例模式1的正反器的驅動時序。因而，在本實施例模式中，省略正反器的結構的說明。應該指出，雖然說明了本實施例模式的驅動時序應用於圖1A中的正反器的情況，但是可自由地將本實施例模式的驅動時序與圖1B、圖1C、圖5A、圖5B、圖5C、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A和圖10B中的正反器中的每個組合。另外，可自由地將本實施例模式的驅動時序與實施例模式1中說明的驅動時序組合。接下來，參考圖1A中的正反器和圖22中的時序圖說明本實施例模式的正反器的操作。應該指出，透過將整個期間分為設置期間、選擇期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間來說明圖22中的時序圖。還應該指出，設置期間分為第一設置期間和第二設置期間，選擇期間分為第一選擇期間和第二選擇期間。
應該指出，圖22所示的信號2221、信號2225、信號2228、信號2227和信號2222分別輸入到第一佈線121、第五佈線125、第八佈線128、第七佈線127和第二佈線122。另外，從第三佈線123輸出圖22所示的信號2223。這裏，信號2221、信號2225、信號2228、信號2227、信號2222和信號2223中的每個為這樣的數位信號，在該數位信號中，H位準信號的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號的電位為V2(以下也稱為L位準)。此外，信號2221、信號2225、信號2228、信號2227、信號2222和信號2223可分別稱為啟始信號、功率時鐘信號(PCK)、第一控制時鐘信號(CCK1)、第二控制時鐘信號(CCK2)、重置信號和輸出信號。本實施例模式的正反器基本執行與實施例模式1中說明的正反器的操作類似的操作。應該指出，在本實施例模式的正反器中，H位準信號輸入到第一佈線121的時序延遲了時鐘信號的1/4周期，這不同於實施例模式1的正反器。在圖22所示的第一設置期間(A1)、第二設置期間(A2)、重置期間(C)、第一非選擇期間(D)和第二非選擇期間(E)中，本實施例模式的正反器執行與圖2所示的第二非選擇期間(E)、設置期間(A)、重置期間(C)、第一非選擇期間(D)和第二非選擇期間(E)中的操作類似的操作。因而，省略其說明。
應該指出，如圖23所示，透過使H位準信號輸入到第二佈線122的時序延遲時鐘信號的1/4周期，可顯著地縮短輸出信號的下降時間。也就是說，在應用圖23的本實施例模式的正反器中，在圖23的期間C1所示的第一重置期間中L位準信號輸入到第五佈線，節點141的電位下降到大約V1+Vth101。因此，第一電晶體101保持導通，並且從第三佈線123輸出L位準信號。由於L位準信號透過具有較大W/L值的第一電晶體101輸入到第三佈線123，所以可顯著地縮短第三佈線123的電位從H位準變成L位準的時間。在這之後，在應用圖23的本實施例模式的正反器中，在圖23的期間C2所示的第二重置期間中第七電晶體107導通，節點141的電位變成V2。由於節點142的電位此時變成V1-Vth103並且第三電晶體103導通，所以從第三佈線123輸出L位準信號。在本實施例模式的正反器中，可獲得與實施例模式1所示的正反器的有益效果類似的有益效果。接下來，說明包括上述本實施例模式的正反器的移位暫存器的結構和驅動方法。參考圖24說明本實施例模式的移位暫存器的結構。圖24中的移位暫存器包括n個正反器(正反器2401_1至2401_n)。
說明圖24中的移位暫存器的連接關係。在圖24中的移位暫存器的第i級正反器2401_i(正反器2401_1至2401_n中的任何一個)中，圖1A所示的第一佈線121連接至第十佈線2420_i-1；圖1A所示的第二佈線122連接至第十佈線2420_i+2；圖1A所示的第三佈線123連接至第十佈線2420_i；圖1A所示的第四佈線124、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132和第十三佈線133連接至第七佈線2417；在(4N-3)級(N對應於1或更大的自然數)正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第二佈線2412；在第(4N-2)級正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第三佈線2413；在第(4N-1)級正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第四佈線2414；在第4N級正反器中，圖1A所示的第五佈線125和第七佈線127連接至第五佈線2415；在第(4N-3)級正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第四佈線2413；在第(4N-2)級正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第五佈線2415；在第(4N-1)級正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第二佈線2412；在第4N級正反器中，圖1A所示的第八佈線128連接至第三佈線2413；圖1A所示的第六佈線126和第九佈線129連接至第六佈線2416。應該指出，第一級正反器2401_1的圖1A所示的第一佈線121連接至第一佈線2411；第(n-1)級正反器2401_n-1的圖1A所示的第二佈線122連接至第九佈線2419；第n級正反器2401_n的圖1A所示的第二佈線122連接至第八佈線2418。應該指出，當圖23中的時序圖應用於本實施例模式的正反器時，第i級正反器2401_i的圖1A所示的第二佈線122連接至第十佈線2420_i+3。因此，第(n-3)級正反器2401_n-3的圖1A所示的第二佈線122連接至另外提供的佈線。
還應該指出，第一佈線2411、第二佈線2412、第三佈線2413、第四佈線2414、第五佈線2415、第八佈線2418和第九佈線2419可分別稱為第一信號線、第二信號線、第三信號線、第四信號線、第五信號線、第六信號線和第七信號線。此外，第六佈線2416和第七佈線2417可分別稱為第一電源線和第二電源線。接下來，參考圖25中的時序圖和圖26中的時序圖說明圖24所示的移位暫存器的操作。這裏，圖25中的時序圖分為掃描間隔和回程間隔。應該指出，電位V1供應給第四佈線2414，電位V2供應給第五佈線2415。應該指出，圖25所示的信號2511、信號2512、信號2513、信號2514、信號2515、信號2518和信號2519分別輸入到第一佈線2411、第二佈線2412、第三佈線2413、第四佈線2414、第五佈線2415、第八佈線2418和第九佈線2419。這裏，信號2511、信號2512、信號2513、信號2514、信號2515、信號2518和信號2519為數位信號，在該數位信號中，H位準信號的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號的電位為V2(以下也稱為L位準)。此外，信號2511、信號2512、信號2513、信號2514、信號2515、信號2518和信號2519可分別稱為啟始信號、第一時鐘信號、第二時鐘信號、第三時鐘信號、第四時鐘信號、第一重置信號和第二重置信號。應該指出，任何信號、電位或電流可輸入到第一佈線2411至第九佈線2419中的每個。
從第十佈線2420_1至2420_n中的每個輸出這樣的數位信號，在該數位信號中，H位準信號的電位為V1(以下也稱為H位準)，L位準信號的電位為V2(以下也稱為L位準)。應該指出，透過與實施例模式1類似地將緩衝器與第十佈線2420_1至2420_n中的每個連接，可使操作條件的範圍變寬。應該指出，從第十佈線2420_i-1輸出的信號用作正反器2401_i的啟始信號，從第十佈線2420_i+2輸出的信號用作正反器2401_i的重置信號。這裏，從第一佈線2411輸入正反器2401_1的啟始信號；從第九佈線2419輸入正反器2401_n-1的第二重置信號；從第八佈線2418輸入正反器2401_n的第一重置信號。還應該指出，從第十佈線2420_1輸出的信號可用作正反器2401_n-1的第二重置信號，從第十佈線2420_2輸出的信號可用作正反器2401_n的第一重置信號。可選地，從第十佈線2420_2輸出的信號可用作正反器2401_n-1的第二重置信號，從第十佈線2420_3輸出的信號可用作正反器2401_n的第一重置信號。此外可選地，可另外提供第一空正反器和第二空正反器，第一空正反器的輸出信號和第二空正反器的輸出信號可分別用作第一重置信號和第二重置信號。因而，可減少佈線的數量和信號的數量。
如圖26所示，例如，當正反器2401_i進入第一選擇期間時，從第十佈線2420_i輸出H位準信號(選擇信號)。此時，正反器2401_i+1進入第二設置期間。在這之後，當正反器2401_i進入第二選擇期間時，第十佈線2420_i保持輸出H位準信號。此時，正反器2401_i+1進入第一選擇期間。在這之後，當正反器2401_i進入重置期間時，從第十佈線2420_i輸出L位準信號。此時，正反器2401_i+1進入第二選擇期間。在這之後，當正反器2401_i進入第一非選擇期間時，第十佈線2420_i進入漂浮狀態並保持為V2。此時，正反器2401_i+1進入重置期間。在這之後，當正反器2401_i進入第二非選擇期間時，從第十佈線2420_i輸出L位準信號。此時，正反器2402_i+1進入第二非選擇期間。在圖24中的移位暫存器中，可以以這種方式從第十佈線2420_1至2420_n順序地輸出選擇信號。此外，由於正反器2401_i的第二選擇期間和正反器2401_i+1的第一選擇期間為同一期間，所以可在該同一期間中從第十佈線2420_i和第十佈線2420_i+1輸出選擇信號。如上所述，本實施例模式的移位暫存器可應用於較高清晰度的顯示裝置或較大型顯示裝置。此外，在本實施例模式的移位暫存器中，可獲得與實施例模式1所示的移位暫存器的有益效果類似的有益效果。
接下來，說明包括上述本實施例模式的移位暫存器的顯示裝置的結構和驅動方法。應該指出，僅需要本實施例模式的移位暫存器至少包括本實施例模式的正反器。參考圖27說明本實施例模式的顯示裝置的結構。在圖27的顯示裝置中，用掃描線驅動器電路2702對掃描線G1至Gn進行掃描。另外，視頻信號從奇數行的信號線輸入到奇數列的像素1703，視頻信號從偶數行的信號線輸入到偶數列的像素1703。應該指出，用共同的標號表示與圖17中的部分共同的部分，省略其說明。應該指出，透過將本實施例模式的移位暫存器應用於圖27中的顯示裝置中的掃描線驅動器電路2702，可透過一個掃描線驅動器電路執行與圖20中的顯示裝置的操作類似的操作。因此，可獲得與圖20中的顯示裝置的有益效果類似的有益效果。還應該指出，與圖19中的顯示裝置類似，可用第一掃描線驅動器電路2802a和第二掃描線驅動器電路2802b對掃描線G1至Gn進行掃描。因此，可獲得與圖19中的顯示裝置的有益效果類似的有益效果。圖28顯示這種情況的結構。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式3]在本實施例模式中，說明與實施例模式1和2不同的正反器、包括該正反器的驅動器電路和包括該驅動器電路的顯示裝置的結構和驅動方法。在本實施例模式的正反器中，透過不同的電晶體從不同的佈線輸出正反器的輸出信號和正反器的轉移信號。應該指出，用共同的標號表示與實施例模式1和2的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。參考圖40說明本實施例模式的正反器的基本結構。圖40所示的正反器與添加第九電晶體109和第十電晶體110的圖1A中的正反器類似。說明圖40中的正反器的連接關係。第九電晶體109的第一電極連接至第十五佈線135；第九電晶體109的第二電極連接至第十四佈線134；第九電晶體109的閘極連接至節點141。第十電晶體110的第一電極連接至第十六佈線136；第十電晶體110的第二電極連接至第十四佈線134；第十電晶體110的閘極連接至第八佈線128。其他連接關係與圖1A類似。應該指出，第十五佈線135和第十六佈線136可分別稱為第八信號線和第八電源線。接下來，參考圖41中的時序圖說明圖40所示的正反器的操作。應該指出，透過將整個期間分為設置期間、選擇期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間來說明圖41中的時序圖。還應該指出，在一些情況下，設置期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間共稱為非選擇期間。
應該指出，分別從第三佈線123和第十四佈線134輸出信號223和信號234。信號234為正反器的輸出信號，信號223為正反器的轉移信號。還應該指出，信號223可以是正反器的輸出信號，信號234可以是正反器的轉移信號。
因此，當信號234用作正反器的輸出信號並且信號223用作正反器的轉移信號時，較佳的，在第一電晶體101至第十電晶體110中，第九電晶體109具有最大的W/L值。應該指出，當信號223用作正反器的輸出信號並且信號234用作正反器的轉移信號時，較佳的，在第一電晶體101至第十電晶體110中，第一電晶體101具有最大的W/L值。如上所述，在本實施例模式中，透過不同的電晶體從不同的佈線輸出正反器的輸出信號和正反器的轉移信號。也就是說，在圖40中的正反器中，透過第一電晶體101和第二電晶體102從第三佈線123輸出信號，透過第九電晶體109和第十電晶體110從第十四佈線134輸出信號。此外，由於第九電晶體109和第十電晶體110與第一電晶體101和第二電晶體102類似地連接，所以從第十四佈線134輸出的信號(信號234)具有與從第三佈線123輸出的信號(信號223)的波形幾乎相同的波形。應該指出，由於只需要第一電晶體101可將電荷供應給下一級的第五電晶體105的閘極，所以第一電晶體101的W/L值較佳的比第五電晶體105的W/L值的兩倍小或者等於第五電晶體105的W/L值的兩倍，更佳的，比第五電晶體105的W/L值小或者等於第五電晶體105的W/L值。
還應該指出，第九電晶體109和第十電晶體110分別具有與第一電晶體101和第二電晶體102類似的功能。此外，第九電晶體109和第十電晶體110可稱為緩衝器部分。如上所述，即使當大的負載連接至第十四佈線134並且在信號234中延遲、濁音等發生時，圖40中的正反器也可防止故障發生。這是因為：透過經由不同的電晶體從不同的佈線輸出正反器的輸出信號和正反器的轉移信號，圖40中的正反器不受輸出信號的延遲、濁音等的不利影響。此外，在本實施例模式的正反器中，可獲得與實施例模式1和2中說明的正反器的有益效果類似的有益效果。應該指出，可自由地將本實施例模式的正反器與圖1B、圖1C、圖5A、圖5B、圖5C、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A和圖10B中的正反器中的每個組合。另外，可自由地將本實施例模式的正反器與實施例模式1和2中說明的驅動時序組合。接下來，說明包括上述本實施例模式的正反器的移位暫存器的結構和驅動方法。參考圖42說明本實施例模式的移位暫存器的結構。圖42中的移位暫存器包括n個正反器(正反器4201_1至4201_n)。
正反器4201_1至4201_n、第一佈線4211、第二佈線4212、第三佈線4213、第四佈線4214、第五佈線4215和第六佈線4216分別與正反器1101_1至1101_n、第一佈線1111、第二佈線1112、第三佈線1113、第四佈線1114、第五佈線1115、第六佈線1116對應，類似的信號或類似的電源電壓輸入到正反器4201_1至4201_n、第一佈線4211、第二佈線4212、第三佈線4213、第四佈線4214、第五佈線4215和第六佈線4216。另外，第七佈線4217_1至4217_n和第八佈線4218_1至4218_n與圖11中的第七佈線1117_1至1117_n對應。接下來，參考圖43中的時序圖說明圖42所示的移位暫存器的操作。由於輸出信號和轉移信號輸出到不同的佈線，所以圖42所示的移位暫存器的操作不同於圖11所示的移位暫存器的操作。具體地講，輸出信號輸出到第八佈線4218_1至4218_n中的每個，轉移信號輸出到第七佈線4217_1至4217_n中的每個。即使當大的負載(比如，電阻器或電容器)連接至第八佈線4218_1至4218_n中的每個時，圖42中的移位暫存器也可不受該負載的不利影響地操作。另外，即使當在第八佈線4218_1至4218_n中的任何一個和電源線或信號線之間發生短路時，圖42中的移位暫存器也可繼續正常地操作。因此，在圖42中的移位暫存器中，可改善操作條件的範圍。此外，在圖42中的移位暫存器中，可提高可靠性。再者，在圖42中的移位暫存器中，可提高產量。這是因為在圖42中的移位暫存器中可對每個正反器的轉移信號和每個正反器的輸出信號進行分割。
此外，在應用本實施例模式的正反器的移位暫存器中，可獲得與實施例模式1和2中說明的移位暫存器的有益效果類似的有益效果。作為本實施例模式的顯示裝置，可使用圖17、圖19、圖20、圖27和圖28中的顯示裝置中的任何一個。因此，在本實施例模式的顯示裝置中，可獲得與實施例模式1和2中說明的顯示裝置的有益效果類似的有益效果。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式4]在本實施例模式中，說明P通道電晶體用作包括在本說明書中的電晶體的情況。此外，說明包括該正反器的驅動器電路和包括該驅動器電路的顯示裝置的結構和驅動方法。在本實施例模式的正反器中，說明包括在圖1A中的正反器中的電晶體為P通道電晶體的情況。因此，在圖44中的正反器中，可獲得與圖1A類似的有益效果。應該指出，P通道電晶體可用作包括在圖1B、圖1C、圖5A、圖5B、圖5C、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A、圖10B或圖40所示的正反器中的電晶體。還應該指出，可自由地將本實施例模式的正反器與實施例模式1至3的說明組合。參考圖44說明本實施例模式的正反器的基本結構。圖44所示的正反器包括第一電晶體4401、第二電晶體4402、第三電晶體4403、第四電晶體4404、第五電晶體4405、第六電晶體4406、第七電晶體4407和第八電晶體4408。另外，第一電晶體4401至第八電晶體4408分別與圖1A至圖1C中的第一電晶體101至第八電晶體108對應。應該指出，第一電晶體4401至第八電晶體4408中的每個為P通道電晶體，當閘極源極電壓的絕對值(|Vgs|)超過臨界值電壓的絕對值(|Vth|)時(當Vgs變得低於Vth時)，第一電晶體4401至第八電晶體4408中的每個導通。
應該指出，在本實施例模式的正反器中，第一電晶體4401至第八電晶體4408中的每個為P通道電晶體。因此，在本實施例模式的正反器中，可簡化製造方法。另外，在本實施例模式的正反器中，可降低製造成本。此外，在本實施例模式的正反器中，可提高產量。由於圖44中的正反器的連接關係與圖1A類似，所以省略圖44中的正反器的連接關係。第一佈線4421、第二佈線4422、第三佈線4423、第四佈線4424、第五佈線4425、第六佈線4426、第七佈線4427、第八佈線4428、第九佈線4429、第十佈線4430、第十一佈線4431、第十二佈線4432、第十三佈線4433、節點4441和節點4442分別與圖1A至圖1C中的第一佈線121、第二佈線122、第三佈線123、第四佈線124、第五佈線125、第六佈線126、第七佈線127、第八佈線128、第九佈線129、第十佈線130、第十一佈線131、第十二佈線132、第十三佈線133、節點141和節點142對應。接下來，參考圖45中的時序圖說明圖44所示的正反器的操作。應該指出，透過將整個期間分為設置期間、選擇期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間來說明圖45中的時序圖。還應該指出，在一些情況下，設置期間、重置期間、第一非選擇期間和第二非選擇期間共稱為非選擇期間。
圖45中的時序圖與圖2中的時序圖類似，在圖2中的時序圖中，H位準和L位準反轉。也就是說，與圖1A至圖1C中的正反器相比，在圖44中的正反器中，輸入信號和輸出信號的H位準和L位準正好反轉。應該指出，信號4521、信號4525、信號4528、信號4527、電位4541、電位4542、信號4522和信號4523分別與圖2中的信號221、信號225、信號228、信號227、電位241、電位242、信號222和信號223對應。應該指出，作為供應給圖44中的正反器的電源電壓，與圖1A至圖1C中的正反器相比，V1和V2反轉。首先，說明正反器在圖45的期間A所示的設置期間中的操作。節點4441的電位(電位4541)變成V2+|Vth4405|(Vth4405對應於第五電晶體4405的臨界值電壓)。然後，在保持在V2+|Vth4405|的同時，節點4441進入漂浮狀態。此時，節點4442的電位變成V1。應該指出，由於第一電晶體4401和第二電晶體4402導通，所以從第三佈線4423輸出H位準信號。說明正反器在圖45的期間B所示的選擇期間中的操作。透過自舉操作，節點4441的電位變成V2-|Vth4401|-γ(Vth4401對應於第一電晶體4401的臨界值電壓，γ對應於給定的正數)。因而，由於第一電晶體4401導通，所以從第三佈線4423輸出L位準信號(V2)。此時，節點4442的電位變成V1-θ(θ對應於給定的正數)。另外，滿足θ<|Vth4406|(Vth4406對應於第六電晶體4406的臨界值電壓)。因而，第六電晶體4406保持截止。說明正反器在圖45的期間C所示的重置期間中的操作。由於第七電晶體4407導通，所以節點4441的電位變成V1。因而，第一電晶體4401截止。此時，由於第二電晶體4402導通，所以從第三佈線4423輸出H位準信號。說明正反器在圖45的期間D中的第一非選擇期間中的操作。節點4442的電位變成V2+|Vth4403|(Vth4403對應於第三電晶體4403的臨界值電壓)。因而，第六電晶體4406導通並保持在V1。此時，第二電晶體4402截止。因而，由於第三佈線4423進入漂浮狀態，所以第三佈線4423保持在V1。
說明正反器在圖45的期間E所示的第二非選擇期間中的操作。由於節點4442的電位變成V1-θ，所以第六電晶體4406截止。因而，由於節點4441進入漂浮狀態，所以節點4441保持在V1。此時，由於第二電晶體4402導通，所以從第三佈線4423輸出H位準信號(V1)。應該指出，在本實施例模式的移位暫存器中，可自由地將本實施例模式的正反器與實施例模式1至3中說明的移位暫存器組合。例如，在本實施例模式的移位暫存器中，可自由地將本實施例模式的正反器與圖11、圖14、圖24和圖42中的移位暫存器組合。應該指出，與實施例模式1至3中說明的移位暫存器相比，在本實施例模式的移位暫存器中，H位準和L位準反轉。應該指出，在本實施例模式的顯示裝置中，可自由地將本實施例模式的移位暫存器與實施例模式1至3中說明的顯示裝置組合。例如，可自由地將本實施例模式的顯示裝置與圖17、圖19、圖20、圖27和圖28中的顯示裝置組合。應該指出，與實施例模式1至3中說明的顯示裝置相比，在本實施例模式的顯示裝置中，H位準和L位準反轉。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式5]在本實施例模式中，說明包括在實施例模式1至4所示的顯示裝置中的每個的信號線驅動器電路。說明圖31中的信號線驅動器電路。圖31所示的信號線驅動器電路包括驅動器IC 5601、開關組5602_1至5602_M、第一佈線5611、第二佈線5612、第三佈線5613和佈線5621_1至5621_M。開關組5602_1至5602_M中的每個包括第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c。驅動器IC 5601連接至第一佈線5611、第二佈線5612、第三佈線5613和佈線5621_1至5621_M。開關組5602_1至5602_M中的每個分別連接至第一佈線5611、第二佈線5612、第三佈線5613和與開關組5602_1至5602_M對應的佈線5621_1至5621_M。佈線5621_1至5621_M中的每個透過第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c連接至三條信號線。例如，第j行的佈線5621_J(佈線5621_1至5621_M中的一條佈線)透過第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c連接至信號線Sj-1、信號線Sj和信號線Sj+1。信號輸入到第一佈線5611、第二佈線5612和第三佈線5613中的每個。應該指出，較佳的使用單晶基板或使用多晶半導體的玻璃基板來形成驅動器IC 5601。較佳的在與實施例模式1所示的每個像素部分相同的基板上方形成開關組5602_1至5602_M。因此，較佳的透過FPC等連接驅動器IC 5601和開關組5602_1至5602_M。
接下來，參考圖32中的時序圖說明圖31所示的信號線驅動器電路的操作。圖32中的時序圖顯示選擇第i列掃描線Gi的情況。第i列掃描線Gi的選擇期間分為第一子選擇期間T1、第二子選擇期間T2和第三子選擇期間T3。另外，即使當選擇另一列掃描線時，圖31中的信號線驅動器電路也與圖32類似地操作。應該指出，圖32中的時序圖顯示第j行中的佈線5621_J透過第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c連接至信號線Sj-1、信號線Sj和信號線Sj+1的情況。圖32中的時序圖顯示選擇第i列掃描線Gi的時序、第一開關5603a的開啟/關閉的時序5703a、第二開關5603b的開啟/關閉的時序5703b、第三開關5603c的開啟/關閉的時序5703c和輸入到第j行的佈線5621_J的信號5721_J。在第一子選擇期間T1、第二子選擇期間T2和第三子選擇期間T3中，不同的視頻信號輸入到佈線5621_1至5621_M。例如，在第一子選擇期間T1中輸入到佈線5621_J的視頻信號輸入到信號線Sj-1，在第二子選擇期間T2中輸入到佈線5621_J的視頻信號輸入到信號線Sj，在第三子選擇期間T3中輸入到佈線5621_J的視頻信號輸入到信號線Sj+1。另外，在第一子選擇期間T1、第二子選擇期間T2和第三子選擇期間T3中，用Dataj-1、Dataj和Dataj+1表示輸入到佈線5621_J的視頻信號。
如圖32所示，在第一子選擇期間T1中，第一開關5603a開啟，第二開關5603b和第三開關5603c關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj-1透過第一開關5603a輸入到信號線Sj-1。在第二子選擇期間T2中，第二開關5603b開啟，第一開關5603a和第三開關5603c關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj透過第二開關5603b輸入到信號線Sj。在第三子選擇期間T3中，第三開關5603c開啟，第一開關5603a和第二開關5603b關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj+1透過第三開關5603c輸入到信號線Sj+1。如上所述，在圖31中的信號線驅動器電路中，透過將一個閘極選擇期間分為三個期間，可在一個閘極選擇期間中將視頻信號從一條佈線5621輸入到三條信號線。因此，在圖31中的信號線驅動器電路中，提供有驅動器IC 5601的基板和提供有像素部分的基板的連接的數量可以大約為信號線的數量的1/3。連接的數量減少為信號線的數量的大約1/3，從而可提高圖31中的信號線驅動器電路的可靠性、產量等。透過將本實施例模式的信號線驅動器電路應用於實施例模式1至4所示的顯示裝置中的每個，可進一步減少提供有像素部分的基板和外部基板的連接的數量。因此，可提高本發明的顯示裝置的可靠性。另外，可提高本發明的顯示裝置的產量。
接下來，參考圖33說明N通道電晶體用於第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c的情況。應該指出，用共同的標號表示與圖31的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。第一電晶體5903a對應於第一開關5603a。第二電晶體5903b對應於第二開關5603b。第三電晶體5903c對應於第三開關5603c。例如，在開關組5602_J的情況下，第一電晶體5903a的第一電極連接至佈線5621_J；第一電晶體5903a的第二電極連接至信號線Sj-1；第一電晶體5903a的閘極連接至第一佈線5611。第二電晶體5903b的第一電極連接至佈線5621_J；第二電晶體5903b的第二電極連接至信號線Sj；第二電晶體5903b的閘極連接至第二佈線5612。第三電晶體5903c的第一電極連接至佈線5621_J；第三電晶體5903c的第二電極連接至信號線Sj+1；第三電晶體5903c的閘極連接至第三佈線5613。應該指出，第一電晶體5903a、第二電晶體5903b和第三電晶體5903c中的每個起開關電晶體的作用。此外，當輸入到每個閘極的信號為H位準時，第一電晶體5903a、第二電晶體5903b和第三電晶體5903c中的每個導通，當輸入到每個閘極的信號為L位準時，第一電晶體5903a、第二電晶體5903b和第三電晶體5903c的每個截止。
當N通道電晶體用於第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c時，非晶矽可用於每個電晶體的半導體層。因此，可簡化製造方法，從而可降低製造成本，並且可提高產量。此外，可形成諸如大型顯示面板的半導體裝置。即使當多矽或單晶矽用於每個電晶體的半導體層時，也可簡化製造方法。在圖33中的信號線驅動器電路中，N通道電晶體用於第一電晶體5903a、第二電晶體5903b和第三電晶體5903c；然而，P通道電晶體可用於第一電晶體5903a、第二電晶體5903b和第三電晶體5903c。在這種情況下，當輸入到閘極的信號為L位準時，每個電晶體導通，當輸入到閘極的信號為H位準時，每個電晶體截止。應該指出，開關的佈置、數量、驅動方法等不受限制，只要如圖31所示一個閘極選擇期間分為多個子選擇期間並且在多個子選擇期間中的每個中視頻信號從一條佈線輸入到多條信號線即可。例如，當在三個或更多個子選擇期間中的每個中視頻信號從一條佈線輸入到三條或更多條信號線時，只需要添加開關和用於控制該開關的佈線。應該指出，當一個選擇期間分為四個或更多個子選擇期間時，一個子選擇期間變短。因此，較佳的將一個選擇期間分為兩個或三個子選擇期間。
作為另一示例，如圖34中的時序圖所示，一個選擇期間可分為預充電期間Tp、第一子選擇期間T1、第二子選擇期間T2和第三子選擇期間T3。圖34中的時序圖顯示選擇第i列掃描線Gi的時序、第一開關5603a的開啟/關閉的時序5803a、第二開關5603b的開啟/關閉的時序5803b、第三開關5603c的開啟/關閉的時序5803c和輸入到第j行佈線5621_J的信號5821_J。如圖34所示，在預充電期間Tp中，第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c開啟。此時，輸入到佈線5621_J的預充電電壓Vp透過第一開關5603a、第二開關5603b和第三開關5603c輸入到信號線Sj-1、信號線Sj和信號線Sj+1中的每個。在第一子選擇期間T1中，第一開關5603a開啟，第二開關5603b和第三開關5603c關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj-1透過第一開關5603a輸入到信號線Sj-1。在第二子選擇期間T2中，第二開關5603b開啟，第一開關5603a和第三開關5603c關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj透過第二開關5603b輸入到信號線Sj。在第三子選擇期間T3中，第三開關5603c開啟，第一開關5603a和第二開關5603b關閉。此時，輸入到佈線5621_J的Dataj+1透過第三開關5603c輸入到信號線Sj+1。
如上所述，在應用圖34中的時序圖的圖31中的掃描線驅動器電路中，由於可透過在子選擇期間之前提供預充電選擇期間來對信號線進行預充電，所以可以以高速將視頻信號寫入像素。應該指出，用共同的標號表示與圖32的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。如圖31所示，一個閘極選擇期間可分為多個子選擇期間，在圖35中的多個子選擇期間中的每個中可將視頻信號從一條佈線輸入到多條信號線。應該指出，圖35僅顯示信號線驅動器電路中的第j行開關組6022_J。開關組6022_J包括第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6003、第四電晶體6004、第五電晶體6005和第六電晶體6006。第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6003、第四電晶體6004、第五電晶體6005和第六電晶體6006為N通道電晶體。開關組6022_J連接至第一佈線6011、第二佈線6012、第三佈線6013、第四佈線6014、第五佈線6015、第六佈線6016、佈線5621_J、信號線Sj-1、信號線Sj和信號線Sj+1。
第一電晶體6001的第一電極連接至佈線5621_J；第一電晶體6001的第二電極連接至信號線Sj-1；第一電晶體6001的閘極連接至第一佈線6011。第二電晶體6002的第一電極連接至佈線5621_J；第二電晶體6002的第二電極連接至信號線Sj-1；第二電晶體6002的閘極連接至第二佈線6012。第三電晶體6003的第一電極連接至佈線5621_J；第三電晶體6003的第二電極連接至信號線Sj；第三電晶體6003的閘極連接至第三佈線6013。第四電晶體6004的第一電極連接至佈線5621_J；第四電晶體6004的第二電極連接至信號線Sj；第四電晶體6004的閘極連接至第四佈線6014。第五電晶體6005的第一電極連接至佈線5621_J；第五電晶體6005的第二電極連接至信號線Sj+1；第五電晶體6005的閘極連接至第五佈線6015。第六電晶體6006的第一電極連接至佈線5621_J；第六電晶體6006的第二電極連接至信號線Sj+1；第六電晶體6006的閘極連接至第六佈線6016。
應該指出，第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6003、第四電晶體6004、第五電晶體6005和第六電晶體6006中的每個起開關電晶體的作用。此外，當輸入到每個閘極的信號為H位準時，第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6003、第四電晶體6004、第五電晶體6005和第六電晶體6006中的每個導通，當輸入到每個閘極的信號為L位準時，第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6003、第四電晶體6004、第五電晶體6005和第六電晶體6006中的每個截止。應該指出，第一佈線6011和第二佈線6012與圖33中的第一佈線5913對應。第三佈線6013和第四佈線6014與圖33中的第二佈線5912對應。第五佈線6015和第六佈線6016與圖33中的第三佈線5911對應。第一電晶體6001和第二電晶體6002與圖33中的第一電晶體5903a對應。第三電晶體6003和第四電晶體6004與圖33中的第二電晶體5903b對應。第五電晶體6005和第六電晶體6006與圖33中的第三電晶體5903c對應。在圖35中，在圖32所示的第一子選擇期間T1中，第一電晶體6001和第二電晶體6002中的一個導通。在第二子選擇期間T2中，第三電晶體6003和第四電晶體6004中的一個導通。在第三子選擇期間T3中，第五電晶體6005和第六電晶體6006中的一個導通。此外，在圖34中所示的預充電期間Tp中，第一電晶體6001、第三電晶體6003和第五電晶體6005導通，或者第二電晶體6002、第四電晶體6004和第六電晶體6006導通。
因此，在圖35中，由於可縮短每個電晶體的導通時間，所以可抑制電晶體特性的劣化。這是因為例如在圖32中所示的第一子選擇期間T1中，當第一電晶體6001和第二電晶體6002中的一個導通時，可將視頻信號輸入到信號線Sj-1。應該指出，例如在圖32中所示的第一子選擇期間T1中，當第一電晶體6001和第二電晶體6002在同一時間都導通時，視頻信號可以以高速輸入到信號線Sj-1。應該指出，雖然兩個電晶體並聯在佈線5621和圖35中的信號線之間，但是本發明不限於此，三個或更多個電晶體可並聯在佈線5621和信號線之間。因而，還可抑制每個電晶體特性的劣化。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式6]在本實施例模式中，說明用於防止在實施例模式1至4所示的顯示裝置中由於靜電釋放而引起的缺陷的結構。應該指出，靜電釋放對應於當儲存在人體或物體中的正電荷或負電荷接觸半導體裝置時透過半導體裝置的輸入/輸出端的瞬間釋放以及透過供應在半導體裝置內流動的大電流而引起的損害。圖36A顯示用於防止由保護二極體在掃描線中引起的靜電釋放的結構。圖36A顯示在佈線6111和掃描線之間提供保護二極體的結構。雖然沒有顯示，但是多個像素連接至第i列掃描線Gi。應該指出，電晶體6101用作保護二極體。雖然電晶體6101為N通道電晶體，但是可使用P通道電晶體，並且電晶體6101的極性可與包括在掃描線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。應該指出，雖然這裏佈置了一個保護二極體，但是可串聯、並聯或串並聯佈置多個保護二極體。電晶體6101的第一電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6101的第二電極連接至佈線6111；電晶體6101的閘極連接至第i列掃描線Gi。說明圖36A的操作。特定電位輸入到佈線6111，該特定電位低於輸入到第i列掃描線Gi的信號的L位準。當正電荷或負電荷沒有釋放到第i列掃描線Gi時，第i列掃描線Gi的電位為H位準或L位準，從而電晶體6101截止。另一方面，當負電荷釋放到第i列掃描線Gi時，第i列掃描線Gi的電位立即下降。此時，當第i列掃描線Gi的電位低於透過從佈線6111的電位減去電晶體6101的臨界值電壓而獲得的值時，電晶體6101導通，電流透過電晶體6101流到佈線6111。因此，圖36A所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。
圖36B顯示用於防止當正電荷釋放到第i列掃描線Gi時的靜電釋放的結構。在掃描線和佈線6112之間提供起保護二極體作用的電晶體6102。應該指出，雖然這裏佈置了一個保護二極體，但是可串聯、並聯或串並聯佈置多個保護二極體。雖然電晶體6102為N通道電晶體，但是可使用P通道二極體，並且電晶體6102的極性可與包括在掃描線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。電晶體6102的第一電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6102的第二電極連接至佈線6112；電晶體6102的閘極連接至佈線6112。應該指出，高於輸入到第i列掃描線Gi的信號的H位準的電位輸入到佈線6112。因此，當電荷沒有釋放到第i列掃描線Gi時，電晶體6102截止。另一方面，當正電荷釋放到第i列掃描線Gi時，第i列掃描線Gi的電位立即上升。此時，當第i列掃描線Gi的電位高於佈線6112的電位和電晶體6102的臨界值電壓之和時，電晶體6102導通，並且電流透過電晶體6102流到佈線6112。因此，圖36B中所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。如圖36C所示，透過組合圖36A和圖36B的結構，當正電荷或負電荷釋放到第i列掃描線Gi時，可防止像素的靜電釋放。應該指出，用共同的標號表示與圖36A和圖36B的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。
圖37A顯示起保護二極體作用的電晶體6201連接在掃描線和儲存電容器線之間的結構。應該指出，雖然這裏佈置了一個保護二極體，但是可串聯、並聯或串並聯佈置多個保護二極體。雖然電晶體6201為N通道電晶體，但是可使用P通道二極體，並且電晶體6201的極性可與包括在掃描線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。佈線6211起儲存電容器線的作用。電晶體6201的第一電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6201的第二電極連接至佈線6211；電晶體6201的閘極連接至第i列掃描線Gi。應該指出，低於輸入到第i列掃描線Gi的信號的L位準的電位輸入到佈線6211。因此，當電荷沒有釋放到第i列掃描線Gi時，電晶體6210截止。另一方面，當負電荷釋放到第i列掃描線Gi時，第i列掃描線Gi的電位立即下降。此時，當第i列掃描線Gi的電位低於透過從佈線6211的電位減去電晶體6201的臨界值電壓而獲得的值時，電晶體6201導通，並且電流透過電晶體6201流到佈線6211。因此，圖37A所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。此外，由於在圖37A所示的結構中儲存電容器線用作用於釋放電荷的佈線，所以沒有必要添加佈線。
圖37B顯示用於防止當正電荷釋放到第i列掃描線Gi時的靜電釋放的結構。這裏，高於輸入到第i列掃描線Gi的信號的H位準的電位輸入到佈線6211。因此，當電荷沒有釋放到第i列掃描線Gi時，電晶體6202截止。另一方面，當正電荷釋放到第i列掃描線Gi時，第i列掃描線Gi的電位立即上升。此時，當第i列掃描線Gi的電位高於佈線6211的電位和電晶體6202的臨界值電壓之和時，電晶體6202導通，並且電流透過電晶體6202流到佈線6211。因此，圖37B中所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。此外，由於在圖37B中所示的結構中儲存電容器線用作用於釋放電荷的佈線，所以沒有必要添加佈線。應該指出，用共同的標號表示與圖37A的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。接下來，圖38A顯示用於防止由保護二極體在信號線中引起的靜電釋放的結構。圖38A顯示在佈線6411和信號線之間提供保護二極體的結構。雖然沒有顯示，但是多個像素連接至第j行信號線Sj。電晶體6401用作保護二極體。應該指出，雖然電晶體6401為N通道電晶體，但是可使用P通道電晶體，並且電晶體6401的極性可與包括在信號線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。應該指出，雖然這裏佈置了一個保護二極體，但是可串聯、並聯或串並聯佈置多個保護二極體。電晶體6401的第一電極連接至第j行信號線Sj；電晶體6401的第二電極連接至佈線6411；電晶體6401的閘極連接至第j行信號線Sj。
說明圖38A的操作。特定電位輸入到佈線6411，該特定電位低於輸入到第j行信號線Sj的視頻信號的最小值。當正電荷或負電荷沒有釋放到第j行信號線Sj時，第j行信號線Sj的電位與視頻信號相同，從而電晶體6401截止。另一方面，當負電荷釋放到第j行信號線Sj時，第j行的信號線Sj的電位立即下降。此時，當第j行信號線Sj的電位低於透過從佈線6411的電位減去電晶體6401的臨界值電壓而獲得的值時，電晶體6401導通，電流透過電晶體6401流到佈線6411。因此，圖38A所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。圖38B顯示用於防止當正電荷釋放到第j行信號線Sj時的靜電釋放的結構。在信號線和佈線6412之間提供起保護二極體作用的電晶體6402。應該指出，雖然這裏佈置了一個保護二極體，但是可串聯、並聯或串並聯佈置多個保護二極體。雖然電晶體6402為N通道電晶體，但是可使用P通道二極體，並且電晶體6402的極性可與包括在信號線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。電晶體6402的第一電極連接至第j行信號線Sj；電晶體6402的第二電極連接至佈線6412；電晶體6402的閘極連接至佈線6412。應該指出，高於輸入到第j行信號線Sj的視頻信號的最大值的電位輸入到佈線6412。因此，當電荷沒有釋放到第j行信號線Sj時，電晶體6402截止。另一方面，當正電荷釋放到第j行信號線Sj時，第j行信號線Sj的電位立即上升。此時，當第j行信號線Sj的電位高於佈線6412的電位和電晶體6402的臨界值電壓之和時，電晶體6402導通，並且電流透過電晶體6402流到佈線6412。因此，圖38B中所示的結構可防止大電流流到像素，從而可防止像素的靜電釋放。
如圖38C所示，透過組合圖38A和圖38B的結構，可防止當正電荷或負電荷釋放到第j行信號線Sj時像素的靜電釋放。應該指出，用共同的標號表示與圖38A和圖38B的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。在本實施例模式中，說明用於防止連接至掃描線和信號線的像素的靜電釋放的結構。然而，本實施例模式的結構不僅用於防止連接至掃描線和信號線的像素的靜電釋放。例如，當本實施例模式用於輸入信號或電位且連接至實施例模式1至4中所示的掃描線驅動器電路和信號線驅動器電路的佈線時，可防止掃描線驅動器電路和信號線驅動器電路的靜電釋放。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式7]在本實施例模式中，說明可應用於實施例模式1至4中所示的顯示裝置中的每個的顯示裝置的另一結構。圖39A顯示在掃描線和另一掃描線之間提供二極體連接的電晶體的結構。圖39A顯示這樣的結構，在該結構中，在第(i-1)列掃描線Gi-1和第i列掃描線Gi之間提供二極體連接的電晶體630a，在第i列掃描線Gi和第(i+1)列掃描線Gi+1之間提供二極體連接的電晶體6301b。應該指出，雖然電晶體6301a和6301b為N通道電晶體，但是可使用P通道電晶體，並且電晶體6301a和6301b的極性可與包括在掃描線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。應該指出，在圖39A中，典型地顯示了第(i-1)列掃描線Gi-1、第i列掃描線Gi和第(i+1)列掃描線Gi+1，在其他掃描線之間類似地提供二極體連接的電晶體。電晶體6301a的第一電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6301a的第二電極連接至第(i-1)列掃描線Gi-1；電晶體6301a的閘極連接至第(i-1)列掃描線Gi-1。電晶體6301b的第一電極連接至第(i+1)列掃描線Gi+1；電晶體6301b的第二電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6301b的閘極連接至第i列掃描線Gi。
說明圖39A的操作。在實施例模式1至4中所示的掃描線驅動器電路中的每個中，第(i-1)列掃描線Gi-1、第i列掃描線Gi和第(i+1)列掃描線Gi+1在非選擇期間中保持在L位準。因此，電晶體6301a和6301b截止。然而，當第i列掃描線Gi的電位由於例如雜訊等而上升時，透過第i列掃描線Gi選擇像素，並且將錯誤的視頻信號寫入像素。因此，透過如圖39A所示在掃描線之間提供二極體連接的電晶體，可防止錯誤的視頻信號寫入像素。這是因為：當第i列掃描線Gi的電位上升到等於或高於第(i-1)列掃描線Gi-1的電位和電晶體6301a的臨界值電壓之和時，電晶體6301a導通，第i列掃描線Gi的電位下降。因此，不透過第i列的掃描線Gi選擇像素。當在同一基板上方形成掃描線驅動器電路和像素部分時，圖39A的結構特別有利。這是因為：在僅包括N通道電晶體或僅包括P通道電晶體的掃描線驅動器電路中，掃描線有時進入漂浮狀態，並且雜訊容易在該掃描線中發生。圖39B顯示掃描線之間提供的二極體連接的電晶體的方向與圖39A中的方向相反的結構。應該指出，雖然電晶體6302a和6302b為N通道電晶體，但是可使用P通道電晶體，並且電晶體6302a和6302b的極性可與包括在掃描線驅動器電路或像素中的電晶體的極性相同。在圖39B中，電晶體6302a的第一電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6302a的第二電極連接至第(i-1)列掃描線Gi-1；電晶體6302a的閘極連接至第i列掃描線Gi。電晶體6302b的第一電極連接至第(i+1)列掃描線Gi+1；電晶體6302b的第二電極連接至第i列掃描線Gi；電晶體6302b的閘極連接至第(i+1)列掃描線Gi+1。在圖39B中，與圖38A類似，當第i列掃描線Gi的電位上升到等於或高於第(i+1)列掃描線Gi+1的電位和電晶體6302b的臨界值電壓之和時，電晶體6302b導通，第i列掃描線Gi的電位下降。因此，不透過第i列掃描線Gi選擇像素，並且可防止錯誤的視頻信號寫入像素。
如圖39C所示，透過組合圖39A和圖39B的結構，即使當第i列掃描線Gi的電位上升時，電晶體6301a和6301b也導通，並且第i列掃描線Gi的電位也下降。應該指出，在圖39C中，由於電流流過兩個電晶體，所以可消除較大的雜訊。應該指出，用共同的標號表示與圖39A和圖39B的部分類似的部分，省略相同的部分和具有類似功能的部分的詳細說明。應該指出，如圖37A和圖37B所示，當在掃描線和儲存電容器線之間提供二極體連接的電晶體時，可獲得與圖39A至圖39C的有益效果類似的有益效果。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式8]在本實施例模式中，說明電晶體的結構和製造方法。圖46A至圖46G是顯示電晶體的結構和製造方法的示例的截面圖。圖46A是顯示電晶體的結構示例的截面圖。圖46B至圖46G是顯示電晶體的製造方法的示例的截面圖。電晶體的結構和製造方法不限於圖46A至圖46G所示的電晶體的結構和製造方法，可採用各種結構和製造方法。參考圖46A說明電晶體的結構示例。圖46A是具有不同結構的多個電晶體的截面圖。在圖46A中，雖然佈置了具有不同結構的多個電晶體，但是該佈置是用於說明電晶體的結構的，實際上沒有必要如圖46A所示那樣佈置電晶體，可如所需佈置電晶體。然後，對每個形成電晶體的層進行說明。基板110111可以是諸如鋇硼玻璃、鋁硼玻璃的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板或包括例如不銹鋼的金屬基板。除了這些之外，還可使用由具有柔韌性的合成樹脂形成的基板，所述合成樹脂諸如丙烯酸或塑膠，所述塑膠的代表有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸膜(PES)。透過使用這樣的柔韌的基板，可形成可彎曲的半導體裝置。由於柔韌的基板對將使用的基板的面積和形狀沒有限制，所以例如側邊為一米或更大的矩形基板用作基板110111，從而可顯著地提高生產率。這樣的優點極優於使用圓形矽基板的情況。
絕緣膜110112起底膜的作用。提供絕緣膜110112以防止基板110111的鹼金屬或鹼土金屬不利地影響半導體元件的特性，所述鹼金屬諸如鈉。絕緣膜110112可具有包括氧或氮的絕緣膜，諸如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氧氮化矽(SiOx
Ny
,x>y)或氮氧化矽(SiNx
Oy
,x>y)的單層結構或疊層結構。例如，當提供絕緣膜110112具有兩層結構時，較佳的，氮氧化矽膜用作第一絕緣膜，氧氮化矽膜用作第二絕緣膜。當提供絕緣膜110112具有三層結構時，較佳的，氧氮化矽膜用作第一絕緣膜，氮氧化矽膜用作第二絕緣膜，氧氮化矽膜用作第三絕緣膜。
可使用非晶半導體、微晶半導體或半非晶半導體(SAS)形成半導體層110113、110114和110115。可選地，可使用多晶半導體膜。SAS為這樣一種半導體，該半導體具有非晶結構和晶體(包括單晶和多晶)結構之間的中間結構並具有自由能穩定的第三狀態。而且，SAS包括具有短程有序性和晶格畸變的結晶區。至少可在SAS膜的一部分中觀察到0.5～20nm的結晶區。當包含矽作為主要的組分時，拉曼光譜移動到低於520cm-1
的波數側。透過X射線衍射觀察到衍射峰(111)和(220)，衍射峰(111)和(220)被認為是來源於矽晶格。SAS包含用於終止懸空鍵的至少1個原子%或更多的氫或鹵素。透過原料氣體的輝光放電分解(電漿CVD)形成SAS。作為原料氣體，除了SiH4
之外，還可使用Si2
H6
、SiH2
Cl2
、SiHCl3
、SiCl4
、SiF4
等。此外，可混合GeF4
。可選地，可用H2
或者H2
和一種或多種選自He、Ar、Kr和Be的稀有氣體元素來稀釋原料氣體。稀釋比率可為2～1000倍，壓強可為大約0.1～133Pa，電源頻率可為1～120MHz，較佳的為13～60MHz，基板加熱溫度可為300℃或更低。諸如氧、氮和碳的雜質在大氣組分中的濃度較佳的為1×1020
cm-1
或者如雜質元素在膜中那樣少。具體地講，氧的濃度為5×1019
/cm3
或更少，較佳的為1×1019
/cm3
或更少。這裏，透過已知的方法(比如，濺射法、LPCVD法或電漿CVD法)使用包括作為其主要組分的矽(Si)的原料(比如，Six
Ge1-x
)來形成非晶矽膜。然後，透過已知的結晶方法，諸如雷射結晶法、使用RTA或退火爐的熱結晶法、或者使用促進結晶的金屬元素的熱結晶法使非晶矽膜結晶。
絕緣膜110116可具有包括氧或氮的絕緣膜，諸如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氧氮化矽(SiOx
Ny
,x>y)或氮氧化矽(SiNx
Oy
,x>y)的單層結構或疊層結構。閘極110117可具有傳導膜的單層結構或者兩個或三個傳導膜的疊層結構。作為閘極110117的原料，可使用傳導膜。例如，可使用諸如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)或矽(Si)的元素的膜；包括這些元素的氮化物膜(典型地，氮化鉭膜、氮化鎢膜或氮化鈦膜)；組合這些元素的合金膜(典型地，Mo-W合金或Mo-Ta合金)；包括這些元素的矽化物膜(典型地，矽化鎢膜或矽化鈦膜)等。應該指出，這樣的元素的上述膜、氮化物膜、合金膜、矽化物膜等可具有單層結構或疊層結構。透過濺射法或電漿CVD法，絕緣膜110118可具有包括氧或氮的絕緣膜或包括碳的膜的單層結構或疊層結構，所述包括氧或氮的絕緣膜諸如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氧氮化矽(SiOx
Ny
,x>y)或氮氧化矽(SiNx
Oy
,x>y)，所述包括碳的膜諸如DLC(仿鑽碳)。
絕緣膜110119可具有矽氧烷樹脂、包括氧或氮的絕緣膜或包括碳的膜、有機材料的單層結構或疊層結構，所述包括氧或氮的絕緣膜諸如氧化矽(SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、氧氮化矽(SiOx
Ny
,x>y)或氮氧化矽(SiNx
Oy
,x>y)，所述包括碳的膜諸如DLC(仿鑽碳)，所述有機原料諸如環氧、聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯酚、苯並環丁烯或丙烯酸。應該指出，矽氧烷樹脂對應於具有Si-O-Si鍵的樹脂。矽氧烷包括矽(Si)氧(O)鍵的骨架結構。作為取代基，使用至少包括氫的有機組(比如，烷基組或芳烴)。可選地，氟代組或至少包括氫的氟代組和有機組可用作取代基。應該指出，可提供絕緣膜110119直接覆蓋閘極110117，而不提供絕緣膜110118。作為傳導膜110123，可使用諸如Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、或Mn的元素的膜、包括這些元素的氮化物膜、組合這些元素的合金膜、包括這些元素的矽化物膜等。例如，作為包括這樣的元素中的一些元素的合金，可使用包括C和Ti的Al合金、包括Ni的Al合金、包括C和Ni的Al合金、包括C和Mn的Al合金等。在疊層結構的情況下，例如，結構可以是這樣，即，Al插在Mo、Ti等之間，從而可提高Al對熱和化學反應的耐性。接下來，參考圖46A中的每個具有不同結構的多個電晶體的截面圖說明每種結構的特性。
電晶體110101為單汲極電晶體。由於可透過簡單的方法形成電晶體110101，所以其優點在於低製造成本和高產量。應該指出，錐角等於或大於45°而小於95°，更佳的，錐角等於或大於60°而小於95°。可選地，錐角可小於45°。這裏，半導體層110113和110115每個具有不同的雜質濃度，半導體層110113用作通道區，半導體層110115用作源區和汲區。透過以這種方式控制雜質的量，可控制所述半導體層的電阻率。此外，所述半導體層和傳導膜110123之間的電連接狀態可更接近歐姆接觸。應該指出，作為分別形成每個包括不同雜品質的半導體層的方法，可使用這樣的方法，即，透過使用閘極110117作為掩模將雜質添加到半導體層。
電晶體110102表示這樣的電晶體，在該電晶體中閘極110117具有特定錐角或更大的錐角。由於可透過簡單的方法形成電晶體110102，所以其優點在於低製造成本和高產量。這裏，半導體層110113、110114和110115每個具有不同的雜質濃度。半導體層110113用作通道區，半導體層110114用作輕摻雜汲極(LDD)區，半導體層110115用作源區和汲區。透過以這種方式控制雜質的濃度，可控制所述半導體層的電阻率。此外，所述半導體層和傳導膜110123之間的電連接狀態可更接近歐姆接觸。而且，由於電晶體包括LDD區，所以高壓電場難以施加到電晶體，從而可抑制由於熱載子而引起的元件的劣化。應該指出，作為分別形成每個包括不同雜品質的半導體層的方法，可使用這樣的方法，即，透過使用閘極110117作為掩模將雜質添加到半導體層。在電晶體110102中，由於閘極110117具有特定錐角或更大的錐角，所以可提供透過閘極110117添加到半導體層的雜質的濃度的梯度，並且可容易地形成LDD區。應該指出，錐角等於或大於45°而小於95°，更佳的，錐角等於或大於60°而小於95°。可選地，錐角可小於45°。
電晶體110103表示這樣的電晶體，在該電晶體中閘極110117包括至少兩層並且下閘極長於上閘極。在該說明書中，上閘極和下閘極的形狀稱為帽形。當閘極110117具有這樣的帽形時，不用添加光掩模就可形成LDD區。應該指出，LDD區與閘極110117重疊的結構，諸如電晶體110103，具體稱為GOLD(閘極重疊的LDD)結構。作為形成具有這樣的帽形的閘極110117的方法，可使用下列方法。首先，當形成閘極110117的圖案時，透過乾蝕刻對下閘極和上閘極進行蝕刻，以使其側面傾斜(成錐形)。然後，透過各向異性蝕刻對上閘極的斜面進行處理以使其幾乎垂直。因而，形成閘極以使截面為帽形。然後，摻雜雜質元素兩次，從而形成用作通道區的半導體層110113、用作LDD區的半導體層110114以及用作源極和汲極的半導體層110115。應該指出，LDD區的與閘極110117重疊的部分稱為Lov區，LDD區的與閘極110117不重疊的部分稱為Loff區。Loff區對於抑制截止電流值非常有效，而對於透過減弱汲極附近的電場來防止由於熱載子而引起的導通電流值的劣化不是非常有效。另一方面，Lov區對於透過減弱汲極附近的電場來防止導通電流值的劣化非常有效，而對於抑制截止電流值不是非常有效。因而，較佳的，形成這樣的電晶體，該電晶體具有與各種電路中的每個所需的特性相應的結構。例如，當半導體裝置用於顯示裝置時，具有Loff區的電晶體較佳的用作像素電晶體以抑制截止電流值。另一方面，作為週邊電路中的電晶體，較佳的使用具有Lov區的電晶體以透過減弱汲極附近的電場來防止導通電流值的劣化。
電晶體110104表示這樣的電晶體，該電晶體包括與閘極110117的側面相接觸的側壁110121。當該電晶體包括側壁110121時，可將與側壁110121重疊的區域形成為LDD區。電晶體110105表示這樣的電晶體，在該電晶體中透過使用掩模110122用雜質元素對半導體層進行摻雜來形成LDD(Loff)區。因而，肯定可形成LDD區，並且可減小該電晶體的截止電流值。電晶體110116表示這樣的電晶體，在該電晶體中透過使用掩模在半導體層中摻雜來形成LDD(Lov)區。因而，肯定可形成LDD區，並且可透過減弱電晶體的汲極附近的電場來防止導通電流值的劣化。接下來，參考圖46B至圖46G說明電晶體的製造方法的示例。
應該指出，電晶體的結構和製造方法不限於圖46A至圖46G中的結構和製造方法，可使用各種結構和製造方法。在本實施例模式中，透過電漿處理使基板110111、絕緣膜110112、半導體層110113、半導體層110114、半導體層110115、絕緣膜110116、絕緣膜110118或絕緣膜110119的表面氧化或氮化，從而可使半導體層或絕緣膜氧化或氮化。透過以這樣的方式透過電漿處理使半導體層或絕緣膜氧化或氮化，修改半導體層或絕緣膜的表面，並且可形成絕緣膜以使其比透過CVD法或濺射法形成的絕緣膜緻密；因而，可抑制諸如針孔的缺陷，並且可改進半導體裝置的特性等。應該指出，氧化矽(SiOx
)或氮化矽(SiNx
)可用於側壁110121。作為在閘極110117的側面上形成側壁110121的方法，例如，可使用這樣的方法，在該方法中，形成閘極110117，然後形成氧化矽(SiOx
)膜或氮化矽(SiNx
)膜，然後透過各向異性蝕刻對氧化矽(SiOx
)膜或氮化矽(SiNx
)膜進行蝕刻。從而，僅在閘極110117的側面上保留氧化矽(SiOx
)膜和氮化矽(SiNx
)膜，從而可在閘極110117的側面上形成側壁110121。圖50顯示底閘極電晶體和電容器的截面結構。
在基板110501上方整個形成第一絕緣膜(絕緣膜110502)。然而，在不限於該結構的一些情況下，可不形成第一絕緣膜(絕緣膜110502)。第一絕緣膜可防止來自基板的雜質不利地影響半導體層和改變電晶體的屬性。也就是說，第一絕緣膜起底膜的作用。因此，可製造高可靠性的電晶體。作為第一絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。在第一絕緣膜上方形成第一導電層(導電層110503和導電層110504)。導電層110503包括電晶體110520的閘極的一部分。導電層110504包括電容器110521的第一電極的一部分。作為第一導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。形成第二絕緣膜(絕緣膜110514)至少覆蓋第一導電層。第二絕緣膜還用作閘極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽(SiOx
Ny
)膜的單層或疊層。作為與半導體層相接觸的第二絕緣膜，較佳的使用氧化矽膜。這是因為可減小半導體層和第二絕緣膜之間的介面上的陷阱能級。當第二絕緣膜與Mo接觸時，較佳的使用氧化矽膜作為與Mo接觸的第二絕緣膜。這是因為氧化矽膜不會氧化Mo。
透過光微影法、噴墨法、印刷法等在第二絕緣膜上方與第一導電層重疊的部分中形成半導體層。該半導體層的一部分延伸至第二絕緣膜和第一導電層不重疊並且覆蓋第二絕緣膜的部分。該半導體層包括通道區(通道區110510)、LDD區(LDD區110508和LDD區110509)和雜質區(雜質區110505、雜質區110506和雜質區110507)。通道區110510起電晶體110520的通道區的作用。LDD區110508和110509起電晶體110520的LDD區的作用。應該指出，沒有必要形成LDD區110508和110509。雜質區110505包括電晶體110520的源極和汲極中的一個。雜質區110506包括電晶體110520的源極和汲極中的另一個。雜質區110507包括電容器110521的第二電極。整個形成第三絕緣膜(絕緣膜110511)。在第三絕緣膜的一部分中選擇性地形成接觸孔。絕緣膜110511具有中間層絕緣膜的功能。作為第三絕緣膜，可使用無機材料(比如，氧化矽(SiOx
)、氮化矽或氧氮化矽)、具有低介電常數的有機化合材料(比如，光敏或非光敏有機樹脂材料)等。可選地，可使用包括矽氧烷的材料。矽氧烷是一種這樣的材料，在該材料中骨架結構由矽氧鍵形成。作為取代基，使用至少包括氫的有機組(比如，烷基組或芳烴)。可選地，氟代組可用作取代基。此外可選地，至少包括氫的有機組和氟代組可用作取代基。
在第三絕緣膜上方形成第二導電層(導電層110512和導電層110513)。導電層110512透過第三絕緣膜中形成的接觸孔連接至電晶體110520的源極和汲極中的另一個。因此，導電層110512包括電晶體110520的源極和汲極中的另一個。當導電層110513電連接至導電層110504時，導電層110513包括電容器110521的第一電極的一部分。可選地，當導電層110513電連接至雜質區110507時，導電層110513包括電容器110521的第二電極的一部分。可選地，當導電層110513連接至導電層110504和雜質區110507時，形成不同於電容器110521的另一電容器。在該電容器中，導電層110513、雜質區110507和絕緣層110511分別用作第一電極、第二電極和絕緣層。應該指出，作為第二導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。在形成第二導電層之後的步驟中，可形成各種絕緣膜或各種傳導膜。接下來，說明使用非晶矽(a-Si)或微晶矽作為電晶體的半導體層的電晶體和電容器的結構。圖47顯示頂閘極電晶體和電容器的截面結構。在基板110201上整個形成第一絕緣膜(絕緣膜110202)。第一絕緣膜可防止來自基板的雜質不利地影響半導體層和改變電晶體的屬性。也就是說，第一絕緣膜起底膜的作用。因此，可製造高可靠性的電晶體。作為第一絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。沒有必要形成第一絕緣膜。如果不形成第一絕緣膜，則可減少步驟的數量，並可降低製造成本。由於可簡化結構，所以可增加產量。
在第一絕緣膜上方形成第一導電層(導電層110203、導電層110204和導電層110205)。導電層110203包括電晶體110220的源極和汲極中的一個的一部分。導電層110204包括電晶體110220的源極和汲極中的另一個的一部分。導電層110205包括電容器110221的第一電極的一部分。作為第一導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。在導電層110203和導電層110204上方，形成第一半導體層(半導體層110206和半導體層110207)。半導體層110206包括源極和汲極中的一個的一部分。半導體層110207包括源極和汲極中的另一個的一部分。作為第一半導體層，可使用包括磷等的矽。在第一絕緣膜上方導電層110203和導電層110204之間形成第二半導體層(半導體層110208)。半導體層110208的一部分延伸至導電層110203和導電層110204上方的一部分。半導體層110208包括電晶體110220的通道區的一部分。作為第二半導體層，可使用諸如非晶矽(a-Si:H)的具有非結晶性的半導體層或諸如微晶(μ-Si:H)的半導體層。
形成第二絕緣膜(絕緣膜110209和絕緣膜110210)以至少覆蓋半導體層110208和導電層110205。第二絕緣膜還用作閘極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。作為與第二半導體層相接觸的第二絕緣膜，較佳的使用氧化矽膜。這是因為可減小第二半導體層和第二絕緣膜之間的介面上的陷阱能級。當第二絕緣膜與Mo接觸時，較佳的使用氧化矽膜作為與Mo接觸的第二絕緣膜。這是因為氧化矽膜不會氧化Mo。在第二絕緣膜上方形成第二導電層(導電層110211和導電層110212)。導電層110211包括電晶體110220的閘極的一部分。導電層110212包括電容器110221的第二電極或佈線的一部分。作為第二導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。在形成第二導電層之後的步驟中，可形成各種絕緣膜或各種傳導膜。圖48顯示反向交錯的(底閘極)電晶體和電容器的截面結構。具體地講，圖48所示的電晶體為通道蝕刻型電晶體。
在基板110301上方整個形成第一絕緣膜(絕緣膜110302)。第一絕緣膜可防止來自基板的雜質不利地影響半導體層和改變電晶體的屬性。也就是說，第一絕緣膜起底膜的作用。因此，可製造高可靠性的電晶體。作為第一絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。沒有必要形成第一絕緣膜。如果不形成第一絕緣膜，則可減少步驟的數量，並且可降低製造成本。由於可簡化結構，所以可增加產量。在第一絕緣膜上方形成第一導電層(導電層110303和導電層110304)。導電層110303包括電晶體110320的閘極的一部分。導電層110304包括電容器110321的第一電極的一部分。作為第一導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。形成第二絕緣膜(絕緣膜110305)以至少覆蓋第一導電層。第二絕緣膜還用作閘極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。作為與半導體層接觸的第二絕緣膜，較佳的使用氧化矽膜。這是因為可減小半導體層和第二絕緣膜之間的介面上的陷阱能級。當第二絕緣膜與Mo接觸時，較佳的使用氧化矽膜作為與Mo接觸的第二絕緣膜。這是因為氧化矽膜不會氧化Mo。
透過光微影法、噴墨法、印刷法等在第二絕緣膜上方與第一導電層重疊的部分中形成第一半導體層(半導體層110306)。半導體層110306的一部分延伸至第二絕緣膜和第一導電層不重疊的部分。半導體層110306包括電晶體110320的通道區的一部分。作為半導體層110306，可使用諸如非晶矽(a-Si:H)的具有非結晶性的半導體層或諸如微晶(μ-Si:H)的半導體層。在第一半導體層上方的一部分中，形成第二半導體層(半導體層110307和半導體層110308)。半導體層110307包括源極和汲極中的一個的一部分。半導體層110308包括源極和汲極中的另一個的一部分。作為第二半導體層，可使用包括磷等的矽。在第二半導體層和第二絕緣膜上方形成第二導電層(導電層110309、導電層110310和導電層110311)。導電層110309包括電晶體110320的源極和汲極中的一個的一部分。導電層110310包括電晶體110320的源極和汲極中的另一個。導電層110311包括電容器110321的第二電極的一部分。應該指出，作為第二導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。在形成第二導電層之後的步驟中，可形成各種絕緣膜或各種傳導膜。作為示例說明形成通道蝕刻型電晶體的過程。可使用相同的掩模形成第一半導體層和第二半導體層。具體地講，順序地形成第一半導體層和第二半導體層。使用相同的掩模形成第一半導體層和第二半導體層。
作為另一示例說明形成通道蝕刻型電晶體的過程。不使用新的掩模，形成電晶體的通道區。具體地講，在形成第二導電層之後，透過使用第二導電層作為掩模來去除第二半導體層的一部分。可選地，透過使用與第二導電層相同的掩模來去除第二半導體層的一部分。在去除的第二半導體層之下的第一半導體層變成電晶體的通道區。圖49示出反向交錯的(底閘極)電晶體和電容器的截面結構。具體地講，圖49所示的電晶體為通道保護(通道停止)型電晶體。在基板110401上方整個形成第一絕緣膜(絕緣膜110402)。第一絕緣膜可防止來自基板的雜質不利地影響半導體層和改變電晶體的屬性。也就是說，第一絕緣膜起底膜的作用。因此，可製造高可靠性的電晶體。作為第一絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。沒有必要形成第一絕緣膜。如果不形成第一絕緣膜，則可減少步驟的數量，並且可降低製造成本。由於可簡化結構，所以可增加產量。
在第一絕緣膜上方形成第一導電層(導電層110403和導電層110404)。導電層110403包括電晶體110420的閘極的一部分。導電層110404包括電容器110421的第一電極的一部分。作為第一導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。形成第二絕緣膜(絕緣膜110405)以至少覆蓋第一導電層。第二絕緣膜還用作閘極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。作為與半導體層接觸的第二絕緣膜，較佳的使用氧化矽膜。這是因為可減小半導體層和第二絕緣膜之間的介面上的陷阱能級。當第二絕緣膜與Mo接觸時，較佳的使用氧化矽膜作為與Mo接觸的第二絕緣膜。這是因為氧化矽膜不會氧化Mo。透過光微影法、噴墨法、印刷法等在第二絕緣膜上方與第一導電層重疊的部分中形成第一半導體層(半導體層110406)。半導體層110406的一部分延伸至第二絕緣膜和第一導電層不重疊的部分。半導體層110406包括電晶體110420的通道區的一部分。作為半導體層110406，例如，可使用諸如非晶矽(a-Si:H)的具有非結晶性的半導體層或諸如微晶(μ-Si:H)的半導體層。
在第一半導體層上方的一部分中形成第三絕緣膜(絕緣膜110412)。絕緣膜110412具有防止電晶體110420的通道區被蝕刻的功能。也就是說，絕緣膜110412起通道保護膜(通道停止膜)的作用。作為第三絕緣膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜(SiOx
Ny
)的單層或疊層。在第一半導體層上方的一部分和第三絕緣膜上方的一部分中，形成第二半導體層(半導體層110407和半導體層110408)。半導體層110407包括源極和汲極中的一個的一部分。半導體層110408包括源極和汲極中的另一個的一部分。作為第二半導體層，可使用包括磷等的矽。在第二半導體層上方形成第二導電層(導電層110409、導電層110410和導電層1104311)。導電層110409包括電晶體110420的源極和汲極中的一個的一部分。導電層110410包括電晶體110420的源極和汲極中的另一個。導電層110411包括電容器110421的第二電極的一部分。應該指出，作為第二導電層，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba或Ge或者這些元素的合金。此外，可使用包括這些元素(包括其合金)中的任何一種的疊層。在形成第二導電層之後的步驟中，可形成各種絕緣膜或各種傳導膜。
以上已說明這樣的電晶體的結構和製造方法。形成這樣的佈線、電極、導電層、傳導膜、端子、偏壓或插頭以具有選自包括鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、矽(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)和氧(O)的組的一個或多個元素；包括所述組中的元素中的一個或多個元素的化合物或合金材料(例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、添加有氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Son)、氧化鎘錫(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)等)；組合這些化合物的物質等。可選地，較佳的，形成這樣的佈線、電極、導電層、傳導膜、端子以具有包括這樣的化合物的物質，所述化合物即矽和選自所述組的元素中的一個或多個元素的化合物(矽化物)(比如，鋁矽、鉬矽、鎳矽)；或者氮和選自所述組的元素中的一個或多個元素的化合物(比如，氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬)。
應該指出，矽(Si)可包括n型雜質(比如，磷)或p型雜質(比如，硼)。包含在矽中的雜質可增加傳導性或者能夠實現與正常傳導體一樣的性能。因而，可容易地將這樣的矽用作佈線或電極。矽可以是各種類型的矽中的任何一種，諸如單晶矽、多晶矽或微晶矽。可選地，可使用不具有結晶性的矽，諸如非晶矽。透過使用單晶矽或多晶矽，可減小佈線、電極、導電層、傳導膜或端子的阻抗。透過使用非晶矽或微晶矽，可透過簡單的方法形成佈線等。另外，鋁或銀具有高傳導性，因而可減少信號延遲。由於可容易地對鋁或銀進行蝕刻，所以可容易地形成鋁或銀的圖案，並且可對鋁或銀進行細微處理。此外，銅也具有高傳導性，因而可減少信號延遲。在使用銅時，由於銅增加附著力，所以較佳的採用疊加結構。
鉬和鈦也為較佳的材料。這是因為：即使鉬或鈦與半導體的氧化物(比如，ITO或IZO)或矽接觸，鉬或鈦也不會引起缺陷。此外，可容易地對鉬或鈦進行蝕刻，並且鉬或鈦具有耐高熱性。由於鎢具有耐高熱性，所以鎢是較佳的。由於釹具有耐高熱性的優點，所以釹也是較佳的。具體地講，釹和鋁的合金用於提高耐熱性，從而幾乎防止鋁的凸起物。而且，由於可在與包括在電晶體中的半導體層相同的時間形成矽並且矽具有高耐熱性，所以矽是較佳的。由於ITO、IZO、ITSO、氧化鋅(ZnO)、矽(Si)、氧化錫(SnO)和氧化鎘錫(CTO)具有透光屬性，所以它們可用作光應該穿過的部分。例如，ITO、IZO、ITSO、氧化鋅(ZnO)、矽(Si)、氧化錫(SnO)或氧化鎘鋅(CTO)可用於像素電極或公共電極。由於容易對IZO進行蝕刻和處理，所以IZO是較佳的。在蝕刻IZO時，幾乎不會留下IZO的殘餘物。因而，當使用IZO形成像素電極時，可減少液晶元件或發光元件的缺陷(諸如，短路或取向無序)。
這樣的佈線、電極、導電層、傳導膜、端子、通孔或插頭可具有單層結構或多層結構。透過採用單層結構，可簡化這樣的佈線、電極、導電層、傳導膜或端子的製造方法；可減少處理的天數；可降低成本。可選地，透過採用多層結構，採取每種材料的優點，減少其缺點，從而可形成具有高性能的佈線或電極。例如，低阻抗材料(比如，鋁)包括在多層結構中，從而減小這樣的佈線的阻抗。作為另一示例，當低耐熱材料插在高耐熱材料之間以形成疊層結構時，透過利用這樣的低耐熱材料的優點，可增加佈線或電極的耐熱性。例如，包括鋁的層較佳的作為疊層插在包括鉬、鈦或釹的層之間。如果佈線或電極彼此直接接觸，則在一些情況下相互引起不利的效果。例如，佈線和電極中的一個與佈線或電極中的另一個結合，並改變屬性，從而，不能獲得期望的功能。作為另一示例，在形成高阻抗部分時，問題在於不能正常地形成高阻抗部分。在這樣的情況下，在疊加結構中較佳的反應材料被非反應材料夾在中間或者被非反應材料覆蓋。例如，當ITO連接至鋁時，鈦、鉬和釹的合金較佳的置於ITO和鋁之間。作為另一示例，當矽連接至鋁時，鈦、鉬和釹的合金較佳的置於矽和鋁之間。應該指出，術語“佈線”指示包括傳導體的部分。這樣的佈線的形狀可以為直線；但是不限於此，這樣的佈線可以短。因此，電極包括在這樣的佈線中。應該指出，碳奈米管可用於佈線、電極、導電層、傳導膜、端子、通孔或插頭。由於碳奈米管具有透光性，所以它可用於光應該穿過的部分。例如，碳奈米管可用於像素電極和/或公共電極。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式9]在本實施例模式中，說明顯示裝置的結構。參考圖53A說明顯示裝置的結構。圖53A為顯示裝置的俯視圖。在基板170100上方形成像素部分170101、掃描線側輸入端子170103和信號線側輸入端子170104，在基板170100上方，掃描線從掃描線側輸入端子170103列方向延伸，信號線從信號線側輸入端子170104行方向延伸。按矩陣佈置像素，每個像素170102佈置在像素部分170101中的掃描線和信號線的交叉點。以上已說明了從外部驅動器電路輸入信號的情況。然而，本發明不限於此，IC晶片可安裝在顯示裝置上。例如，如圖54A所示，可透過COG(晶片貼裝在玻璃基板上)方法將IC晶片170201安裝在基板170100上。在這種情況下，可在將IC晶片170201安裝在基板170100上之前進行檢查以增加顯示裝置的產量。此外，還可提高可靠性。另外，用共同的標號表示與圖53A中的部分共同的部分，省略其說明。
作為另一示例，如圖54B所示，可透過TAB(卷帶式自動結合)方法將IC晶片170201安裝在FPC(撓性印製板)170200上。在這種情況下，可在將IC晶片170201安裝在FPC 170200上之前進行檢查以增加顯示裝置的產量。此外，還可提高可靠性。另外，用共同的標號表示與圖53A中的部分共同的部分，省略其說明。與IC晶片可安裝在基板170100上一樣，驅動器電路也可安裝在基板170100上。例如，如圖53B所示，可在基板170100上形成掃描線驅動器電路170105。在這種情況下，可減少元件部分的數量以降低製造成本。可減少元件部分之間的連接點的數量以提高可靠性。由於掃描線驅動器電路170105的驅動頻率低，所以可透過使用非晶矽或微晶矽作為電晶體的半導體層來容易地形成掃描線驅動器電路170105。另外，可透過COG方法將用於將信號輸出到信號線的IC晶片安裝在基板170100上。可選地，可將透過TAB方法將用於將信號輸出到信號線的IC晶片安裝到其的FPC佈置在基板170100上。另外，可透過COG方法將用於控制掃描線驅動器電路170105的IC晶片安裝在基板170100上。可選地，可將透過TAB方法將用於控制掃描線驅動器電路170105的IC晶片安裝到其的FPC置於基板170100上。另外，用共同的標號表示與圖53A中的部分共同的部分，省略其說明。
作為另一示例，如圖53C所示，在基板170100上方形成掃描線驅動器電路170105和信號線驅動器電路170106。因而，可減少元件部分的數量以降低製造成本。可減少元件部分之間的連接點的數量以提高可靠性。另外，可透過COG方法將用於控制掃描線驅動器電路170105的IC晶片安裝在基板170100上。可選地，可將透過TAB方法將用於控制掃描線驅動器電路170105的IC晶片安裝到其的FPC佈置在基板170100上。可透過COG方法將用於控制信號線驅動器電路170106的IC晶片安裝在基板170100上。可選地，可透過TAB方法將用於控制信號線驅動器電路170106的IC晶片安裝到其的FPC安裝在基板170100上。另外，用共同的標號表示與圖53A中的部分共同的部分，省略其說明。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式10]在本實施例模式中，說明用於驅動顯示裝置的方法。具體地講，說明用於驅動液晶顯示裝置的方法。在本實施例模式中說明的可用於液晶顯示裝置的液晶顯示面板具有液晶材料夾在兩個基板之間的結構。在兩個基板中的每個中提供用於控制施加到液晶材料的電場的電極。液晶材料與透過從外部施加的電場改變其光電屬性的材料對應。因此，液晶面板與這樣的設備對應，在該設備中，可透過使用包括在兩個基板中的每個中的電極控制施加到液晶材料的電壓來獲得期望的光電屬性。另外，以平面方式佈置大量電極，這些電極中的每個與像素對應，施加到像素的電壓被分別控制。因此，可獲得可顯示清晰影像的液晶顯示面板。這裏，液晶材料對於電場變化的回應時間取決於兩個基板之間的間隙(單元間隙)和液晶材料的類型等，所述回應時間通常為幾毫秒或幾十毫秒。此外，在電場變化量小的情況下，進一步延長了液晶材料的回應時間。這種特性引起了影像顯示的缺陷，諸如後像、可看見掃迹的現象或當液晶面板顯示運動影像時對比度降低。具體地講，當半色調變為另一半色調(電場變化小)時，上述缺陷的程度變得顯著。同時，作為使用主動矩陣法的液晶面板的特定問題，給出了由於恒定電荷驅動而引起寫電壓波動。以下說明本實施例模式中的恒定電荷驅動。
使用主動矩陣法的像素電路包括控制寫的開關和保持電荷的電容器。使用主動矩陣法驅動像素電路的方法對應於這樣的方法，在該方法中，在開關處於開啟狀態時，將預定電壓寫入像素電路中，隨即，開關處於關閉狀態，保持像素電路中的電荷(保持狀態)。在保持狀態時，不執行像素電路內部和外部之間的電荷交換(恒定電荷)。通常，開關處於關閉狀態的期間大約比開關處於開啟狀態的期間長幾百倍(掃描線的數量)。因此，可認為像素電路的開關幾乎總是處於關閉狀態。如上所述，本實施例模式中的恒定電荷驅動與這樣的驅動方法對應，在該驅動方法中，像素電路幾乎在驅動液晶面板的所有期間中處於保持狀態。接下來，說明液晶材料的電屬性。當從外部施加的電場改變時，液晶材料的介電常數和光學屬性改變。也就是說，當認為液晶面板的每個像素為夾在兩個電極之間的電容器(液晶元件)時，電容器與其電容根據所施加的電壓而改變的電容器對應。這種現象稱為動態電容。當透過恒定電荷驅動來驅動以這種方式根據所施加的電壓改變其電容的電容器時，以下問題發生。當在電荷沒有移動的保持狀態下液晶元件的電容改變時，所施加的電壓也改變。從關係式(電荷量)=(電容)×(所施加的電壓)中電荷量恒定的事實不難理解這種現象。
因為上述原因，所以由於在使用主動矩陣法的液晶面板中執行恒定電荷驅動，所以保持狀態時的電壓從寫時的電壓改變。因此，液晶元件的透射率的改變不同於不採取保持狀態的驅動方法中液晶元件的透射率的改變。圖51A至圖51C顯示這種狀態。圖51A顯示在由水平軸表示時間和垂直軸表示電壓的絕對值的情況下控制寫入像素電路的電壓的示例。圖51B顯示在由水平軸表示時間和由垂直軸表示電壓的情況下控制寫入像素電路的電壓的示例。圖51C顯示當由水平軸表示時間和由垂直軸表示電壓的絕對值時在圖51A或圖51B所示的電壓寫入像素電路的情況下液晶元件的透射率的時間改變。在圖51A至圖51C中的每個中，期間F顯示用於重寫電壓的期間，將用於重寫電壓的時間說明為t1
、t2
、t3
和t4
。這裏，與輸入到液晶顯示裝置的影像資料對應的寫電壓與0時重寫時的|V1
|對應，與t1
、t2
、t3
和t4
時重寫時的|V2
|對應(見圖51A)。應該指出，可周期性地切換與輸入到液晶顯示裝置的影像資料對應的寫電壓的極性(反轉驅動：見圖51B)。由於透過使用這種方法可盡可能地防止直流電壓施加到液晶，所以可防止由於液晶元件的劣化而引起的燒機等。還應該指出，切換極性的周期(反轉周期)可與重寫電壓的周期相同。在這種情況下，由於反轉周期短，所以可減少由於反轉驅動而引起的閃爍的產生。此外，反轉周期可以是重寫電壓周期的整數倍的周期。在這種情況下，由於反轉周期長並且可透過改變極性降低寫電壓的頻率，所以可減小功耗。
圖51C顯示圖51A或圖51B所示的電壓施加到液晶元件的情況下液晶元件的透射率的時間變化。這裏，電壓|V1
|施加到液晶元件，液晶元件在過去足夠長時間之後的透射率對應於TR1
。類似地，電壓|V2
|施加到液晶元件，液晶元件在過去足夠長時間之後的透射率對應於TR2
。當在t1
時施加到液晶元件的電壓從|V1
|變為|V2
|時，液晶元件的透射率不是如由虛線30401所示立即變成TR2
，而是緩慢變化。例如，當重寫電壓的周期與60Hz的影像信號的框周期(16.7毫秒)相同時，需要幾框的時間，直到透射率變為TR2
。
應該指出，如虛線30401所示的光滑的透射率的時間變化與當|V2
|精確地施加到液晶元件時的透射率的時間變化對應。在實際的液晶面板，例如，使用主動矩陣法的液晶面板中，因為由於恒定電荷驅動而使得保持狀態時的電壓從寫時的電壓改變，所以液晶的透射率不具有如虛線30401所示的時間改變，而是具有如虛線30402所示的漸變的時間改變。這是因為由於恒定電荷驅動而導致電壓改變，從而不可能僅透過一次寫就達到期望的電壓。因此，表面上液晶元件的透射率的回應時間變得比初始回應時間(虛線30401)更長，從而影像顯示中的缺陷，諸如後像、可看見掃跡的現象或對比度降低等發生。
透過使用過驅動，可解決這樣的現象，即，與液晶元件的初始回應時間的長度一樣，由於透過動態電容寫入的缺少和恒定電荷驅動，使得表面上回應時間變得更長。圖52A至圖52C顯示這種狀態。圖52A顯示在由水平軸表示時間和由垂直軸表示電壓的絕對值的情況下控制寫入像素電路的電壓的示例。圖52B顯示在由水平軸表示時間和由垂直軸表示電壓的情況下控制寫入像素電路的電壓的示例。圖52C顯示當由水平軸表示時間和由垂直軸表示電壓的絕對值時在將圖52A或圖52B所示的電壓寫入像素電路的情況下液晶元件的透射率的時間改變。在圖52A至圖52C中的每個中，周期F顯示用於重寫電壓的周期，將用於重寫電壓的時間說明為t1
、t2
、t3
和t4
。這裏，與輸入到液晶顯示裝置的影像資料對應的寫電壓與0時重寫時的|V1
|對應，並與t1
時重寫時的|V3
|對應，並與t2
、t3
和t4
時重寫時的|V2
|對應(見圖52A)。應該指出，可周期性地切換與輸入到液晶顯示裝置的影像資料對應的寫電壓的極性(反轉驅動：見圖52B)。由於透過使用這種方法可盡可能地防止直流電壓施加到液晶，所以可防止由於液晶元件的劣化而引起的燒機等。還應該指出，切換極性的周期(反轉周期)可與重寫電壓的周期相同。在這種情況下，由於反轉周期短，所以可減少由於反轉驅動而引起的閃爍的產生。此外，反轉周期可以是重寫電壓周期的整數倍的周期。在這種情況下，由於反轉周期長並且可透過改變極性降低寫電壓的頻率，所以可減小功耗。
圖52C顯示在圖52A或圖52B所示的電壓施加到液晶元件的情況下液晶元件的透射率的時間改變。這裏，電壓|V1
|施加到液晶元件，液晶元件在過去足夠長時間之後的透射率對應於TR1
。類似地，電壓|V2
|施加到液晶元件，液晶元件在過去足夠長時間之後的透射率對應於TR2
。類似地，電壓|V3
|施加到液晶元件，液晶元件在過去足夠長時間之後的透射率對應於TR3
。當在t1
時施加到液晶元件的電壓從|V1
|變為|V3
|時，如由虛線30501所示，液晶元件的透射率試圖在幾框內變為TR3
。然而，在時間t2
，電壓|V3
|的施加終止，並且在時間t2
之後，施加電壓|V2
|。因此，液晶元件的透射率不是變成如由虛線30501所示那樣，而是變成如由虛線30502所示那樣。這裏，較佳的，設置電壓|V3
|的值，以使透射率在時間t2
時大約為TR2
。這裏，電壓|V3
|也稱為過驅動電壓。也就是說，透過改變作為過驅動電壓的|V3
|，可在一定程度上控制液晶元件的回應時間。這是因為透過電場的強度來改變液晶元件的回應時間。具體地講，當電場強時，液晶元件的回應時間變短，當電場弱時，液晶元件的回應時間變長。
應該指出，較佳的，作為過驅動電壓的|V3
|根據電壓，即，供應期望的透射率TR1
和TR2
的電壓|V1
|和電壓|V2
|的變化量而變化。這是因為：即使當透過電壓的改變量來改變液晶元件的回應時間時，也可總是透過根據液晶元件的回應時間的變化改變作為過驅動電壓的|V3
|來獲得合適的回應時間。還應該指出，較佳的，透過液晶元件的模式，諸如TN模式、VA模式、IPS模式或OCB模式改變作為過驅動電壓的|V3
|。這是因為：即使當透過電壓的模式來改變液晶元件的回應時間時，也可總是透過根據液晶元件的回應時間的變化改變作為過驅動電壓的|V3
|來獲得合適的回應時間。還應該指出，電壓重寫周期F可與輸入信號的框周期相同。在這種情況下，由於可簡化液晶顯示裝置的週邊驅動器電路，所以可獲得具有低製造成本的液晶顯示裝置。
還應該指出，電壓重寫周期F可比輸入信號的框周期短。例如，電壓重寫周期F可以是輸入信號的框周期的一半、輸入信號的框周期的三分之一或者輸入信號的框周期的三分之一或更少。將該方法與針對由液晶顯示裝置的保持驅動而引起的運動影像品質的退化的防範措施組合是有效的，所述防範措施諸如黑色資料插入驅動、背光閃爍、背光掃描或透過運動補償的中間影像插入驅動。也就是說，由於在針對由液晶顯示裝置的保持驅動而引起運動影像品質退化的防範措施中所需的液晶元件的回應時間短，所以可容易地透過使用本實施例模式中說明的過驅動來使液晶元件的回應時間相對變短。雖然可透過單元間隙、液晶材料、液晶元件的模式等使液晶元件的回應時間基本變短，但是從技術上難以縮短液晶元件的回應時間。因此，使用用於透過諸如過驅動的驅動方法縮短液晶元件的回應時間的方法是非常重要的。還應該指出，電壓重寫周期F可比輸入信號的框周期長。例如，電壓重寫周期F可以是輸入信號的框周期的兩倍、輸入信號的框周期的三倍或輸入信號的框周期的三倍或更多倍。將該方法與確定在長周期內是否寫入電壓的單元(電路)組合是有效的。也就是說，當在長周期內沒有寫入電壓時，可在沒有寫入電壓的周期期間停止電路的操作，而不執行電壓的重寫操作。因此，可獲得具有低功耗的液晶顯示裝置。
接下來，說明根據供應期望的透射率TR1
和TR2
的電壓|V1
|和電壓|V2
|來改變作為過驅動電壓的|V3
|的特定方法。由於過驅動電路對應於這樣的電路，該電路用於根據供應期望的透射率TR1
和TR2
的電壓|V1
|和電壓|V2
|來適當地控制作為過驅動電壓的|V3
|，所以輸入到過驅動電路的信號為與電壓|V1
|相關的信號和與電壓|V2
|相關的信號，電壓|V1
|供應期望的透射率TR1
，電壓|V2
|供應期望的透射率TR2
，並且從過驅動電路輸出的信號為與作為過驅動電壓的|V3
|相關的信號。這裏，這些信號中的每個可具有類比電壓值，諸如施加到液晶元件的電壓(比如，|V1
|、|V2
|或|V3
|)，或者這些信號中的每個可以為用於供應施加到液晶元件的電壓的數位信號。這裏，將與過驅動電路相關的信號說明為數位信號。首先，參考圖88A說明過驅動電路的一般結構。這裏，輸入影像信號30101a和30101b用作用於控制過驅動電壓的信號。作為處理這些信號的結果，輸出影像信號30104將作為過驅動電壓輸出。
這裏，由於供應期望的透射率TR1
和TR2
的電壓|V1
|和電壓|V2
|為相鄰框中的影像信號，所以較佳的，輸入影像信號30101a和30101b為相鄰框中類似的影像信號。為了獲得這樣的信號，輸入影像信號30101a輸入到圖88A中的延遲電路30102，結果輸出的信號可用作輸入影像信號30101b。例如，記憶體可作為延遲電路30102而給出。也就是說，將輸入影像信號30101a儲存在記憶體中，以將輸入影像信號30101a延遲一框；同時從記憶體中取出儲存在前一框中的信號作為輸入影像信號30101b；輸入影像信號30101a和輸入影像信號30101b同時輸入到校正電路30103。因此，可處理相鄰框中的影像信號。透過將相鄰框中的影像信號輸入到校正電路30103，可獲得輸出影像信號30104。應該指出，當記憶體用作延遲電路30102時，可獲得這樣的記憶體，該記憶體具有用於儲存一框影像信號的容量以將輸入影像信號30101a延遲一框。因而，記憶體可具有作為不引起儲存容量的過剩和不足的延遲電路的功能。
接下來，說明主要用於減小儲存容量而形成的延遲電路30102。由於可透過使用這樣的電路作為延遲電路30102來減小儲存容量，所以可降低製造成本。具體地講，圖88B所示的延遲電路可用作具有這樣的特性的延遲電路30102。圖88B所示的延遲電路包括編碼器30105、記憶體30106和解碼器30107。圖88B所示的延遲電路30102的操作如下。首先，在將輸入影像信號30101a儲存在記憶體30106中之前，編碼器30105執行壓縮處理。因而，可減小將儲存在記憶體30106中的資料的大小。因此，由於可減小儲存容量，所以也可降低製造成本。然後，將壓縮的影像信號傳送到解碼器30107，並在那執行擴展處理。因而，可恢復編碼器30105壓縮的在前信號。這裏，編碼器30105和解碼器30107執行的壓縮處理和擴展處理可以為可逆的處理。因而，由於即使在執行壓縮處理和擴展處理之後影像信號也不會退化，所以可減小儲存容量，而不引起最終顯示在設備上的影像的品質退化。此外，編碼器30105和解碼器30107執行的壓縮處理和擴展處理可以為不可逆的處理。因而，由於可使壓縮的影像信號的資料的大小變得極小，所以可顯著地減小儲存容量。
應該指出，與上述方法一樣，作為用於減小儲存容量的方法，各種方法可被使用。可使用這樣的方法，即，編碼器不執行影像壓縮，而是減少包括在影像信號中的顏色資訊(比如，執行從26萬種顏色至65千種顏色的色調減少)，或者減少資料量(比如，使解析度變小)等。接下來，參考圖88C至圖88E說明校正電路30103的特定示例。校正電路30103對應於這樣的電路，該電路用於從兩個輸入影像信號輸出具有特定值的輸出影像信號。這裏，當兩個輸入影像信號和輸出影像信號之間的關係為非線性並且難以透過簡單的運算計算該關係時，檢索表(LUT)可用作校正電路30103。由於透過LUT中的測量預先計算兩個輸入影像信號和輸出影像信號之間的關係，所以可僅透過查看LUT來計算與兩個輸入影像信號對應的輸出影像信號(見圖88C)。透過使用LUT 30108作為校正電路30103，可不執行複雜的電路設計等來實現校正電路30103。
這裏，由於LUT 30108為記憶體之一，所以較佳的，盡可能地減小儲存容量以降低製造成本。作為用於實現儲存容量的減小的校正電路30103的示例，可給出圖88D所示的電路。圖88D所示的校正電路30103包括LUT 30109和加法器30110。將輸入影像信號30101a和將輸出的輸出影像信號30104之間的差異資料儲存在LUT 30109中。也就是說，從LUT 30109取出來自輸入影像信號30101a和輸入影像信號30101b的相應的差異資料，加法器30110將取出的差異資料和輸入影像信號30101a相加，從而可獲得輸出影像信號30104。應該指出，當儲存在LUT 30109中的資料為差異資料時，可減小LUT 30109的儲存容量。這是因為差異資料的資料大小小於輸出影像信號30104自身的資料大小，從而可使LUT 30109所需的儲存容量變小。
另外，當可透過簡單的運算，諸如兩個輸入影像信號的算術運算來計算輸出影像信號時，可透過簡單電路的組合來實現校正電路30103，所述簡單電路諸如加法器、減法器和乘法器。因此，沒有必要使用LUT，從而可顯著地降低製造成本。作為這樣的電路，可給出圖88E所示的電路。圖88E所示的校正電路30103包括減法器30111、乘法器30112和加法器30113。首先，減法器30111計算輸入影像信號30101a和輸入影像信號30101b之間的差異。在這之後，透過使用乘法器30112將差值與適當的係數相乘。然後，透過加法器30113將與適當的係數相乘的差值和輸入影像信號30101a相加，可獲得輸出影像信號30104。透過使用這樣的電路，沒有必要使用LUT。因此，可顯著地降低製造成本。應該指出，透過在一定條件下使用圖88E所示的校正電路30103，可防止不適當的輸出影像信號30104的輸出。所述條件如下。供應過驅動電壓的輸出影像信號30104與輸入影像信號30101a和30101b之間的差值具有線性。另外，所述差值與透過使用加法器30112與該線性的斜角相乘的係數對應。也就是說，較佳的，圖88E所示的校正電路30103用於具有這樣的屬性的液晶元件。作為具有這樣的屬性的液晶元件，可給出IPS模式液晶元件，在IPS模式液晶元件中，回應時間對灰階具有低的依賴性。例如，透過以這種方式將圖88E所示的校正電路30103用於IPS模式液晶元件，可顯著地降低製造成本，並且可獲得可防止不適當的輸出影像信號30104的輸出的過驅動電路。
可透過軟體處理實現與圖88A至圖88E所示的電路的操作類似的操作。關於用於延遲電路的記憶體，可使用包括在液晶顯示裝置中的另一記憶體、包括在傳送顯示在液晶顯示裝置(比如，包括在個人電腦中的視頻卡等或與個人電腦類似的設備)上的影像的設備中的記憶體。因而，除了降低製造成本之外，還可根據用戶的偏好來選擇過驅動的強度、可利用性等。參考圖89A和圖89B說明控制公共線的電位的驅動。圖89A是顯示多個像素電路的示圖，在所述像素電路中，對顯示裝置中的一條掃描線提供一條公共線，所述顯示裝置使用具有電容屬性的顯示元件，諸如液晶元件。圖89A所示的像素電路中的每個包括電晶體30201、輔助電容器30202、顯示元件30203、視頻信號線30204、掃描線30205和公共線30206。電晶體30201的閘極電連接至掃描線30205；電晶體30201的源極和汲極中的一個電連接至視頻信號線30204；電晶體30201的源極和汲極中的另一個電連接至輔助電容器30202的電極中的一個電極和顯示元件的電極中的一個電極。另外，輔助電容器30202的電極中的另一電極電連接至公共線30206。
首先，在掃描線30205所選擇的每個像素中，由於電晶體30201導通，所以與影像信號相應的電壓透過視頻信號線30204施加到顯示元件30203和輔助電容器30202。此時，當影像信號為使連接至公共線30206的所有像素顯示最小灰階的信號時，或者當影像信號為使連接至公共線30206的所有像素顯示最大灰階的信號時，沒有必要透過視頻信號線30204將影像信號寫入每個像素。可透過改變公共線30206的電位而不是透過視頻信號線30204寫入影像信號來改變施加到顯示元件30203的電壓。接下來，圖89B為顯示多個像素電路的示圖，在所述像素電路中，對顯示裝置中的一條掃描線提供兩條公共線，所述顯示裝置使用具有電容屬性的顯示元件，諸如液晶元件。圖89B所示的每個像素電路包括電晶體30211、輔助電容器30212、顯示元件30213、視頻信號線30214、掃描線30215、第一公共線30216和第二公共線30217。電晶體30211的閘極電連接至掃描線30215；電晶體30211的源極和汲極中的一個電連接至視頻信號線30214；電晶體30211的源極和汲極中的另一個電連接至輔助電容器30212的電極中的一個電極和顯示元件30213的電極中的一個電極。另外，輔助電容器30212的電極中的另一電極電連接至第一公共線30216。此外，在與所述像素相鄰的像素中，輔助電容器30212的電極中的另一電極電連接至第二公共線30217。
在圖89B所示的像素電路中，電連接至一條公共線的像素的數量少。因此，透過改變第一公共線30216或第二公共線30217的電位而不是透過視頻信號線30214寫入影像信號，顯著地增加改變施加到顯示元件30213的電壓的頻率。另外，可執行源反轉驅動或點反轉驅動。透過執行源反轉驅動或點反轉驅動，可提高元件的可靠性，並且可抑制閃爍。參考圖90A至圖90C說明掃描背光。圖90A為顯示佈置冷陰極熒光燈的掃描背光的視圖。圖90A所示的掃描背光包括漫射板30301和N個冷陰極熒光燈30302_1至30302_N。N個冷陰極熒光燈30302_1至30302_N佈置在漫射板30301的背面，從而可在改變N個冷陰極熒光燈30302_1至30302_N的亮度的同時對N個冷陰極熒光燈30302_1至30302_N進行掃描。
參考圖90C說明掃描時每個冷陰極熒光燈的亮度的改變。首先，在特定周期內冷陰極熒光燈30302_1的亮度改變。在這之後，在同一周期內與冷陰極熒光燈30302_1相鄰提供的冷陰極熒光燈30302_2的亮度改變。以這種方式，從冷陰極熒光燈30302_1至冷陰極熒光燈30302_N順序地改變亮度。雖然將特定周期內改變的亮度設置為低於圖90C中的初始亮度，但是它還可以高於初始亮度。另外，雖然從冷陰極熒光燈30302_1至30302_N執行掃描，但是也可按相反順序從冷陰極熒光燈30302_N至30302_1執行掃描。透過如圖90A至圖90C執行驅動，可減小背光的平均亮度。因此，可減小背光的功耗，背光的功耗主要佔用液晶顯示裝置的功耗。應該指出，LED可用作掃描背光的光源。這種情況下的掃描背光如圖90B所示。圖90B所示的掃描背光包括漫射板30311和光源30312_1至30312_N，在每個光源中佈置了LED。當LED用作掃描背光的光源時，優點在於背光可以薄且輕。另外，還存在可擴寬顏色再現區的優點。此外，由於可類似地對光源30312_1至30312_N中的每個中佈置的LED進行掃描，所以還可獲得點掃描背光。透過使用點掃描背光，還可改進運動影像的影像品質。應該指出，當LED用作背光的光源時，可透過如圖90C所示改變亮度來執行驅動。
接下來，參考圖91A和圖91B說明高頻驅動。圖91A為在一個框周期30600中顯示一副影像和一副中間影像的視圖。標號30601表示一框影像；標號30602表示該框的中間影像；標號30603表示下一框的影像；標號30604表示下一框的中間影像。應該指出，一框的中間影像30602可以是基於該框的影像信號和下一框的影像信號而生成的影像。可選地，一框的中間影像30602可以是從該框的影像30601生成的影像。此外可選地，一框的中間影像30602可以是黑色影像。因而，可改進保持型顯示裝置的運動影像的影像品質。在一個框周期30600中顯示一副影像和一副中間影像的情況下，優點在於可容易地獲得影像信號的框頻的一致性並且影像處理電路不會變得複雜。圖91B為在具有兩個連續的一個框周期30600的期間(即，兩個框周期)中顯示一副影像和兩副中間影像的視圖。標號30611表示一框影像；標號30612表示該框的中間影像；標號30613表示下一框的中間影像；標號30614表示下一框之後的框的影像。應該指出，一框的中間影像30612和下一框的中間影像30613中的每個可以是基於該框的影像信號、下一框的影像信號和下一框之後的框的影像信號而生成的影像。可選地，一框的中間影像30612和下一框的中間影像30613中的每個可以是黑色影像。在兩個框周期中顯示一副影像和兩副中間影像的情況下，優點在於使得週邊驅動器電路的操作頻率不是那麽高並且可有效地改進運動影像的影像品質。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式11]在本實施例模式中，說明液晶面板的週邊部分。圖55顯示包括所謂的邊光型背光單元20101和液晶面板20107的液晶顯示裝置的示例。邊光型對應於這樣的類型，在該類型中，在背光單元的一端提供光源，從整個發光表面發射光源的熒光。邊光型背光單元20101薄，並可節省功率。背光單元20101包括漫射板20102、導光板20103、反射板20104、燈反射器20105和光源20106。光源20106具有如所需發光的功能。例如，作為光源20106，可使用冷陰極熒光燈、熱陰極熒光燈、發光二極體、無機EL元件、有機EL元件等。圖56A至圖56D為每個顯示邊光型背光單元的詳細結構的視圖。應該指出，省略漫射板、導光板、反射板等的說明。圖56A所示的背光單元20201具有這樣的結構，在該結構中冷陰極熒光燈20203用作光源。另外，提供燈反射器20202以有效地反射來自冷陰極熒光燈20203的光。由於來自冷陰極熒光燈20203的亮度高，所以這樣的結構經常用於大型顯示裝置。
圖56B所示的背光單元20211具有這樣的結構，在該結構中發光二極體(LED)20213用作光源。例如，以預定間隔提供發射白光的發光二極體(LED)20213。另外，提供燈反射器20212以有效地反射來自發光二極體(LED)20213的光。圖56C所示的背光單元20221具有這樣的結構，在該結構中R、G和B的發光二極體(LED)20223、發光二極體(LED)20224和發光二極體(LED)20225用作光源。以預定間隔提供R、G和B的發光二極體(LED)20223、發光二極體(LED)20224和發光二極體(LED)20225中的每個。透過使用R、G和B的發光二極體(LED)20223、發光二極體(LED)20224和發光二極體(LED)20225，可改進顏色再現。另外，提供燈反射器20222以有效地反射來自發光二極體的光。圖56D所示的背光單元20231具有這樣的結構，在該結構中R、G和B的發光二極體(LED)20233、發光二極體(LED)20234和發光二極體(LED)20235用作光源。例如，在R、G和B的發光二極體(LED)20233、發光二極體(LED)20234和發光二極體(LED)20235中，提供具有低發射強度的顏色(比如，綠色)的發光二極體多於其他發光二極體。透過使用R、G和B的發光二極體(LED)20223、發光二極體(LED)20224和發光二極體(LED)20225，可改進顏色再現。另外，提供燈反射器20232以有效地反射來自發光二極體的光。
圖59顯示包括所謂的直接型背光單元和液晶面板的液晶顯示裝置的示例。直接型對應於這樣的類型，在該類型中，直接在發光表面提供光源，並且從整個發光表面發射光源的熒光。直接型背光單元可有效地利用發射的光量。背光單元20500包括漫射板20501、擋光板20502、燈反射器20503、光源20504和液晶面板20505。光源20504具有如所需發射光的功能。例如，作為光源20504，可使用冷陰極熒光燈、熱陰極熒光燈、發光二極體、無機EL元件、有機EL元件等。圖57是顯示偏光板(也稱為偏光膜)的結構的示例的視圖。偏光膜20300包括保護膜20301、基板膜20302、PVA偏光膜20303、基板膜20304、黏合層20305和脫模膜20306。當作為底材料的膜(基板膜20302和基板膜20304)從兩側將PVA偏光膜20303夾在中間時，可提高可靠性。應該指出，具有透光屬性和高耐用性的三醋酸纖維(TAC)膜可將PVA偏光膜20303夾在中間。還應該指出，基板膜和TAC膜中的每個起包括在PVA偏光膜20303中的偏光器的保護膜的作用。
附到液晶面板上的黏合層20305附到基板膜中的一個底膜(基板膜20304)上。應該指出，透過將黏合劑施加到底膜中的一個底膜(底膜20304)上來形成黏合層20305。黏合層20305被提供有脫模膜20306。底膜中的另一個底膜(底膜20302)被提供有保護膜20301。可在偏光膜20300的表面上提供硬質塗層散射層(防眩層)。由於硬質塗層散射層具有透過AG處理而形成的細微不平而且具有使外部光散射的防眩功能，所以可防止外部光在液晶面板中的反射和表面反射。還應該指出，可在偏光膜20300的表面上執行將具有不同反射率的多個光薄膜層分層的處理。具有不同反射率的多個光薄膜層可減少光的干涉效應在表面上的反射。圖58A至圖58C是每個顯示液晶顯示裝置的系統塊的示例的示圖。在像素部分20405中，提供從信號線驅動器電路20403延伸的信號線20412。在像素部分20405中，還提供從掃描線驅動器電路20404延伸的掃描線20410。另外，在信號線20412和掃描線20410的交叉區域中按矩陣佈置多個像素。應該指出，所述多個像素中的每個包括開關元件。因此，用於控制液晶分子的傾向的電壓可單獨輸入到所述多個像素中的每個。以這種方式在每個交叉區域中提供開關元件的結構稱為主動矩陣類型。還應該指出，本發明不限於這樣的主動矩陣類型，並且可使用被動矩陣類型的結構。由於在每個像素中被動矩陣類型不具有開關元件，所以方法簡單。
驅動器電路部分20408包括控制電路20402、信號線驅動器電路20403和掃描線驅動器電路20404。影像信號20401輸入到控制電路20402。控制電路20402根據該影像信號20401控制信號線驅動器電路20403和掃描線驅動器電路20404。因此，控制電路20402將控制信號輸入到信號線驅動器電路20403和掃描線驅動器電路20404中的每個。然後，根據該控制信號，信號線驅動器電路20403將視頻信號輸入到信號線20412中的每個，掃描線驅動器電路20404將掃描信號輸入到掃描線20410中的每個。然後，根據掃描信號選擇包括在像素中的開關元件，並且視頻信號輸入到像素的像素電極。應該指出，控制電路20402還根據影像信號20401控制電源20407。電源20407包括用於將功率供應給照明單元20406的單元。作為照明單元20406，可使用邊光型背光單元或直接型背光單元。還應該指出，前光可用作照明單元20406。前光與包括發光體和光傳導體的類似板的照明單元對應，其附到像素部分的前面的側面，並照射整個區域。透過使用這樣的照明單元，可以以低功耗均勻地照射像素部分。如圖58B所示，掃描線驅動器電路20404包括移位暫存器20441、位準轉換器20442和起緩衝器作用的電路20443。諸如閘極啟始脈衝(GSP)或閘極時鐘信號(GCK)的信號輸入到移位暫存器20441。
如圖58C所示，信號線驅動器電路20403包括移位暫存器20431、第一鎖存器20432、第二鎖存器20433、位準轉換器20434和起緩衝器作用的電路20435。起緩衝器作用的電路20435對應於這樣的電路，該電路具有放大弱信號的功能，其包括運算放大器等。諸如啟始脈衝(SSP)的信號輸入到位準轉換器20434，諸如視頻信號的資料(DATA)輸入到第一鎖存器20432。鎖存器(LAT)信號可臨時保持在第二鎖存器20433中，同時輸入到像素部分20405。這稱為線順序驅動。因此，當使用執行點順序驅動而不是線順序驅動的像素時，可省略第二鎖存器。應該指出，在本實施例模式中，各種類型的液晶面板可用作液晶面板。例如，液晶層充填在兩個基板之間的結構可用作液晶面板。在所述基板中的一個基板上方形成電晶體、電容器、像素電極、取向膜等。可在與所述基板中的一個基板的頂面相對的表面上提供偏光板、延遲板或棱鏡片。在所述基板中的另一基板上提供濾色器、黑色矩陣、相對電極、取向膜等。應該指出，可在與所述基板中的另一基板的頂面相對的表面上提供偏光板或延遲板。還應該指出，可在所述基板中的一個基板的頂面上方形成濾色器和黑色矩陣。還應該指出，可透過在所述基板中的一個基板的頂面側或與所述基板中的一個基板的頂面側相對的表面上提供狹縫(柵格)來執行三維顯示。還應該指出，可在兩個基板之間提供偏光板、延遲板和棱鏡片中的每個。可選地，可將偏光板、延遲板和棱鏡片與兩個基板中的一個基板整合在一起。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式12]在本實施例模式中，說明可應用於液晶顯示裝置的像素的像素結構和操作。應該指出，在本實施例模式中，作為液晶元件的操作模式，可使用TN(扭曲向列)模式、IPS(共面切換)模式、FFS(邊緣場切換)模式、MVA(多象限垂直配向)模式、PVA(垂直取向構型)模式、ASM(軸對稱排列微胞)模式、OCB(光補償雙折射)模式、FLC(鐵電液晶)模式、AFLC(反鐵電液晶)模式等。圖60A是顯示可應用於液晶顯示裝置的像素結構的示例的示圖。像素40100包括電晶體40101、液晶元件40102和電容器40103。電晶體40101的閘極連接至佈線40105。電晶體40101的第一電極連接至佈線40104。電晶體40101的第二電極連接至液晶元件40102的第一電極和電容器40103的第一電極。液晶元件40102的第二電極對應於相對電極40107。電容器40103的第二電極連接至佈線40106。
佈線40104起信號線的作用。佈線40105起掃描線的作用。佈線40106起電容器線的作用。電晶體40101起開關的作用。電容器40103起儲存電容器的作用。僅需要電晶體40101起開關的作用，電晶體40101可以是P通道電晶體或N通道電晶體。圖60B是顯示可應用於液晶顯示裝置的像素結構的示例的示圖。具體地講，圖60B是顯示可應用於適合於橫向電場模式(包括IPS模式和FFS模式)的液晶顯示裝置的像素結構的示例的示圖。像素40110包括電晶體40111、液晶元件40112和電容器40113。電晶體40111的閘極連接至佈線40115。電晶體40111的第一電極連接至佈線40114。電晶體40114的第二電極連接至液晶元件40112的第一電極和電容器40113的第一電極。液晶元件40112的第二電極連接至佈線40116。電容器40103的第二電極連接至佈線40116。佈線40114起信號線的作用。佈線40115起掃描線的作用。佈線40116起電容器線的作用。電晶體40111起開關的作用。電容器40113起儲存電容器的作用。僅需要電晶體40111起開關的作用，電晶體40111可以是P通道電晶體或N通道電晶體。圖61是顯示可應用於液晶顯示裝置的像素結構的示例的示圖。具體地講，圖61是顯示可透過減少佈線的數量來增大像素的開口率的像素結構的示例的示圖。
圖61顯示在同一行方向上提供的兩個像素(像素40200和像素40210)。例如，當在第N列中提供像素40200時，在第(N+1)列中提供像素40210。像素40200包括電晶體40201、液晶元件40202和電容器40203。電晶體40201的閘極連接至佈線40205。電晶體40201的第一電極連接至佈線40204。電晶體40201的第二電極連接至佈線40204。電晶體40201的第二電極連接至液晶元件40202的第一電極和電容器40203的第一電極。液晶元件40202的第二電極對應於相對電極40207。電容器40203的第二電極連接至與連接至前一列的電晶體的閘極的佈線相同的佈線。像素40210包括電晶體40211、液晶元件40212和電容器40213。電晶體40211的閘極連接至佈線40215。電晶體40211的第一電極連接至佈線40204。電晶體40211的第二電極連接至液晶元件40212的第一電極和電容器40213的第一電極。液晶元件40212的第二電極對應於相對電極40217。電容器40213的第二電極連接至與連接至前一列的電晶體的閘極的佈線相同的佈線(佈線40205)。佈線40204起信號線的作用。佈線40205起第N列的掃描線的作用。佈線40205還起第(N+1)列的電容器線的作用。電晶體40201起開關的作用。電容器40203起儲存電容器的作用。佈線40215起第(N+1)列的掃描線的作用。佈線40215還起第(N+2)列的電容器線的作用。電晶體40211起開關的作用。電容器40213起儲存電容器的作用。
僅需要電晶體40201和電晶體40211中的每個起開關的作用，電晶體40201和電晶體40211中的每個可以是P通道電晶體或N通道電晶體。圖62是顯示可應用於液晶顯示裝置的像素結構的示例的示圖。具體地講，圖62是顯示可透過使用子像素來改進視角的像素結構的示例的示圖。像素40320包括子像素40300和子像素40310。雖然說明了像素40320包括兩個子像素的情況，但是像素40320可包括三個或更多個子像素。子像素40300包括電晶體40301、液晶元件40302和電容器40303。電晶體40301的閘極連接至佈線40305。電晶體40301的第一電極連接至佈線40304。電晶體40301的第二電極連接至液晶元件40302的第一電極和電容器40303的第一電極。液晶元件40302的第二電極對應於相對電極40307。電容器40303的第二電極連接至佈線40306。子像素40310包括電晶體40311、液晶元件40312和電容器40313。電晶體40311的閘極連接至佈線40315。電晶體40311的第一電極連接至佈線40304。電晶體40311的第二電極連接至液晶元件40312的第一電極和電容器40313的第一電極。液晶元件40312的第二電極對應於相對電極40317。電容器40313的第二電極連接至佈線40306。
佈線40304起信號線的作用。佈線40305起掃描線的作用。佈線40315起信號線的作用。佈線40306起電容器線的作用。電晶體40301起開關的作用。電晶體40311起開關的作用。電容器40303起儲存電容器的作用。電容器40313起儲存電容器的作用。僅需要電晶體40301起開關的作用，電晶體40301可以是P通道電晶體或N通道電晶體。僅需要電晶體40311起開關的作用，電晶體40311可以是P通道電晶體或N通道電晶體。輸入到子像素40300的視頻信號可以是與輸入到子像素40310的視頻信號的值不同的值。在這種情況下，由於液晶元件40302的液晶分子的取向和液晶元件40312的液晶分子的取向可以彼此不同，所以可使視角變寬。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式13]在本實施例模式中，說明各種液晶模式。首先，參考截面圖說明各種液晶模式。圖63A和圖63B是TN模式的截面的示意圖。液晶層50100在第一基板50101和第二基板50102之間，提供第一基板50101和第二基板50102以使其彼此相對。在第一基板50101的頂面上形成第一電極50105。在第二基板50102的頂面上形成第二電極50106。在第一基板50101的表面上提供第一偏光板50103，第一偏光板50103不面對液晶層50100。在第二基板50102的表面上提供第二偏光板50104，第二偏光板50104不面對液晶層50100。應該指出，提供第一偏光板50103和第二偏光板50104以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50101的頂面上提供在第一偏光板50103，即，可在第一基板50101和液晶層50100之間提供第一偏光板50103。可在第二基板50102的頂面上提供第二偏光板50104，即，可在第二基板50102和液晶層50100之間提供第二偏光板50104。僅需要第一電極50105和第二電極50106中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50105和第二電極50106都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖63A是電壓施加到第一電極50105和第二電極50106的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖63B是電壓不施加到第一電極50105和第二電極50106的情況下的截面的示意圖。圖64A和圖64B是VA模式的截面的示意圖。在VA模式中，調整液晶分子的取向，以使當沒有電場時這些液晶分子與基板垂直。
液晶層50200在第一基板50201和第二基板50202之間，提供第一基板50201和第二基板50202以使其彼此相對。在第一基板50201的頂面上形成第一電極50205。在第二基板50202的頂面上形成第二電極50206。在第一基板50201的表面上提供第一偏光板50203，第一偏光板50203不面對液晶層50200。在第二基板50202的表面上提供第二偏光板50204，第二偏光板50204不面對液晶層50200。應該指出，提供第一偏光板50203和第二偏光板50204以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50201的頂面上提供在第一偏光板50203，即，可在第一基板50201和液晶層50200之間提供第一偏光板50203。可在第二基板50202的頂面上提供第二偏光板50204，即，可在第二基板50202和液晶層50200之間提供第二偏光板50204。僅需要第一電極50205和第二電極50206中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50205和第二電極50206都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖64A時電壓施加到第一電極50205和第二電極50206的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖64B是電壓不施加到第一電極50205和第二電極50206的情況下的截面的示意圖。圖64C和圖64D是MVA模式的截面的示意圖。在MVA模式中，每個部分的視角依賴性彼此補償。
液晶層50210在第一基板50211和第二基板50212之間，提供第一基板50211和第二基板50212以使其彼此相對。在第一基板50211的頂面上形成第一電極50215。在第二基板50212的頂面上形成第二電極50216。在第一電極50215上形成用於控制取向的第一凸起50217。在第二電極50216上形成用於控制取向的第二凸起50218。在第一基板50211的表面上提供第一偏光板50213，第一偏光板50213不面對液晶層50210。在第二基板50212的表面上提供第二偏光板50214，第二偏光板50214不面對液晶層50210。應該指出，提供第一偏光板50213和第二偏光板50214以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50211的頂面上提供在第一偏光板50213，即，可在第一基板50211和液晶層50210之間提供第一偏光板50213。可在第二基板50212的頂面上提供第二偏光板50214，即，可在第二基板50212和液晶層50210之間提供第二偏光板50214。僅需要第一電極50215和第二電極50216中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50215和第二電極50216都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖64C是電壓施加到第一電極50215和第二電極50216的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。
圖64D是電壓不施加到第一電極50215和第二電極50216的情況下的截面的示意圖。圖65A和圖65B是OCB模式的截面的示意圖。在OCB模式中，由於可對液晶層中的液晶分子的取向進行光補償，所以視角依賴性低。這種狀態的液晶分子稱為彎曲取向。液晶層50300在第一基板50301和第二基板50302之間，提供第一基板50301和第二基板50302以使其彼此相對。在第一基板50301的頂面上形成第一電極50305。在第二基板50302的頂面上形成第二電極50306。在第一基板50301的表面上提供第一偏光板50303，第一偏光板50303不面對液晶層50300。在第二基板50302的表面上提供第二偏光板50304，第二偏光板50304不面對液晶層50300。應該指出，提供第一偏光板50303和第二偏光板50304以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50301的頂面上提供在第一偏光板50303，即，可在第一基板50301和液晶層50300之間提供第一偏光板50303。可在第二基板50302的頂面上提供第二偏光板50304，即，可在第二基板50302和液晶層50300之間提供第二偏光板50304。僅需要第一電極50305和第二電極50306中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50305和第二電極50306都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。
圖65A是電壓施加到第一電極50305和第二電極50306的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖65B是電壓不施加到第一電極50305和第二電極50306的情況下的截面的示意圖。圖65C和圖65D是FLC模式或AFLC模式的截面的示意圖。液晶層50310在第一基板50311和第二基板50312之間，提供第一基板50311和第二基板50312以使其彼此相對。在第一基板50311的頂面上形成第一電極50315。在第二基板50312的頂面上形成第二電極50316。在第一基板50311的表面上提供第一偏光板50313，第一偏光板50313不面對液晶層50310。在第二基板50312的表面上提供第二偏光板50314，第二偏光板50314不面對液晶層50310。應該指出，提供第一偏光板50313和第二偏光板50314以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50311的頂面上提供在第一偏光板50313，即，可在第一基板50311和液晶層50310之間提供第一偏光板50313。可在第二基板50312的頂面上提供第二偏光板50314，即，可在第二基板50312和液晶層50310之間提供第二偏光板50314。
僅需要第一電極50315和第二電極50316中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50315和第二電極50316都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖65C是電壓施加到第一電極50315和第二電極50316的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖65D是電壓不施加到第一電極50315和第二電極50316的情況下的截面的示意圖。圖66A和圖66B是IPS模式的截面的示意圖。在IPS模式中，可對液晶層中的液晶分子的取向進行光補償，液晶分子總是在與基板平行的平面中旋轉，使用僅在一個基板側提供電極的水平電場方法。液晶層50400在第一基板50401和第二基板50402之間，提供第一基板50401和第二基板50402以使其彼此相對。在第二基板50402的頂面上形成第一電極50405和第二電極50406。在第一基板50401的表面上提供第一偏光板50403，第一偏光板50403不面對液晶層50400。在第二基板50402的表面上提供第二偏光板50404，第二偏光板50404不面對液晶層50400。應該指出，提供第一偏光板50403和第二偏光板50404以使其處於正交尼科耳狀態。可在第一基板50401的頂面上提供在第一偏光板50403，即，可在第一基板50401和液晶層50400之間提供第一偏光板50403。可在第二基板50402的頂面上提供第二偏光板50404，即，可在第二基板50402和液晶層50400之間提供第二偏光板50404。
僅需要第一電極50405和第二電極50406中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50405和第二電極50406都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖66A是電壓施加到第一電極50405和第二電極50406的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖66B是電壓不施加到第一電極50405和第二電極50406的情況下的截面的示意圖。圖66C和圖66D是FFS模式的截面的示意圖。在FFS模式中，可對液晶層中的液晶分子的取向進行光補償，液晶分子總是在與基板平行的平面中旋轉，使用僅在一個基板側提供電極的水平電場方法。液晶層50410在第一基板50411和第二基板50412之間，提供第一基板50411和第二基板50412以使其彼此相對。在第二基板50412的頂面上形成第一電極50415和第二電極50416。在第二電極50416的頂面上形成絕緣膜50417。在絕緣膜50417上方形成第一電極50415。在第一基板50411的表面上提供第一偏光板50413，第一偏光板50413不面對液晶層50410。在第二基板50412的表面上提供第二偏光板50414，第二偏光板50414不面對液晶層50410。應該指出，提供第一偏光板50413和第二偏光板50414以使其處於正交尼科耳狀態。
可在第一基板50411的頂面上提供在第一偏光板50413，即，可在第一基板50411和液晶層50410之間提供第一偏光板50413。可在第二基板50412的頂面上提供第二偏光板50414，即，可在第二基板50412和液晶層50410之間提供第二偏光板50414。僅需要第一電極50415和第二電極50416中的至少一個具有透光屬性(透射或反射液晶顯示裝置)。可選地，第一電極50415和第二電極50416都可以具有透光屬性，並且這些電極中的一個電極的一部分可具有反射性(半透射液晶顯示裝置)。圖66C是電壓施加到第一電極50415和第二電極50416的情況(稱為垂直電場模式)下的截面的示意圖。圖66D是電壓不施加到第一電極50415和第二電極50416的情況下的截面的示意圖。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式14]在本實施例模式中，說明顯示裝置的像素結構。具體地講，說明液晶顯示裝置的像素結構。參考像素的截面圖說明組合每個液晶模式和電晶體的情況下的像素結構。應該指出，作為電晶體，可使用包括非單晶半導體層的薄膜電晶體(TFT)，非晶矽、多晶矽、微晶(也稱為半非晶)矽等為所述非晶矽半導體層的類型。作為電晶體的結構，可使用頂閘極結構、底閘極結構等。應該指出，通道蝕刻電晶體、通道保護電晶體等可用作底閘極電晶體。圖67是組合TN模式和電晶體的情況下的像素的截面圖的示例。具有液晶分子10118的液晶10111在第一基板10101和第二基板10116之間。在第一基板10101上方提供電晶體、像素電極、取向膜等，在第二基板10116上提供擋光膜10114、濾色器10115、相對電極、取向膜等。另外，在第一基板10101和第二基板10116之間提供分隔件10117。透過將圖67所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可以以低成本形成液晶顯示裝置。圖68A是組合MVA(多象限垂直配向)模式和電晶體的情況下的像素的截面圖的示例。具有液晶分子10218的液晶10211在第一基板10201和第二基板10216之間。在第一基板10201上方提供電晶體、像素電極、取向膜等，在第二基板10216上提供擋光膜10214、濾色器10215、相對電極、取向控制凸起10219、取向膜等。另外，在第一基板10201和第二基板10216之間提供分隔件10217。透過將圖68A所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得具有寬視角、高回應速度和高對比度的液晶顯示裝置。
圖68B是組合PVA(垂直取向構型)模式和電晶體的情況下的像素的截面圖的示例。具有液晶分子10248的液晶10241在第一基板10231和第二基板10246之間。在第一基板10231上方提供電晶體、像素電極、取向膜等，在第二基板10246上提供擋光膜10244、濾色器10245、相對電極、取向膜等。應該指出，像素電極包括電極凹槽部分10249。另外，在第一基板10231和第二基板10246之間提供分隔件10247。透過將圖68B所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得具有寬視角、高回應速度和高對比度的液晶顯示裝置。圖69A是組合IPS(共面切換)模式和電晶體的情況下的像素的截面圖的示例。具有液晶分子10318的液晶10311在第一基板10301和第二基板10316之間。在第一基板10301上方提供電晶體、像素電極、取向膜等，在第二基板10316上提供擋光膜10314、濾色器10315、取向膜等。另外，在第一基板10301和第二基板10316之間提供分隔件10317。透過將圖69A所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得理論上具有寬視角的對灰階具有低依賴性的回應速度的液晶顯示裝置。
圖69B是組合FFS(邊緣場切換)模式和電晶體的情況下的像素的截面圖的示例。具有液晶分子10348的液晶10341在第一基板10331和第二基板10346之間。在第一基板10331上方提供電晶體、像素電極、公共電極、取向膜等，在第二基板10346上提供擋光膜10344、濾色器10345、取向膜等。另外，在第一基板10331和第二基板10346之間提供分隔件10347。透過將圖69B所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得理論上具有寬視角的對灰階具有低依賴性的回應速度的液晶顯示裝置。這裏，說明可用於導電層或絕緣膜的材料。作為圖67中的第一絕緣膜10102、圖68A中的第一絕緣膜10202、圖68B中的第一絕緣膜10232、圖69A中的第一絕緣膜10302或圖69B中的第一絕緣膜10332，可使用諸如氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽(SiOx
Ny
)膜的絕緣膜。可選地，可使用具有疊層結構的絕緣膜，在該疊層結構中，組合氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽(SiOx
Ny
)膜等中的兩種或更多種。
作為圖67中的第一導電層10103、圖68A中的第一導電層10203、圖68B中的第一導電層10233、圖69A中的第一導電層10303或圖69B中的第一導電層10333，可使用Mo、Ti、Al、Nd、Cr等。可選地，可使用組合Mo、Ti、Al、Nd、Cr等中的兩種或更多種的疊層結構。作為圖67中的第二絕緣膜10104、圖68A中的第二絕緣膜10204、圖68B中的第二絕緣膜10234、圖69A中的第二絕緣膜10304或圖69B中的第二絕緣膜10334，可使用熱氧化物膜、氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜等。可選地，可使用疊層結構，在該疊層結構中組合熱氧化物膜、氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜等中的兩種或更多種。應該指出，氧化矽膜較佳的在與半導體層接觸的部分中。這是因為：當使用氧化矽膜時，在與半導體層的介面上的陷阱能級降低。還應該指出，氮化矽膜較佳的在與Mo接觸的部分中。這是因為氮化矽膜不會氧化Mo。作為圖67中的第一半導體層10105、圖68A中的第一半導體層10205、圖68B中的第一半導體層10235、圖69A中的第一半導體層10305或圖69B中的第一半導體層10335，可使用矽、矽鍺(SiGe)等。作為圖67中的第二半導體層10106、圖68A中的第二半導體層10206、圖68B中的第二半導體層10236、圖69A中的第二半導體層10306或圖69B中的第二半導體層10336，可使用例如包括磷的矽等。
作為圖67中的第二導電層10107、第三導電層10109和第四導電層10113；圖68A中的第二導電層10207、第三導電層10209和第四導電層10213；圖68B中的第二導電層10237、第三導電層10239和第四導電層10243；圖69A中的第二導電層10307和第三導電層10309；或圖69B中的第二導電層10337、第三導電層10339和第四導電層10343的透光材料，可使用透過將氧化錫與氧化銦混合而形成的氧化銦錫(ITO)膜、透過將氧化矽與氧化銦錫(ITO)混合而形成的氧化銦錫矽(ITSO)膜、透過將氧化鋅與氧化銦混合而形成的氧化銦鋅(IZO)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等。應該指出，IZO為透過使用將2～20wt%的氧化鋅(ZnO)與ITO混合的目標進行濺射而形成的透光傳導材料。作為圖67中的第二導電層10107和第三導電層10109、圖68A中的第二導電層10207和第三導電層10209、圖68B中的第二導電層10237和第三導電層10239、圖69A中的第二導電層10307和第三導電層10309或圖69B中的第二導電層10337、第三導電層10339和第四導電層10343的反射材料，可使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al等。可選地，可使用Al和Ti、Mo、Ta、Cr或W疊加的兩層結構或者Al置於諸如Ti、Mo、Ta、Cr和W的金屬之間的三層結構。作為圖67中的第三絕緣膜10108、圖68A中的第三絕緣膜10208、圖68B中的第三絕緣膜10238、圖68B中的第三導電層10239、圖69A中的第三絕緣膜10308或圖69B中的第三絕緣膜10338和第四絕緣膜10349，可使用無機材料(比如，氧化矽、氮化矽或氧氮化矽)、具有低介電常數的有機化合材料(比如，光敏或非光敏有機樹脂材料)等。可選地，可使用包括矽氧烷的材料。應該指出，矽氧烷為這樣一種材料，在該材料中骨架結構由矽(Si)氧(O)鍵形成。作為取代基，使用至少包括氫的有機組(比如，烷基或芳烴)。可選地，氟代組可用作取代基。此外可選地，至少包括氫的有機組和氟代組可用作取代基。
作為圖67中的第一取向膜10110和第二取向膜10112、圖68A中的第一取向膜10210和第二取向膜10212、圖68B中的第一取向膜10240和第二取向膜10242、圖69A中的第一取向膜10310和第二取向膜10312或圖69B中的第一取向膜10340和第二取向膜10342，可使用諸如聚醯亞胺的高分子化合物。接下來，參考像素的俯視圖(佈局圖)說明組合每種液晶模式和電晶體的情況下的像素結構。應該指出，作為液晶模式，可使用TN(扭曲向列)模式、IPS(平面切換)模式、FFS(邊緣場切換)模式、MVA(多象限垂直配向)模式、PVA(垂直取向構型)模式、ASM(軸對稱排列微胞)模式、OCB(光補償雙折射)模式、FLC(鐵電液晶)模式、AFLC(反鐵電液晶)模式等。
圖70是組合TN模式和電晶體的情況下的像素的俯視圖的示例。透過將圖70所示的像素結構應用到液晶顯示裝置，可以以低成本形成液晶顯示裝置。圖70所示的像素包括掃描線10401、視頻信號線10402、電容器線10403、電晶體10404、像素電極10405和像素電容器10406。圖71A是組合MVA模式和電晶體的情況下的像素的俯視圖的示例。透過將圖71A所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得具有寬視角、高回應速度和高對比度的液晶顯示裝置。圖71A所示的像素包括掃描線10501、視頻信號線10502、電容器線10503、電晶體10504、像素電極10505、像素電容器10506和取向控制凸起10507。圖71B是組合PVA模式和電晶體的情況下的像素的俯視圖的示例。透過將圖71B所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得具有寬視角、高回應速度和高對比度的液晶顯示裝置。
圖71B所示的像素包括掃描線10511、視頻信號線10512、電容器線10513、電晶體10514、像素電極10515、像素電容器10516和電極凹槽部分10517。圖72A是組合IPS模式和電晶體的情況下的像素的俯視圖的示例。透過將圖72A所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得理論上具有寬視角、對灰階具有低依賴性的回應速度的液晶顯示裝置。圖72A所示的像素包括掃描線10601、視頻信號線10602、電容器線10603、電晶體10604和像素電極10605。圖72B是組合FFS模式和電晶體的情況下的像素的俯視圖的示例。透過將圖72B所示的像素結構應用於液晶顯示裝置，可獲得理論上具有寬視角、對灰階具有低依賴性的回應速度的液晶顯示裝置。圖72B所示的像素包括掃描線10611、視頻信號線10612、公共電極10613、電晶體10614和像素電極10615。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式15]在本實施例模式中，說明顯示裝置中的像素的結構和操作。圖73A和圖73B是顯示數位時間比率灰階驅動的示例的時序圖。圖73A中的時序圖顯示這樣一種驅動方法，在該驅動方法中劃分信號寫入像素的信號寫周期(位址周期)和發光周期(維持周期)。一個框周期為完全顯示一個顯示區域的影像的周期。一個框周期包括多個子框周期，一個子框周期包括位址周期和維持周期。位址周期Ta1至Ta4指示用於將信號寫入所有列中的像素的時間，周期Tb1至Tb4指示用於將信號寫入一列中的像素(或一個像素)的時間。維持周期Ts1至Ts4指示用於根據寫入像素的視頻信號保持照明狀態或非照明狀態的時間，將維持周期的長度的比率設置為滿足Ts1:Ts2:Ts3:Ts4=23
:22
:21
:20
=8:4:2:1。根據執行發光的那個維持周期來表達灰階。
這裏，參考圖73B說明第i列的像素。首先，在位址周期Ta1中，像素選擇信號按從第一列的順序輸入到掃描線，並且在位址周期Ta1中的周期Tb1(i)中，選擇第i列的像素。然後，在選擇第i列的像素的同時，視頻信號從信號線輸入到第i列的像素。然後，當視頻信號寫入第i列的像素時，第i列的像素保持該信號，直到再次輸入信號。透過寫入的視頻信號控制第i列的像素在維持周期Ts1中的照明和非照明。類似地，在位址周期Ta2、Ta3和Ta4中，視頻信號輸入到第i列的像素，透過視頻信號控制第i列的像素在維持周期Ts2、Ts3和Ts4中的照明和非照明。然後，在每個子框周期中，寫入這樣的信號的像素變亮，該信號用於在位址周期中不變亮，而當在位址周期結束之後維持周期開始時變亮。
這裏，表述4位元灰階的情況；然而，位元的數量和灰階的數量不限於這些。應該指出，不必按照Ts1、Ts2、Ts3和Ts4的順序執行照明，該順序可以是隨機的，或者可在分為多個周期的周期中執行發光。Ts1、Ts2、Ts3和Ts4的照明時間的比率不必為2的乘冪，該比率可以是相同的長度或者與2的乘冪稍微不同。接下來，說明當不劃分信號寫入像素的信號寫周期(位址周期)和發光周期(維持周期)時的驅動方法。視頻信號的寫操作完成的列中的像素保持該信號，直到另一信號寫入該像素(或者擦除該信號)。資料保持時間為寫操作直到另一信號寫入像素之間的周期。在資料保持時間中，像素根據寫入該像素的視頻信號變亮或不變亮。執行相同的操作，直到最後一列，位址周期結束。然後，操作從資料保持時間結束的列開始順序地繼續進行下一子框周期中的信號寫操作。如上所述，在信號寫操作完成並且資料保持時間開始之後像素立即根據寫入該像素的視頻信號變亮或不變亮的驅動方法的情況下，不能同時將信號輸入到兩列。因此，需要防止位址周期重疊。因此，不能使資料保持時間比位址周期短。結果，變得難以執行高位準灰階顯示。因而，透過提供擦除周期將資料保持時間設置為比位址周期短。圖74A顯示當透過提供擦除周期將資料保持時間設置為比位址周期短時的驅動方法。
這裏，參考圖74B說明第i列的像素。在位址周期Ta1中，可按從第一列開始的順序將像素掃描信號輸入到掃描線，並且選擇像素。然後，在周期Tb1(i)中，在選擇第i列的像素的同時，視頻信號輸入到第i列的像素。然後，當視頻信號寫入第i列的像素時，第i列的像素保持該信號，直到再次輸入信號。透過寫入的視頻信號控制在維持周期Ts1(i)中第i列的像素的變亮和不變亮。也就是說，在視頻信號寫入第i列的寫操作完成之後第i列的像素立即根據寫入該像素的視頻信號而變亮或不變亮。類似地，在位址周期Ta2、Ta3和Ta4中，視頻信號輸入到第i列的像素，透過該視頻信號控制在維持周期Ts2、Ts3和Ts4中第i列的像素的變亮和不變亮。然後，透過擦除操作的開始設置維持周期Ts4(i)的結束。這是因為：無論在擦除時間Te(i)中寫入第i列的像素的視頻信號如何，都強迫像素不變亮。也就是說，當擦除時間Te(i)開始時，第i列的像素的資料保持時間結束。因而，可提供具有高位準灰階、高占空比(一個框周期中變亮周期的比率)的顯示裝置，在該顯示裝置中資料保持時間比位址周期短，不劃分位址周期和維持周期。由於可降低暫態亮度，所以可提高顯示元件的可靠性。
這裏，表述4位元灰階的情況；然而，位元的數量和灰階的數量不限於這些。應該指出，不必按照Ts1、Ts2、Ts3和Ts4的順序執行變亮，該順序可以是隨機的，或者可在分為多個周期的周期中執行發光。Ts1、Ts2、Ts3和Ts4的變亮時間的比率不必為2的乘冪，該比率可以是相同的長度或者與2的乘冪稍微不同。說明可應用數位時間比率灰階驅動的像素的結構和操作。圖75是顯示可應用數位時間比率灰階驅動的像素結構的示例的示圖。像素80300包括開關電晶體80301、驅動電晶體80302、發光元件80304和電容器80303。開關電晶體80301的閘極連接至掃描線80306；開關電晶體80301的第一電極(源極和汲極中的一個)連接至信號線80305；開關電晶體80301的第二電極(源極和汲極中的另一個)連接至驅動電晶體80302的閘極。驅動電晶體80302的閘極透過電容器80303連接至電源線80307；驅動電晶體80302的第一電極連接至電源線80307；驅動電晶體80302的第二電極連接至發光元件80304的第一電極(像素電極)。發光元件80304的第二電極對應於公共電極80308。
將發光元件80304的第二電極(公共電極80308)設置為低電源電位。低電源電位為這樣的電位：基於設置到電源線80307的高電源電位，該電位滿足低電源電位<高電源電位。作為低電源電位，例如，可採用GND、0V等。高電源電位和低電源電位之間的電位差施加到發光元件80304，並且電流供應給發光元件80304。這裏，為了使發光元件80304發光，以這樣的方式設置每個電位，即，高電源電位和低電源電位之間的電位差為正向臨界值電壓或更大。
驅動電晶體80302的閘極電容可用作電容器80303的代替物，從而可省略電容器80303。可在源區、汲區和LDD區與閘極重疊的區域中形成驅動電晶體80302的閘極電容。可選地，可在通道區和閘極之間形成電容。在電壓輸入的電壓驅動方法的情況下，視頻信號輸入到驅動電晶體80302的閘極，從而驅動電晶體80302處於充分導通和截止的兩種狀態中的任一種狀態。也就是說，驅動電晶體80302在線性區操作。輸入使驅動電晶體80302在飽和區操作的視頻信號，從而電流可供應給發光元件80304。當發光元件80304為根據電流確定其亮度的元件時，可抑制由於發光元件80304的劣化而導致的亮度衰減。此外，當視頻信號為類比信號時，與該視頻信號對應的電流可供應給發光元件80304。在這種情況下，可執行類比灰階驅動。說明稱為臨界值電壓補償像素的像素的結構和操作。臨界值電壓補償像素可應用於數位時間灰階驅動和類比灰階驅動。圖76是顯示稱為臨界值電壓補償像素的像素的結構的示例的示圖。
圖76中的像素包括驅動電晶體80600、第一開關80601、第二開關80602、第三開關80603、第一電容器80604、第二電容器80605和發光元件80620。驅動電晶體80600的閘極按這個順序透過第一電容器80604和第一開關80601連接至信號線80611。此外，驅動電晶體80600的閘極透過第二電容器80605連接至電源線80612。驅動電晶體80600的第一電極連接至電源線80612。驅動電晶體80600的第二電極透過第三開關80603連接至發光元件80620的第一電極。此外，驅動電晶體80600的第二電極透過發光元件80620的第一電極連接至驅動電晶體80600的閘極。發光元件80620的第二電極對應於公共電極80621。應該指出，分別透過輸入到第一掃描線80613的信號、輸入到第二掃描線80615的信號和輸入到第三掃描線80614的信號控制第一開關80601、第二開關80602和第三開關80603的開啟/關閉。圖76所示的像素結構不限於此。例如，可將開關、電阻器、電容器、電晶體、邏輯電路等添加到圖76中的像素。例如，第二開關80602可包括P通道電晶體或N通道電晶體，第三開關80603可包括具有與第二開關80602的極性相對的極性的電晶體，第二開關80602和第三開關80603可由相同的掃描線控制。說明稱為電流輸入像素的像素的結構和操作。電流輸入像素可應用於數位灰階驅動和類比灰階驅動。
圖77是顯示稱為電流輸入像素的像素的結構的示例的示圖。圖77中的像素包括驅動電晶體80700、第一開關80701、第二開關80702、第三開關80703、電容器80704和發光元件80730。驅動電晶體80700的閘極按這個順序透過第二開關80702和第一開關80701連接至信號線80711。此外，驅動電晶體80700的閘極透過電容器80704連接至電源線80712。驅動電晶體80700的第一電極連接至電源線80712。驅動電晶體80700的第二電極透過第一開關80701連接至信號線80711。此外，驅動電晶體80700的第二電極透過第三開關80703連接至發光元件80730的第一電極。發光元件80730的第二電極對應於公共電極80731。應該指出，分別透過輸入到第一掃描線80713的信號、輸入到第二掃描線80714的信號和輸入到第三掃描線80715的信號控制第一開關80701、第二開關80702和第三開關80703的開啟/關閉。圖77所示的像素結構不限於此。例如，可將開關、電阻器、電容器、電晶體、邏輯電路等添加到圖77中的像素。例如，第一開關80701可包括P通道電晶體或N通道電晶體，第二開關80702可包括具有與第一開關80701的極性相對的極性的電晶體，第一開關80701和第二開關80702可由相同的掃描線控制。可在驅動電晶體80700的閘極和信號線80711之間提供第二開關80702。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式16]在本實施例模式中，說明顯示裝置的像素結構。具體地講，說明使用有機EL元件的顯示裝置的像素結構。圖78A顯示包括兩個電晶體的像素的俯視圖(佈局圖)的示例。圖78B顯示沿圖78A中的X-X’截取的截面圖的示例。圖78A和圖78B顯示第一電晶體60105、第一佈線60106、第二佈線60107、第二電晶體60108、第三佈線60111、相對電極60112、電容器60113、像素電極60115、間隔壁60116、有機傳導膜60117、有機薄膜60118和基板60119。應該指出，較佳的，第一電晶體60105用作開關電晶體，第二電晶體60108用作驅動電晶體，第一佈線60106用作閘極信號線，第二佈線60107用作源極信號線，第三佈線60111用作電流供應線。第一電晶體60105的閘極電連接至第一佈線60106，第一電晶體60105的源極和汲極中的一個電連接至第二佈線60107，第一電晶體60105的源極和汲極中的另一個電連接至第二電晶體60108的閘極和電容器60113的一個電極。應該指出，第一電晶體60105的閘極包括多個閘極。因此，可減少第一電晶體60105的截止狀態的洩漏電流。
第二電晶體60108的源極和汲極中的一個電連接至第三佈線60111，第二電晶體60108的源極和汲極中的另一個電連接至像素電極60115。因此，可透過第二電晶體60108控制流到像素電極60115的電流。在像素電極60115上方提供有機傳導膜60117，還在像素電極60115上方提供有機薄膜60118(有機化合層)。在有機薄膜60118(有機化合層)上方提供相對電極60112。應該指出，可在所有像素的表面上形成相對電極60112以共同連接至所有像素，或者可使用蔭罩等形成相對電極60112的圖案。從有機薄膜60118(有機化合層)發出的光透射穿過像素電極60115或相對電極60112。在圖78B中，光發射到像素電極側，即，形成電晶體等的一側的情況稱為底部發光，光發射到相對電極側的情況稱為頂部發光。在底部發光的情況下，較佳的，像素電極60115由透光導電膜形成。在頂部發光的情況下，較佳的，相對電極60112由透光導電膜形成。在彩色顯示的發光設備中，可分別形成具有RGB的各發光顏色的EL元件，或者可在整個表面上方均勻地形成具有單種顏色的EL元件，並可透過使用濾色器獲得RGB的發光。
應該指出，圖78A和圖78B所示的結構為示例，與圖78A和圖78B所示的結構一樣，各種結構可用於像素佈局、截面結構、EL元件的電極的疊加順序等。此外，作為發光元件，與附圖中所示的由有機薄膜形成的元件一樣，可使用各種元件，諸如結晶元件和由無機薄膜形成的元件，所述結晶元件諸如LED。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式17]在本實施例模式中，說明EL元件的結構。具體地講，說明有機EL元件的結構。說明混合結EL元件的結構。作為示例，說明這樣的結構(以下稱為混合接面型EL元件)，該結構包括以下層(混合層)，在所述層中，電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料、電子傳輸材料、電子注入材料等中的多種材料混合在一起，該結構不同於疊層結構，在疊層結構中，清楚地區分由電洞注入材料形成的電洞注入層、由電洞傳輸材料形成的電洞傳輸層、由發光材料形成的發光層、由電子傳輸材料形成的電子傳輸層、由電子注入材料形成的電子注入層等。圖79A至圖79E是每個顯示混合接面型EL元件的示意圖。應該指出，插在陽極190101和陰極190102之間的層對應於EL層。在圖79A所示的結構中，EL層包括由電洞傳輸材料形成的電洞傳輸區190103和由電子傳輸材料形成的電子傳輸區190104。電洞傳輸區190103比電子傳輸區190104更接近陽極。在電洞傳輸區190103和電子傳輸區190104之間提供包括電洞傳輸材料和電子傳輸材料的混合區190105。
在從陽極190101至陰極190102的方向上，混合區190105中的電洞傳輸材料的濃度減小，混合區190105中的電子傳輸材料的濃度增加。可自由地設置濃度梯度。例如，在包括電洞傳輸材料和電子傳輸材料，而不包括僅由電洞傳輸材料形成的電洞傳輸層190103的混合區190105中，可改變每種功能材料的濃度的比率(可形成濃度梯度)。可選地，在包括電洞傳輸材料和電子傳輸材料，而不包括僅由電洞傳輸材料形成的電洞傳輸層190103和僅由電子傳輸材料形成的電子傳輸層190104的混合區190105中，可改變每種功能材料的濃度的比率(可形成濃度梯度)。可根據距陽極或陰極的距離來改變濃度的比率。此外，可連續地改變濃度的比率。添加有發光材料的區域190106包括在混合區190105中。可透過發光材料控制EL元件的發光顏色。此外，可透過發光材料捕獲載子。作為發光材料，可使用熒光染料以及具有喹啉骨架、苯並惡唑骨架或苯並噻唑骨架的金屬複合物。可透過添加發光材料來控制EL元件的發光顏色。
作為陽極190101，較佳的使用具有高工作功能的電極材料以有效率地注入電洞。例如，可使用由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、ZnO、SnO2
、In2
O3
等形成的透明電極。當不需要透光屬性時，陽極190101可由不透明的金屬材料形成。作為電洞傳輸材料，可使用芳香胺類化合物等。作為電子傳輸材料，可使用具有作為配合體的喹啉衍生物、8-羥基喹啉或其衍生物(尤其是八羥基喹啉鋁(Alq3
))等的金屬複合物。作為陰極190102，較佳的使用具有低工作功能的電極材料以有效率地注入電子。例如，可單獨使用諸如鋁、銦、鎂、銀、鈣、鋇或鋰。可選地，可使用前述金屬的合金或前述金屬和另一金屬的合金。圖79B是EL元件的結構的示意圖，該結構不同於圖79A的結構。應該指出，用相同的標號表示與圖79A中的部分相同的部分，省略其說明。在圖79B中，不包括添加了發光材料的區域。然而，當具有電子傳輸屬性和發光屬性的材料(電子傳輸的發光材料)時，例如，八羥基喹啉鋁(Alq3
)用作添加到電子傳輸區190104的材料，可執行發光。可選地，作為添加到電洞傳輸區190103的材料，可使用具有電洞傳輸屬性和發光屬性的材料(電洞傳輸的發光材料)。
圖79C是EL元件的結構的示意圖，該結構不同於圖79A和圖79B的結構。應該指出，用相同的標號表示與圖79A和圖79B中的部分相同的部分，省略其說明。在圖79C中，提供包括在混合區190105中的區域190107，區域190107中添加了比電洞傳輸材料的最高佔據分子軌道和最低非佔據分子軌道之間的能量差大的電洞阻擋材料。在混合區190105中，將添加了電洞阻擋材料的區域190107提供得比添加了發光材料的區域190106更接近陰極190102；從而，可提高載子的複合率和發光效率。在利用透過三重態激子發光(磷光)的EL元件中，提供有區域190107的前述結構尤其有效，區域190107中添加了電洞阻擋材料。圖79D是EL元件的結構的示意圖，該結構不同於圖79A至圖79C的結構。應該指出，用相同的標號表示與圖79A至圖79C中的部分相同的部分，省略其說明。在圖79D中，提供包括在混合區190105中的區域190108，區域190108中添加了比電子傳輸材料的最高佔據分子軌道和最低非佔據分子軌道之間的能量差大的電子阻擋材料。在混合區190105中，將添加了電子阻擋材料的區域190108提供得比添加了發光材料的區域190106更接近陽極190101；從而，可提高載子的複合率和發光效率。在利用透過三重態激子發光(磷光)的EL元件中，提供有區域190108的前述結構尤其有效，區域190108添加了電子阻擋材料。
圖79E是混合接面型EL元件的結構的示意圖，該結構不同於圖79A至圖79D的結構。圖79E顯示添加金屬材料的區域190109包括在EL層與EL元件的電極相接觸的一部分中的結構的示例。在圖79E中，用相同的標號表示與圖79A至圖79D中的部分相同的部分，省略其說明。在圖79E中，MgAg(Mg-Ag合金)可用作陰極190102，添加Al(鋁)合金的區域190109可包括在添加電子傳輸材料的電子傳輸區190104的區域中，其例如與陰極190102相接觸。透過前述結構，可防止陰極的氧化，並且可提高從陰極注入電子的效率。因此，可延長混合接面型EL元件的壽命，並且可降低驅動電壓。作為形成前述混合接面型EL元件的方法，可使用共蒸法等。在如圖79A至圖79E所示的混合接面型EL元件中，層之間的清晰介面不存在，並且可減少電荷累積。因而，可延長EL元件的壽命，並且可降低驅動電壓。應該指出，可將圖79A至圖79E所示的結構彼此組合。
混合接面型EL元件的結構不限於上述這些結構，可自由地使用各種結構。形成EL元件的EL層的有機材料可以是低分子材料或高分子材料，可使用這兩種材料。當低分子材料用作有機化合材料時，可透過蒸發法形成膜。當高分子材料用作EL層時，高分子材料溶解在溶劑中，並且可透過旋轉塗層法或噴墨法形成膜。可由中分子材料形成EL層。在該說明書中，中分子有機發光材料表示不具有昇華屬性而具有大約20或更少的聚合度的有機發光材料。當中分子材料用作EL層時，可透過噴墨法等形成膜。可組合使用低分子材料、高分子材料和中分子材料。EL元件可利用透過單態激子的發光(熒光)或透過三重態激子的發光(磷光)。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式18]在本實施例模式中，說明EL元件的結構。具體地講，說明無機EL元件的結構。作為用於發光材料的基本材料，可使用硫化物、氧化物或氮化物。作為硫化物，可使用例如硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y2
S3
)、硫化鎵(Ga2
S3
)、硫化鍶(SrS)、硫化鋇(BaS)等。作為氧化物，可使用例如氧化鋅(ZnO)、氧化釔(Y2
O3
)等。作為氮化物，可使用例如氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)等。此外，可使用硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)等；或者三元混晶，諸如硫化鈣鎵(CaGa2
S4
)、硫化鍶鎵(SrGa2
S4
)或硫化鋇鎵(BaGa2
S4
)。
作為用於定域發光的發光中心，可使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鉺(Er)、銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)等。此外，可添加鹵素元素，諸如氟(F)或氯(Cl)用於電荷補償。另一方面，作為用於給體-受體複合發光的發光中心，可使用包括形成給體能級的第一雜質元素和形成受體能級的第二雜質元素的發光材料。作為第一雜質元素，可使用例如氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)等。作為第二雜質元素，可使用例如銅(Cu)、銀(Ag)等。圖80A至圖80C每個顯示可用作發光元件的薄膜型無機EL元件的示例。在圖80A至圖80C中，發光元件包括第一電極層120100、電致發光層120102和第二電極層120103。圖80B和圖80C中的發光元件每個具有這樣的結構，在該結構中在圖80A中的發光元件中的電極層和電致發光層之間提供絕緣膜。圖80B中的發光元件包括第一電極層120100和電致發光層120102之間的絕緣膜120104。圖80C中的發光元件包括第一電極層120100和電致發光層120102之間的絕緣膜120105和第二電極層102103和電致發光層120102之間的絕緣膜120106。因此，可在電致發光層和插入該電致發光層的電極層中的一個電極層之間提供絕緣膜，或者可在電致發光層和插入該電致發光層的電極層中的每個之間提供絕緣膜。此外，絕緣膜可以是單膜，也可以是包括多層的疊層。
圖81A至圖81C每個顯示可用作發光元件的分散型無機EL元件的示例。圖81A中的發光元件具有第一電極層120200、電致發光層120202和第二電極層120203的疊層結構。電致發光層120202包括黏結劑所有的發光材料120201。圖81B和圖81C中的發光元件每個具有這樣的結構，在該結構中在圖81A中的發光元件中的電極層和電致發光層之間提供絕緣膜。圖81B中的發光元件包括第一電極層120200和電致發光層120202之間的絕緣膜120204。圖81C中的發光元件包括第一電極層120200和電致發光層120202之間的絕緣膜120205以及第二電極層120203和電致發光層120202之間的絕緣膜120206。因此，可在電致發光層和插入該電致發光層的電極層中的一個電極層之間提供絕緣膜，或者可在電致發光層和插入該電致發光層的電極層中的每個之間提供絕緣膜。此外，絕緣膜可以是單層或包括多層的疊層。在圖81B中提供絕緣膜120204與第一電極層120200接觸；然而，透過顛倒絕緣膜和電致發光層的位置，可提供絕緣膜120204與第二電極層120203接觸。
較佳的，可用於絕緣膜，諸如圖80B中的絕緣膜120104和圖81B中的絕緣膜120204的材料具有高耐壓和緻密的膜品質。此外，所述材料較佳的具有高介電常數。例如，可使用氧化矽(SiO2
)、氧化釔(Y2
O3
)、氧化鈦(TiO2
)、氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鉿(HfO2
)、氧化鉭(Ta2
O5
)、鈦酸鋇(BaTiO3
)、鈦酸鍶(SrTiO3
)、鈦酸鉛(PbTiO3
)、氮化矽(Si3
N4
)或氧化鋯(ZrO2
)；或者這些材料的混合膜或包括這些材料中的兩種或更多種的疊層膜。可透過濺射、蒸發、CVD等形成絕緣膜。可選地，可透過將這些絕緣材料的顆粒分散在黏結劑中來形成絕緣膜。可透過使用與其類似的方法使用與包含在電致發光層中的黏結劑的材料類似的材料來形成黏結劑材料。絕緣膜的厚度不特別受限，但是較佳的為10～1000nm。當電壓施加到插入電致發光層的電極層中的一對電極之間時，發光元件可發光。發光元件可用DC驅動或AC驅動操作。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。
類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式19]在本實施例模式中，說明顯示裝置的示例。具體地講，說明對顯示裝置進行光處理的情況。圖82A和圖82B中的背投顯示裝置130100提供有投影機單元130111、鏡130112和螢幕面板130101。背投顯示裝置130100還可提供有揚聲器130102和操作開關130104。在背投顯示裝置130100的機殼130110的較下部分提供投影機單元130111，投影機單元130111投影用於將基於影像信號的影像投影到鏡130112的入射光。背投顯示裝置130100顯示從螢幕面板130101的背面投影的影像。圖83顯示正投影顯示裝置130200。正投影顯示裝置130200提供有投影機單元130111和投影光系統130201。投影光系統130201將影像投影到正面提供的螢幕等。以下，說明應用於圖82A和圖82B中的背投顯示裝置130100和圖83中的正投影顯示裝置130200的投影機單元130111的結構。
圖84顯示投影機單元130111的結構示例。投影機單元130111被提供有光源單元130301和調制單元130304。光源單元130301被提供有包括透鏡的光源光系統130303和光源燈130302。光源燈130302容納在機殼中，從而雜散光不被分散。作為光源燈130302，使用可發射大量光的例如高壓水銀燈或氙氣燈。光源光系統130303適當地被提供有光透鏡、具有偏振光的功能的膜、用於、調整相差的膜、IR膜等。提供光源單元130301，以使入射光入射到調制單元130304上。調制單元130304被提供有多個顯示面板130308、濾色器、二色鏡130305、總反射鏡130306、延遲板130307、棱鏡130309和投影光系統130310。透過二色鏡130305將從光源單元130301發出的光分裂到多個光路中。每個光路被提供有濾色器和顯示面板130308，濾色器透射具有預定波長或波長範圍的光。透射顯示面板130308基於影像信號對透射的光進行調制。透射穿過顯示面板130308的每種顏色的光入射到棱鏡130309上，影像透過投影光系統130310顯示在螢幕上。應該指出，可在鏡和螢幕之間提供菲涅耳透鏡。菲涅耳透鏡將被投影機單元130111投影且被鏡反射的投影光轉換為總體上平行的光以使其投影到螢幕上。主光線和光軸之間的位移較佳的為±10°或更小，更佳的，為±5°或更小。圖85所示的投影機單元130111包括反射顯示面板130407、130408和130409。
圖85中的投影機單元130111包括光源單元130301和調制單元130400。光源單元130301可具有與圖84的結構類似的結構。二色鏡130401和130402以及總反射鏡130403將來自光源單元130301的光分裂到多個光路中以使其入射到偏振分束器130404、130405和130406上。與對應於各顏色的反射顯示面板130407、130408和130409對應地提供偏振分束器130404、130405和130406。反射顯示面板130407、130408和130409基於影像信號對反射的光進行調制。反射顯示面板130407、130408和130409反射的每種顏色的光入射到棱鏡130410上以構成每種顏色的光並穿過投影光系統130411投影每種顏色的光。在從光源單元130301發出的光中，只有紅色波長區域中的光透射穿過二色鏡130401，綠色和藍色波長區域中的光被二色鏡130401反射。此外，只有綠色波長區域中的光被二色鏡130402反射。透射穿過二色鏡130401的紅色波長區域中的光被總反射鏡130403反射並入射到偏振分束器130404上。藍色波長區域中的光入射到偏振分束器130405上。綠色波長區域中的光入射到偏振分束器130406上。偏振分束器130404、130405和130406具有將入射光分裂為P偏振光和S偏振光的功能和僅透射P偏振光的功能。反射顯示面板130407、130408和130409基於影像信號對入射光進行偏振。
只有與每種顏色對應的S偏振光入射到與每種顏色對應的反射顯示面板130407、130408和130409上。應該指出，反射顯示面板130407、130408和130409可以是液晶面板。在這種情況下，液晶面板以電控雙折射(ECB)模式操作。以與基板的某一角度垂直地調整液晶分子的取向。因此，在反射顯示面板130407、130408和130409中，當像素截止時，調整顯示分子的取向而不改變入射光的偏振狀態以反射入射光。當像素導通時，顯示分子的取向改變，入射光的偏振狀態改變。圖85所示的投影機單元130111可應用於圖82A和圖82B中的背投顯示裝置130100和圖83中的正投影顯示裝置130200。圖86A至圖86C每個顯示單面板型投影機單元。圖86A所示的投影機單元130111被提供有光源單元130301、顯示面板130507、投影光系統130511和延遲板130504。投影光系統130511包括一個或多個透鏡。顯示面板130507可被提供有濾色器。圖86B顯示以場順序模式操作的投影機單元130111的結構。場順序模式對應於這樣的模式，在該模式中，不用濾色器，而是透過具有時滯的順序入射到顯示面板上的各種顏色的光，諸如紅、綠和藍的光執行顏色顯示。特別是可透過與對輸入信號的變化具有高速回應的顯示面板組合來顯示較高清晰度的影像。圖86B中的投影機單元130111被提供有旋轉濾色器板130505，旋轉濾色器板130505包括光源單元130301和顯示面板130508之間的多個紅、綠、藍等濾色器。
圖86C顯示作為顏色顯示方法的具有使用微透鏡的分色系統的投影機單元130111的結構。分色系統對應於這樣的系統，在該系統中透過在顯示面板130509的一側提供微透鏡陣列130506來實現顏色顯示，其中，光入射到微透鏡陣列130506上並且每種顏色的光從每個方向發射。由於濾色器，所以採用這種系統的投影機單元130111具有幾乎很少的光損失，從而可有效率地利用來自光源單元130301的光。圖86C中的投影機單元130111被提供有二色鏡130501、130502和130503，從而每種顏色的光從每個方向發射到顯示面板130509。雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式20]在本實施例模式中，說明電子裝置的示例。圖87顯示組合顯示面板900101和電路板900111的顯示面板模組。顯示面板900101包括像素部分900102、掃描線驅動器電路900103和信號線驅動器電路900104。電路板900111被提供有例如控制電路900112、信號驅動電路900113等。顯示面板900101和電路板900111透過連接佈線900114彼此連接。FPC等可用作連接佈線。圖92是顯示電視接收機的主結構的方塊圖。調諧器900201接收影像信號和音頻信號。影像信號放大器電路900202、影像信號處理電路900203和控制電路900212處理影像信號，影像信號處理電路900203將從影像信號放大器電路900202輸出的信號轉換為與紅、綠和藍每種顏色對應的顏色信號，控制電路900212將影像信號轉換為驅動器電路的輸入規格。控制電路900212將信號輸出到掃描線驅動器電路900214和信號線驅動器電路900204中的每個。掃描線驅動器電路900214和信號線驅動器電路900204驅動顯示面板900211。當執行數位驅動時，採用這樣的結構，在該結構中，在信號線側提供信號劃分電路900213，從而將輸入數位信號分為將供應的m個信號(m對應於正整數)。
在調諧器900201接收的信號中，將音頻信號發送到音頻信號放大器電路900205，透過音頻信號處理電路900206將其輸出供應給揚聲器900207。控制電路900208從輸入部分900209接收關於接收站的控制資訊(接收頻率)和音量，並將信號發送到調諧器900201或音頻信號處理電路900206。圖93A顯示不同於圖92的與顯示面板模組合併的電視接收機。在圖93A中，使用顯示面板模組形成合併在機殼900301中的顯示幕幕900302。應該指出，可適當地提供輸入裝置(操作鍵900304、連接端子900305、感測器900306(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器900307)等。
圖93B顯示只有顯示器可無線攜帶的電視接收機。可適當地為電視接收機提供顯示部分900313、揚聲器部分900317、輸入裝置(操作鍵900316、連接端子900318、感測器900319(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器900320)等。電池和信號接收機合併在機殼900312中。電池驅動顯示部分900313、揚聲器部分900317、感測器900319和微音器900320。可透過充電器900310重復地給電池充電。充電器900310可發送和接收影像信號，並可將影像信號發送到顯示器的信號接收機。操作鍵900316控制圖93B中的設備。可選地，圖93B中的設備可透過操作操作鍵900316將信號發送到充電器900310。也就是說，所述設備可以是影像和音頻交互通信設備。此外可選地，透過操作操作鍵900316，圖93B中的設備可將信號發送到充電器900310，使另一電子裝置接收可從充電器900310發送的信號；從而，圖93B中的設備可控制另一電子裝置的通信。也就是說，所述設備可以是通用遙控設備。應該指出，本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者其一部分)可應用於顯示部分900313。接下來，參考圖94說明行動電話的結構示例。
顯示面板900501可分開地合併在機殼900530中。可根據顯示面板900501的大小適當地改變機殼900530的形狀和大小。固定顯示面板900501的機殼900530與印刷佈線板900531一致(fit in)以作為一個模組組裝。顯示面板900501透過FPC 900513連接至印刷佈線板900531。印刷佈線板900531被提供有揚聲器900532、微音器900533、發送/接收電路900534、信號處理電路900535和感測器900541(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)，信號處理電路900535包括CPU、控制器等。組合這樣的模組、操作鍵900536、電池900537和天線900540，並將其容納在機殼900539中。提供顯示面板900501的像素部分以使從在機殼900539中形成的開窗看見該像素部分。
在顯示面板900501中，可透過使用電晶體在同一基板上方形成像素部分和週邊驅動器電路的一部分(多個驅動器電路中具有低操作頻率的驅動器電路)，可在IC晶片上方形成週邊驅動器電路的另一部分(多個驅動器電路中具有高操作頻率的驅動器電路)。然後，可透過COG(晶片被貼裝在玻璃基板上)將IC晶片安裝在顯示面板900501上。可選地，可透過使用TAB(卷帶式自動結合)或印刷佈線板將IC晶片連接至玻璃基板。使用這樣的結構，可減小顯示裝置的功耗，並且可延長行動電話每電荷的操作時間。此外，可實現行動電話的成本的降低。圖94中的行動電話具有各種功能，諸如，但不限於，顯示各種類型的資訊(比如，靜止影像、運動影像和文本影像)的功能；在顯示部分上顯示日曆、日期、時間等的功能；操作或編輯顯示在顯示部分上的資訊的功能；透過各種類型的軟體(程式)控制處理的功能；無線通信的功能；透過使用無線通信功能與另一行動電話、固定電話或音頻通信設備通信的功能；透過使用無線通信功能與各種電腦網路連接的功能；透過使用無線通信功能發送或接收各種類型的資料的功能；根據呼入電話、資料的接收或警報操作振動器的功能；和根據呼入電話、資料的接收或警報生成聲音的功能。
圖95A顯示一種顯示器，該顯示器包括機殼900711、支撐基座900712、顯示部分900713、揚聲器900717、LED燈900719、輸入裝置(連接端子900714、感測器900715(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)、微音器900716和操作鍵900718)等。圖95A所示的顯示器可具有各種功能，諸如，但不限於，在顯示部分上顯示各種類型的資訊(比如，靜止影像、運動影像和文本影像)的功能。圖95B顯示一種相機，該相機包括主體900731、顯示部分900732、快門按鈕900736、揚聲器900740、LED燈900741、輸入裝置(影像接收部分900733、操作鍵900734、外部連接埠900735、連接端子900737、感測器900738(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器900739)等。圖95B中的相機可具有各種功能，諸如，但不限於，拍攝靜止影像或運動影像的功能；自動調整拍攝的影像(靜止影像或運動影像)的功能；將拍攝的影像儲存在記錄媒體(相機外部提供的記錄媒體或者合併在相機中的記錄媒體)中的功能；和在顯示部分上顯示拍攝的影像的功能。
圖95C顯示一種電腦，該電腦包括主體900751、機殼900752、顯示部分900753、揚聲器900760、LED燈900761、讀取器/寫入器900762、輸入裝置(鍵盤900754、外部連接埠900755、點擊設備900756、連接端子900757、感測器900758(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器900759)等。圖95C所示的電腦可具有各種功能，諸如，但不限於，在顯示部分上顯示各種類型的資訊(比如，靜止影像、運動影像和文本影像)的功能；透過各種類型的軟體(程式)控制處理的功能；諸如無線通信或有線通信的通信功能；透過使用通信功能與各種電腦網路連接的功能；和透過使用通信功能發送或接收各種類型的資料的功能。圖102A顯示一種移動電腦，該移動電腦包括主體901411、顯示部分901412、開關901413、揚聲器901419、LED燈901420、輸入裝置(操作鍵901414、紅外線埠901415、連接端子901416、感測器901417(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901418)等。圖102A所示的移動電腦可具有各種功能，諸如，但不限於，在顯示部分上顯示各種類型的資訊(比如，靜止影像、運動影像和文本影像)的功能；在顯示部分上提供的觸摸板功能；在顯示部分上顯示日曆、日期、時間等的功能；透過各種類型的軟體(程式)控制處理的功能；無線通信的功能；透過使用無線通信功能與各種電腦網路連接的功能；和透過使用無線通信功能發送或接收各種類型的資料的功能。
圖102B顯示一種具有記錄媒體(比如，DVD播放器)的攜帶型影像再現設備，該攜帶型影像再現設備包括主體901431、機殼901432、顯示部分A 901433、顯示部分B 901434、揚聲器部分901437、LED燈901441、輸入裝置(記錄媒體(比如，DVD)讀取部分901435、操作鍵901436、連接端子901438、感測器901439(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901440)等。顯示部分A 901433主要顯示影像資訊，顯示部分B901434主要顯示文本資訊。圖102C顯示一種護目鏡型顯示器，該護目鏡型顯示器包括主體901451、顯示部分901452、耳機901453、支撐部分901454、LED燈901459、揚聲器901458、輸入裝置(連接端子901455、感測器901456(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901457)等。圖102C所示的護目鏡型顯示器可具有各種功能，諸如，但不限於，在顯示部分上顯示外部獲得的影像(比如，靜止影像、運動影像和文本影像)的功能。
圖103A顯示一種攜帶型遊戲機，該攜帶型遊戲機包括機殼901511、顯示部分901512、揚聲器部分901513、記錄媒體插入部分901515、LED燈901519、輸入裝置(操作鍵901514、連接端子901516、感測器901517(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901518)等。圖103A所示的攜帶型遊戲機可具有各種功能，諸如，但不限於，讀取儲存在記錄媒體中的程式或資料以顯示在顯示部分上的功能；和透過無線通信與另一攜帶型遊戲機共用資訊的功能。圖103B顯示一種具有電視接收功能的數位相機，該數位相機包括機殼901531、顯示部分901532、揚聲器901534、快門按鈕901535、LED燈901541、輸入裝置(操作鍵901533、影像接收部分901536、天線901537、連接端子901538、感測器901539(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901540)等。圖103B所示的具有電視接收功能的數位相機可具有各種功能，諸如，但不限於，拍攝靜止影像或運動影像的功能；自動調整拍攝的影像的功能；從天線獲得各種類型的資訊的功能；儲存拍攝的影像或從天線獲得的資訊的功能；和在顯示部分上顯示拍攝的影像或從天線獲得的資訊的功能。
圖104顯示一種攜帶型遊戲機，該攜帶型遊戲機包括機殼901611、第一顯示部分901612、第二顯示部分901613、揚聲器部分901604、記錄媒體插入部分901616、LED燈901620、輸入裝置(操作鍵901615、連接端子901617、感測器901418(具有測量功率、位移、位置、速度、加速度、角速度、旋轉數量、距離、光、液體、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振盪、氣味或紅外線的功能)和微音器901619)等。圖104所示的攜帶型遊戲機可具有各種功能，諸如，但不限於，讀取儲存在記錄媒體中的程式或資料以顯示在顯示部分上的功能；和透過無線通信與另一攜帶型遊戲機共用資訊的功能。如圖95A至圖95C、圖102A至圖102C、圖103A至圖103C和圖104所示，電子裝置包括用於顯示一些類型的資訊的顯示部分。
接下來，說明半導體裝置的應用示例。圖96顯示半導體裝置合併在創建物體中的示例。圖96顯示機殼900810、顯示部分900811、作為操作部分的遙控設備900812、揚聲器部分900813等。半導體裝置合併在作為壁掛型的創建物體中，並且可無需大空間地提供該半導體裝置。圖97顯示半導體裝置合併在創建物體中的另一示例。顯示面板900901與預製的浴室900902合併在一起，使用該浴缸的人可觀看顯示面板900901。顯示面板900901具有使用浴缸的人透過操作顯示資訊的功能；和被用作廣告或娛樂裝置的功能。不僅可將半導體裝置提供到如圖97所示的預製浴室900902的側壁上，而且還可將半導體裝置提供到各種地方。例如，可將半導體裝置與鏡的一部分、浴缸自身等合併在一起。此時，可根據鏡或浴缸的形狀改變顯示面板900901的形狀。圖98顯示半導體裝置合併在創建物體中的另一示例。顯示面板901002彎曲並附到圓柱形物體901001的曲面上。這裏，將電線桿說明為圓柱形物體901001。
在比人的視點高的位置提供圖98所示的顯示面板901002。當在戶外在大量豎立在一起的創建物體中提供的顯示面板901002上顯示相同的影像時，可對未定數量的觀看者播放廣告。由於顯示相同的影像並透過外部控制立即切換影像對於顯示面板901102來說是容易的，所以可預期高效的資訊顯示和廣告效果。當提供有自發光顯示元件時，即使在夜晚，顯示面板901002也可被有效地用作高度可視的顯示媒體。當在電線桿中提供顯示面板901002時，可容易地獲得用於顯示面板901002的電源裝置。在諸如災難的緊急情況下，顯示面板901002還可用作用於將正確的資訊快速發送到受災者的裝置。作為顯示面板901002，可使用例如這樣的顯示面板，在該顯示面板中，在膜形基板上方提供開關元件，諸如有機電晶體，並且驅動顯示元件，從而可顯示影像。在本實施例模式中，牆壁、圓柱形物體和預製浴室作為創建物體的示例而顯示；然而，本實施例模式不限於此，各種創建物體可被提供有該半導體裝置。接下來，說明半導體裝置與運動物體合併在一起的示例。圖99顯示半導體裝置與汽車合併在一起的示例。顯示面板901102與汽車體901101合併在一起，它可根據需求顯示汽車體的操作或從汽車體的內部或外部輸入的資訊。應該指出，可提供導航功能。
不僅可如圖99所示將半導體裝置提供到汽車體901101，而且還可將半導體裝置提供到各種地方。例如，可將半導體裝置與玻璃窗戶、門、駕駛盤、換檔桿、座位、後視鏡等合併在一起。此時，可根據提供有半導體裝置的物體的形狀改變顯示面板901102的形狀。圖100A和圖100B顯示半導體裝置與列車合併在一起的示例。圖100A顯示在列車的門901201的玻璃中提供顯示面板901202的示例，由於不需要用於改變廣告的勞動成本，所以與使用紙張的習知廣告相比，該示例具有優勢。由於顯示面板901202可透過外部信號立即切換顯示在顯示部分上的影像，所以當例如列車上的乘客類型改變時，可在每一時間周期中切換顯示面板上的影像；從而，可預期更有效的廣告效果。圖100B顯示與列車中的門901201的玻璃一樣將顯示面板901202提供到玻璃窗901203和天花板901204的示例。以這種方式，可容易地將半導體裝置提供到習知上難以提供半導體裝置的地方；從而，可獲得有效的廣告效果。此外，半導體裝置可透過外部信號立即切換顯示在顯示部分上的影像；從而，可降低用於改變廣告的成本和時間，並且可實現更靈活的廣告管理和資訊傳播。不僅可將半導體裝置提供到如圖100所示的門901021、玻璃窗901203和天花板901204，而且可將半導體裝置提供到各種地方。例如，可將半導體裝置與拉手吊帶、座位、扶手、地面等合併在一起。此時，可根據提供有半導體裝置的物體的形狀改變顯示面板910202的形狀。圖101A和圖101B顯示半導體裝置與客機合併在一起的示例。
圖101A顯示當使用顯示面板901302上時附到客機的座位上方的天花板901301的顯示面板901302的形狀。使用鉸鏈部分901303將顯示面板901302與天花板901301合併在一起，乘客可透過拉緊鉸鏈部分901303觀看顯示面板901302。顯示面板901302具有乘客透過操作顯示資訊的功能和被用作廣告或娛樂裝置的功能。另外，當如圖101B所示鉸鏈部分彎曲並且置於飛機的天花板901301中時，可確保起飛和著陸的安全。應該指出，當顯示面板中的顯示元件在緊急情況下變亮時，顯示面板還可用作資訊傳播裝置和疏散光。不僅可將半導體裝置提供到如圖101A和圖101B所示的天花板901301，而且可將半導體裝置提供到各種地方。例如，可將半導體裝置與座位、附到座位上的桌子、扶手、窗戶等合併在一起。可在飛機的牆壁上提供大量人可觀看的大型顯示面板。此時，可根據提供有半導體裝置的物體的形狀來改變顯示面板901302的形狀。應該指出，在本實施例模式中，列車、汽車和飛機的本體顯示為運動物體；然而，本發明不限於此，可將半導體裝置提供到各種物體，諸如摩托車、四輪駕駛車(包括汽車、公共汽車等)、列車(包括單軌鐵路列車、鐵路列車等)和船。由於半導體裝置可透過外部信號立即切換顯示在運動物體中的顯示面板上的影像，所以運動物體被提供有半導體裝置，從而該運動物體可用作針對未定數量的客戶的廣告顯示板、災難中的資訊顯示板等。
雖然參考各附圖說明了本實施例模式，但是可自由地將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在上述附圖中，可透過將每個部分與另一部分組合來形成甚至更多的附圖。類似地，可自由地將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)應用於另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)，將本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)與另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)組合，或者用另一實施例模式中的附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)替換本實施例模式的每個附圖中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)。此外，在本實施例模式的附圖中，可透過將每個部分與另一實施例模式的部分組合來形成甚至更多的附圖。
應該指出，本實施例模式顯示其他實施例模式中說明的內容(或者可以是該內容的一部分)的實施情況的示例、其少量變換的示例、其部分修改的示例、其改進的示例、其詳細說明的示例、其應用示例、其相關部分的示例等。因此，可自由地將其他實施例模式中說明的內容應用於本實施例模式，將其他實施例模式中說明的內容與本實施例模式組合，或者用本實施例模式替換其他實施例模式中說明的內容。
[實施例模式21]如上所述，以下發明至少包括在該說明書中。液晶顯示裝置包括具有液晶元件的像素和驅動器電路。驅動器電路包括第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體和第八電晶體。第一電晶體的第一電極電連接至第四佈線，第一電晶體的第二電極電連接至第三佈線。第二電晶體的第一電極電連接至第七佈線，第二電晶體的第二電極電連接至第三佈線；第二電晶體的閘極電連接至第五佈線。第三電晶體的第一電極電連接至第六佈線；第三電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第三電晶體的閘極電連接至第四佈線。第四電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第四電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第四電晶體的閘極電連接至第五佈線。第五電晶體的第一電極電連接至第六佈線；第五電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極；第五電晶體的閘極電連接至第一佈線。第六電晶體的第一電極電連接至第七佈線，第六電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極。第七電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第七電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極；第七電晶體的閘極電連接至第二佈線。第八電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第八電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第八電晶體的閘極電連接至第一電晶體的閘極。在上述結構中，可形成第一電晶體以使具有第一電晶體至第八電晶體中的最大W/L值(通道寬度W和通道長度L的比率)。另外，第一電晶體的W/L值可以是第五電晶體的W/L值的2～5倍。此外，第三電晶體的通道長度L可以比第八電晶體的通道長度L長。再者，可在第一電晶體的第二電極和閘極之間提供電容器。而且，第一電晶體至第八電晶體可以是N通道電晶體。可透過使用非晶矽形成第一電晶體至第八電晶體。
液晶顯示裝置包括具有液晶元件的像素、第一驅動器電路和第二驅動器電路。第一驅動器電路包括第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體和第八電晶體。第一電晶體的第一電極電連接至第四佈線，第一電晶體的第二電極電連接至第三佈線。第二電晶體的第一電極電連接至第七佈線，第二電晶體的第二電極電連接至第三佈線；第二電晶體的閘極電連接至第五佈線。第三電晶體的第一電極電連接至第六佈線；第三電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第三電晶體的閘極電連接至第四佈線。第四電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第四電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第四電晶體的閘極電連接至第五佈線。第五電晶體的第一電極電連接至第六佈線；第五電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極；第五電晶體的閘極電連接至第一佈線。第六電晶體的第一電極電連接至第七佈線，第六電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極。第七電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第七電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極；第七電晶體的閘極電連接至第二佈線。第八電晶體的第一電極電連接至第七佈線；第八電晶體的第二電極電連接至第六電晶體的閘極；第八電晶體的閘極電連接至第一電晶體的閘極。第二驅動器電路包括第九電晶體、第十電晶體、第十一電晶體、第十二電晶體、第十三電晶體、第十四電晶體、第十五電晶體和第十六電晶體。第九電晶體的第一電極電連接至第十一佈線，第九電晶體的第二電極電連接至第十佈線。第十電晶體的第一電極電連接至第十四佈線，第十電晶體的第二電極電連接至第十佈線；第十電晶體的閘極電連接至第十二佈線。第十一電晶體的第一電極電連接至第十三佈線；第十一電晶體的第二電極電連接至第十四電晶體的閘極；第十一電晶體的閘極電連接至第十一佈線。第十二電晶體的第一電極電連接至第十四佈線；第十二電晶體的第二電極電連接至第十四電晶體的閘極；第十二電晶體的閘極電連接至第十二佈線。第十三電晶體的第一電極電連接至第十三佈線；第十三電晶體的第二電極電連接至第九電晶體的閘極；第十三電晶體的閘極電連接至第八佈線。第十四電晶體的第一電極電連接至第十四佈線，第十四電晶體的第二電極電連接至第九電晶體的閘極。第十五電晶體的第一電極電連接至第十四佈線；第十五電晶體的第二電極電連接至第九電晶體的閘極；第十五電晶體的閘極電連接至第九佈線。第十六電晶體的第一電極電連接至第十四佈線；第十六電晶體的第二電極電連接至第十四電晶體的閘極；第十六電晶體的閘極電連接至第九電晶體的閘極。
可以電連接第四佈線和第十一佈線；可以電連接第五佈線和第十二佈線；可以電連接第六佈線和第十三佈線；可以電連接第七佈線和第十四佈線。第四佈線和第十一佈線可以是同一佈線；第五佈線和第十二佈線可以是同一佈線；第六佈線和第十三佈線可以是同一佈線；第七佈線和第十四佈線可以是同一佈線。可以電連接第三佈線和第十佈線。第三佈線和第十佈線可以是同一佈線。另外，可形成第一電晶體以使具有第一電晶體至第八電晶體中的最大W/L值(通道寬度W和通道長度L的比率)，並且可形成第九電晶體以使具有第九電晶體至第十六電晶體中的最大W/L值(通道寬度W和通道長度L的比率)。此外，第一電晶體的W/L值可以是第五電晶體的W/L值的2～5倍，第九電晶體的W/L值可以是第十二電晶體的W/L值的2～5倍。再者，第三電晶體的通道長度L可以比第八電晶體的通道長度L長，第十一電晶體的通道長度L可以比第十六電晶體的通道長度L長。而且，可在第一電晶體的第二電極和閘極之間提供電容器，可在第九電晶體的第二電極和閘極之間提供電容器。第一電晶體至第十六電晶體可以是N通道電晶體。第一電晶體至第十六電晶體可使用非晶矽作為半導體層。本實施例模式所示的液晶顯示裝置中的每個與該說明書中說明的液晶顯示裝置對應。因此，獲得與其他實施例模式的操作效果類似的操作效果。
11．．．電晶體
12．．．電晶體
13．．．電晶體
14．．．電晶體
15．．．電晶體
16．．．電晶體
17．．．電晶體
21．．．信號線
22．．．信號線
23．．．佈線
24．．．信號線
25．．．電源線
26．．．電源線
41．．．節點
42．．．節點
101．．．第一電晶體
102．．．第二電晶體
103．．．第三電晶體
104．．．第四電晶體
105．．．第五電晶體
106．．．第六電晶體
107．．．第七電晶體
108．．．第八電晶體
121．．．第一佈線
122．．．第二佈線
123．．．第三佈線
124．．．第四佈線
125．．．第五佈線
126．．．第六佈線
127．．．第七佈線
128．．．第八佈線
129．．．第九佈線
130．．．第十佈線
131．．．第十一佈線
132．．．第十二佈線
133．．．第十三佈線
141．．．節點
142．．．節點
221．．．信號
222．．．信號
223．．．信號
225．．．信號
242．．．電位
227．．．信號
228．．．信號
151．．．電容器
152．．．電晶體
410．．．電阻
501．．．電晶體
511．．．佈線
2901．．．導電層
2902．．．導電層
2951．．．佈線
2952．．．佈線
2903．．．導電層
2904．．．導電層
2905．．．導電層
2906．．．導電層
2907．．．導電層
2908．．．導電層
2909．．．導電層
2910．．．導電層
2911．．．導電層
2912．．．導電層
2913．．．導電層
2914．．．導電層
2915．．．導電層
2916．．．導電層
2953．．．佈線
2954．．．佈線
2955．．．佈線
2956．．．佈線
2957．．．佈線
2958．．．佈線
2959．．．佈線
2960．．．佈線
2961．．．佈線
2962．．．佈線
2981．．．半導體層
2982．．．半導體層
2983．．．半導體層
2984．．．半導體層
2985．．．半導體層
2986．．．半導體層
2987．．．半導體層
2988．．．半導體層
701．．．正反器
717．．．第七佈線
715．．．第五佈線
712．．．第二佈線
713．．．第三佈線
714．．．第四佈線
711．．．第一佈線
716．．．第六佈線
811．．．信號
812．．．信號
813．．．信號
816．．．信號
817．．．數位訊號
1001．．．緩衝器
8000．．．緩衝器
8001a、8001b、8001c．．．反相器
8011．．．佈線
8012．．．佈線
8002a、8002b、8002c．．．反相器
8003a、8003b、8003c．．．反相器
8201．．．第一電晶體
8202．．．第二電晶體
8211．．．第一佈線
8212．．．第二佈線
8213．．．第三佈線
8214．．．第四佈線
8301．．．第一電晶體
8302．．．第二電晶體
8303．．．第三電晶體
8304．．．第四電晶體
8311．．．第一佈線
8312．．．第二佈線
8313．．．第三佈線
8314．．．第四佈線
8315．．．第五佈線
8316．．．第六佈線
8341．．．節點
8401．．．第一電晶體
8402．．．第二電晶體
8403．．．第三電晶體
8404．．．第四電晶體
8411．．．第一佈線
8412．．．第二佈線
8413．．．第三佈線
8414．．．第四佈線
8415．．．第五佈線
8416．．．第六佈線
8417．．．第七佈線
8441．．．節點
8501．．．第一電晶體
8502．．．第二電晶體
8503．．．第三電晶體
8511．．．第一佈線
8512．．．第二佈線
8513．．．第三佈線
8514．．．第四佈線
8515．．．第五佈線
8516．．．第六佈線
8541．．．節點
8601．．．第一電晶體
8602．．．第二電晶體
8603．．．第三電晶體
8604．．．第四電晶體
8611．．．第一佈線
8612．．．第二佈線
8613．．．第三佈線
8614．．．第四佈線
8615．．．第五佈線
8616．．．第六佈線
8641．．．節點
1701．．．信號線驅動器電路
1702．．．掃描線驅動器電路
1703．．．像素
1704．．．像素部份
S1-Sm．．．信號線
G1-Gn．．．掃描線
1705．．．絕緣基板
1902a．．．第一掃描線驅動器電路
1902b．．．第二掃描線驅動器電路
2002a．．．第一掃描線驅動器電路
2002b．．．第二掃描線驅動器電路
2802a．．．第一掃描線驅動器電路
2802b．．．第二掃描線驅動器電路
132．．．第十二佈線
133．．．第十三佈線
134．．．第十四佈線
232．．．信號
2501．．．正反器
135．．．第十五佈線
136．．．第十六佈線
234．．．信號
2511．．．第一佈線
2512．．．第二佈線
2513．．．第三佈線
2514．．．第四佈線
2515．．．第五佈線
2516．．．第六佈線
2517．．．第七佈線
2518．．．第八佈線
2701-2708．．．第一至第八電晶體
2721-2731．．．第一至第十一佈線
2821、2822、2823、2825．．．信號
2741．．．節點
2742．．．節點
2841、2842．．．電位
5601．．．驅動器IC
5602．．．開關組
5611．．．第一佈線
5612．．．第二佈線
5613．．．第三佈線
5621．．．佈線
5603a．．．第一開關
5603b．．．第二開關
5603c．．．第三開關
5703a、5703b、5703c．．．時序
5721．．．信號
5903a．．．第一電晶體
5903b．．．第二電晶體
5903c．．．第三電晶體
5803a、5803b、5803c．．．時序
5821．．．信號
6022．．．開關組
6001．．．第一電晶體
6002．．．第二電晶體
6003．．．第三電晶體
6004．．．第四電晶體
6005．．．第五電晶體
6006．．．第六電晶體
6011．．．第一佈線
6012．．．第二佈線
6013．．．第三佈線
6014．．．第四佈線
6015．．．第五佈線
6016．．．第六佈線
6111．．．佈線
6101．．．電晶體
6112．．．佈線
6102．．．電晶體
6201．．．電晶體
6211．．．佈線
6202．．．電晶體
6401．．．電晶體
6411．．．佈線
6402．．．電晶體
6412．．．佈線
6301a．．．電晶體
6301b．．．電晶體
6302a．．．電晶體
6302b．．．電晶體
110111．．．基板
110112．．．絕緣膜
110113．．．半導體層
110114．．．半導體層
110115．．．半導體層
110116．．．絕緣膜
110117．．．閘極電極
110118．．．絕緣膜
110119．．．絕緣膜
110123．．．導電膜
110101．．．電晶體
110102．．．電晶體
110103．．．電晶體
110104．．．電晶體
110105．．．電晶體
110106．．．電晶體
110121．．．側壁
110501．．．基板
110502．．．第一絕緣膜
110503．．．第一導電膜
110504．．．導電層
110521．．．電容器
110514．．．第二絕緣膜
110510．．．通道形成區塊
110508．．．LDD區域
110509．．．LDD區域
110505．．．雜質區域
110506．．．雜質區域
110507．．．雜質區域
110520．．．電晶體
110511．．．第三絕緣膜
110512．．．第二導電層
110513．．．第二導電層
110201．．．基板
110202．．．第一絕緣膜
110203．．．第一導電層
110204．．．第一導電層
110205．．．第一導電層
110220．．．電晶體
110221．．．電容器
110206．．．第一半導體層
110207．．．第一半導體層
110208．．．半導體層
110209．．．第二絕緣膜
110210．．．第二絕緣膜
110211．．．第二導電層
110212．．．第二導電層
110301．．．基板
110302．．．第一絕緣膜
110303．．．第一導電層
110304．．．第一導電層
110320．．．電晶體
110321．．．電容器
110305．．．第二絕緣膜
110306．．．第一半導體層
110307．．．第二半導體層
110308．．．第三半導體層
110309．．．第二導電層
110310．．．第二導電層
110311．．．第二導電層
110401．．．基板
110402．．．第一絕緣膜
110403．．．第一導電層
110404．．．第一導電層
110405．．．第二絕緣膜
110406．．．第一半導體層
110420．．．電晶體
110412．．．第三絕緣膜
110407．．．第二半導體層
110408．．．第二半導體層
110409．．．第二導電層
110410．．．第二導電層
110411．．．第二導電層
170100．．．基板
170101．．．像素部份
170102．．．像素
170103．．．掃描線輸入端子
170104．．．訊號線輸入端子
170201．．．IC晶片
170200．．．FPC
170105．．．掃描線驅動器電路
170106．．．信號線驅動器電路
30401．．．虛線
30501．．．虛線
30502．．．實線
30101a、30101b．．．輸入影像信號
30104．．．輸出影像信號
30102．．．延遲電路
30103．．．校正電路
30105．．．編碼器
30106．．．記憶體
30107．．．解碼器
30108．．．檢索素
30109．．．LUT
30110．．．加法器
30111．．．減法器
30112．．．乘法器
30113．．．加法器
30201．．．電晶體
30202．．．輔助電容器
30203．．．顯示元件
30204．．．視頻信號線
30205．．．掃描線
30206．．．共用線
30211．．．電晶體
30212．．．輔助電容器
30213．．．顯示元件
30214．．．視頻信號線
30215．．．掃描線
30216．．．第一共用線
30217．．．第二共用線
30301．．．散射板
30302．．．冷陰極熒光燈
30311．．．散射板
30312．．．光源
30600．．．一框周期
30601．．．影像
30602．．．中間影像
30603．．．影像
30604．．．中間影像
30611．．．影像
30612．．．中間影像
30613．．．中間影像
30614．．．影像
20101．．．背光單元
20102．．．散射板
20103．．．光導板
20104．．．反射板
20105．．．燈光反射器
20106．．．光源
20107．．．液晶面板
20201．．．背光單元
20202．．．燈光反射器
20203．．．冷陰極熒光燈
20211．．．背光單元
20212．．．燈光反射器
20213．．．LED
20221．．．背光單元
20222．．．燈光反射器
20223．．．LED
20224．．．LED
20225．．．LED
20231．．．背光單元
20232．．．燈光反射器
20233．．．LED
20234．．．LED
20235．．．LED
20500．．．背光單元
20501．．．散射板
20502．．．光遮罩板
20503．．．燈光反射器
20504．．．光源
20505．．．液晶面板
20300．．．偏光膜
20301．．．保護膜
20302．．．基板膜
20303．．．PVA偏光膜
20304．．．基板膜
20305．．．黏劑層
20306．．．脫模劑膜
20401．．．影像信號
20402．．．控制電路
20403．．．信號線驅動器電路
20404．．．掃描線驅動器電路
20405．．．像素部份
20406．．．照明單元
20407．．．電源
20408．．．驅動器電路部份
20441．．．移位暫存器
20410．．．掃描線
20442．．．位準移位器
20412．．．信號線
20443．．．緩衝器
20431．．．移位暫存器
20432．．．第一鎖存器
20433．．．第二鎖存器
20434．．．位準移位器
20435．．．緩衝器
40100．．．像素
40101．．．電晶體
40102．．．液晶元件
40103．．．電容器
40104．．．佈線
40105．．．佈線
40106．．．佈線
40107．．．相對電極
40110．．．像素
40111．．．電晶體
40112．．．液晶元件
40113．．．電容器
40114．．．佈線
40115．．．佈線
40116．．．佈線
40200．．．像素
40210．．．像素
40201．．．電晶體
40202．．．液晶元件
40203．．．電容器
40204．．．佈線
40207．．．相對電極
40211．．．電晶體
40212．．．液晶元件
40213．．．電容器
40215．．．佈線
40217．．．相對電極
40205．．．佈線
40320．．．像素
40300．．．子像素
40310．．．子像素
40301．．．電晶體
40302．．．液晶元件
40303．．．電容器
40306．．．佈線
40307．．．相對電極
40311．．．電晶體
40312．．．液晶元件
40313．．．電容器
40317．．．相對電極
40304．．．佈線
40305．．．佈線
40315．．．佈線
50100．．．液晶層
50101．．．第一基板
50102．．．第二基板
50103．．．第一偏光板
50104．．．第二偏光板
50105．．．第一電極
50106．．．第二電極
50200．．．液晶層
50201．．．第一基板
50202．．．第二基板
50203．．．第一偏光板
50204．．．第二偏光板
50205．．．第一電極
50206．．．第二電極
50210．．．液晶層
50211．．．第一基板
50212．．．第二基板
50213．．．第一偏光板
50214．．．第二偏光板
50215．．．第一電極
50216．．．第二電極
50217．．．第一投影
50218．．．第二投影
50300．．．液晶層
50301．．．第一基板
50302．．．第二基板
50303．．．第一偏光板
50304．．．第二偏光板
50305．．．第一電極
50306．．．第二電極
50310．．．液晶層
50311．．．第一基板
50312．．．第二基板
50313．．．第一偏光板
50314．．．第二偏光板
50315．．．第一電極
50316．．．第二電極
50400．．．液晶層
50401．．．第一基板
50402．．．第二基板
50403．．．第一偏光板
50404．．．第二偏光板
50405．．．第一電極
50406．．．第二電極
50410．．．液晶層
50411．．．第一基板
50412．．．第二基板
50413．．．第一偏光板
50414．．．第二偏光板
50415．．．第一電極
50416．．．第二電極
50417．．．絕緣膜
10111．．．液晶
10118．．．液晶分子
10101．．．第一基板
10116．．．第二基板
10114．．．光遮罩膜
10115．．．濾色器
10117．．．分隔件
10211．．．液晶
10218．．．液晶分子
10201．．．第一基板
10216．．．第二基板
10214．．．光遮罩膜
10215．．．濾色器
10217．．．分隔件
10219．．．對準控制投影
10241．．．液晶
10248．．．液晶分子
10231．．．第一基板
10246．．．第二基板
10244．．．光遮罩膜
10245．．．濾色器
10247．．．分隔件
10249．．．電極凹口部份
10311．．．液晶
10318．．．液晶分子
10301．．．第一基板
10316．．．第二基板
10314．．．光遮罩膜
10315．．．濾色器
10317．．．分隔件
10341．．．液晶
10348．．．液晶分子
10331．．．第一基板
10346．．．第二基板
10344．．．光遮罩膜
10345．．．濾色器
10347．．．分隔件
10102．．．第一絕緣膜
10202．．．第一絕緣膜
10302．．．第一絕緣膜
10232．．．第一絕緣膜
10332．．．第一絕緣膜
10103．．．第一導電層
10203．．．第一導電層
10233．．．第一導電層
10303．．．第一導電層
10333．．．第一導電層
10104．．．第二絕緣膜
10204．．．第二絕緣膜
10234．．．第二絕緣膜
10304．．．第二絕緣膜
10334．．．第二絕緣膜
10105．．．第一半導體層
10205．．．第一半導體層
10235．．．第一半導體層
10305．．．第一半導體層
10335．．．第一半導體層
10106．．．第二半導體層
10206．．．第二半導體層
10236．．．第二半導體層
10306．．．第二半導體層
10336．．．第二半導體層
10107．．．第二導電層
10109．．．第三導電層
10113．．．第四導電層
10207．．．第二導電層
10209．．．第三導電層
10213．．．第四導電層
10237．．．第二導電層
10239．．．第三導電層
10243．．．第四導電層
10307．．．第二導電層
10329．．．第三導電層
10337．．．第二導電層
10339．．．第三導電層
10343．．．第四導電層
10110．．．第一對準膜
10112．．．第二對準膜
10210．．．第一對準膜
10212．．．第二對準膜
10240．．．第一對準膜
10242．．．第二對準膜
10310．．．第一對準膜
10312．．．第二對準膜
10340．．．第一對準膜
10342．．．第二對準膜
10401．．．掃描線
10402．．．視頻信號線
10403．．．電容器線
10404．．．電晶體
10405．．．像素電極
10406．．．像素電容器
10501．．．掃描線
10502．．．視頻信號線
10503．．．電容器線
10504．．．電晶體
10505．．．像素電極
10506．．．像素電容器
10507．．．投影
10511．．．掃描線
10512．．．視頻信號線
10513．．．電容器線
10514．．．電晶體
10515．．．像素電極
10516．．．像素電容器
10517．．．電極凹口部份
10601．．．掃描線
10602．．．視頻信號線
10603．．．共同電極
10604．．．電晶體
10605．．．像素電極
10611．．．掃描線
10612．．．視頻信號線
10613．．．共同電極
10614．．．電晶體
10615．．．像素電極
80300．．．像素
80301．．．開關電晶體
80302．．．驅動電晶體
80303．．．電容器
80304．．．發光元件
80305．．．信號線
80306．．．掃描線
80307．．．電源線
80308．．．共同電極
80600．．．驅動電晶體
80601．．．第一開關
80602．．．第二開關
80603．．．第三開關
80604．．．第一電容器
80605．．．第二電容器
80620．．．發光元件
80611．．．信號線
80612．．．電源線
80621．．．共同電極
80613．．．第一掃描線
80614．．．第三掃描線
80615．．．第二掃描線
80700．．．驅動電晶體
80701．．．第一開關
80702．．．第二開關
80703．．．第三開關
80704．．．電容器
80730．．．發光元件
80711．．．信號線
80712．．．電源線
80731．．．共同電極
80713．．．第一掃描線
80714．．．第二掃描線
80715．．．第三掃描線
60105．．．第一電晶體
60106．．．第一佈線
60107．．．第二佈線
60108．．．第二電晶體
60111．．．第三佈線
60112．．．相對電極
60113．．．電容器
60115．．．像素電極
60116．．．間隔壁
60117．．．有機導電膜
60118．．．有機薄膜
60119．．．基板
190101．．．陽極
190102．．．陰極
190103．．．電洞傳送區域
190104．．．電子傳送區域
190105．．．混合區域
190106．．．區域
190107．．．區域
190108．．．區域
190109．．．區域
120100．．．第一電極層
120102．．．場致發光層
120103．．．第二電極層
120104．．．絕緣膜
120105．．．絕緣膜
120106．．．絕緣膜
120200．．．第一電極層
120202．．．場致發光層
120203．．．第二電極層
120201．．．發光材料
120204．．．絕緣膜
120205．．．絕緣膜
120206．．．絕緣膜
130100．．．後投影顯示裝置
130111．．．投影器單元
130112．．．鏡面
130101．．．螢幕面板
130102．．．揚聲器
130104．．．操作開關
130110．．．外殼
130200．．．前投影顯示裝置
130201．．．投影光學系統
130301．．．光源單元
130304．．．調制單元
130303．．．光源光學系統
130302．．．光源燈
130308．．．顯示面板
130305．．．分色鏡
130306．．．全反射鏡
130307．．．延遲板
130309．．．棱鏡
130310．．．投影光學系統
130401．．．分色鏡
130402．．．分色鏡
130403．．．全反射鏡
130404．．．偏振分束器
130405．．．偏振分束器
130406．．．偏振分束器
130407．．．反射顯示板
130408．．．反射顯示板
130409．．．反射顯示板
130410．．．棱鏡
130411．．．投影光學系統
130507．．．顯示面板
130511．．．投影光學系統
130504．．．延遲板
130508．．．顯示面板
130506．．．微透鏡陣列
130509．．．顯示面板
130501．．．分色鏡
130502．．．分色鏡
130503．．．分色鏡
900101．．．顯示面板
900111．．．電路板
900102．．．像素部份
900103．．．掃描線驅動器電路
900104．．．信號線驅動器電路
900112．．．控制電路
900113．．．信號分割電路
900114．．．連接佈線
900201．．．調諧器
900202．．．視頻信號放大器電路
900203．．．視頻信號處理電路
900212．．．控制電路
900214．．．掃描線驅動器電路
900204．．．信號線驅動器電路
900211．．．顯示面板
900205．．．音頻信號放大器電路
900206．．．音頻信號處理電路
900207．．．揚聲器
900208．．．控制電路
900301．．．外殼
900302．．．顯示螢幕
900303．．．揚聲器
900304．．．操作鍵
900305．．．連接端子
900306．．．感測器
900307．．．微音器
900313．．．顯示部份
900317．．．揚聲器部份
900316．．．操作鍵
900318．．．連接端子
900319．．．感測器
900320．．．微音器
900312．．．外殼
900310．．．充電器
900501．．．顯示面板
900530．．．外殼
900531．．．印刷佈線板
900513．．．FPC
900532．．．揚聲器
900533．．．微音器
900534．．．發射/接收電路
900535．．．信號處理電路
900541．．．感測器
900536．．．操作鍵
900537．．．電池
900540．．．天線
900539．．．外殼
900711．．．外殼
900712．．．支撐基部
900713．．．顯示部份
900714．．．連接端子
900715．．．感測器
900716．．．微音器
900717．．．揚聲器
900718．．．操作鍵
900719．．．LED燈
900731．．．主體
900732．．．顯示部份
900736．．．快門按鈕
900740．．．揚聲器
900741．．．LED燈
900733．．．影像接收部份
900734．．．操作鍵
900735．．．外部連接埠
900737．．．連接端子
900738．．．感測器
900739．．．微音器
900751．．．主體
900752．．．外殼
900753．．．顯示部份
900754．．．鍵盤
900755．．．外部連接埠
900756．．．指標裝置
900757．．．連接端子
900758．．．感測器
900759．．．微音器
900760．．．揚聲器
900761．．．LED燈
900762．．．讀/寫器
901411．．．主體
901412．．．顯示部份
901413．．．開關
901414．．．操作鍵
901415．．．紅外線埠
901416．．．連接端子
901417．．．感測器
901418．．．微音器
901419．．．揚聲器
901420．．．LED燈
901431．．．主體
901432．．．外殼
901433．．．顯示部份A
901434．．．顯示部份B
901435．．．輸入裝置讀取部份
901436．．．操作鍵
901437．．．揚聲器部份
901438．．．連接端子
901439．．．感測器
901451．．．主體
901452．．．顯示部份
901453．．．耳機
901454．．．支撐部份
901455．．．連接端子
901456．．．感測器
901457．．．微音器
901458．．．揚聲器
901459．．．LED燈
901511．．．外殼
901512．．．顯示部份
901513．．．揚聲器部份
901515．．．記錄媒體插入部份
901514．．．輸入裝置
901516．．．連接端子
901517．．．感測器
901518．．．微音器
901519．．．LED燈
901531．．．外殼
901532．．．顯示部份
901533．．．輸入裝置
901534．．．揚聲器
901535．．．快門按鈕
901536．．．影像接收部份
901537．．．天線
901538．．．連接端子
901539．．．感測器
901540．．．微音器
901611．．．外殼
901612．．．第一顯示部份
901613．．．第二顯示部份
901614．．．揚聲器部份
901615．．．操作鍵
901616．．．記錄媒體插入部份
901617．．．連接端子
901618．．．感測器
901619．．．微音器
901810．．．外殼
901811．．．顯示部份
901812．．．遙控裝置
901813．．．揚聲器部份
901901．．．顯示面板
901902．．．預製的浴缸
901002．．．顯示面板
901001．．．柱形物體
901102．．．顯示面板
901202．．．顯示面板
901201．．．門
901203．．．玻璃窗
901204．．．天花板
901301．．．天花板
901302．．．顯示面板
901303．．．鉸鏈部份
901．．．電晶體
1011．．．電晶體
1021．．．電晶體
1022．．．二極體連接的電晶體
1023．．．二極體連接的電晶體
1024．．．二極體連接的電晶體
707．．．第七佈線
706．．．第六佈線
705．．．第五佈線
708．．．第八佈線
709．．．第九佈線
710．．．第十佈線
703．．．第三佈線
1101．．．正反器
1117．．．第七佈線
1111．．．第一佈線
1112．．．第二佈線
1113．．．第三佈線
1114．．．第四佈線
1115．．．第五佈線
1116．．．第六佈線
1211．．．信號
1212．．．信號
1213．．．信號
1216．．．信號
1401．．．緩衝器
2221．．．信號
2225．．．信號
2228．．．信號
2227．．．信號
2222．．．信號
2223．．．信號
2401．．．正反器
2420．．．第十佈線
2412．．．第二佈線
2413．．．第三佈線
2414．．．第四佈線
2415．．．第五佈線
2416．．．第六佈線
2417．．．第七佈線
2418．．．第八佈線
2419．．．第九佈線
2411．．．第一佈線
4201．．．正反器
4211．．．第一佈線
4212．．．第二佈線
4213．．．第三佈線
4214．．．第四佈線
4215．．．第五佈線
4216．．．第六佈線
4217．．．第七佈線
4218．．．第八佈線
4401．．．第一電晶體
4402．．．第二電晶體
4403．．．第三電晶體
4404．．．第四電晶體
4405．．．第五電晶體
4406．．．第六電晶體
4407．．．第七電晶體
4408．．．第八電晶體
4421．．．第一佈線
4422．．．第二佈線
4423．．．第三佈線
4424．．．第四佈線
4425．．．第五佈線
4426．．．第六佈線
4427．．．第七佈線
4428．．．第八佈線
4429．．．第九佈線
4430．．．第十佈線
4431．．．第十一佈線
4432．．．第十二佈線
4433．．．第十三佈線
4441．．．節點
4442．．．節點
在附圖中：
圖1A至圖1C是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖2是顯示圖1A至圖1C所示的正反器的操作的時序圖；
圖3A至圖3C是每個顯示圖1A至1C所示的正反器的操作的示圖；
圖4A和圖4B是每個顯示圖1A至1C所示的正反器的操作的示圖；
圖5A至圖5C是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖6是顯示實施例模式1所示的正反器的操作的時序圖；
圖7A和圖7B是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖8A和圖8B是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖9A和圖9B是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖10A和圖10B是每個顯示實施例模式1所示的正反器的結構的示圖；
圖11是顯示實施例模式1所示的移位暫存器的結構的示圖；
圖12是顯示圖11所示的移位暫存器的操作的時序圖；
圖13是顯示圖11所示的移位暫存器的操作的時序圖；
圖14是顯示實施例模式1所示的移位暫存器的結構的示圖；
圖15A至圖15D是每個顯示圖14所示的緩衝器的結構的示圖；
圖16A至圖16C是每個顯示圖14所示的緩衝器的結構的示圖；
圖17是顯示實施例模式1所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖18是顯示圖17所示的顯示裝置的寫操作的時序圖；
圖19是顯示實施例模式1所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖20是顯示實施例模式1所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖21是顯示圖20所示的顯示裝置的寫操作的時序圖；
圖22是顯示實施例模式2所示的正反器的操作的時序圖；
圖23是顯示實施例模式2所示的正反器的操作的時序圖；
圖24是顯示實施例模式2所示的移位暫存器的結構的示圖；
圖25是顯示圖24所示的移位暫存器的操作的時序圖；
圖26是顯示圖24所示的移位暫存器的操作的時序圖；
圖27是顯示實施例模式2所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖28是顯示實施例模式2所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖29是圖7A中的正反器的俯視圖；
圖30A和圖30B是每個顯示習知的正反器的結構的示圖；
圖31是顯示實施例模式5所示的信號線驅動器電路的結構的示圖；
圖32是顯示圖31所示的信號線驅動器電路的操作的時序圖；
圖33是顯示實施例模式5所示的信號線驅動器電路的結構的示圖；
圖34是顯示圖33所示的信號線驅動器電路的操作的時序圖；
圖35是顯示實施例模式5所示的信號線驅動器電路的結構的示圖；
圖36A至圖36C是每個顯示實施例模式6所示的保護二極體的結構的示圖；
圖37A和圖37B是每個顯示實施例模式6所示的保護二極體的結構的示圖；
圖38A至圖38C是每個顯示實施例模式6所示的保護二極體的結構的示圖；
圖39A至圖39C是每個顯示實施例模式7所示的顯示裝置的結構的示圖；
圖40是顯示實施例模式3所示的正反器的結構的示圖；
圖41是顯示圖40所示的正反器的操作的時序圖；
圖42是顯示實施例模式3所示的移位暫存器的結構的示圖；
圖43是顯示圖42所示的移位暫存器的操作的時序圖；
圖44是顯示實施例模式4所示的正反器的結構的示圖；
圖45是顯示圖44所示的正反器的操作的時序圖；
圖46A至圖46G是顯示用於形成根據本發明的半導體裝置的過程的截面圖；
圖47是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的截面圖；
圖48是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的截面圖；
圖49是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的截面圖；
圖50是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的截面圖；
圖51A至圖51C是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的圖表；
圖52A至圖52C是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的圖表；
圖53A至圖53C是每個顯示根據本發明的半導體裝置的顯示裝置的結構的示圖；
圖54A和圖54B是每個顯示根據本發明的半導體裝置的週邊電路的結構的示圖；
圖55是顯示根據本發明的半導體裝置的週邊元件的截面圖；
圖56A至圖56D是每個顯示根據本發明的半導體裝置的週邊元件的示圖；
圖57是顯示根據本發明的半導體裝置的週邊元件的截面圖；
圖58A至圖58C是每個顯示根據本發明的半導體裝置的週邊電路的結構的示圖；
圖59是顯示根據本發明的半導體裝置的週邊元件的截面圖；
圖60A和圖60B是每個顯示根據本發明的半導體裝置的面板電路的結構的示圖；
圖61是顯示根據本發明的半導體裝置的面板電路的結構的示圖；
圖62是顯示根據本發明的半導體裝置的面板電路的結構的示圖；
圖63A和圖63B是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖64A至圖64D是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖65A至圖65D是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖66A至圖66D是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖67是根據本發明的半導體裝置的像素的俯視圖；
圖68A和圖68B是根據本發明的半導體裝置的像素的俯視圖；
圖69A和圖69B是根據本發明的半導體裝置的像素的俯視圖；
圖70是根據本發明的半導體裝置的像素佈局的示例；
圖71A和圖71B是根據本發明的半導體裝置的像素佈局的示例；
圖72A和圖72B是根據本發明的半導體裝置的像素佈局的示例；
圖73A和圖73B是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的時序圖；
圖74A和圖74B是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的時序圖；
圖75是顯示根據本發明的半導體裝置的像素的結構的示圖；
圖76是顯示根據本發明的半導體裝置的像素的結構的示圖；
圖77是顯示根據本發明的半導體裝置的像素的結構的示圖；
圖78A和圖78B是根據本發明的半導體裝置的像素佈局的示例及其截面圖；
圖79A至圖79E是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖80A至圖80C是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖81A至圖81C是根據本發明的半導體裝置的顯示元件的截面圖；
圖82是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖83是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖84是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖85是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖86A至圖86C是每個顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖87是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖88A至圖88E是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的示圖；
圖89A和圖89B是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的示圖；
圖90A至圖90C是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的視圖和圖表；
圖91A和圖91B是每個顯示用於驅動根據本發明的半導體裝置的方法的視圖；
圖92是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的示圖；
圖93A和圖93B是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖94是顯示根據本發明的半導體裝置的結構的視圖；
圖95A至圖95C是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖96是顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖97是顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖98是顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖99是顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖100A和圖100B是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖101A和圖101B是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖102A至圖102C是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；
圖103A和圖103B是每個顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖；和
圖104是顯示使用根據本發明的半導體裝置的電子裝置的視圖。
101．．．第一電晶體
102．．．第二電晶體
103．．．第三電晶體
104．．．第四電晶體
105．．．第五電晶體
106．．．第六電晶體
107．．．第七電晶體
108．．．第八電晶體
121．．．第一佈線
122．．．第二佈線
123．．．第三佈線
124．．．第四佈線
125．．．第五佈線
126．．．第六佈線
127．．．第七佈線
128．．．第八佈線
129．．．第九佈線
130．．．第十佈線
131．．．第十一佈線
132．．．第十二佈線
133．．．第十三佈線
141．．．節點
142．．．節點
Claims (13)
- 一種半導體裝置，包含：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；第五電晶體；第六電晶體；第七電晶體；以及第八電晶體，其中該第一電晶體的源極和汲極之一電連接至該第二電晶體的源極和汲極之一，其中該第三電晶體的源極和汲極之一電連接至該第四電晶體的源極和汲極之一，其中該第四電晶體的閘極電連接至該第二電晶體的閘極，其中該第五電晶體的源極和汲極之一電連接至該第一電晶體的閘極，其中該第六電晶體的源極和汲極之一電連接至該第一電晶體的閘極，其中該第六電晶體的閘極電連接至該第三電晶體的源極和汲極之該一，其中該第七電晶體的源極和汲極之一電連接至該第一電晶體的閘極，其中該第八電晶體的源極和汲極之一電連接至該第三電晶體的源極和汲極之該一，其中該第八電晶體的閘極電連接至該第一電晶體的閘極，其中該第二電晶體的源極和汲極之另一個電連接至第一佈線，其中該第四電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第一佈線，其中該第六電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第一佈線，其中該第七電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第一佈線，其中該第八電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第一佈線，其中該第一電晶體的源極和汲極之另一個電連接至第二佈線，其中該第五電晶體的源極和汲極之另一個電連接至第三佈線，以及其中該第三電晶體的閘極電連接至該第二佈線。
- 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該第三電晶體的閘極直接連接至該第二佈線。
- 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，進一步包含第九電晶體，其中該第九電晶體的源極和汲極之一電連接至該第三電晶體的閘極，其中該第九電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第二佈線，以及其中該第九電晶體的閘極電連接至該第九電晶體的源極和汲極之該另一個。
- 如申請專利範圍第3項的半導體裝置，進一步包含第十電晶體，其中該第十電晶體的閘極電連接至該第三電晶體的源極和汲極之該一，以及其中該第十電晶體的源極和汲極之一電連接至該第一佈線。
- 如申請專利範圍第4項的半導體裝置，其中該第十電晶體的閘極電連接至該第十電晶體的源極和汲極之另一個。
- 如申請專利範圍第3項的半導體裝置，其中該第三電晶體的閘極電連接至該第三電晶體的源極和汲極之該一。
- 如申請專利範圍第3項的半導體裝置，其中該第四電晶體的閘極電連接至該第四電晶體的源極和汲極之該另一個。
- 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該第三電晶體的源極和汲極之另一個電連接至該第三佈線。
- 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該第五電晶體的閘極電連接至該第五電晶體的源極和汲極之該另一個。
- 如申請專利範圍第1項的半導體裝置，其中該第二電晶體包含通道區，該通道區包含氧化物半導體。
- 如申請專利範圍第10項的半導體裝置，其中該氧化物半導體包含In和Zn。
- 如申請專利範圍第11項的半導體裝置，其中該氧化物半導體包含InGaZnO。
- 如申請專利範圍第12項的半導體裝置，其中該氧化物半導體包含a-InGaZnO。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108172177A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-15 | 三星显示有限公司 | 数据驱动器 |
Families Citing this family (171)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4785271B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子機器 |
| US7327169B2 (en) * | 2002-09-25 | 2008-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Clocked inverter, NAND, NOR and shift register |
| TWI417844B (zh) * | 2005-07-27 | 2013-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置，和其驅動方法和電子裝置 |
| US8330492B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| TW202429692A (zh) | 2006-09-29 | 2024-07-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP4932415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
| KR101496150B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
| JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2010029865A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| CN102881696A (zh) * | 2008-09-19 | 2013-01-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| JP5525224B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2010038819A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
| KR102251817B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2021-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
| JPWO2010050262A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路および表示装置ならびにシフトレジスタ回路の駆動方法 |
| KR100958023B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2010-05-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 |
| TWI574423B (zh) * | 2008-11-07 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101671660B1 (ko) | 2008-11-21 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기 |
| CN101739929B (zh) * | 2008-11-24 | 2013-11-27 | 群创光电股份有限公司 | 面板的扫描驱动电路及其方法 |
| CN104103242B (zh) | 2008-11-28 | 2016-09-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件以及包含显示器件的电子器件 |
| TWI613489B (zh) | 2008-12-03 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| TWI399605B (zh) * | 2008-12-16 | 2013-06-21 | Century Display Shenxhen Co | Active matrix liquid crystal display panel |
| KR101536218B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2015-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로, 이를 갖는 표시 장치 및 이 게이트 구동회로의 제조 방법 |
| TWI654689B (zh) | 2008-12-26 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI402814B (zh) * | 2009-01-16 | 2013-07-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 可抑制臨界電壓漂移之閘極驅動電路 |
| TWI485687B (zh) | 2009-01-16 | 2015-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置及其電子裝置 |
| US9741309B2 (en) * | 2009-01-22 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device including first to fourth switches |
| JP5484109B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2014-05-07 | 三菱電機株式会社 | 電気光学装置 |
| US8330702B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, display device, and electronic device |
| EP2234100B1 (en) * | 2009-03-26 | 2016-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8872751B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same |
| TWI617029B (zh) * | 2009-03-27 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2010116558A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | シャープ株式会社 | 光センサ回路および表示装置ならびに光センサ回路の駆動方法 |
| TWI424241B (zh) * | 2009-04-07 | 2014-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 粒子顯示器之顯示三色之畫素驅動結構之顯色方法 |
| EP2422237A4 (en) * | 2009-04-21 | 2012-10-17 | Lg Electronics Inc | LIGHT EMITTING DEVICE |
| JP5751762B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| JP5208277B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2013-06-12 | シャープ株式会社 | 走査信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置 |
| WO2011010546A1 (en) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI582951B (zh) * | 2009-08-07 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置 |
| TWI642043B (zh) | 2009-09-10 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和顯示裝置 |
| KR101700470B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2017-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
| EP2478563B1 (en) * | 2009-09-16 | 2021-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing a samesemiconductor device |
| US9715845B2 (en) * | 2009-09-16 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| CN102024410B (zh) * | 2009-09-16 | 2014-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电子设备 |
| KR101740943B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US9171640B2 (en) * | 2009-10-09 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and display device |
| KR101711236B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2017-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102689629B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2024-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101801959B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기 |
| CN102484471B (zh) * | 2009-10-30 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备 |
| SG188112A1 (en) * | 2009-10-30 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
| KR20230174763A (ko) * | 2009-11-13 | 2023-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
| KR102333270B1 (ko) | 2009-12-04 | 2021-12-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2011070929A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| KR102067919B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2020-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
| TWI423235B (zh) * | 2010-01-29 | 2014-01-11 | Innolux Corp | 液晶顯示裝置及其驅動方法 |
| KR101299256B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2013-08-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
| WO2011096153A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20230145240A (ko) * | 2010-02-18 | 2023-10-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102386149B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2022-04-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101706292B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2017-02-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
| WO2011108343A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| DE112011100841B4 (de) | 2010-03-08 | 2021-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung |
| WO2011114569A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、および表示装置 |
| US9891102B2 (en) * | 2010-04-22 | 2018-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Simplified light sensing circuit, light sensing apparatus including the light sensing circuit, method of driving the light sensing apparatus, and image acquisition apparatus and optical touch screen apparatus including the light sensing apparatus |
| KR20230173747A (ko) | 2010-05-21 | 2023-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
| US20120001179A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI541782B (zh) | 2010-07-02 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| WO2012008079A1 (ja) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびシフトレジスタ |
| KR101760102B1 (ko) | 2010-07-19 | 2017-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법 |
| CN103069717B (zh) | 2010-08-06 | 2018-01-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
| US8854220B1 (en) * | 2010-08-30 | 2014-10-07 | Exelis, Inc. | Indicating desiccant in night vision goggles |
| JP5839896B2 (ja) | 2010-09-09 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN102467891B (zh) * | 2010-10-29 | 2013-10-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元、栅极驱动装置及液晶显示器 |
| KR101944465B1 (ko) * | 2011-01-06 | 2019-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 제어선 구동부 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
| KR101972463B1 (ko) | 2011-02-18 | 2019-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP5933897B2 (ja) | 2011-03-18 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8686486B2 (en) * | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
| US9513522B2 (en) * | 2011-04-07 | 2016-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device including same |
| WO2012147657A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置、アクティブマトリクス基板、及び表示装置 |
| CN107195266B (zh) * | 2011-05-13 | 2021-02-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| KR101952570B1 (ko) | 2011-05-13 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| CN103534950B (zh) * | 2011-05-16 | 2017-07-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑装置 |
| TW202412006A (zh) | 2011-08-29 | 2024-03-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US8736315B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10014068B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI451393B (zh) * | 2011-10-14 | 2014-09-01 | Sitronix Technology Corp | A driving method of a liquid crystal display device and a driving circuit thereof |
| TWI527007B (zh) * | 2011-11-25 | 2016-03-21 | 元太科技工業股份有限公司 | 驅動電路 |
| DE112012004996T5 (de) * | 2011-11-30 | 2014-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
| CN102646401B (zh) * | 2011-12-30 | 2013-10-16 | 北京京东方光电科技有限公司 | 移位寄存器、goa面板及栅极驱动方法 |
| JP5312621B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| KR101396942B1 (ko) | 2012-03-21 | 2014-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 구동부 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
| TWI457909B (zh) | 2012-05-29 | 2014-10-21 | Sitronix Technology Corp | Scan the drive circuit |
| US9742378B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit and semiconductor device |
| TWI600022B (zh) * | 2012-07-20 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置 |
| JP2014041344A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の駆動方法 |
| DE102013217278B4 (de) | 2012-09-12 | 2017-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung |
| CN102903323B (zh) * | 2012-10-10 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件 |
| KR101983230B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2019-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR102032962B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2019-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| CN102981339B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、3d显示装置及其驱动方法 |
| KR101984955B1 (ko) * | 2013-01-16 | 2019-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 화소 회로 및 유기 발광 표시 장치 |
| CN104395821B (zh) * | 2013-02-19 | 2017-11-14 | 堺显示器制品株式会社 | 显示装置 |
| KR102059561B1 (ko) * | 2013-04-08 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
| JP6475424B2 (ja) | 2013-06-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI478132B (zh) * | 2013-06-14 | 2015-03-21 | Au Optronics Corp | 閘極驅動電路 |
| TWI483241B (zh) * | 2013-06-21 | 2015-05-01 | Himax Tech Ltd | 顯示器之共極電壓調整電路 |
| US9424950B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9583063B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| TWI741298B (zh) * | 2013-10-10 | 2021-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP5752216B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-07-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US9806098B2 (en) * | 2013-12-10 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| CN103728746B (zh) * | 2013-12-31 | 2016-10-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板的显示方法、驱动装置及液晶显示装置 |
| TWI693606B (zh) * | 2014-02-21 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
| JP5809722B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2015-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| CN103905032B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-09-14 | 宁波大学 | 一种碳纳米场效应晶体管编码器 |
| CN103943081A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器、其制作方法、栅线集成驱动电路及相关装置 |
| US10199006B2 (en) * | 2014-04-24 | 2019-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
| KR102230370B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2021-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| JP6521794B2 (ja) | 2014-09-03 | 2019-05-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
| US9450581B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
| KR102287194B1 (ko) | 2015-03-30 | 2021-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN104900676B (zh) * | 2015-04-29 | 2018-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| US9496299B1 (en) * | 2015-05-01 | 2016-11-15 | Sensors Unlimited, Inc. | Layout for routing common signals to integrating imaging pixels |
| CN104882105B (zh) * | 2015-05-28 | 2017-05-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶驱动电路及液晶显示装置 |
| JP6830765B2 (ja) | 2015-06-08 | 2021-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10657917B2 (en) * | 2015-10-19 | 2020-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register and display device including same |
| US10033361B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Level-shift circuit, driver IC, and electronic device |
| KR102560314B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2023-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스캔 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102481785B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2022-12-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP6665536B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2020-03-13 | 株式会社リコー | 酸化物半導体 |
| CN205621414U (zh) * | 2016-04-26 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电电路、阵列基板和显示装置 |
| CN109314133B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-04-29 | 英特尔公司 | 具有后道晶体管的集成电路管芯 |
| KR102664308B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2024-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 |
| US10777587B2 (en) * | 2016-09-02 | 2020-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device provided with active matrix substrate |
| KR102709910B1 (ko) | 2016-12-07 | 2024-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| KR20180082692A (ko) | 2017-01-10 | 2018-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
| US10796642B2 (en) * | 2017-01-11 | 2020-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| JP6827214B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-02-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 照明システム、及び、昼行性家禽類の飼育方法 |
| US10866471B2 (en) * | 2017-02-23 | 2020-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Drive circuit, matrix substrate, and display device |
| JP6397964B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | シフトレジスタ及び半導体装置 |
| JP6419900B2 (ja) * | 2017-06-20 | 2018-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US10366654B2 (en) | 2017-08-24 | 2019-07-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED pixel circuit and method for retarding aging of OLED device |
| CN107507568B (zh) * | 2017-08-24 | 2019-08-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled像素电路及减缓oled器件老化的方法 |
| CN108198586B (zh) | 2018-01-18 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器电路及其驱动方法、栅极驱动器和显示面板 |
| CN111656530A (zh) * | 2018-01-24 | 2020-09-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| WO2019198181A1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN110911382B (zh) * | 2018-09-14 | 2021-06-25 | 群创光电股份有限公司 | 天线装置 |
| US11139562B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-10-05 | Innolux Corporation | Antenna device |
| KR20210062661A (ko) | 2018-09-21 | 2021-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 플립플롭 회로, 구동 회로, 표시 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치 |
| CN111223459B (zh) * | 2018-11-27 | 2022-03-08 | 元太科技工业股份有限公司 | 移位寄存器以及栅极驱动电路 |
| CN111312136B (zh) * | 2018-12-12 | 2022-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元、扫描驱动电路、驱动方法和显示装置 |
| CN111754948A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 栅极扫描单元电路、栅极扫描电路及显示面板 |
| EP3963720B1 (en) * | 2019-04-29 | 2024-02-07 | Efficient Power Conversion Corporation | Gan laser diode drive fet with gate current reuse |
| TWI703543B (zh) * | 2019-06-24 | 2020-09-01 | 凌巨科技股份有限公司 | 閘極驅動裝置 |
| CN110473492B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-01-26 | 上海灵信视觉技术股份有限公司 | 一种led全彩显示屏的动态非线性显示调整方法、系统和装置 |
| JP7415271B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2024-01-17 | ソニーグループ株式会社 | 駆動装置、表示装置、および駆動装置の駆動方法 |
| TWI709137B (zh) * | 2020-02-20 | 2020-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 移位暫存電路 |
| US11436981B2 (en) * | 2020-06-04 | 2022-09-06 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate, manufacturing method thereof, and display device |
| US11500492B2 (en) | 2020-06-16 | 2022-11-15 | Novatek Microelectronics Corp. | Method of controlling display panel and related control circuit |
| CN111883083B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-11-09 | 惠科股份有限公司 | 一种栅极驱动电路和显示装置 |
| JP7049433B2 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN112967691B (zh) * | 2021-02-04 | 2022-10-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 闸极驱动电路、闸极驱动装置与拼接式显示器 |
| KR20230027392A (ko) * | 2021-08-18 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
| EP4243022B1 (en) * | 2022-03-11 | 2024-09-18 | eMemory Technology Inc. | Memory cell and array structure of non-volatile memory |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050264514A1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-01 | Binn Kim | Shift register |
| TW200609885A (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Wintek Corp | High-reliability shift circuit using amorphous silicon thin-film transistor |
| TW200614131A (en) * | 2004-09-18 | 2006-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Gate driving unit and display device having the same |
| TW200617834A (en) * | 2004-06-30 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, display device having the same and method of driving the same |
| TW200623006A (en) * | 2004-12-31 | 2006-07-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Shift register and method for driving the same |
Family Cites Families (116)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932415B1 (zh) | 1970-03-16 | 1974-08-30 | ||
| JPS5116277B2 (zh) | 1972-04-04 | 1976-05-22 | ||
| JPS5116277U (zh) | 1974-07-25 | 1976-02-05 | ||
| JPS5288654U (zh) | 1976-12-27 | 1977-07-02 | ||
| US4115508A (en) | 1977-05-31 | 1978-09-19 | Phillips Petroleum Company | Polymers and rotationally molding same |
| JPS5732779Y2 (zh) | 1977-09-27 | 1982-07-19 | ||
| JPS5726303Y2 (zh) | 1977-10-25 | 1982-06-08 | ||
| JPS5622902U (zh) | 1979-07-27 | 1981-02-28 | ||
| JPS58151719A (ja) | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Sony Corp | パルス発生回路 |
| JPH04130816A (ja) | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | フリップフロップ回路 |
| JP3189990B2 (ja) | 1991-09-27 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 電子回路装置 |
| US5410583A (en) | 1993-10-28 | 1995-04-25 | Rca Thomson Licensing Corporation | Shift register useful as a select line scanner for a liquid crystal display |
| JP2838765B2 (ja) | 1994-07-28 | 1998-12-16 | セイコークロック株式会社 | 負荷の駆動回路 |
| US5648790A (en) * | 1994-11-29 | 1997-07-15 | Prime View International Co. | Display scanning circuit |
| JP3309630B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-29 | ソニー株式会社 | スイッチング回路およびこれを用いた電荷転送装置 |
| JP2708006B2 (ja) | 1995-03-31 | 1998-02-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜集積回路 |
| US5666288A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-09 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for designing an integrated circuit |
| US5859630A (en) | 1996-12-09 | 1999-01-12 | Thomson Multimedia S.A. | Bi-directional shift register |
| US6229506B1 (en) * | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
| US6278295B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-08-21 | Cypress Semiconductor Corp. | Buffer with stable trip point |
| KR100438525B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2004-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 회로 |
| US6667506B1 (en) * | 1999-04-06 | 2003-12-23 | Peregrine Semiconductor Corporation | Variable capacitor with programmability |
| JP2000311494A (ja) | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Minolta Co Ltd | シフトレジスタ回路及びそれを用いた固体撮像装置 |
| JP2001255519A (ja) | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toray Ind Inc | 液晶表示装置 |
| JP2001273785A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Casio Comput Co Ltd | シフトレジスタ及び電子装置 |
| JP4506026B2 (ja) | 2000-05-31 | 2010-07-21 | カシオ計算機株式会社 | シフトレジスタ、表示装置及び撮像素子 |
| JP3873165B2 (ja) | 2000-06-06 | 2007-01-24 | カシオ計算機株式会社 | シフトレジスタ及び電子装置 |
| US6611248B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-08-26 | Casio Computer Co., Ltd. | Shift register and electronic apparatus |
| JP4152623B2 (ja) | 2001-01-29 | 2008-09-17 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| TW575775B (en) | 2001-01-29 | 2004-02-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| KR100752602B1 (ko) | 2001-02-13 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치 |
| TW525139B (en) | 2001-02-13 | 2003-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, liquid crystal display using the same and method for driving gate line and data line blocks thereof |
| JP4831716B2 (ja) | 2001-03-15 | 2011-12-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP4761643B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2011-08-31 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | シフトレジスタ、駆動回路、電極基板及び平面表示装置 |
| JP4785271B2 (ja) | 2001-04-27 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子機器 |
| JP4439761B2 (ja) | 2001-05-11 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子機器 |
| TW582005B (en) * | 2001-05-29 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Pulse output circuit, shift register, and display device |
| KR100803163B1 (ko) | 2001-09-03 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| US20030052848A1 (en) | 2001-09-20 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Signal transmission circuit, solid-state imaging device, camera and liquid crystal display |
| JP3658349B2 (ja) | 2001-09-20 | 2005-06-08 | 松下電器産業株式会社 | 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置 |
| US6753217B2 (en) * | 2001-11-29 | 2004-06-22 | Thin Film Electronics Asa | Method for making self-registering non-lithographic transistors with ultrashort channel lengths |
| US7050036B2 (en) | 2001-12-12 | 2006-05-23 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Shift register with a built in level shifter |
| JP3674592B2 (ja) | 2002-02-26 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 信号伝送回路の駆動方法 |
| KR100804038B1 (ko) | 2002-04-04 | 2008-02-18 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터 및 이를 갖는 액정표시장치 |
| JP4112283B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2008-07-02 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置用電極基板 |
| WO2003104879A2 (en) | 2002-06-01 | 2003-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Shift register, liquid crystal display device having the shift register and method of driving scan lines using the same |
| TWI298478B (en) | 2002-06-15 | 2008-07-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register |
| KR100797522B1 (ko) | 2002-09-05 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와 이를 구비하는 액정 표시 장치 |
| JP4460822B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2010-05-12 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 双方向シフトレジスタ、これを用いた駆動回路、平面表示装置 |
| US7445721B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-11-04 | Idaho Research Foundation, Inc. | Reactive filtration |
| AU2003292565A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Digital circuit having correction circuit and electronic instrument having same |
| JP4425547B2 (ja) | 2003-01-17 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
| KR100917009B1 (ko) | 2003-02-10 | 2009-09-10 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터의 구동 방법과 쉬프트 레지스터의 구동 방법및 이를 수행하기 위한 쉬프트 레지스터 |
| TW589612B (en) * | 2003-04-16 | 2004-06-01 | Au Optronics Corp | Display driving circuit |
| JP2004325716A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Sharp Corp | カラー画像表示のための駆動回路およびこれを備えた表示装置 |
| US7369111B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
| US20070151144A1 (en) | 2003-05-06 | 2007-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Detergent comprising the reaction product an amino alcohol, a high molecular weight hydroxy aromatic compound, and an aldehydye |
| KR100913303B1 (ko) | 2003-05-06 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20040097503A (ko) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| JP4598673B2 (ja) | 2003-06-13 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| CN100484351C (zh) * | 2003-06-13 | 2009-04-29 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件及其制造方法、显示装置 |
| US7486269B2 (en) * | 2003-07-09 | 2009-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same |
| TWI229341B (en) | 2003-08-13 | 2005-03-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Shift register circuit and a signal-triggered circuit for low temperature poly silicon (LTPS) liquid crystal display |
| JP4189585B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2008-12-03 | カシオ計算機株式会社 | シフトレジスタ回路及び電子装置 |
| JP4321266B2 (ja) | 2003-10-16 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | インバータ回路および表示装置 |
| CN100385478C (zh) * | 2003-12-27 | 2008-04-30 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 包括移位寄存器的驱动电路以及使用其的平板显示器件 |
| KR101012972B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2011-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스 표시장치 |
| JP4645047B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-03-09 | カシオ計算機株式会社 | シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに駆動制御装置 |
| US7009435B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-03-07 | Nano Silicon Pte Ltd. | Output buffer with controlled slew rate for driving a range of capacitive loads |
| US7297977B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| JP2005285168A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Alps Electric Co Ltd | シフトレジスタ及びそれを用いた液晶駆動回路 |
| US7289594B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-10-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Shift registrer and driving method thereof |
| KR101023726B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| JP4223992B2 (ja) | 2004-05-25 | 2009-02-12 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| KR20050117303A (ko) | 2004-06-10 | 2005-12-14 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
| KR101019416B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2011-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트레지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치 |
| CZ14844U1 (cs) * | 2004-07-02 | 2004-10-25 | Čechoplast, Spol. S R. O. | Izolační klec |
| KR101080352B1 (ko) | 2004-07-26 | 2011-11-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
| JP2006058770A (ja) | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の駆動回路 |
| KR101014172B1 (ko) | 2004-09-13 | 2011-02-14 | 삼성전자주식회사 | 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치 |
| US20060056267A1 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Driving unit and display apparatus having the same |
| KR101074402B1 (ko) | 2004-09-23 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
| KR101056375B1 (ko) | 2004-10-01 | 2011-08-11 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 게이트 구동 회로 및표시 패널 |
| JP2006106320A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置の駆動回路 |
| JP4362430B2 (ja) | 2004-10-14 | 2009-11-11 | Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 | 分周回路 |
| JP2006164477A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Casio Comput Co Ltd | シフトレジスタ、該シフトレジスタの駆動制御方法及び該シフトレジスタを備えた表示駆動装置 |
| KR101110133B1 (ko) | 2004-12-28 | 2012-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 게이트 구동용 쉬프트레지스터 |
| KR101191157B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 구동부 |
| KR101066493B1 (ko) | 2004-12-31 | 2011-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| JP4993544B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
| US8633919B2 (en) * | 2005-04-14 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of the display device, and electronic device |
| JP2006309893A (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Alps Electric Co Ltd | シフトレジスタ及び液晶駆動回路 |
| US7324123B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| KR101143004B1 (ko) | 2005-06-13 | 2012-05-11 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR100667075B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 이를 포함하는 유기 전계발광 표시장치 |
| KR100646992B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광제어선 구동부 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치 |
| JP2007226175A (ja) | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2009110556A (ja) | 2006-02-14 | 2009-05-21 | Panasonic Corp | 光学ヘッドおよび光情報処理装置 |
| JP5128102B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
| KR100776510B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2007-11-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사구동회로 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
| US7936332B2 (en) * | 2006-06-21 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit having reduced ripple effect and display apparatus having the same |
| EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP5079425B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| TWI349906B (en) | 2006-09-01 | 2011-10-01 | Au Optronics Corp | Shift register, shift register array circuit, and display apparatus |
| JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| TW202429692A (zh) | 2006-09-29 | 2024-07-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP5468196B2 (ja) | 2006-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置 |
| JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP4912186B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
| JP4487318B2 (ja) | 2007-07-26 | 2010-06-23 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2010250030A (ja) | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Sharp Corp | シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置、ならびにシフトレジスタの駆動方法 |
| JP5288654B2 (ja) | 2011-11-02 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP2012168536A (ja) | 2012-02-14 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP5459919B2 (ja) | 2012-11-06 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP5622902B2 (ja) | 2013-07-31 | 2014-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
-
2006
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2011
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-
2023
- 2023-10-10 US US18/378,206 patent/US12107092B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050264514A1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-01 | Binn Kim | Shift register |
| TW200617834A (en) * | 2004-06-30 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Shift register, display device having the same and method of driving the same |
| TW200609885A (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Wintek Corp | High-reliability shift circuit using amorphous silicon thin-film transistor |
| TW200614131A (en) * | 2004-09-18 | 2006-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Gate driving unit and display device having the same |
| TW200623006A (en) * | 2004-12-31 | 2006-07-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Shift register and method for driving the same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108172177A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-15 | 三星显示有限公司 | 数据驱动器 |
| CN108172177B (zh) * | 2016-12-07 | 2022-01-28 | 三星显示有限公司 | 数据驱动器 |
Also Published As
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|---|---|---|
| US20220328529A1 (en) | Display device | |
| TWI749346B (zh) | 顯示裝置和電子裝置 | |
| TWI857906B (zh) | 半導體裝置 |