TW508628B - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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508628 A7 _______B7_ 五、發明説明（1 ) 發明領域： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於具有薄膜電晶體（此後稱爲丁 F T )構 成的電路之半導體裝置，及關於其製造方法。舉例而言， 本發明關於電光裝置，典型上爲液晶顯示面板，及關於具 有此型電光裝置之電子設備。 習知技藝 近年來’藉由使用形成於具有絕緣表面之基板上的半 導體薄膜（厚度爲數n m至數佰n m等級）以構成薄膜電 晶體（T F T )之技術一直是焦點所在。薄膜電晶體廣泛 地應用於諸如I C或電光裝置等電子裝置中，特別地，其 已快速地發展成影像顯示裝置之切換元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 傳統上，已知液晶顯示裝置爲影像顯示裝置。由於與 被動式液晶顯示裝置相比，主動矩陣型液晶顯示裝置可取 得較高的解析度，所以，其已廣泛使用。藉由驅動以矩陣 狀態配置於主動矩陣型液晶顯示裝置中的像素電極，會於 螢幕上形成顯示圖案。詳而言之，藉由施加電壓於選取的 像素電極與對應於像素電極之對立電極之間，以執行配置 於像素電極與對立電極之間的液晶層之光調變，及由觀視 者將光調變視爲顯示圖案。 此型的主動矩陣型電光裝置之用途廣泛，且螢幕尺寸 製成更大，要求更高解析度，更高的孔徑比，以及更高的 可靠度。同時，要求增加生產力及降低成本。 傳統上，在入射至液晶分子的光方向與從液晶分子發 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ -4- 508628 A7 _ _B7 五、發明説明（2 ) 射的光方向之間以9 0 °扭轉定向之T N模式通常作爲透 射型液晶顯示裝置所使用的液晶層的定向模式。 當製造T N模式液晶顯示裝置時，定向膜會形成於一 基板及另一基板上，且執行諸如硏磨製程等製程以設定液 晶的晶向。接著將這些基板放在一起，以致於這些基板的 硏磨方向會彼此垂直。藉由注入液晶材料，其中用於決定 扭轉方向之手徵材料混合於基板對之間，形成具有預設扭 轉方向之液晶顯示裝置。 此時，液晶分子的主軸會配置成平行於基板表面以便 具有能量上最穩定的配置，以及取決於硏磨條件及定向膜 材料，液晶會配置成相對於基板表面爲數度至約1 〇 °之 角度。 此角度稱爲預傾角度，且藉由維持此預傾斜角度，當 施加電場時，配置會變成液晶分子的主軸之二邊緣部份中 邊緣部份以預定直線排列。在操作期間，晶向因而變成連 續的，且可防止顯示期間稱爲反向傾斜區之晶向缺陷。 但是，藉由上述T N模式，在指定觀視範圍之外，對 比特性劣化嚴重，並發生稱爲反相灰階現像之問題。 這是因爲導因於下述原因而看見光具有不同的光調變 :配置改變，其中液晶分子的晶向狀態因電場而變成相對 於基板表面成垂直；及因觀視者觀看液晶顯示裝置之視角 及位置之變化，液晶層‘內光前進距離的變化、及傳輸期間 光折射率的變化。 此外，接近基板介面之液晶分子在此模式下，晶向會 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5 - 508628 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 受到強力調節，且幾乎維持初始晶向狀態。因此，即使施 加很強的液晶飽合電壓（5 V或更高），此鄰近區中的液 晶分子不會變成垂直的。 考慮造成T N模式的觀視特性視野窄化之主要因素。 此外，垂直定向型式液晶分子已知爲另一液晶顯示模 式。垂直定向型液晶模式係其定向模式中液晶的初始晶向 與基板成垂直。在此模式中使用具有負介電各向異性之η 型液晶材料。藉由施加電場於形成在基板上的電極之間， 實現此模式之顯示。 但是，由於此模式係利用液晶的雙折射，所以，以傳 輸光量或反射光量中的色散而言，預傾斜角度之小量色散 是顯著的。在硏磨製程期間與刷尖接觸之小差異會造成不 穩顯示，容易成爲問題。 此外，硏磨製程本身係以軟毛硏磨基板上定向膜的表 面，因此，這會成爲灰塵污染的來源。此外，需要具有足 夠的反制之道以克服基板上的應力及會產生靜電之元件劣 化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，一直尋找不用執行硏磨製程即可使液晶定向並 實現均句定向之方法。舉例而言，已知有製造液晶顯示裝 置之機構，其中結構形成於基板上，且以結構的介電常數 ，控制晶向與電場作用，而調節諸如與液晶接觸的結構之 面的斜度、間隙、及高度等物理參數調節。藉由此方法， 可實現等於或大於1 6 0 °的寬廣視角。但是，雖然藉由 此方式不再需要傳統的硏磨製程，但是，需要複雜的其它 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -6 - 508628 A7 _B7 五、發明説明（4 ) 製程以使液晶定向。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明槪述 〔發明欲解決之問題〕 傳統上，以微縮影技術，使用5個或更多用於主動矩 陣型電光裝置之光罩，於基板上製造TFT，因此，生產 成本高。爲了增加生產力及改進產能，已考慮步驟數減少 之有效機構。 特別地，需要減少生產T F T所需之光罩數目。微縮 影技術中使用光罩以在基板上形成光阻圖案，光阻圖案會 成爲蝕刻製程掩罩。 藉由使用一光罩，使用諸如塗敷光阻、預烘烤、曝光 、顯影、及後烘烤等步驟，以及增加光阻剝除、淸洗、及 乾燥步驟。因此，整個製程變複雜，造成問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，由於基板係絕緣體，所以，在製造步驟期間， 以諸如摩擦等方式產生靜電。假使產生靜電時，則在形成 於基板上的接線之交會部份產生短路，且導因於靜電之 T F T劣化或崩潰會在電光裝置中造成故障或影像品質劣 化。特別地，在製造步驟中執行的液晶定向製程中之硏磨 期間，發生靜電，且這成爲問題。 發明槪述 本發明係解決這些型式的問題’且本發明的目的係降 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 508628 A7 B7 五、發明説明（5 ) 低生產成本及增加產能，其藉由下述方式以達成目的：不 用硏磨製程’以製造電光裝置，電光裝置典型上爲主動矩 陣型液晶顯示裝置；，又減少T F T之製造步驟數目。 此外’本發明的目的係改進液晶顯示裝置的視角特性 〇 · 〔解決問題之手段] 本發明書中揭示之本發明的結構係液晶顯示裝置，其 具有基板對及維持於基板對之間的液晶，特徵在於 形成於基板對之一基板上的是： 閘極接線； 絕緣膜’設於閘極接線上； 非晶半導體膜，設於絕緣膜上； 源極區及汲極區，設於非晶半導體膜上； 源極接線或電極，設於源極區或汲極區上； 像素電極，形成於電極上；及 間隙維持材料，用於維持基板對之間固定的間隙 ，及特徵在於 液晶的預傾斜角度係由間隙維持材料的側面所控 制，以使液晶定向。 此外，本發明的另一結構係液晶顯示裝置，其具有基 板對及維持於基板對之間的液晶，特徵在於 形成於基板對之一基板上的是： 閘極接線； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 508628 A7 .................... .. B7 五、發明説明（6 ) 絕緣膜，設於閘極接線上； 非晶半導體膜，設於絕緣膜上； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 源極區及汲極區，設於非晶半導體膜上； 源極接線或電極，設於源極區或汲極區上； 像素電極，形成於電極上；及 間隙維持材料，用於維持基板對之間固定的間隙 &特徵在於 液晶的預傾斜角度係由該間隙維持材料的側面，及形 成於至少一基板上的凹部及凸部所控制，以使晶體定向。 在每一上述結構中，至少一基板具有於垂直定向之定 向膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，在每一上述結構中，間隙維持材料具有固定的 推拔角度。推拔角度從7 5 · 0。至8 9 . 9。，較佳地， 從8 2 °至8 7 ° 。此外，閘隙固持材料爲：具有選自丙烯 酸系、聚醯亞胺、聚醯亞胺胺、及環氧樹脂組成的群類之 至少一材料作爲主成份之有機樹脂材料；或選自氧化矽、 氮化矽、及氮氧化矽組成的群類、或該等材料之疊層膜之 無機材料。 此外，間隙維持材料的側面之極近處中液晶分子的主 軸方向具有強的調節晶向，與每一上述結構的側面約略平 行。 再者，在每一上述結構中，液晶具有負介電各向異性 〇 此外，在每一上述結構中，汲極區或源極區的一端面 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 508628 A7 B7 五、發明説明（7 ) 與非晶半導體膜的端面及電極的端表面約略相符。 此外，在上述結構中： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 汲極區或源極區的一端面與非晶半導體膜的端面及電 極的端面約略相符； 汲極區或源極區的另一端面與像素電極的端表及電極 的另一端表面約略相符。 此外’每一上述結構特徵在於源極區及汲極區係由含 有造成η型導電率之雜質元素之非晶半導體膜製成。 再者，每一上述結構特徵在於絕緣膜、非晶半導體膜 、源極區、及汲極區係連續形成而未曝露於大氣下。 此外，每一上述結構特徵在於絕緣膜、非晶半導體膜 、源極區、或汲極區係以濺射法形成。 再者，每一上述結構特徵在於絕緣膜、非晶半導體膜 、源極區、或汲極區係以電漿C V D法形成。 此外，每一上述結構特徵在於使用與非晶半導體膜及 電極相同的光罩以形成源極區及汲極區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，每一上述結構特徵在於使用與源極接線相同白勺 光罩以形成源極區及汲極區。 此外，每一上述結構特徵在於使用與源極接線及像素 電極相同的光罩以形成源極區及汲極區。 再者，每一上述結構特徵在於像素電極會接觸絕緣月莫 〇 此外，每一上述結構特徵在於在非晶半導體膜中，與 源極區及汲極區接觸之區域中的膜厚比接觸源極區之區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 508628 A7 _B7_ 五、發明説明（8 ) 與接觸汲極區之區域之間的區域中的膜厚還厚，這些區域 作爲通道蝕刻型T F T的主動層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，每一上述結構特徵在於接觸源極區之區域與接 觸汲極區之區域之間的非晶半導體膜之區域，會由間隙維 持材料遮蓋，而受保護，間隙維持材料係由無機絕緣膜製 成。 實現上述結構之本發明係製造液晶顯示裝置之方法， 特徵在於具有= 第一步驟，藉由使用第一光罩，於第一基板上形成閘 極接線； 第二步驟，形成絕緣膜，遮蓋閘極接線； 第三步驟，在絕緣膜上形成第一非晶半導體膜； 第四步驟，在第一非晶半導體膜上形成第二半導體膜 ，第二半導體膜含有造成η型導電率之雜質元素； 第五步驟，在第二非晶半導體膜上形成第一導體膜； 第六步驟：使用第一光罩以圖型化第一非晶半導體膜 y 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 使用第二光罩以圖型化第二非晶半導體膜 ;及 使用第二光罩以圖型化第一導體膜，從第 一導體膜形成接線； 第七步驟，形成接觸及重疊該接線之第二導體膜； 第八步驟：使用第三光罩以圖型化第二導體膜，形成 由第二導體膜製成之像素電極； i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ---- -11- 508628 A7 B7 五、發明説明（9 ) 使用第三光罩以圖型化接線，形成源極接 線及電極； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用第三光罩以圖型化第二非晶半導體膜 ，形成由第二非晶半導體膜製成的源極區及汲極區；及 使用第三光罩以移除第一非晶半導體膜之 部份； 第九步驟，在像素電極上形成定向膜； 第十步驟’在定向膜上形成間隙維持材料； 第i 步驟，將第一基板與第二基板接合在一起；及 第十二步驟，將液晶注入於第一基板與第二基板之間 〇 上述結構特徵在於該間隙維持材料在第一基板與第二 基板之間維持固定距離之間隙。 此外，在上述結構中，液晶的預傾斜角度係由間隙維 持材料的側面控制，以使液晶定向。此外，藉由使用定向 膜以控制液晶的預傾斜角度。定向膜可形成於第一基板及 第二基板之一上，或可形成於二基板上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例詳述 將於下說明本發明的實施例模式。 爲了解決上述問題，本發明特徵在於使用通道蝕刻型 底部閘極T F T結構及以與像素電極的圖型化所使用光罩 相冋的光罩執fj源極區和汲極區的圖型化。 將於下簡述本發明的製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~~ -12- 508628 A7 _______B7_ 五、發明説明（1〇 ) 首先，使用第一光罩（光罩編號1 )，以形成閘極接 線 1 0 2。 接著，形成並依序疊層絕緣膜（閘極絕緣膜）1 〇 4 a、第一非晶半導體膜1 〇 5、含有造成η型導電率的雜 質元素之第二非晶半導體膜1 0 6、及第一導體膜1 〇 7 ° (參見圖2 ( A ))。注意，微晶半導體膜可取代非晶 半導體膜，且含有造成η型導電率的雜質元素之微晶半導 體膜可取代含有造成η型導電率的雜質之非晶半導體膜。 此外，以濺射或電漿C V D，在多個室內或相同室內連續 地形成這些膜（104a、 105、 106、及1〇7) ’而不用曝露於大氣中。不曝露於大氣中，可防止雜質混 入。 接著，使用第二光罩（光罩編號2 ):藉由η型化第 一導體膜1 0 7，以形成由第一導體膜製成的接線（稍後 成爲源極接線及電極（汲極電極））1 1 1 ;藉自圖[型化 第二非晶導體膜1 0 6，以形成含有造成η型導電;率的雜 質元素之第二非晶半導體膜110;及藉由圖型化第一非 晶半導膜1 0 5以形成第一非晶半導體膜1 〇 9。（參見 圖 2 ( Β ))。 之後，於整個表面上沈積第二導體膜1 1 2。（參見 圖2 ( D )).。注意，透明導電膜可作爲第二導體月莫 1 1 2，也可使用具有反射特性之導體膜。 接著，使用第三光罩（光罩編號3):藉由匱[型化第 二導體膜1 1 2，以形成第二導體膜製成的像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297^釐) " ' 一 -13 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508628 A7 ____ _B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 9 ;藉由圖型化接線，以形成源極接線1 1 7及電極 (汲極電極）；藉由圖型化含有造成η型導電率的雜質元 素之第二非晶半導體膜1 1 〇，以形成含有造成η型導電 率的雜質元素之第二非晶半導體膜製成的源極區1 1 5及 汲極區1 1 6 ;及藉由移除第一非晶半導體膜1 〇 9的部 份，以形成第一非晶半導體膜1 1 4。（參見圖3 ( A ) )〇 . 藉由使用此型式之構成，當製造像素T F T部份時， 微縮影技術中所使用的光罩數目可設定爲3。 此外，不用增加步驟數目及不用執行硏磨製程，即可 以本發明製造液晶顯示裝置。 如圖1所示，根據本發明，形成間隙維持材料以在基 板對（基板1 0 0及對立基板1 2 4 )之間維持固定間隙 。作爲間隙維持材料，壁狀間隔器1 2 1及1 2 2係成斜 面的側面並控制具有負介電各向異性之液晶的預傾斜角度 ，以使液晶定向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 舉例而言，在本說明書中，壁狀間隔器1 2 1及 122的剖面形狀係設定爲圖17 (a)或圖17 (b) 之剖面形狀。諸如圖1 7 ( a )之推拔角度α係定義爲尾 端漸細形狀的剖面之底面與側面之間的角度。較佳的是， 在本發明中將推拔角度α設定爲從75 · 0。至89 . 9。 ，更佳地，在8 2 °至8 7 °之間。 圖1中的液晶分子之晶向顯示無電壓施加時之視圖。 注意’黑色部份顯示接近對立基板的液晶分子之邊緣部份 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) ~ " -14 - 508628 A7 __B7 五、發明説明（12 ) 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當無電壓施加時，液晶分子會從壁狀間隔器之側面接 收調節電壓’其會定向成幾乎平行側面，並定向成垂直於 具有某預傾斜角度之基板表面，但是，當有施加電壓時， 液晶分子會定向成平行基板表面。 換言之’藉由使用具有推拔角度α之側面之壁狀間隔 器，可控制液晶分子的切換方向。 此外，以微縮影法或印刷法，形成壁狀間隔器。此外 ’在壁狀間隔器之前或之後，形成用於垂直定向之定向膜 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者’也可僅在基板1 0 0上或僅在對立基板1 2 4 上，形成壁狀間隔器。假使製造主動矩陣基板期間之光罩 數目減少列爲優先時，則較佳的是使用印刷形成之方法， 或較佳的是僅在對立基板上形成壁狀間隔器。當壁狀間隔 器僅形成於對立基板上之液晶顯示裝置應用於正常白模式 時，在壁狀間隔器的週邊中有晶向失序之部份，或是具有 導因於失序晶向的不均勻臨界電壓之部份，會由壁狀間隔 器本身遮蔽而令顯示器的使用者無法辨識，並降低漏光。 因此，藉由抑制光經由壁狀間隔器洩漏，可取得高對比、 高灰階顯示之液晶顯示裝置。 具有選自丙稀酸系、聚醯亞胺、聚醯亞胺胺、環氧樹 脂組成的群類之至少一材料作爲主成份之有機樹脂材料； 或選自氧化矽、氮化矽、及氮氧化矽組成的群類之無機材 料、或該等材料之疊層膜，可作爲壁狀間隔器之材料。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -15- 508628 A7 B7 五、發明説明（13) 此外，當諸如氮化矽等無機材料用於上述通道蝕刻 T F T的壁狀間隔器時，特別是，當間隔器配置成遮蓋曝 露的非晶半導體膜1 1 4之部份時，可取得作爲保護膜之 效果，並增加可靠度。 再者’藉由因配置g者如闊極接線、源極接線、及電容 器接線等接線以及電極於適當的預設區而形成的不平整部 份、以及配置於適當的預設區中的壁狀間隔器，以控制液 晶的預傾斜角度及將液晶定向。 當用使本發明時，可省略會造成靜電損害之對應於硏 磨製程之定向製程，再者，壁狀間隔器具有維持基板間隙 之角色，因此，能夠省略球形間隔器噴霧步驟，並增加生 產力。此外，本發明具有僅硏究形成於基板上的壁狀間隔 器之均勻度即能預測顯示不平整發生之優點。 此外’當從上方觀視時，壁狀間隔器能夠具有條狀、 T狀、或梯狀，但是，本發明的實施例模式不限於這些形 狀。 使用下述實施例，更詳細地說明具有上述結構之本發 明。 〔實施例〕 〔實施例1〕 使用圖1至7、9及1 7，說明發明之實施例。實施 例1係顯示液晶顯示面板的製造方法，並根據所使用的製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） ----------— I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508628 A7 B7 五、發明説明（14 ) 程，詳細說明以逆交錯型T F T於基板上形成像素部份的 TFT之方法、以及連接至TFT之儲存電容器的製造方 法。此外，同時在這些圖式中，顯示端點區之製程，端點 區係形成於基板的邊緣部份中，並用於電連接至形成於其 它基板上的電路接線。 在圖2 ( A )中，玻璃基板可作爲基板1 0 〇，玻璃 基板包括諸如硼砂酸鋇玻璃或硼砂酸鋁玻璃，典型上爲康 寧公司#7 0 5 9或1 7 37。此外，也可使用諸如石英 基板或塑膠基板等透明基板。 接著，在基板的整個表面上形成導體層之後，執行第 一微縮影製程，形成光阻掩罩，以蝕刻移除不需要的部份 、及形成接線和電極（包含閘電極、電容器接線1 〇 3及 端點1 0 1之閘接線1 0 2 )。此時執行蝕刻以至少在閘 電極1 0 2的邊緣中形成尾端漸部份。此級的上視圖顯示 於圖4中。 較佳的是以諸如鋁或銅等低電阻率導電材料形成包含 閘電極、電容器接線1 0 3、及端子區的端子1 〇 1之閘 極接線1 0 2，但是僅有鋁時會具有諸如較差的抗熱性且 容易腐蝕等問題，因此，其會與耐墊導電材料結合。此外 ，也可使用A g - P d - C u合金作爲低阻抗導電材料。 選自鈦（T i )、鉅（T a )、鎢（W )、鉬（Μ 〇 )、 鉻（C r )、之一元素、或包括上述元素之合金、或上述 元素的組合之合金膜、或是包括上述元素之硝化合物可作 爲抗熱導電材料。舉例而言，可使用T i及C u的疊層膜 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） ~^ -17 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

508628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15 ) 、以及T a N及C u的疊層膜。此外，與諸如τ i、Si 、C r、或N d等抗熱導電材料相結合，由於改進水平度 ’所以是較佳的。此外，也可形成僅有此抗熱導電膜，舉 例而言，可形成Μ 〇及W的結合。 在實現液晶顯示裝置時，較佳的是藉由抗熱導體材料 及低電阻導電材料之組合，以形成閘電極及閘接線。 將解釋此情形中之適當組合。 假使螢幕的尺寸是5吋對角線型等級或更小時，則使 用由耐熱導電材料之氮化物製成的導體層（Α)與耐熱導 電材料製成的導體層（Β )之疊層的二層結構。導體材料 (Β)可由選自 Al、Cu、Ta、Ti、W、Nd、及 C r組成的群類之元素形成，或是由上述元素的合金、或 是上述7C素的組合之合金膜形成，導體層（A )是由諸如 氮化姐（T a N )膜、氣化鑛（W N )膜、或氮化駄（ T i N )膜等膜形成。舉例而言，較佳的是使用以c r爲 導體層（A)及含有Nd之A 1作爲導體層（β)之雙層 結構的疊層。導體層（A )的厚度爲1 〇至1 〇 〇 ^ m ( 較佳地在2 0至5 0 n m )，且導體層（β )的厚度爲 2 0 0至4 0 0 n m (較佳地在2 5 0及3 5 0 n m之間 )° 另一方面’爲了應用至大螢幕，較佳的是使用耐熱導 電材料製成的導體層（A )、低電阻導電材料製成的導p 層（B )、及耐熱導電材料製成的導電層（c )之三層結 構疊層。由低電阻導電材料製成的導電層（B )係由包括 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j

-18- 508628 A7 B7 五、發明説明（16 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鋁（A 1 )之材料製成，其除了純鋁之外，尙可使用含有 諸如钪（S c )、T i、N d、或矽（S i )原素 〇 · 0 1至5原子％之間鋁。導體層（C )可有效防止導 體層（B )的鋁中產生小丘。導體層（A )的厚度爲1 Q 至1 0 0 n m (較佳地，在2 0至5 0 n m之間），導體 層（B)製成200至400n m厚（較佳地，在250 與3 5 0 n m之間），且導體層（C )係從1 0至1 0 0 n m厚（較佳地，在2 0與5 0 n m之間）。在實施例1 中，導體層（A)係由厚度50nm之Ti膜形成，Ti 膜係以T i爲靶材，藉由濺射而製成，導體層（B )係由 厚度2 0 0 n m之A 1膜形成，A 1膜係以A 1爲靶材， 藉由濺射而製成，而導體層（C)係由厚度5 0 n m之 T i膜形成，T i膜係以T i爲靶材，藉由濺射而製成。 接著，在整個表面上形成絕緣膜1 〇 4 a。絕緣膜 1 0 4 a係使用濺射以形成，並具有5 0至2 0 0 n m的 膜厚。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 舉例而言，氮化矽膜作爲絕緣膜1 〇 4 a ，並形成爲 15 0 n m的厚度。當然，閘絕緣膜不限於此型式的氮 化矽膜，也可使用諸如氧化矽膜、氮氧化矽膜、或氧化鉅 膜等其它絕緣膜，閘絕緣膜可由這些材料製成的單層或疊 層結構所形成。舉例而言，可使用具有氮化矽膜作爲下層 及氧化矽膜作爲上層之疊層結構。 接著，使用諸如電漿C V D或濺射（未顯示於圖式中 )等習知的方法，在整個表面上之絕緣膜1 〇 4 a上，形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇X297公釐） -19· 508628 A7 ___ B7__ 五、發明説明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成厚度5 0至200nm (較佳地，在1 〇〇至1 5〇 n m之間）之第一非晶半導體膜1 0 5。典型地，使用矽 靶材，以濺射形成厚度1 〇 〇 n m之非晶矽（a - s i ) 膜。此外，也能夠應用微晶半導體膜，或是具有諸如非晶 嫁化砂膜（S i xGe (1 — X)，其中0<x〈 1 )或非晶 碳化矽（S i X C y )等非晶結構之化合物半導體膜。 接著形成2 0至8 0 n m厚之含有造成一導電率型（ η型或p型）的雜質元素之第二非晶半導體膜。以諸如電 漿C V D或濺射等習知方法，於整個表面上形成含有造成 一導電率型（η型或ρ型）之雜質元素之第二非晶半導體 膜。在本實施例中，使用添加有磷（Ρ )之矽靶材，形成 含有η型雜質元素之第二非晶半導體膜1 〇 6。或者，在 含有磷的氛圍中，以使用矽材之濺射，執行膜沈積。此外 ’也㉟以含氣的微晶砂膜（//c — Si :η)，形成含η 型雜質元素之第二非晶半導體膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，以濺射或真空蒸鍍，形成金屬材料製成的第一 導體膜1 0 7。假使製成與第二非晶半導體膜1 〇 6接觸 之歐姆接點’則桌一半導體膜1 q 7的材料無特別限制， 且可採用選自Α丨、C r、T a、及τ :組成的族群之元 素、或包括上述元素之合金、及上述元素的組合之合金膜 等等。在實施例1中使用濺射，形成5〇至1 5〇11111厚 的T i膜、在T丨膜上厚度在3 〇 〇至4 〇 〇 nm之間的 鋁（A1)膜、及在其上厚度1〇〇至15〇11111的1^ 膜，以作爲第一導體膜107(圖2(A))。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'乂297公釐） -20- 508628 A7 B7 五、發明説明（18 ) 以習知方法及以c V D或濺射，製造絕緣膜1 〇 4 a 、第一非晶半導體膜10 5、含有造成n型導電率之雜質 元素之第二非晶半導膜1 0 6、及第〜導體膜1 〇7。在 實施例1中，藉由濺射、及適當地改變靶材或濺射氣體， 連續地形成這些膜（1 0 4 a、1 〇 5、1 〇 6、及 10 7)。此時，使用濺射設備中相同的反應室或多個反 應室，且較佳的是在不曝露於大氣中，將這些膜連續地疊 層。由於這些膜不曝露於大氣中，所以，可以防止雜質混 入。 接著，執行第二微縮影製程，形成光阻掩罩1 0 8， 及藉由鈾刻以移除不需要的部份，形成接線（在後續處理 中成爲源極接線及汲極電極）1 1 1。此時使用濕蝕刻或 乾鈾刻作爲蝕刻處理。以光阻掩罩1 0 8作爲掩罩，依序 蝕刻刻第一導體膜10 7、含有造成η型導電率之雜質元 素之第二非晶半導體膜1 0 6、及第一非晶半導體膜 1 0 5。由第一導體膜、含有造成η型導電率之雜質元素 之第二非晶導體膜1 1 0、及第一非晶半導體膜1 0 9均 會形成於像素T F Τ部份中。在實施例1中，使用 SiCl4、Cl2及BC13之混合氣體作爲反應氣體， 以乾鈾刻方式依序地蝕刻有T i膜、A 1膜、及T i膜疊 層之第一導體膜1 0 7，並以C F4及〇2的混合氣體取代 反應氣體，選擇性地鈾刻移除第一非晶半導體膜1 0 5及 含有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶半導體膜 10 6。（圖2 ( Β ))此外，電容器接線1 0 3及絕緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ί〇Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 508628 A7 ____ B7 ____ 五、發明説明（19 ) 膜1 0 4 a維持在電容器部份中，且端點1 〇 1及絕緣膜 1 0 4 a也類似地維持於端點部份中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在移除光阻掩罩1 〇 8之後，使用蔭蔽罩以形 成光阻掩罩，及選擇性地移除遮蔽端子部份的墊部份之絕 緣膜1 0 4 a ，形成絕緣膜1 〇 4 b，之後，移除光阻掩 罩。（圖2 ( C ))。此外，也能以網印法形成光阻掩罩 作爲蝕刻掩罩，以取代蔭蔽罩。 接著，從透明導體膜開始，在整個表面上沈積第二導 體膜1 1 2。（圖2 ( D ))再者，此點時的上視圖顯示 於圖5中。注意，爲了簡明起見，形成於整個表面上的第 二導體膜1 1 2未顯示於圖5中。 使用諸如濺射或真空蒸鍍等方法，以諸如銦氧化物（ I η 2〇3 )或銦氧化物錫氧化物合金（I η 2〇3 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S η〇2，縮寫爲I Τ〇）等材料，形成第二導體膜1 1 2 。使用氫氯酸型溶液，執行此型材料之鈾刻製程。但是， 以I Τ 0蝕刻，特別容易產生餘留物，因此，可使用銦氧 化物鋅氧化物（I η 2 0 3 - Ζ η 0 )合金，以改進蝕刻工 作能力。與I Τ 0相較，銦氧化物鋅氧化物合金具有較優 的表面平滑特性，並具有較優的熱穩定度，因此，即使接 觸第二導體膜1 1 2之接線由A 1膜製成時，仍可防止腐 蝕反應。同樣地，鋅氧化物（Ζ η 〇 )也是適用的材料， 此外，爲了增加可見光的透射率及增加導電率，可使用諸 如添加有鎵（G a )之鋅氧化物（Ζ η 0 : G a )。 接著以第三微縮影製程，形成光阻掩罩i 1 3 a至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -22- 508628 A7 — _ B7 五、發明説明（2〇 ) 1 1 3 C °接著以蝕刻移除不需要的部份，形成第一非晶 半導體膜1 1 4、源極區1 1 5、汲極區1 1 6、源極電 極117、汲極電極118、及像素電極119。（圖3 (A ))。 第三微縮影製程會將第二導體膜1 1 2圖型化，同時 藉由蝕刻以移除接線1 1 1的部份、含有造成η型導電率 之第二非晶半導體膜1 1 〇及第一非晶半導體膜1 〇 9， 以形成開口。在實施例1中，使用硝酸及氫氯酸的混合溶 液、或氯化鐵溶液，以濕蝕刻方式，選擇性地移除I Τ〇 製成的第二導體膜1 1 2，在以濕蝕刻選擇性地移除接線 1 1 1之後，以乾蝕刻方式，蝕刻含有造成η型導電率之 雜質元素之第二非晶半導體膜1 1 0的部份及非晶半導體 膜1 0 9。注意，雖然在實施例1中使用濕蝕刻及乾蝕刻 ，但是，操作員可藉由適當地選取反應氣體而僅實施乾蝕 刻，且操作員可藉由適當地選取反應溶液而僅實施濕鈾刻 〇 此外，開口的較低部份會到達第一非晶半導體膜，及 形成具有凹部之第一非晶半導體膜1 1 4。接線1 1 1會 由開口分成源極接線1 1 7及汲極電極1 1 8，且含有造 成η型導電率的雜質元素之第二非晶半導體膜1 1 〇會分 成源極區1 1 5及汲極區1 1 6。此外，接觸源極接線之 第二導電膜1 2 0會遮蓋源極接線，且在後續的製程期間 ，特別是在硏磨製程期間，扮演防止產生靜電之角色。在 本實施例中顯示在源極接線上形成第二導體膜1 2 0之實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 508628 A7 ___ B7 五、發明説明（21 ) 施例，但是，也可移除第二導體膜i 2 〇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’在第三微縮影製程中由電容器接線1 〇 3及像 素電極1 1 9形成儲存電容器，以電容器部份中的絕緣膜 1 0 4 b作爲介電質。 此外’由形成於端子部份中的透明導體膜製成的並由 光阻掩罩1 1 3 c遮蓋之第二導體膜於第三微縮影製程之 後仍然保留。 接著移除光阻掩罩1 1 3 a至1 1 3 c。此狀態的剖 面圖威不於圖3 ( B )中。注意，圖6係一像素的上視圖 ，而圖3 ( B )對應於延著線a — A /及B - B /取得之 剖面。 此外，圖9 ( A )係顯示此狀態中閘極接線端部份 5 0 1輿源極接線端部份5 0 2之上視圖。注意，對應於 圖1至圖3之區域使用相同的符號。此外，圖9 ( B )對 應於延著圖9 ( A )中的線E — E /及F — F *取得之剖 面視圖。圖9 ( A )中的代號5 0 3代表透明導體膜製成 並作爲輸入端之連接電極。此外，在圖9 ( B )中，代號 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 4代表絕緣膜（從1 〇 4 b延伸），代號5 0 5代表 第一非晶半導體膜（從1 1 4延伸），代號5 0 6代表含 有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶半導體膜（從 1 1 5延伸）.。 藉由如此使用三光罩及執行三微縮影製程，可完成具 有逆交錯型η通道型TFT 2 0 1及電容器202之像 素部份T F T。藉由將這些置於對應於每一像素並因而構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 508628 A7 ___ B7 五、發明説明（22 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成像素部份之矩陣狀態中，則可製成一基板以便製造主動 矩陣型電光裝置。爲了便於說明，在本說明書中，將此型 基板稱爲主動矩陣基板。 接著在主動矩陣基板上形成校準膜1 3 1及1 3 2。 藉由印刷並接著乾燥，以形成J A L S — 2 0 2 1 ( J S R公司製造）。 在形成校準膜之後，藉由執行第四微縮影製程，形成 本實施例中圖1 7 ( a )中所示的壁狀間隔器1 2 7，其 係保持基板間隙之間隙固持構件。此外，可使用從基板的 背側照光至負片型樹脂之製程。再者，藉由使用乾蝕刻或 電紫触刻，能夠形成具有上述形狀之壁狀間隔器。 以旋轉器，在基板的整個表面上沈積4 . 2 /zm厚之 NN700(JSR公司製造），NN700係具有感光 丙烯酸系材料爲主成份之材料。由於丙烯酸系樹脂易於形 成，所以使用它。發明中所使用之丙烯酸系樹脂 NN70 0的介電常數係3 · 4。接著形成光阻掩罩，以 蝕刻移除不需要的部份及形成如圖1 7 ( a )所示的形狀 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之壁狀間隔器。在上部製平坦之情形中，可確保作爲液晶 顯示面板之機械強度。根據S E Μ觀察，壁狀間隔器的高 度爲4 // m。較佳地，壁狀間隔器的推拔角度具有 75.0°至89. 9°之間的角度。 接著，藉由密封劑並同時使用壁狀間隔器Γ 2 1及 1 2 2以維持基板之間的間隙，以將主動矩陣基板及對立 基板1 2 4接合在一起，有壁狀間隔器1 2 2形成於上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508628 A7 B7 五、發明説明（23) 對立基板1 2 4係形成爲具有上述壁狀間隔器，之後，將 液晶材料1 2 5注入主動矩陣基板與對立基板之間。使用 具有負介電各向異性（η型液晶）之液晶材料作爲液晶材 料12 5，在本實施例中爲MLC — 20 38 ( Merck製造 )。當量測預傾斜角度時，預傾斜角度在2及5。之間的 範圍內，且其在顯示區中在3°處幾乎是均勻的。因此， 接近N N 7 0 0的表面之區域具有校準調節效果，使得液 晶分子的縱軸方向幾乎與表面平行。 在注入液晶材料之後，以樹脂材料密封注入口。 經由上述製程，取得圖1中所示之狀態。注意，爲簡 潔起見，圖1中僅顯示3壁狀間隔器與位於它們之間的液 晶分子。 在此狀態中，當未施加電壓時，因側壁之影響，液晶 分子配置成幾乎與壁狀間隔器1 2 1及1 2 2的側壁平行 。此外’未在側壁的近處中之液晶分子也會由這些液晶分 子影響。因此，在整個像素中取得具有數度預傾角度之穩 定晶向。藉由施加大於液晶的臨界電壓之電壓，則均勻操 作會朝向傾斜角度決定的傾斜方向。亦即，藉由使用壁狀 間隔器1 2 1及1 2 1，可控制整個顯示部份的晶向。 此外，配置於基板上的壁狀間隔器1 2 1及1 2 2之 上視圖顯示於圖1 8 ( a )中。延著虛線X — X，切割之 平面對應於圖1之剖面。 接著，可撓印刷電路（F P C )連接至端部的輸入端 1 0 1。F P C會由諸如聚醯亞胺等有機樹脂膜1 2 9上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-26- 508628 A7 B7 五、發明説明（24 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的銅接線1 2 8形成，並藉由各向異性導電黏著物連接至 遮蓋輸入端之透明導體膜。各向異性導電黏著物包括黏著 劑1 2 6及混合於其中之粒子1 2 7，粒子1 2 7具有數 十至數佰// m之直徑並具有鍍著諸如黃金等材料之導電表 面。藉由連接輸入端1 0 1上的透明導體膜與銅接線 1 2 8，粒子1 2 7在此部份中形成電連接。此外，爲了 增加此區之機械強度，形成樹脂層1 3 0。（圖3 ( C ) ) 圖7係說明主動矩陣基板的像素部份及端部份之配置 。像素部份2 1 1係形成於基板2 1 0上，閘極接線 2 0 8及源極接線2 0 7係於像素部份上形成相連接，連 接至此之η通道T F T 2 0 1係形成爲對應於每一像素 。像素電極1 1 9及儲存電容器2 0 2會連接至η通道 TFT 2 0 _ 1的汲極側，儲存電容器2 0 2的另一端會 連接至電容器接線209。η通道TFT 201與儲存 電容器202的結構與圖3 (B)所示之η通道TFT及 儲存電容器2 0 2之結構相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於輸入掃瞄訊號之輸入端部份2 0 5會形成於基板 的一邊緣部份中，並以連接線2 0 6連接至閘極接線 2 0 8。此外，用於輸入影像訊號之輸入端部份2 0 3會 形成於另一邊緣部份中，並以連接接線2 0 4連接至源極 接線2 0 7。根據像素密度，形成眾多閘極接線2 0 8、 源極接線2 0 7、及電容器接線2 0 9。再者，形成用於 輸入影像訊號之輸入端部份2 1 2及連接接線2 1 3，它 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 508628 A7 B7_ 五、發明説明（25 ) 們可藉由輸入端部份2 0 3交錯地連接至源極接線。形成 可由操作者適當地決定之任意數目的輸入端部份2 〇 3、 2 0 5、及 2 1 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，藉由使用4光罩，經過4次微縮影製程，在本 實施例中，形成主動矩陣液晶顯示面板。 雖然本實施例使用壁狀間隔器，但是，使用柱狀間_ 器是可接受的，且在其週圍，液晶分子以多域定向。 〔實施例2〕 圖8係安裝液晶顯示裝置之方法的實施例。液晶顯示 面板具有形成於有T F T形成於上之基板3 0 1的邊緣部 份中之輸入端部份3 0 2，且如實施例1所示般，其可由 與閘極接線相同的材料所形成的端點3 0 3形成。對立基 板3 0 4會以封裝間隔器3 0 6之密封劑3 0 5接合至基 板3 0 5，此外，形成極化板3 0 7和3 0 8、以及濾色 器（未顯示）。然後，這會藉由間隔器322而固定至殼 3 2 1° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意’具有非晶半導體膜形成的主動層之實施例i中 取得的T F T具有低電場效應遷移率，並僅接近1 c m 2 / V s e c。因此，以I c晶片形成執行影像顯示器之驅動 電路，及以T A B (帶式自動接合）法或C 0 G (玻璃上 晶片）法安裝。在實施例2中，顯示在I C晶片3 1 3中 形成驅動電路，並藉由使用T A B法以安裝。使用可撓印 刷電路（F P C )，並以銅接線3 1 0於諸如聚醯亞胺等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐） -28 - 508628 A7 _B7__ 五、發明説明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機樹脂膜3 0 9上形成F P C ’以及藉由各向異性導電 黏著物，將F P C連接至輸入端3 0 2。輸入端係形成於 接線3 0 3上並與其接觸之透明導體膜。由黏著物3 1 1 及混於其中之粒子3 1 2構成各向異性導電黏著物’粒子 3 1 2之直徑爲數十至數佰# m並具有鍍著諸如黃金等材 料之導電表面。藉由連接輸入端3 0 2及銅線3 1 0，粒 子3 1 2會於此部份中形成電連接。此外，爲了減少此區 的機械強度，形成樹脂層3 1 8。 I C晶片3 1 3藉由凸出物3 1 4連接至銅接線 3 1 0，並以樹脂材料3 1 5密封。然後，銅接線3 1 〇 經由連接端3 1 6連接至印刷基板3 1 7，在印刷基板上 形成有諸如訊號處理電路、放大電路、及電源電路等其它 電路。光源3 1 9及光導體3 2 0形成於對立基板3 0 4 上並作爲透射液晶顯示面板之背照光。 因此，藉由使用實施例1的液晶顯示面板，取得多域 垂直定向型液晶顯示裝置，其具有寬廣的視角顯示，具有 稀少的間隙不均勻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例3〕 在本實施例中，圖1 4係顯示藉由形成保護膜以形成 液晶顯示面板之實施例。注意，直到圖3 ( B )之狀態， 本實施例與實施例1相同，因此，僅解釋不同之處。此外 ，對應於圖3 ( B )之區域使用相同的符號。 在首先形成達到根據實施例1之圖3 ( B )的狀態之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐〉 -29- 508628 A7 ___ B7_ 五、發明説明（27 ) 後，在整個表面上形成薄的無機絕緣膜。以電漿c v D或 濺射等形成之諸如氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化政膜、或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氧化鉅膜等無機絕緣膜作爲薄的無機絕緣膜，並形成這些 材料製成的單層或疊層結構。 接著，執行前述微縮影製程，形成光阻掩罩，及以蝕 刻移除不需要的部份，在像素T F T部份中形成絕緣膜 4 0 2，及在端部份中形成無機絕緣膜4 0 1。這些無機 絕緣膜4 0 1及4 0 2作爲鈍化膜。此外，以第四微縮影 製程，移除端部份中薄的無機絕緣膜4 0 1，使形成於端 部份的端點1 0 1上之透明導電膜製成之第二導體膜曝露 〇 在實施例1之製程之後，取得圖14中所示的狀態。 但是，注意實施例1中形成壁狀間隔器之第四微縮影製程 稱爲第五微縮影製程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由總共執行使用五光罩之微縮影製程，因而於實施 例3中完成由無機絕緣膜保護之逆交錯型η -通道T F T 及儲存電容器。使像素部份配置成對應於每一像素之矩陣 狀態而形成像素部份之結構，則可製得用於製造主動矩陣 液晶顯不面板之一基板。 注意，能夠自由地結合本實施例與實施例1或實施例 2的構成。 在實施例1中，集中於形成絕緣膜、第一非晶半導體 膜、含有造成η型導電率之雜質元素之第二非晶半導體膜 、及以濺射形成第一導體膜，但是本實施例顯示使用電漿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -30- 508628 A7 ___B7_ 五、發明説明（28 ) C V D以形成膜之實施例。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中，以電漿C V D形成絕緣膜、第一非晶 半導體膜、及含有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶 半導體膜。 在本實施例中，使用氮氧化矽膜作爲絕緣膜，其係由 電漿C V D形成至1 5 0 n m厚。此時，以1 3至7 0 Μ Η z的電源頻率，較佳地在2 7至6 0 Μ Η ζ之間， 執行電漿CVD。藉由使用27至60 MHz之電源頻 率，可形成濃密的絕緣膜，且電壓電阻可隨著閘極絕緣膜 增加。此外，藉由添加N 2 0至S i Η 4及N Η 3而製成的 氮氧化矽膜具有縮小的固定電荷密度，因此爲可較佳地用 於此用途之材料。當然，閘極絕緣膜不限於此型式的氮氧 化矽膜，也可形成使用諸如氧化矽膜、氮化矽膜、或氧化 钽膜等其它絕緣膜之單層或疊層結構。此外，可使用下層 爲氮化矽膜及上層爲氧化矽膜之疊層結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 舉例而言，當使用氧化矽膜時，使用原矽酸四乙酯（ TE〇S )與〇2之混合氣體之電漿CVD，將反應壓力設 爲40Pa ，基板溫度爲250至350 °C，及以0 . 5 至0 · 8W/cm2的高頻（13 · 56MHz)電力密度 放電’以形成氧化矽膜。對於以後續的3 0 0至4 0 0 °C 之熱退火而形成之氧化矽膜而言，可取得如同閘極絕緣膜 之良好特徵。 典型上，以電漿C V D形成1 〇 0 n m厚之含氫的非 晶矽（a - S i ; Η )膜作爲第一非晶半導體膜。此時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -31 - 508628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（29 ) 在電漿CVD設備中，以1 3至70 MHz的電源頻率 ，較佳地在2 7至6 0 Μ Η z之間，執行電漿C V D。 藉由使用2 7至6 0 Μ Η ζ的電源頻率’則能夠增加膜 沈積速度，且由於沈積的膜變成具有低缺陷密度之S i膜 ，所以沈積膜是較佳的。此外，也能夠應用微晶半導體膜 及諸如非晶鎵化矽膜等具有非晶結構之化合物半導體膜以 作爲第一非晶半導體膜。 此外，假使在絕緣膜及第一非晶半導體膜之電漿 c V D膜沈積時，執行1 〇 〇至1 〇 〇 k Η z的脈沖調 變放電，則可防止因電漿C V D氣相反應而產生粒子，也 可防止在形成的膜中產生針孔，因此是較佳的。 此外，在本實施例中，形成2 0至8 0 n m厚之含有 造成η型導電率之雜質元素之第二非晶半導體膜以作爲含 有單一導電率型雜質元素之半導體膜。舉例而言，可形成 含有η型雜質元素之a - S i : Η膜，爲如此執行，將 0 · 1至5%濃度之磷化氫（ΡΗ3)添加至矽烷 (S i Η 4 )。或者，也可使用含氫微晶矽膜（/zc - Si :Η )以取代含有造成n型導電率的雜質元素之第二非晶 半導體膜1 0 6。 藉由適當地改變反應氣體，連續地形成這些膜。此外 ，藉由使用電漿C V D設備中相同的反應室或多個反應室 ，此時不用曝露於大氣中，成功地將這些膜疊層。藉由使 這些膜不用曝露於大氣中而如此成功地沈積這些膜，可防 止雜質特別地混入第一非晶半導體膜中。· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-32- 508628 A7 _______B7 五、發明説明（3〇 ) 注意’能夠組合本實施例與實施例1至3中的任一實 施例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例5〕 實施例1及實施例4中顯示的實施例係將絕緣膜、第 一非晶半導體膜、含有造成1Ί型導電率的雜質元素之第二 非晶半導體膜、及第一導體膜依序地及連續地疊層。圖 1 0係顯示設有多個室且用於執行此型式的連續膜沈積之 設備的實施例。 圖1 〇係顯示從上方觀視之本實施例所示之設備（連 續膜沈積系統）的輪廓。圖1 Q中的代號1 〇至1 5係代 表具有氣密特性的室。每一室中配置有真空泵及惰性氣體 導入系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 代號1 0及1 5代表的室係載入一上鎖室，用於將測 試件（處理基板）3 0帶入系統中。代號1 1所代表的室 係用於沈積絕緣膜1 0 4之第一室。代號1 2所代表的室 係用於沈積第一非晶半導膜1 〇 5之第二室。代號1 3所 代表的室係用於沈積授予η型導電率之第二非晶絕緣膜 1 0 6之第三室。代號1 4所代表的室係用於沈積第一導 體膜1 0 7之第四室。此外’代號2 0係代表測試件的共 同室，其相對於每一室爲共同配置的。 將於下顯示操作之實施例。 在首先使所有室成爲初始尚真空狀態之後，使用丨青性 氣體（此處爲氮氣）達成吹氣狀態（正常壓力）。此外， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇>< 297公釐） ^' - -33- 508628 A7 ___B7_ 五、發明説明（31 ) 關閉所有閘閥2 2至2 7。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，將裝載多個處理基板之卡匣2 8置入載入-上 鎖室1 0中。在卡匣置入內部之後，關閉載入-上鎖室之 門（未顯示於圖示中）。在此狀態中，閘閥2 2會打開且 以機械手臂2 1將處理基板3 0之一從卡匣中移除，並取 出至共同室2 0。此時，在共同室中，執行定位校準。注 意，根據實施例1而取得之有接線1 0 1、1 0 2、及 1 0 3形成於上之基板作爲基板3 0。 然後關閉閘閥2 2，接著打開閘閥2 3。然後將處理 基板3 0移入第一室1 1中。在第一室內以1 5 0至 3 0 0 °C之溫度執行膜沈積處理，並取得絕緣膜1 0 4。 注意，諸如氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜等膜、或這 些膜的疊層膜可作爲絕緣膜。在本實施例中首先採用單層 氮化矽膜，但是也可使用二層、三層、或更高層的疊層結 構膜。注意，此處使用能夠執行電漿C V D之室，但是也 可使用能夠執行使用靶材之濺射之室。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在完成絕緣膜的沈積之後，以機械臂將處理基板拉出 置入共同室中，然後將其傳送至第二室1 2。類似於第一 室般，在1 5 0至3 0 0°C下於第二室中執行膜沈積，並 以電漿C V D取得第一非晶半導體膜1 0 5。注意，諸如 微晶半導體膜、非晶鍺膜、非晶鍺化矽膜等膜、或這些膜 的疊層膜可作爲第一非晶半導體膜。此外，以3 5 0至 5 0 0 °的形成溫度用於第一非晶半導體膜，則可省略減 少氫濃度之熱處理製程。注意，此處使用能夠執行電漿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- 508628 A7 ____B7 __ 五、發明説明（32 ) c V D的室，但是，也可使用能夠使用靶材以執行濺射之 室。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在完成第一半導體膜的沈積之後，將處理基板拉出置 入共同室中，然後傳送至第三室1 3。類似於第二室般， 在1 5 0至3 0 0 t的溫度下，在第三室內執行膜沈積製 程，並以電漿CVD取得含有造成η型導電率（P或As )的雜質元素之第二非晶半導體膜1 0 6。注意，雖然此 處使用能夠執行電漿C V D之室，但是，也可使用能夠執 行使用靶材之濺射之室。 在完成含有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶半 導體膜的沈積之後，將處理基板拉出置入共同室中，然後 傳送至第四室1 4。以使用金屬靶材之濺射，在第四室內 取得第一導體膜1 0 7。 然後，以機械手臂將具有四層如此連續地形成於上之 處理過的基材傳送至載入-上鎖室1 5，並將其納入於卡 匣2 9中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 注意，圖1 0中所示的設備僅爲一實施例。此外，可 以自由地組合本實施例與實施例1至4之任一實施例。 〔實施例6〕 在實施例5中，顯示使用多個室之連續疊層之實施例 ，但是，在本實施例中，採用之方法係使用圖1 1中所示 的設備而在維持高真空之一室內連續疊層。 在本實施例中使用圖1 1所示的設備系統。在圖1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -35- 508628 A7 _____B7 五、發明説明（33 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中，代號4 0係代表處理基板，代號5 0係代表共同室， 4 4及4 6係代表載入一上鎖室，4 5係代表室，代號 4 2及4 3係代表卡匣。爲了防止基板傳送期間發生污染 ’在本實施例中於相同室中執行疊層。 可以自由地組合本實施例與實施例1至4之任一實施 例。 注意’當應用至實施例1時，在室5中製備多個靶材 ’藉由依序改變反應氣體，以將絕緣膜1 〇 4、第一非晶 半導體膜1 〇 5、含有造成η型導電率之第二非晶半導體 膜1 0 6、及第一導體膜1 〇 7疊層。 此外，當應用至實施例4時，藉由依序地改變反應氣 體，以將絕緣膜1 0 4、第一非晶半導體膜1 0 5、及含 有造成η型導電率之雜質元素之第二非晶半導體膜1 〇 6 疊層。 〔實施例7〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施例1中，顯示使用濺射以形成含有造成η型導 電率的雜質元素之第二非晶半導體膜之實施例，但是，在 本實施例中，顯示使用電漿C V D以形成其之實施例。注 意，除了形成含有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶 半導體膜之方法不同外，本實施例與實施例1相同，因此 僅於下說明不同點。 假使添加濃度0 · 1至5 %的磷化氫（Ρ Η 3 )至矽烷 (S i Η 4 )以作爲使用電漿c V D之反應氣體，則取得含 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格（210X297公釐) " -36 - 508628 A7 B7 五、發明説明（34 ) 有造成η型導電率的雜質元素之第二非晶半導體膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例8〕. 在實施例7中，顯示使用電漿c v D形成含有造成η 型導電率之雜質元素之第二非晶半導體膜之實施例，且在 本實施例中，顯示使用含有造成η型導電率的雜質元素之 微晶半導體膜之實施例。 藉由設定基板溫度爲8 0至3 0 〇 °C ’較佳地在 1 4 0及2 0 0 °C之間’採用以氫稀釋的矽烷（S i Η 4 : Η 2 - 1 : 1〇至100)與磷化氫（ΡΗ3)之混合氣體 作爲反應氣體’將氣體壓力設疋爲〇 · 1至1 〇Τ 〇 r r ，並將放電電力設定在1 0至3 0 0 m W/ c m 2，而取得 微晶矽膜。此外，在使用電漿摻雜以沈積此微晶矽膜之後 ，藉由添加磷以形成膜。 〔實施例9〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2係顯示使用C 0 G方法以構成電光顯示裝置之 狀態。像素區8 0 3、外部輸入一輸出端8 0 4、及連接 線8 0 5會形成於第一基板上。由虛線圍繞的區域代表用 於附加掃瞄線側I C晶片區域8 0 1、及用於附加資料線 側I C晶片之區域8 0 2。在第二基板8 0 8上形成對立 電極8 0 9，且藉由使用密封材料以將此基板接合至第— 基板8 0 0。藉由注入液晶，以將液晶層8 1 1形成於密 封材料8 1 0內。第一基板與第二基板以預定間隙接合， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 508628 A7 __B7 五、發明説明（35 ) 對於向列性液晶而言，此間隙設定爲3至8 // m，對層列 性液晶而言，此間隙設定爲1至4 // m。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I C晶片8 0 6及8 0 7具有資料線側與掃瞄線側相 異之電路結構。I C晶片安裝於第一基板上。f P C (可 撓印刷電路）8 1 2附加至外部輸入一輸出端8 0 4以便 輸入電源並控制來自外部之訊號。爲了增加F P C 8 1 2 的黏著強度，可形成補強板8 1 3。如此完成電光裝置。 假使在女裝I C晶片於第一基板上之前，執行電檢測，則 可改進電光裝置的最終產能，並增加可靠度。 此外，諸如使用各向異性導電材料之連接法或接線接 合法等方法可作爲安裝I C晶片於第一基板上之方法。圖 1 3係顯不其實施例。圖1 3 ( A )顯示使用各向異性導 電材料以將I C晶片安裝於第一基板9 0 1上之實施例。 於第一基板9 0 1上形成像素區9 0 2、導線9 0 6、連 接線及輸入-輸出端9 0 7。藉由使用密封材料9 0 4以 將第二基板接合至第一基板9 0 1，並於它們之間形成液 晶層9 0 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，藉由使用各向異性導體材料以將F P C接合至 連接線的一邊緣及輸入-輸出端9 0 7。各向異性導體材 料係由樹脂9 1 5及導電粒子9 1 4製成，導電粒子 9 1 4具有數十至數佰// m之直徑並鍍有諸如a u等材料 ，與F P C 9 1 2 —起形成的接線9 1 3、及連接線和 輸入一輸出端9 0 7會由導電粒子9 1 4電連接。I C晶 片9 1 8也會由各向異性導電材料類似地接合至第一基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 508628 Α7 Β7 五、發明説明（36) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 。設有I C晶片9 0 8及導線9 0 6或連接線之輸入一輸 出端9 0 9以及輸入-輸出端9 0 7藉由混合於樹脂9 1 中的導電粒子910而電連接。 此外’如圖1 3 ( B )所示，I C晶片藉由黏著材料 9 1 6固定至第一基板，I C晶片的輸入一輸出端及導線 或連接線藉由A u線9 1 7連接。然後，全部由樹脂 9 1 8密封。 安裝I C晶片的方法不限於以圖1 2及1 3爲基礎的 方法，也可使用諸如C〇G法、接線接合法或T A B法等 此處未說明之習知方法。 可以自由地組合本實施例與實施例1、及3至8之任 一實施例。 〔實施例1 0〕 本實施例顯示使用塑膠基板（或塑膠膜）作爲基板之 實施例。注意，除了使用塑膠基板作爲基板之外，本實施 例幾乎與實施例1相同，因此，僅說明不同之處。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可使用P E S (聚乙烯碩）、P C (聚碳酸酯）、 PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）及PEN (聚萘二甲酸 乙二醇酯）作爲塑膠基板材料。 假使根據實施例1執行製造時，使用塑膠基板以完成 主動矩陣基板。注意，較佳地，藉由相當低的膜沈積溫度 之濺射，形成絕緣膜、第一非晶半導體膜、及含有造成η 型導電率的雜質元素之第二非晶半導體膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -39- 508628 A7 ___ _B7 五、發明説明（37 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在塑膠基板上形成具有良好特性之T F T，且所造成 的顯示裝置製成重量輕。此外，由於基板是塑膠，所以會g 夠製成可撓的電光裝置。此外，組裝容易。 注意，本實施例可以與實施例1至3、及9自由地組 合。 〔實施例1 1〕 實施例1中所示的實施例係壁狀間隔器形成於基板 1 0 0及對立基板1 2 4上，但是，在本實施例中，圖 1 5所示之實施例係壁狀間隔器僅形成於對立基板中。注 意，除了壁狀間隔器1 5 0 1形成於對立基板1 2 4上之 外，本實施例與實施例1相同，因此，僅說明不同處。 藉'由使用三光罩之三微縮影步驟，在本實施例中完成 逆交錯型η通道TFT、及儲存電容器。基板製備有像素 部份，於其中逆交錯型η通道T F Τ以對應於每一像素之 矩陣狀態配置，使用此基板作爲主動矩陣型液晶顯示面板 之一基板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8 ( b )顯示形成於對立基板上之壁狀間隔器之 上視圖。圖1 5的剖面圖對應於延著虛線γ — γ -之剖面 〇 此外’當應用壁狀間隔器形成於對立基板中之液晶顯 示裝置於正常白模式時，在壁狀間隔器1 5 0 1的週邊中 會有晶向失序之部份、或因失序晶向而具有不均勻臨界電 壓之部份’會由壁狀間隔器本身遮蔽而令顯示器的使用者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公麓） -40- 508628 A7 _B7______ 五、發明説明（38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 無法辨識，且減少光洩露。因此，藉由抑制經過壁狀間隔 器之光洩露，可取得高對比、高灰階顯示之多域垂直定向 型液晶顯示器。 注意，可以自由地組合本實施例與實施例1至1 0中 任一實施例。 〔實施例1 2〕 在實施例1 2中，圖1 6係顯示在主動矩陣基板中形 成凸部之後形成定向膜之實施例。注意，除了定向膜 1601及1602的形成、及凸部1603的形成之外 ，實施例1 2均與實施例1相同，因此，僅說明不同處。 根據實施例1，首先形成主動矩陣基板。 接著形成形狀不同於實施例1的壁狀間隔器之凸部 1 6 0 3。使用有機樹脂材料或無機材料作爲凸部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 0 3的材料，有機樹脂材料具有選自丙烯酸系、聚醯 亞胺、聚醯亞胺胺、及環氧樹脂組成的群類之至少一材料 作爲其主成份，無機材料係選自氧化矽、氮化矽、及氮氧 化矽、或這些材料的疊層膜組成的群類。 此外’圖1 6顯示在像素電極上形成凸部之實施例， 但是，也可使用一結構，其中接線配置於所需區中及凸部 形成於遮蓋接線之絕緣膜上，以及藉由使用凸部以將液晶 定向。 接著’用於垂直定向之定向膜160 1 (JALS — 2 0 2 1 ，J S R製造）形成於凸部1 6 〇 3上。類似於 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐) - -41 - 外，用於垂 1 2 4 上， 使用密封劑 之壁狀間隔 基板之間。 電連接之接 上的壁狀間 的壁狀間隔 有固定方向 有寬視角顯 裝置。 例1至1 0 508628 五、發明説明（39) 實施例1之壁狀間隔器形成於對立基板上。此 直定向之疋向膜1 6 0 2也會形成於對立基板 對立電極形成於對立基板1 2 4中。然後，在 以將二基板接合在一起並以形成於對立基板上 器維持基板間隙之後，將1Ί型液晶材料注入二 在注入液晶材料之後，以樹脂材料密封注入埠。 之後，根據實施例1 ，連接用於執行外部 線，並完成液晶顯示面板。 s無電壓施加時’晶向會受主動矩庳基板 隔器及定向膜1 6 0 1控制，及受對立基板上 器及定向膜1 6 0 2控制，以致於η型液晶具 。使用貫施例1 2的液晶顯示面板，可取得具 示及小的間隙不平整之多域垂直定向型液晶顯示 注意，可以自由地組合實施例1 2與實施 中任一實施例。 〔實施例1 3〕 圖1 8 ( a )係顯示實施例1中所示的壁狀間隔器之 上視圖。貫施例1 3顯不不同於實施例1之壁狀間隔器配 置。 圖1 8 ( b )中所示的壁狀間隔器係如同實施例1 1 所示般具有直線形狀並僅形成於一基板上之壁狀間隔器的 實施例。 圖1 8 ( c )中顯示的壁狀間隔器具有分枝形狀。使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42 508628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) 用之構造係接合的壁狀間隔器形成於一基板上，或是它們 形成於二基板上。 此外’圖1 8 ( d )中所示的壁狀間隔器係格子狀。 對圖1 8 ( d )中所示的壁狀間隔器之情形而言，壁狀間 隔器形成於一基板上。此外，當使用圖1 8 ( d )中所示 的壁狀間隔器時，在滴落液晶之後，它們會接合至另一基 板。 注意，本發明不限於圖1 8中所示的上部配置，且可 使用任何能將η型液晶定向之配置。舉例而言，也可使用 Τ形或梯狀配置。 注意’實施例1 3可以與實施例1至1 2之任一實施 例自由地組合。 〔實施例1 4〕 在實施例1 4中，圖1 9顯示在像素區以外的其它區 域中形成保護電路，利用相同的材料膜作爲像素電極。 在圖1 9 ( A )中，代號7 〇 1代表接線，並顯示閘 極接線、源極接線、或從像素部份延伸的電容器接線。此 外，形成第二導體膜製成的電極7 0 1 ，以致於其嵌入於 未形成接線7 0 1之區域中，且不會與接線7 0 1重疊。 實施例1 4顯示未增加光罩數目以形成保護電路之實施例 ，但不特別限於圖1 9 ( A )中所示的結構。舉例而言， 也可藉由增加光罩數目，以保護二極體或TFT，形成保 護電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-43- 508628 A7 B7 五、發明説明（41 ) 此外，圖1 9 ( B )顯示等效電路圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 藉由使用此型式的電路結構，可以在製造期間防止因 製造裝置與絕緣基板之間的摩擦而產生靜電。特別地，可 保護諸如T F T等元件免於製造期間執行之液晶定向硏磨 製程期間產生的靜電。 注意，實施例1 4可以與實施例1至1 3中任一實施 例自由地組合。 〔實施例1 5〕 在不同的電光裝置（舉例而言，主動矩陣液晶顯示裝 置、主動矩陣E L顯示裝置、及主動矩陣e C顯示裝置） 中，可使用上述實施例1至1 4中任一實施例所形成的底 部閘極型T F T。亦即，在這些電光裝置設於顯示部份之 所有電子設備中，可以實施本發明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些電子設備如下所述：攝影機、數位相機、投影機 (背照型或前照型）、頭戴式顯示器（護目鏡型顯示器） 、汽車導航系統、汽車立體音響、個人電腦、及可攜式資 訊端（舉例而言，行動電腦、行動電話、或電子書）。這 些實施例顯示於圖2 0及2 1中。 圖20 (A)係個人電腦，且其包含主體2〇〇1、 影像輸入部2002、顯示部2003、及鍵盤2004 。本發明可應用至顯示部份2 0 0 3。 圖20 (B)係攝影機，且其包含主體2101、顯 示部2 1 〇 2、聲音輸入部2 1 0 3、操作開關2 1 0 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 X：297公釐〉 ^~~一 -44 - 508628 A7 B7 五、發明説明（42 ) 、電池2 1 0 5、及影像接收部2 1 〇 g。本發明可應用 至顯示部2 1 〇 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖2 0 ( C )係行動電腦，且其包含主體2 2 〇 1、 照相機部份2 2 〇 2、影像接收部2 2 0 3、操作開關 2 2 0 4、及顯示部份2 2 0 5。本發明可應用至顯示部 份 2 2 0 5。 圖2 0 ( D )係播放器，其使用有節目記錄於上之記 錄媒體（此後稱爲記錄媒體），且播放器包含主體 2 4 0 1、顯示部份2 4 0 2、揚音器部份2 4 0 3、記 錄媒體2 4 0 4、及操作開關2 4 0 5等等。注意，此播 放器使用諸如D V D (數位多樣式碟片）或C D等記錄媒 體’並可執行音樂欣賞、影片欣賞、玩電子遊戲及上網。 本發明可應用至顯示部份2 4 0 2。 圖2 0 ( E )係數位相機，其包含主體2 5 0 1、顯 示部份2 5 0 2、目鏡部份2 5 0 3、操作開關2 5 0 4 、及影像接收部份（未顯示於圖示中）、等等。本發明可 /應用至顯示部份2 5 0 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖21(A)係可攜式電話，其包含主體2901、 聲音輸出部份2 9 0 2、聲音輸入部份2 9 0 3、顯示部 份2 9 0 4、操作開關2 9 0 5、及天線2 9 0 6。本發 明可應用至顯示部份2 9 0 4。 圖2 1 (B)係可攜式書（電子書），其包含主體 3 0 0 1、顯示部份3 0 0 2及3 0 0 3、記錄媒體 3 0 0 4、操作開關3 0 0 5、及天線3 0 0 6。本發明 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 508628 μ —___Β7_ 五、發明説明（43 ) 可應用至顯示部份3 0 0 2及3 0 0 3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖21(C)係顯示器，其包含主體3101、支撐 架3102、及顯示部份3103、等等。本發明可應用 至顯示部份3 1 〇 3。本發明的顯示器特別有利於大尺寸 螢幕，且有利於對角線等於或大於1 〇吋（特別是等於或 大於3 0吋）之顯示器。 因此’本發明可應用的範圍相當廣，且能夠將本發明 應用至所有領域之電子設備。此外，可以使用具有實施例 1至1 4之任何型式組合的構成，實現實施例1 5之電子 設備。 〔發明之功效〕 藉由使用三光罩之三微縮影步驟，形成具有逆交錯型 η通道T F T之像素T F T部份，以及藉由一微縮影步驟 以形成壁狀間隔器而具有均勻的胞間隙，而不用執行硏磨 製程，本發明可實現具有寬視角顯示之多域垂直定向型液 晶顯示裝置，其中液晶分子的切換方向受控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔圖式簡述〕 圖1係顯示本發明之剖面視圖及液晶分子晶向狀態。 圖2係剖面視圖，顯示製造主動矩陣基板之製程。 圖3係剖面視圖，顯示製造主動矩陣基板之製程。 圖4係上視圖，顯示製造主動矩陣基板之製程。 圖5係上視圖，顯示製造主動矩陣基板之製程。 本紙張尺度適用^國國家標準（€奶）八4規格（210父297公慶) · 議46 - 508628 A7 ___ B7 五、發明説明（44 ) 圖6係上視圖’顯不製造主動矩陣基板之製程。 圖7係上視圖’解釋液晶顯示面板之像素部份及輸入 端部份的配置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8係剖面視圖’顯示安裝液晶顯示面板之方法的實 施例。 圖9係上視圖及剖面視圖，顯示輸入端部份。 圖1 0係上視圖，顯示製造設備。 圖1 1係上視圖，顯示製造設備。 @ 1 2係顯示安裝液晶顯示面板之方法的實施例。 11 1 3係剖面視圖，顯示安裝液晶顯示面板之方法的 實施例。 II 1 4係顯示本發明的剖面視圖及液晶分子晶向狀態 〇 圖1 5係顯示本發明的剖面視圖及液晶分子晶向狀態 〇 圖1 6係顯示本發明的剖面視圖及液晶分子晶向狀態 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 7係顯示本發明的壁狀間隔器之立體視圖。 圖1 8係顯示本發明的壁狀間隔器之上視圖。 圖1 9係保護電路的上視圖及電路圖。 圖2 0係顯示電子設備之實施例。 圖2 1係顯不電子設備之實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -47- 508628 A7 B7 五、發明説明（45 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 10 室 11 室 12 室 13 室 14 室 15 室 2 0 共同室 2 1 機械臂 2 2 閘閥 2 3 閘閥 2 4 閘閥 2 5 閘閥 2 6 閘閥 2 7 閘閥 2 8 卡匣 2 9 卡匣 3 0 測試件 4 0 處理基板 4 2 卡匣 4 3 卡匣 4 4 載入-上鎖室 4 5 室 4 6 載入一上鎖室 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 508628 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（46 5 0 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4a 10 4b 10 5 1 0 7 0 8 0 9 10 共同室 基板 端點 閘極接線 電容器接線 絕緣膜 絕緣膜 第一非晶半導體膜 第二非晶半導體膜 第一導體膜 光阻掩罩 第一非晶半導體膜 第二非晶半導體膜 接線 第二導體膜 光阻掩罩 光阻掩罩 光阻掩罩 第一非晶半導體膜 源極區 汲極區 源極接線 電極 像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A1 2 3 4 5 6 7規格（210X297公釐） -49- 1 2 a 3 b 3 c 3 4 5 6 7 508628 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二導體膜 壁狀間隔器 壁狀間隔器 對立基板 液晶材料 黏著劑 壁狀間隔器 銅接線 有機樹脂膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1 3 0 樹 脂 層 1 3 1 校 準 膜 1 3 2 校 準 膜 2 0 1 η 通 道薄膜 2 0 2 .儲 存 電容器 2 0 3 輸 入 端部份 2 0 4 連 接 線 2 0 5 輸 入 端部份 2 0 6 連 接 線 2 0 7 源 極 接線 2 0 8 閘 極 接線 2 0 9 電 容 器接線 2 1 0 基 板 2 1 1 像 素 部份 2 1 2 輸 入 端部份 五、發明説明（47 12 0 12 1 12 2 12 4 12 5 12 6 1 2 7 12 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50 508628 A7 B7 五、發明説明（48 ) 2 13 3 0 1 3 0 2 3 0 3 3 0 4 3 0 5 3 0 6 3 0 7 3 0 8 3 0 9 2 3 4 5 6 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 0 連接線 基板 輸入端部份 端點 對立基板 密封劑 封裝間隔器 極化板 極化板 有機樹脂膜 銅接線 黏著劑 粒子 I C晶片 突出物 樹脂材料 連接端 印刷基板 樹脂層 光源 光導體 殻 間隔器 無機絕緣膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） -51 508628 A7 B7 五、發明説明（49 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 0 2 迦 j w\ 機絕緣 膜 5 0 1 閘 極接線 端 部 份 5 0 2 源 極接線 端 部 份 5 〇 3 連 接電極 5 0 4 絕 緣月旲 5 0 5 第 一非晶 半 導 體 膜 5 0 6 第 二非晶 半 導 體 膜 7 0 1 接 線 8 0 0 第 一基板 8 0 1 用 於附加 掃 瞄 線 側 8 0 2 用 於附加 資 料 線 側 8 0 3 像 素區 8 0 4 外 部輸入 — 輸 出 端 8 0 5 連 接線 8 0 6 I C晶片 8 0 7 I c晶片 8 0 8 第 二基板 8 0 9 對 立電極 8 1 〇 密 封材料 8 1 1 液 晶層 8 1 2 可 撓印刷 電 路 8 1 3 補強板 9 0 1 第 —*基板 9 〇 2 像 素區 C晶片之區域 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -52- 508628 A7 B7 五、發明説明（5〇 ) 9 0 4 9 0 5 9 0 6 9 0 7 9 0 8 9 0 9 9 10 9 11 9 12 4 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 17 9 18 15 0 1 16 0 1 16 0 2 16 0 3 2 0 0 1 2 0 0 2 2 0 0 3 2 0 0 4 2 10 1 密封材料 液晶層 導線 輸入-輸出端 I C晶片 輸入一輸出端 導電粒子 樹脂 可撓印刷電路 接線 導電粒子 樹脂 黏著材料 頁金接線 樹脂 壁狀間隔器 定向膜 定向膜 凸部 主P _L- Π-5-Δ. 影像輸入部份 顯示部份 鍵盤 主體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 53- 508628 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明説明（51 ) 2 1 0 2 顯 示 部 份 2 1 0 3 聲 音 輸 入部份 2 1 0 4 操 作 開 關 2 1 0 5 電 池 2 1 0 6 影 像 接 收部份 2 2 0 1 主 體 2 2 0 2 照 相 機 部份 2 2 0 3 影 像 接 收部份 2 2 0 4 操 作 開 關 2 2 0 5 顯 示 部 份 2 4 0 1 主 體 2 4 0 2 顯 示 部 份 2 4 〇 3 揚 音- 器 部份 2 4 0 4 記 錄 媒 體 2 5 0 1 主 體 2 5 0 2 顯 示 部 份 2 5 0 3 巨 鏡 2 5 〇 4 操 作 開 關 2 9 0 1 主 體 2 9 〇 2 聲 音 輸 出部份 2 9 0 3 聲 音 輸 入部份 2 9 0 4 顯 示 部 份 2 9 0 5 操 作 開 關 2 9 0 6 天 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -54 - 508628 A7 B7 五、發明説明（52 ) 3 0 0 1 3 0 0 2 3 0 0 3 3 0 0 4 3 0 0 5 3 0 0 6 3 10 1 3 10 2 3 10 3 主體 顯示部份 顯示部份 記錄媒體 操作開關 天線 主體 支撐架 顯示部份 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55

Claims (1)

1. 508628 A8 B8 C8 D8 補充 六、申請專利範圍 ， 1 · 一種液晶顯示裝置，具有基板對及維持於該基板 對之間的液晶，特徵在於 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成於基板對之一基板上的是： 閘極接線； 絕緣膜，設於該閘極接線上； 非晶半導體膜，設於該絕緣膜上； 源極區及汲極區，設於該非晶半導體膜上； 源極接線或電極，設於該源極區或該汲極區上； 像素電極，形成於該電極上；及 間隙維持材料，用於維持基板對之間固定的間隙 ，及特徵在於 液晶的預傾斜角度係由該間隙維持材料的側面所 控制，以使液晶定向。 2 · —種液晶顯示裝置，具有基板對及維持於該基板 對之間的液晶，特徵在於 形)¾於基板對之一基板上的是： 閘極接線； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 絕緣膜，設於該閘極接線上； 非晶半導體膜，設於該絕緣膜上； 源極區及汲極區，設於該非晶半導體準上； 源極接線或電極，設於該源極區或該汲極區上； 像素電極，形成於該電極上；及 間隙維持材料，用於維持基板對之間固定的間隙 及特徵在於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -56- 508628 A8 B8 C8 _^_ D8 六、申請專利範圍 2 液晶的預傾斜角度係由該間隙維持材料的側面，及形 成於至少一基板上的凹部及凸部所控制，以使晶體定向。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其 中至少一基板具有定向膜。 4 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯示 裝置，其中該間隙維持材料具有固定的推拔角度。 5 ·如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中該 間隙維持材料的推拔角度從7 5 · 0 ϋ至8 9 · 9。，較佳 地從8 2 °至8 7 ° 。 6 ·如申請專利範圍第1至2項中任一項之液晶顯示 裝置，其中該間隙維持材料爲： 有機樹脂材料，具有選自丙烯酸系、聚醯亞胺、聚醯 亞胺胺、及環氧樹脂組成的群類之至少一材料作爲其主成 份；或 無機材料，選自氧化矽、氮化矽、及氮氧化矽組成之 群類、或該等材料之疊層膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯示 裝置，其中該間隙維持材料的側面之極近處中液晶分子的 主軸方向具有強的調節晶向，與側面約略平行。 8 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯示 裝置，其中液晶具有負介電各向異性。 9 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯示 裝置，其中該汲極區或該源極區的一端面與該非晶半導體 膜的端面及該電極的邊緣表面約略相符。 '—-——— ........... · .......-. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 508628 A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 3 1 〇 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該汲極區或該源極區的一端面與該非晶半導體膜的端 面及該電極的端面約略相符，及其中 該汲極區或該源極區的另一端面與該像素電極的端面 及該電極的另一端面約略相符。 1 1 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該源極區及該汲極區係由含有造成η型導電 率之雜質元素之非晶半導體膜製成。 1 2 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該絕緣膜、該非晶半導體膜、該源極區、及 該汲極區係連續形成而未曝露於大氣下。 1 3 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該絕緣膜、該非晶半導體膜、該源極區、或 該汲極區係以濺射形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該絕緣膜、該非晶半導體膜、該源極區、或 該汲極區係以電漿C V D形成。 1 5 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該閘極接線係由選自A. 1、C u、，T i、 Μ 〇、W、T a、N d、及C r組成的群類之元素的膜、 該元素的合金膜、或該等元素的疊層膜所形成。 1 6 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中藉由與該非晶半導體膜及該電極相同的光罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) : -58- 508628 A8 B8 C8 _ D8 7T、申請專利乾圍 4 以形成該源極區及該汲極區。 1 7 ·如申請專.利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中藉由與該源極接線相同的光罩以形成該源極 區及該汲極區。. 1 8 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中藉由與該源極接線及該像素電極相同的光罩 以形成該源極區及該汲極區。 1 9 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該像素電極會接觸該絕緣膜。 2 0 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中在該非晶半導體膜中，與該源極區及該汲極 區接觸之區域中的膜厚形成爲比接觸該源極區之區域與接 觸該汲極區之區域之間的區域中的膜厚還厚。 2 1 ·如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中接觸該源極區之區域與接觸該汲極區之區域 之間的該非晶半導體膜之區域，會由該間隙維持材料遮蓋 ’而受保護，該間隙維持材料係由無機絕緣膜製成。 2 2 .如申請專利範圍第1至2項之任一項之液晶顯 示裝置，其中該液晶顯示裝置係個人電腦、攝影機、可攜 式資訊端、數位相機、數位影碟機、.或電子娛_裝置。 2 3 · —種液晶顯示裝置之製造方法，其包括以下的 步驟： 藉由使用第一光罩，於第一基板上形成閘極接線； 形成絕緣膜，遮蓋該閘極接線； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） '~~'， -- -59- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 在該絕緣膜上形成第一非晶半導體膜； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該第一非晶半導體膜上形成第二半導體膜，第二半 導體膜含有造成11型導電率之雜質元素； 在第二半導體膜上形成第一導體膜； 使用第二光罩以圖型化該第一非晶半導體膜； 使用該第二光罩以圖型化該第二半導體膜 ;及 使用該第二光罩以圖型化該第一導體膜， 從該第一導體膜形成接線； 形成接觸及重疊該接線之第二導體膜； 使用第三光罩以個型化該第二導體膜，形成由該第二 導體膜製成之像素電極； 使用該第三光罩以圖型化該接線，形成源 極接線及電極； 使用該第三光罩以圖型化該第二半導體膜 ，形成由該第二半導體膜製成的源極區及汲極區；及 使用該第三光罩以移除該第一非晶半導體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜之部份； 在該像素電極上形成定向膜； 在定向膜上形成間隙維持材料；· _ 將第一基板與第二基板接合在一起；及 將液晶注入於第一基板與第二基板之間。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項之液晶顯示裝置之製 造方法，特徵在於該間隙維持材料在第一基板與第二基板 本&張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公楚) — -60- 508628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 之間維持固定距離之間隙。 2 5 .如申請專利範圍第2 3或2 4項之液晶顯示裝 置之製造方法，特徵在於液晶的預傾斜角度係由該間隙維 持材料的側面控制，以使液晶定向。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -61 -