TW310481B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW310481B TW310481B TW085108142A TW85108142A TW310481B TW 310481 B TW310481 B TW 310481B TW 085108142 A TW085108142 A TW 085108142A TW 85108142 A TW85108142 A TW 85108142A TW 310481 B TW310481 B TW 310481B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- die
- semiconductor element
- bonding material
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 119
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002906 microbiologic effect Effects 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 63
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 59
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 45
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 14
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 150000004683 dihydrates Chemical class 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 5
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 125000005591 trimellitate group Chemical group 0.000 description 3
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000005026 oriented polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N (3-aminophenyl)-(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(N)=C1 YKNMIGJJXKBHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical group NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 3-[(4-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=CC(N)=C1 FGWQCROGAHMWSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVUCUHVQYAPMEU-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(3-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(C(C=2C=C(N)C=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 UVUCUHVQYAPMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFTFTIALAXXIMU-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[2-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)C(C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MFTFTIALAXXIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYRFBMFAUFUULG-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[2-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=C(N)C=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 NYRFBMFAUFUULG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQWVJKRTKJYVBY-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=C(OC2=C(C=CC=C2)C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 NQWVJKRTKJYVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(N)C=C1 BEKFRNOZJSYWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGMGHALXLXKCBD-UHFFFAOYSA-N 4-amino-n-(2-aminophenyl)benzamide Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1N QGMGHALXLXKCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYARBIJYVGJZLB-UHFFFAOYSA-N 7-amino-4-hydroxy-2-naphthalenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=CC2=CC(N)=CC=C21 KYARBIJYVGJZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- WRSTUDDHIAXPKG-UHFFFAOYSA-N C(=O)=C1OC(CC1C1C=C(C(C(C1)C(=O)O)C(=O)O)C)=C=O Chemical compound C(=O)=C1OC(CC1C1C=C(C(C(C1)C(=O)O)C(=O)O)C)=C=O WRSTUDDHIAXPKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000005979 Hordeum vulgare Species 0.000 description 1
- 235000007340 Hordeum vulgare Nutrition 0.000 description 1
- OTXFCNKSJJLHLT-UHFFFAOYSA-N N#CO.O.O Chemical compound N#CO.O.O OTXFCNKSJJLHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYFKFQUNYSKMY-UHFFFAOYSA-N O.O.C(C(CC)C(=O)O)(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O Chemical compound O.O.C(C(CC)C(=O)O)(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O GQYFKFQUNYSKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPWCOERUUQTAHP-UHFFFAOYSA-N O.O.O1C(C(C(C1C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O Chemical compound O.O.O1C(C(C(C1C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O)C(=O)O SPWCOERUUQTAHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 235000015090 marinades Nutrition 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- MWLSEHWAEUWZJL-UHFFFAOYSA-N propane;dihydrate Chemical compound O.O.CCC MWLSEHWAEUWZJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
310481 經濟部中央梂準局員工消费合作社印袈 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 【技術範圔】 本發明係有關令半導體元件使用壓模接合材,黏接於 導線框等之支持構件,加以樹脂封閉之半導體裝置及半導 體裝置之製造方法。 【技術背景】 以往、乃使用就將半導體元件黏著於導線框之方法而 言,於導線框上供給壓模接合材料,將半導體元件加以黏 著之方法。 就此等材料而言,例如有Au — S i共晶、銲錫、樹 脂糊等。此中,Au — S i共晶有高價且彈性率高,需於 黏著部分加振之問題。銲錫則有無法承受融點溫度以上之 溫度,且彈性率髙之問題。 樹脂糊中,以銀糊最爲一般化,銀糊係較其他材料而 言最爲便宜,且耐熱可癉性高,彈性率爲低之故,做爲 1C、 LSI之導線框黏著材料使用之情形甚多。 電子機器之小型.薄型化之高密度安裝之需求在於近 年以來急遽地增加,半導體封裝則代替以往腳插入型,取 而化之適於高密度安裝之表面安裝型者爲主流。 此表面安裝型封裝係因令導線於印刷基板等直接加以 銲接之故,經由紅外線回流或汽相回流、銲錫浸潰等,對 封裝整體加熱安裝。 此時,封裝整體爲2 1 0〜2 6 0 °C之高溫之故,於 封裝內部存在水分時,由於水分之燦發性氣化,而產生封 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS > A4规格(2丨Ο X 297公釐)-Λ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 線 A7 31G481 B7 五、發明説明(2 ) 裝龜裂(以下稱回流龜裂)。 此回流龜裂係因會使半導體封裝之可靠性降低之故, 而成爲非常深刻之技術課題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 起因於壓模接合材之回流龜裂產生的機構係如下所述 。半導體封裝係於保管之時(1)壓模接合材則吸收濕氣 、(2)此水分於回流銲接之安裝時,經由加熱而氣化、 (3)經由此蒸氣壓,產生壓模接合餍之破壤或剝離、( 4 )產生回流龜裂。 封閉材之耐回流龜裂性提升之中,起因於壓模接合材 之回流龜裂則尤其在薄型封裝中,呈重大之問題,對耐回 流龜裂性之改良則被强烈地要求。 在於以往最爲一般使用之銀糊中,由於晶片的大型化 ,難以將銀糊均勻於塗布部整面塗部,又因爲爲糊狀之故 ,於黏著層易產生空隙之故,易於產生回流龜裂。 【發明之揭示】 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 本發明係提供使用薄膜狀有機壓模接合材,不產生回 流龜裂,於可靠性上優異之半導體裝置及其製造方法者。 本發明中,使用薄膜狀有機壓模接合材。此係例如環 氧樹脂、聚矽氧烷樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等之 有機材料爲主體(包含於有機材料添加金屬塡充物、無機 質塡充物)之薄膜狀者,於導線框等之支持構件上,於加 熱薄膜狀有機壓模接合材之狀態下壓接,更且於薄膜狀有 機壓模接合材,將半導體元件重叠加熱壓接者。即令樹脂 本紙張尺度逋用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)-5 31C481 A 7 B7 五、發明説明(3 ) 糊薄膜化,於黏著部分附上均勻壓模接合材者。 圖1係顯示本發明之半導體裝置之製造工程的一例。 薄膜狀有機壓模接合材1係由輥以切斷器2切斷呈所 定之大小(圖1 ( a )) 薄膜狀有機壓模接合材1係於熱盤7上,於導線框5 之壓模盤部6 ,以壓接子4加以壓接(圓1 ( b ))。壓 接條件係以溫度1 0 0〜2 5 0 °C,時間0 . 1〜2 0 # ,壓力4〜200gf/mm2爲佳。 於黏貼於壓模盤部之薄膜狀有機壓模接合材1 ,將半 導體元件8載置加熱壓接(壓模接合)(圖〗(c )。壓 模接合之條件以溫度1 0 0〜3 5 0 °C,時間0 . 1〜 2 0秒,壓力0 . 1〜3 0 g f/mm2爲佳,又以溫度 1 5 0〜2 5 0 °C,時間0 . 1以上未足2秒,壓力 0 . 1〜4 g f/mm2爲更佳,而以溫度1 5 0〜 250 °C,時間0. 1以上1. 5秒以下,壓力0. 3〜 2 g f / mm2爲最佳者。 此由經線接合工程(圖1 (d)),經由半導體元件 之樹脂封閉工程(圖1 (e)),製造半導體裝置。9爲 封閉樹脂。 例如,本發明之薄膜狀有機壓模接合材係聚醯亞胺、 環氧樹脂等之有機材料,依需要將金靥塡充物等之添加物 等材料呈溶解.分解於有機溶媒的塗裝用潸漆,令此塗裝 用清漆塗裝於二軸延伸聚丙烯薄膜等之載餹薄膜,令溶劑 揮發由載體薄膜剝離製造。如此地,可得自我支持性之薄 本紙浪尺度逋用中國困家橾率(CNS ) A4規格(2!〇Χ297公釐) f (請先聞讀背面之注意事項#(填寫本頁) --wt 經濟部中央梯準局黃工消费合作社印製 3丄C4S1 A/ B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明(4 ) 膜 Ο 本 發 明 係 發 現 半 導體 裝 P3Q 置 之 回 流 裂 之 產 生 與 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 之 物 性 特 性 間 有 所 關 係 9 詳 細 檢 討 回 流 龜 裂 之 產 生 和 薄 膜 狀 有 概 壓 Sdtt 模 接 合 材 之 特 性 關 係 的 結 果 所 成 者 0 本 發 明 之 第 -- 發 明 係 令 半 導 sum 徹 元 件 於 文 持 fnfff 稱 件 以 壓 描 接 合 材 加 以 黏 著 , 樹 脂 封 閉 半 導 XUtt 撒 元 件 之 半 導 guh 腰 裝 iaaHL 中 J 對 於 壓 模 接 合 材 使 用 吸 水 率 1 5 V 0 1 % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合材 爲 特 徵 之 半 導_ Mitt 爾 裝 置 -τχ 及 冥 Μ 造 方 法 0 本 發 明 之 第 二 發 明 係 令 半 導 sulk 獵 元 件 於 支 持 稱 件 以 壓 模 接 合 材 加 以 黏 著 1 樹 脂 封 閉 半 導 徹 元 件 之 Xpp. 千 導 aMt 観 裝 置 中 > 對 於 ncs 壓 模 接 合 材 使 用 飽 和 吸 溫 率 1 - 0 V 0 1 % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接合 材 爲 特 徵 之 半 導 體 裝 置 及 其 製 造 方 法 〇 本 發 明 之 第 三 發 明 係 令 半 導 體 元 件 於 支 持構 件 以 壓 模 接 合 材 加 以 黏 著 9 樹 脂 封 閉 半 導 體 元 件 之 半 等 髏 裝 置 中 9 於 壓 模 接 合 材 使 用 殘 餘揮 發 分 爲 3 0 W t % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 爲 特 徵 之 半 導 傭 腿 裝 置 及 其 製 方 法 〇 本 發 明 之 第 四 發 明 係 令 半 導 麗 元 件 於 支 持 稱 件 以 壓 模 接 合 材 加 以 黏 著 5 樹 脂 封 閉 半 導 體 元 件 之 半 導 體 裝 置 中 9 於 壓 模 接 合 材 使 用 於 2 5 0 °c 彈 性 率 爲 1 0 Μ Ρ a 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 爲 特 徴 之 半 導 着 裝 置 及 其 製 造 方 法 本 發 明 之 第 五 發 明 係 令 半 導 Wrftt W 元 件 於 支 持 通 稱 件 以 壓 模 接 材 加 以 黏 著 9 樹 脂 封 閉 半導 體 元 件 之 導 爾 裝 置 中 訂 線 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 請 先 閲 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 寫 本衣 頁 經濟部中央梂準局負工消费合作社印掣 A7 __B7 五、發明説明(5 ) 於壓模接合材使用於將半導體元件黏著於支持構件的階段 ,存在壓模接合材中及壓模接合材和支持構件之界面的空 隙呈空隙體稹率1 0 %以下之薄膜狀有機壓模接合材爲特 徵之半導體裝置及其製造方法。 本發明之第六發明係令半導體元件於支持構件以壓模 接合材加以黏著,樹脂封閉半導體元件之半導髓裝置中, 做爲壓模接合材,使用於將半導镰元件黏著於支持構件的 階段之皮爾强度爲0 . 5 k g f/5 X 5mm晶片以上之 薄膜狀有機壓模接合材爲特徵之半導體裝置及其製造方法 Ο 本發明之第七發明係令半導體元件於支持構件以壓模 接合材加以黏著,樹脂封閉半導體元件之半導體裝置中, 於壓模接合材,使用於將具有與半導體元件面積同等以下 之面稹的半導體元件黏著於支持構件之階段,由半導體兀 件之範圍不會有壓模接合材漏出,即不由半導體元件和支 持構件間漏出之薄膜狀有機壓模接合材爲特微之半導體裝 置及其製造方法。 於此等發明中,於支持構件貼附薄膜狀有機壓模接合 材的階段,各使用吸水率1 . 5 v ο 1 %以下之薄膜狀有 機壓模接合材,飽和吸濕率爲1 . 0 v ο 1 %以下之薄膜 狀有機壓模接合材,殘餘揮發分爲3. 〇wt%以下之薄 膜狀有機壓模接合材,於2 5 0 °C之彈性率爲1 〇Mp a 以下之薄膜狀有機壓模接合材者。 第1發明所使用之吸水率1 . 5 v ο 1 %以下之薄膜 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) —----------^------IT------ (诗先閲讀背面之注意事項界填寫本頁) A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 五、發明説明(6 ) 狀 有 捕 機 壓 模 接 合 材 9 第 2 發 明 所 使 用 之 飽 和 吸 濕 率 爲 1 • 0 V 0 1 % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 9 第 4 發 明 所 使 用 於 2 5 0 V 之 彈 性 率 爲 1 0 Μ Ρ a 以 下 之 -rtiC 爾 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 及 第 發 明 使 用 之 於 將 半 導 體 元 件 黏 著 於 支 持 構 件 的 階 段 之 皮 爾 强 度 為 0 5 k S f / 5 X 5 m m 晶 片 以 上 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 r. r. 材 係 經 由 調 整 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 之 組 成 9 例 如 聚 醯 亞 胺 等 之 聚 合 物 構 迤 或 銀 等 之 塡 充 物 含 置 加 以 製 造 〇 又 9 第 3 發 明 所使 用 之 殘 餘 揮 發 分 爲 3 0 W t % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 口 材 及 第 5 發 明 所 使 用 之 於 將 半 導 體 元 件 黏 著 於 支 持 構 件 的 階 段 5 存 在 壓 模 接 合材 中 及 壓 模 接 合 材 和 支 持 構 件 之 界 面 的 空 隙 呈 空 隙 體 積 率 1 0 % 以 下 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 9 係 經 由 調 整 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 之 製 造 條 件 9 例 如 乾 燥 溫 度 、 乾 燥 時 間 /Sts 券 地 加 以 製 造 做 爲 半 導 體 元 件 9 使 用 - 般 之 I C 、 L S I V L S I 等 半 導 體 元 件 0 本 發 明 係 半 等 體 元 件 之 大 小 爲 縱 5 m ΠΊ 橫 5 m m 以 上 者 尤 其 適 於 使 用 0 做 爲 支 持 f.物 稱 件 > 使 用 具 有 壓 模 盤 部 之 導 線 框 > 陶 瓷 配 線 板 玻 璃 — 聚 醯 亞 胺 配 線 板 等 之 配 線 基 板 等 〇 於 圖 3 顯 示 具 有 壓 模 Am 盤 部 之 導 線 框 之 一 例 平 面 圖 Ο 於 圖 3 所 示 之 導 線 框 4 0 係 具 有 壓 模 盤 JJC· 部 4 1 〇 薄 膜 狀 有 機 歷 模 接 合 材 係 不 單 爲 單 ―― 層 者 9 可 使 用 多 層 構 造 者 〇 請 先 閱 讀 背 面 之 注 -fi 填 聚裝 1 訂 本紙張尺度逍用中困國家揉準(CNS ) A4规格(210X 297公釐) ^IG48I A1 _B7 _ 五、發明説明(7 ) 本發明之中,薄膜狀有機壓模接合材係可兼具上述物 性.特性之二者以上。 做爲兼備較佳之物性.特性,例如有 (1) 飽和吸濕率爲1. Ονο 1%以下且殘餘揮發 分爲3. Owt%以下之薄膜狀有機壓模接合材, (2) 飽和吸濕率爲1_ Ονο 1%以下且將半導體 元件黏著於支持構件的階段之皮爾强度爲〇. 5kgf/ 5 X 5 mm晶片以上之薄膜狀有機壓模接合材, (3) 殘餘揮發分爲3. Owt%以下,且將半導髖 元件黏著於支持構件的階段之皮爾强度爲〇 . 5 k g ί / 5 X 5 mm晶片以上之薄膜狀有機壓模接合材, (4 )飽和吸濕率爲1 · 0 v 〇 1%以下,殘餘揮發 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 (請先Μ讀背面之注意事項爲填寫本萸) 分爲3. Owt%以下,且將半導體元件黏著於支持構件 的階段之皮爾强度爲〇 · 5 k g f/5 X 5mm晶片以上 之薄膜狀有機壓模接合材。 本發明中,薄膜狀有機壓模接合材之上述物性*特性 係對應使用目的,可任意地加以組合。 又,令(1 )〜(4 )之薄膜狀有機壓模接合材或上 述物性.特性之任意組合之薄膜狀有機踵模接合材,做爲 將具有與半導體元件面積同等以下之面稹的半導體元件黏 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS 格(210X297公t ) - ]〇 ^ Λ7 B7
經濟部中央標準局負工消费合作社印$L 五、發明説明(8 ) 1 著 於 支 持 稱 件 之 階 段 > 不 會 由 半 導 體 元 件 之 大 小 漏 出 之 薄 1 1 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 加 以 使 ΠΡ 用 者 佳 〇 1 1 本 發 明 之 半 導 腰 裝 置 係 於 半 辱 體 裝 置 安 裝 之 W 錫 回 流 1 1 1 時 9 可 避 免 回 流 龜 裂 之 產 生 y 在 可 性 上 極 優 〇 請 k. 1 閲 | 做 爲 本 發 明 之 薄 膜 狀有 44» m 壓 模 接 a 材 之 有機 材料 9 以 讀 背 面 1 I 聚 醯 亞 胺 樹 脂 爲 佳 〇 做 爲 聚 醯 亞 胺 樹 脂 之 原 料 使 用 之 四 羧 之 注 1 | 意 I 酸 二 Arc m 水 物 有 1 2 — ( 乙 烯 ) 雙 ( 偏 苯 Η 酸 酯 無 水 物 ) 事 1 S', 1 、 1 5 3 — ( 三 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 無 水 物 ) 1 4 填 寫 本 1 裝 1 — ( 四 甲 IMb 撑 ) 雙 ( 偏 苯 二 酸 酯 Μ 7tTt 水 物 ) 1 9 2 — ( 五 甲 頁 ν_>· 1 1 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 無 水 物 ) > 1 6 — ( 六 甲 撑 ) 雙 ( 1 1 偏 苯 三 酸 酯 7Ττί 水 物 ) 、 1 7 — ( 七 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 1 | 酯 frrr. m 水 物 ) > 1 9 8 — ( 八 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 -- 酸 酯 4ac 撕 水 物 1 訂 I ) 、 1 9 9 — ( 九 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 二 酸 酯 無 7tvf 水 物 ) 、 1 5 1 1 | 1 0 — ( 十 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 Αττ 撕 水 物 ) 、 1 J 1 2 — 1 1 ( 十 二 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 —» 酸 酯 4nr. Μ 水 物 、 1 9 1 6 — ( 十 1 _ϊ— 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 酸 酯 Jrrt. 撕 水 物 ) 、 1 , 1 8 — < 十 八 甲 線 1 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 無 水 物 ) Ν 均 苯 四 甲 酸 一 Λα. Im 水 物 、 3 1 1 9 3 , 9 4 , 4 9 — 二 苯 基 四 羧 酸 二 無 水 物 2 9 2 — 雙 I ( 3 9 4 — 二 羧 苯 基 ) 丙 烷 二 無 7ΓΓ\ 水 物 2 2 •— 雙 ( 2 1 1 » I 3 一 二 羧 苯 基 ) 丙 院 二 無 水 物 1 f 1 — 雙 ( 2 9 3 — 二 1 氧 苯 基 ) 乙 焼 二 Jrrr 撕 水 物 、 1 9 1 — ΙΛ.ΛΛ. 雙 ( 3 9 4 '— 二 羧 氧 苯 1 I 基 ) 乙 烷 二 無 7TTV 水 物 雠 ( 2 9 3 — 二 羧 苯 基 ) 甲 院 二 無 水 1 1 物 雙 ( 3 9 4 — __. 羧 苯 基 ) 甲 Jfdar 阮 二 無 水 物 、 雙 ( 3 9 4 1 1 一 二 羧 氧 苯 基 ) 碉 二 無 水 物 3 Ϊ 4 > 9 9 1 0 黎 5<Τχ 蘇 烯 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS>A4规格(2丨0X297公t〉- Π -
五、發明説明(9 ) 四羧酸二無水物、雙(3,4 基)醚二無水物 苯 二羧苯 ,4 —四羧酸二無水物 苯甲酮四羧酸二無水物 二苯甲酮四羧酸二無水物、1, 無水物、2,3,6,7 —棻四 4 ,5 —棻四羧酸二無水物、1 二無水物、2,6 —二氣棻—1 2 » 5 > 6 羧酸二無水物 3, ,4,- 一菓四羧酸二 無水物 水物、 7 -二氣棻—1, ,6,7 —四氣蔡 酸二無水物、菲—1,8,9 -四 1 秦一2 ,3 ,5 ,6 —四羧酸二無水物 羧酸 、塞 8 -綦 8 -四 一四羧 5 J 8 二無水 四羧酸 羧酸二 酸二無 --四羧 物、呲 請 先 Μ 讀 背 * 之 注 意 事 項 再一 f 装 4 ,5 —四羧酸二無水物 酸二無水物、3,4,3 ,3, ,4 —聯苯四羧 聯苯四羧酸二無水物、 tuh ms»- 2,3,2, ,3’一聯苯四羧酸二無水物 —二羧苯基)二甲基矽烷二無水物、雙(3,4 — 基)甲苯基矽烷二無水物、雙(3,4 一二羧苯基 基矽烷二無水物、1 ,4 —雙(3,4 —二羧苯基 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 甲矽烷基)苯二無水物、1 4 )—1 ,1 ,3 ,3 —四甲基二環己烷二無水物、 撑雙(偏苯三酸酯無水物)、乙烯四羧酸二無水物 2,3 ,4 一 丁烷四羧酸二無水物、十氫棻一 1 ’ ,8 —四羧酸二無水物、4 ,8 —二甲基一 1 5 ,6,7 —六氫某一1 ,2 ,5 ,6 -四竣 酸 二羧苯 )二苯 二甲基 羧苯基 p —苯 環戊焼一 1*2*3 四羧酸二無水物、0此 ,ό , 無水物 咯烷一 本紙張尺度遑用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公着) 12 A7 B7 五、發明説明(10 ) 2 ,3 ,4 ,5 —四羧酸二無水物、1 ,2 ’ 3 ,4 —環 丁烷四羧酸二無水物、雙(外向一二環[2,2 ,1]庚院 —2,3,-二羧酸二無水物)硯、二環—(2,2,2 )—八—7 —烯1 ,3,5,6 —四羧酸二無水物、2, 2 —雙(3,4 —二羧苯基)六氟丙烷二無水物、2,2 —雙[4 — ( 3,4 —二羧苯基)苯基)六氟丙烷二無水 物、4,4’ 一雙(3,4 —二羧苯基)二苯基硫化物二 無水物、1 ,4 一雙(2 -氫基六氟異丙基)苯雙(偏苯 三酸無水物)、1 ,3 —雙(2 —氫基六氟異丙基)苯雙 (偏苯三酸無水物)、5— (2 ,5 —二羰基四氫基呋喃 基)一3 —甲基一3 —環己烯一1 ,2 —二羧酸二無水物 、四氫呋喃一 2,3,4,5 —四羧酸二無水物等,混合 2類以上加以使用亦可。 又,做爲聚醯亞胺樹脂之原料,二胺係有〇 —對苯二 胺、m_對苯二胺、p —對苯二胺、3,3 —二胺基二 苯醚、4,4’ —二胺基二苯醚、3,4’ 一二胺基二苯 醚、4,4’ 一二胺基二苯醚、3,3’ —二胺基二苯基 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲烷、3,4 ’ 一二胺基二苯基甲烷、4 ,4 ’ —二胺基 二苯基甲烷、雙(4 —胺基一 3 ,5 —二甲苯基)甲烷、 雙(4 —胺基一3,5 —二異丙苯基)甲烷、3 ,3’ 一 二胺基二苯基二氟基甲烷、3,4’ _二胺基二苯基二氟 基甲烷、4 ,4’ 一二胺基二苯基二氟基甲烷、3 ,3’ —二胺基二苯研I、3,4’ —二胺基二苯碾、4,4’ — 二胺基二苯碼、3,3’ 一二胺基二苯硫化物、3,4’ 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS) A4规格(210X297公釐) , A 7 B7 310481 五、發明説明(11 ) —二胺基二苯硫化物、4 ,4’ —二胺基二苯硫化物、3 ,3 ’ 一二胺基二苯酮、3,4 ’ —二胺基二苯酮、4 , 4’ —二胺基二苯酮、2,2 —雙(3 -胺基苯基〉丙焼 、2,2— (3 ,4’ 一二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4 —胺基苯基)丙烷、2,2 —雙(3 —胺基苯基) 六氟丙烷、2,2 -( 3,f —二胺基二苯基)六氟丙 烷、2,2 —雙(4 —胺基苯基)六氟丙烷、1 ,3 —雙 (3 -胺基苯氧基)苯、1 ,4 —雙(3 —胺基苯氣基) 苯、1 ,4 —雙(4 —胺基苯氧基)苯、3 ,3’ 一(1 ,4 —苯撑雙(1—甲基乙叉))雙苯胺、3 ,4’ 一( 1 ,4 —苯撑雙(1—甲基乙叉))雙苯胺、4 ,4’ 一 (1 ,4 —苯撑雙(1 一甲基乙叉)> 雙苯胺、2 ,2 — 雙(4 — (3 —胺基苯氧基)苯基)丙烷、2 ,2 —雙( 4 — ( 3 —胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2 ,2 —雙( 4 一(4 —胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4— (3 一胺基苯氧基〉苯基)硫化物、雙(4—(3-胺基苯氧 基)苯基)5黑、雙(4 — (4 —胺基苯氧基)苯基)硕等 之芳香族二胺,或1 ,2 —二胺乙烷' 1 ,3 —二胺丙烷 、1 ,4 —二胺丁烷、1 ,5 —二胺戊烷、1 ,6 —二胺 己烷、1 ,7 —二胺庚烷、1 * 8 —二胺辛烷、1 ,9 — 二胺壬烷、1 ,1 0-二胺癸烷' 1 ,1 1—二胺十一烷 、:I ,1 2-二胺十二烷等之脂肪族二胺等,混合2類以 上加以使用亦可。 可以四羧酸二無水物和二醯胺以公知之方法縮合反應 本紙张尺度逋用中國國家梂準(〇吣)八4规格(210父297公釐)_ 14 + I I I I 裝 I 訂 —^1 ^ 1' I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局®:工消费合作社印製 31G481 A7 B7 M濟部中夹捸準肩貝工消费合作社印装 五、發明説明(12 ) 得聚醯亞胺。即於有機溶媒中,令四羧酸二無水物和二醯 胺以等莫耳或幾近等奠耳加以使用(各成分之添加順序爲 任意)、於反應溫度8 0°C以下,較佳於〇〜5 0°C反應 。隨著反應之進行,反應液之粘度漸渐提升,生成聚醯亞 胺之先驅體之聚醯亞胺酸。 聚醯亞胺係可令上述反應物(聚醢亞胺酸)脫水封環 加以取得。脫水封環係於1 2 0°C〜2 5 0 °C使用熱處理 方法或化學方法加以進行。 做爲本發明之薄膜狀有機壓模接合材之有機材料,使 用縮水甘油醚型、縮水甘油胺型、縮水甘油酯型、脂環型 之環氧樹脂。 如上所述,於本發明之半導體裝置之製造方法中,壓 模接合條件以溫度1 〇 〇〜3 5 0 °C,時間0 1〜2 0 秒,壓力0_ 1〜30gf/mm2爲佳,又以溫度 1 5 0〜2 5 0 °C,時間0· 1以上未足2秒,壓力 〇 1〜4 g f/mm2爲更佳,而以溫度1 5 0〜 2 5 0。(:,時間〇. 1以上1. 5秒以下,壓力0. 3〜 2 g f / m m 2爲最佳者。 使用薄膜狀有機壓模接合材之2 5 〇°C之彈性率爲 1 OMpa以下的薄膜時,可以溫度1 5 0〜2 5 ()°c, 時間0. 1以上未足2秒,壓力〇· 1〜Agf/mmz 之條件進行壓模接合,得充分皮爾强度(例如、0 5 k g f /5 X 5mm晶片以上之强度) ----- — I--裝-- (請先閲讀背面之注意事項男填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS > A4规格(210X 297公釐)-15 - A7 B7 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裝 五、發明説明(π ) 1 1 [ 圓 面 之 簡 單 說 明 ] 1 1 圆 1 係 顯 示 本 發 明 半 導 體 裝 置 之製 造 X 程 例 的 截 面 1 1 圓 〇 1 _ 請 I 2 係 說 明 使 用 推 挽 計 測 定 皮 爾强 度 之 方 法 的 正 面 圖 it 鬩 1 1 讀 1 〇 背 1 面 I CED 圖 3 係 具 有懕 模 jftry 盤 部 之 導 線 框 一例 之 平 面 圖 • 〇 注 意 1 I 事 項 1 I 再, ^^ 1 [ 爲 實 施 發 明 之 最 佳 形 態 J 填 寫 本 1 裝 I 於 以 下 9 說 明 本 發 明 之 實 施 例 ,但 是 本 發 明 並 非 僅 限 頁 1 1 於 此 等 實 施 例 0 於 以 下 實 施 例 所 使 用之 聚 醯 亞 胺 係 皆 經 由 I I 令 等 莫 耳 之 酸 /rrr. m 水 物 和 二 醯 胺 於 溶媒 中 加 以 混 合 加 熱 聚 1 I 合 所 得 者 0 下 以 下 各 實 施 例 中 聚 醯 亞胺 A 爲 1 , 2 — ( 乙 ! 訂 1 烯 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 無 水 物 ) 和 雙 (4 — 胺 基 — 3 5 --- 1 1 甲 苯 基 ) 甲 焼 所 合 成 之 聚 醯 亞 胺 聚醯 亞 胺 B 爲 1 9 2 1 1 ( 乙 烯 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 無 水 物 ) 和4 > 4 9 — 二 胺 基 二 1 苯 基 醚 所 合 成 之 聚 醯 亞 胺 9 聚 醯 亞 胺C 爲 1 9 2 一 ( 乙 烯 '.泉 I ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 醋 m 水 物 ) 和 雙 ( 4 —— 胺 基 — 3 > 5 異 1 1 丙 基 苯 基 ) 甲 焼 所 合 成 之 聚 醯 亞 胺 ,聚 醯 亞 胺 D 爲 1 > 2 1 — ( 乙 烯 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯 Arc m 水 物 )和 2 2 — mi X [^ - 1 1 ( 4 一 胺 基 苯 氣 基 ) 苯 基 ]丙烷所合成之聚醯亞胺 聚醃 1 亞 胺 E 爲 1 9 2 一 ( 乙 烯 ) 雙 ( 偏 苯三 酸 酯 無水 物 ) 及 1 1 , 1 0 — ( 十 甲 撑 ) 雙 ( 偏 苯 三 酸 酯無 水 物 ) 之 等 莫 耳 混 1 I 合 物 和 2 9 2 — 雙 [4 — - 4 一 -胺基苯氧基) 苯基) 丙烷 ! 1 | 所 合 成 之 聚 醯 亞 胺 9 聚 醯 亞 胺 F 1 , 1 0 — ( 十 甲 撑 ) 1 1 | 本紙浪尺度逋用中國國家梯準(CNS > A4规格(2丨0X297公釐 ϊ .. 3i.-G481 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 14 ) 1 I 雙 ( 偏苯 —* 酸 酯 Arr. m 水 物 ) 和 2 9 2 — 雙 [4 — ( 4 -胺基 1 1 苯 氧 基) 苯 基 ) 丙 院 所 合 成 之 聚 醯 亞 胺 者。 1 1 | 實 施 例1 請 先 閱 1 1 於示 於 表 1 之 1 0 0 S 聚 醯 PuSL 亞 胺 及 1 0 g 環 氧 樹脂 ♦ 讀 背 1¾ 1 I 加 上 2 8 0 g 有機溶媒加以溶解 3在此加上所定量之銀 之 注 意 1 1 粉 9 好好 攬 拌 , 均 勻 地 分 散 9 % 塗 裝 用 清漆 Ο 事 '孤' 1 1 令此 塗 裝 用 清漆 塗 於 載 腰 薄 膜 ( 0 P P 薄 膜 二軸 延 寫 本 1 1 伸 聚 丙烯 ) 上 9 於 熱 風 循 環 式 乾 燦 Λίτν 機 中 加熱 > 令 溶 媒揮 發 頁 1 1 乾 燥 ,製 造 表 1 所 示 組 成 、 吸 水 率 之 薄 膜狀 有 機 壓 模接 合 1 I 材 Ο 1 | 於導 線 框 之 標 記 上 9 令 表 1 之 薄 膜 |XJa ··〆.'· m W 機 壓 模 接合 材 I 訂 | 以 1 6 0 °c 加 熱 貼 附 ί 向 貼 附 薄 膜 狀 有 機壓 Jzfcfc· 模 接 合 材之 導 1 1 1 線 框 ,以 溫 度 3 0 0 V 壓 力 1 2 5 g f / ΤΠ m 2,時 1 1 間 5 秒, 令 導 體 元 件 固 定 t 進 行 線 接 9 以 封 閉 材( 曰 1 ' I 立 化 成工 業 股 份 有 限 公 司 爾 品 名 C E L — 9 0 0 0 ) 鏞 線 1 模 J 製造 半 導 徹 裝 acct 置 〇 ( Q F P 封裝] 4 X 2 0 X 1 1 1 4 m m 9 晶 片 尺 寸 8 X 1 0 m m 4 2 合 金 辱 線框 ) β 1 I 將封 閉 之 後 的 半 導 體 裝 置 9 於 8 5 8 5 % R Η 之 I SI 恆 溫 恆濕 器 中 9 1 6 8 小 時 處 理 後 9 以 I R 回 流 爐 以 1 2 4 0 °C 加 熱 1 0 秒 〇 1 之後 令 半 導 體 裝 ΜΧ1 S 以 聚 酯 樹 脂 注 型, 令 以 金 鋼石 切 1 1 斷 器 切斷 之 截 面 以 顯 微 鏡 觀 察 , 由 下 式 測定 回 流 龜 裂產 生 1 1 率 ( % ) > 以 評 估 回 流 龜 裂 性 〇 ( 回 流 &裂 之 產 生 數/ 實 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4规格(2丨Ο X 2W公釐) 1 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明(15 ) 驗數)X 1 0 0=回流龜裂產生率(%) 將評估結果示於表1 表 1 no. 薄膜之組成 吸水率 % 回流龜裂 產生率(%) 聚醯亞胺 Ag含量 (wt^) 1 聚醯亞胺A 80 2,0 100 2 聚醯亞胺B 80 1.9 100 3 聚醣亞胺C 80 1.8 100 4 聚醢亞胺D 52 1,5 0 5 聚醯亞胺E 60 1.2 0 6 聚醯亞胺E ϋ 1.0 0 7 聚醯亞胺F 60 0.9 0 8 聚醢亞胺F 0 0.8 0 9 聚醣亞胺F 40 0.7 0 10 聚醢亞胺F 80 0.4 0 比較例 銀糊 1.7 100
I;----------f------IT------i (請先閱讀背面之注意事項< k寫本頁) I 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨Ο X 29·?公着;) 18 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(16 ) (銀湖係使用日立化成工業股份有限公司製、商品名 E P I N A R U ) 吸水率測定方法,爲如下。 令5 Ο X 5 0 mm大小之薄膜爲樣本,令樣本於眞空乾燥 機中,於1 2 0 °C,3小時乾燥,於乾燥器中冷卻後,測 定乾燥重量呈Ml。令樣本於蒸留水中,於室溫下浸潰 2 4小時取出,令樣本表面以濾紙擦拭,馬上稱量呈Μ 2 〇[(M2-Ml)/(Ml/d) jxl〇〇 =吸水率( ν ο 1 %)以計算吸水率。d爲薄膜狀有機壓模接合材之 密度。 實施例2 於示於表2之1 0 0 g聚醯亞胺及1 0 g環氧樹脂, 加上2 8 0 g 有機溶媒加以溶解。在此加上所定量之銀 * 粉,好好攪拌,均勻地分散,呈塗裝用清漆。 令此塗裝用清漆塗於載體薄膜(OP P薄膜:二軸延 伸聚丙烯)上,於熱風循環式乾燥機中加熱,令溶媒揮發 乾燥,製造表2所示組成、飽和吸濕率之薄膜狀有機壓模 接合材。 於導線框之標記上,令表2之薄膜狀有機壓模接合材 以1 6 0°C加熱貼附,向貼附薄膜狀有機壓模接合材之導 線框,N 〇 . 1〜6及比較例中以溫度3 0 0 °C,壓力 12. 5gf/rnm'2,時間 5 秒,No. 7 〜10 中以 溫度2 3 0 °C,壓力〇 . 6 g f / m m 2,時間1秒,令 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 公釐) I--;------餐-- (請先閱讀背面之注意事i 填寫本頁)
.1T 線 19 31G481 Α7 Β7 五、發明説明(π ) 半導體元件固定,進行線接合,以封閉材(日立化成工業 股份有限公司、商品名 0£1^—9 0 0 0)鑄模,製造 半導體裝置。(QFP封裝14X2 0X1. 4mm,晶 片尺寸8 X 1 0mm、4 2合金導線框) 將封閉之後的半導體裝置,於8 5°C、8 5%RH之 恆溫恆濕器中,1 6 8小時處理後,以I R回流爐以 2 4 0 °C加熱1 0秒。 之後,令半導體裝置以聚酯樹脂注型,令以金鋼石切 斷器切斷之截面以顯微鏡觀察,由下式測定回流龜裂產生 率(%),以評估回流龜裂性。 (回流龜裂之產生數/實驗數)XI 0 0=回流II裂產生 率(% ) 將評估結果示於表2 ---------赛-- ► - (請先閲讀背面之注意事?{填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Μ说格(2丨0X297公釐)-20 " A7 B7 五、發明説明(18 ) 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 表 2 no. 薄膜之組成 吸水率 % 回流龜裂 產生率(%) 聚醯亞胺 Ag含量 (η%) 1 聚醢亞胺A 80 1.7 100 2 聚醢亞胺B 80 1.5 100 3 聚醯亞胺C 80 1.4 100 4 聚醯亞胺D 80 1,0 0 5 聚醯亞胺E 60 0.8 0 6 聚醢亞胺E 40 0.6 0 7 聚醯亞胺F 0 0.5 0 8 聚醯亞胺F 60 0.4 0 9 聚醯亞胺F 52 0.3 0 10 聚醢亞胺F 40 0,2 0 比較例 銀糊 1.2 100 I---_------裝--(請先閲讀背面之注意事爲填寫本頁) .訂 線 本紙張尺度適用t國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-21 - 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明(19 ) (銀湖係使用日立化成工業股份有限公司製、商品名 E P I N A R U ) 鉋和吸濕率測定方法,爲如下。 令直接1 0 Omm之圓形薄膜狀有機壓模接合材爲樣 本,令樣本於眞空乾燥機中,於1 2 0°C,3小時乾燥, 於乾燥器中冷卻後,測定乾燥重量呈Ml°令樣本於 8 5 °C、8 5 % R Η之恆溫恆濕槽中加以吸濕取出,馬上 稱量稱量値呈一定時,令該重量爲Μ 2。 [(Μ 2 - Μ 1 ) / ( Μ 1 / d ) ] X 1 () 〇 =飽和吸濕率 (v ο 1 % ) 以計算飽和吸濕率。d爲薄膜狀有機壓模接合材之密度.。 實施例3 於1 0 0 g聚醯亞胺F及1 0 g環氧樹脂,做爲溶媒 加上1 4 0g之二甲基乙醯胺' 1 4 〇g環己酮進行溶解 。在此加上7 4 g銀粉,好好攬拌,均匀地分散’呈塗裝 用清漆。 令此塗裝用清漆塗於載體薄膜(op p薄膜:二軸延 伸聚丙烯)上,於熱風循環式乾燥機中由8 0°C加熱至 1 2 0。(:之溫度,令溶媒揮發乾燥,製造表3所示殘餘揮 發分之壓模接合薄膜。但是,較1 2 0 X爲高之乾燥溫度 時,以ΟΡΡ薄膜8 ()。(:,3 0分乾燥後,令薄膜狀有機 壓模接合材由〇Ρ Ρ薄膜剝離,將此夾於鐵框固定後’於 乾燥機中重新加熱,乾燥。 I--^------种衣------.玎------.^ (讀先閲讀背面之注意事5.*«·寫本頁) f. 本紙張尺度逋用中國國家梯準(CNS ) A4规格(210X 297公缓)-22 - 31G481 A7 __B7 五、發明説明(2〇 ) 於導線框之標記上,令表3之薄膜狀有機壓模接合材 以1 6 0°C加熱貼附,向貼附薄膜狀有機壓模接合材之導 線框,以溫度2 3 0 °C,壓力0 . 6 g f / m m 2,時間 l秒,令半導體元件固定,進行線接合,以封閉材(日立 化成工業股份有限公司、商品名C E L — 9 0 0 0 )鑄模 ,製造半導體裝置。(QFP封裝14X20X1. 4 mm,晶片尺寸8 X 1 0mm、4 2合金導線樞) 將封閉之後的半導體裝置,於8 5aC、8 5%RH之 恆溫恆濕器中,1 6 8小時處理後,以I R回流爐以 2 4 0 °C加熱1 〇秒。 之後,令半導體裝置以聚酯樹脂注型,令以金鋼石切 斷器切斷之截面以顯微鏡觀察,由下式測定回流龜裂產生 率(%),以評估回流龜裂性a (回流龜裂之產生數/實驗數)X 1 〇 〇 =回流龜裂產生 率(% ) 將評估結果示於表3 ----.------^------1Τ------il (請先閲讀背面之注意ίί 填寫本頁) 《 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國困家梯準(CNS ) Α4说格(210X 297公釐)-23 - 3IG481 A7 B7 五、發明説明(21 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表 3 no 乾燥溫 度rc) 乾燥時 間(分) 殘餘揮 發分 (wt%) 薄膜中 之空隙 回流龜 裂產生 率(*) 1 80 30 6.5 有 100 2 100 2 4.9 有 100 3 100 4 4.2 有 100 4 100 10 3.8 有 80 5 100 30 3.5 有 60 6 120 10 3.0 無 0 7 120 75 2,2 無 0 8 140 10 2.0 ftn· m 0 9 160 10 1.5 4rrt 0 10 140 60 1.2 Jbx. m 0 11 160 30 0.7 無 7ΓΛ 0 比較例 銀糊 15.0 有 100 裝 訂 線 /. (請先閲讀背面之注意裹^填寫本頁) _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0〆297公嫠) Λ7 Λ7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 B7 五、發明説明(22 ) (銀糊係使用日立化成工業股份有限公司製、商品名 E P I N A R U ) 殘餘揮發分測定方法,爲如下。 令5 Ο X 5 Omm大小之薄膜狀有機壓模接合材爲樣本, 測定樣本重量呈Μ 1。令樣本於熱風循環恆溫槽中, 2 0 0 °C,2小時加熱後,稱量呈Μ 2。 [(M2— Ml ) / (Ml/d) ]Χ 1 0 0 =殘餘揮發分 (w t % ) 以計算殘餘揮發分。 實施例4 於1 0 0g聚醯亞胺D及1 0g環氧樹脂,做爲溶媒 加上1 4 0g之二甲基乙醯胺、1 4 0g環己酮進行溶解 。在此加上7 4g銀粉,好好撹拌,均勻地分散,呈塗裝 用清漆。 令此塗裝用清漆塗於載體薄膜(OP P薄膜:二軸延 伸聚丙烯)上,於熱風循環式乾燥機中由8 0°C加熱至 1 2 0°C之溫度,令溶媒揮發乾燥,製造表5所示空隙率 體積率之壓模接合薄膜。 但是,較1 2 0°C爲高之乾燥溫度時,以OPP薄膜 8 〇°C,3 0分乾燥後,令薄膜狀有機壓模接合材由 Ο P P薄膜剝離,將此夾於鐵框固定後,於乾燥機中重新 加熱,乾燥。 在此,空隙率體積率係於令半導體元件黏著於支持構 本紙張尺度適用中困國家揉準(CNS ) A4规格(210X29_7公釐) 裝 訂 線 ·'/ (請先閱讀背面之注意事t.填寫本頁) ' 25 31C481 B7 五、發明说明(23〉 件之階段,存在於壓模接合材中及壓模接合材和支持構件 之界面空隙之空隙率體積率。
於導線框之標記上,令表4之薄膜狀有機壓模接合材 以1 6 0 °C加熱貼附,向貼附薄膜狀有機壓模接合材之導 線框,以溫度300。(:,壓力12. 5gf/mm2,時 間5秒,令半導體元件固定,進行線接合,以封閉材(曰 立化成工業股份有限公司、商品名CEL— 9 0 0 〇 )鑄 模,製造半導體裝置。(QFP 封裝14X2 OX 1 . 4mm,晶片尺寸8 X i 0mm、4 2合金導線框〉 將封閉之後的半導體裝置,於8 5°C、8 5%RH之 恆溫恆濕器中,1 6 8小時處理後,以I R回流爐以 2 4 0 °C加熱1 〇秒。 之後,令半導體裝置以聚酯樹脂注型,令以金鋼石切 斷器切斷之截面以顯微鏡觀察,由下式測定回流龜裂產生 率(%),以評估回流龜裂性。 (回流龜裂之產生數/實驗數〉XI 〇 〇=回流龜裂產生 率(% ) 將評估結果示於表4 (請先閲讀背面之注ί填寫本萸) 装· 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙浪尺度㈣帽財料(CNS )峨格(2ΐ()χ29ϋ· 26 A7 B7 五、發明説明(24 ) 表 經濟部中央標準局員工消费合作社印袈 η 〇 . 乾燥溫 度(°C 乾燥時 間(分) 空隙之 體積率 (¾) 回流龜 裂產生 率U) 1 80 3 0 33 100 2 100 2 2 2 100 3 100 10 1 7 80 4 120 10 10 0 5 120 75 7 0 6 140 10 5 0 7 160 30 0 0 比較例 銀糊 40 1 0 0 (銀糊係使用日立化成工業股份有限公司製、簡品名 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0'乂 297公釐)—27 I-^---:-----装 — I (請先閱讀背面之注意事項'4' ,馬本頁) 訂 線 A7 B?
經濟部中央梂準局貝工消费合作社印SL 五、發明説明 ( 25 ) 1 I E P I N A R U ) 1 1 空 隙 之 體稹 率 測 方 法 , 爲 如 下 〇 1 1 令 導 線 框 和 矽 晶 片 以 薄 膜 狀 有 機 m 模 接 合 材 Ml· fp 著 9 作 1 I 請 1 1 成 樣 本 9 使 用 軟 X 線 裝 置 9 照 像 攝 影 由 樣 本 上 面 觀 察 之 畫 先 Μ 1 1 讀 1 像 〇 令 照 片 之 空 隙 面 檟 率 經 由 畫 像 解 析 裝 置 加 以 測 定 , 由 背 1 之 上 面 透 視 之 空 隙 面 積 率 一 空 隙 atto W 積 率 ( % ) 0 注 査 1 事 1 項 I 再 1 賁 施 例 5 本 裝 I 於 示 於 表 5 之 1 0 0 g 聚 醯 亞 胺 及 1 0 g 環 氧 樹 脂 9 頁 1 1 加 上 2 8 0 g 有機溶媒加以溶解 >在此加上所定置之銀 1 1 粉 , 好 好 攪 拌 9 均 匀 地 分 散 5 S -aci 塗 裝 用 清 漆 〇 1 | 令 此 塗 裝 用 清 漆 塗 於 載 疆 薄 膜 ( 0 P P 薄 膜 : 二 軸 延 訂 1 伸 聚 丙 烯 ) 上 9 於 熱 風 循 環 式 乾 燥 機 中 加 熱 9 令 溶 媒 揮 發 1 1 | 乾 燥 9 製 造 表 5 所 示 組 成 、 皮 爾 强 度 之 薄 膜 狀 有 S4» 爾 壓 模 接 1 1 合 材 〇 1 1 在 此 皮 爾 强 度 係 令 半 導體 元 件 於 支 持 IP 件 , 介 由 薄 膜 線 1 狀 有 機 壓 模 接 合 材 加 以 黏 著 之 階 段 的 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 1 1 材 之 皮 爾 强 度 0 1 I 於 導 線 框 之 稞 sri SC 上 9 令 表 5 之 薄 膜 狀 有 機 壓 模 接 合 材 1 1 以 1 6 0 V 加 熱 貼 附 9 向 貼 附 薄 膜 狀 有 機 nos 壓 Is±f 模 接 合 材 之 導 1 1 線 框 , N 0 1 5 中 以 溫 度 3 0 0 °c 9 壓 力 1 2 5 1 g f / m m 時間5秒, No. f 5〜 L 0中以溫度 1 1 2 3 0 °c ♦ 壓 力 0 6 g f / m m 2 ! >時間 L秒 •令半導 1 1 體 元 件 固 定 f 進 行 線 接 合 * 以 封 閉 材 ( 曰 立 化 成 工 業 股 份 1 1 本紙張尺度遑用中國國家橾窣(CNS >八4规格(2丨OX 297公釐) 28 A7 B7 五、發明説明(26 ) 有限公司、商品名CEL — 9 0 0 0 )鎳模,製造半導體 裝置。(QFP封裝14X20X1. 4mm,晶片尺寸 8X1 Omm、4 2合金導線框) 將封閉之後的半導體裝置,於8 5°C、8 5%RH之 恆溫恆濕器中,1 6 8小時處理後,以IR回流爐以 2 4 0 °C加熱1 0秒。 之後,令半導體裝置以聚酯樹脂注型,令以金鋼石切 斷器切斷之截面以顯微鏡觀察,由下式測定回流鏃裂產生 率(% ),以評估回流龜裂性。 (回流龜裂之產生數/實驗數)X 1 0 0 ==回流龜裂產生 率(% ) 將評估結果示於表5 —,—·-----1— <請先閎讀背面之注意事項5.-Γ本頁) 訂 線 經濟部中央樣隼局員工消费合作杜印裝 本紙張尺度遑用中國國家標隼(CNS ) Μ洗格(2丨OX297公釐)_ 29 五、發明説明(27 ) A7 B7 表 5 no 薄膜之組成 皮爾强度 (kgf/ 5X5· 晶片) 回流龜流 產生率(%) 聚醯亞胺 (wt%) AG含邐: 1 聚醯亞胺B 80 0.2 100 2 聚醯亞胺C 80 0,3 100 3 聚醢亞胺A 80 0.4 80 4 聚醯亞胺D 80 0.5 0 5 聚醯亞胺F 80 0.7 0 6 聚醯亞胺F 0 0.8 0 7 聚醯亞胺F 30 1.0 0 8 聚醯亞胺F 20 1.5 0 9 聚醢亞胺F 40 >2.0 0 10 聚醯亞胺F 40 >2,0 0 I —HI— nn n n mt I I nn nn If — *1 111— ,一.aJm m· tm In— —^1· ^^^1 f. (請先閱讀背面之注意事項**-寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印策 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(2!OX297公釐) 30 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 ________ 五、發明説明(28 ) 皮爾强度測定方法,爲如下。 於支持導線框之標記表面等之半導體元件的支持構件 ,將5 X 5mm之大小之矽晶片(試驗片)’夾持薄膜狀 有機壓模接合材加以黏著者,於2 4 之熱盤上’保持 20秒,如圖2所示,使用推挽計,以試驗速度〇· 5 mm/分測定皮爾强度。於圖2中,2 ]爲半導體元件, 2 2係薄膜狀有機壓模接合材’ 2 3係導線框’ 2 4係推 挽計,2 5爲熱盤。然而,此時保持於2 4 0°C、2 0秒 加以測定,但經由半導體裝置之使用目的,半導體裝置安 裝溫度不同之時,則保持半導體裝置安裝溫度加以測定。 實施例6 於1 0 聚醯亞胺E及1 0g環氧樹脂,加上 2 8 0g有機溶媒加以溶解。在此加上所定置之銀粉,好 好攪拌,均勻地分散,呈塗裝用清漆。 令此塗裝用清漆塗於載體薄膜(OP P薄膜:二軸延 伸聚丙烯)上,於熱風循環式乾燥機中加熱,令溶媒揮發 乾燥,製造薄膜狀有機壓模接合材。 於導線框之標記上,令表6大小之薄膜狀有掛壓模接 合材以1 6 0 °C加熱貼附,向貼附薄膜狀有機壓模接合材 之導線框,以溫度3 0 0 °C,壓力1 2 . 5 g f / m m 2
,時間5秒,令半導體元件固定,進行線接合,以封閉材 (曰立化成工業股份有限公司、商品名C E L — 9 0 0 0 )鑄模,製造半導體裝匱。(QFP封裝14X2 0X 本紙張尺度邃用中國國家梯攀(CNS > A4規格(210X 297公嫠) I ^ I I I 裝—— I I I I 訂— I ~"線 • 、 ( (诗先閱讀背面之注意事項(/寫本頁) 31 XL ^ic5l A7 B7 五、發明説明(29 ) 1 . 4mm,晶片尺寸8 X 1 ()mm、4 2合金導線框) 將封閉之後的半導體裝置,於8 5°C、8 5%RH之 恆溫恆濕器中,1 6 8小時處理後,以I R回流爐以 2 4 0 °C加熱1 〇秒。 之後,令半導體裝置以聚酯樹脂注型,令以金鋼石切 斷器切斷之截面以顯微鏡觀察,由下式測定回流龜裂產生 率(%),以評估回流龜裂性。 (回流龜裂之產生數/實驗數)X 1 0 0 =回流龜裂產生 率(% ) 將評估結果示於表6 ^ 裝 訂 务 V f (請先閲讀背面之注意事項I 〜寫本頁) ' 經濟部中央橾準局貞工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X29·?公釐) 32 A7 B7 五、發明説明(3〇 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 表 6 no . 薄膜尺 寸mm X mm 薄膜之 面積 龍2 晶片尺 寸Μ X mm 晶片之 面積 _2 漏出 回流龜 裂產生 率(_%) 1 11X 13 143 8X10 80 有 100 2 10X 12 120 8X 10 80 有 100 3 9X11 99 8X 10 80 有 100 4 9X 10 90 8X 10 80 有 70 5 8X11 88 8X 10 80 有 60 6 8X 10 80 8X 10 80 無 0 7 8X9 72 8X 10 80 無 0 8 7X 10 70 8X 10 80 0 9 8X9 72 8X 10 80 無 0 10 6X8 48 8X 10 80 itm m 0 11 5X7 35 8X 10 80 無 0 12 4X6 24 8X 10 80 無 0 13 3X5 15 8X 10 80 無 0 14 2X4 8 8X 10 HO 無 E) ---^------裝-- (請先閲讀背面之注意事¾.%寫本頁) ,ιτ 線· 本紙张尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)„ 33 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 ^ χ l α 81 A 7 __ B7 五、發明説明(31 ) 實施例7 於1 0 Og聚醯亞胺F及1 Og環氧樹脂,加上 2 8 0 g有機溶媒加以溶解。在此加上所定量之銀粉,好 好攪拌,均勻地分散,呈塗裝用潸漆。 令此塗裝用清漆塗於載體薄膜(OP P薄膜:二軸延 伸聚丙烯)上,於熱風循環式乾燥機中加熱,令溶媒揮發 乾燥,製造薄膜狀有機壓模接合材。 於導線框之標記上,令表7之2 5 ()°C下彈性率之薄 膜狀有機壓模接合材以1 6 0°C加熱貼附,向貼附薄膜狀 有機壓模接合材之導線框,以表7壓模接合條件,令半導 體裝置元件固定,呈表7之皮爾强度。 · 表 7 no 薄膜組成 薄膜彈 性率 (MPa) 壓模接合條件 皮爾强件 (kgf/ 5X 5_ 晶片) 聚醯亞胺 AG含量 (wt%) 溫度 rc) ®力 (gfx 2 mm 1 聚醢亞胺F 60 10 230 2.0 >2.0 2 聚醢亞胺F 4〇 2 230 2.0 >2.0 3 聚醢亞胺F 0 1 230 2.0 ——— 0.8 ; ! 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 裝 I 訂 線 Μ (請先閱讀背面之注意事項*---寫本頁)'·- -34 - B7 五、發明説明(32 ) 薄膜彈性率(M p a )測定法 使用東洋精機製作公司製 leorographsol i toS型,以昇溫速度 5 °C / m i η,頻率1 0 Η z ,測定動粘彈性,令於 2 5 0 °C之貯藏彈性率Ε ’爲彈性率。 皮爾强度測定法 與實施例5同樣者。 、 4 (請先閲讀背面之注意事項I %寫本頁) ' 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 各紙张尺度遴用中國國家標曄 ( CNS ) A4現格(210X297公釐) 35
Claims (1)
- .:I C8 '............ ....... ' ϊ DH 夂、申請專利範圍 第85108142號專利申請案 中文申請專利範圖修正本 民國8 6年5月修正 1 . 一種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件’和於該支持構件黏著骸半導體元件之壓模接台材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置•其特 徴係, 上述壓模接合材爲包含吸水率1. 5體積%以下之有 機物薄膜者。 2 · —種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件,和於該支持構件黏著該半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 徵係, 上述壓模接合材爲包含飽和吸濕率1. 0體稹%以下 之有機物薄膜者。 3 . —種半導體裝置,針對具備支持橘件,和半導體 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件,和於該支持構件黏著該半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 徵係, 上述壓模接合材爲包含殘餘揮發分爲3. 0重量%以 下之有機物薄膜者* 4 . 一種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件,和於該支持構件黏著該半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 本紙張尺度逍用中國菌家標準(CNS ) A4規格(2丨〇Χ:!<Π公驁:i 3IG481 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B8 ¢:8 m 六、申請專利範圍 徵係, 上述壓模接合材爲包含25 〇。(:弾性率爲1 〇Mp a 以下之有機物薄膜者。 5 ·—種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件’和於該支持構件黏著該半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 徵係, 上述壓模接合材係包含令上述半導體元件於上述支持 構件的階段,存在於上述壓模接合材內部,和上述壓模接 合材及支持構件之界面的空隙呈空隙體積率1 〇%以下之 有機物薄膜者。 6 . —種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件,和於該支持構件黏著該、半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 徵係, 上述壓模接合材係將上述半導體元件黏著於上述支持 構件的階段之皮爾強度爲0 . 5 k g 5 X 5 m m晶片 以上之有機物薄膜者。 7 . —種半導體裝置,針對具備支持構件,和半導體 元件,和於該支持構件黏著該半導體元件之壓模接合材, 和封閉該半導體元件之樹脂封閉構件的半導體裝置,其特 徵係, 上述壓模接合材之表背面稹爲各上述半導體元件之黏 著面之面稹以下, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS M4規格(210X297公釐! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)經濟部中央標牟局負工消費合作社印製 AS B8 C8 m 六、申請專利範圍 上述壓模接合材係於令上述半導體元件黏著於支持構 件之階段,不由上述半導體元件和上述支持構件間漏出之 有機物薄膜者》 8 · —種半導體裝置之製造方法,針對令半導體元件 黏著於支持構件,令該半導體元件經由樹脂封閉的半導體 裝置之製造方法,其特徵係上述黏著係使用包含吸水率 1. 5體稂%以下之有機物薄膜狀壓模接合材加以進行者 〇 9 .—種半導髓裝置之製造方法,針對令半導體元黏 著於支持構件,令該半導體元件經由樹脂封閉的半導體裝 置之製造方法,其特徵係上述黏著係使用包含飽和吸濕率 1. 0體稹%以下之有機物薄膜狀應模接合材加以進行者 〇 1 0 . —種半導體裝置之製造方法,針對令半導體元 件黏著於支持構件,令該半導體元件經由樹脂封閉的半導 體裝置之製造方法,其特徴係上述黏著係使用包含殘餘揮 發分爲3. 0重量%以下之有機物薄膜躔模接合材加以進 行者。 1 1 . 一種半導體裝置之製造方法,針對令半導體元 件黏著於支持構件,令該半導體元件經由樹脂封閉的半導 體裝置之製造方法,其特徽係上述黏著係使用包含2 5 0 °(:彈性率爲1 OMP a以下之有機物薄膜壓模接合材加以 進行》 12. —種半導體裝置之製造方法,針對令半導體元 本紙張尺度逋用中國國家梂率(CNS ) A4规格(210X297公f ) (請先聞讀背面之注f項再填寫本页),η/γα·7 4/>-' 72575924
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17115495 | 1995-07-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW310481B true TW310481B (zh) | 1997-07-11 |
Family
ID=15917998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085108142A TW310481B (zh) | 1995-07-06 | 1996-07-05 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6855579B2 (zh) |
EP (4) | EP0837498A4 (zh) |
JP (2) | JP3117971B2 (zh) |
KR (3) | KR100366009B1 (zh) |
AU (1) | AU6319596A (zh) |
MY (5) | MY135107A (zh) |
TW (1) | TW310481B (zh) |
WO (1) | WO1997002595A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100450004B1 (ko) | 1994-12-26 | 2004-09-24 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 필름 형상의 유기 다이본딩재의 라미네이트 방법,다이본딩 방법, 라미네이트 장치, 다이본딩 장치, 반도체장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
TW310481B (zh) | 1995-07-06 | 1997-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
US7012320B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
CN1237274A (zh) * | 1996-10-08 | 1999-12-01 | 日立化成工业株式会社 | 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜 |
AU2230499A (en) | 1998-01-16 | 1999-08-02 | Maverick Corporation | Low-toxicity, high-temperature polyimides |
JPH11199841A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置用接着シ―ト類と面実装型半導体装置 |
JP3916398B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-05-16 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002256237A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20070003758A1 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-04 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dicing die bonding film |
DE102005010272A1 (de) | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
SG149724A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-02-27 | Micron Technology Inc | Semicoductor dies with recesses, associated leadframes, and associated systems and methods |
SG149725A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-27 | Micron Technology Inc | Thin semiconductor die packages and associated systems and methods |
JP5123633B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2013-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および接続材料 |
JP5458538B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2014-04-02 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4644718B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2011-03-02 | 株式会社日立製作所 | 金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP2008113047A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング材及び半導体装置 |
JP5302595B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 傾斜観察方法および観察装置 |
CN102160163A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-08-17 | 日立化成工业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5534682B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-07-02 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品用熱硬化性接着剤及びこの接着剤を用いた電子部品内蔵基板の製造方法 |
CN104245874B (zh) | 2012-04-26 | 2016-08-24 | 古河电气工业株式会社 | 膜状接合剂用组合物及其制造方法、膜状接合剂和使用了膜状接合剂的半导体封装及其制造方法 |
JP6468698B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2019-02-13 | デクセリアルズ株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
TWI685905B (zh) * | 2017-07-12 | 2020-02-21 | 日商新川股份有限公司 | 接合裝置和接合方法 |
Family Cites Families (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6097089A (en) | 1998-01-28 | 2000-08-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor plastic package, metal plate for said package, and method of producing copper-clad board for said package |
US3608054A (en) | 1968-04-29 | 1971-09-21 | Westinghouse Electric Corp | Cast lubricating films and composites thereof |
JPS5412266A (en) | 1977-06-28 | 1979-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Compression bonding device of metal foils and pieces |
JPS5846388B2 (ja) | 1978-04-19 | 1983-10-15 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半田供給方法 |
US4543295A (en) | 1980-09-22 | 1985-09-24 | The United States Of America As Represented By The Director Of The National Aeronautics And Space Administration | High temperature polyimide film laminates and process for preparation thereof |
US4358581A (en) * | 1980-12-05 | 1982-11-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide manufacture |
JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nissha Printing Co Ltd | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
JPS58147416A (ja) | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS58222530A (ja) | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Hitachi Ltd | ペレツト付け方法 |
EP0223008B1 (en) | 1983-04-19 | 1990-11-14 | Yoshiaki Hattori | Gypsum powder materials for making models and molds, and a method for producing them |
JPS6038835A (ja) | 1983-08-11 | 1985-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS6038825A (ja) | 1983-08-11 | 1985-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | テ−プ貼着装置 |
JPS60145630A (ja) | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Nec Corp | サブマウント部材の製造方法 |
JPS61108627A (ja) | 1984-11-02 | 1986-05-27 | Chisso Corp | 可溶性ポリイミドシロキサン前駆体及びその製造方法 |
US4681928A (en) | 1984-06-01 | 1987-07-21 | M&T Chemicals Inc. | Poly(amide-amide acid), polyamide acid, poly(esteramide acid), poly(amide-imide), polyimide, poly(esterimide) from poly arylene diamine |
US4604230A (en) | 1984-10-15 | 1986-08-05 | Stauffer Chemical Company | Thermally stable adhesive |
US4755415A (en) | 1985-10-03 | 1988-07-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical shutter array and method for making |
JPS62141038A (ja) | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 制電性フイルムの製造方法 |
US4847353A (en) * | 1986-11-20 | 1989-07-11 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Resins of low thermal expansivity |
CA1290676C (en) * | 1987-03-30 | 1991-10-15 | William Frank Graham | Method for bonding integrated circuit chips |
US5296074A (en) * | 1987-03-30 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for bonding small electronic components |
JP2535545B2 (ja) | 1987-07-02 | 1996-09-18 | 三井東圧化学株式会社 | ポリイミドおよびポリイミドよりなる耐熱性接着剤 |
JPH0628269B2 (ja) | 1987-07-15 | 1994-04-13 | 株式会社巴川製紙所 | ダイボンデイング用接着テ−プ |
JPS6422744A (en) | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Yokogawa Electric Corp | Paper transport mechanism of recording device |
JPS6422744U (zh) | 1987-07-24 | 1989-02-06 | ||
JPH0421953Y2 (zh) | 1987-07-24 | 1992-05-19 | ||
US4875279A (en) | 1987-08-21 | 1989-10-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Die attach pickup tools |
US5115089A (en) * | 1987-09-17 | 1992-05-19 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Processes for preparation of polyimide-isoindroquinazolinedione and precursor thereof |
JPH01165635A (ja) | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | タイヤトレツド用ゴム組成物 |
JP2702219B2 (ja) | 1989-03-20 | 1998-01-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2708191B2 (ja) | 1988-09-20 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5238730A (en) | 1988-04-04 | 1993-08-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electrical laminate with dibasic acid-modified epoxy (meth)acrylate |
JPS649226U (zh) | 1988-07-16 | 1989-01-18 | ||
JPH0715087B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1995-02-22 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP2631712B2 (ja) | 1988-08-18 | 1997-07-16 | コスモ石油株式会社 | 重質炭化水素油の水素化処理触媒組成物ならびにそれを用いる水素化処理方法 |
JP2538071B2 (ja) | 1988-09-27 | 1996-09-25 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5277972B1 (en) | 1988-09-29 | 1996-11-05 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive tapes |
JPH02168636A (ja) | 1988-12-21 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁性ダイボンド用樹脂系接着剤 |
JP2515267B2 (ja) | 1989-01-21 | 1996-07-10 | 新光電気工業株式会社 | リ―ドフレ―ム用テ―ピング装置 |
JP2643518B2 (ja) | 1989-02-10 | 1997-08-20 | 東レ株式会社 | プリプレグ |
US4965331A (en) | 1989-02-21 | 1990-10-23 | Shell Oil Company | Curable resin compositions |
US5204399A (en) | 1989-03-09 | 1993-04-20 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Thermoplastic film die attach adhesives |
JP2569804B2 (ja) | 1989-05-29 | 1997-01-08 | 日立電線株式会社 | フィルム貼り付け装置 |
JPH03105932A (ja) | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | シート状接着剤並びに当該接着剤を用いた半導体装置 |
JP2834841B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1998-12-14 | 沖電気工業株式会社 | 高耐熱性樹脂封止型半導体装置 |
EP0454005B1 (en) | 1990-04-26 | 1994-12-07 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Die attach adhesive composition |
US5145099A (en) | 1990-07-13 | 1992-09-08 | Micron Technology, Inc. | Method for combining die attach and lead bond in the assembly of a semiconductor package |
US5659004A (en) | 1990-08-27 | 1997-08-19 | Fujitsu Limited | Epoxy resin composition |
US5177032A (en) | 1990-10-24 | 1993-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
US5234522A (en) * | 1990-12-05 | 1993-08-10 | Hitachi Chemical Company, Inc. | Method of producing flexible printed-circuit board covered with coverlay |
JPH04234472A (ja) | 1990-12-07 | 1992-08-24 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | 熱可塑性ダイ結合接着フィルム |
EP0508951B1 (de) | 1991-04-08 | 1996-08-21 | Ciba-Geigy Ag | Thermisch härtbare Zusammensetzungen |
US5172213A (en) * | 1991-05-23 | 1992-12-15 | At&T Bell Laboratories | Molded circuit package having heat dissipating post |
US5141050A (en) * | 1991-07-31 | 1992-08-25 | Tra-Con, Inc. | Controlled highly densified diamond packing of thermally conductive electrically resistive conduit |
US5448450A (en) | 1991-08-15 | 1995-09-05 | Staktek Corporation | Lead-on-chip integrated circuit apparatus |
JPH05105850A (ja) | 1991-10-16 | 1993-04-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エレクトロニクス用接着テープ |
JPH05117596A (ja) | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JPH05125337A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
JP2638365B2 (ja) | 1991-11-25 | 1997-08-06 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JPH05152355A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH0831503B2 (ja) | 1991-11-30 | 1996-03-27 | 住友金属鉱山株式会社 | Tabの貼着方法およびこれに用いる貼着装置 |
JPH05190022A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Toshiba Chem Corp | 絶縁性ペースト |
US5319005A (en) | 1992-01-27 | 1994-06-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing of electronic component |
JPH05218107A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 2001-08-06 | 東レ株式会社 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
JPH05331424A (ja) | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィルム接着剤 |
JP3093062B2 (ja) | 1992-12-04 | 2000-10-03 | 住友ベークライト株式会社 | フィルム接着剤およびその製造方法 |
JP2887359B2 (ja) | 1992-06-04 | 1999-04-26 | 住友ベークライト 株式会社 | フィルム接着剤 |
KR950005269B1 (ko) | 1992-07-29 | 1995-05-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 구조 및 제조방법 |
JP3288146B2 (ja) * | 1992-09-16 | 2002-06-04 | 日立化成工業株式会社 | 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
US5667899A (en) | 1992-09-16 | 1997-09-16 | Hitachi Chemical Co. Ltd. | Electrically conductive bonding films |
JPH06104300A (ja) | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | ダイボンドテープ貼付けの装置及び方法 |
JPH06256733A (ja) | 1992-10-01 | 1994-09-13 | Toray Ind Inc | 耐熱性接着材料 |
JP3367074B2 (ja) | 1992-10-28 | 2003-01-14 | 日立化成工業株式会社 | 導電性ペースト組成物 |
JPH06151478A (ja) | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP3048300B2 (ja) | 1992-12-04 | 2000-06-05 | 三井化学株式会社 | 接着性絶縁テープおよびそれを用いた半導体装置 |
US5406124A (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape |
JPH06204264A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2732020B2 (ja) | 1993-10-22 | 1998-03-25 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品用接着テープおよび液状接着剤 |
JP3682982B2 (ja) | 1993-02-22 | 2005-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 複合接着シ−トの製造法 |
JP2964823B2 (ja) | 1993-03-16 | 1999-10-18 | 日立化成工業株式会社 | 接着フィルム、その製造法、接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
US5372080A (en) * | 1993-03-22 | 1994-12-13 | Sewell; Andrew W. | Motorized sail tensioner for windsurfing |
US6372080B1 (en) | 1993-03-29 | 2002-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
US6046072A (en) | 1993-03-29 | 2000-04-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
EP0618614B1 (en) * | 1993-03-29 | 1999-01-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Heat-resistant adhesive for the fabrication of a semiconductor package |
SG48170A1 (en) | 1993-05-14 | 1998-04-17 | Hitachi Cable | Method and apparatus for sticking an insulating film to a lead frame |
JP2720753B2 (ja) | 1993-05-17 | 1998-03-04 | 日立電線株式会社 | フィルム貼り付け方法 |
JP2923170B2 (ja) | 1993-05-26 | 1999-07-26 | 日立電線株式会社 | 打抜き性に優れたフィルム及びこれを用いたリードフレーム |
JP2695598B2 (ja) | 1993-06-30 | 1997-12-24 | 住友ベークライト株式会社 | ダイボンディング材 |
JPH0790244A (ja) | 1993-09-20 | 1995-04-04 | Toshiba Chem Corp | 導電性接着シート |
JPH0790239A (ja) | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
US5360942A (en) | 1993-11-16 | 1994-11-01 | Olin Corporation | Multi-chip electronic package module utilizing an adhesive sheet |
US5827908A (en) | 1994-01-26 | 1998-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene and or biphenyl skeleton containing epoxy resin composition |
JP3524141B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3215014B2 (ja) | 1994-10-31 | 2001-10-02 | 日立化成工業株式会社 | フィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造法 |
JP3751054B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2006-03-01 | 宇部興産株式会社 | 電子部品用接着剤 |
US5700398A (en) | 1994-12-14 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Composition containing a polymer and conductive filler and use thereof |
US5932345A (en) * | 1995-01-11 | 1999-08-03 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermally fusible adhesive copolymer, articles made therefrom, and method for producing the same |
US7012320B2 (en) * | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
JP3117966B2 (ja) | 1995-07-06 | 2000-12-18 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW310481B (zh) * | 1995-07-06 | 1997-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
US6099678A (en) * | 1995-12-26 | 2000-08-08 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6201945B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Polyimide and doped metal oxide fuser components |
US5989459A (en) | 1999-03-09 | 1999-11-23 | Johnson Matthey, Inc. | Compliant and crosslinkable thermal interface materials |
JP3316484B2 (ja) | 1999-05-27 | 2002-08-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-07-05 TW TW085108142A patent/TW310481B/zh active
- 1996-07-06 MY MYPI20064189A patent/MY135107A/en unknown
- 1996-07-06 MY MYPI20064190A patent/MY135104A/en unknown
- 1996-07-06 MY MYPI20010607A patent/MY131253A/en unknown
- 1996-07-06 MY MYPI20064191A patent/MY135220A/en unknown
- 1996-07-06 MY MYPI96002801A patent/MY130455A/en unknown
- 1996-07-08 AU AU63195/96A patent/AU6319596A/en not_active Abandoned
- 1996-07-08 EP EP96922255A patent/EP0837498A4/en not_active Withdrawn
- 1996-07-08 EP EP02011430A patent/EP1235276A1/en not_active Withdrawn
- 1996-07-08 EP EP03001585A patent/EP1308996A3/en not_active Withdrawn
- 1996-07-08 KR KR1020017008990A patent/KR100366009B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-08 KR KR1020007010502A patent/KR100328899B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-08 EP EP00110797A patent/EP1032036A3/en not_active Ceased
- 1996-07-08 WO PCT/JP1996/001886 patent/WO1997002595A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1996-07-08 KR KR1019970709581A patent/KR100328898B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043233A patent/JP3117971B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-21 JP JP2000043234A patent/JP3117972B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-20 US US09/785,436 patent/US6855579B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-02 US US10/428,126 patent/US7057265B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-15 US US10/891,090 patent/US7078094B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-24 US US11/379,921 patent/US7387914B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-13 US US12/138,637 patent/US7781896B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7057265B2 (en) | 2006-06-06 |
KR100328899B1 (ko) | 2002-03-15 |
WO1997002595A1 (fr) | 1997-01-23 |
EP1308996A3 (en) | 2003-05-14 |
JP3117972B2 (ja) | 2000-12-18 |
US7078094B2 (en) | 2006-07-18 |
US7387914B2 (en) | 2008-06-17 |
US6855579B2 (en) | 2005-02-15 |
US7781896B2 (en) | 2010-08-24 |
KR19990028267A (ko) | 1999-04-15 |
KR100366009B1 (ko) | 2002-12-31 |
MY130455A (en) | 2007-06-29 |
KR100328898B1 (ko) | 2002-06-20 |
EP1308996A2 (en) | 2003-05-07 |
US20030160337A1 (en) | 2003-08-28 |
JP2000200793A (ja) | 2000-07-18 |
AU6319596A (en) | 1997-02-05 |
EP1032036A3 (en) | 2000-11-22 |
US20080290529A1 (en) | 2008-11-27 |
MY131253A (en) | 2007-07-31 |
EP0837498A1 (en) | 1998-04-22 |
US20010016384A1 (en) | 2001-08-23 |
EP1235276A1 (en) | 2002-08-28 |
MY135104A (en) | 2008-02-29 |
MY135107A (en) | 2008-02-29 |
JP2000200794A (ja) | 2000-07-18 |
US20060180903A1 (en) | 2006-08-17 |
US20040253770A1 (en) | 2004-12-16 |
EP1032036A2 (en) | 2000-08-30 |
EP0837498A4 (en) | 1999-05-06 |
JP3117971B2 (ja) | 2000-12-18 |
MY135220A (en) | 2008-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW310481B (zh) | ||
TW422874B (en) | Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film | |
KR100970798B1 (ko) | 접착 필름 및 이것을 이용한 반도체 장치 | |
CN101365765B (zh) | 粘接剂组合物、薄膜状粘接剂、粘接薄片及使用其的半导体装置 | |
TW538427B (en) | Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
TW200423316A (en) | Adhesive film for semiconductor, adhesive film attached on metal plate, wiring circuit and semiconductor device with the same, and the manufacturing method for semiconductor device | |
TW201120171A (en) | Adhesive composition, semiconductor device suing the composition and fabricating method thereof | |
TW201125948A (en) | Semiconductor device and fabricating method thereof, and semiconductor wafer with adhesive layer | |
TW426722B (en) | Adhesive tape for electronic parts | |
JP4900244B2 (ja) | 半導体用熱可塑性樹脂組成物、これを用いた接着フィルム、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4213998B2 (ja) | 接着剤樹脂組成物及びそれを用いたフィルム状接着剤 | |
KR100941315B1 (ko) | 열경화성 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름 | |
JP2006342287A (ja) | 接着剤組成物及び接着性フィルム | |
KR100701988B1 (ko) | 접착필름, 접착필름 부착 리드 프레임 및 이들을 이용한 반도체 장치 | |
JP3482946B2 (ja) | 接着フィルム及び半導体装置 | |
KR101057544B1 (ko) | 접착제 조성물 및 접착 필름 | |
JP3048300B2 (ja) | 接着性絶縁テープおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP4584028B2 (ja) | 半導体素子用粘着フィルムおよび半導体装置 | |
JP3513829B2 (ja) | 接着フィルム | |
JPH0913001A (ja) | 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ | |
JP2004210805A (ja) | 接着フィルム及びその用途 | |
JP2896752B2 (ja) | 電子部品用接着テープ | |
JP4146684B2 (ja) | 接着性樹脂組成物及びそれからなるフィルム状接着剤 | |
JP2003253220A (ja) | フィルム状接着剤及び半導体接着テープ | |
JP2006002035A (ja) | 接着剤組成物及び接着フィルム |