JP2000200794A - 半導体装置及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置実装時のはんだリフローにおいて、
リフロークラックの発生を回避する。 【解決手段】 吸水率が１．５体積％以下、飽和吸湿率
が１．０体積％以下、残存揮発分が３．０重量％以下、
または、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下の、
フィルム状有機ダイボンディング材を介して、半導体素
子を、リードフレームに接着する。
リフロークラックの発生を回避する。 【解決手段】 吸水率が１．５体積％以下、飽和吸湿率
が１．０体積％以下、残存揮発分が３．０重量％以下、
または、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下の、
フィルム状有機ダイボンディング材を介して、半導体素
子を、リードフレームに接着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をダイ
ボンディング材を用いてリードフレーム等の支持部材に
接着し、樹脂封止した半導体装置及び半導体装置の製造
法に関する。
ボンディング材を用いてリードフレーム等の支持部材に
接着し、樹脂封止した半導体装置及び半導体装置の製造
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子をリードフレームに接
着させる方法としては、リードフレーム上にダイボンデ
ィング材料を供給し半導体素子を接着する方法が用いら
れてきた。
着させる方法としては、リードフレーム上にダイボンデ
ィング材料を供給し半導体素子を接着する方法が用いら
れてきた。
【０００３】これらの材料としては、例えばＡｕ−Ｓｉ
共晶、半田、樹脂ペーストなどが知られている。この中
で、Ａｕ−Ｓｉ共晶は高価かつ弾性率が高く又接着部分
を加振する必要があるという問題がある。半田は融点温
度以上の温度に耐えられずかつ弾性率が高いという問題
がある。
共晶、半田、樹脂ペーストなどが知られている。この中
で、Ａｕ−Ｓｉ共晶は高価かつ弾性率が高く又接着部分
を加振する必要があるという問題がある。半田は融点温
度以上の温度に耐えられずかつ弾性率が高いという問題
がある。
【０００４】樹脂ペーストでは銀ペーストが最も一般的
であり、銀ペーストは、他材料と比較して最も安価で耐
熱信頼性が高く弾性率も低いため、ＩＣ、ＬＳＩのリー
ドフレームの接着材料として最も多く使用されている。
であり、銀ペーストは、他材料と比較して最も安価で耐
熱信頼性が高く弾性率も低いため、ＩＣ、ＬＳＩのリー
ドフレームの接着材料として最も多く使用されている。
【０００５】電子機器の小型・薄型化による高密度実装
の要求が、近年、急激に増加してきており、半導体パッ
ケージは、従来のピン挿入型に代わり、高密度実装に適
した表面実装型が主流になってきた。
の要求が、近年、急激に増加してきており、半導体パッ
ケージは、従来のピン挿入型に代わり、高密度実装に適
した表面実装型が主流になってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この表面実装型パッケ
ージは、リードをプリント基板等に直接はんだ付けする
ために、赤外線リフローやベーパーフェーズリフロー、
はんだディップなどにより、パッケージ全体を加熱して
実装される。
ージは、リードをプリント基板等に直接はんだ付けする
ために、赤外線リフローやベーパーフェーズリフロー、
はんだディップなどにより、パッケージ全体を加熱して
実装される。
【０００７】この際、パッケージ全体が２１０〜２６０
℃の高温にさらされるため、パッケージ内部に水分が存
在すると、水分の爆発的な気化により、パッケージクラ
ック（以下リフロークラックという）が発生する。
℃の高温にさらされるため、パッケージ内部に水分が存
在すると、水分の爆発的な気化により、パッケージクラ
ック（以下リフロークラックという）が発生する。
【０００８】このリフロークラックは、半導体パッケー
ジの信頼性を著しく低下させるため、深刻な問題・技術
課題となっている。
ジの信頼性を著しく低下させるため、深刻な問題・技術
課題となっている。
【０００９】ダイボンディング材に起因するリフローク
ラックの発生メカニズムは、次の通りである。半導体パ
ッケージは、保管されている間に（１）ダイボンディン
グ材が吸湿し、（２）この水分がリフローはんだ付けの
実装時に、加熱によって水蒸気化し、（３）この蒸気圧
によってダイボンディング層の破壊やはく離が起こり、
（４）リフロークラックが発生する。
ラックの発生メカニズムは、次の通りである。半導体パ
ッケージは、保管されている間に（１）ダイボンディン
グ材が吸湿し、（２）この水分がリフローはんだ付けの
実装時に、加熱によって水蒸気化し、（３）この蒸気圧
によってダイボンディング層の破壊やはく離が起こり、
（４）リフロークラックが発生する。
【００１０】封止材の耐リフロークラック性が向上して
きている中で、ダイボンディング材に起因するリフロー
クラックは、特に薄型パッケージにおいて、重大な問題
となっており、耐リフロークラック性の改良が強く要求
されている。
きている中で、ダイボンディング材に起因するリフロー
クラックは、特に薄型パッケージにおいて、重大な問題
となっており、耐リフロークラック性の改良が強く要求
されている。
【００１１】従来最も一般的に使用されている銀ペース
トでは、チップの大型化により、銀ペーストを塗布部全
面に均一に塗布することが困難になってきていること、
ペースト状であるため接着層にボイドが発生し易いこと
などによりリフロークラックが発生し易い。
トでは、チップの大型化により、銀ペーストを塗布部全
面に均一に塗布することが困難になってきていること、
ペースト状であるため接着層にボイドが発生し易いこと
などによりリフロークラックが発生し易い。
【００１２】本発明は、フィルム状有機ダイボンディン
グ材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性に
優れる半導体装置及びその製造法を提供するものであ
る。
グ材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性に
優れる半導体装置及びその製造法を提供するものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明では、フィルム状
有機ダイボンディング材を用いる。これはたとえばエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂等の有機材料を主体にした（有機材料に金属フィラ
ー、無機質フィラーを添加したものも含む）フィルム状
のもので、リードフレーム等の支持部材上にフィルム状
有機ダイボンディング材を加熱した状態で圧着させ、更
にフィルム状有機ダイボンディング材に半導体素子を重
ねて加熱圧着させるものである。すなわち樹脂ペースト
をフイルム化することによって接着部分に均一にダイボ
ンディング材料を付けようとするものである。
有機ダイボンディング材を用いる。これはたとえばエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂等の有機材料を主体にした（有機材料に金属フィラ
ー、無機質フィラーを添加したものも含む）フィルム状
のもので、リードフレーム等の支持部材上にフィルム状
有機ダイボンディング材を加熱した状態で圧着させ、更
にフィルム状有機ダイボンディング材に半導体素子を重
ねて加熱圧着させるものである。すなわち樹脂ペースト
をフイルム化することによって接着部分に均一にダイボ
ンディング材料を付けようとするものである。
【００１４】図１は、本発明の半導体装置の製造工程の
一例を示すものである。フィルム状有機ダイボンディン
グ材１はロールからカッター２で所定の大きさに切断さ
れる（図１（ａ））。フィルム状有機ダイボンディング
材１は熱盤７上でリードフレーム５のダイパッド部６に
圧着子４で圧着される（図１（ｂ））。圧着条件は、温
度１００〜２５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力４〜２
００ｇｆ／ｍｍ2が好ましい。
一例を示すものである。フィルム状有機ダイボンディン
グ材１はロールからカッター２で所定の大きさに切断さ
れる（図１（ａ））。フィルム状有機ダイボンディング
材１は熱盤７上でリードフレーム５のダイパッド部６に
圧着子４で圧着される（図１（ｂ））。圧着条件は、温
度１００〜２５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力４〜２
００ｇｆ／ｍｍ2が好ましい。
【００１５】ダイパッド部６に貼付られたフィルム状有
機ダイボンディング材１に半導体素子８を載せ加熱圧着
（ダイボンド）する（図１（ｃ））。ダイボンドの条件
は、温度１００〜３５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力
０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ2が好ましく、温度１５０〜２
５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇ
ｆ／ｍｍ2がより好ましく、温度１５０〜２５０℃、時
間０．１秒以上１．５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍ
ｍ2が最も好ましい。その後ワイヤボンド工程（図１
（ｄ））を経て、半導体素子の樹脂封止工程（図１
（ｅ））を経て、半導体装置を製造する。９は封止樹脂
である。
機ダイボンディング材１に半導体素子８を載せ加熱圧着
（ダイボンド）する（図１（ｃ））。ダイボンドの条件
は、温度１００〜３５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力
０．１〜３０ｇｆ／ｍｍ2が好ましく、温度１５０〜２
５０℃、時間０．１秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇ
ｆ／ｍｍ2がより好ましく、温度１５０〜２５０℃、時
間０．１秒以上１．５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍ
ｍ2が最も好ましい。その後ワイヤボンド工程（図１
（ｄ））を経て、半導体素子の樹脂封止工程（図１
（ｅ））を経て、半導体装置を製造する。９は封止樹脂
である。
【００１６】例えば、本発明のフィルム状有機ダイボン
ディング材は、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機材
料、必要に応じて金属フィラー等の添加物等の材料を有
機溶媒に溶解・分散させ塗工用ワニスとし、この塗工用
ワニスを二軸延伸ポリプロピレンフィルム等のキャリア
フィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから
剥離して製造する。このようにすれば、自己支持性のあ
るフィルムが得られる。
ディング材は、ポリイミド、エポキシ樹脂等の有機材
料、必要に応じて金属フィラー等の添加物等の材料を有
機溶媒に溶解・分散させ塗工用ワニスとし、この塗工用
ワニスを二軸延伸ポリプロピレンフィルム等のキャリア
フィルムに塗工し溶剤を揮発させキャリアフィルムから
剥離して製造する。このようにすれば、自己支持性のあ
るフィルムが得られる。
【００１７】本発明は、半導体装置のリフロークラック
の発生とフィルム状有機ダイボンディング材の物性・特
性との間に相関関係があることを見い出し、リフローク
ラックの発生とフィルム状有機ダイボンディング材の特
性の関係を詳細に検討した結果なされたものである。
の発生とフィルム状有機ダイボンディング材の物性・特
性との間に相関関係があることを見い出し、リフローク
ラックの発生とフィルム状有機ダイボンディング材の特
性の関係を詳細に検討した結果なされたものである。
【００１８】本願の第一の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に吸水
率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディ
ング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその
製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に吸水
率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディ
ング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びその
製造法である。
【００１９】本願の第二の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に飽和
吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボン
ディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及び
その製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に飽和
吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボン
ディング材を使用したことを特徴とする半導体装置及び
その製造法である。
【００２０】本願の第三の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に残存
揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンデ
ィング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びそ
の製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に残存
揮発分が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンデ
ィング材を使用したことを特徴とする半導体装置及びそ
の製造法である。
【００２１】本願の第四の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に２５
０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機
ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体
装置及びその製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に２５
０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機
ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導体
装置及びその製造法である。
【００２２】本願の第五の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半
導体素子を支持部材に接着した段階でダイボンディング
材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在す
るボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有
機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導
体装置及びその製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半
導体素子を支持部材に接着した段階でダイボンディング
材中及びダイボンディング材と支持部材の界面に存在す
るボイドがボイド体積率１０％以下であるフィルム状有
機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半導
体装置及びその製造法である。
【００２３】本願の第六の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材とし
て、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半
導体装置及びその製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材とし
て、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材を使用したことを特徴とする半
導体装置及びその製造法である。
【００２４】本願の第七の発明は、半導体素子を支持部
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半
導体素子の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支
持部材に接着した段階で半導体素子の領域からダイボン
ディング材がはみ出さない、すなわち、半導体素子と支
持部材との間からはみ出さない、フィルム状の有機ダイ
ボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置
及びその製造法である。
材にダイボンディング材で接着し、半導体素子を樹脂封
止した半導体装置に於いて、ダイボンディング材に、半
導体素子の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支
持部材に接着した段階で半導体素子の領域からダイボン
ディング材がはみ出さない、すなわち、半導体素子と支
持部材との間からはみ出さない、フィルム状の有機ダイ
ボンディング材を使用したことを特徴とする半導体装置
及びその製造法である。
【００２５】これらの発明において、支持部材にフィル
ム状有機ダイボンディング材を貼り付ける段階で、吸水
率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディ
ング材、飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状
有機ダイボンディング材、残存揮発分が３．０ｗｔ％以
下のフィルム状有機ダイボンディング材、２５０℃にお
ける弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機ダイボン
ディング材がそれぞれ使用される。
ム状有機ダイボンディング材を貼り付ける段階で、吸水
率が１．５ｖｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディ
ング材、飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下のフィルム状
有機ダイボンディング材、残存揮発分が３．０ｗｔ％以
下のフィルム状有機ダイボンディング材、２５０℃にお
ける弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルム状有機ダイボン
ディング材がそれぞれ使用される。
【００２６】第一の発明で使用される吸水率が１．５ｖ
ｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、第二
の発明で使用される飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下の
フィルム状有機ダイボンディング材、第四の発明で使用
される２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィ
ルム状有機ダイボンディング材及び第六の発明で使用さ
れる半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンデ
ィングの組成、例えばポリイミド等のポリマーの構造や
銀等のフィラー含量を調整することにより製造すること
ができる。
ｏｌ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、第二
の発明で使用される飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下の
フィルム状有機ダイボンディング材、第四の発明で使用
される２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィ
ルム状有機ダイボンディング材及び第六の発明で使用さ
れる半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材は、フィルム状有機ダイボンデ
ィングの組成、例えばポリイミド等のポリマーの構造や
銀等のフィラー含量を調整することにより製造すること
ができる。
【００２７】また、第三の発明で使用される残存揮発分
が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング
材及び第五の発明で使用される半導体素子を支持部材に
接着した段階でダイボンディング材中及びダイボンディ
ング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積
率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材
は、フィルム状有機ダイボンディングの製造条件、例え
ば乾燥温度、乾燥時間等を調整することにより製造する
ことができる。
が３．０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング
材及び第五の発明で使用される半導体素子を支持部材に
接着した段階でダイボンディング材中及びダイボンディ
ング材と支持部材の界面に存在するボイドがボイド体積
率１０％以下であるフィルム状有機ダイボンディング材
は、フィルム状有機ダイボンディングの製造条件、例え
ば乾燥温度、乾燥時間等を調整することにより製造する
ことができる。
【００２８】半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬ
ＳＩ等の一般の半導体素子が使用される。本発明は、半
導体素子の大きさが、縦５ｍｍ横５ｍｍ以上のものに特
に好適に使用される。支持部材としては、ダイパッド部
を有するリードフレーム、セラミック配線板、ガラス−
ポリイミド配線板等の配線基板等が使用される。図３に
ダイパッド部を有するリードフレームの一例の平面図を
示す。図３に示すリードフレーム４０は、ダイパッド部
４１を有する。
ＳＩ等の一般の半導体素子が使用される。本発明は、半
導体素子の大きさが、縦５ｍｍ横５ｍｍ以上のものに特
に好適に使用される。支持部材としては、ダイパッド部
を有するリードフレーム、セラミック配線板、ガラス−
ポリイミド配線板等の配線基板等が使用される。図３に
ダイパッド部を有するリードフレームの一例の平面図を
示す。図３に示すリードフレーム４０は、ダイパッド部
４１を有する。
【００２９】フィルム状有機ダイボンディング材は、単
一層のものだけでなく多層構造のものも使用される。本
発明では、フィルム状有機ダイボンディング材は上記の
物性・特性の二以上を兼ね備えることができる。兼ね備
えることが好ましい物性・特性としては、例えば（１）
飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ残存揮発分が３．
０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（２）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ半導体素子
を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇ
ｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンデ
ィング材、（３）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下、か
つ、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材、（４）飽和吸湿率が１．０ｖ
ｏｌ％以下、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下かつ半導体
素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５
ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボ
ンディング材である。
一層のものだけでなく多層構造のものも使用される。本
発明では、フィルム状有機ダイボンディング材は上記の
物性・特性の二以上を兼ね備えることができる。兼ね備
えることが好ましい物性・特性としては、例えば（１）
飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ残存揮発分が３．
０ｗｔ％以下のフィルム状有機ダイボンディング材、
（２）飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％以下かつ半導体素子
を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５ｋｇ
ｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボンデ
ィング材、（３）残存揮発分が３．０ｗｔ％以下、か
つ、半導体素子を支持部材に接着した段階でのピール強
度が０．５ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状
有機ダイボンディング材、（４）飽和吸湿率が１．０ｖ
ｏｌ％以下、残存揮発分が３．０ｗｔ％以下かつ半導体
素子を支持部材に接着した段階でのピール強度が０．５
ｋｇｆ／５×５ｍｍチップ以上のフィルム状有機ダイボ
ンディング材である。
【００３０】本発明では、フィルム状有機ダイボンディ
ング材の上記の物性・特性は使用目的に応じ、任意の組
み合わせをとることができる。
ング材の上記の物性・特性は使用目的に応じ、任意の組
み合わせをとることができる。
【００３１】また、（１）〜（４）のフィルム状有機ダ
イボンディング材又は上記の物性・特性を任意組み合わ
せたフィルム状有機ダイボンディング材を、半導体素子
の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支持部材に
接着した段階で半導体素子の大きさからはみ出さないよ
うなフィルム状有機ダイボンディング材として使用する
ことが好ましい。
イボンディング材又は上記の物性・特性を任意組み合わ
せたフィルム状有機ダイボンディング材を、半導体素子
の面積と同等以下の面積を有し半導体素子を支持部材に
接着した段階で半導体素子の大きさからはみ出さないよ
うなフィルム状有機ダイボンディング材として使用する
ことが好ましい。
【００３２】本発明の半導体装置は、半導体装置実装の
はんだリフロー時においてリフロークラックの発生を回
避することができ、信頼性に優れる。
はんだリフロー時においてリフロークラックの発生を回
避することができ、信頼性に優れる。
【００３３】本発明のフィルム状有機ダイボンディング
材の有機材料として、ポリイミド樹脂が好ましい。ポリ
イミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二
無水物としては、１，２−（エチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−
（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、
１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート
無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−
（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，
４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無
水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，
５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、２，
６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカル
ボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，
７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラ
カルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１
０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，
５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，
３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジ
メチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチル
シリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチル
ジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリ
メリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水
物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカ
ルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，
５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６
−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，
２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−
２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス
（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−
ジカルボン酸二無水物）スルホン、ビシクロ−（２，
２，２）−オクト−７−エン２，３，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２
−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４′−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスル
フイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサ
フルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸
無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオ
ロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水
物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テ
トラカルボン酸二無水物等があり、２種類以上を混合し
て用いてもよい。
材の有機材料として、ポリイミド樹脂が好ましい。ポリ
イミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二
無水物としては、１，２−（エチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−
（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、
１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート
無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−
（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，
４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無
水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，
５−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、２，
６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカル
ボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，
７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラ
カルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１
０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，
５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，
３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジ
メチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチル
シリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチル
ジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリ
メリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水
物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカ
ルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，
５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６
−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，
２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−
２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス
（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−
ジカルボン酸二無水物）スルホン、ビシクロ−（２，
２，２）−オクト−７−エン２，３，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２
−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４′−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスル
フイド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサ
フルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸
無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオ
ロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水
物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テ
トラカルボン酸二無水物等があり、２種類以上を混合し
て用いてもよい。
【００３４】またポリイミド樹脂の原料として用いられ
るジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フ
ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフ
ェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプ
ロピルフェニル）メタン、３，３′−ジアミノジフェニ
ルジフルオロメタン、３，４′−ジアミノジフェニルジ
フルオロメタン、４，４′−ジアミノジフェニルジフル
オロメタン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェ
ニルスルフイド、３，４′−ジアミノジフェニルスルフ
イド、４，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、３，
３′−ジアミノジフェニルケトン、３，４′−ジアミノ
ジフェニルケトン、４，４′−ジアミノジフェニルケト
ン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、
２，２′−（３，４′−ジアミノジフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−（３，４′−ジアミノジフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、３，３′-（１，４−フェニレンビ
ス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４′
-（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン））ビスアニリン、４，４′-（１，４−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２
−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フエニル）ヘキ
サフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等の芳香族ジ
アミンや、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノ
プロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノ
ペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミ
ノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジア
ミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジ
アミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂
肪族ジアミン等があり、２種類以上を混合して用いても
よい。
るジアミンとしては、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フ
ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフ
ェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプ
ロピルフェニル）メタン、３，３′−ジアミノジフェニ
ルジフルオロメタン、３，４′−ジアミノジフェニルジ
フルオロメタン、４，４′−ジアミノジフェニルジフル
オロメタン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェ
ニルスルフイド、３，４′−ジアミノジフェニルスルフ
イド、４，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、３，
３′−ジアミノジフェニルケトン、３，４′−ジアミノ
ジフェニルケトン、４，４′−ジアミノジフェニルケト
ン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、
２，２′−（３，４′−ジアミノジフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−（３，４′−ジアミノジフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、３，３′-（１，４−フェニレンビ
ス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４′
-（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン））ビスアニリン、４，４′-（１，４−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２
−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フエニル）ヘキ
サフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等の芳香族ジ
アミンや、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノ
プロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノ
ペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミ
ノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジア
ミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジ
アミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂
肪族ジアミン等があり、２種類以上を混合して用いても
よい。
【００３５】テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公
知の方法で縮合反応させてポリイミドを得ることができ
る。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水
物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添
加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜
５０℃で反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘
度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミ
ド酸が生成する。
知の方法で縮合反応させてポリイミドを得ることができ
る。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水
物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添
加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜
５０℃で反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘
度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミ
ド酸が生成する。
【００３６】ポリイミドは、上記反応物（ポリアミド
酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１
２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。
酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１
２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。
【００３７】本発明のフィルム状有機ダイボンディング
材の有機材料として、グリシジルエーテル型、グリシジ
ルアミン型、グリシジルエステル型、脂環型のエポキシ
樹脂が使用される。
材の有機材料として、グリシジルエーテル型、グリシジ
ルアミン型、グリシジルエステル型、脂環型のエポキシ
樹脂が使用される。
【００３８】上記したように、本発明の半導体装置の製
造法においては、ダイボンドの条件は、温度１００〜３
５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力０．１〜３０ｇｆ／
ｍｍ 2が好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１
秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2がより好
ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上１．
５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍｍ2が最も好まし
い。
造法においては、ダイボンドの条件は、温度１００〜３
５０℃、時間０．１〜２０秒、圧力０．１〜３０ｇｆ／
ｍｍ 2が好ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１
秒以上２秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2がより好
ましく、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上１．
５秒以下、圧力０．３〜２ｇｆ／ｍｍ2が最も好まし
い。
【００３９】フィルム状有機ダイボンディング材の２５
０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルムを使用
すれば、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒
未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2の条件でダイボンデ
ィングを行い、十分なピール強度（例えば、０．５Ｋｇ
ｆ／５×５ｍｍチップ以上の強度）を得ることができ
る。
０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下のフィルムを使用
すれば、温度１５０〜２５０℃、時間０．１秒以上２秒
未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2の条件でダイボンデ
ィングを行い、十分なピール強度（例えば、０．５Ｋｇ
ｆ／５×５ｍｍチップ以上の強度）を得ることができ
る。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限られるものではな
い。以下の実施例において用いられるポリイミドは、い
ずれも等モルの酸無水物とジアミンとを溶媒中で混合し
加熱することにより重合させて得られる。以下の各実施
例において、ポリイミドＡは、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）とビス（４−アミノ−３，
５−ジメチルフェニル）メタンとから合成されるポリイ
ミドであり、ポリイミドＢは、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）と４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテルとから合成されるポリイミドであり、ポ
リイミドＣは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）とビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロ
ピルフェニル）メタンとから合成されるポリイミドであ
り、ポリイミドＤは、１，２−（エチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリ
イミドであり、ポリイミドＥは、１，２−（エチレン）
ビス（トリメリテート無水物）および１，１０−（デカ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）の等モル混合
物と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパンとから合成されるポリイミドであり、ポ
リイミドＦは、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリ
イミドである。
るが、本発明はこれらの実施例に限られるものではな
い。以下の実施例において用いられるポリイミドは、い
ずれも等モルの酸無水物とジアミンとを溶媒中で混合し
加熱することにより重合させて得られる。以下の各実施
例において、ポリイミドＡは、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）とビス（４−アミノ−３，
５−ジメチルフェニル）メタンとから合成されるポリイ
ミドであり、ポリイミドＢは、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）と４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテルとから合成されるポリイミドであり、ポ
リイミドＣは、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）とビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロ
ピルフェニル）メタンとから合成されるポリイミドであ
り、ポリイミドＤは、１，２−（エチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリ
イミドであり、ポリイミドＥは、１，２−（エチレン）
ビス（トリメリテート無水物）および１，１０−（デカ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）の等モル混合
物と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパンとから合成されるポリイミドであり、ポ
リイミドＦは、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリ
メリテート無水物）と２，２−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパンとから合成されるポリ
イミドである。
【００４１】＜実施例１＞表１に示すポリイミド１００
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
【００４２】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表１に示す組成、吸水率のフィルム状有機ダイボンディ
ング材を製造した。
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表１に示す組成、吸水率のフィルム状有機ダイボンディ
ング材を製造した。
【００４３】リードフレームのタブ上に、表１のフィル
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰ（Quad Flat Package）パッケージ１
４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４
２アロイリードフレーム）。
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰ（Quad Flat Package）パッケージ１
４×２０×１．４ｍｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４
２アロイリードフレーム）。
【００４４】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００４５】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
【００４６】（リフロークラックの発生数／試験数）×
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表１に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表１に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
【００４７】
【表１】
【００４８】吸水率測定方法は、つぎの通りである。５
０×５０ｍｍの大きさのフィルムをサンプルとし、サン
プルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デ
シケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サ
ンプルを蒸留水に室温で２４時間浸せきしてから取り出
し、サンプル表面をろ紙でふきとり、すばやく秤量して
Ｍ２とする。
０×５０ｍｍの大きさのフィルムをサンプルとし、サン
プルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デ
シケータ中で放冷後、乾燥重量を測定しＭ１とする。サ
ンプルを蒸留水に室温で２４時間浸せきしてから取り出
し、サンプル表面をろ紙でふきとり、すばやく秤量して
Ｍ２とする。
【００４９】［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１０
０＝吸水率（ｖｏｌ％） として、吸水率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボ
ンディング材の密度である。
０＝吸水率（ｖｏｌ％） として、吸水率を算出した。ｄはフィルム状有機ダイボ
ンディング材の密度である。
【００５０】＜実施例２＞表２に示すポリイミド１００
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
【００５１】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表２に示す組成、飽和吸湿率のフィルム状有機ダイボン
ディング材を製造した。
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表２に示す組成、飽和吸湿率のフィルム状有機ダイボン
ディング材を製造した。
【００５２】リードフレームのタブ上に、表２のフィル
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、Ｎｏ．１〜６および比較例では、温度３０
０℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ2、時間５秒で、Ｎｏ．
７〜１０では、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、Ｎｏ．１〜６および比較例では、温度３０
０℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ2、時間５秒で、Ｎｏ．
７〜１０では、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
【００５３】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００５４】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
【００５５】（リフロークラックの発生数／試験数）×
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表２に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表２に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
【００５６】
【表２】
【００５７】飽和吸湿率測定方法は、つぎの通りであ
る。直径１００ｍｍの円形フィルム状有機ダイボンディ
ング材をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１
２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥
重量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％Ｒ
Ｈの恒温恒湿槽中で吸湿してから取り出し、すばやく秤
量して秤量値が一定になったとき、その重量をＭ２とす
る。
る。直径１００ｍｍの円形フィルム状有機ダイボンディ
ング材をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１
２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥
重量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％Ｒ
Ｈの恒温恒湿槽中で吸湿してから取り出し、すばやく秤
量して秤量値が一定になったとき、その重量をＭ２とす
る。
【００５８】［（Ｍ２−Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１０
０＝飽和吸湿率（ｖｏｌ％） として、飽和吸湿率を算出した。ｄはフィルム状有機ダ
イボンディング材の密度である。
０＝飽和吸湿率（ｖｏｌ％） として、飽和吸湿率を算出した。ｄはフィルム状有機ダ
イボンディング材の密度である。
【００５９】＜実施例３＞ポリイミドＦ１００ｇ及びエ
ポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド
１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させ
る。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に
分散させ、塗工用ワニスとする。
ポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド
１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させ
る。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に
分散させ、塗工用ワニスとする。
【００６０】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱
して、溶媒を揮発乾燥させ、表３に示す残存揮発分のダ
イボンディングフィルムを製造した。ただし、１２０℃
より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０
℃、３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディ
ング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠には
さんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾
燥させた。
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱
して、溶媒を揮発乾燥させ、表３に示す残存揮発分のダ
イボンディングフィルムを製造した。ただし、１２０℃
より乾燥温度が高い場合には、ＯＰＰフィルム上で８０
℃、３０分乾燥させた後、フィルム状有機ダイボンディ
ング材をＯＰＰフィルムからはく離し、これを鉄枠には
さんで固定してから、乾燥機中であらためて加熱し、乾
燥させた。
【００６１】リードフレームのタブ上に、表３のフィル
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍｍ2、
時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名
ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造し
た（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップ
サイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍｍ2、
時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボンディ
ングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、商品名
ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を製造し
た（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、チップ
サイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレーム）。
【００６２】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００６３】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
【００６４】（リフロークラックの発生数／試験数）×
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表３に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表３に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
【００６５】
【表３】
【００６６】残存揮発分測定方法は、つぎの通りであ
る。５０×５０ｍｍの大きさのフィルム状有機ダイボン
ディング材をサンプルとし、サンプルの重量を測定しＭ
１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃２時間
加熱後、秤量してＭ２とし、 ［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝残存揮発分（ｗｔ
％） として、残存揮発分を算出した。
る。５０×５０ｍｍの大きさのフィルム状有機ダイボン
ディング材をサンプルとし、サンプルの重量を測定しＭ
１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃２時間
加熱後、秤量してＭ２とし、 ［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝残存揮発分（ｗｔ
％） として、残存揮発分を算出した。
【００６７】＜実施例４＞ポリイミドＤ１００ｇ及びエ
ポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド
１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させ
る。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に
分散させ、塗工用ワニスとする。
ポキシ樹脂１０ｇに、溶媒としてジメチルアセトアミド
１４０ｇ、シクロヘキサノン１４０ｇを加えて溶解させ
る。ここに、銀粉７４ｇを加えて、良く撹拌し、均一に
分散させ、塗工用ワニスとする。
【００６８】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱
して、溶媒を揮発乾燥させ、表５に示すボイド体積率の
ダイボンディングフィルムを製造した。
Ｐフィルム：二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で８０℃から１２０℃の温度に加熱
して、溶媒を揮発乾燥させ、表５に示すボイド体積率の
ダイボンディングフィルムを製造した。
【００６９】ただし、１２０℃より乾燥温度が高い場合
には、ＯＰＰフィルム上で８０℃３０分乾燥させた後、
フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムか
らはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥
機中であらためて加熱し、乾燥させた。
には、ＯＰＰフィルム上で８０℃３０分乾燥させた後、
フィルム状有機ダイボンディング材をＯＰＰフィルムか
らはく離し、これを鉄枠にはさんで固定してから、乾燥
機中であらためて加熱し、乾燥させた。
【００７０】ここで、ボイド体積率とは、半導体素子を
支持部材に接着した段階でダイボンディング材中及びダ
イボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドの
ボイド体積率である。
支持部材に接着した段階でダイボンディング材中及びダ
イボンディング材と支持部材の界面に存在するボイドの
ボイド体積率である。
【００７１】リードフレームのタブ上に、表４のフィル
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ／ｍ
ｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
【００７２】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００７３】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。
【００７４】（リフロークラックの発生数／試験数）×
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表４に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
１００＝リフロークラック発生率（％） 評価結果を表４に示す。なお、銀ペーストは、日立化成
工業株式会社製「エピナール」（商品名）を使用した。
【００７５】
【表４】
【００７６】ボイド体積率測定方法は、つぎの通りであ
る。リードフレームとシリコンチップとをフィルム状有
機ダイボンディング材で接着し、サンプルを作成し、軟
Ｘ線装置を用いて、サンプル上面から観察した画像を写
真撮影した。写真のボイドの面積率を画像解析装置によ
って測定し、上面から透視したボイドの面積率＝ボイド
の体積率（％）とした。
る。リードフレームとシリコンチップとをフィルム状有
機ダイボンディング材で接着し、サンプルを作成し、軟
Ｘ線装置を用いて、サンプル上面から観察した画像を写
真撮影した。写真のボイドの面積率を画像解析装置によ
って測定し、上面から透視したボイドの面積率＝ボイド
の体積率（％）とした。
【００７７】＜実施例５＞表５に示すポリイミド１００
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
ｇ及びエポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加え
て溶解させる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌
し、均一に分散させ、塗工用ワニスとする。
【００７８】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表５に示す組成、ピール強度のフィルム状有機ダイボン
ディング材を製造した。
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
表５に示す組成、ピール強度のフィルム状有機ダイボン
ディング材を製造した。
【００７９】ここでピール強度は、半導体素子を支持部
材にフィルム状有機ダイボンディング材を介して接着し
た段階でのフィルム状有機ダイボンディング材のピール
強度である。
材にフィルム状有機ダイボンディング材を介して接着し
た段階でのフィルム状有機ダイボンディング材のピール
強度である。
【００８０】リードフレームのタブ上に、表５のフィル
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、Ｎｏ．１〜５については、温度３００℃、
圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ2、時間５秒で、Ｎｏ．６〜１
０については、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍ
ｍ 2、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
ム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱貼付け、
フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付けたリード
フレームへ、Ｎｏ．１〜５については、温度３００℃、
圧力１２．５ｇｆ／ｍｍ2、時間５秒で、Ｎｏ．６〜１
０については、温度２３０℃、圧力０．６ｇｆ／ｍ
ｍ 2、時間１秒で、半導体素子をマウントし、ワイヤボ
ンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社製、
商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装置を
製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍｍ、
チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレー
ム）。
【００８１】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００８２】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。 （リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフ
ロークラック発生率（％） 評価結果を表５に示す。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。 （リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフ
ロークラック発生率（％） 評価結果を表５に示す。
【００８３】
【表５】
【００８４】なお、ピール強度はつぎのようにして測定
した。リードフレームのタブ表面等の半導体素子を支持
する支持部材に、５×５ｍｍの大きさのシリコンチップ
（試験片）をフィルム状有機ダイボンディング材をはさ
んで接着したものを、２４０℃の熱盤上に、２０秒間保
持し、図２に示すように、プッシュプルゲージを用い
て、試験速度０．５ｍｍ／分でピール強度を測定した。
図２において、２１は半導体素子、２２はフィルム状有
機ダイボンディング材、２３はリードフレーム、２４は
プッシュプルゲージ、２５は熱盤である。尚、この場合
は２４０℃、２０秒間に保持して測定したが、半導体装
置の使用目的によって半導体装置を実装する温度が異な
る場合は、その半導体装置実相温度で保持して測定す
る。
した。リードフレームのタブ表面等の半導体素子を支持
する支持部材に、５×５ｍｍの大きさのシリコンチップ
（試験片）をフィルム状有機ダイボンディング材をはさ
んで接着したものを、２４０℃の熱盤上に、２０秒間保
持し、図２に示すように、プッシュプルゲージを用い
て、試験速度０．５ｍｍ／分でピール強度を測定した。
図２において、２１は半導体素子、２２はフィルム状有
機ダイボンディング材、２３はリードフレーム、２４は
プッシュプルゲージ、２５は熱盤である。尚、この場合
は２４０℃、２０秒間に保持して測定したが、半導体装
置の使用目的によって半導体装置を実装する温度が異な
る場合は、その半導体装置実相温度で保持して測定す
る。
【００８５】＜実施例６＞ポリイミドＥ１００ｇ及びエ
ポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解さ
せる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一
に分散させ、塗工用ワニスとする。
ポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解さ
せる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一
に分散させ、塗工用ワニスとする。
【００８６】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
【００８７】リードフレームのタブ上に、表６の大きさ
のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱
貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付け
たリードフレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ
／ｍｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイ
ヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社
製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装
置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍ
ｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレ
ーム）。
のフィルム状有機ダイボンディング材を１６０℃で加熱
貼付け、フィルム状有機ダイボンディング材を貼り付け
たリードフレームへ、温度３００℃、圧力１２．５ｇｆ
／ｍｍ2、時間５秒で、半導体素子をマウントし、ワイ
ヤボンディングを行い、封止材（日立化成工業株式会社
製、商品名ＣＥＬ−９０００）でモールドし、半導体装
置を製造した（ＱＦＰパッケージ１４×２０×１．４ｍ
ｍ、チップサイズ８×１０ｍｍ、４２アロイリードフレ
ーム）。
【００８８】封止後の半導体装置を８５℃、８５％ＲＨ
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
の恒温恒湿器中で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー
炉で２４０℃、１０秒加熱する。
【００８９】その後、半導体装置をポリエステル樹脂で
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。 （リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフ
ロークラック発生率（％） 評価結果を表６に示す。
注型し、ダイヤモンドカッターで切断した断面を顕微鏡
で観察して、次式によりリフロークラック発生率（％）
を測定し、耐リフロークラック性を評価した。 （リフロークラックの発生数／試験数）×１００＝リフ
ロークラック発生率（％） 評価結果を表６に示す。
【００９０】
【表６】
【００９１】＜実施例７＞ポリイミドＦ１００ｇ及びエ
ポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解さ
せる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一
に分散させ、塗工用ワニスとする。
ポキシ樹脂１０ｇに、有機溶媒２８０ｇを加えて溶解さ
せる。ここに、銀粉を所定量加えて、良く撹拌し、均一
に分散させ、塗工用ワニスとする。
【００９２】この塗工ワニスをキャリアフィルム（ＯＰ
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
Ｐフィルム；二軸延伸ポリプロピレン）上に塗工し、熱
風循環式乾燥機の中で加熱して、溶媒を揮発乾燥させ、
フィルム状有機ダイボンディング材を製造した。
【００９３】リードフレームのタブ上に、表７の２５０
℃での弾性率のフィルム状有機ダイボンディング材を１
６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング
材を貼り付けたリードフレームへ、表７のダイボンディ
ング条件で、半導体素子をマウントしたところ、表７の
ピール強度であった。
℃での弾性率のフィルム状有機ダイボンディング材を１
６０℃で加熱貼付け、フィルム状有機ダイボンディング
材を貼り付けたリードフレームへ、表７のダイボンディ
ング条件で、半導体素子をマウントしたところ、表７の
ピール強度であった。
【００９４】
【表７】
【００９５】フィルム弾性率（ＭＰａ）測定法：（株）
東洋精機製作所社製レオログラフソリッドＳ型を用い
て、昇温速度５℃／ｍｉｎ，周波数１０Ｈｚで、動的粘
弾性を測定し、２５０℃における貯蔵弾性率Ｅ’を弾性
率とした。 ピール強度測定法：実施例５と同じである。
東洋精機製作所社製レオログラフソリッドＳ型を用い
て、昇温速度５℃／ｍｉｎ，周波数１０Ｈｚで、動的粘
弾性を測定し、２５０℃における貯蔵弾性率Ｅ’を弾性
率とした。 ピール強度測定法：実施例５と同じである。
【００９６】
【発明の効果】本発明は、フィルム状有機ダイボンディ
ング材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性
に優れる半導体装置及びその製造法を提供するものであ
る。
ング材を使用し、リフロークラックが発生せず、信頼性
に優れる半導体装置及びその製造法を提供するものであ
る。
【図１】 本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 プッシュプルゲージを用いてピール強度を測
定する方法を説明する正面図である。
定する方法を説明する正面図である。
【図３】 ダイパッド部を有するリードフレームの一例
の平面図である。
の平面図である。
１…フィルム状有機ダイボンディング材、２…カッタ
ー、４…圧着子、５…リードフレーム、６…ダイパッド
部、７…熱盤、８…半導体素子、９…封止樹脂、２１…
半導体素子、２２…フィルム状有機ダイボンディング
材、２３…リードフレーム、２４…プッシュプルゲー
ジ、２５…熱盤、４０…リードフレーム、４１…ダイパ
ッド部。
ー、４…圧着子、５…リードフレーム、６…ダイパッド
部、７…熱盤、８…半導体素子、９…封止樹脂、２１…
半導体素子、２２…フィルム状有機ダイボンディング
材、２３…リードフレーム、２４…プッシュプルゲー
ジ、２５…熱盤、４０…リードフレーム、４１…ダイパ
ッド部。
フロントページの続き (72)発明者 宮寺 康夫 茨城県つくば市松代１−14−３ (72)発明者 前川 磐雄 茨城県日立市西成沢４−46−24 (72)発明者 山崎 充夫 茨城県高萩市石滝2565−17 (72)発明者 景山 晃 埼玉県新座市野寺５−５−８−303 (72)発明者 金田 愛三 神奈川県横浜市戸塚区上矢部町2456−47
Claims (16)
- 【請求項１】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、吸水率が１．５体積％以下
の、有機物を含むフィルムであることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、飽和吸湿率が１．０体積％
以下の、有機物を含むフィルムであることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項３】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、残存揮発分が３．０重量％
以下の、有機物を含むフィルムであることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項４】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、２５０℃における弾性率が
１０ＭＰａ以下の、有機物を含むフィルムであることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、 上記半導体素子を上記支持部材に接着した段階で、上記
ダイボンディング材内部と、上記ダイボンディング材お
よび上記支持部材の界面とに存在するボイドが、ボイド
体積率１０％以下である、有機物を含むフィルムである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材は、 上記半導体素子を上記支持部材に接着した段階でのピー
ル強度が０．５ｋｇｆ／５ｍｍ×５ｍｍチップ以上の、
有機物を含むフィルムであることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項７】支持部材と、半導体素子と、該支持部材に
該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導
体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置に
おいて、 上記ダイボンディング材の表裏の面積は、それぞれ、上
記半導体素子の接着面の面積以下であり、 上記ダイボンディング材は、上記半導体素子を上記支持
部材に接着する段階で、上記半導体素子と上記支持部材
との間からはみ出さない、有機物を含むフィルムである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】半導体素子を支持部材に接着し、該半導体
素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法におい
て、 上記接着は、吸水率が１．５体積％以下の、有機物を含
むフィルム状ダイボンディング材を用いて行われること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】半導体素子を支持部材に接着し、該半導体
素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法におい
て、 上記接着は、飽和吸湿率が１．０体積％以下の、有機物
を含むフィルム状ダイボンディング材を用いて行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、残存揮発分が３．０重量％以下の、有機物
を含むフィルム状ダイボンディング材により行われるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下
の、有機物を含むフィルム状ダイボンディング材により
行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、有機物を含むフィルムダイボンディング材
により行われ、 上記接着後の段階で、 上記ダイボンディング材内部と、 上記ダイボンディング材および上記支持部材の界面とに
存在するボイドが、ボイド体積率１０％以下であること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング
材により行われ、 上記接着後の段階で、上記ダイボンディング材のピール
強度が０．５ｋｇｆ／５ｍｍ×５ｍｍチップ以上である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング
材により行われ、 上記ダイボンディング材の表裏の面積は、それぞれ、上
記半導体素子の接着面の面積以下であり、 上記接着の段階で、上記ダイボンディング材が、上記半
導体素子と上記支持部材との間からはみ出さないことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】半導体素子を支持部材に接着し、該半導
体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 上記接着は、有機物を含むフィルム状ダイボンディング
材により行われ、 上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子
を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２
秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2で、上記半導体素
子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工
程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】請求項８〜１３または１４において、 上記フィルム状ダイボンディング材に、上記半導体素子
を載せ、温度１５０℃〜２５０℃、時間０．１秒以上２
秒未満、圧力０．１〜４ｇｆ／ｍｍ2で、上記半導体素
子を上記フィルム状ダイボンディング材に接着させる工
程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP2000043234A Expired - Lifetime JP3117972B2 (ja) | 1995-07-06 | 2000-02-21 | ダイボンディング材及び接着方法 |
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|---|---|---|---|
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