JP3196320B2 - 耐熱性接着材料およびその使用方法 - Google Patents
耐熱性接着材料およびその使用方法Info
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- JP3196320B2 JP3196320B2 JP14291592A JP14291592A JP3196320B2 JP 3196320 B2 JP3196320 B2 JP 3196320B2 JP 14291592 A JP14291592 A JP 14291592A JP 14291592 A JP14291592 A JP 14291592A JP 3196320 B2 JP3196320 B2 JP 3196320B2
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性接着材料およびそ
の使用方法に関するものであり、更に詳しくは高い接着
力を有し、かつ寸法安定性に優れる高品位な耐熱性接着
材料およびその使用方法に関するものである。
の使用方法に関するものであり、更に詳しくは高い接着
力を有し、かつ寸法安定性に優れる高品位な耐熱性接着
材料およびその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、耐熱性フィルムはその樹脂特有の
特徴を生かし種々の分野で使用されている。例えば、金
属箔と接着剤で積層したＦＰＣ（フレキシブルプリント
基板）、ＴＡＢ用のフィルムキャリアテープなどは周知
のとおりである。これらは、ポリイミドなどの耐熱性樹
脂フィルムと金属箔とをエポキシ樹脂系、アクリル樹脂
系、ポリアミド樹脂系、ＮＢＲ系などの接着剤で張り合
わせられている。このようなフィルムキャリアテープの
諸特性は、使用する接着剤の性能でほぼ決まり、ポリイ
ミドフィルムの有する優れた耐熱性、耐薬品性、電気特
性、機械特性などを十分に生かしていないのが実情であ
る。たとえば、耐熱性については、ポリイミドの耐熱性
が３５０℃以上であるにもかかわらず、フィルムキャリ
アテープの半田耐熱性は通常３００℃以下である。
特徴を生かし種々の分野で使用されている。例えば、金
属箔と接着剤で積層したＦＰＣ（フレキシブルプリント
基板）、ＴＡＢ用のフィルムキャリアテープなどは周知
のとおりである。これらは、ポリイミドなどの耐熱性樹
脂フィルムと金属箔とをエポキシ樹脂系、アクリル樹脂
系、ポリアミド樹脂系、ＮＢＲ系などの接着剤で張り合
わせられている。このようなフィルムキャリアテープの
諸特性は、使用する接着剤の性能でほぼ決まり、ポリイ
ミドフィルムの有する優れた耐熱性、耐薬品性、電気特
性、機械特性などを十分に生かしていないのが実情であ
る。たとえば、耐熱性については、ポリイミドの耐熱性
が３５０℃以上であるにもかかわらず、フィルムキャリ
アテープの半田耐熱性は通常３００℃以下である。
【０００３】このような問題点を解決するものとして、
接着剤を用いずに金属箔表面にポリイミド前駆体ないし
ポリイミドの有機極性溶媒溶液を直接塗布したあと、溶
媒の乾燥除去、イミド化するもの、あるいはポリイミド
系接着剤でポリイミドフィルムと金属箔を張り合わせる
ものなどが知られている。しかしながら、前者はＩＣチ
ップを搭載するデバイスホールの加工が困難であるため
実用化に至っていない。また後者によるものは、耐熱
性、耐薬品性、電気特性などは前者の接着剤より優れた
ものが得られるが、銅箔と耐熱性樹脂フィルムを張り合
わせたあとの、キュア時にイミド化反応に伴う縮合水発
生のため銅箔と耐熱性樹脂との間に発泡が生ずる重大な
問題点があるため実用化されていないのが現状である。
またＬＯＣ（ｌｅａｄ ｏｎ ｃｈｉｐ）用接着テープ
に使用する場合には、ＮＩＫＫＥＩＭＩＣＲＯＤＥＶＡ
ＩＣＥＳ １９８９年９月号などに記載されているごと
く、キュア時の発生ガスが基板金属表面を汚染し、接着
力低下やパッケージクラック発生原因になる問題がある
ため、発生ガスのない耐熱性接着剤テープが求められて
いるが、まだ実用化にいたっていないのが実情である。
接着剤を用いずに金属箔表面にポリイミド前駆体ないし
ポリイミドの有機極性溶媒溶液を直接塗布したあと、溶
媒の乾燥除去、イミド化するもの、あるいはポリイミド
系接着剤でポリイミドフィルムと金属箔を張り合わせる
ものなどが知られている。しかしながら、前者はＩＣチ
ップを搭載するデバイスホールの加工が困難であるため
実用化に至っていない。また後者によるものは、耐熱
性、耐薬品性、電気特性などは前者の接着剤より優れた
ものが得られるが、銅箔と耐熱性樹脂フィルムを張り合
わせたあとの、キュア時にイミド化反応に伴う縮合水発
生のため銅箔と耐熱性樹脂との間に発泡が生ずる重大な
問題点があるため実用化されていないのが現状である。
またＬＯＣ（ｌｅａｄ ｏｎ ｃｈｉｐ）用接着テープ
に使用する場合には、ＮＩＫＫＥＩＭＩＣＲＯＤＥＶＡ
ＩＣＥＳ １９８９年９月号などに記載されているごと
く、キュア時の発生ガスが基板金属表面を汚染し、接着
力低下やパッケージクラック発生原因になる問題がある
ため、発生ガスのない耐熱性接着剤テープが求められて
いるが、まだ実用化にいたっていないのが実情である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、ポリイミド系樹脂を使用したものであ
りながら、キュア時に発生するガス量が極めて少なく、
しかも優れた接着性、耐薬品性および寸法安定性を有す
る耐熱性接着材料を提供するところにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、ポリイミド系樹脂を使用したものであ
りながら、キュア時に発生するガス量が極めて少なく、
しかも優れた接着性、耐薬品性および寸法安定性を有す
る耐熱性接着材料を提供するところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィルムの少なく
とも片面に形成されたポリイミド系樹脂層とからなり、
該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロキサン系ジア
ミンを主成分として、かつパラフェニレンジアミンを
２．５モル％〜１９モル％含むものからなり、しかも、
該ポリイミド系樹脂層の、加熱温度１００℃以上３００
℃以下における発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする耐熱性接着材料により達成される。
耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィルムの少なく
とも片面に形成されたポリイミド系樹脂層とからなり、
該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロキサン系ジア
ミンを主成分として、かつパラフェニレンジアミンを
２．５モル％〜１９モル％含むものからなり、しかも、
該ポリイミド系樹脂層の、加熱温度１００℃以上３００
℃以下における発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする耐熱性接着材料により達成される。
【０００６】本発明における耐熱性絶縁フィルムとして
は、融点が２８０℃以上のもの、あるいはＪＩＳ Ｃ40
03で規定される長時間連続使用の最高許容温度が１２１
℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分子樹脂
フィルムであればよい。
は、融点が２８０℃以上のもの、あるいはＪＩＳ Ｃ40
03で規定される長時間連続使用の最高許容温度が１２１
℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分子樹脂
フィルムであればよい。
【０００７】これらの高分子樹脂フィルムとしては、ビ
スフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レート、ポリスルホン、またはポリエーテルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネートとの縮合物、あるいはビスフ
ェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェ
ニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂フィルム等があげられる。これらの
高分子樹脂フィルムの中でも、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミド、特にピロメリット酸二無水物、あるいは
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェ
ニルエーテル、パラフェニレンジアミンなどの芳香族ジ
アミンとの縮合物である芳香族ポリイミド樹脂フィルム
は特に好ましい。また当然の事ながら、上記耐熱性樹脂
フィルム表面は、コロナ放電処理、低温プラズマ処理な
ど目的に応じ接着性改良の処理が施されているほうが好
ましい。
スフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レート、ポリスルホン、またはポリエーテルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネートとの縮合物、あるいはビスフ
ェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェ
ニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂フィルム等があげられる。これらの
高分子樹脂フィルムの中でも、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミド、特にピロメリット酸二無水物、あるいは
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェ
ニルエーテル、パラフェニレンジアミンなどの芳香族ジ
アミンとの縮合物である芳香族ポリイミド樹脂フィルム
は特に好ましい。また当然の事ながら、上記耐熱性樹脂
フィルム表面は、コロナ放電処理、低温プラズマ処理な
ど目的に応じ接着性改良の処理が施されているほうが好
ましい。
【０００８】本発明に用いられるポリイミド系樹脂の酸
成分としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物等のベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物を主成分とした芳香族テトラ
カルボン酸二無水物であれば良く、他の酸成分を混合し
て用いることもできる。ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物の使用量は全酸成分中で５０モル％以上が好
ましく、より好ましくは、６０モル％以上である。
成分としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物等のベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物を主成分とした芳香族テトラ
カルボン酸二無水物であれば良く、他の酸成分を混合し
て用いることもできる。ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物の使用量は全酸成分中で５０モル％以上が好
ましく、より好ましくは、６０モル％以上である。
【０００９】混合可能な酸二無水物の具体例としては、
ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ
ーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，
６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，７，８−フェナントレン、テトラカルボン酸二
無水物、などが用いられる。これらは単独或いは２種以
上混合して用いられる。
ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ
ーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，
６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，７，８−フェナントレン、テトラカルボン酸二
無水物、などが用いられる。これらは単独或いは２種以
上混合して用いられる。
【００１０】本発明において使用されるポリイミド系樹
脂のジアミン成分としては、シロキサン系ジアミンを主
成分とし、他のジアミン成分として、パラフェニレンジ
アミンを全ジアミン成分中、２．５モル％〜１９モル％
含むことが重要である。全ジアミノ化合物中のシロキサ
ン系ジアミンの割合はイミド化後のカール防止効果およ
び接着性の向上効果の点からは、５０ｍｏｌ％以上９
７．５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好まし
くは、６０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以下である。パラ
フェニレンジアミンの量が、２．５ｍｏｌ％未満ではイ
ミド化後の耐薬品性が低下する。１９ｍｏｌ％より多い
場合は接着性が低下するため、２．５ｍｏｌ％以上１９
ｍｏｌ％以下であることが必要である。好ましくは、５
ｍｏｌ％以上１９ｍｏｌ％以下である。
脂のジアミン成分としては、シロキサン系ジアミンを主
成分とし、他のジアミン成分として、パラフェニレンジ
アミンを全ジアミン成分中、２．５モル％〜１９モル％
含むことが重要である。全ジアミノ化合物中のシロキサ
ン系ジアミンの割合はイミド化後のカール防止効果およ
び接着性の向上効果の点からは、５０ｍｏｌ％以上９
７．５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好まし
くは、６０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以下である。パラ
フェニレンジアミンの量が、２．５ｍｏｌ％未満ではイ
ミド化後の耐薬品性が低下する。１９ｍｏｌ％より多い
場合は接着性が低下するため、２．５ｍｏｌ％以上１９
ｍｏｌ％以下であることが必要である。好ましくは、５
ｍｏｌ％以上１９ｍｏｌ％以下である。
【００１１】本発明において使用されるシロキサン系ジ
アミンとしては、次の一般式（Ｉ）で表わされるものが
挙げられる。
アミンとしては、次の一般式（Ｉ）で表わされるものが
挙げられる。
【００１２】
【化２】 （ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ1 およ
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。）［Ｉ］の
具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル−１，
３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−ア
ミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）ト
リシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，
３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，
３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）ジシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロ
ピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブ
チル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペ
ンチル）トリシロキサン、１，１，３，３−テトラメチ
ル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサ
ン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３ビ
ス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，
３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノ
プロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）ト
リシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピ
ル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサ
ンなどが挙げられる。
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。）［Ｉ］の
具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル−１，
３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−ア
ミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）ト
リシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，
３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，
３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）ジシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロ
ピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブ
チル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペ
ンチル）トリシロキサン、１，１，３，３−テトラメチ
ル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサ
ン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３ビ
ス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス
（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，
３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノ
プロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）ト
リシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピ
ル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサ
ンなどが挙げられる。
【００１３】上記シロキサン系ジアミンは、単独または
二種以上混合して用いられる。
二種以上混合して用いられる。
【００１４】上記芳香族テトラカルボン酸二無水物とシ
ロキサン系ジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じ
て行うことができる。例えば、略化学量論量の酸成分と
ジアミン成分とを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の有機溶媒中で、０〜８０℃の温度で反応させ
れば良い。これらの溶媒は、単独あるいは２種以上混合
して用いられ、ポリアミック酸が析出しない程度であれ
ば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、
テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン等を加えても
良い。
ロキサン系ジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じ
て行うことができる。例えば、略化学量論量の酸成分と
ジアミン成分とを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の有機溶媒中で、０〜８０℃の温度で反応させ
れば良い。これらの溶媒は、単独あるいは２種以上混合
して用いられ、ポリアミック酸が析出しない程度であれ
ば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、
テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン等を加えても
良い。
【００１５】上記の反応で得られるポリアミック酸ワニ
スの濃度は、特に限定されないが、通常５〜６０重量％
が好ましく、１０〜４０重量％が特に好ましい。
スの濃度は、特に限定されないが、通常５〜６０重量％
が好ましく、１０〜４０重量％が特に好ましい。
【００１６】本発明の耐熱性接着材料は、上述のような
耐熱性絶縁フィルムにベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキサン系
ジアミンを主成分とする樹脂を塗布し、イミド化した薄
膜を有する耐熱性絶縁材料であって、かつ該接着材料は
加熱温度１００〜３００℃において発生するガス量が２
５０ｐｐｍ以下の条件を満足することが重要である。
耐熱性絶縁フィルムにベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキサン系
ジアミンを主成分とする樹脂を塗布し、イミド化した薄
膜を有する耐熱性絶縁材料であって、かつ該接着材料は
加熱温度１００〜３００℃において発生するガス量が２
５０ｐｐｍ以下の条件を満足することが重要である。
【００１７】ここで、耐熱性接着材料の加熱温度１００
〜３００℃において発生するガス量とは該耐熱性接着材
料のサンプルについて後述するＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法 「ＴＧ ：Thermogravimetric Analysis （熱重量分析） ＤＴＧ：Derivative Thermogravimetric Analysis （微分熱重量分析） ＭＳ ：Mass Spectrometry （質量分析） 」 により測定して求めたものである。
〜３００℃において発生するガス量とは該耐熱性接着材
料のサンプルについて後述するＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法 「ＴＧ ：Thermogravimetric Analysis （熱重量分析） ＤＴＧ：Derivative Thermogravimetric Analysis （微分熱重量分析） ＭＳ ：Mass Spectrometry （質量分析） 」 により測定して求めたものである。
【００１８】耐熱性絶縁フィルムに、芳香族テトラカル
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキ
サン系ジアミンを主成分とするポリイミド系樹脂を塗布
し、イミド化した薄膜を有する耐熱性絶縁材料であっ
て、かつ該接着材料は加熱温度１００〜３００℃におい
て発生するガス量が２５０ｐｐｍ以下の条件を満足する
ものを得る方法としては、例えば次の方法が挙げられ
る。
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキ
サン系ジアミンを主成分とするポリイミド系樹脂を塗布
し、イミド化した薄膜を有する耐熱性絶縁材料であっ
て、かつ該接着材料は加熱温度１００〜３００℃におい
て発生するガス量が２５０ｐｐｍ以下の条件を満足する
ものを得る方法としては、例えば次の方法が挙げられ
る。
【００１９】すなわち耐熱性絶縁フィルム上に、上記ポ
リアミック酸ワニスを含む溶媒溶液を製膜用スリットか
ら吐出させて均一に塗工する。この塗工方法としてはロ
ールコータ、ナイフコータ、密封コータ、コンマコー
タ、ドクターブレードフロートコータなどによるものが
挙げられる。次に上記のように耐熱性樹脂フィルムに塗
工した溶液の溶媒を、通常６０℃〜１９０℃程度の温度
で連続的または断続的に１０〜６０分間で加熱除去した
後、さらにイミド化およびガス発生量を２５０ｐｐｍ以
下となすための加熱処理を行なう。イミド化およびガス
発生量を２５０ｐｐｍ以下となすための加熱処理として
は２００〜３５０℃の範囲で１〜１５分程度の加熱処理
を行なうことが好ましい。
リアミック酸ワニスを含む溶媒溶液を製膜用スリットか
ら吐出させて均一に塗工する。この塗工方法としてはロ
ールコータ、ナイフコータ、密封コータ、コンマコー
タ、ドクターブレードフロートコータなどによるものが
挙げられる。次に上記のように耐熱性樹脂フィルムに塗
工した溶液の溶媒を、通常６０℃〜１９０℃程度の温度
で連続的または断続的に１０〜６０分間で加熱除去した
後、さらにイミド化およびガス発生量を２５０ｐｐｍ以
下となすための加熱処理を行なう。イミド化およびガス
発生量を２５０ｐｐｍ以下となすための加熱処理として
は２００〜３５０℃の範囲で１〜１５分程度の加熱処理
を行なうことが好ましい。
【００２０】このようにして耐熱性樹脂フィルム上に５
〜３０μｍのポリアミック酸のイミド化した薄膜を形成
する。その後、汚染防止、キズ防止などの必要に応じ、
厚み１５〜６０μｍのポリエステルフィルム、ポリプロ
ピレンなどの保護フィルムをイミド化せしめた薄膜上に
張り合わせておくことが好ましい。
〜３０μｍのポリアミック酸のイミド化した薄膜を形成
する。その後、汚染防止、キズ防止などの必要に応じ、
厚み１５〜６０μｍのポリエステルフィルム、ポリプロ
ピレンなどの保護フィルムをイミド化せしめた薄膜上に
張り合わせておくことが好ましい。
【００２１】本発明による耐熱性接着材料の加熱温度１
００〜３００℃において発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下
であれば金属箔、耐熱樹脂などと接着した場合の発泡は
無いが、好ましくは１５０ｐｐｍ以下、より好ましくは
１００ｐｐｍ以下が良い。
００〜３００℃において発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下
であれば金属箔、耐熱樹脂などと接着した場合の発泡は
無いが、好ましくは１５０ｐｐｍ以下、より好ましくは
１００ｐｐｍ以下が良い。
【００２２】本発明品の使用例の一部として、耐熱樹脂
フィルム同志の積層、金属との積層、例えば銅箔と積層
するフレキシプリント基板用途、ＬＯＣ用接着テープ、
ＴＡＢ用キャリアテープなど種々あげられる。
フィルム同志の積層、金属との積層、例えば銅箔と積層
するフレキシプリント基板用途、ＬＯＣ用接着テープ、
ＴＡＢ用キャリアテープなど種々あげられる。
【００２３】具体例としてＴＡＢ用フィルムキャリアテ
ープに使用する場合には、本発明品を使用目的の幅にス
リットしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびＩ
Ｃを搭載するデバイスホールをパンチングしたあと、ポ
リイミド樹脂上の保護フィルムを剥がし、吸着水分を除
去後、金属箔と重ね合わせ１５０℃以上３５０℃で加熱
圧着すれば良い。接着力向上のためにはさらに加熱キュ
アを施したほうが好ましい。圧着の温度、圧力および加
熱キュアの条件は樹脂の組成、膜厚、銅箔の表面粗さな
どによって適宜選定すればよい。また、加熱圧着の方法
は、一般的に加熱ロールによる方法が好ましい。
ープに使用する場合には、本発明品を使用目的の幅にス
リットしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびＩ
Ｃを搭載するデバイスホールをパンチングしたあと、ポ
リイミド樹脂上の保護フィルムを剥がし、吸着水分を除
去後、金属箔と重ね合わせ１５０℃以上３５０℃で加熱
圧着すれば良い。接着力向上のためにはさらに加熱キュ
アを施したほうが好ましい。圧着の温度、圧力および加
熱キュアの条件は樹脂の組成、膜厚、銅箔の表面粗さな
どによって適宜選定すればよい。また、加熱圧着の方法
は、一般的に加熱ロールによる方法が好ましい。
【００２４】リードフレーム固定用またはＬＯＣ用接着
テープに使用する場合には、耐熱樹脂フィルムの両面に
接着層を施し使用目的のサイズにカットしたあとリード
フレームに該接着テープを接着し、さらにＩＣチップを
接着固定すれば良い。
テープに使用する場合には、耐熱樹脂フィルムの両面に
接着層を施し使用目的のサイズにカットしたあとリード
フレームに該接着テープを接着し、さらにＩＣチップを
接着固定すれば良い。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で発泡、加熱時の発生ガス量および接着
力はそれぞれ次の方法で評価および測定したものであ
る。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で発泡、加熱時の発生ガス量および接着
力はそれぞれ次の方法で評価および測定したものであ
る。
【００２６】［発泡］銅箔をエッチング除去後、接着剤
表面を光学顕微鏡によって観察した。
表面を光学顕微鏡によって観察した。
【００２７】［発生ガス量］イミド化した薄膜を有する
試料約１００ｍｇを精密化学天秤で秤量後、ＴＧ・ＤＴ
Ｇ−ＭＳ法によって測定した。
試料約１００ｍｇを精密化学天秤で秤量後、ＴＧ・ＤＴ
Ｇ−ＭＳ法によって測定した。
【００２８】ＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法とは、ＴＧ装置にＭ
Ｓ装置を直結して、重量変化と同時に、加熱時に試料か
ら発生するガスの濃度変化を温度の関数として追跡する
手法である。測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
Ｓ装置を直結して、重量変化と同時に、加熱時に試料か
ら発生するガスの濃度変化を温度の関数として追跡する
手法である。測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
【００２９】測定機 ；島津製作所（株）製ＴＧ（マ
クロ天秤）−ＭＳ同時測定装置 データ処理；東レリサーチセンター製データ処理システ
ム“ＴＨＡＤＡＰ−ＴＧＭＳ” 測定精度 ；１０ｐｐｍ 測定モード；試料を白金製容器に入れてあらかじめ５０
℃で６時間真空乾燥した後、ＴＧ装置にセット後、乾燥
ヘリウムを５０ｍｌ／分で１２時間以上流してから、１
０℃／分で昇温を開始し、４００℃までのＴＧ−ＭＳ曲
線を測定し、１００℃から３００℃の発生ガスの総量を
求めた。
クロ天秤）−ＭＳ同時測定装置 データ処理；東レリサーチセンター製データ処理システ
ム“ＴＨＡＤＡＰ−ＴＧＭＳ” 測定精度 ；１０ｐｐｍ 測定モード；試料を白金製容器に入れてあらかじめ５０
℃で６時間真空乾燥した後、ＴＧ装置にセット後、乾燥
ヘリウムを５０ｍｌ／分で１２時間以上流してから、１
０℃／分で昇温を開始し、４００℃までのＴＧ−ＭＳ曲
線を測定し、１００℃から３００℃の発生ガスの総量を
求めた。
【００３０】［接着力］ ＴＡＢ用 ＪＩＳ Ｃ−６４８１に準拠し、幅２ｍｍの試料を１８
０°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で
測定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が
必要とされる。
０°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で
測定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が
必要とされる。
【００３１】ＬＯＣ用 ＪＩＳ Ｃ−６４８１に準拠し、幅２ｍｍの試料を９０
°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で測
定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が必
要とされる。
°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で測
定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が必
要とされる。
【００３２】実施例１ 温度計、攪拌装置、環流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン１２．５２ｇ（９０ｍｏｌ％）および
ｐ−フェニレンジアミン０．６０５ｇ（１０ｍｏｌ％）
を溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物１４．４３１ｇ（８０ｍｏｌ
％）およびピロメリット酸二無水物４．３５２ｇ（２０
ｍｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その
後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニ
スを得た。
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン１２．５２ｇ（９０ｍｏｌ％）および
ｐ−フェニレンジアミン０．６０５ｇ（１０ｍｏｌ％）
を溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物１４．４３１ｇ（８０ｍｏｌ
％）およびピロメリット酸二無水物４．３５２ｇ（２０
ｍｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その
後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニ
スを得た。
【００３３】該ワニスをあらかじめAr雰囲気中で低温プ
ラズマ処理した５０μｍのポリイミドフィルム（“ユー
ピレックス”５０Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の
膜厚が２０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分、
ついで、１３０℃で１０分、さらに、１６０℃で１５分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で４分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ５０ｐｐｍ以下であった。
ラズマ処理した５０μｍのポリイミドフィルム（“ユー
ピレックス”５０Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の
膜厚が２０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分、
ついで、１３０℃で１０分、さらに、１６０℃で１５分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で４分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ５０ｐｐｍ以下であった。
【００３４】上記作製フィルムを、幅１０ｍｍにスリッ
ト加工し、予備乾燥を８０℃で３分したあと、リードフ
レーム用金属箔として用いられている４２合金と重ね合
わせ、表面温度２５０℃に加熱したロールラミネータで
線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせ、さら
に窒素雰囲気下で加熱ステップキュア（キュア条件；
［８０℃，３０分］＋［８０℃〜１５０℃の昇温，３０
分］＋［１５０℃，６０分］＋［１５０℃〜２５０℃の
昇温，３０分］＋［２５０℃，１２０分］＋室温まで徐
冷）した。キュア品の発泡は認められない上、接着力は
２．５ｋｇ／ｃｍ以上で、ＬＯＣ用接着テープとして実
用レベルを十分満足するものであった。
ト加工し、予備乾燥を８０℃で３分したあと、リードフ
レーム用金属箔として用いられている４２合金と重ね合
わせ、表面温度２５０℃に加熱したロールラミネータで
線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせ、さら
に窒素雰囲気下で加熱ステップキュア（キュア条件；
［８０℃，３０分］＋［８０℃〜１５０℃の昇温，３０
分］＋［１５０℃，６０分］＋［１５０℃〜２５０℃の
昇温，３０分］＋［２５０℃，１２０分］＋室温まで徐
冷）した。キュア品の発泡は認められない上、接着力は
２．５ｋｇ／ｃｍ以上で、ＬＯＣ用接着テープとして実
用レベルを十分満足するものであった。
【００３５】実施例２ 実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン１４．９３３ｇ（９５ｍｏｌ％）およびｐ−フェニ
レンジアミン０．３４２ｇ（５ｍｏｌ％）を溶解したあ
と、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１８．３４５ｇ（９０ｍｏｌ％）およびピ
ロメリット酸二無水物１．３７９ｇ（１０ｍｏｌ％）を
加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３
時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
ミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン１４．９３３ｇ（９５ｍｏｌ％）およびｐ−フェニ
レンジアミン０．３４２ｇ（５ｍｏｌ％）を溶解したあ
と、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１８．３４５ｇ（９０ｍｏｌ％）およびピ
ロメリット酸二無水物１．３７９ｇ（１０ｍｏｌ％）を
加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３
時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００３６】該ワニスを実施例１と同様に低温プラズマ
処理した７５μｍのポリイミドフィルム（“ユーピレッ
クス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の膜厚が
１０μｍになるように塗工し８０℃で１０分、ついで、
１２０℃で１０分、さらに、１５０℃で１５分乾燥し
た。該塗工品をイミド化のため２１０℃で５分、加熱処
理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したところ
５０ｐｐｍ以下であった。
処理した７５μｍのポリイミドフィルム（“ユーピレッ
クス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の膜厚が
１０μｍになるように塗工し８０℃で１０分、ついで、
１２０℃で１０分、さらに、１５０℃で１５分乾燥し
た。該塗工品をイミド化のため２１０℃で５分、加熱処
理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したところ
５０ｐｐｍ以下であった。
【００３７】上記作製フィルムの樹脂塗工面と、７５μ
ｍのポリイミドフィルム（“カプトン”３００Ｋ（東レ
・デュポン（株）製））と重ね合わせ表面温度２５０℃
に加熱したロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ、速度
１ｍ／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例
１と同様に加熱キュアした。キュア品は発泡がなく、接
着力２．３ｋｇ／ｃｍで、耐熱積層テープとして実用レ
ベルを十分満足するものであった。
ｍのポリイミドフィルム（“カプトン”３００Ｋ（東レ
・デュポン（株）製））と重ね合わせ表面温度２５０℃
に加熱したロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ、速度
１ｍ／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例
１と同様に加熱キュアした。キュア品は発泡がなく、接
着力２．３ｋｇ／ｃｍで、耐熱積層テープとして実用レ
ベルを十分満足するものであった。
【００３８】実施例３ 実施例１と同様の反応装置に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１３．６２ｇ（８５ｍｏｌ％）およびｐ−フェニ
レンジアミン１．０４６ｇ（１５ｍｏｌ％）を溶解した
あと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物２０．７８２ｇ（１００ｍｏｌ％）を加
え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１３．６２ｇ（８５ｍｏｌ％）およびｐ−フェニ
レンジアミン１．０４６ｇ（１５ｍｏｌ％）を溶解した
あと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物２０．７８２ｇ（１００ｍｏｌ％）を加
え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００３９】該ワニスをあらかじめAr雰囲気中で低温プ
ラズマ処理した７５μｍのポリイミドフィルム（“ユー
ピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の
膜厚が１２μｍになるように塗工し、８０℃で１０分、
ついで、１３０℃で１０分、さらに、１５０℃で１５分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で５分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ５０ｐｐｍ以下であった。
ラズマ処理した７５μｍのポリイミドフィルム（“ユー
ピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の
膜厚が１２μｍになるように塗工し、８０℃で１０分、
ついで、１３０℃で１０分、さらに、１５０℃で１５分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で５分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ５０ｐｐｍ以下であった。
【００４０】上記作製フィルムを、幅３５ｍｍにスリッ
トしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイ
スホール加工したあと、８０℃で３分予備乾燥後、３５
μｍの電解銅箔（JLP 10Z 日鉱グールドフォイル（株）
製）を表面温度２５０℃に加熱したロールラミネータで
線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で、実施例１と同様に加熱ステップキュア
した。キュア後の発泡は認められない上、接着力は２．
５ｋｇ／ｃｍ以上で、ＴＡＢ用フィルムキャリアテープ
として実用レベルを十分満足するものであった。
トしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイ
スホール加工したあと、８０℃で３分予備乾燥後、３５
μｍの電解銅箔（JLP 10Z 日鉱グールドフォイル（株）
製）を表面温度２５０℃に加熱したロールラミネータで
線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で、実施例１と同様に加熱ステップキュア
した。キュア後の発泡は認められない上、接着力は２．
５ｋｇ／ｃｍ以上で、ＴＡＢ用フィルムキャリアテープ
として実用レベルを十分満足するものであった。
【００４１】比較例１ 実施例１と同様の反応装置に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１５．２３９ｇ（１００ｍｏｌ％）を溶解したあ
と、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１９．７６ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え１
０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１５．２３９ｇ（１００ｍｏｌ％）を溶解したあ
と、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１９．７６ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え１
０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００４２】該ワニスをあらかじめAr雰囲気中で低温プ
ラズマ処理しておいた７５μｍのポリイミドフィルム
（“ユーピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に
乾燥後の膜厚が１２μｍになるように塗工し８０℃で１
０分、ついで、１３０℃で１０分、さらに、１５０℃で
１５分乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で
５分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定
したところ５０ｐｐｍ以下であった。
ラズマ処理しておいた７５μｍのポリイミドフィルム
（“ユーピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に
乾燥後の膜厚が１２μｍになるように塗工し８０℃で１
０分、ついで、１３０℃で１０分、さらに、１５０℃で
１５分乾燥した。該塗工品をイミド化のため２５０℃で
５分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定
したところ５０ｐｐｍ以下であった。
【００４３】上記作製フィルムを幅３５ｍｍにスリット
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例１と同じ条件で
行った後、３５μｍの電解銅箔（JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル（株）製）と重ね合わせ表面温度２２０℃に加
熱したロールラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例１と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡はなく、接着力
も２．２ｋｇ／ｃｍあったが、接着剤がアセトンに一部
溶解または膨潤し耐薬品性が不足であり、ＴＡＢ用フィ
ルムキャリアテープとしては、満足と言えないレベルで
あった。
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例１と同じ条件で
行った後、３５μｍの電解銅箔（JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル（株）製）と重ね合わせ表面温度２２０℃に加
熱したロールラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例１と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡はなく、接着力
も２．２ｋｇ／ｃｍあったが、接着剤がアセトンに一部
溶解または膨潤し耐薬品性が不足であり、ＴＡＢ用フィ
ルムキャリアテープとしては、満足と言えないレベルで
あった。
【００４４】比較例２ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた５００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１８３ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン４．９７ｇ（２０ｍｏｌ％）およびｐ
−フェニレンジアミン８．６５２ｇ（８０ｍｏｌ％）を
溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物３２．２０ｇ（１００ｍｏｌ
％）を加え１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃
で３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得
た。
口を供えた５００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１８３ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン４．９７ｇ（２０ｍｏｌ％）およびｐ
−フェニレンジアミン８．６５２ｇ（８０ｍｏｌ％）を
溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物３２．２０ｇ（１００ｍｏｌ
％）を加え１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃
で３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得
た。
【００４５】該ワニスを７５μｍのポリイミドフィルム
（“ユーピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に
乾燥後の膜厚が１０μｍになるように塗工し８０℃で１
０分、ついで、１２０℃で１０分、さらに、１５０℃で
１５分乾燥した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ１５００ｐｐｍであった。
（“ユーピレックス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に
乾燥後の膜厚が１０μｍになるように塗工し８０℃で１
０分、ついで、１２０℃で１０分、さらに、１５０℃で
１５分乾燥した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ１５００ｐｐｍであった。
【００４６】上記作製フィルムを幅３５ｍｍにスリット
したあと、穿孔機でスプロッケトホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例１と同じ条件で
行った後、３５μｍの電解銅箔（JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル（株）製）と重ね合わせ表面温度２２０℃に加
熱したロールラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例１と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡は全面に発生し
ており、ＴＡＢ用フィルムキャリアテープとしては、実
用できないレベルであった。
したあと、穿孔機でスプロッケトホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例１と同じ条件で
行った後、３５μｍの電解銅箔（JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル（株）製）と重ね合わせ表面温度２２０℃に加
熱したロールラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例１と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡は全面に発生し
ており、ＴＡＢ用フィルムキャリアテープとしては、実
用できないレベルであった。
【００４７】比較例３ 実施例１と同様の反応装置に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１０．１５３ｇ（６０ｍｏｌ％）およびｐ−フェ
ニレンジアミン２．９４２ｇ（４０ｍｏｌ％）を溶解し
たあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物２１．９１６ｇ（１００ｍｏｌ％）を
加え１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。該ワ
ニスを７５μｍのポリイミドフィルム（“ユーピレック
ス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の膜厚が１
２μｍになるように塗工し８０℃で１０分、さらに、１
３０℃で１０分、さらに、１６０℃で１５分乾燥した。
ついで該塗工品に２５０℃で５分加熱処を施して、イミ
ド化および発生ガス量を制御する処理を行なった。得ら
れたフィルムの発生ガス量を測定したところ５０ｐｐｍ
以下であった。
アミド１０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テト
ラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン１０．１５３ｇ（６０ｍｏｌ％）およびｐ−フェ
ニレンジアミン２．９４２ｇ（４０ｍｏｌ％）を溶解し
たあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物２１．９１６ｇ（１００ｍｏｌ％）を
加え１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。該ワ
ニスを７５μｍのポリイミドフィルム（“ユーピレック
ス”７５Ｓ（宇部興産（株）製））に乾燥後の膜厚が１
２μｍになるように塗工し８０℃で１０分、さらに、１
３０℃で１０分、さらに、１６０℃で１５分乾燥した。
ついで該塗工品に２５０℃で５分加熱処を施して、イミ
ド化および発生ガス量を制御する処理を行なった。得ら
れたフィルムの発生ガス量を測定したところ５０ｐｐｍ
以下であった。
【００４８】上記作製フィルムを幅３５ｍｍにスリット
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工し、予備乾燥を８０℃で３分したあと、３５
μｍの電解銅箔（ＪＬＰ １ｏｚ日鉱グールドフォイル
（株）製）と重ね合わせ、表面温度２７０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ，速度１ｍ／分で
張り合わせを試みたが、まったく接着しなかった。
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工し、予備乾燥を８０℃で３分したあと、３５
μｍの電解銅箔（ＪＬＰ １ｏｚ日鉱グールドフォイル
（株）製）と重ね合わせ、表面温度２７０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ，速度１ｍ／分で
張り合わせを試みたが、まったく接着しなかった。
【００４９】さらに窒素雰囲気下で、実施例１と同様に
加熱キュアしたが接着力はなく、ＴＡＢ用フィルムキャ
リアテープとしては実用できないレベルであった。
加熱キュアしたが接着力はなく、ＴＡＢ用フィルムキャ
リアテープとしては実用できないレベルであった。
【００５０】
【発明の効果】本発明は、上述のごとく構成したので、
金属、耐熱性樹脂などと接着が容易に可能な上、キュア
時に発生するガス量が極めて少なく、また張り合わせキ
ュア後の発泡がなく、さらに接着性、耐熱性、電気特
性、耐薬品性、寸法安定性が優れた耐熱性接着材料を確
実に得ることができる。
金属、耐熱性樹脂などと接着が容易に可能な上、キュア
時に発生するガス量が極めて少なく、また張り合わせキ
ュア後の発泡がなく、さらに接着性、耐熱性、電気特
性、耐薬品性、寸法安定性が優れた耐熱性接着材料を確
実に得ることができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−32827（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−189122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−111182（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−227978（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−188577（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−166325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−64730（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311 C08G 73/10 H01L 21/52
Claims (4)
- 【請求項１】耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィ
ルムの少なくとも片面に形成されたポリイミド系樹脂層
とからなり、該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族
テトラカルボン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロ
キサン系ジアミンを主成分として、かつパラフェニレン
ジアミンを２．５モル％〜１９モル％含むものからな
り、しかも、該ポリイミド系樹脂層の、加熱温度１００
℃以上３００℃以下における発生ガス量が２５０ｐｐｍ
以下であることを特徴とする耐熱性接着材料。 - 【請求項２】シロキサン系ジアミンが次の一般式（Ｉ）
で表わされるものである請求項１記載の耐熱性接着材
料。 【化１】 （ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ1 およ
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。） - 【請求項３】請求項１記載の耐熱性接着材料を、フィル
ムキャリアテープ用接着剤として使用する方法。 - 【請求項４】請求項１記載の耐熱性接着材料を、リード
フレーム固定用またはリードオンチップ用接着剤として
使用する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291592A JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291592A JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335379A JPH05335379A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3196320B2 true JP3196320B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15326586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14291592A Expired - Lifetime JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196320B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3418609B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2003-06-23 | 日立化成工業株式会社 | フィルム状有機ダイボンディング材及びその製造方法 |
| KR100399332B1 (ko) | 1994-12-26 | 2003-09-26 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 필름 형상의 유기 다이본딩재의 라미네이트 방법,다이본딩 방법, 라미네이트 장치, 다이본딩 장치, 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법 |
| TW310481B (ja) | 1995-07-06 | 1997-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP14291592A patent/JP3196320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335379A (ja) | 1993-12-17 |
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