JPH06256733A - 耐熱性接着材料 - Google Patents
耐熱性接着材料Info
- Publication number
- JPH06256733A JPH06256733A JP24132293A JP24132293A JPH06256733A JP H06256733 A JPH06256733 A JP H06256733A JP 24132293 A JP24132293 A JP 24132293A JP 24132293 A JP24132293 A JP 24132293A JP H06256733 A JPH06256733 A JP H06256733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- resistant adhesive
- adhesive material
- material according
- polyphenylene sulfide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、ポリフェニレンスルファイド樹脂フ
ィルムの少なくとも片面に耐熱性接着剤を有する積層体
であって、耐熱性接着剤の少なくとも一方がポリイミド
系樹脂であることを特徴とする耐熱性接着材料である。 【効果】本発明によれば、金属、耐熱性樹脂などとの接
着が容易に可能な上、加熱時に発生するガス量がきわめ
て少なく、張り合わせ後の発泡もなく、さらに接着性、
耐熱性、電気特性、耐薬品性、低吸水性、寸法安定性が
優れた耐熱性接着材料を確実に得ることができる。
ィルムの少なくとも片面に耐熱性接着剤を有する積層体
であって、耐熱性接着剤の少なくとも一方がポリイミド
系樹脂であることを特徴とする耐熱性接着材料である。 【効果】本発明によれば、金属、耐熱性樹脂などとの接
着が容易に可能な上、加熱時に発生するガス量がきわめ
て少なく、張り合わせ後の発泡もなく、さらに接着性、
耐熱性、電気特性、耐薬品性、低吸水性、寸法安定性が
優れた耐熱性接着材料を確実に得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性接着材料に関する
ものであり、更に詳しくは高い接着力を有し、かつ寸法
安定性に優れる高品位な耐熱性接着材料に関するもので
ある。
ものであり、更に詳しくは高い接着力を有し、かつ寸法
安定性に優れる高品位な耐熱性接着材料に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のより小型化、高性能化が進む
中で半導体実装分野でも、小型、薄型、軽量、高密度の
パッケージが求められてきている。
中で半導体実装分野でも、小型、薄型、軽量、高密度の
パッケージが求められてきている。
【０００３】この半導体実装技術のなかで、部品同志を
接合するための高性能の耐熱性接着テープの開発が求め
らるようになってきた。
接合するための高性能の耐熱性接着テープの開発が求め
らるようになってきた。
【０００４】例えば、リードフレーム上にＩＣチップを
両面接着テープで固定するＬＯＣ（lead on chip）用接
着テープ、またＩＣチップの放熱のためＩＣチップと金
属の放熱板を接着するヒートスプレッダー用接着テープ
などである。
両面接着テープで固定するＬＯＣ（lead on chip）用接
着テープ、またＩＣチップの放熱のためＩＣチップと金
属の放熱板を接着するヒートスプレッダー用接着テープ
などである。
【０００５】現在この接着テープは、ポリイミドフィル
ムの両面にエポキシ系の熱硬化性接着剤を塗工したもの
が使用されている。このエポキシ系樹脂を、ＬＯＣ用接
着テープに使用した場合には、NIKKEI MICRODEVICES 19
89年 9月号などに記載されているごとく、キュア時の発
生ガスが基板金属表面を汚染し、接着力低下やパッケー
ジクラック発生原因になる問題がある。
ムの両面にエポキシ系の熱硬化性接着剤を塗工したもの
が使用されている。このエポキシ系樹脂を、ＬＯＣ用接
着テープに使用した場合には、NIKKEI MICRODEVICES 19
89年 9月号などに記載されているごとく、キュア時の発
生ガスが基板金属表面を汚染し、接着力低下やパッケー
ジクラック発生原因になる問題がある。
【０００６】また、ヒートスプレッダー用に使用した場
合には、耐熱性樹脂フィルム接着力が不十分であり、よ
り高密度化が進み発熱量が多く高温になる場合には接着
力低下が問題になる。
合には、耐熱性樹脂フィルム接着力が不十分であり、よ
り高密度化が進み発熱量が多く高温になる場合には接着
力低下が問題になる。
【０００７】この様な状況の中で最近、発生ガスのな
い、かつ吸水率の低い耐熱性接着剤テープが求められて
いるが、まだ実用化にいたっていない。
い、かつ吸水率の低い耐熱性接着剤テープが求められて
いるが、まだ実用化にいたっていない。
【０００８】ところで、ポリフェニレンスルファイド樹
脂フィルムはその樹脂のもつ耐熱性、難燃性、耐薬品
性、電気特性などの優れた特性を生かし種々の分野で使
用されている。例えば、コンデンサ用、金属箔と接着剤
で積層したＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）、モー
タ・トランス用絶縁材料、ワイヤー被覆材料などは周知
のとおりである。
脂フィルムはその樹脂のもつ耐熱性、難燃性、耐薬品
性、電気特性などの優れた特性を生かし種々の分野で使
用されている。例えば、コンデンサ用、金属箔と接着剤
で積層したＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）、モー
タ・トランス用絶縁材料、ワイヤー被覆材料などは周知
のとおりである。
【０００９】この様にポリフェニレンスルファイド樹脂
フィルムは種々の特長を有し、かつその吸水率が低く上
記のような耐熱性接着剤テープ用途として最適であるに
もかかわらず、まだポリフェニレンスルファイド樹脂フ
ィルムに耐熱性接着剤を積層した耐熱性接着剤テープは
実用化にいたっていない。
フィルムは種々の特長を有し、かつその吸水率が低く上
記のような耐熱性接着剤テープ用途として最適であるに
もかかわらず、まだポリフェニレンスルファイド樹脂フ
ィルムに耐熱性接着剤を積層した耐熱性接着剤テープは
実用化にいたっていない。
【００１０】その原因は、周知のとおりポリフェニレン
スルファイド樹脂フィルムの表面は化学的に極めて安定
で不活性なため、積層した接着剤とポリフェニレンスル
ファイド樹脂フィルムの接着力が極めて弱いことにあ
る。接着性はポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
表面をコロナ放電処理することによって若干は改善され
るが実用レベルには達しなく、実用化に至っていないの
が現状である。
スルファイド樹脂フィルムの表面は化学的に極めて安定
で不活性なため、積層した接着剤とポリフェニレンスル
ファイド樹脂フィルムの接着力が極めて弱いことにあ
る。接着性はポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
表面をコロナ放電処理することによって若干は改善され
るが実用レベルには達しなく、実用化に至っていないの
が現状である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、ポリフェニレンスルファイド樹脂フィ
ルムを使用したものでありながら、塗工したポリイミド
系接着剤膜とポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
の接着力が強固で、加熱時に発生するガス量が極めて少
なく、しかも優れた低吸水性、接着性、耐薬品性および
寸法安定性を有する耐熱性接着材料を提供することにあ
る。
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、ポリフェニレンスルファイド樹脂フィ
ルムを使用したものでありながら、塗工したポリイミド
系接着剤膜とポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
の接着力が強固で、加熱時に発生するガス量が極めて少
なく、しかも優れた低吸水性、接着性、耐薬品性および
寸法安定性を有する耐熱性接着材料を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも
片面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、耐熱性接
着剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂であることを
特徴とする耐熱性接着材料により達成される。本発明に
おいて使用されるポリフェニレンスルファイド樹脂フィ
ルムとしては、特に限定されず、公知のものが全て使用
できるが、フィルム表面に低温プラズマ処理あるいはコ
ロナ放電処理が施されていることが好ましい。これらの
処理を施すことによって、ポリフェニレンスルファイド
樹脂フィルムの接着性を大幅に向上させることができ
る。
ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも
片面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、耐熱性接
着剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂であることを
特徴とする耐熱性接着材料により達成される。本発明に
おいて使用されるポリフェニレンスルファイド樹脂フィ
ルムとしては、特に限定されず、公知のものが全て使用
できるが、フィルム表面に低温プラズマ処理あるいはコ
ロナ放電処理が施されていることが好ましい。これらの
処理を施すことによって、ポリフェニレンスルファイド
樹脂フィルムの接着性を大幅に向上させることができ
る。
【００１３】低温プラズマ処理は、減圧下で行なうこと
ができ、その方法としては、特に限定されないが、例え
ばドラム状電極と複数の棒状電極からなる対極電極を有
する内部電極型の放電処理装置内に被処理基材をセット
し、処理ガスを０．０１〜１０Ｔｏｒｒ，好ましくは、
０．０２〜１Ｔｏｒｒに調整した状態で電極間に直流あ
るいは交流の高電圧を印加して放電を行い、前記処理ガ
スのプラズマを発生させ、該プラズマに基材表面をさら
して処理する方法が挙げられる。低温プラズマ処理の条
件としては、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の
周波数などによって異なるが、適宜最適条件を選択する
ことができる。上記処理ガスとしては、特に限定される
ものではないが、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空
気、水蒸気、Ｏ2 などを単独であるいは混合して用いる
ことができる。
ができ、その方法としては、特に限定されないが、例え
ばドラム状電極と複数の棒状電極からなる対極電極を有
する内部電極型の放電処理装置内に被処理基材をセット
し、処理ガスを０．０１〜１０Ｔｏｒｒ，好ましくは、
０．０２〜１Ｔｏｒｒに調整した状態で電極間に直流あ
るいは交流の高電圧を印加して放電を行い、前記処理ガ
スのプラズマを発生させ、該プラズマに基材表面をさら
して処理する方法が挙げられる。低温プラズマ処理の条
件としては、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の
周波数などによって異なるが、適宜最適条件を選択する
ことができる。上記処理ガスとしては、特に限定される
ものではないが、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空
気、水蒸気、Ｏ2 などを単独であるいは混合して用いる
ことができる。
【００１４】一方、コロナ放電処理は、低温プラズマ処
理と比較して接着性向上の効果が小さいので、積層する
耐熱性接着剤を選択する必要がある。
理と比較して接着性向上の効果が小さいので、積層する
耐熱性接着剤を選択する必要がある。
【００１５】本発明における耐熱性接着材料は、上記ポ
リフェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも片
面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、耐熱性接着
剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂であることを特
徴とする。
リフェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも片
面に耐熱性接着剤を有する積層体であって、耐熱性接着
剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂であることを特
徴とする。
【００１６】本発明において使用されるポリイミド系樹
脂としては、芳香族テトラカルボン酸と、５モル％以上
がシロキサン系ジアミンであるジアミン成分とを反応さ
せて得られるポリアミック酸からなる薄膜をイミド化し
てなるものであることが好ましい。
脂としては、芳香族テトラカルボン酸と、５モル％以上
がシロキサン系ジアミンであるジアミン成分とを反応さ
せて得られるポリアミック酸からなる薄膜をイミド化し
てなるものであることが好ましい。
【００１７】本発明において使用される芳香族テトラカ
ルボン酸としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，
３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ア
ントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８
−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げ
られる。これらは単独であるいは二種以上混合して用い
られる。
ルボン酸としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，
３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ア
ントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８
−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げ
られる。これらは単独であるいは二種以上混合して用い
られる。
【００１８】ジアミン成分としては、ジアミン成分中に
シロキサン系ジアミンを少なくとも５モル％以上含むこ
とが好ましい。さらに好ましくは１０モル％以上９０モ
ル％以下である。
シロキサン系ジアミンを少なくとも５モル％以上含むこ
とが好ましい。さらに好ましくは１０モル％以上９０モ
ル％以下である。
【００１９】本発明において使用されるシロキサン系ジ
アミンとしては、次の一般式［Ｉ］で表されるものが挙
げられる。
アミンとしては、次の一般式［Ｉ］で表されるものが挙
げられる。
【００２０】
【化２】 （ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ1 およ
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す）一般式
［Ｉ］で表されるシロキサン系ジアミンの具体例として
は、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４
−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジ
シロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−
１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−
アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
フェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メチル−１、５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシ
ロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビ
ス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）
ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３
−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジ
メチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミ
ノブチル）ジシロキサン、１，１，５，５，−テトラメ
チル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノ
エチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブ
チル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル
−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペン
チル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキ
サメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシ
ロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−
１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビ
ス（３−アミノプロピル）トリシロキサンなどが挙げら
れる。上記シロキサン系ジアミンは、単独であるいは二
種以上混合して用いられる。
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す）一般式
［Ｉ］で表されるシロキサン系ジアミンの具体例として
は、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４
−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジ
シロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−
１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−
アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラ
フェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メチル−１、５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロ
キサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジ
メトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシ
ロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビ
ス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）
ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３
−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジ
メチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミ
ノブチル）ジシロキサン、１，１，５，５，−テトラメ
チル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノ
エチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチ
ル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブ
チル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル
−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペン
チル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキ
サメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシ
ロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−
１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビ
ス（３−アミノプロピル）トリシロキサンなどが挙げら
れる。上記シロキサン系ジアミンは、単独であるいは二
種以上混合して用いられる。
【００２１】シロキサン系ジアミン以外のジアミン成分
としては、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミンなど
の公知のものが使用できる。これらの中で、４，４´−
ジアミノジフェニルエーテルをジアミン成分中に、１５
〜５０モル％含有して使用した場合、ポリフェニレンス
ルファイド樹脂フィルムとの接着性が特異的に優れたも
のとなる。したがって、そのようなポリイミド樹脂を耐
熱性接着剤として使用すると、ポリフェニレンスルファ
イド樹脂フィルムにコロナ放電処理を施すだけで（低温
プラズマ処理を施さなくても）、十分実用的な耐熱性接
着材料が得られる。
としては、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミンなど
の公知のものが使用できる。これらの中で、４，４´−
ジアミノジフェニルエーテルをジアミン成分中に、１５
〜５０モル％含有して使用した場合、ポリフェニレンス
ルファイド樹脂フィルムとの接着性が特異的に優れたも
のとなる。したがって、そのようなポリイミド樹脂を耐
熱性接着剤として使用すると、ポリフェニレンスルファ
イド樹脂フィルムにコロナ放電処理を施すだけで（低温
プラズマ処理を施さなくても）、十分実用的な耐熱性接
着材料が得られる。
【００２２】上記芳香族テトラカルボン酸とジアミンと
の反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。
例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中
で、０〜８０℃の温度で反応させれば良い。これらの溶
媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリ
アミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トル
エン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラ
ン、メチルエチルケトン等を加えても良い。
の反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。
例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中
で、０〜８０℃の温度で反応させれば良い。これらの溶
媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリ
アミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トル
エン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラ
ン、メチルエチルケトン等を加えても良い。
【００２３】ポリアミック酸ワニス濃度としては、特に
限定されないが、通常５〜６０重量％が好ましく、１０
〜４０重量％が特に好ましい。
限定されないが、通常５〜６０重量％が好ましく、１０
〜４０重量％が特に好ましい。
【００２４】ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
を用いて耐熱性接着材料を製造するには、上記ポリアミ
ック酸ワニスに代表される耐熱性接着剤組成物をポリフ
ェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも片面に
塗布、乾燥した後、２００〜２７０℃で熱処理すればよ
い。耐熱性接着剤組成物としてポリアミック酸を使用し
た場合の一例について詳細に説明する。
を用いて耐熱性接着材料を製造するには、上記ポリアミ
ック酸ワニスに代表される耐熱性接着剤組成物をポリフ
ェニレンスルファイド樹脂フィルムの少なくとも片面に
塗布、乾燥した後、２００〜２７０℃で熱処理すればよ
い。耐熱性接着剤組成物としてポリアミック酸を使用し
た場合の一例について詳細に説明する。
【００２５】すなわち低温プラズマ処理あるいはコロナ
放電処理したポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
上に、上記ポリアミック酸ワニスを１０〜４０重量％含
む溶媒溶液を製膜用スリットから吐出させて均一に塗工
する。この塗工方法としてはロールコータ、ナイフコー
タ、密封コータ、コンマコータ、ドクターブレードフロ
ートコータなどによるものが挙げられる。次に上記のよ
うに耐熱性樹脂フィルムに塗工した溶液の溶媒を、通常
６０℃以上１９０℃程度の温度で連続的または断続的に
１０〜６０分間で加熱除去した後、さらにイミド化する
ための加熱処理を行なう。イミド化するための加熱処理
としては２００〜３５０℃の範囲で１〜１５分程度の短
時間の加熱処理を行なうことが好ましい。より好ましい
温度範囲としては、２００〜２７０℃である。
放電処理したポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
上に、上記ポリアミック酸ワニスを１０〜４０重量％含
む溶媒溶液を製膜用スリットから吐出させて均一に塗工
する。この塗工方法としてはロールコータ、ナイフコー
タ、密封コータ、コンマコータ、ドクターブレードフロ
ートコータなどによるものが挙げられる。次に上記のよ
うに耐熱性樹脂フィルムに塗工した溶液の溶媒を、通常
６０℃以上１９０℃程度の温度で連続的または断続的に
１０〜６０分間で加熱除去した後、さらにイミド化する
ための加熱処理を行なう。イミド化するための加熱処理
としては２００〜３５０℃の範囲で１〜１５分程度の短
時間の加熱処理を行なうことが好ましい。より好ましい
温度範囲としては、２００〜２７０℃である。
【００２６】このようにしてポリフェニレンスルファイ
ド樹脂フィルム上に耐熱性接着剤層を形成する。その
後、汚染防止、キズ防止などの必要に応じ厚み１５〜６
０μｍのポリエステルフィルム、ポリプロピレンなどの
保護フィルムを、イミド化せしめた薄膜上に張り合わせ
ておくことが好ましい。
ド樹脂フィルム上に耐熱性接着剤層を形成する。その
後、汚染防止、キズ防止などの必要に応じ厚み１５〜６
０μｍのポリエステルフィルム、ポリプロピレンなどの
保護フィルムを、イミド化せしめた薄膜上に張り合わせ
ておくことが好ましい。
【００２７】ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
上に形成される耐熱性接着剤の厚みは、通常、０．１〜
４０μｍ程度であるが、厚みが０．１μｍ以上５μｍ未
満のもの、好ましくは０．３〜３μｍのものは、ワイヤ
ボンディング時の超音波による加熱効率が良いので、Ｌ
ＯＣ用、ヒートスプレッダー用の接着材料として用いる
場合には好ましく使用される。
上に形成される耐熱性接着剤の厚みは、通常、０．１〜
４０μｍ程度であるが、厚みが０．１μｍ以上５μｍ未
満のもの、好ましくは０．３〜３μｍのものは、ワイヤ
ボンディング時の超音波による加熱効率が良いので、Ｌ
ＯＣ用、ヒートスプレッダー用の接着材料として用いる
場合には好ましく使用される。
【００２８】耐熱性接着剤の２５０℃における粘弾性率
は、１０7 〜１０9 dyn/cm2 であることが好ましい。よ
り好ましくは、５×１０7 〜５×１０8 dyn/cm2 であ
る。２５０℃における粘弾性率が大きすぎると、ＬＯＣ
用両面接着テープとして使用した場合リードフレームと
のラミネート可能になる温度が３００℃を越える高温度
になるため、例えばヒートスプレッダー用途の銅系の金
属と張り合わせると金属が酸化され接着力の低下などが
問題になる。また、粘弾性率が小さすぎると、半田リフ
ロー時の接着力低下が大きくなる。
は、１０7 〜１０9 dyn/cm2 であることが好ましい。よ
り好ましくは、５×１０7 〜５×１０8 dyn/cm2 であ
る。２５０℃における粘弾性率が大きすぎると、ＬＯＣ
用両面接着テープとして使用した場合リードフレームと
のラミネート可能になる温度が３００℃を越える高温度
になるため、例えばヒートスプレッダー用途の銅系の金
属と張り合わせると金属が酸化され接着力の低下などが
問題になる。また、粘弾性率が小さすぎると、半田リフ
ロー時の接着力低下が大きくなる。
【００２９】また、耐熱性接着剤のガラス転移点（Ｔ
ｇ）は、５０〜２００℃であることが好ましい。ガラス
転移点が低い場合には、接合（ラミ）可能温度は低い
が、半田リフロー時や樹脂封止温度での接着力低下が大
きくなるので好ましくない。ガラス転移点が高い場合に
は、接合（ラミ）可能温度が３００℃以上となるので好
ましくない。
ｇ）は、５０〜２００℃であることが好ましい。ガラス
転移点が低い場合には、接合（ラミ）可能温度は低い
が、半田リフロー時や樹脂封止温度での接着力低下が大
きくなるので好ましくない。ガラス転移点が高い場合に
は、接合（ラミ）可能温度が３００℃以上となるので好
ましくない。
【００３０】本発明による耐熱接着材料の加熱温度１０
０〜３００℃における発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下で
あれば金属箔、耐熱樹脂などと接着した場合の発泡がな
いので好ましく、より好ましくは１５０ｐｐｍ以下、さ
らに好ましくは１００ｐｐｍ以下である。
０〜３００℃における発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下で
あれば金属箔、耐熱樹脂などと接着した場合の発泡がな
いので好ましく、より好ましくは１５０ｐｐｍ以下、さ
らに好ましくは１００ｐｐｍ以下である。
【００３１】ここで、耐熱接着材料の加熱温度１００〜
３００℃において発生するガス量とは該耐熱接着材料の
サンプルについて後述するＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法 「ＴＧ ：Thermogravimetric Analysis
（熱重量分析） ＤＴＧ：Derivative Thermogravimetric Analysis
（微分熱重量分析） ＭＳ ：Mass Spectormetry
（質量分析） 」 により測定して求めたものである。
３００℃において発生するガス量とは該耐熱接着材料の
サンプルについて後述するＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法 「ＴＧ ：Thermogravimetric Analysis
（熱重量分析） ＤＴＧ：Derivative Thermogravimetric Analysis
（微分熱重量分析） ＭＳ ：Mass Spectormetry
（質量分析） 」 により測定して求めたものである。
【００３２】本発明にかかる耐熱性接着材料の使用例の
一例としては、耐熱樹脂フィルム同志の積層、金属との
積層が挙げられる。すなわち、銅箔と積層するフレキシ
ブルプリント基板用途、リードフレーム固定用、ＬＯＣ
用接着テープ、ＴＡＢ用キャリアテープなどの種々のリ
ードフレーム周辺材料に用いられる。
一例としては、耐熱樹脂フィルム同志の積層、金属との
積層が挙げられる。すなわち、銅箔と積層するフレキシ
ブルプリント基板用途、リードフレーム固定用、ＬＯＣ
用接着テープ、ＴＡＢ用キャリアテープなどの種々のリ
ードフレーム周辺材料に用いられる。
【００３３】具体例としてＬＯＣ用両面接着テープに使
用する場合には、本発明品を使用目的の幅にスリット
し、ポリイミド樹脂上の保護フィルムを剥がし吸着水分
を除去後、リードフレームと重ね合わせ１５０℃以上４
５０℃で加熱圧着し、さらにＩＣチップを接着固定すれ
ば良い。接着力向上のためには、さらに加熱キュアを施
したほうが好ましい。圧着の温度、圧力および加熱キュ
アの条件としては、樹脂の組成、膜厚などによって適宜
選択することができる。また、加熱圧着の方法は、ヒー
トプレス、加熱ロールなど製造工程により、好ましいも
のを選択することができる。
用する場合には、本発明品を使用目的の幅にスリット
し、ポリイミド樹脂上の保護フィルムを剥がし吸着水分
を除去後、リードフレームと重ね合わせ１５０℃以上４
５０℃で加熱圧着し、さらにＩＣチップを接着固定すれ
ば良い。接着力向上のためには、さらに加熱キュアを施
したほうが好ましい。圧着の温度、圧力および加熱キュ
アの条件としては、樹脂の組成、膜厚などによって適宜
選択することができる。また、加熱圧着の方法は、ヒー
トプレス、加熱ロールなど製造工程により、好ましいも
のを選択することができる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で発泡、加熱時の発生ガス量、接着力お
よび吸水率はそれぞれ次の方法で評価および測定したも
のである。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で発泡、加熱時の発生ガス量、接着力お
よび吸水率はそれぞれ次の方法で評価および測定したも
のである。
【００３５】［発泡］銅箔をエッチング除去後、接着剤
表面を光学顕微鏡によって観察した。
表面を光学顕微鏡によって観察した。
【００３６】［発生ガス量］イミド化した薄膜を有する
試料約１００ｍｇを精密科学天秤で秤量後、ＴＧ・ＤＴ
Ｇ−ＭＳ法によって測定した。
試料約１００ｍｇを精密科学天秤で秤量後、ＴＧ・ＤＴ
Ｇ−ＭＳ法によって測定した。
【００３７】ＴＧ・ＤＴＧ−ＭＳ法とは、ＴＧ装置にＭ
Ｓ装置を直結して、重量変化と同時に、加熱時に試料か
ら発生するガスの濃度変化を温度の関数として追跡する
手法である。測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
Ｓ装置を直結して、重量変化と同時に、加熱時に試料か
ら発生するガスの濃度変化を温度の関数として追跡する
手法である。測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
【００３８】測定機 ；島津製作所（株）製ＴＧ（マ
クロ天秤）−ＭＳ同時測定装置 データ処理；東レリサーチセンター製データ処理システ
ム“ＴＨＡＤＡＰ−ＴＧＭＳ” 測定精度 ；１０ｐｐｍ 測定モード；試料を白金製容器に入れてあらかじめ５０
℃で６時間真空乾燥した後、ＴＧ装置にセット後、乾燥
ヘリウムを５０ｍｌ／分で１２時間以上流してから、１
０℃／分で昇温を開始し、４００℃までのＴＧ−ＭＳ曲
線を測定し、１５０℃から３００℃の発生ガスの総量を
求めた。
クロ天秤）−ＭＳ同時測定装置 データ処理；東レリサーチセンター製データ処理システ
ム“ＴＨＡＤＡＰ−ＴＧＭＳ” 測定精度 ；１０ｐｐｍ 測定モード；試料を白金製容器に入れてあらかじめ５０
℃で６時間真空乾燥した後、ＴＧ装置にセット後、乾燥
ヘリウムを５０ｍｌ／分で１２時間以上流してから、１
０℃／分で昇温を開始し、４００℃までのＴＧ−ＭＳ曲
線を測定し、１５０℃から３００℃の発生ガスの総量を
求めた。
【００３９】［接着力］ ＴＡＢ用 ＪＩＳ Ｃ−６４８１に準拠し、幅２ｍｍの試料を１８
０°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で
測定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が
必要とされる。
０°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で
測定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が
必要とされる。
【００４０】ＬＯＣ用 ＪＩＳ Ｃ−６４８１に準拠し、幅２ｍｍの試料を９０
°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で測
定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が必
要とされる。
°剥離をテンシロンにて、引張り速度５０ｍｍ／分で測
定した。実用的は、０．８ｋｇ／ｃｍ以上の接着力が必
要とされる。
【００４１】［吸水率］６０ｍｍ×６０ｍｍの試料を用
意し、２５０℃×１０分オーブン中で乾燥し、重量を精
密天秤で測定した（Ｗ0 ）。８５℃×８５％ＲＨ下２４
時間放置し、重量を測定した（Ｗ1 ）。これから吸水率
（σ）を下記式で算出した。
意し、２５０℃×１０分オーブン中で乾燥し、重量を精
密天秤で測定した（Ｗ0 ）。８５℃×８５％ＲＨ下２４
時間放置し、重量を測定した（Ｗ1 ）。これから吸水率
（σ）を下記式で算出した。
【００４２】
【数１】 ［粘弾性率］試料（４ｍｍ×４０ｍｍ）を２３℃、５０
％ＲＨで、２４時間以上調節後測定した。
％ＲＨで、２４時間以上調節後測定した。
【００４３】測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
る。
【００４４】測定機 ；“ＲＨＥＯ ＶＩＢＲＯＮ”Ｄ
ＤＶ−II−ＥＡ［（株）ＯＲＩＥＮＴＥＣ製］ 測定温度；室温〜２８０℃（測定温度間隔；２℃） 駆動周波数；１１０Ｈｚ 実施例１ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１３９ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン６．０ｇ（４０ｍｏｌ％）および４，
４´−ジアミノジフェニルエーテル７．２ｇ（６０ｍｏ
ｌ％）を溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物１９．３ｇを加え、１
０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
ＤＶ−II−ＥＡ［（株）ＯＲＩＥＮＴＥＣ製］ 測定温度；室温〜２８０℃（測定温度間隔；２℃） 駆動周波数；１１０Ｈｚ 実施例１ 温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ2 吹込
口を供えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１３９ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，
３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）ジシロキサン６．０ｇ（４０ｍｏｌ％）および４，
４´−ジアミノジフェニルエーテル７．２ｇ（６０ｍｏ
ｌ％）を溶解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物１９．３ｇを加え、１
０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で３時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００４５】該ワニスをあらかじめＡｒ雰囲気中で低温
プラズマ処理した５０μｍのポリフェニレンスルファイ
ド樹脂フィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後
の膜厚が２０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分
乾燥、さらに１３０℃で１０分乾燥、さらに１６０℃で
１５分乾燥した。該塗工品をイミド化するため、２２０
℃で４分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を
測定したところ６０ｐｐｍ以下であった。
プラズマ処理した５０μｍのポリフェニレンスルファイ
ド樹脂フィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後
の膜厚が２０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分
乾燥、さらに１３０℃で１０分乾燥、さらに１６０℃で
１５分乾燥した。該塗工品をイミド化するため、２２０
℃で４分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を
測定したところ６０ｐｐｍ以下であった。
【００４６】上記作製フィルムを、幅３０ｍｍにスリッ
ト加工し、リードフレーム用金属箔として用いられてい
る４２合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分
で張り合わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認めら
れず、接着力１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．７％であっ
た。ＬＯＣ用接着テープとして実用レベルを十分満足す
るものであった。
ト加工し、リードフレーム用金属箔として用いられてい
る４２合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分
で張り合わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認めら
れず、接着力１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．７％であっ
た。ＬＯＣ用接着テープとして実用レベルを十分満足す
るものであった。
【００４７】実施例２ 実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド１４６ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン１．４ｇ（１０ｍｏｌ％）および４，４´−ジアミ
ノジフェニルエーテル１０．２ｇ（９０ｍｏｌ％）を溶
解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物１８．３ｇを加え、１０℃で１時
間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌して反応
させ、ポリアミック酸ワニスを得た。
ミド１４６ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン１．４ｇ（１０ｍｏｌ％）および４，４´−ジアミ
ノジフェニルエーテル１０．２ｇ（９０ｍｏｌ％）を溶
解したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物１８．３ｇを加え、１０℃で１時
間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌して反応
させ、ポリアミック酸ワニスを得た。
【００４８】該ワニスを実施例１と同様に低温プラズマ
処理した７５μｍのポリフェニレンスルファイド樹脂フ
ィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後の膜厚が
１０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分乾燥、さ
らに１２０℃で１０分乾燥、さらに１５０℃で１５分乾
燥した。該塗工品をイミド化するため、２１０℃で５分
加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定した
ところ６０ｐｐｍ以下であった。
処理した７５μｍのポリフェニレンスルファイド樹脂フ
ィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後の膜厚が
１０μｍになるように塗工し、８０℃で１０分乾燥、さ
らに１２０℃で１０分乾燥、さらに１５０℃で１５分乾
燥した。該塗工品をイミド化するため、２１０℃で５分
加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定した
ところ６０ｐｐｍ以下であった。
【００４９】上記作製フィルムの樹脂塗工面と、７５μ
ｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カ
プトン”３００Ｋ）と重ね合わせ表面温度２５０℃に加
熱したロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせた。張り合わせ品は発泡がなく、接着
力は１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率は０．６％で、接着力の
強い張り合わせフイルムが得られた。
ｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カ
プトン”３００Ｋ）と重ね合わせ表面温度２５０℃に加
熱したロールラミネータで線圧７ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ
／分で張り合わせた。張り合わせ品は発泡がなく、接着
力は１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率は０．６％で、接着力の
強い張り合わせフイルムが得られた。
【００５０】実施例３ 実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ´−ジメチルアセト
アミド１７８ｇを入れ窒素気流下で１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシ
ロキサン１３．９ｇ（７０ｍｏｌ％）および４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル４．８ｇ（３０ｍｏｌ％）
を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物２５．８ｇを加え、１０℃で１
時間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌して反
応させポリアミック酸ワニスを得た。 該ワニスをコロ
ナ放電処理した５０μｍのポリフェニレンスルファイド
樹脂フィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後の
膜厚が２０μｍになるように塗工し、１３０℃で２分間
乾燥、さらに２００℃で２分乾燥した。
アミド１７８ｇを入れ窒素気流下で１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシ
ロキサン１３．９ｇ（７０ｍｏｌ％）および４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル４．８ｇ（３０ｍｏｌ％）
を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物２５．８ｇを加え、１０℃で１
時間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌して反
応させポリアミック酸ワニスを得た。 該ワニスをコロ
ナ放電処理した５０μｍのポリフェニレンスルファイド
樹脂フィルム（東レ（株）製“トレリナ”）に乾燥後の
膜厚が２０μｍになるように塗工し、１３０℃で２分間
乾燥、さらに２００℃で２分乾燥した。
【００５１】該塗工品をイミド化するため、２２０℃で
３分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定
したところ１００ｐｐｍ以下であった。
３分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定
したところ１００ｐｐｍ以下であった。
【００５２】上記作製フィルムを幅３０ｍｍにスリット
し、リードフレーム用金属箔として用いられている４２
合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱したロール
ラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で貼り合
わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認められず、接
着力１．２ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．８％であった。ＬＯ
Ｃ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもので
あった。
し、リードフレーム用金属箔として用いられている４２
合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱したロール
ラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で貼り合
わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認められず、接
着力１．２ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．８％であった。ＬＯ
Ｃ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもので
あった。
【００５３】実施例４ 実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ´−ジメチルアセト
アミド１７５ｇを入れ窒素気流下で１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシ
ロキサン１３．９ｇ（７０ｍｏｌ％）および４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル３．２ｇ（２０ｍｏｌ
％）、パラフェニレンジアミン０．９ｇ（１０ｍｏｌ
％）を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物２５．８ｇを加え、１０℃
で１時間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌し
て反応させポリアミック酸ワニスを得た。
アミド１７５ｇを入れ窒素気流下で１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシ
ロキサン１３．９ｇ（７０ｍｏｌ％）および４，４´−
ジアミノジフェニルエーテル３．２ｇ（２０ｍｏｌ
％）、パラフェニレンジアミン０．９ｇ（１０ｍｏｌ
％）を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物２５．８ｇを加え、１０℃
で１時間攪拌を続けた。その後、５０℃で３時間攪拌し
て反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００５４】該ワニスをコロナ放電処理した５０μｍの
ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム（東レ（株）
製“トレリナ”）に乾燥後の膜厚が１０μｍになるよう
に塗工し、１３０℃で２分間乾燥、さらに２００℃で２
分乾燥した。
ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム（東レ（株）
製“トレリナ”）に乾燥後の膜厚が１０μｍになるよう
に塗工し、１３０℃で２分間乾燥、さらに２００℃で２
分乾燥した。
【００５５】該塗工品をイミド化するため、２２０℃で
３分熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定し
たところ１００ｐｐｍ以下であった。
３分熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定し
たところ１００ｐｐｍ以下であった。
【００５６】上記作製フィルムを幅３０ｍｍにスリット
し、リードフレーム用金属箔として用いられている４２
合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱したロール
ラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で貼り合
わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認められず、接
着力１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．８％であった。ＬＯ
Ｃ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもので
あった。
し、リードフレーム用金属箔として用いられている４２
合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱したロール
ラミネータで線圧５ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で貼り合
わせた。ラミネート品自体、発泡は全く認められず、接
着力１．５ｋｇ／ｃｍ、吸水率０．８％であった。ＬＯ
Ｃ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもので
あった。
【００５７】比較例１ 実施例１と同様の反応装置にＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド１３９ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン６．０ｇ（４０ｍｏｌ％）と４、４´−ジアミノジ
フェニルエーテル７．２ｇ（６０ｍｏｌ％）を溶解した
あと、３，３´，４，４´ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１９．３ｇを加え１０℃で１時間攪拌を続
けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミ
ック酸ワニスを得た。
ミド１３９ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３−テトラ
メチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキ
サン６．０ｇ（４０ｍｏｌ％）と４、４´−ジアミノジ
フェニルエーテル７．２ｇ（６０ｍｏｌ％）を溶解した
あと、３，３´，４，４´ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物１９．３ｇを加え１０℃で１時間攪拌を続
けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミ
ック酸ワニスを得た。
【００５８】該ワニスを低温プラズマ処理しておいた５
０μｍのポリイミドフイルム（宇部興産（株）製“ユー
ピレックス”）に乾燥後の膜厚が１２μｍになるように
塗工し８０℃で１０分乾燥し、さらに、１３０℃で１０
分乾燥さらに、１５０℃で１５分乾燥した。該塗工品を
イミド化のため２５０℃で５分加熱処理を施した。該フ
ィルムの発生ガス量を測定したところ５０ｐｐｍ以下で
あった。
０μｍのポリイミドフイルム（宇部興産（株）製“ユー
ピレックス”）に乾燥後の膜厚が１２μｍになるように
塗工し８０℃で１０分乾燥し、さらに、１３０℃で１０
分乾燥さらに、１５０℃で１５分乾燥した。該塗工品を
イミド化のため２５０℃で５分加熱処理を施した。該フ
ィルムの発生ガス量を測定したところ５０ｐｐｍ以下で
あった。
【００５９】上記作製フィルムを、幅３０ｍｍにスリッ
ト加工し、リードフレーム用金属箔として用いられてい
る４２合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分
で張り合わせた。同様に評価したところ、接着力は１．
５ｋｇ／ｃｍと良好であったが、吸水率は１．５％で該
ラミネート品には多数の発泡が認められ、ＬＯＣ用接着
テープとして満足とは言えないものであった。
ト加工し、リードフレーム用金属箔として用いられてい
る４２合金と重ね合わせ、表面温度２５０℃に加熱した
ロールラミネータで線圧１０ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分
で張り合わせた。同様に評価したところ、接着力は１．
５ｋｇ／ｃｍと良好であったが、吸水率は１．５％で該
ラミネート品には多数の発泡が認められ、ＬＯＣ用接着
テープとして満足とは言えないものであった。
【００６０】実施例５ 実施例１と同様の反応装置に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６３．０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）
ジシロキサン２１．８７ｇ（８８ｍｏｌ％）およびｐ−
フェニレンジアミン１．３０ｇ（１２ｍｏｌ％）を溶解
したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物２９．００ｇ（９０ｍｏｌ％）およ
びピロメリット酸二無水物２．１８ｇ（１０ｍｏｌ％）
を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で
３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
アミド１６３．０５ｇ入れ窒素気流下で１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）
ジシロキサン２１．８７ｇ（８８ｍｏｌ％）およびｐ−
フェニレンジアミン１．３０ｇ（１２ｍｏｌ％）を溶解
したあと、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物２９．００ｇ（９０ｍｏｌ％）およ
びピロメリット酸二無水物２．１８ｇ（１０ｍｏｌ％）
を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０℃で
３時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００６１】該ワニスを銅箔（３５μｍ）鏡面上に乾燥
後の膜厚が約20μｍになるようにバーコータで塗工後、
８０℃で１０分乾燥し、さらに、１５０℃で１０分乾燥
さらに、２５０℃で３０分加熱処理を施した。その後銅
箔をエッチング除去し、水洗、乾燥したフィルムの発生
ガス量を測定したところ１００ｐｐｍ以下であった。２
５０℃の粘弾性率は、２×１０8 dyn/cm2 であった。
後の膜厚が約20μｍになるようにバーコータで塗工後、
８０℃で１０分乾燥し、さらに、１５０℃で１０分乾燥
さらに、２５０℃で３０分加熱処理を施した。その後銅
箔をエッチング除去し、水洗、乾燥したフィルムの発生
ガス量を測定したところ１００ｐｐｍ以下であった。２
５０℃の粘弾性率は、２×１０8 dyn/cm2 であった。
【００６２】ワニスをあらかじめ低温プラズマ処理した
７０μｍのポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
（“トレリナ”東レ（株）製）に乾燥後の膜厚が１μｍ
になるように塗工し８０℃で１０分乾燥し、さらに、１
２０℃で１０分乾燥さらに、１５０℃で１５分乾燥し、
さらに２１０℃で５分加熱処理を施した。該フィルムの
発生ガス量を測定したところ６０ｐｐｍ以下であった。
７０μｍのポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
（“トレリナ”東レ（株）製）に乾燥後の膜厚が１μｍ
になるように塗工し８０℃で１０分乾燥し、さらに、１
２０℃で１０分乾燥さらに、１５０℃で１５分乾燥し、
さらに２１０℃で５分加熱処理を施した。該フィルムの
発生ガス量を測定したところ６０ｐｐｍ以下であった。
【００６３】上記作製フィルムの樹脂塗工面と、２００
μｍのリードフレーム用４２アロイと重ね合わせ表面温
度２５０℃に加熱した加熱プレスで圧力１０ｋｇ／ｃｍ
2 、加熱時間５秒で張り合わせた。接着力は１．２ｋｇ
／ｃｍであり接着力の強い張り合せ品が得られた。ワイ
ヤボンディング後の金線のつぶれ性も良好であった。Ｌ
ＯＣ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもの
であった。
μｍのリードフレーム用４２アロイと重ね合わせ表面温
度２５０℃に加熱した加熱プレスで圧力１０ｋｇ／ｃｍ
2 、加熱時間５秒で張り合わせた。接着力は１．２ｋｇ
／ｃｍであり接着力の強い張り合せ品が得られた。ワイ
ヤボンディング後の金線のつぶれ性も良好であった。Ｌ
ＯＣ用接着テープとして実用レベルを十分満足するもの
であった。
【００６４】
【発明の効果】本発明は、上述のごとく構成したので、
金属、耐熱性樹脂などとの接着が容易に可能な上、加熱
時に発生するガス量がきわめて少なく、張り合わせ後の
発泡もなく、さらに接着性、耐熱性、電気特性、耐薬品
性、低吸水性、寸法安定性が優れた耐熱性接着材料を確
実に得ることができる。
金属、耐熱性樹脂などとの接着が容易に可能な上、加熱
時に発生するガス量がきわめて少なく、張り合わせ後の
発泡もなく、さらに接着性、耐熱性、電気特性、耐薬品
性、低吸水性、寸法安定性が優れた耐熱性接着材料を確
実に得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ 7376−4Ｍ 23/40 Ｆ // Ｂ３２Ｂ 7/10 9267−4Ｆ Ｃ０８Ｊ 5/12 ＣＥＺ 9267−4Ｆ (72)発明者 小南 一彦 愛知県名古屋市港区大江町９番地の１ 東 レ株式会社名古屋事業場内
Claims (11)
- 【請求項１】ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
の少なくとも片面に耐熱性接着剤を有する積層体であっ
て、耐熱性接着剤の少なくとも一方がポリイミド系樹脂
であることを特徴とする耐熱性接着材料。 - 【請求項２】ポリイミド系樹脂が、芳香族テトラカルボ
ン酸と、５モル％以上がシロキサン系ジアミンであるジ
アミン成分とからなるポリアミック酸をイミド化させて
得られる薄膜であることを特徴とする請求項１記載の耐
熱性接着材料。 - 【請求項３】シロキサン系ジアミンが次の一般式［Ｉ］
で表されるものであることを特徴とする請求項２記載の
耐熱性接着材料。 【化１】 （ただし、式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ1 およ
びＲ2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およ
びＲ6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。） - 【請求項４】ポリイミド系樹脂のジアミン成分中に、
４，４´−ジアミノジフェニルエーテルを１５〜５０モ
ル％含有することを特徴とする請求項１記載の耐熱性接
着材料。 - 【請求項５】少なくとも一方の耐熱性接着剤の厚みが、
０．１μｍ以上５μｍ未満であることを特徴とする請求
項１記載の耐熱性接着材料。 - 【請求項６】少なくとも一方の耐熱性接着剤の２５０℃
における粘弾性率が１０7 〜１０9dyn/cm2 であること
を特徴とする請求項１記載の耐熱性接着材料。 - 【請求項７】少なくとも一方の耐熱性接着剤のガラス転
移点が５０〜２００℃であることを特徴とする請求項１
記載の耐熱性接着材料。 - 【請求項８】ポリフェニレンスルファイド樹脂フィルム
の表面が、コロナ放電処理または低温プラズマ処理され
ていることを特徴とする請求項１記載の耐熱性接着材
料。 - 【請求項９】加熱温度１００℃以上３００℃以下におけ
る発生ガス量が２５０ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る請求項１記載の耐熱性接着材料。 - 【請求項１０】請求項１記載の耐熱性接着材料をリード
フレーム固定用、リードオンチップ用またはヒートスプ
レッダー用接着材料として使用する方法。 - 【請求項１１】耐熱性接着剤組成物を、ポリフェニレン
スルファイド樹脂フイルムの少なくとも片面に塗布、乾
燥した後、２００〜２７０℃で熱処理することを特徴と
する耐熱性接着材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24132293A JPH06256733A (ja) | 1992-10-01 | 1993-09-28 | 耐熱性接着材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-263618 | 1992-10-01 | ||
| JP26361892 | 1992-10-01 | ||
| JP24132293A JPH06256733A (ja) | 1992-10-01 | 1993-09-28 | 耐熱性接着材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256733A true JPH06256733A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=26535198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24132293A Pending JPH06256733A (ja) | 1992-10-01 | 1993-09-28 | 耐熱性接着材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256733A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10183079A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品用接着テープ |
| US6621170B2 (en) | 1996-10-08 | 2003-09-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device, substrate for mounting semiconductor chip, processes for their production, adhesive, and double-sided adhesive film |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US6791194B1 (en) | 1996-05-30 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Circuit tape having adhesive film, semiconductor device, and a method for manufacturing the same |
| US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
| US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7202570B2 (en) | 1996-05-30 | 2007-04-10 | Renesas Technology Corp. | Circuit tape having adhesive film semiconductor device and a method for manufacturing the same |
| EP2153987A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-17 | Hitachi Engineering & Services Co., Ltd. | Method of manufacturing adhesive-free laminate of aramid paper and polyphenylene sulfide film, and insulation material and insulation structure for rotating electric machinery |
| WO2019169394A1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | Kaneka Americas Holding, Inc. | Polyimides for temporary bonding adhesives, methods for manufacturing of thermoplastic polyimide materials, and methods for thin wafer bonding using the same |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP24132293A patent/JPH06256733A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
| US7387914B2 (en) | 1995-07-06 | 2008-06-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7012320B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7078094B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7781896B2 (en) | 1995-07-06 | 2010-08-24 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US6791194B1 (en) | 1996-05-30 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Circuit tape having adhesive film, semiconductor device, and a method for manufacturing the same |
| US7202570B2 (en) | 1996-05-30 | 2007-04-10 | Renesas Technology Corp. | Circuit tape having adhesive film semiconductor device and a method for manufacturing the same |
| US6621170B2 (en) | 1996-10-08 | 2003-09-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device, substrate for mounting semiconductor chip, processes for their production, adhesive, and double-sided adhesive film |
| JPH10183079A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品用接着テープ |
| EP2153987A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-17 | Hitachi Engineering & Services Co., Ltd. | Method of manufacturing adhesive-free laminate of aramid paper and polyphenylene sulfide film, and insulation material and insulation structure for rotating electric machinery |
| US8709193B2 (en) | 2008-07-30 | 2014-04-29 | Hitachi Engineering & Services Co., Ltd. | Method of manufacturing adhesive-free laminate of aramid paper and polyphenylene sulfide film, and insulation material and insulation structure for rotating electric machinery |
| WO2019169394A1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | Kaneka Americas Holding, Inc. | Polyimides for temporary bonding adhesives, methods for manufacturing of thermoplastic polyimide materials, and methods for thin wafer bonding using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5594289B2 (ja) | ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法 | |
| JP6303503B2 (ja) | 樹脂組成物、硬化膜、積層フィルム、および半導体装置の製造方法 | |
| JP3751054B2 (ja) | 電子部品用接着剤 | |
| US20080299402A1 (en) | Polyimide film, polyimide metal laminate and process for producing the same | |
| JP2003327925A (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06256733A (ja) | 耐熱性接着材料 | |
| JPS6368641A (ja) | ポリイミド成形品の表面処理方法 | |
| JP3385711B2 (ja) | 耐熱性接着材料 | |
| JP4432316B2 (ja) | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3395640B2 (ja) | 金属層積層フィルム | |
| JP3057872B2 (ja) | 耐熱性接着材料 | |
| JP3815912B2 (ja) | Ｌｏｃ用テ−プ | |
| JP3196320B2 (ja) | 耐熱性接着材料およびその使用方法 | |
| JP3505769B2 (ja) | 耐熱性接着材料 | |
| JP3151840B2 (ja) | フィルムキャリアテ−プ | |
| JPH07258622A (ja) | 耐熱性接着剤組成物およびこれを用いた耐熱性接着材料 | |
| JP3564718B2 (ja) | ヒートスプレッダー用接着材料 | |
| JP5499555B2 (ja) | ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの製造方法 | |
| EP1420048A2 (en) | Metal laminate | |
| JP2000096010A (ja) | 半導体装置用接着テープ | |
| JPH08186343A (ja) | フレキシブル配線板用基材及びその製造方法 | |
| JP2000239423A (ja) | 接着フィルムの製造方法および接着フィルム | |
| JP2000053744A (ja) | 樹脂組成物、接着剤、接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH07290662A (ja) | 耐熱性フィルム、接着フィルムおよび耐熱性積層フィルム | |
| JP2001329243A (ja) | 接着剤、接着フィルム、接着フィルム付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |