JPH08186343A - フレキシブル配線板用基材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 狭い配線幅の精密回路の形成に適する、優れ
た絶縁性及び信頼性を有するフレシキブル配線板用基材
を提供する。 【構成】 基材層の少なくとも片表面に、ポリアミック
酸ワニス及びポリイミドワニスから選ばれた少なくとも
１種のワニスを塗布、加熱してポリイミド層を形成した
フレキシブル配線板用基材であって、該ポリイミド層が
直径１０μｍ以上の空孔を有しないことを特徴とするフ
レキシブル配線板用基材、及びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブル配線板用
基材及びその製造方法に関する。詳しくは、径１０μｍ
以上の空孔がなく精密な回路形成に適するフレキシブル
配線板用基材及びその製造方法に関する。本発明のフレ
キシブル配線板用基材は、電子部品の素材、電子部品の
実装及びＩＣ回りの回路等に利用される。

【０００２】

【従来の技術】金属箔、金属箔とポリイミドフィルムと
の積層体等の基材にポリアミック酸ワニス及び／または
ポリイミドワニスを塗布、加熱することにより、耐熱
性、絶縁性及び信頼性等に優れたフレキシブル配線用基
材が提供されることが知られている。

【０００３】例えば、特開昭６１−１８２９４１号公報
には、銅箔にポリアミック酸ワニスを塗工、加熱して、
銅箔にポリミドが積層されたフレキシブル配線用基材が
開示されている。また、特開平６−２１８８８０号公報
には、ポリイミドフィルム等の絶縁性基体上の少なくと
も片面に熱可塑性ポリイミド層を形成した絶縁テープが
開示されている。そして、該絶縁テープが、半導体リー
ドフレームのインナーリードの固定用絶縁材に使用され
ることが記載されている。

【０００４】フレシキブル配線板用基材は、エッチング
加工、打ち抜き加工、張り合わせ加工等の精密加工を施
して電子部品、集積回路用配線材料、加熱ヒーター等に
使用される。例えば、エッチング加工により電子部品用
配線材料を製造する方法として、金属箔とポリイミドと
の積層体にフォトレジストを塗布し、光硬化した後、ア
ルカリ液に浸漬して未硬化のフォトレジストを除去し、
塩化第２鉄水溶液等で金属箔層をエッチングして配線回
路を形成する方法が例示される。近年、上記いずれの加
工方法も進歩したため、１０μｍ程度の狭い配線幅の回
路の形成が可能となっている。

【０００５】配線幅が狭い回路を形成するためには、フ
レシキブル配線板用基材の絶縁層であるポリイミド層に
大きな空孔がないことが要求される。そのため、我が国
においては、米国の Institute for Interconecting an
d Packaging Electronic Circuits が定めた規格（以
下、ＩＰＣ規格という）を適用して、該絶縁層に径が７
６μｍ以上の空孔があるものは使用しないこととされて
いる。

【０００６】しかしながら、上記刊行物に開示された方
法により製造されたフレシキブル配線板用基材は、ＩＰ
Ｃ規格に合格するものではあるが、その絶縁層には径が
１０μｍを超える空孔が認められる。そのため、１０μ
ｍ程度の狭い配線幅の回路を形成した場合、回路間の絶
縁性が充分に確保できず、精密電子部品として満足し得
るものではない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決し、耐熱性については従来品と同様の性能を有し、
狭い配線幅の精密回路の形成に適する、優れた絶縁性及
び信頼性を有するフレシキブル配線板用基材を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
について鋭意検討した結果、金属箔等の基材層の少なく
とも片表面にポリアミック酸ワニスまたはポリイミドワ
ニスを塗布、加熱してポリイミイド層を形成するに際
し、予め、ポリアミック酸ワニスまたはポリイミドワニ
スに脱泡操作を施すことにより、上記課題が解決し得る
ことを見出し、本発明に到った。

【０００９】すなわち、本発明は、基材層の少なくとも
片表面に、ポリアミック酸ワニス及びポリイミドワニス
から選ばれた少なくとも１種のワニスを塗布、加熱して
ポリイミド層を形成したフレキシブル配線板用基材であ
って、ポリイミド層が直径１０μｍ以上の空孔を有しな
いことを特徴とするフレキシブル配線板用基材である。
本発明のフレキシブル配線板用基材のポリイミド層は、
従来品と同様の耐熱性を有し、しかも直径が１０μｍ以
上の空孔を有さないため、１０μｍ程度の狭い配線幅の
回路を形成しても回路間の絶縁性が充分に確保でき、絶
縁不良をきたすことがない。従って、精密電子部品とし
て好適に使用される。

【００１０】尚、本発明において、直径が１０μｍ以上
の空孔を有さないポリイミド層とは、後述する実施例に
示した測定方法によって評価し、直径が１０μｍ以上の
空孔が認められないことを意味する。

【００１１】本発明のフレキシブル配線板用基材は、基
材層の少なくとも片表面に、ポリアミック酸ワニス及び
ポリイミドワニスから選ばれた少なくとも１種のワニス
を塗布、加熱してポリイミド層を形成するに際し、予め
ワニスに脱泡操作を施した後、該ワニスを基材層の少な
くとも片表面に塗布、加熱することにより製造される。
以下、本発明について詳細に説明する。

【００１２】本発明に使用する基材層としては、銅、ア
ルミニウム、ステンレススチール等の薄板が好ましく用
いられる。基材層の厚みは、５〜２００μｍである。本
発明に使用する基材層は、ポリイミドフィルムであって
もよい。基材層として使用し得るポリイミドフィルムの
市販品として、レグルスＵ、Ｂ（商品名、三井東圧化学
（株）製）、カプトンＨ、Ｖ、Ｅ、ＺＴ（商品名、東レ
・デュポン（株）製）、ユーピレックスＭ、Ｓ、ＳＧ
Ａ、ＳＧＡＰＡ（商品名、宇部興産（株）製）、アピカ
ルＡＨ、ＮＰＩ（商品名、鐘淵化学工業（株）製）等が
挙げられる。これらのポリイミドフィルムの厚みには特
に制限はないが、１〜５００μｍの範囲のものが使用で
きる。好ましくは５〜１００μｍである。

【００１３】本発明において、ポリアミック酸ワニスま
たはポリイミドワニスとは、ポリアミック酸またはポリ
イミドの有機溶媒溶液を意味する。本発明に使用するワ
ニスには特に制限はなく公知のものが使用される。具体
的には、少なくとも１種の芳香族ジアミンと少なくとも
１種の芳香族テトラカルボン酸二無水物とを略等モル混
合し、重合したポリアミック酸の有機溶媒溶液、また
は、同様に重合した後、脱水してイミド化して得られた
ポリイミドの有機溶媒溶液が使用される。

【００１４】芳香族ジアミンとしては、１，３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（以下、ＡＰＢとい
う）、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル（以下、ｍ−ＢＰという）、３，３’−ジアミノベ
ンゾフェノン（以下、ＤＡＢＰという）、ｐ−フェニレ
ンジアミン（以下、ＰＰＤという）、４，４’−オキシ
ジアニリン（以下、ＯＤＡという）等が挙げられる。こ
れらは、単独で使用してもよいし、また２種以上を混合
して使用してもよい。

【００１５】芳香族テトラカルボン酸二無水物として
は、ピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡとい
う）、オキシジフタル酸二無水物（以下、ＯＤＰＡとい
う）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物（以下、ＢＴＤＡという）及び３，３’
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以
下、ＢＰＤＡという）等が挙げられる。これらは、単独
で使用してもよいし、また２種以上を混合して使用して
もよい。

【００１６】芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
二無水物とを略等モル混合し、有機溶媒中で０〜６０℃
程度の温度範囲において、１〜２４時間重合することに
より、ポリアミック酸ワニスが得られる。さらに、ポリ
アミック酸ワニスを１００〜５００℃において０．５〜
２４時間加熱することによりポリアミック酸がイミド化
され、ポリイミドワニスが得られる。また、無水酢酸、
無水フタル酸等をイミド化剤として用いて、ピリジン、
γ−ピコリン、イミダゾール、トルチルアミン等の第３
級アミン類を触媒として用いてイミド化する方法も適用
できる。この場合、室温〜３００℃、好ましくは室温〜
２００℃において０．５〜２４時間イミド化することに
よりポリイミドワニスが得られる。

【００１７】芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
二無水物との重合溶媒、即ちワニスの溶媒として、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルメトキシアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルスルホン、
ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−
メチルカプロラクタム、プチロラクタム、テトラヒドロ
フラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、１，２−ジ
メトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテ
ル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビ
ス２−（２−メトキシエトキシ）エチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキ
サン、ピリジン、ピコリン、ジメチルスルホキシド、ジ
メチルスルホン、クレゾール、フェノール、アニソール
等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を併用
して使用してもよい。

【００１８】塗布工程での作業性を考慮すると、ワニス
濃度はポリアミック酸またはポリイミドの含有率が５〜
４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１
０〜３０重量％である。また、同様の観点から、室温に
おけるワニスのＢ型粘度は、１０〜１００，０００ｃｐ
ｓにあることが好ましい。さらに好ましくは１００〜５
０，０００ｃｐｓである。

【００１９】本発明に利用されるワニスの脱泡方法は、
ワニス中の気泡を除去できる方法であれば制限はない
が、好ましくは、減圧脱泡法、薄膜式減圧脱泡法、遠心
薄膜脱泡法等が有効に利用できる。減圧脱泡を行う際の
圧力が１０，０００Ｐａ以下であると脱泡効率が良い。
減圧脱泡の圧力は、ワニスの溶媒によって変えることが
好ましい。具体的には、ワニスの溶媒の蒸気圧±１，０
００Ｐａ程度の圧力下で行うことが好ましい。また、ワ
ニスの粘度が脱泡効率に影響を及ぼすのでそれを考慮す
ると、ワニスの温度は３０〜８０℃に制御されているこ
とが好ましい。ワニスの粘度が１，０００ｃｐｓを超え
るような高い場合は、ワニス内での気泡の拡散が制限さ
れることから撹拌を行うことが好ましい。撹拌方法に制
限はないが、容器回転式撹拌機、ヘリカルリボン式撹拌
機、マックスブレンド撹拌機、フルゾーン撹拌機、碇型
撹拌機等を利用することができる。

【００２０】遠心力により薄膜を形成する遠心薄膜脱泡
法も適用でいる。遠心薄膜脱泡法としては、ワニスを円
筒形回転体の内部に導入し、円筒形回転体を高速回転さ
せることにより円筒形回転体の内部にワニス薄膜を形成
させ、遠心力によりワニス中の気泡を分離する方法であ
る。遠心力としは１０〜１０，０００Ｇ（重力加速度）
程度の範囲から選択される。好ましくは１０〜５，００
０Ｇである。また、溶媒の飛散、ワニスの粘度等を考慮
すると、温度は３０〜８０℃が好ましい。減圧脱泡法と
遠心薄膜脱泡法の両者を組み合わせて利用することもで
きる。例えば、特開昭５８−１０１７０８号公報に記載
されている遠心式真空脱泡装置等を利用することができ
る。また、特開昭５６−８１１１２号公報に記載されて
いるような、超音波を利用した脱泡法も適用できる。こ
の場合、周波数１０〜５０ＫＨＺ程度の超音波を使用す
ることが好ましい。

【００２１】脱泡したワニスをフィルターに通すことに
より気泡の除去効率がさらに向上する。フィルター装置
としては制限はないが、筒型繊維フィルター、焼結金属
フィルター、セラッミクフィルター等が利用できる。フ
ィルターの目開きが１００〜０．０１μｍであるフィル
ターが好ましい。

【００２２】基材層へのワニスの塗工方法には制限はな
く、公知の塗工方法が適用できる。例えば、ダイコート
法、リバースロールコート法、グラビアコート法、メイ
ヤーバーコート法、ブレードコート法、コンマコート法
が挙げられる。基材層へワニスを塗布する際のワニス温
度は、３０〜８０℃の温度範囲に調節することが好まし
い。ワニスの塗布厚みは、乾燥、硬化を行なった後のポ
リイミド層の厚みが１〜１００μｍ、好ましくは１〜５
０μｍとなるように塗布する。また、塗布層を乾燥する
温度は、６０〜２００℃、好ましくは１００〜１６０℃
程度であり、その乾燥時間は、０．５〜６０分間程度で
ある。また、乾燥方法としては、ピンテンター方式、ロ
ールサポート方式、エアーフロート方式が挙げられ、熱
源とし熱風乾燥、電気ヒーター乾燥等の公知のものが挙
げられる。

【００２３】乾燥後の硬化方法は、オーブン中における
バッチ式加熱でも、専用の硬化炉による連続式加熱でも
よく、その他公知の方法を用いても差支えない。また、
硬化時の雰囲気は、空気雰囲気中でも、窒素、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気中、または空気とそれら不活性ガ
スとの混合ガス雰囲気中でもよく、適宜選択できる。硬
化温度は１５０〜６００℃程度の温度範囲、所要時間は
０．５〜６０分間程度で行うことが望ましい。

【００２４】本発明のフレキシブル配線板用基材の内、
基材層が金属薄板であるものは、これにエッチング加
工、打ち抜き加工等の精密加工を施すことにより、１０
μｍ程度の狭い配線幅の通電用回路を形成することがで
きる。また、基材層がポリイミドフィルムであるもの
は、別途形成された通電用回路と張り合わせ加工（積
層）してその絶縁層して利用される。

【００２５】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。尚、ポリイミド層の空孔は下記方法に
より測定した。

【００２６】（１）ポリイミド層の空孔の測定方法 ＜試料の調製＞得られたフレキシブル配線板用基材から
無作為に一辺長３０ｃｍの正方形の試料を採取する。そ
の試料の金属箔層をエッチングにより全て除去してポリ
イミド層のみとする。得られたポリイミド層をさらに切
断して一辺長３ｃｍの正方形の試料１００枚を調製す
る。その中から無作為に１０枚選び出して空孔測定用試
料とする。

【００２７】＜空孔の測定方法＞視野に５μｍ以下の目
盛りを有する光学顕微鏡（１００倍）を用いて、上記１
０枚の試料についてその全面を観察し、気泡の有無、及
びサイズ別気泡の数を測定する。

【００２８】合成例１ 撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてＮ，
Ｎ’−ジメチルアセトアミド２４，５６０ｇを加え、こ
れにＡＰＢ２，９２０ｇ（１０モル）を加えて、室温、
窒素雰囲気下で撹拌、溶解した。これに、ＢＴＤＡ３，
１８７ｇ（９．９モル）を４分割して加え、室温で２４
時間撹拌して、ポリアミック酸ワニスを得た。得られた
ポリアミック酸ワニスは、２３℃における粘度７０ポイ
ズ、対数粘度０．７ｄｌ／ｇであった。（対数粘度は、
０．５重量％濃度のＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド溶
液を、２３℃においてＥ型粘度計を使用して測定し、求
めた値である。他の合成例においても同様である。）

【００２９】合成例２ 撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてＮ−
メチルピロリドン２４，５６０ｇを加え、これにＡＰＢ
２，９２０ｇ（１０モル）を加えて、室温、窒素雰囲気
下で撹拌、溶解した。これに、ＢＴＤＡ３，１８７ｇ
（９．９モル）を、４分割して加え、室温で２４時間撹
拌した。その後、無水フタル酸１１．１８４ｇ（０．８
モル）を加え、室温で３時間混合し、ポアミック酸ワニ
スを得た。該ワニスを窒素雰囲気下で１８０℃に加熱し
１６時間撹拌してポリイミドワニスを得た。得られたポ
リイミドワニスは、粘度７０ポイズ、対数粘度０．５３
ｄｌ／ｇであった。

【００３０】合成例３ ＡＰＢ（１０モル）に代えて、ＰＰＤ（５モル）及びＯ
ＤＡ（５モル）を用い、また、ＢＴＤＡ（９．９モル）
に代えてＰＭＤＡ（４．９５モル）及びＢＰＤＡ（４．
９５モル）を用い、さらにＮ，Ｎ’−ジメチルアセトア
ミドを２１，０００ｇとした以外は、合成例１と同様に
してポアミック酸ワニスを得た。得られたワニスの粘度
は１５ポイズ、対数粘度は０．９ｄｌ／ｇであった。

【００３１】合成例４ ＡＰＢ（１０モル）に代えて、ｍ−ＢＰ（１０モル）を
用い、また、ＢＴＤＡ（９．９モル）に代えて、ＰＭＤ
Ａ（９．９モル）を用い、さらにＮ，Ｎ’−ジメチルア
セトアミドを３３，０００ｇとした以外は、合成例１と
同様にしてポアミック酸ワニスを得た。得られたワニス
の粘度は、６ポイズ、対数粘度は０．９ｄｌ／ｇであっ
た。

【００３２】合成例５ ＡＰＢ（１０モル）に代えて、ＤＡＢＰ（１０モル）を
用い、また、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミドを３０，
０００ｇ用いた以外は、合成例１と同様にしてポアミッ
ク酸ワニスを得た。得られたワニスの粘度は、１１ポイ
ズ、対数粘度は０．９ｄｌ／ｇであった。

【００３３】合成例６ ＢＴＤＡ（９．９モル）に代えて、ＯＤＰＡ（９．９モ
ル）を用い、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド２４，０
００ｇを用いた以外は、合成例１と同様にしてポアミッ
ク酸ワニスを得た。得られたワニスの粘度は、８０ポイ
ズ、対数粘度は０．９ｄｌ／ｇであった。

【００３４】実施例１ 合成例１で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット及びダブルヘリカルリボン翼の撹拌機
付き）に移した。４０℃に保温しながら真空ポンプを用
いて容器内を脱気し５００Ｐａにおいて６０分間減圧、
脱気した。さらに、撹拌機（ダブルヘリカルリボン翼）
を用いて１回転／分で１０時間撹拌して減圧脱泡を行っ
た。得られたワニスを１時間静置した後、圧縮空気でダ
イコーターへ移送しワニス温度を４０℃に制御した。硬
化後のポリイミド層の厚みが２５μｍとなるようにワニ
スを銅箔（厚み：１８μｍ）に塗工し、乾燥炉内で１２
０〜１４０℃において１０分間乾燥した。次いで、硬化
炉を用いて、１５０〜４５０℃まで段階的に昇温しなが
ら窒素雰囲気中で１６分間硬化を行ってポリイミド層を
形成し、フレキシブル配線用基材を製造した。得られた
フレキシブル配線用基材のポリイミド層の空孔を上記方
法により測定た。その結果、１枚の試料に直径１μｍの
空孔が１個観察されたが、他の９枚の試料には空孔が認
められなかった。微細加工を行うためのフレキシブル配
線用基材として適切なものであった。

【００３５】実施例２ 合成例２で得たポリイミドワニスを実施例１と同様の方
法により減圧脱泡を行った。脱泡ワニスを１時間静置し
た後、圧縮空気を用いて、目開き１μｍの筒型繊維フィ
ルター（ＳＭＣ社製、形式；ＦＧＤ、エレメントファイ
バー：ポリプポピレン）を通してダイコーターへ移送し
た。以降、実施例１と同様にして、銅箔（厚み：１８μ
ｍ）の片面に厚み２５μｍのポリイミド層を形成してフ
レキシブル配線用基材を製造した。得られたフレキシブ
ル配線用基材のポリイミド層の空孔を上記方法により測
定た。その結果、いずれの試料にも空孔は観察されなか
った。微細加工を行うためのフレキシブル配線用基材と
して適切なものであった。

【００３６】比較例１ 合成例１で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット及びダブルヘリカルリボン翼の撹拌機
付き）に移した。４０℃に保温し１０時間静置した後、
圧縮空気を用いてダイコーターへ移送した。以降、実施
例１と同様にして、銅箔（厚み：１８μｍ）の片面に厚
み２５μｍのポリイミド層を形成してフレキシブル配線
用基材を製造した。得られたフレキシブル配線用基材の
ポリイミド層の空孔を上記方法により測定た。その結
果、直径１０〜５０μｍの空孔が合計１０個観察され
た。微細加工を行う為のフレキシブル配線用基材として
は不適切なものであった。

【００３７】比較例２ 合成例１で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット付き）に移した。４０℃に保温し１０
時間静置した後、圧縮空気を用いて、実施例２と同様の
筒型繊維フィルターを通してダイコーターへ移送した。
以降、実施例１と同様にして、銅箔（厚み：１８μｍ）
の片面に厚み２５μｍのポリイミド層を形成してフレキ
シブル配線用基材を製造した。得られたフレキシブル配
線用基材のポリイミド層の空孔を上記方法により測定
た。その結果、直径１０〜５０μｍの空孔が合計２個観
察された。微細加工を行う為のフレキシブル配線用基材
としては不適切なものであった。

【００３８】実施例３ 合成例３で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット付き）に移し、５０℃に保温し１０時
間静置した後、密閉式ギアポンプを用いて、薄膜式真空
脱泡機（ネオテック社製）へ移送し、膜厚：２ｍｍ、圧
力：５００Ｐａにおいて脱泡を行った。さらにその後、
目開き５μｍの筒型焼結金属フィルター（ＳＭＣ社製、
形式；ＦＧＤ、エレメント：ＳＵＳ焼結金属）を通し
た。以降、リバースコーターを用いた以外、実施例１と
同様にして、銅箔（厚み：１８μｍ）の片面に厚み１０
μｍのポリイミド層を形成してフレキシブル配線用基材
を製造した。得られたフレキシブル配線用基材のポリイ
ミド層の空孔を上記方法により測定た。その結果、いず
れの試料にも空孔は観察されなかった。微細加工を行う
ためのフレキシブル配線用基材として適切なものであっ
た。

【００３９】実施例４ 合成例４で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット付き）に移し、４０℃に保温し１０時
間静置した後、密閉式ギアポンプを用いて、薄膜式真空
脱泡機（ネオテック社製）へ移送し、膜厚：２ｍｍ、圧
力：５００Ｐａにおいて脱泡を行った。以降、グラビア
コーターを用いた以外、実施例１と同様にして、銅箔
（厚み：１８μｍ）の片面に厚み３μｍのポリイミド層
を形成してフレキシブル配線用基材を製造した。得られ
たフレキシブル配線用基材のポリイミド層の空孔を上記
方法により測定た。その結果、いずれの試料にも空孔は
観察されなかった。微細加工を行うためのフレキシブル
配線用基材として適切なものであった。

【００４０】実施例５ 合成例５で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット付き）に移し、４０℃に保温し１０時
間静置した後、密閉式ギアポンプを用いて、遠心分離式
薄膜脱泡機へ移送し、膜厚：１ｍｍ、圧力：３００Ｐ
ａ、遠心力：１００Ｇにおいて脱泡を行った。以降、メ
イヤーバーコーターを用いた以外、実施例１と同様にし
て、銅箔（厚み：１８μｍ）の片面に厚み３μｍのポリ
イミド層を形成してフレキシブル配線用基材を製造し
た。得られたフレキシブル配線用基材のポリイミド層の
空孔を上記方法により測定た。その結果、いずれの試料
にも空孔は観察されなかった。微細加工を行うためのフ
レキシブル配線用基材として適切なものであった。

【００４１】実施例６ 合成例６で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット付き）に移し、４０℃に保温し１０時
間静置した後、密閉式ギアポンプを用いて、遠心分離式
薄膜脱泡機へ移送し、膜厚：１ｍｍ、圧力：３００Ｐ
ａ、遠心力：１００Ｇにおいて脱泡を行った。その後、
目開き１μｍの筒型繊維フィルター（ＳＭＣ社製、形
式：ＦＧＤ、エレメントファイバー：ポリプロピレン）
を通した。以降、コンマコーター（ヒラノテクシード社
製）を用いた以外、実施例１と同様にして、銅箔（厚
み：１８μｍ）の片面に厚み２５μｍのポリイミド層を
形成してフレキシブル配線用基材を製造した。得られた
フレキシブル配線用基材のポリイミド層の空孔を上記方
法により測定た。その結果、いずれの試料にも空孔は観
察されなかった。微細加工を行うためのフレキシブル配
線用基材として適切なものであった。

【００４２】実施例７ 合成例６で得たポリアミック酸ワニスを３０リットルの
容器（ジャケット及びダブルヘリカルリボン翼の撹拌機
付き）に移した。４０℃に保温しながら真空ポンプを用
いて容器を５，０００Ｐａ迄真空に脱気した。その後、
ダブルヘリカルリボン翼の撹拌機を用いて１回転／分で
１０時間撹拌し、減圧脱泡を行った。得られたワニスを
１時間静置した後、圧縮空気を用いて、目開き１μｍの
筒型繊維フィルター（ＳＭＣ社製、形式：ＦＧＤ、エレ
メントファイバー：ポリプロピレン）を通した。以降、
ブレードコーターを用いた以外、実施例１と同様にし
て、銅箔（厚み：１８μｍ）の片面に厚み２５μｍのポ
リイミド層を形成してフレキシブル配線用基材を製造し
た。得られたフレキシブル配線用基材のポリイミド層の
空孔を上記方法により測定た。その結果、１枚の試料に
直径３μｍの空孔が１個観察されたが、他の９枚の試料
には空孔が認められなかった。微細加工を行うためのフ
レキシブル配線用基材として適切なものであった。

【００４３】

【発明の効果】本発明のフレキシブル配線用基材の特徴
は、予め脱泡操作が施されたポリアミック酸ワニスまた
はポリイミドワニスから形成されたポリイミド層を有す
る点にある。そのため、ポリイミド層には１０μｍ以上
の空孔が存在しない。従って、本発明のフレキシブル配
線用基材にエッチング加工、打ち抜き加工、張り合わせ
加工等の精密加工を施すことにより、１０μｍ程度の狭
い配線幅の回路を形成しても回路間の絶縁性が充分に確
保でき、絶縁不良をきたすことがない。精密な回路を有
する電子部品、電子部品間の配線を行う実装配線板、Ｉ
Ｃのリード、ヒーター等の広い分野において好適に使用
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 喜剛 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 大坪 英二 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材層の少なくとも片表面に、ポリアミ
   ック酸ワニス及びポリイミドワニスから選ばれた少なく
   とも１種のワニスを塗布、加熱してポリイミド層を形成
   したフレキシブル配線板用基材であって、該ポリイミド
   層が直径１０μｍ以上の空孔を有しないことを特徴とす
   るフレキシブル配線板用基材。
2. 【請求項２】 基材層が、銅、アルミニウム、ステンレ
   ススチールから選ばれた金属薄板であることを特徴とす
   る請求項１記載のフレキシブル配線板用基材。
3. 【請求項３】 基材層が、ポリイミドフィルムであるこ
   とを特徴とする請求項１記載のフレキシブル配線板用基
   材。
4. 【請求項４】 ワニスが、１，３−ビス（３−アミノフ
   ェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェ
   ノキシ）ビフェニル、３，３’−ジアミノベンゾフェノ
   ン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−オキシジアニ
   リンから選ばれた少なくとも一種の芳香族ジアミンと、
   ピロメリット酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、
   ３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
   二無水物及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
   ルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種の芳香族
   テトラカルボン酸二無水物とを重合、または、重合、脱
   水したものの有機溶媒溶液であることを特徴とする請求
   項１記載のフレキシブル配線板用基材。
5. 【請求項５】 基材層の少なくとも片表面に、ポリアミ
   ック酸ワニス及びポリイミドワニスから選ばれた少なく
   とも１種のワニスを塗布、加熱してポリイミド層を形成
   するフレキシブル配線板用基材の製造方法であって、ワ
   ニスに脱泡操作を施した後、基材層の少なくとも片表面
   に塗布することを特徴とするフレキシブル配線板用基材
   の製造方法。
6. 【請求項６】 基材層が、銅、アルミニウム、ステンレ
   ススチールから選ばれた金属薄板であることを特徴とす
   る請求項５記載のフレキシブル配線板用基材の製造方
   法。
7. 【請求項７】 基材層が、ポリイミドフィルムであるこ
   とを特徴とする請求項５記載のフレキシブル配線板用基
   材の製造方法。
8. 【請求項８】 ワニスが、１，３−ビス（３−アミノフ
   ェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェ
   ノキシ）ビフェニル、３，３’−ジアミノベンゾフェノ
   ン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−オキシジアニ
   リンから選ばれた少なくとも一種の芳香族ジアミンと、
   ピロメリット酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、
   ３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
   二無水物及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
   ルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種の芳香族
   テトラカルボン酸二無水物とを重合、または、重合、脱
   水したものの有機溶媒溶液であることを特徴とする請求
   項５記載のフレキシブル配線板用基材の製造方法。
9. 【請求項９】 脱泡操作が、ワニス溶媒の蒸気圧±１，
   ０００Ｐａでの減圧脱泡、重力加速度１０〜１０，００
   ０Ｇでの遠心薄膜脱泡、及び、１０〜５０ＫＨＺの超音
   波利用脱泡から選ばれた少なくとも１種の脱泡操作を３
   ０〜８０℃において実施するものであることを特徴とす
   る請求項５記載のフレキシブル配線板用基材の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 脱泡操作の後、ワニスを目開き０．０
    １〜１００μｍのフィルターを通過させることを特徴と
    する請求項５または９のいずれかに記載のフレキシブル
    配線板用基材の製造方法。