JP2003327925A - 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング工程ではダイシングテープとして
作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信
頼性に優れる接着シートを提供する。 【解決手段】 （Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹
脂及び（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発現する化合
物を含有する粘接着剤層を備えたことを特徴とする接着
シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着シート、それ
を使用した半導体装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子と半導体素子搭載用支
持部材の接合には銀ペーストが主に使用されていた。し
かし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使
用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるよう
になってきている。こうした要求に対して、銀ペースト
では、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボ
ンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の
制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより前
記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前
記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使
用されるようになってきた。

【０００３】このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式
あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されてい
る。前者の個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて
半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムを
カッティングあるいはパンチングによって個片に切り出
した後その個片を支持部材に接着し；前記フィルム状接
着剤付き支持部材にダイシング工程によって個片化され
た半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製
し；その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程な
どを経ることによって半導体装置が得られることとな
る。しかし、前記個片貼付け方式のフィルム状接着剤を
用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に
接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペー
ストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるとい
う問題があった。一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の
フィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、
まず半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼付けさ
らにフィルム状接着剤の他面にダイシングテープを貼り
合わせ；その後前記ウェハからダイシングによって半導
体素子を個片化し；個片化したフィルム状接着剤付き半
導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合し；そ
の後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ること
により半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏
面貼付け方式のフィルム状接着剤は、フィルム状接着剤
付き半導体素子を支持部材に接合するためフィルム状接
着剤を個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト
用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの
装置の一部を改良することにより使用できる。そのた
め、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で製造コス
トが比較的安く抑えられる方法として注目されている。

【０００４】このウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接
着剤と共に用いられるダイシングテープは、感圧型とＵ
Ｖ型ダイシングテープに大別される。前者の感圧型ダイ
シングテープは、通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフ
ィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものであ
る。このダイシングテープは、ダイシング工程における
切断時にはダイシングソウによる回転で各素子が飛散し
ないような十分な粘着力が求められ、ピックアップ時に
は各素子に接着剤が付着することなくまた素子を傷つけ
ないようにするためにピックアップできる程度の低い粘
着力が求められる。ところが、前記のような相反する２
つの性能を充分併せ持つ感圧型ダイシングテープがなか
ったことより、各工程毎にダイシングテープを切替える
作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件にあ
った各種の粘着力を有する多種多様のダイシングテープ
が必要になることから接着シートの在庫管理が複雑化し
ていた。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化
が進んだ結果半導体素子が大型化する傾向にあり、また
ＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品にあって
は使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半
導体素子の大型化や薄型化に伴い、前記感圧型ダイシン
グテープでは、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピ
ックアップ時の剥離力（低粘着力）という相反する要求
を満足できなくなりつつある。一方、後者のＵＶ型ダイ
シングテープはダイシング時には高粘着力を有するもの
の、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射するこ
とにより低粘着力になる。そのため、前記感圧型テープ
が有する課題が改善されることより、ダイシングテープ
として広く採用されるに至っている。このＵＶ型ダイシ
ングテープを用いることにより前記感圧型ダイシングテ
ープの課題は改善されるものの、ウェハ裏面貼付け方式
のフィルム状接着剤にはさらに改善すべき課題が残され
ていた。即ち、ウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着
剤を用いる方法にあっては、前記ダイシング工程まで
に、フィルム状接着剤とダイシングテープを貼付すると
いった２つの貼付工程が必要であったことから、作業工
程の簡略化が求められていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテ
ープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程
では接続信頼性に優れる接着シートを提供することを目
的とする。また、この接着シートは、半導体素子搭載用
支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装す
る場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作
業性に優れる接着シートである。本発明は、さらに、半
導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【問題を解決するための手段】本願は以下の発明に関す
る。 １． （Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び
（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発現する化合物を含
有する粘接着剤層を有する接着シート。 ２． 前記（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発現する
化合物がマレイミド誘導体である前記１に記載の接着シ
ート。 ３． 前記（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発現する
化合物が下記式（１）で示されるポリエーテル系ビスマ
レイミド酢酸エステルである前記２に記載の接着シー
ト。

【化２】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、ｎ＝１〜１
０） ４． 前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル
の数平均分子量が１０００以下である前記３に記載の接
着シート。 ５． 前記（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂およびエ
ポキシ樹脂硬化剤である前記１〜４のいずれかに記載の
接着シート。 ６． 前記（Ａ）熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂である
前記１〜５のいずれかに記載の接着シート。 ７． 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が官能性モノマーを含む
重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分である
前記１〜５のいずれかに記載の接着シート。 ８． 前記官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０
万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有反復単位
を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有（メタ）ア
クリル共重合体である前記７に記載の接着シート。 ９． 前記粘接着剤層が、前記ポリイミド樹脂を１００
重量部、前記エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を
１〜２００重量部、及び前記ポリエーテル系ビスマレイ
ミド酢酸エステルを０．１〜２００重量部含有する前記
６に記載の接着シート。 １０． 前記粘接着剤層が、前記エポキシ樹脂およびエ
ポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、前記官能性モノマー
を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分
を１０〜４００重量部、及び前記ポリエーテル系ビスマ
レイミド酢酸エステルを０．１〜２００重量部含有する
前記７に記載の接着シート。 １１． 前記接着剤層が、２５℃で１０〜２０００ＭＰ
ａ、および２６０℃で３〜５０ＭＰａの加熱硬化後の貯
蔵弾性率を有する前記１０に記載の接着シート。 １２． さらに、基材を有する前記１〜１１に記載の接
着シート。 １３． 前記粘接着剤層と前記基材との間の接着力が放
射線の照射により制御されるものである前記１２に記載
の接着シート。 １４． 前記１〜１３のいずれか１項に記載の接着シー
トを用いて半導体素子と半導体搭載用支持部材とを接着
した半導体装置。 １５． （ａ）前記１２又は１３に記載の粘接着剤層と
基材層とを有する接着シートを前記粘接着剤層を挟んで
半導体ウェハ上に設けることにより接着シート付き半導
体ウェハを得る工程と、（ｂ）前記接着シート付きウェ
ハをダイシングして接着シート付き半導体素子を得る工
程と、（ｃ）前記接着シートに放射線を照射して前記粘
接着剤層の前記基材層に対する接着力を低減し、かつ前
記基材層を剥離して粘接着剤層付き半導体素子を得る工
程と、（ｄ）前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素
子搭載用の支持部材とを前記粘接着剤層を介して接着す
る工程と、を含む半導体装置の製造方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の接着シートは、（Ａ）熱
可塑性樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂及び（Ｃ）放射線照射
によって硬化性を発現する化合物を含有する粘接着剤層
を備えたことを特徴とする。かかる構成を有することよ
り、本発明の接着シートは、ダイシング工程ではダイシ
ングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接
合工程では接続信頼性に優れる接着シートとして作用す
ることとなる。言い換えると、本発明の接着シートを構
成する前記粘接着剤層は、ダイシング時には半導体素子
が飛散しない十分な粘着力を有し、かつ、放射線を照射
して前記粘接着剤層と基材との間の接着力を制御するこ
とにより、ピックアップ時には各素子を傷つけることが
ない低い粘着力を有するという相反する要求を満足する
ものである。従って、本発明の接着シートを用いること
で、ダイシングおよびダイボンドの各工程を、一枚の接
着シートで完了することができることとなる。

【０００８】前記（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発
現する化合物とは、マレイミド誘導体であり、具体的に
は、下記式（１）で示されるポリエーテル系ビスマレイ
ミド酢酸エステルであり、さらに具体的には数平均分子
量が１０００以下であることを特徴とする。

【化３】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、ｎ＝１〜１
０）

【０００９】前記式（１）中のＲは、炭素数１〜１０の
アルキル基であるが、より好ましくはＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂
ＣＨ₂である。炭素数が１０を超えると、放射線照射後
のピックアップ時に各素子を傷つける傾向があり、好ま
しくない。前記式（１）中のｎ数は１〜３０であるが、
好ましくは１〜１０であり、より好ましくは２〜５であ
る。ｎ数が３０を超えると、放射線照射後のピックアッ
プ時に各素子を傷つける傾向があり、好ましくない。

【００１０】前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エ
ステルは、光開始剤の添加なしで、放射線照射時の良好
な硬化性を発現するが、硬化性の制御にあたっては、適
宜光開始剤を添加してもよい。放射線照射時の硬化性を
制御する目的で、前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢
酸エステルと脂肪族アクリレートまたは芳香族アクリレ
ートを組み合わせることもできる。上記硬化性を抑制す
る場合は、芳香族アクリレートとの組み合わせが有効で
ある。本発明の接着シートにおいて、使用する（Ｂ）熱
硬化性樹脂としては、熱によって重合あるいは架橋する
樹脂組成物であれば特に限定されるものではないが、好
ましくはエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、硬化し
て接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビ
スフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシ
ジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジル
エーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型
のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビス
フェノールＡ型のグリシジルエーテルなどの二官能エポ
キシ樹脂、フェノールノボラック型グリシジルエーテル
やクレゾールノボラック型グリシジルエーテルなどのノ
ボラック型エポキシ樹脂、３官能型（又は４官能型）の
グリシジルエーテル等の多官能エポキシ樹脂、ジシクロ
ペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル等の
脂環式エポキシ樹脂、ダイマー酸のグリシジルエステ
ル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン等の
グリシジルアミン型エポキシ樹脂等、ナフタレン樹脂、
複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを
適用することができる。

【００１１】このようなエポキシ樹脂として、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ
（株）製 エピコート８０７，８１５，８２５，８２
７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，
１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３０１，
３６１、東都化成（株）製 ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１
７０などが挙げられる。フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコ
ート１５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰＰＮ−２
０１、ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８などが、ま
た、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂として
は、日本化薬（株）製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３
Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化
成（株）製 ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４
などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化
シェルエポキシ（株）製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバ
スペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイト０１６
３、ナガセ化成（株）製 デナコールＥＸ−６１１，６
１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４
１１，３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂
としては、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート６
０４、東都化成（株）製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学
（株）製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友
化学（株）製 ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。複素
環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケ
ミカルズ社製 アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社
製 ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６な
どが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独でまた
は２種類以上を組み合わせても、使用することができ
る。

【００１２】上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常
用いられている公知の硬化剤を使用することができる。
たとえば、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリア
ミン等のアミン類、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環
族酸無水物、芳香族酸無水物等の酸無水物、ポリスルフ
ィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基
を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノ
ールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂
またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール系化
合物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ
化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン等
が挙げられ、などが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性
に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂
などのフェノール系化合物が好ましい。

【００１３】好ましいフェノール系化合物としては、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタ
ジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェ
ンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノー
ルノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリス
フェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−
ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂
等が挙げられ、たとえば、大日本インキ化学工業（株）
製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライト
ＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノラ
イトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フ
ェノライトＶＨ４１７０、本州化学（株）製ＴｒｉｓＰ
−ＰＡなどが挙げられる。

【００１４】本発明の接着シートにおいて、使用する
（Ａ）熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリア
ミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミ
ド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、
ポリエーテルケトン樹脂、官能性モノマーを含む重合体
等があるが、好ましいものは官能性モノマーを含む重合
体及びポリイミド樹脂である。

【００１５】前記官能性モノマーを含む重合体として
は、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリ
レートなどの官能性モノマーを含有するエポキシ基含有
（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、さらにエポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好まし
い。

【００１６】エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体
は、たとえば、（メタ）アクリルエステル共重合体、ア
クリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムが
より好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを
主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロ
ニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアク
リロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。

【００１７】官能性モノマーとしては、グリシジルアク
リレートまたはグリシジルメタクリレートなどを使用す
ることが好ましい。このようなエポキシ基含有（メタ）
アクリル共重合体としては、たとえば、帝国化学産業
（株）製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３などが挙げられる。

【００１８】グリシジルアクリレートまたはグリシジル
メタクリレートなどのエポキシ樹脂含有反復単位の量
は、０．５〜６．０重量％が好ましく、０．５〜５．０
重量％がより好ましく、０．８〜５．０重量％が特に好
ましい。エポキシ基含有反復単位の量がこの範囲にある
と、接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止するこ
とができる。

【００１９】官能性モノマーとしては、グリシジルアク
リレート、グリシジルメタクリレートのほかに、たとえ
ば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アク
リレートなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種
類以上を組み合わせて使用することもできる。なお、本
発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチ
ルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。
官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率
は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを
考慮して決定し、Ｔｇは−５０℃以上であることが好ま
しい。Ｔｇが−５０℃以上であると、Ｂステージ状態で
の粘接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問
題を生じないからである。

【００２０】上記モノマーを重合させて、官能性モノマ
ーを含む重合体を製造する場合、その重合方法としては
特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合など
の方法を使用することができる。

【００２１】また、ポリイミド樹脂としては、例えば、
テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮
合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中
で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又は
ほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度
８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。
用いる有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チル スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、
ｍ−クレゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。反応
が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイ
ミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。前記ポリ
アミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させ
ることによって、その分子量を調整する。

【００２２】ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミ
ド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環
は、１２０℃〜２５０℃で加熱処理する熱閉環法と、脱
水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。熱閉環
法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行
うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等を用いて水を共沸除去してもよい。化学的方法で
脱水閉環させる場合は、閉環剤として無水酢酸、無水プ
ロピオン酸、無水安息香酸の酸無水物、ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用い
る。このとき必要に応じてピリジン、イソキノリン、ト
リメチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の閉
環触媒を用いてもよい。閉環剤又は閉環触媒は、テトラ
カルボン酸二無水物１モルに対し、それぞれ１〜８モル
の範囲で使用するのが好ましい。なお、本発明において
ポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称
する。ポリイミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、
ポリアミド酸が部分的にイミド化したものがある。

【００２３】ポリイミド樹脂の原料として用いられるテ
トラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例え
ば、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート
無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（ト
リメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−
（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，
１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット
酸ニ無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテ
トラカルボン酸ニ無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、
１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン
ニ無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エタンニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，
２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナ
フタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テ
トラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロ
ロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無
水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカル
ボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，
３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無
水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフ
ェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベン
ゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキ
サン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無
水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロ
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキ
サヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン
酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テ
トラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ
〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水
物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン二無水物、２，２，−ビス〔４−（３，４−ジ
カルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビ
ス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベン
ゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２
−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビ
ス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソ
テトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラ
ン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，
４‘−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビ
ス（フタル酸二無水物）等を使用することができ、これ
らの１種または２種以上を併用することもできる。

【００２４】また、ポリイミドの原料として用いられる
ジアミンとしては特に制限は無く、例えば、ｏ−フェニ
レンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレ
ンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェ
ニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４
−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス
（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、
３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’
−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノ
ジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニル
スルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジア
ミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニル
ケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２
−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−
（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，
２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチ
ルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−
フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリ
ン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチル
エチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）
スルフィド、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニ
ル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フ
ェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノエノキ
シ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸
等の芳香族ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５
−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，
７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、
１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、
１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノド
デカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式
（２）

【００２５】

【化４】

【００２６】（式中、Ｒ_１及びＲ_２は炭素原子数１〜３
０の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていてもよく、Ｒ_３及びＲ_４は一価の炭化水素基を示
し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｍは１以上
の整数である）で表されるジアミノポリシロキサン、
１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サン
テクノケミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３
０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−
６００，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４
８等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミ
ン等を使用することができ、これらの１種または２種以
上を併用することもできる。

【００２７】熱可塑性樹脂として、官能性モノマーを含
む重合体を使用する場合は、エポキシ樹脂及びエポキシ
樹脂硬化剤１００重量部、官能性モノマーを含む重合体
１０〜４００重量部、及びポリエーテル系ビスマレイミ
ド酢酸エステル０．１〜２００重量部である。この範囲
にあると、弾性率および成型時のフロー性抑制が確保で
き、また高温での取り扱い性も十分に得られる。この重
合体の使用量は、１５〜３５０重量部がより好ましく、
２０〜３００重量部が特に好ましい。この場合、前記粘
接着剤層の２５℃における貯蔵弾性率が１０〜２０００
ＭＰａとなるような組成比が好ましい。

【００２８】熱可塑性樹脂としてポリイミド樹脂を使用
する場合は、ポリイミド樹脂を１００重量部、エポキシ
樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を１〜２００重量部、より
好ましくは１０〜１５０重量部、及びポリエーテル系ビ
スマレイミド酢酸エステルを０．１〜２００重量部であ
る。この範囲にあると、ダイシング時のチップ飛びを抑
え、かつ放射線照射後の良好なピックアップ性を確保で
き、また、ダイボンディング時の良好な接着性と高温で
の十分な取り扱い性を確保できる。

【００２９】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着剤層には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化
促進剤には、特に制限が無く、イミダゾール類、ジシア
ンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフ
ェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラ
フェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ルテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレー
ト等を用いることができる。これらは単独でまたは２種
類以上を組み合わせて使用することができる。

【００３０】硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂およ
びエポキシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．１〜
５重量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好まし
い。添加量がこの範囲にあると、硬化性と保存安定性を
両立することができる。

【００３１】本発明の接着シートを形成する粘接着剤層
には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目
的で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加
することができる。このような高分子量樹脂としては、
特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量エ
ポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられ
る。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて
使用することもできる。エポキシ樹脂と相溶性がある高
分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹
脂硬化剤１００重量部に対して、４０重量部以下とする
ことが好ましい。この範囲であると、エポキシ樹脂層の
Ｔｇを確保できる。

【００３２】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融
粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的と
して、無機フィラーを添加することもできる。無機フィ
ラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミ
ニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マ
グネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、
酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほ
う素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィ
ラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフ
ィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用する
ことができる。

【００３３】中でも、熱伝導性向上のためには、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シ
リカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調
整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アル
ミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

【００３４】無機フィラーの使用量は、粘接着剤層１０
０重量部に対して１〜２０重量部が好ましい。１重量部
未満だと添加効果が得られない傾向があり、２０重量部
を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低
下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす
傾向がある。

【００３５】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、
各種カップリング剤を添加することもできる。カップリ
ング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミ
ニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系
カップリング剤が好ましい。

【００３６】上記シラン系カップリング剤としては、特
に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エト
キシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−
イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシ
ラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
メチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）
アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピ
ルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラ
ン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキ
シ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、
Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラ
ン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシ
リルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、
メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイ
ソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネ
ートなどを使用することができ、単独で又は二種類以上
を組み合わせて使用することができる。

【００３７】また、チタン系カップリング剤としては、
例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネー
ト、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホス
ファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジア
リルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）
ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピル
チタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチル
チタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チ
タネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンア
エチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、
チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、
チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノー
ルアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソ
ブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレ
シルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマ
ー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネー
ト）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリ
エタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチ
タネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用する
ことができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用
することができる。

【００３８】アルミニウム系カップリング剤としては、
例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテ
ート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソ
プロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビ
ス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプ
ロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アル
ミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテ
ート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノ
エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合
物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム
−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のア
ルミニウムアルコレートなどを使用することができ、単
独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。

【００３９】上記カップリング剤の使用量は、その効果
や耐熱性及びコストの面から、エポキシ樹脂およびエポ
キシ樹脂硬化剤１００重量部に対して、０．０１〜１０
重量部とするのが好ましい。

【００４０】本発明の接着シートを形成する粘接着剤層
には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性
をよくするために、さらにイオン捕捉剤を添加すること
もできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限
はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェ
ノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防
止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニ
ウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウ
ム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記
イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コ
スト等の点から、（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹
脂硬化剤１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が
好ましい。

【００４１】本発明接着シートは、接着シートを形成す
る組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基
材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによっ
て得ることができる。本発明の接着シートに用いる基材
としては、特に制限は無く、例えば、ポリテトラフルオ
ロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィル
ム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム
などのプラスチックフィルム等が挙げられる。

【００４２】本発明の接着シートは、ダイシング工程終
了後、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの放
射線を接着シートに照射し、放射線重合性を有する接着
シートを重合硬化せしめ、接着シートと基材界面の接着
力を低下させて半導体素子のピックアップを可能にする
ものである。従来の接着シートの場合、基材の表面張力
が４０ｍＮ／ｍを超えると、接着シートと基材界面の接
着力の低下が充分でなく、ピックアップ性に劣る傾向が
あった。しかし、本発明の接着シートは、基材の表面張
力が４０ｍＮ／ｍを超えていても、紫外線（ＵＶ）ある
いは電子線（ＥＢ）などの放射線照射後に、接着シート
と基材界面の接着力が充分に低下し、半導体素子のピッ
クアップが良好になる。したがって、従来は、基材の表
面張力が４０ｍＮ／ｍ以下にするために、使用する基材
フィルムに表面処理をしていたが、本発明の接着シート
では、基材フィルムを表面処理する必要がなく、コスト
的にも有利になる。

【００４３】本発明において照射する放射線は、１５０
〜７５０ｎｍの波長域を持つ活性光線であり、紫外線、
遠紫外線、近紫外線、可視光線、電子線、赤外線、近赤
外線などがある。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハラ
イドランプを使用して０.０１〜１００００Ｊ／ｃｍ²で
照射することができる。

【００４４】また、上記のワニス化するための溶剤とし
ては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性な
どを考慮すると、たとえば、メタノール、エタノール、
２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２
−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセト
ン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなど
の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、
塗膜性を向上させるなどの目的で、たとえば、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を
使用することもできる。これらの溶媒は、単独でまたは
２種類以上を組み合わせて使用することができる。

【００４５】無機フィラーを添加した際のワニスの製造
には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、
３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用する
のが好ましく、また、これらを組み合わせて使用するこ
ともできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあ
らかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することに
よって、混合する時間を短縮することもできる。また、
ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を
除去することもできる。基材フィルムへのワニスの塗布
方法としては、公知の方法を用いることができ、例え
ば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート
法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート
法等が挙げられる。

【００４６】接着シートの厚みは、特に制限はないが、
粘接着剤層、基材ともに５〜２５０μｍが好ましい。５
μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、
２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装
置の小型化の要求に応えられない。

【００４７】また、本発明の接着シートは、所望のシー
ト厚を得るために、さらに１又は２以上の接着剤層又は
粘接着剤層を半導体ウェハと粘接着剤層との間に挟むよ
うに設けてもよい。この場合、前記所望により設けられ
る粘接着剤層として、前記の方法によって調製されたも
のの他に、従来公知の方法によって調製されたものを用
いることができる。前記所望により設けられる粘接着剤
層として、商業的に入手可能な接着シート、例えば、ポ
リイミド系、シリコンオリゴマー系、ゴム−エポキシ
系、エポキシ系接着剤を用いることができる。但し、粘
接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件
を従来公知の技術に基づいて考慮する必要がある。

【００４８】以上説明したような構成を有する接着シー
トに放射線を照射すると、放射線照射後には粘接着剤層
の基材層に対する接着力が大きく低下することとなる。
そのため、後に説明するように半導体装置を製造する際
のダイシング工程において本発明の接着シートを用いる
ことにより、粘接着剤層と、基材層とが容易に剥離する
こととなる結果、粘接着剤層を付した半導体素子を好適
にピックアップすることができる。

【００４９】本発明の接着シートの粘接着剤層は、放射
線照射のみで基材の接着力を低下させる方法以外に放射
線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進す
る目的で加熱を併用しても良い。加熱を併用することに
より、より低温短時間での接着力低下が可能となる。加
熱温度は、粘接着剤層の分解点以下であれば特に制限は
受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。

【００５０】続いて、本発明に係る接着シートの使用方
法について、図１〜図８を参照しながら説明するが、本
発明の使用方法が以下の方法に限定されないことはいう
までもない。尚、図中同一の機能を有するものについて
は同一の符号を付してその説明を省略する。図１には基
材フィルム１と粘接着剤層２とを備える接着シート１０
が開示されており、図２には前記構成要件に加えてさら
に剥離性シート３を備える接着シート１１が開示されて
いる。これらの接着シート１０、１１をダイシングテー
プとして使用する場合、まず接着シート１０、１１の粘
接着剤層２とウェハ表面が密着するようにして所定の作
業台上に載置する。本発明に係る接着シートの上面に剥
離性シート３が設けられている場合には、該シート３を
剥離除去した後に、接着シートの粘接着剤層２を上向き
にして所定の作業台上に載置する。次に、図３に示すよ
うにして、この粘接着剤層２の上面にダイシング加工す
べき半導体ウェハＡを貼着する。この際、前述のよう
に、所望のシート厚を得るためにさらに１又は２以上の
接着剤層又は粘接着剤層を半導体ウェハＡと粘接着剤層
２との間に挟むように設けてもよい。続いて、この貼着
状態で半導体ウェハＡにダイシング、洗浄、乾燥の工程
が加えられる。この際、粘接着剤層２により半導体ウェ
ハＡは接着シートに充分に粘着保持されているので、上
記各工程の間に半導体ウェハＡが脱落することはない。
尚、図４にはダイシングカッター６を用いてウェハＡを
ダイシングすることにより半導体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３
が得られることが示されている。次に、図５に示すよう
に、放射線Ｂを接着シートの粘接着剤層２に照射し、放
射線重合性を有する接着シートの一部又は大部分を重合
硬化せしめる。この際、放射線照射と同時あるいは放射
線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても
良い。加熱を併用することにより、より低温短時間での
接着力低下が可能となる。加熱温度は、粘接着剤層の熱
分解温度以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１
７０℃の温度が好ましい。接着シートへの放射線照射
は、図５中矢印Ｂで示されるように基材フィルム１の粘
接着剤層２が設けられていない面から行う。したがって
前述のように、放射線としてＵＶを用いる場合には基材
フィルム１は光透過性であることが必要であるが、放射
線としてＥＢを用いる場合には基材フィルム２は必ずし
も光透過性である必要はない。放射線照射後、図６に示
されるようにしてピックアップすべき半導体素子Ａ１、
Ａ２、Ａ３を例えば吸引コレット４によりピックアップ
する。この際、吸引コレット４に換えて又は吸引コレッ
ト４と併用するようにして、ピックアップすべき半導体
素子Ａ１、Ａ２、Ａ３を基材フィルム１の下面から、例
えば針扞等により突き上げることもできる。半導体素子
Ａ１と粘接着剤層２との間の粘着力は、粘接着剤層２と
基材フィルム１との間の粘着力よりも大きいため、半導
体素子Ａ１のピックアップを行うと、粘接着剤層２は半
導体素子Ａ１の下面に付着した状態で剥離する（図７参
照）。次いで、半導体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３を粘接着剤
層２を介して半導体素子搭載用支持部材５に載置し加熱
する。加熱により粘接着剤層２は接着力が発現し、半導
体素子Ａ１、Ａ２、Ａ３と半導体素子搭載用支持部材５
との接着が完了する（図８参照）。

【００５１】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いてより詳細に説
明する。本発明は、これらに限定されるものではない。

【００５２】（実施例１）ＹＤＣＮ−７０３（東都化成
（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、エポキシ当量２１０）４２．３重量部、プライオ
ーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製
商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９重
量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業（株）製商
品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量８０万、Ｔ
ｇ−７℃）４４．１重量部、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ
（四国化成工業（株）製商品名、１−シアノエチル−２
−フェニルイミダゾール）０．４重量部、ＮＵＣ Ａ−
１８７（日本ユニカー（株）製商品名、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン）０．７重量部、ルミキ
ュアＭＩＡ２００（大日本インキ化学工業（株）製商品
名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル）２０
重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて
攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ
５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人デュポン
フィルム（株）製、テイジンテトロンフィルムＧ２−５
０）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、基材
を備えた膜厚が５０μｍの接着シート１（基材を除いた
粘接着剤層の厚みが５０μｍ）を得た。

【００５３】（実施例２）温度計、攪拌機及び塩化カル
シウム管を備えた５００ｍｌフラスコに、１，１２−ジ
アミノドデカン５．４１ｇ（０．０４５モル）、エーテ
ルジアミン（BASF製、エーテルジアミン２０００（分子
量：１９２３））１１．５４ｇ（０．０１モル）、ポリ
シロキサンジアミン（信越シリコーン製、ＫＦ−８０１
０（分子量：９００））２４．３ｇ（０．０４５モル）
及びＮ−メチル−２−ピロリドン１６９ｇを仕込み攪拌
した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しな
がら、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェ
ノキシ）ビス（フタル酸二無水物）３１．２３ｇ（０．
１モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させた
のち、キシレン１１２．７ｇを加え、窒素ガスを吹き込
みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除
去し、ポリイミド溶液を得た（樹脂分：３３重量％）。
樹脂分５０ｇ分の前記ポリイミド溶液に、ｏ−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品
名：ＥＳＣＮ−１９５）１３ｇ、フェノールノボラック
樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）６．９ｇ、
テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート
（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．１３ｇ、
ルミキュアＭＩＡ２００（大日本インキ化学工業（株）
製商品名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステ
ル）２０ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン
1００ｇ中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均
一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニス
を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人
デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィル
ム：Ｇ２−５０）上に塗布し、１５０℃で３０分間加熱
乾燥して、基材（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を備えた膜厚が５０μｍの接着シート２（基材を除
いた接着シートの厚みが５０μｍ）を得た。

【００５４】（実施例３）温度計、攪拌機及び塩化カル
シウム管を備えた５００ｍｌフラスコに、攪拌装置、窒
素導入管、乾燥管を備えた１リットルの四つ口のフラス
コに、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン８．２ｇ（０．０２モル）及びポリシ
ロキサンジアミン（信越シリコーン製、ＫＦ−８０１０
（分子量：９００））７２．０ｇ（０．０８モル）を入
れ、窒素気流下、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３２０ｇ
を加えて溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく
攪拌しながら４，４’−（４−４’−イソプロピリデン
ジフェノキシ）−ビス（フタル酸二無水物）５２．０ｇ
（０．１０モル）を少量ずつ加えた。酸二無水物がほぼ
溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら６時間反応させ、
ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記のポリアミド酸溶
液が入った四つ口フラスコに蒸留装置を装着し、キシレ
ン２１０ｇを加えた。窒素気流下、１８０℃の油浴上
で、激しく攪拌しながら、イミド化により生成する縮合
水をキシレンと共に共沸留去した。その反応液を水中に
注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥してポリイミド樹
脂を得た。このポリイミド樹脂５０ｇ、ｏ−クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品
名：ＥＳＣＮ−１９５）１３ｇ、フェノールノボラック
樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）６．９ｇ、
テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート
（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．１３ｇ、
ルミキュアＭＩＡ２００（大日本インキ化学工業（株）
製商品名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステ
ル）２０ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン
２００ｇ中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均
一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニス
を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人
デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィル
ム：Ｇ２−５０）上に塗布し、１５０℃で３０分間加熱
乾燥して、基材（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を備えた膜厚が５０μｍの接着シート３（基材を除
いた接着シートの厚みが５０μｍ）を得た。

【００５５】（比較例１）ＹＤＣＮ−７０３（東都化成
（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、エポキシ当量２１０）４２．３重量部、プライオ
ーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製
商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９重
量部、ＨＴＲ−６００ＬＢＤＲ（帝国化学産業（株）製
商品名、アクリルゴム、分子量１２０万以上、Ｔｇ−４
２℃）４４．１重量部、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四
国化成工業（株）製商品名、１−シアノエチル−２−フ
ェニルイミダゾール）０．４重量部、ＮＵＣ Ａ−１８
７（日本ユニカー（株）製商品名、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン）０．７重量部、４Ｇ（新中
村化学（株）製商品名、テトラエチレングリコールジメ
タクリレート）２２．０５重量部及び１−ヒドロキシシ
クロヘキシルフェニルケトン０．５重量部からなる組成
物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱
気した。この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍのポリエチ
レンテレフタレート（帝人デュポンフィルム（株）製、
テイジンテトロンフィルムＧ２−５０）上に塗布し、１
４０℃で５分間加熱乾燥して、基材を備えた膜厚が５０
μｍの接着シート４（基材を除いた粘接着剤層の厚みが
５０μｍ）を得た。

【００５６】（比較例２）攪拌装置、窒素導入管、乾燥
管を備えた１リットルの四つ口のフラスコに、２，２−
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパ
ン４１．０ｇ（０．１０モル）を入れ、窒素気流下、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン２５０ｇを加えて溶液とし
た。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌しながら１，
２−（エチレン）ビス（トリメリテート二無水物）４
１．０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ加えた。酸二無水
物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら６時間反
応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記のポリア
ミド酸溶液が入った四つ口フラスコに蒸留装置を装着
し、キシレン２２０ｇを加えた。窒素気流下、１８０℃
の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミド化により生成
する縮合水をキシレンと共に共沸留去した。その反応液
を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥してポリ
イミド樹脂を得た。このポリイミド樹脂５０ｇ、ｏ−ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）
製、商品名：ＥＳＣＮ−１９５）１３ｇ、フェノールノ
ボラック樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）
６．９ｇ、テトラフェニルホシホニウムテトラフェニル
ボラート（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．
１３ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン２０
０ｇ中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均一に
分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人デュ
ポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ｇ
２−５０）上に塗布し、１５０℃で３０分間加熱乾燥し
て、基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を備
えた膜厚が５０μｍの接着シート５（基材を除いた接着
シートの厚みが５０μｍ）を得た。

【００５７】得られた接着シート１を用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプ
ル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性及び
耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフローク
ラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフローク
ラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃
でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲ
リフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することによ
り冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラック
を目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生して
いないものを○とし、発生していたものを×とした。耐
温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分
間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する
工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において
超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が発生し
ていないものを○、発生したものを×とした。また、耐
湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×
１０^５Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：Ｐ
ＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察した。剥離の
認められなかったものを○とし、剥離のあったものを×
とした。

【００５８】一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシ
リコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェ
ハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェ
ハをダイシング装置上に固定して１００ｍｍ／ｓｅｃの
速度で５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした後、（株）オー
ク製作所製ＵＶ−３３０ ＨＱＰ−２型露光機を使用し
て、５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で接着シートの支持体
フィルム側から露光し、ピックアップ装置にてダイシン
グしたチップをピックアップし、ダイシング時のチップ
飛び及びピックアップ性を評価した。

【００５９】さらに、上記接着シート付きシリコンウェ
ハに５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で接着シートの支持体
フィルム側から露光し、露光前後の接着シート／基材界
面の接着強度を、９０°ピール強度で測定した（引張り
速度 ５０ｍ／ｍｉｎ）。これらの評価結果をまとめて
表１に示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】表１から、本発明の接着シートは耐熱性お
よび耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びもなく、
ピックアップ性も良好である。さらに、露光前後の接着
強度差が大きいため、作業条件の許容度が大きいため、
作業条件の許容度が大きく、作業性に優れるものであ
る。

【００６２】

【発明の効果】本発明の接着シートは、ダイシング工程
ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の
接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用する
ことができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数
の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱
性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。ま
た、本発明の接着シートを使用した半導体装置の製造方
法は、製造工程を簡略化でき、しかも製造した半導体装
置は、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい
半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性およ
び作業性を兼ね備えるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る接着シートの一例の断面図であ
る。

【図２】本発明に係る接着シートの別の例の断面図であ
る。

【図３】本発明に係る接着シートに半導体ウェハを貼着
した状態を示す。

【図４】本発明に係る接着シートを半導体ウェハのダイ
シング工程に用いた場合の説明図である。

【図５】図４に示す工程の後、接着シートに、裏面から
放射線を照射した状態を示す。

【図６】図５に示す工程の後、半導体素子をピックアッ
プする工程を示す。

【図７】ピックアップされた半導体素子と粘接着剤層を
示す。

【図８】半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に熱圧
着した状態を示す。

【符号の説明】

１…基材フィルム ２…粘接着剤層 ３…剥離性シート ４…吸引コレット ５…半導体素子搭載用支持部材 １０、１１…接着シート Ａ…半導体ウェハ Ａ１、Ａ２、Ａ３…半導体素子 Ｂ…放射線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ 21/52 21/78 Ｍ (72)発明者 川上 広幸 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 稲田 禎一 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA10 AA11 AA13 AB06 BA02 FA05 4J040 DG002 EC001 EE012 EH031 JA09 JB07 LA01 NA20 5F047 BA22 BA23 BA24 BA33 BA37 BB03 BB19

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹
   脂及び（Ｃ）放射線照射によって硬化性を発現する化合
   物を含有する粘接着剤層を有する接着シート。
2. 【請求項２】 前記（Ｃ）放射線照射によって硬化性を
   発現する化合物がマレイミド誘導体である請求項１記載
   の接着シート。
3. 【請求項３】 前記（Ｃ）放射線照射によって硬化性を
   発現する化合物が下記式（１）で示されるポリエーテル
   系ビスマレイミド酢酸エステルである請求項２に記載の
   接着シート。 【化１】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、ｎ＝１〜１
   ０）
4. 【請求項４】 前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸
   エステルの数平均分子量が１０００以下である請求項３
   に記載の接着シート。
5. 【請求項５】 前記（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂
   およびエポキシ樹脂硬化剤である請求項１〜４のいずれ
   かに記載の接着シート。
6. 【請求項６】 前記（Ａ）熱可塑性樹脂がポリイミド樹
   脂である請求項１〜５のいずれかに記載の接着シート。
7. 【請求項７】 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が官能性モノマ
   ーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成
   分である請求項１〜５のいずれかに記載の接着シート。
8. 【請求項８】 前記官能性モノマーを含む重量平均分子
   量が１０万以上である高分子量成分が、エポキシ基含有
   反復単位を０．５〜６重量％含有するエポキシ基含有
   （メタ）アクリル共重合体である請求項７に記載の接着
   シート。
9. 【請求項９】 前記粘接着剤層が、前記ポリイミド樹脂
   を１００重量部、前記エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂
   硬化剤を１〜２００重量部、及び前記ポリエーテル系ビ
   スマレイミド酢酸エステルを０．１〜２００重量部含有
   する請求項６に記載の接着シート。
10. 【請求項１０】 前記粘接着剤層が、前記エポキシ樹脂
    およびエポキシ樹脂硬化剤を１００重量部、前記官能性
    モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分
    子量成分を１０〜４００重量部、及び前記ポリエーテル
    系ビスマレイミド酢酸エステルを０．１〜２００重量部
    含有する請求項７に記載の接着シート。
11. 【請求項１１】 前記接着剤層が、２５℃で１０〜２０
    ００ＭＰａ、および２６０℃で３〜５０ＭＰａの加熱硬
    化後の貯蔵弾性率を有する請求項１０に記載の接着シー
    ト。
12. 【請求項１２】 さらに、基材を有する請求項１〜１１
    に記載の接着シート。
13. 【請求項１３】 前記粘接着剤層と前記基材との間の接
    着力が放射線の照射により制御されるものである請求項
    １２に記載の接着シート。
14. 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれか１項に記載
    の接着シートを用いて半導体素子と半導体搭載用支持部
    材とを接着した半導体装置。
15. 【請求項１５】 （ａ）請求項１２又は１３に記載の粘
    接着剤層と基材層とを有する接着シートを、前記粘接着
    剤層を挟んで半導体ウェハ上に設けることにより接着シ
    ート付き半導体ウェハを得る工程と、（ｂ）前記接着シ
    ート付きウェハをダイシングして接着シート付き半導体
    素子を得る工程と、（ｃ）前記接着シートに放射線を照
    射して前記粘接着剤層の前記基材層に対する接着力を低
    減し、かつ前記基材層を剥離して粘接着剤層付き半導体
    素子を得る工程と、（ｄ）前記粘接着剤層付き半導体素
    子と半導体素子搭載用の支持部材とを前記粘接着剤層を
    介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法。