JP2007063483A - 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 - Google Patents

樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007063483A
JP2007063483A JP2005254138A JP2005254138A JP2007063483A JP 2007063483 A JP2007063483 A JP 2007063483A JP 2005254138 A JP2005254138 A JP 2005254138A JP 2005254138 A JP2005254138 A JP 2005254138A JP 2007063483 A JP2007063483 A JP 2007063483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
meth
acrylate
composition according
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005254138A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4935026B2 (ja
Inventor
Nobuki Tanaka
伸樹 田中
Hikari Okubo
光 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2005254138A priority Critical patent/JP4935026B2/ja
Publication of JP2007063483A publication Critical patent/JP2007063483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4935026B2 publication Critical patent/JP4935026B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract


【課題】 特に弾性率が低く、応力緩和特性に優れる半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料、及び特に耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、一般式(1)に示される構造と少なくとも一つの重合可能な不飽和結合とを有する化合物(A)、重合開始剤(B)、及び充填材(C)を含むことを特徴とする樹脂組成物であり、好ましくは、一般式(1)に芳香族を含まない構造である。

Description

本発明は、樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置に関するものである。
半導体製品の大容量、高速処理化及び微細配線化に伴い半導体製品作動中に発生する熱の問題が顕著になってきており、半導体製品から熱を逃がす、いわゆるサーマルマネージメントがますます重要な課題となってきている。このため半導体製品にヒートスプレッダー、ヒートシンク等の放熱部材を取り付ける方法等が一般的に採用されているが放熱部材を接着する材料自体の熱伝導率もより高いものが望まれてきている。一方半導体製品の形態によっては半導体素子そのものを金属製のヒートスプレッダーに接着したり、半導体素子を接着したリードフレームのダイパッド部にヒートスプレッダーを接着したり、ダイパッド部がパッケージ表面に露出しており放熱板をかねる場合もあり、さらにはサーマルビア等の放熱機構を有する有機基板等に接着したりする場合もある。この場合も同様に半導体素子を接着する材料に高熱伝導率が要求される。このようにダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料に高熱伝導率が要求されているが、同時に半導体製品の基板搭載時のリフロー処理に耐える必要があり、さらには大面積の接着が要求される場合も多く構成部材間の熱膨張係数の違いによる反り等の発生を抑制するため低応力性も併せ持つ必要がある。
ここで通常高熱伝導性接着剤には、銀粉、銅粉といった金属フィラーや窒化アルミ、窒化ボロン等のセラミック系フィラー等を有機系のバインダーに高い含有率で添加するが、含有可能な量に限界があり高熱伝導率が得られない場合、多量の溶剤を含有し硬化物単体の熱伝導率は良好だが半導体製品中では硬化物中に溶剤が残存あるいは揮発した後がボイドになり熱伝導率が安定しない場合、高フィラー含有率に基づき低応力性が不十分な場合等満足なものはなかった(例えば特許文献1参照)。
特開平11−43587号公報
本発明は、十分な低応力性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
本発明は、以下の[1]〜[11]により達成される。
[1](A)一般式(1)で示される構造と少なくとも一つの重合可能な不飽和結合とを有する化合物、(B)重合開始剤、及び(C)充填材を含むことを特徴とする樹脂組成物。
Figure 2007063483
は有機基
nは1〜50
[2]前記一般式(1)のRが芳香族環を含まないことを特徴とする第[1]項記載の樹脂組成物。
[3]前記一般式(1)のRが炭素数3以上10以下の炭化水素基である第[1]又は[2]項記載の樹脂組成物。
[4]前記重合可能な不飽和結合が(メタ)アクリロイル基である第[1]〜[3]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[5]前記化合物(A)が脂肪族ジオールと炭酸ジアルキルとの反応により得られたポリカーボネートジオールと(メタ)アクリル酸あるいはその誘導体との反応物である第[1]〜[4]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[6]前記脂肪族ジオールがブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールから選ばれる少なくとも1種を含む第[1]〜[5]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[7]さらに一般式(2)で示される官能基を有する化合物を含む第[1]〜[6]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
Figure 2007063483
は−C−又は−C−のいずれかであり、
は炭素数1以上、5以下の炭化水素基である。

[8]さらにカップリング剤を含む第[1]〜[7]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[9]前記カップリング剤がS−S結合を有するシランカップリング剤である第[8]項に記載の樹脂組成物。
[10]充填材(C)が銀粉である第[1]〜[9]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[11]第[1]〜[10]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
本発明の樹脂組成物は、低弾性率で応力緩和特性に優れるため、ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として使用した場合、得られた半導体装置は耐半田クラック性に優れており、その結果高信頼性の半導体装置を得ることができる。
本発明は、一般式(1)に示される構造と少なくとも一つの重合可能な不飽和結合とを有する化合物、重合開始剤、及び充填材を含む樹脂組成物で、特に弾性率が低く応力緩和特性に優れる樹脂組成物を提供するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明では、一般式(1)で示される構造と少なくとも一つの重合可能な不飽和結合とを有する化合物(A)を使用する。一般式(1)で示される構造は硬化物に柔軟性を与えるために導入されるが、同様の目的で導入されるポリエーテルやポリエステルに比較して加水分解されにくいため特に高温高湿の条件に長時間曝された後でも劣化が少なく好適であるためである。一般式(1)中Rは有機基であるがRに芳香族環が含まれる場合には分子鎖間の凝集力が高くなり硬化物の弾性率が高くなるので脂肪族であることが好ましい。より好ましい有機基は炭素数3以上10以下の脂肪族鎖の炭化水素基である。さらに好ましい有機基は炭素数が4以上、8以下の脂肪族鎖の炭化水素基である。これより少ない場合には親水性が高く硬化物の吸水率が高くなりすぎ、これより多い場合には疎水性が高く接着性の悪化に繋がるためである。繰り返し数nは1〜50であるが、これより少ない場合には目的とする柔軟性を十分に発揮することができず、これより多い場合には粘度が高くなりすぎるためである。より好ましい繰り返し数は5〜20である。重合可能な不飽和結合は反応し硬化物を与えるために少なくとも1つ必要であり、硬化性の観点から1分子に2つ含まれることが好ましい。重合可能であればどのような形態の不飽和結合でも使用可能であるが、好ましいものとしてはビニル基、(メタ)アリル基、(メタ)アクリロイル基、マレイミド基などが挙げられ、特に好ましいものは(メタ)アクリロイル基である。このような化合物としては脂肪族ジオールと炭酸ジアルキルをエステル交換反応によりポリカーボネートジオールを得た後(メタ)アクリル酸あるいはその誘導体と反応することにより得られる化合物が好ましいがこれらに限定されるものではない。脂肪族ジオールとしては炭素数3以上10以下のものが好適に使用されるが、例えば、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,7−ヘプタンジオール、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,2−シクロヘキサンジメタノール、1,3−シクロヘキサンジメタノール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、1,2−シクロヘキサンジエタノール、1,3−シクロヘキサンジエタノール、1,4−シクロヘキサンジエタノールなどが挙げられるが、なかでもブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールが好ましく、これらは単独で使用しても2種以上を併用してもかまわない。炭酸ジアルキルとしては反応性の点から炭酸ジメチルが好ましい。反応にはエステル交換触媒として一般的に使用される触媒を使用する。例えばジブチル錫オキサイド、ジオクチル錫オキサイド等の有機錫化合物、テトラメチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート等のテトラアルキルチタネート、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ金属塩あるいは炭酸アルカリ土類金属塩、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムt−ブトキシド等のアルカリ金属のアルキルアルコキシド、ジメチルアニリン、1,4−ジアザビシクロ(2,2,2)オクタン等の3級アミン、アセチルアセトンハフニウム等のハフニウムの有機金属錯体などである。脂肪族ジオールを複数使用する場合には複数の脂肪族ジオールを同時に仕込むことでランダム共重合体を得ることも、それぞれ短鎖のポリカーボネートジオール同士を反応させることでブロック共重合体を得ることも可能である。ポリカーボネートジオールは(メタ)アクリル酸とエステル化反応によりポリカーボネートジ(メタ)アクリレートとすることも可能であるし、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとエステル交換反応によりポリカーボネートジ(メタ)アクリレートとすることも可能である。
本発明では希釈剤を使用することが可能である。一般的に使用されるビニル基を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば下記のような化合物を用いることが可能である。メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、ターシャルブチル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、その他のアルキル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジンクモノ(メタ)アクリレート、ジンクジ(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフロロプロピル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4−ヘキサフロロブチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、N,N’−メチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,2−ジ(メタ)アクリルアミドエチレングリコール、ジ(メタ)アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、2−(メタ)アクリロイロキシエチルコハク酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチル、N−(メタ)アクリロイロキシエチルマレイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルフタルイミド、n−ビニル−2−ピロリドン、スチレン誘導体、α−メチルスチレン誘導体。
本発明では、不飽和結合を反応させる目的で重合開始剤(B)を使用する。重合開始剤の種類については特に限定されないが本発明の樹脂組成物は、通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光重合開始剤が含まれていると使用中の反応により粘度上昇が観察されるため実質的に光重合開始剤を含有することは好ましくない。実質的にとは、粘度上昇が観察されない程度で光重合開始剤が微量に存在してもよく、好ましくは、含有しないことである。
このため熱ラジカル重合開始剤が好ましく用いられる。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験(試料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温した時の分解開始温度)における分解温度が40〜140℃となるものが好ましい。分解温度が40℃未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、140℃を越えると硬化時間が極端に長くなるため好ましくない。これを満たす熱ラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、n−ブチル4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、t−ブチルハイドロパーオキサイド、P−メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、ジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス(ネオデカノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチ−ルエチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルへキサノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレイックアシッド、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独あるいは硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。特に限定されるわけではないが樹脂組成物中0.001重量%以上、2重量%以下含有されるのが好ましい。
本発明では充填材(C)として、銀粉、金粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉、及びパラジウム粉といった金属粉、アルミナ粉末、チタニア粉末、アルミニウムナイトライド粉末、及びボロンナイトライド粉末といったセラミック粉末、ポリエチレン粉末、ポリアクリル酸エステル粉末、ポリテトラフルオロエチレン粉末、ポリアミド粉末、ポリウレタン粉末、及びポリシロキサン粉末といった高分子粉末を使用可能である。樹脂組成物を使用する際にはノズルを使用して吐出する場合があるので、ノズル詰まりを防ぐために平均粒径は30μm以下が好ましく、ナトリウム、塩素といったイオン性の不純物が少ないことが好ましい。特に導電性、熱伝導性が要求される場合には銀粉を使用することが好ましい。通常電子材料用として市販されている銀粉であれば、還元粉、アトマイズ粉等が入手可能で、好ましい粒径としては平均粒径が1μm以上、30μm以下である。下限値以下では樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ、上限値以上では上述のようにディスペンス時にノズル詰まりの原因となりうるからであり、電子材料用以外の銀粉ではイオン性不純物の量が多い場合があるので注意が必要である。形状はフレーク状、球状等特に限定されないが、好ましくはフレーク状のものを使用し、通常樹脂組成物中70重量%以上、95重量%以下含まれる。銀粉の割合が下限値より少ない場合には導電性が悪化し、上限値より多い場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。
本発明では一般式(2)で示される官能基を少なくとも1つ有する化合物を使用することも可能である。一般式(2)で示される官能基は化合物(A)と共重合可能であり、一般式(2)で示される官能基の極性のため接着力が向上する。このような官能基は1級アミンとカルボキシ基とを有する化合物(グリシン、アラニン、カプロン酸などのアミノ酸)と無水マレイン酸とを反応しマレアミド酸とした後に脱水環化することでマレイミド化アミノ酸とし、水酸基を有する化合物とエステル化することで得ることができる。一般式(2)で示される官能基は少なくとも1つ必要であるが硬化性の観点から1分子内に2つ又は3つであることが好ましい。これより多くなると高粘度化の原因となる場合があるためで、特に好ましいのは1分子内に2つの場合である。このような化合物を得るためには前述のマレイミド化アミノ酸とジオールとをエステル化することで得ることができる。
本発明ではカップリング剤が使用可能である。一般的に使用されるシランカップリング剤、チタン系カップリング剤を使用することができるが、特にS−S結合を有するシランカップリング剤は充填材(C)として銀粉を用いた場合には銀粉表面との結合も生じるため、被着体表面との接着力向上のみならず硬化物の凝集力も向上するため好適に使用することが可能である。具体的には、ビス(トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(トリブトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(ジメトキシメチルシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(ジエトキシメチルシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(ジブトキシメチルシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(トリメトキシシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(トリエトキシシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(トリブトキシシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(ジメトキシメチルシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(ジエトキシメチルシリルプロピル)ジスルフィド、ビス(ジブトキシメチルシリルプロピル)ジスルフィドなどが挙げられる。S−S結合を有するシランカップリング剤以外との併用も好ましい。
本発明の樹脂組成物には、必要により、消泡剤、界面活性剤、各種重合禁止剤、酸化防止剤等の添加剤を用いることができる。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、市販のダイボンダーを用いて、リードフレームの所定の部位に樹脂組成物をディスペンス塗布した後、チップをマウントし、加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形することによって半導体装置を製作する。又はフリップチップ接合後アンダーフィル材で封止したフリップチップBGAなどのチップ裏面に樹脂組成物をディスペンスしヒートスプレッダー、リッドといった放熱部品を搭載し加熱硬化するなどといった使用方法も可能である。
以下実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、これらに限定されるものではない。配合割合は重量部で示す。
化合物の調整
化合物A1:UH−100(宇部興産株式会社製、1,6−ヘキサンジオールと炭酸ジメチルから合成したポリカーボネートジオールで分子量約1000)200g、メタクリル酸(試薬)38g及びトルエン1200mlをセパラブルフラスコに入れ、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後攪拌しながらジシクロヘキシルカルボジイミド150gを酢酸エチル500mlに溶解させた溶液を30分かけて滴下しその後室温で6時間反応した。反応後攪拌しながら50mlのイオン交換水を添加することで過剰のジシクロヘキシルカルボジイミドを析出させた後、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後反応液をろ過することで固形物を取り除き、70℃のイオン交換水にて3回、室温のイオン交換水にて2回分液洗浄を行った。溶剤層を再度ろ過することにより得られたろ液をエバポレータ及び真空乾燥機にて溶剤を除去し生成物を得た。(以下化合物A1、収率約85%。室温でロウ状。GPCによるスチレン換算分子量は約1200。重クロロホルムを用いたプロトンNMRの測定によりポリカーボネートジオールの水酸基のプロトンに基づく2.0ppm付近のピークの消失を確認した。下記式(3)のRが−(CH−でnが約5。)
Figure 2007063483
化合物A2:UM−90(1/1)(宇部興産株式会社製、1,6−ヘキサンジオール/1,4−ジメタノールシクロヘキサン(=1/1)と炭酸ジメチルから合成したポリカーボネートジオールで分子量約900)180g、メタクリル酸(試薬)38g及びトルエン1200mlをセパラブルフラスコに入れ、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後攪拌しながらジシクロヘキシルカルボジイミド150gを酢酸エチル500mlに溶解させた溶液を30分かけて滴下しその後室温で6時間反応した。反応後攪拌しながら50mlのイオン交換水を添加することで過剰のジシクロヘキシルカルボジイミドを析出させた後、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後反応液をろ過することで固形物を取り除き、70℃のイオン交換水にて3回、室温のイオン交換水にて2回分液洗浄を行った。溶剤層を再度ろ過することにより得られたろ液をエバポレータ及び真空乾燥機にて溶剤を除去し生成物を得た。(以下化合物A2、収率約86%。室温で液状。GPCによるスチレン換算分子量は約1100。重クロロホルムを用いたプロトンNMRの測定によりポリカーボネートジオールの水酸基のプロトンに基づく2.0ppm付近のピークの消失を確認した。上記式(3)のRが−(CH−と−CH−C10−CH−の混合でnが約4。)
化合物X:プラクセル210CP(ダイセル化学工業株式会社製、ポリε−カプロラクトンジオールで分子量約1000)200g、メタクリル酸(試薬)38g及びトルエン1200mlをセパラブルフラスコに入れ、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後攪拌しながらジシクロヘキシルカルボジイミド150gを酢酸エチル500mlに溶解させた溶液を30分かけて滴下しその後室温で6時間反応した。反応後攪拌しながら50mlのイオン交換水を添加することで過剰のジシクロヘキシルカルボジイミドを析出させた後、ディーンスタークトラップを用い還流下30分間攪拌し水分の除去を行った。室温まで冷却した後反応液をろ過することで固形物を取り除き、70℃のイオン交換水にて3回、室温のイオン交換水にて2回分液洗浄を行った。溶剤層を再度ろ過することにより得られたろ液をエバポレータ及び真空乾燥機にて溶剤を除去し生成物を得た。(以下化合物X、収率約84%。室温でロウ状。GPCによるスチレン換算分子量は約1200。重クロロホルムを用いたプロトンNMRの測定によりポリエステルジオールの水酸基のプロトンに基づく2.0ppm付近のピークの消失を確認した。下記式(4)のRが有機基、Rが−C10−、m1+m2が約8。)
Figure 2007063483
[実施例1]
化合物(A)として、上記化合物A1、重合開始剤(B)としてジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD、急速加熱試験における分解温度:126℃、以下重合開始剤)、充填材(C)として、平均粒径8μm、最大粒径30μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルHOP、以下希釈剤1)、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル1、6HX、以下希釈剤2)、テトラスルフィド結合を有するカップリング剤(日本ユニカー(株)製、A−1289、以下カップリング剤1)、グリシジル基を有するカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E、以下カップリング剤2)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。得られた樹脂組成物を以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。
[実施例2〜4、比較例1及び2]
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に樹脂組成物を得た。
なお実施例2では化合物A1とA2を、実施例3では化合物A2を、実施例4ではポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル(大日本インキ工業(株)製、ルミキュアMIA−200、一般式(2)のRが−C−、Rの炭素数が1。以下化合物Y)を用いた。また比較例2では化合物Xを用いた。
得られた樹脂組成物を以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。
評価方法
・接着強度:表1に示す樹脂組成物を用いて6×6mmのシリコンチップをNi−Pd/Auめっきした銅フレームにマウントし、150℃オーブン中30分硬化した。硬化後及び吸湿処理(85℃、85%、72時間)後に自動接着力測定装置を用い260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。260℃熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップである。
・弾性率:表1に示す樹脂組成物を用いて4×20×0.1mmのフィルム状の試験片を作製し(硬化条件150℃30分)、動的粘弾性測定機(DMA)にて引っ張りモードでの測定を行った。測定条件は以下の通りである。
測定温度:−100〜300℃
昇温速度:5℃/分
周波数:10Hz
荷重:100mN
25℃における貯蔵弾性率を弾性率とし3000MPa以下の場合を合格とした。弾性率の単位はMPaである。
・耐リフロー性:表1に示す樹脂組成物を用いて、下記のリードフレームとシリコンチップを150℃30分間硬化し接着した。封止材料(スミコンEME−7026、住友ベークライト(株)製)を用い封止し、パッケージを作製した。このパッケージを30℃、相対湿度60%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行った。処理後のパッケージを超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
パッケージ:QFP(14×20×2.0mm)
リードフレーム:Ni−Pd/Auめっきした銅フレーム
チップサイズ:6×6mm
樹脂組成物の硬化条件:オーブン中150℃、30分
Figure 2007063483
本発明の樹脂組成物は、特に弾性率が低く応力緩和特性に優れるため、半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として好適に用いることができる。

Claims (11)

  1. (A)一般式(1)で示される構造と少なくとも一つの重合可能な不飽和結合とを有する化合物、(B)重合開始剤、及び(C)充填材を含むことを特徴とする樹脂組成物。
    Figure 2007063483
    は有機基
    nは1〜50
  2. 前記一般式(1)のRが芳香族環を含まないことを特徴とする請求項1記載の樹脂組成物。
  3. 前記一般式(1)のRが炭素数3以上10以下の炭化水素基である請求項1又は2記載の樹脂組成物。
  4. 前記重合可能な不飽和結合が(メタ)アクリロイル基である請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
  5. 前記化合物(A)が脂肪族ジオールと炭酸ジアルキルとの反応により得られたポリカーボネートジオールと(メタ)アクリル酸あるいはその誘導体との反応物である請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
  6. 前記脂肪族ジオールがブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールから選ばれる少なくとも1種を含む請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
  7. さらに一般式(2)で示される官能基を有する化合物を含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
    Figure 2007063483
    は−C−又は−C−のいずれかであり、
    は炭素数1以上、5以下の炭化水素基である。
  8. さらにカップリング剤を含む請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
  9. 前記カップリング剤がS−S結合を有するシランカップリング剤である請求項8に記載の樹脂組成物。
  10. 充填材(C)が銀粉である請求項1〜9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
JP2005254138A 2005-09-01 2005-09-01 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 Expired - Fee Related JP4935026B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005254138A JP4935026B2 (ja) 2005-09-01 2005-09-01 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005254138A JP4935026B2 (ja) 2005-09-01 2005-09-01 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007063483A true JP2007063483A (ja) 2007-03-15
JP4935026B2 JP4935026B2 (ja) 2012-05-23

Family

ID=37926034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005254138A Expired - Fee Related JP4935026B2 (ja) 2005-09-01 2005-09-01 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4935026B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123098A1 (ja) * 2013-02-06 2014-08-14 宇部興産株式会社 ポリカーボネートジオールジアクリレート化合物組成物及びその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424809A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Kuraray Co Polycarbonate acrylate resin composition
JPH1192626A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
JP2000198840A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Mitsui Chemicals Inc ポリカ―ボネ―ト(メタ)アクリレ―トおよびその用途
JP2000319381A (ja) * 1999-05-10 2000-11-21 Mitsui Chemicals Inc ジ(メタ)アクリル酸エステルおよびジ(メタ)アクリレート重合体
JP2003327925A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2005133025A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴム組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424809A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Kuraray Co Polycarbonate acrylate resin composition
JPH1192626A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
JP2000198840A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Mitsui Chemicals Inc ポリカ―ボネ―ト(メタ)アクリレ―トおよびその用途
JP2000319381A (ja) * 1999-05-10 2000-11-21 Mitsui Chemicals Inc ジ(メタ)アクリル酸エステルおよびジ(メタ)アクリレート重合体
JP2003327925A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2005133025A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴム組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123098A1 (ja) * 2013-02-06 2014-08-14 宇部興産株式会社 ポリカーボネートジオールジアクリレート化合物組成物及びその製造方法
JPWO2014123098A1 (ja) * 2013-02-06 2017-02-02 宇部興産株式会社 ポリカーボネートジオールジアクリレート化合物組成物及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4935026B2 (ja) 2012-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5055764B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4967761B2 (ja) 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2011037981A (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5034219B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4857574B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5476839B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4830386B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4899316B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5140929B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5034218B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4892963B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4935026B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4848782B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5482077B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5356763B2 (ja) 樹脂組成物および半導体装置
JP2007262244A (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4929688B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4984573B2 (ja) ダイアタッチペースト及びダイアタッチペーストを使用して作製した半導体装置
JP4830387B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4457937B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5392990B2 (ja) 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2011082368A (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4830430B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4929710B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP4539232B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080508

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4935026

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees