JP5093026B2 - 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5093026B2 JP5093026B2 JP2008244932A JP2008244932A JP5093026B2 JP 5093026 B2 JP5093026 B2 JP 5093026B2 JP 2008244932 A JP2008244932 A JP 2008244932A JP 2008244932 A JP2008244932 A JP 2008244932A JP 5093026 B2 JP5093026 B2 JP 5093026B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- adhesive
- adhesive layer
- resin
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し;前記フィルム状接着剤付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し;その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、前記個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼付けさらにフィルム状接着剤の他面にダイシングテープを貼り合わせ;その後前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し;個片化したフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合し;その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するためフィルム状接着剤を個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
一方、後者のUV型ダイシングテープはダイシング時には高粘着力を有するものの、ピックアップする前に紫外線(UV)を照射することにより低粘着力になる。そのため、前記感圧型テープが有する課題が改善されることより、ダイシングテープとして広く採用されるに至っている。
このUV型ダイシングテープを用いることにより前記感圧型ダイシングテープの課題は改善されるものの、ウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤にはさらに改善すべき課題が残されていた。即ち、ウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤を用いる方法にあっては、前記ダイシング工程までに、フィルム状接着剤とダイシングテープを貼付するといった2つの貼付工程が必要であったことから、作業工程の簡略化が求められていた。
(1)(A)エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体またはポリイミド樹脂、(B)熱硬化性樹脂及び(C)放射線照射によって硬化性を発現する化合物を含有する粘接着剤層を有する接着シートである接着シートであって、(C)放射線によって硬化性を発現する化合物がポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルである接着シート。
(2)ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルが下記式(1)で示される接着シート。
(3)ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルの数平均分子量が1000以下である接着シート。
(4)式(I)中のRはCH2CH2CH2CH2である接着シート。
(5)式(I)中のnは2〜5である接着シート。
(6)(B)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤である接着シート。
(7)エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体が、エポキシ基含有反復単位を0.5〜6重量%含有するものである接着シート。
(8)粘接着剤層が、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を100重量部、エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体を10〜400重量部、及びポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルを0.1〜200重量部含有する接着シート。
(9)接着剤層が、25℃で10〜2000MPa、および260℃で3〜50MPaの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する接着シート。
(10)さらに、基材を有する接着シート。
(11)粘接着剤層と基材との間の接着力が放射線の照射により制御されるものである接着シート。
(12)接着シートを用いて半導体素子と半導体搭載用支持部材とを接着した半導体装置。
(13)(a)粘接着剤層と基材層とを有する接着シートを、粘接着剤層を挟んで半導体ウェハ上に設けることにより接着シート付き半導体ウェハを得る工程と、(b)接着シート付きウェハをダイシングして接着シート付き半導体素子を得る工程と、(c)接着シートに放射線を照射して粘接着剤層の基材層に対する接着力を低減し、かつ基材層を剥離して粘接着剤層付き半導体素子を得る工程と、(d)粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを粘接着剤層を介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
かかる構成を有することより、本発明の接着シートは、ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートとして作用することとなる。言い換えると、本発明の接着シートを構成する前記粘接着剤層は、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、かつ、放射線を照射して前記粘接着剤層と基材との間の接着力を制御することにより、ピックアップ時には各素子を傷つけることがない低い粘着力を有するという相反する要求を満足するものである。従って、本発明の接着シートを用いることで、ダイシングおよびダイボンドの各工程を、一枚の接着シートで完了することができることとなる。
前記式(1)中のn数は1〜30であるが、好ましくは1〜10であり、より好ましくは2〜5である。n数が30を超えると、放射線照射後のピックアップ時に各素子を傷つける傾向があり、好ましくない。
放射線照射時の硬化性を制御する目的で、前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルと脂肪族アクリレートまたは芳香族アクリレートを組み合わせることもできる。上記硬化性を抑制する場合は、芳香族アクリレートとの組み合わせが有効である。
本発明の接着シートにおいて、使用する(B)熱硬化性樹脂としては、熱によって重合あるいは架橋する樹脂組成物であれば特に限定されるものではないが、好ましくはエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールA型(又はAD型、S型、F型)のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテルなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型グリシジルエーテルやクレゾールノボラック型グリシジルエーテルなどのノボラック型エポキシ樹脂、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル等の多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル等の脂環式エポキシ樹脂、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂等、ナフタレン樹脂、複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
で表されるジアミノポリシロキサン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、サン テクノケミカル(株)製 ジェファーミン D−230,D−400,D−2000,D−4000,ED−600,ED−900,ED−2001,EDR−148等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等を使用することができ、これらの1種または2種以上を併用することもできる。
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤100重量部に対して、40重量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、エポキシ樹脂層のTgを確保できる。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、(A)エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤100重量部に対して、0.1〜10重量部が好ましい。
本発明の接着シートに用いる基材としては、特に制限は無く、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。
基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
図1には基材フィルム1と粘接着剤層2とを備える接着シート10が開示されており、図2には前記構成要件に加えてさらに剥離性シート3を備える接着シート11が開示されている。
これらの接着シート10、11をダイシングテープとして使用する場合、まず接着シート10、11の粘接着剤層2とウェハ表面が密着するようにして所定の作業台上に載置する。本発明に係る接着シートの上面に剥離性シート3が設けられている場合には、該シート3を剥離除去した後に、接着シートの粘接着剤層2を上向きにして所定の作業台上に載置する。
次に、図3に示すようにして、この粘接着剤層2の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハAを貼着する。この際、前述のように、所望のシート厚を得るためにさらに1又は2以上の接着剤層又は粘接着剤層を半導体ウェハAと粘接着剤層2との間に挟むように設けてもよい。
続いて、この貼着状態で半導体ウェハAにダイシング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、粘接着剤層2により半導体ウェハAは接着シートに充分に粘着保持されているので、上記各工程の間に半導体ウェハAが脱落することはない。尚、図4にはダイシングカッター6を用いてウェハAをダイシングすることにより半導体素子A1、A2、A3が得られることが示されている。
次に、図5に示すように、放射線Bを接着シートの粘接着剤層2に照射し、放射線重合性を有する接着シートの一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、放射線照射と同時あるいは放射線照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用しても良い。加熱を併用することにより、より低温短時間での接着力低下が可能となる。加熱温度は、粘接着剤層の熱分解温度以下であれば特に制限は受けないが、50〜170℃の温度が好ましい。
接着シートへの放射線照射は、図5中矢印Bで示されるように基材フィルム1の粘接着剤層2が設けられていない面から行う。したがって前述のように、放射線としてUVを用いる場合には基材フィルム1は光透過性であることが必要であるが、放射線としてEBを用いる場合には基材フィルム2は必ずしも光透過性である必要はない。
放射線照射後、図6に示されるようにしてピックアップすべき半導体素子A1、A2、A3を例えば吸引コレット4によりピックアップする。この際、吸引コレット4に換えて又は吸引コレット4と併用するようにして、ピックアップすべき半導体素子A1、A2、A3を基材フィルム1の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。
半導体素子A1と粘接着剤層2との間の粘着力は、粘接着剤層2と基材フィルム1との間の粘着力よりも大きいため、半導体素子A1のピックアップを行うと、粘接着剤層2は半導体素子A1の下面に付着した状態で剥離する(図7参照)。
次いで、半導体素子A1、A2、A3を粘接着剤層2を介して半導体素子搭載用支持部材5に載置し加熱する。加熱により粘接着剤層2は接着力が発現し、半導体素子A1、A2、A3と半導体素子搭載用支持部材5との接着が完了する(図8参照)。
YDCN−703(東都化成(株)製商品名、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)42.3重量部、プライオーフェンLF2882(大日本インキ化学工業(株)製商品名、ビスフェノールAノボラック樹脂)23.9重量部、HTR−860P−3(帝国化学産業(株)製商品名、エポキシ基含有アクリルゴム、分子量80万、Tg−7℃)44.1重量部、キュアゾール2PZ−CN(四国化成工業(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.4重量部、NUC A−187(日本ユニカー(株)製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.7重量部、ルミキュアMIA200(大日本インキ化学工業(株)製商品名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル)20重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(帝人デュポンフィルム(株)製、テイジンテトロンフィルムG2−50)上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、基材を備えた膜厚が50μmの接着シート1(基材を除いた粘接着剤層の厚みが50μm)を得た。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlフラスコに、1,12−ジアミノドデカン5.41g(0.045モル)、エーテルジアミン(BASF製、エーテルジアミン2000(分子量:1923))11.54g(0.01モル)、ポリシロキサンジアミン(信越シリコーン製、KF−8010(分子量:900))24.3g(0.045モル)及びN−メチル−2−ピロリドン169gを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)31.23g(0.1モル)を少量ずつ添加した。室温で8時間反応させたのち、キシレン112.7gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た(樹脂分:33重量%)。
樹脂分50g分の前記ポリイミド溶液に、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:ESCN−195)13g、フェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、商品名:H−1)6.9g、テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート(北興化学(株)製、商品名:TPPK)0.13g、ルミキュアMIA200(大日本インキ化学工業(株)製商品名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル)20gを、溶剤であるN−メチル−2−ピロリドン100g中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(帝人デュポンフィルム(株)製、テイジンテトロンフィルム:G2−50)上に塗布し、150℃で30分間加熱乾燥して、基材(ポリエチレンテレフタレートフィルム)を備えた膜厚が50μmの接着シート2(基材を除いた接着シートの厚みが50μm)を得た。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlフラスコに、攪拌装置、窒素導入管、乾燥管を備えた1リットルの四つ口のフラスコに、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン8.2g(0.02モル)及びポリシロキサンジアミン(信越シリコーン製、KF−8010(分子量:900))72.0g(0.08モル)を入れ、窒素気流下、N−メチル−2−ピロリドン320gを加えて溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌しながら4,4’−(4−4’−イソプロピリデンジフェノキシ)−ビス(フタル酸二無水物)52.0g(0.10モル)を少量ずつ加えた。酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら6時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに蒸留装置を装着し、キシレン210gを加えた。窒素気流下、180℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミド化により生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥してポリイミド樹脂を得た。
このポリイミド樹脂50g、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:ESCN−195)13g、フェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、商品名:H−1)6.9g、テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート(北興化学(株)製、商品名:TPPK)0.13g、ルミキュアMIA200(大日本インキ化学工業(株)製商品名、ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステル)20gを、溶剤であるN−メチル−2−ピロリドン200g中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(帝人デュポンフィルム(株)製、テイジンテトロンフィルム:G2−50)上に塗布し、150℃で30分間加熱乾燥して、基材(ポリエチレンテレフタレートフィルム)を備えた膜厚が50μmの接着シート3(基材を除いた接着シートの厚みが50μm)を得た。
YDCN−703(東都化成(株)製商品名、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)42.3重量部、プライオーフェンLF2882(大日本インキ化学工業(株)製商品名、ビスフェノールAノボラック樹脂)23.9重量部、HTR−600LBDR(帝国化学産業(株)製商品名、アクリルゴム、分子量120万以上、Tg−42℃)44.1重量部、キュアゾール2PZ−CN(四国化成工業(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.4重量部、NUC A−187(日本ユニカー(株)製商品名、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.7重量部、4G(新中村化学(株)製商品名、テトラエチレングリコールジメタクリレート)22.05重量部及び1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン0.5重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(帝人デュポンフィルム(株)製、テイジンテトロンフィルムG2−50)上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、基材を備えた膜厚が50μmの接着シート4(基材を除いた粘接着剤層の厚みが50μm)を得た。
攪拌装置、窒素導入管、乾燥管を備えた1リットルの四つ口のフラスコに、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン41.0g(0.10モル)を入れ、窒素気流下、N−メチル−2−ピロリドン250gを加えて溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌しながら1,2−(エチレン)ビス(トリメリテート二無水物)41.0g(0.10モル)を少量ずつ加えた。酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら6時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに蒸留装置を装着し、キシレン220gを加えた。窒素気流下、180℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミド化により生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥してポリイミド樹脂を得た。
このポリイミド樹脂50g、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:ESCN−195)13g、フェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、商品名:H−1)6.9g、テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート(北興化学(株)製、商品名:TPPK)0.13gを、溶剤であるN−メチル−2−ピロリドン200g中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均一に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(帝人デュポンフィルム(株)製、テイジンテトロンフィルム:G2−50)上に塗布し、150℃で30分間加熱乾燥して、基材(ポリエチレンテレフタレートフィルム)を備えた膜厚が50μmの接着シート5(基材を除いた接着シートの厚みが50μm)を得た。
2…粘接着剤層
3…剥離性シート
4…吸引コレット
5…半導体素子搭載用支持部材
10、11…接着シート
A…半導体ウェハ
A1、A2、A3…半導体素子
B…放射線
Claims (13)
- (A)エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体、(B)熱硬化性樹脂及び(C)放射線照射によって硬化性を発現する化合物を含有する粘接着剤層を有する接着シートであって、
前記(C)放射線照射によって硬化性を発現する化合物がポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルである接着シート。 - 前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルの数平均分子量が1000以下である請求項1に記載の接着シート。
- 前記式(I)中のRはCH2CH2CH2CH2である請求項2に記載の接着シート。
- 前記式(I)中のnは2〜5である請求項2に記載の接着シート。
- 前記(B)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤である請求項1〜5のいずれか1項に記載の接着シート。
- 前記エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体が、エポキシ基含有反復単位を0.5〜6重量%含有するものである請求項1〜6のいずれか1項に記載の接着シート。
- 前記粘接着剤層が、前記エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を100重量部、前記エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体を10〜400重量部、及び前記ポリエーテル系ビスマレイミド酢酸エステルを0.1〜200重量部含有する請求項7に記載の接着シート。
- 前記接着剤層が、25℃で10〜2000MPa、および260℃で3〜50MPaの加熱硬化後の貯蔵弾性率を有する請求項8に記載の接着シート。
- さらに、基材を有する請求項1〜9のいずれか1項に記載の接着シート。
- 前記粘接着剤層と前記基材との間の接着力が放射線の照射により制御されるものである請求項10に記載の接着シート。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の接着シートを用いて半導体素子と半導体搭載用支持部材とを接着した半導体装置。
- (a)請求項10又は11に記載の粘接着剤層と基材層とを有する接着シートを、前記粘接着剤層を挟んで半導体ウェハ上に設けることにより接着シート付き半導体ウェハを得る工程と、(b)前記接着シート付きウェハをダイシングして接着シート付き半導体素子を得る工程と、(c)前記接着シートに放射線を照射して前記粘接着剤層の前記基材層に対する接着力を低減し、かつ前記基材層を剥離して粘接着剤層付き半導体素子を得る工程と、(d)前記粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを前記粘接着剤層を介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008244932A JP5093026B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008244932A JP5093026B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002137293A Division JP4284922B2 (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009041030A JP2009041030A (ja) | 2009-02-26 |
JP5093026B2 true JP5093026B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40442091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008244932A Expired - Fee Related JP5093026B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5093026B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3483161B2 (ja) * | 1994-08-11 | 2004-01-06 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP3506519B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2004-03-15 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP3739488B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2006-01-25 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JPH11292874A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | マレイミド誘導体、マレイミド誘導体を含有する活性エネルギー線硬化性組成物及び該活性エネルギー線硬化性組成物の硬化方法 |
JP2003277699A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Dainippon Ink & Chem Inc | 半導体ウエハ加工用放射線硬化型粘着テープ |
JP4284922B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-06-24 | 日立化成工業株式会社 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-24 JP JP2008244932A patent/JP5093026B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009041030A (ja) | 2009-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5445455B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP5110066B2 (ja) | フィルム状接着剤の調製方法 | |
JP4284922B2 (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP4075801B2 (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造法 | |
JPWO2007083810A1 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置 | |
JP5803123B2 (ja) | 半導体用粘接着シート、それを用いた半導体ウエハ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011042730A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP5488001B2 (ja) | 接着剤付半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP5332419B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2006144022A (ja) | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP4432316B2 (ja) | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JP5439842B2 (ja) | 接着シート及び半導体装置 | |
JP5742501B2 (ja) | 接着剤層付き半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004043760A (ja) | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JP4168368B2 (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010059387A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP2008121017A (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造法 | |
JP4599983B2 (ja) | 接着シート | |
JP5333060B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4114567B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5093026B2 (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP5732881B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、接着シート、半導体ウエハ及び半導体装置 | |
JP4314554B2 (ja) | 接着シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP4734800B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011155195A (ja) | 接着剤付半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |