JP2000096010A - 半導体装置用接着テープ - Google Patents
半導体装置用接着テープInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反りがなく、寸法精度、接着強度に優れる半導
体装置用接着テープを安定して供給する。 【解決手段】片面に接着剤層Ａを有する耐熱性フィルム
Ｂの反対面に非接着性樹脂層Ｃを設け、非接着性樹脂層
Ｃの厚みＴｃと接着層Ａの厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃが、
０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜１０であることを特徴とする半導
体装置用接着テープ。
体装置用接着テープを安定して供給する。 【解決手段】片面に接着剤層Ａを有する耐熱性フィルム
Ｂの反対面に非接着性樹脂層Ｃを設け、非接着性樹脂層
Ｃの厚みＴｃと接着層Ａの厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃが、
０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜１０であることを特徴とする半導
体装置用接着テープ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢテープおよ
びＴＢＧＡ（テープボールグリッドアレイ）ＣＳＰ（チ
ップサイズまたは、チップスケールパッケージ）と称す
る半導体パッケージ用インターポーザ基板に用いられる
接着テープに関する。
びＴＢＧＡ（テープボールグリッドアレイ）ＣＳＰ（チ
ップサイズまたは、チップスケールパッケージ）と称す
る半導体パッケージ用インターポーザ基板に用いられる
接着テープに関する。
【０００２】更に詳しくは平面性に優れたＴＡＢテー
プ、インターポーザ基板を提供する半導体装置用接着テ
ープに関する。
プ、インターポーザ基板を提供する半導体装置用接着テ
ープに関する。
【０００３】
【従来の技術】ＴＡＢテープ、ＴＢＧＡおよびＣＳＰ用
インターポーザ基板は、通常ポリイミドなどの耐熱性フ
ィルムの片面に耐熱性、絶縁性、耐薬品性などの優れた
接着剤層を設けた接着テープを用い、必要に応じパンチ
ングあるいはレーザ加工などの方法で、スプロケットホ
ール、デバイスホールおよびボール接続ホールなどを予
め形成した後、銅箔ラミネート、パターン形成、メッキ
などの工程を経て作成される。しかしながら、この方法
で作成されたＴＡＢテープおよびＴＢＧＡ、ＣＳＰ用イ
ンターポーザ基板は用いられる耐熱性フィルムおよび接
着剤の種類により銅箔ラミネートテープ形成段階および
パターン形成段階で平面性が不十分となり実用に耐えな
いことがある。
インターポーザ基板は、通常ポリイミドなどの耐熱性フ
ィルムの片面に耐熱性、絶縁性、耐薬品性などの優れた
接着剤層を設けた接着テープを用い、必要に応じパンチ
ングあるいはレーザ加工などの方法で、スプロケットホ
ール、デバイスホールおよびボール接続ホールなどを予
め形成した後、銅箔ラミネート、パターン形成、メッキ
などの工程を経て作成される。しかしながら、この方法
で作成されたＴＡＢテープおよびＴＢＧＡ、ＣＳＰ用イ
ンターポーザ基板は用いられる耐熱性フィルムおよび接
着剤の種類により銅箔ラミネートテープ形成段階および
パターン形成段階で平面性が不十分となり実用に耐えな
いことがある。
【０００４】用いる耐熱性フィルムＢとしては、芳香族
ポリイミド、芳香族ポリアミド、液晶ポリエステルフィ
ルムなどがあり、材料特性としては、強伸度・引っ張り
弾性率、Ｔｇ、熱収縮率、吸水率、湿度膨脹係数、ＣＴ
Ｅ（熱線膨脹係数）、電気絶縁性、誘電率、誘電正接な
どの特性ならびに供給安定性、コストなどを総合的に加
味し使用目的に合わせて決められる。また、接着剤層Ａ
についても上記特性のほか、接着性、耐薬品性などの情
報をもとに選択される。
ポリイミド、芳香族ポリアミド、液晶ポリエステルフィ
ルムなどがあり、材料特性としては、強伸度・引っ張り
弾性率、Ｔｇ、熱収縮率、吸水率、湿度膨脹係数、ＣＴ
Ｅ（熱線膨脹係数）、電気絶縁性、誘電率、誘電正接な
どの特性ならびに供給安定性、コストなどを総合的に加
味し使用目的に合わせて決められる。また、接着剤層Ａ
についても上記特性のほか、接着性、耐薬品性などの情
報をもとに選択される。
【０００５】ＴＡＢテープを用いたテープキャリアパッ
ケージ（ＴＣＰ）、ＴＢＧＡ、ＣＳＰなど半導体パッケ
ージとしての信頼性の観点からは、耐熱性フィルムＢの
特性として熱収縮率、吸水率、湿度膨脹係数はできるだ
け小さいほうが好ましい。また、接着剤としては、ＩＣ
ボンディングの自由度（例；ワイヤボンディング）、パ
ッケージ信頼性（リフロークラック）などの観点から熱
変形温度またはＴｇの高い特性を有するものが望まし
い。
ケージ（ＴＣＰ）、ＴＢＧＡ、ＣＳＰなど半導体パッケ
ージとしての信頼性の観点からは、耐熱性フィルムＢの
特性として熱収縮率、吸水率、湿度膨脹係数はできるだ
け小さいほうが好ましい。また、接着剤としては、ＩＣ
ボンディングの自由度（例；ワイヤボンディング）、パ
ッケージ信頼性（リフロークラック）などの観点から熱
変形温度またはＴｇの高い特性を有するものが望まし
い。
【０００６】ところが、このような観点から選択した耐
熱性フィルムＢ、接着剤層Ａを用いたＴＡＢテープ、Ｔ
ＢＧＡ、ＣＳＰインタポーザ基板は銅箔ラミネート段階
ならびにパターン加工段階で著しい反りが発生して平面
性が悪く、使用に耐えられないことが多い。
熱性フィルムＢ、接着剤層Ａを用いたＴＡＢテープ、Ｔ
ＢＧＡ、ＣＳＰインタポーザ基板は銅箔ラミネート段階
ならびにパターン加工段階で著しい反りが発生して平面
性が悪く、使用に耐えられないことが多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、反り問題のない高性能な半導体装置用
接着テープを容易に提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、反り問題のない高性能な半導体装置用
接着テープを容易に提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、片面に接着剤
層Ａを有する耐熱性フィルムＢの反対面に非接着性樹脂
層Ｃを設け、非接着性樹脂層Ｃの厚みＴｃと接着層Ａの
厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃが、０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜１０
であることを特徴とする半導体装置用接着テープであ
る。
層Ａを有する耐熱性フィルムＢの反対面に非接着性樹脂
層Ｃを設け、非接着性樹脂層Ｃの厚みＴｃと接着層Ａの
厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃが、０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜１０
であることを特徴とする半導体装置用接着テープであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の特徴の１つは、接着剤層
Ａを有する耐熱性樹脂Ｂに接着剤層Ａとは反対の面に、
非接着性樹脂層Ｃを設けたことであり、本発明の半導体
装置用接着テープによって、銅箔ラミネート、パターン
加工段階で発生する反りを防止することができるもので
ある。
Ａを有する耐熱性樹脂Ｂに接着剤層Ａとは反対の面に、
非接着性樹脂層Ｃを設けたことであり、本発明の半導体
装置用接着テープによって、銅箔ラミネート、パターン
加工段階で発生する反りを防止することができるもので
ある。
【００１０】さらに、耐熱樹脂層Ｃの厚みＴｃと接着層
Ａの厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃは、０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜
１０の条件を満たす必要がある。厚みの比が０．２以下
の場合には導体エッチング後の反りが大きくなり好まし
くない。厚みの比Ｔａ／Ｔｃが１０以上の場合も反りが
大きくなり好ましくない。
Ａの厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃは、０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜
１０の条件を満たす必要がある。厚みの比が０．２以下
の場合には導体エッチング後の反りが大きくなり好まし
くない。厚みの比Ｔａ／Ｔｃが１０以上の場合も反りが
大きくなり好ましくない。
【００１１】本発明で使用される非接着性樹脂層Ｃと
は、形成された樹脂層の硬化反応を完了またはほぼ完了
させたもので、接着剤層Ａと金属箔を熱接着する温度に
加熱しても接着しない状態の樹脂層をいう。この非接着
性樹脂層Ｃはガラス転移温度（以下Ｔｇ）が６０℃以上
で接着剤層ＡのＴｇ以上であることが必要である。Ｔｇ
が６０℃以下で接着剤層ＡのＴｇよりも低い場合には耐
熱性が不足し接着剤の性能を十分に発揮させることがで
きない。好ましくは１００℃以上でさらに１５０℃以上
が好ましく、より好ましいのは実装される半田リフロー
温度（通常は２２０℃以上）以上である。
は、形成された樹脂層の硬化反応を完了またはほぼ完了
させたもので、接着剤層Ａと金属箔を熱接着する温度に
加熱しても接着しない状態の樹脂層をいう。この非接着
性樹脂層Ｃはガラス転移温度（以下Ｔｇ）が６０℃以上
で接着剤層ＡのＴｇ以上であることが必要である。Ｔｇ
が６０℃以下で接着剤層ＡのＴｇよりも低い場合には耐
熱性が不足し接着剤の性能を十分に発揮させることがで
きない。好ましくは１００℃以上でさらに１５０℃以上
が好ましく、より好ましいのは実装される半田リフロー
温度（通常は２２０℃以上）以上である。
【００１２】非接着性樹脂層Ｃの厚みは、２〜４０μｍ
必要である。好ましくは３〜２５μｍである。２μｍ以
下の場合には反り改善効果が少なく、４０μｍ以上では
耐熱性フィルムの特性低下となるので好ましくない。
必要である。好ましくは３〜２５μｍである。２μｍ以
下の場合には反り改善効果が少なく、４０μｍ以上では
耐熱性フィルムの特性低下となるので好ましくない。
【００１３】樹脂の種類は特に限定されるものではない
が、線膨張率係数が耐熱性フィルムＢよりも大きいこと
が好ましい。例えば、エポキシ樹脂系、ポリアミド樹脂
系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系などが単独あ
るいは混合され、さらに他の樹脂、無機フィラーなどが
混合されてあってもよい。
が、線膨張率係数が耐熱性フィルムＢよりも大きいこと
が好ましい。例えば、エポキシ樹脂系、ポリアミド樹脂
系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系などが単独あ
るいは混合され、さらに他の樹脂、無機フィラーなどが
混合されてあってもよい。
【００１４】非接着性樹脂層Ｃは、耐熱性に優れたもの
が使用され、熱硬化済みのエポキシ系樹脂、ポリアミド
イミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などの公知の耐熱性樹
脂を単独あるいは混合して使用することができる。上記
耐熱性樹脂の中でも、ポリイミド系樹脂が好ましく用い
られる。さらにポリイミド系樹脂の中でも、芳香族テト
ラカルボン酸と、ジアミン成分を含むポリイミド系樹脂
が好ましい。より好ましくは、芳香族テトラカルボン酸
と、ジアミン成分中に５モル％乃至９０モル％がシロキ
サン系ジアミンを含むジアミン成分とを反応して得られ
るポリアミド酸からなる薄膜をイミド化して製造された
ものが、耐熱性フィルムとの接着性の点から好ましい。
が使用され、熱硬化済みのエポキシ系樹脂、ポリアミド
イミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などの公知の耐熱性樹
脂を単独あるいは混合して使用することができる。上記
耐熱性樹脂の中でも、ポリイミド系樹脂が好ましく用い
られる。さらにポリイミド系樹脂の中でも、芳香族テト
ラカルボン酸と、ジアミン成分を含むポリイミド系樹脂
が好ましい。より好ましくは、芳香族テトラカルボン酸
と、ジアミン成分中に５モル％乃至９０モル％がシロキ
サン系ジアミンを含むジアミン成分とを反応して得られ
るポリアミド酸からなる薄膜をイミド化して製造された
ものが、耐熱性フィルムとの接着性の点から好ましい。
【００１５】本発明において使用される芳香族テトラカ
ルボン酸としては、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，
３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３，３’，４，４’ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボ
ン酸二無水物などが挙げられる。これらは単独であるい
は二種以上混合して用いられる。
ルボン酸としては、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，
３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロ
メリット酸二無水物、３，３’，４，４’ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホ
ン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボ
ン酸二無水物などが挙げられる。これらは単独であるい
は二種以上混合して用いられる。
【００１６】ジアミン成分としては、ジアミン成分中に
シロキサン系ジアミンを少なくとも５モル％乃至９０モ
ル％、さらに好ましくは１０モル％以上で８５モル％以
下である。シロキサン系ジアミンとしては、次の一般式
（１）で表されるものを使用することができる。
シロキサン系ジアミンを少なくとも５モル％乃至９０モ
ル％、さらに好ましくは１０モル％以上で８５モル％以
下である。シロキサン系ジアミンとしては、次の一般式
（１）で表されるものを使用することができる。
【００１７】
【化３】 式中ｎは１以上の整数を示す。またＲ１およびＲ２は、
それぞれ同一または異なっていてもよく、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およ
びＲ６は、それぞれ同一または異なっていてもよく、低
級アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。
それぞれ同一または異なっていてもよく、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およ
びＲ６は、それぞれ同一または異なっていてもよく、低
級アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。
【００１８】一般式（１）で表されるシロキサン系ジア
ミンの具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４
−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル
−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−
アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメチル−１、５−ビス（３−ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−
アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−
アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス
（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジ
シロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−
１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，
１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス
（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，
３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノ
プロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）
トリシロキサンなどが挙げられ、単独であるいは二種以
上混合して用いられる。
ミンの具体例としては、１，１，３，３−テトラメチル
−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４
−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニ
ル）トリシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル
−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−
アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメチル−１、５−ビス（３−ア
ミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−
アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テト
ラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−
アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス
（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジ
シロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−
１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，
１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−
１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス
（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，
３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノ
プロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−
ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）
トリシロキサンなどが挙げられ、単独であるいは二種以
上混合して用いられる。
【００１９】シロキサン系ジアミン以外のジアミン成分
としては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミンなど
の公知のものが使用できる。
としては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミンなど
の公知のものが使用できる。
【００２０】上記芳香族テトラカルボン酸とジアミンと
の反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。
例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中
で、０〜８０℃の温度で反応させれば良い。これらの溶
媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリ
アミド酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、
メチルエチルケトン等を加えても良い。
の反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。
例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中
で、０〜８０℃の温度で反応させれば良い。これらの溶
媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリ
アミド酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、
メチルエチルケトン等を加えても良い。
【００２１】上記ポリイミド系の非接着性樹脂Ｃの組成
物の濃度、例えば上述のポリアミド酸ワニス濃度として
は、特に限定されないが、通常５〜６０重量％が好まし
く、１０〜４０重量％が特に好ましい。
物の濃度、例えば上述のポリアミド酸ワニス濃度として
は、特に限定されないが、通常５〜６０重量％が好まし
く、１０〜４０重量％が特に好ましい。
【００２２】このポリアミド酸を耐熱性フィルムに塗工
後、公知の方法で乾燥・イミド化して非接着剤層Ｃとし
て使用することができる。
後、公知の方法で乾燥・イミド化して非接着剤層Ｃとし
て使用することができる。
【００２３】接着剤層Ａは、上記と同様に耐熱性、接着
性、電気絶縁性、耐薬品性に優れたものが使用される。
例えば、エポキシ系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポ
リイミド系樹脂などの成分を単独あるいは混合して使用
することができる。また接着剤層ＡのＴｇが、６０℃以
上３００℃以下であることが好ましい。Ｔｇが６０℃以
下では耐熱性が不足し好ましくない。Ｔｇが３００℃以
上では接着温度が高温になり好ましくない。
性、電気絶縁性、耐薬品性に優れたものが使用される。
例えば、エポキシ系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポ
リイミド系樹脂などの成分を単独あるいは混合して使用
することができる。また接着剤層ＡのＴｇが、６０℃以
上３００℃以下であることが好ましい。Ｔｇが６０℃以
下では耐熱性が不足し好ましくない。Ｔｇが３００℃以
上では接着温度が高温になり好ましくない。
【００２４】上記耐熱性樹脂の中でも、ポリイミド系樹
脂が好ましく用いられる。さらに、ポリイミド系樹脂の
中でも、芳香族テトラカルボン酸と、ジアミン成分を含
むポリイミド系樹脂が好ましい。より好ましくは、芳香
族テトラカルボン酸と、２０モル％以上９５モル％以
下、好ましくは２５モル％以上９０モル％以下のシロキ
サン系ジアミンであるジアミン成分とを反応して得られ
るポリアミド酸からなる薄膜を、イミド化して製造され
たものが、耐熱性樹脂フィルムや金属箔との接着性の点
から好ましい。
脂が好ましく用いられる。さらに、ポリイミド系樹脂の
中でも、芳香族テトラカルボン酸と、ジアミン成分を含
むポリイミド系樹脂が好ましい。より好ましくは、芳香
族テトラカルボン酸と、２０モル％以上９５モル％以
下、好ましくは２５モル％以上９０モル％以下のシロキ
サン系ジアミンであるジアミン成分とを反応して得られ
るポリアミド酸からなる薄膜を、イミド化して製造され
たものが、耐熱性樹脂フィルムや金属箔との接着性の点
から好ましい。
【００２５】本発明における耐熱性フィルムＢとして
は、特に限定されなく目的に応じ適宜選定すればよい。
例えば、ポリイミド系樹脂、液晶ポリエステルフィル
ム、ポリエーテルサルフォン系樹脂、ポリエーテルアミ
ド系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリカーボネー
ト系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂など公知の耐熱性樹
脂からなるフィルムなどが上げられる。一般的には、ポ
リイミドフィルムが好ましく使用される。耐熱性フィル
ムＢの厚みは、製品の目的に応じ好ましく選定すればよ
いが、通常は、厚さ２５〜１５０μｍのフィルムを使用
することができる。また、本発明で使用される上記耐熱
性フィルムＢの表面は、コロナ放電処理、低温プラズマ
処理などの放電処理が施されていることが好ましい。こ
れらの処理を施すことによって、接着剤層Ａおよび非接
着性樹脂層Ｃとの接着性をさらに向上させることができ
る。
は、特に限定されなく目的に応じ適宜選定すればよい。
例えば、ポリイミド系樹脂、液晶ポリエステルフィル
ム、ポリエーテルサルフォン系樹脂、ポリエーテルアミ
ド系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリカーボネー
ト系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂など公知の耐熱性樹
脂からなるフィルムなどが上げられる。一般的には、ポ
リイミドフィルムが好ましく使用される。耐熱性フィル
ムＢの厚みは、製品の目的に応じ好ましく選定すればよ
いが、通常は、厚さ２５〜１５０μｍのフィルムを使用
することができる。また、本発明で使用される上記耐熱
性フィルムＢの表面は、コロナ放電処理、低温プラズマ
処理などの放電処理が施されていることが好ましい。こ
れらの処理を施すことによって、接着剤層Ａおよび非接
着性樹脂層Ｃとの接着性をさらに向上させることができ
る。
【００２６】ここでいう放電処理とは、大気圧付近で放
電するいわゆる常圧プラズマ処理、コロナ放電処理、ま
たは低温プラズマ処理などが施されていることをいう。
常圧プラズマ処理とは、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、Ｃ
Ｏ、空気、水蒸気などの雰囲気中で放電処理する方法を
いう。処理の条件は、処理装置、処理ガスの種類、流
量、電源の周波数などによって異なるが、それぞれにお
いて適宜最適条件を使用すればよい。また、低温プラズ
マ処理は、減圧下で行なうことができ、その方法として
は、特に限定されないが、例えばドラム状電極と複数の
棒状電極からなる対極電極を有する内部電極型の放電処
理装置内に被処理基材をセットし、処理ガスを０．０１
〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは、０．０２〜１Ｔｏｒｒに
調整した状態で電極間に直流あるいは交流の高電圧を印
加して放電を行い、前記処理ガスのプラズマを発生さ
せ、該プラズマに基材表面をさらして処理する方法を使
用することができる。低温プラズマ処理の条件として
は、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の周波数な
どによって異なるが、適宜最適条件を使用すればよい。
上記処理ガスとしては、特に限定されるものではない
が、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空気、水蒸気、
Ｏ2 などを単独であるいは混合して用いることができ
る。一方、コロナ放電処理は、低温プラズマ処理と比較
して接着性向上の効果が小さいので、積層する樹脂を選
択する必要がある。
電するいわゆる常圧プラズマ処理、コロナ放電処理、ま
たは低温プラズマ処理などが施されていることをいう。
常圧プラズマ処理とは、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、Ｃ
Ｏ、空気、水蒸気などの雰囲気中で放電処理する方法を
いう。処理の条件は、処理装置、処理ガスの種類、流
量、電源の周波数などによって異なるが、それぞれにお
いて適宜最適条件を使用すればよい。また、低温プラズ
マ処理は、減圧下で行なうことができ、その方法として
は、特に限定されないが、例えばドラム状電極と複数の
棒状電極からなる対極電極を有する内部電極型の放電処
理装置内に被処理基材をセットし、処理ガスを０．０１
〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは、０．０２〜１Ｔｏｒｒに
調整した状態で電極間に直流あるいは交流の高電圧を印
加して放電を行い、前記処理ガスのプラズマを発生さ
せ、該プラズマに基材表面をさらして処理する方法を使
用することができる。低温プラズマ処理の条件として
は、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の周波数な
どによって異なるが、適宜最適条件を使用すればよい。
上記処理ガスとしては、特に限定されるものではない
が、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空気、水蒸気、
Ｏ2 などを単独であるいは混合して用いることができ
る。一方、コロナ放電処理は、低温プラズマ処理と比較
して接着性向上の効果が小さいので、積層する樹脂を選
択する必要がある。
【００２７】本発明による半導体装置用接着テープは、
接着剤層Ａの表面に保護フィルム層をつけることができ
る。本発明の保護フィルム層は、絶縁体層および導体パ
ターンからなる配線基板層（ＴＡＢテープ等）に接着剤
層を貼り合わせる前に、接着剤層の形態および機能を損
なうことなく剥離できれば特に限定されず、その具体例
としてはポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレー
ト等のプラスチックフィルム、これらに微粘着（軽剥
離）性を有する接着剤のコーティング処理を施したフィ
ルムあるいはこれらのフィルムをラミネートした紙やこ
れらフィルムの積層体、離型性のある樹脂を含浸あるい
はコーティング処理した紙等が挙げられ、あるいは含フ
ッ素化合物等の離型処理を施したフィルムである。さら
に好ましくは、前述の微粘着（軽剥離）性を有する接着
剤をコーティングしたポリエステルフィルムが耐熱性の
点で優れている。また、保護フィルムは、加工時に視認
性が良いように顔料による着色が施されていても良い。
接着剤層Ａの表面に保護フィルム層をつけることができ
る。本発明の保護フィルム層は、絶縁体層および導体パ
ターンからなる配線基板層（ＴＡＢテープ等）に接着剤
層を貼り合わせる前に、接着剤層の形態および機能を損
なうことなく剥離できれば特に限定されず、その具体例
としてはポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレー
ト等のプラスチックフィルム、これらに微粘着（軽剥
離）性を有する接着剤のコーティング処理を施したフィ
ルムあるいはこれらのフィルムをラミネートした紙やこ
れらフィルムの積層体、離型性のある樹脂を含浸あるい
はコーティング処理した紙等が挙げられ、あるいは含フ
ッ素化合物等の離型処理を施したフィルムである。さら
に好ましくは、前述の微粘着（軽剥離）性を有する接着
剤をコーティングしたポリエステルフィルムが耐熱性の
点で優れている。また、保護フィルムは、加工時に視認
性が良いように顔料による着色が施されていても良い。
【００２８】保護フィルムの厚みは、１０μｍ〜１００
μｍの範囲、好ましくは１５μｍ以上さらに好ましくは
２５μｍ以上である。ただし、これらの保護フィルムの
厚みが１００μｍ以上になると先述の接着剤層の形態を
損なわないように加工するためには困難なため適切でな
い。
μｍの範囲、好ましくは１５μｍ以上さらに好ましくは
２５μｍ以上である。ただし、これらの保護フィルムの
厚みが１００μｍ以上になると先述の接着剤層の形態を
損なわないように加工するためには困難なため適切でな
い。
【００２９】本発明による半導体装置用接着テープは、
ＴＡＢ，ＣＳＰおよびＴＢＧＡ用などに好ましく使用さ
れる。本発明でいう半導体装置とは本発明の半導体装置
用接着剤シートを用いて作成されるものをいい、例え
ば、ＢＧＡタイプ、ＬＧＡタイプパッケージであれば特
に形状や構造は限定されない。半導体集積回路接続用基
板とＩＣの接続方法は、ＴＡＢ方式のギャングボンディ
ングおよびシングルポイントボンディング、リードフレ
ームに用いられるワイヤーボンディング、フリップチッ
プ実装での樹脂封止、異方性導電フィルム接続等のいず
れでもよい。また、ＣＳＰと称されるパッケージも本発
明の半導体装置に含まれる。
ＴＡＢ，ＣＳＰおよびＴＢＧＡ用などに好ましく使用さ
れる。本発明でいう半導体装置とは本発明の半導体装置
用接着剤シートを用いて作成されるものをいい、例え
ば、ＢＧＡタイプ、ＬＧＡタイプパッケージであれば特
に形状や構造は限定されない。半導体集積回路接続用基
板とＩＣの接続方法は、ＴＡＢ方式のギャングボンディ
ングおよびシングルポイントボンディング、リードフレ
ームに用いられるワイヤーボンディング、フリップチッ
プ実装での樹脂封止、異方性導電フィルム接続等のいず
れでもよい。また、ＣＳＰと称されるパッケージも本発
明の半導体装置に含まれる。
【００３０】次に、本発明のＴＡＢ用銅張り用テープを
製造する場合の一例を詳細に説明する。すなわち、 （１）市販の耐熱性フィルム、例えばポリイミドフィル
ムの上に上述の非接着性樹脂組成物を目的とする厚みＴ
ｃになるように直接塗布、乾燥し、さらに、塗工した樹
脂が少なくとも銅箔接着温度で安定化するようにキュア
する。キュアの条件は、使用する樹脂によって好ましく
選定すればよい。
製造する場合の一例を詳細に説明する。すなわち、 （１）市販の耐熱性フィルム、例えばポリイミドフィル
ムの上に上述の非接着性樹脂組成物を目的とする厚みＴ
ｃになるように直接塗布、乾燥し、さらに、塗工した樹
脂が少なくとも銅箔接着温度で安定化するようにキュア
する。キュアの条件は、使用する樹脂によって好ましく
選定すればよい。
【００３１】（２）次に、その裏面に接着剤層Ａを目的
とする厚みＴａを積層する。
とする厚みＴａを積層する。
【００３２】（３）接着剤層Ａと銅箔を重ね合わせ、所
定条件（温度・圧力・速度；時間）で接着する。必要に
応じ所定条件でキュアし、本発明による半導体装置用銅
張りテープを得る。
定条件（温度・圧力・速度；時間）で接着する。必要に
応じ所定条件でキュアし、本発明による半導体装置用銅
張りテープを得る。
【００３３】本発明は、上述の如く鋭意検討したとこ
ろ、反りのない高性能の半導体装置用接着テープにする
ことで発生する種々の問題を解決することができ、さら
に、銅張り板の材料構成を限定しさらに高性能の接着剤
を限定することによって、かかる要求がさらに達成でき
ることを究明して完成されたものである。
ろ、反りのない高性能の半導体装置用接着テープにする
ことで発生する種々の問題を解決することができ、さら
に、銅張り板の材料構成を限定しさらに高性能の接着剤
を限定することによって、かかる要求がさらに達成でき
ることを究明して完成されたものである。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で、反りは次の方法で評価および測定し
たものである。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で、反りは次の方法で評価および測定し
たものである。
【００３５】１．反り （１）ＭＤカール；５０ｍｍ×５０ｍｍのサンプルを、
定磐の上に置き４隅の浮き上がり高さを測定した。一般
的に平均５ｍｍ以下が実用できる。
定磐の上に置き４隅の浮き上がり高さを測定した。一般
的に平均５ｍｍ以下が実用できる。
【００３６】２．非接着性樹脂層 （１）非接着性樹脂層Ｃ１ 温度計、拡販装置、還流コンデンサーおよび乾燥Ｎ2 吹
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン１３．１６（７０ｍｏｌ％）お
よびｐ−フェニレンジアミン２．４５（３０ｍｏｌ％）
を溶解したあと、３，３’，４，４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物２４．３８ｇ（１００ｍｏｌ
％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０
℃で３時間攪拌して反応させポリアミド酸ワニスを得
た。
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン１３．１６（７０ｍｏｌ％）お
よびｐ−フェニレンジアミン２．４５（３０ｍｏｌ％）
を溶解したあと、３，３’，４，４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物２４．３８ｇ（１００ｍｏｌ
％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後５０
℃で３時間攪拌して反応させポリアミド酸ワニスを得
た。
【００３７】（２）非接着性樹脂層Ｃ２ 温度計、拡販装置、還流コンデンサーおよび乾燥Ｎ2 吹
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン７．３４ｇ（４０ｍｏｌ％）お
よび４，４’−ジアミノジフェニルエーテル８．８７ｇ
（６０ｍｏｌ％）を溶解したあと、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２３．８３
ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続
けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミ
ド酸ワニスを得た。
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン７．３４ｇ（４０ｍｏｌ％）お
よび４，４’−ジアミノジフェニルエーテル８．８７ｇ
（６０ｍｏｌ％）を溶解したあと、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２３．８３
ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続
けた。その後５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミ
ド酸ワニスを得た。
【００３８】３．接着剤層 （１）接着剤Ａ１ 温度計、拡販装置、還流コンデンサーおよび乾燥Ｎ2 吹
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン１６．０７ｇ（９０ｍｏｌ％）
およびｐ−フェニレンジアミン０．７８ｇ（１０ｍｏｌ
％）を溶解したあと、３，３’，４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物２３．１５ｇ（１００ｍ
ｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後
５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミド酸ワニスを
得た。
き込み口を備えた３００ｍｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド１６０ｇを入れ窒素気流下で１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）ジシロキサン１６．０７ｇ（９０ｍｏｌ％）
およびｐ−フェニレンジアミン０．７８ｇ（１０ｍｏｌ
％）を溶解したあと、３，３’，４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物２３．１５ｇ（１００ｍ
ｏｌ％）を加え、１０℃で１時間攪拌を続けた。その後
５０℃で３時間攪拌して反応させポリアミド酸ワニスを
得た。
【００３９】（２）接着剤Ａ２ ポリアミド樹脂 １００重量部（Unichema社製ナイロン
６・３６“PRIADIT"2053；ダイマー酸とヘキサメチレン
ジアミンが主成分、重量平均分子量１０万、１７５℃で
のＭＩ値１０ｇ／分）と熱硬化性アルキルフェノール樹
脂６０重量部（“ＰＳ２７８０”；群栄化学社製、原料
成分としてパラターシャリーブチルフェノール８５％、
ビスフェノールＡ１５％からなる）を、有機溶剤５４０
重量部（モノクロルベンゼン５０％、イソプロピルアル
コール１２％、ブチルアルコール１８％からなる）に溶
解し、接着剤Ａ２を得た。
６・３６“PRIADIT"2053；ダイマー酸とヘキサメチレン
ジアミンが主成分、重量平均分子量１０万、１７５℃で
のＭＩ値１０ｇ／分）と熱硬化性アルキルフェノール樹
脂６０重量部（“ＰＳ２７８０”；群栄化学社製、原料
成分としてパラターシャリーブチルフェノール８５％、
ビスフェノールＡ１５％からなる）を、有機溶剤５４０
重量部（モノクロルベンゼン５０％、イソプロピルアル
コール１２％、ブチルアルコール１８％からなる）に溶
解し、接着剤Ａ２を得た。
【００４０】４．耐熱性フィルムＢ （１）耐熱性フィルムＢ１ Ａｒ雰囲気中で低温プラズマ処理したポリイミドフィル
ム（宇部興産（株）製“ユーピレック”５０Ｓ） （２）耐熱性フィルムＢ２ あらかじめＡｒ雰囲気中で低温プラズマ処理したポリイ
ミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプトン200
V”） 実施例１〜６および比較例１〜４ 耐熱性フィルムとして上記Ｂ１、Ｂ２フィルムを用い、
接着剤Ａ１をバーコーターで膜厚が所定の厚みになるよ
うにバーコーターで塗工し、１３０℃で３分乾燥、つい
で１５０℃で３分乾燥、さらに２００℃で１分乾燥し
た。さらに２５０℃で１分乾燥した。上記作製した接着
剤塗工面に銅箔（１／２Ｏｚ、ＶＬＰ厚み１８μｍ；三
井金属鉱業（株）製）を重ね合わせ、温度２３０℃、線
圧６ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせた。さらに
ステップキュア（最終温度３００℃、２時間）し、銅張
りテープを得た。構成および反り測定結果を表１に示し
た。
ム（宇部興産（株）製“ユーピレック”５０Ｓ） （２）耐熱性フィルムＢ２ あらかじめＡｒ雰囲気中で低温プラズマ処理したポリイ
ミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプトン200
V”） 実施例１〜６および比較例１〜４ 耐熱性フィルムとして上記Ｂ１、Ｂ２フィルムを用い、
接着剤Ａ１をバーコーターで膜厚が所定の厚みになるよ
うにバーコーターで塗工し、１３０℃で３分乾燥、つい
で１５０℃で３分乾燥、さらに２００℃で１分乾燥し
た。さらに２５０℃で１分乾燥した。上記作製した接着
剤塗工面に銅箔（１／２Ｏｚ、ＶＬＰ厚み１８μｍ；三
井金属鉱業（株）製）を重ね合わせ、温度２３０℃、線
圧６ｋｇ／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせた。さらに
ステップキュア（最終温度３００℃、２時間）し、銅張
りテープを得た。構成および反り測定結果を表１に示し
た。
【００４１】実施例７ 耐熱性フィルムとして上記Ｂ２フィルムを用い、接着剤
Ａ２を膜厚が１２μｍになるようにバーコーターで塗工
し、１３０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、
さらに２００℃で１分乾燥した。作製した接着剤塗工面
に銅箔（１／２Ｏｚ、ＶＬＰ厚み１８μｍ；三井金属鉱
業（株）製）を重ね合わせ、温度１３０℃、線圧３ｋｇ
／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせた。さらにステップ
キュア（最終温度１６０℃、４時間）し、銅張りテープ
を得た。構成および反り測定結果を表１に示した。
Ａ２を膜厚が１２μｍになるようにバーコーターで塗工
し、１３０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、
さらに２００℃で１分乾燥した。作製した接着剤塗工面
に銅箔（１／２Ｏｚ、ＶＬＰ厚み１８μｍ；三井金属鉱
業（株）製）を重ね合わせ、温度１３０℃、線圧３ｋｇ
／ｃｍ、速度１ｍ／分で張り合わせた。さらにステップ
キュア（最終温度１６０℃、４時間）し、銅張りテープ
を得た。構成および反り測定結果を表１に示した。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【発明の効果】本発明は、反りがなく加工精度に優れる
高性能な接着フィルムを安定して供給することができ
る。
高性能な接着フィルムを安定して供給することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB05 CA06 CC03 CC05 CD06 CD08 DA01 DA02 DA03 DB02 FA05 4J040 EH031 JA09 KA02 LA06 LA08 MA10 NA20 4J043 PA04 PA19 PC015 PC016 PC065 PC066 QB15 QB26 QB31 RA06 RA35 SA06 SA47 SA72 SB03 TB01 UA121 UA122 UA131 UA132 UA222 UA232 UA252 UA262 UA662 UA672 UA761 UB011 UB012 UB022 UB121 UB122 UB152 UB301 UB302 UB351 UB402 VA011 VA022 VA041 VA062 VA102 XA14 XA16 ZB01 5F044 MM11
Claims (9)
- 【請求項１】片面に接着剤層Ａを有する耐熱性フィルム
Ｂの反対面に非接着性樹脂層Ｃを設け、非接着性樹脂層
Ｃの厚みＴｃと接着層Ａの厚みＴａの比Ｔａ／Ｔｃが、
０．２＜Ｔａ／Ｔｃ＜１０であることを特徴とする半導
体装置用接着テープ。 - 【請求項２】非接着性樹脂層Ｃのガラス転移温度（以下
Ｔｇ）が６０℃以上であり、かつ接着剤層ＡのＴｇ以上
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接
着テープ。 - 【請求項３】非接着性樹脂層Ｃがポリイミド系樹脂層で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着
テープ。 - 【請求項４】請求項３記載のポリイミド系樹脂が芳香族
テトラカルボン酸無水物とジアミンを含み、該ジアミン
成分中の５モル％乃至９０モル％が次の一般式（１）で
表されるシロキサン系ジアミンであることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用接着テープ。 【化１】 （ｎは１以上の整数を示す。またＲ１およびＲ２は、そ
れぞれ同一または異なっていてもよく、低級アルキレン
基またはフェニレン基を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および
Ｒ６は、それぞれ同一または異なっていてもよく、低級
アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。） - 【請求項５】耐熱性フィルムＢがポリイミド樹脂フィル
ムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用
接着テープ。 - 【請求項６】接着剤層ＡのＴｇが、６０℃以上３００℃
以下であることを特徴とする請求項１記載の接着テー
プ。 - 【請求項７】耐熱樹性フィルムＢの表面がプラズマ処理
されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
用接着テープ。 - 【請求項８】接着剤層Ａが芳香族ポリイミド系接着剤を
含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着
テープ。 - 【請求項９】接着剤層Ａが芳香族テトラカルボン酸とジ
アミンを含み、該ジアミン成分中の２０モル％以上９５
モル％以下が次の一般式（１）で表されるシロキサン系
ジアミン成分であることを特徴とする請求項８記載の半
導体装置用接着テープ。 【化２】 （ｎは１以上の整数を示す。またＲ１およびＲ２は、そ
れぞれ同一または異なっていてもよく、低級アルキレン
基またはフェニレン基を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５および
Ｒ６は、それぞれ同一または異なっていてもよく、低級
アルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267852A JP2000096010A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体装置用接着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10267852A JP2000096010A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体装置用接着テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096010A true JP2000096010A (ja) | 2000-04-04 |
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ID=17450537
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|---|---|---|---|
| JP10267852A Pending JP2000096010A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 半導体装置用接着テープ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000096010A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008004496A1 (en) | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Toray Industries, Inc. | Thermoplastic polyimide, and laminated polyimide film and metal foil-laminated polyimide film using the thermoplastic polyimide |
| CN103502006A (zh) * | 2011-03-30 | 2014-01-08 | 宇部兴产株式会社 | 聚酰亚胺膜和使用其的金属层压体 |
| KR101365257B1 (ko) | 2012-02-15 | 2014-02-21 | 도레이첨단소재 주식회사 | 내열성 접착테이프 |
| CN112040651A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-04 | 湖北奥马电子科技有限公司 | 单面软式覆铜板的生产方法及其制品 |
Citations (14)
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