JP2000273143A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000273143A JP2000273143A JP8148399A JP8148399A JP2000273143A JP 2000273143 A JP2000273143 A JP 2000273143A JP 8148399 A JP8148399 A JP 8148399A JP 8148399 A JP8148399 A JP 8148399A JP 2000273143 A JP2000273143 A JP 2000273143A
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- resin
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- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子が、配線基板の表面に接着剤を介
して貼りつけられた半導体装置では、接着剤の吸湿によ
る接着力の低下や、ガスの発生によって半導体装置の信
頼性が低下する問題点がある。 【解決手段】 特定の構造を有するポリイミド樹脂と、
特定の構造を有するエポキシ樹脂と、アミノシランを特
定の重量部で混合した樹脂組成物を接着剤として使用す
ることによって、信頼性の高い半導体装置を提供する。
して貼りつけられた半導体装置では、接着剤の吸湿によ
る接着力の低下や、ガスの発生によって半導体装置の信
頼性が低下する問題点がある。 【解決手段】 特定の構造を有するポリイミド樹脂と、
特定の構造を有するエポキシ樹脂と、アミノシランを特
定の重量部で混合した樹脂組成物を接着剤として使用す
ることによって、信頼性の高い半導体装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体パッケージは小型化かつ多ピン化している。
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体パッケージは小型化かつ多ピン化している。
【０００３】半導体パッケージはその小型化に伴って、
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは小型化に限界があるため、最近では配線基板上に
半導体素子を実装したものとしてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しいパッ
ケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケー
ジでは、半導体素子の電極をエリア型に再配列して実装
基板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポ
ーザと呼ばれる配線基板上に半導体素子を搭載する構造
が主流となっている。インターポーザには、フレキシブ
ルプリント配線基板や、ガラスエポキシ樹脂積層板が用
いられる。
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは小型化に限界があるため、最近では配線基板上に
半導体素子を実装したものとしてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しいパッ
ケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケー
ジでは、半導体素子の電極をエリア型に再配列して実装
基板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポ
ーザと呼ばれる配線基板上に半導体素子を搭載する構造
が主流となっている。インターポーザには、フレキシブ
ルプリント配線基板や、ガラスエポキシ樹脂積層板が用
いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造を持つ
半導体装置では、半導体素子と配線基板を貼りつけてい
る接着剤の特性が、半導体装置の組み立て性や信頼性に
大きな影響を持つ。たとえば、耐熱性の高いポリイミド
系の接着剤の多くは、信頼性は高いが、ガラス転移温度
が高いために貼付け温度が高く、高温で組み立てる必要
がある。また、吸湿によって大きく接着力が低下するよ
うな接着剤を使用した半導体装置では、吸湿した状態で
半導体装置を実装基板に搭載してリフロー半田処理を行
った場合、半導体素子が配線基板からはがれてしまい、
半導体装置として使用できない。さらにまた、リフロー
半田処理時に残留揮発分ガスが発生するするような接着
剤では、接着剤層と半導体素子や配線基板の界面が、気
化したガスによって剥離したり、半導体装置が破壊して
しまう。
半導体装置では、半導体素子と配線基板を貼りつけてい
る接着剤の特性が、半導体装置の組み立て性や信頼性に
大きな影響を持つ。たとえば、耐熱性の高いポリイミド
系の接着剤の多くは、信頼性は高いが、ガラス転移温度
が高いために貼付け温度が高く、高温で組み立てる必要
がある。また、吸湿によって大きく接着力が低下するよ
うな接着剤を使用した半導体装置では、吸湿した状態で
半導体装置を実装基板に搭載してリフロー半田処理を行
った場合、半導体素子が配線基板からはがれてしまい、
半導体装置として使用できない。さらにまた、リフロー
半田処理時に残留揮発分ガスが発生するするような接着
剤では、接着剤層と半導体素子や配線基板の界面が、気
化したガスによって剥離したり、半導体装置が破壊して
しまう。
【０００５】 そこで本発明は、半導体素子と配線基板
の接着剤に特定の構造をもつ樹脂組成物を使用すること
により、低温で組み立てることが出来、しかも加熱時の
ガス発生がなく、吸湿時の接着強度が優れた半導体装置
を提供することを目的とする。
の接着剤に特定の構造をもつ樹脂組成物を使用すること
により、低温で組み立てることが出来、しかも加熱時の
ガス発生がなく、吸湿時の接着強度が優れた半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置では、半導体素子と配線基板
の接着剤樹脂として、（Ａ）その主鎖中に一般式（１）
で表される構造を有する熱可塑性シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂１００重量部、（Ｂ）オリゴエチレングリコー
ルジグリシジルエーテルとビスフェノールAとを反応さ
せて得られる、重量平均分子量２,０００以上２００，
０００未満のエポキシ樹脂１〜１００重量部、（Ｃ）ア
ミノシラン０.１５〜５.１０重量部を必須成分として含
有している樹脂組成物を使用することを特徴とする。
めに、本発明の半導体装置では、半導体素子と配線基板
の接着剤樹脂として、（Ａ）その主鎖中に一般式（１）
で表される構造を有する熱可塑性シリコーン変性ポリイ
ミド樹脂１００重量部、（Ｂ）オリゴエチレングリコー
ルジグリシジルエーテルとビスフェノールAとを反応さ
せて得られる、重量平均分子量２,０００以上２００，
０００未満のエポキシ樹脂１〜１００重量部、（Ｃ）ア
ミノシラン０.１５〜５.１０重量部を必須成分として含
有している樹脂組成物を使用することを特徴とする。
【０００７】
【化１】 式中、Ｒ1，Ｒ2は、炭素数６以下の、１価の脂肪族また
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。
【０００８】本発明の接着剤に使用する熱可塑性シリコ
ーン変性ポリイミド樹脂は、その主鎖中に一般式（１）
で表されるポリシロキサン構造を有していることが必要
である。このポリシロキサンの鎖長ｎは６〜１５が好ま
しく、特にｎの値が６〜１２の範囲が、ガラス転移温
度、接着性、耐熱性の点から好ましい。ｎが５以下の場
合、接着工程に高温あるいは長時間が必要になり、逆に
ｎが１６以上の場合、ポリイミドの耐熱性が低下してし
まう。このポリシロキサン構造は、α,ω―ビス（３―
アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンなどのシリコ
ーンジアミンをポリイミドの製造の際に原料として使用
することによって導入することができる。
ーン変性ポリイミド樹脂は、その主鎖中に一般式（１）
で表されるポリシロキサン構造を有していることが必要
である。このポリシロキサンの鎖長ｎは６〜１５が好ま
しく、特にｎの値が６〜１２の範囲が、ガラス転移温
度、接着性、耐熱性の点から好ましい。ｎが５以下の場
合、接着工程に高温あるいは長時間が必要になり、逆に
ｎが１６以上の場合、ポリイミドの耐熱性が低下してし
まう。このポリシロキサン構造は、α,ω―ビス（３―
アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンなどのシリコ
ーンジアミンをポリイミドの製造の際に原料として使用
することによって導入することができる。
【０００９】熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂の
原料となるジアミンとしては、芳香族ジアミンとして、
例えば、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェノキ
シ）フェニル)プロパン、１，３―ビス（３―アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、２，２’―ビス(４―（４―アミ
ノフェノキシ）フェニル)ヘキサフルオロプロパン、
２，２’―ビス（４―アミノフェノキシ）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビスー４―（４―アミノフェノキシ）フェ
ニルスルホン、ビスー４―（３―アミノフェノキシ）フ
ェニルスルホン、などを１種、または２種以上と前記シ
リコーンジアミンとを併用する。
原料となるジアミンとしては、芳香族ジアミンとして、
例えば、２，２’―ビス(４―（４―アミノフェノキ
シ）フェニル)プロパン、１，３―ビス（３―アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、２，２’―ビス(４―（４―アミ
ノフェノキシ）フェニル)ヘキサフルオロプロパン、
２，２’―ビス（４―アミノフェノキシ）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビスー４―（４―アミノフェノキシ）フェ
ニルスルホン、ビスー４―（３―アミノフェノキシ）フ
ェニルスルホン、などを１種、または２種以上と前記シ
リコーンジアミンとを併用する。
【００１０】また、酸無水物としては、３，３’，４，
４’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’―オキシジフタル酸二無水物、エチレン
グリコールビストリメリット酸二無水物から成る群より
得られた１種または２種以上のテトラカルボン酸二無水
物を用いる。
４’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’―オキシジフタル酸二無水物、エチレン
グリコールビストリメリット酸二無水物から成る群より
得られた１種または２種以上のテトラカルボン酸二無水
物を用いる。
【００１１】本発明の接着剤に使用するエポキシ樹脂
は、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAを反応させることによって得られる重
量平均分子量２,０００以上２００，０００未満のエポ
キシ樹脂を用いるのが好ましい。重量平均分子量が２,
０００未満では、熱圧着時の加熱によりガスが発生す
る。また、重量平均分子量が２００，０００以上では可
とう性が無く接着強度が劣るため好ましくない。参考の
ために示せば、このようなエポキシ樹脂は、一般式
（２）で表される構造を有するものである。
は、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAを反応させることによって得られる重
量平均分子量２,０００以上２００，０００未満のエポ
キシ樹脂を用いるのが好ましい。重量平均分子量が２,
０００未満では、熱圧着時の加熱によりガスが発生す
る。また、重量平均分子量が２００，０００以上では可
とう性が無く接着強度が劣るため好ましくない。参考の
ために示せば、このようなエポキシ樹脂は、一般式
（２）で表される構造を有するものである。
【００１２】
【化２】 式中、ｍは３以上の整数で、ｎは２以上８未満の整数を
表す。
表す。
【００１３】エポキシ樹脂の原料に用いるフェノール化
合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
フェノールなどの２官能フェノール化合物を用いること
ができるが、耐熱性と可撓性を両立させる目的には、ビ
スフェノールAが最も好ましい。また、可とう性に優れ
た鎖延長エポキシ樹脂を得るためには、もう一方の原料
として、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテ
ルを用いるのが最もよく、一般式（２）における繰り返
し数ｎを、２以上８未満とするのがよい。ｎが１の場合
は、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性は比較的低く、市販
のビスフェノールA型エポキシ樹脂の高分子量体と同程
度の性質を示す。また、ｎが８以上になると、鎖延長エ
ポキシ樹脂の可とう性が高くなりすぎて加圧接着時のフ
ローが大きくなりすぎる。
合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
フェノールなどの２官能フェノール化合物を用いること
ができるが、耐熱性と可撓性を両立させる目的には、ビ
スフェノールAが最も好ましい。また、可とう性に優れ
た鎖延長エポキシ樹脂を得るためには、もう一方の原料
として、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテ
ルを用いるのが最もよく、一般式（２）における繰り返
し数ｎを、２以上８未満とするのがよい。ｎが１の場合
は、鎖延長エポキシ樹脂の可とう性は比較的低く、市販
のビスフェノールA型エポキシ樹脂の高分子量体と同程
度の性質を示す。また、ｎが８以上になると、鎖延長エ
ポキシ樹脂の可とう性が高くなりすぎて加圧接着時のフ
ローが大きくなりすぎる。
【００１４】本発明において用いる接着剤としては、そ
の主鎖中に一般式（１）で表される構造を有する、熱可
塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量部に対し
て、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させて得られる、重量平均分
子量２,０００以上２００，０００未満のエポキシ樹脂
１〜１００重量部、特に２０〜５０重量部の範囲とする
のが好ましい。１重量部未満では、接着強度の改善効果
が現れにくく、１００重量部を越えると樹脂組成物の耐
熱性が低下するので好ましくない。また、アミノシラン
の配合割合は熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１
００重量部に対して０.１５〜５.１０重量部であり、こ
れはエポキシ基と化学当量のアミンの活性水素が配合さ
れたことになる。
の主鎖中に一般式（１）で表される構造を有する、熱可
塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量部に対し
て、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させて得られる、重量平均分
子量２,０００以上２００，０００未満のエポキシ樹脂
１〜１００重量部、特に２０〜５０重量部の範囲とする
のが好ましい。１重量部未満では、接着強度の改善効果
が現れにくく、１００重量部を越えると樹脂組成物の耐
熱性が低下するので好ましくない。また、アミノシラン
の配合割合は熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１
００重量部に対して０.１５〜５.１０重量部であり、こ
れはエポキシ基と化学当量のアミンの活性水素が配合さ
れたことになる。
【００１５】本発明の半導体装置に使用する配線基板に
は、フレキシブルプリント配線基板や、ガラスエポキシ
基板などの硬質板が使用できる。半導体装置の薄型化の
点からは、フレキシブルプリント配線基板が好ましく、
特にポリイミドやポリアミドイミドを銅箔上に直接形成
した構造のフレキシブルプリント配線基板は耐熱性が高
く、本発明の半導体装置に好適である。また、ガラスエ
ポキシ基板やビスマレイミドトリアジン樹脂を使用した
基板も、耐熱性が高く、寸法精度が高いので本発明の半
導体装置に好適に使用できる。
は、フレキシブルプリント配線基板や、ガラスエポキシ
基板などの硬質板が使用できる。半導体装置の薄型化の
点からは、フレキシブルプリント配線基板が好ましく、
特にポリイミドやポリアミドイミドを銅箔上に直接形成
した構造のフレキシブルプリント配線基板は耐熱性が高
く、本発明の半導体装置に好適である。また、ガラスエ
ポキシ基板やビスマレイミドトリアジン樹脂を使用した
基板も、耐熱性が高く、寸法精度が高いので本発明の半
導体装置に好適に使用できる。
【００１６】
【実施例】（接着剤樹脂組成物の準備）一般式（１）に
おいて、ｎが１０のポリジメチルシロキサンを主鎖中に
含有するポリイミドと、エチレングリコールジグリシジ
ルエーテルとビスフェノールAを反応させて得られた重
量平均分子量５００００のエポキシ樹脂、およびアミノ
シラン化合物を準備し、ポリイミド１００重量部、エポ
キシ樹脂１０重量部、アミノシラン化合物０．５１重量
部を混合して、接着剤樹脂組成物を得た。
おいて、ｎが１０のポリジメチルシロキサンを主鎖中に
含有するポリイミドと、エチレングリコールジグリシジ
ルエーテルとビスフェノールAを反応させて得られた重
量平均分子量５００００のエポキシ樹脂、およびアミノ
シラン化合物を準備し、ポリイミド１００重量部、エポ
キシ樹脂１０重量部、アミノシラン化合物０．５１重量
部を混合して、接着剤樹脂組成物を得た。
【００１９】（実施例１）銅箔回路層１８μｍポリイミ
ド樹脂絶縁層１３μｍからなる半導体搭載用フレキシブ
ルプリント配線基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ
１シリーズ）のポリイミド樹脂絶縁層と、半導体素子の
回路面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０℃で
１秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とフレキシブ
ルプリント配線基板の接着強度は1.5kgf/cmであった。
このようにして得られた半導体装置を８５℃８５％の恒
温恒湿条件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の
赤外線リフロー装置で加熱を行ったが、半導体素子とフ
レキシブルプリント配線基板は強固に接着していた。
ド樹脂絶縁層１３μｍからなる半導体搭載用フレキシブ
ルプリント配線基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ
１シリーズ）のポリイミド樹脂絶縁層と、半導体素子の
回路面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０℃で
１秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とフレキシブ
ルプリント配線基板の接着強度は1.5kgf/cmであった。
このようにして得られた半導体装置を８５℃８５％の恒
温恒湿条件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の
赤外線リフロー装置で加熱を行ったが、半導体素子とフ
レキシブルプリント配線基板は強固に接着していた。
【００２０】（実施例２）銅箔回路層１８μｍポリアミ
ドイミド系樹脂絶縁層２５μｍからなる半導体搭載用フ
レキシブルプリント配線基板（新日鐵化学製 エスパネ
ックス）のポリアミドイミド系樹脂絶縁層と、半導体素
子の回路面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０
℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とフレキ
シブルプリント配線基板の接着強度は1.5kgf/cmであっ
た。このようにして得られた半導体装置を８５℃８５％
の恒温恒湿条件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０
℃の赤外線リフロー装置で加熱を行ったが、半導体素子
とフレキシブルプリント配線基板は強固に接着してい
た。
ドイミド系樹脂絶縁層２５μｍからなる半導体搭載用フ
レキシブルプリント配線基板（新日鐵化学製 エスパネ
ックス）のポリアミドイミド系樹脂絶縁層と、半導体素
子の回路面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０
℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とフレキ
シブルプリント配線基板の接着強度は1.5kgf/cmであっ
た。このようにして得られた半導体装置を８５℃８５％
の恒温恒湿条件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０
℃の赤外線リフロー装置で加熱を行ったが、半導体素子
とフレキシブルプリント配線基板は強固に接着してい
た。
【００２１】（実施例３）銅箔回路層１８μｍの０．３
mm厚ガラスエポキシ基板からなる半導体搭載用ガラスエ
ポキシ配線基板のエポキシ樹脂絶縁層と、半導体素子の
裏面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０℃で３
秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とガラスエポキ
シ配線基板の接着強度は1.0kgf/cmであった。このよう
にして得られた半導体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条
件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の赤外線リ
フロー装置で加熱を行ったが、半導体素子とガラスエポ
キシ配線基板は強固に接着していた。
mm厚ガラスエポキシ基板からなる半導体搭載用ガラスエ
ポキシ配線基板のエポキシ樹脂絶縁層と、半導体素子の
裏面とを、上記で準備した接着剤を用いて２５０℃で３
秒加熱圧着して貼りつけた。半導体素子とガラスエポキ
シ配線基板の接着強度は1.0kgf/cmであった。このよう
にして得られた半導体装置を８５℃８５％の恒温恒湿条
件で１６８時間処理し、ピーク温度２４０℃の赤外線リ
フロー装置で加熱を行ったが、半導体素子とガラスエポ
キシ配線基板は強固に接着していた。
【００２２】（比較例１）銅箔回路層１８μｍポリイミ
ド樹脂絶縁層１３μｍからなる半導体搭載用フレキシブ
ルプリント配線基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ
１シリーズ）のポリイミド樹脂絶縁層と、半導体素子の
回路面とを、ガラス転移温度２５０℃のポリイミド接着
剤を用いて２５０℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。こ
のようにして得られた半導体装置は、半導体素子とフレ
キシブルプリント配線基板の接着強度が0.2kgf/cmと低
く、半導体装置として使用できないものであった。
ド樹脂絶縁層１３μｍからなる半導体搭載用フレキシブ
ルプリント配線基板（住友ベークライト製、ＴＦＣ−Ａ
１シリーズ）のポリイミド樹脂絶縁層と、半導体素子の
回路面とを、ガラス転移温度２５０℃のポリイミド接着
剤を用いて２５０℃で１秒加熱圧着して貼りつけた。こ
のようにして得られた半導体装置は、半導体素子とフレ
キシブルプリント配線基板の接着強度が0.2kgf/cmと低
く、半導体装置として使用できないものであった。
【００２３】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、吸湿時の
接着強度に優れた信頼性の高い半導体装置を得ることが
出来る。
接着強度に優れた信頼性の高い半導体装置を得ることが
出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CD052 CM041 EX076 GJ01 GQ05 4J036 AB01 AB10 CA08 FA13 FB14 4J040 EC021 EC022 EC311 EC312 EH031 EK111 HD36 LA01 LA07 LA08 MA05 MA10 NA20 4J043 PA05 PB19 QB15 QB31 QB50 RA28 RA34 SA06 SA85 SB03 TA14 UA121 UA131 UA132 UB011 UB051 UB152 UB301 UB351 ZA02 ZA06 ZB01 ZB50
Claims (5)
- 【請求項１】 配線基板の表面に半導体素子を接着剤を
介して貼りつけてなる半導体装置において、該接着剤樹
脂が、その主鎖中に一般式（１）で表される構造を有す
る熱可塑性シリコーン変性ポリイミド樹脂１００重量
部、オリゴエチレングリコールジグリシジルエーテルと
ビスフェノールAとを反応させて得られる、重量平均分
子量２,０００以上２００，０００未満のエポキシ樹脂
１〜１００重量部、及びアミノシラン０.１５〜５.１０
重量部を必須成分として含有している樹脂組成物である
ことを特徴とする半導体装置。 【化１】 式中、Ｒ1，Ｒ2は、炭素数６以下の、１価の脂肪族また
は芳香族炭化水素基で、ｎは６以上１６未満の整数を表
す。 - 【請求項２】 配線基板が、ポリイミド樹脂を銅箔上に
接着剤を介さずに直接積層した構造を持つフレキシブル
プリント配線基板であることを特徴とする、請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項３】 配線基板が、ポリアミドイミド系樹脂を
銅箔上に接着剤を介さずに直接積層した構造を持つフレ
キシブルプリント配線基板であることを特徴とする、請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 配線基板が、ビスマレイミドトリアジン
樹脂積層板であることを特徴とする、請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 配線基板が、ガラスエポキシ積層板であ
ることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148399A JP2000273143A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8148399A JP2000273143A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273143A true JP2000273143A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13747660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8148399A Pending JP2000273143A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000273143A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002114837A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | インターポーザ用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
| JP2004244610A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-09-02 | Sakamoto Yakuhin Kogyo Co Ltd | 新規なエポキシ樹脂およびそれを含む活性エネルギー線硬化性樹脂組成物 |
| JP2006199863A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Sakamoto Yakuhin Kogyo Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2008156591A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-07-10 | Dic Corp | フェノール系樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、それらの硬化物、水性塗料、新規フェノール系樹脂、及び新規エポキシ樹脂 |
| WO2020175105A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 東レ株式会社 | ポリアルキレングリコール共重合体、その製造方法およびポリアルキレングリコール共重合体を配合した樹脂組成物 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8148399A patent/JP2000273143A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002114837A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | インターポーザ用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
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| WO2020175105A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 東レ株式会社 | ポリアルキレングリコール共重合体、その製造方法およびポリアルキレングリコール共重合体を配合した樹脂組成物 |
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