JP2000026602A - 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板 - Google Patents
熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来よりも低温で熱圧着することができる熱融
着性ポリイミド樹脂フィルムを提供する。 【解決手段】下記の一般式（１）〜（６）で表される熱
融着性ポリイミド樹脂から形成されている熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムにより課題を解決する。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】
着性ポリイミド樹脂フィルムを提供する。 【解決手段】下記の一般式（１）〜（６）で表される熱
融着性ポリイミド樹脂から形成されている熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムにより課題を解決する。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子部品の接
合等に用いられる熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよ
びこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板に関する
ものである。
合等に用いられる熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよ
びこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置，多層配線板等の
各種電子部品において、配線板と半導体素子との接合，
複数の配線板同士の接合等には、熱融着性ポリイミド樹
脂フィルムが用いられている。例えば、特開平８−３３
５６５３号公報に見られるように、下記の一般式（Ｉ）
〜（Ｖ）で表される熱融着性ポリイミド樹脂から形成さ
れてなる熱融着性ポリイミド樹脂フィルムが用いられて
いる。
各種電子部品において、配線板と半導体素子との接合，
複数の配線板同士の接合等には、熱融着性ポリイミド樹
脂フィルムが用いられている。例えば、特開平８−３３
５６５３号公報に見られるように、下記の一般式（Ｉ）
〜（Ｖ）で表される熱融着性ポリイミド樹脂から形成さ
れてなる熱融着性ポリイミド樹脂フィルムが用いられて
いる。
【０００３】
【化７】
【０００４】
【化８】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の熱融着性ポリイミド樹脂は、通常、ガラス転移温度
（Ｔｇ）が２００℃を超えている。したがって、このよ
うな熱融着性ポリイミド樹脂から形成されてなる熱融着
性ポリイミド樹脂フィルムを用いて、配線板と半導体素
子との接合や、複数の配線板同士の接合等を行う場合、
熱圧着時の温度を３００℃以上に設定する必要がある。
このような高温下では、半導体装置や多層配線板等の電
子部品が損傷するという難点があり、特に、構造が微細
な電子部品の場合は、損傷が生じやすくなる。このよう
に、低温で熱圧着可能な熱融着性ポリイミド樹脂フィル
ムは未だ開発されていないのが実情であり、従来よりも
低温で熱圧着することができる熱融着性ポリイミド樹脂
フィルムの開発が待望されている。
来の熱融着性ポリイミド樹脂は、通常、ガラス転移温度
（Ｔｇ）が２００℃を超えている。したがって、このよ
うな熱融着性ポリイミド樹脂から形成されてなる熱融着
性ポリイミド樹脂フィルムを用いて、配線板と半導体素
子との接合や、複数の配線板同士の接合等を行う場合、
熱圧着時の温度を３００℃以上に設定する必要がある。
このような高温下では、半導体装置や多層配線板等の電
子部品が損傷するという難点があり、特に、構造が微細
な電子部品の場合は、損傷が生じやすくなる。このよう
に、低温で熱圧着可能な熱融着性ポリイミド樹脂フィル
ムは未だ開発されていないのが実情であり、従来よりも
低温で熱圧着することができる熱融着性ポリイミド樹脂
フィルムの開発が待望されている。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、従来よりも低温で熱圧着することができる熱融
着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体
装置ならびに多層配線板の提供をその目的とする。
もので、従来よりも低温で熱圧着することができる熱融
着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体
装置ならびに多層配線板の提供をその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、下記の一般式（１）〜（６）からなる群
から選ばれた少なくとも一つの熱融着性ポリイミド樹脂
から形成されている熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを
第１の要旨とする。
に、本発明は、下記の一般式（１）〜（６）からなる群
から選ばれた少なくとも一つの熱融着性ポリイミド樹脂
から形成されている熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを
第１の要旨とする。
【０００８】
【化９】
【０００９】
【化１０】
【００１０】
【化１１】
【００１１】
【化１２】
【００１２】
【化１３】
【００１３】
【化１４】
【００１４】また、本発明は、配線板上に半導体素子が
搭載され、上記配線板と半導体素子との間隙が熱融着性
ポリイミド樹脂層によって封止されてなる半導体装置で
あって、上記熱融着性ポリイミド樹脂層が特定の熱融着
性ポリイミド樹脂フィルムによって構成されている半導
体装置を第２の要旨とする。そして、本発明は、複数の
配線板が熱融着性ポリイミド樹脂層を介して積層一体化
されてなる多層配線板であって、上記熱融着性ポリイミ
ド樹脂層が特定の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによ
って構成されている多層配線板を第３の要旨とする。
搭載され、上記配線板と半導体素子との間隙が熱融着性
ポリイミド樹脂層によって封止されてなる半導体装置で
あって、上記熱融着性ポリイミド樹脂層が特定の熱融着
性ポリイミド樹脂フィルムによって構成されている半導
体装置を第２の要旨とする。そして、本発明は、複数の
配線板が熱融着性ポリイミド樹脂層を介して積層一体化
されてなる多層配線板であって、上記熱融着性ポリイミ
ド樹脂層が特定の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによ
って構成されている多層配線板を第３の要旨とする。
【００１５】すなわち、本発明者らは、従来よりも低温
で熱圧着することができる熱融着性ポリイミド樹脂フィ
ルムを得るため、その形成材料となる熱融着性ポリイミ
ド樹脂を中心に研究を重ねた。この一連の研究の過程
で、構造中に特定の脂肪族ジアミンを有する熱融着性ポ
リイミド樹脂を用いると好結果が得られるのではないか
と着想し、さらに研究を重ねた結果、上記一般式（１）
〜（６）からなる群から選ばれた少なくとも一つの熱融
着性ポリイミド樹脂を突き止めた。その結果、上記特定
の熱融着性ポリイミド樹脂から形成された熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムは、従来よりも低温で熱圧着するこ
とができることを見出し本発明に到達した。このよう
に、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いて
なる半導体装置および多層配線板は、熱圧着時の温度が
低いため、熱圧着時の熱によって損傷が生じることがな
い。
で熱圧着することができる熱融着性ポリイミド樹脂フィ
ルムを得るため、その形成材料となる熱融着性ポリイミ
ド樹脂を中心に研究を重ねた。この一連の研究の過程
で、構造中に特定の脂肪族ジアミンを有する熱融着性ポ
リイミド樹脂を用いると好結果が得られるのではないか
と着想し、さらに研究を重ねた結果、上記一般式（１）
〜（６）からなる群から選ばれた少なくとも一つの熱融
着性ポリイミド樹脂を突き止めた。その結果、上記特定
の熱融着性ポリイミド樹脂から形成された熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムは、従来よりも低温で熱圧着するこ
とができることを見出し本発明に到達した。このよう
に、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いて
なる半導体装置および多層配線板は、熱圧着時の温度が
低いため、熱圧着時の熱によって損傷が生じることがな
い。
【００１６】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を詳しく説明す
る。
る。
【００１７】本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
は、下記の一般式（１）〜（６）からなる群から選ばれ
た少なくとも一つの熱融着性ポリイミド樹脂から形成さ
れている。なお、上記熱融着性ポリイミド樹脂の末端
は、酸無水物基、カルボキシル基またはアミノ基であ
る。
は、下記の一般式（１）〜（６）からなる群から選ばれ
た少なくとも一つの熱融着性ポリイミド樹脂から形成さ
れている。なお、上記熱融着性ポリイミド樹脂の末端
は、酸無水物基、カルボキシル基またはアミノ基であ
る。
【００１８】
【化１５】
【００１９】
【化１６】
【００２０】
【化１７】
【００２１】
【化１８】
【００２２】
【化１９】
【００２３】
【化２０】
【００２４】上記一般式（１）〜（６）において、ａは
０または正数であり、ｂとｃはいずれも正数である。そ
して、ａとｂとｃは、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１〜
０．８で、かつ、ａ／（ａ＋ｃ）＝０〜０．７の関係を
満たすことが好ましい。
０または正数であり、ｂとｃはいずれも正数である。そ
して、ａとｂとｃは、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１〜
０．８で、かつ、ａ／（ａ＋ｃ）＝０〜０．７の関係を
満たすことが好ましい。
【００２５】また、上記一般式（１）〜（６）におい
て、ｍは２〜２０の整数であり、好ましくは５〜１５の
整数である。
て、ｍは２〜２０の整数であり、好ましくは５〜１５の
整数である。
【００２６】上記一般式（１）〜（６）で表される熱融
着性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が２０〜２００
℃に設定されていることが好ましく、より好ましくは３
０〜１５０℃である。すなわち、ガラス転移温度が２０
℃未満であると、室温における強度が低く、充分な接着
強度が得られず、２００℃を超えると、熱圧着時の温度
が高くなり、被着体である電子部品が熱によって損傷す
るおそれがあるからである。
着性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が２０〜２００
℃に設定されていることが好ましく、より好ましくは３
０〜１５０℃である。すなわち、ガラス転移温度が２０
℃未満であると、室温における強度が低く、充分な接着
強度が得られず、２００℃を超えると、熱圧着時の温度
が高くなり、被着体である電子部品が熱によって損傷す
るおそれがあるからである。
【００２７】つぎに、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂
フィルムの製法について説明する。まず、上記一般式
（１）〜（６）で表される熱融着性ポリイミド樹脂は、
例えば、その前駆体であるシリコーン変性ポリアミド酸
を、加熱等によりイミド転化することにより作製するこ
とができる。そして、上記シリコーン変性ポリアミド酸
は、下記に示す酸無水物、ケイ素含有ジアミン、芳香族
ケイ素不含ジアミンおよび脂肪族ケイ素不含ジアミン
を、常法により、反応させて調製されるものである。
フィルムの製法について説明する。まず、上記一般式
（１）〜（６）で表される熱融着性ポリイミド樹脂は、
例えば、その前駆体であるシリコーン変性ポリアミド酸
を、加熱等によりイミド転化することにより作製するこ
とができる。そして、上記シリコーン変性ポリアミド酸
は、下記に示す酸無水物、ケイ素含有ジアミン、芳香族
ケイ素不含ジアミンおよび脂肪族ケイ素不含ジアミン
を、常法により、反応させて調製されるものである。
【００２８】上記酸無水物としては、例えば、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
１，１′−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタ
ン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３，６，８−アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナント
レンテトラカルボン酸二無水物等をあげることができ
る。
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
１，１′−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタ
ン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３，６，８−アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナント
レンテトラカルボン酸二無水物等をあげることができ
る。
【００２９】上記ケイ素含有ジアミンは、上記酸無水物
とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位ｂを構
成する。このようなケイ素含有ジアミンとしては、例え
ば、下記の一般式（α）で表されるジアミノシロキサン
をあげることができる。具体的には、ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（３−アミ
ノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、およ
びジメチルシロキサンの両末端に第一級アミノ基を有す
るもの等をあげることができる。
とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位ｂを構
成する。このようなケイ素含有ジアミンとしては、例え
ば、下記の一般式（α）で表されるジアミノシロキサン
をあげることができる。具体的には、ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（３−アミ
ノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、およ
びジメチルシロキサンの両末端に第一級アミノ基を有す
るもの等をあげることができる。
【００３０】
【化２１】
【００３１】上記芳香族ケイ素不含ジアミンは、前記酸
無水物とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位
ａを構成する。このような芳香族ケイ素不含ジアミンと
しては、例えば、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフル
オロプロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、４，４′−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジ
フェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスル
フィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、
４，４′−ジアミノベンツアニリド、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン等が用いられる。これ
らのなかでも、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、１，４
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンを使用するこ
とが好ましい。
無水物とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位
ａを構成する。このような芳香族ケイ素不含ジアミンと
しては、例えば、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフル
オロプロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、４，４′−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジ
フェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスル
フィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、
４，４′−ジアミノベンツアニリド、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン等が用いられる。これ
らのなかでも、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、１，４
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンを使用するこ
とが好ましい。
【００３２】前記脂肪族ケイ素不含ジアミンは、前記酸
無水物とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位
ｃを構成する。本発明においては、特定の熱融着性ポリ
イミド樹脂が構成単位ｃを備えていることが最大の特徴
である。このような脂肪族ケイ素不含ジアミンとして
は、炭素数２〜２０の脂肪族ジアミンが用いられ、好ま
しくは炭素数５〜１５の脂肪族ジアミンが用いられる。
具体的には、１，１２−ジアミノドデカン、１，５−ジ
アミノペンタン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０
−ジアミノデカン、１，１５−ペンタデカン、１，１８
−オクタデカン等があげられる。
無水物とともに、前記一般式（１）〜（６）の構成単位
ｃを構成する。本発明においては、特定の熱融着性ポリ
イミド樹脂が構成単位ｃを備えていることが最大の特徴
である。このような脂肪族ケイ素不含ジアミンとして
は、炭素数２〜２０の脂肪族ジアミンが用いられ、好ま
しくは炭素数５〜１５の脂肪族ジアミンが用いられる。
具体的には、１，１２−ジアミノドデカン、１，５−ジ
アミノペンタン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０
−ジアミノデカン、１，１５−ペンタデカン、１，１８
−オクタデカン等があげられる。
【００３３】また、前記酸無水物、ケイ素含有ジアミ
ン、芳香族ケイ素不含ジアミンおよび脂肪族ケイ素不含
ジアミンの好適組合わせは以下のとおりである。
ン、芳香族ケイ素不含ジアミンおよび脂肪族ケイ素不含
ジアミンの好適組合わせは以下のとおりである。
【００３４】（イ）ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物と、ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンと、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテルと、１，１２−ジアミ
ノドデカンとの組合わせ。
ル）スルホン二無水物と、ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンと、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテルと、１，１２−ジアミ
ノドデカンとの組合わせ。
【００３５】（ロ）ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物と、ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンと、２，２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンと、１，１２
−ジアミノドデカンとの組合わせ。
ル）エーテル二無水物と、ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンと、２，２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンと、１，１２
−ジアミノドデカンとの組合わせ。
【００３６】（ハ）２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）プロパン二無水物と、ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンと、１，１２−ジア
ミノドデカンとの組合わせ。
シフェニル）プロパン二無水物と、ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンと、１，１２−ジア
ミノドデカンとの組合わせ。
【００３７】（ニ）２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物と、ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンと、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパンと、１，１２−ジアミノドデカンとの組合
わせ。
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物と、ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンと、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパンと、１，１２−ジアミノドデカンとの組合
わせ。
【００３８】（ホ）３，３′，４，４′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物と、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサンと、２，２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンと、
１，１２−ジアミノドデカンとの組合わせ。
ンテトラカルボン酸二無水物と、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサンと、２，２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンと、
１，１２−ジアミノドデカンとの組合わせ。
【００３９】そして、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂
フィルムは、例えば、つぎのようにして作製することが
できる。すなわち、まず、有機性セパレータや金属箔等
の支持体を準備する。つぎに、前記熱融着性ポリイミド
樹脂の前駆体であるポリアミド酸ワニスあるいはワニス
状態で加熱することにより得られたポリイミドワニス
を、上記支持体の上にキャスティング法等により塗工
し、これを乾燥、キュア等する。その後、上記支持体を
剥離、エッチング等により除去することにより、目的と
する熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを得ることができ
る。
フィルムは、例えば、つぎのようにして作製することが
できる。すなわち、まず、有機性セパレータや金属箔等
の支持体を準備する。つぎに、前記熱融着性ポリイミド
樹脂の前駆体であるポリアミド酸ワニスあるいはワニス
状態で加熱することにより得られたポリイミドワニス
を、上記支持体の上にキャスティング法等により塗工
し、これを乾燥、キュア等する。その後、上記支持体を
剥離、エッチング等により除去することにより、目的と
する熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを得ることができ
る。
【００４０】このようにして得られた本発明の熱融着性
ポリイミド樹脂フィルムは、厚みが５〜１００μｍのも
のが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍ、特に好ま
しくは５〜３０μｍである。
ポリイミド樹脂フィルムは、厚みが５〜１００μｍのも
のが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍ、特に好ま
しくは５〜３０μｍである。
【００４１】本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
の用途は特に限定するものではなく、例えば、半導体素
子とリードフレームとの間のダイボンディング材、フェ
ースダウンタイプのチップスケールパッケージ（ＣＳ
Ｐ）用封止材料、半導体素子とヒートスプレッダーとの
間の熱伝導性接着材、多層回路基板の層間絶縁接着材、
低応力性半導体素子のバッファーコート材等に用いるこ
とができる。このように、本発明の熱融着性ポリイミド
樹脂フィルムを用いることにより、熱圧着を１００〜２
００℃の低温で行うことができるようになり、被着体で
ある電子部品を熱によって損傷するおそれがなくなる。
の用途は特に限定するものではなく、例えば、半導体素
子とリードフレームとの間のダイボンディング材、フェ
ースダウンタイプのチップスケールパッケージ（ＣＳ
Ｐ）用封止材料、半導体素子とヒートスプレッダーとの
間の熱伝導性接着材、多層回路基板の層間絶縁接着材、
低応力性半導体素子のバッファーコート材等に用いるこ
とができる。このように、本発明の熱融着性ポリイミド
樹脂フィルムを用いることにより、熱圧着を１００〜２
００℃の低温で行うことができるようになり、被着体で
ある電子部品を熱によって損傷するおそれがなくなる。
【００４２】つぎに、実施例について、比較例と併せて
説明する。
説明する。
【００４３】まず、実施例および比較例に先立ち、下記
の酸無水物、ケイ素含有ジアミン、芳香族ケイ素不含ジ
アミンおよび脂肪族ケイ素不含ジアミンを準備した。
の酸無水物、ケイ素含有ジアミン、芳香族ケイ素不含ジ
アミンおよび脂肪族ケイ素不含ジアミンを準備した。
【００４４】＜酸無水物＞
【化２２】
【００４５】
【化２３】
【００４６】＜ケイ素含有ジアミン＞
【化２４】
【００４７】＜芳香族ケイ素不含ジアミン＞
【化２５】
【００４８】＜脂肪族ケイ素不含ジアミン＞
【化２６】
【００４９】ついで、下記の表１および表２に示す各成
分を用いて、下記の式（イ）〜（ヌ）で表される熱融着
性ポリイミド樹脂を作製した。そして、これらポリイミ
ド樹脂を用いて、前述の方法に従い、熱融着性ポリイミ
ド樹脂フィルム（イ）〜（ヌ）を製造した。
分を用いて、下記の式（イ）〜（ヌ）で表される熱融着
性ポリイミド樹脂を作製した。そして、これらポリイミ
ド樹脂を用いて、前述の方法に従い、熱融着性ポリイミ
ド樹脂フィルム（イ）〜（ヌ）を製造した。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】
【化２７】
【００５３】
【化２８】
【００５４】
【化２９】
【００５５】
【化３０】
【００５６】
【化３１】
【００５７】
【化３２】
【００５８】
【化３３】
【００５９】
【化３４】
【００６０】
【化３５】
【００６１】
【化３６】
【００６２】
【実施例Ａ（１〜６）、比較例Ａ（１〜４）】ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープのダイパッドに半導体素
子を搭載し、下記の表３および表４に示す熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムにより封止して半導体装置を作製し
た。
ape Automated Bonding)テープのダイパッドに半導体素
子を搭載し、下記の表３および表４に示す熱融着性ポリ
イミド樹脂フィルムにより封止して半導体装置を作製し
た。
【００６３】
【表３】
【００６４】
【表４】
【００６５】このようにして得られた実施例Ａおよび比
較例Ａの半導体措置について、下記の基準に従い、接着
力およびパッケージリフロー性の評価を行った。これら
の結果を下記の表５および表６に併せて示した。
較例Ａの半導体措置について、下記の基準に従い、接着
力およびパッケージリフロー性の評価を行った。これら
の結果を下記の表５および表６に併せて示した。
【００６６】〔接着力〕接着力の測定は、９０度剥離試
験により行った。すなわち、熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムで貼り付けたＴＡＢテープを半導体素子の底面に
対して垂直方向に剥離し、その時の剥離強度を接着力
（ｇ／ｃｍ）とした。
験により行った。すなわち、熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムで貼り付けたＴＡＢテープを半導体素子の底面に
対して垂直方向に剥離し、その時の剥離強度を接着力
（ｇ／ｃｍ）とした。
【００６７】〔パッケージリフロー性〕各半導体装置に
ついて、８５℃／８５％ＲＨで１６８時間吸湿させた
後、２６０℃の半田中へ浸漬してパッケージクラックの
発生を観察した。
ついて、８５℃／８５％ＲＨで１６８時間吸湿させた
後、２６０℃の半田中へ浸漬してパッケージクラックの
発生を観察した。
【００６８】
【表５】
【００６９】
【表６】
【００７０】上記表５および表６の結果から、特定の熱
融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ａの半導
体装置は、接着力がいずれも８５０ｇ／ｃｍ以上と極め
て高く、また、パッケージクラックも発生しなかったこ
とがわかる。これに対して、比較例Ａの半導体装置は、
接着力がいずれも９０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、ま
た、いずれもパッケージクラックが発生したことがわか
る。これは、実施例Ａの半導体装置は、比較例Ａの半導
体装置に比べて、熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを熱
圧着する際の温度が低いため、熱圧着時の熱によって半
導体装置が損傷することがないためである。
融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ａの半導
体装置は、接着力がいずれも８５０ｇ／ｃｍ以上と極め
て高く、また、パッケージクラックも発生しなかったこ
とがわかる。これに対して、比較例Ａの半導体装置は、
接着力がいずれも９０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、ま
た、いずれもパッケージクラックが発生したことがわか
る。これは、実施例Ａの半導体装置は、比較例Ａの半導
体装置に比べて、熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを熱
圧着する際の温度が低いため、熱圧着時の熱によって半
導体装置が損傷することがないためである。
【００７１】
【実施例Ｂ（１〜６）】図１に示すように、配線回路基
板１上に、複数の接続用電極部２（金バンプ）を介して
半導体素子３〔アルミニウムパッド（チップ）〕を搭載
し、上記配線回路基板１と半導体素子３との間の空隙
を、下記の表７に示す熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
を用いて封止し、ＣＳＰタイプの半導体装置（フェース
ダウンタイプ）を作製した。なお、図において、４は上
記熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによって構成された
熱融着性ポリイミド樹脂層である。
板１上に、複数の接続用電極部２（金バンプ）を介して
半導体素子３〔アルミニウムパッド（チップ）〕を搭載
し、上記配線回路基板１と半導体素子３との間の空隙
を、下記の表７に示す熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
を用いて封止し、ＣＳＰタイプの半導体装置（フェース
ダウンタイプ）を作製した。なお、図において、４は上
記熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによって構成された
熱融着性ポリイミド樹脂層である。
【００７２】
【表７】
【００７３】
【比較例Ｂ（１〜４）】熱融着性ポリイミド樹脂フィル
ムの種類および熱圧着の条件を、下記の表８に示すよう
に変更した。それ以外は、上記実施例Ｂと同様にして、
半導体装置を作製した。
ムの種類および熱圧着の条件を、下記の表８に示すよう
に変更した。それ以外は、上記実施例Ｂと同様にして、
半導体装置を作製した。
【００７４】
【表８】
【００７５】このようにして得られた実施例Ｂおよび比
較例Ｂの半導体措置について、下記の基準に従い、バン
プボンディング性、接着力、パッケージリフロー性およ
び耐湿信頼性の評価を行った。これらの結果を下記の表
９および表１０に併せて示した。なお、上記接着力およ
びパッケージリフロー性の評価は、前述の方法に従っ
た。
較例Ｂの半導体措置について、下記の基準に従い、バン
プボンディング性、接着力、パッケージリフロー性およ
び耐湿信頼性の評価を行った。これらの結果を下記の表
９および表１０に併せて示した。なお、上記接着力およ
びパッケージリフロー性の評価は、前述の方法に従っ
た。
【００７６】〔バンプボンディング性〕実施例Ｂおよび
比較例Ｂで作製した半導体装置について、接続用電極部
２（金バンプ）と半導体素子３〔アルミニウムパッド
（チップ）〕との間の抵抗値を測定し、接続状態（接続
信頼性）を判断した。そして、半導体装置の個数（ｎ＝
１００）に対する、接続不良が発生した半導体個数の割
合（％）を求めた。
比較例Ｂで作製した半導体装置について、接続用電極部
２（金バンプ）と半導体素子３〔アルミニウムパッド
（チップ）〕との間の抵抗値を測定し、接続状態（接続
信頼性）を判断した。そして、半導体装置の個数（ｎ＝
１００）に対する、接続不良が発生した半導体個数の割
合（％）を求めた。
【００７７】〔耐湿信頼性〕実施例Ｂおよび比較例Ｂで
作製した半導体装置について、１２１℃の飽和水蒸気中
においてプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ試験）を行
った。そして、ＰＣＴ試験４８時間後において、金バン
プとアルミニウムパッド（チップ）との間の腐食等を調
べ、耐湿信頼性の評価を行った。そして、半導体装置の
個数（ｎ＝１００）に対する、腐食等が発生した半導体
個数の割合（％）を求めた。
作製した半導体装置について、１２１℃の飽和水蒸気中
においてプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ試験）を行
った。そして、ＰＣＴ試験４８時間後において、金バン
プとアルミニウムパッド（チップ）との間の腐食等を調
べ、耐湿信頼性の評価を行った。そして、半導体装置の
個数（ｎ＝１００）に対する、腐食等が発生した半導体
個数の割合（％）を求めた。
【００７８】
【表９】
【００７９】
【表１０】
【００８０】上記表９および表１０の結果から、特定の
熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｂの半
導体装置は、接着力がいずれも７００ｇ／ｃｍ以上と極
めて高く、パッケージクラックも発生せず、バンプボン
ディング性および耐湿信頼性の双方の特性に優れている
ことがわかる。これに対して、比較例Ｂの半導体装置
は、接着力がいずれも５０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、
パッケージクラックが発生し、バンプボンディング性お
よび耐湿信頼性に劣ることがわかる。これは、実施例Ｂ
の半導体装置は、比較例Ｂの半導体装置に比べて、熱融
着性ポリイミド樹脂フィルムを熱圧着する際の温度が低
いため、熱圧着時の熱によって半導体装置が損傷するこ
とがないためである。
熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｂの半
導体装置は、接着力がいずれも７００ｇ／ｃｍ以上と極
めて高く、パッケージクラックも発生せず、バンプボン
ディング性および耐湿信頼性の双方の特性に優れている
ことがわかる。これに対して、比較例Ｂの半導体装置
は、接着力がいずれも５０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、
パッケージクラックが発生し、バンプボンディング性お
よび耐湿信頼性に劣ることがわかる。これは、実施例Ｂ
の半導体装置は、比較例Ｂの半導体装置に比べて、熱融
着性ポリイミド樹脂フィルムを熱圧着する際の温度が低
いため、熱圧着時の熱によって半導体装置が損傷するこ
とがないためである。
【００８１】
【実施例Ｃ（１〜６）、比較例Ｃ（１〜４）】複数のＦ
Ｒ−４（ガラエポ）基板とＢＴレジン基板とを積層し、
ＦＲ−４（ガラエポ）基板とＢＴレジン基板との間を、
下記の表１１および表１２に示す熱融着性ポリイミド樹
脂フィルムを用いて接合し、多層配線板を作製した。
Ｒ−４（ガラエポ）基板とＢＴレジン基板とを積層し、
ＦＲ−４（ガラエポ）基板とＢＴレジン基板との間を、
下記の表１１および表１２に示す熱融着性ポリイミド樹
脂フィルムを用いて接合し、多層配線板を作製した。
【００８２】
【表１１】
【００８３】
【表１２】
【００８４】このようにして得られた実施例Ｃおよび比
較例Ｃの多層配線板について、接着力および耐湿信頼性
の評価を行った。これらの結果を下記の表１３および表
１４に併せて示した。なお、上記接着力は前述の方法に
準じて測定し、耐湿信頼性は下記のようにして評価し
た。
較例Ｃの多層配線板について、接着力および耐湿信頼性
の評価を行った。これらの結果を下記の表１３および表
１４に併せて示した。なお、上記接着力は前述の方法に
準じて測定し、耐湿信頼性は下記のようにして評価し
た。
【００８５】〔耐湿信頼性〕１２１℃の飽和水蒸気中に
おいてプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ試験）を行
い、ＰＣＴ試験４８時間後において、マイグレーション
の発生を評価した。
おいてプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ試験）を行
い、ＰＣＴ試験４８時間後において、マイグレーション
の発生を評価した。
【００８６】
【表１３】
【００８７】
【表１４】
【００８８】上記表１３および表１４の結果から、特定
の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｃの
多層配線板は、接着力がいずれも７００ｇ／ｃｍ以上と
極めて高く、また、マイグレーションも発生しなかった
ことがわかる。これに対して、比較例Ｃの多層配線板
は、接着力がいずれも８０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、
また、いずれもマイグレーションが発生していることが
わかる。これは、実施例Ｃの多層配線板は、比較例Ｃの
多層配線板に比べて、熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
を熱圧着する際の温度が低いため、熱圧着時の熱によっ
て多層配線板が損傷することがないためである。
の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｃの
多層配線板は、接着力がいずれも７００ｇ／ｃｍ以上と
極めて高く、また、マイグレーションも発生しなかった
ことがわかる。これに対して、比較例Ｃの多層配線板
は、接着力がいずれも８０ｇ／ｃｍ以下と極めて低く、
また、いずれもマイグレーションが発生していることが
わかる。これは、実施例Ｃの多層配線板は、比較例Ｃの
多層配線板に比べて、熱融着性ポリイミド樹脂フィルム
を熱圧着する際の温度が低いため、熱圧着時の熱によっ
て多層配線板が損傷することがないためである。
【００８９】
【実施例Ｄ（１〜６）、比較例Ｄ（１〜４）】下記の表
１５および表１６に示す熱融着性ポリイミド樹脂フィル
ムあるいはこのワニス（スピンコート等によりウェハー
面上でフィルム化したもの）を用いて、半導体素子能動
面側に保護膜（バッファーコート層）を形成しチップを
作製した。そして、このチップを用いて、通常のワイヤ
ーボンドタイプのＱＦＰパッケージ（２００ピン）の半
導体装置を作製した。
１５および表１６に示す熱融着性ポリイミド樹脂フィル
ムあるいはこのワニス（スピンコート等によりウェハー
面上でフィルム化したもの）を用いて、半導体素子能動
面側に保護膜（バッファーコート層）を形成しチップを
作製した。そして、このチップを用いて、通常のワイヤ
ーボンドタイプのＱＦＰパッケージ（２００ピン）の半
導体装置を作製した。
【００９０】
【表１５】
【００９１】
【表１６】
【００９２】このようにして得られた実施例Ｄおよび比
較例Ｄの半導体装置について、下記の基準に従い、アル
ミスライドを評価した。その結果を、下記の表１７およ
び表１８に併せて示した。
較例Ｄの半導体装置について、下記の基準に従い、アル
ミスライドを評価した。その結果を、下記の表１７およ
び表１８に併せて示した。
【００９３】〔アルミスライド〕各半導体装置につい
て、熱サイクル試験（条件：−５０〜１５０℃×１００
０サイクル）を行い、アルミスライド（ワイヤーとアル
ミパッドとの間が切れること）を調べた。そして、試験
に供した半導体装置の個数（ｎ＝１００）に対するアル
ミスライドが発生した半導体個数の割合（％）を算出し
た。
て、熱サイクル試験（条件：−５０〜１５０℃×１００
０サイクル）を行い、アルミスライド（ワイヤーとアル
ミパッドとの間が切れること）を調べた。そして、試験
に供した半導体装置の個数（ｎ＝１００）に対するアル
ミスライドが発生した半導体個数の割合（％）を算出し
た。
【００９４】
【表１７】
【００９５】
【表１８】
【００９６】上記表１７および表１８の結果から、特定
の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｄの
半導体装置は、いずれもアルミスライドによるワイヤー
ボンディング部の接続不良が発生しなかったのに対し、
比較例Ｄの半導体装置は、アルミスライドの発生率が極
めて高いことがわかる。これは、実施例Ｄの半導体装置
は、比較例Ｄの半導体装置に比べて、熱融着性ポリイミ
ド樹脂フィルムを熱圧着する際の温度が低いため、熱圧
着時の熱によって半導体装置が損傷することがないため
である。
の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用いた実施例Ｄの
半導体装置は、いずれもアルミスライドによるワイヤー
ボンディング部の接続不良が発生しなかったのに対し、
比較例Ｄの半導体装置は、アルミスライドの発生率が極
めて高いことがわかる。これは、実施例Ｄの半導体装置
は、比較例Ｄの半導体装置に比べて、熱融着性ポリイミ
ド樹脂フィルムを熱圧着する際の温度が低いため、熱圧
着時の熱によって半導体装置が損傷することがないため
である。
【００９７】
【発明の効果】以上のように、本発明の熱融着性ポリイ
ミド樹脂フィルムは、前記一般式（１）〜（６）で表さ
れる熱融着性ポリイミド樹脂から形成されているもので
ある。そして、上記特定の熱融着性ポリイミド樹脂は、
構造中に特定の脂肪族ジアミン（構成単位ｃ）を有して
いるため、これを用いてなる熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムは、従来よりも低温の１００〜２００℃の温度で
熱圧着を行うことができるようになる。そのため、本発
明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを、例えば、半導
体装置や多層配線板等の電子部品に用いた場合、電子部
品を熱によって損傷することがなく、半導体素子と配線
板との接合，複数の配線板同士の接合等を行うことがで
きる。このように、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムを用いてなる本発明の半導体装置および多層配線
板は、優れた接着性を備え、信頼性が向上するようにな
る。
ミド樹脂フィルムは、前記一般式（１）〜（６）で表さ
れる熱融着性ポリイミド樹脂から形成されているもので
ある。そして、上記特定の熱融着性ポリイミド樹脂は、
構造中に特定の脂肪族ジアミン（構成単位ｃ）を有して
いるため、これを用いてなる熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムは、従来よりも低温の１００〜２００℃の温度で
熱圧着を行うことができるようになる。そのため、本発
明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを、例えば、半導
体装置や多層配線板等の電子部品に用いた場合、電子部
品を熱によって損傷することがなく、半導体素子と配線
板との接合，複数の配線板同士の接合等を行うことがで
きる。このように、本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フ
ィルムを用いてなる本発明の半導体装置および多層配線
板は、優れた接着性を備え、信頼性が向上するようにな
る。
【図１】本発明の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムを用
いた、ＣＳＰタイプの半導体装置（フェースダウンタイ
プ）を示す断面図である。
いた、ＣＳＰタイプの半導体装置（フェースダウンタイ
プ）を示す断面図である。
１ 配線回路基板 ２ 接続用電極部 ３ 半導体素子 ４ 熱融着性ポリイミド樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 79:08 (72)発明者 吉尾 信彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4F071 AA60 AA75 AA76 AA86 AF59 AG05 AG12 AG34 AH13 BA09 BB02 BC01 4J043 PA08 PA09 PA19 PB08 PB14 PB15 QB15 QB26 QB31 RA06 RA35 SA06 SB01 SB03 SB04 TA22 TB01 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA222 UA232 UA252 UA262 UA632 UA662 UA672 UA761 UB011 UB012 UB021 UB022 UB061 UB062 UB122 UB131 UB141 UB152 UB221 UB281 UB301 UB302 UB351 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA041 VA051 VA061 VA062 VA071 VA081 YA06 ZB01 ZB11 ZB50 4M109 BA04 BA05 CA26 DB12 EA09 EC09 5E346 AA12 AA16 CC10 CC41 DD02 FF45 HH40
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の一般式（１）〜（６）からなる群
から選ばれた少なくとも一つの熱融着性ポリイミド樹脂
から形成されていることを特徴とする熱融着性ポリイミ
ド樹脂フィルム。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 - 【請求項２】 上記一般式（１）〜（６）におけるａと
ｂとｃが、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１〜０．８で、か
つ、ａ／（ａ＋ｃ）＝０〜０．７の関係を満たしている
請求項１記載の熱融着性ポリイミド樹脂フィルム。 - 【請求項３】 上記熱融着性ポリイミド樹脂のガラス転
移温度が２０〜２００℃である請求項１または２記載の
熱融着性ポリイミド樹脂フィルム。 - 【請求項４】 配線板上に半導体素子が搭載され、上記
配線板と半導体素子との間隙が熱融着性ポリイミド樹脂
層によって封止されてなる半導体装置であって、上記熱
融着性ポリイミド樹脂層が請求項１〜３のいずれか一項
に記載の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによって構成
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 複数の配線板が熱融着性ポリイミド樹脂
層を介して積層一体化されてなる多層配線板であって、
上記熱融着性ポリイミド樹脂層が請求項１〜３のいずれ
か一項に記載の熱融着性ポリイミド樹脂フィルムによっ
て構成されていることを特徴とする多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19194198A JP2000026602A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19194198A JP2000026602A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026602A true JP2000026602A (ja) | 2000-01-25 |
Family
ID=16283012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19194198A Pending JP2000026602A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびに多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000026602A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116979A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品 |
| WO2018030410A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 大日本印刷株式会社 | ポリイミドフィルム、積層体、及びディスプレイ用表面材 |
| JP2018028073A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-22 | 大日本印刷株式会社 | ポリイミドフィルム、積層体、及びディスプレイ用表面材 |
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1998
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