JP2003188334A - 半導体装置製造用接着シート - Google Patents

半導体装置製造用接着シート

Info

Publication number
JP2003188334A
JP2003188334A JP2001383759A JP2001383759A JP2003188334A JP 2003188334 A JP2003188334 A JP 2003188334A JP 2001383759 A JP2001383759 A JP 2001383759A JP 2001383759 A JP2001383759 A JP 2001383759A JP 2003188334 A JP2003188334 A JP 2003188334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
adhesive sheet
semiconductor device
adhesive layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001383759A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4251807B2 (ja
Inventor
Katsuji Nakaba
勝治 中場
Takeshi Sato
健 佐藤
Toshihiro Nakajima
敏博 中島
Osamu Oka
修 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tomoegawa Paper Co Ltd filed Critical Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority to JP2001383759A priority Critical patent/JP4251807B2/ja
Publication of JP2003188334A publication Critical patent/JP2003188334A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4251807B2 publication Critical patent/JP4251807B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0494—4th Group
    • H01L2924/04941—TiN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ＱＦＮ等の半導体装置の製造に用いた場合
に、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュの双
方を防止することができ、半導体装置の不良品化を防止
することができる半導体装置製造用接着シートを提供す
る。 【解決手段】 本発明の半導体装置製造用接着シート
は、耐熱性基材の一方の面に接着剤層を具備し、リード
フレーム２０に剥離可能に貼着される半導体装置製造用
接着シート１０において、前記接着剤層が、熱可塑性ポ
リイミド樹脂を含有すると共に、１５０〜２５０℃にお
ける前記接着剤層の弾性率が１ＭＰａ以上であることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
剥離可能に貼着され、ＱＦＮ等の半導体装置（半導体パ
ッケージ）を製造する際に用いて好適な半導体装置製造
用接着シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯型パソコン、携帯電話等の電子機器
の小型化、多機能化に伴い、電子機器を構成する電子部
品の小型化、高集積化の他、電子部品の高密度実装技術
が必要になっている。このような背景下、従来のＱＦＰ
（Quad Flat Package）やＳＯＰ（Small Outline Packa
ge）等の周辺実装型の半導体装置に代わって、高密度実
装が可能なＣＳＰ（Chip Size Package）等の面実装型
の半導体装置が注目されている。また、ＣＳＰの中でも
特にＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）は、従来の半導体
装置の製造技術を適用して製造できるため好適であり、
主に１００ピン以下の少端子型の半導体装置として用い
られている。
【０００３】従来、ＱＦＮの製造方法として、概略下記
の方法が知られている。はじめに、接着シート貼着工程
において、リードフレームの一方の面に接着シートを貼
着し、次いで、ダイアタッチ工程において、リードフレ
ームに複数形成された半導体素子搭載部（ダイパッド
部）に、ＩＣチップ等の半導体素子を各々搭載する。次
に、ワイヤボンディング工程において、リードフレーム
の各半導体素子搭載部の外周に沿って配設された複数の
リードと半導体素子とをボンディングワイヤにより電気
的に接続する。次に、樹脂封止工程において、リードフ
レームに搭載された半導体素子を封止樹脂により封止
し、その後、接着シート剥離工程において、接着シート
をリードフレームから剥離することにより、複数のＱＦ
Ｎが配列されたＱＦＮユニットを形成することができ
る。最後に、ダイシング工程において、このＱＦＮユニ
ットを各ＱＦＮの外周に沿ってダイシングすることによ
り、複数のＱＦＮを同時に製造することができる。
【０００４】以上概略説明したＱＦＮの製造方法におい
て、リードフレームに貼着する接着シートとしては、耐
熱性フィルムを基材とし、この基材の一方の面に、アク
リル系接着剤、ゴム系接着剤、シリコーン系接着剤等を
用いて形成された接着剤層を具備するものが広く用いら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の従来の接着シートを用いた場合、ワイヤボンディン
グ工程において、ボンディングワイヤとリードとの間の
接続不良が発生することがあった。以下、ボンディング
ワイヤとリードとの接続不良のことを「ワイヤボンディ
ング不良」と称する。また、樹脂封止工程において、接
着シートの接着力が低下して、リードフレームと接着シ
ートとが部分的に剥離し、その結果、リードフレームと
接着シートとの間に封止樹脂が流入し、リードの外部接
続用部分（リードの接着シートを貼着した側の面）に封
止樹脂が付着する、いわゆる「モールドフラッシュ」が
発生することがあった。なお、このように、モールドフ
ラッシュが発生した場合には、リードの外部接続用部分
に封止樹脂が付着するため、製造された半導体装置を配
線基板等に実装する際に、接続不良が発生する恐れがあ
る。
【０００６】そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたものであり、ＱＦＮ等の半導体装置の製造に用いた
場合に、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ
の双方を防止することができ、半導体装置の不良品化を
防止することができる半導体装置製造用接着シートを提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するべく検討を行った結果、以下のようなことを見出
した。第１に、ワイヤボンディング工程においては、１
５０〜２５０℃に加熱しながら、６０〜１２０ｋＨｚの
超音波を用いて、ボンディングワイヤの両端部を半導体
素子とリードフレームに各々融着するが、リードフレー
ムの直下に位置する接着シートの接着剤層が高温に曝さ
れて低弾性化し、超音波を吸収しやすくなる結果、リー
ドフレームが振動し、ワイヤボンディング不良が発生す
る場合があることを見出した。第２に、樹脂封止工程に
おいては、１５０〜２００℃に加熱しながら、５〜１０
ＧＰａの圧力をかけて、半導体素子を封止樹脂により封
止するが、接着シートの接着剤層が高温に曝される結
果、接着剤層の接着力（接着剤層とリードフレームとの
接着強度）が低下するため、封止樹脂の圧力により、接
着剤層がリードフレームから部分的に剥離し、モールド
フラッシュが発生する場合があることを見出した。本発
明者は以上の点に着目し、本発明を完成した。
【０００８】本発明の半導体装置製造用接着シート（以
下、「接着シート」と略記することがある。）は、耐熱
性基材の一方の面に接着剤層を具備し、リードフレーム
に剥離可能に貼着される半導体装置製造用接着シートに
おいて、前記接着剤層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を含
有すると共に、１５０〜２５０℃における前記接着剤層
の弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする。ま
た、前記ポリイミド樹脂のガラス転位温度が１７０℃以
上であることが好ましい。
【０００９】本発明者は、ポリイミド樹脂を用いて接着
剤層を構成することにより、ワイヤボンディング工程に
おける処理温度下で高弾性率を有すると共に、樹脂封止
工程における処理温度下でリードフレームとの接着強度
が高い接着剤層が得られることを見出し、この接着剤層
を備えた本発明の接着シートを用いてＱＦＮ等の半導体
装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、
モールドフラッシュの双方を防止することができ、半導
体装置の不良品化を防止できることを見出した。具体的
には、ポリイミド樹脂を用いて接着剤層を構成すること
により、１５０〜２５０℃における接着剤層の弾性率を
１ＭＰａ以上とすることができ、ワイヤボンディング不
良を防止することを見出した。また、１５０〜２００℃
における接着剤層とリードフレームとの接着強度を１０
ｇ／ｃｍ以上とすることができ、モールドフラッシュを
防止できることを見出した。
【００１０】また、前記接着剤層が、前記ポリイミド樹
脂を６０質量％以上含有することが好ましい。また、前
記ポリイミド樹脂の質量平均分子量が１０，０００〜５
００，０００であることが好ましい。かかる構成とする
ことにより、上述の効果を安定して得ることができる。
また、「従来の技術」の項において述べたように、接着
シートを用いて半導体装置を製造する際には、接着シー
ト剥離工程において、接着シートは封止樹脂及びリード
フレームから剥離されるが、その際に接着剤層を構成す
る接着剤が封止樹脂及びリードフレームに残る、いわゆ
る「糊残り」が発生してしまうと、製造される半導体装
置を配線基板等に実装する際に、接続不良が発生する恐
れがある。しかしながら、ポリイミド樹脂の含有量や質
量平均分子量を上述のように規定することにより、接着
剤層の凝集力を高めることができ、接着シート剥離工程
における糊残りを防止することができるという効果も合
わせて得られる。
【００１１】また、本発明の半導体装置製造用接着シー
トにおいて、前記耐熱性基材が耐熱性樹脂フィルムであ
る場合には、前記耐熱性基材のガラス転位温度が１５０
℃以上であると共に、ガラス転位温度以下における熱膨
張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ま
た、本発明の半導体装置製造用接着シートにおいて、前
記耐熱性基材が金属箔である場合には、前記耐熱性基材
の熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好まし
い。また、前記耐熱性基材が電解金属箔であると共に、
前記耐熱性基材の粗面化された側の面に前記接着剤層が
形成されていることがより好ましい。また、前記耐熱性
基材と前記接着剤層との接着強度Ｓａと、前記リードフ
レームに搭載する半導体素子を封止するための封止樹脂
及び前記リードフレームと前記接着剤層との接着強度Ｓ
ｂとの比Ｓａ／Ｓｂが、１．５以上であることが好まし
い。Ｓａ／Ｓｂが１．５未満の場合には、接着シート剥
離工程において、糊残りが発生しやすくなるため、好ま
しくない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
［半導体装置製造用接着シートの構造］本発明の半導体
装置製造用接着シートの構造について詳述する。本発明
の接着シートは、耐熱性基材の一方の面に、熱可塑性ポ
リイミド樹脂を含有する接着剤層を具備して構成された
ものである。すなわち、本発明の接着シートでは、ポリ
イミド樹脂を含有する接着剤を用いて、接着剤層を構成
することが最大の特徴となっている。
【００１３】（耐熱性基材）耐熱性基材としては、耐熱
性樹脂フィルムや金属箔等が好適である。また、本発明
の接着シートを用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造する
際に、本発明の接着シートは、ダイアタッチ工程、ワイ
ヤボンディング工程、樹脂封止工程において、１５０〜
２５０℃の高温に曝されるが、耐熱性基材として耐熱性
樹脂フィルムを用いる場合、耐熱性基材の熱膨張係数は
ガラス転位温度（Ｔｇ）以上になると急激に増加し、金
属製のリードフレームとの熱膨張差が大きくなるため、
室温に戻した際に、耐熱性基材とリードフレームに反り
が発生する恐れがある。そして、このように、耐熱性基
材とリードフレームに反りが発生した場合には、樹脂封
止工程において、金型の位置決めピンにリードフレーム
を装着することができず、位置ずれ不良を起こす恐れが
ある。
【００１４】したがって、耐熱性基材として耐熱性樹脂
フィルムを用いる場合、用いる耐熱性樹脂フィルムのガ
ラス転位温度は１５０℃以上であることが好ましく、１
８０℃以上であることがより好ましい。また、用いる耐
熱性フィルムの１５０〜２５０℃における熱膨張係数が
５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、１０〜３０
ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。かかる特性を有
する耐熱性樹脂フィルムとしては、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケ
トン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルイミド等
からなるフィルムを例示することができる。
【００１５】また、本発明の接着シートを用いて半導体
装置を製造する際に、接着シート剥離工程における糊残
りを防止するためには、耐熱性基材と接着剤層との接着
強度Ｓａと、封止樹脂及びリードフレームと接着剤層と
の接着強度Ｓｂとの比（接着強度比）Ｓａ／Ｓｂが１．
５以上であることが好ましい。なお、接着強度比Ｓａ／
Ｓｂを１．５以上とするためには、耐熱性樹脂フィルム
に接着剤層を形成する前に、耐熱性樹脂フィルムの接着
剤層を形成する側の表面に、コロナ処理、プラズマ処
理、プライマー処理等の、耐熱性樹脂フィルムと接着剤
層との接着強度Ｓａを高くするような処理をあらかじめ
施しておくことが好適である。
【００１６】また、耐熱性基材として金属箔を用いる場
合においても、同様の理由から、用いる金属箔の１５０
〜２５０℃における熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃で
あることが好ましく、１０〜３０ｐｐｍ／℃であること
がより好ましい。金属箔としては、金、銀、銅、白金、
アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガ
ン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、パラジウム、カド
ミウム、インジウム、錫、鉛等からなる箔や、これらの
金属を主成分とした合金箔、あるいはこれらのメッキ箔
を例示することができる。
【００１７】また、耐熱性樹脂フィルムを用いる場合と
同様、接着シート剥離工程における糊残りを防止するた
めに、耐熱性基材と接着剤層との接着強度Ｓａと、封止
樹脂及びリードフレームと接着剤層との接着強度Ｓｂと
の比（接着強度比）Ｓａ／Ｓｂが１．５以上であること
が好ましい。また、接着強度比Ｓａ／Ｓｂをできる限り
大きくすることがより好ましい。ここで、金属箔は、そ
の製法から圧延金属箔と電解金属箔とに分類されるが、
接着強度比Ｓａ／Ｓｂを大きくするためには、電解金属
箔を用いると共に、粗面化された側の面に接着剤層を設
けることが好ましい。また、電解金属箔の中でも特に、
電解銅箔を用いることが特に好ましい。
【００１８】（接着剤層）接着剤層は、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を主成分とする接着剤からなる層である。ポリ
イミド樹脂は主鎖中に酸イミド結合を有する重合体の総
称であり、テトラカルボン酸無水物とジアミンの環化重
縮合によって合成することができる。また、ポリイミド
樹脂としては、可溶性若しくは可溶融性のものが好適で
ある。
【００１９】ここで、 テトラカルボン酸としては、
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，３，３’−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキ
サフルオロイソプロピリデン）フタル酸二無水物、エチ
レングリコールビストリメリテート二無水物、ピロメリ
ト酸二無水物等を例示することができる。
【００２０】また、ジアミンとしては、１，３−ビス
［１−（３−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベ
ンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−
１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（３
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルエーテル、３，３’−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（４
−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−
ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、
４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
ーテル、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、３，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、３，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］スルホン、２，２−ビス［３−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘ
キサフルオロプロパン、９，９−ビス（３−アミノフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，
４’−テトラメチルジフェニルメタン、３，３’−ジア
ミノ−２，２’，４，４’−テトラエチルジフェニルメ
タン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’−テト
ラプロピルジフェニルメタン、３，３’−ジアミノ−
２，２’，４，４’−テトライソプロピルジフェニルメ
タン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’−テト
ラブチルジフェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，
３’，４，５’−テトラメチルジフェニルメタン、３，
４’−ジアミノ−２，３’，４，５’−テトラエチルジ
フェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，４，
５’−テトラプロピルジフェニルメタン、３，４’−ジ
アミノ−２，３’，４，５’−テトライソプロピルジフ
ェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，４，
５’−テトラブチルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テト
ラエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラプロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトライソ
プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラブチルジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジメ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジエチルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメトキシジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テ
トラエトキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５，５’−テトラプロポキシジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロポキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’，５，５’−テトラブトキシジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメトキシジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエトキ
シジフェニルメタン等を例示することができる。
【００２１】このように、ポリイミド樹脂は、テトラカ
ルボン酸無水物とジアミンとを用いて合成されるもので
あるが、ポリイミド樹脂として、さらにジメチルシロキ
サンの２〜２０量体を用いてシロキサン変性させたシロ
キサン変性ポリイミド樹脂等の変性ポリイミド樹脂を用
いても良い。
【００２２】また、本発明の接着シートを用いて半導体
装置を製造する際に、接着剤層は、ダイアタッチ工程、
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程において、１５
０〜２５０℃の温度に曝されるため、ガラス転位温度が
１７０℃以上の耐熱性に優れたポリイミド樹脂を用いる
ことが好ましい。
【００２３】本発明の接着剤シートは以上のように概略
構成され、本発明の接着シートでは、ポリイミド樹脂を
主成分とした接着剤を用いて接着剤層を構成しているの
で、接着剤層が、ワイヤボンディング工程における処理
温度下でも高弾性率を維持できると共に、樹脂封止工程
における処理温度下でも高接着力を維持することができ
る。その結果、本発明の接着シートを用いて半導体装置
を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モー
ルドフラッシュの双方を防止することができ、半導体装
置の不良品化を防止できる。具体的には、ポリイミド樹
脂を用いて接着剤層を構成することにより、１５０〜２
５０℃における接着剤層の弾性率を１ＭＰａ以上、好ま
しくは１０ＭＰａ以上、より好ましくは５０ＭＰａ以上
とすることができ、ワイヤボンディング不良を防止する
ことができる。また、１５０〜２００℃における接着剤
層とリードフレームとの接着強度を１０ｇ／ｃｍ以上、
好ましくは２０ｇ／ｃｍとすることができ、モールドフ
ラッシュを防止できる。
【００２４】また、用いるポリイミド樹脂の質量平均分
子量は１０，０００〜５００，０００であることが好ま
しい。かかる構成とすることにより、上述の効果が安定
して得られると共に、接着剤層の凝集力を高めることが
でき、接着シート剥離工程における糊残りを防止するこ
とができるという効果も得られ、好適である。
【００２５】また、本発明の接着シートの接着剤層を形
成するために用いる接着剤には、本発明の趣旨を逸脱し
ない範囲において、ポリイミド樹脂以外の成分を適宜配
合することができる。但し、接着剤層が、ポリイミド樹
脂を６０質量％以上含有するように、他の成分を配合す
ることが好ましい。このように、接着剤層中に、ポリイ
ミド樹脂を６０質量％以上配合することにより、上述の
効果が安定して得られると共に、接着剤層の凝集力を高
めることができ、接着シート剥離工程における糊残りを
防止することができるという効果も得られ、好適であ
る。
【００２６】以下、本発明の接着シートの接着剤層を形
成するために用いる接着剤に配合可能な成分について具
体的に説明する。接着剤層の耐熱性を向上させるため
に、接着剤に熱硬化性樹脂を添加することは好適であ
る。ここで、熱硬化性樹脂としては、尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アセトグアナミン樹
脂、フェノール樹脂、シノール樹脂、キシレン樹脂、フ
ラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、イソシアナート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミ
ド樹脂、ナジイミド樹脂等を例示することができる。な
お、これらの樹脂は単独で用いても良いし、２種以上を
併用しても良い。
【００２７】また、接着剤層の熱膨張係数、熱伝導率、
表面タック、接着性等を調整するために、接着剤に無機
又は有機フィラーを添加することは好適である。ここ
で、無機フィラーとしては、粉砕型シリカ、溶融型シリ
カ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグ
ネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、窒
化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、炭
化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイ
カ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウ
ム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化ア
ンチモン等からなるフィラー、あるいはこれらの表面に
トリメチルシロキシル基等を導入したもの等を例示する
ことができる。また、有機フィラーとしては、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、
シリコーン樹脂等からなるフィラーを例示することがで
きる。
【００２８】また、本発明の接着シートの接着剤層上に
剥離可能な保護フィルムを貼着し、半導体装置製造直前
に保護フィルムを剥離する構成としても良い。この場合
には、接着シートが製造されてから使用されるまでの間
に、接着剤層が損傷されることを防止することができ
る。保護フィルムとしては離型性を有するものであれば
いかなるフィルムを用いても良いが、例えばポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート等のフィルムや、これらフィルムの表面をシ
リコーン樹脂又はフッ素化合物で離型処理したフィルム
等を例示することができる。
【００２９】また、耐熱性基材の一方の面に接着剤層を
形成する方法としては、耐熱性基材上に直接接着剤を塗
布し、乾燥させるキャスティング法や、接着剤を離型性
フィルム上に一旦塗布し、乾燥させた後、耐熱性基材上
に転写させるラミネート法等が好適である。
【００３０】（半導体装置の製造方法）次に、図１、図
２に基づいて、以上の本発明の接着シートを用いて、半
導体装置を製造する方法の一例について簡単に説明す
る。以下、半導体装置としてＱＦＮを製造する場合を例
として説明する。なお、図１はリードフレームを半導体
素子を搭載する側から見た時の概略平面図であり、図２
（ａ）〜（ｆ）は、図１に示すリードフレームからＱＦ
Ｎを製造する方法を示す工程図であって、リードフレー
ムを図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した時の拡大概略断
面図である。
【００３１】はじめに、平面視、図１に示す概略構成の
リードフレーム２０を用意する。リードフレーム２０
は、ＩＣチップ等の半導体素子を搭載する島状の複数の
半導体素子搭載部（ダイパッド部）２１を具備し、各半
導体素子搭載部２１の外周に沿って多数のリード２２が
配設されたものである。次に、図２（ａ）に示すよう
に、接着シート貼着工程において、リードフレーム２０
の一方の面上に、本発明の接着シート１０を接着剤層
（図示略）側がリードフレーム２０側となるように貼着
する。なお、接着シート１０をリードフレーム２０に貼
着する方法としては、ラミネート法等が好適である。次
に、図２（ｂ）に示すように、ダイアタッチ工程におい
て、リードフレーム２０の半導体素子搭載部２１に、接
着シート１０が貼着されていない側からＩＣチップ等の
半導体素子３０を、ダイアタッチ剤（図示略）を用いて
搭載する。
【００３２】次に、図２（ｃ）に示すように、ワイヤボ
ンディング工程において、半導体素子３０とリードフレ
ーム２０のリード２２とを、金ワイヤ等のボンディング
ワイヤ３１を介して電気的に接続する。次に、図２
（ｄ）に示すように、樹脂封止工程において、図２
（ｃ）に示す製造途中の半導体装置を金型内に載置し、
封止樹脂（モールド剤）を用いてトランスファーモール
ド（金型成型）することにより、半導体素子３０を封止
樹脂４０により封止する。次に、図２（ｅ）に示すよう
に、接着シート剥離工程において、接着シート１０を封
止樹脂４０及びリードフレーム２０から剥離することに
より、複数のＱＦＮ５０が配列されたＱＦＮユニット６
０を形成することができる。最後に、図２（ｆ）に示す
ように、ダイシング工程において、ＱＦＮユニット６０
を各ＱＦＮ５０の外周に沿ってダイシングすることによ
り、複数のＱＦＮ５０を製造することができる。
【００３３】このように本発明の接着シート１０を用い
てＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤ
ボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止
することができ、半導体装置の不良品化を防止すること
ができる。
【００３４】
【実施例】次に、本発明に係る実施例及び比較例につい
て説明する。各実施例、比較例において、接着剤を調製
して接着シートを作製し、得られた接着剤や接着シート
の評価を行った。
【００３５】（実施例１）表１に示すジアミンとテトラ
カルボン酸無水物を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）に溶解した後、氷温下で１時間撹拌した。なお、
ジアミンとテトラカルボン酸無水物の配合比は、表１に
示す通りとした。次いで、この溶液を室温下に放置し、
ジアミンとテトラカルボン酸無水物を３時間反応させて
ポリアミド酸を合成した。さらに、得られたポリアミド
酸にトルエンとｐ−トルエンスルホン酸を添加した後、
１６０℃で加熱し、トルエンと共沸した水分を分離しな
がら、ポリアミド酸のイミド化反応を３時間行った。最
後に、トルエンを留去し、ポリイミド樹脂Ａを得た。得
られたポリイミド樹脂Ａをテトラヒドロフラン（以下、
「ＴＨＦ」と略記する。）に２５質量％の濃度で溶解
し、接着剤を調製した。次に、耐熱性基材として、ポリ
イミド樹脂フィルム（カプトン１００ＥＮ、厚さ２５μ
ｍ、ガラス転位温度３００℃以上、熱膨張係数１６ｐｐ
ｍ／℃、東レデュポン社製）を用い、その上に乾燥後の
厚さが６μｍになるように上記接着剤を塗布した後、１
００℃で５分間乾燥させ、ポリイミド樹脂Ａのみ（ポリ
イミド樹脂Ａ１００質量％）からなる接着剤層を具備す
る本発明の接着シートを得た。
【００３６】（実施例２）用いるジアミンとテトラカル
ボン酸無水物の種類及び配合比を表１に示す通りとした
以外は、実施例１と同様にしてポリイミド樹脂Ｂを得
た。得られたポリイミド樹脂Ｂを用い、実施例１と同様
にして、接着剤を調製し、ポリイミド樹脂Ｂのみ（ポリ
イミド樹脂Ｂ１００質量％）からなる接着剤層を具備す
る本発明の接着シートを得た。
【００３７】（実施例３）用いるジアミンとテトラカル
ボン酸無水物の種類及び配合比を表１に示す通りとした
以外は、実施例１と同様にしてポリイミド樹脂Ｃを得
た。得られたポリイミド樹脂Ｃを用い、実施例１と同様
にして、接着剤を調製し、ポリイミド樹脂Ｃのみ（ポリ
イミド樹脂Ｃ１００質量％）からなる接着剤層を具備す
る本発明の接着シートを得た。
【００３８】（実施例４）実施例３と同様にして、ポリ
イミド樹脂Ｃを得た。得られたポリイミド樹脂ＣをＴＨ
Ｆに２５質量％の濃度で溶解した後、エポキシ樹脂（エ
ポキシ樹脂エピコート８２８、油化シェル社製）を、質
量比で、ポリイミド樹脂：エポキシ樹脂＝８０：２０と
なるように添加し、接着剤を調製した。得られた接着剤
を用い、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂Ｃを８
０質量％含有する接着剤層を具備する本発明の接着シー
トを得た。
【００３９】
【表１】
【００４０】（質量平均分子量及びガラス転位温度の測
定）実施例１〜４において得られたポリイミド樹脂Ａ〜
Ｃの質量平均分子量及びガラス転位温度の測定を以下の
ようにして行った。得られたポリイミド樹脂をＴＨＦに
０．２質量％の濃度で溶解した溶液を調製し、ＧＰＣ
（Ｇｅｌ−Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ−Ｃｈｒｏｍａｔｏｇ
ｒａｐｈｙ、ゲル浸透クロマトグラフィ）装置を用い、
質量平均分子量を測定した。なお、樹脂分離用のカラム
として、ＫＦ−８０Ｍ（昭和電工社製）２本を直列に並
べて測定を行った。また、得られたポリイミド樹脂のガ
ラス転位温度を示差熱分析（ＤＳＣ）により測定した。
なお、窒素雰囲気下で、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇
温させて、測定を行った。得られた結果を表２に示す。
表２に示すように、実施例１〜４において得られたポリ
イミド樹脂の質量平均分子量は３９，０００〜７４，０
００、ガラス転位温度は１７８〜２５０℃であった。
【００４１】
【表２】
【００４２】（比較例１）ポリアルキルアラルキルシロ
キサン（ＴＳＲ−１５１２、質量平均分子量５００，０
００、固形分濃度６０％、ＧＥ東芝シリコーン社製）と
ポリアルキル水素シロキサン（ＣＲ−５１、質量平均分
子量１３００、ＧＥ東芝シリコーン社製）を質量比１０
０：１で混合し、シリコーン系接着剤を調製した。実施
例１と同様に、得られた接着剤を耐熱性基材上に塗布し
た後、１６０℃で１５分間乾燥、硬化させて、接着シー
トを得た。
【００４３】（比較例２）アクリル共重合体（ＳＫダイ
ン１１３１Ｂ、固形分濃度４０％、総研化学社製）にイ
ソシアネート（コロネートＬ−４０、日本ポリウレタン
社製）を質量比１００：１で混合し、アクリル系接着剤
を調製した。実施例１と同様に、得られた接着剤を耐熱
性基材上に塗布した後、１００℃で５分間乾燥させ、さ
らに、３０℃で７日間放置し硬化させて、接着シートを
得た。
【００４４】（比較例３）エポキシ樹脂（エピクロンＨ
Ｐ−７２００、大日本インキ社製）、エポキシ硬化剤
（カヤハードＴＰＭ、）、アクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体（１０７２、日本ゼオン社製）を質量比４
５：１５：４０で混合し、ゴム系接着剤を調製した。実
施例１と同様に、得られた接着剤を耐熱性基材上に塗布
した後、１３０℃で５分間乾燥させて、接着シートを得
た。
【００４５】（評価項目及び評価方法） ＜ワイヤボンディング不良＞各実施例、比較例において
得られた接着シートを、外寸２００×６０ｍｍのＱＦＮ
用リードフレーム（Ａｕ−Ｐｄ−ＮｉメッキＣｕリード
フレーム、４×１６個（計６４個）のマトリックス配
列、パッケージサイズ１０×１０ｍｍ、８４ピン）にラ
ミネート法により貼着した。次いで、エポキシ系ダイア
タッチ剤を用いてアルミニウムが蒸着されたダミーチッ
プ（３ｍｍ□、厚さ０．４ｍｍ）をリードフレームの半
導体素子搭載部に搭載した後、ワイヤボンダー（ＦＢ１
３１、カイジョー社製）を用い、加熱温度を２１０℃、
周波数を１００ｋＨｚ、荷重を１５０ｇｆ、処理時間を
１０ｍｓｅｃ／ピンとして、ダミーチップとリードとを
金ワイヤにより電気的に接続した。得られたパッケージ
６４個を検査し、リード側接続不良が発生したパッケー
ジ数を、ワイヤボンディング不良の発生個数として検出
した。
【００４６】＜モールドフラッシュ＞ワイヤボンディン
グ不良の評価後のリードフレームを用いてモールドフラ
ッシュの評価を行った。エポキシ系モールド剤（ビフェ
ニルエポキシ系、フィラー量８５質量％）を用い、加熱
温度を１８０℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を３分間
として、トランスファーモールド(金型成型)により、ダ
ミーチップを封止樹脂により封止した。樹脂封止後のパ
ッケージ６４個を検査し、リードの外部接続用部分（リ
ードの接着シート側の面）に封止樹脂が付着しているパ
ッケージ数を、モールドフラッシュの発生個数として検
出した。
【００４７】＜弾性率＞各実施例、比較例において調製
した接着剤を離型性フィルム上に塗布した後、接着シー
トを作製する際と同じ乾燥条件にて乾燥し、さらに、ダ
イアタッチ工程の熱処理条件（１７５℃で２時間）で熱
処理を行い、接着剤層付き離型性フィルムを作製した。
なお、乾燥後の厚さが１ｍｍになるように接着剤の塗
布、乾燥を行った。得られたサンプルを直径７ｍｍの円
盤状に切断し、弾性率測定装置（レオストレス、ｈａａ
ｋｅ社製）を用い、周波数を１Ｈｚ、昇温速度を３℃／
ｍｉｎ、測定温度範囲を１５０〜３００℃、荷重を１０
Ｎとして、接着剤層の弾性率の測定を行った。
【００４８】＜リードフレームとの接着強度＞各実施
例、比較例において得られた接着シートを１ｃｍ幅に切
断し、５０ｍｍ×１００ｍｍ×０．２５ｍｍｔの平板
に、ロールラミネーションにより圧着させた。なお、平
板としては、リードフレームに使用される材質のものを
用い、銅板（ＭＦ−２０２、）及びそれに金メッキを施
したもの（以下、「金メッキ板」と称す。）を用いた。
また、各実施例、比較例における圧着条件（圧着時の温
度、圧着速度）は表３に示す通りとした。接着強度の測
定方法は次の通りとした。すなわち、上記の平板を１５
０℃に加熱し、得られたサンプルの接着剤層を平板に対
して９０°方向に引き剥がした時の剥離強度を測定し
た。同様に、この剥離強度の測定を、平板の加熱温度を
１５０℃から２００℃まで５℃ごとに上昇させて行っ
た。そして、１５０〜２００℃の各測定温度における剥
離強度のうち最小値をサンプルの接着強度とした。
【００４９】
【表３】
【００５０】（結果）各実施例、比較例において得られ
た評価結果を表４に示す。但し、表４において、弾性率
は１５０〜２５０℃における弾性率の最小値を示してい
る。表４に示すように、ポリイミド樹脂を含有する接着
剤を用いて接着剤層を形成した実施例１〜４において、
得られた接着剤層の１５０〜２５０℃における弾性率の
最小値は８．５×１０7〜９．０×１０8Ｐａ（８５〜９
００ＭＰａ）と高く、得られた接着シートを用いて評価
を行った結果、ワイヤボンディング不良は全く発生しな
いか、発生してもその発生個数は極めて少なかった。ま
た、得られた接着剤層の平板との接着強度は１２〜４３
ｇ／ｃｍと高く、得られた接着シートを用いて評価を行
った結果、モールドフラッシュは全く発生しなかった。
【００５１】これに対して、シリコーン系接着剤を用い
て接着剤層を形成した比較例１においては、得られた接
着剤層の平板との接着強度は１６〜２０ｇ／ｃｍと高
く、得られた接着シートを用いて評価を行った結果、モ
ールドフラッシュの発生個数は極めて少なかったもの
の、得られた接着剤層の１５０〜２５０℃における弾性
率の最小値は５．１×１０4Ｐａと、実施例１〜４に比
較して著しく低く、得られた接着シートを用いて評価を
行った結果、ほとんどのパッケージについてワイヤボン
ディング不良が発生した。
【００５２】また、アクリル系接着剤を用いて接着剤層
を形成した比較例２において、得られた接着剤層の１５
０〜２５０℃における弾性率の最小値は１．０×１０3
Ｐａ以下と、実施例１〜４に比較して著しく低く、得ら
れた接着シートを用いて評価を行った結果、すべてのパ
ッケージについてワイヤボンディング不良が発生した。
また、得られた接着剤層の平板との接着強度は１〜２ｇ
／ｃｍと、実施例１〜４に比較して著しく低く、得られ
た接着シートを用いて評価を行った結果、多くのパッケ
ージについてモールドフラッシュが発生した。
【００５３】また、ゴム系接着剤を用いて接着剤層を形
成した比較例３において、得られた接着剤層の１５０〜
２５０℃における弾性率の最小値は６．３×１０6Ｐａ
（６．３ＭＰａ）と高く、得られた接着シートを用いて
評価を行った結果、ワイヤボンディング不良の発生個数
は少なかったものの、得られた接着剤層の平板との接着
強度は５〜８ｇ／ｃｍと、実施例１〜４に比較して低
く、得られた接着シートを用いて評価を行った結果、多
くのパッケージについてモールドフラッシュが発生し
た。
【００５４】
【表４】
【００５５】以上の結果から、ポリイミド樹脂を用いて
接着剤層を構成することにより、ワイヤボンディング工
程における処理温度下で高弾性率を有すると共に、樹脂
封止工程における処理温度下でリードフレームとの接着
強度が高い接着剤層が得られることが判明した。また、
この接着剤層を備えた接着シートを用いて、半導体装置
を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モー
ルドフラッシュの双方を防止することができ、半導体装
置の不良品化を防止できることが判明した。
【００５６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半導体装
置製造用接着シートにおいては、熱可塑性ポリイミド樹
脂を用いて接着剤層を構成したので、接着剤層が、高温
に曝されても、高弾性率、高接着力を維持することがで
き、本発明の接着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装
置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モ
ールドフラッシュの双方を防止することができ、半導体
装置の不良品化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の半導体装置製造用接着シー
トを用いてＱＦＮを製造する際に用いて好適なリードフ
レームの構造を示す概略平面図である。
【図２】 図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置
製造用接着シートを用いてＱＦＮを製造する方法の一例
を示す工程図である。
【符号の説明】
１０ 半導体装置製造用接着シート ２０ リードフレーム ３０ 半導体素子 ３１ ボンディングワイヤ ４０ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１Ｂ (72)発明者 中島 敏博 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社 巴川製紙所技術研究所内 (72)発明者 岡 修 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社 巴川製紙所技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA10 AA11 AB01 CA06 CA08 CB03 CC02 FA05 FA08 4J040 EH031 JA09 JB01 JB09 LA06 LA08 NA19 PA23 5F044 AA01 GG00 GG05 JJ03 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 DD14 5F067 AA01 AB04 CC00 CC08 DE01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 耐熱性基材の一方の面に接着剤層を具備
    し、リードフレームに剥離可能に貼着される半導体装置
    製造用接着シートにおいて、 前記接着剤層が熱可塑性ポリイミド樹脂を含有すると共
    に、１５０〜２５０℃における前記接着剤層の弾性率が
    １ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置製造用
    接着シート。
  2. 【請求項２】 前記ポリイミド樹脂のガラス転位温度が
    １７０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置製造用接着シート。
  3. 【請求項３】 １５０〜２００℃における前記接着剤層
    と前記リードフレームとの接着強度が１０ｇ／ｃｍ以上
    であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
    半導体装置製造用接着シート。
  4. 【請求項４】 前記接着剤層が、前記ポリイミド樹脂を
    ６０質量％以上含有することを特徴とする請求項１から
    請求項３までのいずれか１項に記載の半導体装置製造用
    接着シート。
  5. 【請求項５】 前記ポリイミド樹脂の質量平均分子量が
    １０，０００〜５００，０００であることを特徴とする
    請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の半導
    体装置製造用接着シート。
  6. 【請求項６】 前記耐熱性基材が耐熱性樹脂フィルムで
    あると共に、 前記耐熱性基材のガラス転位温度が１５０℃以上であ
    り、かつ、ガラス転位温度以下における熱膨張係数が５
    〜５０ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１から
    請求項５までのいずれか１項に記載の半導体装置製造用
    接着シート。
  7. 【請求項７】 前記耐熱性基材が金属箔であると共に、
    前記耐熱性基材の熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であ
    ることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれ
    か１項に記載の半導体装置製造用接着シート。
  8. 【請求項８】 前記耐熱性基材が電解金属箔であると共
    に、前記耐熱性基材の粗面化された側の面に前記接着剤
    層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の
    半導体装置製造用接着シート。
JP2001383759A 2001-12-17 2001-12-17 半導体装置製造用接着シート Expired - Lifetime JP4251807B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001383759A JP4251807B2 (ja) 2001-12-17 2001-12-17 半導体装置製造用接着シート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001383759A JP4251807B2 (ja) 2001-12-17 2001-12-17 半導体装置製造用接着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003188334A true JP2003188334A (ja) 2003-07-04
JP4251807B2 JP4251807B2 (ja) 2009-04-08

Family

ID=27593709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001383759A Expired - Lifetime JP4251807B2 (ja) 2001-12-17 2001-12-17 半導体装置製造用接着シート

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4251807B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1333462C (zh) * 2003-07-11 2007-08-22 日东电工株式会社 层压片、用于制造半导体器件的方法和半导体器件
JP2012043935A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品の製造方法
CN102386105A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法及其制成的结构
CN102386107A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法及其制成的结构
CN102386104A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法
JP2012062372A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
CN103360973A (zh) * 2012-04-02 2013-10-23 株式会社巴川制纸所 半导体装置制造用掩片以及半导体装置的制造方法
JP2014093317A (ja) * 2012-10-31 2014-05-19 Du Pont-Toray Co Ltd ポリイミドフィルム
JP2017066233A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP2020136600A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 東レ株式会社 半導体または電子部品製造用粘着フィルムならびに半導体または電子部品の製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1333462C (zh) * 2003-07-11 2007-08-22 日东电工株式会社 层压片、用于制造半导体器件的方法和半导体器件
KR101044584B1 (ko) * 2003-07-11 2011-06-29 닛토덴코 가부시키가이샤 적층 시트
JP2012043935A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品の製造方法
CN102386105A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法及其制成的结构
CN102386107A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法及其制成的结构
CN102386104A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法
JP2012062372A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
CN103360973A (zh) * 2012-04-02 2013-10-23 株式会社巴川制纸所 半导体装置制造用掩片以及半导体装置的制造方法
JP2014093317A (ja) * 2012-10-31 2014-05-19 Du Pont-Toray Co Ltd ポリイミドフィルム
JP2017066233A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
WO2017057519A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP2020136600A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 東レ株式会社 半導体または電子部品製造用粘着フィルムならびに半導体または電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4251807B2 (ja) 2009-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4319892B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
KR100633849B1 (ko) 반도체 장치 제조용 접착 시트
JP6171280B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4654062B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
TW200423316A (en) Adhesive film for semiconductor, adhesive film attached on metal plate, wiring circuit and semiconductor device with the same, and the manufacturing method for semiconductor device
KR101475139B1 (ko) 반도체 장치 제조용 마스크 시트 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2006319074A (ja) Ｌｅｄ実装用基板およびその製造方法
JP4863690B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置並びにその製造方法
JP5937397B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
JP2003188334A (ja) 半導体装置製造用接着シート
JP4538398B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
WO2007010902A1 (ja) 半導体用熱可塑性樹脂組成物、これを用いた接着フィルム、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4421204B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置並びに製造方法
JP2002275435A (ja) 半導体装置組立用マスクシートおよび半導体装置の組み立て方法
JP3779601B2 (ja) 半導体装置組立用マスクシート
JP4002739B2 (ja) 半導体装置製造用粘着シート
JP2001031943A (ja) 半導体用接着剤及び半導体用接着テープ
JP3857953B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート
JP2013201403A (ja) 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
JP4031721B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート
JP2007073921A (ja) 半導体用フィルム付複合金属層、半導体用フィルム、これを用いた配線回路付フィルム及び半導体用フィルム付半導体装置、半導体装置並びに半導体装置の製造方法
JP2021125516A (ja) 半導体装置製造用粘着シート
CN114686136B (zh) 四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片
JP4140963B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びその方法に使用する接着テープ並びにその方法によって製造される半導体装置
JP2005317613A (ja) 半導体装置用接着剤シートおよびそれを用いた半導体装置用部品ならびに半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061031

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4251807

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140130

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term