CN114686136B - 四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及四侧无引脚扁平(QFN)半导体封装用掩膜片。本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片包括：支撑膜；粘结层，位于上述支撑膜的一面；以及加强层，位于上述支撑膜的上述粘结层所处的面的背面，相对于上述粘结层的上述加强层的滑动摩擦力为700gf/50mm以下，因此，即使长时间卷绕保管也不会产生气泡或皱褶。

Description

四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片
技术领域
本发明涉及四侧无引脚扁平(QFN，Quad Flat Non-leaded)半导体封装用掩膜片，并且，涉及利用四侧无引脚扁平(QFN，Quad Flat Non-leaded)半导体封装用掩膜片的引脚框架及半导体封装。
背景技术
迄今为止，在个人计算机的发展趋势下，半导体技术主要侧重于半导体电路的集成化，最近，基于移动设备(Mobile)所需的电子部件的轻薄小型化趋势，当前半导体技术正以小型化和薄型化的方式提高半导体封装的集成度，因此，半导体装置的制造工序也持续产生变化。
作为一例，预计由四侧无引脚扁平、Stacked CSP、WLP、Flip Chip Bare Die、Fine-Pitch BGA、MCP、MIS package等轻薄小型及高附加值的封装技术主导未来市场。
其中，四侧无引脚扁平封装(QFN，Quad Flat Non-lead Package)作为芯片级封装(CSP，Chip Scale Package)的一种，因其尺寸小而能够减少基板上的连接面积并实现大量的装载量，最终具有使板空间最大化的效果，在其结构层面上，在下部暴露电连接部的状态下，由于必须实现封装工序，因此，在制造工序中必需进行利用掩膜片遮蔽暴露部位的工序。
这种四侧无引脚扁平半导体封装的制造方法包括以下顺序。
首先，在引脚框架的一侧面附着掩膜片后，在形成于引脚框架上的半导体器件装载部(裸片垫或引脚板)单独装载半导体芯片。
而且，在对引脚框架进行等离子处理后，通过半导体键合金属线来使得排列在引脚框架的各个半导体芯片装载部周围的引脚与半导体芯片电连接。
接着，使用密封树脂对装载于引脚框架的上述半导体芯片进行密封。
从引脚框架剥离掩膜片来形成排列有四侧无引脚扁平封装的四侧无引脚扁平单元。
沿着各个四侧无引脚扁平封装的外周锯割(Sawing)四侧无引脚扁平单元来制造单个四侧无引脚扁平半导体封装。
像这样，在四侧无引脚扁平半导体封装的制造过程中必需使用掩膜片，因此，上述掩膜片应具备能够承受在四侧无引脚扁平半导体封装的制造过程中产生的高温和等离子处理过程的物性。
不仅如此，上述掩膜片普遍以卷绕方式长时间保管。当卷绕掩膜片时，粘结层和支撑膜应以相互滑动(slip)的方式实现顺畅的卷绕，只有这样才能够在长时间保管的前提下也不会导致掩膜片的物性降低。但是，在利用形成有加强层的支撑膜的掩膜片的情况下，当卷绕掩膜片时，粘结层和加强层因具有粘结的性质而无法相互滑动，从而导致在掩膜片产生气泡或皱褶。
因此，当前需要如下所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，即，不仅具备能够承受在用于四侧无引脚扁平半导体封装的制造工序中产生的高温和等离子处理过程的物性，而且，在长时间卷绕保管的情况下，防止耐久性及物性产生劣化。
发明内容
技术问题
为了解决如上所述的技术问题，本发明的目的在于，提供如下的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，即，在粘结层与加强层之间存在滑动性。
并且，本发明的再一目的在于，提供如下的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，即，具备能够承受在用于四侧无引脚扁平半导体封装的制造工序中产生的高温和等离子处理过程的物性。
并且，本发明的另一目的在于，提供包括上述掩膜片的引脚框架和四侧无引脚扁平半导体封装。
技术方案
用于实现上述目的的本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片的特征在于，包括：支撑膜；粘结层，位于上述支撑膜的一面；以及加强层，位于上述支撑膜的上述粘结层所处的面的背面，相对于上述粘结层的上述加强层的滑动摩擦力为700gf/50mm以下。
发明的效果
本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片具有如下的优秀效果，即，由于上述粘结层和加强层的滑动性得到改善，因此，即使在长时间卷绕保管的情况下，掩膜片的耐久性或物性也不会产生劣化。
并且，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片还具有如下的优秀效果，即，即使在四侧无引脚扁平半导体封装的制造工序中产生的高温和等离子处理过程中，物性也不会产生劣化。
附图说明
图1为示出本发明一实施例的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片的剖视图。
具体实施方式
以下，将详细说明上述目的、特征及优点，由此，本发明所属技术领域的普通技术人员可轻松实施本发明的技术思想。在说明本发明的过程中，当判断对于本发明相关公知技术的具体说明有可能不必要地混淆本发明的主旨时，将省略详细说明。以下，详细说明本发明的优选实施例。
本发明并不限定于以下公开的实施例，可通过不同实施方式实现，但是，本实施例用于本发明的公开变得完整，使得本发明所属技术领域的普通技术人员能够完全理解本发明的范畴。
以下，详细说明本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片及包括其的引脚框架和半导体封装。
四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片
参照图1，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100为层叠结构，其包括：支撑膜10；粘结层20，位于上述支撑膜10的一面；以及加强层30，位于上述支撑膜的上述粘结层所处的面的背面。并且，上述层叠结构直接应用于半导体封装。
尤其，在本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100中，相对于上述粘结层20的加强层30的滑动摩擦力为700gf/50mm以下。
其中，上述滑动摩擦力是指如下的力，即，在使加强层位于粘结层上之后，在其上方放置1kg的砝码并向上述加强层施加水平力，在此情况下，上述加强层在上述粘结层滑动(slip)。
本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100的滑动摩擦力为700gf/50mm以下，当卷绕掩膜片时，因粘结层与加强层之间产生适当的滑动现象而不会产生气泡或皱褶。当上述滑动摩擦力大于700gf/50mm时，因粘结层与加强层之间产生粘结而无法相互滑动，从而产生在掩膜片产生气泡或皱褶的概率非常高的问题。
如上所述，参照图1，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100包括：支撑膜10；粘结层20，位于支撑膜的上方；以及加强层30，位于上述支撑膜10的下部面。
首先，针对支撑膜10进行说明。对于上述支撑膜10并没有特别限制，可使用耐热性树脂膜。耐热性树脂膜具有即使在200℃以上的高温条件下也不会劣化的优点。并且，优选地，为了增加耐热性，上述支撑膜10的玻璃化转变温度Tg为200℃以上。
上述耐热性树脂膜可使用芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
更优选地，为了具备耐热性并能够进一步增加对于粘结层的紧贴性，上述支撑膜10可使用聚酰亚胺膜。上述聚酰亚胺膜可被进行等离子处理、电晕放电处理、底涂处理等高附着处理。在上述支撑膜10相对于粘结层20的紧贴性较低的情况下，当从引脚框架及密封层去除掩膜片100时，因上述粘结层20与支撑膜10的界面产生剥离而导致粘结层20残留在引脚框架及密封层侧。因此，优选地，应充分提高支撑膜10相对于粘结层20的紧贴性。
对于支撑膜10的厚度并没有特别限制，可以为5μm～50μm，只要减少引脚框架的残留应力即可。
接着，针对本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100所包括的粘结层20进行说明。
上述粘结层20可包含热塑性树脂作为主要成分，但是，上述粘结层20的成分并不限定于此。
尤其，上述粘结层20可包括含有酰胺(-NHCO-)、酯基(-CO-O-)、酰亚胺基(-NR2，单R分别为-CO-)、醚基(-O-)、砜基(-SO2-)的热塑性树脂。更具体地，上述粘结层20可包含芳香族聚酰胺、芳香族聚酯、芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚、芳香族聚醚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚酰胺、芳香族聚酯酰亚胺及芳香族聚醚酰亚胺等。
优选地，为了改善滑动性等，上述粘结层20可包括含有酰亚胺基(-NR2，但是R分别为-CO-)的热塑性树脂。
上述热塑性树脂均可通过缩聚作为碱基成分的芳香族二胺或双酚等、作为酸成分的二甲酸、三甲酸、四甲酸或芳香族氯化物或它们的反应性衍生物来制备。即，可使用通常用于氨基与酸反应的方法执行，对于多种条件等并没有特别限制。对于芳香族二甲酸、芳香族三甲酸或它们的反应性衍生物与二胺的缩聚反应使用通常方法执行。
更具体地，为了制备本发明的粘结层20所包含的含有酰亚胺基的热塑性树脂，作为四甲酸二酐可使用选自均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4'-联苯醚二酐(ODPA)、3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐(BPDA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、3,3',4,4'-二苯砜四羧酸二酐(DSDA)、六氟二酐(6FDA)、m(p)-三联苯-3,4,3',4'-四甲酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐(CBDA)、1-羧基二甲基-2,3,5-环戊烷三甲酸-2,6,3,5-二酐(TCAAH)、1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐(CHDA)、丁烷-1,2,3,4-四甲酸二酐(BuDA)、1,2,3,4-环戊烷四甲酸二酐(CPDA)、5-(2,5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基环己烯-1,2-二羧酸二酐(DOCDA)、4-(2,5-二氧代四氢呋喃基-3-基)-四氢化萘-1,2-二甲酸二酐(DOTDA)、双环辛烯-2,3,5,6-四甲酸二酐(BODA)，萘-1,4,5,8-四甲酸二酐(NTDA)等中的一种或两种以上的四甲酸二酐。
另一方面，作为另一种单体的芳香族二胺，使用包含选自硅氧烷衍生物、2'-(甲基丙烯酰氧基)乙基3,5-二氨基苯甲酸酯、3,5-二氨基苯肉桂酸酯、香豆素3,5-二氨基苯甲酸酯中的一种或两种以上感光性官能团的芳香族二胺作为必要成分。
并且，除上述二胺单体外，作为本发明通常使用的芳香族二胺单体使用选自对苯二胺(PPD)、间苯二胺(MPD)、2,4-甲苯二胺(TDA)、4,4'-二氨基二苯甲烷(MDA)、4,4'-二氨基二苯醚(DPE)、3,4'-二氨基二苯醚(3,4'-DPE)、3,3'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(TB)、2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(m-TB)、2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯(TFMB)、3,7-二氨基-二甲基二苯并噻吩-5,5-二氧化物(TSN)、4,4'-二氨基二苯甲酮(BTDA)、3,3'-二氨基二苯甲酮(3,3'-BTDA)、4,4'-二氨基二苯硫醚(ASD)、4,4'-二氨基二苯砜(ASN)、4,4'-二氨基苯甲酰苯胺(DABA)、1,n-(4-氨基苯氧基)烷烃(DAnMG)、1,3-双(4-氨基苯氧基)2,2-二甲基丙烷(DANPG)、1,2-双[2-(4-氨基苯氧基)乙氧基]乙烷(DA3EG)、9,9-双(4-氨基苯基)芴(FDA)、5(6)-氨基-1-(4-氨基苯基)-1,3,3-三甲基茚满(PIDN)、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(TPE-Q)、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯(TPE-R)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯(APB)、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯(BAPB)、4,4'-双(3-氨基苯氧基)联苯(BAPB-M)、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)、2,2-双(3-氨基苯氧基苯基)丙烷(BAPP-M)、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜(BAPS)、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜(BAPS-M)、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(HFBAPP)、3,3'-二羧基-4,4'-二氨基二苯甲烷(MBAA)、4,6-二羟基-1,3-苯二胺(DADHB)、3,3'-二羟基-4,4'-二氨基联苯(HAB)、2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷(6FAP)、3,3',4,4'-四氨基联苯(TAB)、1,6-二氨基己烷(HMD)、1,3-双(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基硅氧烷、1-氨基-3-氨甲基-3,5,5-三甲基环己烷(DAIP)、4,4'-亚甲基双(4-环己胺)(DCHM)、1,4-氨基环己烷(DACH)、双环[2,2,1]庚烷双甲胺(NBDA)、三环[3,3,1,13,7]癸烷-1,3-二胺、4-氨基苯甲酸-4-氨基苯基醚(APAB)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并恶唑(5ABO)、9,9-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]芴(BAOFL)、2,2-双(3-双(3-磺基丙氧基)-4,4'-二氨基联苯(3,3'-BSPB)、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯-3,3'-二磺酸(pBAPBDS)、双(4-氨基苯基)六氟丙烷(HFDA)、5-二氨基苯甲酸、2,4-二氨基苯磺酸、2,5-二氨基苯磺酸、2,2-二氨基苯二磺酸等中的一种或两种以上的二胺单体。
并且，上述粘结层20还可根据需求包含额外成分，例如，无机填充剂。
并且，优选地，在230℃至250℃的温度条件下冲压后的本发明的用于四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100所包括的粘结层20的粘结力为5gf/25mm以上且600gf/25mm以下。当被冲压后的上述粘结力小于5gf/25mm时，在移动或装载于设备等处理过程中将产生掩模片轻易从引脚框架剥离的问题，当大于600gf/25mm时，在最终工序中将产生难以剥离掩膜片或留有大量粘结残留物的问题。
其中，上述粘结力是指上述掩膜片100相对于引脚框架及密封层的粘结力，是指经过基于热处理的密封工序后的粘结力。
并且，优选地，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100所包括的粘结层20的玻璃化转变温度应为100℃～250℃，以便维持常温条件下的粘结性。其中，未特别限定上述玻璃化转变温度的测定方法，通常是指通过差示扫描热量测定、差示热测定、动态粘弹性测定或热机械分析进行测定的值。
接着，针对本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100所包括的加强层30进行说明。
虽然，对于上述加强层30并没有特别限制，但是，上述加强层30可由与上述粘结层20相同的成分制备而成。
但是，优选地，本发明的加强层30应包含0.1重量百分比～5重量百分比的无机粒子，以便改善与粘结层20之间的滑动性。当加强层30所包含的上述无机粒子小于0.1重量百分比时，将无法有效改善滑动性。相反，当加强层30所包含的上述无机粒子大于5重量百分比时，虽然能够有效改善滑动性，但是，可导致增强层的功能受到限制。因此，最优选地，为了改善滑动摩擦力，上述加强层30应包含0.5重量百分比～3重量百分比的上述无机粒子。
对于上述无机粒子并没有特别限制，可使用烘制二氧化硅等无机粒子，优选地，为了改善滑动性，上述无机粒子的粒子尺寸应为5nm～30nm。
接着，优选地，在230℃的温度条件下，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100的弹性率为5Mpa以上。上述弹性率是指在230℃的温度条件下测定的固体剪切弹性率。若上述弹性率为5Mpa以上，则本发明的掩膜片100可在密封工序过后防止在引脚框架及密封层产生粘结残留物。其中，上述弹性率可通过将5mm×8mm尺寸的掩膜片的试片放置于固体剪切测定夹具并利用动态粘弹性测定装置(例如，UBM KK制造，Rheogel-E4000)来测定。
而且，优选地，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100的5％质量损失温度为400℃以上。由此，本发明的掩膜片100可通过减少脱气量来获得更加优秀的金属线焊接性能。上述5％质量损失温度可利用差示热天平(例如，Seiko Instruments KK制造，SSC5200型)来在10℃/分钟的升温速度及空气环境条件下测定。
而且，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100还可包括保护膜(未图示)，上述保护膜形成在上述粘结层20的上述支撑膜10所在的面的背面。对于上述保护膜并没有特别限制，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜可具有离型层。上述保护膜的厚度可以为10μm～100μm。
如上所述，由于上述粘结层与加强层的滑动性得到改善，因此，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100具有即使在长时间卷绕保管的情况下也可防止耐久性或物性产生劣化的优秀效果。
并且，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片100还具有如下的优秀效果，即，即使在四侧无引脚扁平半导体封装的制造工序中产生的高温和等离子处理过程中，物性也不会产生劣化。
引脚框架及四侧无引脚扁平半导体封装
以下，针对本发明的引脚框架及四侧无引脚扁平半导体封装进行详细说明。
本发明的引脚框架包括：引脚框架，包括裸片垫及内引脚；以及本发明的掩膜片100，上述掩膜片100粘结在上述引脚框架，以使得上述粘结层与上述引脚框架的一面相接触。
并且，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装包括：引脚框架，包括裸片垫及内引脚；半导体器件，装载于上述裸片垫；金属线，用于连接上述半导体器件和上述内引脚；密封层，用于密封上述半导体器件及上述金属线；以及本发明的掩膜片100，在上述掩膜片中，上述粘结层粘结在上述引脚框架的装载有上述半导体器件的面的背面。
本发明的半导体封装可通过如下工序制造：通过上述粘结层20将掩膜片100粘结在具有裸片垫及内引脚的引脚框架的背面；将半导体器件装载于裸片垫的另一面；对上述引脚框架进行等离子清洗；准备用于连接半导体器件和内引脚的金属线；形成用于密封半导体器件及金属线的密封层并制造包括引脚框架、半导体器件及密封层的半导体封装；以及从上述半导体封装剥离掩膜片100。
将掩膜片粘结在引脚框架的工序可通过在高温条件下(例如，150℃～200℃)进行冲压来执行。
对于上述引脚框架的材料并没有特别限制，例如，可使用铁基合金、铜或铜基合金等。当使用铜及铜基合金时，可在上述引脚框架的表面包覆处理有钯、金、银等。为了提高与密封材料之间的密着力，可通过物理方式来使得引脚框架的表面变得粗糙。并且，也可在引脚框架表面进行化学处理，例如，防止银浆渗出的环氧树脂防渗出(EBO)处理等。
半导体器件通过通常使用的粘结剂(例如，银浆)装载于裸片垫。可通过加热处理(例如，在140℃～200℃的温度下进行30分钟～2小时)固化粘结剂。
对于金属线并没有特别限制，例如，可利用金线、银线、铜线或钯包覆铜线。作为一例，可在200℃～270℃的温度条件下加热3分钟～60分钟并利用超声波和冲压压力来使得半导体器件及内引脚与金属线相连接。
在进行金属线焊接工序之前，可对引脚框架进行等离子清洗处理。可通过等离子清洗处理进一步提高密封层与引脚框架之间的紧贴性来提高半导体封装的可靠性。作为一例，等离子清洗处理可通过在减压条件下(例如，9.33Pa以下)注入规定气体流量的氩气、氮气、氧气等气体并照射等离子的方法来执行。等离子的照射功率可以为10W～1000W。并且，等离子处理时间可以为5秒～300秒。在等离子处理过程中，气体流量可以为5sccm～50sccm。
在密封工序中，利用密封材料形成密封层。可通过密封工序获得将多个半导体器件及一并进行密封的密封层包括在内的半导体封装。在进行密封工序的过程中，应防止密封材料因掩膜片而流入到引脚框架的背面侧。
密封温度为140℃～200℃，也可以为160℃～180℃。在密封工序中，压力可以为6MPa～15MPa，加热时间可以为1分钟～5分钟。
根据需求，上述密封层可被加热固化。固化温度可以为150℃～200℃，固化加热时间可以为4小时～7小时。
对于密封材料并没有特别限制，例如，可使用甲酚醛环氧树脂、甲酚醛环氧树脂、联苯二环氧树脂、萘酚酚醛环氧树脂等环氧树脂。可在上述密封材料中添加填充剂、溴化合物等阻燃性物质、蜡成分等添加剂。
经过密封工序后，在所获得的的半导体封装中，将从引脚框架及密封层剥离掩膜片。在固化密封层的情况下，可在固化前或固化后剥离掩膜片。
对于剥离温度并没有特别限制，可在常温条件下(例如，5℃～35℃)执行。
进行剥离工序后，可根据需求追加执行去除残留在引脚框架及密封层上的粘结残留物的工序。在此情况下，可利用溶剂去除残留的粘结层。作为溶剂，可使用二甲基亚砜、乙二醇、水等。溶剂可单独使用一种，也可混合使用两种以上。溶剂也可添加有表面活性剂。在溶剂包含水的情况下，溶剂可以为碱性调制溶液(碱性溶液)。碱性溶液的pH为10以上或12以上。除利用溶剂去除残留外，还可以根据需求进行机械刷洗。
当引脚框架包括具有裸片垫及内引脚的多个图案时，可根据需求分割密封的封装来获得分别具有一个半导体器件的多个半导体封装。
像这样，由于在高密度、小面积、薄型化等层面上的优秀特性，本发明的四侧无引脚扁平半导体封装可适用于手机、智能手机、个人计算机、平板电脑等电子设备。
以下，通过优选实施例进一步详细说明本发明。以下实施例仅为用于进一步详细说明本发明而公开的示例。因此，本发明并不限定于以下实施例。
实施例
1.粘结层的制造
按下表1所示的内容制造用于掩膜片的粘结层。
利用以下摩尔比的聚酰亚胺树脂制备清漆，从而制备用于粘结层的制备液。
表1
*TPE-R：1,3'-双(4-氨基苯氧基)苯
*BAPP：2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷
*p-PDA：对苯二胺
*m-Td：4,4'-二氨基-2,2'-二甲基联苯
*PAM-E：氨基改性反应性硅油(Shinetsu silicone制造)
*BPDA：3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐
*PMDA：均苯四甲酸二酐
*R972：972(Evonik制造)
2.加强层的制造
按下表2所示的内容制造用于掩膜片的加强层。
利用以下摩尔比的聚酰亚胺树脂制备清漆，从而制备用于加强层的制备液。
表2
3.掩膜片的制造
按下表3所示的内容，在支撑膜的上表面涂敷根据上述表1制备的制备液来形成粘结层，在支撑膜的另一面涂敷根据上述表2制备的制备液来形成加强层，从而制备实施例及比较例的掩膜片。
支撑膜均使用了相同的PI膜。
表3
4.对于实施例的掩膜片的物性评估
针对实施例1至实施例7的掩膜片进行物性评估。在下表4中示出物性评估结果。
表4
以上表4所示的物性通过下述方式测定。
1)5％质量损失温度
利用差示热天平(Seiko Instruments KK制造，SSC5200型)在10℃/分钟的升温速度及空气环境条件下测定。
2)弹性率
在正弦波、30℃～250℃的温度、5℃/min的升温速度、400Hz的频率条件下，将按5mm×8mm尺寸切割掩膜片而获取的试片放置于固体剪切测定夹具并利用动态动态粘弹性测定装置(UBM KK制造，Rheogel-E4000)来测定固体剪切弹性率。并且，将输入厚度固定为0.1mm，将应变控制设定为1.95μm、1.95％。由此，从测定结果读取在230℃的温度条件下的固体剪切弹性率。
3)粘结残留物
在24℃的常温和20N的负荷条件下，向CDA194框架(引脚框架，Shinko ElectricIndustry Co.，Ltd.制造)中的粘结层与引脚框架相接触的方向粘结实施例和比较例中的掩膜片。在空气环境中，利用烘箱来以在180℃的温度条件下加热60分钟并在200℃的温度条件下加热60分钟的顺序改变条件的方式加热引脚框架及掩模片。在氩气环境(流量：20sccm)、150W、15秒的条件下，引脚框架的掩模板的背面的上表面进行等离子处理。
在175℃的温度、6.8MPa、2分钟的条件下，利用模具成型机(Apikyamada KK制造)执行密封成型，由此，使用密封材料(商品名称：GE-7470LA，日立化成制造)在引脚框架的掩膜片的背面的上表面形成密封层。
随后，沿着180°方向来以50mm/分钟的速度剥离各个掩膜片，并确认剥离后的密封层及引脚框架上的粘结残留物的状态。以相对于密封层及引脚框架的表面之合的整体面积的存在粘结残留物的部分的面积比例作为基础，分成以下6个阶段评估存在粘结残留物的程度。
5：60％～100％(剩余的粘结层相对较厚)
4：60％～100％(剩余的粘结层相对较薄)
3：30％以上且小于60％
2：10％以上且小于30％
1：大于0％且小于10％
X：0％
4)对于引脚框架的粘结力
将各个实施例的掩膜片切割成100mm(长度)×25mm(宽度)，在230℃至250℃的温度条件下，与铜材料的引脚框架进行冲压来制备用于评估粘结力的试片。随后，利用粘结力测定装置(CHEMI LAB SurTA)测定以180度的剥离强度、25℃的剥离温度、300mm/min的剥离速度从引脚框架剥离掩膜片时的剥离强度。
5.实施例与比较例的滑动摩擦力对比评估
评估实施例和比较例的滑动摩擦力。在下表5中示出评估结果。
分别准备一对在实施例和比较例中所使用的掩膜片，使得其中一个掩膜片的粘结层上方与另一个掩膜片的加强层相接触后，在其上方放置1kg的砝码并向上述加强层施加水平力，由此，可通过上述加强层在上述粘结层移动(slip)的力来分别测定滑动摩擦力。
卷绕性可通过确认当以3m/分钟的规定速度卷绕实施例及比较例的各个掩膜片时是否产生皱褶或弯曲来确定。
表5
如表5所示，本发明的掩膜片的滑动摩擦力为700gf/50mm以下，因此，当长时间卷绕保管时，并不会产生气泡或皱褶。但是，比较例的掩膜片的滑动摩擦力高达1450gf/50mm，因此，当以粘合层和加强层粘结的状态卷绕保管时，产生问题的可能性非常高。
如上所述，虽然详细说明了本发明，但是，本发明并不限定于在本说明书中所公开的实施例，显而易见的是，本发明所属技术领域的普通技术人员可在本发明的技术思想范围内实现多种变形。并且，在说明本发明实施例的过程中，即使未明确示出说明本发明的结构所引起的作用效果，也应当承认可通过相应结构预测的效果。

Claims (9)

1.一种四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，
包括：
支撑膜；
粘结层，位于上述支撑膜的一面；以及
加强层，位于上述支撑膜的上述粘结层所处的面的背面，
相对于上述粘结层的上述加强层的滑动摩擦力为700gf/50mm以下，
上述加强层包含0.1重量百分比～5重量百分比的无机粒子。
2.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，上述粘结层包含具有酰亚胺基的热塑性树脂。
3.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，上述加强层包含具有酰亚胺基的热塑性树脂。
4.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，在230℃～250℃的温度条件下冲压后的上述粘结层的粘结力为5gf/25mm～600gf/25mm。
5.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，上述粘结层的玻璃化转变温度为100℃～250℃。
6.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，在230℃的温度条件下，弹性率为5Mpa以上。
7.根据权利要求1所述的四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片，其特征在于，5％质量损失温度为400℃以上。
8.一种引脚框架，包括裸片垫及内引脚，其特征在于，包括根据权利要求1至7中任一项所述的掩膜片，上述掩膜片粘结在上述引脚框架，以使得上述粘结层与上述引脚框架的一面相接触。
9.一种四侧无引脚扁平半导体封装，其特征在于，包括：
引脚框架，包括裸片垫及内引脚；
半导体器件，装载于上述裸片垫；
金属线，用于连接上述半导体器件和上述内引脚；
密封层，用于密封上述半导体器件及上述金属线；以及
根据权利要求1至7中任一项所述的掩膜片，
在上述掩膜片中，上述粘结层粘结在上述引脚框架的装载有上述半导体器件的面的背面。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006022900A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Nhk Spring Co Ltd ガスケット材、ガスケット材の製造方法およびガスケットの取り付け方法
CN102354691A (zh) * 2011-11-04 2012-02-15 北京工业大学 一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法
CN207685337U (zh) * 2017-12-13 2018-08-03 唐军 高精密掩膜版
CN108573946A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 Ihn实验室有限公司 四面扁平无引脚半导体封装件、其制造方法及其制造用遮蔽片
JP2020150076A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用粘着シート

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311750A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Teijin Dupont Films Japan Ltd 半導体ウェハ加工用ベースフィルム
JP6728681B2 (ja) * 2014-09-22 2020-07-22 東レ株式会社 積層フィルム、その製造方法および表面保護フィルム
DE112015005259T5 (de) * 2014-11-20 2017-08-17 Asahi Glass Company, Limited Formwerkzeugtrennfilm, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
SG11201910104UA (en) * 2017-05-10 2019-11-28 Hitachi Chemical Co Ltd Temporary protective film for semiconductor sealing molding
CN110277340B (zh) * 2018-03-14 2022-11-15 日东电工（上海松江）有限公司 半导体器件生产用耐热性压敏粘合片
JP2020155570A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社東芝 半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法
WO2020255975A1 (ja) * 2019-06-19 2020-12-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006022900A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Nhk Spring Co Ltd ガスケット材、ガスケット材の製造方法およびガスケットの取り付け方法
CN102354691A (zh) * 2011-11-04 2012-02-15 北京工业大学 一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法
CN108573946A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 Ihn实验室有限公司 四面扁平无引脚半导体封装件、其制造方法及其制造用遮蔽片
CN207685337U (zh) * 2017-12-13 2018-08-03 唐军 高精密掩膜版
JP2020150076A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用粘着シート

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