KR20220094011A - Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트 - Google Patents

Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20220094011A
KR20220094011A KR1020200185259A KR20200185259A KR20220094011A KR 20220094011 A KR20220094011 A KR 20220094011A KR 1020200185259 A KR1020200185259 A KR 1020200185259A KR 20200185259 A KR20200185259 A KR 20200185259A KR 20220094011 A KR20220094011 A KR 20220094011A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask sheet
semiconductor package
adhesive layer
lead frame
qfn
Prior art date
Application number
KR1020200185259A
Other languages
English (en)
Inventor
최재원
윤근영
조형준
조영석
김효림
Original Assignee
(주)이녹스첨단소재
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)이녹스첨단소재 filed Critical (주)이녹스첨단소재
Priority to KR1020200185259A priority Critical patent/KR20220094011A/ko
Priority to TW110148989A priority patent/TWI773618B/zh
Priority to CN202111617998.6A priority patent/CN114686136B/zh
Priority to JP2021212023A priority patent/JP7270023B2/ja
Publication of KR20220094011A publication Critical patent/KR20220094011A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49586—Insulating layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Medical Preparation Storing Or Oral Administration Devices (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트에 관한 것이다. 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트는 지지 필름, 상기 지지 필름의 일면에 위치한 점착층 및 상기 지지 필름의 상기 점착층이 위치한 면의 반대면에 위치한 보강층을 포함하고, 상기 점착층에 대한 상기 보강층의 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하 해당하여, 장기간 권취 보관에도 불구하고 기포나 주름이 발생하지 않는 효과를 갖는다.

Description

QFN 반도체 패키지용 마스크 시트{MASK SHEET FOR QFN SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 QFN(Quad Flat Non-leaded) 반도체 패키지용 마스크 시트에 관한 것이고, 또한 QFN(Quad Flat Non-leaded) 반도체 패키지용 마스크 시트를 이용한 리드 프레임과 반도체 패키지에 관한 것이다.
과거부터 현재까지 개인용 컴퓨터의 개발에 의해 주도된 반도체기술은 주로 반도체 회로의 집적화에 중점을 두었지만, 최근 모바일(Mobile)에 의해 요구되고 있는 전자부품의 경박단소화 경향에 따라 반도체기술은 반도체패키지의 소형화와 박형화에 의한 집적도 향상에 주력하고 있는 실정이며 이를 위한 반도체장치의 제조공정 또한 지속적으로 변화되고 있다.
이러한 예로서, QFN, Stacked CSP, WLP, Flip Chip Bare Die, Fine-Pitch BGA, MCP, MIS package 등의 경박단소 및 고부가가치 패키징 기술이 향후 시장을 주도할 것으로 전망되고 있다.
이 중, QFN(Quad Flat Non-lead Package)은 CSP(Chip Scale Package)의 일종으로 그 크기가 작아 기판상의 접속면적을 줄이고 다수의 탑재량을 가능케 함으로써 종국에는 보드의 공간을 최대화시키는 효과를 지니고 있는데, 그 구조상 하부에 전기접속부가 노출되어 있는 상태에서 패키징 공정이 이루어져야만 하기 때문에 제조공정에서 노출부위를 마스크 시트로 마스킹하는 공정이 필수적으로 요구된다.
이러한 QFN 반도체 패키지의 제조 방법은 아래의 순서를 포함한다.
먼저, 리드프레임의 한쪽 면에 마스크 시트를 부착시킨 다음, 리드 프레임 상에 형성된 반도체소자 탑재부(다이 패드, 또는 리드 패드)에 반도체 칩을 개별적으로 탑재한다.
그리고, 리드 프레임을 플라즈마 처리한 다음, 리드 프레임의 각 반도체 칩 탑재부 주위로 배열된 리드와 반도체 칩을 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결한다.
다음으로, 리드 프레임에 탑재된 상기 반도체 칩을 밀봉 수지로 실링한다.
리드 프레임으로부터 마스크 시트를 박리하여 QFN 패키지가 배열된 QFN 유닛을 형성한다.
QFN 유닛을 각 QFN 패키지의 외주를 따라 쏘잉(Sawing)함으로써 개별 QFN 반도체 패키지를 제조하게 된다.
이처럼, QFN 반도체 패키지의 제조에는 마스크 시트가 필수적으로 사용되는데, 상기 마스크 시트는 QFN 반도체 패키지의 제조 과정에서 수반되는 고열과 플라즈마 처리 과정을 견딜 수 있는 물성을 가져야 한다.
뿐만 아니라, 상기 마스크 시트는 장기간 권취하여 보관되는 것이 일반적이다. 마스크 시트를 권취할 때 점착층과 지지 필름이 서로 슬립(slip)이 되어야 권취가 잘되면서 장기간 보관에도 마스크 시트의 물성의 저하가 없다. 그러나, 특히 보강층을 구비한 지지 필름을 이용한 마스크 시트의 경우, 마스크 시트의 권취 시 점착층과 보강층이 서로 슬립되지 않고 달라 붙는 성질이 있어, 마스크 시트에 기포 또는 주름이 생기는 문제점이 있다.
이에 따라, QFN 반도체 패키지의 제조 과정에서 수반되는 고열과 플라즈마 처리 과정을 견딜 수 있는 물성을 가지고, 또한 장기간 권취되어 보관됨에도 불구하고 내구성 및 물성이 열화되지 않는 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트가 요구된다.
본 발명은 상술한 기술적 문제점을 해결하기 위해, 접착층과 보강층 간에 슬립성을 부여한 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 QFN 반도체 패키지의 제조 과정에서 수반되는 고열과 플라즈마 처리 과정을 견딜 수 있는 물성을 갖는 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 마스크 시트를 구비한 리드 프레임과 QFN 반도체 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트는 지지 필름, 상기 지지 필름의 일면에 위치한 점착층 및 상기 지지 필름의 상기 점착층이 위치한 면의 반대면에 위치한 보강층을 포함하고, 상기 점착층에 대한 상기 보강층의 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하인 것을 구성적 특징으로 한다.
본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트는 상기 점착층과 보강층의 슬립성이 개선되어 마스크 시트가 장기관 권취되어 보관됨에도 불구하고 내구성이나 물성이 열화되지 않는 우수한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트는 QFN 반도체 패키지의 제조 과정에서 수반되는 고열과 플라즈마 처리 과정에도 불구하고 물성이 열화되지 않는 우수한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트를 도시한 단면도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.
이하, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트 및 이를 포함하는 리드 프레임과 반도체 패키지에 대해 상세히 설명하기로 한다.
< QFN 반도체 패키지용 마스크 시트 >
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트 (100)는 지지 필름(10), 상기 지지 필름(10)의 일면에 위치한 점착층(20) 및 상기 지지 필름의 상기 점착층이 위치한 면의 반대면에 위치한 보강층(30)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 아울러, 상기 적층 구조는 반도체 패키지에 그대로 적용된다.
특히, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 상기 점착층(20)에 대한 보강층(30)의 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하이다.
여기서, 상기 슬립 마찰력은 점착층 위에 보강층을 위치시킨 뒤 그 위에 1 kg의 추를 올려두고 상기 보강층에 수평 힘을 가하여 상기 점착층으로부터 상기 보강층이 슬립(slip)되는 힘으로 정의한다.
본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하에 해당하여, 마스크 시트를 권취 시 점착층과 보강층 사이에 적절한 슬립 현상으로 인해 기포나 주름이 발생하지 않는다. 상기 슬림 마찰력이 700 gf/50mm 를 초과하는 경우에는, 점착층과 보강층이 서로 슬립되지 않고 붙게 되므로 기포나 주름이 발생할 확률이 매우 높은 문제가 있다.
앞서 언급한 것처럼, 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 지지 필름(10)과 그 위에 위치한 점착층(20), 상기 지지 필름(10)의 하면에 위치한 보강층(30)을 포함한다.
먼저 지지 필름(10)에 대해 설명한다. 상기 지지 필름(10)은 특별히 제한되는 것은 아니며 내열성 수지 필름을 사용할 수 있다. 내열성 수지 필름은 200℃ 이상의 고온 조건에서 열화되지 않는 장점이 있다. 또한 상기 지지 필름(10)의 유리 전이 온도(Tg)는 내열성 향상의 관점에서 200℃ 이상인 것이 바람직하다.
상기 내열성 수지 필름은 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등이 사용될 수 있다.
보다 바람직하게는 상기 지지 필름(10)은 내열성을 가지면서 또한 점착층에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다는 관점에서 폴리이미드 필름을 사용할 수 있다. 상기 폴리이미드 필름은 플라즈마 처리, 코로나 처리, 프라이머 처리 등의 고밀착 처리되어 있을 수 있다. 상기 지지 필름(10)이 점착층(20)에 대한 밀착성이 낮은 경우에는 리드 프레임 및 실링층으로부터 마스크 시트(100)를 제거했을 때, 상기 점착층(20)과 지지 필름(10)과의 계면에서 박리가 생겨, 리드 프레임 및 실링층 측에 점착층(20)이 잔류하는 문제가 있다. 따라서, 지지 필름(10)은 점착층(20)에 대한 밀착성이 충분히 높은 것이 바람직하다.
지지 필름(10)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 리드 프레임의 잔존 응력을 저감하기 위해서 5 ㎛ ~ 50 ㎛일 수 있다.
다음으로 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)에 포함되는 점착층(20)에 대해 설명한다.
상기 점착층(20)의 성분이 제한되는 것은 아니지만 주성분으로서 열가소성 수지를 포함할 수 있다.
특히 상기 점착층(20)은 아미드기(-NHCO-), 에스테르기(-CO-O-), 이미드기(-NR2, 단 R은 각각 -CO-이다), 에테르기(-O-) 또는 술폰기(-SO2-)를 갖는 열가소성 수지를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 점착층(20)은 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리에스테르, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리에테르, 방향족 폴리에테르아미드이미드, 방향족 폴리에테르 아미드, 방향족 폴리에스테르 이미드 및 방향족 폴리에테르이미드 등을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 점착층(20)은 슬립성 개선 등의 관점에서 이미드기(-NR2, 단 R은 각각 -CO-이다)를 갖는 열가소성 수지를 포함할 수 있다.
상술한 열가소성 수지는 모두, 염기 성분인 방향족 디아민 또는 비스페놀 등과, 산 성분인 디카르복실산, 트리카르복실산, 테트라카르복실산 혹은 방향족 염화물 또는 이들의 반응성 유도체를 중축합시켜 제조할 수 있다. 즉, 아민과 산의 반응에 사용되고 있는 통상의 방법으로 행할 수 있으며, 여러 조건 등에 대해서도 특별히 제한은 없다. 방향족 디카르복실산, 방향족 트리카르복실산 또는 이들의 반응성 유도체와 디아민의 중축합 반응에 대해서는, 통상의 방법이 사용된다.
보다 구체적으로, 본 발명의 점착층(20)에 포함되는 이미드기를 갖는 열가소성 수지의 제조를 위해서 테트라카르복시산이무수물로서는 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 옥시디프탈산 이무수물(ODPA), 비페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산이무수물(BPDA), 벤조페논-3,4,3',4'-테트라카르복실산 이무수물(BTDA), 디페닐설폰-3,4,3',4'-테트라카르복실산 이무수물(DSDA), 4,4'-(2,2'-헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(6FDA), m(p)-터-페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산 이무수물, 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물(CBDA), 1-카르복시디메틸-2,3,5-시클로펜탄트리카르복실산-2,6,3,5-이무수물(TCAAH), 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(CHDA), 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물(BuDA), 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(CPDA), 5-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴)-3-메틸시클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(DOCDA), 4-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(DOTDA), 바이시클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(BODA), 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(NTDA) 등에서 선택되는 테트라카르복실산 이무수물을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
한편, 또 다른 단량체인 방향족 디아민으로서는 실록산 유도체, 2'-(메타크릴로일옥시)에틸 3,5-디아미노벤조에이트, 3,5-디아미노벤젠 신나메이트, 쿠마론닐 3,5-디아미노벤조에이트 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 감광성 기능기를 함유하는 방향족 디아민을 필수성분으로 사용한다.
또한 본 발명은 상기한 디아민 단량체 이외에도 당 분야에서 통상적으로 사용되어온 방향족 디아민 단량체, 예를 들면, 파라-페닐렌디아민(PPD), 메타-페닐렌디아민(MPD), 2,4-톨루엔디아민(TDA), 4,4'-디아미노디페닐메탄(MDA), 4,4'-디아미노디페닐에테르(DPE), 3,4'-디아미노디페닐에테르(3,4'-DPE), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(TB), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB), 2,2'-비스(트리풀루오르메틸)-4,4'-디아미노비페닐(TFMB), 3,7-디아미노-디메틸디벤조티오펜-5,5-디옥사이드(TSN), 4,4'-디아미노벤조페논(BTDA), 3,3'-디아미노벤조페논(3,3'-BTDA), 4,4'-디아미노디페닐설파이드(ASD), 4,4'-디아미노디페닐설폰(ASN), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA), 1,n-(4-아미노페녹시)알칸(DAnMG), 1,3-비스(4-아미노페녹시)2,2-디메틸프로판(DANPG), 1,2-비스[2-(4-아미노페녹시)에톡시]에탄(DA3EG), 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌(FDA), 5(6)-아미노-1-(4-아미노메틸)-1,3,3-트리메틸인단(PIDN), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB), 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐(BAPB-M), 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판(BAPP), 2,2-비스(3-아미노페녹시페닐)프로판(BAPP-M), 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐] 설폰(BAPS), 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰(BAPS-M), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사풀루오로프로판(HFBAPP), 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노 디페닐메탄(MBAA), 4,6-디하이드록시-1,3-페닐렌디아민(DADHB), 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노비페닐(HAB), 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사풀루오로프로판(6FAP), 3,3',4,4'-테트라아미노 비페닐(TAB), 1,6-디아미노헥산(HMD), 1,3-비스(3-아미노플로필)-1,1,3,3-테트라메틸실록산, 1-아미노-3-아미노메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥산(DAIP), 4,4'-메틸렌 비스(4-시클로헥실아민)(DCHM), 1,4-아미노시클로헥산(DACH), 비시클로[2,2,1]헵탄비스(메틸아민)(NBDA), 트리시클로[3,3,1,13,7]데칸-1,3-디아민, 4-아미노안식향산-4-아미노페닐에테르(APAB), 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤족사졸(5ABO), 9,9-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)플루오렌(BAOFL), 2,2-비스(3-비스(3-설포프로폭시)-4,4'-디아미노비페닐(3,3'-BSPB), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐-3,3'-디설폰산(pBAPBDS), 비스(4-아미노페닐)헥사풀루오로프로판(HFDA), 5-디아미노 벤조산, 2,4-디아미노벤젠 설폰산, 2,5-디아미노벤젠 설폰산, 2,2-디아미노벤젠 디설폰산 등으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 디아민 단량체를 사용할 수 있다.
아울러, 상기 점착층(20)은 필요에 따라 무기 필러 등 추가의 성분을 더 포함할 수 있음은 물론이다.
또한, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)에 포함되는 점착층(20)은 230 ℃내지 250℃에서 프레스 후 접착력이 5gf/25mm 이상 600gf/25mm 이하인 것이 바람직하다. 상기 프레스 후 접착력이 5gf/25mm 미만인 경우 이동 또는 장비 로딩 등 취급 중 마스크 시트가 리드 프레임으로부터 쉽게 벗겨지는 문제점이 있으며 600gf/25mm를 초과할 경우 최종 공정에서 마스크 시트를 벗겨낼 경우 잘 안벗겨지거나 접착 잔여물이 많이 남을 수 있는 문제점이 있다.
여기서 상기 접착력은 상기 마스크 시트(100)가 리드 프레임 및 실링층에 대한 접착력을 의미하며, 열처리에 의한 실링 공정 이후 접착력을 의미한다.
또한, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)에 포함되는 점착층(20)은 상온에서의 접착성이 유지되기 위해 유리전이온도가 100 ~ 250 ℃인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 유리 전이 온도의 측정 방법이 특별히 한정되는 것은 아니지만 일반적으로 시차 주사 열량 측정, 시차 열 측정, 동적 점탄성 측정 또는 열기계 분석에 의해 측정되는 값을 의미한다.
다음으로, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)에 포함되는 보강층(30)에 대해 설명한다.
상기 보강층(30)은 특별히 제한되는 것은 아니지만 상술한 점착층(20)과 동일한 성분으로 제조될 수 있다.
다만 특히 본 발명에 따른 보강층(30)은 점착층(20)과의 슬립성을 개선하기 위해서 무기 입자를 0.1 ~ 5 중량% 포함하는 것이 바람직하다. 상기 무기 입자가 0.1 중량% 미만으로 보강층(30)에 포함되는 경우, 슬립성 개선 효과가 미미한 문제가 있다. 반대로 상기 무기 입자 5 중량%를 초과해서 보강층(30)에 포함되면 슬립성 개선 효과는 좋아지지만 오히려 보강층으로서의 기능이 제한될 수 있다. 슬립 마찰력의 개선 관점에서 상기 무기 입자가 상기 보강층(30)에 0.5 ~ 3 중량% 포함되는 것이 특히 바람직하다.
상기 무기 입자는 특별히 제한되는 것은 아니지만 흄드 실리카와 같은 무기 입자를 사용할 수 있고, 상기 무기 입자의 입자 사이즈는 슬립성 개선 관점에서 5 nm ~ 30 nm인 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 230 ℃에서 탄성률이 5 MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 탄성률은 230 ℃에서 측정된 고체 전단 탄성률을 의미한다. 상기 탄성률이 5 MPa 이상임에 따라, 본 발명에 따른 마스크 시트(100)는 실링 공정 이후 리드 프레임 및 실링층에 대한 접착 잔여물 발생이 억제된다. 여기서 상기 탄성률은, 5 mmХ8 mm 사이즈를 갖는 마스크 시트의 시험편을 고체 전단 측정 지그에 셋트하여, 동적 점탄성 측정 장치(예로서, 유비엠 KK 제조, Rheogel-E4000)를 이용하여 측정될 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 5% 중량 손실 온도가 400 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 본 발명에 따른 마스크 시트(100)는 탈가스량이 감소하여, 와이어 본딩 성능이 한층 우수해질 수 있다. 상기 5% 중량 손실 온도는, 시차 열천칭(예컨대 세이코인스트루먼트 KK 제조, SSC5200형)을 이용하여, 승온 속도 10℃/분, 공기 분위기 하의 조건으로 측정될 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 상기 점착층(20)의 상기 지지 필름(10)이 위치한 면과 반대면에 보호 필름(미도시)을 추가로 더 포함할 수 있다. 상기 보호 필름은 특별히 제한되는 것은 아니지만 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 것이 바람직하고, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름은 이형층을 가질 수 있다. 상기 보호 필름의 두께는 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이하일 수 있다.
이상 설명한 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 상기 점착층과 보강층의 슬립성이 개선되어 마스크 시트가 장기관 권취되어 보관됨에도 불구하고 내구성이나 물성이 열화되지 않는 우수한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지용 마스크 시트(100)는 QFN 반도체 패키지의 제조 과정에서 수반되는 고열과 플라즈마 처리 과정에도 불구하고 물성이 열화되지 않는 우수한 효과를 갖는다.
<리드 프레임 및 QFN 반도체 패키지>
이하에서는 본 발명에 따른 리드 프레임 및 QFN 반도체 패키지에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 리드 프레임은, 다이 패드 및 이너 리드를 포함하는 리드 프레임 및 본 발명에 따른 마스크 시트(100)를 구비하고, 상기 마스크 시트(100)는 상기 점착층이 상기 리드 프레임의 일면에 접하도록 상기 리드 프레임에 접착된 구성을 갖는다.
아울러, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지는, 다이 패드 및 이너 리드를 포함하는 리드 프레임, 상기 다이 패드에 탑재된 반도체 소자, 상기 반도체 소자와 상기 이너 리드를 접속하는 와이어, 상기 반도체 소자 및 상기 와이어를 실링하고 있는 실링층 및 본 발명에 따른 마스크 시트(100)를 구비하고, 상기 마스크 시트는 상기 접착층이 상기 리드 프레임의 상기 반도체 소자가 탑재되어 있는 면의 반대면에 접착되어 있는 구성을 갖는다.
본 발명에 따른 반도체 패키지는, 다이 패드 및 이너 리드를 갖는 리드 프레임의 이면에 마스크 시트(100)를 상기 접착층(20)에 의해 접착하는 공정과, 다이 패드의 다른 면 위에 반도체 소자를 탑재하는 공정과, 상기 리드 프레임을 플라즈마 클리닝하는 공정과, 반도체 소자와 이너 리드를 접속하는 와이어를 마련하는 공정과, 반도체 소자 및 와이어를 실링하는 실링층을 형성하여, 리드 프레임, 반도체 소자 및 실링층을 포함하는 반도체 패키지를 제조하는 공정과, 상기 반도체 패키지로부터 마스크 시트(100)를 박리하는 공정에 의해 제조된다.
리드 프레임에 마스크 시트를 접착하는 공정은 고온(예컨대 150~200℃)에서 프레스 하는 것에 의해 수행될 수 있다.
상기 리드 프레임의 재질은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 철계 합금, 구리 또는 구리계 합금 등이 사용될 수 있다. 구리 및 구리계 합금을 이용하는 경우 상기 리드 프레임의 표면에 팔라듐, 금, 은 등의 피복 처리가 되어 있을 수 있다. 실링재와의 밀착력을 향상시키기 위해서, 리드 프레임 표면을 물리적으로 거칠게 만들 수 있다. 또한 은 페이스트의 블리드아웃을 방지하는 에폭시 블리드아웃(EBO) 방지 처리 등의 화학적 처리를 리드 프레임 표면에 실시하여도 좋다.
반도체 소자는 통상 접착제(예컨대 은 페이스트)를 통해 다이 패드에 탑재된다. 가열 처리(예컨대 140~200℃, 30분~2시간)에 의해서 접착제를 경화시킬 수 있다.
와이어는 특별히 제한되지 않지만 예컨대 금선, 은선, 구리선 또는 팔라듐 피복 구리선이 이용될 수 있다. 예로서 200~270℃에서 3~60분 가열하고, 초음파와 프레싱 압력을 이용하여, 반도체 소자 및 이너 리드를 와이어와 접합할 수 있다.
와이어 본딩 공정 이전에 리드 프레임에 플라즈마 클리닝 처리를 실시할 수 있다. 플라즈마 클리닝 처리에 의해서 실링층과 리드 프레임과의 밀착성을 보다 높여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 플라즈마 클리닝 처리는 예로서 감압 조건(예컨대 9.33 Pa 이하)에서, 아르곤, 질소, 산소 등의 가스를 소정의 가스 유량으로 주입하여, 플라즈마 조사하는 방법을 이용할 수 있다. 플라즈마의 조사 출력은 10~1000 W일 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 시간은 5~300초일 수 있다. 플라즈마 처리에 있어서의 가스 유량은 5~50 sccm일 수 있다.
실링 공정에서는 실링재를 이용하여 실링층이 형성된다. 실링 공정에 의해서, 복수의 반도체 소자 및 이들을 일괄적으로 실링하는 실링층을 포함한 반도체 패키지를 얻을 수 있다. 실링 공정 동안 마스크 시트에 의해 실링재가 리드 프레임의 이면 측으로 흘러들어가는 것이 억제된다.
실링 온도는 140~200℃라도 좋고, 160~180℃일 수 있다. 실링 공정 동안의 압력은 6~15 MPa일 수 있고, 가열 시간은, 1~5분일 수 있다.
상기 실링층은 필요에 따라서 가열 경화될 수 있다. 경화 온도는 150~200℃일 수 있고, 경화 가열 시간은 4~7시간일 수 있다.
실링재의 재질은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 크레졸노볼락에폭시 수지, 페놀노볼락에폭시 수지, 비페닐디에폭시 수지, 나프톨노볼락에폭시 수지 등의 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 상기 실링재에는, 예컨대 필러, 브롬 화합물 등의 난연성 물질, 왁스 성분 등의 첨가제가 첨가될 수 있다.
실링 공정 후, 얻어진 반도체 패키지에서 리드 프레임 및 실링층으로부터 마스크 시트가 박리된다. 실링층을 경화하는 경우, 경화 전 또는 후에 마스크 시트를 박리할 수 있다.
박리 온도가 특별히 제한되지 않지만, 상온(예컨대 5~35℃)에서 수행될 수 있다.
필요에 따라, 박리 공정 후에 리드 프레임 및 실링층 상에 잔류한 접착층의 잔여물을 제거하는 공정이 추가로 수행될 수 있따. 이 경우, 예컨대 용제를 이용하여 잔류한 접착층을 제거할 수 있다. 용제로서는, 예컨대 디메틸술폭시드, 에틸렌글리콜, 물 등을 이용할 수 있다. 용제는 1종 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 용제에 계면활성제가 첨가되어 있어도 좋다. 용제가 물을 함유하는 경우, 용제는 알칼리성으로 조정된 용액(알칼리성 용액)이라도 좋다. 알칼리성 용액의 pH는 10 이상 또는 12 이상이라도 좋다. 용제에 의한 제거와 함께, 필요에 따라서 기계적 브러싱을 행하여도 좋다.
리드 프레임이 다이 패드 및 이너 리드를 갖는 복수의 패턴을 포함하는 경우, 필요에 따라서 실링된 패키지를 분할하여, 각각 1개의 반도체 소자를 갖는 반도체 패키지를 복수개 얻을 수 있다.
이처럼 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지는 고밀도화, 소면적화, 박형화 등의 점에서 우수하고, 예컨대 휴대전화, 스마트폰, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 등의 전자기기에 적합하게 이용할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
1. 점착층의 제조
하기 표 1과 같이 마스크 시트에 적용되는 점착층을 제조하였다.
하기 몰비를 갖는 폴리이미드 수지를 이용하여 바니시를 제조하여 점착층용 조액을 제조하였다.
몰비
(Am:Ah)		 Amine(Am) Anhydride(Ah) 무기필러
(R972)
(중량%)
TPE-R BAPP p-PDA m-Td PAM-E BPDA PMDA
A1 100:100 70 10 15 - 5 100 - -
A2 100:100 70 8 15 - 7 80 20 -
A3 100:100 70 9 14 - 7 90 10 -
* TPE-R : 1,3'-Bis(4-aminophenoxy)benzene
* BAPP : 2,2-Bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl] propane
* p-PDA : p-Phenylenediamine
* m-Td : m-tolidine
* PAM-E : Amino-modified reactive silicone fluids (Shinetsu silicone사 제)
* BPDA : Biphenyltetracarboxylic dianhydride
* PMDA : Pyromellitic dianhydride
* R972 : AEROSIL®R 972 (Evonik 사 제)
2. 보강층의 제조
하기 표 2와 같이 마스크 시트에 적용되는 보강층을 제조하였다.
하기 몰비를 갖는 폴리이미드 수지를 이용하여 바니시를 제조하여 보강층용 조액을 제조하였다.
몰비
(Am:Ah)		 Amine(Am) Anhydride(Ah) 무기입자
(R972)
(중량%)
TPE-R BAPP p-PDA m-Td PAM-E BPDA PMDA
S1 100:100 - 70 - 30 - 70 30 0
S2 100:100 - 70 - 30 - 70 30 0.5
S3 100:100 - 70 - 30 - 70 30 1.0
S4 100:100 - 70 - 30 - 70 30 2.0
S5 100:100 - 70 - 30 - 70 30 3.0
3. 마스크 시트의 제조
하기 표 3과 같이 지지 필름의 상면에 상기 표1에서 제조한 조액을 코팅하여 접착층을 형성하고, 지지 필름의 다른 일면에 상기 표2에서 제조한 조액을 코팅하여 보강층을 형성하여 실시예 및 비교예에 따른 마스크 시트를 제조하였다.
지지 필름은 모두 동일하게 PI 필름을 이용하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 1
점착층 A1 A1 A1 A1 A2 A3 A1
보강층 S2 S3 S4 S5 S2 S2 S1
4. 실시예에 따른 마스크 시트의 물성 평가
실시예 1 내지 7에 따른 마스크 시트의 물성을 평가하였다. 물성의 평가 결과는 하기 표 4와 같다.
실시예
1 2 3 4 5 6
점착층의
유리전이온도		 210 210 210 210 205 215
탄성률(MPa/230℃) 6.8 6.8 6.8 7 6.7 6.8
5% 중량 손실 온도(℃) 412 415 420 422 431 438
접착 잔여물 X X X X X X
리드 프레임에 대한 접착력(gf/25mm) 10 10 10 10 12 10
위 표 4에 기재된 물성은 아래와 같이 측정되었다.
1) 5% 중량 손실 온도
시차 열천칭(세이코인스트루먼트 KK 제조, SSC5200형)을 이용하여, 공기 분위기 하, 승온 속도 10℃/min분의 조건으로 측정했다.
2) 탄성률
마스크 시트를 5 mmХ8 mm 사이즈로 잘라 얻은 시험편을 고체 전단 측정 지그에 셋트하고, 동적 점탄성 측정 장치(유비엠 제조, Rheogel-E4000)를 이용하여, 정현파, 30~250℃, 승온 속도 5℃/min 주파수 400 Hz의 조건으로 고체 전단 탄성률을 측정했다. 또한, 입력 두께는 0.1 mm로 고정하고, 왜곡 제어 1.95 ㎛, 1.95%로 했다. 측정 결과로부터, 230℃에 있어서의 고체 전단 탄성률을 읽어들였다.
3) 접착 잔여물
CDA194 프레임(리드 프레임, 신코전기공업 제조)에, 실시예 및 비교예의 마스크 시트를, 접착층이 리드 프레임에 접하는 방향에서 상온(24℃하중 20 N의 조건으로 접착했다. 리드 프레임 및 마스크 시트를, 공기 분위기 하, 오븐 내에서, 180℃에서 60분간, 200℃에서 60분의 순으로 조건을 변경하면서 가열했다. 리드 프레임의 마스크 시트와는 반대쪽의 면 위에 플라즈마 처리를 아르곤 가스 분위기 하(유량: 20 sccm), 150 W, 15초의 조건으로 행했다.
몰드 성형기(아픽야마다 KK 제조)를 이용하여, 175℃ 6.8 MPa, 2분간의 조건으로 실링 성형을 행하여, 리드 프레임의 마스크 시트와는 반대쪽의 면 위에 실링재(상품명: GE-7470 L-A, 히타치화학 제조)에 의해 실링층을 형성했다.
그 후 180° 방향으로 50 mm/분의 속도로 각 마스크 시트를 벗겨내어, 벗겨낸 후의 실링층 및 리드 프레임 상의 접착 잔여물의 상태를 확인했다. 실링층 및 리드 프레임의 표면을 합한 전체의 면적에 대한, 접착 잔여물이 있었던 부분의 면적 비율에 기초하여, 이하의 기준으로 6 단계로 접착 잔여물의 존재 여부를 평가했다.
5: 60~100%(남아 있는 접착층이 전반적으로 비교적 두껍다)
4: 60~100%(남아 있는 접착층이 전반적으로 비교적 얇다)
3: 30% 이상 60% 미만
2: 10% 이상 30% 미만
1: 0%를 넘고 10% 미만
X: 0%
4) 리드 프레임에 대한 접착력
각각의 실시예의 마스크 시트를 100mm(길이)X25mm(폭)으로 절단하고 230℃ 내지 250℃의 온도에서 구리 소재의 리드 프레임과 프레스하여 접착력을 평가하기 위한 시편을 제조하였다. 이후 접착력 측정장치(CHEMI LAB SurTA)를 이용하여, 박리 강도 180도, 박리 온도 25℃, 박리 속도 300mm/min으로 리드 프레임으로부터 마스크 시트를 박리시켰을 때의 박리 강도를 측정하였다.
5. 실시예와 비교예의 슬립 마찰력 대비 평가
실시예와 비교예의 슬립 마찰력을 평가하였다. 평가 결과는 아래 표 5와 같다.
슬립 마찰력은 실시예와 비교예에 사용된 마스크 시트를 각각 1쌍씩 준비하고, 그 중 하나의 마스크 시트의 점착층 위에 나머지 다른 하나의 마스크 시트의 보강층을 맞대어 위치시킨 뒤 그 위에 1 kg의 추를 올려두고 상기 보강층에 수평 힘을 가하여 상기 점착층으로부터 상기 보강층이 슬립(slip)되는 힘으로 각각 측정하였다.
권취성은 실시예, 비교예 각각의 마스크 시트를 3m/분의 일정 속도로 권취할 경우 주름이나 구김이 발생하는지 여부로 판정한다.
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 7 1
슬립 마찰력
(gf/50mm)		 620 400 405 410 407 405 406 1450
권취성 좋음 좋음 좋음 좋음 좋음 좋음 좋음 매우나쁨
위 표 5의 결과와 같이, 본 발명에 따른 마스크 시트는 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하이므로, 장기간 권취 보관시 기포나 주름이 발생하지 않는다. 하지만, 비교예에 따른 마스크 시트는 슬립 마찰력이 1450 gf/50mm 으로 매우 높기 때문에 점착층과 보강층이 서로 붙어서 권취 보관 시 문제가 발생할 가능성이 매우 높다.
이상과 같이 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.

Claims (12)

  1. 지지 필름,
    상기 지지 필름의 일면에 위치한 점착층 및
    상기 지지 필름의 상기 점착층이 위치한 면의 반대면에 위치한 보강층을 포함하고,
    상기 점착층에 대한 상기 보강층의 슬립 마찰력이 700 gf/50mm 이하인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보강층은 무기 입자를 0.1 ~ 5 중량% 포함하는
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은
    이미드기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보강층은
    이미드기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지 필름은
    폴리이미드 필름인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은
    230 ℃~ 250℃에서 프레스 후 접착력이 5gf/25mm ~ 600gf/25mm 인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은
    유리전이온도가 100 ~ 250 ℃인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  8. 제1항에 있어서,
    230 ℃에서 탄성률이 5 MPa 이상인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    5% 중량 손실 온도가 400 ℃ 이상인
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 점착층의 상기 지지 필름이 위치한 면과 반대면에 보호 필름이 구비된
    QFN 반도체 패키지용 마스크 시트.
  11. 다이 패드 및 이너 리드를 포함하는 리드 프레임,
    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재한 마스크 시트를 구비하고,
    상기 마스크 시트는, 상기 점착층이 상기 리드 프레임의 일면에 접하도록 상기 리드 프레임에 접착되어 있는,
    리드 프레임.
  12. 다이 패드 및 이너 리드를 포함하는 리드 프레임,
    상기 다이 패드에 탑재된 반도체 소자,
    상기 반도체 소자와 상기 이너 리드를 접속하는 와이어,
    상기 반도체 소자 및 상기 와이어를 실링하고 있는 실링층 및
    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재한 마스크 시트를 구비하고,
    상기 마스크 시트는, 상기 접착층이 상기 리드 프레임의 상기 반도체 소자가 탑재되어 있는 면의 반대면에 접착되어 있는,
    QFN 반도체 패키지.
KR1020200185259A 2020-12-28 2020-12-28 Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트 KR20220094011A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200185259A KR20220094011A (ko) 2020-12-28 2020-12-28 Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트
TW110148989A TWI773618B (zh) 2020-12-28 2021-12-27 四側無引腳扁平半導體封裝用遮罩片
CN202111617998.6A CN114686136B (zh) 2020-12-28 2021-12-27 四侧无引脚扁平半导体封装用掩膜片
JP2021212023A JP7270023B2 (ja) 2020-12-28 2021-12-27 Ｑｆｎ半導体パッケージ用マスクシート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200185259A KR20220094011A (ko) 2020-12-28 2020-12-28 Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220094011A true KR20220094011A (ko) 2022-07-05

Family

ID=82136958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200185259A KR20220094011A (ko) 2020-12-28 2020-12-28 Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7270023B2 (ko)
KR (1) KR20220094011A (ko)
CN (1) CN114686136B (ko)
TW (1) TWI773618B (ko)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311750A (ja) 2003-04-08 2004-11-04 Teijin Dupont Films Japan Ltd 半導体ウェハ加工用ベースフィルム
JP2006022900A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Nhk Spring Co Ltd ガスケット材、ガスケット材の製造方法およびガスケットの取り付け方法
CN102354691B (zh) * 2011-11-04 2013-11-06 北京工业大学 一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法
JP6728681B2 (ja) 2014-09-22 2020-07-22 東レ株式会社 積層フィルム、その製造方法および表面保護フィルム
SG11201702684XA (en) * 2014-11-20 2017-05-30 Asahi Glass Co Ltd Mold release film, process for its production, and process for producing semiconductor package
KR101763852B1 (ko) * 2017-03-10 2017-08-01 (주)인랩 Qfn 반도체 패키지, 이의 제조방법 및 qfn 반도체 패키지 제조용 마스크 시트
US11195728B2 (en) * 2017-05-10 2021-12-07 Showa Denko Materials Co., Ltd. Temporary protective film for semiconductor sealing molding
CN207685337U (zh) * 2017-12-13 2018-08-03 唐军 高精密掩膜版
CN110277340B (zh) * 2018-03-14 2022-11-15 日东电工（上海松江）有限公司 半导体器件生产用耐热性压敏粘合片
JP2020150076A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用粘着シート
JP2020155570A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社東芝 半導体パッケージ、ダイアタッチフィルム及びその製造方法
WO2020255975A1 (ja) * 2019-06-19 2020-12-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体、及び半導体装置を製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114686136A (zh) 2022-07-01
JP7270023B2 (ja) 2023-05-09
JP2022104608A (ja) 2022-07-08
CN114686136B (zh) 2023-11-03
TWI773618B (zh) 2022-08-01
TW202226472A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101294647B1 (ko) 반도체용 접착 조성물, 그것을 사용한 반도체 장치 및반도체 장치의 제조 방법
TWI500733B (zh) 半導體裝置製造用遮罩片材及使用其之半導體裝置的製造方法
JP6303503B2 (ja) 樹脂組成物、硬化膜、積層フィルム、および半導体装置の製造方法
KR102122278B1 (ko) 폴리이미드 수지, 이것을 이용한 수지 조성물 및 적층 필름
KR20080035610A (ko) 접착 필름 및 이것을 이용한 반도체 장치
JPWO2011004706A1 (ja) 接着組成物、接着シート、それらを用いた回路基板および半導体装置ならびにそれらの製造方法
KR100481347B1 (ko) 반도체용 접착 필름, 및 이것을 이용한 반도체용 접착필름 부착 리드 프레임 및 반도체 장치
JP6747621B2 (ja) 半導体封止成形用仮保護フィルム、仮保護フィルム付きリードフレーム、仮保護フィルム付き封止成形体及び半導体装置を製造する方法
JP2008263005A (ja) インターポーザ
KR20180104311A (ko) 수지 조성물, 수지층, 영구 접착제, 임시 점착 접착제, 적층 필름, 웨이퍼 가공체 및 전자 부품 또는 반도체 장치의 제조 방법
KR100900604B1 (ko) 필름상 접착제 및 이를 이용하는 반도체 패키지
WO2007010902A1 (ja) 半導体用熱可塑性樹脂組成物、これを用いた接着フィルム、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
US20140249269A1 (en) Thermally-detachable sheet
JP2020136600A (ja) 半導体または電子部品製造用粘着フィルムならびに半導体または電子部品の製造方法
JP4251807B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート
JP6698306B2 (ja) リードフレーム固定用接着テープ
JP2007137933A (ja) 樹脂組成物、これを用いた耐熱性樹脂積層フィルム、及び金属層付き積層フィルム
KR20220094011A (ko) Qfn 반도체 패키지용 마스크 시트
JP5925560B2 (ja) 半導体装置製造用マスクシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US20220319873A1 (en) Temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, lead frame with temporary protective film, encapsulation molded body with temporary protective film, and method for manufacturing semiconductor device
CN110117418B (zh) 覆盖膜及半导体元件表面的绝缘层的制作方法
KR100517233B1 (ko) 금속적층체
JP2006282973A (ja) 接着フィルム、接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置
JP2005220356A (ja) 半導体用接着フィルム、およびこれを用いた半導体用接着フィルム付きリードフレームならびに半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal