DE112015005259T5 - Formwerkzeugtrennfilm, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses - Google Patents

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Wataru KASAI
Masami Suzuki
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

Es sollen ein Formwerkzeugtrennfilm, der hervorragende Formwerkzeugtrenneigenschaften aufweist und eine Verunreinigung eines Formwerkzeugs in einem Einkapselungsschritt vermindern kann, ein Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses unter Verwendung des Formwerkzeugtrennfilms bereitgestellt werden. Der Formwerkzeugtrennfilm 1 ist ein Formwerkzeugtrennfilm, der auf einer Oberfläche eines Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Anordnen eines Halbleiterelements in dem Formwerkzeug und Einkapseln des Halbleiterelements mit dem aushärtbaren Harz zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts angeordnet werden soll. Dieser Formwerkzeugtrennfilm 1 umfasst eine harzseitige Trennschicht 2, die beim Formen des Harzeinkapselungsabschnitts mit dem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, und eine Gasbarriereschicht 3. Die Gasbarriereschicht 3 enthält mindestens ein Polymer (I), das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten, ausgewählt ist, und die Dicke der Gasbarriereschicht 3 beträgt von 0,1 bis 5 μm.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Formwerkzeugtrennfilm, der auf der Hohlraumoberfläche eines Formwerkzeugs bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses bzw. -bauteils durch Anordnen eines Halbleiterelements in dem Formwerkzeug und Einkapseln desselben mit einem aushärtbaren Harz zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts angeordnet werden soll, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Verwenden des Formwerkzeugtrennfilms.
  • STAND DER TECHNIK
  • Ein Halbleiterchip wird zum Abschirmen und Schützen vor Außenluft üblicherweise mit einem Harz eingekapselt und auf einem Substrat als Formprodukt montiert, das als Gehäuse bezeichnet wird. Zum Einkapseln eines Halbleiterchips wird ein aushärtbares Harz, wie z. B. ein wärmeaushärtendes Harz, wie z. B. ein Epoxyharz, verwendet. Als Verfahren zum Einkapseln eines Halbleiterchips ist z. B. ein sogenanntes Spritzpressverfahren oder Formpressverfahren bekannt, bei dem ein Substrat, auf dem ein Halbleiterchip montiert ist, so angeordnet wird, dass der Halbleiterchip an einer vorgegebenen Stelle in dem Hohlraum eines Formwerkzeugs angeordnet ist, und ein aushärtbares Harz in das Formwerkzeug gefüllt und ausgehärtet wird.
  • Bisher wird ein Gehäuse als Gehäuseformgegenstand für jeden Chip geformt, der mittels eines Angusskanals verbunden ist, bei dem es sich um einen Strömungsweg eines aushärtbares Harzes handelt. In einem solchen Fall kann ein Formwerkzeugtrennfilm manchmal zum Zwecke des Verbesserns der Trennbarkeit des Gehäuses von dem Formwerkzeug verwendet werden.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm ist auch im Hinblick auf das Verhindern eines Klebens eines aushärtbaren Harzes an dem Formwerkzeug geeignet. Selbst wenn in dem Einkapselungsschritt eines Halbleiterelements ein Formwerkzeugtrennfilm angeordnet ist, besteht jedoch ein Problem dahingehend, dass ein Gas (Ausgasen) und ein Material mit niedriger Viskosität, die aus dem aushärtbaren Harz erzeugt werden, durch den Formwerkzeugtrennfilm hindurchtreten und mit dem bei hoher Temperatur vorliegenden Formwerkzeug in Kontakt sind und das Formwerkzeug verunreinigen. Wenn eine Formwerkzeugverunreinigung auftritt, muss der Einkapselungsvorgang des Halbleiterelements gestoppt werden, um das Formwerkzeug zu reinigen, wodurch die Herstellungseffizienz des Halbleitergehäuses vermindert wird. In den letzten Jahren gab es dahingehend eine Entwicklung bei der Herstellung des aushärtbaren Harzes, das zum Einkapseln verwendet wird, dass es eine niedrigere Schmelzviskosität aufweist oder dass es ein verflüssigtes Harz ist, wodurch es wahrscheinlicher ist, dass das vorstehend genannte Problem auftritt.
  • Um zu verhindern, dass das Formwerkzeug durch ein Ausgasen, usw., von dem ausgehärteten Harz verunreinigt wird, wurde ein Formwerkzeugtrennfilm vorgeschlagen, der eine Metallfolie oder einen gasphasenabgeschiedenen Film aus Metall oder einem Metalloxid, die oder der als Gasbarriereschicht bzw. Gassperrschicht bereitgestellt ist, aufweist (Patentdokumente 1 bis 3). Ferner wurde ein Formwerkzeugtrennfilm vorgeschlagen, bei dem ein Harzfilm mit sehr guten Trenneigenschaften und ein Harzfilm mit sehr guten Gasbarriereeigenschaften (ein Ethylen-Vinylalkohol-Copolymerfilm, usw.) laminiert sind (Patentdokument 4).
  • DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENTE
    • Patentdokument 1: JP-A-2002-361643
    • Patentdokument 2: JP-A-2004-79566
    • Patentdokument 3: WO 2007/125834
    • Patentdokument 4: WO 2008/020543
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Der in den Patentdokumenten 1 bis 3 beschriebene Formwerkzeugtrennfilm ist jedoch bezüglich des Anpassungsvermögens an das Formwerkzeug unzureichend. Insbesondere wird der gesamte Formwerkzeugtrennfilm beim Vakuumansaugen an das Formwerkzeug in dem Einkapselungsvorgang gestreckt bzw. gedehnt und abhängig von der Position stark verformt. Wenn die Gasbarriereschicht eine Metallfolie ist, neigt die Gasbarriereschicht beim Vakuumansaugen zu einem Reißen. Wenn die Gasbarriereschicht ein gasphasenabgeschiedener Film ist, ist es dann, wenn die Verformung zunimmt, wahrscheinlich, dass das Problem einer Rissbildung bzw. eines Reißens wie bei einer Metallfolie auftritt, obwohl er weniger zu einem Reißen neigen kann als eine Metallfolie. Wenn ein Reißen bzw. eine Rissbildung auftritt, werden die Gasbarriereeigenschaften verschlechtert und es wird unmöglich, ein Verunreinigen des Formwerkzeugs zu verhindern.
  • In dem Formwerkzeugtrennfilm, der im Patentdokument 4 beschrieben ist, können gemäß einer Untersuchung der vorliegenden Erfinder beim Anpassen des Formwerkzeugtrennfilms an das Formwerkzeug manchmal kleine Löcher gebildet werden. Wenn in dem Formwerkzeugtrennfilm kleine Löcher gebildet werden, werden die Gasbarriereeigenschaften beeinträchtigt, und ferner neigt das aushärtbare Harz, usw., dazu, aus einem solchen Abschnitt auszutreten und an dem Formwerkzeug zu haften, wodurch ein Versagen bei der Formwerkzeugtrennung verursacht wird. Ferner kann selbst dann, wenn keine kleinen Löcher gebildet werden, eine Verunreinigung des Formwerkzeugs nicht ausreichend unterdrückt werden.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Formwerkzeugtrennfilms, der hervorragende Formwerkzeugtrenneigenschaften aufweist und der die Verunreinigung eines Formwerkzeugs in einem Einkapselungsvorgang eines Halbleiterelements vermindern kann, eines Verfahrens zu dessen Herstellung und eines Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Verwenden des Formwerkzeugtrennfilms.
  • LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen Formwerkzeugtrennfilm, ein Verfahren zu dessen Herstellung und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses bereit, die den folgenden Aufbau [1] bis [15] aufweisen.
    • [1] Formwerkzeugtrennfilm, der auf einer Oberfläche eines Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Anordnen eines Halbleiterelements in dem Formwerkzeug und Einkapseln des Halbleiterelements mit dem aushärtbaren Harz zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts angeordnet werden soll, dadurch gekennzeichnet, dass er eine harzseitige Trennschicht, die beim Formen des Harzeinkapselungsabschnitts mit dem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, und eine Gasbarriereschicht umfasst, wobei die Gasbarriereschicht mindestens ein Polymer (I) umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten, ausgewählt ist, und die Dicke der Gasbarriereschicht von 0,1 bis 5 μm beträgt.
    • [2] Formwerkzeugtrennfilm nach [1], bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten ein Polyvinylalkohol oder ein Polymer ist, das Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten umfasst.
    • [3] Formwerkzeugtrennfilm nach [2], bei dem das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten ein Polymer ist, das ferner Einheiten enthält, die von Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten verschieden sind.
    • [4] Formwerkzeugtrennfilm nach [3], bei dem die Einheiten, die von Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten verschieden sind, Einheiten sind, die durch die folgende Formel (1) dargestellt sind:
      Figure DE112015005259T5_0002
      worin R1 bis R6 jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe sind und X eine Einfachbindung oder eine Bindungskette ist.
    • [5] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [1] bis [4], bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten eine vernetzte Struktur aufweist.
    • [6] Formwerkzeugtrennfilm nach [5], bei dem der Unlöslichkeitsgrad der Gasbarriereschicht, der durch die folgende Formel aus dem Basisgewicht W1 (g/m2) der Gasbarriereschicht und dem Basisgewicht W2 (g/m2) der Gasbarriereschicht, das verbleibt, nachdem der Formwerkzeugtrennfilm dem folgenden Auflösungstest unterzogen worden ist, erhältlich ist, von 10 bis 80% beträgt: Unlöslichkeitsgrad (%) = (W2/W1) × 100
  • (Auflösungstest)
  • Der Formwerkzeugtrennfilm wird für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C erwärmt, währenddessen ein Rühren für 1 Minute in 30 Minuten-Intervallen wiederholt wird, der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Ende des Erwärmens für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in weiteres ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C für 10 Minuten gewaschen, nach dem Waschen wird der Formwerkzeugtrennfilm zum Durchführen eines Waschens und Kühlens in ionenausgetauschtes Wasser bei 20 bis 25°C für 10 Minuten eingetaucht und der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Waschen und Kühlen bei 100°C für 2 Stunden vakuumgetrocknet.
    • [7] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [1] bis [6], bei dem die Dicke der harzseitigen Trennschicht von 12 bis 100 μm beträgt.
    • [8] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [1] bis [7], bei dem die harzseitige Trennschicht ein Fluorharz enthält.
    • [9] Formwerkzeugtrennfilm nach [8], bei dem das Fluorharz ein Ethylen-Tetrafluorethylen-Copolymer ist.
    • [10] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [1] bis [9], wobei der Formwerkzeugtrennfilm ein Film mit einer Zweischichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht und der Gasbarriereschicht ist.
    • [11] Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach einem von [1] bis [10], dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht auf einer Oberfläche eines Substrats umfasst, das eine harzseitige Trennschicht enthält, wobei der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht einen Schritt des Bildens eines Beschichtungsfilms durch Aufbringen einer Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit, die mindestens ein Polymer (I), das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten, ausgewählt ist, und ein flüssiges Medium umfasst, gefolgt von einem Trocknen umfasst.
    • [12] Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach [11], bei dem die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ferner ein Vernetzungsmittel enthält und der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht nach dem Schritt des Bildens eines Beschichtungsfilms ferner einen Schritt des Bildens einer vernetzten Struktur durch Vernetzen des Polymers (I) umfasst.
    • [13] Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach [12], bei dem der Gehalt des Vernetzungsmittels von 1 bis 20 Massen-% bezogen auf das Polymer (I) beträgt.
    • [14] Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach einem von [11] bis [13], bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das flüssige Medium ein wässriges Medium ist.
    • [15] Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses mit einem Halbleiterelement und einem Harzeinkapselungsabschnitt, der aus einem aushärtbaren Harz zum Einkapseln des Halbleiterelements ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt des Anordnens des Formwerkzeugtrennfilms nach einem von [1] bis [10] auf einer Oberfläche eines Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, einen Schritt des Anordnens eines Substrats mit einem darauf montierten Halbleiterelement in dem Formwerkzeug und des Füllens eines aushärtbaren Harzes in einen Raum in dem Formwerkzeug, gefolgt von einem Aushärten zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts, wodurch ein eingekapselter Körper, der das Substrat, das Halbleiterelement und den Harzeinkapselungsabschnitt aufweist, erhalten wird, und einen Schritt des Trennens des eingekapselten Körpers von dem Formwerkzeug umfasst.
  • VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG
  • Gemäß dem Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung sind die Formwerkzeugtrenneigenschaften hervorragend und die Verunreinigung eines Formwerkzeugs in einem Schritt des Einkapselns eines Halbleiterelements kann vermindert werden.
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung kann ein Formwerkzeugtrennfilm hergestellt werden, der hervorragende Formwerkzeugtrenneigenschaften aufweist und der eine Verunreinigung eines Formwerkzeugs in einem Schritt des Einkapselns eines Halbleiterelements vermindern kann.
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung kann eine Verunreinigung eines Formwerkzeugs in dem Einkapselungsschritt vermindert werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine erste Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine zweite Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel des Halbleitergehäuses zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung hergestellt werden soll.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel des Halbleitergehäuses zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung hergestellt werden soll.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch Schritte (α1) bis (α3) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Schritt (α4) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch einen Schritt (α4) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt (β1) in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die Schritte (β2) und (β3) in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt (β4) in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt (β5) in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 12 ist eine Ansicht zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Messen der Xylolgasdurchlässigkeit beim Anpassen an eine Niveau- bzw. Höhendifferenz von 2 mm.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die folgenden Definitionen von Begriffen gelten in der gesamten Beschreibung, einschließlich den Patentansprüchen.
  • Eine „Einheit” in einem Polymer, das ein Harz bildet, stellt eine Aufbaueinheit dar, die von einem Monomer in dem Polymer stammt, das durch Polymerisation des Monomers gebildet worden ist. Eine Einheit kann eine Einheit sein, die direkt durch Polymerisation gebildet worden ist, oder sie kann eine Einheit sein, bei der ein Teil der Struktur der Einheit durch eine chemische Umwandlung des durch eine Polymerisation erhaltenen Polymers in eine andere Struktur umgewandelt worden ist. Eine Einheit, die direkt durch eine Polymerisation eines Monomers gebildet worden ist, wird auch als eine „Einheit auf der Basis eines Monomers” bezeichnet.
  • Ein „Fluorharz” steht für ein Harz, das Fluoratome in dessen Struktur enthält.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung ist ein Film, der auf der Oberfläche eines Formwerkzeugs angeordnet werden soll, die bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Anordnen eines Halbleiterelements in dem Formwerkzeug und Einkapseln desselben mit dem aushärtbaren Harz zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt kommen soll. Der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung wird z. B. zum Zeitpunkt des Bildens eines Harzeinkapselungsabschnitts eines Halbleitergehäuses zum Bedecken der Hohlraumoberfläche eines Formwerkzeugs angeordnet, das einen Hohlraum mit einer Form aufweist, die der Form des Harzeinkapselungsabschnitts entspricht, und dadurch, dass er zwischen dem ausgebildeten Harzeinkapselungsabschnitt und der Formwerkzeughohlraumfläche angeordnet ist, wird ein Trennen des erhaltenen Halbleitergehäuses von dem Formwerkzeug erleichtert.
  • Nachstehend wird der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben.
  • [Formwerkzeugtrennfilm in der ersten Ausführungsform]
  • Die 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine erste Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 1 in der ersten Ausführungsform umfasst eine harzseitige Trennschicht 2, die beim Formen eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, und eine Gasbarriereschicht 3.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 1 wird bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses derart angeordnet, dass die Oberfläche 2a der Seite der harzseitigen Trennschicht 2 auf den Hohlraum eines Formwerkzeugs gerichtet ist und beim Formen eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein wird. Ferner wird zu diesem Zeitpunkt die Oberfläche 3a der Seite der Gasbarriereschicht 3 in einem engen Kontakt mit der Hohlraumoberfläche des Formwerkzeugs sein. Durch Aushärten des aushärtbaren Harzes in diesem Zustand wird ein Harzeinkapselungsabschnitt mit einer Form gebildet, die der Form des Hohlraums des Formwerkzeugs entspricht.
  • (Harzseitige Trennschicht)
  • Als harzseitige Trennschicht 2 kann eine Schicht genannt werden, die ein Harz mit Trenneigenschaften umfasst.
  • Ein Harz mit Trenneigenschaften ist ein Harz, das derart beschaffen ist, dass eine Schicht, die nur aus diesem Harz zusammengesetzt ist, als Trennschicht wirken kann. Als Harz mit Trenneigenschaften können ein Fluorharz, Polymethylpenten, syndiotaktisches Polystyrol, Silikonkautschuk, usw., genannt werden. Von diesen ist im Hinblick auf eine besonders hohe Wärmebeständigkeit und ein geringeres Ausgasen während des Erwärmens ein Fluorharz, Polymethylpenten oder syndiotaktisches Polystyrol bevorzugt und ein Fluorharz ist besonders bevorzugt. Ein Typ von diesen Harzen kann allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Als Fluorharz ist im Hinblick auf die Trenneigenschaften und die Wärmebeständigkeit ein Polymer des Fluorolefintyps bevorzugt. Ein Polymer des Fluorolefintyps ist ein Polymer, das Einheiten auf der Basis eines Fluorolefins aufweist. Ein Polymer des Fluorolefintyps kann ferner Einheiten enthalten, die von Einheiten auf der Basis eines Fluorolefins verschieden sind.
  • Das Fluorolefin kann z. B. Tetrafluorethylen (nachstehend auch als „TFE” bezeichnet), Vinylfluorid, Vinylidenfluorid, Trifluorethylen, Hexafluorpropylen, Chlortrifluorethylen, usw., sein. Als Fluorolefin kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Polymer des Fluorolefintyps kann z. B. ein Ethylen-Tetrafluorethylen-Copolymer (ETFE), ein Tetrafluorethylen-Hexafluorpropylen-Copolymer (FEP), ein Tetrafluorethylen-Perfluor(alkylvinylether)-Copolymer (PFA), ein Tetrafluorethylen-Hexafluorpropylen-Vinylidenfluorid-Copolymer (THV), usw., sein. Als Polymer des Fluorolefintyps kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Als Polymer des Fluorolefintyps ist im Hinblick auf eine große Dehnung bei einer hohen Temperatur ETFE besonders bevorzugt. ETFE ist ein Copolymer, das Einheiten auf der Basis von TFE (nachstehend auch als „TFE-Einheiten” bezeichnet) und Einheiten auf der Basis von Ethylen (nachstehend auch als „E-Einheiten” bezeichnet) aufweist.
  • Als ETFE ist ein Polymer bevorzugt, das TFE-Einheiten, E-Einheiten und Einheiten auf der Basis eines von TFE und Ethylen verschiedenen Monomers (nachstehend auch als „drittes Monomer” bezeichnet) aufweist. Durch Auswählen des Typs und des Gehalts der Einheiten auf der Basis des dritten Monomers können die Kristallinität von ETFE und folglich die Zugeigenschaften der harzseitigen Trennschicht 2 einfach eingestellt werden. Beispielsweise werden dadurch, dass die Einheiten auf der Basis des dritten Monomers (insbesondere eines Monomers mit einem Fluoratom) vorliegen, die Zugfestigkeit und die Dehnung bei hohen Temperaturen (insbesondere bei etwa 180°C) verbessert.
  • Das dritte Monomer kann z. B. ein Monomer mit einem Fluoratom oder ein Monomer ohne Fluoratom sein.
  • Als Monomer mit einem Fluoratom können die folgenden Monomere (a1) bis (a5) genannt werden.
    Monomer (a1): Eine C2- oder C3-Fluorolefinverbindung.
    Monomer (a2): Ein Perfluoralkylethylen, dargestellt durch die Formel X(CF2)nCY=CH2 (worin X und Y jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder ein Fluoratom sind und n eine ganze Zahl von 2 bis 8 ist).
    Monomer (a3): Eine Fluorvinyletherverbindung.
    Monomer (a4): Eine funktionelle Gruppe-enthaltende Fluorvinyletherverbindung.
    Monomer (a5): Ein fluoriertes Monomer mit einer aliphatischen Ringstruktur.
  • Das Monomer (a1) kann z. B. eine Fluorethylenverbindung (Trifluorethylen, Vinylidenfluorid, Vinylfluorid, Chlortrifluorethylen, usw.), eine Fluorpropylenverbindung (Hexafluorpropylen (nachstehend auch als „HFP” bezeichnet), 2-Hydropentafluorpropylen, usw.), usw., sein.
  • Als Monomer (a2) ist ein Monomer, bei dem n von 2 bis 6 ist, bevorzugt, und ein Monomer, bei dem n von 2 bis 4 ist, ist besonders bevorzugt. Ferner ist ein Monomer, bei dem X ein Fluoratom ist und Y ein Wasserstoffatom ist, d. h, ein (Perfluoralkyl)ethylen, besonders bevorzugt.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (a2) umfassen die folgenden Verbindungen.
    CF3CF2CH=CH2,
    CF3CF2CF2CF2CH=CH2 ((Perfluorbutyl)ethylen, nachstehend auch als „PFBE” bezeichnet),
    CF3CF2CF2CF2CF=CH2,
    CF2HCF2CF2CF=CH2,
    CF2HCF2CF2CF2CF=CH2, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (a3) umfassen die folgenden Verbindungen. Dabei ist von den folgenden Monomeren ein Monomer, das ein Dien ist, ein cyclopolymerisierbares Monomer.
    CF2=CFOCF3,
    CF2=CFOCF2CF3,
    CF2=CF(CF2)2CF3 (Perfluor(propylvinylether), nachstehend auch als PPVE bezeichnet),
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
    CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3,
    CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
    CF2=CFOCF2CF=CF2,
    CF2=CFO(CF2)2CF=CF2, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (a4) umfassen die folgenden Verbindungen.
    CF2=CFO(CF2)3CO2CH3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (a5) umfassen Perfluor(2,2-dimethyl-1,3-dioxol), 2,2,4-Trifluor-5-trifluormethoxy-1,3-dioxol, Perfluor(2-methylen-4-methyl-1,3-dioxolan), usw.
  • Das Monomer, das kein Fluoratom aufweist, umfasst die folgenden Monomere (b1) bis (b4).
    Monomer (b1): Eine Olefinverbindung.
    Monomer (b2): Eine Vinylesterverbindung.
    Monomer (b3): Eine Vinyletherverbindung.
    Monomer (b4): Ein ungesättigtes Säureanhydrid.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (b1) umfassen Propylen, Isobuten, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (b2) umfassen Vinylacetat, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (b3) umfassen Ethylvinylether, Butylvinylether, Cyclohexylvinylether, Hydroxybutylvinylether, usw.
  • Spezifische Beispiele für das Monomer (b4) umfassen Maleinsäureanhydrid, Itaconsäureanhydrid, Citraconsäureanhydrid, 5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid („himic anhydride”), usw.
  • Als drittes Monomer kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Als drittes Monomer ist im Hinblick darauf, dass der Grad der Kristallinität einfach eingestellt werden kann und die Zugfestigkeit und die Dehnung bei hohen Temperaturen (insbesondere um 180°C) dadurch, dass Einheiten auf der Basis des dritten Monomers vorliegen (insbesondere ein Monomer mit einem Fluoratom), hervorragend sind, ein Monomer (a2), HFP, PPVE oder Vinylacetat bevorzugt, wobei HFP, PPVE, CF3CF2CH=CH2 oder PFBE mehr bevorzugt ist und PFBE besonders bevorzugt ist. D. h., als ETFE ist ein Copolymer besonders bevorzugt, das TFE-Einheiten, E-Einheiten und Einheiten auf der Basis von PFBE aufweist.
  • In ETFE beträgt das molare Verhältnis von TFE-Einheiten zu E-Einheiten (TFE-Einheiten/E-Einheiten) vorzugsweise von 80/20 bis 40/60, mehr bevorzugt von 70/30 bis 45/55, besonders bevorzugt von 65/35 bis 50/50. Wenn TFE-Einheiten/E-Einheiten innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird ETFE eine hervorragende Wärmebeständigkeit und mechanische Festigkeit aufweisen.
  • Der Anteil von Einheiten auf der Basis des dritten Monomers in ETFE beträgt vorzugsweise von 0,01 bis 20 mol-%, mehr bevorzugt von 0,10 bis 15 mol-%, besonders bevorzugt von 0,20 bis 10 mol-%, bezogen auf die Gesamtheit (100 mol-%) aller Einheiten, die ETFE bilden. Wenn der Anteil von Einheiten auf der Basis des dritten Monomers innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird ETFE eine hervorragende Wärmebeständigkeit und mechanische Festigkeit aufweisen.
  • In einem Fall, bei dem die Einheiten auf der Basis des dritten Monomers Einheiten auf der Basis von PFBE enthalten, beträgt der Anteil der Einheiten auf der Basis von PFBE vorzugsweise von 0,5 bis 4,0 mol-%, mehr bevorzugt von 0,7 bis 3,6 mol-%, besonders bevorzugt von 1,0 bis 3,6 mol-%, bezogen auf die Gesamtheit (100 mol-%) aller Einheiten, die ETFE bilden. Wenn der Anteil der Einheiten auf der Basis von PFBE innerhalb eines solchen Bereichs liegt, kann der Zugmodul bei 180°C des Formwerkzeugtrennfilms in dem vorstehend genannten Bereich eingestellt werden. Ferner werden die Zugfestigkeit und die Dehnung bei hohen Temperaturen (insbesondere um 180°C) verbessert.
  • Die Schmelzflussrate bzw. der Schmelzdurchfluss (MFR) von ETFE beträgt vorzugsweise von 2 bis 40 g/10 min, mehr bevorzugt von 5 bis 30 g/10 min, besonders bevorzugt von 10 bis 20 g/10 min. Die MFR ist ein Index für das Molekulargewicht und je größer die MFR ist, zu einem umso geringeren Wert neigt das Molekulargewicht. Wenn die MFR von ETFE innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird die Formbarkeit von ETFE verbessert und der Formwerkzeugtrennfilm wird eine hervorragende mechanische Festigkeit aufweisen.
  • Die MFR von ETFE ist ein Wert, der gemäß ASTM D3159 bei einer Belastung von 49 N bei 297°C gemessen wird.
  • Die harzseitige Trennschicht 2 kann nur aus dem vorstehend genannten Harz hergestellt sein oder sie kann ferner zusätzlich zu dem vorstehend genannten Harz Additive wie z. B. anorganische Additive, organische Additive, usw., enthalten. Die anorganischen Additive können z. B. anorganische Füllstoffe, wie z. B. Ruß, Siliziumoxid, Titanoxid, Ceroxid, Aluminiumkobaltoxid, Glimmer, Zinkoxid, usw., sein. Die organischen Füllstoffe können z. B. Silikonöle, Metallseifen, usw., sein.
  • Im Hinblick auf das Formwerkzeuganpassungsvermögen enthält die harzseitige Trennschicht 2 vorzugsweise keinen anorganischen Füllstoff.
  • Die harzseitige Trennschicht 2 ist vorzugsweise eine Schicht, die ein Fluorharz enthält, besonders bevorzugt eine Schicht, die nur aus einem Fluorharz besteht. In einem solchen Fall wird der Formwerkzeugtrennfilm 1 hervorragende Trenneigenschaften aufweisen, wird auch eine ausreichende Beständigkeit zum Widerstehen der Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C), eine ausreichende Festigkeit zum Widerstehen der Strömung und dem Druck eines aushärtbaren Harzes, usw., aufweisen, und wird auch bezüglich der Dehnung bei einer hohen Temperatur hervorragend sein.
  • Von der harzseitigen Trennschicht 2 kann die Oberfläche, die beim Formen eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, d. h., die Oberfläche 2a der harzseitigen Trennschicht 2 des Formwerkzeugtrennfilms 1, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen. Im Hinblick auf die Trenneigenschaften ist es bevorzugt, dass Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind.
  • In dem Fall, bei dem die Oberfläche glatt ist, beträgt der arithmetische Mittenrauwert (Ra) der Oberfläche 2a vorzugsweise von 0,01 bis 0,2 μm, besonders bevorzugt von 0,05 bis 0,1 μm.
  • In dem Fall, bei dem Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, beträgt Ra der Oberfläche 2a vorzugsweise von 1,0 bis 2,1 μm, besonders bevorzugt von 1,2 bis 1,9 μm.
  • Der arithmetische Mittenrauwert (Ra) ist ein Wert, der gemäß JIS B0601: 2013 (ISO 4287: 1997, Amd. 1: 2009) gemessen wird. Die Standardlänge Ir (Grenzwert λc) für die Rauheitskurve ist auf 0,8 mm eingestellt.
  • Der Oberflächenzustand, wenn Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, kann ein Zustand sein, bei dem eine Mehrzahl von Vorwölbungen und/oder Vertiefungen zufällig verteilt ist, oder es kann sich um einen Zustand handeln, bei dem eine Mehrzahl von Vorwölbungen und/oder Vertiefungen regelmäßig angeordnet ist. Die Formen und Größen der Mehrzahl von Vorwölbungen und/oder Vertiefungen können gleich oder unterschiedlich sein.
  • Die Vorwölbungen können z. B. längliche Rippen sein, die sich auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms erstrecken, oder Vorwölbungen, die auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms verteilt sind, und die Vertiefungen können z. B. längliche Rillen sein, die sich auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms erstrecken, oder Löcher, die auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms verteilt sind.
  • Die Formen von Rippen oder Rillen können z. B. Linien, Kurven, gebogene Formen, usw., sein. Auf der Formwerkzeugtrennfilmoberfläche kann eine Mehrzahl von Rippen oder Rillen unter Bildung von Streifen parallel vorliegen. Von den Rippen oder Rillen können die Querschnittsformen in der Richtung senkrecht zu der Längsrichtung z. B. polygonal, wie z. B. dreieckig (V-Form), halbkreisförmig, usw., sein.
  • Die Formen der Vorwölbungen oder Löcher können z. B. polygonal pyramidenförmig, wie z. B. dreieckig pyramidenförmig, quadratisch pyramidenförmig, sechseckig pyramidenförmig, usw., konisch, halbkugelförmig, polyedrisch, andere verschiedene unregelmäßige Formen, usw., sein.
  • Die Dicke der harzseitigen Trennschicht 2 beträgt vorzugsweise von 12 bis 100 μm, besonders bevorzugt von 25 bis 75 μm. Wenn die Dicke der harzseitigen Trennschicht 2 mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Handhabung (z. B. eine Rolle-zu-Rolle-Behandlung) des Formwerkzeugtrennfilms 1 einfach und es ist weniger wahrscheinlich, dass beim Anordnen des Formwerkzeugtrennfilms 1, während er gezogen wird, so dass er den Formwerkzeughohlraum bedeckt, Falten gebildet werden. Wenn die Dicke der harzseitigen Trennschicht 2 höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die Erzeugung eines Ausgasens während des Erwärmens von der harzseitigen Trennschicht 2 selbst unterdrückt werden und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird noch besser sein. Ferner kann der Trennfilm 1 leicht verformt werden und wird folglich ein hervorragendes Formanpassungsvermögen aufweisen.
  • (Gasbarriereschicht)
  • Die Gasbarriereschicht 3 umfasst mindestens ein Polymer (I), das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten (nachstehend auch als „Polymer (A)” bezeichnet) und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten (nachstehend auch als „Polymer (B)” bezeichnet), ausgewählt ist.
  • Dabei sind „Vinylalkohol-Einheiten” Einheiten, die Acetoxygruppen in Vinylacetat-Einheiten aufweisen, die durch chemisches Umwandeln eines Polymers, das durch Polymerisieren von Vinylacetat erhalten worden ist, in Hydroxygruppen umgewandelt worden sind.
  • Das Polymer (I) kann eine vernetzte Struktur aufweisen oder nicht.
  • Das Polymer (A) kann nur aus Vinylalkoholeinheiten bestehen oder es kann ein Polymer sein, das ferner Einheiten enthält, die von Vinylalkoholeinheiten verschieden sind.
  • Der Anteil von Vinylalkoholeinheiten in dem Polymer (A) beträgt vorzugsweise mindestens 60 mol-%, mehr bevorzugt mindestens 70 mol-%, besonders bevorzugt mindestens 80 mol-%, bezogen auf die Gesamtheit aller Einheiten. Wenn der Anteil von Vinylalkohol-Einheiten mindestens der vorstehend genannte untere Grenzwert ist, wird die Gasbarriereeinheit 3 noch bessere Gasbarriereeigenschaften aufweisen.
  • Als Polymer (A) kann das folgende Polymer (A1) oder Polymer (A2) genannt werden.
    Polymer (A1): Ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und ohne vernetzte Struktur.
    Polymer (A2): Ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und mit einer vernetzten Struktur.
  • Das Polymer (A1) kann nur aus Vinylalkoholeinheiten bestehen oder es kann ein Polymer sein, das ferner Einheiten enthält, die von Vinylalkoholeinheiten verschieden sind.
  • Das Polymer (A1) kann z. B. ein Polyvinylalkohol (nachstehend auch als „PVA” bezeichnet), ein Copolymer mit Vinylalkohol-Einheiten und Einheiten, die von Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten verschieden sind (nachstehend auch als „Copolymer (A11)” bezeichnet), usw., sein. Das Copolymer (A11) kann ferner Vinylacetateinheiten enthalten. Eines dieser Polymere kann allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können in einer Kombination verwendet werden.
  • PVA ist ein Polymer, das nur aus Vinylalkohol-Einheiten zusammengesetzt ist, oder es kann ein Polymer sein, das aus Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten zusammengesetzt ist.
  • PVA kann z. B. ein vollständig verseiftes Produkt aus Polyvinylacetat (Verseifungsgrad: mindestens 99 mol-% bis 100 mol-%), ein quasi vollständig verseiftes Produkt (Verseifungsgrad: mindestens 90 mol-% und weniger als 99 mol-%), ein teilweise verseiftes Produkt (Verseifungsgrad: mindestens 70 mol-% und weniger als 90 mol-%), usw., sein.
  • Der Verseifungsgrad von PVA beträgt vorzugsweise von 80 bis 100 mol-%, mehr bevorzugt von 85 bis 100 mol-%, besonders bevorzugt von 90 bis 100 mol-%. Je höher der Verseifungsgrad ist, desto stärker besteht eine Tendenz dahingehend, dass die Gasbarriereeigenschaften der Gasbarriereschicht 3 besser sind.
  • Der Verseifungsgrad ist ein Grad, der den Anteil von Acetoxygruppen, die in Polyvinylacetat als Ausgangsmaterial für PVA enthalten sind, angibt, die durch Verseifen in Hydroxygruppen umgewandelt worden sind, dargestellt durch ein Einheitsverhältnis (mol-%), und er ist durch die folgende Formel festgelegt. Der Verseifungsgrad kann durch das in JIS K6726: 1994 festgelegte Verfahren erhalten werden. Verseifungsgrad (mol-%) = {(Anzahl von Hydroxygruppen)/(Anzahl von Hydroxygruppen + Anzahl von Acetoxygruppen)} × 100
  • Andere Einheiten in dem Copolymer (A11) können z. B. Einheiten mit einer Dihydroxyalkylgruppe, einer Acetoacetylgruppe, einer Oxyalkylengruppe, einer Carboxygruppe, einer Alkoxycarbonylgruppe, usw., Einheiten, die von einem Olefin, wie z. B. Ethylen, abgeleitet sind, usw., sein. Andere Einheiten in dem Copolymer (A11) können von einem Typ oder von zwei oder mehr Typen sein.
  • Die Einheiten, die eine Dihydroxyalkylgruppe aufweisen, können z. B. 1,2-Diol-Struktureinheiten sein, die durch die folgende Formel (1) dargestellt sind.
  • Figure DE112015005259T5_0003
  • In der Formel (1) sind R1 bis R6 jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe.
  • R1 bis R6 sind vorzugsweise alle Wasserstoffatome, können jedoch einwertige organische Gruppen sein, solange sie in einer Menge vorliegen, welche die Harzeigenschaften nicht signifikant beeinträchtigen. Die organische Gruppe ist nicht speziell beschränkt, jedoch ist z. B. eine C1-4-Alkylgruppe bevorzugt, wie z. B. eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine n-Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine tert-Butylgruppe, usw., und sie kann gegebenenfalls einen Substituenten, wie z. B. eine Halogengruppe, eine Hydroxygruppe, eine Estergruppe, eine Carbonsäuregruppe, eine Sulfonsäuregruppe, usw., aufweisen.
  • In der Formel (1) ist X eine Einfachbindung oder eine Bindungskette. Im Hinblick auf die Verbesserung der Kristallinität oder die Verminderung von intermolekularen Hohlräumen an amorphen Abschnitten handelt es sich vorzugsweise um eine Einfachbindung.
  • Die Bindungskette ist nicht speziell beschränkt und kann z. B. eine Kohlenwasserstoffgruppe, wie z. B. eine Alkylengruppe, eine Alkenylengruppe, eine Alkinylengruppe, eine Phenylengruppe, eine Naphthylengruppe, usw. (eine solche Kohlenwasserstoffgruppe kann durch Halogen, wie z. B. Fluor, Chlor, Brom, usw., substituiert sein), -O-, -(CH2O)m-, -(OCH2)m-, -(CH2O)mCH2-, -CO-, -COCO-, -CO(CH2)mCO-, -CO(C6H4)CO-, -S-, -CS-, -SO-, -SO2-, -NR7-, -CONR7-, -NR7CO-, -CSNR7-, -NR7CS-, -NR7NR7-, -HPO4-, -Si(OR7)2-, -OSi(OR7)2-, -OSi(OR7)2O-, -Ti(OR7)2-, -OTi(OR7)2-, -OTi(OR7)2O-, -Al(OR7)-, -OAl(OR7)-, -OAl(OR7)O-, usw. (jeder R7 ist unabhängig ein optionaler Substituent, vorzugsweise ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, und m ist eine natürliche Zahl), sein. Von diesen ist im Hinblick auf eine hervorragende Viskositätsstabilität und Wärmebeständigkeit zum Zeitpunkt der Herstellung eine C1-6-Alkylengruppe bevorzugt und eine Methylengruppe oder -CH2OCH2- ist besonders bevorzugt.
  • Als 1,2-Diol-Struktureinheit, die durch die Formel (1) dargestellt ist, ist eine Einheit besonders bevorzugt, bei der R1 bis R6 alle Wasserstoffatome sind und X eine Einfachbindung ist. D. h., besonders bevorzugt ist eine Einheit, die durch die folgende Formel (1a) dargestellt ist.
  • Figure DE112015005259T5_0004
  • Die Einheit, die eine Acetoacetylgruppe aufweist, kann z. B. eine Einheit mit einer Struktur sein, bei der -CR4(OH)-CR5R6(OH) in der vorstehenden Formel (1) durch -COCH2COCH3 substituiert ist, und bevorzugt ist eine Einheit, bei der X -O- ist.
  • Die Einheit, die eine Oxyalkylengruppe aufweist, kann z. B. eine Einheit mit einer Struktur sein, bei der -CR4(OH)-CR5R6(OH) in der vorstehenden Formel (1) durch -(R21O)n-R22 substituiert ist (worin R21 eine C2-5-Alkylengruppe ist, R22 ein Wasserstoffatom oder eine C1-5-Alkylgruppe ist und n eine ganze von 1 bis 5 ist), und bevorzugt ist eine Einheit, bei der X -O- ist.
  • Die Einheit, die eine Carboxygruppe aufweist, kann z. B. eine Einheit mit einer Struktur sein, bei der -CR4(OH)-CR5R6OH in der vorstehenden Formel (1) durch -COOH substituiert ist und eine Einheit, bei der X eine Einfachbindung ist, ist bevorzugt. Als spezifisches Beispiel kann eine Acrylsäureeinheit oder eine Methacrylsäureeinheit genannt werden.
  • Die Einheit, die eine Alkoxycarbonylgruppe aufweist, kann z. B. eine Einheit mit einer Struktur sein, bei der -CR4(OH)-CR5R6(OH) in der vorstehenden Formel (1) durch -COOR23 substituiert ist (worin R23 eine C1-5-Alkylgruppe ist), und eine Einheit, bei der X eine Einfachbindung ist, ist bevorzugt. Als spezifisches Beispiel kann eine Methylacrylateinheit oder eine Methylmethacrylateinheit genannt werden.
  • Das Copolymer (A11) kann z. B. durch ein Verfahren des Umsetzens eines Modifiziermittels mit PVA oder ein Verfahren des Verseifens eines Copolymers von Vinylacetat und eines weiteren Monomers erhalten werden.
  • Spezifische Beispiele des Copolymers (A11) umfassen ein Copolymer, das Vinylalkohol-Einheiten und Einheiten mit einer 1,2-Diolstruktur umfasst, einen acetoacetylierten PVA (ein Copolymer, das Vinylalkoholeinheiten und Acetoacetylgruppen aufweist), einen Alkylenoxid-modifizierten PVA (ein Copolymer, das Vinylalkoholeinheiten und Oxyalkylengruppen aufweist), einen Carbonsäure-modifizierten PVA (ein Copolymer, das Vinylalkoholeinheiten und Carboxygruppen aufweist), ein Vinylalkohol-Acrylsäure-Methylmethacrylat-Copolymer, ein Ethylen-Vinylalkohol-Copolymer, usw.
  • Der bevorzugte Bereich des Verseifungsgrads des Copolymers (A11) ist mit demjenigen des PVA identisch.
  • Der Gehalt anderer Einheiten in dem Copolymer (A11) beträgt vorzugsweise von 2 bis 30 mol-%, besonders bevorzugt von 5 bis 20 mol-%, bezogen auf die Gesamtheit aller Einheiten.
  • Als Copolymer (A11) ist ein Copolymer bevorzugt, das Vinylalkoholeinheiten und 1,2-Diol-Struktureinheiten aufweist, die durch die vorstehende Formel (1) dargestellt sind (nachstehend auch als „Copolymer (A11-1)” bezeichnet).
  • Das Copolymer (A11-1) weist vorzugsweise insgesamt von 85 bis 98 mol-% Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten und von 2 bis 15 mol-% 1,2-Diol-Struktureinheiten, mehr bevorzugt insgesamt von 88 bis 96 mol-% Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten und von 4 bis 12 mol-% 1,2-Diol-Struktureinheiten, besonders bevorzugt insgesamt von 90 bis 95 mol-% Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten und von 5 bis 10 mol-% 1,2-Diol-Struktureinheiten auf. Der bevorzugte Bereich des Anteils von Vinylalkoholeinheiten an der Gesamtheit von Vinylalkoholeinheiten und Vinylacetateinheiten, d. h., der Verseifungsgrad, ist mit demjenigen von PVA identisch.
  • Die Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung des Polymers (A1) beträgt vorzugsweise von 2,5 bis 100 MPa·s, mehr bevorzugt von 3 bis 70 MPa·s, besonders bevorzugt von 5 bis 60 MPa·s. Wenn die Viskosität mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, besteht eine Tendenz dahingehend, dass das Auftreten einer Rissbildung in der Gasbarriereschicht 3 unwahrscheinlich ist, und wenn sie höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Arbeitseffizienz bei der Bildung einer Gasbarriereschicht 3 durch Aufbringen einer Beschichtungsflüssigkeit, die das Polymer (A1) und ein wässriges Medium enthält, hervorragend sein.
  • Dabei ist die vorstehend genannte Viskosität eine Viskosität, die gemäß JIS K6726: 1994 gemessen wird.
  • Die Viskosität einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung des Polymers (A1) kann durch das Molekulargewicht des Polymers (A1) oder den Verseifungsgrad des Polymers (A1) eingestellt werden.
  • Das Polymer (A2) kann z. B. ein Polymer sein, das durch Umsetzen des Polymers (A1) mit einem Vernetzungsmittel erhalten wird. In einem Fall, bei dem das Polymer (A1) ein durch z. B. Wärme selbstvernetzendes Polymer ist (z. B. acetoacetylierter PVA), kann es ein Polymer sein, das durch Selbstvernetzen des Polymers (A1) erhältlich ist.
  • Das Polymer (A1), das mit dem Vernetzungsmittel umgesetzt werden soll, kann mit dem vorstehend genannten Polymer identisch sein, und es ist vorzugsweise PVA oder das Copolymer (A11), besonders bevorzugt PVA oder das Copolymer (A11-1). D. h., das Polymer (A2) ist vorzugsweise PVA oder das Copolymer (A11), das eine vernetzte Struktur aufweist, besonders bevorzugt PVA oder das Copolymer (A11-1), das eine vernetzte Struktur aufweist.
  • Das Vernetzungsmittel ist vorzugsweise ein wasserlösliches Vernetzungsmittel zur Bildung einer vernetzten Struktur durch eine Reaktion mit einer Hydroxygruppe. Spezifische Beispiele umfassen eine organometallische Verbindung, eine Isocyanatverbindung mit zwei oder mehr Isocyanatgruppen, eine Bisvinylsulfonverbindung, usw.
  • Die organometallische Verbindung kann z. B. eine Alkoxidverbindung, eine Chelatverbindung, eine Acylatverbindung oder dergleichen eines Metalls sein, das aus der Gruppe, bestehend aus Titan, Aluminium, Zirkonium und Zinn, ausgewählt ist. Eine davon kann allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können in einer Kombination verwendet werden.
  • Die Alkoxidverbindung kann z. B. eine Titanalkoxidverbindung oder dergleichen sein und eine Verbindung, die durch die folgende Formel (II) dargestellt ist, ist bevorzugt.
    Figure DE112015005259T5_0005
  • In der Formel (II) sind R11 bis R14 jeweils unabhängig eine Alkylgruppe. R11 bis R14 können gleich oder voneinander verschieden sein. Die Anzahl von Kohlenstoffatomen in der Alkylgruppe beträgt vorzugsweise von 1 bis 8.
  • n ist eine ganze Zahl von 1 bis 10.
  • Spezifische Beispiele für die Titanalkoxidverbindung, die durch die Formel (II) dargestellt ist, umfassen Tetraisopropyltitanat, Tetra-n-propyltitanat, Tetra-n-butyltitanat, Tetra-t-butyltitanat, Tetraisobutyltitanat, Tetraethyltitanat, Tetraisooctyltitanat, gemischte Alkyltitanate, wie z. B. Diisopropyldiisooctyltitanat und Isopropyltriisooctyltitanat, Tetra-n-butyltitanat-Dimer, Tetra-n-butyltitanat-Tetramer, usw., die durch eine Kondensation von Tetraalkyltitanaten gebildet werden, usw.
  • Die Chelatverbindung ist vorzugsweise eine Titanchelatverbindung mit einer Struktur, in der ein Chelatisierungsmittel an die durch die Formel (II) dargestellte Titanalkoxidverbindung koordiniert ist.
  • Das Chelatisierungsmittel ist nicht speziell beschränkt, jedoch ist mindestens ein Mitglied, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem β-Diketon, einem β-Ketoester, einem mehrwertigen Alkohol, einem Alkanolamin und einer Oxycarbonsäure, im Hinblick auf die Verbesserung der Stabilität bezüglich einer Hydrolyse der Titanverbindung bevorzugt.
  • Die Acylatverbindung kann z. B. ein Metallpolyhydroxystearat, Bisacetylacetonat, Tetraacetylacetonat, Polyacetylacetonat, Octylenglykolat, Ethylacetoacetat, Lactat, usw., sein.
  • Als Isocyanatverbindung ist eine wasserlösliche Verbindung bevorzugt. Als bevorzugte Struktur kann eine Verbindung mit einer Biuretstruktur, einer Isocyanuratstruktur oder einer Adduktstruktur genannt werden.
  • Die Bisvinylsulfonverbindung kann z. B. 1,2-Bis(vinylsulfonyl)ethan, Bis{2-(vinylsulfonyl)ethyl}ether, 1,5-Bis(vinylsulfonyl)-3-hydroxypentan, 1,2-Bis(vinylsulfonylacetamid)ethan, 1,3-Bis(vinylsulfonylacetamid)propan, 1,5-Bis(vinylsulfonyl)-3-methoxypentan, 1,8-Bis(vinylsulfonyl)-3,6-dioxaoctan, Bis{2-(1'-methylvinylsulfonyl)ethyl}ether, 1,2-Bis{(1'-methylvinylsulfonyl)acetamid}ethan, 1,3-Bis{(1'-vinylsulfonyl)acetamid}propan, usw., sein.
  • In einem Fall, bei dem das Vernetzungsmittel die vorstehend genannte Metallalkoxidverbindung, Chelatverbindung oder Acylatverbindung ist, wird z. B. eine vernetzte Struktureinheit von M(-O-R)n (worin M ein Metallatom darstellt, das von z. B. der vorstehend genannten Alkoxidverbindung abgeleitet ist, n die Wertigkeit von M ist und eine ganze Zahl von mindestens 2 darstellt und R einen Rest darstellt, der durch Entfernen einer Hydroxygruppe von einer Vinylalkoholeinheit erhalten wird) gebildet.
  • In einem Fall, bei dem das Vernetzungsmittel eine Isocyanatverbindung ist, wird z. B. eine vernetzte Struktureinheit von R15(-NH-CO-O-R)p (worin R15 einen Rest darstellt, der durch Entfernen einer Isocyanatgruppe von einer Isocyanatverbindung erhalten wird, p eine ganze Zahl von mindestens 2 darstellt und R einen Rest darstellt, der durch Entfernen einer Hydroxygruppe von einer Vinylalkoholeinheit erhalten wird) gebildet.
  • Der Grad der Vernetzung des Polymers (A2) kann z. B. durch die Menge des Vernetzungsmittels oder die Temperatur zum Zeitpunkt des Umsetzens des Polymers (A1) mit dem Vernetzungsmittel eingestellt werden, variiert jedoch wesentlich abhängig von der Molekülstruktur des Vernetzungsmittels. Die Reaktivität des Vernetzungsmittels ist eine Isocyanatverbindung = eine Bisvinylsulfonverbindung < eine organische Zirkoniumoxidverbindung < eine organische Titanatverbindung.
  • Als Vernetzungsmittel sind im Hinblick auf eine mäßige Reaktivität Isocyanatverbindungen oder organische Metallverbindungen bevorzugt. Von den organischen Metallverbindungen ist eine organische Titanverbindung oder eine organische Zirkoniumverbindung besonders bevorzugt.
  • In einem Fall, bei dem das Polymer (A1), das mit einem Vernetzungsmittel umgesetzt werden soll, eine vernetzbare funktionelle Gruppe aufweist, die von einer Hydroxygruppe verschieden ist, kann ein Vernetzungsmittel verwendet werden, das dieser entspricht. Als eine solche vernetzbare funktionelle Gruppe kann eine Carbonylgruppe, eine Carboxygruppe oder eine Acetoacetylgruppe genannt werden. Als Vernetzungsmittel, das eine solche vernetzbare funktionelle Gruppe aufweist, können Dihydrazidverbindungen, Diaminverbindungen, Methylolverbindungen, Dialdehydverbindungen, usw., genannt werden.
  • Das Polymer (B) kann nur aus Vinylidenchlorideinheiten bestehen oder es kann ein Polymer sein, das ferner Einheiten enthält, die von den Vinylidenchlorideinheiten verschieden sind.
  • Der Anteil von Vinylidenchlorideinheiten in dem Polymer (B) beträgt vorzugsweise mindestens 70 mol-%, besonders bevorzugt mindestens 80 mol-%, bezogen auf die Gesamtheit aller Einheiten. Wenn der Anteil von Vinylidenchlorideinheiten mindestens der vorstehend genannte untere Grenzwert ist, werden die Gasbarriereeigenschaften der Gasbarriereschicht 3 noch besser sein.
  • Als Polymer (B) kann das folgende Polymer (B1) oder Polymer (B2) genannt werden.
    Polymer (B1): Ein Polymer mit Vinylidenchlorideinheiten und ohne vernetzte Struktur.
    Polymer (B2): Ein Polymer mit Vinylidenchlorideinheiten und auch vernetzten Strukturen.
  • Das Polymer (B1) kann z. B. Polyvinylidenchlorid, ein Vinylidenchlorid-Alkylacrylat-Copolymer, usw., sein.
  • Das Polymer (B2) kann z. B. ein Polymer sein, das durch Umsetzen des Polymers (B1) mit einem Vernetzungsmittel erhalten wird, usw.
  • Als Vernetzungsmittel ist ein wasserlösliches Vernetzungsmittel zur Bildung einer vernetzten Struktur durch eine Reaktion mit einer Halogengruppe oder einer funktionellen Gruppe, die an ein Alkylacrylat gebunden ist, bevorzugt. Spezifische Beispiele dafür umfassen organometallische Verbindungen, Isocyanatverbindungen mit zwei oder mehr Isocyanatgruppen, Bisvinylsulfonverbindungen, usw. Spezifische Beispiele für diese Vernetzungsmittel sind mit denjenigen identisch, wie sie vorstehend beschrieben worden sind.
  • Im Hinblick darauf, dass die Gasbarriereeigenschaften noch besser sind, enthält das Polymer (A) in der Gasbarriereschicht 3 vorzugsweise das Polymer (A), mehr bevorzugt PVA oder das Copolymer (A11), besonders bevorzugt PVA oder das Copolymer (A11-1).
  • Das Polymer (A) in der Gasbarriereschicht 3 kann das Polymer (A1) oder das Polymer (A2) sein und im Hinblick darauf, dass ein Ausgasen von der Gasbarriereschicht 3 stärker vermindert ist und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs noch besser ist, ist das Polymer (A2) bevorzugt, PVA oder das Copolymer (A11) mit einer vernetzten Struktur ist mehr bevorzugt und PVA oder das Copolymer (A11-1) mit einer vernetzten Struktur ist besonders bevorzugt.
  • In einem Fall, bei dem das Polymer (I) in der Gasbarriereschicht 3 das Polymer (A) enthält, beträgt der Unlöslichkeitsgrad der Gasbarriereschicht, der durch die folgende Formel aus dem Basisgewicht W1 (g/m2) der Gasbarriereschicht 3 und dem Basisgewicht W2 (g/m2) der Gasbarriereschicht 3, das verbleibt, nachdem der Formwerkzeugtrennfilm 1 dem folgenden Auflösungstest unterzogen worden ist, erhältlich ist, vorzugsweise von 10 bis 80%, besonders bevorzugt von 30 bis 80%: Unlöslichkeitsgrad (%) = (W2/W1) × 100
  • Der Unlöslichkeitsgrad ist ein Index für den Vernetzungsgrad des Polymers (A). Je höher der Vernetzungsgrad des Polymers (A) ist, desto höher ist der Unlöslichkeitsgrad. Wenn der Unlöslichkeitsgrad mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die Erzeugung von Gas aus der Gasbarriereschicht 3 verhindert werden und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein. Wenn der Unlöslichkeitsgrad höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist es weniger wahrscheinlich, dass die Gasbarriereschicht 3 zu dem Zeitpunkt des Anpassens an das Formwerkzeug einer Rissbildung unterliegt und der Effekt zur Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein.
  • Der Unlöslichkeitsgrad entspricht dem Vernetzungsgrad des Polymers (A) und, wie es vorstehend erwähnt worden ist, der Vernetzungsgrad kann z. B. durch den Typ und die Menge des Vernetzungsmittels, das mit dem Polymer (A) umgesetzt werden soll, der Temperatur zum Zeitpunkt des Umsetzens des Polymers (A1) mit einem Vernetzungsmittel, usw., eingestellt werden.
  • <Auflösungstest>
  • Der Formwerkzeugtrennfilm wird für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C erwärmt. Während des Zeitraums wird ein Rühren für 1 Minute in 30 Minuten-Intervallen wiederholt. Der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Ende des Erwärmens für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in weiteres ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C für 10 Minuten gewaschen. Nach dem Waschen wird der Formwerkzeugtrennfilm zum Durchführen eines Waschens und Kühlens in ionenausgetauschtes Wasser bei 20 bis 25°C für 10 Minuten eingetaucht. Der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Waschen und Kühlen bei 100°C für 2 Stunden vakuumgetrocknet.
  • Die Gasbarriereschicht 3 kann gegebenenfalls Komponenten enthalten, die von dem Polymer (I) verschieden sind.
  • Solche anderen Komponenten können z. B. anorganische Teilchen, Antistatikmittel, Schmiermittel, usw., sein.
  • Die Dicke der Gasbarriereschicht 3 beträgt von 0,1 bis 5 μm, vorzugsweise 0,5 bis 3 μm. Wenn die Dicke der Gasbarriereschicht 3 mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, können ausreichende Gasbarriereeigenschaften sichergestellt werden und der Effekt der Verminderung einer Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein. Wenn die Dicke der Gasbarriereschicht 3 höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann das Ausgasen von der Gasbarriereschicht selbst vermindert werden und der Effekt der Verminderung einer Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein. Ferner ist es unwahrscheinlich, dass kleine Löcher gebildet werden, da die Dehnungseigenschaften der harzseitigen Trennschicht 2 nicht beeinflusst werden. Ferner wird auch die wirtschaftliche Effizienz hervorragend sein.
  • (Dicke des Formwerkzeugtrennfilms)
  • Die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 beträgt vorzugsweise von 25 bis 100 μm, besonders bevorzugt von 30 bis 75 μm. Wenn die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Handhabung des Formwerkzeugtrennfilms 1 einfach sein und es wird weniger wahrscheinlich sein, dass beim Anordnen des Formwerkzeugtrennfilms zum Bedecken des Formwerkzeughohlraums, während er gezogen wird, Falten gebildet werden. Wenn die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann das Ausgasen von dem Formwerkzeugtrennfilm 1 selbst beim Erwärmen des Formwerkzeugtrennfilms 1 vermindert werden und der Effekt der Verminderung einer Verunreinigung des Formwerkzeugs wird noch besser sein. Ferner kann der Formwerkzeugtrennfilm 1 leicht verformt werden, wodurch er ein hervorragendes Formwerkzeuganpassungsvermögen aufweist.
  • Die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 sollte innerhalb des vorstehend genannten Bereichs besser gering sein, wenn der Formwerkzeughohlraum groß ist. Ferner sollte sie innerhalb des vorstehend genannten Bereichs besser gering sein, wenn das Formwerkzeug komplexer ist und mehrere Hohlräume aufweist.
  • (Durchlässigkeit für Xylolgas beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm des Formwerkzeugtrennfilms)
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 beträgt die Durchlässigkeit für Xylolgas beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm, die mit dem folgenden Messverfahren gemessen wird, vorzugsweise höchstens 20%, besonders bevorzugt höchstens 10%. Je niedriger die Durchlässigkeit ist, desto besser ist der Effekt zur Verminderung einer Verunreinigung des Formwerkzeugs. Die Untergrenze der Durchlässigkeit ist nicht speziell beschränkt, beträgt jedoch z. B. mindestens 0,1%.
  • <Verfahren zur Messung der Xylolgasdurchlässigkeit beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm>
  • In einen ersten Behälter, der aus Aluminium hergestellt ist und eine Konkavität mit einem Durchmesser von 60 mm und einer Tiefe von 10 mm aufweist, werden 1,5 g Xylol tropfenweise zugesetzt. In einer Konkavität eines zweiten Behälters, der aus Aluminium hergestellt ist und die gleiche Form wie der erste Behälter aufweist, wird eine poröse Keramik mit einem Durchmesser von 60 mm und einer Dicke von 8 mm eingepasst. Ferner ist auf der Bodenfläche bzw. unteren Fläche der Konkavität ein Gewindebohrloch ausgebildet und eine Vakuumpumpe wird daran angeschlossen. Der zweite Behälter wird derart auf dem ersten Behälter angeordnet, dass die Öffnung der Konkavität nach unten zeigt (auf die Seite des ersten Behälters), und der erste Behälter und der zweite Behälter werden in einem Zustand verbunden, so dass der Formwerkzeugtrennfilm und ein Flansch sandwichartig dazwischen angeordnet sind, und diese werden mit Schrauben fixiert, so dass ein Prüfkörper erhalten wird. Die Gesamtmasse (g) des Prüfkörpers wird durch eine elektronische Waage gemessen und der Messwert wird als Masse vor dem Erwärmen verwendet.
  • Dann wird der Prüfkörper auf einer auf 180°C erwärmten Heizplatte angeordnet und gleichzeitig wird die Vakuumpumpe eingeschaltet, worauf der Prüfkörper für 15 Minuten stehengelassen wird, während der Vakuumgrad bei –100 kPa oder niedriger gehalten wird. Nachdem 15 Minuten vergangen sind, wird die Vakuumpumpe gestoppt und getrennt, worauf sofort die Gesamtmasse (g) des Prüfkörpers gemessen wird und der Messwert wird als die Masse nach dem Erwärmen verwendet. Aus den Messergebnissen wird die Xylolgasdurchlässigkeit durch die folgende Formel berechnet. Xylolgasdurchlässigkeit (%) = {(Masse vor dem Erwärmen – Masse nach dem Erwärmen)/1,5} × 100
  • Das Messverfahren wird detaillierter in Beispielen beschrieben, die nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen angegeben sind.
  • (Massenverminderungsrate des Formwerkzeugtrennfilms bei 180°C) Die Massenverminderungsrate des Formwerkzeugtrennfilms 1 bei 180°C, die mit dem folgenden Messverfahren gemessen wird, beträgt vorzugsweise höchstens 0,15%, besonders bevorzugt höchstens 0,1%. Je niedriger die Massenverminderungsrate ist, desto geringer ist das Ausgasen von dem Formwerkzeugtrennfilm 1 selbst in dem Einkapselungsschritt und desto besser ist der Effekt zur Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs. Die Untergrenze der Massenverminderungsrate ist nicht speziell festgelegt.
  • <Verfahren zur Messung der Massenverminderungsrate bei 180°C>
  • Ein Formwerkzeugtrennfilm wird zur Herstellung einer Testprobe mit 10 cm im Quadrat ausgeschnitten, die Masse (mg) der Testprobe wird unter Verwendung einer Waage gemessen und der Messwert wird als Masse vor dem Erwärmen verwendet.
  • Dann wird die Testprobe sandwichartig zwischen zwei Blechen aus rostfreiem Stahl mit 15 cm im Quadrat und einer Dicke von 0,2 mm angeordnet. Diese Anordnung wird für 20 Minuten bei Bedingungen von 180°C und 1 MPa gepresst. Danach wird die Testprobe entnommen, die Masse (mg) der Testprobe wird in der gleichen Weise gemessen, wie es vorstehend beschrieben worden ist, und der Messwert wird als die Masse nach dem Erwärmen verwendet.
  • Aus den Messergebnissen wird die Massenverminderungsrate (%) auf der Basis der folgenden Formel berechnet. Massenverminderungsrate (%) = {(Masse vor dem Erwärmen) – (Masse nach dem Erwärmen)}/(Masse vor dem Erwärmen) × 100
  • (Verfahren zur Herstellung eines Formwerkzeugtrennfilms)
  • Als Verfahren zur Herstellung eines Formwerkzeugtrennfilms 1 ist das folgende Herstellungsverfahren bevorzugt.
  • Ein Herstellungsverfahren, das einen Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 3 auf einer Oberfläche eines Harzfilms zur Bildung einer harzseitigen Trennschicht 2 (eines Substrats, das eine harzseitige Trennschicht enthält) umfasst, wobei
    der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 3 einen Schritt (nachstehend auch als „Schritt (i)” bezeichnet) des Bildens eines Beschichtungsfilms durch Aufbringen einer Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit, die das Polymer (I) und ein flüssiges Medium umfasst, gefolgt von einem Trocknen umfasst.
  • Die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit kann ferner ein Vernetzungsmittel enthalten.
  • In einem Fall, bei dem die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ein Vernetzungsmittel enthält, umfasst der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 3 nach dem vorstehend beschriebenen Schritt des Bildens eines Beschichtungsfilms vorzugsweise ferner einen Schritt des Bildens einer vernetzten Struktur durch Vernetzen des Polymers (I) (nachstehend auch als „Schritt (ii)” bezeichnet).
  • <Harzfilm>
  • Als Harzfilm zum Bilden der harzseitigen Trennschicht 2 kann ein handelsüblicher Harzfilm verwendet werden, oder es kann ein Harzfilm verwendet werden, der mit einem bekannten Herstellungsverfahren hergestellt worden ist. Der Harzfilm kann ein Harzfilm sein, der einer Oberflächenbehandlung, wie z. B. einer Koronabehandlung, einer Plasmabehandlung, einer Haftvermittlerbeschichtungsbehandlung, usw., unterzogen worden ist.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Harzfilms ist nicht speziell beschränkt und ein bekanntes Herstellungsverfahren kann eingesetzt werden.
  • Als Verfahren zur Herstellung eines Harzfilms, bei dem beide Oberflächen glatt sind, kann z. B. ein Verfahren genannt werden, in dem ein Schmelzformen durch einen Extruder durchgeführt wird, der mit einer T-Düse mit einer vorgegebenen Lippenbreite ausgestattet ist.
  • Als Verfahren zur Herstellung eines Harzfilms, bei dem Unregelmäßigkeiten auf einer Seite oder beiden Seiten ausgebildet sind, kann z. B. ein Verfahren des Übertragens von Unregelmäßigkeiten eines Originalformwerkzeugs auf eine Oberfläche eines Harzfilms durch eine thermische Verarbeitung genannt werden, und im Hinblick auf die Produktivität ist z. B. das folgende Verfahren (1) oder (2) bevorzugt. In dem Verfahren (1) oder (2) wird unter Verwendung eines Originalformwerkzeugs des Walzentyps eine kontinuierliche Verarbeitung möglich und die Produktivität eines Harzfilms mit ausgebildeten Unregelmäßigkeiten wird stark verbessert. In dem Verfahren (1) oder (2) wird, wenn als Druckzylinderwalze eine Walze verwendet wird, auf deren Oberfläche Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, ein Harzfilm mit Unregelmäßigkeiten erhalten, die auf beiden Seiten ausgebildet sind.
    • (1) Ein Verfahren des Hindurchführens eines Harzfilms zwischen einer Kühlwalze und einer Presswalze zum kontinuierlichen Übertragen von Unregelmäßigkeiten, die auf der Oberfläche der Presswalze ausgebildet sind, auf eine Oberfläche des Harzfilms.
    • (2) Ein Verfahren des Hindurchführens eines Harzes, das von einer Düse eines Extruders extrudiert worden ist, zwischen einer Kühlwalze und einer Presswalze zum Formen des erwärmten Harzes zu einer Filmform und gleichzeitig des kontinuierlichen Übertragens von Unregelmäßigkeiten, die auf der Oberfläche der Presswalze ausgebildet sind, auf eine Oberfläche des Harzes in Filmform.
  • Dabei ist in dem Verfahren (1) oder (2), wenn als Kühlwalze eine Walze mit Unregelmäßigkeiten, die auf deren Oberfläche ausgebildet sind, verwendet wird, ein Harzfilm mit Unregelmäßigen erhältlich, die auf beiden Seiten ausgebildet sind.
  • <Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit>
  • Das Polymer (I) und das Vernetzungsmittel sind mit denjenigen identisch, die vorstehend beschrieben worden sind.
  • Das Polymer (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit weist im Hinblick auf die Beschichtungseigenschaften der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit vorzugsweise keine vernetzte Struktur auf. D. h., in dem Fall des Polymers (A) ist das Polymer (A1) bevorzugt und in dem Fall des Polymers (B) ist das Polymer (B1) bevorzugt.
  • Als flüssiges Medium wird ein Medium zum Lösen oder Dispergieren des Polymers (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit verwendet und ein Medium zum Lösen des Polymers (I) ist bevorzugt.
  • In einem Fall, bei dem das Polymer (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit ein Polymer (A) ist, ist das flüssige Medium vorzugsweise ein wässriges Medium.
  • Das wässrige Medium ist ein flüssiges Medium, das mindestens Wasser enthält, und es kann z. B. Wasser oder ein Mischlösungsmittel aus Wasser und einem organischen Lösungsmittel sein.
  • Das organische Lösungsmittel in dem Mischlösungsmittel ist vorzugsweise ein Lösungsmittel mit einer Verträglichkeit mit Wasser und beispielsweise können Methanol, Ethanol, Propanol, Isopropanol, usw., genannt werden. Eines dieser organischen Lösungsmittel kann allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können gemischt verwendet werden.
  • In einem Fall, bei dem das Polymer (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit ein Polymer (B) ist, ist das flüssige Medium vorzugsweise Wasser.
  • In einem Fall, bei dem das Polymer (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit ein Gemisch aus dem Polymer (A) und dem Polymer (B) ist, ist das flüssige Medium vorzugsweise Wasser.
  • Die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit kann Komponenten enthalten, die von dem Polymer (I) und dem Vernetzungsmittel verschieden sind. Solche anderen Komponenten können mit den vorstehend beschriebenen anderen Komponenten identisch sein.
  • Der Gehalt des Polymers (I) in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit beträgt vorzugsweise von 2 bis 15 Massen-%, besonders bevorzugt von 5 bis 12 Massen-%, bezogen auf die Gesamtmenge (100 Massen-%) der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit. Wenn der Gehalt des Polymers (I) mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, sind die Filmbildungseigenschaften beim Trocknen hervorragend, und wenn er höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, sind die Beschichtungseigenschaften hervorragend.
  • Der Gehalt des Vernetzungsmittels in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit wird unter Berücksichtigung des Vernetzungsgrads des Polymers (I) in der Gasbarriereschicht 3 eingestellt. In einem Fall, bei dem die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ferner ein Vernetzungsmittel enthält, beträgt der Gehalt des Vernetzungsmittels in der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit vorzugsweise von 1 bis 20 Massen-%, besonders bevorzugt von 3 bis 15 Massen-%, bezogen auf das Polymer (I). Wenn der Gehalt des Vernetzungsmittels mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die Erzeugung eines Gases aus der Gasbarriereschicht 3 selbst unterdrückt werden, und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein. Wenn der Gehalt des Vernetzungsmittels höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist es weniger wahrscheinlich, dass die Gasbarriereschicht 3 beim Anpassen an das Formwerkzeug einer Rissbildung unterliegt, und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird hervorragend sein.
  • Die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit kann durch Mischen des Polymers (I) und des flüssigen Mediums und gegebenenfalls eines Vernetzungsmittels und anderer Komponenten hergestellt werden.
  • <Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht>
  • Der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 3 umfasst den Schritt (i) und gegebenenfalls den Schritt (ii).
  • In dem Schritt (i) wird die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit zur Bildung eines Beschichtungsfilms aufgebracht und getrocknet.
  • Als Beschichtungsverfahren kann ein Verfahren, das als Nassbeschichtungsverfahren bekannt ist, ohne irgendeine spezielle Beschränkung verwendet werden. Spezifische Beispiele umfassen ein Schleuderbeschichtungsverfahren, ein Walzenbeschichtungsverfahren, ein Gießverfahren, ein Tauchverfahren, ein Wassergießverfahren, ein Langmuir-Blodgett-Verfahren, ein Düsenbeschichtungsverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Spritz- bzw. Sprühbeschichtungsverfahren, usw.
  • Das Trocknen kann durch Lufttrocknen bei Raumtemperatur durchgeführt werden oder es kann durch Erwärmen und Einbrennen durchgeführt werden. Die Einbrenntemperatur ist vorzugsweise mindestens der Siedepunkt des flüssigen Lösungsmittels.
  • In dem Schritt (ii) wird das Polymer, das in dem in dem Schritt (i) gebildeten Beschichtungsfilm enthalten ist, zur Bildung einer vernetzten Struktur vernetzt. Ein derartiges Vernetzen des Polymers kann z. B. durch ein Verfahren des Einbrennens des Beschichtungsfilms oder ein Verfahren des Bestrahlens des Beschichtungsfilms mit Ultraviolettstrahlen oder Elektronenstrahlen durchgeführt werden.
  • In dem Fall des Verfahrens des Einbrennens des Beschichtungsfilms beträgt die Einbrenntemperatur vorzugsweise von 40 bis 60°C. Wenn sie weniger als 40°C beträgt, wird die Vernetzungsreaktion des Beschichtungsfilms ausreichend ablaufen, und wenn sie höchstens 60°C beträgt, wird eine Zersetzung bzw. ein Abbau des Beschichtungsfilms oder des Substrats geringer sein. Die Einbrennintegrationszeit (Temperatur (°C) × Zeit (Stunden)) beträgt vorzugsweise mindestens 4800.
  • Das Trocknungsverfahren in dem Schritt (i) kann auch als Schritt (ii) dienen.
  • (Vorteilhafte Effekte)
  • Durch den Formwerkzeugtrennfilm 1 ist es möglich, die Verunreinigung des Formwerkzeugs in einem Einkapselungsschritt eines Halbleiterelements zu vermindern, da er die Gasbarriereschicht 3 aufweist.
  • Vorstehend wurde ein Formwerkzeugtrennfilm vorgeschlagen, der durch Laminieren eines Harzfilms mit sehr guten Trenneigenschaften und eines Harzfilms mit sehr guten Gasbarriereeigenschaften erhalten wird, und der Harzfilm mit sehr guten Gasbarriereeigenschaften kann z. B. ein PET-Film, ein leicht formbarer PET-Film, ein Nylonfilm, ein Ethylen-Vinylalkohol-Copolymerfilm, usw., sein. In einem solchen Fall beträgt jedoch die Dicke des Harzfilms mit sehr guten Gasbarriereeigenschaften im Hinblick auf die Handhabungseffizienz mindestens 10 μm. Da die Dicke mindestens 10 μm beträgt, werden die Gasbarriereeigenschaften bereitgestellt, jedoch weist das Harz, das in dem Harzfilm enthalten ist, nicht notwendigerweise eine hohe Wärmebeständigkeit auf, und wenn es in dem Einkapselungsschritt einer hohen Temperatur ausgesetzt wurde, wurde aus der Gasbarriereschicht selbst eine große Menge Gas gebildet, was folglich zu dem widersprüchlichen Phänomen geführt hat, dass die Gasbarriereschicht selbst das Formwerkzeug verunreinigt hat.
  • In der vorliegenden Erfindung weist die Dicke der Gasbarriereschicht 3 einen kleinen Wert auf einem Niveau von höchstens 5 μm auf und folglich ist die Menge des Harzes, das ein Ausgasen verursacht, geringer. Daher ist verglichen mit der herkömmlichen Gasbarriereschicht die Menge des Ausgasens, das durch die Gasbarriereschicht 3 selbst verursacht wird, geringer, wodurch die Verunreinigung des Formwerkzeugs vermindert werden kann. Insbesondere wenn das Polymer (I) eine vernetzte Struktur aufweist, ist die Wärmebeständigkeit verglichen mit dem Fall, bei dem keine vernetzte Struktur vorliegt, hoch, und die Menge des erzeugten Ausgasens ist geringer.
  • Da in der vorliegenden Erfindung die Gasbarriereschicht 3 das Polymer (I) enthält, weist sie selbst dann, wenn sie dünn ist, ausreichende Gasbarriereeigenschaften auf. Ferner weist die Gasbarriereschicht 3 eine hervorragende Dehnbarkeit auf, wodurch es dann, wenn der Formwerkzeugtrennfilm 1 an das Formwerkzeug angepasst wird, weniger wahrscheinlich ist, dass die Gasbarriereschicht 3 einer Rissbildung unterliegt, oder es weniger wahrscheinlich ist, dass in dem Formwerkzeugtrennfilm 1 kleine Löcher gebildet werden. Folglich werden selbst nach dem Anpassen an das Formwerkzeug hervorragende Gasbarriereeigenschaften aufrechterhalten. Daher ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Ausgasen, usw., das aus einem aushärtbaren Harz in dem Einkapselungsschritt erzeugt wird, durch den Formwerkzeugtrennfilm 1 hindurchtritt, und es ist möglich, die Verunreinigung des Formwerkzeugs durch das Ausgasen, usw., zu vermindern. Ferner ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Formwerkzeugtrennversagen, das durch ein Austreten des aushärtbaren Harzes, usw., aus den kleinen Löchern oder ein Kleben derselben an dem Formwerkzeug verursacht wird, auftritt, und nach dem Aushärten des aushärtbaren Harzes kann der dadurch gebildete eingekapselte Körper, der einen Harzeinkapselungsabschnitt aufweist, in einer zufriedenstellenden Weise getrennt werden.
  • [Formwerkzeugtrennfilm in der zweiten Ausführungsform]
  • Die 2 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine zweite Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 4 in der zweiten Ausführungsform umfasst eine harzseitige Trennschicht 5, die beim Formen eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, eine Gasbarriereschicht 6, eine Haftmittelschicht 7 und eine formwerkzeugseitige Trennschicht 8, die beim Formen des Harzeinkapselungsabschnitts mit dem Formwerkzeug in Kontakt sein soll. Der Formwerkzeugtrennfilm 4 ist ein Film mit einer Struktur, die derart ist, dass auf der Seite der Gasbarriereschicht 3 des Formwerkzeugtrennfilms 1 in der ersten Ausführungsform die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 mittels der Haftmittelschicht 7 laminiert ist.
  • Bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses wird der Formwerkzeugtrennfilm 4 so angeordnet, dass die Oberfläche 5a auf der Seite der harzseitigen Trennschicht 5 auf den Hohlraum des Formwerkzeugs gerichtet ist und zum Zeitpunkt des Formens eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein wird. Ferner wird zu diesem Zeitpunkt die Oberfläche 8a auf der Seite der formwerkzeugseitigen Trennschicht in einem engen Kontakt mit der Hohlraumoberfläche des Formwerkzeugs sein. Durch Aushärten des aushärtbaren Harzes in diesem Zustand wird ein Harzeinkapselungsabschnitt mit einer Form gebildet, die der Form des Hohlraums des Formwerkzeugs entspricht.
  • (Harzseitige Trennschicht)
  • Die harzseitige Trennschicht 5 ist mit der harzseitigen Trennschicht 2 in der ersten Ausführungsform identisch. Mit Ausnahme der Dicke ist auch die bevorzugte Ausführungsform identisch.
  • Die Dicke der harzseitigen Trennschicht 5 beträgt vorzugsweise von 12 bis 50 μm, besonders bevorzugt von 25 bis 50 μm. Wenn die Dicke der harzseitigen Trennschicht 5 mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Handhabung (z. B. eine Rolle-zu-Rolle-Handhabung) des Formwerkzeugtrennfilms 4 einfach und es ist weniger wahrscheinlich, dass beim Anordnen des Formwerkzeugtrennfilms 4, während er gezogen wird, so dass er den Formwerkzeughohlraum bedeckt, Falten gebildet werden. Wenn die Dicke der harzseitigen Trennschicht 5 höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die Erzeugung eines Ausgasens während des Erwärmens von der harzseitigen Trennschicht 5 selbst unterdrückt werden und der Effekt der Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird noch besser sein. Ferner kann der Trennfilm 4 leicht verformt werden und weist folglich ein hervorragendes Formanpassungsvermögen auf.
  • (Gasbarriereschicht)
  • Die Gasbarriereschicht 6 ist mit der Gasbarriereschicht 3 in der ersten Ausführungsform identisch. Die bevorzugte Ausführungsform ist ebenfalls identisch.
  • (Haftmittelschicht)
  • Die Haftmittelschicht 7 ist eine Schicht zur Verbesserung der Haftung zwischen der Gasbarriereschicht 6 und der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8.
  • Die Haftmittelschicht 7 kann z. B. eine Schicht sein, die aus einem Haftmittel ausgebildet ist. Das Haftmittel enthält ein Basismittel und ein Aushärtungsmittel und es steht für ein Mittel, das z. B. durch Erwärmen ausgehärtet wird, so dass es haftet. Das Haftmittel kann ein Einkomponentenhaftmittel sein oder es kann ein Zweikomponentenhaftmittel sein.
  • Als Haftmittel kann ein Haftmittel verwendet werden, das als Haftmittel zum Trockenlaminieren bekannt ist. Beispielsweise kann ein Haftmittel, wie z. B. ein Haftmittel des Polyvinylacetat-Typs, ein Homopolymer oder Copolymer eines Acrylsäureesters (Ethylacrylat, Butylacrylat, 2-Ethylhexylacrylat, usw.), oder ein Haftmittel des Polyacrylsäureester-Typs, das aus einem Copolymer eines Acrylsäureesters und eines weiteren Monomers (Methylmethacrylat, Acrylnitril, Styrol, usw.) hergestellt ist, usw., ein Haftmittel des Cyanacrylat-Typs, ein Haftmittel des Ethylen-Copolymer-Typs, das aus einem Copolymer aus Ethylen und einem weiteren Monomer (Vinylacetat, Ethylacrylat, Acrylsäure, Methacrylsäure, usw.) hergestellt ist, usw., ein Haftmittel des Cellulosetyps, ein Haftmittel des Polyestertyps, ein Haftmittel des Polyamidtyps, ein Haftmittel des Polyimidtyps, ein Haftmittel des Aminoharztyps, das aus einem Harnstoffharz oder einem Melaminharz, usw., hergestellt ist, ein Haftmittel des Phenolharztyps, ein Haftmittel des Epoxytyps, ein Haftmittel des Polyurethantyps, bei dem ein Polyol (ein Polyetherpolyol, ein Polyesterpolyol, usw.) mit einem Isocyanat und/oder Isocyanurat vernetzt wird, ein reaktives (Meth)acrylsäurehaftmittel, ein Haftmittel des Kautschuktyps, das aus Chloroprenkautschuk, Nitrilkautschuk, Styrol-Butadien-Kautschuk, usw., hergestellt ist, ein Silikonhaftmittel, ein anorganisches Haftmittel, das aus einem Alkalimetallsilikat, einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt, usw., hergestellt ist, oder ein anderes Haftmittel verwendet werden.
  • Die Dicke der Haftmittelschicht 7 beträgt vorzugsweise von 0,1 bis 1 μm, besonders bevorzugt von 0,2 bis 0,5 μm. Wenn die Dicke der Haftmittelschicht 7 mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Haftung zwischen der Gasbarriereschicht 6 und der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 ausreichend hervorragend sein. Wenn die Dicke der Haftmittelschicht 7 höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann die Erzeugung eines Ausgasens während des Erwärmens von der Haftmittelschicht 7 selbst unterdrückt werden und der Effekt zur Verminderung der Verunreinigung des Formwerkzeugs wird noch besser sein.
  • (Formwerkzeugseitige Trennschicht)
  • Die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 kann eine Schicht sein, die ein Harz mit Trenneigenschaften umfasst. Als Harz mit Trenneigenschaften können ein Fluorharz, Polymethylpenten, syndiotaktisches Polystyrol, ein Polyester, ein Polyamid, ein Silikonkautschuk, usw., genannt werden.
  • Das Fluorharz kann mit demjenigen identisch sein, das in der Beschreibung der harzseitigen Trennschicht 2 genannt worden ist.
  • Als Polyester ist im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit und die Festigkeit Polyethylenterephthalat (nachstehend auch als „PET” bezeichnet), leicht formbares PET, Polybutylenterephthalat (nachstehend auch als „PBT bezeichnet) oder Polynaphthalinterephthalat bevorzugt.
  • Das leicht formbare PET ist ein PET, dessen Formbarkeit durch Copolymerisieren eines anderen Monomers oder von anderen Monomeren zusätzlich zu Ethylenglykol und Terephthalsäure (oder Dimethylterephthalat) verbessert ist. Insbesondere handelt es sich um PET mit einer Glasübergangstemperatur Tg von höchstens 105°C, die durch das folgende Verfahren gemessen wird.
  • Die Tg ist eine Temperatur, bei der tanδ(E''/E'), wobei es sich um das Verhältnis des Verlustmoduls E'' zu dem Speicherelastizitätsmodul E' handelt, die auf der Basis von ISO 6721-4: 1994 (JIS K7244-4: 1999) gemessen werden, den maximalen Wert erreicht. Die Tg wird durch Erhöhen der Temperatur von 20°C bis 180°C mit einer Geschwindigkeit von 2°C/min und Einstellen der Frequenz auf 10 Hz, der statischen Kraft auf 0,98 N und der dynamischen Verschiebung auf 0,035% gemessen.
  • Als Polyamid ist im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit, die Festigkeit und die Gasbarriereeigenschaften Nylon 6 oder Nylon MXD6 bevorzugt. Das Polyamid kann ein gestrecktes oder ungestrecktes Polyamid sein.
  • Als Harz, das in der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 enthalten ist, ist von diesen ein Fluorharz, Polymethylpenten oder syndiotaktisches Polystyrol bevorzugt und ein Fluorharz ist besonders bevorzugt.
  • Die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 kann nur aus dem vorstehend genannten Harz hergestellt sein oder sie kann ferner zusätzlich zu dem vorstehend genannten Harz Additive, wie z. B. anorganische Additive, organische Additive, usw., enthalten. Die anorganischen Additive können z. B. anorganische Füllstoffe sein, wie z. B. Ruß, Siliziumoxid, Titanoxid, Ceroxid, Aluminiumkobaltoxid, Glimmer, Zinkoxid, usw. Die organischen Additive können z. B. Silikonöle, Metallseifen, usw., sein.
  • Im Hinblick auf das Formwerkzeuganpassungsvermögen enthält die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 vorzugsweise keinen anorganischen Füllstoff.
  • Von der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 kann die Oberfläche, die beim Formen des Harzeinkapselungsabschnitts mit dem Formwerkzeug in Kontakt sein soll, d. h., die Oberfläche 8a der Seite der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 des Formwerkzeugtrennfilms 4, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen. Im Hinblick auf die Trenneigenschaften ist es bevorzugt, dass Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind. Die bevorzugte Ausführungsform bezüglich der Unregelmäßigkeiten ist die mit derjenigen in der harzseitigen Trennschicht 2 identisch, die vorstehend beschrieben worden ist, und die bevorzugte Ausführungsform bezüglich der Oberfläche 8a ist mit derjenigen der vorstehend beschriebenen Oberfläche 2a identisch.
  • Der bevorzugte Bereich der Dicke der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 ist mit demjenigen der harzseitigen Trennschicht 5 identisch.
  • (Dicke des Formwerkzeugtrennfilms)
  • Der bevorzugte Bereich der Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 4 ist mit demjenigen des Formwerkzeugtrennfilms 1 identisch.
  • (Durchlässigkeit für Xylolgas beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm des Formwerkzeugtrennfilms)
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 4 ist der bevorzugte Bereich der Durchlässigkeit für Xylolgas beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm mit demjenigen des Formwerkzeugtrennfilms 1 identisch.
  • (Massenverminderungsverhältnis des Formwerkzeugtrennfilms bei 180°C)
  • Der bevorzugte Bereich des Massenverminderungsverhältnisses des Formwerkzeugtrennfilms bei 180°C ist mit demjenigen des Formwerkzeugtrennfilms 1 identisch.
  • (Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms)
  • Als Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 4 ist das folgende Herstellungsverfahren bevorzugt.
  • Ein Herstellungsverfahren, umfassend:
    einen Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 6 auf einer Oberfläche eines ersten Harzfilms (Substrat, das eine Trennschicht enthält) zum Bilden der harzseitigen Trennschicht 5 und
    einen Schritt des Trockenlaminierens eines zweiten Harzfilms zum Bilden der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 auf der Gasbarriereschicht 6 unter Verwendung eines Haftmittels,
    wobei der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 6 einen Schritt (nachstehend auch als „Schritt (i-2)” bezeichnet) des Aufbringens einer Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit, die ein Polymer (I) und ein flüssiges Medium umfasst, gefolgt von einem Trocknen zum Bilden eines Beschichtungsfilms umfasst.
  • Die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit kann ferner ein Vernetzungsmittel umfassen.
  • In einem Fall, bei dem die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ein Vernetzungsmittel enthält, enthält der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht 6 nach dem Schritt (i-2) vorzugsweise ferner einen Schritt (nachstehend auch als „Schritt (ii-2)” bezeichnet) des Vernetzens des vorstehend genannten Polymers (I) zum Bilden einer vernetzten Struktur.
  • <Erster Harzfilm>
  • Der erste Harzfilm kann mit dem Harzfilm zum Bilden der harzseitigen Trennschicht 2, wie sie in der ersten Ausführungsform genannt worden ist, identisch sein.
  • <Zweiter Harzfilm>
  • Als zweiter Harzfilm kann ein handelsüblicher Harzfilm verwendet werden oder es kann ein Harzfilm verwendet werden, der mit einem bekannten Herstellungsverfahren hergestellt worden ist. Der Harzfilm kann ein Harzfilm sein, der einer Oberflächenbehandlung, wie z. B. einer Koronabehandlung, einer Plasmabehandlung, einer Haftvermittlerbeschichtungsbehandlung, usw., unterzogen worden ist.
  • Das Verfahren zur Herstellung des zweiten Harzfilms ist nicht speziell beschränkt und ein bekanntes Herstellungsverfahren, das in der Beschreibung des ersten Harzfilms genannt worden ist, kann eingesetzt werden.
  • <Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit>
  • Die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ist mit der Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit in der ersten Ausführungsform identisch.
  • <Schritt des Bildens der Gasbarriereschicht>
  • In dem Schritt des Bildens der Gasbarriereschicht sind der Schritt (i-2) und der Schritt (ii-2) jeweils mit dem Schritt (i) und dem Schritt (ii) in der ersten Ausführungsform identisch.
  • <Schritt des Trockenlaminierens der formwerkzeugseitigen Trennschicht>
  • Die Trockenlaminierung kann mit einem bekannten Verfahren durchgeführt werden. Beispielsweise wird auf der auf dem ersten Harzfilm ausgebildeten Gasbarriereschicht 6 ein Haftmittel aufgebracht und getrocknet und der zweite Harzfilm wird darauf gelegt, worauf die Anordnung durch Hindurchführen zwischen einem Paar von Walzen (Laminierwalzen), die auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt sind (Trockenlaminiertemperatur) gepresst wird. Auf diese Weise ist es möglich, einen Formwerkzeugtrennfilm 4 zu erhalten. Nach dem Laminieren kann gegebenenfalls ein Altern, Schneiden, usw., durchgeführt werden.
  • (Vorteilhafte Effekte)
  • Durch den Formwerkzeugtrennfilm 4 ist es wie bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 in der ersten Ausführungsform möglich, die Verunreinigung des Formwerkzeugs in dem Einkapselungsschritt eines Halbleiterelements zu vermindern. Ferner ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Formwerkzeugtrennversagen auftritt und nach dem Aushärten eines aushärtbaren Harzes kann der gebildete eingekapselte Körper mit einem Harzeinkapselungsabschnitt in einer zufriedenstellenden Weise von dem Formwerkzeug getrennt werden. Da er die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 aufweist, ist es ferner möglich, ein Übertragen der Gasbarriereschicht 6 auf die Oberfläche des Formwerkzeugs in dem Einkapselungsvorgang zu verhindern.
  • Vorstehend wurde der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die erste und die zweite Ausführungsform beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. In den vorstehenden Ausführungsformen sind der jeweilige Aufbau und deren Kombinationen, usw., lediglich beispielhaft und Hinzufügungen, Weglassungen, Substitutionen oder andere Modifizierungen des Aufbaus können innerhalb eines Bereichs durchgeführt werden, der nicht von dem Wesen der vorliegenden Erfindung abweicht.
  • In der zweiten Ausführungsform ist ein Aufbau gezeigt, in dem die harzseitige Trennschicht 5, die Gasbarriereschicht 6, die Haftmittelschicht 7 und die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 in dieser Reihenfolge laminiert sind, jedoch können die Gasbarriereschicht 6 und die Haftmittelschicht 7 ausgetauscht werden. Beispielsweise kann die Gasbarriereschicht 6 auf der formwerkzeugseitigen Trennschicht 8 ausgebildet werden und dann kann auf der Gasbarriereschicht 6 die harzseitige Trennschicht 5 unter Verwendung eines Haftmittels trockenlaminiert werden.
  • Im Hinblick darauf, ein Hindurchtreten eines Ausgasens von der Haftmittelschicht 7 zu verhindern, ist es bevorzugt, dass die Gasbarriereschicht 6 an einer Position angrenzend an die formwerkzeugseitige Trennschicht 8 bereitgestellt ist.
  • In der zweiten Ausführungsform kann ein Aufbau eingesetzt werden, der keine Haftmittelschicht 7 aufweist.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung kann ferner mit einer Schicht versehen werden, die von der harzseitigen Trennschicht, der Gasbarriereschicht, der Haftmittelschicht und der formwerkzeugseitigen Trennschicht verschieden ist.
  • Als eine solche weitere Schicht kann z. B. eine Antistatikschicht genannt werden. Wenn der Formwerkzeugtrennfilm eine Antistatikschicht aufweist, wird der Formwerkzeugtrennfilm Antistatikeigenschaften aufweisen, und bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses ist es selbst dann, wenn ein Teil des Halbleiterelements in einem direkten Kontakt mit dem Formwerkzeugtrennfilm ist, möglich, ein Brechen des Halbleiterelements durch Aufladen/Entladen des Formwerkzeugtrennfilms zu vermeiden.
  • In antistatischer Hinsicht beträgt der Oberflächenwiderstandswert der Antistatikschicht vorzugsweise höchstens 1010 Ω/☐, besonders bevorzugt höchstens 109 Ω/☐.
  • Als Antistatikschicht kann eine Schicht genannt werden, die ein Antistatikmittel enthält. Als Antistatikmittel ist ein Antistatikmittel des Polymertyps bevorzugt. Das Antistatikmittel des Polymertyps kann eine Polymerverbindung sein, die als Antistatikmittel bekannt ist. Es kann z. B. ein kationisches Copolymer, das eine quaternäre Ammoniumbase an dessen Seitengruppen aufweist, ein anionisches Polymer, das Polystyrolsulfonsäure enthält, ein nichtionisches Polymer, das ein Polyetheresteramid enthält, ein Ethylenoxid-Epichlorhydrin, ein Polyetherester, usw., ein π-konjugiertes leitendes Polymer, usw., sein. Eines davon kann allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können in einer Kombination verwendet werden.
  • Ein Antistatikmittel kann in das Haftmittel zum Bilden einer Haftmittelschicht 7 einbezogen werden, so dass die Haftmittelschicht 7 eine Funktion als eine Antistatikschicht aufweist.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise ein Film mit einer Schichtstruktur, die, betrachtet von der Seite, die beim Formen eines Harzeinkapselungsabschnitts mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, ausgewählt ist aus einer Zweischichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Gasbarriereschicht, einer 3-Schichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Gasbarriereschicht/der formwerkzeugseitigen Trennschicht, einer 3-Schichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Antistatikschicht/der Gasbarriereschicht, einer 4-Schichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Gasbarriereschicht/der Haftmittelschicht/der formwerkzeugseitigen Trennschicht und einer 4-Schichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Haftmittelschicht/der Gasbarriereschicht/der formwerkzeugseitigen Trennschicht.
  • Von den Vorstehenden ist im Hinblick darauf, dass alle Gase, die aus dem Formwerkzeugtrennfilm selbst erzeugt werden, unterdrückt werden, eine Schichtstruktur bevorzugt, in der die Gasbarriereschicht an der Seite angeordnet ist, die dem Formwerkzeug am nächsten ist, und besonders bevorzugt ist die Zweischichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht/der Gasbarriereschicht.
  • [Halbleitergehäuse]
  • Das Halbleitergehäuse, das durch das folgende Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung, bei dem der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung verwendet wird, hergestellt werden soll, kann z. B. eine integrierte Schaltung, die integrierte Halbleiterelemente aufweist, wie z. B. einen Transistor, eine Diode, usw., eine lichtemittierende Diode, die ein lichtemittierendes Element aufweist, usw., sein.
  • Die Gehäuseform der integrierten Schaltung kann eine Gehäuseform sein, welche die gesamte integrierte Schaltung bedeckt, oder eine Gehäuseform, die einen Teil der integrierten Schaltung bedeckt (einen Teil der integrierten Schaltung freilässt). Als spezifisches Beispiel können BGA („Ball Grid Array”), QFN („Quad Flat Non-leaded package”), SON („Small Outline Non-leaded package”), usw., genannt werden.
  • Als Halbleitergehäuse ist im Hinblick auf die Produktivität ein Gehäuse bevorzugt, das mittels eines Chargeneinkapselns und einer Vereinzelung hergestellt wird, und z. B. kann eine integrierte Schaltung, usw., genannt werden, bei der das Einkapselungssystem ein MAP(„Molded Array Packaging”)-System oder ein WL(„Wafer Level Packaging”)-System ist.
  • Die 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel des Halbleitergehäuses zeigt.
  • Das Halbleitergehäuse 110 dieses Beispiels umfasst ein Substrat 10, einen Halbleiterchip (Halbleiterelement) 12, der auf dem Substrat 10 montiert ist, einen Harzeinkapselungsabschnitt 14 zum Einkapseln des Halbleiterchips 12 und eine Druckfarbenschicht 16, die auf der oberen Fläche 14a des Harzeinkapselungsabschnitts 14 ausgebildet ist.
  • Der Halbleiterchip 12 weist eine Oberflächenelektrode (nicht gezeigt) auf, das Substrat 10 weist eine Substratelektrode (nicht gezeigt) auf, die der Oberflächenelektrode des Halbleiterchips 12 entspricht, und die Oberflächenelektrode und die Substratelektrode sind mittels eines Bonddrahts 18 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die Dicke des Harzeinkapselungsabschnitts 14 (der kürzeste Abstand von der Halbleiterchip 12-Montageoberfläche des Substrats 10 bis zur oberen Fläche 14a des Harzeinkapselungsabschnitts 14) ist nicht speziell beschränkt, beträgt jedoch vorzugsweise mindestens „die Dicke des Halbleiterchips 12” und höchstens „die Dicke des Halbleiterchips 12 + 1 mm”, besonders bevorzugt mindestens „die Dicke des Halbleiterchips 12” und höchstens „die Dicke des Halbleiterchips 12 + 0,5 mm”.
  • Die 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel des Halbleitergehäuses zeigt.
  • Das Halbleitergehäuse 120 dieses Beispiels umfasst ein Substrat 70, einen Halbleiterchip (Halbleiterelement) 72, der auf dem Substrat 70 montiert ist, und eine Unterfüllung (Harzeinkapselungsabschnitt) 74.
  • Die Unterfüllung 74 füllt einen Spalt zwischen dem Substrat 70 und der Hauptoberfläche des Halbleiterchips 72 (einer Oberfläche auf der Seite des Substrats 70), und die Rückfläche des Halbleiterchips 72 (eine Oberfläche gegenüber der Seite des Substrats 70) liegt frei.
  • [Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses]
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses, das aus einem Halbleiterelement und einem aushärtbaren Harz ausgebildet ist, und das einen Harzeinkapselungsabschnitt zum Einkapseln des Halbleiterelements aufweist, und umfasst:
    einen Schritt des Anordnens des vorstehend beschriebenen Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung auf einer Oberfläche des Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll,
    einen Schritt des Anordnens eines Substrats, auf dem ein Halbleiterelement montiert ist, in dem Formwerkzeug, und des Füllens eines aushärtbaren Harzes in einen Raum in dem Formwerkzeug, gefolgt von einem Aushärten zum Bilden eines Harzeinkapselungsabschnitts, wodurch ein eingekapselter Körper erhalten wird, der das Substrat, das Halbleiterelement und den Harzeinkapselungsabschnitt aufweist, und
    einen Schritt des Trennens des eingekapselten Körpers von dem Formwerkzeug.
  • Als Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung kann ein bekanntes Herstellungsverfahren eingesetzt werden, mit der Ausnahme, dass der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Beispielsweise kann als Verfahren zum Bilden des Harzeinkapselungsabschnitts ein Formpressverfahren oder ein Spritzpressverfahren genannt werden, und als dabei verwendete Vorrichtung kann eine bekannte Formpressvorrichtung oder Spritzpressvorrichtung verwendet werden. Die Herstellungsbedingungen können mit den Bedingungen in einem bekannten Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses identisch sein.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Unter Bezugnahme auf die 5 bis 7 wird die erste Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung beschrieben. Diese Ausführungsform ist ein Beispiel für die Herstellung des Halbleitergehäuses 110, das in der 3 gezeigt ist, durch ein Formpressverfahren unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Formwerkzeugtrennfilms 1 als Formwerkzeugtrennfilm.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses in dieser Ausführungsform umfasst die folgenden Schritte (α1) bis (α7).
    • (α1) Einen Schritt des Anordnens des Formwerkzeugtrennfilms 1 in einem Formwerkzeug mit einem feststehenden oberen Formwerkzeug 20, einem unteren Hohlraumoberflächenelement 22 und einem rahmenförmigen bewegbaren unteren Formwerkzeug 24, das entlang der Umfangskante des unteren Hohlraumoberflächenelements 22 angeordnet ist, so dass der Formwerkzeugtrennfilm 1 einen Hohlraum 26 des Formwerkzeugs bedeckt und die Oberfläche 2a auf der Seite der harzseitigen Trennschicht 2 des Formwerkzeugtrennfilms 1 auf einen Raum in dem Hohlraum 26 gerichtet ist (so dass die Oberfläche 3a auf der Seite der Gasbarriereschicht 3 mit der Hohlraumoberfläche des Formwerkzeugs in Kontakt ist) (5).
    • (α2) Einen Schritt des Vakuumansaugens des Formwerkzeugtrennfilms 1 auf die Seite der Hohlraumoberfläche des Formwerkzeugs (5).
    • (α3) Einen Schritt des Füllens eines aushärtbaren Harzes 40 in den Hohlraum 26, wobei die Hohlraumoberfläche durch den Formwerkzeugtrennfilm 1 bedeckt ist (5).
    • (α4) Einen Schritt des Anordnens eines Substrats 10, das eine Mehrzahl von darauf montierten Halbleiterchips 12 aufweist, an einer vorgegebenen Position in dem Hohlraum 26 und des Klemmens des Formwerkzeugs (6), so dass die Mehrzahl von Halbleiterchips 12 durch das aushärtbare Harz 40 zusammen eingekapselt wird, so dass ein Harzeinkapselungsabschnitt 14 gebildet wird (7), wodurch ein zusammen eingekapselter Körper erhalten wird, der das Substrat 10, die Mehrzahl von auf dem Substrat 10 montierten Halbleiterchips 12 und den Harzeinkapselungsabschnitt 14, der die Mehrzahl von Halbleiterchips 12 zusammen einkapselt, erhalten wird.
    • (α5) Einen Schritt des Entnehmens des zusammen eingekapselten Körpers aus dem inneren des Formwerkzeugs.
    • (α6) Einen Schritt des Schneidens des Substrats 10 und des Harzeinkapselungsabschnitts 14 des zusammen eingekapselten Körpers, so dass die Mehrzahl von Halbleiterchips 12 getrennt wird, wodurch vereinzelte eingekapselte Körper erhalten werden, die jeweils ein Substrat 10, mindestens einen auf dem Substrat 10 montierten Halbleiterchip und einen Harzeinkapselungsabschnitt 14, der den Halbleiterchip 12 einkapselt, aufweisen.
    • (α7) Einen Schritt des Bildens einer Druckfarbenschicht 16 auf der oberen Fläche 14a des Harzeinkapselungsabschnitts 14 des vereinzelten eingekapselten Körpers unter Verwendung einer Druckfarbe, so dass ein Halbleitergehäuse 110 erhalten wird.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Unter Bezugnahme auf die 8 bis 11 wird eine zweite Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung beschrieben. Diese Ausführungsform ist ein Beispiel, in dem das Halbleitergehäuse 120, das in der 4 gezeigt ist, durch ein Spritzpressverfahren unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Formwerkzeugtrennfilms 1 als Trennfilm hergestellt wird.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses in dieser Ausführungsform umfasst die folgenden Schritte (β1) bis (β5).
    • (β1) Einen Schritt des Anordnens des Formwerkzeugtrennfilms 1, so dass der Formwerkzeugtrennfilm 1 den Hohlraum 54 eines oberen Formwerkzeugs 50 des Formwerkzeugs bedeckt, das ein oberes Formwerkzeug 50 und ein unteres Formwerkzeug 52 aufweist, und die Oberfläche 2a auf der Seite der harzseitigen Trennschicht 2 des Formwerkzeugtrennfilms 1 auf den Raum in dem Hohlraum 54 gerichtet ist (so dass die Oberfläche 3a auf der Seite der Gasbarriereschicht 3 mit der Hohlraumoberfläche 56 des oberen Formwerkzeugs 50 in Kontakt ist) (8).
    • (β2) Einen Schritt des Vakuumansaugens des Formwerkzeugtrennfilms 1 auf die Seite der Hohlraumoberfläche 56 des oberen Formwerkzeugs 50 (9).
    • (β3) Einen Schritt des Anordnens eines Substrats 70, auf dem ein Halbleiterchip 72 montiert ist, auf dem Substratanordnungsabschnitt 58 des unteren Formwerkzeugs 52 und des Klemmens des oberen Formwerkzeugs 50 und des unteren Formwerkzeugs 52, so dass der Formwerkzeugtrennfilm 1 in einem engen Kontakt mit der Rückfläche des Halbleiterchips 72 ist (der Oberfläche auf der Seite gegenüber der Seite des Substrats 70) (9).
    • (β4) Einen Schritt des Drückens des Kolbens 64 des Harzanordnungsabschnitts 62 des unteren Formwerkzeugs 52 nach oben zum Füllen eines aushärtbaren Harzes 40, das im Vorhinein auf dem Harzanordnungsabschnitt 62 angeordnet worden ist, in den Hohlraum 54 durch den Harzeinführungsabschnitt 60 des oberen Formwerkzeugs 50, worauf ausgehärtet wird, so dass eine Unterfüllung 74 gebildet wird, wodurch ein Halbleitergehäuse 120 (eingekapselter Körper) erhalten wird, der das Substrat 70, den Halbleiterchip 72 und die Unterfüllung 74 (10) aufweist.
    • (β5) Einen Schritt des Entnehmens des Halbleitergehäuses 120 aus dem Inneren des Formwerkzeugs (11). Dabei befindet sich an der Unterfüllung 74 des entnommenen Halbleitergehäuses 120 ein ausgehärtetes Produkt 76, welches das ausgehärtete Harz 40 aufweist, das in dem Harzeinführungsabschnitt 60 ausgehärtet ist. Das ausgehärtete Produkt 76 wird abgeschnitten, so dass ein Halbleitergehäuse 120 erhalten wird.
  • Vorstehend wurde das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die erste und die zweite Ausführungsform beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. In den vorstehenden Ausführungsformen sind der jeweilige Aufbau und deren Kombinationen, usw., lediglich beispielhaft und Hinzufügungen, Weglassungen, Substitutionen oder andere Modifizierungen des Aufbaus können innerhalb eines Bereichs durchgeführt werden, der nicht von dem Wesen der vorliegenden Erfindung abweicht.
  • In der ersten Ausführungsform ist ein Beispiel gezeigt, in dem nach dem Schritt (α5) der Schritt (α6) und der Schritt (α7) in dieser Reihenfolge durchgeführt werden, jedoch können der Schritt (α6) und der Schritt (α7) in der umgekehrten Reihenfolge durchgeführt werden. D. h., auf der Oberfläche des Harzeinkapselungsabschnitts des zusammen eingekapselten Körpers, der aus dem Formwerkzeug entnommen worden ist, kann unter Verwendung einer Druckfarbe eine Druckfarbenschicht ausgebildet werden, und dann können das Substrat und der Harzeinkapselungsabschnitt des zusammen eingekapselten Körpers geschnitten werden.
  • Der zeitliche Ablauf des Ablösens des Harzeinkapselungsabschnitts von dem Formwerkzeugtrennfilm ist nicht auf den Zeitpunkt des Entnehmens des Harzeinkapselungsabschnitts aus dem Formwerkzeug beschränkt, sondern der Harzeinkapselungsabschnitt kann aus dem Formwerkzeug zusammen mit dem Formwerkzeugtrennfilm entnommen werden und dann kann der Formwerkzeugtrennfilm von dem Harzeinkapselungsabschnitt abgelöst werden.
  • Die Abstände zwischen angrenzenden Halbleiterchips 12 der zusammen eingekapselten Mehrzahl von Halbleiterchips 12 können einheitlich oder uneinheitlich sein. Im Hinblick darauf, dass das Einkapseln einheitlich gemacht werden kann und die Belastung, die auf jeden der Mehrzahl von Halbleiterchips 12 ausgeübt wird, einheitlich sein wird (die Belastung wird minimiert), ist es bevorzugt, die Abstände zwischen angrenzenden Halbleiterchips 12 der Mehrzahl von Halbleiterchips 12 einheitlich zu machen.
  • Das Halbleitergehäuse 110 kann wie in der zweiten Ausführungsform durch ein Spritzpressverfahren hergestellt werden und das Halbleitergehäuse 120 kann wie in der ersten Ausführungsform durch ein Formpressverfahren hergestellt werden.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm kann jedweder Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung sein und ist nicht auf den Formwerkzeugtrennfilm 1 beschränkt. Beispielsweise kann ein Formwerkzeugtrennfilm 4 verwendet werden.
  • Das Formwerkzeug in der ersten Ausführungsform ist nicht auf dasjenige beschränkt, das in der 5 gezeigt ist, und ein Formwerkzeug, das als Formwerkzeug zur Verwendung für ein Formpressverfahren bekannt ist, kann verwendet werden. Das Formwerkzeug in der zweiten Ausführungsform ist nicht auf dasjenige beschränkt, das in der 8 gezeigt ist, und ein Formwerkzeug, das als Formwerkzeug zur Verwendung für ein Spritzpressverfahren bekannt ist, kann verwendet werden.
  • Halbleitergehäuse, die durch das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses der vorliegenden Erfindung hergestellt werden sollen, sind nicht auf die Halbleitergehäuse 110 und 120 beschränkt. Abhängig von dem herzustellenden Halbleitergehäuse müssen die Schritte (α6) und (α7) in der ersten Ausführungsform nicht durchgeführt werden. Beispielsweise ist die Form des Harzeinkapselungsabschnitts nicht auf diejenige beschränkt, die in der 3 oder 4 gezeigt ist, und sie kann einen Niveauunterschied, usw., aufweisen. Die Anzahl der Halbleiterelemente, die in dem Harzeinkapselungsabschnitt eingekapselt werden sollen, kann eins oder mehr betragen. Die Druckfarbenschicht ist in dem Fall der Herstellung einer lichtemittierenden Diode als Halbleitergehäuse nicht essentiell, wobei der Harzeinkapselungsabschnitt auch als Linseneinheit wirkt, wodurch üblicherweise keine Druckfarbenschicht auf der Oberfläche des Harzeinkapselungsabschnitts gebildet wird. In dem Fall einer solchen Linseneinheit können als die Form des Harzeinkapselungsabschnitts verschiedene Linsenformen eingesetzt werden, wie z. B. halbkugelförmig, geschossförmig, ein Fresnellinsentyp, halbzylindrisch, ein im Wesentlichen halbkugelförmiger Linsenanordnungstyp (Linsenarray-typ), usw.
  • BEISPIELE
  • Nachstehend wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele detailliert beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht durch die folgende Beschreibung beschränkt.
  • Von den nachstehend angegebenen Bsp. 1 bis 25 sind die Bsp. 1 bis 18 Beispiele der vorliegenden Erfindung und die Bsp. 19 bis 25 sind Vergleichsbeispiele.
  • Die Bewertungsverfahren und Materialien, die in den jeweiligen Bsp. verwendet werden, sind wie folgt.
  • [Bewertungsverfahren]
  • (Dicke)
  • Die Dicke eines Films wurde gemäß ISO 4591: 1992 (JIS K7130: 1999, B1-Verfahren; Verfahren zur Messung der Dicke durch ein Masseverfahren einer aus einer Kunststofffolie oder -lage entnommenen Probe) gemessen. Die Dicke einer Gasbarriereschicht wurde durch ein Infrarotfilmdickenmessgerät des Durchlasstyps RX-100 (Handelsbezeichnung, von Kurabo Industries Ltd. hergestellt) gemessen.
  • (Arithmetischer Mittenrauwert (Ra))
  • Der arithmetische Mittenrauwert (Ra) der Oberfläche eines Films wurde auf der Basis von JIS B0601: 2013 (ISO 4287: 1997, Amd. 1: 2009) gemessen. Die Standardlänge Ir (Grenzwert λc) für eine Rauheitskurve wurde auf 0,8 mm eingestellt.
  • (180°C-Zugdehnung)
  • Die Messung basiert auf JIS K7127: 1999 (ISO 527-3: 1995). Die Probenform war eine Nr. 5-Hantel, die Messtemperatur betrug 180°C und die Messgeschwindigkeit betrug 200 mm/min.
  • (180°C-Massenverminderungsrate)
  • Ein Formwerkzeugtrennfilm wurde zur Herstellung einer Testprobe zu einem 10 cm-Quadrat ausgeschnitten und die Masse der Testprobe (die Masse vor dem Erwärmen, Einheit: mg) wurde unter Verwendung einer Waage gemessen. Als Waage wurde eine elektronische Waage L420P (Handelsbezeichnung, hergestellt von Sartorius) verwendet. Dann wurde die Testprobe sandwichartig zwischen einem Paar von Blechen aus rostfreiem Stahl mit 15 cm im Quadrat und einer Dicke von 0,2 mm angeordnet (SUS304). Diese Anordnung wurde für 20 Minuten bei Bedingungen von 180°C und 1 MPa gepresst. Danach wurde die Testprobe entnommen und die Masse der Testprobe (die Masse nach dem Erwärmen, Einheit: mg) wurde in der gleichen Weise gemessen, wie es vorstehend beschrieben worden ist. Aus den Messergebnissen wurde die Massenverminderungsrate (%) auf der Basis der folgenden Formel berechnet. Massenverminderungsrate (%) = {(Masse vor dem Erwärmen) – (Masse nach dem Erwärmen)}/(Masse vor dem Erwärmen) × 100
  • (Unlöslichkeitsgrad der Gasbarriereschicht)
  • Berechnung des Basisgewichts (W1) einer Gasbarriereschicht:
  • In jedem Bsp. wurden das Basisgewicht (g/m2) des Films (Trennschicht) vor dem Aufbringen einer Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit (nachstehend auch als „das Basisgewicht des Films vor dem Beschichten” bezeichnet) und das Basisgewicht (g/m2) des Films nach dem Bilden einer Gasbarriereschicht durch Aufbringen einer Gasbarriereschichtbildenden Beschichtungsflüssigkeit auf den Film (das Basisgewicht der Summe aus dem Film und der Gasbarriereschicht, nachstehend auch als „das Basisgewicht des Films nach dem Beschichten” bezeichnet) gemessen. Aus den Ergebnissen wurde durch die folgende Formel das Basisgewicht W1 (g/m2) der Gasbarriereschicht allein berechnet. W1 = (das Basisgewicht des Films nach dem Beschichten) – (das Basisgewicht des Films vor dem Beschichten)
  • Auflösungstest:
  • Der zu einem 10 cm-Quadrat geschnittene Formwerkzeugtrennfilm wurde für 1 Stunde in ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C eingetaucht und erwärmt. Währenddessen wurde ein Rühren für 1 Minute in 30 Minuten-Intervallen durchgeführt. Das Rühren wurde unter Verwendung eines Rührers durchgeführt. Nach dem Ende des Erwärmens für 1 Stunde wurde der Formwerkzeugtrennfilm entnommen, dann in ionenausgetauschtes Wasser, das in einem anderen Behälter enthalten war, bei 80°C für 10 Minuten eingetaucht und gewaschen, und weiter in ionenausgetauschtes Wasser, das in einem nochmals anderen Behälter enthalten war, bei 20 bis 25°C für 10 Minuten eingetaucht, gewaschen und gekühlt. Der Formwerkzeugtrennfilm wurde nach dem Waschen und Kühlen bei 100°C für 2 Stunden vakuumgetrocknet.
  • Berechnung des Unlöslichkeitsgrads:
  • Die Masse des Formwerkzeugtrennfilms nach dem Vakuumtrocknen in dem vorstehend beschriebenen Auflösungstest wurde gemessen und das Basisgewicht (g/m2) des Formwerkzeugtrennfilms (nachstehend auch als „das Basisgewicht des Films nach dem Auflösen” bezeichnet) wurde berechnet. Aus den Ergebnissen wurde durch die folgende Formel das Basisgewicht W2 (g/m2) der Gasbarriereschicht, die nach dem Durchführen des Auflösungstests zurückblieb, berechnet. W2 = (das Basisgewicht nach dem Auflösen) – (das Basisgewicht des Films vor dem Beschichten)
  • Aus W1 und W2, die erhalten worden sind, wurde der Unlöslichkeitsgrad (%) durch die folgende Formel erhalten. Unlöslichkeitsgrad (%) = (W2/W1) × 100
  • (Durchlässigkeit für Xylolgas beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm)
  • Dieses Bewertungsverfahren wird unter Bezugnahme auf die 12 beschrieben.
  • Einem ersten Behälter 91, der aus Aluminium hergestellt war und eine Konkavität mit einem Durchmesser von 60 mm und einer Tiefe von 10 mm aufwies, wurden 1,5 g (1 in der 12) Xylol (von Kanto Chemical Co., Inc. hergestellt, Xylol „first class”) tropfenweise zugesetzt.
  • In einer Konkavität eines zweiten Behälters 92, der aus Aluminium hergestellt war und die gleiche Form wie der erste Behälter 91 aufwies, wurde eine poröse Keramik (Aluminiumoxidsinterkörper) 93 mit einem Durchmesser von 60 mm und einer Dicke von 8 mm eingepasst. Ferner wurde ein Gewindebohrloch 92a an der Bodenfläche der Konkavität ausgebildet und eine Vakuumpumpe TSW-200 (Handelsbezeichnung, hergestellt von Sato Vac Inc.), die in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, wurde damit verbunden. Der zweite Behälter 92 wurde auf dem ersten Behälter 91 derart angeordnet, dass die Öffnung der Konkavität nach unten zeigte (auf die Seite des ersten Behälters 91) und der erste Behälter 91 und der zweite Behälter 92 wurden in einem Zustand verbunden, bei dem der Formwerkzeugtrennfilm 100 und ein aus Polytetrafluorethylen hergestellter Flansch 94 sandwichartig dazwischen angeordnet waren, und durch Schrauben fixiert, so dass ein Prüfkörper 90 erhalten wurde. Die Masse (g) (nachstehend als „die Masse vor dem Erwärmen” bezeichnet) des gesamten Prüfkörpers 90 wurde durch eine elektronische Waage (von Sartorius hergestellt) gemessen.
  • Dann wurde der Prüfkörper 90 auf einer auf 180°C erwärmten Heizplatte, die nicht gezeigt ist, angeordnet und gleichzeitig wurde die Vakuumpumpe eingeschaltet, worauf der Prüfkörper 90 für 15 Minuten stehengelassen wurde, während der Vakuumgrad bei –100 kPa oder niedriger gehalten wurde. Dabei erreichte in dem Prüfkörper 90, wie es in der 12 gezeigt ist, die poröse Keramik 93 einen Zustand, in dem sie mit der Bodenfläche des zweiten Behälters 92 in Kontakt war, und eine Niveaudifferenz von 2 mm zwischen der unteren Fläche der porösen Keramik 93 und dem unteren Ende (der Öffnungsfläche der Aussparung) des zweiten Behälters 92 gebildet wurde. Ferner wurde der Formwerkzeugtrennfilm 100 so gedehnt, dass er in einem engen Kontakt mit der Innenumfangsfläche der Aussparung des zweiten Behälters 92 und der unteren Fläche der porösen Keramik 93 vorlag. Nach 15 Minuten wurde die Vakuumpumpe gestoppt und getrennt, worauf die Masse (g) (nachstehend als „die Masse nach dem Erwärmen” bezeichnet) des gesamten Prüfkörpers sofort gemessen wurde. Aus den Messergebnissen wurde die Xylolgasdurchlässigkeit durch die folgende Formel berechnet. Xylolgasdurchlässigkeit (%) = {(Masse vor dem Erwärmen – Masse nach dem Erwärmen)/1,5} × 100
  • (Reißen der Barriereschicht beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm)
  • Nach der Bewertung der Xylolgasdurchlässigkeit wurde der Formwerkzeugtrennfilm aus dem Prüfkörper 90 entnommen und das Vorliegen oder das Fehlen eines Reißens der Gasbarriereschicht wurde durch ein Mikroskop bestätigt und durch die folgenden Standards bewertet.
    • o (gut):
    Es wurde kein Reißen festgestellt.
    Δ (akzeptabel):
    Nur an Ecken wurde ein Reißen der Barriereschicht teilweise festgestellt.
    × (schlecht):
    Ein Reißen wurde überall festgestellt.
  • (Formwerkzeug-Antiverschmutzungstest)
  • Für den Test wurde eine Halbleitereinkapselungs-Formpressvorrichtung PMC1040 (Handelsbezeichnung, von TOWA Corporation hergestellt) verwendet. Die Halbleitereinkapselungs-Formpressvorrichtung PMC1040 ist eine Vorrichtung, die mit einem Formwerkzeug ausgestattet ist, wie es in der 5 gezeigt ist (ein feststehendes oberes Formwerkzeug 20, ein unteres Hohlraumoberflächenelement 22, ein bewegbares unteres Formwerkzeug 24).
  • Ein Formpressen durch das nachstehende Verfahren unter den folgenden Bedingungen wurde für 2000 Pressvorgänge durchgeführt.
  • <Formpressverfahren>
  • In der Halbleitereinkapselungs-Formpressvorrichtung PMC1040 wird ein Formwerkzeugtrennfilm von einer Rolle abgewickelt, dann auf einem Tisch fixiert und zu einer vorgegebenen Länge geschnitten. Danach wird ein aushärtbares Harz auf den Formwerkzeugtrennfilm aufgebracht und dieser wird in diesem Zustand auf einen Hohlraum gefördert, der durch das untere Hohlraumoberflächenelement 22 und das bewegbare untere Formwerkzeug 24 ausgebildet ist. Nachdem der Formwerkzeugtrennfilm auf dem Hohlraum angeordnet worden ist, werden das feststehende obere Formwerkzeug 20 und das bewegbare untere Formwerkzeug 24 geklemmt und Luft wird durch eine Vakuumpumpe von Vakuumansauglöchern an der Umfangskante des Hohlraums abgezogen, so dass sich der Formwerkzeugtrennfilm an die Hohlraumoberfläche anpasst und Luftblasen aus dem aushärtbaren Harz entfernt werden. Danach wird das untere Hohlraumoberflächenelement 22 angehoben, so dass eine vorgegebene Endtiefe und Klemmkraft erreicht werden und dieser Zustand wird für eine vorgegebene Klemmzeit aufrechterhalten, so dass ein Formpressen durchgeführt wird.
  • <Formpressbedingungen>
    • Formwerkzeugtemperatur: 180°C.
    • Hohlraumgröße: 210 mm × 70 mm.
    • Endtiefe des Hohlraums: 0,6 mm.
    • Aushärtbares Harz: SUMIKON EME G770H Typ F Ver. GR (hergestellt von Sumitomo Bakelite Co., Ltd.).
    • Vakuumgrad beim Anpassen an die Hohlraumoberfläche: –85 kPa.
    • Vakuumgrad beim Entfernen von Luftblasen aus dem aushärtbaren Harz: –80 kPa.
    • Zeit für das Entfernen von Luftblasen aus dem aushärtbaren Harz: 10 Sekunden.
    • Klemmzeit: 150 Sekunden.
    • Klemmkraft: 9,8 × 104 N.
  • Bei den 2000 Pressvorgängen wurde die Anzahl der Bildung von kleinen Löchern in dem Formwerkzeugtrennfilm und des ausgetretenen aushärtbaren Harzes, das an dem Formwerkzeug anhaftete, so dass ein Formwerkzeugtrennversagen auftrat, gezählt und die Anzahl der Bildung von kleinen Löchern wurde durch die folgenden Standards bewertet.
    • o (gut):
    Weniger als 10 Mal.
    Δ (akzeptabel):
    Weniger als 50 Mal.
    × (schlecht):
    Mehr als 50 Mal.
  • Ferner wurde der fleckige Zustand des Formwerkzeugs nach den 2000 Pressvorgängen visuell bewertet und die Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften wurden durch die folgenden Standards bewertet.
    • o (gut):
    Bei dem Formwerkzeug wurde keine Veränderung festgestellt.
    Δ (akzeptabel):
    Die Farbe des Formwerkzeugs war geringfügig zu braun verändert.
    × (schlecht):
    An dem Formwerkzeug haftete eine viskose braune Substanz.
  • [Verwendete Materialien]
  • (Polymere)
    • GOHSENOL NM-11: Produktbezeichnung. Vollständig verseiftes PVA-Pulver, hergestellt von Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Verseifungsgrad 99 mol-%, Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung 14 mPa·s.
    • GOHSENOL AL-06R: Produktbezeichnung. Quasi vollständig verseiftes PVA-Pulver, hergestellt von Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Verseifungsgrad 94 mol-%, Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung 7 mPa·s.
    • GOHSENOL GL-05: Produktbezeichnung. Teilweise hydrolysiertes PVA-Pulver, hergestellt von Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Verseifungsgrad 89 mol-%, Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung 8 mPa·s.
    • G-Polymer OKS-1011: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „G-Polymer” bezeichnet). Ein Pulver eines Copolymers, das insgesamt 92 mol-% Vinylalkoholeinheiten und Vinylacetateinheiten aufweist und 8 mol-% Einheiten mit einer 1,2-Diolstruktureinheit aufweist, die durch die Formel (1) dargestellt ist, hergestellt von Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Verseifungsgrad 99 mol-%, Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung 14 mPa·s.
    • SOARNOL D2908: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „Soarnol” bezeichnet). Ein Pulver eines Ethylen-Vinylalkohol-Copolymers, das insgesamt 71 mol-% Vinylalkoholeinheiten und Vinylacetateinheiten aufweist und 29 mol-% Ethyleneinheiten aufweist, hergestellt von Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd., Verseifungsgrad 99 mol-%, Viskosität (20°C) einer 4 Massen-%igen wässrigen Lösung 30 mPa·s.
    • Diofan 193D: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „Diofan” bezeichnet). Wässrige Polyvinylidenchloriddispersion, hergestellt von Solvay Plastics, Feststoffgehalt 30 Massen-%.
  • (Vernetzungsmittel)
    • DURANATE WB40-100: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „Duranate” bezeichnet). Wasserdispergierbares Isocyanat, hergestellt von Asahi Kasei Corporation. Feststoffgehalt 100 Massen-%.
    • ORGATIX ZC-300: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „ZC-300” bezeichnet). Zirkoniumlactat-Ammoniumsalz, hergestellt von Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd. Feststoffgehalt 12 Massen-%.
    • ORGATIX TC-300: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „TC-300” bezeichnet). Milchsäuretitanat-Ammoniumsalz, hergestellt von Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd. Feststoffgehalt 42 Massen-%.
    • ORGATIX T-2762: Produktbezeichnung (nachstehend auch einfach als „T-2762” bezeichnet). Organotitanverbindung, hergestellt von Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd. Feststoffgehalt 62 Massen-%.
  • (Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungflüssigkeiten)
  • Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungflüssigkeiten 1 bis 12: Hergestellt durch Mischen der in der Tabelle 1 angegebenen Materialien.
  • Von den Materialien in der Tabelle 1 sind die Mischmengen von Diofan, ZC-300, TC-300 und T-2762 keine Feststoffgehalte, sondern Mengen, die ein flüssiges Medium umfassen (beispielsweise in dem Fall von Diofan die Menge als wässrige Polyvinylidenchloriddispersion).
  • Figure DE112015005259T5_0006
  • (Filme)
  • ETFE-Film 1: Fluon ETFE C-88AXP (hergestellt von Asahi Glass Company, Limited) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und zwischen einer Presswalze mit Oberflächenunregelmäßigkeiten und einer Metallwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche eingeführt, so dass ein Film mit einer Dicke von 50 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 320°C und die Temperatur der Presswalze und der Metallwalze betrug 100°C. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 2,0 μm auf der Presswalzenseite und 0,2 μm auf der Spiegelglanzoberflächenseite. Die Spiegelglanzoberflächenseite wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • ETFE-Film 2: Fluon ETFE C-88AXP (hergestellt von Asahi Glass Company, Limited) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und zwischen einer Presswalze mit Oberflächenunregelmäßigkeiten und einer Kühlwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche eingeführt, so dass ein Film mit einer Dicke von 25 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 320°C und die Temperatur der Presswalze und der Kühlwalze betrug 100°C. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 2,0 μm auf der Presswalzenseite und 0,2 μm auf der Spiegelglanzoberflächenseite. Die Spiegelglanzoberflächenseite wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • ETFE-Film 3: Fluon ETFE C-88AXP (hergestellt von Asahi Glass Company, Limited) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und auf einer Kühlwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche aufgenommen, so dass ein Film mit einer Dicke von 12 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 320°C und die Temperatur der Kühlwalze betrug 180°C. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 0,1 μm auf beiden Seiten. Eine Seite wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • LM-ETFE-Film: Fluon LM-ETFE LM720AP (hergestellt von Asahi Glass Company, Limited) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und zwischen einer Presswalze mit Oberflächenunregelmäßigkeiten und einer Kühlwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche eingeführt, so dass ein Film mit einer Dicke von 50 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 300°C und die Temperatur der Presswalze und der Kühlwalze betrug 100°C. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 2,0 μm auf der Presswalzenseite und 0,2 μm auf der Spiegelglanzoberflächenseite. Die Spiegelglanzoberflächenseite wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • Polymethylpentenfilm: TPX MX004 (hergestellt von Mitsui Chemicals, Inc.) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und zwischen einer Presswalze mit Oberflächenunregelmäßigkeiten und einer Kühlwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche eingeführt, so dass ein Film mit einer Dicke von 50 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 300°C und die Temperatur der Presswalze und der Kühlwalze betrug 100°C. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 2,0 μm auf der Presswalzenseite und 0,2 μm auf der Spiegelglanzoberflächenseite. Die Spiegelglanzoberflächenseite wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • Syndiotaktischer Polystyrolfilm: XAREC 142ZE (hergestellt von Idemitsu Kosan Co., Ltd.) wurde einem mit einer T-Düse ausgestatteten Extruder zugeführt und auf einer Kühlwalze mit einer Spiegelglanzoberfläche aufgenommen und gleichzeitig einem Strecken in der Fließrichtung des Films und in einer Richtung senkrecht zu der Fließrichtung unterzogen, so dass ein Film mit einer Dicke von 50 μm gebildet wurde. Die Temperatur des Extruders und der T-Düse betrug 270°C und die Temperatur der Kühlwalze betrug 100°C, die Strecktemperatur betrug 115°C, das Streckverhältnis betrug das 3,3-fache sowohl in der Fließrichtung als auch in der Richtung senkrecht zur Fließrichtung und die Streckgeschwindigkeit betrug 500%/min. Ferner wurde nach dem Streckvorgang eine Wärmebehandlung bei 215°C durchgeführt. Ferner wurde zur Bildung von Unregelmäßigkeiten auf einer Seite des Films eine sogenannte Sandmattierungsbehandlung durch Strahlen von Sand durchgeführt. Ra der Oberfläche des erhaltenen Films betrug 1,3 μm auf der Sandmattierungsbehandlungsoberfläche und 0,1 μm auf der unbehandelten Oberfläche. Die unbehandelte Oberfläche wurde einer Koronabehandlung unterzogen, so dass die Benetzungsspannung auf der Basis von ISO 8296: 1987 (JIS K6768 1999) mindestens 40 mN/m betrug.
  • EVAL-Film: Ein Ethylen-Vinylalkohol-Copolymerfilm (hergestellt von Kuraray Co., Ltd., Handelsbezeichnung: EVAL EF-F) mit einer Dicke von 12 μm wurde verwendet.
  • Leicht formbarer PET-Film: Ein leicht formbarer PET-Film (hergestellt von Teijin DuPont Films, Handelsbezeichnung: TEFLEX FT3PE) mit einer Dicke von 25 μm wurde verwendet.
  • Nylonfilm: Ein ungestreckter Nylonfilm mit einer Dicke von 25 μm (hergestellt von Mitsubishi Plastics, Inc., Handelsbezeichnung: DIAMIRON C-Z) wurde verwendet.
  • (Haftmittel)
  • Ein Haftmittel wurde durch Mischen von 60 Teilen eines Polyesterpolyols (hergestellt von DIC CORPORATION, CRISVON NT-258), 3,4 Teilen eines Isocyanataddukts (hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co. Ltd., Coronate 2096) und 63,4 Teilen Ethylacetat hergestellt.
  • [Bsp. 1 bis 17, 19 und 20]
  • Auf eine Seite eines Films, der in der Spalte für die harzseitige Trennschicht in den Tabellen 2 und 3 gezeigt ist, wurde eine Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit, die in den Tabellen 2 und 3 gezeigt ist, unter Verwendung einer Gravurstreichvorrichtung („gravure coater”) durch ein Direktgravurstreichverfahren aufgebracht, so dass eine Dicke der Gasbarriereschicht, wie sie in den Tabellen 2 und 3 gezeigt ist (Beschichtungsdicke des Feststoffgehalts) erhalten wurde, und getrocknet, so dass eine Gasbarriereschicht gebildet wurde. In einem Fall, bei dem die Beschichtungsdicke (Feststoffgehalt) von 0,1 bis 1 μm betrug, wurde als Gravurstreichzylinder eine Walze mit einem Gitter 150# mit 100 mm Durchmesser × 250 mm Breite – Tiefe 40 μm verwendet, und in einem Fall, bei dem die Beschichtungsdicke (Feststoffgehalt) mehr als 1 μm betrug, wurde eine Walze mit einem Gitter 125# – Tiefe 85 μm verwendet. Das Trocknen wurde bei 100°C für 1 Minute mittels eines Walzenträgertrocknungsofens mit einem Luftstrom von 19 m/s durchgeführt. Nach dem Trocknen wurde ein Altern in einem Ofen bei 40°C für 3 Tage durchgeführt. Auf diese Weise wurde ein Formwerkzeugtrennfilm mit einem Schichtaufbau aus harzseitiger Trennschicht/Gasbarriereschicht erhalten.
  • [Bsp. 18]
  • In der gleichen Weise wie im Bsp. 7, mit der Ausnahme, dass der für die harzseitige Trennschicht verwendete Film verändert wurde, wurde eine Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit 7 aufgebracht und getrocknet, so dass eine Gasbarriereschicht gebildet wurde.
  • Dann wurde auf eine Seite eines Films, der in der Spalte für die formwerkzeugseitige Trennschicht in der Tabelle 3 gezeigt ist, ein Haftmittel aufgebracht und getrocknet, so dass eine Haftmittelschicht gebildet wurde. Das Aufbringen des Haftmittels wurde unter Verwendung einer Gravurstreichvorrichtung durch ein Direktgravurstreichverfahren so durchgeführt, dass die aufgebrachte Dicke 0,3 μm betrug (Feststoffgehalt), wobei als Gravurstreichzylinder eine Walze mit einem Gitter 150# mit 100 mm Durchmesser × 250 mm Breite – Tiefe 40 μm verwendet wurde. Das Trocknen wurde bei 100°C für 1 Minute mittels eines Walzenträgertrocknungsofens mit einem Luftstrom von 19 m/s durchgeführt.
  • Die vorstehend genannten jeweiligen Filme wurden so übereinander gelegt, dass die Gasbarriereschicht und die Haftmittelschicht miteinander in Kontakt waren und zwischen einem Paar von Walzen hindurchgeführt und laminiert. Die Bedingungen für das Laminieren waren eine Walzentemperatur von 50°C und ein Laminatdruck von 0,5 MPa. Nach dem Laminieren wurde ein Altern in einem Ofen bei 40°C für 3 Tage durchgeführt. Auf diese Weise wurde ein Formwerkzeugtrennfilm mit einem Schichtaufbau aus harzseitiger Trennschicht/Gasbarriereschicht/Haftmittelschicht/formwerkzeugseitiger Trennschicht erhalten.
  • [Bsp. 21, 22 und 24]
  • Auf eine Seite eines Films, der in der Spalte für die Gasbarriereschicht in der Tabelle 4 gezeigt ist, wurde ein Haftmittel aufgebracht und zur Bildung einer Haftmittelschicht getrocknet. Auf die Haftmittelschicht wurde ein Film, der in der Spalte für die harzseitige Trennschicht in der Tabelle 4 gezeigt ist, gelegt und durch Hindurchführen zwischen einem Paar von Walzen laminiert. Die Bedingungen für das Aufbringen und das Trocknen des Haftmittels sowie für die Laminierung waren mit denjenigen im Bsp. 18 identisch.
  • Dann wurde auf die Seite, die der Gasbarriereschicht gegenüberlag, zur Bildung einer Haftmittelschicht ein Haftmittel aufgebracht und getrocknet. Auf die Haftmittelschicht wurde ein Film, der in der Spalte für die formwerkzeugseitige Trennschicht in der Tabelle 3 gezeigt ist, gelegt und durch Hindurchführen zwischen einem Paar von Walzen laminiert. Die Bedingungen für das Aufbringen und das Trocknen des Haftmittels sowie für die Laminierung waren mit denjenigen im Bsp. 18 identisch. Nach dem Laminieren wurde ein Altern in einem Ofen bei 40°C für 3 Tage durchgeführt. Auf diese Weise wurde ein Formwerkzeugtrennfilm mit einem Schichtaufbau aus harzseitiger Trennschicht/Haftmittelschicht/Gasbarriereschicht/Haftmittelschicht/formwerkzeugseitiger Trennschicht erhalten.
  • [Bsp. 23]
  • Auf dem ETFE-Film 1 wurde eine aufgedampfte Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1 μm durch ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD-Verfahren) gebildet. Auf diese Weise wurde ein Formwerkzeugtrennfilm mit einem Schichtaufbau aus harzseitiger Trennschicht/Gasbarriereschicht erhalten.
  • [Bsp. 25]
  • Der ETFE-Film 1 wurde im Bsp. 25 so, wie er war, als Formwerkzeugtrennfilm verwendet.
  • Bezüglich der Formwerkzeugtrennfilme in den Bsp. 1 bis 25 sind die Ergebnisse hinsichtlich der 180°C-Zugdehnung, des 180°C-Massenverminderungsverhältnisses, des Unlöslichkeitsgrads der Gasbarriereschicht, der Xylolgasdurchlässigkeit und des Reißens der Barriereschicht beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm, der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften und der Anzahl der Bildung von kleinen Löchern in den Tabellen 2 bis 4 gezeigt.
  • Figure DE112015005259T5_0007
  • Figure DE112015005259T5_0008
  • Figure DE112015005259T5_0009
  • Wie es in den vorstehenden Ergebnissen gezeigt ist, wiesen die Formwerkzeugtrennfilme in den Bsp. 1 bis 18 eine große Zugdehnung bei hohen Temperaturen auf und sie unterlagen mit einer geringeren Wahrscheinlichkeit einem Reißen der Gasbarriereschicht oder einer Bildung von kleinen Löchern, usw., beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm. Ferner zeigten sie selbst dann, wenn die Gasbarriereschicht auf einem Niveau von 1 bis 5 μm dünn war, ausreichende Gasbarriereeigenschaften beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm. Ferner war die 180°C-Massenverminderungsrate niedrig und es wurde bestätigt, dass das Ausgasen bei hohen Temperaturen geringer war. Die Ergebnisse der Bewertung der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften nahe an der tatsächlichen Bewertung waren ebenfalls gut.
  • Von den Vorstehenden waren dann, wenn die Formwerkzeugtrennfilme in den Bsp. 5 bis 9, bei denen das Polymer gleich war und der Unlöslichkeitsgrad unterschiedlich war, verglichen wurden, die Ergebnisse der Formwerkzeug-Antiverschmutzungsbewertung insbesondere in Fällen hervorragend, bei denen der Unlöslichkeitsgrad von 20% bis 80% betrug.
  • Wenn die Bsp. 1, 5, 10 und 12, bei denen die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit kein Vernetzungsmittel enthielt und die Art des Polymers unterschiedlich war, bezüglich der Gasbarriereeigenschaften (Xylolgasdurchlässigkeit) beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm verglichen wurden, waren die Ergebnisse in den Bsp. 1 und 5, bei denen das Polymer PVA oder das Copolymer (A11-1) war, hervorragend.
  • Wenn die Bsp. 2 bis 4 verglichen wurden, bei denen nur der Verseifungsgrad von PVA unterschiedlich war, waren die Gasbarriereeigenschaften (Xylolgasdurchlässigkeit) beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm umso besser, je höher der Verseifungsgrad war.
  • Wenn die Bsp. 7 und 13 bis 15 verglichen wurden, bei denen nur der Film, der für die harzseitige Trennschicht verwendet worden ist, unterschiedlich war, war in den Bsp. 7 und 15, bei denen das Harz ein Fluorharz war, die 180°C-Massenverminderungsrate geringer.
  • Wenn das Bsp. 7 und das Bsp. 18 verglichen wurden, war im Bsp. 7 die 180°C-Massenverminderungsrate geringer, obwohl die Dicke des gesamten Formwerkzeugtrennfilms im Wesentlichen gleich war. Dies ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen, dass im Bsp. 18 ein Ausgasen aus der Haftmittelschicht stattfand.
  • Andererseits wies der Formwerkzeugtrennfilm im Bsp. 19, bei dem eine Gasbarriereschicht mit einer Dicke von 7 μm verwendet wurde, verglichen mit den Bsp. 1 bis 18 eine große 180°C-Massenverminderungsrate auf, und das Ausgasen bei hohen Temperaturen war beträchtlich. Daher war das Bewertungsergebnis der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften schlecht.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm im Bsp. 20, bei dem eine Gasbarriereschicht mit einer Dicke von 0,05 μm verwendet wurde, wies beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm unzureichende Gasbarriereeigenschaften auf, da die Dicke der Trennschicht gering war. Daher war das Bewertungsergebnis der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften schlecht.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm im Bsp. 21, bei dem ein Ethylen-Vinylalkohol-Copolymerfilm mit einer Dicke von 12 um als Gasbarriereschicht verwendet wurde, wies verglichen mit den Bsp. 1 bis 18 eine größere 180°C-Massenverminderungsrate auf und das Ausgasen bei hohen Temperaturen war beträchtlich. Ferner war die Zugdehnung bei einer hohen Temperatur niedrig und die Anzahl der Bildung von kleinen Löchern war groß. Das Bewertungsergebnis der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften war ebenfalls schlecht.
  • Die gleiche Tendenz wie im Bsp. 21 wurde auch bei den Bewertungsergebnissen des Formwerkzeugtrennfilms im Bsp. 22, bei dem ein leicht formbarer PET-Film mit einer Dicke von 25 μm als Gasbarriereschicht verwendet wurde, und bei den Bewertungsergebnissen des Formwerkzeugtrennfilms im Bsp. 24 festgestellt, bei dem ein ungestreckter Nylonfilm mit einer Dicke von 25 um als Gasbarriereschicht verwendet wurde.
  • In dem Formwerkzeugtrennfilm im Bsp. 23, bei dem eine aufgedampfte Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1 μm als Gasbarriereschicht verwendet worden ist, trat beim Anpassen an eine Niveaudifferenz von 2 mm ein Reißen der Gasbarriereschicht auf und die Gasbarriereeigenschaften wurden beeinträchtigt. Das Bewertungsergebnis der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften war ebenfalls schlecht.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm im Bsp. 25, bei dem der ETFE-Film 1 so, wie er war, verwendet wurde, wies schlechte Gasbarriereeigenschaften auf und das Bewertungsergebnis der Formwerkzeug-Antiverschmutzungseigenschaften war schlecht.
  • GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
  • Der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung weist beim Einkapseln eines Halbleiterelements mit einem aushärtbaren Harz hervorragende Formwerkzeugtrenneigenschaften auf und kann eine Verunreinigung des Formwerkzeugs bei dem Vorgang des Einkapselns eines Halbleiterelements vermindern. Als ein Halbleitergehäuse, das unter Verwendung des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung erhältlich ist, können eine integrierte Schaltung, die integrierte Halbleiterelemente aufweist, wie z. B. einen Transistor, eine Diode, usw., eine lichtemittierende Diode, die ein lichtemittierendes Element aufweist, usw., genannt werden.
  • Die gesamte Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-235735 , die am 20. November 2014 eingereicht worden ist, einschließlich die Beschreibung, die Patentansprüche, die Zeichnungen und die Zusammenfassung, ist in ihrer Gesamtheit hierin einbezogen.
  • BEZUGSZEICHEN
    • 1: Formwerkzeugtrennfilm, 2: Harzseitige Trennschicht, 3: Gasbarriereschicht, 4: Formwerkzeugtrennfilm, 5: Harzseitige Trennschicht, 6: Gasbarriereschicht, 7: Haftmittelschicht, 8: Formwerkzeugseitige Trennschicht, 10: Substrat, 12: Halbleiterchip (Halbleiterelement), 14: Harzeinkapselungsabschnitt, 14a: Obere Fläche des Harzeinkapselungsabschnitts 14, 16: Druckfarbenschicht, 18: Bonddraht, 20: Feststehendes oberes Formwerkzeug, 22: Unteres Hohlraumelement, 24: Bewegbares unteres Formwerkzeug, 26: Hohlraum, 40: Aushärtbares Harz, 50: Oberes Formwerkzeug, 52: Unteres Formwerkzeug, 54: Hohlraum, 56: Hohlraumoberfläche, 58: Substratanordnungsabschnitt, 60: Harzeinführungsabschnitt, 62: Harzanordnungsabschnitt, 64: Kolben, 70: Substrat, 72: Halbleiterchip (Halbleiterelement), 74: Unterfüllung (Harzeinkapselungsabschnitt), 76: Ausgehärtetes Produkt, 90: Prüfkörper, 91: Erster Behälter, 92: Zweiter Behälter, 92a: Gewindeloch, 93: Poröse Keramik, 94: Flansch, L: Xylol, 100: Formwerkzeugtrennfilm, 110: Halbleitergehäuse, 120: Halbleitergehäuse

Claims (15)

  1. Formwerkzeugtrennfilm, der auf einer Oberfläche eines Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, bei der Herstellung eines Halbleitergehäuses durch Anordnen eines Halbleiterelements in dem Formwerkzeug und Einkapseln des Halbleiterelements mit dem aushärtbaren Harz zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts angeordnet werden soll, dadurch gekennzeichnet, dass er eine harzseitige Trennschicht, die beim Formen des Harzeinkapselungsabschnitts mit dem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, und eine Gasbarriereschicht umfasst, wobei die Gasbarriereschicht mindestens ein Polymer (I) umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten, ausgewählt ist, und die Dicke der Gasbarriereschicht von 0,1 bis 5 μm beträgt.
  2. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 1, bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten ein Polyvinylalkohol oder ein Polymer ist, das Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten umfasst.
  3. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 2, bei dem das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten ein Polymer ist, das ferner Einheiten enthält, die von Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten verschieden sind.
  4. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 3, bei dem die Einheiten, die von Vinylalkohol-Einheiten und Vinylacetat-Einheiten verschieden sind, Einheiten sind, die durch die folgende Formel (1) dargestellt sind:
    Figure DE112015005259T5_0010
    worin R1 bis R6 jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe sind und X eine Einfachbindung oder eine Bindungskette ist.
  5. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten eine vernetzte Struktur aufweist.
  6. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 5, bei dem der Unlöslichkeitsgrad der Gasbarriereschicht, der durch die folgende Formel aus dem Basisgewicht W1 (g/m2) der Gasbarriereschicht und dem Basisgewicht W2 (g/m2) der Gasbarriereschicht, das verbleibt, nachdem der Formwerkzeugtrennfilm dem folgenden Auflösungstest unterzogen worden ist, erhältlich ist, von 10 bis 80% beträgt: Unlöslichkeitsgrad (%) = (W2/W1) × 100 (Auflösungstest) Der Formwerkzeugtrennfilm wird für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C erwärmt, währenddessen ein Rühren für 1 Minute in 30 Minuten-Intervallen wiederholt wird, der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Ende des Erwärmens für 1 Stunde durch Eintauchen des Formwerkzeugtrennfilms in weiteres ionenausgetauschtes Wasser bei 80°C für 10 Minuten gewaschen, nach dem Waschen wird der Formwerkzeugtrennfilm zum Durchführen eines Waschens und Kühlens in ionenausgetauschtes Wasser bei 20 bis 25°C für 10 Minuten eingetaucht und der Formwerkzeugtrennfilm wird nach dem Waschen und Kühlen bei 100°C für 2 Stunden vakuumgetrocknet.
  7. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Dicke der harzseitigen Trennschicht von 12 bis 100 μm beträgt.
  8. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die harzseitige Trennschicht ein Fluorharz enthält.
  9. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 8, bei dem das Fluorharz ein Ethylen-Tetrafluorethylen-Copolymer ist.
  10. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Formwerkzeugtrennfilm ein Film mit einer Zweischichtstruktur aus der harzseitigen Trennschicht und der Gasbarriereschicht ist.
  11. Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht auf einer Oberfläche eines Substrats umfasst, das eine harzseitige Trennschicht enthält, wobei der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht einen Schritt des Bildens eines Beschichtungsfilms durch Aufbringen einer Gasbarriereschicht-bildenden Beschichtungsflüssigkeit, die mindestens ein Polymer (I), das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten und einem Polymer mit Vinylidenchlorid-Einheiten, ausgewählt ist, und ein flüssiges Medium umfasst, gefolgt von einem Trocknen umfasst.
  12. Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach Anspruch 11, bei dem die Gasbarriereschicht-bildende Beschichtungsflüssigkeit ferner ein Vernetzungsmittel enthält und der Schritt des Bildens einer Gasbarriereschicht nach dem Schritt des Bildens eines Beschichtungsfilms ferner einen Schritt des Bildens einer vernetzten Struktur durch Vernetzen des Polymers (I) umfasst.
  13. Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach Anspruch 12, bei dem der Gehalt des Vernetzungsmittels von 1 bis 20 Massen-% bezogen auf das Polymer (I) beträgt.
  14. Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem das Polymer (I) ein Polymer mit Vinylalkohol-Einheiten enthält und das flüssige Medium ein wässriges Medium ist.
  15. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses mit einem Halbleiterelement und einem Harzeinkapselungsabschnitt, der aus einem aushärtbaren Harz zum Einkapseln des Halbleiterelements ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt des Anordnens des Formwerkzeugtrennfilms nach einem der Ansprüche 1 bis 10 auf einer Oberfläche eines Formwerkzeugs, die mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, einen Schritt des Anordnens eines Substrats mit einem darauf montierten Halbleiterelement in dem Formwerkzeug und des Füllens eines aushärtbaren Harzes in einen Raum in dem Formwerkzeug, gefolgt von einem Aushärten zur Bildung eines Harzeinkapselungsabschnitts, wodurch ein eingekapselter Körper, der das Substrat, das Halbleiterelement und den Harzeinkapselungsabschnitt aufweist, erhalten wird, und einen Schritt des Trennens des eingekapselten Körpers von dem Formwerkzeug umfasst.
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