DE112015001135T5 - Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und Formwerkzeugtrennfilm - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und Formwerkzeugtrennfilm Download PDF

Info

Publication number
DE112015001135T5
DE112015001135T5 DE112015001135.8T DE112015001135T DE112015001135T5 DE 112015001135 T5 DE112015001135 T5 DE 112015001135T5 DE 112015001135 T DE112015001135 T DE 112015001135T DE 112015001135 T5 DE112015001135 T5 DE 112015001135T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
release film
mold release
mounting
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112015001135.8T
Other languages
English (en)
Inventor
Wataru KASAI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of DE112015001135T5 publication Critical patent/DE112015001135T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/1418—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles the inserts being deformed or preformed, e.g. by the injection pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/04—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B25/08—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/302—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/322—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising halogenated polyolefins, e.g. PTFE
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B29C2045/025—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity with the transfer plunger surface forming a part of the mould cavity wall at the end of the plunger transfer movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B29C2045/14663—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame the mould cavity walls being lined with a film, e.g. release film
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2075/00—Use of PU, i.e. polyureas or polyurethanes or derivatives thereof, as moulding material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2627/00—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof for preformed parts, e.g. for inserts
    • B29K2627/12—Use of polyvinylhalogenides or derivatives thereof for preformed parts, e.g. for inserts containing fluorine
    • B29K2627/18—PTFE, i.e. polytetrafluorethene, e.g. ePTFE, i.e. expanded polytetrafluorethene
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3481—Housings or casings incorporating or embedding electric or electronic elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/54—Yield strength; Tensile strength
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2327/00—Polyvinylhalogenides
    • B32B2327/12—Polyvinylhalogenides containing fluorine
    • B32B2327/18—PTFE, i.e. polytetrafluoroethylene
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2375/00—Polyureas; Polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2439/00—Containers; Receptacles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

Es soll ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements unter Verwendung eines Formwerkzeugs bereitgestellt werden, wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, und wobei das Gehäuse einen konkaven Abschnitt aufweist, der durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, wobei es das Verfahren ermöglichen soll, Harzgrate ohne das Auftreten von Dellen oder eine Beschädigung eines Substrats und ohne Versagen bei der Trennung von einem Formwerkzeug zu verhindern, und es soll ein Formwerkzeugtrennfilm bereitgestellt werden, der zweckmäßig für das Herstellungsverfahren verwendet werden kann. Ein Formwerkzeugtrennfilm, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, wird auf dem oberen Werkzeug, das einen konvexen Abschnitt aufweist, dessen Form dem konkaven Abschnitt entspricht, angeordnet, das Substrat wird auf dem unteren Werkzeug angeordnet, das obere Werkzeug und das untere Werkzeug werden geschlossen, so dass der konvexe Abschnitt mittels des Formwerkzeugtrennfilms in einem engen Kontakt mit dem Montageabschnitt des Substrats ist, ein Raum, der zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug ausgebildet ist, wird mit einem aushärtbaren Harz gefüllt, worauf das aushärtbare Harz ausgehärtet wird, und das ausgehärtete Produkt des aushärtbaren Harzes wird zusammen mit dem Substrat von dem Formwerkzeug getrennt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und einen Formwerkzeugtrennfilm zur Verwendung in dem Herstellungsverfahren.
  • In den letzten Jahren ist als ein Halbleitergehäuse mit einer hohlen Struktur (nachstehend als hohles Gehäuse bezeichnet) zum Montieren eines Halbleiterelements, wie z. B. eines Festkörperbildgebungselements oder MEMS (mikro-elektro-mechanische Systeme) ein Halbleitergehäuse bekannt, bei dem zur Senkung der Kosten ein Harz als eine Gehäusebasis (ein Einkapselungskörper) eingesetzt wird. Ferner wird als Gehäusestruktur vorwiegend ein DIP („dual inline package”) eingesetzt, jedoch wurde in den letzten Jahren ein SOP („small outline package”) oder QFP („quad flat package”), bei dem es sich um einen Oberflächenmontagetyp handelt, verwendet, und ferner wurde auch eine anschlusslose („non-leaded”) Gehäusestruktur, wie z. B. ein SON („small outline nonleaded package”) oder ein QFN („quad flat nonleaded package”), untersucht, da ein hohles Gehäuse eine geringe Größe und Dicke aufweisen muss, und daher werden auch Oberflächenmontagetechniken eines hohlen Gehäuses untersucht.
  • Ein bekanntes hohles Gehäuse kann z. B. ein Gehäuse sein, das derart erhalten wird, dass auf einem Substrat (wie z. B. einer Leiterplatte oder einem Anschlussrahmen), das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, ein Einkapselungskörper mit einem rahmenförmigen Abschnitt, der die Montagefläche umgibt, unter Verwendung eines aushärtbaren Harzes gebildet wird, und eine Öffnung des konkaven Abschnitts, der durch die Montagefläche und den rahmenförmigen Abschnitt gebildet wird, mit einem Deckel verschlossen wird.
  • Als Verfahren zur Herstellung eines hohlen Gehäuses wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem, wie es in der 12 gezeigt ist, der konvexe Abschnitt 200, der einer Form entspricht, die ein Hohlraum sein soll, und der auf der Hohlraumoberfläche des oberen Werkzeugs 202 ausgebildet ist, direkt auf einen Abschnitt des Anschlussrahmens 206 gepresst wird, der aus Metall hergestellt ist und auf dem unteren Werkzeug 204 angeordnet ist, und in einem solchen Zustand wird ein Raum zwischen dem oberen Werkzeug 202 und dem unteren Werkzeug 204 mit dem Harz 208 gefüllt, worauf ein Formen (Spritzpressen) durchgeführt wird. (z. B. Patentdokument 1).
  • Ein solches Verfahren kann jedoch sogenannte „Harzgrate” verursachen, da es wahrscheinlich ist, dass das eingefüllte Harz 208 in einen Raum zwischen dem konvexen Abschnitt 200 und dem Anschlussrahmen 206 eindringt, wenn die Haftung des konvexen Abschnitts 200 und des Anschlussrahmens 206 schlecht ist. Insbesondere neigt die Dicke des Anschlussrahmens 206 dazu, ungleichmäßig zu sein, und daher können die Harzgrate in manchen Bereichen auf dem Anschlussrahmen 206 gebildet werden, obwohl andere Bereiche frei von den Harzgraten sind. Wenn ein Klemmdruck erhöht wird, um die Harzgrate zu verhindern, treten andere Probleme auf, wie z. B. eine Delle bzw. Vertiefung in dem Anschlussrahmen 206 oder eine Beschädigung des Anschlussrahmens 206.
  • Als weiteres Verfahren zur Herstellung eines hohlen Gehäuses wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem ein oberes Werkzeug, das eine flache Hohlraumoberfläche aufweist, anstelle des oberen Werkzeugs 202 verwendet wird, das den konvexen Abschnitt 200 auf der Hohlraumoberfläche aufweist, und auf der Hohlraumoberfläche des Formwerkzeugtrennfilms ein Formwerkzeugtrennfilm, der integriert mit einem konvexen Abschnitt ausgebildet ist, welcher der Form entspricht, die der Hohlraum sein soll, angeordnet wird, worauf der vorstehend genannte konvexe Abschnitt auf einen Teil gepresst wird, der von einem Anschlussrahmen freiliegen soll, wobei ein Spritzpressen durchgeführt wird (Patentdokument 2). Gemäß diesem Verfahren kann der konvexe Abschnitt nur schwach auf den Anschlussrahmen gepresst werden, da der konvexe Abschnitt des Formwerkzeugtrennfilms verglichen mit einem Formwerkzeug einen niedrigen Elastizitätsmodul aufweist, und daher können Harzgrate oder eine Beschädigung verhindert werden.
  • Ein solches Verfahren erfordert jedoch einen Schritt des integrierten Bildens eines konvexen Abschnitts auf einem Formwerkzeugtrennfilm und ein solcher Schritt ist mühsam. Darüber hinaus ist es wahrscheinlicher, dass der konvexe Abschnitt, der aus einem Harz hergestellt ist, eine ungleichmäßige Dicke aufweist, und daher können in manchen Bereichen Harzgrate gebildet werden, obwohl andere Bereiche frei davon sind. Wenn der Klemmdruck erhöht wird, so dass Harzgrate verhindert werden, kann die Spitze des konvexen Abschnitts 212 des Formwerkzeugtrennfilms 210 zusammengedrückt werden und in einen Raum vorragen, der mit dem Harz 208 gefüllt werden soll, wie es in der 13 gezeigt ist. Wenn das Spritzpressen in einem solchen Zustand durchgeführt wird, kann der vorragende Abschnitt in einen Einkapselungskörper eindringen, wodurch ein Trennversagen des Einkapselungskörpers auftreten kann. Darüber hinaus kann auch die Form des Einkapselungskörpers verschlechtert werden.
  • Als weiteres Verfahren zur Herstellung eines hohlen Gehäuses wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem, wie es in der 14 gezeigt ist, ein Wall 214, der aus einem Harz hergestellt ist, im Vorhinein um einen Abschnitt ausgebildet wird, der von dem Anschlussrahmen 206 freiliegen soll, und der konvexe Abschnitt 200 des oberen Werkzeugs 202 zur Durchführung des Spritzpressens auf den Wall 214 gepresst wird (Patentdokument 3). In diesem Verfahren verhindert der Wall 214 das Austreten des Harzes 208 aus einem Abschnitt, der von dem Anschlussrahmen 206 freiliegen soll.
  • Da jedoch ein solches Verfahren einen zusätzlichen Schritt des Bildens des Walls 214 während der Verarbeitung des Anschlussrahmens 206 erfordert, ist dieser Schritt folglich mühsam, und darüber hinaus können dann, wenn der Wall 214 eine ungleichmäßige Höhe aufweist, in manchen Bereichen Harzgrate gebildet werden.
  • DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENTE
    • Patentdokument 1: JP 2006-128354 A
    • Patentdokument 2: JP 2007-81307 A
    • Patentdokument 3: JP 2010-10227 A
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements unter Verwendung eines Formwerkzeugs, wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, und wobei das Gehäuse eine Konkavität aufweist, die durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, wobei es gemäß dem Verfahren möglich ist, die Bildung von Dellen oder eine Beschädigung eines Substrats, das Auftreten eines Versagens beim Trennen von einem Formwerkzeug und die Bildung von Harzgraten zu verhindern, und die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Formwerkzeugtrennfilms, der für das Herstellungsverfahren zweckmäßig verwendet werden kann.
  • LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und einen Formwerkzeugtrennfilm bereit, die den folgenden Aufbau [1] bis [10] aufweisen.
    • [1] Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements durch die Verwendung eines Formwerkzeugs mit einem oberen Werkzeug und einem unteren Werkzeug, wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, und wobei das Gehäuse einen konkaven Abschnitt aufweist, der durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, und wobei das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements umfasst: einen Schritt des Anordnens eines Formwerkzeugtrennfilms, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, auf dem oberen Werkzeug, das einen konvexen Abschnitt aufweist, dessen Form dem konkaven Abschnitt entspricht, des Anordnens des Substrats auf dem unteren Werkzeug und des Schließens des oberen Werkzeugs und des unteren Werkzeugs, so dass der konvexe Abschnitt mittels des Formwerkzeugtrennfilms in einem engen Kontakt mit dem Montageabschnitt des Substrats ist, einen Schritt des Füllens eines Raums, der zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug ausgebildet ist, mit einem aushärtbaren Harz, worauf das aushärtbare Harz ausgehärtet wird, und einen Schritt des Trennens eines ausgehärteten Produkts des aushärtbaren Harzes zusammen mit dem Substrat von dem Formwerkzeug.
    • [2] Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach [1], wobei der Formwerkzeugtrennfilm eine erste Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und eine zweite Schicht aufweist, die erste Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner einen Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 2000 bis 13000 aufweist.
    • [3] Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach [2], wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 bis 12 μm aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 3000 bis 8000 aufweist.
    • [4] Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach Anspruch [2] oder [4], wobei der Formwerkzeugtrennfilm ferner eine dritte Schicht aufweist, die mit dem Formwerkzeug zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und die dritte Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner ein Verhältnis des Zugspeichermoduls bei 25°C zu dem Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht (d. h., Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht/Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht) von 0,5 bis 2 aufweist.
    • [5] Formwerkzeugtrennfilm zur Verwendung in dem Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements, wie es in [1] definiert ist, wobei der Formwerkzeugtrennfilm eine erste Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und eine zweite Schicht umfasst, wobei die erste Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner einen Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 200 bis 13000 aufweist.
    • [6] Formwerkzeugtrennfilm nach [5], wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 bis 12 μm aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 3000 bis 8000 aufweist.
    • [7] Formwerkzeugtrennfilm nach [5] oder [6], der ferner eine dritte Schicht aufweist, die mit dem Formwerkzeug zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, wobei die dritte Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner ein Verhältnis des Zugspeichermoduls bei 25°C zu dem Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht (d. h., Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht/Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht) von 0,5 bis 2 aufweist.
    • [8] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [5] bis [7], wobei ein Harz, das die erste Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Polystyrol und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
    • [9] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [5] bis [8], wobei ein Harz, das die zweite Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem ungestreckten Polyamid, einem biaxial gestreckten Polyamid, einem Polybutylenterephthalat, einem Polyethylenterephthalat und einem sehr gut formbaren Polyethylenterephthalat, ausgewählt ist.
    • [10] Formwerkzeugtrennfilm nach einem von [5] bis [9], wobei ein Harz, das die dritte Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Fluorharz, einem Acrylkautschuk, einem wärmeaushärtenden Silikon, einem Polyester, einem Polyamid, einem Polystyrol, einem Ethylen/Vinylalkohol-Copolymer und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
  • VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann bei der Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements unter Verwendung eines Formwerkzeugs, wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, wobei das Gehäuse einen konkaven Abschnitt aufweist, der durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, selbst dann, wenn die Höhe der Montagefläche des Substrats (wie z. B. eines Anschlussrahmens), das auf dem unteren Werkzeug des Formwerkzeugs angeordnet ist, ungleichmäßig ist, und ferner selbst dann, wenn die Höhe des konvexen Abschnitts des oberen Werkzeugs ungleichmäßig ist, eine solche Gleichmäßigkeit durch einen Formwerkzeugtrennfilm kompensiert werden, der auf dem konvexen Abschnitt des oberen Werkzeugs angeordnet ist, und Harzgrate können auf der gesamten Montagefläche unterdrückt werden. Harzgrate können selbst bei einem so niedrigen Klemmdruck unterdrückt werden, dass die Bildung von Dellen oder eine Beschädigung des Substrats verhindert wird.
  • Daher kann gemäß der vorliegenden Erfindung ein Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements, das frei von Dellen oder einer Beschädigung eines Substrats ist und das frei von Harzgraten auf der gesamten Montagefläche des Substrats ist, einfach und stabil hergestellt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung erhältlich ist.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das in der 1 gezeigt ist.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung erhältlich ist.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Formwerkzeugs zeigt, das in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 5 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt (α1) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt (α2) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt (α3) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt (α4) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Schritt (α5) in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die erste Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die zweite Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 12 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines Beispiels eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines hohlen Gehäuses.
  • 13 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines hohlen Gehäuses und diesbezüglicher Probleme.
  • 14 ist eine schematische Querschnittsansicht zur Erläuterung eines weiteren Beispiels eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines hohlen Gehäuses.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • In dieser Beschreibung werden die folgenden Begriffe jeweils mit den folgenden Bedeutungen verwendet.
  • „Einheiten” in einem Harz steht für Struktureinheiten (Monomereinheiten), die das Harz bilden.
  • Ein „Fluorharz” steht für ein Harz, das Fluoratome in dessen Struktur enthält.
  • Die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms, die Dicke einer Schicht (wie z. B. einer ersten Schicht oder einer zweiten Schicht), die einen Formwerkzeugtrennfilm mit einer Mehrschichtstruktur bildet, und der Zugspeichermodul bei 180°C werden jeweils durch die in den Verfahren beschriebenen Beispiele gemessen.
  • Der arithmetische Mittenrauwert (Ra) ist der arithmetische Mittenrauwert, der gemäß JIS B0601: 2013 (ISO4287: 1997, Amd. 1: 2009) gemessen wird. Die Standardlänge lr (Grenzwert λc) für die Rauheitskurve wurde auf 0,8 mm eingestellt.
  • [Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements]
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements durch die Verwendung eines Formwerkzeugs mit einem oberen Werkzeug und einem unteren Werkzeug,
    wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, und wobei das Gehäuse einen konkaven Abschnitt aufweist, der durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, und
    wobei das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements umfasst:
    einen Schritt des Anordnens eines Formwerkzeugtrennfilms, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, auf dem oberen Werkzeug, das einen konvexen Abschnitt aufweist, dessen Form dem konkaven Abschnitt entspricht, des Anordnens des Substrats auf dem unteren Werkzeug und des Schließens des oberen Werkzeugs und des unteren Werkzeugs, so dass der konvexe Abschnitt mittels des Formwerkzeugtrennfilms in einem engen Kontakt mit dem Montageabschnitt des Substrats ist,
    einen Schritt des Füllens eines Raums, der zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug ausgebildet ist, mit einem aushärtbaren Harz, worauf das aushärtbare Harz ausgehärtet wird, und
    einen Schritt des Trennens eines ausgehärteten Produkts des aushärtbaren Harzes zusammen mit dem Substrat von dem Formwerkzeug.
  • [Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements]
  • Ein Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung hergestellt werden soll, ist nicht speziell beschränkt, solange es das vorstehend genannte Substrat und den vorstehend genannten Einkapselungskörper aufweist, und es kann zweckmäßig aus bekannten Gehäusen zum Montieren eines Halbleiterelements ausgewählt werden.
  • Die 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung erhältlich ist. Die 2 ist eine perspektivische Ansicht, die das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das in der 1 gezeigt ist.
  • Das Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements weist das Substrat 10 und den Einkapselungskörper 12, der aus einem aushärtbaren Harz ausgebildet ist, auf. Das Substrat 10 ist eine Leiterplatte bzw. gedruckte Schaltung und weist eine Montagefläche 10a auf, auf der ein Halbleiterelement montiert werden soll. Das Substrat 10 ist mit einem inneren Anschluss (nicht gezeigt) auf der Montagefläche 10a und einem äußeren Anschluss (nicht gezeigt) auf der Oberfläche gegenüber der Seite der Montagefläche 10a versehen und der innere Anschluss und der äußere Anschluss sind elektrisch verbunden. Der Einkapselungskörper 12 ist ein rahmenförmiger Abschnitt, der die Montagefläche 10a umgibt.
  • In dem Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements ist der konkave Abschnitt 14 zum Montieren eines Halbleiterelements durch das Substrat 10 und den Einkapselungskörper 12 ausgebildet. Ein Halbleiterelement wird auf der unteren Fläche (Montagefläche 10a) des konkaven Abschnitts 14 in dem Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements angeordnet, das Halbleiterelement und der innere Anschluss werden elektrisch verbunden und eine Öffnung des konkaven Abschnitts 14 wird mit einem Deckel verschlossen, wodurch eine Halbleitervorrichtung erhalten werden kann, bei der das Halbleiterelement auf einem hohlen Abschnitt des Gehäuses, das den hohlen Abschnitt aufweist, montiert ist.
  • Die 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements zeigt, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist.
  • Das Gehäuse 120 zum Montieren eines Halbleiterelements weist das Substrat 16 und den Einkapselungskörper 18, der aus einem aushärtbaren Harz ausgebildet ist, auf. Das Substrat 16 ist ein Anschlussrahmen, der den inneren Anschluss 16a, den äußeren Anschluss 16b und die Chipkontaktstelle 16c aufweist, und der innere Anschluss 16a und der äußere Anschluss 16b sind elektrisch verbunden.
  • Der Einkapselungskörper 18 weist einen rahmenförmigen Abschnitt 18a auf, der die Montagefläche (die obere Fläche des inneren Anschlusses 16a und die obere Fläche der Chipkontaktstelle 16c) des Substrats 16 und den unteren Abschnitt 18b umgibt.
  • In dem Gehäuse 120 zum Montieren eines Halbleiterelements ist ein konkaver Abschnitt 20 zum Montieren eines Halbleiterelements durch den inneren Anschluss 16a und die Chipkontaktstelle 16c des Substrats 16 und den unteren Abschnitt 18b und den rahmenförmigen Abschnitt 18a des Einkapselungskörpers 18 ausgebildet.
  • Ein Halbleiterelement wird auf der unteren Fläche (der oberen Fläche der Chipkontaktstelle 16c) des konkaven Abschnitts 20 in dem Gehäuse 120 zum Montieren eines Halbleiterelements angeordnet, das Halbleiterelement und der innere Anschluss 16a werden elektrisch verbunden und eine Öffnung des konkaven Abschnitts 20 wird mit einem Deckel verschlossen, wodurch eine Halbleitervorrichtung erhalten werden kann, bei der das Halbleiterelement auf einem hohlen Abschnitt des Gehäuses, das den hohlen Abschnitt aufweist, montiert ist.
  • Als Halbleiterelement, das in dem Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements montiert werden kann, können z. B. verschiedene Sensoren genannt werden.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Als eine Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung wird ein Fall detailliert beschrieben, bei dem das Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiters, wie es in der 1 gezeigt ist, durch ein Spritzpressen hergestellt wird. Das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die folgenden Schritte (α1) bis (α6) auf.
    • (α1) Einen Schritt des Anordnens eines Formwerkzeugtrennfilms, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, auf einem oberen Werkzeug eines Formwerkzeugs, welches das obere Werkzeug und das untere Werkzeug aufweist, wobei das obere Werkzeug einen Hohlraum mit einer Mehrzahl von konvexen Abschnitten auf der Hohlraumoberfläche aufweist, und das untere Werkzeug einen Substratanordnungsabschnitt zum Anordnen eines Substrats aufweist, so dass der Hohlraum des oberen Werkzeugs durch den Formwerkzeugtrennfilm bedeckt ist,
    • (α2) einen Schritt des Vakuumansaugens des Formwerkzeugtrennfilms auf die Seite der Hohlraumoberfläche des oberen Werkzeugs,
    • (α3) einen Schritt des Anordnens eines Substrats, das eine Mehrzahl von Montageflächen aufweist, auf einem Substratanordnungsabschnitt des unteren Werkzeugs, so dass die Seite, die der Mehrzahl von Montageflächen gegenüber liegt, auf die Seite des unteren Werkzeugs gerichtet ist, des Schließens des oberen Werkzeugs und des unteren Werkzeugs, so dass die Mehrzahl von konvexen Abschnitten des oberen Werkzeugs mittels des Formwerkzeugtrennfilms jeweils in einem engen Kontakt mit der Mehrzahl der Montageflächen des Substrats ist,
    • (α4) einen Schritt des Füllens eines Raums, der zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug ausgebildet ist, mit einem aushärtbaren Harz, worauf ausgehärtet wird, wodurch eine Struktur erhalten wird, die das Substrat und ein ausgehärtetes Produkt des aushärtbaren Harzes aufweist,
    • (α5) einen Schritt des Entnehmens der Struktur aus dem Formwerkzeug und
    • (α6) einen Schritt des Schneidens des Substrats und des ausgehärteten Produkts der Struktur, so dass die Mehrzahl der Montageflächen getrennt wird, wodurch das Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements erhalten wird.
  • Formwerkzeug:
  • Das Formwerkzeug in der ersten Ausführungsform kann z. B. ein Formwerkzeug sein, welches das obere Werkzeug 50 und das untere Werkzeug 52 aufweist, wie es in der 4 gezeigt ist. Auf dem oberen Werkzeug 50 sind der Hohlraum 54 und der konkav geformte Harzeinbringungsabschnitt 60 zum Einbringen des aushärtbaren Harzes 40 in den Hohlraum 54 ausgebildet. Der Hohlraum 54 weist eine Form auf, die der Form des ausgehärteten Produkts entspricht, das auf dem Substrat in dem Schritt (α4) gebildet werden soll, und eine Mehrzahl der konvexen Abschnitte 56, die eine Form aufweisen, die eine umgekehrte Form des konkaven Abschnitts 14 in dem Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements ist, ist auf der Hohlraumoberfläche des oberen Werkzeugs 50 ausgebildet.
  • Auf dem unteren Werkzeug 52 sind der Substratanordnungsabschnitt 58 zum Anordnen eines Substrats und der Harzanordnungsabschnitt 62 zum Anordnen eines aushärtbaren Harzes ausgebildet. Ferner ist der Kolben 64 zum Drücken eines aushärtbaren Harzes zu dem Harzeinbringungsabschnitt 60 des oberen Werkzeugs 50 in dem Harzanordnungsabschnitt 62 angeordnet.
  • Schritt (α1):
  • Wie es in der 5 gezeigt ist, wird der Formwerkzeugtrennfilm 30 so angeordnet, dass er den Hohlraum 54 des oberen Werkzeugs 50 bedeckt. Der Formwerkzeugtrennfilm 30 wird vorzugsweise so angeordnet, dass er den Hohlraum 54 und den Harzeinbringungsabschnitt 60 vollständig bedeckt. Der Formwerkzeugtrennfilm 30 wird durch die Abwickelrolle (nicht gezeigt) und eine Aufwickelrolle (nicht gezeigt) gezogen, wodurch er so angeordnet wird, dass er den Hohlraum 54 des oberen Werkzeugs 50 in einem gestreckten Zustand bedeckt.
  • Als Formwerkzeugtrennfilm 30 wird ein Film mit einer im Wesentlichen konstanten Dicke über den Film verwendet. Eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film bedeutet, dass die Differenz zwischen dem maximalen Wert und dem minimalen Wert der Dicke bei einer Messung von 1 m in einer Maschinenrichtung und einer Querrichtung eines Films, gemessen gemäß ISO4591: 1992 (Verfahren A von JIS K7130: 1999, Bestimmung der Dicke durch mechanisches Abtasten), höchstens 15% der jeweiligen Durchschnittswerte beträgt. Der Formwerkzeugtrennfilm 30 wird nachstehend detailliert beschrieben.
  • Schritt (α2):
  • Wie es in der 6 gezeigt ist, wurde durch Vakuumansaugen durch eine Rille (nicht gezeigt), die außerhalb des Hohlraums 54 des oberen Werkzeugs 50 ausgebildet ist, der Raum zwischen dem oberen Werkzeug 50 und dem Formwerkzeugtrennfilm 30 (d. h., ein Raum zwischen dem Formwerkzeugtrennfilm 30 und der Hohlraumoberfläche und der Innenwand des Harzeinbringungsabschnitts 60 des oberen Werkzeugs 50) evakuiert, so dass der Formwerkzeugtrennfilm 30 gestreckt, verformt und an die Hohlraumoberfläche des oberen Werkzeugs 50 vakuumadsorbiert wird.
  • Dabei muss der Formwerkzeugtrennfilm 30 abhängig von der mechanischen Festigkeit und der Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 30 in einer Hochtemperaturumgebung und der Form des Hohlraums 54 nicht immer in einem engen Kontakt mit der Hohlraumoberfläche stehen. Wie es in der 6 gezeigt ist, kann auf der Stufe des Vakuumansaugens in dem Schritt (α2) ein Hohlraum geringfügig zwischen dem Formwerkzeugtrennfilm 30 und der Hohlraumoberfläche verbleiben.
  • Schritt (α3):
  • Wie es in der 7 gezeigt ist, wird das Substrat 10A, das eine Mehrzahl von Montageflächen (nicht gezeigt) aufweist, auf dem Substratanordnungsabschnitt 58 angeordnet und das obere Werkzeug 50 und das untere Werkzeug 52 werden so geklemmt, dass die Mehrzahl der konvexen Abschnitte 56 des oberen Werkzeugs 50 mittels des Formwerkzeugtrennfilms jeweils in einem engen Kontakt mit der Mehrzahl der Montageflächen 10A steht. Ferner wird das aushärtbare Harz 40 im Vorhinein auf dem Kolben 64 des Harzanordnungsabschnitts 62 angeordnet.
  • Der Klemmdruck zum Zeitpunkt des Klemmens des oberen Werkzeugs 50 und des unteren Werkzeugs 52 ist ein Druck, der derart ist, dass der Formwerkzeugtrennfilm 30, der zwischen dem konvexen Abschnitt 56 und dem Substrat 10A sandwichartig angeordnet ist, nicht übermäßig zusammengedrückt wird, so dass er nicht auf die Seite des Hohlraums 54 vorragt, wodurch ein Trennversagen des ausgehärteten Produkts aufgrund eines Eindringens eines Abschnitts des Formwerkzeugtrennfilms 30, der auf die Seite des Hohlraums 54 vorragt, in ein ausgehärtetes Produkt des aushärtbaren Harzes 40 verhindert werden kann. Ferner können auch Dellen oder eine Beschädigung der Montagefläche des Substrats 10A verhindert werden.
  • Insbesondere beträgt der Klemmdruck vorzugsweise von 10 bis 80 Tonnen, besonders bevorzugt von 20 bis 70 Tonnen. Der Druck pro Einheitsfläche beträgt vorzugsweise von 25 bis 200 MPa, besonders bevorzugt von 50 bis 175 MPa.
  • Es ist weniger wahrscheinlich, dass der Formwerkzeugtrennfilm 30, der in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, vorragt, wie es vorstehend beschrieben worden ist, und zwar selbst dann, wenn der Klemmdruck erhöht wird, und zwar verglichen mit einem Fall, bei dem ein Formwerkzeugtrennfilm eine integriert ausgebildete Konvexität aufweist, wie es in dem vorstehend genannten Patentdokument 2 gezeigt ist. Durch Erhöhen des Klemmdrucks innerhalb eines Bereichs, bei dem keine Dellen oder eine Beschädigung des Substrats 10A ausgebildet werden, wird der Effekt des Verhinderns von Harzgraten hervorragend.
  • Als das aushärtbare Harz 40 können verschiedene aushärtbare Harze, die bei der Herstellung von Halbleitergehäusen verwendet werden, usw., eingesetzt werden. Ein wärmeaushärtendes Harz, wie z. B. ein Epoxyharz oder ein Silikonharz, ist bevorzugt, und ein Epoxyharz ist besonders bevorzugt. Als Epoxyharz können z. B. SUMIKON EME G770H type F ver. GR, das von Sumitomo Bakelite Co., Ltd. hergestellt wird, und T693/R4719-SP10, das von Nagase ChemteX Corporation hergestellt wird, genannt werden. Als handelsübliche Produkte eines Silikonharzes können z. B. LPS-3412AJ und LPS-3412B, die von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. hergestellt werden, genannt werden.
  • Das aushärtbare Harz 40 kann Russ, Quarzglas, kristallines Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, usw., enthalten.
  • Schritt (α4):
  • Wie es in der 8 gezeigt ist, wird der Kolben 64 des unteren Werkzeugs 52 nach oben gedrückt, so dass das aushärtbare Harz 40 durch den Harzeinbringungsabschnitt 60 in den Hohlraum 54 gefüllt wird. Dann wird das Formwerkzeug zum Aushärten des aushärtbaren Harzes 40 erwärmt.
  • In dem Schritt (α4) wird, wenn das aushärtbare Harz 40 in den Hohlraum 54 gefüllt wird, der Formwerkzeugtrennfilm 30 durch den Harzdruck weiter auf die Seite der Hohlraumoberfläche des oberen Werkzeugs 50 gedrückt und gestreckt und verformt, so dass er in einem engen Kontakt mit der Hohlraumoberfläche kommt. Daher wird ein gebildetes ausgehärtetes Produkt eine Form aufweisen, die der Form des Hohlraums 54 entspricht.
  • Die Erwärmungstemperatur des Formwerkzeugs zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes 40, d. h., die Erwärmungstemperatur des aushärtbaren Harzes 40, beträgt vorzugsweise von 100 bis 185°C, besonders bevorzugt von 140 bis 175°C. Wenn die Erwärmungstemperatur mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Produktivität des Gehäuses 110 zum Montieren eines Halbleiterelements verbessert. Wenn die Erwärmungstemperatur höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird eine Zersetzung des aushärtbaren Harzes 40 verhindert. Im Hinblick auf die Unterdrückung einer Veränderung der Form des ausgehärteten Produkts aufgrund einer Wärmeausdehnung des aushärtbaren Harzes 40 wird dann, wenn der Schutz des Halbleitergehäuses 110 zum Montieren eines Halbleiterelements besonders erforderlich ist, das Erwärmen vorzugsweise bei der niedrigstmöglichen Temperatur innerhalb des vorstehend genannten Bereichs durchgeführt.
  • Der Harzdruck zum Zeitpunkt des Füllens des aushärtbaren Harzes 40 beträgt vorzugsweise von 2 bis 30 MPa, besonders bevorzugt von 3 bis 10 MPa. Wenn der Harzdruck mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, ist es unwahrscheinlich, dass ein Nachteil wie z. B. ein unzureichendes Füllen des aushärtbaren Harzes 40 auftritt. Wenn der Harzdruck höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann ein Halbleitergehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements mit einer hervorragenden Qualität einfach erhalten werden. Der Harzdruck des aushärtbaren Harzes 40 kann durch den Kolben 64 eingestellt werden.
  • Schritt (α5):
  • Wie es in der 9 gezeigt ist, wird die Struktur 110A, die in dem Schritt (α4) gebildet worden ist, aus dem Formwerkzeug entnommen.
  • Die Struktur 110A weist das Substrat 10A und das ausgehärtete Produkt 12A des aushärtbaren Harzes 40 auf, das in dem Hohlraum 54 ausgehärtet ist. Wenn die Struktur 110A aus dem Formwerkzeug entnommen wird, ist das ausgehärtete Produkt 19 des aushärtbaren Harzes 40, das in dem Harzeinbringungsabschnitt 60 ausgehärtet ist, mit dem ausgehärteten Produkt 12A der Struktur 110A verbunden. Dieses ausgehärtete Produkt 19 wird abgeschnitten, nachdem die Struktur 110A aus dem Formwerkzeug entnommen worden ist.
  • Zum Zeitpunkt des Füllens des aushärtbaren Harzes 40 in dem Schritt (α4) ist die Montagefläche des Substrats 10A in einem engen Kontakt mit dem Formwerkzeugtrennfilm 30 und daher ist das aushärtbare Harz 40 nicht damit in Kontakt. Demgemäß wird das ausgehärtete Produkt 12A so ausgebildet, dass es die Mehrzahl von jeweiligen Montageflächen des Substrats 10A umgibt und die Mehrzahl von jeweiligen Montageflächen des Substrats 10A freiliegt. Demgemäß ist in der Struktur 110A eine Mehrzahl von konkaven Abschnitten 14 durch das Substrat 10A und das ausgehärtete Produkt 12A, das die Mehrzahl von jeweiligen Montageflächen umgibt, ausgebildet.
  • Schritt (α6):
  • Das Substrat 10A und das ausgehärtete Produkt 12A der Struktur 110A, die in dem Schritt (α5) erhalten worden ist, werden geschnitten (vereinzelt), so dass die Mehrzahl von konkaven Abschnitten 14 der Struktur 110A einzeln getrennt werden, wodurch das Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements erhalten werden kann, welches das Substrat 10, das mindestens eine Montagefläche 10a aufweist, und den rahmenförmigen Einkapselungskörper 12, der die Montagefläche 10a umgibt, aufweist.
  • Ein solches Vereinzeln kann mit einem bekannten Verfahren durchgeführt werden, wie z. B. einem Sägeverfahren („Dicing”-Verfahren). Das Sägeverfahren ist ein Verfahren des Schneidens eines Gegenstands durch Drehen eines Sägeblatts. Als Sägeblatt wird typischerweise ein rotierendes Blatt (Diamantsägeblatt) verwendet, das ein Diamantpulver aufweist, das auf den Außenumfang einer Scheibe gesintert ist. Das Vereinzeln durch das Sägeverfahren kann z. B. mit einem Verfahren durchgeführt werden, bei dem der zu schneidende Gegenstand (Struktur 110A) mittels einer Einspannvorrichtung auf dem Verarbeitungstisch fixiert wird und das Sägeblatt in einem Zustand gedreht wird, bei dem ein Raum zum Einsetzen des Sägeblatts zwischen der Einspannvorrichtung und dem Schneidbereich des zu schneidenden Gegenstands vorliegt.
  • In dem Schritt (α6) kann nach dem Schritt (Schneidschritt) des Schneidens des zu schneidenden Gegenstands ein Fremdmaterial-Entfernungsschritt des Bewegens des Verarbeitungstischs einbezogen werden, während eine Flüssigkeit dem zu schneidenden Gegenstand von einer Düse zugeführt wird, die an einer Position getrennt von der Einhausung zum Abdecken des Sägeblatts angeordnet ist.
  • Vorstehend wurde das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die erste Ausführungsform beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende erste Ausführungsform beschränkt. Die jeweiligen Konstruktionen, deren Kombinationen, usw., in der vorstehenden Ausführungsform sind beispielhaft und Hinzufügungen, Weglassungen, Substitutionen und andere Änderungen sind innerhalb eines Bereichs möglich, bei dem nicht von dem Konzept der vorliegenden Erfindung abgewichen wird.
  • Beispielsweise ist der zeitliche Ablauf des Ablösens der Struktur 110A von dem Formwerkzeugtrennfilm 30 nicht auf die Zeit des Entnehmens der Struktur 110A aus dem Formwerkzeug beschränkt und die Struktur 110A kann zusammen mit dem Formwerkzeugtrennfilm aus dem Formwerkzeug entnommen werden und dann kann der Formwerkzeugtrennfilm von der Struktur 110A abgelöst werden.
  • Bei der Montagefläche des Substrats 10, das auf dem unteren Werkzeug 52 angeordnet wird, kann es sich um eine handeln. In diesem Fall muss der Schritt (α6) nicht durchgeführt werden.
  • Wenn das Substrat 10 eine Mehrzahl von Montageflächen aufweist, kann die Distanz zwischen der Mehrzahl der jeweiligen Montageflächen einheitlich oder uneinheitlich sein. Ferner können die jeweiligen Formen der Mehrzahl der Montageflächen gleich oder verschieden sein.
  • Nach dem Schritt (α6) (oder vor dem Schritt (α6) und nach dem Schritt (α5)) kann zum Angeben einer optionalen Information ein Schritt zum Bilden einer Druckfarbenschicht durch Aufbringen einer Druckfarbe auf die Oberfläche des Einkapselungskörpers 12 (oder des ausgehärteten Produkts 12A) durchgeführt werden.
  • Die Information, die durch die Druckfarbenschicht angegeben werden soll, ist nicht speziell beschränkt, und eine Seriennummer, Informationen über die Hersteller, der Typ von Komponenten, usw., können genannt werden. Die Druckfarbe ist nicht speziell beschränkt und kann zweckmäßig aus bekannten Druckfarben ausgewählt werden.
  • Das Verfahren zum Aufbringen der Druckfarbe ist nicht speziell beschränkt und beispielsweise können verschiedene Druckverfahren verwendet werden, wie z. B. ein Tintenstrahldrucken, Siebdrucken, Übertragen von einer Kautschukplatte, usw.
  • Als Verfahren zur Bildung der Druckfarbenschicht ist im Hinblick auf eine hohe Aushärtungsgeschwindigkeit, ein geringeres Ausbluten auf dem Gehäuse und eine geringe Positionsverschiebung des Gehäuses, da keine Heißluft angewandt wird, ein Verfahren bevorzugt, bei dem eine lichtaushärtbare Druckfarbe verwendet wird, wobei die Druckfarbe durch ein Tintenstrahlverfahren auf die Oberfläche des Einkapselungskörpers 12 aufgebracht und durch Bestrahlen mit Licht ausgehärtet wird.
  • Als lichtaushärtbare Druckfarbe kann typischerweise ein Material verwendet werden, das eine polymerisierbare Verbindung (Monomer, Oligomer, usw.) enthält. Der Druckfarbe können je nach Erfordernis ein Farbmaterial, wie z. B. ein Pigment oder ein Farbstoff, ein flüssiges Medium (Lösungsmittel oder Dispergiermittel), ein Polymerisationshemmstoff, ein Photopolymerisationsinitiator, verschiedene andere Additive, usw., zugesetzt werden. Andere Additive umfassen z. B. ein Gleitmittel, einen Polymerisationsbeschleuniger, einen Penetrationsverstärker, ein Benetzungsmittel (Feuchthaltemittel), ein Fixiermittel, ein Fungizid, ein Konservierungsmittel, ein Antioxidationsmittel, ein Strahlungsabsorptionsmittel, ein Chelatisierungsmittel, ein pH-Einstellmittel, ein Verdickungsmittel, usw.
  • Als Licht zum Aushärten der lichtaushärtbaren Druckfarbe können z. B. Ultraviolettstrahlen, sichtbare Strahlen, Infrarotstrahlen, ein Elektronenstrahl oder Elektronenstrahlen genannt werden.
  • Als Lichtquelle für Ultraviolettstrahlen kann z. B. eine Entkeimungslampe, eine Ultraviolettfluoreszenzlampe, eine Kohlebogenlampe, eine Xenonlampe, eine Hochdruckquecksilberlampe zum Kopieren, eine Mitteldruck- oder Hochdruckquecksilberlampe, eine Superhochdruckquecksilberlampe, eine elektrodenlose Lampe, eine Metallhalogenidlampe, eine Ultraviolett-Leuchtdiode, eine Ultraviolett-Laserdiode oder natürliches Licht genannt werden.
  • Die Lichtbestrahlung kann unter Normaldruck oder unter vermindertem Druck durchgeführt werden. Sie kann ferner in Luft oder in einer Inertgasatmosphäre, wie z. B. einer Stickstoffatmosphäre oder einer Kohlendioxidatmosphäre, durchgeführt werden.
  • Ferner ist ein Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements, das durch das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, nicht auf das Gehäuse 110 zum Montieren eines Halbleiterelements beschränkt und es kann z. B. ein Gehäuse 120 zum Montieren eines Halbleiterelements sein.
  • Das Gehäuse 120 zum Montieren eines Halbleiterelements kann in der gleichen Weise wie in der ersten Ausführungsform hergestellt werden, mit der Ausnahme, dass anstelle des Substrats 10 das Substrat 16 verwendet wird und die Form des konvexen Abschnitts 56 gemäß dem konkaven Abschnitt 20 geändert wird.
  • [Formwerkzeugtrennfilm]
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 30 in der vorliegenden Erfindung kann ein Einschichtstrukturfilm oder ein Mehrschichtstrukturfilm sein.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 30 muss eine Trennbarkeit, eine Wärmebeständigkeit, die gegen die Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C) beständig ist, und eine mechanische Festigkeit, die gegen den Druck oder die Fluidität des aushärtbaren Harzes beständig ist, aufweisen.
  • In dem Fall des Einschichtstrukturfilms ist der Formwerkzeugtrennfilm 30 im Hinblick auf die Trennbarkeit, die Wärmebeständigkeit, die mechanische Festigkeit und die Dehnung bei einer hohen Temperatur vorzugsweise ein Film, der aus mindestens einem Harz hergestellt ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist, besonders bevorzugt ein Film, der aus einem Fluorharz hergestellt ist. Das Fluorharz und das Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, werden nachstehend jeweils detailliert beschrieben.
  • Der Mehrschichtstrukturfilm kann z. B. ein Film mit einer ersten Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und einer weiteren Schicht sein. Bei einer solchen weiteren Schicht kann es sich um eine Schicht oder mindestens zwei Schichten handeln.
  • Im Hinblick auf hervorragende Effekte des Verhinderns eines Trennversagens und von Harzgraten ist der Mehrschichtstrukturfilm vorzugsweise der folgende Formwerkzeugtrennfilm (I).
  • Formwerkzeugtrennfilm (I): Ein Film, der eine erste Schicht, die mit einem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und eine zweite Schicht aufweist,
    wobei die erste Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner einen Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa aufweist und
    die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 200 bis 13000 aufweist.
  • In einem Fall, bei dem das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung, wie es vorstehend beschrieben worden ist, unter Verwendung des Formwerkzeugtrennfilms (I) durchgeführt wird, ist es bevorzugt, dass der Formwerkzeugtrennfilm (I) derart auf dem oberen Werkzeug angeordnet wird, dass die Oberfläche der Seite der ersten Schicht in einem Schritt, bei dem der konvexe Abschnitt des oberen Werkzeugs mittels des Formwerkzeugtrennfilms in einen engen Kontakt mit der Montagefläche des Substrats gebracht wird, auf die Seite des Substrats (Seite der Montagefläche) gerichtet ist.
  • In einem Fall, bei dem die erste Schicht, die in einem direkten Kontakt mit der Montagefläche sein soll, eine weiche Schicht mit einem Zugspeichermodul bei 180°C ist, der höchstens bei dem vorgegebenen Wert liegt, und eine Dicke aufweist, die mindestens bei dem vorgegebenen Wert liegt, wird die erste Schicht selbst bei einem so schwachen Klemmdruck nur schwach zusammengedrückt, bei dem während des Pressens des konvexen Abschnitts auf die Montagefläche keine Dellen auftreten oder eine Beschädigung des Substrats auftritt. Ferner wird in einem Fall, bei dem das Produkt aus dem Zugspeichermodul bei 180°C und der Dicke der zweiten Schicht höchstens bei dem vorgegebenen Wert liegt, das Anpassungsvermögen des Formwerkzeugtrennfilms (I) an das obere Werkzeug ausreichend. Daher wird selbst dann, wenn die Höhe der Montagefläche des Substrats oder die Höhe des konvexen Abschnitts ungleichmäßig ist, die Ungleichmäßigkeit durch die erste Schicht kompensiert, und daher liegt der konvexe Abschnitt des oberen Werkzeugs mittels des Formwerkzeugtrennfilms (I) in einem ausreichend engen Kontakt mit der gesamten Formoberfläche des Substrats vor. Demgemäß neigt das aushärtbare Harz kaum zu einem Eindringen in einen Raum zwischen dem konvexen Abschnitt und der Montagefläche, wodurch die Harzgrate nicht auf der gesamten Montagefläche auftreten.
  • Ferner ist die zweite Schicht vorzugsweise eine Schicht, die ein Produkt aus dem Zugspeichermodul bei 180°C und der Dicke aufweist, das höher ist als dasjenige der ersten Schicht, und sie ist verglichen mit der ersten Schicht eine harte Schicht. In einem Fall, bei dem die erste Schicht einen Zugspeichermodul bei 180°C aufweist, der mindestens bei dem vorgegebenen Wert liegt, und ferner eine Dicke aufweist, die höchstens bei dem vorgegebenen Wert liegt, und in einem Fall, bei dem die zweite Schicht, die härter ist als die erste Schicht, auf der Seite des oberen Werkzeugs gegenüber der ersten Schicht vorliegt, ist es weniger wahrscheinlich, dass Probleme dahingehend erzeugt werden, dass dann, wenn der konvexe Abschnitt des oberen Werkzeugs auf die Montagefläche des Substrats gedrückt wird, die erste Schicht übermäßig zusammengedrückt werden kann und in eine Hohlraumseite vorragt, wodurch ein Trennversagen auftreten kann oder der Formwerkzeugtrennfilm (I) reißen kann.
  • Der Zugspeichermodul bei 180°C der ersten Schicht beträgt besonders bevorzugt von 10 bis 40 MPa. Die Dicke der ersten Schicht beträgt mehr bevorzugt von 5 bis 12 μm, besonders bevorzugt von 7 bis 12 μm.
  • Das Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) der zweiten Schicht beträgt besonders bevorzugt von 3000 bis 8000.
  • Der Zugspeichermodul bei 180°C und die Dicke der zweiten Schicht können jeweils optionale Werte sein und sind nicht speziell beschränkt, solange das Produkt innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt. Insbesondere beträgt der Zugspeichermodul bei 180°C vorzugsweise von 90 bis 600 MPa, besonders bevorzugt von 110 bis 300 MPa. Die Dicke beträgt vorzugsweise von 6 bis 50 μm, besonders bevorzugt von 12 bis 38 μm.
  • Vorstehend ist es bezüglich des Formwerkzeugtrennfilms (I) bevorzugt, dass die Dicke der ersten Schicht von 5 bis 12 μm beträgt und das Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) der zweiten Schicht von 3000 bis 8000 beträgt. Insbesondere ist es besonders bevorzugt, dass die Dicke der ersten Schicht von 7 bis 12 μm beträgt und das Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) der zweiten Schicht von 3000 bis 8000 beträgt.
  • Der Zugspeichermodul von jeder der ersten Schicht und der zweiten Schicht kann durch die Kristallinität des Harzes eingestellt werden, das jede der ersten Schicht und der zweiten Schicht bildet (nachstehend auch als das Harz für die erste Schicht bzw. das Harz für die zweite Schicht bezeichnet). Insbesondere wird der Zugspeichermodul der Schicht, die aus dem Harz hergestellt ist, niedriger, wenn die Kristallinität des Harzes niedriger ist. Die Kristallinität des Harzes kann durch ein bekanntes Verfahren eingestellt werden. Beispielsweise kann in dem Fall eines Ethylen/Tetrafluorethylen-Copolymers die Kristallinität durch das Verhältnis der Einheiten auf der Basis von Tetrafluorethylen und Ethylen, den Typ oder den Anteil von Einheiten auf der Basis eines Monomers, das von Tetrafluorethylen und Ethylen verschieden ist, eingestellt werden.
  • (Formwerkzeugtrennfilm der ersten Ausführungsform)
  • Die 10 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die erste Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms (I) zeigt.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 1 in dieser Ausführungsform ist ein Formwerkzeugtrennfilm, bei dem die erste Schicht 2 und die zweite Schicht 3 in dieser Reihenfolge laminiert sind. Der Formwerkzeugtrennfilm 1 ist derart, dass während des Aushärtens des aushärtbaren Harzes die erste Schicht 2 mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt ist (d. h., die Oberfläche 2a mit einem aushärtbaren Harz in Kontakt ist), und die zweite Schicht 3 mit dem oberen Werkzeug des Formwerkzeugs in Kontakt ist (d. h., die Oberfläche 3a mit dem oberen Werkzeug des Formwerkzeugs in Kontakt ist).
  • <Erste Schicht>
  • Die erste Schicht ist eine Formwerkzeugtrennschicht zum problemlösen Ablösen des ausgehärteten aushärtbaren Harzes und des Formwerkzeugtrennfilms 1. Die Bereiche des Zugspeichermoduls bei 180°C und der Dicke der ersten Schicht 2 und bevorzugte Bereiche davon sind jeweils derart, wie es vorstehend beschrieben worden ist.
  • Das Harz, das die erste Schicht 2 bildet (nachstehend auch als ein Harz für eine erste Schicht bezeichnet), ist nicht beschränkt, solange es den vorstehend genannten Zugspeichermodul aufweist, und es kann zweckmäßig aus bekannten thermoplastischen Harzen, Kautschuken, usw., ausgewählt werden.
  • Die erste Schicht 2 weist vorzugsweise eine Trennbarkeit auf einem Niveau auf, das derart ist, dass das aushärtbare Harz (Einkapselungskörper), das in einem Zustand ausgehärtet wird, bei dem es mit der ersten Schicht 2 des Formwerkzeugtrennfilms in Kontakt ist, bei der Herstellung des Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements problemlos von dem Formwerkzeugtrennfilm 1 abgelöst werden kann. Ferner ist es bevorzugt, dass sie eine Wärmebeständigkeit aufweist, die gegen die Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C) beständig ist. Wenn dies berücksichtigt wird, ist das Harz für die erste Schicht vorzugsweise mindestens ein Mitglied, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Polystyrol und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist. Sie können allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Harz für die erste Schicht ist besonders bevorzugt ein Fluorharz, da die Trennbarkeit hervorragend ist. Wenn die erste Schicht 2 aus einem Fluorharz hergestellt ist, ist die Trennbarkeit des ausgehärteten Produkts des ausgehärteten Harzes von dem Formwerkzeug hervorragend. Ferner weist der Formwerkzeugtrennfilm 1 eine ausreichende Wärmebeständigkeit, die gegen die Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C) beständig ist, eine Festigkeit, die gegen den Druck oder die Fluidität des aushärtbaren Harzes beständig ist, usw., auf, und er weist auch eine hervorragende Dehnung bei einer hohen Temperatur auf.
  • Im Hinblick auf die Trennbarkeit und die Wärmebeständigkeit ist das Fluorharz vorzugsweise ein Polymer des Fluorolefintyps. Das Polymer des Fluorolefintyps ist ein Polymer, das Einheiten auf der Basis eines Fluorolefins aufweist. Das Fluorolefin kann z. B. Tetrafluorethylen, Vinylfluorid, Vinylidenfluorid, Trifluorethylen, Hexafluorpropylen, Chlortrifluorethylen, usw., sein. Als Fluorolefin kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Polymer des Fluorolefintyps kann z. B. ein Ethylen/Tetrafluorethylen-Copolymer (nachstehend auch als ETFE bezeichnet), Polytetrafluorethylen, ein Perfluor(alkylvinylether)/Tetrafluorethylen-Copolymer, usw., sein. Als Polymer des Fluorolefintyps kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden. Im Hinblick auf die Trennbarkeit und die Wärmebeständigkeit ist das Polystyrol vorzugsweise syndiotaktisches Polystyrol. Ein Polystyrol kann gestreckt sein oder es kann ein Additiv enthalten. Als Polystyrol kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Der Schmelzpunkt des Polyolefins, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, beträgt vorzugsweise mindestens 200°C und höchstens 300°C.
  • Im Hinblick auf die Trennbarkeit und das Formwerkzeuganpassungsvermögen ist das Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, vorzugsweise Polymethylpenten. Als Polyolefin kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Harz für die erste Schicht ist vorzugsweise mindestens ein Mitglied von den Vorstehenden, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Polymer des Fluorolefintyps und Polymethylpenten, ausgewählt ist, mehr bevorzugt ein Polymer des Fluorolefintyps. Von diesen ist im Hinblick auf eine große Dehnung bei einer hohen Temperatur ETFE besonders bevorzugt. Als ETFE kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • ETFE ist ein Copolymer, das Einheiten auf der Basis von Tetrafluorethylen (nachstehend auch als TFE bezeichnet) und Einheiten auf der Basis von Ethylen (nachstehend auch als E bezeichnet) umfasst.
  • Als ETFE ist eines bevorzugt, das Einheiten auf der Basis von TFE, Einheiten auf der Basis von E und Einheiten auf der Basis eines dritten Monomers aufweist, das von TFE und E verschieden ist. Durch den Typ und den Gehalt von Einheiten auf der Basis des dritten Monomers kann die Kristallinität des ETFE, d. h., der Zugspeichermodul der ersten thermoplastischen Harzschicht 2, einfach eingestellt werden. Dadurch, dass Einheiten auf der Basis des dritten Monomers vorliegen (insbesondere eines Monomers, das Fluoratome aufweist), werden ferner die Zugfestigkeit und die Dehnung bei einer hohen Temperatur (insbesondere bei etwa 180°C) verbessert.
  • Als das dritte Monomer kann ein Monomer, das Fluoratome aufweist, oder ein Monomer, das kein Fluoratom aufweist, genannt werden.
  • Als Monomer, das Fluoratome aufweist, können die folgenden Monomere (α1) bis (α5) genannt werden.
    Monomer (a1): Ein Fluorolefin mit höchstens 3 Kohlenstoffatomen.
    Monomer (a2): Ein Perfluoralkylethylen, das durch X(CF2)nCY=CH2 dargestellt ist (wobei X und Y jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder ein Fluoratom sind und n eine ganze Zahl von 2 bis 8 ist).
    Monomer (a3): Ein Fluorvinylether.
    Monomer (a4): Ein funktionelle Gruppe-enthaltender Fluorvinylether.
    Monomer (a5): Ein fluoriertes Monomer, das eine aliphatische Ringstruktur aufweist.
  • Das Monomer (a1) kann z. B. ein Fluorethylen (wie z. B. Trifluorethylen, Vinylidenfluorid, Vinylfluorid oder Chlortrifluorethylen) oder ein Fluorpropylen (wie z. B. Hexafluorpropylen (nachstehend auch als HFP bezeichnet) oder 2-Hydropentafluorpropylen) sein.
  • Das Monomer (a2) ist vorzugsweise ein Monomer, bei dem n von 2 bis 6 ist, besonders bevorzugt ein Monomer, bei dem n von 2 bis 4 ist. Ferner ist ein Monomer besonders bevorzugt, bei dem X ein Fluoratom ist und Y ein Wasserstoffatom ist, d. h., ein (Perfluoralkyl)ethylen.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (a2) können die folgenden Verbindungen genannt werden.
    CF3CF2CH=CH2,
    CF3CF2CF2CF2CH=CH2 ((Perfluorbutyl)ethylen, nachstehend auch als PFBE bezeichnet),
    CF3CF2CF2CF2CF=CH2,
    CF2HCF2CF2CF=CH2,
    CF2HCF2CF2CF2CF=CH2, usw.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (a3) können die folgenden Verbindungen genannt werden. Dabei ist von den Folgenden ein Monomer, das ein Dien ist, ein cyclopolymerisierbares Monomer.
    CF2=CFOCF3,
    CF2=CFOCF2CF3,
    CF2=CF(CF2)2CF3 (Perfluor(propylvinylether), nachstehend auch als PPVE bezeichnet),
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
    CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3,
    CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
    CF2=CFOCF2CF=CF2,
    CF2=CFO(CF2)2CF=CF2, usw.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (a4) können die folgenden Verbindungen genannt werden.
    CF2=CFO(CF2)3CO2CH3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3,
    CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F, usw.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (a5) können Perfluor(2,2-dimethyl-1,3-dioxol), 2,2,4-Trifluor-5-trifluormethoxy-1,3-dioxol, Perfluor(2-methylen-4-methyl-1,3-dioxolan), usw., genannt werden.
  • Als Monomer, das kein Fluoratom aufweist, können die folgenden Monomere (b1) bis (b4) genannt werden.
    Monomer (b1): Ein Olefin.
    Monomer (b2): Ein Vinylester.
    Monomer (b3): Ein Vinylether.
    Monomer (b4): Ein ungesättigtes Säureanhydrid.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (b1) können Propylen, Isobuten, usw., genannt werden.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (b2) können Vinylacetat, usw., genannt werden.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (b3) können Ethylvinylether, Butylvinylether, Cyclohexylvinylether, Hydroxybutylvinylether, usw., genannt werden.
  • Als spezifische Beispiele für das Monomer (b4) können Maleinsäureanhydrid, Itaconsäureanhydrid, Citraconsäureanhydrid, 5-Norbornen-2,3-dicarbonsäureanhydrid („himic anhydride”), usw., genannt werden.
  • Als das dritte Monomer kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden. Das dritte Monomer ist vorzugsweise das Monomer (a2), HFP, PPVE oder Vinylacetat, mehr bevorzugt HFP, PPVE, CF3CF2CH=CH2 oder PFBE, besonders bevorzugt PFBE, weil dadurch das Einstellen der Kristallinität, d. h., des Zugspeichermoduls, einfach wird, und dadurch, dass Einheiten auf der Basis eines dritten Monomers (insbesondere eines Monomers, das Fluoratome aufweist) vorliegen, werden die Zugfestigkeit und die Dehnung bei einer hohen Temperatur (insbesondere bei etwa 180°C) hervorragend sein. D. h., als ETFE ist ein Copolymer besonders bevorzugt, das Einheiten auf der Basis von TFE, Einheiten auf der Basis von E und Einheiten auf der Basis von PFBE aufweist.
  • In ETFE beträgt das molare Verhältnis (TFE/E) von Einheiten auf der Basis von TFE zu Einheiten auf der Basis von E vorzugsweise von 80/20 bis 40/60, mehr bevorzugt von 70/30 bis 45/55, besonders bevorzugt von 65/35 bis 50/50. Wenn TFE/E innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, werden die Wärmebeständigkeit und die mechanischen Eigenschaften von ETFE hervorragend sein.
  • Der Anteil von Einheiten auf der Basis des dritten Monomers in ETFE beträgt vorzugsweise von 0,01 bis 20 Mol-%, mehr bevorzugt von 0,10 bis 15 Mol-%, besonders bevorzugt von 0,20 bis 10 Mol-% auf der Basis der Gesamtheit (100 Mol-%) aller Einheiten, die ETFE bilden. Wenn der Anteil von Einheiten auf der Basis des dritten Monomers innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, werden die Wärmebeständigkeit und die mechanischen Eigenschaften von ETFE hervorragend sein.
  • In einem Fall, bei dem die Einheiten auf der Basis des dritten Monomers Einheiten auf der Basis von PFBE enthalten, beträgt der Anteil von Einheiten auf der Basis von PFBE vorzugsweise von 0,5 bis 4,0 Mol-%, mehr bevorzugt von 0,7 bis 3,6 Mol-%, besonders bevorzugt von 1,0 bis 3,6 Mol-% bezogen auf die Gesamtheit (100 Mol-%) aller Einheiten, die ETFE bilden. Wenn der Anteil von Einheiten auf der Basis von PFBE innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, kann der Zugspeichermodul bei 180°C des Formwerkzeugtrennfilms innerhalb des vorstehend genannten Bereichs eingestellt werden. Ferner werden die Zugfestigkeit und die Dehnung bei einer hohen Temperatur (insbesondere bei etwa 180°C) verbessert sein.
  • Die Fließfähigkeit (MFR) von ETFE beträgt vorzugsweise von 2 bis 40 g/10 min, mehr bevorzugt von 5 bis 30 g/10 min, besonders bevorzugt von 10 bis 20 g/10 min. Wenn die MFR von ETFE innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird die Formbarkeit von ETFE verbessert und die mechanischen Eigenschaften des Formwerkzeugtrennfilms werden hervorragend sein.
  • Die MFR von ETFE ist ein Wert, der bei einer Last von 49 N bei 297°C gemäß ASTM D3159 gemessen wird.
  • Die erste Schicht 2 kann eine Schicht sein, die nur aus dem Harz für die erste Schicht hergestellt ist, oder sie kann eine Schicht sein, in die ein Additiv, wie z. B. ein anorganisches Additiv oder ein organisches Additiv, einbezogen ist. Als anorganisches Additiv können anorganische Füllstoffe, wie z. B. Ruß, Siliziumdioxid, Glasfasern, Kohlenstoff-Nanofasern, Titanoxid, usw., genannt werden. Als organisches Additiv können Silikonöl, eine Metallseife, usw., genannt werden.
  • <Zweite Schicht>
  • Ein Bereich des Produkts aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) der zweiten Schicht 3 und die bevorzugten Bereich des Produkts, des Zugspeichermoduls und der Dicke sind jeweils derart, wie sie vorstehend angegeben sind.
  • Das Harz, das die zweite Schicht 3 bildet (nachstehend auch als Harz für die zweite Schicht bezeichnet) kann eines sein, solange das vorstehend genannte Produkt aus dem Zugspeichermodul und der Dicke innerhalb der vorstehend genannten Bereiche liegen, und es kann zweckmäßig aus bekannten thermoplastischen Harzen, Kautschuken, usw., ausgewählt werden.
  • Die zweite Schicht 3 weist vorzugsweise eine Trennbarkeit auf einem Niveau auf, so dass der Formwerkzeugtrennfilm 1 zum Zeitpunkt der vorstehend beschriebenen Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements problemlos von dem oberen Werkzeug abgelöst werden kann. Ferner weist sie vorzugsweise eine Wärmebeständigkeit auf, die gegen die Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C) beständig ist. Wenn dies berücksichtigt wird, ist das Harz für die zweite Schicht vorzugsweise mindestens ein Mitglied, das aus der Gruppe, bestehend aus einem ungestreckten Polyamid, einem biaxial gestreckten Polyamid, Polybutylenterephthalat (nachstehend auch als PBT bezeichnet), einem Polyethylenterephthalat (nachstehend auch als PET bezeichnet) und einem sehr gut formbaren PET, ausgewählt ist.
  • Als Polyamid ist Nylon 6 oder Nylon MXD6 im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit, die Festigkeit und die Gasbarriereeigenschaften bevorzugt.
  • Das sehr gut formbare PET ist ein PET, dessen Formbarkeit durch Copolymerisieren eines weiteren Monomers zusätzlich zu Ethylenglykol und Terephthalsäure (oder Dimethylphthalat) verbessert ist. Insbesondere handelt es sich um PET, bei dem die Glasübergangstemperatur Tg, die mit dem folgenden Verfahren gemessen wird, höchstens 105°C beträgt.
  • Tg ist eine Temperatur, bei der tan δ (E''/E'), bei dem es sich um das Verhältnis des Verlustelastizitätsmoduls E'' zu dem Speicherelastizitätsmodul E'' handelt, gemessen gemäß ISO6721-4: 1994 (JIS K7244-4: 1999), den maximalen Wert aufweist. Tg wird durch Erhöhen der Temperatur mit 2°C/min von 20°C auf 180°C bei einer Frequenz von 10 Hz, einer statischen Kraft von 0,98 N und mit einer dynamischen Verschiebung von 0,035% gemessen.
  • Als das Harz für die zweite Schicht kann ein Typ allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Harz für die zweite Schicht ist besonders bevorzugt PBT oder ein sehr gut formbares PBT.
  • Die zweite Schicht 3 kann eine Schicht sein, die nur aus dem Harz für die zweite Schicht hergestellt ist, oder es kann eine Schicht sein, in die ein Additiv, wie z. B. ein anorganisches Additiv oder ein organisches Additiv, einbezogen ist. Als das anorganische Additiv und das organische Additiv können die gleichen genannt werden, wie sie vorstehend beschrieben worden sind.
  • In dem Formwerkzeugtrennfilm 1 können die erste Schicht 2 und die zweite Schicht 3 direkt laminiert sein oder sie können mittels einer Haftmittelschicht laminiert sein, die in den Zeichnungen nicht gezeigt ist.
  • <Oberflächenform des Formwerkzeugtrennfilms>
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 kann die Oberfläche, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt ist, d. h., die Oberfläche 2a auf der Seite der ersten Schicht 2, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, so dass die Trennbarkeit verbessert wird. Ferner kann bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 die Oberfläche, die mit dem oberen Werkzeug des Formwerkzeugs zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes des Harzeinkapselungsabschnitts in Kontakt ist, d. h., die Oberfläche 3a auf der Seite der zweiten Schicht 3, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, so dass die Trennbarkeit verbessert wird.
  • Der arithmetische Mittenrauwert (Ra) der Oberfläche in dem Fall einer glatten Oberfläche beträgt vorzugsweise von 0,01 bis 0,2 μm, besonders bevorzugt von 0,05 bis 0,1 μm. Der Ra der Oberfläche in dem Fall, bei dem Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, beträgt vorzugsweise von 1,5 bis 2,1 μm, besonders bevorzugt von 1,6 bis 1,9 μm.
  • Die Oberflächenform in dem Fall, bei dem Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, kann eine Form sein, in der eine Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten zufällig verteilt sind, oder sie kann eine Form sein, in der eine Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten regelmäßig angeordnet sind. Ferner können die Formen und Größen der Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten gleich oder verschieden sein. Die Konvexitäten können längliche Rippen sein, die sich auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms erstrecken, oder Vorwölbungen oder dergleichen, die auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms verteilt sind. Die Konkavitäten können längliche Rillen sein, die sich auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms erstrecken, oder Löcher oder dergleichen, die auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms verteilt sind.
  • Die Form von Rippen oder Rillen kann eine gerade Linien-, gekrümmte Linien- oder gebogene Linienform sein. Auf der Oberfläche des Formwerkzeugtrennfilms kann eine Mehrzahl von Rippen oder Rillen parallel oder in Streifen vorliegen. Die Querschnittsform der Rippen oder Rillen in einer Richtung senkrecht zu der Längsrichtung kann polygonal, wie z. B. dreieckig (V-Form), halbkreisförmig oder dergleichen sein.
  • Bei der Form der Vorwölbungen oder Löcher kann es sich um polygonal, wie z. B. dreieckigpyramidal, quadratisch-pyramidal oder hexagonal-pyramidal, konisch, halbkugelförmig, polyedrisch, andere verschiedene unregelmäßige Formen oder dergleichen handeln.
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 können sowohl die Oberfläche 2a als auch die Oberfläche 3a glatt sein, sowohl die Oberfläche 2a als auch die Oberfläche 3a können darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen oder eine der Oberfläche 2a und der Oberfläche 3a ist glatt und die andere weist darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten auf. In einem Fall, bei dem sowohl die Oberfläche 2a als auch die Oberfläche 3a darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, können Ra und/oder die Oberflächenformen der jeweiligen Oberflächen gleich oder verschieden sein.
  • Im Hinblick auf die Verhinderung von Harzgraten ist es bevorzugt, dass Ra der Oberfläche 2a auf der Seite der ersten Schicht 2 kleiner ist und es ist besonders bevorzugt, dass die Oberfläche 2a glatt ist.
  • Im Hinblick auf eine hervorragende Trennbarkeit des Formwerkzeugtrennfilms 1 von dem Formwerkzeug ist es bevorzugt, dass Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche 3a der Seite der zweiten Schicht 3 ausgebildet sind.
  • <Dicke des Formwerkzeugtrennfilms>
  • Die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 beträgt vorzugsweise von 15 bis 75 μm, mehr bevorzugt von 17 bis 62 μm, besonders bevorzugt von 19 bis 50 μm. Wenn die Dicke mindestens der untere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, wird die Handhabung des Formwerkzeugtrennfilms 1 einfach und es ist weniger wahrscheinlich, dass Falten auftreten, wenn der Formwerkzeugtrennfilm 1 so angeordnet ist, dass er den Hohlraum des oberen Werkzeugs bedeckt, während der Formwerkzeugtrennfilm 1 gezogen wird. Wenn die Dicke höchstens der obere Grenzwert in dem vorstehend genannten Bereich ist, kann der Formwerkzeugtrennfilm 1 einfach verformt werden und das Anpassungsvermögen an die Form des Hohlraums des oberen Werkzeugs liegt vor und daher kann der Formwerkzeugtrennfilm 1 mit der Hohlraumoberfläche in Kontakt sein. Demgemäß kann ein Einkapselungskörper mit einer hohen Qualität stabil gebildet werden.
  • Es ist bevorzugt, dass die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 1 innerhalb des vorstehend genannten Bereichs gering wird, wenn der Hohlraum des oberen Werkzeugs groß wird. Ferner ist es bevorzugt, dass die Dicke innerhalb des vorstehend genannten Bereichs gering wird, wenn es sich bei dem Formwerkzeug um ein komplizierteres Formwerkzeug handelt, das eine Mehrzahl von Hohlräumen aufweist.
  • <Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 1>
  • Das Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 1 ist nicht speziell beschränkt und ein bekanntes Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtfilms kann verwendet werden. Als spezifische Beispiele können die folgenden Verfahren (1) und (2) genannt werden und sie können unter Berücksichtigung z. B. der Materialien, der Dicken, usw., der jeweiligen Schichten in einer geeigneten Weise ausgewählt werden.
    • (1) Ein Verfahren des Laminierens eines Harzfilms, der aus dem Harz für die erste Schicht hergestellt ist, und eines Harzfilms, der aus dem Harz für die zweite Schicht hergestellt ist.
    • (2) Ein Verfahren des Coextrusionsformens des Harzes für die erste Schicht und des Harzes für die zweite Schicht.
  • Als Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 1 ist das Verfahren (1) im Hinblick auf eine hervorragende Herstellungseffizienz bevorzugt.
  • In dem Verfahren (1) können als Verfahren zum Laminieren der jeweiligen Harzfilme verschiedene bekannte Laminierverfahren eingesetzt werden und beispielsweise können ein Extrusionslaminierverfahren, ein Trockenlaminierverfahren, ein Wärmelaminierverfahren, usw., genannt werden.
  • Bei dem Trockenlaminierverfahren werden die jeweiligen Harzfilme unter Verwendung eines Haftmittels laminiert. Als Haftmittel kann ein Haftmittel verwendet werden, das als Haftmittel zum Trockenlaminieren bekannt ist. Beispielsweise kann oder können ein Haftmittel des Polyvinylacetattyps, ein Haftmittel des Polyacrylsäureestertyps, das aus einem Homopolymer oder Copolymer eines Acrylsäureesters (wie z. B. Ethylacrylat, Butylacrylat, 2-Ethylhexylacrylat, usw.) oder einem Copolymer eines Acrylsäureesters mit einem weiteren Monomer (wie z. B. Methylmethacrylat, Acrylnitril, Styrol, usw.) hergestellt ist, ein Haftmittel des Cyanacrylattyps, ein Haftmittel des Ethylen-Copolymertyps, das z. B. aus einem Copolymer von Ethylen mit einem weiteren Monomer (wie z. B. Vinylacetat, Ethylacrylat, Acrylsäure, Methacrylsäure, usw.) hergestellt ist, ein Haftmittel des Cellulosetyps, ein Haftmittel des Polyestertyps, ein Haftmittel des Polyamidtyps, ein Haftmittel des Polyimidtyps, ein Haftmittel des Aminoharztyps, das aus einem Harnstoffharz oder einem Melaminharz hergestellt ist, ein Haftmittel des Phenolharztyps, ein Haftmittel des Epoxytyps, ein Haftmittel des Polyurethantyps, das durch Vernetzen eines Polyols (wie z. B. eines Polyetherpolyols oder eines Polyesterpolyols) mit einem Isocyanat und/oder Isocyanurat erhalten wird, ein reaktives (Meth)acrylhaftmittel, ein Haftmittel des Kautschuktyps, das z. B. aus Chloroprenkautschuk, Nitrilkautschuk, Styrol-Butadien-Kautschuk, usw., hergestellt ist, ein Haftmittel des Silikontyps, ein anorganisches Haftmittel, das aus einem Alkalimetallsilikat hergestellt ist, Glas mit niedrigem Schmelzpunkt, usw., oder andere Haftmittel verwendet werden.
  • Als Harzfilme, die durch das Verfahren (1) laminiert werden sollen, können handelsübliche Produkte oder Produkte verwendet werden, die mit bekannten Herstellungsverfahren hergestellt werden. Die Harzfilme können solche sein, die einer Oberflächenbehandlung, wie z. B. einer Koronabehandlung, einer Plasmabehandlung bei Atmosphärendruck, einer Haftvermittlerbehandlung, usw., unterzogen worden sind.
  • Die Herstellungsverfahren für die Harzfilme sind nicht speziell beschränkt und bekannte Herstellungsverfahren können eingesetzt werden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines thermoplastischen Harzfilms mit glatten Oberflächen auf beiden Seiten kann z. B. ein Schmelzformverfahren mittels eines Extruders sein, der mit einer T-Düse mit einer vorgegebenen Lippenbreite ausgestattet ist.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines thermoplastischen Harzfilms, der Unregelmäßigkeiten aufweist, die auf einer Oberfläche oder auf beiden Oberflächen ausgebildet sind, kann z. B. ein Verfahren des Übertragens von Unregelmäßigkeiten einer Basismatrize auf die Oberfläche eines thermoplastischen Harzfilms durch eine thermische Verarbeitung sein und im Hinblick auf die Produktivität sind die folgenden Verfahren (i), (ii), usw., bevorzugt. In den Verfahren (i) und (ii) wird eine walzenförmige Basismatrize verwendet, wodurch eine kontinuierliche Verarbeitung möglich wird, und die Produktivität eines thermoplastischen Harzfilms mit ausgebildeten Unregelmäßigkeiten wird beträchtlich verbessert.
    • (i) Ein Verfahren, bei dem ein thermoplastischer Harzfilm zwischen einer Basismatrizenwalze und einer Druckzylinderwalze hindurchgeführt wird, so dass Unregelmäßigkeiten, die auf der Oberfläche der Basismatrizenwalze ausgebildet sind, kontinuierlich auf eine Oberfläche des thermoplastischen Harzfilms übertragen werden.
    • (ii) Ein Verfahren, bei dem ein thermoplastisches Harz, das von einer Extruderdüse extrudiert wird, zwischen einer Basismatrizenwalze und einer Druckzylinderwalze hindurchgeführt wird, so dass gleichzeitig mit dem Formen des thermoplastischen Harzes zu einer Filmform Unregelmäßigkeiten, die auf der Oberfläche der Basismatrizenwalze ausgebildet sind, kontinuierlich auf eine Oberfläche des filmförmigen thermoplastischen Harzes übertragen werden.
  • In den Verfahren (i) und (ii) kann dann, wenn als die Druckzylinderwalze eine Walze verwendet wird, bei der auf deren Oberfläche Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, ein thermoplastischer Harzfilm erhalten werden, der Unregelmäßigkeiten aufweist, die auf beiden Oberflächen ausgebildet sind.
  • (Formwerkzeugtrennfilm in der zweiten Ausführungsform)
  • Die 11 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die zweite Ausführungsform des Formwerkzeugtrennfilms (I) zeigt.
  • Der Formwerkzeugtrennfilm 5 in dieser Ausführungsform ist ein Formwerkzeugtrennfilm, bei dem die erste Schicht 6, die zweite Schicht 7 und die dritte Schicht 8 in dieser Reihenfolge laminiert sind. Der Formwerkzeugtrennfilm 5 ist derart, dass während des Aushärtens des aushärtbaren Harzes die erste Schicht 6 mit dem aushärtbaren Harz in Kontakt ist und die dritte Schicht 8 mit dem oberen Werkzeug des Formwerkzeugs in Kontakt ist.
  • Die erste Schicht 6 ist mit der ersten Schicht 2 in der ersten Ausführungsform identisch.
  • Die zweite Schicht 7 ist mit der zweiten Schicht 3 in der ersten Ausführungsform identisch.
  • <Dritte Schicht>
  • Die dritte Schicht 8 ist eine Schicht zum Verhindern einer Welligkeit des Formwerkzeugtrennfilms 5.
  • Wenn z. B. Materialien der ersten Schicht und der zweiten Schicht in der Zweischichtstruktur (zweite Schicht/erste Schicht), wie sie in der ersten Ausführungsform gezeigt ist, verschieden sind, kann der Formwerkzeugtrennfilm abhängig von z. B. der Dicke der zweiten Schicht oder dem Zugspeichermodul wellig werden. Wenn der Formwerkzeugtrennfilm wellig wird, kann der Formwerkzeugtrennfilm aufgrund der Welligkeit zum Zeitpunkt des Adsorbierens des Formwerkzeugtrennfilms an das Formwerkzeug gegebenenfalls nicht an dem Formwerkzeug adsorbiert werden. Insbesondere in einem Fall, bei dem ein kurzer Formwerkzeugtrennfilm, der im Vorhinein so ausgeschnitten worden ist, dass er der Größe eines Formwerkzeugs entspricht, dem Formwerkzeug zugeführt wird, ist das Problem der Welligkeit beträchtlich. Wenn eine zweite Schicht, die einen so hohen Zugspeichermodul oder eine so große Dicke aufweist, so dass eine Welligkeit verhindert wird, verwendet wird, wird das Formwerkzeuganpassungsvermögen verschlechtert und daher ist sie nicht für einen Formwerkzeugtrennfilm geeignet, der ein Formwerkzeuganpassungsvermögen erfordert.
  • Wenn die dritte Schicht auf der Seite der zweiten Schicht, die der ersten Schicht gegenüber liegt, angeordnet wird, kann eine Welligkeit selbst dann unterdrückt werden, wenn keine zweite Schicht, die einen so hohen Zugspeichermodul oder eine so große Dicke aufweist, so dass eine Welligkeit verhindert wird, verwendet wird.
  • Der Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht 8 kann mit demjenigen der ersten Schicht 6 identisch oder verschieden davon sein, jedoch beträgt das Verhältnis (Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht 8/Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht 6) vorzugsweise von 0,5 bis 2.
  • Wenn das Verhältnis des Zugspeichermoduls bei 25°C innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird die Unterdrückung der Welligkeit hervorragend.
  • Die Dicke der dritten Schicht 8 kann mit der Dicke der ersten Schicht 6 identisch oder verschieden davon sein, jedoch beträgt die Differenz vorzugsweise höchstens 5 μm. Wenn die Dicke der dritten Schicht 8 innerhalb des vorstehend genannten Bereichs liegt, wird die Unterdrückung einer Welligkeit hervorragend. Die Dicke der dritten Schicht 8 kann z. B. vorzugsweise von 3 bis 25 μm, mehr bevorzugt von 5 bis 12 μm, besonders bevorzugt von 7 bis 12 μm betragen.
  • Das Harz, das die dritte Schicht 8 bildet (nachstehend auch als ein Harz für die dritte Schicht bezeichnet) ist im Hinblick auf die Trennbarkeit des Formwerkzeugtrennfilms 1 von dem Formwerkzeug, die Wärmebeständigkeit, die gegen die Temperatur des Formwerkzeugs während des Formens (typischerweise von 150 bis 180°C) beständig ist, vorzugsweise mindestens ein Mitglied, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Acrylkautschuk, einem wärmeaushärtenden Silikon, einem Polyester, einem Polyamid, einem Polystyrol, einem Ethylen/Vinylalkohol-Copolymer und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
  • Das Fluorharz, das Polystyrol und das Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, können jeweils mit den Vorstehenden identisch sein.
  • Der Polyester ist im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit oder die Festigkeit vorzugsweise PET, ein sehr gut formbares PET, PBT oder Polynaphthalin.
  • Das Polyamid ist im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit, die Festigkeit und die Gasbarriereeigenschaften vorzugsweise Nylon 6 oder Nylon MXD6.
  • Diese können allein verwendet werden oder zwei oder mehr davon können in einer Kombination verwendet werden.
  • Das Harz für die dritte Schicht ist vorzugsweise mindestens ein Mitglied, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
  • Die dritte Schicht 8 kann eine Schicht, die nur aus dem Harz für die dritte Schicht hergestellt ist, oder eine Schicht sein, die ein Additiv aufweist, wie z. B. ein anorganisches Additiv oder ein organisches Additiv. Als anorganisches Additiv und als organisches Additiv können die Gleichen genannt werden, wie sie vorstehend beschrieben sind.
  • In dem Formwerkzeugtrennfilm 5 können die erste Schicht 6 und die zweite Schicht 7 direkt laminiert sein oder sie können mittels einer Haftmittelschicht laminiert sein, die in den Zeichnungen nicht gezeigt ist. Entsprechend können die zweite Schicht 7 und die dritte Schicht 8 direkt laminiert sein oder sie können mittels einer Haftmittelschicht laminiert sein, die in den Zeichnungen nicht gezeigt ist.
  • <Oberflächenform des Formwerkzeugtrennfilms>
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 5 kann die Oberfläche, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt ist, d. h., die Oberfläche 6a auf der Seite der ersten Schicht 6, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, so dass die Trennbarkeit verbessert wird. Ferner kann bei dem Formwerkzeugtrennfilm 5 die Oberfläche, die mit dem oberen Werkzeug des Formwerkzeugs zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt ist, d. h., die Oberfläche 8a auf der Seite der dritten Schicht 8, glatt sein oder sie kann ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, so dass die Trennbarkeit verbessert wird. In einem Fall, bei dem die Oberfläche glatt ist, beträgt der arithmetische Mittenrauwert (Ra) der Oberfläche vorzugsweise von 0,01 bis 0,2 μm, besonders bevorzugt von 0,05 bis 0,1 μm.
  • Der Ra der Oberfläche in einem Fall, bei dem Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, beträgt vorzugsweise von 1,5 bis 2,1 μm, besonders bevorzugt von 1,6 bis 1,9 μm. Die Oberflächenform in dem Fall, bei dem Unregelmäßigkeiten ausgebildet sind, kann eine Form sein, in der eine Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten zufällig verteilt sind, oder sie kann eine Form sein, in der eine Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten regelmäßig angeordnet sind. Ferner können die Form und die Größe der Mehrzahl von Konvexitäten und/oder Konkavitäten gleich oder verschieden sein. Ein spezifisches Beispiel für eine Konvexität, eine Konkavität, eine Rippe, eine Vorwölbung oder ein Loch kann mit dem Vorstehenden identisch sein.
  • Bei dem Formwerkzeugtrennfilm 5 können sowohl die Oberfläche 6a als auch die Oberfläche 8a glatt sein, sowohl die Oberfläche 6a als auch die Oberfläche 6a können darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen oder eine der Oberfläche 6a und der Oberfläche 8a ist glatt und die andere weist darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten auf. In einem Fall, bei dem sowohl die Oberfläche 6a als auch die Oberfläche 8a darauf ausgebildete Unregelmäßigkeiten aufweisen, können Ra und/oder die Oberflächenformen der jeweiligen Oberflächen gleich oder verschieden sein.
  • Im Hinblick auf die Trennbarkeit des Formwerkzeugtrennfilms 5 von dem Formwerkzeug sind Unregelmäßigkeiten vorzugsweise auf der Oberfläche 8a der Seite der dritten Schicht 8 ausgebildet.
  • <Dicke des Formwerkzeugtrennfilms>
  • Die Dicke des Formwerkzeugtrennfilms 5 beträgt vorzugsweise von 18 bis 100 μm, besonders bevorzugt von 30 bis 75 μm. Der Grund dafür, warum die Untergrenze und die Obergrenze des vorstehend Bereichs der Dicke jeweils bevorzugt sind, ist mit demjenigen bei dem Formwerkzeugtrennfilm 1 identisch.
  • <Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 5>
  • Das Verfahren zur Herstellung des Formwerkzeugtrennfilms 5 ist nicht speziell beschränkt und ein bekanntes Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtfilms ist verfügbar. Beispielsweise kann der Formwerkzeugtrennfilm 5 in der gleichen Weise wie der Formwerkzeugtrennfilm 1 hergestellt werden, mit der Ausnahme, dass die Zweischichtstruktur zu der Dreischichtstruktur geändert wird.
  • Vorstehend wurde der Formwerkzeugtrennfilm (I) unter Bezugnahme auf die erste Ausführungsform und die zweite Ausführungsform beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt. Die jeweiligen Konstruktionen, deren Kombinationen, usw., in den vorstehenden Ausführungsformen sind beispielhaft und und Hinzufügungen, Weglassungen, Substitutionen und andere Änderungen sind innerhalb eines Bereichs möglich, bei dem nicht von dem Konzept der vorliegenden Erfindung abgewichen wird.
  • Beispielsweise kann der Formwerkzeugtrennfilm 1 in der ersten Ausführungsform ferner eine weitere Schicht, die von einer Haftmittelschicht verschieden ist, aufweisen, die gegebenenfalls zwischen der ersten Schicht 2 und der zweiten Schicht 3 bereitgestellt sein kann. Entsprechend kann der Formwerkzeugtrennfilm 5 in der zweiten Ausführungsform ferner eine weitere Schicht, die von einer Haftmittelschicht verschieden ist, aufweisen, die gegebenenfalls zwischen der ersten Schicht 6 und der zweiten Schicht 7 oder zwischen der zweiten Schicht 7 und der dritten Schicht 8 bereitgestellt sein kann. Als solche weitere Schicht kann z. B. eine Gasbarriereschicht genannt werden. Die Gasbarriereschicht kann z. B. eine Metallschicht, eine aufgedampfte Metallschicht, eine aufgedampfte Metalloxidschicht sein.
  • Im Hinblick auf die Effekte der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Formwerkzeugtrennfilm der vorliegenden Erfindung keine Schichten, die von der Haftmittelschicht verschieden sind, zwischen der ersten Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz in Kontakt sein soll, und der zweiten Schicht aufweist. D. h., es ist bevorzugt, dass die erste Schicht und die zweite Schicht direkt oder mittels einer Haftmittelschicht laminiert sind.
  • BEISPIELE
  • Nachstehend wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele detailliert beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht durch die folgende Beschreibung beschränkt. Von den folgenden Bsp. 1 bis 18 sind die Bsp. 1 bis 16 Beispiele der vorliegenden Erfindung und die Bsp. 17 und 18 sind Vergleichsbeispiele. Die Materialien und Bewertungsverfahren, die in den Beispielen verwendet werden, sind nachstehend gezeigt.
  • [Verwendete Materialien]
  • ETFE (1): Copolymer aus Tetrafluorethylen/Ethylen/PFBE = 52,5/46,3/1,2 (molares Verhältnis), im Herstellungsbeispiel 1 hergestellt (MFR beträgt 12 g/10 min).
  • ETFE (2): Copolymer aus Tetrafluorethylen/Ethylen/PFBE = 56,3/40,2/3,5 (molares Verhältnis), im Herstellungsbeispiel 2 hergestellt (MFR beträgt 12,5 g/10 min).
  • <Herstellungsbeispiel 1: Herstellung von ETFE (1)>
  • Ein Polymerisationstank mit einem Innenvolumen von 1,3 Liter, der mit einem Rührer ausgestattet war, wurde von Luft befreit, 881,9 g 1-Hydrotridecafluorhexan, 335,5 g 1,3-Dichlor-1,1,2,2,3-pentafluorpropan (Handelsbezeichnung „AK225cb”, von Asahi Glass Company, Limited hergestellt, nachstehend als AK225cb bezeichnet) und 7,0 g CH2=CHCF2CF2CF2CF3 (PFBE) wurden eingebracht, 165,2 g TFE und 9,8 g Ethylen (nachstehend als E bezeichnet) wurden eingespritzt, die Temperatur in dem Polymerisationstank wurde auf 66°C erhöht und als Polymerisationsinitiatorlösung wurden 7,7 ml einer AK225cb-Lösung, die 1 Massen-% tert-Butylperoxypivalat (nachstehend als PBPV bezeichnet) enthielt, zum Initiieren der Polymerisation eingebracht.
  • Ein Monomer-Mischgas aus TFE/E = 54/46, bezogen auf das molare Verhältnis, wurde kontinuierlich eingebracht, so dass der Druck während der Polymerisation konstant blieb. Ferner wurde einhergehend mit dem Einbringen des Monomer-Mischgases PFBE kontinuierlich in einer Menge eingebracht, die 1,4 mol-% in Bezug auf die Gesamtmolzahl von TFE und E entsprach. 2,9 Stunden nach der Initiierung der Polymerisation wurde zu dem Zeitpunkt, bei dem 100 g des Monomer-Mischgases eingebracht worden sind, die Innentemperatur des Polymerisationstanks auf Raumtemperatur gesenkt und gleichzeitig wurde der Druck des Polymerisationstanks auf Normaldruck gesenkt.
  • Danach wurde die erhaltene Aufschlämmung durch einen Glasfilter abgesaugt und ein Feststoffgehalt wurde gesammelt und bei 150°C für 15 Stunden getrocknet, wobei 105 g ETFE (1) erhalten wurden.
  • <Herstellungsbeispiel 2: Herstellung von ETFE (2)>
  • 90 g ETFE (2) wurden in der gleichen Weise wie in dem Herstellungsbeispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass das Innenvolumen des Polymerisationstanks 1,2 Liter betrug, die Menge von 1-Hydrotridecafluorhexan, die Menge von PFBE, die Menge von AK225cb, die Menge von TFE, die Menge von E, die Menge der AK225cb-Lösung, die 1 Massen-% PBPV enthält, die vor dem Initiieren der Polymerisation eingebracht wurden, in dieser Reihenfolge von 881,9 g auf 0 g, von 335,5 g auf 291,6 g, von 7,0 g auf 16,0 g, von 165,2 g auf 186,6 g, von 9,8 g auf 6,4 g und von 5,8 ml auf 5,3 ml geändert wurden, und das molare Verhältnis von TFE/E des Monomermischgases und die Menge von PFBE, das während der Polymerisation kontinuierlich zugeführt wurden, in dieser Reihenfolge jeweils von 54/46 auf 58/42 und von 3,6 Mol-% auf 0,8 Mol-% (relativ zu der Gesamtzahl der Mole von TFE und E) geändert wurden, und nach 3 Stunden ausgehend von der Initiierung der Polymerisation zu dem Zeitpunkt, wenn 90 g des Monomermischgases eingebracht worden sind, die Innentemperatur des Polymerisationstanks auf Raumtemperatur gesenkt wurde.
  • <Thermoplastischer Harzfilm>
  • ETFE-Film (1-1): Die Dicke beträgt 16 μm, eine Seite weist Unregelmäßigkeiten auf, wobei Ra der einen Seite 0,5 ist und Ra der gegenüber liegenden Seite 0,1 ist. Der ETFE-Film (1-1) wurde durch das folgende Verfahren hergestellt.
  • ETFE (1) wurde bei 320°C durch einen Extruder extrudiert, bei dem der Lippenöffnungsgrad so eingestellt war, dass die Filmdicke 16 μm beträgt. Die Basismatrizenwalze, die Filmbildungsgeschwindigkeit und der Quetschdruck wurden so eingestellt, dass ein ETFE-Film hergestellt wurde.
  • ETFE-Film (1-2): Die Dicke betrug 12 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der ETFE-Film (1-2) wurde in der gleichen Weise wie der ETFE-Film (1-1) hergestellt, mit der Ausnahme, dass die jeweiligen Bedingungen eingestellt wurden.
  • ETFE-Film (1-3): Die Dicke betrug 25 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der ETFE-Film (1-3) wurde in der gleichen Weise wie der ETFE-Film (1-1) hergestellt, mit der Ausnahme, dass die jeweiligen Bedingungen eingestellt wurden.
  • ETFE-Film (1-4): Die Dicke betrug 50 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der ETFE-Film (1-4) wurde in der gleichen Weise wie der ETFE-Film (1-1) hergestellt, mit der Ausnahme, dass die jeweiligen Bedingungen eingestellt wurden.
  • ETFE-Film (1-5): Die Dicke betrug 3 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der ETFE-Film (1-5) wurde in der gleichen Weise wie der ETFE-Film (1-1) hergestellt, mit der Ausnahme, dass die jeweiligen Bedingungen eingestellt wurden und ferner das geschmolzene ETFE (1), das von einer T-Düse extrudiert wurde, mit einem PET-Film auf einer Basismatrizenwalze in Kontakt war und zusammen mit dem PET-Film aufgerollt wurde, so dass eine Filmbildung durchgeführt wurde.
  • ETFE-Film (2-1): Die Dicke betrug 12 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der ETFE-Film (2-1) wurde in der gleichen Weise wie der ETFE-Film (1-1) hergestellt, mit der Ausnahme, dass ETFE (2) anstelle des ETFE (1) verwendet wurde und die jeweiligen Bedingungen eingestellt wurden.
  • PET-Film (1): Die Dicke betrug 12 μm. „Teijin Tetoron NS” (von Teijin DuPont Films Japan Limited hergestellt) mit einer Dicke von 12 μm wurde verwendet. Glasübergangstemperatur: 118°C. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • PET-Film (2): Die Dicke betrug 16 μm. „DIAFOIL H500” (von Mitsubishi Plastics, Inc. hergestellt) mit einer Dicke von 16 μm wurde verwendet. Glasübergangstemperatur: 118°C. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • PET-Film (3): Die Dicke betrug 25 μm. „DIAFOIL H500” (von Mitsubishi Plastics, Inc. hergestellt) mit einer Dicke von 25 μm wurde verwendet. Glasübergangstemperatur: 118°C. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • Sehr gut formbarer PET-Film: Die Dicke betrug 25 μm. „TEFLEX FT3PE”, von Teijin DuPont Films Japan Limited hergestellt, wurde verwendet. Glasübergangstemperatur: 86°C. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • Ungestreckter Nylonfilm: Die Dicke betrug 20 μm. „DIAMIRON C-Z” (von Mitsubishi Plastics, Inc. hergestellt) wurde verwendet. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1.
  • Biaxial gestreckter Nylonfilm: Die Dicke betrug 12 μm. „HARDEN N1100” (von Toyobo Co., Ltd. hergestellt) wurde verwendet. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • PTFE-Film: Die Dicke betrug 50 μm. „NITOFLON PTFE 900UL” (von Nitto Denko Corporation hergestellt) wurde verwendet. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,2.
  • Polymethylpentenfilm: Die Dicke betrug 12 μm. Beide Oberflächen waren glatt und Ra jeder Oberfläche betrug 0,1. Der Polymethylpentenfilm wurde durch das folgende Verfahren hergestellt.
  • Das Polymethylpentenharz „TPX MX004” (von Mitsui Chemicals, Inc. hergestellt) wurde bei 280°C durch einen Extruder extrudiert, bei dem der Lippenöffnungsgrad so eingestellt war, dass die Dicke 12 μm beträgt. Durch Einstellen der Basismatrizenwalze, der Filmbildungsgeschwindigkeit und des Quetschdrucks wurde ein Polymethylpentenfilm erhalten.
  • PBT-Film (1): Die Dicke betrug 38 μm. Ra einer Oberfläche betrug 1,2 und Ra der anderen Oberfläche betrug 0,1. „NOVADURAN 5020” (von Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation hergestellt) wurde bei 280°C durch einen Extruder mit einer T-Düse schmelzextrudiert, bei welcher der Lippenöffnungsgrad so eingestellt war, dass die Dicke 38 μm betrug und durch Einstellen der Basismatrizenwalze, der Filmbildungsgeschwindigkeit und des Quetschdrucks wurde der PBT-Film (1) hergestellt.
  • PBT-Film (2): Die Dicke betrug 38 μm. Ra einer Oberfläche betrug 1,2 und Ra der anderen Oberfläche betrug 0,1. „NOVADURAN 5505S” (von Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation hergestellt) wurde bei 280°C durch einen Extruder mit einer T-Düse schmelzextrudiert, bei welcher der Lippenöffnungsgrad so eingestellt war, dass die Dicke 38 μm betrug und durch Einstellen der Basismatrizenwalze, der Filmbildungsgeschwindigkeit und des Quetschdrucks wurde der PBT-Film (2) hergestellt.
  • Bei jedem Film wurde eine Oberfläche mit einem kleinen Ra als Klebeoberfläche beim Trockenlaminieren verwendet. Ferner wurde in einem Fall, bei dem die Nassspannung der Klebeoberfläche beim Trockenlaminieren jedes Films auf der Basis von ISO8296: 1987 (JIS K6768: 1999) niedriger als 40 mN/m war, die Oberfläche einer Koronabehandlung unterzogen, um die Nassspannung auf mindestens 40 mN/m zu bringen.
  • <Haftmittelschicht>
  • Als Haftmittel, das in einem Trockenlaminierungsschritt zum Kleben der jeweiligen Filme verwendet werden soll, wurde das folgende Haftmittel A des Urethantyps verwendet.
  • [Haftmittel A des Urethantyps]
    • Hauptmittel: CRISVON NT-258 (von DIC Corporation hergestellt)
    • Härtungsmittel: Coronate 2096 (von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. hergestellt)
  • Das Hauptmittel und das Härtungsmittel wurden so gemischt, dass das Massenverhältnis bezogen auf den Feststoffgehalt (Hauptmittel:Härtungsmittel) 10:1 beträgt, und Ethylacetat wurde als Verdünnungsmittel verwendet.
  • [Bewertungsverfahren]
  • <Dicke>
  • Mittels eines Dickenmessgeräts des Kontakttyps DG-525H (von Ono Sokki Co., Ltd. hergestellt) unter Verwendung der Sonde AA-026 (ϕ 10 mm SR7) wurde die Dicke eines Films an 10 Punkten gemessen, so dass der Abstand in der Querrichtung gleich war, und der Durchschnittswert wurde als die Dicke verwendet.
  • <Zugspeichermodul bei 180°C>
  • Mittels einer Vorrichtung zur Messung der dynamischen Viskoelastizität SOLID L-1 (von Toyo Seiki Co., Ltd. hergestellt) wurde der Speicherelastizitätsmodul E' auf der Basis von ISO6721-4: 1944 (JIS K7244-4: 1999) gemessen. Die Größe der gemessenen Probe war eine Breite von 8 mm × eine Länge von 20 mm und E', das durch Erhöhen der Temperatur mit 2°C/min von 20°C auf 180°C bei einer Frequenz von 10 Hz mit einer statischen Kraft von 0,98 N und mit einer dynamischen Verschiebung von 0,035% bei 180°C gemessen worden ist, wurde als der Zugspeichermodul bei 180°C verwendet.
  • <Beschädigung oder Delle im Anschlussrahmen>
  • Es wurde visuell bestätigt, ob bei dem Anschlussrahmen des Gehäuses, das in jedem Beispiel hergestellt worden ist, Dellen oder eine Beschädigung an einem Abschnitt vorlag(en), der mit einer Vorwölbung in Kontakt war, wobei eine Bewertung durch die folgenden Standards durchgeführt wurde.
    o (Gut): Es wurde keine Beschädigung oder Delle festgestellt.
    x (Schlecht): Eine Beschädigung oder Dellen wurde(n) festgestellt.
  • <Harzgrate>
  • Bei dem Anschlussrahmen des Gehäuses, das in jedem Beispiel hergestellt worden ist, wurde ein Abschnitt (kontaktierter Abschnitt), der mit einer Vorwölbung in Kontakt war, durch ein digitales optisches Mikroskop untersucht, der kontaktierte Abschnitt wurde fotografiert und das resultierende fotografierte Bild wurde durch ein Gitter aufgeteilt und das Auftreten (%) von Harzgraten wurde aus der Anzahl der Gittermaschen, bei denen Harzgrate festgestellt wurden, bestimmt. Die Ergebnisse wurden durch die folgenden Standards bewertet.
    o (Gut): Höchstens 10%.
    Δ (Nicht schlecht): Höchstens 30% und mehr als 10%.
    x (Schlecht): Mehr als 30%.
  • <Eindringen des Formwerkzeugtrennfilms>
  • Bei dem Einkapselungskörper des Gehäuses, das in jedem Beispiel hergestellt worden ist, wurde visuell bestätigt, ob eine Spur des Eindringens des Formwerkzeugtrennfilms festgestellt wurde und eine Bewertung wurde durch die folgenden Standards durchgeführt.
    o (Gut): Es wurde kein Eindringen des Formwerkzeugtrennfilms festgestellt.
    Δ (Nicht schlecht): Ein Eindringen des Formwerkzeugtrennfilms wurde teilweise festgestellt und eine Delle wurde in der Grenzfläche zwischen dem Anschlussrahmen und dem Einkapselungskörper festgestellt.
    x (Schlecht): Der Formwerkzeugtrennfilm war vollständig in den Einkapselungskörper eingedrungen und wurde nicht getrennt.
  • [Bsp. 1]
  • (Herstellung eines Formwerkzeugtrennfilms)
  • Auf der Oberfläche, bei der Ra des PBT-Films (1) 0,1 betrug, wurde das Haftmittel des Urethantyps A in einer Menge von 0,5 g/m2 durch Gravurstreichen aufgebracht und eine koronabehandelte Oberfläche des ETFE-Films (1-2) wurde durch Trockenlaminieren geklebt, so dass ein Formwerkzeugtrennfilm erhalten wurde. Die Trockenlaminierbedingungen wurden auf eine Substratbreite von 1000 mm, eine Transportgeschwindigkeit von 20 m/min, eine Trocknungstemperatur von 80 bis 100°C, eine Laminatwalzentemperatur von 25°C und einen Walzendruck von 3,5 MPa eingestellt.
  • (Herstellung eines Gehäuses durch Spritzpressen)
  • Ein oberes Werkzeug mit 500 konvexen Abschnitten mit einer runden Form von Φ 5 mm und ein unteres Werkzeug, das mit einem Anschlussrahmen versehen war, wurden auf 180°C erwärmt, ein Formwerkzeugtrennfilm wurde auf das obere Werkzeug aufgebracht und dann wurde die Luft zwischen dem oberen Werkzeug und dem Formwerkzeugtrennfilm durch eine Vakuumpumpe durch Absaugen entfernt, so dass der Formwerkzeugtrennfilm an dem oberen Werkzeug absorbiert wurde. Danach wurde das untere Werkzeug bewegt und geklemmt, bis der konvexe Abschnitt des oberen Werkzeugs mittels des Formwerkzeugtrennfilms mit dem Abschnitt in Kontakt war, der von dem Anschlussrahmen freiliegen soll, worauf ein Harz eingebracht wurde. Auf diese Weise wurde ein Raum zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug mit dem Harz gefüllt, das dann zur Bildung eines Einkapselungskörpers ausgehärtet wurde, wodurch ein Gehäuse erhalten wurde, das aus dem Anschlussrahmen und dem Einkapselungskörper hergestellt war. Dieses Gehäuse wies 500 konkave Abschnitte mit einer runden Form von Φ 5 mm auf und ein Teil des Anschlussrahmens lag auf der unteren Fläche der konkaven Abschnitte frei. Ferner war der Spritzdruck des Harzes der minimale Spritzdruck zum Übertragen der Form des hohlen Gehäuses in jedem Formwerkzeugtrennfilm und der Klemmdruck war der minimale Druck zum Vermindern der Harzgrate. Als Harz wurde SUMIKON EME G770H type F ver. GR (von Sumitomo Bakelite Co., Ltd. hergestellt) verwendet.
  • [Bsp. 2 bis 6 und 8]
  • Ein Formwerkzeugtrennfilm wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, dass ein Material derart ausgewählt wurde, dass ein in der Tabelle 1 gezeigter Filmaufbau erhalten wurde.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 7]
  • Auf der Oberfläche, bei der Ra des PBT-Films (1) 0,1 betrug, wurde das Haftmittel A des Urethantyps in einer Menge von 0,5 g/m2 durch Gravurstreichen aufgebracht und eine koronabehandelte Oberfläche des ETFE-Films (1-5) wurde auf den PET-Film (1-1) laminiert und daran geklebt und dann wurde der PET-Film (1-1) abgelöst, so dass der Formwerkzeugtrennfilm erhalten wurde.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 9]
  • Auf einer Seite des PET-Films (1) wurde das Haftmittel A des Urethantyps in einer Menge von 0,5 g/m2 durch Gravurstreichen aufgebracht und eine koronabehandelte Oberfläche des ETFE-Films (1-2) wurde an diesen geklebt. Ferner wurde auf der gegenüber liegenden Oberfläche des PET-Films (1-1) der ETFE-Film (1-2) in der gleichen Weise geklebt, so dass ein Formwerkzeugtrennfilm erhalten wurde.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 10 bis 14]
  • Ein Formwerkzeugtrennfilm wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 9 erhalten, mit der Ausnahme, dass das Material derart ausgewählt wurde, dass der in der Tabelle 2 gezeigte Filmaufbau erhalten wurde.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 15]
  • Der ETFE-Film (1-4) wurde als Formwerkzeugtrennfilm verwendet.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 16]
  • Der ETFE-Film (1) wurde als Formwerkzeugtrennfilm verwendet.
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 unter Verwendung des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 17]
  • Ein Gehäuse wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 ohne die Verwendung eines Formwerkzeugtrennfilms hergestellt.
  • [Bsp. 18]
  • Ein PTFE-Film mit einer flachen Form mit einer Dicke, die gleich der Höhe des unteren Flächenabschnitts des Gehäuses ist, wird z. B. durch Ätzen verarbeitet, so dass der konvexe Abschnitt bei der Position zurückbleibt, die dem unteren Flächenabschnitt des Gehäuses entspricht, wodurch ein Formwerkzeugtrennfilm (Formwerkzeugtrennfilm mit ausgebildetem konvexen Abschnitt) erhalten wird.
  • Unter Verwendung eines oberen Werkzeugs, das keinen konvexen Abschnitt aufweist, wird ein Gehäuse in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei ein konvexer Abschnitt des erhaltenen Formwerkzeugtrennfilms mit einem Anschlussrahmen in Kontakt ist.
  • Der Filmaufbau des Formwerkzeugtrennfilms, das Produkt aus der Dicke (μm) und des Zugspeichermoduls bei 180°C der zweiten Schicht (MPa) (180°C-Zugspeichermodul × Dicke), der Zugspeichermodul bei 180°C der ersten Schicht und der dritten Schicht und die Bewertungsergebnisse (Beschädigung/Delle des Anschlussrahmens, Harzgrate, Eindringen des Formwerkzeugtrennfilms) in den Bsp. 1 bis 16 und 18 sind in den Tabellen 1 bis 3 gezeigt.
    Figure DE112015001135T5_0002
    Figure DE112015001135T5_0003
    TABELLE 3
    Bsp. 15 16 17 18
    Film ETFE-Film (1-4) PTFE-Film Kein Formwerk-zeugtrennfilm Formwerkzeugtrennfilm mit ausgebildetem konvexen Abschnitt
    Beschädigung oder Delle eines Anschlussrahmens o o x o
    Harzgrate o Δ x o
    Eindringen des Formwerkzeugfilms Δ o o x
  • Wie es in den vorstehenden Ergebnissen gezeigt ist, wurde in den Bsp. 1 bis 16 keine Beschädigung oder Delle eines Anschlussrahmens festgestellt und Harzgrate wurden ausreichend verhindert. Ferner wurde ein Eindringen des Formwerkzeugtrennfilms des Einkapselungskörpers verhindert. Andererseits wurde(n) im Bsp. 17, bei dem der konvexe Abschnitt des oberen Werkzeugs direkt mit dem Anschlussrahmen ohne die Verwendung eines Formwerkzeugtrennfilms in Kontakt war, eine Beschädigung oder Dellen an dem Anschlussrahmen des erhaltenen Gehäuses festgestellt und es wurden auch viele Harzgrate festgestellt.
  • Im Bsp. 18, bei dem ein Formwerkzeugtrennfilm verwendet wurde, bei dem ein konvexer Abschnitt integriert ausgebildet war, ist der Formwerkzeugtrennfilm gemäß der Bewertung des Eindringens eines Formwerkzeugtrennfilms vollständig in einen Einkapselungskörper eingedrungen und daher kann das Gehäuse nicht getrennt werden.
  • Bei den Bsp. 1 bis 16 wurde bei der Bewertung des Eindringens eines Formwerkzeugtrennfilms ein Eindringen eines Formwerkzeugtrennfilms in den Bsp. 5, 8, 12 und 15 geringfügig festgestellt, jedoch wurde bei den Bsp. 1 bis 4, 6, 7, 9 bis 11, 13, 14 und 16 kein Eindringen eines Formwerkzeugtrennfilms festgestellt, was bevorzugt ist.
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 4, 6, 7, 9 bis 11, 13, 14 und 16 besser sind als die Ergebnisse der Bsp. 5 und 12, darin liegt, dass der Formwerkzeugtrennfilm relativ hart ist und während des Klemmens kaum zusammengedrückt wird, da der 180°C-Zugspeichermodul × Dicke der zweiten Schicht verglichen mit den Bsp. 5 und 12 groß ist.
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 4, 6, 7, 9 bis 11, 13, 14 und 16 besser sind als das Ergebnis des Bsp. 8, darin liegt, dass die Änderung der Dicke relativ gering ist, wenn die erste Schicht während des Klemmens zusammengedrückt wird, da die Dicke der ersten Schicht verglichen mit dem Bsp. 8 gering ist.
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 4, 6, 7, 9 bis 11, 13, 14 und 16 besser sind als das Ergebnis des Bsp. 15, darin liegt, dass der Formwerkzeugtrennfilm, der die zweite Schicht aufweist, während des Klemmens kaum zusammengedrückt wird, da ein solcher Formwerkzeugtrennfilm härter ist als derjenige von Bsp. 15, bei dem der Formwerkzeugtrennfilm nur die erste Schicht aufweist (ein Einschichtfilm aus ETFE), und dass die Änderung der Dicke relativ gering ist, wenn der Formwerkzeugfilm zusammengedrückt wird, da die Dicke der ersten Schicht verglichen mit dem Bsp. 15 gering ist.
  • Bei den Beispielen 1 bis 16 beträgt das Auftreten der Harzgrate höchstens 30% und mehr als 10% in den Bsp. 7, 11 und 16, jedoch betrug andererseits das Auftreten der Harzgrate höchstens 10% in den Bsp. 1 bis 6, 8 bis 10 und 12 bis 15 (8, 10, 13, 14, 12, 15).
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 6, 8 bis 10 und 12 bis 15 besser sind als das Ergebnis des Bsp. 7, darin liegt, dass der Formwerkzeugtrennfilm dazu neigt, während des Klemmens leicht zusammengedrückt zu werden, da die Dicke der ersten Schicht verglichen mit dem Bsp. 7 groß ist.
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 6, 8 bis 10 und 12 bis 15 besser sind als das Ergebnis des Bsp. 11, darin liegt, dass der Formwerkzeugtrennfilm relativ weich ist und dazu neigt, während des Klemmens leicht zusammengedrückt zu werden, da die zweite Schicht 180°C-Zugspeichermodul × Dicke aufweist, das verglichen mit dem Bsp. 11 klein ist.
  • Es wird davon ausgegangen, dass der Grund dafür, warum die Ergebnisse der Bsp. 1 bis 6, 8 bis 10 und 12 bis 15 besser sind als das Ergebnis des Bsp. 16, darin liegt, dass der Formwerkzeugtrennfilm dazu neigt, während des Klemmens leicht zusammengedrückt zu werden, und die Haftung zwischen dem Formwerkzeugtrennfilm und dem Kontaktabschnitt dazu neigt, hoch zu sein, da dessen erste Schicht, die mit dem Kontaktabschnitt in Kontakt ist, verglichen mit dem PTFE-Film weich ist.
  • Aufgrund der vorstehenden Ergebnisse konnte bestätigt werden, dass der vorstehend genannte Formwerkzeugtrennfilm, der zur Herstellung eines Gehäuses verwendet wird, vorzugsweise ein Formwerkzeugtrennfilm ist, der eine erste Schicht mit einem Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa und einer Dicke von 5 bis 12 μm und eine zweite Schicht mit einem Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 3000 bis 8000 aufweist, wie er in den Bsp. 1 bis 4, 6, 9, 10, 13 und 14 verwendet worden ist.
  • GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements der vorliegenden Erfindung wird in verschiedenen Gebieten eines Verfahrens zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements, wie z. B. eines Festkörperbildgebungselements oder MEMS, verwendet, insbesondere als ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses mit einer hohlen Struktur zum Montieren eines Halbleiterelements.
  • Die gesamte Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-045466 , die am 7. März 2014 eingereicht worden ist, einschließlich die Beschreibung, die Patentansprüche, die Zeichnungen und die Zusammenfassung, ist unter Bezugnahme vollständig hierin einbezogen.
  • BEZUGSZEICHEN
    • 1: Formwerkzeugtrennfilm, 2: Erste Schicht, 2a: Oberfläche, 3: Zweite Schicht, 3a: Oberfläche, 5: Formwerkzeugtrennfilm, 6: Erste Schicht, 6a: Oberfläche, 7: Zweite Schicht, 8: Dritte Schicht, 8a: Oberfläche, 10: Substrat, 10a: Montagefläche, 10A: Substrat, 12: Einkapselungskörper, 12A: Ausgehärtetes Produkt, 14: Konkaver Abschnitt, 16: Substrat, 16a: Innerer Anschluss, 16b: Äußerer Anschluss, 16c: Chipkontaktstelle, 18: Einkapselungskörper, 18a: Rahmenförmiger Abschnitt, 18b: Unterer Abschnitt, 19: Ausgehärtetes Produkt, 20: Konkaver Abschnitt, 30: Formwerkzeugtrennfilm, 40: Aushärtbares Harz, 50: Oberes Werkzeug, 52: Unteres Werkzeug, 54: Hohlraum, 56: Konvexer Abschnitt, 58: Substratanordnungsabschnitt, 60: Harzeinbringungsabschnitt, 62: Harzanordnungabschnitt, 64: Kolben, 110: Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements, 120: Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements, 200: Konvexer Abschnitt, 202: Oberes Werkzeug, 204: Unteres Werkzeug, 206: Anschlussrahmen, 208: Harz, 210: Formwerkzeugtrennfilm, 212: Konvexer Abschnitt, 214: Wall

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements durch die Verwendung eines Formwerkzeugs mit einem oberen Werkzeug und einem unteren Werkzeug, wobei das Gehäuse zum Montieren eines Halbleiterelements ein Substrat, das eine Montagefläche zum Montieren eines Halbleiterelements aufweist, und einen Einkapselungskörper umfasst, der aus einem ausgehärteten Produkt eines aushärtbaren Harzes ausgebildet ist und einen rahmenförmigen Abschnitt aufweist, der die Montagefläche umgibt, und wobei das Gehäuse einen konkaven Abschnitt aufweist, der durch die Montagefläche und den Einkapselungskörper ausgebildet ist, und wobei das Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements umfasst: einen Schritt des Anordnens eines Formwerkzeugtrennfilms, der eine im Wesentlichen konstante Dicke über den Film aufweist, auf dem oberen Werkzeug, das einen konvexen Abschnitt aufweist, dessen Form dem konkaven Abschnitt entspricht, des Anordnens des Substrats auf dem unteren Werkzeug und des Schließens des oberen Werkzeugs und des unteren Werkzeugs, so dass der konvexe Abschnitt mittels des Formwerkzeugtrennfilms in einem engen Kontakt mit dem Montageabschnitt des Substrats ist, einen Schritt des Füllens eines Raums, der zwischen dem oberen Werkzeug und dem unteren Werkzeug ausgebildet ist, mit einem aushärtbaren Harz, worauf das aushärtbare Harz ausgehärtet wird, und einen Schritt des Trennens eines ausgehärteten Produkts des aushärtbaren Harzes zusammen mit dem Substrat von dem Formwerkzeug.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach Anspruch 1, wobei der Formwerkzeugtrennfilm eine erste Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und eine zweite Schicht aufweist, die erste Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner einen Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 2000 bis 13000 aufweist.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach Anspruch 2, wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 bis 12 μm aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 3000 bis 8000 aufweist.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Formwerkzeugtrennfilm ferner eine dritte Schicht aufweist, die mit dem Formwerkzeug zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und die dritte Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner ein Verhältnis des Zugspeichermoduls bei 25°C zu dem Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht (d. h., Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht/Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht) von 0,5 bis 2 aufweist.
  5. Formwerkzeugtrennfilm zur Verwendung in dem Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements, wie es in Anspruch 1 definiert ist, wobei der Formwerkzeugtrennfilm eine erste Schicht, die mit dem aushärtbaren Harz zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, und eine zweite Schicht umfasst, wobei die erste Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner einen Zugspeichermodul bei 180°C von 10 bis 50 MPa aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 2000 bis 13000 aufweist.
  6. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 5, wobei die erste Schicht eine Dicke von 5 bis 12 μm aufweist und die zweite Schicht ein Produkt aus dem Zugspeichermodul (MPa) bei 180°C und der Dicke (μm) von 3000 bis 8000 aufweist.
  7. Formwerkzeugtrennfilm nach Anspruch 5 oder 6, der ferner eine dritte Schicht aufweist, die mit dem Formwerkzeug zum Zeitpunkt des Aushärtens des aushärtbaren Harzes in Kontakt sein soll, wobei die dritte Schicht eine Dicke von 3 bis 25 μm aufweist und ferner ein Verhältnis des Zugspeichermoduls bei 25°C zu dem Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht (d. h., Zugspeichermodul bei 25°C der dritten Schicht/Zugspeichermodul bei 25°C der ersten Schicht) von 0,5 bis 2 aufweist.
  8. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei ein Harz, das die erste Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Polystyrol und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
  9. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei ein Harz, das die zweite Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem ungestreckten Polyamid, einem biaxial gestreckten Polyamid, einem Polybutylenterephthalat, einem Polyethylenterephthalat und einem sehr gut formbaren Polyethylenterephthalat, ausgewählt ist.
  10. Formwerkzeugtrennfilm nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei ein Harz, das die dritte Schicht bildet, mindestens ein Mitglied ist, das aus der Gruppe, bestehend aus einem Fluorharz, einem Fluorharz, einem Acrylkautschuk, einem wärmeaushärtenden Silikon, einem Polyester, einem Polyamid, einem Polystyrol, einem Ethylen/Vinylalkohol-Copolymer und einem Polyolefin, das einen Schmelzpunkt von mindestens 200°C aufweist, ausgewählt ist.
DE112015001135.8T 2014-03-07 2015-03-06 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und Formwerkzeugtrennfilm Pending DE112015001135T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014045466 2014-03-07
JP2014-045466 2014-03-07
PCT/JP2015/056733 WO2015133631A1 (ja) 2014-03-07 2015-03-06 半導体素子実装用パッケージの製造方法、および離型フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112015001135T5 true DE112015001135T5 (de) 2016-11-17

Family

ID=54055429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112015001135.8T Pending DE112015001135T5 (de) 2014-03-07 2015-03-06 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und Formwerkzeugtrennfilm

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10913183B2 (de)
JP (1) JP6460091B2 (de)
KR (2) KR102411756B1 (de)
CN (1) CN106062947B (de)
DE (1) DE112015001135T5 (de)
MY (1) MY176963A (de)
SG (2) SG10201807673SA (de)
TW (1) TWI668092B (de)
WO (1) WO2015133631A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3069476A1 (fr) * 2017-07-31 2019-02-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une piece moulee dotee d'au moins un dispositif electromecanique
US10653004B2 (en) 2017-04-10 2020-05-12 Tactotek Oy Electronic assembly

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102172867B1 (ko) 2015-12-03 2020-11-02 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 공정용 이형 필름, 그 용도 및 이를 이용한 수지 밀봉 반도체의 제조 방법
US10630876B2 (en) * 2016-02-18 2020-04-21 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array imaging module and molded photosensitive assembly, circuit board assembly and manufacturing methods thereof for electronic device
CN107466160B (zh) * 2016-06-06 2022-04-29 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板的制造设备及其制造方法
CN107466159B (zh) * 2016-06-06 2022-07-19 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板及其制造设备和制造方法
JP2017222125A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 住友ベークライト株式会社 繊維強化樹脂成形物の製造方法
KR102352901B1 (ko) * 2016-08-01 2022-01-19 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 촬영 모듈과 그 몰딩 회로기판 컴포넌트 및 몰딩 감광 컴포넌트와 제조방법
US10659664B2 (en) 2016-08-01 2020-05-19 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded circuit board assembly and manufacturing method thereof
JP6742273B2 (ja) * 2017-05-18 2020-08-19 アピックヤマダ株式会社 モールド金型及び樹脂モールド方法
CN108560190B (zh) * 2017-06-29 2020-07-14 南通大学 使用方便的可调直径和浮力的洗衣机用减缠绕防偏载器
CN109387915A (zh) * 2017-08-14 2019-02-26 宁波舜宇光电信息有限公司 成像组件及其制作方法以及模塑模具、摄像模组和智能终端
JP7104776B2 (ja) * 2017-08-14 2022-07-21 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 イメージングアセンブリとその製造方法、及びモールド金型、撮像モジュールとスマート端末
CN112292263A (zh) * 2018-06-22 2021-01-29 小林股份有限公司 离型膜以及离型膜的制造方法
JP6562532B1 (ja) * 2018-06-22 2019-08-21 株式会社コバヤシ 離型フィルム及び離型フィルムの製造方法
WO2019244448A1 (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 株式会社コバヤシ 離型フィルム及び離型フィルムの製造方法
CN109920779B (zh) * 2019-03-19 2020-11-24 吴静雯 一种封装产品电磁屏蔽层的制备方法及封装产品
CN109926566A (zh) * 2019-04-03 2019-06-25 上海迈铸半导体科技有限公司 一种结合微电子机械和铸造的金属沉积方法
DE102019205799A1 (de) * 2019-04-23 2020-10-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dämpferstrukturen an einem mikromechanischen Wafer
CN112238626B (zh) * 2019-07-18 2024-01-30 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 一种灌注成型方法及其成型品
CN115515787A (zh) * 2020-08-12 2022-12-23 住友电木株式会社 脱模膜及成型品的制造方法
CN113104277B (zh) * 2020-10-29 2023-03-28 山东零度供应链有限公司 一种包装工程用楔入式包装机构
CN114211668B (zh) * 2021-12-13 2024-04-26 上海空间电源研究所 一种无尾罩电连接器线缆环氧胶灌封工艺方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH408729A (de) 1962-02-26 1966-02-28 Rieter Ag Maschf Elektrohydraulische Steuerung der Ringbankbewegung einer Ringzwirnmaschine
WO2001019880A1 (fr) * 1999-09-13 2001-03-22 Asahi Glass Company, Limited Copolymere tetrafluoroethylene/ethylene et film constitue dudit polymere
CN100526066C (zh) * 2004-05-27 2009-08-12 三菱树脂株式会社 脱模用层压膜
JP4592386B2 (ja) 2004-10-28 2010-12-01 三井化学株式会社 樹脂製中空パッケージの製造方法
JP4653608B2 (ja) 2005-09-16 2011-03-16 吉川工業株式会社 面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法
JP5234419B2 (ja) * 2006-04-25 2013-07-10 旭硝子株式会社 半導体樹脂モールド用離型フィルム
JP4914406B2 (ja) 2008-06-24 2012-04-11 エムテックスマツムラ株式会社 半導体素子実装用中空パッケージ
WO2010023907A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 三井化学株式会社 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法
JP5297233B2 (ja) * 2009-03-09 2013-09-25 三井化学株式会社 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法
US7920380B2 (en) * 2009-07-15 2011-04-05 Teradyne, Inc. Test slot cooling system for a storage device testing system
US9056938B2 (en) * 2009-08-26 2015-06-16 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
EP2481546A1 (de) * 2009-09-24 2012-08-01 Asahi Glass Company, Limited Formtrennfilm und verfahren zur herstellung lichtemittierender dioden
KR20130072188A (ko) * 2010-04-16 2013-07-01 아사히 가라스 가부시키가이샤 함불소 공중합체 조성물의 제조 방법, 코팅용 조성물, 도막을 갖는 물품, 및 성형품
CN104025314B (zh) * 2011-12-28 2016-08-17 三菱树脂株式会社 保护片
JP5923001B2 (ja) * 2012-07-05 2016-05-24 三井化学東セロ株式会社 リフレクタ成形用金型離型フィルム、それを用いたリフレクタを有する発光装置用基板の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10653004B2 (en) 2017-04-10 2020-05-12 Tactotek Oy Electronic assembly
FR3069476A1 (fr) * 2017-07-31 2019-02-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une piece moulee dotee d'au moins un dispositif electromecanique
WO2019025329A1 (fr) * 2017-07-31 2019-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une piece moulee par injection dotee d'au moins un dispositif electromecanique comprenant un element mobile

Also Published As

Publication number Publication date
KR102411756B1 (ko) 2022-06-21
US10913183B2 (en) 2021-02-09
TWI668092B (zh) 2019-08-11
KR20160130803A (ko) 2016-11-14
KR20210138171A (ko) 2021-11-18
WO2015133631A1 (ja) 2015-09-11
JP6460091B2 (ja) 2019-01-30
JPWO2015133631A1 (ja) 2017-04-06
MY176963A (en) 2020-08-28
TW201545848A (zh) 2015-12-16
CN106062947A (zh) 2016-10-26
CN106062947B (zh) 2019-03-05
US20160368176A1 (en) 2016-12-22
SG11201607467XA (en) 2016-10-28
SG10201807673SA (en) 2018-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015001135T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses zum Montieren eines Halbleiterelements und Formwerkzeugtrennfilm
DE112015001137T5 (de) Formwerkzeugtrennfilm und Verfahren zur Herstellung eines eingekapselten Körpers
DE112014005100B4 (de) Formwerkzeugtrennfilm und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
DE112015001143T5 (de) Formwerkzeugtrennfilm, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
DE112014005113B4 (de) Formwerkzeugtrennfilm und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
DE112015005259T5 (de) Formwerkzeugtrennfilm, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
DE60307360T2 (de) Verwendung einer Trennfolie
CN107000268A (zh) 脱模膜以及半导体封装体的制造方法
EP2605895A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schichtverbunds aus einer lumineszenzkonversionsschicht und einer streuschicht
DE112017003370T5 (de) Ethylen-tetrafluorethylen-copolymerfolie und verfahren zu deren herstellung
DE112018005759T5 (de) Laminierte Folie und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
DE102015102460A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauteils und lichtemittierendes Bauteil
DE112021006833T5 (de) Folie und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
KR102554241B1 (ko) 불소계 이형필름, 이를 통한 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지
DE112021006525T5 (de) Folie, verfahren zu deren herstellung und verfahren zur herstellung eines halbleitergehäuses

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AGC INC., JP

Free format text: FORMER OWNER: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED, TOKYO, JP

R082 Change of representative

Representative=s name: MUELLER-BORE & PARTNER PATENTANWAELTE PARTG MB, DE

R012 Request for examination validly filed