TW201545848A - 半導體元件安裝用封裝件之製造方法及脫模膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在使用模具來製造半導體元件安裝用封裝件時，不會產生基材之凹陷或損傷及自模具的脫模不良並可防止樹脂毛邊之製造方法及適合使用於該製造方法的脫模膜，其中該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂形成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且該半導體元件安裝用封裝件藉由安裝面與封裝件本體而形成有凹部。 將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置於上模且將基材配置於下模後，將前述上模與前述下模閉合，而使前述凸部與前述基材之前述安裝面隔著前述脫模膜密接，其中該上模具有與半導體元件安裝用封裝件之凹部相對應之形狀之凸部；且將硬化性樹脂填滿前述上模與前述下模間所形成的空間內並使其硬化，使該硬化物與基材一起從模具脫模。

Description

半導體元件安裝用封裝件之製造方法及脫模膜 發明領域
本發明係有關於一種半導體元件安裝用封裝件之製造方法、及使用於前述製造方法之脫模膜。
發明背景
近年，周知用以搭載固體攝像元件或MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems：微機電系統)等半導體元件之中空結構的半導體封裝件(以下稱為「中空封裝件」)在低成本化之目的下係採用樹脂來作為封裝件基底(封裝件本體)。又，就封裝件結構而言雖以DIP(Dual Inline Package：雙直插封裝)為主流，但近年亦逐漸採用表面安裝型的SOP(Small Outline Package：小輪廓封裝)或QFP(Quad Flat Package：四面扁平封裝)，甚至亦開始研討SON(Small Outline Non leaded Package：小輪廓無引線封裝)、QFN(Quad Flat NonLeaded Package：四面扁平無引線封裝)等經無引線化之封裝件結構。此乃是因為已來到對中空封裝件講究小型化、薄型化的技術層次，而對於中空封裝件的面安裝技術亦有所研討。
就中空封裝件來說，例如周知有一類型，係於具 有用以裝設半導體元件之安裝面的基材(印刷電路基板、引線框架等)上，使用硬化性樹脂形成一具備包圍前述安裝面之框狀部的封裝件本體，並以蓋體覆蓋藉由前述安裝面與框狀部所形成之凹部的開口。
就該中空封裝件之製造方法則有一方法(例如專利文獻1)係如圖12所示，將於模槽面具有形狀與欲中空之部分相對應之凸部200的上模202其凸部200，直接壓抵於經配置在下模204上之金屬製引線框架206之欲露出的部分，並在此狀態下將樹脂208充填並成形(轉注成形)於上模202與下模204間之空間內。
但，在此方法中，凸部200與引線框架206之密接性一差，所充填之樹脂208便會輕易地進入凸部200與引線框架206之間，而容易產生所謂的「樹脂毛邊」。尤其因為引線框架206之厚度存有參差，所以可能會發生引線框架206上有一部分的部位不會產生樹脂毛邊但另一部位卻很容易產生樹脂毛邊等的情況。若為了防止樹脂毛邊而提高夾壓，則有引線框架206凹陷、損傷等的其他問題發生。
就中空封裝件之其他製造方法則如專利文獻2中所提議之方法，係使用模槽面呈平坦的上模來替代於模槽面具有凸部200之上模202，將已將與欲中空之部分形狀相對應之凸部一體形成的脫模膜配置於該模槽面，並將前述凸部壓抵於引線框架之欲露出的部分，進行轉注成形。在此方法中，由於脫模膜之凸部的彈性係數低於模具，因此可輕微地壓抵在引線框架上，進而可防止樹脂毛邊或損 傷。
但，在此方法中必需具有一將凸部一體形成於脫模膜上之步驟，相當煩雜。而且，因為凸部係以樹脂形成，所以凸部的高度參差很大，依舊存有會產生樹脂毛邊之部位及不會產生樹脂毛邊之部位。若為了防止樹脂毛邊而提高夾壓，便如圖13所示，脫模膜210之凸部212的前端會被壓潰而溢出至用來充填樹脂208之空間側。若在此狀態下進行轉注成形，已溢出之部分便會侵入封裝件本體，引發封裝件本體的脫模不良。又，封裝件本體的形狀亦會變差。
就中空封裝件之其他製造方法則如專利文獻3中所提議之方法，如圖14所示，於引線框架206之欲露出之部分的周邊事先以樹脂形成觸排214，並將上模202之凸部200壓抵於該觸排214來進行轉注成形。在此方法中係藉由觸排214使樹脂208不會漏出至引線框架206之欲露出之部分側。
但，在此方法中，引線框架206之加工時需要形成觸排214之多餘的步驟，不僅步驟變煩雜，且一旦於觸排214之高度有參差，還是會有產生樹脂毛邊之部位形成。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-128354號公報
專利文獻2：日本特開2007-81307號公報
專利文獻3：日本特開2010-10227號公報
發明概要
本發明目的在於提供一種使用模具來製造半導體元件安裝用封裝件時，不會產生基材之凹陷或損傷及從模具之脫模不良並可防止樹脂毛邊的製造方法及適合使用於該製造方法的脫模膜，其中該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂形成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且該半導體元件安裝用封裝件藉由前述安裝面與前述封裝件本體而形成有凹部。
本發明提供一種具有以下[1]~[10]之構成的半導體元件安裝用封裝件之製造方法及脫模膜。
[1]一種半導體元件安裝用封裝件之製造方法，係使用具備上模與下模之模具來製造半導體元件安裝用封裝件，其中該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂之硬化物構成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且該半導體元件安裝用封裝件藉由前述安裝面及前述封裝件本體而形成有凹部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置於上模且將前述基材配置於下模後，將前述上模與前述下模閉合，而使前述凸部與前述基材之前述安裝面隔著前述脫模膜密接， 其中該上模具有與前述凹部相對應之形狀之凸部，；將硬化性樹脂填滿前述上模與前述下模間所形成的空間內，並使前述硬化性樹脂硬化；及使前述硬化性樹脂之硬化物與前述基材一起從前述模具脫模。
[2]如[1]之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述脫模膜具備第一層及第二層，該第一層於前述硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接；前述第一層之厚度為3~25μm，且在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa；前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000~13,000。
[3]如[2]之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述第一層之厚度為5~12μm，且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000。
[4]如[2]或[4]之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述脫模膜更具備第三層，該第三層於前述硬化性樹脂硬化時與模具相接；前述第三層之厚度為3~25μm，且其在25℃下之拉伸貯藏彈性係數相對於第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數的比(第三層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數/第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數)為0.5~2。
[5]一種脫模膜，係使用於如前述[1]之半導體元件安裝 用封裝件之製造方法，其特徵在於：具備第一層及第二層，該第一層於前述硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接；前述第一層之厚度為3~25μm，且其在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa；前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000~13,000。
[6]如[5]之脫模膜，其中前述第一層之厚度為5~12μm，且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000。
[7]如[5]或[6]之脫模膜，其更具備第三層，該第三層於前述硬化性樹脂硬化時與模具相接，該第三層之厚度為3~25μm，且其在25℃下之拉伸貯藏彈性係數相較於第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數的比(第三層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數/第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數)為0.5~2。
[8]如[5]~[7]中任一項之脫模膜，其中構成前述第一層之樹脂係選自於由氟樹脂、聚苯乙烯及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種。
[9]如[5]~[8]中任一項之脫模膜，其中構成前述第二層之樹脂係選自於由無延伸聚醯胺、雙軸延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯及易成形聚對苯二甲酸乙二酯所構成群組中之至少1種。
[10]如[5]~[9]中任一項之脫模膜，其中構成前述第三層 之樹脂係選自於由氟樹脂、氟樹脂、壓克力橡膠、熱硬化性聚矽氧、聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種。
依據本發明，在使用模具來製造半導體元件安裝用封裝件時，即使配置於模具之下模上的基材(引線框架等)之安裝面有高度的差異或是上模的凸部有高度的差異，仍可藉由配置於上模之凸部上的脫模膜來吸收該等差異，進而可在安裝面整體抑制樹脂毛邊，其中前述半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂形成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且前述半導體元件安裝用封裝件藉由前述安裝面及前述封裝件本體而形成有凹部。即使在不會於基材生成凹陷或損傷之程度之微弱的夾壓下，還是足以抑制樹脂毛邊。
所以，依據本發明，可簡便且穩定地製造一於基材無凹陷或損傷且於基材之安裝面整體無樹脂毛邊的半導體元件安裝用封裝件。
1‧‧‧脫模膜
2‧‧‧第一層
2a‧‧‧表面
3‧‧‧第二層
3a‧‧‧表面
5‧‧‧脫模膜
6‧‧‧第一層
6a‧‧‧表面
7‧‧‧第二層
8‧‧‧第三層
8a‧‧‧表面
10‧‧‧基材
10a‧‧‧安裝面
10A‧‧‧基材
12‧‧‧封裝件本體
12A‧‧‧硬化物
14‧‧‧凹部
16‧‧‧基材
16a‧‧‧內引線
16b‧‧‧外引線
16c‧‧‧模墊
18‧‧‧封裝件本體
18a‧‧‧框狀部
18b‧‧‧底部
19‧‧‧硬化物
20‧‧‧凹部
30‧‧‧脫模膜
40‧‧‧硬化性樹脂
50‧‧‧上模
52‧‧‧下模
54‧‧‧模槽
56‧‧‧凸部
58‧‧‧基材設置部
60‧‧‧樹脂導入部
62‧‧‧樹脂配置部
64‧‧‧柱塞
110‧‧‧半導體元件安裝用封裝件
110A‧‧‧結構體
120‧‧‧半導體元件安裝用封裝件
200‧‧‧凸部
202‧‧‧上模
204‧‧‧下模
206‧‧‧引線框架
208‧‧‧樹脂
210‧‧‧脫模膜
212‧‧‧凸部
214‧‧‧觸排
圖1係以本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製得之半導體元件安裝用封裝件一例的概略截面圖。
圖2係圖1所示半導體元件安裝用封裝件的立體圖。
圖3係以本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製得之半導體元件安裝用封裝件之另一例的概略截面圖。
圖4係顯示本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中所使用之模具一例的截面圖。
圖5係顯示本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α1)的示意截面圖。
圖6係顯示本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α2)的示意截面圖。
圖7係顯示本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α3)的示意截面圖。
圖8係顯示本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α4)的示意截面圖。
圖9係顯示本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α5)的示意截面圖。
圖10係顯示本發明脫模膜之第1實施形態的概略截面圖。
圖11係顯示本發明脫模膜之第2實施形態的概略截面圖。
圖12係說明習知之中空封裝件之製造方法一例的概略截面圖。
圖13係說明習知之中空封裝件之製造方法之另一例及問題點的概略截面圖。
圖14係說明習知之中空封裝件之製造方法之另一例的概略截面圖。
用以實施發明之形態
在本說明書中，以下用語分別以下述定義作使用。
樹脂之「單元」係表示構成該樹脂之構成單元(單體單元)。
「氟樹脂」係表示結構中含有氟原子之樹脂。
脫模膜之厚度及構成多層結構之脫模膜之層(第一層、第二層等)的厚度在180℃下之拉伸貯藏彈性係數分別係以實施例中記載之方法測定。
算術平均粗度(Ra)係依據JIS B0601：2013(ISO4287：1997，Amd.1：2009)測出之算術平均粗度。粗度曲線用基準長度lr(截止值λ c)設為0.8mm。
[半導體元件安裝用封裝件之製造方法]
本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法係使用具備上模與下模之模具來製造半導體元件安裝用封裝件之方法，該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂形成且包含一包為前述安裝面之框狀部，並且前述半導體元件安裝用封裝件藉由前述安裝面及前述封裝件本體而形成有凹部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置於上模且將前述基材配置於下模後，將前述上模與前述下模閉合，而使前述凸部與前述基材之前述安裝面隔著前述脫模膜密接，其中該上模具有與前述凹部相對應之形狀的凸部； 將硬化性樹脂填滿前述上模與前述下模間所形成的空間內，並使前述硬化性樹脂硬化；及使前述硬化性樹脂之硬化物與前述基材一起從前述模具脫模。
(半導體元件安裝用封裝件)
藉由本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製造之半導體元件安裝用封裝件只要是具有前述基材及前述封裝件本體者即無特別限定，得以自公知的半導體元件安裝用封裝件中適當選擇。
於圖1顯示藉由本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製造之半導體元件安裝用封裝件一例的概略截面圖。於圖2顯示圖1中所示半導體元件安裝用封裝件的立體圖。
半導體元件安裝用封裝件110具備基材10及由硬化性樹脂所形成之封裝件本體12。基材10為印刷電路基板，具有可安裝半導體元件之安裝面10a。基材10於安裝面10a具有內引線(未圖示)，且於與安裝面10a側相反之側的表面具有外引線(未圖示)，內引線與外引線係相互電連接。封裝件本體12為包圍安裝面10a之框狀部。
在半導體元件安裝封裝件110中，藉由基材10及封裝件本體12形成有用以搭載半導體元件之凹部14。將半導體元件配置於半導體元件安裝封裝件110之凹部14的底面(安裝面10a)後，將半導體元件與內引線電連接並以蓋體覆蓋凹部14之開口，藉此可製得一於具有中空部之封裝件的前述中空部搭載有半導體元件的半導體裝置。
於圖3顯示藉由本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製造之半導體元件安裝用封裝件另一例的概略截面圖。
半導體元件安裝用封裝件120具備基材16及由硬化性樹脂所形成之封裝件本體18。基材16為引線框架，具有內引線16a、外引線16b及模墊16c，且內引線16a與外引線16b相互電連接。
封裝件本體18具有包圍基材16之安裝面(內引線16a之上面及模墊16c之上面)的框狀部18a及底部18b。
在半導體元件安裝用封裝件120中，藉由基材16之內引線16a及模墊16c、以及封裝件本體18之底部18b及框狀部18a形成有用以搭載半導體元件之凹部20。
將半導體元件配置於半導體元件安裝用封裝件120之凹部20的底面(模墊16c之上面)，將半導體元件與內引線16a電連接並以蓋體覆蓋凹部20之開口，藉此製得一於具有中空部之封裝件之前述中空部搭載有半導體元件的半導體裝置。
就可安裝於半導體元件安裝用封裝件之半導體元件而言，舉例如各種感測器等。
(第1實施形態)
就本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法之一例實施形態，針對藉由轉注成形法來製造圖1中所示半導體安裝用封裝件110之情況詳細說明。本發明實施形態之半導體元件安裝用封裝件之製造方法具有下述步驟(α1)~(α6)。
步驟(α1)，係於具備上模及下模之模具之前述上模，將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置成可覆蓋前述上模之模槽，其中該上模具有模槽且於模槽面具有多個凸部，該下模則具有用來設置基材之基材設置部。
步驟(α2)，係將前述脫模膜真空抽吸至前述上模之模槽面之側。
步驟(α3)，係於前述下模之基材設置部將具有多個安裝面之基材配置成使與前述多個安裝面相反之側朝向下模側後，將上模與下模合模，使前述上模之多個凸部隔著前述脫模膜密接於前述基材之多個安裝面的各安裝面。
步驟(α4)，係將硬化性樹脂充填於前述上模與前述下模間的空間內並使其硬化，藉此獲得具備前述基材與前述硬化性樹脂之硬化物的結構體。
步驟(α5)，係自前述模具取出前述結構體。
步驟(α6)，係將前述結構體之基材及硬化物切斷使前述多個安裝面分離，藉以獲得半導體元件安裝用封裝件110。
模具：
就第1實施形態中之模具來說，例如可舉如圖4所示具有上模50及下模52的模具。上模50形成有模槽54、及可將硬化性樹脂40導至模槽54之凹狀的樹脂導入部60。模槽54具有與於步驟(α4)中形成於基材上之硬化物形狀相對應之形狀，且上模50之模槽面形成有多個凸部56，該凸部56具有半導體元件安裝用封裝件110之凹部14反轉後的形狀。
下模52形成有用來設置基材之基材設置部58及配置用 來硬化性樹脂之樹脂配置部62。又，樹脂配置部62內設置有柱塞64，該柱塞64可將硬化性樹脂朝上模50之樹脂導入部60擠出。
步驟(α1)：
如圖5所示，將脫模膜30配置成覆蓋上模50之模槽54。脫模膜30以配置成覆蓋模槽54及樹脂導入部60的整體為佳。因脫模膜30會被捲出輥(圖示省略)及捲取輥(圖示省略)拉伸，因此可在被延展的狀態下配置成覆蓋上模50之模槽54。
就脫模膜30而言，可使用厚度在整體上略呈一定的薄膜。厚度在整體上略呈一定係表示依照ISO4591：1992(JIS K7130：1999之A法，利用機械掃描法的厚度測定方法)測出在薄膜之流動方向上及與流動方向垂直之方向上進行1m測定時，厚度之最大值與最小值各自相對於平均值之差在15%以內。有關脫模膜30將於後段詳細說明。
步驟(α2)：
如圖6所示，透過形成於上模50之模槽54外部的溝槽(圖示省略)進行真空抽吸，將上模50與脫模膜30間的空間(上模50之模槽面及樹脂導入部60之內壁與脫模膜30間的空間)減壓，使脫模膜30延展變形而真空吸附於上模50之模槽面。
此外，因高溫環境下的脫模膜30之機械強度、厚度或模槽54之形狀，脫模膜30不見得會密接於模槽面。如圖6所示，在步驟(α2)之真空吸附的階段，脫模膜30與模槽面之間 可殘留有少許的空隙。
步驟(α3)：
如圖7所示，將具有多個安裝面(未圖示)之基材10A設置於基材設置部58，並將上模50與下模52合模，使上模50之多個凸部56隔著脫模膜30密接於基材10A之多個安裝面的各安裝面。又，預先於樹脂配置部62之柱塞64上配置硬化性樹脂40。
將上模50與下模52合模時的夾壓係設定為不致使凸部56與基材10A之間所夾的脫模膜30被過度壓潰而溢出至模槽54側之程度的壓力。藉此，可防止已溢出脫模膜30之模槽54側的部分變成被硬化性樹脂40之硬化物侵入的狀態而引發硬化物的脫模不良。又，亦可防止基材10A之安裝面凹陷或損傷。
就夾壓具體來說，以10~80噸為佳，20~70噸尤佳。每單位面積的壓力則以25~200MPa為佳，50~175MPa尤佳。
本發明使用之脫模膜30的厚度在整體上略呈一定，因此與如前述專利文獻2中所示使用凸部為一體形成之脫模膜的情況相較下，即使提高夾壓，依舊不易產生如上述之溢出。藉由在不致於基材10A產生凹陷或損傷之範圍內提高夾壓，有助於防止樹脂毛邊的效果。
就硬化性樹脂40而言，亦可使用在半導體封裝件之製造中常用的各種硬化性樹脂。以環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂為佳，環氧樹脂尤佳。就環氧樹脂而言，例如可列舉SUMIMONO BAKELITE CO.,LTD.製SUMIK ON EME G770H type F ver.GR、Nagase ChemteX Corp oration製T693/R4719-SP10等。以聚矽氧樹脂之市售品來說則可列舉信越化學工業公司製LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
硬化性樹脂40中亦可含有碳黑、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。
步驟(α4)：
如圖8所示，將下模52之柱塞64上推，透過樹脂導入部60將硬化性樹脂40充填至模槽54內。接著將模具加熱使硬化性樹脂40硬化。
在步驟(α4)中，藉由對模槽54內充填硬化性樹脂40，可藉由樹脂壓力將脫模膜30進一步壓入上模50之模槽面側，使其延展變形而密接於模槽面。所以，形成之硬化物的形狀可成為與模槽54之形狀相對應之形狀。
使硬化性樹脂40硬化時，模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度以100~185℃為佳，140~175℃尤佳。加熱溫度只要在前述範圍之下限值以上，便可提升半導體元件安裝用封裝件110之生產性。加熱溫度只要在前述範圍之上限值以下，便可抑制硬化性樹脂40之劣化。從可抑制因硬化性樹脂40之熱膨脹率造成其硬化物形狀變化的觀點來看，在尤其講究半導體元件安裝用封裝件110之保護的情況下，以在前述範圍內盡可能低溫的溫度進行加熱為佳。
硬化性樹脂40充填時的樹脂壓以2~30MPa為佳，3~10MPa尤佳。樹脂壓只要在前述範圍之下限值以上，便 不易產生硬化性樹脂40之充填不足等缺點。樹脂壓只要在前述範圍之上限值以下，便容易獲得品質優良的半導體元件安裝用封裝件110。硬化性樹脂40之樹脂壓可藉由柱塞64進行調整。
步驟(α5)：
如圖9所示，從模具取出於步驟(α4)中所形成之結構體110A。
結構體110A具備基材10A、及已在模槽54內中硬化之硬化性樹脂40之硬化物12A。將結構體110A從模具取出後，結構體110A之硬化物12A上附著有已在樹脂導入部60內硬化之硬化性樹脂40之硬化物19。該硬化物19係將結構體110A從模具取出後才予以切除。
於步驟(α4)中充填硬化性樹脂40時，因為脫模膜30已密接於基材10A之安裝面，所以不會接觸硬化性樹脂40。因此，硬化物12A係形成為包圍基材10A之多個安裝面的各安裝面，且基材10A的多個安裝面分別露出。所以，在結構體110A中藉由基材10A及包圍其多個安裝面之各安裝面的硬化物12A形成有多個凹部14。
步驟(α6)：
將步驟(α5)中獲得之結構體110A的基材10A及硬化物12A切斷(單片化)使結構體110A之多個凹部14分離。藉此製得半導體元件安裝用封裝件110，該半導體元件安裝用封裝件110具備至少具有1個安裝面10a之基材10及包圍前述安裝面10a之框狀封裝件本體12。
單片化可藉由公知方法進行，例如可舉切割法。切割法係一使切割刀一邊旋轉並一邊切斷對象物之方法。以切割刀來說，典型上可使用圓盤外周燒結有鑽石粉之旋轉刃(鑽石切刀)。利用切割法所行之單片化例如可藉由下述方法進行：將切斷對象物(結構體110A)藉由夾具固定於處理台上，並在切斷對象物之切斷區域與前述夾具之間具有可插入切割刀之空間的狀態下，使前述切割刀移動。
步驟(α6)中，在如前述切斷切斷對象物之步驟(切斷步驟)後，可包含異物除去步驟，該異物除去步驟係一邊從噴嘴朝向前述切斷對象物供給液體並一邊使前述處理台移動，其中該噴嘴係配置在與覆蓋前述切割刀之外殼分開的位置上。
以上係顯示第1實施形態來說明本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，從脫模膜30剝離結構體110A之時序不只限於要從模具取出結構體110A之時，可從模具連同脫模膜一起取出結構體110A，然後將脫模膜從結構體110A剝離。
設置於下模52之基材10所具有的安裝面可僅為1面。此時，可不進行步驟(α6)。
基材10具有多個安裝面時，多個安裝面之各安裝面間的距離可均等亦可不均等。又，多個安裝面之各安裝面的 形狀可相同亦可互異。
於步驟(α6)後(或步驟(α6)之前且步驟步驟(α5)之後)，為了於封裝件本體12(或硬化物12A)表面顯示任意的資訊，可進行塗佈印墨以形成印墨層之步驟。
就可藉由印墨層顯示之資訊來說並無特別限定，可列舉如序號、製造商相關資訊及零件之類別等。就印墨來說並無特別限定，可自公知印墨之中適當選擇。
印墨之塗佈方法並無特別限定，例如可適用噴墨法、網版印刷、從橡膠版之轉印等各種印刷法。
在硬化速度快且在封裝件上之滲入少、或因為未吹熱風所以封裝件之位移少等觀點下，印墨層之形成方法以下述方法為佳：使用光硬化型印墨，藉由噴墨法使該印墨附著於封裝件本體12表面，再藉由光照射使該印墨硬化。
光硬化型印墨典型上可使用含有聚合性化合物(單體、寡聚物等)之材料。印墨可因應需求含有顏料、染料等色材、液體介質(溶劑或分散媒)、聚合抑制劑、光聚合引發劑及其他各種添加劑等。就其他添加劑而言，例如可列舉滑劑、聚合促進劑、滲透促進劑、濕潤劑(保濕劑)、定著劑、防黴劑、防腐劑、抗氧化劑、放射線吸收劑、螯合劑、pH調整劑、增稠劑等。
以使光硬化型印墨硬化之光而言，可列舉紫外線、可見光線、紅外線、電子射線、放射線等。
就紫外線之光源，可列舉殺菌燈、紫外線用螢光燈、 碳弧、氙燈、複印用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、紫外線發光二極體、紫外線雷射二極體、自然光等。
光照射可在常壓下進行亦可在減壓下進行。又，可在空氣中進行或可在氮氣體環境、二氧化碳氣體環境等惰性氣體環境下進行。
又，藉由本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法製造之半導體元件安裝用封裝件不限於半導體元件安裝用封裝件110。例如，亦可為半導體元件安裝用封裝件120。
半導體元件安裝用封裝件120除了使用基材16來替代基材10並將凸部56之形狀配合凹部20予以變更以外，可以與第1實施形態同樣的方式製造。
[脫模膜]
本發明中之脫模膜30可為單層結構之薄膜亦可為多層結構之薄膜。
對於脫模膜30會要求脫模性、得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性、以及得以承受硬化性樹脂之流動或加壓力的機械強度。
在單層結構之薄膜的情況下，從脫模性、耐熱性、機械強度及高溫下之延伸的觀點來看，脫模膜30以選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之1種以上樹脂所構成的薄膜為佳，且以由氟樹脂所構成之薄膜尤佳。有關氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴將分別於後段詳細 說明。
就多層結構之薄膜而言，例如可列舉具備硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接之第一層及其他層的薄膜。其他層可為1層亦可為2層以上。
就多層結構之薄膜來說，在脫模不良及防止樹脂毛邊之效果優異的觀點下，以下述脫模膜(I)為佳。
脫模膜(I)：為具備第一層及第二層層的薄膜，該第一層於硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接；前述第一層之厚度為3~25μm，且其在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa；並且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)之乘積為2,000~13,000。
使用脫模膜(I)來進行前述本發明半導體元件安裝用封裝件之製造方法時，脫模膜(I)在隔著脫模膜使前述上模之凸部與前述基材之安裝面密接之步驟中，以前述第一層側之表面朝向基材側(安裝面側)的方式配置於上模為佳。
與安裝面直接相接之第一層係一在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為一定程度以下的柔軟之層，藉由具有一定程度以上的厚度，在將凸部壓抵至安裝面時，即使為不致產生基材之凹陷或損傷之程度的輕微的夾壓，依舊可將第一層適度地壓潰。又，藉由使第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數與厚度的乘積在一定程度以下，可讓脫模膜(I)充分追隨上模。所以，即使於基材之安裝面的高度及凸部之高度有所參差，藉由第一層即可吸收前述參差，讓上模之凸 部可隔著脫模膜(I)充分地密接於基材之安裝面整體。所以，硬化性樹脂不易流入凸部與安裝面之間，而於安裝面整體均不易產生樹脂毛邊。
又，第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數與厚度的乘積大於第一層且相較於第一層為較硬之層為佳。藉由第一層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數在一定程度以上且厚度在一定程度以下、以及比第一層硬的第二層較第一層存在於更靠近上模側，則將上模之凸部壓抵至基材之安裝面時，不會產生第一層被過度壓潰溢出至模槽側而產生脫模不良，也難以產生脫模膜(I)破裂之問題。
前述第一層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數以10~40MPa尤佳。前述第一層之厚度以5~12μm較佳，7~12μm尤佳。
前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積以3,000~8,000尤佳。
前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數、厚度分別可取前述乘積在前述範圍內之任意值，無特別限定。其中，在180℃下之拉伸貯藏彈性係數以90~600MPa為佳，110~300MPa尤佳。厚度以6~50μm為佳，12~38μm尤佳。
由以上諸點來看，在脫模膜(I)中，以前述第一層之厚度為5~12μm且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000為佳。其中，又以前述第一層之厚度為7~12μm且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為 3,000~8,000尤佳。
第一層、第二層的各拉伸貯藏彈性係數可藉由調整分別構成第一層、第二層的樹脂(以下亦各稱為第一層用樹脂、第二層用樹脂)之結晶度來調整。具體來說，樹脂之結晶度愈低，由該樹脂構成之層的拉伸貯藏彈性係數即愈低。樹脂之結晶度可藉由公知方法調整。例如，在乙烯/四氟乙烯共聚物之情況下，可藉由調整以四氟乙烯及乙烯為主體之單元比率、以四氟乙烯及乙烯以外之其他單體為主體之單元的種類及含量來進行調整。
(第1實施形態之脫模膜)
圖10係顯示脫模膜(I)之第1實施形態的概略截面圖。
本實施形態之脫模膜1係依序積層有第一層2及第二層3者。脫模膜1於前述硬化性樹脂硬化時係第一層2與硬化性樹脂相接(即表面2a與硬化性樹脂相接)，且第二層3與模具之上模相接(即表面3a與模具之上模相接)。
<第一層>
第一層係用以將已硬化之硬化性樹脂與脫模膜1順利剝離的脫模層。第一層2在180℃下之拉伸貯藏彈性係數及厚度之範圍、以及該等的理想範圍分別如同前述。
就構成第一層2之樹脂(以下亦稱第一層用樹脂)，只要是可滿足前述拉伸貯藏彈性係數者即可，可自公知的熱可塑性樹脂、橡膠等樹脂中適當選擇。
第一層2宜具有前述半導體元件安裝用封裝件之製造時，可使業已在與脫模膜1之第一層2相接之狀態下硬化之 硬化性樹脂(封裝件本體)從脫模膜1順利剝離之脫模性。又宜具有得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性。由此觀點來看，第一層用樹脂以選自於由氟樹脂、聚苯乙烯及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種為佳。該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就第一層用樹脂而言，從脫模性佳的觀點來看，以氟樹脂尤佳。第一層2由氟樹脂構成時，硬化性樹脂之硬化物從模具的脫模性佳。又，脫模膜1充分具有得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性、以及得以承受硬化性樹脂之流動及加壓力的強度等，且在高溫下之延伸亦佳。
就氟樹脂而言，從脫模性及耐熱性優異的觀點來看，以氟烯烴系聚合物為佳。氟烯烴系聚合物係具有以氟烯烴為主體之單元的聚合物。就氟烯烴，可列舉四氟乙烯、氟乙烯、二氟亞乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。氟烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就氟烯烴系聚合物，可列舉乙烯/四氟乙烯共聚物(以下亦稱ETFE)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。氟烯烴系聚合物可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就聚苯乙烯而言，從脫模性及耐熱性優異的觀點來看，以對位聚苯乙烯為佳。聚苯乙烯可業經延伸，又可含有添加劑。聚苯乙烯可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
熔點200℃以上之聚烯烴的熔點以200℃以上且300℃以下為佳。
就熔點200℃以上之聚烯烴而言，從脫模性及模具追隨性優異的觀點來看，以聚甲基戊烯為佳。聚烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
作為第一層用樹脂，以前述中選自於由氟烯烴系聚合物及聚甲基戊烯所構成群組中之至少1種為佳，且以氟烯烴系聚合物較佳。其中，從高溫下之延伸較大的觀點來看以ETFE尤佳。ETFE可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
ETFE係具有以四氟乙烯(以下亦稱TFE)為主體之單元及以乙烯(以下亦稱E)為主體之單元的共聚物。
就ETFE而言，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元以及以TFE及E以外之第3單體為主體之單元者為佳。藉由以第3單體為主體之單元的種類及含量，可輕易地調整ETFE之結晶度即第1熱可塑性樹脂薄膜層2之拉伸貯藏彈性係數。又，藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元，可提升高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度。
就第3單體，可列舉具有氟原子之單體及不具氟原子之單體。
就具有氟原子之單體，可列舉下述單體(a1)~(a5)。
單體(a1)：碳數3以下之氟烯烴類。
單體(a2)：X(CF2)nCY=CH2(惟，X、Y分別獨立為氫原子或氟原子，n為2~8之整數)所示之全氟烷基乙烯。
單體(a3)：氟乙烯基醚類。
單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。
單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
就單體(a1)，可列舉氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱HFP)、2-氫五氟丙烯等)等。
就單體(a2)，以n為2~6之單體為佳，n為2~4之單體尤佳。又，以X為氟原子且Y為氫原子之單體即(全氟烷基)乙烯尤佳。
就單體(a2)之具體例，可列舉下述化合物。
CF3CF2CH=CH2、CF3CF2CF2CF2CH=CH2((全氟丁基)乙烯；以下亦稱PFBE)、CF3CF2CF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF2CF=CH2等。
就單體(a3)之具體例，可列舉下述化合物。而，下述中，二烯之單體為得以進行環化聚合之單體。
CF2=CFOCF3、CF2=CFOCF2CF3、CF2=CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)；以下亦稱PPVE)、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、 CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF=CF2、CF2=CFO(CF2)2CF=CF2等。
就單體(a4)之具體例，可列舉下述化合物。
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
就單體(a5)之具體例，可列舉全氟(2,2-二甲基-1,3-二呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二)等。
就不具氟原子之單體，可列舉下述單體(b1)~(b4)。
單體(b1)：烯烴類。
單體(b2)：乙烯酯類。
單體(b3)：乙烯基醚類。
單體(b4)：不飽和酸酐。
就單體(b1)之具體例，可列舉丙烯、異丁烯等。
就單體(b2)之具體例，可列舉乙酸乙烯酯等。
就單體(b3)之具體例，可列舉乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
就單體(b4)之具體例，可列舉馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、納迪克酸酐(5-降莰烯-2,3-二甲酐)等。
第3單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。就 第3單體來說，從容易進行結晶度之調整即容易進行拉伸貯藏彈性係數之調整的觀點、及藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元可使高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度較佳的觀點來看，以單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯為佳，且以HFP、PPVE、CF3CF2CH=CH2、PFBE較佳，PFBE尤佳。即，就ETFE來說，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元及以PFBE為主體之單元的共聚物尤佳。
在ETFE中，以TFE為主體之單元與以E為主體之單元之莫耳比(TFE/E)為80/20~40/60為佳，70/30~45/55較佳，65/35~50/50尤佳。TFE/E只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)，ETFE中以第3單體為主體之單元的比率為0.01~20莫耳%以佳，0.10~15莫耳%較佳，0.20~10莫耳%尤佳。以第3單體為主體之單元比率只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
以第3單體為主體之單元含有以PFBE為主體之單元時，相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)，以PFBE為主體之單元比率為0.5~4.0莫耳%為佳，0.7~3.6莫耳%較佳，1.0~3.6莫耳%尤佳。以PFBE為主體之單元比率只要在前述範圍內，便可將脫模膜在180℃下之拉伸彈性係數調整在前述範圍內。又，可提升高溫(尤其在180℃前後)下的拉伸強伸度。
ETFE之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳，5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。ETFE之MFR只要在前述範圍內，便可提升ETFE之成形性，且脫模膜之機械特性優異。
ETFE之MFR係依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃下測出之值。
第一層2可為僅由第一層用樹脂所構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。就無機系添加劑，可列舉碳黑、二氧化矽、玻璃織維、碳織維、氧化鈦等無機填料。就有機系添加劑，可列舉聚矽氧油、金屬皂等。
<第二層>
第二層3在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積的範圍、前述乘積、拉伸貯藏彈性係數及厚度的理想範圍分別如同前述。
就構成第二層3之樹脂(以下亦稱第二層用樹脂)來說，只要是前述拉伸貯藏彈性係數與厚度的乘積可成為前述範圍內者即可，可從公知的熱可塑性樹脂、橡膠等樹脂中適當選擇。
第二層3宜具有前述半導體元件安裝用封裝件之製造時可使脫模膜1從上模順利剝離之程度的脫模性。又，具有得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性為佳。由此觀點來看，作為第二層用樹脂，以選自於由無延伸聚醯胺、雙軸延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯(以下亦 稱PBT)、聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦稱PET)及易成形PET所構成群組中之至少1種為佳。
從耐熱性、強度、氣體障壁性的觀點來看，作為聚醯胺以尼龍6、尼龍MXD6為佳。
易成形PET係不單乙二醇及對酞酸(或對酞酸二甲酯)還有其他單體進行共聚來改良成形性者。具體而言，係以下述方法測出之玻璃轉移溫度Tg在105℃以下之PET。
Tg係tanδ(E”/E’)取最大值時之溫度，該tanδ(E”/E’)為依照ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”的比。Tg係令頻率為10Hz、令靜力為0.98N且令動態位移為0.035%，並將溫度以2℃/分下從20℃升溫至180℃來進行測定。
該等第二層用樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
作為第二層用樹脂，前述中又以PBT或易成形PET尤佳。
第二層3可為僅由第二層用樹脂所構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。就無機系添加劑、有機系添加劑分別可列舉與前述相同之物。
在脫模膜1中，第一層2與第二層3可直接積層亦可隔著未圖示之接著層積層。
<脫模膜之表面形狀>
脫模膜1於硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接之面即第一層2側之表面2a可為平滑亦可形成有用以提高脫模 性之凹凸。又，脫模膜1於硬化性樹脂硬化時與模具之上模相接之面即第二層3側之表面3a可為平滑亦可形成有用以提高脫模性之凹凸。
在平滑之情況下，表面算術平均粗度(Ra)以0.01~0.2μm為佳，0.05~0.1μm尤佳。在形成有凹凸之情況下，表面之Ra以1.5~2.1μm為佳，1.6~1.9μm尤佳。
形成有凹凸之情況的表面形狀可為多個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多個凸部及/或凹部呈規則配列之形狀。又，多個凸部及/或凹部之形狀及大小可相同亦可互異。就凸部，可列舉沿著脫模膜表面存在之長條形的凸條及呈散佈的突起等。就凹部，可列舉沿著脫模膜表面存在之長條形的溝槽及呈散佈的孔等。
就凸條或溝槽之形狀而言，可列舉直線、曲線、彎折形狀等。在脫模膜表面，多個凸條或溝槽可平行存在形成條紋狀。凸條或溝槽之與長邊方向正交之方向的截面形狀可舉如三角形(V字形)等多角形、半圓形等。
就突起或孔之形狀來說，可列舉三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形及其他各種不定形等。
在脫模膜1，表面2a及表面3a兩面可為平滑，亦可於表面2a及表面3a兩面形成有凹凸，或可為表面2a及表面3a中其中一面為平滑而於另一面形成有凹凸。表面2a及表面3a兩面形成有凹凸時，各表面之Ra及表面形狀可相同亦可互異。
從防止樹脂毛邊之觀點來看，第一層2側之表面2a之Ra愈小愈好，且以平滑尤佳。
由脫模膜1從模具之脫模性佳的觀點來看，於第二層3側之表面3a形成有凹凸為佳。
<脫模膜厚度>
脫模膜1之厚度以15~75μm為佳，17~62μm較佳，19~50μm尤佳。厚度只要在前述範圍之下限值以上，脫模膜1便容易處理，並且將脫模膜1一邊拉伸且一邊將其配置成覆蓋上模之模槽時不易發生縐痕。厚度只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜1便可輕易地變形並可提升其對上模之模槽形狀的追隨性，因此可使脫模膜1牢固地密接於模槽面。所以，可穩定形成高品質的封裝件本體。
在上模之模槽愈大之情況下，脫模膜1之厚度以在前述範圍內愈薄愈好。又，愈是為具有多數模槽之複雜的模具，在前述範圍內厚度愈薄愈好。
<脫模膜1之製造方法>
脫模膜1之製造方法並無特別限定，可利用公知的多層薄膜之製造方法。就具體例而言，可列舉下述之(1)、(2)等，並考慮各層之材質及厚度等來適當選擇。
(1)將由第一層用樹脂所構成之樹脂薄膜與由第二層用樹脂所構成之樹脂薄膜積層的方法。
(2)將第一層用樹脂與第二層用樹脂進行共擠出成形的方法。
就脫模膜1之製造方法來說，在生產性優異的觀 點下以(1)之方法為佳。
在(1)之方法中，積層各樹脂薄膜之方法可採用公知的各種積層方法，例如可列舉擠出積層法、乾式積層法、熱積層法等。
在乾式積層法中，係使用接著劑將各樹脂薄膜積層。就接著劑，可使用作為乾式積層用接著劑既已公知者。例如可使用聚乙酸乙烯酯系接著劑；由丙烯酸酯(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等)之均聚物或共聚物、或是丙烯酸酯與其他單體(甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等)之共聚物等所構成的聚丙烯酸酯系接著劑；氰基丙烯酸酯系接著劑；由乙烯與其他單體(乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等)之共聚物等所構成的乙烯共聚物系接著劑；纖維素系接著劑；聚酯系接著劑；聚醯胺系接著劑；聚醯亞胺系接著劑；由尿素樹脂或三聚氰胺樹脂等所構成的胺基樹脂系接著劑；苯酚樹脂系接著劑；環氧系接著劑；使多元醇(聚醚多元醇、聚酯多元醇等)與異氰酸酯及/或三聚異氰酸酯交聯而成之胺甲酸乙酯系接著劑；反應型(甲基)丙烯酸系接著劑；由氯丁二烯橡膠、腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等所構成的橡膠系接著劑；聚矽氧系接著劑；由鹼金屬矽酸鹽、低熔點玻璃等所構成的無機系接著劑；及其他等之接著劑。
在(1)之方法中進行積層之樹脂薄膜可使用市售物，亦可使用藉由公知之製造方法所製成者。亦可對樹脂薄膜施行電暈處理、大氣壓電漿處理、真空電漿處理、底 漆塗敷處理等表面處理。
就樹脂薄膜之製造方法並無特別限定，可利用公知的製造方法。
以兩面平滑之熱可塑性樹脂薄膜之製造方法來說，例如可列舉以具備一具有預定唇寬之T型模的擠出機進行熔融成形之方法等。
以單面或兩面形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜之製造方法來說，例如可列舉以熱加工將原模之凹凸轉印至熱可塑性樹脂薄膜表面的方法，從生產性的觀點來看以下述方法(i)、(ii)等為佳。在方法(i)、(ii)中，可藉由使用輥狀的原模來連續加工，而可顯著提升形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜的生產性。
方法(i)，係使熱可塑性樹脂薄膜通過原模輥與壓印滾筒輥之間，而將原模輥表面上所形成的凹凸連續地轉印至熱可塑性樹脂薄膜表面。
方法(ii)，係使從擠出機之模頭擠出之熱可塑性樹脂通過原模輥與壓印滾筒輥之間，將該熱可塑性樹脂成形為薄膜狀的同時，將原模輥表面上所形成之凹凸連續地轉印至該薄膜狀之熱可塑性樹脂表面。
在方法(i)、(ii)中，若使用表面形成有凹凸者來作為壓印滾筒輥，便可製得兩面形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜。
(第2實施形態之脫模膜)
圖11係顯示脫模膜(I)之第2實施形態的概略截面圖。
本實施形態之脫模膜5依序積層有第一層6、第二層7及第三層8。脫模膜5於前述硬化性樹脂硬化時第一層6與硬化性樹脂相接且第三層8與模具之上模相接。
第一層6與第1實施形態之第一層2相同。
第二層7與第1實施形態之第二層3相同。
<第三層>
第三層8係用以防止脫模膜5捲曲之層。
在如第1實施形態所示之2層構成(第二層/第一層)中，第一層與第二層之材質等互異時，脫模膜可能會因第二層之厚度或拉伸貯藏彈性係數等而捲曲。脫模膜一旦捲曲，則使脫模膜吸附至模具時，便可能因為捲曲而無法使脫模膜良好地吸附於模具。尤其，在將預先配合模具之大小所裁切的短條狀脫模膜供給至模具之情況下，捲曲的問題便相當顯著。若使用不會捲曲之高拉伸貯藏彈性係數或較厚的第二層，模具追隨性便會惡化，從而不適合作為講究模具追隨性之脫模膜來使用。
藉由於第二層之與第一層側相反之側設置第三層，即使不使用不會捲曲之高拉伸貯藏彈性係數或較厚的第二層，仍可抑制捲曲。
第三層8在25℃下之拉伸貯藏彈性係數可與第一層6相同亦可互異，其比(第三層8在25℃下之拉伸貯藏彈性係數/第一層6在25℃下之拉伸貯藏彈性係數)係以0.5~2為佳。
在25℃下之拉伸貯藏彈性係數之比若在前述範圍內， 捲曲之抑制即佳。
第三層8之厚度可與第一層6之厚度相同亦可互異，其差在5μm以內為佳。第三層8之厚度若在前述範圍內，捲曲之抑制即佳。第三層8之厚度例如以3~25μm為佳，5~12μm較佳，7~12μm尤佳。
從脫模膜1自模具之脫模性、得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性等觀點來看，構成第三層8之樹脂(以下亦稱第三層用樹脂)以選自於由氟樹脂、壓克力橡膠、熱硬化性聚矽氧、聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種為佳。
就氟樹脂、聚苯乙烯、熔點200℃以上之聚烯烴，可分別列舉與前述相同之物。
作為聚酯，從耐熱性、強度的觀點來看，以PET、易成形PET、PBT、聚對苯二甲酸萘二酯為佳。
作為聚醯胺，從耐熱性、強度、氣體障壁性的觀點來看，以尼龍6、尼龍MXD6為佳。聚醯胺可業經延伸亦可未經延伸。
該等可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
作為第三層用樹脂，前述中又以選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種為佳。
第三層8可為僅由第三層用樹脂所構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。就無機系添加劑、有機系添加劑分別可列舉與前述相同之物。
在脫模膜5中，第一層6與第二層7可直接積層，亦可隔著未圖示之接著層積層。同樣地，第二層7與第三層8可直接積層，亦可隔著未圖示之接著層積層。
<脫模膜的表面形狀>
脫模膜5於硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接之面即第一層6側之表面6a可為平滑，亦可形成有用以提高脫模性之凹凸。又，脫模膜5於硬化性樹脂硬化時與模具之上模相接之面即第三層8側之表面8a可為平滑，亦可形成有用以提高脫模性之凹凸。在為平滑之情況下，表面之算術平均粗度(Ra)以0.01~0.2μm為佳，0.05~0.1μm尤佳。
在形成有凹凸之情況下，表面Ra以1.5~2.1μm為佳，1.6~1.9μm尤佳。形成有凹凸時之表面形狀可為多個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多個凸部及/或凹部呈規則配列之形狀。又，多個凸部及/或凹部之形狀或大小可相同亦可互異。就凸部、凹部、凸條、突起或孔之具體例可列舉與前述相同之物。
在脫模膜5中，表面6a及表面8a之兩面可為平滑，亦可於表面6a及表面8a之兩面形成有凹凸，或可為表面6a及表面8a中其中一面為平滑而於另一面形成有凹凸。於表面6a及表面8a之兩面形成有凹凸時，各表面之Ra或表面形狀可相同亦可互異。
由脫模膜5從模具之脫模性的觀點來看，於第三層8側之表面8a形成有凹凸為佳。
<脫模膜之厚度>
脫模膜5之厚度以18~100μm為佳，30~75μm尤佳。厚度之前述範圍之下限值、上限值及各理想的理由均與脫模膜1之情況相同。
<脫模膜5之製造方法>
脫模膜5之製造方法並無特別限定，可利用公知的多層薄膜之製造方法。例如除了將2層構成改成3層構成以外，可以與脫模膜1同樣的方式製造。
以上係就脫模膜(I)顯示第1、第2實施形態進行說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，第1實施形態之脫模膜1更可於第一層2與第二層3之間具有因應需求而設置之接著層以外的其他層。同樣地，第2實施形態之脫模膜5更可於第一層6與第二層7之間或第二層7與第三層8之間具有因應需求而設置之接著層以外的其他層。就其他層，例如可舉氣體障壁層等。氣體障壁層則例如可列舉金屬層、金屬蒸鍍層、金屬氧化物蒸鍍層等。
在本發明效果的觀點上，與硬化性樹脂相接之第一層與第二層之間不具接著層以外之其他層為佳。即，第一層與第二層直接積層或隔著接著層積層為佳。
實施例
以下將顯示實施例詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限定。後述之例1~18中，例1~16為實施例，例17~18為比較例。各例中所使用之材料及評估方法顯示如 下。
[使用材料]
ETFE(1)：製造例1中所製造之四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.5/46.3/1.2(莫耳比)的共聚物(MFR為12g/10分)。
ETFE(2)：製造例2中所製造之四氟乙烯/乙烯/PFBE=56.3/40.2/3.5(莫耳比)的共聚物(MFR為12.5g/10分)。
<製造例1：ETFE(1)之製造>
將內容積為1.3L之附攪拌機的聚合槽予以脫氣後饋入1-氫十三氟己烷881.9g、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子公司製，以下亦稱AK225cb)335.5g、CH2=CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)7.0g，並壓入TFE 165.2g、乙烯(以下稱E)9.8g，並將聚合槽內升溫至66℃再饋入作為聚合引發劑溶液的過氧異戊酸三級丁酯(以下亦稱PBPV)1質量%之AK225cb溶液7.7mL，開始聚合。
連續饋入TFE/E=54/46之莫耳比的單體混合氣體以使聚合中壓力恒定。又，配合單體混合氣體之饋入而連續饋入相對於TFE與E之合計莫耳數為相當於1.4莫耳%之量的PFBE。自聚合開始2.9小時後，在饋入達單體混合氣體100g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫並且將聚合槽之壓力排淨至常壓。
然後以玻璃濾器將所製得之漿料進行抽吸過濾，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得ETFE(1)105g。
<製造例2：ETFE(2)之製造>
將聚合槽之內容積改為1.2L，並分別將開始聚合前要 饋入之1-氫十三氟己烷之量從881.9g變更為0g，將AK225cb之量從335.5g變更為291.6g，將PFBE之量從7.0g變更為16.0g，將TFE之量從165.2g變更為186.6g，將E之量從9.8g變更為6.4g，及將PBPV為1質量%之AK225cb溶液之量從5.8mL變更為5.3mL，且將聚合中要連續饋入之單體混合氣體之TFE/E之莫耳比從54/46變更為58/42，將PFBE之量(相對於TFE與E之合計莫耳數)從0.8莫耳%變更為3.6莫耳%，並自聚合開始3小時後在饋入達單體混合氣體90g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫，除此以外以與製造例1同樣的方式獲得ETFE(2)90g。
<熱可塑性樹脂薄膜>
ETFE薄膜(1-1)：厚度16μm。單面為凹凸且單面之Ra為0.5，相反面之Ra為0.1。ETFE薄膜(1-1)係以下述程序製造。
藉由模唇開度已調整成可使薄膜厚度成為16μm之擠出機，在320℃下將ETFE(1)熔融擠出。並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力來製造ETFE薄膜。
ETFE薄膜(1-2)：厚度12μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。除了調整各條件以外，以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(1-3)：厚度25μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。除了調整各條件以外，以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(1-4)：厚度50μm。兩面為平滑且兩面之Ra 為0.1。除了調整各條件以外，以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(1-5)：厚度3μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。調整各條件，並以從T型模擠出之已熔融的ETFE(1)在原模輥上與PET薄膜接觸而與PET薄膜一起被捲取的方式來進行製膜，除此以外以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
ETFE薄膜(2-1)：厚度12μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。除了使用ETFE(2)來替代ETFE(1)並調整各條件以外，以與ETFE薄膜(1-1)同樣的方式製造。
PET薄膜(1)：厚度12μm。使用「Teijin Tetoron NS」(帝人杜邦薄膜公司製)且厚度為12μm。玻璃轉移溫度：118℃。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
PET薄膜(2)：厚度16μm。使用「Diafoil H500」(三菱樹脂公司製)且厚度為16μm。玻璃轉移溫度：118℃。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
PET薄膜(3)：厚度25μm。使用「Diafoil H500」(三菱樹脂公司製)且厚度為25μm。玻璃轉移溫度：118℃。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
易成形PET薄膜：厚度25μm。使用「TEFLEX FT3PE」帝人杜邦薄膜公司製。玻璃轉移溫度：86℃。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
無延伸尼龍薄膜：厚度20μm。使用「Diamiron C-Z」(三菱樹脂公司製)。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。
雙軸延伸尼龍薄膜：厚度12μm。使用「Harden N1100」(東洋紡公司製)。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
PTFE薄膜：厚度50μm。使用「NITOFLON PTFE 900UL」(日東電工公司製)。兩面為平滑且兩面之Ra為0.2。
聚甲基戊烯薄膜：厚度12μm。兩面為平滑且兩面之Ra為0.1。聚甲基戊烯薄膜係以下述程序製造。
藉由設置有模唇開度已調整成可使厚度成為12μm之T型模的擠出機，在280℃下將聚甲基戊烯樹脂「TPX MX004」(三井化學公司製)熔融擠出。並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得聚甲基戊烯薄膜。
PBT薄膜(1)：厚度38μm。單面之Ra為1.2且相反面之Ra為0.1。藉由設置有模唇開度已調整成可使厚度成為38μm之T型模的擠出機，在280℃下將「Novaduran5020」(三菱工程塑料公司製)熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力來進行製造。
PBT薄膜(2)：厚度38μm。單面之Ra為1.2且相反面之Ra為0.1。藉由設置有模唇開度已調整成可使厚度成為38μm之T型模的擠出機，在280℃下將「Novaduran5505S」(三菱工程塑料公司製)熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力來進行製造。
在各薄膜中，將Ra較小之面設為乾式積層中之貼合面。又，當各薄膜在乾式積層中之貼合面依照ISO8296：1987(JIS K6768：1999)而得之濕濡張力在40mN/m以下時，施行電暈處理使其變成40mN/m以上。
<接著層>
在貼合各薄膜之乾式積層步驟中使用的接著劑係使用下述胺甲酸乙酯系接著劑A。
[胺甲酸乙酯系接著劑A]
主劑：CRISVON NT-258(DIC公司製)。硬化劑：Coronate2096(日本胺甲酸乙酯工業公司製)。將主劑及硬化劑以固體成分計之質量比(主劑：硬化劑)成為10：1的方式加以混合，並使用乙酸乙酯作為稀釋劑。
[評估方法]
<厚度>
以接觸式厚度計DG-525H(小野測器公司製)，使用測定件AA-026(Φ10mm SR7)，於寬度方向上為等距離的方式就胚料測定10處厚度，並將其平均值設為厚度。
<180℃拉伸貯藏彈性係數>
使用動黏彈性測定裝置Solid L-1(東洋精機公司製)，依據ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測定貯藏彈性係數E’。試樣測定尺寸係設為寬8mm×長20mm、頻率10Hz、靜力0.98N且動態位移0.035%，使溫度在2℃/分之速度下從20℃上升至180℃，並將在180℃之值下所測得之E’設為180℃拉伸貯藏彈性係數。
<引線框架損傷．凹陷>
針對各例中所製出之封裝件的引線框架以目視確認是否有於使突起接觸之部分觀察到凹陷或損傷，並以下述基準進行評估。
○(良好)：未見損傷亦不見凹陷。
×(不良)：有觀察到損傷或凹陷。
<樹脂毛邊>
針對各例中所製出之封裝件的引線框架以數位光學顯微鏡觀察使突起接觸之部分(接觸部位)並將該接觸部位拍攝照片後，將照片進行網格劃分，從可見樹脂毛邊之網格數求出樹脂毛邊產生比率(%)。並以下述基準評估其結果。
○(良好)：10%以下。
△(可)：30%以下且超過10%。
×(不良)：超過30%。
<脫模膜侵入>
針對各例中所製出之封裝件的封裝件本體以目視確認是否有脫模膜侵入之形跡，並以下述基準進行評估。
○(良好)：未見脫模膜之侵入。
△(可)：有若干脫模膜的侵入，且於引線框架與封裝件本體之界面觀察到凹陷。
×(不良)：脫模膜完全侵入封裝件本體，無法脫模。
[例1]
(脫模膜製造)
於PBT薄膜(1)之Ra為0.1之面在0.5g/m2下以凹版塗佈塗敷胺甲酸乙酯系接著劑A，並以乾式積層貼合ETFE薄膜(1-2)之電暈處理面而獲得脫模膜。乾式積層條件係設為基材寬1,000mm、搬送速度20m/分、乾燥溫度80~100℃、層合輥溫度25℃且輥件壓力3.5MPa。
(利用轉注成形法之封裝件製造)
準備具有500個Φ5mm之圓形形狀之凸部的上模及設有引線框架之下模並將該等加熱至180℃，將脫模膜設於上模後，藉由真空泵將上模與脫模膜間之空氣抽吸排出使脫模膜吸附於上模。然後使下模移動並夾持直到上模之凸部與引線框架之欲露出之部分隔著脫模膜相互接觸為止後，使樹脂流動。藉此，使樹脂充填於上模與下模間之空間並硬化而形成封裝件本體，而製得由引線框架及封裝件本體所構成之封裝件。該封裝件具有500個Φ5mm之圓形形狀的凹部，且於凹部底面有一部分的引線框架露出。而，樹脂之射出壓力在各脫模膜中係設為可轉印中空封裝件之形狀的最小射出壓力，夾壓則設為可減輕樹脂毛邊的最小壓力。樹脂係使用SUMIKON EME G770H type F ver.GR(SUM IMONO BAKELITE CO.,LTD.製)。
[例2~6、8]
除了以成為表1之薄膜構成的方式來選定材料以外，以與例1同樣的方式製得脫模膜。
使用製得之脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例7]
於PBT薄膜(1)之Ra為0.1之面在0.5g/m2下以凹版塗佈塗敷胺甲酸乙酯系接著劑A，並將ETFE薄膜(1-5)之電暈處理面以與PET薄膜(1-1)相積層之狀態進行貼合後，將PET薄膜(1-1)剝離而獲得脫模膜。
使用製得之脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例9]
於PET薄膜(1)之單面在0.5g/m2下以凹版塗佈塗敷胺甲酸乙酯系接著劑A，並貼合ETFE薄膜(1-2)之電暈處理面。並且於相反之面亦以與ETFE薄膜(1-2)同樣的方式進行貼合而獲得脫模膜。
使用製得之脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例10~14]
除了以成為表2之薄膜構成的方式選定材料以外，以與例9同樣的方式製得脫模膜。
使用製得之脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例15]
使用ETFE薄膜(1-4)作為脫模膜。
使用該脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例16]
使用PTFE薄膜(1)作為脫模膜。
使用該脫模膜，以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例17]
未使用脫模膜而以與例1同樣的方式製造封裝件。
[例18]
藉由蝕刻等將具有與封裝件下面部之高度同等之厚度的平坦形狀之PTFE薄膜予以加工，並使於與封裝件下面部相對應之位置上殘留有凸部來製得脫模膜(凸部形成脫模膜)。
使用不具凸部者作為上模，並以與例1同樣的方式使製 得之脫模膜的凸部與引線框架相接觸來製造封裝件。
例1~16及18之脫模膜的薄膜構成、第二層之180℃拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積(180℃拉伸貯藏彈性係數×厚度)、第一層及第三層之180℃拉伸貯藏彈性係數及評估結果(引線框架之損傷.凹陷、樹脂毛邊、脫模膜侵入)顯示於表1~3。
如上述結果所示，在例1~16中，未見引線框架之損傷或凹陷，且有充分防止樹脂毛邊。又，有防止封裝件本體之脫模膜侵入。另一方面，在未使用脫模膜且使上模之凸部直接與引線框架接觸之例17中，於製得之封裝件的引線框架有觀察到損傷或凹陷，且有很多樹脂毛邊。
在使用凸部一體形成之脫模膜的例18中，於脫模膜侵入之評估上脫模膜完全侵入封裝件本體，而無法將封裝件脫模。
例1~16中，在例5、8、12、15有觀察到若干的脫模膜侵入，但在例1~4、6~7、9~11、13~14、16於脫模膜侵入之評估未見脫模膜侵入，相當良好。
例1~4、6~7、9~11、13~14、16之結果會優於例5、12的理由認為是因為第二層之180℃拉伸貯藏彈性係數×厚度大於例5、12，所以脫模膜較硬，夾持時較難以壓潰所致。
例1~4、6~7、9~11、13~14、16之結果會優於例8的理由認為是因為第一層之厚度比例8更薄，所以夾持時第一層壓潰時的厚度變化率較小所致。
例1~4、6~7、9~11、13~14、16之結果會優於例15的理 由認為是因為脫模膜具備第二層，所以比僅有第一層(ETFE之單層薄膜)之例15更硬，因此夾持時較難壓潰，以及第一層之厚度比例15更薄所以壓潰時的厚度變化率較小所致。
例1~16中，在例7、11、16中樹脂毛邊產生比率在30%以下且超過10%，在例1~6、8~10、12~15(8、10、13~1412、15)中樹脂毛邊產生比率則在10%以下。
例1~6、8~10、12~15之結果會優於例7之結果的理由認為是因為第一層之厚度比例7更厚，所以夾持時有容易壓潰之傾向所致。
例1~6、8~10、12~15之結果會優於例11之結果的理由認為是因為第二層之180℃拉伸貯藏彈性係數×厚度小於例11，所以脫模膜較柔軟，夾持時有容易壓潰之傾向所致。
例1~6、8~10、12~15之結果會優於例16之結果的理由認為是因為與接觸部位相接之第一層比PTFE薄膜更柔軟，所以夾持時脫模膜較容易壓潰，故脫模膜與接觸部位之密接性有較高之傾向所致。
從該等結果確認到，就上述封裝件製造中使用之脫模膜來說，在例1~4、6、9~10、13~14中使用具備在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa且厚度為5~12μm之第一層及在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000之第二層的脫模膜尤佳。
產業上之可利用性
就製造搭載固體攝像元件或MEMS等半導體元件、尤其是中空結構之半導體元件安裝用封裝件的方法而 論，本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法可在廣泛領域中作使用。
而，在此係引用已於2014年3月7日提出申請之日本專利申請案2014-045466號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之全部內容並納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (10)

  1. 一種半導體元件安裝用封裝件之製造方法，係使用具備上模與下模之模具來製造半導體元件安裝用封裝件，其中該半導體元件安裝用封裝件具備一基材及封裝件本體，該基材具有用以裝設半導體元件之安裝面，該封裝件本體則由硬化性樹脂之硬化物構成且包含一包圍前述安裝面之框狀部，並且該半導體元件安裝用封裝件藉由前述安裝面及前述封裝件本體而形成有凹部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將厚度在整體上略呈一定的脫模膜配置於上模且將前述基材配置於下模後，將前述上模與前述下模閉合，而使前述凸部與前述基材之前述安裝面隔著前述脫模膜密接，該上模具有與前述凹部相對應之形狀之凸部；將硬化性樹脂填滿前述上模與前述下模間所形成的空間內，並使前述硬化性樹脂硬化；及使前述硬化性樹脂之硬化物與前述基材一起從前述模具脫模。
  2. 如請求項1之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述脫模膜具備第一層及第二層，該第一層於前述硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接；前述第一層之厚度為3~25μm，且在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa；前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa) 與厚度(μm)的乘積為2,000~13,000。
  3. 如請求項2之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述第一層之厚度為5~12μm，且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000。
  4. 如請求項2或3之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其中前述脫模膜更具備第三層，該第三層於前述硬化性樹脂硬化時與模具相接；前述第三層之厚度為3~25μm，且其在25℃下之拉伸貯藏彈性係數相對於第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數的比(第三層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數/第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數)為0.5~2。
  5. 一種脫模膜，係使用於如請求項1之半導體元件安裝用封裝件之製造方法，其特徵在於：具備第一層及第二層，該第一層於前述硬化性樹脂硬化時與硬化性樹脂相接；前述第一層之厚度為3~25μm，且其在180℃下之拉伸貯藏彈性係數為10~50MPa；前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000~13,000。
  6. 如請求項5之脫模膜，其中前述第一層之厚度為5~12μm，且前述第二層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為3,000~8,000。
  7. 如請求項5或6之脫模膜，其更具備第三層，該第三層於 前述硬化性樹脂硬化時與模具相接，該第三層之厚度為3~25μm，且其在25℃下之拉伸貯藏彈性係數相對於第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數的比(第三層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數/第一層在25℃下之拉伸貯藏彈性係數)為0.5~2。
  8. 如請求項5至7中任一項之脫模膜，其中構成前述第一層之樹脂係選自於由氟樹脂、聚苯乙烯及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種。
  9. 如請求項5至8中任一項之脫模膜，其中構成前述第二層之樹脂係選自於由無延伸聚醯胺、雙軸延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯及易成形聚對苯二甲酸乙二酯所構成群組中之至少1種。
  10. 如請求項5至9中任一項之脫模膜，其中構成前述第三層之樹脂係選自於由氟樹脂、氟樹脂、壓克力橡膠、熱硬化性聚矽氧、聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種。
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