KR20210138171A - 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법, 및 이형 필름 - Google Patents

반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법, 및 이형 필름 Download PDF

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KR20210138171A
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 포함하는 패키지 본체를 구비하고, 실장면과 패키지 본체에 의해 오목부가 형성된 반도체 소자 실장용 패키지를 금형을 사용하여 제조하는 데에 있어서, 기재의 패임이나 흠집, 금형으로부터의 이형 불량을 일으키지 않고, 수지 버를 방지할 수 있는 제조 방법, 및 그 제조 방법에 바람직하게 사용되는 이형 필름의 제공. 반도체 소자 실장용 패키지의 오목부에 대응하는 형상의 볼록부를 갖는 상금형에, 두께가 전체적으로 대략 일정한 이형 필름을 배치하고, 하금형에 기재를 배치하고, 상기 상금형과 상기 하금형을 닫아, 상기 볼록부와 상기 기재의 상기 실장면을 상기 이형 필름을 개재하여 밀착시켜, 상기 상금형과 상기 하금형 사이에 형성된 공간 내에 경화성 수지를 채워 경화시켜, 그 경화물을 기재와 함께 금형으로부터 이형한다.

Description

반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법, 및 이형 필름{METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR-ELEMENT-MOUNTING PACKAGE, AND MOULD-RELEASE FILM}
본 발명은, 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법, 및 상기 제조 방법에 사용되는 이형 필름에 관한 것이다.
최근, 고체 촬상 소자나, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) 등의 반도체 소자를 탑재하는 중공 구조의 반도체 패키지 (이하 「중공 패키지」 라고 한다) 는, 저비용화를 목적으로 하여 패키지 베이스 (패키지 본체) 에 수지를 채용한 것이 알려져 있다. 또한, 패키지 구조로는, DIP (Dual Inline Package) 가 주류이지만, 최근, 표면 실장 타입의 SOP (Small Outline Package) 나 QFP (Quad Flat Package) 가 채용되게 되고, 나아가 SON (Small Outline Non leaded Package), QFN (Quad Flat Non Leaded Package) 와 같은 리드레스화된 패키지 구조도 검토되기 시작하고 있다. 이것은 중공 패키지에 소형화, 박형화가 요구되어 오고 있기 때문으로, 중공 패키지의 면 실장 기술도 검토가 진행되고 있다.
중공 패키지로는, 예를 들어, 반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재 (프린트 회선 기판, 리드 프레임 등) 에, 경화성 수지를 사용하여, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 구비하는 패키지 본체를 형성하고, 상기 실장면과 프레임상부에 의해 형성된 오목부의 개구를 덮개체로 덮는 타입의 것이 알려져 있다.
이러한 중공 패키지의 제조 방법으로는, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 중공으로 하고자 하는 부분의 형상에 대응하는 볼록부 (200) 를 캐비티면에 갖는 상금형 (202) 의 볼록부 (200) 를, 하금형 (204) 상에 배치한 금속제의 리드 프레임 (206) 의 노출시키고자 하는 부분에 직접 누르고, 그 상태에서, 상금형 (202) 과 하금형 (204) 사이의 공간 내에 수지 (208) 를 충전하여 성형 (트랜스퍼 성형) 하는 방법이 있다 (예를 들어 특허문헌 1).
그러나, 이 방법에서는, 볼록부 (200) 와 리드 프레임 (206) 의 밀착성이 나쁘면, 충전한 수지 (208) 가, 볼록부 (200) 와 리드 프레임 (206) 사이에 들어가기 쉬워, 이른바 「수지 버」 가 발생하기 쉽다. 특히, 리드 프레임 (206) 의 두께에 편차가 존재하기 때문에, 리드 프레임 (206) 상의 일부의 부위는 수지 버가 발생하지 않지만, 다른 부위는 발생하기 쉬운 것과 같은 일이 발생할 수 있다. 수지 버를 방지하고자 클램프압을 높이면, 리드 프레임 (206) 이 패이고, 흠집이 발생하는 등, 다른 문제가 발생한다.
중공 패키지의 다른 제조 방법으로서, 볼록부 (200) 를 캐비티면에 갖는 상금형 (202) 대신에 캐비티면이 평탄한 상금형을 이용하여, 그 캐비티면에, 중공으로 하고자 하는 부분의 형상에 대응하는 볼록부를 일체적으로 형성한 이형 필름을 배치하고, 상기 볼록부를 리드 프레임의 노출시키고자 하는 부분에 눌러 트랜스퍼 성형을 실시하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 2). 이 방법에서는, 이형 필름의 볼록부의 탄성률이 금형에 비하여 낮기 때문에, 리드 프레임 상에 마일드하게 누를 수 있어, 수지 버나 흠집을 방지할 수 있다.
그러나, 이 방법에서는, 이형 필름 상에 볼록부를 일체적으로 형성하는 공정이 필요하여 번잡하다. 게다가, 볼록부가 수지로 되어 있기 때문에, 볼록부의 높이의 편차가 크고, 역시 수지 버가 발생하는 부위와 발생하지 않는 부위가 있다. 수지 버를 방지하기 위해서 클램프압을 높여 가면, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 이형 필름 (210) 의 볼록부 (212) 의 선단이 무너져, 수지 (208) 를 충전하는 공간 측으로 돌출된다. 이 상태로 트랜스퍼 성형을 실시하면, 돌출된 부분이 패키지 본체에 파고들어, 패키지 본체의 이형 불량을 일으킨다. 또한, 패키지 본체의 형상도 나빠진다.
중공 패키지의 다른 제조 방법으로서, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 리드 프레임 (206) 의 노출시키고자 하는 부분의 주변에 사전에 수지로 제방 (214) 을 형성하고, 이 제방 (214) 에, 상금형 (202) 의 볼록부 (200) 를 눌러 트랜스퍼 성형하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 3). 이 방법에서는, 제방 (214) 에 의해, 수지 (208) 가 리드 프레임 (206) 의 노출시키고자 하는 부분 측으로 누출되지 않도록 하고 있다.
그러나, 이 방법에서는, 리드 프레임 (206) 의 가공시에 제방 (214) 을 형성하는 여분의 공정이 필요하여, 공정이 번잡해지고, 제방 (214) 의 높이에 편차가 있으면, 역시 수지 버가 발생하는 부위가 생기게 된다.
일본 공개특허공보 2006-128354호 일본 공개특허공보 2007-81307호 일본 공개특허공보 2010-10227호
본 발명은, 반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 포함하는 패키지 본체를 구비하고, 상기 실장면과 상기 패키지 본체에 의해 오목부가 형성된 반도체 소자 실장용 패키지를 금형을 사용하여 제조하는 데에 있어서, 기재의 패임이나 흠집, 금형으로부터의 이형 불량을 일으키지 않고, 수지 버를 방지할 수 있는 제조 방법, 및 그 제조 방법에 바람직하게 사용되는 이형 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 [1] ∼ [10] 의 구성을 갖는 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법, 및 이형 필름을 제공한다.
[1] 반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재와, 경화성 수지의 경화물로 이루어지고, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 포함하는 패키지 본체를 구비하고, 상기 실장면과 상기 패키지 본체에 의해 오목부가 형성된 반도체 소자 실장용 패키지를, 상금형과 하금형을 구비하는 금형을 사용하여 제조하는 방법으로서,
상기 오목부에 대응하는 형상의 볼록부를 갖는 상금형에, 두께가 전체적으로 대략 일정한 이형 필름을 배치하고, 하금형에 상기 기재를 배치하고, 상기 상금형과 상기 하금형을 닫아, 상기 볼록부와 상기 기재의 상기 실장면을, 상기 이형 필름을 개재하여 밀착시키는 공정과,
상기 상금형과 상기 하금형 사이에 형성된 공간 내에 경화성 수지를 채우고, 상기 경화성 수지를 경화시키는 공정과,
상기 경화성 수지의 경화물을 상기 기재와 함께 상기 금형으로부터 이형하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법.
[2] 상기 이형 필름이, 상기 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 제 1 층과, 제 2 층을 구비하고,
상기 제 1 층의 두께가 3 ∼ 25 ㎛ 이고, 또한 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 10 ∼ 50 ㎫ 이고,
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 2,000 ∼ 13,000 인, [1] 의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법.
[3] 상기 제 1 층의 두께가 5 ∼ 12 ㎛ 이고,
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 3,000 ∼ 8,000 인, [2] 의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법.
[4] 상기 이형 필름이, 추가로 상기 경화성 수지의 경화시에 금형과 접하는 제 3 층을 구비하고,
상기 제 3 층의 두께가 3 ∼ 25 ㎛ 이고, 또한 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률의 제 1 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률에 대한 비 (제 3 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률/제 1 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률) 가 0.5 ∼ 2 인, [2] 또는 [4] 의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법.
[5] 상기 [1] 의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 사용되는 이형 필름으로서,
상기 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 제 1 층과, 제 2 층을 구비하고,
상기 제 1 층의 두께가 3 ∼ 25 ㎛ 이고, 또한 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 10 ∼ 50 ㎫ 이고,
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 2,000 ∼ 13,000 인 것을 특징으로 하는 이형 필름.
[6] 상기 제 1 층의 두께가 5 ∼ 12 ㎛ 이고,
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 3,000 ∼ 8,000 인, [5] 의 이형 필름.
[7] 추가로, 상기 경화성 수지의 경화시에 금형과 접하는 제 3 층을 구비하고,
그 제 3 층의 두께가 3 ∼ 25 ㎛ 이고, 또한 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률의 제 1 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률에 대한 비 (제 3 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률/제 1 층의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률) 가 0.5 ∼ 2 인, [5] 또는 [6] 의 이형 필름.
[8] 상기 제 1 층을 구성하는 수지가, 불소 수지, 폴리스티렌 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [5] ∼ [7] 의 어느 하나의 이형 필름.
[9] 상기 제 2 층을 구성하는 수지가, 무연신 폴리아미드, 2 축 연신 폴리아미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 성형 용이 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [5] ∼ [8] 의 어느 하나의 이형 필름.
[10] 상기 제 3 층을 구성하는 수지가, 불소 수지, 불소 수지, 아크릴 고무, 열 경화성 실리콘, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리스티렌, 에틸렌/비닐알코올 공중합체 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [5] ∼ [9] 의 어느 하나의 이형 필름.
본 발명에 의하면, 반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 포함하는 패키지 본체를 구비하고, 상기 실장면과 상기 패키지 본체에 의해 오목부가 형성된 반도체 소자 실장용 패키지를 금형을 사용하여 제조할 때에, 금형의 하금형 상에 배치된 기재 (리드 프레임 등) 의 실장면에 높이의 차이가 있어도, 또는 상금형의 볼록부에 높이의 차이가 있어도, 상금형의 볼록부 상에 배치된 이형 필름에 의해 그들 차이가 흡수되고, 실장면 전체에 걸쳐서 수지 버를 억제할 수 있다. 수지 버의 억제는, 기재에 패임이나 흠집을 일으키지 않을 정도의 약한 클램프압으로도 충분히 가능하다.
그 때문에, 본 발명에 의하면, 기재에 패임이나 흠집이 없고, 기재의 실장면 전체에 수지 버가 없는 반도체 소자 실장용 패키지를 간편하고 또한 안정적으로 제조할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법으로 얻어지는 반도체 소자 실장용 패키지의 일례의 개략 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 반도체 소자 실장용 패키지의 사시도이다.
도 3 은 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법으로 얻어지는 반도체 소자 실장용 패키지의 다른 예의 개략 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태에 사용하는 금형의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정 (α1) 을 나타내는 모식 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정 (α2) 를 나타내는 모식 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정 (α3) 을 나타내는 모식 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정 (α4) 를 나타내는 모식 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정 (α5) 를 나타내는 모식 단면도이다.
도 10 은 본 발명의 이형 필름의 제 1 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11 은 본 발명의 이형 필름의 제 2 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12 는 종래의 중공 패키지의 제조 방법의 일례를 설명하는 개략 단면도이다.
도 13 은 종래의 중공 패키지의 제조 방법의 다른 예 및 문제점을 설명하는 개략 단면도이다.
도 14 는 종래의 중공 패키지의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하는 개략 단면도이다.
본 명세서에 있어서, 이하의 용어는, 각각, 다음의 의미로 사용된다.
수지의 「단위」 는, 당해 수지를 구성하는 구성 단위 (모노머 단위) 를 나타낸다.
「불소 수지」 란, 구조 중에 불소 원자를 포함하는 수지를 나타낸다.
이형 필름의 두께, 다층 구조의 이형 필름을 구성하는 층 (제 1 층, 제 2 층 등) 의 두께, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률은 각각, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.
산술 평균 거칠기 (Ra) 는, JIS B 0601 : 2013 (ISO 4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정되는 산술 평균 거칠기이다. 거칠기 곡선용의 기준 길이 lr (컷오프치 λc) 는 0.8 ㎜ 로 하였다.
[반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법]
본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법은, 반도체 소자를 장착하기 위한 실장면을 갖는 기재와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 실장면을 둘러싸는 프레임상부를 포함하는 패키지 본체를 구비하고, 상기 실장면과 상기 패키지 본체에 의해 오목부가 형성된 반도체 소자 실장용 패키지를, 상금형과 하금형을 구비하는 금형을 사용하여 제조하는 방법으로서,
상기 오목부에 대응하는 형상의 볼록부를 갖는 상금형에, 두께가 전체적으로 대략 일정한 이형 필름을 배치하고, 하금형에 상기 기재를 배치하고, 상기 상금형과 상기 하금형을 닫아, 상기 볼록부와 상기 기재의 상기 실장면을, 상기 이형 필름을 개재하여 밀착시키는 공정과,
상기 상금형과 상기 하금형 사이에 형성된 공간 내에 경화성 수지를 채우고, 상기 경화성 수지를 경화시키는 공정과,
상기 경화성 수지의 경화물을 상기 기재와 함께 상기 금형으로부터 이형하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
(반도체 소자 실장용 패키지)
본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 의해 제조하는 반도체 소자 실장용 패키지는, 상기 기재와 상기 패키지 본체를 구비하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 반도체 소자 실장용 패키지 중에서 적절히 선택할 수 있다.
도 1 에, 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 의해 제조하는 반도체 소자 실장용 패키지의 일례의 개략 단면도를 나타낸다. 도 2 에, 도 1 에 나타내는 반도체 소자 실장용 패키지의 사시도를 나타낸다.
반도체 소자 실장용 패키지 (110) 는, 기재 (10) 와, 경화성 수지로부터 형성된 패키지 본체 (12) 를 구비한다. 기재 (10) 는, 프린트 회로 기판이고, 반도체 소자가 실장되는 실장면 (10a) 을 갖는다. 기재 (10) 는, 실장면 (10a) 에 이너 리드 (도시없음) 를 갖고, 실장면 (10a) 측과는 반대측의 표면에 아우터 리드 (도시없음) 를 갖고, 이너 리드와 아우터 리드는 전기적으로 접속되어 있다. 패키지 본체 (12) 는, 실장면 (10a) 을 둘러싸는 프레임상부이다.
반도체 소자 실장 패키지 (110) 에 있어서는, 기재 (10) 및 패키지 본체 (12) 에 의해, 반도체 소자를 탑재하기 위한 오목부 (14) 가 형성되어 있다. 반도체 소자 실장 패키지 (110) 의 오목부 (14) 의 저면 (실장면 (10a)) 에 반도체 소자를 배치하고, 반도체 소자와 이너 리드를 전기적으로 접속하고, 오목부 (14) 의 개구를 덮개체로 덮음으로써, 중공부를 갖는 패키지의 상기 중공부에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치가 얻어진다.
도 3 에, 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 소자 실장용 패키지의 다른 예의 개략 단면도를 나타낸다.
반도체 소자 실장용 패키지 (120) 는, 기재 (16) 와, 경화성 수지로부터 형성된 패키지 본체 (18) 를 구비한다. 기재 (16) 는, 리드 프레임이고, 이너 리드 (16a) 와 아우터 리드 (16b) 와 다이 패드 (16c) 를 갖고, 이너 리드 (16a) 와 아우터 리드 (16b) 는 전기적으로 접속되어 있다.
패키지 본체 (18) 는, 기재 (16) 의 실장면 (이너 리드 (16a) 의 상면 및 다이 패드 (16c) 의 상면) 을 둘러싸는 프레임상부 (18a) 와, 저부 (18b) 를 갖는다.
반도체 소자 실장용 패키지 (120) 에 있어서는, 기재 (16) 의 이너 리드 (16a) 및 다이 패드 (16c), 그리고 패키지 본체 (18) 의 저부 (18b) 및 프레임상부 (18a) 에 의해, 반도체 소자를 탑재하기 위한 오목부 (20) 가 형성되어 있다.
반도체 소자 실장용 패키지 (120) 의 오목부 (20) 의 저면 (다이 패드 (16c) 의 상면) 에 반도체 소자를 배치하고, 반도체 소자와 이너 리드 (16a) 를 전기적으로 접속하고, 오목부 (20) 의 개구를 덮개체로 덮음으로써, 중공부를 갖는 패키지의 상기 중공부에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치가 얻어진다.
반도체 소자 실장용 패키지에 실장되는 반도체 소자로는, 예를 들어 각종 센서 등을 들 수 있다.
(제 1 실시형태)
본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법의 일례 실시형태로서, 도 1 에 나타내는 반도체 실장용 패키지 (110) 를, 트랜스퍼 성형법에 의해 제조하는 경우에 대하여 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시형태의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법은, 하기의 공정 (α1) ∼ (α6) 을 갖는다.
(α1) 캐비티를 갖고, 캐비티면에 복수의 볼록부를 갖는 상금형과, 기재를 설치하는 기재 설치부를 갖는 하금형을 구비하는 금형의 상기 상금형에, 두께가 전체적으로 대략 일정한 이형 필름을, 상기 상금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
(α2) 상기 이형 필름을 상기 상금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
(α3) 상기 하금형의 기재 설치부에, 복수의 실장면을 갖는 기재를, 상기 복수의 실장면과는 반대측을 하금형 측을 향하여 배치하고, 상금형과 하금형을 형체 (型締) 하여, 상기 기재의 복수의 실장면 각각에 상기 상금형의 복수의 볼록부를, 상기 이형 필름을 개재하여 밀착시키는 공정.
(α4) 상기 상금형과 상기 하금형 사이의 공간 내에 경화성 수지를 충전하고, 경화시킴으로써, 상기 기재와 상기 경화성 수지의 경화물을 구비하는 구조체를 얻는 공정.
(α5) 상기 금형으로부터 상기 구조체를 취출하는 공정.
(α6) 상기 구조체의 기재 및 경화물을, 상기 복수의 실장면이 분리되도록 절단함으로써 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 를 얻는 공정.
금형 :
제 1 실시형태에 있어서의 금형으로는, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같은 상금형 (50) 과 하금형 (52) 을 갖는 금형을 들 수 있다. 상금형 (50) 에는, 캐비티 (54) 와, 캐비티 (54) 에 경화성 수지 (40) 를 유도하는 오목형의 수지 도입부 (60) 가 형성되어 있다. 캐비티 (54) 는, 공정 (α4) 에서 기재 상에 형성하는 경화물의 형상에 대응하는 형상이고, 상금형 (50) 의 캐비티면에는, 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 의 오목부 (14) 가 반전된 형상의 볼록부 (56) 가 복수 형성되어 있다.
하금형 (52) 에는, 기재를 설치하는 기재 설치부 (58) 와, 경화성 수지를 배치하는 수지 배치부 (62) 가 형성되어 있다. 또한, 수지 배치부 (62) 내에는, 경화성 수지를 상금형 (50) 의 수지 도입부 (60) 에 압출하는 플런저 (64) 가 설치되어 있다.
공정 (α1) :
도 5 에 나타내는 바와 같이, 상금형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치한다. 이형 필름 (30) 은, 캐비티 (54) 및 수지 도입부 (60) 의 전체를 덮도록 배치하는 것이 바람직하다. 이형 필름 (30) 은, 권출 롤 (도시 생략) 및 권취 롤 (도시 생략) 에 의해 인장되기 때문에, 길게 늘어진 상태에서 상금형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 배치된다.
이형 필름 (30) 으로는, 두께가 전체적으로 대략 일정한 필름이 사용된다. 두께가 전체적으로 대략 일정하다는 것은, ISO 4591 : 1992 (JIS K 7130 : 1999 의 A 법, 기계적 주사법에 의한 두께의 측정 방법) 에 준거하여 측정되는, 필름의 흐름 방향 및 흐름 방향에 수직인 방향으로 1 m 측정했을 때의 두께의 최대치와 최소치의 차가, 각각의 평균치에 대하여, 15 ％ 이내인 것을 나타낸다. 이형 필름 (30) 에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.
공정 (α2) :
도 6 에 나타내는 바와 같이, 상금형 (50) 의 캐비티 (54) 의 외부에 형성한 홈 (도시 생략) 을 통해서 진공 흡인하고, 상금형 (50) 과 이형 필름 (30) 사이의 공간 (상금형 (50) 의 캐비티면 및 수지 도입부 (60) 의 내벽과 이형 필름 (30) 사이의 공간) 을 감압하고, 이형 필름 (30) 을 잡아 늘여 변형시켜, 상금형 (50) 의 캐비티면에 진공 흡착시킨다.
또한, 고온 환경하에서의 이형 필름 (30) 의 기계적 강도, 두께, 또한 캐비티 (54) 의 형상에 의해, 이형 필름 (30) 은, 캐비티면에 밀착된다고는 할 수 없다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 공정 (α2) 의 진공 흡착의 단계에서는, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 사이에는, 공극이 약간 남아 있어도 된다.
공정 (α3) :
도 7 에 나타내는 바와 같이, 복수의 실장면 (도시없음) 을 갖는 기재 (10A) 를, 기재 설치부 (58) 에 설치하여 상금형 (50) 과 하금형 (52) 을 형체하고, 기재 (10A) 의 복수의 실장면 각각에, 상금형 (50) 의 복수의 볼록부 (56) 를, 이형 필름 (30) 을 개재하여 밀착시킨다. 또한, 수지 배치부 (62) 의 플런저 (64) 상에는, 경화성 수지 (40) 를 미리 배치해 둔다.
상금형 (50) 과 하금형 (52) 을 형체할 때의 클램프압은, 볼록부 (56) 와 기재 (10A) 사이에 끼워진 이형 필름 (30) 이 과잉으로 무너져 캐비티 (54) 측으로 돌출되지 않을 정도의 압력으로 한다. 이에 의해, 이형 필름 (30) 의 캐비티 (54) 측으로 돌출된 부분이 경화성 수지 (40) 의 경화물에 파고든 상태가 되어 경화물의 이형 불량을 일으키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기재 (10A) 의 실장면이 패이거나 흠집이 생기는 것도 방지할 수 있다.
클램프압으로서 구체적으로는, 10 ∼ 80 톤이 바람직하고, 20 ∼ 70 톤이 특히 바람직하다. 단위 면적 당의 압력으로는, 25 ∼ 200 ㎫ 가 바람직하고, 50 ∼ 175 ㎫ 가 특히 바람직하다.
본 발명에 사용하는 이형 필름 (30) 은, 두께가 전체적으로 대략 일정하기 때문에, 전술한 특허문헌 2 에서 나타내는 것과 같은, 볼록부가 일체적으로 형성된 이형 필름을 사용하는 경우에 비하여, 클램프압을 높게 해도, 상기와 같은 돌출이 잘 발생하지 않는다. 기재 (10A) 에 패임이나 흠집이 발생하지 않는 범위에서 클램프압을 높게 함으로써, 수지 버의 방지 효과가 우수하다.
경화성 수지 (40) 로는, 반도체 패키지의 제조에 이용되고 있는 각종 경화성의 수지를 사용해도 된다. 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 열 경화성 수지가 바람직하고, 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 에폭시 수지로는, 예를 들어 스미토모 베이크라이트사 제조의 스미콘 EME G770H type Fver. GR, 나가세 켐텍스사 제조의 T693/R4719-SP10 등을 들 수 있다. 실리콘 수지의 시판품으로는, 신에츠 화학 공업사 제조의 LPS-3412AJ, LPS-3412B 등을 들 수 있다.
경화성 수지 (40) 에는, 카본 블랙, 용융 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄 등이 포함되어도 된다.
공정 (α4) :
도 8 에 나타내는 바와 같이, 하금형 (52) 의 플런저 (64) 를 밀어 올려, 수지 도입부 (60) 를 통해서 캐비티 (54) 내에 경화성 수지 (40) 를 충전한다. 이어서, 금형을 가열하고, 경화성 수지 (40) 를 경화시킨다.
공정 (α4) 에 있어서는, 캐비티 (54) 내에 경화성 수지 (40) 가 충전되는 것에 의해, 수지 압력에 의해 이형 필름 (30) 이 더욱 상금형 (50) 의 캐비티면측으로 압입되고, 늘어져 변형됨으로써 캐비티면에 밀착된다. 그 때문에, 형성되는 경화물의 형상은, 캐비티 (54) 의 형상에 대응한 형상이 된다.
경화성 수지 (40) 를 경화시킬 때의 금형의 가열 온도, 즉 경화성 수지 (40) 의 가열 온도는, 100 ∼ 185 ℃ 가 바람직하고, 140 ∼ 175 ℃ 가 특히 바람직하다. 가열 온도가 상기 범위의 하한치 이상이면, 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 의 생산성이 향상된다. 가열 온도가 상기 범위의 상한치 이하이면, 경화성 수지 (40) 의 열화가 억제된다. 경화성 수지 (40) 의 열 팽창률에서 기인하여 그 경화물의 형상이 변화하는 것을 억제하는 점에서, 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 의 보호가 특별히 요구되는 경우에는, 상기 범위 내에 있어서 가능한 한 낮은 온도에서 가열하는 것이 바람직하다.
경화성 수지 (40) 의 충전시의 수지압은, 2 ∼ 30 ㎫ 가 바람직하고, 3 ∼ 10 ㎫ 가 특히 바람직하다. 수지압이 상기 범위의 하한치 이상이면, 경화성 수지 (40) 의 충전 부족 등의 결점이 잘 발생하지 않는다. 수지압이 상기 범위의 상한치 이하이면, 우수한 품질의 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 가 얻어지기 쉽다. 경화성 수지 (40) 의 수지압은, 플런저 (64) 에 의해 조정할 수 있다.
공정 (α5) :
도 9 에 나타내는 바와 같이, 공정 (α4) 에서 형성된 구조체 (110A) 를 금형으로부터 취출한다.
구조체 (110A) 는, 기재 (10A) 와, 캐비티 (54) 내에서 경화한 경화성 수지 (40) 의 경화물 (12A) 을 구비한다. 구조체 (110A) 를 금형으로부터 취출했을 때, 구조체 (110A) 의 경화물 (12A) 에는, 수지 도입부 (60) 내에서 경화한 경화성 수지 (40) 의 경화물 (19) 이 부착되어 있다. 이 경화물 (19) 은, 구조체 (110A) 를 금형으로부터 취출한 후, 절제된다.
공정 (α4) 에서의 경화성 수지 (40) 의 충전시, 기재 (10A) 의 실장면에는, 이형 필름 (30) 이 밀착되어 있기 때문에, 경화성 수지 (40) 가 접촉하지 않는다. 그 때문에, 경화물 (12A) 은, 기재 (10A) 의 복수의 실장면 각각을 둘러싸도록 형성되어 있고, 기재 (10A) 의 복수의 실장면은 각각 노출되어 있다. 그 때문에, 구조체 (110A) 에 있어서는, 기재 (10A) 와, 그 복수의 실장면 각각을 둘러싸는 경화물 (12A) 에 의해 복수의 오목부 (14) 가 형성되어 있다.
공정 (α6) :
공정 (α5) 에서 얻어진 구조체 (110A) 의 기재 (10A) 및 경화물 (12A) 을, 구조체 (110A) 의 복수의 오목부 (14) 가 분리되도록 절단 (개편화) 한다. 이에 의해, 적어도 1 개의 실장면 (10a) 을 갖는 기재 (10) 와, 상기 실장면 (10a) 을 둘러싸는 프레임상의 패키지 본체 (12) 를 구비하는 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 를 얻는다.
개편화는, 공지된 방법에 의해 실시할 수 있고, 예를 들어 다이싱법을 들 수 있다. 다이싱법은, 다이싱 블레이드를 회전시키면서 대상물을 절단하는 방법이다. 다이싱 블레이드로는, 전형적으로는, 다이아몬드 가루를 원반의 외주에 소결한 회전날 (다이아몬드 커터) 이 사용된다. 다이싱법에 의한 개편화는, 예를 들어, 절단 대상물 (구조체 (110A)) 을, 지그를 개재하여 처리 대상에 고정시키고, 절단 대상물의 절단 영역과 상기 지그 사이에 다이싱 블레이드를 삽입하는 공간이 있는 상태에서 상기 다이싱 블레이드를 주행시키는 방법에 의해 실시할 수 있다.
공정 (α6) 에 있어서는, 상기와 같이 절단 대상물을 절단하는 공정 (절단 공정) 후에, 상기 다이싱 블레이드를 덮는 케이스로부터 떨어진 위치에 배치되는 노즐로부터 상기 절단 대상물을 향하여 액체를 공급하면서 상기 처리대를 이동시키는 이물질 제거 공정이 포함되어도 된다.
이상, 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 대하여, 제 1 실시형태를 나타내어 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 상기 실시형태에 있어서의 각 구성 및 그들의 조합 등은 일례이고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다.
예를 들어, 이형 필름 (30) 으로부터 구조체 (110A) 를 박리하는 타이밍은, 금형으로부터 구조체 (110A) 를 취출할 때에 한정되지 않고, 금형으로부터 이형 필름과 함께 구조체 (110A) 를 취출하고, 그 후, 구조체 (110A) 로부터 이형 필름을 박리해도 된다.
하금형 (52) 에 설치하는 기재 (10) 가 갖는 실장면은 1 개여도 된다. 이 경우, 공정 (α6) 은 실시하지 않아도 된다.
기재 (10) 가 복수의 실장면을 갖는 경우, 복수의 실장면 각각의 사이의 거리는 균일해도 되고 균일하지 않아도 된다. 또한, 복수의 실장면 각각의 형상은 동일해도 되고 상이해도 된다.
공정 (α6) 후 (또는 공정 (α6) 전 또한 공정 (α5) 후) 에, 패키지 본체 (12) (또는 경화물 (12A)) 의 표면에, 임의의 정보를 표시하기 위해서, 잉크를 도포하고, 잉크층을 형성하는 공정을 실시해도 된다.
잉크층에 의해 표시되는 정보로는, 특별히 한정되지 않고, 시리얼 넘버, 제조 메이커에 관한 정보, 부품의 종별 등을 들 수 있다. 잉크로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 잉크 중에서 적절히 선택할 수 있다.
잉크의 도포 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 잉크젯법, 스크린 인쇄, 고무판으로부터의 전사 등의 각종 인쇄법을 적용할 수 있다.
잉크층의 형성 방법은, 경화 속도가 빠르고 패키지상에서의 번짐이 적고, 또한 열풍을 맞히지 않기 때문에 패키지의 위치 어긋남이 적은 등의 점에서, 광 경화형의 잉크를 사용하고, 그 잉크를 잉크젯법에 의해 패키지 본체 (12) 의 표면에 부착시키고, 그 잉크를 광의 조사에 의해 경화시키는 방법이 바람직하다.
광 경화형의 잉크는, 전형적으로는, 중합성 화합물 (모노머, 올리고머 등) 을 포함하는 재료가 사용된다. 잉크는, 필요에 따라, 안료, 염료 등의 색재, 액체 매체 (용매 또는 분산매), 중합 금지제, 광 중합 개시제, 그 외 각종 첨가제 등을 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 슬립제, 중합 촉진제, 침투 촉진제, 습윤제 (보습제), 정착제, 방미제, 방부제, 산화 방지제, 방사선 흡수제, 킬레이트제, pH 조정제, 증점제 등을 들 수 있다.
광 경화형의 잉크를 경화시키는 광으로는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, 방사선 등을 들 수 있다.
자외선의 광원으로는, 살균등, 자외선용 형광등, 카본 아크, 크세논 램프, 복사용 고압 수은등, 중압 또는 고압 수은등, 초고압 수은등, 무전극 램프, 메탈 할라이드 램프, 자외선 발광 다이오드, 자외선 레이저 다이오드, 자연광 등을 들 수 있다.
광의 조사는, 상압하에서 실시해도 되고, 감압하에서 실시해도 된다. 또한, 공기 중에서 실시해도 되고, 질소 분위기, 이산화탄소 분위기 등의 불활성 가스 분위기에서 실시해도 된다.
또한, 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법에 의해 제조하는 반도체 소자 실장용 패키지는, 반도체 소자 실장용 패키지 (110) 에 한정되지 않는다. 예를 들어 반도체 소자 실장용 패키지 (120) 여도 된다.
반도체 소자 실장용 패키지 (120) 는, 기재 (10) 대신에 기재 (16) 를 사용하고, 볼록부 (56) 의 형상을 오목부 (20) 에 맞추어 변경하는 것 이외에는 제 1 실시형태와 동일하게 하여 제조할 수 있다.
[이형 필름]
본 발명에 있어서의 이형 필름 (30) 은, 단층 구조의 필름이어도 되고, 다층 구조의 필름이어도 된다.
이형 필름 (30) 에는, 이형성, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성, 경화성 수지의 유동이나 가압력에 견딜 수 있는 기계적 강도가 요구된다.
단층 구조의 필름의 경우, 이형 필름 (30) 으로는, 이형성, 내열성, 기계적 강도, 고온에 있어서의 신장의 점에서, 불소 수지 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지로 이루어지는 필름이 바람직하고, 불소 수지로 이루어지는 필름이 특히 바람직하다. 불소 수지 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀에 대해서는 각각 후에 상세하게 설명한다.
다층 구조의 필름으로는, 예를 들어, 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 제 1 층과, 그 밖의 층을 구비하는 필름을 들 수 있다. 그 밖의 층은, 1 층이어도 되고 2 층 이상이어도 된다.
다층 구조의 필름으로는, 이형 불량 및 수지 버의 방지 효과가 우수한 점에서, 이하의 이형 필름 (I) 이 바람직하다.
이형 필름 (I) : 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 제 1 층과, 제 2 층을 구비하고,
상기 제 1 층의 두께가 3 ∼ 25 ㎛ 이고, 또한 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 10 ∼ 50 ㎫ 이고,
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 2,000 ∼ 13,000 인 필름.
이형 필름 (I) 을 사용하여 전술한 본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법을 실시하는 경우, 이형 필름 (I) 은, 상기 상금형의 볼록부와 상기 기재의 실장면을 이형 필름을 개재하여 밀착시키는 공정에 있어서, 상기 제 1 층측의 표면이 기재측 (실장면측) 을 향하도록 상금형에 배치되는 것이 바람직하다.
실장면과 직접 접하는 제 1 층이, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 일정 이하의 부드러운 층이고 일정 이상의 두께를 가짐으로써, 볼록부를 실장면에 눌렀을 때에, 기재의 패임이나 흠집이 발생하지 않을 정도의 가벼운 클램프압으로도, 제 1 층이 적당히 무너진다. 또한, 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률과 두께의 곱이 일정 이하임으로써, 이형 필름 (I) 이 상금형에 충분히 추종한다. 그 때문에, 기재의 실장면의 높이나 볼록부의 높이에 편차가 있어도, 제 1 층에 의해 상기 편차가 흡수되어, 상금형의 볼록부가 이형 필름 (I) 을 개재하여 기재의 실장면 전체에 충분히 밀착된다. 그 때문에, 볼록부와 실장면 사이에 경화성 수지가 잘 들어가지 않고, 실장면 전체에 걸쳐서 수지 버가 잘 발생하지 않는다.
또한, 제 2 층은, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률과 두께의 곱이, 제 1 층보다 크고, 제 1 층에 비하여 단단한 층인 것이 바람직하다. 제 1 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 일정 이상 또한 두께가 일정 이하인 것, 및 제 1 층보다 단단한 제 2 층이 제 1 층보다 상금형측에 존재하고 있음으로써, 상금형의 볼록부를 기재의 실장면에 눌렀을 때에, 제 1 층이 과잉으로 무너져 캐비티측으로 돌출되어 이형 불량을 일으키거나, 이형 필름 (I) 이 파손되는 문제가 잘 발생하지 않는다.
상기 제 1 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률은, 10 ∼ 40 ㎫ 가 특히 바람직하다. 상기 제 1 층의 두께는, 5 ∼ 12 ㎛ 가 보다 바람직하고, 7 ∼ 12 ㎛ 가 특히 바람직하다.
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱은, 3,000 ∼ 8,000 이 특히 바람직하다.
상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률, 두께는 각각, 상기 곱이 상기 범위 내가 되는 임의의 값을 취할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 그 중에서도, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률은, 90 ∼ 600 ㎫ 가 바람직하고, 110 ∼ 300 ㎫ 가 특히 바람직하다. 두께는, 6 ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 12 ∼ 38 ㎛ 가 특히 바람직하다.
이상으로부터, 이형 필름 (I) 에 있어서는, 상기 제 1 층의 두께가 5 ∼ 12 ㎛ 이고, 상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 3,000 ∼ 8,000 인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 상기 제 1 층의 두께가 7 ∼ 12 ㎛ 이고, 상기 제 2 층의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 3,000 ∼ 8,000 인 것이 특히 바람직하다.
제 1 층, 제 2 층 각각의 인장 저장 탄성률은, 제 1 층, 제 2 층 각각을 구성하는 수지 (이하, 각각, 제 1 층용 수지, 제 2 층용 수지라고도 한다) 의 결정화도를 조정함으로써 조정할 수 있다. 구체적으로는, 수지의 결정화도가 낮을 수록, 그 수지로 구성되는 층의 인장 저장 탄성률은 낮아진다. 수지의 결정화도는, 공지된 방법에 의해 조정할 수 있다. 예를 들어, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체의 경우, 테트라플루오로에틸렌과 에틸렌에 기초하는 단위의 비율, 테트라플루오로에틸렌 및 에틸렌 이외의 다른 모노머에 기초하는 단위의 종류나 함유량을 조정함으로써 조정할 수 있다.
(제 1 실시형태의 이형 필름)
도 10 은, 이형 필름 (I) 의 제 1 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
본 실시형태의 이형 필름 (1) 은, 제 1 층 (2) 과 제 2 층 (3) 이 이 순서대로 적층된 것이다. 이형 필름 (1) 은, 상기 경화성 수지의 경화시에, 제 1 층 (2) 이 경화성 수지와 접하고 (즉 표면 (2a) 이 경화성 수지와 접한다), 제 2 층 (3) 이 금형의 상금형에 접한다 (즉 표면 (3a) 이 금형의 상금형과 접한다).
＜제 1 층＞
제 1 층은, 경화한 경화성 수지와 이형 필름 (1) 을 스무스하게 박리하기 위한 이형층이다. 제 1 층 (2) 의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 및 두께의 범위, 그리고 그들의 바람직한 범위는 각각 상기와 같다.
제 1 층 (2) 을 구성하는 수지 (이하, 제 1 층용 수지라고도 한다) 로는, 전술한 인장 저장 탄성률을 만족하는 것이면 되고, 공지된 열 가소성 수지, 고무 등의 수지 중에서 적절히 선택할 수 있다.
제 1 층 (2) 은, 상기 반도체 소자 실장용 패키지의 제조에 있어서, 이형 필름 (1) 의 제 1 층 (2) 과 접한 상태에서 경화한 경화성 수지 (패키지 본체) 를 이형 필름 (1) 으로부터 스무스하게 박리할 수 있는 이형성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 관점에서, 제 1 층용 수지로는, 불소 수지, 폴리스티렌 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. 이들은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 1 층용 수지로는, 이형성이 우수한 점에서, 불소 수지가 특히 바람직하다. 제 1 층 (2) 이 불소 수지로 이루어지는 경우, 경화성 수지의 경화물의 금형으로부터의 이형성이 우수하다. 또한, 이형 필름 (1) 은, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성, 경화성 수지의 유동이나 가압력에 견딜 수 있는 강도 등을 충분히 갖고, 고온에 있어서의 신장도 우수하다.
불소 수지로는, 이형성 및 내열성이 우수한 점에서, 플루오로올레핀계 중합체가 바람직하다. 플루오로올레핀계 중합체는, 플루오로올레핀에 기초하는 단위를 갖는 중합체이다. 플루오로올레핀으로는, 테트라플루오로에틸렌, 불화비닐, 불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로필렌, 클로로트리플루오로에틸렌 등을 들 수 있다. 플루오로올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
플루오로올레핀계 중합체로는, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 (이하, ETFE 라고도 한다), 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로(알킬비닐에테르)/테트라플루오로에틸렌 공중합체 등을 들 수 있다. 플루오로올레핀계 중합체는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
폴리스티렌으로는, 이형성 및 내열성이 우수한 점에서, 신디오택틱 폴리스티렌이 바람직하다. 폴리스티렌은 연신되어 있어도 되고, 또한 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 폴리스티렌은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀의 융점은, 200 ℃ 이상 300 ℃ 이하가 바람직하다.
융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로는, 이형성 및 금형 추종성이 우수한 점에서, 폴리메틸펜텐이 바람직하다. 폴리올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 1 층용 수지로는, 상기 중에서도, 플루오로올레핀계 중합체 및 폴리메틸펜텐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 플루오로올레핀계 중합체가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 고온에서의 신장이 큰 점에서, ETFE 가 특히 바람직하다. ETFE 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
ETFE 는, 테트라플루오로에틸렌 (이하, TFE 라고도 한다) 에 기초하는 단위와, 에틸렌 (이하, E 라고도 한다) 에 기초하는 단위를 갖는 공중합체이다.
ETFE 로는, TFE 에 기초하는 단위와, E 에 기초하는 단위와, TFE 및 E 이외의 제 3 모노머에 기초하는 단위를 갖는 것이 바람직하다. 제 3 모노머에 기초하는 단위의 종류나 함유량에 따라 ETFE 의 결정화도, 즉 제 1 열 가소성 수지 필름층 (2) 의 인장 저장 탄성률을 조정하기 쉽다. 또한, 제 3 모노머 (특히 불소 원자를 갖는 모노머) 에 기초하는 단위를 가짐으로써, 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 향상된다.
제 3 모노머로는, 불소 원자를 갖는 모노머와, 불소 원자를 가지지 않는 모노머를 들 수 있다.
불소 원자를 갖는 모노머로는, 하기의 모노머 (a1) ∼ (a5) 를 들 수 있다.
모노머 (a1) : 탄소수 3 이하의 플루오로올레핀류.
모노머 (a2) : X(CF2)nCY=CH2 (단, X, Y 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 불소 원자이고, n 은 2 ∼ 8 의 정수이다) 로 나타내는 퍼플루오로알킬에틸렌.
모노머 (a3) : 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a4) : 관능기 함유 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a5) : 지방족 고리 구조를 갖는 함불소 모노머.
모노머 (a1) 로는, 플루오로에틸렌류 (트리플루오로에틸렌, 불화비닐리덴, 불화비닐, 클로로트리플루오로에틸렌 등), 플루오로프로필렌류 (헥사플루오로프로필렌 (이하, HFP 라고도 한다), 2-하이드로펜타플루오로프로필렌 등) 등을 들 수 있다.
모노머 (a2) 로는, n 이 2 ∼ 6 인 모노머가 바람직하고, n 이 2 ∼ 4 인 모노머가 특히 바람직하다. 또한, X 가 불소 원자, Y 가 수소 원자인 모노머, 즉 (퍼플루오로알킬)에틸렌이 특히 바람직하다.
모노머 (a2) 의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
CF3CF2CH=CH2,
CF3CF2CF2CF2CH=CH2 ((퍼플루오로부틸)에틸렌. 이하, PFBE 라고도 한다),
CF3CF2CF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF2CF=CH2 등.
모노머 (a3) 의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다. 또한, 하기 중 디엔인 모노머는 고리화 중합할 수 있는 모노머이다.
CF2=CFOCF3,
CF2=CFOCF2CF3,
CF2=CF(CF2)2CF3 (퍼플루오로(프로필비닐에테르). 이하, PPVE 라고도 한다),
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF=CF2,
CF2=CFO(CF2)2CF=CF2 등.
모노머 (a4) 의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F 등.
모노머 (a5) 의 구체예로는, 퍼플루오로(2,2-디메틸-1,3-디옥솔), 2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,3-디옥솔, 퍼플루오로(2-메틸렌-4-메틸-1,3-디옥소란) 등을 들 수 있다.
불소 원자를 가지지 않는 모노머로는, 하기의 모노머 (b1) ∼ (b4) 를 들 수 있다.
모노머 (b1) : 올레핀류.
모노머 (b2) : 비닐에스테르류.
모노머 (b3) : 비닐에테르류.
모노머 (b4) : 불포화 산무수물.
모노머 (b1) 의 구체예로는, 프로필렌, 이소부텐 등을 들 수 있다.
모노머 (b2) 의 구체예로는, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.
모노머 (b3) 의 구체예로는, 에틸비닐에테르, 부틸비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등을 들 수 있다.
모노머 (b4) 의 구체예로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산, 무수 하이믹산 (5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물) 등을 들 수 있다.
제 3 모노머는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 제 3 모노머로는, 결정화도의 조정 즉 인장 저장 탄성률의 조정이 용이한 점, 제 3 모노머 (특히 불소 원자를 갖는 모노머) 에 기초하는 단위를 가짐으로써 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 우수한 점에서, 모노머 (a2), HFP, PPVE, 아세트산비닐이 바람직하고, HFP, PPVE, CF3CF2CH=CH2, PFBE 가 보다 바람직하고, PFBE 가 특히 바람직하다. 즉, ETFE 로는, TFE 에 기초하는 단위와, E 에 기초하는 단위와, PFBE 에 기초하는 단위를 갖는 공중합체가 특히 바람직하다.
ETFE 에 있어서, TFE 에 기초하는 단위와, E 에 기초하는 단위의 몰비 (TFE/E) 는, 80/20 ∼ 40/60 이 바람직하고, 70/30 ∼ 45/55 가 보다 바람직하고, 65/35 ∼ 50/50 이 특히 바람직하다. TFE/E 가 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계적 물성이 우수하다.
ETFE 중의 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율은, ETFE 를 구성하는 전체 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여 0.01 ∼ 20 몰％ 가 바람직하고, 0.10 ∼ 15 몰％ 가 보다 바람직하고, 0.20 ∼ 10 몰％ 가 특히 바람직하다. 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율이 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계적 물성이 우수하다.
제 3 모노머에 기초하는 단위가 PFBE 에 기초하는 단위를 포함하는 경우, PFBE 에 기초하는 단위의 비율은, ETFE 를 구성하는 전체 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여 0.5 ∼ 4.0 몰％ 가 바람직하고, 0.7 ∼ 3.6 몰％ 가 보다 바람직하고, 1.0 ∼ 3.6 몰％ 가 특히 바람직하다. PFBE 에 기초하는 단위의 비율이 상기 범위 내이면, 이형 필름의 180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을 상기 범위 내로 조정할 수 있다. 또한, 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 향상된다.
ETFE 의 용융 유량 (MFR) 은, 2 ∼ 40 g/10 분이 바람직하고, 5 ∼ 30 g/10 분이 보다 바람직하고, 10 ∼ 20 g/10 분이 특히 바람직하다. ETFE 의 MFR 이 상기 범위 내이면, ETFE 의 성형성이 향상되고, 이형 필름의 기계 특성이 우수하다.
ETFE 의 MFR 은, ASTM D3159 에 준거하여, 하중 49 N, 297 ℃ 에서 측정되는 값이다.
제 1 층 (2) 은, 제 1 층용 수지만으로 이루어지는 것이어도 되고, 무기계 첨가제, 유기계 첨가제 등의 첨가물이 배합되어 있어도 된다. 무기계 첨가제로는, 카본 블랙, 실리카, 유리 파이버, 카본 파이버, 산화티탄 등의 무기 필러를 들 수 있다. 유기계 첨가제로는, 실리콘 오일, 금속 비누 등을 들 수 있다.
＜제 2 층＞
제 2 층 (3) 의 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱의 범위, 상기 곱, 인장 저장 탄성률 및 두께의 바람직한 범위는 각각 상기와 같다.
제 2 층 (3) 을 구성하는 수지 (이하, 제 2 층용 수지라고도 한다) 로는, 전술한 인장 저장 탄성률과 두께의 곱이 상기의 범위 내가 되는 것이면 되고, 공지된 열 가소성 수지, 고무 등의 수지 중에서 적절히 선택할 수 있다.
제 2 층 (3) 은, 상기 반도체 소자 실장용 패키지의 제조에 있어서, 이형 필름 (1) 을 상금형으로부터 스무스하게 박리할 수 있을 정도의 이형성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 관점에서, 제 2 층용 수지로는, 무연신 폴리아미드, 2 축 연신 폴리아미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트 (이하, PBT 라고도 한다), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (이하, PET 라고도 한다) 및 성형 용이 PET 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
폴리아미드로는, 내열성, 강도, 가스 배리어성의 점에서, 나일론 6, 나일론 MXD6 이 바람직하다.
성형 용이 PET 란, 에틸렌글리콜 및 테레프탈산 (혹은 디메틸테레프탈레이트) 에 더하여, 그 밖의 모노머를 공중합하여 성형성을 개량한 것이다. 구체적으로는, 이하의 방법으로 측정되는 유리 전이 온도 Tg 가 105 ℃ 이하인 PET 이다.
Tg 는, ISO 6721-4 : 1994 (JIS K 7244-4 : 1999) 에 기초하여 측정되는 저장 탄성률 E' 및 손실 탄성률 E" 의 비인 tanδ (E"/E') 가 최대치를 취할 때의 온도이다. Tg 는, 주파수는 10 ㎐, 정적력은 0.98 N, 동적 변위는 0.035 ％ 로 하고, 온도를 20 ℃ 부터 180 ℃ 까지, 2 ℃／분으로 승온시켜 측정한다.
이들 제 2 층용 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 2 층용 수지로는, 상기 중에서도, PBT 또는 성형 용이 PET 가 특히 바람직하다.
제 2 층 (3) 은, 제 2 층용 수지만으로 이루어지는 것이어도 되고, 무기계 첨가제, 유기계 첨가제 등의 첨가물이 배합되어 있어도 된다. 무기계 첨가제, 유기계 첨가제로는 각각 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
이형 필름 (1) 에 있어서, 제 1 층 (2) 과 제 2 층 (3) 은, 직접 적층해도 되고, 도시하지 않은 접착층을 개재하여 적층해도 된다.
＜이형 필름의 표면 형상＞
이형 필름 (1) 의, 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 면, 즉 제 1 층 (2) 측의 표면 (2a) 은, 평활해도 되고, 이형성을 높이기 위한 요철이 형성되어 있어도 된다. 또한, 이형 필름 (1) 의, 경화성 수지의 경화시에 금형의 상금형과 접하는 면, 즉 제 2 층 (3) 측의 표면 (3a) 은, 평활해도 되고, 이형성을 높이기 위한 요철이 형성되어 있어도 된다.
평활한 경우의 표면의 산술 평균 거칠기 (Ra) 는, 0.01 ∼ 0.2 ㎛ 가 바람직하고, 0.05 ∼ 0.1 ㎛ 가 특히 바람직하다. 요철이 형성되어 있는 경우의 표면의 Ra 는, 1.5 ∼ 2.1 ㎛ 가 바람직하고, 1.6 ∼ 1.9 ㎛ 가 특히 바람직하다.
요철이 형성되어 있는 경우의 표면 형상은, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 랜덤으로 분포된 형상이어도 되고, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 규칙적으로 배열된 형상이어도 된다. 또한, 복수의 볼록부 및/또는 오목부의 형상이나 크기는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 볼록부로는, 이형 필름의 표면에 연장되는 장척의 철조 (凸條), 점재하는 돌기 등을 들 수 있다. 오목부로는, 이형 필름의 표면에 연장되는 장척의 홈, 점재하는 구멍 등을 들 수 있다.
철조 또는 홈의 형상으로는, 직선, 곡선, 절곡 형상 등을 들 수 있다. 이형 필름 표면에 있어서는, 복수의 철조 또는 홈이 평행하게 존재하여 호상을 이루고 있어도 된다. 철조 또는 홈의, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 형상으로는, 삼각형 (V 자형) 등의 다각형, 반원형 등을 들 수 있다.
돌기 또는 구멍의 형상으로는, 삼각추형, 사각추형, 육각추형 등의 다각추형, 원추형, 반구형, 다면체형, 그 외 각종 부정형 등을 들 수 있다.
이형 필름 (1) 에 있어서는, 표면 (2a) 및 표면 (3a) 의 양방이 평활해도 되고, 표면 (2a) 및 표면 (3a) 의 양방에 요철이 형성되어 있어도 되고, 표면 (2a) 및 표면 (3a) 중 일방이 평활하고 타방에 요철이 형성되어 있어도 된다. 표면 (2a) 및 표면 (3a) 의 양방에 요철이 형성되어 있는 경우, 각 표면의 Ra 나 표면 형상은 동일해도 되고 상이해도 된다.
수지 버 방지의 관점에서는, 제 1 층 (2) 측의 표면 (2a) 의 Ra 가 작을 수록 바람직하고, 평활한 것이 특히 바람직하다.
이형 필름 (1) 의 금형으로부터의 이형성이 우수한 점에서는, 제 2 층 (3) 측의 표면 (3a) 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
＜이형 필름의 두께＞
이형 필름 (1) 의 두께는, 15 ∼ 75 ㎛ 가 바람직하고, 17 ∼ 62 ㎛ 가 보다 바람직하고, 19 ∼ 50 ㎛ 가 특히 바람직하다. 두께가 상기 범위의 하한치 이상이면, 이형 필름 (1) 의 취급이 용이하고, 이형 필름 (1) 을 인장하면서 상금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때에, 주름이 잘 발생하지 않는다. 두께가 상기 범위의 상한치 이하이면, 이형 필름 (1) 을 용이하게 변형할 수 있고, 상금형의 캐비티의 형상에 대한 추종성이 향상되기 때문에, 이형 필름 (1) 이 확실하게 캐비티면에 밀착할 수 있다. 그 때문에, 고품질의 패키지 본체를 안정적으로 형성할 수 있다.
이형 필름 (1) 의 두께는, 상금형의 캐비티가 클수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다. 또한, 다수의 캐비티를 갖는 복잡한 금형일수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다.
＜이형 필름 (1) 의 제조 방법＞
이형 필름 (1) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 다층 필름의 제조 방법을 이용할 수 있다. 구체예로는, 이하의 (1), (2) 등을 들 수 있고, 각층의 재질, 두께 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
(1) 제 1 층용 수지로 이루어지는 수지 필름과, 제 2 층용 수지로 이루어지는 수지 필름을 적층하는 방법.
(2) 제 1 층용 수지와 제 2 층용 수지를 공압출 성형하는 방법.
이형 필름 (1) 의 제조 방법으로는, 생산성이 우수한 점에서, (1) 의 방법이 바람직하다.
(1) 의 방법에 있어서, 각 수지 필름을 적층하는 방법으로는, 공지된 다양한 라미네이트 방법을 채용할 수 있고, 예를 들어 압출 라미네이트법, 드라이 라미네이트법, 열 라미네이트법 등을 들 수 있다.
드라이 라미네이트법에서는, 접착제를 사용하여 각 수지 필름을 적층한다. 접착제로는, 드라이 라미네이트용의 접착제로서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 폴리아세트산비닐계 접착제 ; 아크릴산에스테르 (아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산 2-에틸헥실에스테르 등) 의 단독 중합체 혹은 공중합체, 또는 아크릴산에스테르와 다른 단량체 (메타크릴산메틸, 아크릴로니트릴, 스티렌 등) 의 공중합체 등으로 이루어지는 폴리아크릴산에스테르계 접착제 ; 시아노아크릴레이트계 접착제 ; 에틸렌과 다른 단량체 (아세트산비닐, 아크릴산에틸, 아크릴산, 메타크릴산 등) 의 공중합체 등으로 이루어지는 에틸렌 공중합체계 접착제 ; 셀룰로오스계 접착제 ; 폴리에스테르계 접착제 ; 폴리아미드계 접착제 ; 폴리이미드계 접착제 ; 우레아 수지 또는 멜라민 수지 등으로 이루어지는 아미노 수지계 접착제 ; 페놀 수지계 접착제 ; 에폭시계 접착제 ; 폴리올 (폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올 등) 과 이소시아네이트 및/또는 이소시아누레이트와 가교시키는 폴리우레탄계 접착제 ; 반응형 (메트)아크릴계 접착제 ; 클로로프렌 고무, 니트릴 고무, 스티렌-부타디엔 고무 등으로 이루어지는 고무계 접착제 ; 실리콘계 접착제 ; 알칼리 금속 실리케이트, 저융점 유리 등으로 이루어지는 무기계 접착제 ; 그 외 등의 접착제를 사용할 수 있다.
(1) 의 방법으로 적층하는 수지 필름은, 시판되는 것을 사용해도 되고, 공지된 제조 방법에 의해 제조한 것을 사용해도 된다. 수지 필름에는, 코로나 처리, 대기압 플라즈마 처리, 진공 플라즈마 처리, 프라이머 도공 처리 등의 표면 처리가 실시되어도 된다.
수지 필름의 제조 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 제조 방법을 이용할 수 있다.
양면이 평활한 열 가소성 수지 필름의 제조 방법으로는, 예를 들어, 소정의 립 폭을 갖는 T 다이를 구비하는 압출기로 용융 성형하는 방법 등을 들 수 있다.
편면 또는 양면에 요철이 형성되어 있는 열 가소성 수지 필름의 제조 방법으로는, 예를 들어, 열 가공으로 열 가소성 수지 필름의 표면에 원형의 요철을 전사하는 방법을 들 수 있고, 생산성의 점에서, 하기의 방법 (i), (ii) 등이 바람직하다. 방법 (i), (ii) 에서는, 롤상의 원형을 사용하는 것에 의해, 연속한 가공이 가능해지고, 요철이 형성된 열 가소성 수지 필름의 생산성이 현저하게 향상된다.
(i) 열 가소성 수지 필름을 원형 롤과 압동 (壓胴) 롤 사이에 통과시키고, 열 가소성 수지 필름의 표면에 원형 롤의 표면에 형성된 요철을 연속적으로 전사하는 방법.
(ii) 압출기의 다이스로부터 압출된 열 가소성 수지를 원형 롤과 압동 롤 사이에 통과시키고, 그 열 가소성 수지를 필름상으로 성형함과 동시에, 그 필름상의 열 가소성 수지의 표면에 원형 롤의 표면에 형성된 요철을 연속적으로 전사하는 방법.
방법 (i), (ii) 에 있어서, 압동 롤로서 표면에 요철이 형성된 것을 사용하면, 양면에 요철이 형성되어 있는 열 가소성 수지 필름이 얻어진다.
(제 2 실시형태의 이형 필름)
도 11 은, 이형 필름 (I) 의 제 2 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
본 실시형태의 이형 필름 (5) 은, 제 1 층 (6) 과 제 2 층 (7) 과 제 3 층 (8) 이 이 순서대로 적층된 것이다. 이형 필름 (5) 은, 상기 경화성 수지의 경화시에, 제 1 층 (6) 이 경화성 수지와 접하고, 제 3 층 (8) 이 금형의 상금형에 접한다.
제 1 층 (6) 은, 제 1 실시형태의 제 1 층 (2) 과 동일하다.
제 2 층 (7) 은, 제 1 실시형태의 제 2 층 (3) 과 동일하다.
＜제 3 층＞
제 3 층 (8) 은, 이형 필름 (5) 의 컬을 방지하기 위한 층이다.
제 1 실시형태에 나타내는 바와 같은 2 층 구성 (제 2 층/제 1 층) 이고, 제 1 층과 제 2 층의 재질 등이 상이한 경우, 제 2 층의 두께나 인장 저장 탄성률 등에 따라서는, 이형 필름이 컬되는 경우가 있다. 이형 필름이 컬되면, 이형 필름을 금형에 흡착시킬 때에, 컬에 의해 이형 필름을 금형에 잘 흡착할 수 없게 되는 경우가 있다. 특히, 미리 금형의 크기에 맞추어 커트한 단척의 이형 필름을 금형에 공급하는 경우, 컬의 문제는 현저하다. 컬되지 않는 것과 같은 고인장 저장 탄성률 혹은 두꺼운 제 2 층을 사용하면, 금형 추종성이 악화되어, 금형 추종성이 요구되는 이형 필름으로는 사용에 적합하지 않게 된다.
제 2 층의, 제 1 층측과는 반대측에 제 3 층을 형성함으로써, 컬되지 않는 것과 같은 고인장 저장 탄성률 혹은 두꺼운 제 2 층을 사용하지 않아도, 컬을 억제할 수 있다.
제 3 층 (8) 은, 그 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이, 제 1 층 (6) 과 동일해도 되고 상이해도 되지만, 그 비 (제 3 층 (8) 의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률/제 1 층 (6) 의 25 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률) 가 0.5 ∼ 2 인 것이 바람직하다.
25 ℃ 의 인장 저장 탄성률의 비가 상기 범위 내이면 컬의 억제가 우수하다.
제 3 층 (8) 의 두께는, 제 1 층 (6) 의 두께와 동일해도 되고 상이해도 되지만, 그 차는 5 ㎛ 이내인 것이 바람직하다. 제 3 층 (8) 의 두께가 상기 범위 내이면 컬의 억제가 우수하다. 제 3 층 (8) 의 두께는 예를 들어, 3 ∼ 25 ㎛ 가 바람직하고, 5 ∼ 12 ㎛ 가 보다 바람직하고, 7 ∼ 12 ㎛ 가 특히 바람직하다.
제 3 층 (8) 을 구성하는 수지 (이하, 제 3 층용 수지라고도 한다) 로는, 이형 필름 (1) 의 금형으로부터의 이형성, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성 등의 점에서, 불소 수지, 아크릴 고무, 열 경화성 실리콘, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리스티렌, 에틸렌/비닐알코올 공중합체 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
불소 수지, 폴리스티렌, 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로는 각각, 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
폴리에스테르로는, 내열성, 강도의 점에서, PET, 성형 용이 PET, PBT, 폴리나프탈렌테레프탈레이트가 바람직하다.
폴리아미드로는, 내열성, 강도, 가스 배리어성의 점에서, 나일론 6, 나일론 MXD6 이 바람직하다. 폴리아미드는 연신된 것이어도 되고 연신되어 있지 않은 것이어도 된다.
이들은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 3 층용 수지로는, 상기 중에서도, 불소 수지 및 융점 200 ℃ 이상의 폴리올레핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
제 3 층 (8) 은, 제 3 층용 수지만으로 이루어지는 것이어도 되고, 무기계 첨가제, 유기계 첨가제 등의 첨가물이 배합되어 있어도 된다. 무기계 첨가제, 유기계 첨가제로는 각각 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
이형 필름 (5) 에 있어서, 제 1 층 (6) 과 제 2 층 (7) 은, 직접 적층해도 되고, 도시되지 않은 접착층을 개재하여 적층해도 된다. 동일하게, 제 2 층 (7) 과 제 3 층 (8) 은, 직접 적층해도 되고, 도시하지 않은 접착층을 개재하여 적층해도 된다.
＜이형 필름의 표면 형상＞
이형 필름 (5) 의, 경화성 수지의 경화시에 경화성 수지와 접하는 면, 즉 제 1 층 (6) 측의 표면 (6a) 은, 평활해도 되고, 이형성을 높이기 위한 요철이 형성되어 있어도 된다. 또한, 이형 필름 (5) 의, 경화성 수지의 경화시에 금형의 상금형과 접하는 면, 즉 제 3 층 (8) 측의 표면 (8a) 은, 평활해도 되고, 이형성을 높이기 위한 요철이 형성되어 있어도 된다. 평활한 경우의 표면의 산술 평균 거칠기 (Ra) 는, 0.01 ∼ 0.2 ㎛ 가 바람직하고, 0.05 ∼ 0.1 ㎛ 가 특히 바람직하다.
요철이 형성되어 있는 경우의 표면의 Ra 는, 1.5 ∼ 2.1 ㎛ 가 바람직하고, 1.6 ∼ 1.9 ㎛ 가 특히 바람직하다. 요철이 형성되어 있는 경우의 표면 형상은, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 랜덤으로 분포된 형상이어도 되고, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 규칙적으로 배열된 형상이어도 된다. 또한, 복수의 볼록부 및/또는 오목부의 형상이나 크기는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 볼록부, 오목부, 철조, 돌기 또는 구멍의 구체예로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
이형 필름 (5) 에 있어서는, 표면 (6a) 및 표면 (8a) 의 양방이 평활해도 되고, 표면 (6a) 및 표면 (8a) 의 양방에 요철이 형성되어 있어도 되고, 표면 (6a) 및 표면 (8a) 중 일방이 평활하고 타방에 요철이 형성되어 있어도 된다. 표면 (6a) 및 표면 (8a) 의 양방에 요철이 형성되어 있는 경우, 각 표면의 Ra 나 표면 형상은 동일해도 되고 상이해도 된다.
이형 필름 (5) 의 금형으로부터의 이형성의 관점에서는, 제 3 층 (8) 측의 표면 (8a) 에 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
＜이형 필름의 두께＞
이형 필름 (5) 의 두께는, 18 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 30 ∼ 75 ㎛ 가 특히 바람직하다. 두께의 상기 범위의 하한치, 상한치 각각의 바람직한 이유는 이형 필름 (1) 의 경우와 동일하다.
＜이형 필름 (5) 의 제조 방법＞
이형 필름 (5) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 다층 필름의 제조 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어 2 층 구성을 3 층 구성으로 하는 것 이외에는 이형 필름 (1) 과 동일하게 하여 제조할 수 있다.
이상, 이형 필름 (I) 에 대하여, 제 1, 제 2 실시형태를 나타내어 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 상기 실시형태에 있어서의 각 구성 및 그들의 조합 등은 일례이고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다.
예를 들어, 제 1 실시형태의 이형 필름 (1) 은, 제 1 층 (2) 과 제 2 층 (3) 사이에, 필요에 따라 형성되는 접착층 이외의 다른 층을 추가로 가져도 된다. 동일하게, 제 2 실시형태의 이형 필름 (5) 은, 제 1 층 (6) 과 제 2 층 (7) 사이나, 제 2 층 (7) 과 제 3 층 (8) 사이에, 필요에 따라 형성되는 접착층 이외의 다른 층을 추가로 가져도 된다. 다른 층으로는, 예를 들어, 가스 배리어층 등을 들 수 있다. 가스 배리어층으로는, 예를 들어, 금속층, 금속 증착층, 금속 산화물 증착층 등을 들 수 있다.
본 발명의 효과의 점에서는, 경화성 수지와 접하는 제 1 층과, 제 2 층 사이에는, 접착층 이외의 다른 층을 갖지 않는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 층과 제 2 층이, 직접 적층하거나, 또는 접착층을 개재하여 적층하는 것이 바람직하다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 기재에 의해서는 한정되지 않는다. 후술하는 예 1 ∼ 18 중, 예 1 ∼ 16 은 실시예이고, 예 17 ∼ 18 은 비교예이다. 각 예에서 사용한 재료 및 평가 방법을 이하에 나타낸다.
[사용 재료]
ETFE (1) : 제조예 1 에서 제조한, 테트라플로로에틸렌/에틸렌/PFBE = 52.5/46.3/1.2 (몰비) 의 공중합체 (MFR 은 12 g/10 분).
ETFE (2) : 제조예 2 에서 제조한, 테트라플로로에틸렌/에틸렌/PFBE = 56.3/40.2/3.5 (몰비) 의 공중합체 (MFR 은 12.5 g/10 분).
＜제조예 1 : ETFE (1) 의 제조＞
내용적이 1.3 ℓ 인 교반기가 부착된 중합조를 탈기하여, 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 881.9 g, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판 (상품명 「AK225cb」 아사히 유리사 제조, 이하, AK225cb 라고 한다) 의 335.5 g, CH2=CHCF2CF2CF2CF3 (PFBE) 의 7.0 g 을 주입하고, TFE 의 165.2 g, 에틸렌 (이하, E 라고 한다) 의 9.8 g 을 압입하고, 중합조 내를 66 ℃ 로 승온하고, 중합 개시제 용액으로서 터셔리 부틸퍼옥시피발레이트 (이하, PBPV 라고도 한다) 의 1 질량％ 의 AK225cb 용액의 7.7 ㎖ 를 주입하고, 중합을 개시시켰다.
중합 중 압력이 일정해지도록 TFE/E = 54/46 의 몰비의 모노머 혼합 가스를 연속적으로 주입하였다. 또한, 모노머 혼합 가스의 주입에 맞추어, TFE 와 E 의 합계 몰수에 대하여 1.4 몰％ 에 상당하는 양의 PFBE 를 연속적으로 주입하였다. 중합 개시로부터 2.9 시간 후, 모노머 혼합 가스의 100 g 을 주입한 시점에서, 중합조 내온을 실온까지 강온함과 함께 중합조의 압력을 상압까지 퍼지하였다.
그 후, 얻어진 슬러리를 유리 필터로 흡인 여과하고, 고형분을 회수하여 150 ℃ 에서 15 시간 건조시킴으로써, ETFE (1) 의 105 g 을 얻었다.
＜제조예 2 : ETFE (2) 의 제조＞
중합조의 내용적을 1.2 ℓ 로 하고, 중합을 개시시키기 전에 주입하는 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 양을 881.9 g 으로부터 0 g 으로, AK225cb 의 양을 335.5 g 으로부터 291.6 g 으로, PFBE 의 양을 7.0 g 으로부터 16.0 g 으로, TFE 의 양을 165.2 g 으로부터 186.6 g 으로, E 의 양을 9.8 g 으로부터 6.4 g 으로, PBPV 의 1 질량％ 의 AK225cb 용액의 양을 5.8 ㎖ 로부터 5.3 ㎖ 로 각각 변경하고, 중합 중에 연속적으로 주입하는 모노머 혼합 가스의 TFE/E 의 몰비를 54/46 으로부터 58/42 로, PFBE 의 양을 (TFE 와 E 의 합계 몰수에 대하여) 0.8 몰％ 로부터 3.6 몰％ 로 변경하고, 중합 개시로부터 3 시간 후, 모노머 혼합 가스 90 g 을 주입한 시점에서 중합조 내온을 실온까지 강온한 것 이외에는 제조예 1 과 동일하게 하여, ETFE (2) 의 90 g 을 얻었다.
＜열 가소성 수지 필름＞
ETFE 필름 (1-1) : 두께 16 ㎛. 편면은 요철이 있고, 편면의 Ra 가 0.5, 반대면의 Ra 가 0.1 이다. ETFE 필름 (1-1) 은, 이하의 순서로 제조하였다.
ETFE (1) 을, 필름의 두께가 16 ㎛ 가 되도록 립 개도를 조정한 압출기에 의해, 320 ℃ 에서 용융 압출을 하였다. 원형 롤, 제막 속도, 닙 압력을 조정하여, ETFE 필름을 제조하였다.
ETFE 필름 (1-2) : 두께 12 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. 각 조건을 조정한 것 이외에는 ETFE 필름 (1-1) 과 동일하게 하여 제조하였다.
ETFE 필름 (1-3) : 두께 25 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. 각 조건을 조정한 것 이외에는 ETFE 필름 (1-1) 과 동일하게 하여 제조하였다.
ETFE 필름 (1-4) : 두께 50 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. 각 조건을 조정한 것 이외에는 ETFE 필름 (1-1) 과 동일하게 하여 제조하였다.
ETFE 필름 (1-5) : 두께 3 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. 각 조건을 조정한 후, T 다이로부터 나온 용융된 ETFE (1) 이, 원형 롤 상에서 PET 필름과 접촉하고, PET 필름과 함께 권취되도록 제막한 것 이외에는 ETFE 필름 (1-1) 과 동일하게 하여 제조하였다.
ETFE 필름 (2-1) : 두께 12 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. ETFE (1) 대신에 ETFE (2) 를 사용하고, 각 조건을 조정한 것 이외에는, ETFE 필름 (1-1) 과 동일하게 하여 제조하였다.
PET 필름 (1) : 두께 12 ㎛. 「테이진 테트론 NS」 (테이진 듀퐁 필름사 제조) 의 두께 12 ㎛ 의 것을 사용하였다. 유리 전이 온도 : 118 ℃. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
PET 필름 (2) : 두께 16 ㎛. 「다이아 호일 H500」 (미츠비시 수지사 제조) 의 두께 16 ㎛ 의 것을 사용하였다. 유리 전이 온도 : 118 ℃. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
PET 필름 (3) : 두께 25 ㎛. 「다이아 호일 H500」 (미츠비시 수지사 제조) 의 두께 25 ㎛ 의 것을 사용하였다. 유리 전이 온도 : 118 ℃. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
성형 용이 PET 필름 : 두께 25 ㎛. 「테플렉스 FT3PE」 테이진 듀퐁 필름사 제조를 사용하였다. 유리 전이 온도 : 86 ℃. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
무연신 나일론 필름 : 두께 20 ㎛. 「다이아미론 C-Z」 (미츠비시 수지사 제조) 를 사용하였다. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다.
2 축 연신 나일론 필름 : 두께 12 ㎛. 「하덴 N1100」 (토요보사 제조) 을 사용하였다. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
PTFE 필름 : 두께 50 ㎛. 「니토플론 PTFE 900UL」 (닛토 전공사 제조) 을 사용하였다. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.2 이다.
폴리메틸펜텐 필름 : 두께 12 ㎛. 양면이 평활하고, 양면의 Ra 가 0.1 이다. 폴리메틸펜텐 필름은, 이하의 순서로 제조하였다.
폴리메틸펜텐 수지 「TPX MX004」 (미츠이 화학사 제조) 를 두께 12 ㎛ 가 되도록 립 개도를 조정한 T 다이를 설치한 압출기에 의해, 280 ℃ 에서 용융 압출하였다. 원형 롤, 제막 속도, 닙 압력을 조정하여 폴리메틸펜텐 필름을 얻었다.
PBT 필름 (1) : 두께 38 ㎛. 편면의 Ra 가 1.2, 반대면의 Ra 가 0.1 이다. 「노바 듀랑 5020」 (미츠비시 엔지니어링 플라스틱사 제조) 을 두께가 38 ㎛ 가 되도록 립 개도를 조정한 T 다이를 설치한 압출기에 의해, 280 ℃ 에서 용융 압출을 하고, 원형 롤, 제막 속도, 닙 압력을 조정하여 제조하였다.
PBT 필름 (2) : 두께 38 ㎛. 편면의 Ra 가 1.2, 반대면의 Ra 가 0.1 이다. 「노바 듀랑 5505S」 (미츠비시 엔지니어링 플라스틱사 제조) 를 두께가 38 ㎛ 가 되도록 립 개도를 조정한 T 다이를 설치한 압출기에 의해, 280 ℃ 에서 용융 압출을 하고, 원형 롤, 제막 속도, 닙 압력을 조정하여 제조하였다.
각 필름에 있어서, Ra 가 작은 면을 드라이 라미네이트에 있어서의 첩합면으로 하였다. 또한, 각 필름의 드라이 라미네이트에 있어서의 첩합면의, ISO 8296 : 1987 (JIS K 6768 : 1999) 에 기초하는 젖음 장력이 40 mN/m 이하인 경우, 40 mN/m 이상이 되도록, 코로나 처리를 실시하였다.
＜접착층＞
각 필름을 첩합하는 드라이 라미네이트 공정에서 사용하는 접착제로는, 이하의 우레탄계 접착제 A 를 사용하였다.
[우레탄계 접착제 A]
주제 : 크리스본 NT-258 (DIC 사 제조). 경화제 : 콜로네이트 2096 (닛폰 폴리우레탄 공업사 제조). 주제와 경화제를, 고형분에서의 질량비 (주제 : 경화제) 가 10 : 1 이 되도록 혼합하고, 희석제로서 아세트산에틸을 사용하였다.
[평가 방법]
＜두께＞
접촉식 두께계 DG-525H (오노 측기사 제조) 로, 측정자 AA-026 (Φ10 ㎜ SR7) 을 사용하여, 원반을 폭 방향으로 거리가 동일해지도록 두께를 10 점 측정하고, 그 평균치를 두께로 하였다.
＜180 ℃ 인장 저장 탄성률＞
동적 점탄성 측정 장치 솔리드 L-1 (도요 정기사 제조) 을 이용하여, ISO 6721-4 : 1994 (JIS K 7244-4 : 1999) 에 기초하여 저장 탄성률 E' 를 측정하였다. 샘플 측정 사이즈는 폭 8 ㎜ × 길이 20 ㎜, 주파수는 10 ㎐, 정적력은 0.98 N, 동적 변위는 0.035 ％ 로 하고, 온도를 20 ℃ 부터 180 ℃ 까지, 2 ℃／분의 속도로 상승시켜, 180 ℃ 의 값에 있어서 측정한 E' 를, 180 ℃ 인장 저장 탄성률로 하였다.
＜리드 프레임 흠집·패임＞
각 예에서 제조한 패키지의 리드 프레임에 대하여, 돌기를 접촉시킨 부분에 패임이나 흠집을 볼 수 있는지 여부를 육안으로 확인하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○ (양호) : 흠집도 패임도 볼 수 없다.
× (불량) : 흠집이나 패임을 볼 수 있다.
＜수지 버＞
각 예에서 제조한 패키지의 리드 프레임에 대하여, 돌기를 접촉시킨 부분 (접촉 부위) 을 디지털 광학 현미경으로 관찰하고, 당해 접촉 부위를 사진 촬영 후, 사진을 메시 분할하고, 수지 버가 보이는 메시의 수로부터 수지 버 발생 비율 (％) 을 구하였다. 그 결과를 이하의 기준으로 평가하였다.
○ (양호) : 10 ％ 이하.
△ (가능) : 30 ％ 이하 10 ％ 초과.
× (불량) : 30 ％ 초과.
＜이형 필름 파고듦＞
각 예에서 제조한 패키지의 패키지 본체에 대하여, 이형 필름이 파고든 형적을 볼 수 있는지 여부를 육안으로 확인하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○ (양호) : 이형 필름의 파고듦은 볼 수 없었다.
△ (가능) : 약간의 이형 필름의 파고듦이 있고, 리드 프레임과 패키지 본체의 계면에 패임을 볼 수 있었다.
× (불량) : 이형 필름이 완전하게 패키지 본체에 파고들어, 이형되지 않았다.
[예 1]
(이형 필름의 제조)
PBT 필름 (1) 의 Ra 가 0.1 인 면에, 그라비아 코트로 우레탄계 접착제 A 를 0.5 g/㎡ 로 도공하고, ETFE 필름 (1-2) 의 코로나 처리면을 드라이 라미네이트로 첩합하여 이형 필름을 얻었다. 드라이 라미네이트 조건은, 기재 폭 1,000 ㎜, 반송 속도 20 m/분, 건조 온도 80 ∼ 100 ℃, 라미네이트 롤 온도 25 ℃, 롤 압력 3.5 ㎫ 로 하였다.
(트랜스퍼 성형법에 의한 패키지의 제조)
Φ 5 ㎜ 의 원형 형상의 볼록부가 500 개 붙은 상금형과, 리드 프레임을 세트한 하금형을 180 ℃ 로 가열하여 준비하고, 이형 필름을 상금형에 세트한 후, 진공 펌프에 의해 상금형과 이형 필름 사이의 공기를 흡인 배출하여 이형 필름을 상금형에 흡착하였다. 그 후, 하금형을 이동시켜, 상금형의 볼록부와 리드 프레임의 노출시키고자 하는 부분이 이형 필름을 개재하여 접촉할 때까지 클램프하고, 수지를 유동시켰다. 이에 의해, 상금형과 하금형 사이의 공간에 수지가 충전되고 경화하여 패키지 본체가 형성되고, 리드 프레임과 패키지 본체로 이루어지는 패키지를 얻었다. 이 패키지는, Φ 5 ㎜ 의 원형 형상의 오목부를 500 개 갖고, 오목부의 저면에 리드 프레임의 일부가 노출된 것이었다. 또한, 수지의 사출 압력은, 각각의 이형 필름에 있어서, 중공 패키지의 형상이 전사되는 최소의 사출 압력으로 하고, 클램프압은, 수지 버가 경감되는 최소의 압력으로 하였다. 수지로는, 스미콘 EME G770H type F ver.GR (스미토모 베이크라이트사 제조) 을 사용하였다.
[예 2 ∼ 6, 8]
표 1 의 필름 구성이 되도록 재료를 선정한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 이형 필름을 얻었다.
얻어진 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 7]
PBT 필름 (1) 의 Ra 가 0.1 인 면에, 그라비아 코트로 우레탄계 접착제 A 를 0.5 g/㎡ 로 도공하고, ETFE 필름 (1-5) 의 코로나 처리면을, PET 필름 (1-1) 과 적층된 상태로 첩합하고, PET 필름 (1-1) 을 박리하여 이형 필름을 얻었다.
얻어진 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 9]
PET 필름 (1) 의 편면에, 그라비아 코트로 우레탄계 접착제 A 를 0.5 g/㎡ 로 도공하고, ETFE 필름 (1-2) 의 코로나 처리면을 첩합하였다. 또한 반대면에도 ETFE 필름 (1-2) 를 동일하게 하여 첩합하고, 이형 필름을 얻었다.
얻어진 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 10 ∼ 14]
표 2 의 필름 구성이 되도록 재료를 선정한 것 이외에는, 예 9 와 동일하게 하여 이형 필름을 얻었다.
얻어진 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 15]
이형 필름으로서 ETFE 필름 (1-4) 를 사용하였다.
그 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 16]
이형 필름으로서 PTFE 필름 (1) 을 사용하였다.
그 이형 필름을 사용하여 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 17]
이형 필름을 이용하지 않고, 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조하였다.
[예 18]
패키지 하면부의 높이와 동등한 두께를 갖는 플랫 형상의 PTFE 필름을 에칭 등에 의해 가공하여, 패키지 하면부에 대응하는 위치에 볼록부를 남기도록 함으로써 이형 필름 (볼록부 형성 이형 필름) 을 얻는다.
상금형으로서 볼록부를 갖지 않는 것을 사용하고, 얻어진 이형 필름의 볼록부를 리드 프레임에 접촉시킨 예 1 과 동일하게 하여 패키지를 제조한다.
예 1 ∼ 16 및 18 의 이형 필름의 필름 구성, 제 2 층의 180 ℃ 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱 (180 ℃ 인장 저장 탄성률 × 두께), 제 1 층 및 제 3 층의 180 ℃ 인장 저장 탄성률, 평가 결과 (리드 프레임의 흠집·패임, 수지 버, 이형 필름 파고듦) 를 표 1 ∼ 3 에 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
상기 결과에 나타내는 바와 같이, 예 1 ∼ 16 에서는, 리드 프레임의 흠집이나 패임을 볼 수 없고, 수지 버도 충분히 방지되어 있었다. 또한, 패키지 본체의 이형 필름의 파고듦을 방지할 수 있었다. 한편, 이형 필름을 이용하지 않고, 상금형의 볼록부를 직접 리드 프레임에 접촉시킨 예 17 에서는, 얻어진 패키지의 리드 프레임에 흠집이나 패임을 볼 수 있고, 수지 버도 많았다.
볼록부가 일체적으로 형성된 이형 필름을 사용한 예 18 에서는, 이형 필름 파고듦의 평가에서 이형 필름이 패키지 본체에 완전하게 파고들어, 패키지를 이형할 수 없다.
예 1 ∼ 16 중, 예 5, 8, 12, 15 에서는, 약간의 이형 필름의 파고듦을 볼 수 있었지만, 예 1 ∼ 4, 6 ∼ 7, 9 ∼ 11, 13 ∼ 14, 16 에서는, 이형 필름 파고듦의 평가에서, 이형 필름의 파고듦을 볼 수 없어 양호하였다.
예 1 ∼ 4, 6 ∼ 7, 9 ∼ 11, 13 ∼ 14, 16 의 결과가 예 5, 12 보다 우수한 이유로는, 제 2 층의 180 ℃ 인장 저장 탄성률 × 두께가, 예 5, 12 와 비교하여 크기 때문에, 이형 필름이 비교적 단단하여, 클램프시에 잘 무너지지 않는 것을 생각할 수 있다.
예 1 ∼ 4, 6 ∼ 7, 9 ∼ 11, 13 ∼ 14, 16 의 결과가 예 8 보다 우수한 이유로는, 제 1 층의 두께가 예 8 과 비교하여 얇기 때문에, 클램프시에 제 1 층이 무너졌을 때의 두께의 변화율이 비교적 작은 것을 생각할 수 있다.
예 1 ∼ 4, 6 ∼ 7, 9 ∼ 11, 13 ∼ 14, 16 의 결과가 예 15 보다 우수한 이유로는, 이형 필름이, 제 2 층을 구비함으로써, 제 1 층뿐 (ETFE 의 단층 필름) 인 예 15 와 비교하여 단단하기 때문에, 클램프시에 잘 무너지지 않는 것, 및 제 1 층의 두께가 예 15 와 비교하여 얇기 때문에, 무너졌을 때의 두께의 변화율이 비교적 작은 것을 생각할 수 있다.
예 1 ∼ 16 중, 예 7, 11, 16 에서는, 수지 버 발생 비율이 30 ％ 이하 10 ％ 초과였지만, 예 1 ∼ 6, 8 ∼ 10, 12 ∼ 15 에서는, 수지 버 발생 비율이 10 ％ 이하였다.
예 1 ∼ 6, 8 ∼ 10, 12 ∼ 15 의 결과가 예 7 의 결과보다 우수한 이유로는, 제 1 층의 두께가 예 7 과 비교하여 두껍기 때문에, 클램프시에 무너지기 쉬운 경향이 있는 것을 생각할 수 있다.
예 1 ∼ 6, 8 ∼ 10, 12 ∼ 15 의 결과가 예 11 의 결과보다 우수한 이유로는, 제 2 층의 180 ℃ 인장 저장 탄성률 × 두께가 예 11 과 비교하여 작기 때문에, 이형 필름이 비교적 부드럽고, 클램프시에 무너지기 쉬운 경향이 있는 것을 생각할 수 있다.
예 1 ∼ 6, 8 ∼ 10, 12 ∼ 15 의 결과가 예 16 의 결과보다 우수한 이유로는, 접촉 부위와 접하는 제 1 층이 PTFE 필름과 비교하여 부드럽기 때문에, 클램프시에 이형 필름이 무너지기 쉽고, 이형 필름과 접촉 부위의 밀착성이 높아지는 경향이 있는 것을 생각할 수 있다.
이들 결과로부터, 상기의 패키지의 제조에 사용하는 이형 필름으로는, 예 1 ∼ 4, 6, 9 ∼ 10, 13 ∼ 14 에서 사용한 것과 같은, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 10 ∼ 50 ㎫ 이고 두께가 5 ∼ 12 ㎛ 인 제 1 층과, 180 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률 (㎫) 과 두께 (㎛) 의 곱이 3,000 ∼ 8,000 인 제 2 층을 구비하는 이형 필름이 특히 바람직한 것을 확인할 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법은, 고체 촬상 소자나, MEMS 등의 반도체 소자를 탑재하는, 특히 중공 구조의 반도체 소자 실장용 패키지를 제조하는 방법으로서 광범위한 분야에서 사용된다.
또한, 2014년 3월 7일에 출원된 일본 특허 출원 2014-045466호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
1 ; 이형 필름,
2 ; 제 1 층,
2a ; 표면,
3 ; 제 2 층,
3a ; 표면,
5 ; 이형 필름,
6 ; 제 1 층,
6a ; 표면,
7 ; 제 2 층,
8 ; 제 3 층,
8a ; 표면,
10 ; 기재,
10a ; 실장면,
10A ; 기재,
12 ; 패키지 본체,
12A ; 경화물,
14 ; 오목부,
16 ; 기재,
16a ; 이너 리드,
16b ; 아우터 리드,
16c ; 다이 패드,
18 ; 패키지 본체,
18a ; 프레임상부,
18b ; 저부,
19 ; 경화물,
20 ; 오목부,
30 ; 이형 필름,
40 ; 경화성 수지,
50 ; 상금형,
52 ; 하금형,
54 ; 캐비티,
56 ; 볼록부,
58 ; 기재 설치부,
60 ; 수지 도입부,
62 ; 수지 배치부,
64 ; 플런저,
110 ; 반도체 소자 실장용 패키지,
120 ; 반도체 소자 실장용 패키지,
200 ; 볼록부,
202 ; 상금형,
204 ; 하금형,
206 ; 리드 프레임,
208 ; 수지,
210 ; 이형 필름,
212 ; 볼록부,
214 ; 제방

Claims (1)

  1. 본원 발명의 설명에 기재된 반도체 소자 실장용 패키지의 제조 방법.
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US10630876B2 (en) * 2016-02-18 2020-04-21 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array imaging module and molded photosensitive assembly, circuit board assembly and manufacturing methods thereof for electronic device
CN107466159B (zh) * 2016-06-06 2022-07-19 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板及其制造设备和制造方法
CN107466160B (zh) * 2016-06-06 2022-04-29 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组的模塑电路板的制造设备及其制造方法
JP2017222125A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 住友ベークライト株式会社 繊維強化樹脂成形物の製造方法
US10659664B2 (en) 2016-08-01 2020-05-19 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded circuit board assembly and manufacturing method thereof
JP7048573B2 (ja) * 2016-08-01 2022-04-07 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 カメラモジュールおよびそのモールド回路基板組立体とモールド感光組立体並びに製造方法
US10257925B2 (en) 2017-04-10 2019-04-09 Tactotek Oy Method for manufacturing an electronic assembly
JP6742273B2 (ja) * 2017-05-18 2020-08-19 アピックヤマダ株式会社 モールド金型及び樹脂モールド方法
CN108560191B (zh) * 2017-06-29 2020-08-11 南通大学 结构合理的可调直径和浮力的洗衣机用减缠绕防偏载器
FR3069476A1 (fr) * 2017-07-31 2019-02-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'une piece moulee dotee d'au moins un dispositif electromecanique
JP7104776B2 (ja) * 2017-08-14 2022-07-21 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 イメージングアセンブリとその製造方法、及びモールド金型、撮像モジュールとスマート端末
CN109387915A (zh) * 2017-08-14 2019-02-26 宁波舜宇光电信息有限公司 成像组件及其制作方法以及模塑模具、摄像模组和智能终端
CN112292264B (zh) * 2018-06-22 2023-10-20 小林股份有限公司 离型膜以及离型膜的制造方法
JP6562532B1 (ja) * 2018-06-22 2019-08-21 株式会社コバヤシ 離型フィルム及び離型フィルムの製造方法
CN112292263A (zh) * 2018-06-22 2021-01-29 小林股份有限公司 离型膜以及离型膜的制造方法
CN109920779B (zh) * 2019-03-19 2020-11-24 吴静雯 一种封装产品电磁屏蔽层的制备方法及封装产品
CN109926566A (zh) * 2019-04-03 2019-06-25 上海迈铸半导体科技有限公司 一种结合微电子机械和铸造的金属沉积方法
DE102019205799A1 (de) * 2019-04-23 2020-10-29 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dämpferstrukturen an einem mikromechanischen Wafer
CN112238626B (zh) * 2019-07-18 2024-01-30 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 一种灌注成型方法及其成型品
CN113104277B (zh) * 2020-10-29 2023-03-28 山东零度供应链有限公司 一种包装工程用楔入式包装机构
CN114211668B (zh) * 2021-12-13 2024-04-26 上海空间电源研究所 一种无尾罩电连接器线缆环氧胶灌封工艺方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128354A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Mitsui Chemicals Inc 樹脂製中空パッケージとその製造方法
JP2007081307A (ja) 2005-09-16 2007-03-29 Yoshikawa Kogyo Co Ltd 面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法
JP2010010227A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Mitsui Chemicals Inc 半導体素子実装用中空パッケージ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH408729A (de) 1962-02-26 1966-02-28 Rieter Ag Maschf Elektrohydraulische Steuerung der Ringbankbewegung einer Ringzwirnmaschine
EP1213305B1 (en) * 1999-09-13 2005-03-30 Asahi Glass Company Ltd. Tetrafluoroethylene / ethylene copolymer and film thereof
CN100526066C (zh) * 2004-05-27 2009-08-12 三菱树脂株式会社 脱模用层压膜
SG171589A1 (en) * 2006-04-25 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd Release film for semiconductor resin molds
WO2010023907A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 三井化学株式会社 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法
JP5297233B2 (ja) * 2009-03-09 2013-09-25 三井化学株式会社 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法
US7920380B2 (en) * 2009-07-15 2011-04-05 Teradyne, Inc. Test slot cooling system for a storage device testing system
US9056938B2 (en) * 2009-08-26 2015-06-16 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
JPWO2011037034A1 (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 旭硝子株式会社 離型フィルムおよび発光ダイオードの製造方法
WO2011129407A1 (ja) * 2010-04-16 2011-10-20 旭硝子株式会社 含フッ素共重合体組成物の製造方法、コーティング用組成物、塗膜を有する物品、および成形品
EP2800148B1 (en) * 2011-12-28 2018-04-04 Mitsubishi Chemical Corporation Protective sheet
JP5923001B2 (ja) * 2012-07-05 2016-05-24 三井化学東セロ株式会社 リフレクタ成形用金型離型フィルム、それを用いたリフレクタを有する発光装置用基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128354A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Mitsui Chemicals Inc 樹脂製中空パッケージとその製造方法
JP2007081307A (ja) 2005-09-16 2007-03-29 Yoshikawa Kogyo Co Ltd 面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法
JP2010010227A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Mitsui Chemicals Inc 半導体素子実装用中空パッケージ

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