JP2007081307A - 面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法 - Google Patents

面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体素子を装着するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体の底面部分に、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部が設けられている面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法において、成形金型に凸部を形成することなく、パッケージ下面部の寸法、形状の変化に柔軟かつ容易に対応できるようにし、しかも、樹脂バリの発生を抑制できるようにすること。
【解決手段】成形金型5表面とリードフレーム8との間に離型フィルム9を介在させ、この離型フィルムにパッケージ下面部に対応する凸形状9aを形成することで、パッケージ下面部を形成するようにした。また、離型フィルム9を樹脂バリの発生を抑制するためのシール材としても利用するようにした。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体素子を装着するための面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法に関する。
近年、固体撮像素子などの半導体素子を搭載する中空構造の半導体パッケージ(以下「中空パッケージ」という。)では、低コスト化を目的としてパッケージベース(パッケージ本体)に樹脂を採用したものが知られている。また、パッケージ構造としては、DIP(Dual Inline Package)が主流であるが、近年、表面実装タイプのSOP(Small Outline Package)やQFP(Quad Flat Package)が採用されるようになり、さらにはSON(Small Outline Non Leaded Package)、QFN(Quad Flat Non Leaded Package)といったリードレス化されたパッケージ構造も検討され始めている。これは中空パッケージに小型化、薄型化が要求されてきているためであり、中空パッケージの面実装技術も検討が進んでいる。
一方で、固体撮像素子などの半導体素子は高密度化が進んでおり、それに伴って、中空パッケージに組み込んで作動させた場合に発生する熱が増加している。発生する熱が増加すると半導体素子そのものの機能を低下させる虞があり、中空パッケージから放熱できる構造が強く望まれている。しかしながら、低コスト化を目的とした樹脂製中空パッケージではパッケージベースである樹脂の熱伝導性が、セラミックス製中空パッケージと比較して低く、放熱性が低い点が課題とされている。
この樹脂製中空パッケージの放熱効果を高めるために、特許文献1に開示された技術では、金属板等の熱伝導率の高い材料をその中空部の半導体チップボンディング部の底面又はそれより内部に埋設することで、中空部から中空パッケージの底面までの熱伝導性を高め、半導体素子より発生する熱を効果的に放熱する構造が提案されている。
この構造によれば、半導体素子より発生する熱を中空パッケージの底面に効率よく伝えることは可能である。ただし、中空パッケージの底面から放熱するには、中空パッケージ底面近傍で空気の対流を発生させ熱を逃がす必要がある。つまり、中空パッケージ底面近傍には空気層がないと効果的な放熱は望めない。
これに対して特許文献2には、樹脂パッケージに埋設されたパッド(金属板)部から基台部(中空部の内底面)の外周までに放熱孔を設けて熱放散を高める構造が提案されている。この放熱孔は、成形金型の上金型及び下金型を用いたモールド処理を行うに当って、下金型に丸型や十字型等、放熱効果を考慮した放熱孔用凸部を設けて形成される。
また、本願出願人は、特願2005−93644において、面実装タイプ樹脂製中空パッケージにおいて、その底面部分にパッケージ本体の底面部よりも中空部側に位置するパッケージ下面部を設ける構造を提案している。
図1は、この構造を有する面実装タイプ樹脂製中空パッケージを示す断面図である。同図に示すように、樹脂製のパッケージ本体1の底面部分にその底面(以下「パッケージ底面」という。)2よりも中空部3側に凹むようにパッケージ下面部4が設けられている。このパッケージ下面部は、パッケージ本体1を構成する樹脂成形体に囲繞され、少なくとも中空部3の底面に装着される半導体素子(図示せず)の底面と同じ大きさを有するように設けられている。
この図1の構造によれば、実装後でも基板とパッケージ下面部との間に隙間が発生し、空気層が確保されるので効果的な放熱が可能となる。さらに、少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有するパッケージ下面部を樹脂成形体で囲繞するように設けているので、放熱性を高めるだけでなく、従来の面実装タイプパッケージで問題となっていた実装時の接合安定性の問題も解消できる。
すなわち、従来の面実装タイプパッケージでは、半導体装置として完成した時点、あるいは実装時の熱ストレスが負荷された際に、パッケージ底面が基板に向かって凸構造に膨らんだり、反ったりすることが懸念され、その場合、パッケージ底面が基板を突き上げ、基板との実装箇所である半田などの実装ペーストに剥離や亀裂(半田クラック)を発生させる虞があったが、図1の構造では、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部を設けており、パッケージ底面が基板に向かって凸構造に膨らんだり、反ったりしても、基板とパッケージ底面(パッケージ下面部)が接触せず、半田クラックが発生することもなく、実装時の接合安定性を向上させることができる。
このように、本願出願人が特願2005−93644において提案した図1に示すような面実装タイプ樹脂製中空パッケージは、優れた放熱性と実装時の接合安定性を有しており、その生産性の向上が望まれている。
図11は、図1に示す面実装タイプ樹脂製中空パッケージの従来の製造方法を示す断面図である。この従来の製造方法では、凸部5aを設けた成形金型を上金型5とし、キャビティ6aを設けた成形金型を下金型6として使用する。そして、金属板7を備えたリードフレームを上金型6及び下金型7でクランプし、キャビティ6a内に熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を充填して樹脂封止する。このとき、上金型5に設けた凸部5aにより、図1に示したパッケージ下面部4が形成される。
しかし、この製造方法において、パッケージ下面部4の形状は、上金型5に設けた凸部5aの形状により一義的に決まるため、パッケージ下面部の形状あるいは高さ寸法を変えるには、多数の寸法違いの凸部を形成した上金型を新規に製作する必要がある。
また、同じ上金型を使用して同一形状のパッケージ下面部を形成する場合であっても、金属板7の厚みのバラツキ、例えば、金属板7の厚みが薄い場合、金属板7の表面とこれに対向する上金型5の凸部5a面との間に隙間が生じ、金属板7の表面に樹脂バリが発生しやすいという問題がある。また、金属板7の厚みが厚い場合、上金型5とリードフレーム8の実装端子面8aとの間に隙間が生じ、実装端子面8aに樹脂バリが発生しやすいという問題がある。とくに、図1に示すような面実装タイプの場合、実装端子面8aとパッケージ底面2の樹脂面とが面一状に形成されるため、実装端子面8aに樹脂バリが発生しやすい。
このような樹脂バリの発生を抑制する方法として、特許文献3には、上金型とリードフレームとの間に封止テープを介在させた状態で上下金型をクランプし、キャビティ内に樹脂を注入する成形方法が提案されている。
しかし、特許文献3の方法は、上金型の金型面が平面であることを前提としたものであり、図11に示したような凸部を設けた上金型に適用した場合、上述した金属板7の厚みのバラツキ等に起因する樹脂バリの発生には充分な抑止効果を発揮できないことがある。さらに、図1に示したようなパッケージ下面部を有する面実装タイプ樹脂製中空パッケージにおいて、そのパッケージ下面部の形状や高さ寸法を変えるには、やはり凸部形状の異なる上金型を新規に製作する必要がある。
特開平4−162462号公報 特開平9−107054号公報 特開2000−124239号
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子を装着するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体の底面部分に、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部が設けられている面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法において、成形金型に凸部を形成することなく、パッケージ下面部の寸法、形状の変化に柔軟かつ容易に対応できるようにし、しかも、樹脂バリの発生を抑制できるようにすることにある。
上記課題を解決するため、本発明は、成形金型表面とリードフレームとの間に離型フィルムを介在させ、この離型フィルムにパッケージ下面部に対応する凸形状を形成することで、パッケージ下面部を形成するようにしたものである。そして、離型フィルムを樹脂バリの発生を抑制するためのシール材としても利用するようにしたものである。
離型フィルムによりパッケージ下面部に対応する凸形状を形成するには、予め離型フィルムにパッケージ下面部に対応する位置に凸部を設けても良いし、弾性変形可能な離型フィルムを用いて、リードフレームとともに成形金型でクランプしてクランプ面の離型フィルムを挟圧することにより、離型フィルムのパッケージ下面部に対応する位置に膨出部を形成するようにしても良い。
すなわち、本発明の一態様による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法は、リードフレームの実装端子面側の成形金型表面に、パッケージ下面部に対応する位置に凸部を有する離型フィルムを介在させ、リードフレームとともに成形金型でクランプして樹脂封止することにより、パッケージ本体の底面部分にパッケージ下面部を形成することを特徴とするものである。
また、本発明の他の態様による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法は、リードフレームの実装端子面側の成形金型表面に弾性変形可能な離型フィルムを介在させ、リードフレームとともに成形金型でクランプしてクランプ面の離型フィルムを挟圧することにより、離型フィルムの前記パッケージ下面部に対応する位置に膨出部を形成し、その状態で樹脂封止することにより、パッケージ本体の底面部分に前記パッケージ下面部を形成することを特徴とするものである。
本発明によれば、面実装タイプ樹脂製中空パッケージにおいて放熱性及び接合安定性を確保するための凹状のパッケージ下面部を、成形金型に凸部を形成することなく容易に形成することができる。
さらに、パッケージ下面部の寸法、形状を変化させる場合であっても、離型フィルムを交換するだけで済み、成形金型を新規に製作する必要がないので、低コストで柔軟に対応できる。
加えて、離型フィルムが樹脂封入時にシール機能も果たすので、実装端子面等への樹脂バリの発生も防止することができる。
以下、図面に示す実施例に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
図2は、本発明の第1の実施例による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法を示す断面図である。
この実施例は、図1に示した面実装タイプ樹脂製中空パッケージを製造するもので、放熱効果を高めるための金属板7を備えたリードフレーム8を用いている。
図1に示した面実装タイプ樹脂製中空パッケージを得るために、図2に示すように、リードフレーム8とその実装端子面8aに対向する上金型5との間に離型フィルム9を介在させ、その離型フィルム9を上金型5の金型面に密着させる。そして、リードフレーム8と離型フィルム9を同時に上金型5及び下金型6でクランプし、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂をキャビティ6a内に充填させることにより樹脂封止する。
具体的に説明すると、上金型5としては、平滑な金型面を有する成形金型を用い、下金型6としては、キャビティ6a及び半導体素子を搭載する中空部3(図1参照)を形成するための凸状金型面6bを有する成型金型を用いる。これらの上金型5及び下金型6は互いに開閉可能である。
次に、上金型5の下金型6との対向面(金型面)に離型フィルム9を介在させ、上金型5に設けられている吸引孔(図示せず)から吸引し、上金型5の金型面に離型フィルム9を密着させる。そして、下金型6にリードフレーム8を供給し、リードフレーム8と上金型5との間に離型フィルム9が介在した状態で上金型5及び下金型6をクランプし、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を注入することにより樹脂封止する。
通常は生産性を上げるために、複数の上金型5と下金型6を並べて、同時に複数の樹脂成形体を得るようにしており、このようにして得られた樹脂成形体においてリードフレーム8先端の面実装電極端子8bは、互いに連結された状態となっているので、この面実装電極端子8bの先端を後工程のリードカット工程により切断することにより図1に示す面実装タイプ樹脂製中空パッケージが得られる。
離型フィルム9としては、成形温度に耐え得る耐熱性を有し、かつ、樹脂成形後に樹脂成形体及び上金型5から容易に剥がれる材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、フッ素樹脂等を主成分とするものを使用する。
この実施例で使用する離型フィルム9は、図2に示すように、フラットなベースフィルム9aに同材質からなる凸部9bを一体的に形成してなるものである。このような離型フィルム9は、パッケージ下面部4(図1参照)の高さと同等の厚さを有するフラット形状のベースフィルム9aをエッチング等により加工して、パッケージ下面部4に対応する位置に凸部9bを残すようにすることにより製造する。他の方法としては、エッチング等により加工された凸部9bを有するフィルムとベースフィルム9aとを重ね合わせて所要の厚さとするか、あるいは、型に樹脂を流し込むことにより凸部9bを有する離型フィルム9を製造する。又は、凸形状を有するシート状の母材にフッ素コーティング(PTFE:ポリテトラフルオロエチレンなど)を施すことにより製造する。
離型フィルム9の厚みは、パッケージ下面部4の形成位置にもよるが、一般的にはベースフィルム9aの最終的な厚みは、30μm〜180μm程度とする。好ましくは30μm〜100μmとし、パッケージ底面2からパッケージ下面部4の上面までの高さ寸法と同じか、もしくは、前記高さ寸法よりも若干厚い凸部9bを形成する。凸部9bの厚みは、前記高さ寸法よりも30μm〜100μm程度厚いものが好ましい。さらに、離型フィルム9の引張弾性率は、300MPa以上のものが好ましく、線膨張係数は10×10−5/K以下のものが好ましい。樹脂封止する条件は、離型フィルム9の厚みやパッケージ本体1を構成する成形樹脂などにより異なるが、一般的には、成形温度150℃〜200℃、成形圧力1MPa〜50MPa、成形時間1秒〜40秒の条件、好ましくは成形温度165℃〜185℃、成形圧力5MPa〜30MPa、成形時間3秒〜20秒である。本実施例では、クランプ圧力、成形圧力、離型フィルムの厚みを上記範囲で組合せることにより、パッケージ下面部4をパッケージ底面2よりも中空部3側に位置させることが可能となる。なお、上述の製造方法により成形後、必要に応じ熱を加えて樹脂を硬化させても良い。
図3は離型フィルムの一例を示し、(a)は平面図、(b)はそのA−A断面図である。この離型フィルム9は、図4に示すSONなどのように2方向から面実装電極端子8bが露出しているパッケージ構造の成形に使用されるもので、長方体状の凸部9bがベースフィルム9aの幅方向に平行に設けられている。これにより、実装時にパッケージ下面部4が、実装端子面8a間に平行な方向に貫通した状態となり、空気層の対流による放熱効果が高まる。
図5は離型フィルムの他の例を示し、(a)は平面図、(b)はそのB−B断面図である。この離型フィルム9は、図6に示すQFNなどのように4方向から面実装電極端子8bが露出しているパッケージ構造の成形に使用されるもので、図6に示すパッケージ下面部4と同一の形状を有する立方体状の凸部9bがベースフィルム9aの長さ方向及び幅方向に平行に設けられている。
図7は離型フィルムのさらに他の例を示す平面図である。この離型フィルム9は、図8にQFNタイプのパッケージ下面部4に外部との気流通路10(貫通孔)を設ける場合に使用されるもので、凸部9b間を繋ぐクロス部9cが設けられている。これにより、図8のような気流通路10を備えたパッケージ構造が成形可能となる。なお、上述の各離型フィルム9において凸部9bの配置個数はリードフレーム母材と成形金型のサイズによって決定される。
このように、本実施例では、パッケージ下面部4に対応する位置に凸部9bを設けた離型フィルム9を用いる。この場合、パッケージ下面部4の寸法に応じて凸部9bの寸法を変更した離型フィルム9に交換するだけで、上金型5に手を加えることなく対応することが可能である。すなわち、パッケージ下面部4の寸法ごとに上金型5を製作する必要がなく、効率性、コストの面で秀でている。
また、離型フィルム9の凸部9bをパッケージ下面部4の高さ方向の寸法よりも若干大きめの寸法に形成することで、金属板7が狙いの寸法よりも薄い場合、あるいは厚い場合であっても、図11に示した従来技術のように上金型5に凸部5aを設ける場合と異なり、離型フィルム9の凸部9bが、金属板7に密着した状態できれいにクランプできるため、実装端子面8aへの樹脂バリも同時に防止することができる。なお、上記とは逆にパッケージ下面部4の高さ方向の寸法よりも小さめの寸法に凸部9bを形成することで、金属板7の表面側に樹脂層を形成することも可能である。
以上のとおり、本発明ではパッケージ下面部4をパッケージ底面2より中空部3側に位置させることができるため、実装後であっても基板とパッケージ下面部4との間に隙間が発生し、空気層が確保される。つまり、半導体素子から発生した熱がパッケージ下面部4に伝達されると空気層に対流が起り、効果的に放熱することが可能となる。また、図8に示したように気流通路10を形成すれば、気流通路10を介してより効果的に放熱することが可能となる。
パッケージ下面部4は、少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有していることが好ましい。このパッケージ下面部4が広いほど空気層が増え、対流効果が高まり放熱性が向上する。
さらに高い放熱性を必要とする場合、図1に示したように中空部3の内底面と同じかもしくはそれよりも広い金属板7を備えたリードフレーム8を用いて樹脂成形することもできる。金属板7の厚みは厚い方が好ましく、中空部3の内底面及びパッケージ下面部4のいずれにも金属板7が露出するように厚みを選択することがより好ましい。これによって、中空部3の内底面からパッケージ下面部4までの間を熱伝導率の高い金属板7が占有し、かつ離型フィルム9に形成した凸部9b先端面と金属板3の表面とを上金型5及び下金型6をクランプした際に圧着状態とすることで、空気層に接する部位(パッケージ下面部4)を金属板7の表面とすることができ、高い放熱性が得られる。この場合においても、金属板7がパッケージ底面2よりも中空部3寄りで露出する形状となり、基板実装時の熱に伴う金属板7の膨張が発生しても、基板を突き上げることが無いため、半田などの実装ペーストに剥離・亀裂を発生させる虞はない。これらによって実装時の接合安定性が確保された放熱性の高い面実装タイプ樹脂製中空パッケージを得ることができる。
なお、金属板7としては、銅、鉄、ステンレス、アルミニウム及びこれらの金属を含む合金からなる群から選ばれたもの、好ましくは銅合金が良い。必要に応じて全面ないし部分的に表面処理を施すこともできる。例えば、金、銀、ニッケル、半田などのメッキを施しても良い。
図9は、本発明の第2の実施例による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法を示す断面図で、(a)は成形金型のクランプ前の状態を示し、(b)は成形金型のクランプ後の状態を示す。また、図10は、図9の製造方法によって製造される面実装タイプ樹脂製中空パッケージを示す断面図である。
先の実施例1では、予め凸部を形成した離型フィルムを使用したが、この実施例は、弾性変形可能でフラットな離型フィルムを使用する点で実施例1と異なる。なお、図9及び図10において、実施例1の構成と同じ構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この実施例では、図9(a)に示すように、上金型5の金型面に弾性変形可能でフラットな離型フィルム9を介在させ、上金型5に設けられている吸引孔(図示せず)から吸引し、上金型9の金型面に離型フィルム9を密着させる。そして、下金型6にリードフレーム8を供給し、リードフレーム8と上金型5との間に離型フィルム9が介在した状態で上金型5及び下金型6をクランプする。そうすると、図9(b)に示すように、離型フィルム9は圧下力を受けない下金型6の金型面の方向に横方向へ延出し、その延出分で縦方向へ膨出して膨出部9dが形成される。この状態で熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を注入して樹脂封止すると、上記の膨出部9dによって、図10に示すようにパッケージ下面部4が形成される。
パッケージ下面部4の高さ寸法やサイズは、クランプ圧力と成形圧力、あるいは離型フィルム厚みを適正に組合せることにより調整可能である。
この実施例では、離型フィルム9は弾性変形可能であることが必須の条件となるが、そのほかに、成形温度に耐え得る耐熱性を有し、かつ、樹脂成形後に樹脂成形体及び上金型5から容易に剥がれる材料であることが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、フッ素樹脂等を主成分とするものを使用する。
離型フィルム9の厚みはパッケージ下面部の形成位置(高さ寸法)にもよるが、30μm〜300μm程度のものを用いる。好ましくは50μm〜250μmのものが良い。さらに、離型フィルム9の引張弾性率は、小さいほうが良いが、小さすぎると成形圧力により、パッケージ下面部4を形成し難いため、100MPa〜400MPaのものが好ましく、線膨張係数は、5×10−5/K以上のものが好ましい。樹脂封止する条件は、離型フィルム9の厚みや成形樹脂などにより異なるが、一般的には、成形温度150℃〜200℃、成形圧力1MPa〜50MPa、成形時間1秒〜40秒の条件、好ましくは成形温度165℃〜185℃、成形圧力5MPa〜30MPa、成形時間3秒〜20秒である。なお、上述の製造方法により成形後、必要に応じ熱を加えて樹脂を硬化させても良い。
以上のとおり、この実施例では、離型フィルム9が、上金型5及び下金型6をクランプする際に生じる加圧力による圧力勾配にしたがって、延出(膨出)することを利用することで、先の実施例1のように離型フィルム9に予め凸部9bを形成することなく、パッケージ下面部4を成形することができる。そして、パッケージ下面部4の高さ寸法やサイズは、同じ離型フィルム9を使用したとしてもクランプ圧力等によってある程度変化させることができるので、パッケージ下面部4の高さ寸法やサイズの変化に対して、より柔軟に対応できる。
パッケージ下面部を設けた面実装タイプ樹脂製中空パッケージを示す断面図である。 本発明の第1の実施例による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法を示す断面図である。 離型フィルムの一例を示し、(a)は平面図、(b)はそのA−A断面図である。 図3の離型フィルムを使用して製造されるSONタイプのパッケージ構造の裏面を示す斜視図である。 離型フィルムの他の例を示し、(a)は平面図、(b)はそのB−B断面図である。 図5の離型フィルムを使用して製造されるQFNタイプのパッケージ構造の裏面を示す斜視図である。 離型フィルムのさらに他の例を示す平面図である。 図7の離型フィルムを使用して製造される気流通路を備えたQFNタイプのパッケージ構造の裏面を示す斜視図である。 本発明の第2の実施例による面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法を示す断面図で、(a)は成形金型のクランプ前の状態を示し、(b)は成形金型のクランプ後の状態を示す。 図9の製造方法によって製造される面実装タイプ樹脂製中空パッケージを示す断面図である。 図1に示す面実装タイプ樹脂製中空パッケージの従来の製造方法を示す断面図である。
符号の説明
1 パッケージ本体
2 パッケージ底面
3 中空部
4 パッケージ下面部
5 上金型(成型金型)
5a 凸部
6 下金型(成型金型)
6a キャビティ
6b 凸状金型面
7 金属板
8 リードフレーム
8a 実装端子面
8b 面実装電極端子
9 離型フィルム
9a ベースフィルム
9b 凸部
9c クロス部
9d 膨出部
10 気流通路

Claims (2)

  1. 半導体素子を装着するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体の底面部分に、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部が設けられている面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法において、
    リードフレームの実装端子面側の成形金型表面に、前記パッケージ下面部に対応する位置に凸部を有する離型フィルムを介在させ、リードフレームとともに成形金型でクランプして樹脂封止することにより、パッケージ本体の底面部分に前記パッケージ下面部を形成することを特徴とする面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法。
  2. 半導体素子を装着するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体の底面部分に、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部が設けられている面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法において、
    リードフレームの実装端子面側の成形金型表面に弾性変形可能な離型フィルムを介在させ、リードフレームとともに成形金型でクランプしてクランプ面の離型フィルムを挟圧することにより、離型フィルムの前記パッケージ下面部に対応する位置に膨出部を形成し、その状態で樹脂封止することにより、パッケージ本体の底面部分に前記パッケージ下面部を形成することを特徴とする面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法。
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