CN110277340B - 半导体器件生产用耐热性压敏粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。该半导体器件生产用耐热性压敏粘合片包括：基材层，形成在基材层一侧的第一粘合剂层以及形成在基材层另一侧的第二粘合剂层，其中，粘合片粘贴于被粘体在150℃下加热4小时后经剥离，由第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量≤0.01g/m2。本发明的耐热性压敏粘合片在半导体器件的无引线封装中用于临时固定芯片。

Description

半导体器件生产用耐热性压敏粘合片
技术领域
本发明涉及半导体器件生产用耐热性压敏粘合片和使用该粘合片生产半导体器件的方法。
背景技术
近年，在大规模集成电路的组装技术中，无引线封装(例如，无引线四方扁平封装(QFN：Quad Flat No-leadPackage)、无引线框架封装(LCC：Leadless Chip Carriers))是在小型化和高集成方面特别受瞩目的半导体器件封装形态之一。
近年来，在无引线封装中，下述制造方法特别受瞩目：将多个半导体器件具有电极一侧的表面整齐地贴合在耐热性压敏粘合片上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后加热固化，切断树脂成相应的大小，将粘合片去除得到单个的半导体器件，从而提高了生产性。
在上述将多个半导体器件一并密封的制造方法中，在树脂密封时，抑制树脂渗入到半导体器件的电极侧是非常困难的，容易产生半导体器件电极被树脂覆盖的问题。
另外，作为耐热性压敏粘合片，不仅要防止密封树脂的渗入，还要防止粘合片剥离之后在半导体器件留有残胶，而且要求耐受树脂固化时的高热。作为满足该要求的粘合片，开发了耐热性粘合片(专利文献1)。专利文献1的半导体装置制造用耐热性胶粘带通过使用丙烯酸系粘合剂来解决密封树脂的渗入和芯片留有残胶的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：CN101186792A
发明内容
发明要解决的问题
然而，专利文献1的半导体装置制造用耐热性胶粘带使用在需要长时间高温加热的工况时会产生气泡，导致污染芯片电极以及被粘体上留有残胶的情况。
有机硅系粘合剂具有良好的耐热性和耐候性，但在制作当中硅油很难完全配比的胶体化，残留的硅油组分多及未胶体化的硅油由于与胶体的粘结不牢，易于转移到胶层表面(以下称为“硅转移”)，因而在半导体器件生产过程中会使半导体器件电极污染造成可靠性下降等问题。
本发明的目的是提供半导体器件生产用耐热性压敏粘合片，其具有优异的耐热性，即使在施加到被粘体后经过150℃的温度下进行4小时的加热步骤，仍既不熔融变形也不会显著增加粘合力，不仅能避免半导体器件在封装过程中发生位置偏移，剥离之后从粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量少，还可以防止密封树脂的渗入，并且剥离之后在半导体器件上无残胶。
本发明的另一个目的是提供生产半导体器件的方法，其包括将本发明的耐热性压敏粘合片用于生产半导体器件的步骤。
用于解决问题的方案
经过长时间研究，本发明人等为了解决上述以往的问题，对耐热性压敏粘合片的物性、材料、厚度等进行了深入研究。结果，发现通过控制由第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量，能够提供具有优异耐热性、即使在长时间加热步骤后仍可以获得令人满意的粘合力、使用后容易剥离且还不会对被粘体产生残胶污染的耐热性压敏粘合片，从而完成了本发明。
即，本发明提供一种半导体器件生产用耐热性压敏粘合片，其包括：基材层，形成在基材层一侧的第一粘合剂层以及形成在基材层另一侧的第二粘合剂层，其中，粘合片粘贴于被粘体在150℃下加热4小时后经剥离，由第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量≤0.01g/m2。
在一个实施方式中，第一粘合剂层和第二粘合剂层包含有机硅系粘合剂。
在一个实施方式中，第一粘合剂层在20～25℃下的180°剥离粘合力为0.1～2N/20mm。
在一个实施方式中，第一粘合剂层在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力为0.2～3N/20mm。
在一个实施方式中，第一粘合剂层在20～25℃下的储能模量为0.6×105～1.7×105Pa。
在一个实施方式中，第一粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～0.8×105Pa。
在一个实施方式中，第一粘合剂层的粘合剂的凝胶率为50～70％，可溶性部分的重均分子量为2000～5000。
在一个实施方式中，第二粘合剂层在20～25℃下的15°剥离粘合力为2～100N/20mm。
在一个实施方式中，第二粘合剂层在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力为3～130N/20mm。
在一个实施方式中，第二粘合剂层在20～25℃下的储能模量为0.8×105～2.5×105Pa。
在一个实施方式中，第二粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～1.6×105Pa。
在一个实施方式中，第二粘合剂层的粘合剂的凝胶率为40～90％，可溶性部分的重均分子量为2000～6000。
在一个实施方式中，基材层选自聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚酰亚胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚砜膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、或乙烯和三氟氯乙烯以摩尔比1:1的交替共聚物膜。
在一个实施方式中，粘合片还包括第一离型膜和第二离型膜，第一离型膜设置于第一粘合剂层的与基材层相反的一侧，第二离型膜设置于第二粘合剂层的与基材层相反的一侧。
在一个实施方式中，第一粘合剂层或第二粘合剂层的厚度为5～50μm。
此外，本发明还涉及一种用于生产半导体器件的方法，所述方法包括使用上述的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。
发明的效果
根据本发明，能够提供具有优异耐热性的压敏粘合片，其即使在长时间加热步骤后仍可以获得令人满意的粘合力，而且经过高温长时间的加热步骤之后，容易剥离，且被粘体表面无残胶污染，显著地提高了产品的成品率和可靠性。
附图说明
图1是根据本发明实施方案的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的截面示意图。
图2是根据本发明的另一个实施方案的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的截面示意图。
图3是示出实施例1的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价的图。
图4是示出实施例4的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价的图。
图5是示出比较例1的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价的图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方案进行详细说明。但是，本发明不受以下实施方案的限定。
<<半导体器件生产用耐热性压敏粘合片>>
图1为根据本发明实施方案的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的截面示意图。如图1所示，半导体器件生产用耐热性压敏粘合片1包括：基材层10、形成在基材层10一侧的第一粘合剂层20以及形成在基材层10另一侧的第二粘合剂层30。在半导体器件生产过程中，第一粘合剂层10用于粘合半导体器件的电极侧，第二粘合剂层30用于粘合基板。
图2为根据本发明的另一个实施方案的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的截面示意图。如图2所示，半导体器件生产用耐热性压敏粘合片1包括：基材层10、形成在基材层10一侧的第一粘合剂层20、形成在第一粘合剂层20上的第一离型膜40、形成在基材层10另一侧的第二粘合剂层30以及形成在第二粘合剂层30上的第二离型膜50。
本说明书中所说的粘合片的概念中，可以包括被称为粘合带、粘合标签、粘合薄膜等的物体。需要说明的是，本说明书公开的粘合片可以是单片状，也可以为被进一步加工成各种形状的形态的粘合片。
<基材层>
基材层材料的种类没有特别限定，优选使用在当用树脂包封时的加热条件下具有耐热性的基材层。树脂包封步骤通常需要约150～180℃的温度。因此，本发明的耐热性压敏粘合片的基材层优选使用满足上述加热条件的耐热性材料。
基材层的实例包括耐热性塑料膜，作为这样的耐热性塑料膜，例如可优选列举出聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚酰亚胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚砜膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、乙烯和三氟氯乙烯以摩尔比1:1的交替共聚物膜等。这些材料可单独使用或以其两种或更多种的组合使用。
作为耐热性基材层，还可以使用纸基材，例如玻璃纸、高质量纸和日本纸；无纺布基材，例如纤维素、聚酰胺、聚酯和芳族聚酰胺；金属箔基材，例如铝箔、SUS箔和Ni箔。此外，那些可以层压的材料也可用作基材层。
对于基材层的厚度没有特别限定，可以根据粘合片的用途等设定为适当的厚度。基材层的厚度优选为10～200μm，更优选为25～100μm。当基材层的厚度在上述范围内时，可以防止耐热性压敏粘合片弯曲和撕裂。在基材层的厚度小于10μm的场合下，剥离时容易折断或裂开。在基材层的厚度超过200μm的场合下，会导致成本的增加。
为改进本发明的耐热性压敏粘合片的粘合性，可以对基材层的表面实施合适的公知或常规表面处理，例如铬酸处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高电压电击、或用电离辐射处理等化学或物理氧化处理。另外，基材层的表面还可以用底漆或锚定涂层，例如异氰酸酯锚定剂进行涂层处理。
<粘合剂层>
本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片，优选使在半导体器件电极侧的第一粘合剂层为有机硅系粘合剂层。基材层另一侧的第二粘合剂层可以为有机硅系粘合剂层，也可以是其他耐热性粘合剂层。
(第一粘合剂层)
本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层粘贴于被粘体在150℃下加热4小时后经剥离，由第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量≤0.01g/m2，优选≤0.008g/m2，更优选≤0.006g/m2。当硅转移量落入上述范围内时，即使在长时间加热使用后也能够容易剥离，并且还不会对被粘体产生硅污染。如果硅转移量大于上述值，将会污染半导体器件电极，造成封装后的半导体器件的可靠性降低，电极处外观不良，而且使用之后不易剥离。
作为被粘体，没有特别地限定，例如可例举出不锈钢(如SUS：304，430等)、金、银、铂、金-锡合金、钛-铝合金等。
对于本发明的第一粘合剂层，只要具有粘合性和耐热性就没有特别限定，优选为由包含有机硅系粘合剂的粘合剂组合物形成的有机硅系粘合剂层。
作为构成有机硅系粘合剂层的有机硅系粘合剂，在能够获得本发明的效果的范围内可以使用任意适宜的粘合剂。作为上述有机硅系粘合剂，优选使用例如将包含有机聚硅氧烷的有机硅橡胶或者有机硅树脂等作为基础聚合物的有机硅系粘合剂。作为构成有机硅系粘合剂的基础聚合物，也可以使用将上述有机硅橡胶或者有机硅树脂交联而得到的基础聚合物。需要说明的是，在本说明书中，“有机硅橡胶”与“有机硅树脂”的区别基于“技术信息协会粘合剂(薄膜·带)的材料设计与功能性赋予第1版2009年9月30日222～228页”。即，“有机硅橡胶”是指由二有机硅氧烷(D单元)构成的直链构造的有机硅。“有机硅树脂”是指包含三有机硅氧烷(M单元)与硅酸盐(Q单元)的具有支链结构的有机硅。
作为上述有机硅橡胶，例如可列举出包含二甲基硅氧烷作为结构单元的有机聚硅氧烷等。在有机聚硅氧烷中，根据需要可以导入官能团(例如乙烯基)。
作为上述有机硅树脂，例如可列举出：包含选自R3SiO1/2结构单元、SiO2结构单元、RSiO3/2结构单元以及R2SiO结构单元中的至少一种结构单元的有机聚硅氧烷(R为一价烃基或者羟基)。
上述有机硅橡胶与有机硅树脂可以组合使用。有机硅系粘合剂中的有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比(橡胶:树脂)优选为30:70～20:80，更优选为30:70～23:77。当有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比落入上述范围内时，可得到优异的粘性和保持力。如果有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比未落入上述范围内，将会导致粘性较差而容易脱落，或者粘合力过高而导致剥离困难或无法剥离。
有机硅橡胶与有机硅树脂可以以单纯的混合物的形式在有机硅系粘合剂中含有，也可以以有机硅橡胶与有机硅树脂进行部分缩合的方式在有机硅系粘合剂中含有。需要说明的是，有机硅系粘合剂中的有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比可以利用29Si-NMR测定根据Q单元与D单元的峰面积比(有机硅橡胶:有机硅树脂＝D单元:Q单元)求出。
上述粘合剂可以根据需要包含任意适合的添加剂。作为该添加剂，例如可列举出：催化剂、交联剂、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填充剂、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
作为催化剂，可以使用任意适合的催化剂。作为催化剂的具体例，例如可例举出：铂催化剂等。催化剂可以使用市售品或者将其加工后的加工品。对于催化剂的添加量没有特别地限定，可以根据粘合剂层的性能等设定为任意适合的量。相对于有机硅橡胶和有机硅树脂的总含量100重量份，优选为1～10重量份，更优选为2～5重量份。
作为交联剂，例如可列举出：硅氧烷系交联剂、过氧化物系交联剂等。作为过氧化物系交联剂，例如可列举出：过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化二异丙苯等。作为硅氧烷系交联剂，例如可列举出聚有机氢硅氧烷等。该聚有机氢硅氧烷优选具有两个以上与硅原子键合的氢原子。另外，对于该聚有机氢硅氧烷，作为与硅原子键合的官能团，优选具有烷基、苯基、卤代烷基，从合成以及处理的容易度出发，更优选具有甲基。
交联剂的添加量没有特别地限定，可以根据目标粘合力、粘合剂层的性能等设定为任意适合的量。相对于有机硅橡胶和有机硅树脂的总含量100重量份，优选为1～10重量份，更优选为1.5～5重量份。
作为增粘剂，可以使用任意适合的增粘剂，例如可以使用增粘树脂。作为增粘树脂的具体例，可列举出：松香系增粘树脂(例如未改性松香、改性松香、松香酚系树脂、松香酯系树脂等)、萜烯系增粘树脂(例如萜烯系树脂、萜烯酚系树脂、苯乙烯改性萜烯系树脂、芳香族改性萜烯系树脂、氢化萜烯系树脂)、烃系增粘树脂(例如脂肪族系烃树脂、脂肪族系环状烃树脂、芳香族系烃树脂(例如苯乙烯系树脂、二甲苯系树脂等)、脂肪族·芳香族系石油树脂、脂肪族·脂环族系石油树脂、氢化烃树脂、香豆酮系树脂、香豆酮茚系树脂等)、酚系增粘树脂(例如烷基酚系树脂、二甲苯甲醛系树脂、甲阶酚醛树脂、酚醛清漆等)、酮系增粘树脂、聚酰胺系增粘树脂、环氧系增粘树脂、弹性体系增粘树脂等。增粘剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述增塑剂，可以使用任意适合的增塑剂。作为增塑剂的具体例，例如可列举出：偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四酸酯系增塑剂、聚酯系增塑剂、己二酸系增塑剂等。增塑剂可以单独使用或组合使用2种以上。
从提高耐热性压敏粘合片的耐反发性的角度考虑，第一粘合剂层的粘合剂的可溶性部分的重均分子量优选为2000～5000，更优选为2000～4500，还更优选为2000～4000。通过使粘合剂的可溶性部分的重均分子量在上述范围内，能够使粘合剂具有适当的内聚强度，从而可以提高胶带的耐反发性。当粘合剂的可溶性部分的重均分子量不足2000时，无法发挥粘合剂所需的粘合力，导致粘性较差。当粘合剂的可溶性部分的重均分子量大于5000时，粘合力过大，将出现剥离困难或无法剥离的情况。
在第一粘合剂层中，从粘合特性(粘接力、粘性、耐久性、保持特性)的平衡方面出发，凝胶率优选为50～70％，更优选为55～70％，还更优选为60～70％。当凝胶率不足50％时，可能会出现内聚力不足，导致剥离时发生内聚破坏，部分粘合剂残留在被粘体表面，发生加工性降低的情况；另一方面，当凝胶率超过70％时，可能会出现粘性不足，达不到粘合要求，发生粘合可靠性降低的情况。
第一粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的储能模量为0.6×105～1.7×105Pa，优选为0.8×105～1.7×105Pa。具有上述储能模量的第一粘合剂层的耐热性压敏粘合片，具有对被粘体显示出良好的粘接性的倾向，这从耐热性压敏粘合片的粘合操作性(例如，操作效率、粘合精度)等观点出发是优选的。
第一粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～0.8×105Pa，优选为0.6×105～0.8×105Pa。当第一粘合剂层具有上述范围内的储能模量时，能够获得粘接性和操作性优异的耐热性压敏粘合片。
第一粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力为0.1～2N/20mm，优选为0.1～1.5N/20mm。当在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力小于0.1N/20mm时，会造成对半导体器件的固定性差，在制造过程中容易从粘合片脱落或滑移。当在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力大于2N/20mm时，会造成剥离困难或者无法剥离。
第一粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的15°剥离粘合力为2～22N/20mm，优选为2～10N/20mm。当在20～25℃(优选23℃)下的15°剥离粘合力落在上述范围内时，对被粘体的密合性提高，并且在使用之后也可容易剥离。
第一粘合剂层在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力为0.2～3N/20mm，优选为0.2～2.5N/20mm，更优选为0.2～1N/20mm。当在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力小于0.2N/20mm时，对半导体器件的粘合性变得不充分，操作期间半导体器件容易发生脱落，位置偏移或者封装树脂渗入。当在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力大于3N/20mm时，导致剥离困难，容易发生半导体器件仍残留在第一粘合剂层或半导体器件结构破损情况。
第一粘合剂层在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力为3～35N/20mm，优选为3～25N/20mm。当在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力落在上述范围内时，不仅可以表现出合适的粘合性，还可以避免使用之后剥离困难。
关于剥离粘合力，在对封装体热固化包封树脂的步骤中，需要临时固定半导体器件，并且包封树脂的步骤结束后要从粘合剂层剥离封装体。剥离粘合力过低会造成半导体器件固定性差，制造过程中容易从粘合片上脱落或滑移，粘合力过高会造成剥离困难。因此，对于本发明的第一粘合剂层需要剥离粘合力落入上述范围。
关于储能模量，在对封装体热固化包封树脂的步骤中，需要保护半导体器件电极不被封装树脂污染。储能模量过高会导致粘合剂层与半导体器件产生缝隙，储能模量过低会导致半导体器件发生偏移。因此，对于本发明的第一粘合剂层需要储能模量落入上述范围。
另外，第一粘合剂层具有小的热膨胀性。因此，在用树脂包封后半导体器件位置的偏移小。偏移程度为0.3mm以下，优选为0.1mm以下。
本发明的第一粘合剂层的厚度在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的厚度。作为这样的厚度，优选为5～50μm，更优选为10～30μm。第一粘合剂层的厚度低于5μm时，存在无法显现充分的粘合力的担心。第一粘合剂层的厚度大于50μm时，除了成本变高以外，还会粘合力变得过大，存在剥离等时使被粘体破裂的担心。
(第二粘合剂层)
作为第二粘合剂层的材料，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的粘合剂。第二粘合剂层可以使用这样的粘合剂通过任意适当的方法制造。
作为构成第二粘合剂层的粘合剂，例如可列举出有机硅系粘合剂、包括丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、包括天然橡胶或合成橡胶作为基础聚合物的橡胶系粘合剂、苯乙烯/共轭二烯嵌段共聚物系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂等。其中，从耐热性的观点，优选使用有机硅系粘合剂和丙烯酸系粘合剂，更优选使用有机硅系粘合剂。
作为上述有机硅系粘合剂，优选使用例如将包含有机聚硅氧烷的有机硅橡胶或者有机硅树脂等作为基础聚合物的有机硅系粘合剂。作为构成有机硅系粘合剂的基础聚合物，也可以使用将上述有机硅橡胶或者有机硅树脂交联而得到的基础聚合物。
作为上述有机硅橡胶，例如可列举出包含二甲基硅氧烷作为结构单元的有机聚硅氧烷等。在有机聚硅氧烷中，根据需要可以导入官能团(例如乙烯基)。
作为上述有机硅树脂，例如可列举出：包含选自R3SiO1/2结构单元、SiO2结构单元、RSiO3/2结构单元以及R2SiO结构单元中的至少一种结构单元的有机聚硅氧烷(R为一价烃基或者羟基)。
上述有机硅橡胶与有机硅树脂可以组合使用。有机硅系粘合剂中的有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比(橡胶:树脂)优选为80:20～20:80，更优选为80:20～50:50。当有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比落入上述范围内时，可得到优异的粘性和保持力。如果有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比未落入上述范围内，将会导致粘性较差而容易脱落，或者粘合力过高而导致剥离困难或无法剥离。
有机硅橡胶与有机硅树脂可以以单纯的混合物的形式在有机硅系粘合剂中含有，也可以以有机硅橡胶与有机硅树脂进行部分缩合的方式在有机硅系粘合剂中含有。需要说明的是，有机硅系粘合剂中的有机硅橡胶与有机硅树脂的重量比可以利用29Si-NMR测定根据Q单元与D单元的峰面积比(有机硅橡胶:有机硅树脂＝D单元:Q单元)求出。
上述粘合剂可以根据需要包含任意适合的添加剂。作为该添加剂，例如可列举出：催化剂、交联剂、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填充剂、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
作为催化剂，可以使用任意适合的催化剂。作为催化剂的具体例，例如可例举出：铂催化剂等。催化剂可以使用市售品或者将其加工后的加工品。对于催化剂的添加量没有特别地限定，可以根据粘合剂层的性能等设定为任意适合的量。相对于有机硅橡胶和有机硅树脂的总含量100重量份，优选为1～10重量份，更优选为2～5重量份。
作为交联剂，例如可列举出：硅氧烷系交联剂、过氧化物系交联剂等。作为过氧化物系交联剂，例如可列举出：过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化二异丙苯等。作为硅氧烷系交联剂，例如可列举出聚有机氢硅氧烷等。该聚有机氢硅氧烷优选具有两个以上与硅原子键合的氢原子。另外，对于该聚有机氢硅氧烷，作为与硅原子键合的官能团，优选具有烷基、苯基、卤代烷基，从合成以及处理的容易度出发，更优选具有甲基。
交联剂的添加量没有特别地限定，可以根据目标粘合力、粘合剂层的性能等设定为任意适合的量。相对于有机硅橡胶和有机硅树脂的总含量100重量份，优选为1～10重量份，更优选为1.5～5重量份。
作为增粘剂，可以使用任意适合的增粘剂，例如可以使用增粘树脂。作为增粘树脂的具体例，可列举出：松香系增粘树脂(例如未改性松香、改性松香、松香酚系树脂、松香酯系树脂等)、萜烯系增粘树脂(例如萜烯系树脂、萜烯酚系树脂、苯乙烯改性萜烯系树脂、芳香族改性萜烯系树脂、氢化萜烯系树脂)、烃系增粘树脂(例如脂肪族系烃树脂、脂肪族系环状烃树脂、芳香族系烃树脂(例如苯乙烯系树脂、二甲苯系树脂等)、脂肪族·芳香族系石油树脂、脂肪族·脂环族系石油树脂、氢化烃树脂、香豆酮系树脂、香豆酮茚系树脂等)、酚系增粘树脂(例如烷基酚系树脂、二甲苯甲醛系树脂、甲阶酚醛树脂、酚醛清漆等)、酮系增粘树脂、聚酰胺系增粘树脂、环氧系增粘树脂、弹性体系增粘树脂等。增粘剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述增塑剂，可以使用任意适合的增塑剂。作为增塑剂的具体例，例如可列举出：偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四酸酯系增塑剂、聚酯系增塑剂、己二酸系增塑剂等。增塑剂可以单独使用或组合使用2种以上。
从提高耐热性压敏粘合片的耐反发性的角度考虑，第二粘合剂层的粘合剂的可溶性部分的重均分子量为2000～6000，优选为2000～5000，更优选为3000～5000。通过使粘合剂的可溶性部分的重均分子量在上述范围内，能够使粘合剂具有适当的内聚强度，从而可以提高胶带的耐反发性。当粘合剂的可溶性部分的重均分子量不在上述范围内时，无法发挥粘合剂所需的粘合力，或者由于粘合力过大而导致剥离困难或无法剥离。
在第二粘合剂层中，凝胶率优选为40～90％，优选为50～90％，还更优选为60～90％。当凝胶率落入上述范围内时，能够保持充足的粘性，并且当剥离时，表现出优异的剥离性，且对被粘体不产生残胶污染，表现出优异的操作性。
第二粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的储能模量为0.8×105～2.5×105Pa，优选为1×105～2.5×105Pa。具有上述储能模量的第二粘合剂层的耐热性压敏粘合片，具有对被粘体显示出良好的粘接性的倾向，这从耐热性压敏粘合片的粘合操作性(例如，操作效率、粘合精度)等观点出发是优选的。
第二粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～1.6×105Pa，优选为0.6×105～1.6×105Pa。当第二粘合剂层具有上述范围内的储能模量时，能够获得粘接性和操作性优异的耐热性压敏粘合片。
第二粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力为0.1～8N/20mm，优选为0.1～2N/20mm。当在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力小于0.1N/20mm时，会造成与基板的粘合性差，在制造过程中容易从基板脱落或滑移。当在20～25℃(优选23℃)下的180°剥离粘合力大于8N/20mm时，会造成剥离困难或者无法剥离。
第二粘合剂层在20～25℃(优选23℃)下的15°剥离粘合力为2～100N/20mm，优选为2～50N/20mm，更优选为2～22N/20mm。当在20～25℃(优选23℃)下的15°剥离粘合力落在上述范围内时，对被粘体的密合性提高，并且在使用之后也可容易剥离。
第二粘合剂层在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力为0.2～10N/20mm，优选为0.2～3N/20mm。当在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力小于0.2N/20mm时，粘合性变得不充分，操作期间容易发生脱落或者位置偏移。当在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力大于10N/20mm时，导致剥离困难，或者无法剥离。
第二粘合剂层在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力为3～130N/20mm，优选为3～100N/20mm，更优选为3～41N/20mm。当在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力落在上述范围内时，不仅可以表现出合适的粘合性，还可以避免使用之后剥离困难。
第二粘合剂层的厚度在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的厚度。作为这样的厚度，优选为5～50μm，更优选为10～30μm。第二粘合剂层的厚度低于5μm时，存在无法显现充分的粘合力的担心。第二粘合剂层的厚度大于50μm时，除了成本变高以外，还会粘合力变得过大，存在剥离等时使被粘体破裂的担心。
<离型膜>
本发明的耐热性压敏粘合片根据需要可以进一步具备离型膜。离型膜的至少一侧的面成为剥离面，可以为了保护本发明的粘合剂层而设置。如图2所示，本发明的耐热性压敏粘合片包括第一离型膜和第二离型膜，第一离型膜设置于第一粘合剂层的与基材层相反的一侧，第二离型膜设置于第二粘合剂层的与基材层相反的一侧。
离型膜包括以单层结构或多层结构并采用本技术领域内通常使用的材料形成。例如，离型膜为包括基材膜和形成于其一侧上的离型剂层的片，并且是为了在使用本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片之前露出粘合剂层的各个面而剥离的片。
离型剂层可通过以下来获得：根据要与其接触的粘合剂，从常规离型剂层如长链烷基类、氟树脂类和硅酮树脂类中适当地选择。
离型膜的基材膜可以由任意适当的材料构成，例如，可以选自聚醚醚酮膜、聚醚酰亚胺膜、多芳基化合物膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、聚氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离子键树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜和聚碳酸酯膜。
离型剂层可以根据粘合剂层的树脂从常规离型剂如氟化有机硅树脂类离型剂、氟树脂类离型剂、有机硅树脂类离型剂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯树脂和长链烷基化合物中选择适当的离型剂，并在该树脂中包含选择的离型剂而获得的层。
<<半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的制造方法>>
本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片能够利用任意适当的方法来制造。关于本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片，例如可列举出：在基材层上直接涂覆包含粘合剂的组合物的方法，或将在任意适当的基体涂覆包含粘合剂的组合物而形成的涂覆层向基材层进行转印的方法等。包含粘合剂的组合物可以包含任意适当的溶剂。为了制备这样的耐热性压敏粘合片，可以将粘合剂薄层涂布在基材或分离器上并进行干燥。
<<使用本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片生产半导体器件的方法>>
在本发明的用于生产半导体器件的方法中，将本发明的耐热性压敏粘合片的第二粘合剂层贴合到基板(例如，玻璃、不锈钢或者陶瓷)上，将多个半导体器件具有电极一侧的表面整齐地在贴合在耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后，在80～200℃下加热2～6小时后，将成型后的树脂切断成相应的大小，再将本发明的耐热性压敏粘合片去除得到单个的半导体器件结构物。
作为实例，将半导体器件生产用耐热性压敏粘合片生产半导体器件的方法描述如下。
将本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片粘合并固定至基板，将半导体器件以任意的间隔粘合并固定至该片，用包封树脂包封已固定的半导体器件以便嵌入半导体器件。
然后，通过加热剥离将由此包封的多个半导体器件与包封树脂和半导体器件生产用耐热性压敏粘合片一起从基板剥离。接着，将本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片从树脂包封的半导体器件剥离。
随后，将各种图案印刷施加于半导体器件与半导体器件表面之间的区域以形成布线用引线等，布线用引线形成作为半导体器件表面上的球形连接电极的凸块等。
最终，通过切割等将半导体器件间的包封树脂部分切断，从而可获得装配有单独的半导体器件的各半导体器件。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行具体说明，但是本发明不受这些实施例的限定。实施例中的评价方法如下所述。另外，在实施例中只要没有特别标注，则“份”和“％”为重量基准。
(1)硅转移量
通过荧光X射线分析测定不锈钢片(SUS:430)的每个与直径30mm的圆相当的面积上存在的Si量I(kcps)，作为空白。将作为测定对象的被测粘合片的粘合剂层粘贴到上述不锈钢片上，制作试验片。将该试验片在150℃的干燥器中施加5kg的负荷4小时，然后除去该负荷并从该干燥器中取出，再在23℃保持2小时后，将被测粘合片撕除。通过荧光X射线分析测定上述不锈钢片被粘合面的每个与直径30mm的圆相当的面积上存在的Si量F(kcps)。上述被测粘合剂层的硅转移量为F减去I得到的值。
根据上述方法，使用理学公司制造的型号“Supermini”作为XRF装置，在下述条件下测定硅转移量。
X射线源：立式Rh管
分析范围：直径30mm的圆内
分光晶体：Si-Kα
输出：50kv、70mA
(2)储能模量
将被测粘合片彼此在23℃、50％RH环境下贴合多次，在50℃、5atm的高压釜中处理20分钟，制成厚1.0mm的粘合剂层。对于该厚1.0mm的粘合剂层，用TA仪器公司(TAInstruments)制“ARES-G2”通过以JIS K7244为基准的动态粘弹性测定法(温度范围-70～170℃、升温速度5℃/分钟、频率1Hz、振幅0.1％的条件)测定粘弹性图谱，确定温度23℃和150℃下的储能模量。
(3)凝胶率
收集被测粘合剂层约0.1g，用厚度85μm、平均孔径0.2μm、空孔率75％的多孔聚四氟乙烯片(日东电工株式会社制造)包起来，然后用风筝线绑好，测量其当时的重量，以该重量作为包裹后的重量。在这方面，浸渍之前的重量是粘合剂层(以上收集的粘合剂层)、聚四氟乙烯片和风筝线的总重量。此外还测量聚四氟乙烯片和风筝线的总重量，以该重量作为包裹物重量。
然后，将其中用聚四氟乙烯片包裹粘合剂层并用风筝线绑好的上述产品(称为“样品”)放入填充有甲苯的50毫升容量的容器中，并使之在23℃静置7天。此后从容器中取出样品(经甲苯处理后)转移到铝杯里，在130℃的干燥器中干燥2小时以除去甲苯，然后测量其重量，以该重量作为浸渍后的重量。此后由下式计算凝胶率。
凝胶率(重量％)＝{(A-B)/(C-B)}×100
上式中，A是浸渍之后的重量，B是包裹物重量，C是浸渍之前的重量。
(4)剥离粘合力
将粘合片粘贴厚度25μm的PET薄膜进行加衬。将该加衬后的粘合片切割为20mm×200mm的长方形，制作试验片。该试验片通过使2kg的辊往返一次将露出的粘合面压接到不锈钢(SUS：304)板上。将所得材料在23℃、RH50％的环境中保持30分钟后，使用拉伸试验机(岛津制作所制造，商品名“テンシロン”)，根据JIS Z0237，分别测定在23℃下和150℃加热4小时后、在剥离角度180°、拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离粘合力，以及在23℃下和150℃加热4小时后、在剥离角度15°、拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离粘合力。
(5)粘合剂的可溶性部分的重均分子量
粘合剂的可溶性部分的重均分子量测定使用由甲苯萃取得到的可溶性部分(溶胶部分)的重均分子量的方法测定。
从粘合片上收集被测粘合剂层约0.1g，用厚度85μm、平均孔径0.2μm、空孔率75％的多孔聚四氟乙烯片(日东电工株式会社制造)包起来，然后用风筝线绑好。
然后，将上述用聚四氟乙烯片包裹并用风筝线绑好的粘合剂层放入填充有甲苯的50mL容量的容器中，并使之在23℃静置7天。此后将容器中的甲苯溶液(含萃取出的溶胶部分)取出并进行减压干燥，蒸发掉溶剂(甲苯)以得到溶胶部分。
将上述溶胶部分溶于四氢呋喃(THF)，使用GPC装置(TOSOHCORPORATION制造，HLC-8220GPC)测定溶胶部分的重均分子量。测定条件如下所述，利用标准聚苯乙烯换算求出分子量。
样品浓度：0.2wt％(四氢呋喃(THF)溶液)
样品注入量：10μl
洗脱液：THF
流速：0.6ml/min
测定温度：40℃
柱：样品柱，TSKguardcolumnSuperHZ-H(1根)+TSKgelSuperHZM-H(2根)
参考柱，TSKgelSuperH-RC(1根)
检测器：差示折射计(RI)
(6)第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价
将芯片(电极材料为金的芯片)具有电极一侧的表面贴合在本发明的耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层上，放入烘箱中150℃加热4小时，然后将芯片从粘合片上剥离，用显微镜(KEYENCE CORPORATION制造，商品名：VHX-100，倍率：200倍)观察上述芯片的粘贴面，确认有无直接附着在芯片电极上的粘合剂层成分并按照下述基准进行评价。
○：芯片电极上几乎无粘合剂层成分
△：芯片电极上附着有少量粘合剂层成分
×：芯片电极上附着有大量粘合剂层成分
(7)第一粘合剂层的固定性评价
将本发明的耐热性压敏粘合片的第二粘合剂层贴合到SUS：304不锈钢基板上，将多个芯片(电极材料为金的芯片)具有电极一侧的表面整齐地贴合在耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后，用二次元量测仪(型号：“YVM-3020VT”，广东源兴恒准精密仪器有限公司制造)观察芯片在第一粘合剂层上的相对位置是否发生改变，若位置变动量超过0.005mm即认为是发生位置偏移，并按照下述基准进行评价。
○：在第一粘合剂层上的芯片发生位置偏移的数量<0.1％。
×：在第一粘合剂层上的芯片发生位置偏移的数量≥0.1％。
(8)第二粘合剂层的固定性评价
将本发明的耐热性压敏粘合片的第二粘合剂层贴合到SUS：304不锈钢基板上，将多个芯片(电极材料为金的芯片)具有电极一侧的表面整齐地贴合在耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后，在150℃下加热4小时后，将成型后的树脂切断成相应的大小，肉眼观察粘合片在不锈钢基板上是否发生位置滑移、边缘起翘或者脱落等粘合不良情况，并按照下述基准进行评价。
○：无滑移、边缘起翘或者脱落等粘合不良情况发生
×：有滑移、边缘起翘或者脱落等粘合不良情况发生
(9)第一粘合剂层的剥离性评价
将多个芯片(电极材料为金的芯片)具有电极一侧的表面整齐地贴合在耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层上，在150℃下加热4小时后，将PVC单面胶带(商品名：SPV-224，日东电工株式会社制造)贴在芯片另一侧，然后以180°剥离耐热性压敏粘合片，观察芯片是否从第一粘合剂层转移到PVC单面胶带上，并按照下述基准进行评价。
◎：残留在第一粘合剂层的芯片数量为0个
○：残留在第一粘合剂层的芯片数量小于0.1％
△：残留在第一粘合剂层的芯片数量为0.1％～1％
×：残留在第一粘合剂层的芯片数量大于1％
(10)第二粘合剂层的剥离性评价
将耐热性压敏粘合片的第二粘合剂层粘贴于SUS：304不锈钢基板上，在150℃下加热4小时，然后对耐热性压敏粘合片以15°进行剥离，通过主观手感确认能否容易地将剥离侧的第二粘合剂层从不锈钢基板上剥离，按照下述基准进行评价。
○：非常容易剥离
△：较容易剥离
×：不易剥离
(11)综合评价
根据上述各评价结果，按照下述标准进行综合评价。
○：综合效果优异
△：综合效果良好
×：综合效果差
实施例1
将75μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(商品名：双向拉伸聚酯薄膜，南京亚博联新材料科技股份有限公司制造)用作基材层。
将30重量份乙烯基封端聚二甲基硅氧烷“XB-601”(广州市矽博化工科技有限公司制造)、70重量份乙烯基MQ树脂“VSP8201-1”(成都博达爱福科技有限公司制造)、1.8重量份交联剂“91A”(江西蓝星星火有机硅有限公司制造)和2重量份铂催化剂“CATA 12070”(江西蓝星星火有机硅有限公司制造)添加到甲苯并均匀分散于甲苯中，将所得分散液施涂于基材层的一侧，随后干燥，由此制备25μm厚的第一粘合剂层。
然后，将55重量份聚二甲基硅氧烷“107硅橡胶”(深圳市吉鹏硅氟材料有限公司制造)、45重量份乙烯基MQ树脂“VSP8201-4”(成都博达爱福科技有限公司制造)、1.5重量份交联剂“91A”(江西蓝星星火有机硅有限公司制造)和2重量份铂催化剂“CATA 12070”(江西蓝星星火有机硅有限公司制造)添加到甲苯并均匀分散于甲苯中，将所得分散液施涂于基材层的另一侧，随后干燥，制备25μm厚的第二粘合剂层。
由此，得到半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表1所示。
实施例2
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为27重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为73重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表1所示。
实施例3
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为23重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为77重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表1所示。
实施例4
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为20重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为80重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表1所示。
实施例5
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为25重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为75重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为80重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为20重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表1所示。
实施例6
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为25重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为75重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为60重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为40重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表2所示。
实施例7
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为25重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为75重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为50重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为50重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表2所示。
实施例8
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为25重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为75重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为20重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为80重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表2所示。
比较例1
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为15重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为85重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为85重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为15重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表2所示。
比较例2
将第一粘合剂层中乙烯基封端聚二甲基硅氧烷的添加量设为10重量份，将第一粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为90重量份，将第二粘合剂层中聚二甲基硅氧烷的添加量设为13重量份，将第二粘合剂层中乙烯基MQ树脂的添加量设为87重量份，除此以外，以与实施例1相同的方式获得半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。评价结果如表2所示。
表1
Figure BDA0001596765970000251
表2
Figure BDA0001596765970000261
由表1和表2可知，本发明的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片具有优异的耐热性，其粘贴于被粘体在150℃下加热4小时后经剥离，被粘体表面的硅转移量少，可以有效防止密封树脂的渗入，而且即使经过高温长时间的加热步骤之后，也可容易剥离，且剥离之后被粘体表面基本无残胶，能够显著提高产品的成品率和可靠性。
然而，在比较例1和2中，由于由第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量大，使用之后不易剥离，并且发生剥离后的残胶。
另外，如图3和图4所示，实施例1和4的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片的第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价优异，芯片电极上几乎没有或仅附着少量粘合剂层成分。然而，如图5所示，比较例1的第一粘合剂层与芯片电极的接触面的外观评价较差，芯片电极上附着有大量粘合剂层成分。
附图标记说明
10：基材
20：第一粘合剂层
30：第二粘合剂层
40：第一离型膜
50：第二离型膜。

Claims (14)

1.一种半导体器件生产用耐热性压敏粘合片，其特征在于：
所述粘合片包括：基材层，形成在所述基材层一侧的第一粘合剂层以及形成在所述基材层另一侧的第二粘合剂层，
所述第一粘合剂层包含有机硅系粘合剂，
其中，所述粘合片粘贴于被粘体在150℃下加热4小时后经剥离，由所述第一粘合剂层转移到被粘体表面的硅转移量≤0.01g/m2
所述第一粘合剂层在20～25℃下的180°剥离粘合力为0.1～2N/20mm，
所述第一粘合剂层在150℃加热4小时后的180°剥离粘合力为0.2～3N/20mm，
所述第一粘合剂层的粘合剂的凝胶率为50～70％。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层包含有机硅系粘合剂。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第一粘合剂层在20～25℃下的储能模量为0.6×105～1.7×105Pa。
4.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第一粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～0.8×105Pa。
5.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第一粘合剂层的粘合剂的可溶性部分的重均分子量为2000～5000。
6.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层在20～25℃下的15°剥离粘合力为2～100N/20mm。
7.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层在150℃加热4小时后的15°剥离粘合力为3～130N/20mm。
8.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层在20～25℃下的储能模量为0.8×105～2.5×105Pa。
9.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层在150℃下的储能模量为0.5×105～1.6×105Pa。
10.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第二粘合剂层的粘合剂的凝胶率为40～90％，可溶性部分的重均分子量为2000～6000。
11.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述基材层选自聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚酰亚胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚砜膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、或乙烯和三氟氯乙烯以摩尔比1:1的交替共聚物膜。
12.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述粘合片还包括第一离型膜和第二离型膜，所述第一离型膜设置于所述第一粘合剂层的与所述基材层相反的一侧，所述第二离型膜设置于所述第二粘合剂层的与所述基材层相反的一侧。
13.根据权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，所述第一粘合剂层或所述第二粘合剂层的厚度为5～50μm。
14.一种用于生产半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括使用根据权利要求1～13任一项所述的半导体器件生产用耐热性压敏粘合片。
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