TWI831767B - 半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。該半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片包括：基材層、形成在基材層一側之第一黏合劑層以及形成在基材層另一側之第二黏合劑層，其中，黏合片黏貼於被黏體在150℃下加熱4小時後經剝離，由第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量≤0.01g/m2 。本發明之耐熱性壓敏黏合片在半導體裝置的無引線封裝中用於臨時固定晶片。

Description

半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片
本發明係關於半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片及使用該黏合片生產半導體裝置之方法。
近年，在大規模積體電路之組裝技術中，無引線封裝(例如，無引線四方扁平封裝(QFN：Quad Flat No-leadPackage)、無引線框架封裝(LCC：Leadless Chip Carriers))係在小型化及高積體方面特別受矚目之半導體裝置封裝形態之一。
近年來，在無引線封裝中，下述製造方法特別受矚目：將多個半導體裝置具有電極一側的表面整齊地貼合在耐熱性壓敏黏合片上，在模具之模腔內用密封樹脂一併密封後加熱固化，切斷樹脂成相應的大小，將黏合片去除得到單個的半導體裝置，從而提高了生產性。
在上述將多個半導體裝置一併密封之製造方法中，在樹脂密封時，抑制樹脂滲入至半導體裝置之電極側係非常困難的，容易產生半導體裝置電極被樹脂覆蓋的問題。
另外，作為耐熱性壓敏黏合片，不僅要防止密封樹脂的滲入，亦要防止黏合片剝離之後在半導體裝置留有殘膠，而且要求耐受樹脂固化時的高熱。作為滿足該要求之黏合片，開發了耐熱性黏合片(專利文獻1)。專利文獻1之半導體裝置製造用耐熱性膠黏帶藉由使用丙烯酸系黏合劑來解決密封樹脂之滲入及晶片留有殘膠的問題。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：CN101186792A
發明要解決的問題 然而，專利文獻1之半導體裝置製造用耐熱性膠黏帶使用在需要長時間高溫加熱的工況時會產生氣泡，導致污染晶片電極以及被黏體上留有殘膠的情況。
有機矽系黏合劑具有良好的耐熱性及耐候性，但在製作當中矽油很難完全配比的膠體化，殘留的矽油組分多及未膠體化的矽油由於與膠體的黏結不牢，易於轉移至膠層表面(以下稱為「矽轉移」)，因而在半導體裝置生產過程中會使半導體裝置電極污染造成可靠性下降等問題。
本發明之目的係提供半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片，其具有優異的耐熱性，即使在施加至被黏體後經過150℃之溫度下進行4小時的加熱步驟，仍既不熔融變形亦不會顯著增加黏合力，不僅能避免半導體裝置在封裝過程中發生位置偏移，剝離之後自黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量少，亦可以防止密封樹脂的滲入，並且剝離之後在半導體裝置上無殘膠。
本發明之另一個目的係提供生產半導體裝置之方法，其包括將本發明之耐熱性壓敏黏合片用於生產半導體裝置的步驟。
用於解決問題之方案 經過長時間研究，本發明人等為了解決上述以往的問題，對耐熱性壓敏黏合片之物性、材料、厚度等進行了深入研究。結果，發現藉由控制由第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量，能夠提供具有優異耐熱性、即使在長時間加熱步驟後仍可以獲得令人滿意的黏合力、使用後容易剝離且亦不會對被黏體產生殘膠污染的耐熱性壓敏黏合片，從而完成了本發明。
亦即，本發明提供一種半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片，其包括：基材層、形成在基材層一側之第一黏合劑層以及形成在基材層另一側之第二黏合劑層，其中，黏合片黏貼於被黏體在150℃下加熱4小時後經剝離，由第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量≤0.01g/m2 。
在一個實施方式中，第一黏合劑層及第二黏合劑層包含有機矽系黏合劑。
在一個實施方式中，第一黏合劑層在20-25℃下之180°剝離黏合力為0.1-2 N/20 mm。
在一個實施方式中，第一黏合劑層在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力為0.2-3 N/20 mm。
在一個實施方式中，第一黏合劑層在20-25℃下之儲能模數為0.6×105 -1.7×105 Pa。
在一個實施方式中，第一黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105 -0.8×105 Pa。
在一個實施方式中，第一黏合劑層之黏合劑之凝膠率為50-70%，可溶性部分之重量平均分子量為2000-5000。
在一個實施方式中，第二黏合劑層在20-25℃下之15°剝離黏合力為2-100 N/20 mm。
在一個實施方式中，第二黏合劑層在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力為3-130 N/20 mm。
在一個實施方式中，第二黏合劑層在20-25℃下之儲能模數為0.8×105 -2.5×105 Pa。
在一個實施方式中，第二黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105 -1.6×105 Pa。
在一個實施方式中，第二黏合劑層之黏合劑之凝膠率為40-90%，可溶性部分之重量平均分子量為2000-6000。
在一個實施方式中，基材層選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚醯亞胺膜、聚醯胺醯亞胺膜、聚碸膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、或乙烯及三氟氯乙烯以莫耳比1:1的交替共聚物膜。
在一個實施方式中，黏合片進一步包括第一脫模膜及第二脫模膜，第一脫模膜設置於第一黏合劑層之與基材層相反的一側，第二脫模膜設置於第二黏合劑層之與基材層相反的一側。
在一個實施方式中，第一黏合劑層或第二黏合劑層之厚度為5-50 µm。
此外，本發明亦關於一種用於生產半導體裝置之方法，該方法包括使用上述之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。
發明之效果 根據本發明，能夠提供具有優異耐熱性的壓敏黏合片，其即使在長時間加熱步驟後仍可以獲得令人滿意的黏合力，而且經過高溫長時間的加熱步驟之後，容易剝離，且被黏體表面無殘膠污染，顯著地提高了產品之成品率及可靠性。
以下，對本發明之實施方案進行詳細說明。但是，本發明不受以下實施方案的限定。
＜＜半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片＞＞ 圖1為根據本發明實施方案之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之截面示意圖。如圖1所示，半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片1包括：基材層10、形成在基材層10一側之第一黏合劑層20以及形成在基材層10另一側之第二黏合劑層30。在半導體裝置生產過程中，第一黏合劑層10用於黏合半導體裝置的電極側，第二黏合劑層30用於黏合基板。
圖2為根據本發明之另一個實施方案之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之截面示意圖。如圖2所示，半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片1包括：基材層10、形成在基材層10一側之第一黏合劑層20、形成在第一黏合劑層20上的第一脫模膜40、形成在基材層10另一側之第二黏合劑層30以及形成在第二黏合劑層30上的第二脫模膜50。
本說明書中所說的黏合片的概念中，可以包括被稱為黏合帶、黏合標籤、黏合薄膜等的物體。需要說明的是，本說明書揭示的黏合片可以係單片狀，亦可以為被進一步加工成各種形狀的形態的黏合片。
＜基材層＞ 基材層材料的種類沒有特別限定，較佳使用在當用樹脂包封時的加熱條件下具有耐熱性的基材層。樹脂包封步驟通常需要約150-180℃之溫度。因此，本發明之耐熱性壓敏黏合片的基材層較佳使用滿足上述加熱條件的耐熱性材料。
基材層的實例包括耐熱性塑料膜，作為此類耐熱性塑料膜，例如可較佳列舉出聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚醯亞胺膜、聚醯胺醯亞胺膜、聚碸膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、乙烯及三氟氯乙烯以莫耳比1:1的交替共聚物膜等。此等材料可單獨使用或以其兩種或更多種的組合使用。
作為耐熱性基材層，亦可以使用紙基材，例如玻璃紙、高質量紙及日本紙；無紡布基材，例如纖維素、聚醯胺、聚酯及芳族聚醯胺；金屬箔基材，例如鋁箔、SUS箔及Ni箔。此外，那些可以層壓的材料亦可用作基材層。
對於基材層之厚度沒有特別限定，可以根據黏合片的用途等設定為適當的厚度。基材層之厚度較佳為10-200 μm，更佳為25-100 μm。當基材層之厚度在上述範圍內時，可以防止耐熱性壓敏黏合片彎曲及撕裂。在基材層之厚度小於10 μm的場合下，剝離時容易折斷或裂開。在基材層之厚度超過200 μm的場合下，會導致成本的增加。
為改進本發明之耐熱性壓敏黏合片的黏合性，可以對基材層的表面實施合適的公知或習知表面處理，例如鉻酸處理、暴露於臭氧、暴露於火焰、暴露於高電壓電擊、或用電離輻射處理等化學或物理氧化處理。另外，基材層的表面亦可以用底漆或錨定塗層，例如異氰酸酯錨定劑進行塗層處理。
＜黏合劑層＞ 本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片，較佳使在半導體裝置電極側的第一黏合劑層為有機矽系黏合劑層。基材層另一側之第二黏合劑層可以為有機矽系黏合劑層，亦可以係其他耐熱性黏合劑層。
(第一黏合劑層) 本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層黏貼於被黏體在150℃下加熱4小時後經剝離，由第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量≤0.01g/m2 ，較佳≤0.008g/m2 ，更佳≤0.006g/m2 。當矽轉移量落入上述範圍內時，即使在長時間加熱使用後亦能夠容易剝離，並且亦不會對被黏體產生矽污染。如果矽轉移量大於上述值，將會污染半導體裝置電極，造成封裝後之半導體裝置的可靠性降低，電極處外觀不良，而且使用之後不易剝離。
作為被黏體，沒有特別地限定，例如可例舉出不鏽鋼(如SUS：304，430等)、金、銀、鉑、金-錫合金、鈦-鋁合金等。
對於本發明之第一黏合劑層，只要具有黏合性及耐熱性就沒有特別限定，較佳為由包含有機矽系黏合劑的黏合劑組合物形成的有機矽系黏合劑層。
作為構成有機矽黏合劑層的有機矽系黏合劑，在能夠獲得本發明之效果的範圍內可以使用任意適宜的黏合劑。作為上述有機矽系黏合劑，較佳使用例如將包含有機聚矽氧烷的有機矽橡膠或者有機矽樹脂等作為基礎聚合物的有機矽系黏合劑。作為構成有機矽系黏合劑的基礎聚合物，亦可以使用將上述有機矽橡膠或者有機矽樹脂交聯而得到的基礎聚合物。需要說明的是，在本說明書中，「有機矽橡膠」與「有機矽樹脂」之區別係基於「技術信息協會 黏合劑(薄膜·帶)的材料設計與功能性賦予 第1版 2009年9月30日 222-228頁」。亦即，「有機矽橡膠」係指由二有機矽氧烷(D單元)構成之直鏈構造的有機矽。「有機矽樹脂」係指包含三有機矽氧烷(M單元)與矽酸鹽(Q單元)之具有支鏈結構的有機矽。
作為上述有機矽橡膠，例如可列舉出包含二甲基矽氧烷作為結構單元之有機聚矽氧烷等。在有機聚矽氧烷中，根據需要可以導入官能基(例如乙烯基)。
作為上述有機矽樹脂，例如可列舉出：包含選自R3 SiO1/2 結構單元、SiO2 結構單元、RSiO3/2 結構單元以及R2 SiO結構單元中之至少一種結構單元的有機聚矽氧烷(R為一價烴基或者羥基)。
上述有機矽橡膠與有機矽樹脂可以組合使用。有機矽系黏合劑中之有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比(橡膠:樹脂)較佳為30:70-20:80，更佳為30:70-23:77。當有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比落入上述範圍內時，可得到優異的黏性及保持力。如果有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比未落入上述範圍內，將會導致黏性較差而容易脫落，或者黏合力過高而導致剝離困難或無法剝離。
有機矽橡膠與有機矽樹脂可以以單純的混合物之形式在有機矽系黏合劑中含有，亦可以以有機矽橡膠與有機矽樹脂進行部分縮合的方式在有機矽系黏合劑中含有。需要說明的是，有機矽系黏合劑中的有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比可以利用29 Si-NMR測定根據Q單元與D單元的峰面積比(有機矽橡膠:有機矽樹脂=D單元:Q單元)求出。
上述黏合劑可以根據需要包含任意適合的添加劑。作為該添加劑，例如可列舉出：催化劑、交聯劑、增黏劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、抗老化劑、導電材料、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調節劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。
作為催化劑，可以使用任意適合的催化劑。作為催化劑之具體例，例如可例舉出：鉑催化劑等。催化劑可以使用市售品或者將其加工後的加工品。對於催化劑之添加量沒有特別地限定，可以根據黏合劑層的效能等設定為任意適合的量。相對於有機矽橡膠及有機矽樹脂之總含量100重量份，較佳為1-10重量份，更佳為2-5重量份。
作為交聯劑，例如可列舉出：矽氧烷系交聯劑、過氧化物系交聯劑等。作為過氧化物系交聯劑，例如可列舉出：過氧化苯甲醯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化二異丙苯等。作為矽氧烷系交聯劑，例如可列舉出聚有機氫矽氧烷等。該聚有機氫矽氧烷較佳具有兩個以上與矽原子鍵合之氫原子。另外，對於該聚有機氫矽氧烷，作為與矽原子鍵合之官能基，較佳具有烷基、苯基、鹵代烷基，基於合成以及處理的容易度，更佳具有甲基。
交聯劑之添加量沒有特別地限定，可以根據目標黏合力、黏合劑層的效能等設定為任意適合的量。相對於有機矽橡膠及有機矽樹脂之總含量100重量份，較佳為1-10重量份，更佳為1.5-5重量份。
作為增黏劑，可以使用任意適合的增黏劑，例如可以使用增黏樹脂。作為增黏樹脂之具體例，可列舉出：松香系增黏樹脂(例如未改質松香、改質松香、松香酚系樹脂、松香酯系樹脂等)、萜烯系增黏樹脂(例如萜烯系樹脂、萜烯酚系樹脂、苯乙烯改質萜烯系樹脂、芳族改質萜烯系樹脂、氫化萜烯系樹脂)、烴系增黏樹脂(例如脂族系烴樹脂、脂族系環狀烴樹脂、芳族系烴樹脂(例如苯乙烯系樹脂、二甲苯系樹脂等)、脂族·芳族系石油樹脂、脂族·脂環族系石油樹脂、氫化烴樹脂、香豆酮系樹脂、香豆酮茚系樹脂等)、酚系增黏樹脂(例如烷基酚系樹脂、二甲苯甲醛系樹脂、甲階酚醛樹脂、酚醛清漆等)、酮系增黏樹脂、聚醯胺系增黏樹脂、環氧系增黏樹脂、彈性體系增黏樹脂等。增黏劑可以單獨使用或組合使用2種以上。
作為上述塑化劑，可以使用任意適合的塑化劑。作為塑化劑之具體例，例如可列舉出：偏苯三酸酯系塑化劑、均苯四酸酯系塑化劑、聚酯系塑化劑、己二酸系塑化劑等。塑化劑可以單獨使用或組合使用2種以上。
自提高耐熱性壓敏黏合片之耐反發性的角度考慮，第一黏合劑層之黏合劑之可溶性部分之重量平均分子量較佳為2000-5000，更佳為2000-4500，進一步更佳為2000-4000。藉由使黏合劑之可溶性部分之重量平均分子量在上述範圍內，能夠使黏合劑具有適當的內聚強度，從而可以提高膠帶之耐反發性。當黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量不足2000時，無法發揮黏合劑所需的黏合力，導致黏性較差。當黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量大於5000時，黏合力過大，將出現剝離困難或無法剝離的情況。
在第一黏合劑層中，基於黏合特性(黏接力、黏性、耐久性、保持特性)的平衡方面，凝膠率較佳為50-70%，更佳為55-70%，進一步更佳為60-70%。當凝膠率不足50%時，可能會出現內聚力不足，導致剝離時發生內聚破壞，部分黏合劑殘留在被黏體表面，發生加工性降低的情況；另一方面，當凝膠率超過70%時，可能會出現黏性不足，達不到黏合要求，發生黏合可靠性降低的情況。
第一黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的儲能模數為0.6×105 -1.7×105 Pa，較佳為0.8×105 -1.7×105 Pa。具有上述儲能模數的第一黏合劑層的耐熱性壓敏黏合片，具有對被黏體顯示出良好的黏接性的傾向，此基於耐熱性壓敏黏合片的黏合操作性(例如，操作效率、黏合精度)等觀點係較佳的。
第一黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105 -0.8×105 Pa，較佳為0.6×105 -0.8×105 Pa。當第一黏合劑層具有上述範圍內的儲能模數時，能夠獲得黏接性及操作性優異的耐熱性壓敏黏合片。
第一黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力為0.1-2 N/20 mm，較佳為0.1-1.5 N/20 mm。當在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力小於0.1 N/20 mm時，會造成對半導體裝置的固定性差，在製造過程中容易自黏合片脫落或滑移。當在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力大於2 N/20 mm時，會造成剝離困難或者無法剝離。
第一黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的15°剝離黏合力為2-22 N/20 mm，較佳為2-10 N/20 mm。當在20-25℃(較佳23℃)下的15°剝離黏合力落在上述範圍內時，對被黏體的密合性提高，並且在使用之後亦可容易剝離。
第一黏合劑層在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力為0.2-3 N/20 mm，較佳為0.2-2.5 N/20 mm，更佳為0.2-1 N/20 mm。當在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力小於0.2 N/20 mm時，對半導體裝置的黏合性變得不充分，操作期間半導體裝置容易發生脫落，位置偏移或者封裝樹脂滲入。當在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力大於3 N/20 mm時，導致剝離困難，容易發生半導體裝置仍殘留在第一黏合劑層或半導體裝置結構破損情況。
第一黏合劑層在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力為3-35 N/20 mm，較佳為3-25 N/20 mm。當在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力落在上述範圍內時，不僅可以表現出合適的黏合性，亦可以避免使用之後剝離困難。
關於剝離黏合力，在對封裝體熱固化包封樹脂之步驟中，需要臨時固定半導體裝置，並且包封樹脂的步驟結束後要自黏合劑層剝離封裝體。剝離黏合力過低會造成半導體裝置固定性差，製造過程中容易自黏合片上脫落或滑移，黏合力過高會造成剝離困難。因此，對於本發明之第一黏合劑層需要剝離黏合力落入上述範圍。
關於儲能模數，在對封裝體熱固化包封樹脂的步驟中，需要保護半導體裝置電極不被封裝樹脂污染。儲能模數過高會導致黏合劑層與半導體裝置產生縫隙，儲能模數過低會導致半導體裝置發生偏移。因此，對於本發明之第一黏合劑層需要儲能模數落入上述範圍。
另外，第一黏合劑層具有小的熱膨脹性。因此，在用樹脂包封後半導體裝置位置的偏移小。偏移程度為0.3mm以下，較佳為0.1mm以下。
本發明之第一黏合劑層之厚度在不損害本發明之效果的範圍內可以採用任意適當的厚度。作為此類厚度，較佳為5-50 μm，更佳為10-30 μm。第一黏合劑層之厚度低於5 μm時，存在無法顯現充分的黏合力的擔心。第一黏合劑層之厚度大於50 μm時，除了成本變高以外，亦會黏合力變得過大，存在剝離等時使被黏體破裂的擔心。
(第二黏合劑層) 作為第二黏合劑層的材料，在不損害本發明之效果的範圍內可以採用任意適當的黏合劑。第二黏合劑層可以使用此類黏合劑藉由任意適當之方法製造。
作為構成第二黏合劑層的黏合劑，例如可列舉出有機矽系黏合劑、包括丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸系黏合劑、包括天然橡膠或合成橡膠作為基礎聚合物的橡膠系黏合劑、苯乙烯/共軛二烯嵌段共聚物系黏合劑、聚酯系黏合劑、聚醯胺系黏合劑等。其中，自耐熱性的觀點，較佳使用有機矽系黏合劑及丙烯酸系黏合劑，更佳使用有機矽系黏合劑。
作為上述有機矽系黏合劑，較佳使用例如將包含有機聚矽氧烷的有機矽橡膠或者有機矽樹脂等作為基礎聚合物的有機矽系黏合劑。作為構成有機矽系黏合劑的基礎聚合物，亦可以使用將上述有機矽橡膠或者有機矽樹脂交聯而得到的基礎聚合物。
作為上述有機矽橡膠，例如可列舉出包含二甲基矽氧烷作為結構單元的有機聚矽氧烷等。在有機聚矽氧烷中，根據需要可以導入官能基(例如乙烯基)。
作為上述有機矽樹脂，例如可列舉出：包含選自R3 SiO1/2 結構單元、SiO2 結構單元、RSiO3/2 結構單元以及R2 SiO結構單元中之至少一種結構單元的有機聚矽氧烷(R為一價烴基或者羥基)。
上述有機矽橡膠與有機矽樹脂可以組合使用。有機矽系黏合劑中的有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比(橡膠:樹脂)較佳為80:20-20:80，更佳為80:20-50:50。當有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比落入上述範圍內時，可得到優異的黏性及保持力。如果有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比未落入上述範圍內，將會導致黏性較差而容易脫落，或者黏合力過高而導致剝離困難或無法剝離。
有機矽橡膠與有機矽樹脂可以以單純的混合物之形式在有機矽系黏合劑中含有，亦可以以有機矽橡膠與有機矽樹脂進行部分縮合的方式在有機矽系黏合劑中含有。需要說明的是，有機矽系黏合劑中的有機矽橡膠與有機矽樹脂之重量比可以利用29 Si-NMR測定根據Q單元與D單元的峰面積比(有機矽橡膠:有機矽樹脂=D單元:Q單元)求出。
上述黏合劑可以根據需要包含任意適合的添加劑。作為該添加劑，例如可列舉出：催化劑、交聯劑、增黏劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、抗老化劑、導電材料、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調節劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。
作為催化劑，可以使用任意適合的催化劑。作為催化劑之具體例，例如可例舉出：鉑催化劑等。催化劑可以使用市售品或者將其加工後的加工品。對於催化劑之添加量沒有特別地限定，可以根據黏合劑層的效能等設定為任意適合的量。相對於有機矽橡膠及有機矽樹脂之總含量100重量份，較佳為1-10重量份，更佳為2-5重量份。
作為交聯劑，例如可列舉出：矽氧烷系交聯劑、過氧化物系交聯劑等。作為過氧化物系交聯劑，例如可列舉出：過氧化苯甲醯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化二異丙苯等。作為矽氧烷系交聯劑，例如可列舉出聚有機氫矽氧烷等。該聚有機氫矽氧烷較佳具有兩個以上與矽原子鍵合之氫原子。另外，對於該聚有機氫矽氧烷，作為與矽原子鍵合之官能基，較佳具有烷基、苯基、鹵代烷基，基於合成以及處理的容易度，更佳具有甲基。
交聯劑之添加量沒有特別地限定，可以根據目標黏合力、黏合劑層的性能等設定為任意適合的量。相對於有機矽橡膠及有機矽樹脂之總含量100重量份，較佳為1-10重量份，更佳為1.5-5重量份。
作為增黏劑，可以使用任意適合的增黏劑，例如可以使用增黏樹脂。作為增黏樹脂之具體例，可列舉出：松香系增黏樹脂(例如未改質松香、改質松香、松香酚系樹脂、松香酯系樹脂等)、萜烯系增黏樹脂(例如萜烯系樹脂、萜烯酚系樹脂、苯乙烯改質萜烯系樹脂、芳族改質萜烯系樹脂、氫化萜烯系樹脂)、烴系增黏樹脂(例如脂族系烴樹脂、脂族系環狀烴樹脂、芳族系烴樹脂(例如苯乙烯系樹脂、二甲苯系樹脂等)、脂族·芳族系石油樹脂、脂族·脂環族系石油樹脂、氫化烴樹脂、香豆酮系樹脂、香豆酮茚系樹脂等)、酚系增黏樹脂(例如烷基酚系樹脂、二甲苯甲醛系樹脂、甲階酚醛樹脂、酚醛清漆等)、酮系增黏樹脂、聚醯胺系增黏樹脂、環氧系增黏樹脂、彈性體系增黏樹脂等。增黏劑可以單獨使用或組合使用2種以上。
作為上述塑化劑，可以使用任意適合的塑化劑。作為塑化劑之具體例，例如可列舉出：偏苯三酸酯系塑化劑、均苯四酸酯系塑化劑、聚酯系塑化劑、己二酸系塑化劑等。塑化劑可以單獨使用或組合使用2種以上。
自提高耐熱性壓敏黏合片的耐反發性的角度考慮，第二黏合劑層之黏合劑之可溶性部分之重量平均分子量為2000-6000，較佳為2000-5000，更佳為3000-5000。藉由使黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量在上述範圍內，能夠使黏合劑具有適當的內聚強度，從而可以提高膠帶的耐反發性。當黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量不在上述範圍內時，無法發揮黏合劑所需的黏合力，或者由於黏合力過大而導致剝離困難或無法剝離。
在第二黏合劑層中，凝膠率較佳為40-90%，較佳為50-90%，進一步更佳為60-90%。當凝膠率落入上述範圍內時，能夠保持充足的黏性，並且當剝離時，表現出優異的剝離性，且對被黏體不產生殘膠污染，表現出優異的操作性。
第二黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的儲能模數為0.8×105 -2.5×105 Pa，較佳為1×105 -2.5×105 Pa。具有上述儲能模數的第二黏合劑層的耐熱性壓敏黏合片，具有對被黏體顯示出良好的黏接性的傾向，此基於耐熱性壓敏黏合片的黏合操作性(例如，操作效率、黏合精度)等觀點係較佳的。
第二黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105 -1.6×105 Pa，較佳為0.6×105 -1.6×105 Pa。當第二黏合劑層具有上述範圍內的儲能模數時，能夠獲得黏接性及操作性優異的耐熱性壓敏黏合片。
第二黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力為0.1-8 N/20 mm，較佳為0.1-2 N/20 mm。當在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力小於0.1 N/20 mm時，會造成與基板的黏合性差，在製造過程中容易自基板脫落或滑移。當在20-25℃(較佳23℃)下的180°剝離黏合力大於8 N/20 mm時，會造成剝離困難或者無法剝離。
第二黏合劑層在20-25℃(較佳23℃)下的15°剝離黏合力為2-100 N/20 mm，較佳為2-50 N/20 mm，更佳為2-22 N/20 mm。當在20-25℃(較佳23℃)下的15°剝離黏合力落在上述範圍內時，對被黏體的密合性提高，並且在使用之後亦可容易剝離。
第二黏合劑層在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力為0.2-10 N/20 mm，較佳為0.2-3 N/20 mm。當在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力小於0.2 N/20 mm時，黏合性變得不充分，操作期間容易發生脫落或者位置偏移。當在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力大於10 N/20 mm時，導致剝離困難，或者無法剝離。
第二黏合劑層在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力為3-130 N/20 mm，較佳為3-100 N/20 mm，更佳為3-41 N/20 mm。當在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力落在上述範圍內時，不僅可以表現出合適的黏合性，亦可以避免使用之後剝離困難。
第二黏合劑層之厚度在不損害本發明之效果的範圍內可以採用任意適當的厚度。作為此類厚度，較佳為5-50 μm，更佳為10-30 μm。第二黏合劑層之厚度低於5 μm時，存在無法顯現充分的黏合力的擔心。第二黏合劑層之厚度大於50 μm時，除了成本變高以外，亦會黏合力變得過大，存在剝離等時使被黏體破裂的擔心。
＜脫模膜＞ 本發明之耐熱性壓敏黏合片根據需要可以進一步具備脫模膜。脫模膜的至少一側的面成為剝離面，可以為了保護本發明之黏合劑層而設置。如圖2所示，本發明之耐熱性壓敏黏合片包括第一脫模膜及第二脫模膜，第一脫模膜設置於第一黏合劑層之與基材層相反的一側，第二脫模膜設置於第二黏合劑層之與基材層相反的一側。
脫模膜包括以單層結構或多層結構並採用此項技術中通常使用的材料形成。例如，脫模膜為包括基材膜及形成於其一側上的脫模劑層的片，並且係為了在使用本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之前露出黏合劑層的各個面而剝離的片。
脫模劑層可藉由以下來獲得：根據要與其接觸的黏合劑，自習知脫模劑層如長鏈烷基類、氟樹脂類及矽酮樹脂類中適當地選擇。
脫模膜的基材膜可以由任意適當的材料構成，例如，可以選自聚醚醚酮膜、聚醚醯亞胺膜、多芳基化合物膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、聚氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子鍵樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜及聚碳酸酯膜。
脫模劑層可以根據黏合劑層的樹脂自習知脫模劑如氟化有機矽樹脂類脫模劑、氟樹脂類脫模劑、有機矽樹脂類脫模劑、聚乙烯醇樹脂、聚丙烯樹脂及長鏈烷基化合物中選擇適當的脫模劑，並在該樹脂中包含選擇的脫模劑而獲得之層。
＜＜半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之製造方法＞＞ 本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片能夠利用任意適當之方法來製造。關於本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片，例如可列舉出：在基材層上直接塗覆包含黏合劑的組合物之方法，或將在任意適當的基體塗覆包含黏合劑的組合物而形成的塗覆層向基材層進行轉印之方法等。包含黏合劑的組合物可以包含任意適當的溶劑。為了製備此類耐熱性壓敏黏合片，可以將黏合劑薄層塗佈在基材或分離器上並進行乾燥。
＜＜使用本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片生產半導體裝置之方法＞＞ 在本發明之用於生產半導體裝置之方法中，將本發明之耐熱性壓敏黏合片之第二黏合劑層貼合至基板(例如，玻璃、不鏽鋼或者陶瓷)上，將多個半導體裝置具有電極一側的表面整齊地在貼合在耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層上，在模具的模腔內用密封樹脂一併密封後，在80-200℃下加熱2-6小時後，將成型後的樹脂切斷成相應的大小，再將本發明之耐熱性壓敏黏合片去除得到單個之半導體裝置結構物。
作為實例，將半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片生產半導體裝置之方法描述如下。
將本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片黏合併固定至基板，將半導體裝置以任意的間隔黏合併固定至該片，用包封樹脂包封已固定之半導體裝置以便嵌入半導體裝置。
然後，藉由加熱剝離將由此包封的多個半導體裝置與包封樹脂及半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片一起自基板剝離。接著，將本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片自樹脂包封之半導體裝置剝離。
隨後，將各種圖案印刷施加於半導體裝置與半導體裝置表面之間的區域以形成佈線用引線等，佈線用引線形成作為半導體裝置表面上的球形連接電極的凸塊等。
最終，藉由切割等將半導體裝置間的包封樹脂部分切斷，從而可獲得裝配有單獨之半導體裝置的各半導體裝置。
實施例 以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但是本發明不受此等實施例的限定。實施例中之評價方法如下所述。另外，在實施例中只要沒有特別標註，則「份」及「%」為重量基準。
(1) 矽轉移量 藉由螢光X射線分析測定不鏽鋼片(SUS:430)的每個與直徑30mm的圓相當的面積上存在之Si量I(kcps)，作為空白。將作為測定對象的被測黏合片的黏合劑層黏貼至上述不鏽鋼片上，製作試驗片。將該試驗片在150℃之乾燥器中施加5 kg的負荷4小時，然後除去該負荷並自該乾燥器中取出，再在23℃保持2小時後，將被測黏合片撕除。藉由螢光X射線分析測定上述不鏽鋼片被黏合面的每個與直徑30mm的圓相當的面積上存在之Si量F(kcps)。上述被測黏合劑層的矽轉移量為F減去I得到的值。
根據上述方法，使用理學公司製造之型號「Supermini」作為XRF裝置，在下述條件下測定矽轉移量。 X射線源：立式Rh管 分析範圍：直徑30 mm的圓內 分光晶體：Si-Kα 輸出：50 kv、70 mA
(2) 儲能模數 將被測黏合片彼此在23℃、50% RH環境下貼合多次，在50℃、5 atm的高壓釜中處理20分鐘，製成厚1.0 mm的黏合劑層。對於該厚1.0 mm的黏合劑層，用TA儀器公司(TA Instruments)製「ARES-G2」藉由以JIS K7244為基準的動態黏彈性測定法(溫度範圍-70-170℃、升溫速度5℃/分鐘、頻率1 Hz、振幅0.1%的條件)測定黏彈性圖譜，確定溫度23℃及150℃下之儲能模數。
(3) 凝膠率 收集被測黏合劑層約0.1 g，用厚度85 μm、平均孔徑0.2 μm、空孔率75%的多孔聚四氟乙烯片(日東電工株式會社製造)包起來，然後用風箏線綁好，量測其當時的重量，以該重量作為包裹後的重量。在此方面，浸漬之前的重量係黏合劑層(以上收集的黏合劑層)、聚四氟乙烯片及風箏線之總重量。此外亦量測聚四氟乙烯片及風箏線之總重量，以該重量作為包裹物重量。
然後，將其中用聚四氟乙烯片包裹黏合劑層並用風箏線綁好的上述產品(稱為「樣品」)放入填充有甲苯的50毫升容量的容器中，並使之在23℃靜置7天。此後自容器中取出樣品(經甲苯處理後)轉移至鋁杯裏，在130℃的乾燥器中乾燥2小時以除去甲苯，然後量測其重量，以該重量作為浸漬後的重量。此後由下式計算凝膠率。 凝膠率(重量%)＝{(A-B)/(C-B)}×100 上式中，A係浸漬之後的重量，B係包裹物重量，C係浸漬之前的重量。
(4) 剝離黏合力 將黏合片黏貼厚度25 μm的PET薄膜進行加襯。將該加襯後的黏合片切割為20 mm×200 mm之長方形，製作試驗片。該試驗片藉由使2 kg的輥往返一次將露出的黏合面壓接至不鏽鋼(SUS：304)板上。將所得材料在23℃、RH 50%的環境中保持30分鐘後，使用拉伸試驗機(島津製作所製造，商品名「テンシロン」)，根據JIS Z0237，分別測定在23℃下及150℃加熱4小時後、在剝離角度180°、拉伸速度300 mm/分鐘的條件下的剝離黏合力，以及在23℃下及150℃加熱4小時後、在剝離角度15°、拉伸速度300 mm/分鐘的條件下的剝離黏合力。
(5) 黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量 黏合劑的可溶性部分之重量平均分子量測定使用由甲苯萃取得到的可溶性部分(溶膠部分)之重量平均分子量之方法測定。
自黏合片上收集被測黏合劑層約0.1g，用厚度85 μm、平均孔徑0.2 μm、空孔率75%的多孔聚四氟乙烯片(日東電工株式會社製造)包起來，然後用風箏線綁好。
然後，將上述用聚四氟乙烯片包裹並用風箏線綁好的黏合劑層放入填充有甲苯的50 mL容量之容器中，並使之在23℃靜置7天。此後將容器中的甲苯溶液(含萃取出的溶膠部分)取出並進行減壓乾燥，蒸發掉溶劑(甲苯)以得到溶膠部分。
將上述溶膠部分溶於四氫呋喃(THF)，使用GPC裝置(TOSOHCORPORATION製造，HLC-8220GPC)測定溶膠部分之重量平均分子量。測定條件如下所述，利用標準聚苯乙烯換算求出分子量。 樣品濃度：0.2 wt%(四氫呋喃(THF)溶液) 樣品注入量：10 μl 溶離液：THF 流速：0.6 ml/min 測定溫度：40℃ 管柱：樣品管柱，TSKguardcolumnSuperHZ-H(1根)+TSKgelSuperHZM-H(2根) 參考管柱，TSKgelSuperH-RC(1根) 檢測器：差示折射計(RI)
(6) 第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價 將晶片(電極材料為金的晶片)具有電極一側的表面貼合在本發明之耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層上，放入烘箱中150℃加熱4小時，然後將晶片自黏合片上剝離，用顯微鏡(KEYENCE CORPORATION製造，商品名：VHX-100，倍率：200倍)觀察上述晶片的黏貼面，確認有無直接附著在晶片電極上的黏合劑層成分並按照下述基準進行評價。 ○：晶片電極上幾乎無黏合劑層成分 △：晶片電極上附著有少量黏合劑層成分 ×：晶片電極上附著有大量黏合劑層成分
(7) 第一黏合劑層的固定性評價 將本發明之耐熱性壓敏黏合片之第二黏合劑層貼合至SUS：304不鏽鋼基板上，將多個晶片(電極材料為金的晶片)具有電極一側的表面整齊地貼合在耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層上，在模具的模腔內用密封樹脂一併密封後，用二次元量測儀(型號：「YVM-3020VT」，廣東源興恆準精密儀器有限公司製造)觀察晶片在第一黏合劑層上的相對位置是否發生改變，若位置變動量超過0.005 mm即認為係發生位置偏移，並按照下述基準進行評價。 ○：在第一黏合劑層上的晶片發生位置偏移的數量＜0.1%。 ×：在第一黏合劑層上的晶片發生位置偏移的數量≥0.1%。
(8) 第二黏合劑層的固定性評價 將本發明之耐熱性壓敏黏合片之第二黏合劑層貼合至SUS：304不鏽鋼基板上，將多個晶片(電極材料為金的晶片)具有電極一側的表面整齊地貼合在耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層上，在模具的模腔內用密封樹脂一併密封後，在150℃下加熱4小時後，將成型後的樹脂切斷成相應的大小，肉眼觀察黏合片在不鏽鋼基板上是否發生位置滑移、邊緣起翹或者脫落等黏合不良情況，並按照下述基準進行評價。 ○：無滑移、邊緣起翹或者脫落等黏合不良情況發生 ×：有滑移、邊緣起翹或者脫落等黏合不良情況發生
(9) 第一黏合劑層的剝離性評價 將多個晶片(電極材料為金的晶片)具有電極一側的表面整齊地貼合在耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層上，在150℃下加熱4小時後，將PVC單面膠帶(商品名：SPV-224，日東電工株式會社製造)貼在晶片另一側，然後以180°剝離耐熱性壓敏黏合片，觀察晶片是否自第一黏合劑層轉移至PVC單面膠帶上，並按照下述基準進行評價。 ◎：殘留在第一黏合劑層的晶片數量為0個 ○：殘留在第一黏合劑層的晶片數量小於0.1% △：殘留在第一黏合劑層的晶片數量為0.1%-1% ×：殘留在第一黏合劑層的晶片數量大於1%
(10) 第二黏合劑層的剝離性評價 將耐熱性壓敏黏合片之第二黏合劑層黏貼於SUS：304不鏽鋼基板上，在150℃下加熱4小時，然後對耐熱性壓敏黏合片以15°進行剝離，藉由主觀手感確認能否容易地將剝離側的第二黏合劑層自不鏽鋼基板上剝離，按照下述基準進行評價。 ○：非常容易剝離 △：較容易剝離 ×：不易剝離
(11) 綜合評價 根據上述各評價結果，按照下述標準進行綜合評價。 ○：綜合效果優異 △：綜合效果良好 ×：綜合效果差
實施例1 將75 μm厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(商品名：雙向拉伸聚酯薄膜，南京亞博聯新材料科技股份有限公司製造)用作基材層。
將30重量份乙烯基封端聚二甲基矽氧烷「XB-601」(廣州市矽博化工科技有限公司製造)、70重量份乙烯基MQ樹脂「VSP8201-1」(成都博達愛福科技有限公司製造)、1.8重量份交聯劑「91A」(江西藍星星火有機矽有限公司製造)及2重量份鉑催化劑「CATA 12070」 (江西藍星星火有機矽有限公司製造)添加至甲苯并均勻分散於甲苯中，將所得分散液施塗於基材層的一側，隨後乾燥，由此製備25 μm厚的第一黏合劑層。
然後，將55重量份聚二甲基矽氧烷「107矽橡膠」(深圳市吉鵬矽氟材料有限公司製造)、45重量份乙烯基MQ樹脂「VSP8201-4」(成都博達愛福科技有限公司製造)、1.5重量份交聯劑「91A」(江西藍星星火有機矽有限公司製造)及2重量份鉑催化劑「CATA 12070」(江西藍星星火有機矽有限公司製造)添加至甲苯并均勻分散於甲苯中，將所得分散液施塗於基材層的另一側，隨後乾燥，製備25 μm厚的第二黏合劑層。
由此，得到半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表1所示。
實施例2 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為27重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為73重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表1所示。
實施例3 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為23重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為77重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表1所示。
實施例4 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為20重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為80重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表1所示。
實施例5 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為25重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為75重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為80重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為20重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表1所示。
實施例6 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為25重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為75重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為60重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為40重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表2所示。
實施例7 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為25重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為75重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為50重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為50重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表2所示。
實施例8 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為25重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為75重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為20重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為80重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表2所示。
比較例1 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為15重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為85重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為85重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為15重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表2所示。
比較例2 將第一黏合劑層中乙烯基封端聚二甲基矽氧烷之添加量設為10重量份，將第一黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為90重量份，將第二黏合劑層中聚二甲基矽氧烷之添加量設為13重量份，將第二黏合劑層中乙烯基MQ樹脂之添加量設為87重量份，除此以外，以與實施例1相同的方式獲得半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。評價結果如表2所示。 表1 表2
由表1及表2可知，本發明之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片具有優異的耐熱性，其黏貼於被黏體在150℃下加熱4小時後經剝離，被黏體表面之矽轉移量少，可以有效防止密封樹脂的滲入，而且即使經過高溫長時間的加熱步驟之後，亦可容易剝離，且剝離之後被黏體表面基本無殘膠，能夠顯著提高產品的成品率及可靠性。
然而，在比較例1及2中，由於由第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量大，使用之後不易剝離，並且發生剝離後的殘膠。
另外，如圖3及圖4所示，實施例1及4之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價優異，晶片電極上幾乎沒有或僅附著少量黏合劑層成分。然而，如圖5所示，比較例1的第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價較差，晶片電極上附著有大量黏合劑層成分。
1‧‧‧半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片 10‧‧‧基材層 20‧‧‧第一黏合劑層 30‧‧‧第二黏合劑層 40‧‧‧第一脫模膜 50‧‧‧第二脫模膜
圖1係根據本發明實施方案之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之截面示意圖。 圖2係根據本發明之另一個實施方案之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之截面示意圖。 圖3係示出實施例1之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價的圖。 圖4係示出實施例4之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價的圖。 圖5係示出比較例1之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片之第一黏合劑層與晶片電極之接觸面的外觀評價的圖。
1‧‧‧半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片
10‧‧‧基材層
20‧‧‧第一黏合劑層
30‧‧‧第二黏合劑層

Claims (14)

  1. 一種半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片，其特徵在於：該黏合片包括：基材層、形成在該基材層一側之第一黏合劑層以及形成在該基材層另一側之第二黏合劑層，其中，該黏合片黏貼於被黏體在150℃下加熱4小時後經剝離，由該第一黏合劑層轉移至被黏體表面之矽轉移量
    Figure 108107229-A0305-02-0034-2
    0.01g/m2，該第一黏合劑層在20-25℃下之180°剝離黏合力為0.1-2N/20mm，該第一黏合劑層之黏合劑之凝膠率為50-70%，可溶性部分之重量平均分子量為2000-5000。
  2. 如請求項1之黏合片，其中，該第一黏合劑層及該第二黏合劑層包含有機矽系黏合劑。
  3. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第一黏合劑層在150℃加熱4小時後之180°剝離黏合力為0.2-3N/20mm。
  4. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第一黏合劑層在20-25℃下之儲能模數為0.6×105-1.7×105Pa。
  5. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第一黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105-0.8×105Pa。
  6. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第二黏合劑層在20-25℃下之15°剝離黏合力為2-100N/20mm。
  7. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第二黏合劑層在150℃加熱4小時後之15°剝離黏合力為3-130N/20mm。
  8. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第二黏合劑層在20-25℃下之儲能模數為0.8×105-2.5×105Pa。
  9. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第二黏合劑層在150℃下之儲能模數為0.5×105-1.6×105Pa。
  10. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第二黏合劑層之黏合劑之凝膠率為40-90%，可溶性部分之重量平均分子量為2000-6000。
  11. 如請求項1或2之黏合片，其中，該基材層選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、聚苯硫醚膜、聚醚醯亞胺膜、聚醯胺醯亞胺膜、聚碸膜、聚醚酮膜、聚四氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚物膜、全氟乙烯-丙烯共聚物膜、聚偏二氟乙烯膜、聚三氟氯乙烯膜、或乙烯及三氟氯乙烯以莫耳比1：1的交替共聚物膜。
  12. 如請求項1或2之黏合片，其中，該黏合片進一步包括第一脫模膜及第二脫模膜，該第一脫模膜設置於該第一黏合劑層之與該基材層相反的一 側，該第二脫模膜設置於該第二黏合劑層之與該基材層相反的一側。
  13. 如請求項1或2之黏合片，其中，該第一黏合劑層或該第二黏合劑層之厚度為5-50μm。
  14. 一種用於生產半導體裝置之方法，其特徵在於，該方法包括使用如請求項1至13中任一項之半導體裝置生產用耐熱性壓敏黏合片。
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