WO2017038913A1 - 粘着シート及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

粘着シート及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2017038913A1
WO2017038913A1 PCT/JP2016/075600 JP2016075600W WO2017038913A1 WO 2017038913 A1 WO2017038913 A1 WO 2017038913A1 JP 2016075600 W JP2016075600 W JP 2016075600W WO 2017038913 A1 WO2017038913 A1 WO 2017038913A1
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pressure
sensitive adhesive
adhesive sheet
thickness
frame member
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PCT/JP2016/075600
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Inventor
高野　健
和浩 菊池
恵美 淵
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リンテック株式会社
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • FOWLP Fan-out type wafer level package
  • BGA All Grid Array
  • a plurality of separated semiconductor chips are arranged on a support to be removed later, covered with a resin composition as a sealing material, the resin composition is cured, and resin sealing is performed. After that, the semiconductor package is obtained by performing rewiring and cutting.
  • Patent Document 1 describes a method using a thermosensitive adhesive that loses adhesive performance at a predetermined temperature or higher as a support. Specifically, Patent Document 1 discloses that a plurality of semiconductor chips are arranged on the temperature-sensitive adhesive side of a support having a temperature-sensitive adhesive on the surface, and the arranged semiconductor chips are made of plastic. A method for manufacturing a semiconductor package is described in which, after embedding, the substrate is heated to a predetermined temperature or more to lose the adhesive performance of the thermosensitive adhesive, and the support is peeled off. In the method described in Patent Document 1, when a hard substrate that is hard and does not bend is used, the semiconductor package may be damaged when it is peeled from the support, and a molded body having a desired shape may not be obtained. It was.
  • Patent Document 2 a frame member having a plurality of panel-sized openings is disposed on an adhesive tape, a semiconductor chip is disposed face-down in the openings, and insulation is performed so as to fill a gap between the frame member and the semiconductor chip. A method of laminating materials, peeling off an adhesive tape, and performing rewiring is disclosed.
  • a step of adhering a frame member having a plurality of openings formed on an adhesive sheet having a base material and an adhesive layer formed on the base material, and the frame A step of adhering a semiconductor chip to the adhesive layer exposed at the opening of the member, a step of covering the semiconductor chip with a sealing resin, a step of thermosetting the sealing resin, and thermosetting And a step of peeling the pressure-sensitive adhesive sheet, and a pressure-sensitive adhesive sheet used in a semiconductor device manufacturing process, wherein the base material is bendable, and the thickness of the base material and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer
  • the pressure-sensitive adhesive sheet satisfies the relationship of t AS [ ⁇ m] ⁇ t FR [ ⁇ m], where t AS [ ⁇ m] and the thickness of the frame member is t FR [ ⁇ m].
  • the substrate is preferably a resin film having a glass transition temperature of 50 ° C. or higher.
  • the pressure-sensitive adhesive layer preferably has a storage elastic modulus of 1 ⁇ 10 5 Pa or more at 100 ° C. when the measurement frequency is 1 Hz.
  • the thickness of the base material is preferably 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet when the sum of the thickness of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is t AS [ ⁇ m] and the thickness of the frame member is t FR [ ⁇ m], 0 It is preferable that the relationship of 1 ⁇ t AS / t FR ⁇ 0.9 is satisfied.
  • the thickness of the frame member is preferably 100 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the heat shrinkage rate in the MD direction of the base material when heated at 150 ° C. for 30 minutes is 2.0% or less, and the heat shrinkage rate when heated at 150 ° C. for 30 minutes.
  • the thermal shrinkage rate in the CD direction of the substrate is preferably 2.0% or less.
  • the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer is preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive or a silicone pressure-sensitive adhesive.
  • the 5% weight reduction temperature of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 250 ° C. or higher.
  • a manufacturing method of a semiconductor device includes a frame member in which a plurality of openings are formed in an adhesive sheet having a bendable base material and an adhesive layer formed on the base material.
  • the step of peeling the pressure-sensitive adhesive sheet after thermosetting the sum of the thickness of the base material and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is t AS [ ⁇ m]
  • the frame member When the thickness is t FR [ ⁇ m], the relationship t AS [ ⁇ m] ⁇ t FR [ ⁇ m] is satisfied.
  • a sheet-shaped sealing resin in the step of covering the semiconductor chip with a sealing resin.
  • the present invention it is possible to provide a pressure-sensitive adhesive sheet that can suppress warping of a semiconductor package that seals a relatively large area such as FOWLP and that is easily peeled off after resin sealing. Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device using the said adhesive sheet can be provided.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet includes a step of attaching a frame member having a plurality of openings formed on a pressure-sensitive adhesive sheet having a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material, and the frame member. A step of attaching a semiconductor chip to the pressure-sensitive adhesive layer exposed at the opening, a step of covering the semiconductor chip with a sealing resin, a step of thermosetting the sealing resin, and after thermosetting And the step of peeling off the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present embodiment.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a base material 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12. On the pressure-sensitive adhesive layer 12, a release sheet RL may be laminated as shown in FIG.
  • the shape of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can take any shape such as a sheet shape, a tape shape, and a label shape.
  • the base material 11 can be bent.
  • “bendable” means, for example, that the film can be wound in a roll shape and has flexibility enough to prevent damage even when wound in a roll shape.
  • the base material 11 can be wound around a stainless steel rod having a diameter of 10 mm ⁇ at a winding angle of 180 °.
  • “the base material 11 can be bent” preferably means that the base material 11 is not folded or damaged even when it is wound around a stainless steel rod having a diameter of 10 mm ⁇ at a winding angle of 180 °. If the base material 11 has the above flexibility, it can be easily peeled while the base material 11 is bent after the semiconductor chip is sealed with a resin.
  • the base material 11 has a first surface 11a and a second surface 11b opposite to the first surface 11a.
  • the adhesive layer 12 is laminated
  • the first surface 11a may be subjected to at least one surface treatment such as primer treatment, corona treatment, and plasma treatment.
  • An adhesive may be applied to the first surface 11a of the substrate 11 to perform an adhesion treatment.
  • the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive treatment of the substrate include acrylic, rubber-based, silicone-based, and urethane-based pressure-sensitive adhesives.
  • the thickness of the base material 11 is t AS [ ⁇ m], which is the sum of the thickness of the base material 11 and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 described later, and the thickness of the frame member used in the semiconductor device manufacturing process is t FR [ ⁇ m. ] In the range satisfying the relationship of t AS [ ⁇ m] ⁇ t FR [ ⁇ m].
  • the thickness of the substrate 11 is preferably 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the substrate 11 is more preferably 15 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less, and particularly preferably 20 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the thickness of the base material 11 is 10 micrometers or more, it can prevent that the base material 11 fractures
  • the substrate 11 is not particularly limited as long as it can be bent, but for example, a synthetic resin film, a sheet material such as a metal foil, or the like can be used.
  • synthetic resin films include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyester film, polyurethane film, and ethylene vinyl acetate copolymer.
  • films include films, ionomer resin films, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer films, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer films, polystyrene films, polycarbonate films, and imide films.
  • polyester film examples include a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polybutylene terephthalate film.
  • imide-based film examples include a polyamide-imide film and a polyimide film.
  • substrate 11 examples include these cross-linked films and laminated films.
  • a functional layer may be provided on one side or both sides of the substrate 11.
  • the functional layer is preferably, for example, any layer selected from the group consisting of a release agent layer, a hard coat layer, an oligomer prevention layer, an easy adhesion layer, and a colored layer.
  • the functional layer is provided on both surfaces of the base material 11, the first functional layer provided on one surface and the second functional layer provided on the other surface are mutually connected. It is also preferable that they are the same and different from each other.
  • the total thickness of the substrate 11 and the functional layer is preferably 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, more preferably 15 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less, and more preferably 20 ⁇ m or more. It is especially preferable that it is 60 micrometers or less.
  • the thickness of the first functional layer provided on one surface and the thickness of the second functional layer provided on the other surface are preferably the same as each other, and are preferably different from each other.
  • the substrate 11 is preferably a synthetic resin film, and more preferably a polyester film or an imide film.
  • a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polyimide film are preferable, and a polyethylene terephthalate film and a polyimide film are more preferable.
  • the substrate 11 is preferably a resin film having a glass transition temperature of 50 ° C. or higher.
  • the glass transition temperature of the substrate 11 is more preferably 55 ° C. or higher, and particularly preferably 60 ° C. or higher. If the glass transition temperature of the base material 11 is 50 ° C. or higher, the shape can be maintained even in the step of thermosetting the sealing resin.
  • the upper limit of the glass transition temperature of the substrate 11 is not particularly limited as long as the shape can be maintained in the step of thermosetting the sealing resin, but is usually 500 ° C. or lower.
  • the glass transition temperature means a temperature showing a peak of loss tangent (tan ⁇ ) confirmed in the DMA method (tensile method) under conditions of a heating rate of 5 ° C./min, a sample width of 5 mm, a distance between chucks of 20 mm, and a frequency of 10 Hz.
  • DMA is an abbreviation for Dynamic Mechanical Analysis.
  • the thermal shrinkage rate of the base material 11 is preferably in the following range.
  • the thermal contraction rate in the MD direction of the substrate 11 when heated at 150 ° C. for 30 minutes is preferably 2.0% or less, and more preferably 1.5% or less.
  • the thermal contraction rate in the CD direction of the substrate 11 when heated at 150 ° C. for 30 minutes is preferably 2.0% or less, and more preferably 1.5% or less.
  • the lower limit of the thermal shrinkage rate in the MD direction and the lower limit of the thermal shrinkage rate in the CD direction of the substrate 11 are preferably as small as possible, and are not particularly limited.
  • the lower limit of the thermal shrinkage rate in the MD direction of the base material 11 when heated at 150 ° C. for 30 minutes is 0.01% or more.
  • the lower limit of the thermal contraction rate in the CD direction of the substrate 11 when heated at 150 ° C. for 30 minutes is preferably 0.01% or more.
  • the MD direction is a direction parallel to the direction in which the film is conveyed when the film is formed into a long film.
  • the CD direction is a direction orthogonal to the MD direction on the same surface of the film. From the viewpoint of more effectively preventing the warpage of the semiconductor package, the thermal shrinkage rate in the MD direction of the base material 11 and the thermal shrinkage rate in the CD direction of the base material 11 are within the above ranges, and the thermal shrinkage rate in the MD direction.
  • the ratio of the thermal shrinkage in the CD direction ⁇ the thermal shrinkage in the MD direction / the thermal shrinkage in the CD direction ⁇ are preferably in the range of 0.03 to 30 and in the range of 1.0 to 25 More preferably.
  • the thermal contraction rate of the base material is, for example, selecting a material that satisfies a desired range, annealing the base material, or changing the film forming method of the base material (for example, a stretching method) It is also possible to make adjustments.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably has a storage elastic modulus of 1 ⁇ 10 5 Pa or more when the measurement frequency is 1 Hz at 100 ° C. If the pressure-sensitive adhesive layer 12 has such a storage elastic modulus, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be easily peeled off after the step of thermosetting the sealing resin, and the pressure-sensitive adhesive is applied to the surface of the adherend. It is possible to prevent inconvenience (so-called adhesive residue) that remains.
  • the upper limit of the storage elastic modulus when the measurement frequency is 1 Hz at 100 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, it is preferably 1 ⁇ 10 7 Pa or less. In this specification, the storage elastic modulus is a value measured by a torsional shear method using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is t AS [ ⁇ m], which is the sum of the thickness of the base material 11 and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 described later, and the thickness of the frame member used in the semiconductor device manufacturing process is t FR [. when the [mu] m], is appropriately determined in a range that satisfies the relation of t aS [ ⁇ m] ⁇ t FR [ ⁇ m].
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less, and even more preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thickness t BS [ ⁇ m] of the base material 11 and the thickness t AD [ ⁇ m] of the pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably satisfy the relationship of t AD [ ⁇ m] ⁇ t BS [ ⁇ m]. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is too thin, the pressure-sensitive adhesive layer 12 may not follow the irregularities on the circuit surface of the semiconductor chip, and a gap may be generated. There is a possibility that an interlayer insulating material, a sealing resin, or the like enters the gap, and the wiring pad electrode pad on the chip circuit surface is blocked.
  • the semiconductor chip sinks into the pressure-sensitive adhesive layer, and there is a risk that a step between the semiconductor chip portion and the resin portion that seals the semiconductor chip occurs. If such a step occurs, the wiring may be disconnected during rewiring.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, an appropriate adhesive force can be obtained, and the semiconductor chip can be appropriately held.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 5 ⁇ m or more, the pressure-sensitive adhesive layer 12 easily follows the unevenness of the chip circuit surface, and the generation of the gaps as described above can be prevented. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 60 ⁇ m or less, the step as described above is difficult to occur.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 includes a pressure-sensitive adhesive composition.
  • the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive composition of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, and various types of pressure-sensitive adhesives can be applied to the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • Examples of the adhesive contained in the adhesive layer 12 include an acrylic adhesive, a silicone adhesive, an epoxy adhesive, a rubber adhesive, a polyester adhesive, and a urethane adhesive.
  • thermoplastic polyimide resins polyetherimide resins, polyetheramide resins, polyamideimide resins, polyetheramideimide resins, block copolymers (styrene-ethylenebutylene-styrene (SEBS), styrene-butadiene)
  • SEBS styrene-ethylenebutylene-styrene
  • SIS styrene-isobutadiene-styrene
  • fluorine compound-containing resins can also be used.
  • the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive or a silicone pressure-sensitive adhesive from the viewpoints of heat resistance and cost.
  • the type of the pressure-sensitive adhesive is selected in consideration of the use, the type of adherend to be attached, and the like.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive composition preferably contains an acrylic copolymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a main monomer. Moreover, when the adhesive layer 12 contains an acrylic adhesive composition, it is preferable that the acrylic copolymer and the adhesion promoter are included.
  • the acrylic copolymer is preferably a copolymer having 2-ethylhexyl acrylate as a main monomer.
  • the adhesive aid preferably contains a rubber-based material having a reactive group as a main component.
  • 2-ethylhexyl acrylate is the main monomer, and the ratio of the mass of the copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate to the total mass of the acrylic copolymer is 50% by mass or more. Means.
  • the proportion of the copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate in the acrylic copolymer is preferably 50% by mass or more and 95% by mass or less, and 60% by mass or more and 95% by mass or less. It is preferable that it is 80 mass% or more and 95 mass% or less, and it is still more preferable that it is 85 mass% or more and 93 mass% or less.
  • the proportion of the copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate is 50% by mass or more, the adhesive strength does not become too high after heating, and the adhesive sheet is more easily peeled off from the adherend, and 80% by mass or more. If it is, it will become still easier to peel. If the proportion of the copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate is 95% by mass or less, the initial adhesive force is insufficient and the substrate is deformed during heating, or the adhesive sheet is peeled off from the adherend due to the deformation. Can be prevented.
  • the type and number of copolymer components other than 2-ethylhexyl acrylate in the acrylic copolymer are not particularly limited.
  • a functional group-containing monomer having a reactive functional group is preferable.
  • a reactive functional group of a 2nd copolymer component when using the crosslinking agent mentioned later, it is preferable that it is a functional group which can react with the said crosslinking agent.
  • This reactive functional group is preferably at least one substituent selected from the group consisting of, for example, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group. The substituent is more preferably a carboxyl group.
  • Examples of the monomer having a carboxyl group include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid.
  • carboxyl group-containing monomers acrylic acid is preferable from the viewpoint of reactivity and copolymerization.
  • a carboxyl group-containing monomer may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • Examples of the monomer having a hydroxyl group include, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 2 And (meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters such as hydroxybutyl, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate.
  • 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is preferred from the viewpoint of hydroxyl reactivity and copolymerization.
  • a hydroxyl-containing monomer may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • “(meth) acrylic acid” is a notation used to represent both “acrylic acid” and “methacrylic acid”, and the same applies to other similar terms.
  • Examples of the acrylate ester having an epoxy group include glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate.
  • Examples of other copolymer components in the acrylic copolymer include (meth) acrylic acid alkyl esters having an alkyl group with 2 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include, for example, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-pentyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid n.
  • Examples of other copolymer components in the acrylic copolymer include, for example, alkoxyalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and (meth) acrylic acid having an aromatic ring.
  • alkoxyalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester examples include methoxymethyl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxymethyl (meth) acrylate, and ethoxyethyl (meth) acrylate.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester having an aromatic ring examples include phenyl (meth) acrylate.
  • non-crosslinkable acrylamides examples include acrylamide and methacrylamide.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester having a non-crosslinkable tertiary amino group include (meth) acrylic acid (N, N-dimethylamino) ethyl and (meth) acrylic acid (N, N-dimethylamino). Propyl. These monomers may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • a carboxyl group-containing monomer or a hydroxyl group-containing monomer is preferable as the second copolymer component, and acrylic acid is more preferable.
  • the acrylic copolymer includes a copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate and a copolymer component derived from acrylic acid
  • the copolymer component derived from acrylic acid occupies the total mass of the acrylic copolymer.
  • the mass ratio is preferably 1% by mass or less, and more preferably 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less. If the ratio of the mass of the acrylic acid-derived copolymer component is 1% by mass or less, the crosslinking of the acrylic copolymer can be prevented from proceeding too quickly when the pressure-sensitive adhesive composition contains a crosslinking agent.
  • the acrylic copolymer may contain a copolymer component derived from two or more kinds of functional group-containing monomers.
  • the acrylic copolymer may be a ternary copolymer, preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing 2-ethylhexyl acrylate, a carboxyl group-containing monomer, and a hydroxyl group-containing monomer,
  • the carboxyl group-containing monomer is preferably acrylic acid
  • the hydroxyl group-containing monomer is preferably 2-hydroxyethyl acrylate.
  • the ratio of the copolymer component derived from 2-ethylhexyl acrylate in the acrylic copolymer is 80% by mass or more and 95% by mass or less, and the ratio of the mass of the copolymer component derived from acrylic acid is 1% by mass or less.
  • the balance is preferably a copolymer component derived from 2-hydroxyethyl acrylate.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic copolymer is preferably from 300,000 to 2,000,000, more preferably from 600,000 to 1,500,000, and even more preferably from 800,000 to 1,200,000. preferable.
  • the weight average molecular weight Mw of the acrylic copolymer is 300,000 or more, the pressure-sensitive adhesive sheet can be peeled without a residue of pressure-sensitive adhesive on the adherend. If the weight average molecular weight Mw of an acrylic copolymer is 2 million or less, an adhesive sheet can be reliably affixed to a to-be-adhered body.
  • the weight average molecular weight Mw of the acrylic copolymer is a standard polystyrene equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. GPC is an abbreviation for Gel Permeation Chromatography.
  • the acrylic copolymer can be produced according to a conventionally known method using the above-mentioned various raw material monomers.
  • the form of copolymerization of the acrylic copolymer is not particularly limited, and may be any of a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer.
  • the adhesive aid preferably contains a rubber-based material having a reactive group as a main component.
  • the pressure-sensitive adhesive composition contains a reactive pressure-sensitive adhesive aid, the adhesive residue can be reduced.
  • the content of the adhesion assistant in the pressure-sensitive adhesive composition is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less. If the content rate of the adhesion promoter in an adhesive composition is 5 mass% or more, generation
  • including a rubber-based material having a reactive group as a main component means that the proportion of the mass of the rubber-based material having a reactive group in the total mass of the adhesive aid exceeds 50% by mass.
  • the ratio of the rubber-based material having a reactive group in the adhesion assistant is preferably more than 50% by mass, and more preferably 80% by mass or more. It is also preferable that the adhesion assistant is made of a rubber-based material having a substantially reactive group.
  • the reactive group is preferably one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an isocyanate group, an amino group, an oxirane group, an acid anhydride group, an alkoxy group, an acryloyl group, and a methacryloyl group. More preferably.
  • the reactive group possessed by the rubber material may be one type or two or more types.
  • the rubber-based material having a hydroxyl group may further have the aforementioned reactive group.
  • the number of reactive groups may be one per molecule constituting the rubber-based material, or two or more.
  • the rubber-based material is not particularly limited, but a polybutadiene-based resin and a hydrogenated product of a polybutadiene-based resin are preferable, and a hydrogenated product of a polybutadiene-based resin is more preferable.
  • the polybutadiene-based resin include resins having 1,4-repeating units, resins having 1,2-repeating units, and resins having both 1,4-repeating units and 1,2-repeating units.
  • the hydrogenated product of the polybutadiene resin of the present embodiment includes a hydride of a resin having these repeating units.
  • the polybutadiene resin and the hydrogenated product of the polybutadiene resin preferably have reactive groups at both ends.
  • the reactive groups at both ends may be the same or different.
  • the reactive groups at both ends are preferably one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an isocyanate group, an amino group, an oxirane group, an acid anhydride group, an alkoxy group, an acryloyl group, and a methacryloyl group. More preferred is a hydroxyl group.
  • both ends are hydroxyl groups.
  • the pressure-sensitive adhesive composition according to the present embodiment preferably contains a cross-linked product obtained by cross-linking a composition containing a cross-linking agent in addition to the acrylic copolymer and the pressure-sensitive adhesive aid.
  • the solid content of the pressure-sensitive adhesive composition substantially consists of a cross-linked product obtained by cross-linking the above-mentioned acrylic copolymer, the pressure-sensitive adhesive aid, and the cross-linking agent as described above.
  • “substantially” means that the solid content of the pressure-sensitive adhesive composition is composed only of the cross-linked product, excluding trace amounts of impurities that are inevitably mixed in the pressure-sensitive adhesive.
  • crosslinking agent examples include an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent, an amine crosslinking agent, and an amino resin crosslinking agent. These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving the heat resistance and adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive composition, among these cross-linking agents, a cross-linking agent (isocyanate-based cross-linking agent) whose main component is a compound having an isocyanate group is preferable.
  • isocyanate crosslinking agent examples include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, Polyvalent isocyanates such as diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, and lysine isocyanate Compounds.
  • Polyvalent isocyanates such as diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate,
  • the polyisocyanate compound may be a trimethylolpropane adduct-type modified product of the aforementioned compound, a burette-type modified product reacted with water, or an isocyanurate-type modified product having an isocyanurate ring.
  • the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition is preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 15 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. More preferably, they are 5 mass parts or more and 10 mass parts or less. If content of the crosslinking agent in an adhesive composition is in such a range, the adhesiveness of the adhesive layer 12 and the base material 11 can be improved, and the adhesive characteristic is stabilized after manufacture of an adhesive sheet. The curing period for making it possible can be shortened.
  • the isocyanate-based crosslinking agent is more preferably a compound having an isocyanurate ring (isocyanurate-type modified product).
  • the compound having an isocyanurate ring is preferably blended in an amount of 0.7 to 1.5 equivalents with respect to the hydroxyl equivalent of the acrylic copolymer. If the compounding quantity of the compound which has an isocyanurate ring is 0.7 equivalent or more, the adhesive strength will not become too high after heating, the adhesive sheet will be easily peeled off, and the adhesive residue can be reduced. If the compounding quantity of the compound which has an isocyanurate ring is 1.5 equivalent or less, it can prevent that an initial stage adhesive force becomes low too much, or can prevent a sticking fall.
  • the pressure-sensitive adhesive composition in this embodiment contains a crosslinking agent
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a crosslinking accelerator.
  • the crosslinking accelerator is preferably selected and used as appropriate according to the type of the crosslinking agent.
  • the pressure-sensitive adhesive composition contains a polyisocyanate compound as a crosslinking agent
  • the silicone adhesive includes, for example, an adhesive containing dimethylpolysiloxane.
  • the silicone pressure-sensitive adhesive include an addition polymerization type silicone pressure-sensitive adhesive which is crosslinked with an organopolysiloxane structure, preferably a dimethylpolysiloxane structure, an unsaturated group such as a vinyl group, a SiH group, and cured with a platinum catalyst, or BPO.
  • BPO is an abbreviation for benzoyl peroxide.
  • an addition polymerization type silicone pressure-sensitive adhesive is preferred. In this case, it is possible to adjust the crosslinking density according to the density of the unsaturated group in consideration of the obtained adhesive strength. For the formation of this silicone resin layer, heating or the like is required for addition polymerization.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other components that can be included in the pressure-sensitive adhesive composition include, for example, organic solvents, flame retardants, tackifiers, ultraviolet absorbers, antioxidants, antiseptics, antifungal agents, plasticizers, antifoaming agents, and wetting And a sex modifier.
  • the semiconductor package may be contaminated by the gas generated from the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10, and a defect may occur in the process of forming the rewiring layer.
  • the 5% weight reduction temperature of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably 250 ° C. or higher, and more preferably 300 ° C. or higher.
  • the 5% weight loss temperature is measured using a thermogravimetric analyzer under the following conditions. ⁇ Temperature increase rate: 10 ° C./min ⁇ Atmospheric gas: Air ⁇ Gas flow rate: 100 ml / min
  • the release sheet RL is not particularly limited.
  • the release sheet RL preferably includes a release substrate and a release agent layer formed by applying a release agent on the release substrate.
  • the release sheet RL may include a release agent layer only on one side of the release substrate, or may include a release agent layer on both sides of the release substrate.
  • the release substrate include a paper substrate, a laminated paper obtained by laminating a thermoplastic resin such as polyethylene on the paper substrate, and a plastic film.
  • the paper substrate include glassine paper, coated paper, and cast coated paper.
  • plastic film examples include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene.
  • release agent examples include olefin resins, rubber elastomers (eg, butadiene resins, isoprene resins, etc.), long chain alkyl resins, alkyd resins, fluorine resins, and silicone resins.
  • the thickness of the release sheet RL is not particularly limited.
  • the thickness of the release sheet RL is usually 20 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, and preferably 25 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the thickness of the release agent layer is not particularly limited.
  • the thickness of the release agent layer is preferably 0.01 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, and preferably 0.03 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less. More preferred.
  • the thickness of the plastic film is preferably 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 preferably exhibits the following pressure-sensitive adhesive strength after heating.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is adhered to an adherend (copper foil or polyimide film), heated at 100 ° C. and 30 minutes, subsequently heated at 180 ° C. and 30 minutes, and further at 190 ° C. and After heating for 1 hour, the adhesive strength of the adhesive layer 12 to the copper foil at room temperature and the adhesive strength of the adhesive layer 12 to the polyimide film at room temperature are 0.7 N / 25 mm or more and 2.0 N / each, respectively. It is preferable that it is 25 mm or less.
  • the adhesive sheet 10 can be prevented from peeling off when the substrate or adherend is deformed by heating. Moreover, if the adhesive force after a heating is 2.0 N / 25mm or less, peeling force will not become high too much and it will be easy to peel the adhesive sheet 10 from a to-be-adhered body.
  • room temperature is 22 degreeC or more and 24 degrees C or less.
  • the manufacturing method of the adhesive sheet 10 is not particularly limited.
  • the adhesive sheet 10 is manufactured through the following processes. First, an adhesive is applied on the first surface 11a of the base material 11 to form a coating film. Next, this coating film is dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 12. Then, release sheet RL is stuck so that adhesive layer 12 may be covered.
  • another manufacturing method of the adhesive sheet 10 it manufactures through the following processes. First, an adhesive is applied on the release sheet RL to form a coating film. Next, the coating film is dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the first surface 11 a of the substrate 11 is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the pressure-sensitive adhesive composition When the pressure-sensitive adhesive composition is applied to form the pressure-sensitive adhesive layer 12, it is preferable to prepare and use a coating liquid by diluting the pressure-sensitive adhesive composition with an organic solvent.
  • the organic solvent include toluene, ethyl acetate, and methyl ethyl ketone.
  • the method for applying the coating liquid is not particularly limited. Examples of the coating method include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating.
  • a crosslinking agent is mix
  • FIGS. 2A to 2E are schematic views illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment includes a step of attaching the frame member 20 in which a plurality of openings 21 are formed on the adhesive sheet 10 (adhesive sheet attaching step), and an opening 21 of the frame member 20.
  • a step of bonding the semiconductor chip CP to the exposed adhesive layer 12 (bonding step), a step of covering the semiconductor chip CP with the sealing resin 30 (sealing step), and a step of thermosetting the sealing resin 30 ( A thermosetting step) and a step of peeling the pressure-sensitive adhesive sheet 10 (peeling step) are carried out after thermosetting.
  • bonding step a step of bonding the semiconductor chip CP to the exposed adhesive layer 12
  • sealing step a step of covering the semiconductor chip CP with the sealing resin 30
  • a step of thermosetting the sealing resin 30 A thermosetting step
  • peeling the pressure-sensitive adhesive sheet 10 peeling step
  • the frame member 20 is formed in a lattice shape and has a plurality of openings 21.
  • the openings 21 are preferably arranged in a square lattice pattern.
  • the frame member 20 is preferably formed of a material having heat resistance. Examples of the material of the frame member 20 include metals and heat resistant resins. Examples of the metal include copper and stainless steel. Examples of the heat resistant resin include a polyimide resin and a glass epoxy resin.
  • the thickness t FR of the frame member 20 is 100 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, preferably 100 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less, and more preferably 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the region to be sealed is preferably, for example, a size of 30 cm or more in length and 30 cm or more in width in plan view.
  • the thickness t FR of the frame member 20 is 1000 ⁇ m or less, it is possible to prevent a decrease in productivity in the manufacturing process of the semiconductor device.
  • the opening 21 is a hole that penetrates the front and back surfaces of the frame member 20.
  • the shape of the opening 21 is not particularly limited as long as the semiconductor chip CP can be accommodated in the frame.
  • the depth of the hole of the opening 21 is not particularly limited as long as the semiconductor chip CP can be accommodated.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the thickness relationship between the pressure-sensitive adhesive sheet 10 and the frame member 20.
  • the sum t AS of the thickness of the substrate 11 and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is smaller than the thickness t FR of the frame member 20. That is, the relationship t AS ⁇ t FR is satisfied. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive sheet 10, particularly the thickness of the base material 11 is too large, the frame member warps due to the influence of thermal shrinkage of the base material, but the pressure-sensitive adhesive sheet 10 and the frame member 20 have such a thickness relationship. By satisfy
  • the sum of the thickness of the base material 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is t AS [ ⁇ m] and the thickness of the frame member 20 is t FR [ ⁇ m], 0.1 ⁇ t AS / t FR ⁇ It is preferable to satisfy the relationship of 0.9, and it is more preferable to satisfy the relationship of 0.2 ⁇ t AS / t FR ⁇ 0.8. If t AS / t FR is 0.9 or less, it becomes difficult to be affected by thermal contraction of the base material after the sealing step or after the thermosetting step, and the frame member is difficult to warp.
  • t AS / t FR is 0.1 or more, the thickness of the pressure-sensitive adhesive sheet is too thin, and the problem that the pressure-sensitive adhesive sheet is torn or damaged in a series of steps of the semiconductor device manufacturing method is less likely to occur.
  • FIG. 2B shows a schematic diagram for explaining a step of attaching the semiconductor chip CP to the adhesive layer 12.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is adhered to the frame member 20, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is exposed in each opening 21 according to the shape of the opening 21.
  • the semiconductor chip CP is adhered to the adhesive layer 12 of each opening 21.
  • the semiconductor chip CP is preferably attached so that the circuit surface of the semiconductor chip CP is covered with the adhesive layer 12.
  • the material of the sealing resin 30 is a thermosetting resin, and examples thereof include an epoxy resin.
  • the epoxy resin used as the sealing resin 30 may include, for example, a phenol resin, an elastomer, an inorganic filler, a curing accelerator, and the like.
  • the method for covering the semiconductor chip CP and the frame member 20 with the sealing resin 30 is not particularly limited. Examples of the method of covering with the sealing resin 30 include a method using a sheet-shaped sealing resin 30 or a transfer molding method.
  • a sheet-shaped sealing resin 30 When sealing a relatively large area such as FOWLP, it is preferable to use a sheet-shaped sealing resin 30 in the sealing step.
  • the sheet-shaped sealing resin 30 is placed so as to cover the semiconductor chip CP and the frame member 20, and the sealing resin 30 is heated and cured to form the sealing resin layer 30A. In this way, the semiconductor chip CP and the frame member 20 are embedded in the sealing resin layer 30A.
  • the thickness of the sheet-like sealing resin 30 is t MO [ ⁇ m] and the thickness of the frame member 20 is t FR [ ⁇ m]
  • the relationship of 0.5 ⁇ t MO / t FR ⁇ 1.5 is satisfied.
  • the thickness of the sheet-like sealing resin 30 and the thickness of the frame member 20 satisfy such a thickness relationship, warpage of the semiconductor package that occurs after the sealing step can be suppressed.
  • t MO / t FR is 1.5 or less, the frame member can be prevented from warping due to the influence of curing shrinkage of the sealing resin layer.
  • the thickness of the sealing resin layer 30A is too thin, and an unfilled portion of the sealing resin occurs between the semiconductor chip CP and the frame member 20, or the semiconductor chip A problem that the upper surface of the CP cannot be covered with the sealing resin can be suppressed.
  • the sheet-shaped sealing resin 30 it is preferable to seal the semiconductor chip CP and the frame member 20 by a vacuum laminating method. By this vacuum laminating method, it is possible to prevent a gap from being generated between the semiconductor chip CP and the frame member 20.
  • the temperature condition range for heat curing by the vacuum laminating method is, for example, 80 ° C. or more and 120 ° C. or less.
  • a laminated sheet in which the sheet-shaped sealing resin 30 is supported by a resin sheet such as polyethylene terephthalate may be used.
  • the resin sheet may be peeled off from the sealing resin 30 and the sealing resin 30 may be heated and cured.
  • Examples of such a laminated sheet include an ABF film (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.).
  • a transfer molding method may be employed.
  • the semiconductor chip CP and the frame member 20 adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet 10 are accommodated inside the mold of the sealing device.
  • a fluid resin material is injected into the mold to cure the resin material.
  • the heating and pressurizing conditions are not particularly limited.
  • a temperature of 150 ° C. or higher and a pressure of 4 MPa to 15 MPa are maintained for 30 seconds to 300 seconds. Thereafter, the pressure is released, the cured product is taken out from the sealing device, and left in an oven, and a temperature of 150 ° C. or higher is maintained for 2 hours to 15 hours. In this way, the semiconductor chip CP and the frame member 20 are sealed.
  • the first heat pressing process may be performed before the process of thermosetting the sealing resin 30 (thermosetting process).
  • the semiconductor chip CP and the pressure-sensitive adhesive sheet 10 with the frame member 20 covered with the sealing resin 30 are sandwiched by plate members from both sides, and pressed under conditions of a predetermined temperature, time, and pressure. .
  • the sealing resin 30 is easily filled into the gap between the semiconductor chip CP and the frame member 20.
  • corrugation of 30 A of sealing resin layers comprised with the sealing resin 30 can also be planarized by implementing a heat press process.
  • the plate member for example, a metal plate such as stainless steel can be used.
  • the semiconductor chip CP and the frame member 20 sealed with the sealing resin 30 are obtained.
  • this may be referred to as a sealing body 50.
  • FIG. 2D The schematic diagram explaining the process of sticking the reinforcing member 40 to the sealing body 50 is shown by FIG. 2D.
  • a process of forming a rewiring layer and a bumping process are performed on the exposed circuit surface of the semiconductor chip CP.
  • a process of attaching the reinforcing member 40 to the sealing body 50 is performed as necessary. May be.
  • FIG. 2D As shown in FIG. 2D, the sealing body 50 is supported while being sandwiched between the adhesive sheet 10 and the reinforcing member 40.
  • the reinforcing member 40 includes a heat-resistant reinforcing plate 41 and a heat-resistant adhesive layer 42.
  • the reinforcing plate 41 include a plate-like member containing a heat resistant resin such as a glass epoxy resin.
  • the adhesive layer 42 adheres the reinforcing plate 41 and the sealing body 50.
  • the adhesive layer 42 is appropriately selected according to the material of the reinforcing plate 41 and the sealing resin layer 30A.
  • the adhesive layer 42 is sandwiched between the sealing resin layer 30A of the sealing body 50 and the reinforcing plate 41, and is further sandwiched between the reinforcing plate 41 side and the adhesive sheet 10 side by plate members, respectively. It is preferable to carry out the second hot pressing step of pressing under the conditions of temperature, time and pressure.
  • the sealing body 50 and the reinforcing member 40 are temporarily fixed by the second heating press process. In order to cure the adhesive layer 42 after the second heat pressing step, it is preferable to heat the temporarily fixed sealing body 50 and the reinforcing member 40 under conditions of a predetermined temperature and time.
  • the conditions for heat curing are appropriately set according to the material of the adhesive layer 42, and are, for example, 185 ° C., 80 minutes, and 2.4 MPa.
  • a metal plate such as stainless steel can be used as the plate-like member.
  • FIG. 2E The schematic explaining the process of peeling the adhesive sheet 10 is shown by FIG. 2E.
  • peeling angle (theta) is not specifically limited, It is preferable to peel the adhesive sheet 10 with peeling angle (theta) of 90 degree
  • the peeling angle ⁇ is preferably 90 degrees or more and 180 degrees or less, and more preferably 135 degrees or more and 180 degrees or less.
  • the reinforcing member 40 When the reinforcing member 40 is attached, the reinforcing member 40 is peeled off from the sealing body 50 at the stage where the support by the reinforcing member 40 becomes unnecessary after the rewiring process, the bumping process, and the like are performed. Thereafter, the sealing body 50 is separated into individual semiconductor chips CP (individualization step).
  • a method for dividing the sealing body 50 into individual pieces is not particularly limited.
  • the semiconductor wafer can be separated into pieces by the same method as that for dicing the semiconductor wafer. Examples of the dicing method include a method using a cutting means such as a dicing saw, or a laser irradiation method.
  • the step of dividing the sealing body 50 into pieces may be performed in a state where the sealing body 50 is adhered to a dicing sheet or the like.
  • a semiconductor package in units of the semiconductor chip CP is manufactured, and this semiconductor package is mounted on a printed wiring board or the like in a mounting process.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet 10 that can suppress warping of a semiconductor package that seals a relatively large area such as FOWLP and that is easily peeled after resin sealing.
  • the adhesive sheet 10 may be a single wafer or may be provided in a state where a plurality of adhesive sheets 10 are laminated.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 may be covered with the base material 11 of another pressure-sensitive adhesive sheet to be laminated.
  • the adhesive sheet 10 may be a long sheet or may be provided in a state of being wound in a roll. The pressure-sensitive adhesive sheet 10 wound up in a roll shape can be used by being unwound from a roll and cut into a desired size.
  • the sealing resin 30 is a thermosetting resin
  • the present invention is not limited to such a mode.
  • the sealing resin 30 may be an energy ray curable resin that is cured by energy rays such as ultraviolet rays.
  • the frame member formed in a lattice shape has been described as an example, but the present invention is not limited to such a mode.
  • the frame member has a plurality of openings that can accommodate semiconductor chips, and the adhesive layer may be exposed from the openings when the adhesive sheet is attached to the frame member.
  • a dummy chip having a size of 5 mm ⁇ 5 mm was prepared as a semiconductor chip and arranged at a predetermined position in the opening of the frame member.
  • a sheet-shaped sealing resin (thickness: 100 ⁇ m) was placed so as to cover the semiconductor chip and the frame member, and was cured by heating to form a sealing resin layer. Thereafter, the curing of the resin was accelerated by heating (post mold cure), and the semiconductor chip was sealed with a sealing resin.
  • the adhesive sheet was peeled off at a peeling angle of 180 ° to obtain a semiconductor package.
  • Comparative Example 3 Examples 1 to 3 and Comparative Example were used except that the semiconductor chip was changed to a 5 mm ⁇ 5 mm size dummy chip (thickness 450 ⁇ m), and the thickness of the sheet-like sealing resin was changed to 540 ⁇ m.
  • a semiconductor package was obtained in the same manner as in 1 and 2. The warpage of the obtained semiconductor package was visually observed. Moreover, the package surface after peeling an adhesive sheet was observed visually, and the presence or absence of the residue of an adhesive and the presence or absence of a semiconductor package damage were confirmed.
  • the adhesive sheet cut to a width of 25 mm was laminated on a copper foil and a polyimide film as adherends at room temperature to obtain a sheet with a copper foil and a sheet with a polyimide film.
  • a copper foil a C1220R-H standard 0.08 mm thick drawn copper foil was used.
  • the polyimide film Kapton 100H (product name) having a thickness of 25 ⁇ m manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. was used.
  • the sheet with copper foil and the sheet with polyimide film were heated under conditions of 100 ° C. and 30 minutes, subsequently heated under conditions of 180 ° C. and 30 minutes, and further heated under conditions of 190 ° C. and 1 hour.
  • the peel angle was 180 degrees
  • the peel rate was 300 mm / min
  • the adhesive strength when the sheet was peeled from the copper foil and the polyimide film at room temperature was measured.
  • “Tensilon” product name manufactured by Orientec Co., Ltd. was used as an adhesive strength measuring device.
  • Storage elastic modulus measurement A cylindrical test piece having a diameter of 8 mm and a thickness of 2 mm was prepared using the pressure-sensitive adhesive composition of the example or the comparative example. This cylindrical test piece was used as a sample for measuring storage elastic modulus.
  • the storage elastic modulus (MPa) of the sample for measuring storage elastic modulus was measured under the following conditions by a torsional shear method using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Physica, MCR300) in accordance with JIS K7244-6. Measurement frequency: 1Hz Measurement temperature: 100 ° C
  • the distance A between the two marks was measured under no load.
  • one end in the longitudinal direction of the MD direction sample was attached to the basket using a clip, and the MD direction sample was suspended under no load.
  • the sample for MD direction hung on the basket was placed in an oven at 150 ° C. for 30 minutes and then taken out. Then, it was left at room temperature for 30 minutes. After leaving at room temperature, the distance B between the two marks was measured under no load. From the read interval A and interval B, the thermal shrinkage rate at 150 ° C. of the MD direction sample was calculated by the following formula 1.
  • Thermal shrinkage (%) ((A ⁇ B) / A) ⁇ 100 Equation 1
  • the interval A and the interval B were measured in the same manner as the MD direction sample, and the thermal contraction rate at 150 ° C. of the CD direction sample was calculated by the above formula 1.
  • the thermal shrinkage rate at 150 ° C. of the MD direction sample is denoted as MD direction thermal shrinkage rate
  • the thermal shrinkage rate at 150 ° C. of the CD direction sample is denoted as CD direction thermal shrinkage rate.
  • thermogravimetric analyzer manufactured by Shimadzu Corporation: DTG60.
  • ⁇ Temperature increase rate 10 ° C./min
  • Atmospheric gas Air
  • Gas flow rate 100 ml / min
  • pressure-sensitive adhesive composition The following materials (polymer, pressure-sensitive adhesive, cross-linking agent, and diluting solvent) were blended and sufficiently stirred, and the pressure-sensitive adhesive liquid for application according to Example 1 (pressure-sensitive adhesive composition) Prepared).
  • Acrylic ester copolymer 40 parts by mass (solid content)
  • the acrylic ester copolymer was prepared by copolymerizing 92.8% by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 7.0% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.2% by mass of acrylic acid.
  • -Adhesion aid hydroxylated hydrogenated polybutadiene at both ends (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd .; GI-1000), 5 parts by mass (solid content)
  • -Crosslinking agent aliphatic isocyanate having hexamethylene diisocyanate [manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd .; Coronate HX], 3.5 parts by mass (solid content)
  • Diluting solvent Methyl ethyl ketone was used, and the solid content concentration of the coating adhesive solution was adjusted to 30% by mass.
  • This transparent polyethylene terephthalate film could be bent without creases or damage even when it was wound around a stainless steel rod having a diameter of 10 mm at a winding angle of 180 °.
  • the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 100 ° C. when the measurement frequency was 1 Hz was 2.36 ⁇ 10 5 Pa.
  • the adhesive force with respect to the copper foil of an adhesive sheet was 1.2 N / 25mm.
  • the adhesive strength of the adhesive sheet to the polyimide film was 1.1 N / 25 mm.
  • the 5% weight reduction temperature of the pressure-sensitive adhesive layer was 304 ° C.
  • Example 1 a semiconductor package was manufactured using a copper frame member (thickness: 130 ⁇ m).
  • Example 2 The pressure-sensitive adhesive sheet of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive composition and the base material in Example 1 were changed as follows.
  • the pressure-sensitive adhesive composition of Example 2 is an addition-type silicone-based pressure-sensitive adhesive (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., trade name: SD-4587L) and platinum catalyst (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.). Name: SRX212) 0.7 parts by weight.
  • This pressure-sensitive adhesive composition was prepared by using a polyimide film as a base material (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., Kapton 100H, thickness 25 ⁇ m, Tg 402 ° C., MD direction thermal shrinkage: 0.2%, CD direction thermal shrinkage: 0.00. 02%) to a thickness of 10 ⁇ m to obtain an adhesive sheet. Even when the polyimide film was wound around a stainless steel rod having a diameter of 10 mm at a wrapping angle of 180 °, no crease or damage occurred, and the polyimide film could be bent.
  • the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 100 ° C. when the measurement frequency was 1 Hz was 1.26 ⁇ 10 5 Pa. Moreover, the 5% weight reduction
  • a semiconductor package was manufactured using a copper frame member (thickness: 130 ⁇ m).
  • Example 3 In Example 3, the adhesive sheet according to Example 1 was used. In the process suitability evaluation, a semiconductor package was manufactured using a heat-resistant resin frame member (thickness: 130 ⁇ m).
  • Comparative Example 1 The pressure-sensitive adhesive sheet of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the base material in Example 1 was changed as follows.
  • the base material used in Comparative Example 1 was a transparent polyethylene terephthalate film [manufactured by Toyobo Co., Ltd .; PET100A-4300, thickness 100 ⁇ m, Tg 67 ° C.]. This transparent polyethylene terephthalate film could be bent without creases or damage even when it was wound around a stainless steel rod having a diameter of 10 mm at a winding angle of 180 °.
  • Comparative Example 2 The adhesive sheet of Comparative Example 2 was implemented except that the base material in Example 1 was changed to a soda lime glass plate (manufactured by Mito Rika Glass Co., Ltd., Tempaks float (registered trademark), thickness: 0.7 mm). Prepared in the same manner as in Example 1. This soda lime glass plate was not bendable.
  • a semiconductor package was manufactured using a copper frame member (thickness: 130 ⁇ m).
  • Comparative Example 3 In the pressure-sensitive adhesive sheet of Comparative Example 3, the base material in Example 1 was changed to a soda lime glass plate (manufactured by Mito Rika Glass Co., Ltd., Tempaks float (registered trademark), thickness: 0.7 mm), and the thickness of the frame member It was produced in the same manner as in Example 1 except that was changed to 800 ⁇ m. In Comparative Example 3, a semiconductor package was manufactured using a copper frame member (thickness: 800 ⁇ m).
  • Table 1 shows the conditions of the adhesive sheets and semiconductor packages of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, and Table 2 shows the evaluation results.
  • the sum of the thickness of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer t AS [ ⁇ m] and the thickness t FR [ ⁇ m] of the frame member are t AS [ ⁇ m] ⁇ t FR [ ⁇ m].
  • the pressure-sensitive adhesive sheets according to Examples 1 to 3 satisfying the above relationship warpage of the semiconductor package, adhesive residue, and damage to the semiconductor package did not occur.
  • the adhesive sheet according to Comparative Example 1 in which the sum t AS [ ⁇ m] of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer is larger than the thickness t FR [ ⁇ m] of the frame member warpage of the semiconductor package occurred.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention can be used, for example, as a heat-resistant pressure-sensitive adhesive sheet for manufacturing semiconductor devices.
  • SYMBOLS 10 Adhesive sheet, 11 ... Base material, 12 ... Adhesive layer, 20 ... Frame member, 21 ... Opening part, 30 ... Sealing resin, 50 ... Sealing body, CP ... Semiconductor chip (semiconductor element).

Abstract

基材（１１）と基材（１１）の上に形成された粘着剤層（１２）とを有する粘着シート（１０）に、複数の開口部（２１）が形成された枠部材（２０）を貼着させる工程と、枠部材（２０）の開口部（２１）にて露出する粘着剤層（１２）に半導体チップを貼着させる工程と、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、熱硬化させた後、粘着シート（１０）を剥離する工程と、を有する半導体装置製造プロセスにおいて使用される粘着シート（１０）であって、基材（１１）は、屈曲可能であり、基材（１１）の厚みと粘着剤層（１２）の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、枠部材（２０）の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす、粘着シート（１０）。

Description

粘着シート及び半導体装置の製造方法
　本発明は、粘着シート及び半導体装置の製造方法に関する。
　近年、ＬＳＩの実装技術において、小型化と高集積の面で特にファンアウトタイプのウエハレベルパッケージ（ＦａｎＯｕｔＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）が提案されている。ＦＯＷＬＰは、ウエハレベルの再配線技術を用いて、チップ領域外にも再配線層を形成するパッケージの総称である。一般的なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などでは、チップを基板に実装して、ワイヤでボンディングする必要があるが、ＦＯＷＬＰではそれらを薄膜の配線体で代替してチップと接合することにより、ベアチップレベルの小型パッケージが可能になる。具体的には、個片化された半導体チップを、後に除去する支持体の上に複数個並べ、封止材としての樹脂組成物で覆い、その樹脂組成物を硬化させ、樹脂封止を行った後に、再配線を行い、切断することによって得られた半導体パッケージである。
　特許文献１には、支持体として所定温度以上で粘着性能を失う感温性粘着剤を用いた方法が記載されている。具体的には、特許文献１には、感温性粘着剤を表面上に有する支持体の、前記感温性粘着剤側に、複数の半導体チップを配置し、配置された半導体チップをプラスチックで埋め込んだ後に、所定温度以上に加熱して、前記感温性粘着剤の粘着性能を失わせて、支持体を剥離する半導体パッケージの製造方法が記載されている。
　特許文献１に記載の方法において、支持体が硬くて曲がらない硬質基板を用いた場合、支持体から剥離する際、半導体パッケージが損傷して、所望の形状の成形体が得られない場合があった。一方、支持体としてフレキシブルな基板を用いる場合には、樹脂封止する面積が比較的大きいため、樹脂組成物を硬化させると、硬化収縮に起因して発生する半導体パッケージの反りを充分に抑制できない場合がある。
　特許文献２には、粘着テープ上にパネルサイズの複数の開口部を有する枠部材を配置し、その開口部に半導体チップをフェースダウンで配置し、枠部材と半導体チップの隙間を埋めるように絶縁材料をラミネートし、粘着テープを剥離し、再配線を行う方法が開示されている。
米国特許出願公開第２００６／０１８３２６９号明細書 米国特許出願公開第２０１５／０００８５６６号明細書
　本発明は、ＦＯＷＬＰのような比較的広い面積を封止する半導体パッケージの反りを抑制でき、かつ樹脂封止後に剥離しやすい粘着シートを提供することを目的とする。本発明の別の目的は、当該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
　本発明の一態様によれば、基材と前記基材の上に形成された粘着剤層とを有する粘着シートに、複数の開口部が形成された枠部材を貼着させる工程と、前記枠部材の前記開口部にて露出する前記粘着剤層に半導体チップを貼着させる工程と、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、熱硬化させた後、前記粘着シートを剥離する工程と、を有する半導体装置製造プロセスにおいて使用される粘着シートであって、前記基材は、屈曲可能であり、前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす、粘着シートが提供される。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記基材は、ガラス転移温度５０℃以上である樹脂フィルムであることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記粘着剤層は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記基材の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記粘着剤層の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、０．１≦ｔＡＳ／ｔＦＲ≦０．９の関係を満たすことが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記枠部材の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、１５０℃で３０分間加熱した際の前記基材のＭＤ方向の熱収縮率が、２．０％以下であり、１５０℃で３０分間加熱した際の前記基材のＣＤ方向の熱収縮率が、２．０％以下であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記粘着剤層に含まれる粘着剤は、アクリル系粘着剤又はシリコーン系粘着剤であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る粘着シートにおいて、前記粘着剤層の５％重量減少温度は、２５０℃以上であることが好ましい。
　本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、屈曲可能な基材と前記基材の上に形成された粘着剤層とを有する粘着シートに、複数の開口部が形成された枠部材を貼着させる工程と、前記枠部材の前記開口部にて露出する前記粘着剤層に半導体チップを貼着させる工程と、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、熱硬化させた後、前記粘着シートを剥離する工程と、を有し、前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす。
　本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程において、シート状の封止樹脂を用いることが好ましい。
　本発明によれば、ＦＯＷＬＰのような比較的広い面積を封止する半導体パッケージの反りを抑制でき、かつ樹脂封止後に剥離しやすい粘着シートを提供することができる。また、本発明によれば、当該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供できる。
実施形態に係る粘着シートの断面概略図である。 実施形態に係る粘着シートを用いた半導体装置の製造工程の一部を説明する図である。 実施形態に係る粘着シートを用いた半導体装置の製造工程の一部を説明する図である。 実施形態に係る粘着シートを用いた半導体装置の製造工程の一部を説明する図である。 実施形態に係る粘着シートを用いた半導体装置の製造工程の一部を説明する図である。 実施形態に係る粘着シートを用いた半導体装置の製造工程の一部を説明する図である。 粘着シートの厚みと枠部材の厚みとの関係を説明する断面概略図である。
（粘着シート）
　本実施形態に係る粘着シートは、基材と前記基材の上に形成された粘着剤層を有する粘着シートに、複数の開口部が形成された枠部材を貼着させる工程と、前記枠部材の前記開口部にて露出する前記粘着剤層に半導体チップを貼着させる工程と、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、熱硬化させた後、前記粘着シートを剥離する工程と、を有する半導体装置製造プロセスにおいて使用されることが好ましい。
　図１には、本実施形態の粘着シート１０の断面概略図が示されている。
　粘着シート１０は、基材１１及び粘着剤層１２を有する。粘着剤層１２の上には、図１に示されているように、剥離シートＲＬが積層されていてもよい。粘着シート１０の形状は、例えば、シート状、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
（基材）
　基材１１は、屈曲可能である。本発明において、「屈曲可能」とは、例えば、ロール状に巻くことが可能であり、かつロール状に巻いても損傷が充分に抑制される程度の柔軟性を有していることを言う。具体的には、基材１１は、直径１０ｍｍφのステンレス棒に巻付角１８０°で巻き付け可能であることが好ましい。より具体的には、「基材１１が屈曲可能」とは、直径１０ｍｍφのステンレス棒に巻付角１８０°で巻き付けても、基材１１に折り目や損傷が発生しないことが好ましい。基材１１が、上記のような柔軟性を有していれば、半導体チップを樹脂で封止した後に基材１１を屈曲させながら容易に剥離することができる。
　基材１１は、第一面１１ａ、及び第一面１１ａとは反対側の第二面１１ｂを有する。本実施形態の粘着シート１０においては、第一面１１ａに粘着剤層１２が積層されている。基材１１と粘着剤層１２との密着性を高めるために、第一面１１ａは、プライマー処理、コロナ処理、及びプラズマ処理等の少なくともいずれかの表面処理が施されてもよい。基材１１の第一面１１ａには、粘着剤が塗布されて粘着処理が施されていてもよい。基材の粘着処理に用いられる粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、及びウレタン系等の粘着剤が挙げられる。
　基材１１の厚みは、後述する基材１１の厚みと粘着剤層１２の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、半導体装置製造プロセスで使用される前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす範囲で適宜決定される。具体的には、基材１１の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。基材１１の厚みは、１５μｍ以上９０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが特に好ましい。基材１１の厚みが１０μｍ以上であれば、粘着シート１０を封止体から剥離する際に基材１１が破断したりすることを防止できる。基材１１の厚みが１００μｍ以下であれば、粘着シート１０の取り扱い性や、粘着シート１０を貼着後の被着体の取り扱い性が向上する。
　基材１１としては、屈曲可能であれば特に限定されないが、例えば、合成樹脂フィルム、及び金属箔などのシート材料などを用いることができる。合成樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、及びイミド系フィルム等が挙げられる。ポリエステル系フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、及びポリブチレンテレフタレートフィルムが挙げられる。イミド系フィルムとしては、例えば、ポリアミドイミドフィルム、及びポリイミドフィルムが挙げられる。その他、基材１１としては、これらの架橋フィルム及び積層フィルム等が挙げられる。
　基材１１の片面、又は両面には、機能性層が設けられていてもよい。機能性層は、例えば、剥離剤層、ハードコート層、オリゴマー防止層、易接着層、及び着色層からなる群から選択されるいずれかの層であることが好ましい。基材１１の両面に機能性層が設けられている場合、一方の面に設けられている第一の機能性層と、他方の面に設けられている第二の機能性層とが、互いに同じであることも好ましく、互いに異なることも好ましい。
　基材１１に機能性層が設けられている場合、基材１１と機能性層との合計厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上９０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが特に好ましい。
　基材１１の両面に機能性層が設けられている場合、一方の面に設けられている第一の機能性層の厚みと、他方の面に設けられている第二の機能性層の厚みとが、互いに同じであることも好ましく、互いに異なることも好ましい。
　基材１１は、合成樹脂フィルムであることが好ましく、ポリエステル系フィルム又はイミド系フィルムであることがより好ましい。
　基材１１としては、汎用性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、及びポリイミドフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルム、及びポリイミドフィルムがより好ましい。
　基材１１は、ガラス転移温度５０℃以上である樹脂フィルムであることが好ましい。基材１１のガラス転移温度は、５５℃以上であることがより好ましく、６０℃以上であることが特に好ましい。基材１１のガラス転移温度が５０℃以上であれば、封止樹脂を熱硬化させる工程でも、形状を維持できる。基材１１のガラス転移温度の上限は、封止樹脂を熱硬化させる工程で形状を維持できれば特に限定されないが、通常、５００℃以下である。ガラス転移温度は、ＤＭＡ法（引っ張り法）において、昇温速度５℃／ｍｉｎ、サンプル幅５ｍｍ、チャック間距離２０ｍｍ、周波数１０Ｈｚの条件において確認される損失正接（ｔａｎδ）のピークを示す温度を意味する。ＤＭＡは、Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓの略称である。
　基材１１の収縮に伴う半導体パッケージの反りを防止する観点から、基材１１の熱収縮率は、以下の範囲であることが好ましい。
　１５０℃で３０分間加熱した際の基材１１のＭＤ方向の熱収縮率は、２．０％以下であることが好ましく、１．５％以下であることがより好ましい。
　１５０℃で３０分間加熱した際の基材１１のＣＤ方向の熱収縮率は、２．０％以下であることが好ましく、１．５％以下であることがより好ましい。
　基材１１のＭＤ方向の熱収縮率の下限、及びＣＤ方向の熱収縮率の下限は、それぞれ、小さいほど好ましく、特に限定されない。
　１５０℃で３０分間加熱した際の基材１１のＭＤ方向の熱収縮率の下限は、０．０１％以上であることが好ましい。
　１５０℃で３０分間加熱した際の基材１１のＣＤ方向の熱収縮率の下限は、０．０１％以上であることが好ましい。
　ＭＤ方向とは、フィルムを長尺で製膜した場合における、フィルムを搬送する方向と並行する方向である。ＣＤ方向とは、フィルムの同一面上においてＭＤ方向と直交する方向である。
　半導体パッケージの反りをより効果的に防止する観点から、基材１１のＭＤ方向の熱収縮率、及び基材１１のＣＤ方向の熱収縮率を上記の範囲とし、かつ、ＭＤ方向の熱収縮率と、ＣＤ方向の熱収縮率との比｛ＭＤ方向の熱収縮率／ＣＤ方向の熱収縮率｝を、０．０３以上３０以下の範囲にすることが好ましく、１．０以上２５以下の範囲にすることがより好ましい。
　なお、基材の熱収縮率は、例えば、所望の範囲を満たすような材質を選択することや、基材をアニール処理することや、基材の成膜方法を変更すること（例えば、延伸方法を変えること）などにより調整することもできる。
（粘着剤層）
　粘着剤層１２は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上であることが好ましい。粘着剤層１２がこのような貯蔵弾性率を有していれば、封止樹脂を熱硬化させる工程の後に、粘着シート１０を容易に剥離することができ、かつ被着体の表面に粘着剤が残るという不具合（いわゆる糊残り）を防止することができる。粘着剤層１２の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率の上限は、特に限定されないが、１×１０７Ｐａ以下であることが好ましい。なお、本明細書において、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いて、ねじりせん断法により測定した値である。
　粘着剤層１２の厚みは、後述する基材１１の厚みと粘着剤層１２の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、半導体装置製造プロセスで使用される前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす範囲で適宜決定される。本実施形態において、粘着剤層１２の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがさらにより好ましい。基材１１の厚みｔＢＳ［μｍ］と、粘着剤層１２の厚みｔＡＤ［μｍ］とは、ｔＡＤ［μｍ］≦ｔＢＳ［μｍ］の関係を満たすことが好ましい。
　粘着剤層１２の厚みが薄過ぎると、半導体チップの回路面の凹凸に粘着剤層１２が追従できずに隙間が生じるおそれがある。その隙間に層間絶縁材や封止樹脂等が入り込み、チップ回路面の配線接続用の電極パッドが塞がれるおそれがある。また、粘着剤層１２の厚みが厚過ぎると、半導体チップが粘着剤層に沈み込んでしまい、半導体チップ部分と、半導体チップを封止する樹脂部分との段差が生じるおそれがある。このような段差が生じると再配線の際に配線が断線するおそれがある。
　粘着剤層１２の厚みが１μｍ以上１００μｍ以下であれば、適度な粘着力が得られ、半導体チップを適切に保持することができる。粘着剤層１２の厚みが５μｍ以上であれば、チップ回路面の凹凸に粘着剤層１２が追従し易くなり、前述のような隙間の発生を防止できる。粘着剤層１２の厚みが６０μｍ以下であれば、前述のような段差が生じ難くなる。
　本実施形態に係る粘着剤層１２は、粘着剤組成物を含んでいる。粘着剤層１２の粘着剤組成物に含まれる粘着剤としては、特に限定されず、様々な種類の粘着剤を粘着剤層１２に適用できる。粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、エポキシ系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、及びウレタン系粘着剤が挙げられる。また、耐熱性を有する熱可塑性のポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルアミドイミド樹脂、ブロック共重合体（スチレン－エチレンブチレン－スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレン（ＳＢＳ）、スチレン－イソブタジエン－スチレン（ＳＩＳ）等）、及びフッ素化合物含有樹脂等の各種粘着剤を用いることもできる。粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、耐熱性やコストの観点から、アクリル系粘着剤、又はシリコーン系粘着剤が好ましい。粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
・アクリル系粘着剤
　粘着剤層１２がアクリル系粘着剤組成物を含む場合、アクリル系粘着剤組成物は、アクリル酸２－エチルヘキシルを主たるモノマーとするアクリル系共重合体を含むことが好ましい。
　また、粘着剤層１２がアクリル系粘着剤組成物を含む場合、アクリル系共重合体と、粘着助剤と、を含んでいることが好ましい。アクリル系共重合体は、アクリル酸２－エチルヘキシルを主たるモノマーとする共重合体であることが好ましい。粘着助剤は、反応性基を有するゴム系材料を主成分として含むことが好ましい。
　本明細書において、アクリル酸２－エチルヘキシルを主たるモノマーとするとは、アクリル系共重合体全体の質量に占めるアクリル酸２－エチルヘキシル由来の共重合体成分の質量の割合が５０質量％以上であることを意味する。本実施形態においては、アクリル系共重合体におけるアクリル酸２－エチルヘキシルに由来する共重合体成分の割合は、５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上９５質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以上９３質量％以下であることがさらに好ましい。アクリル酸２－エチルヘキシルに由来する共重合体成分の割合が５０質量％以上であれば、加熱後に粘着力が高くなり過ぎず、被着体から粘着シートをより剥離し易くなり、８０質量％以上であればさらに剥離し易くなる。アクリル酸２－エチルヘキシルに由来する共重合体成分の割合が９５質量％以下であれば、初期密着力が不足して加熱時に基材が変形したり、その変形によって粘着シートが被着体から剥離したりすることを防止できる。
　アクリル系共重合体におけるアクリル酸２－エチルヘキシル以外の共重合体成分の種類や数は、特に限定されない。例えば、第二の共重合体成分としては、反応性の官能基を有する官能基含有モノマーが好ましい。第二の共重合体成分の反応性官能基としては、後述する架橋剤を使用する場合には、当該架橋剤と反応し得る官能基であることが好ましい。この反応性官能基は、例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、置換アミノ基、及びエポキシ基からなる群から選択される少なくともいずれかの置換基であることが好ましく、カルボキシル基及び水酸基の少なくともいずれかの置換基であることがより好ましく、カルボキシル基であることがさらに好ましい。
　カルボキシル基を有するモノマー（カルボキシル基含有モノマー）としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、及びシトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。カルボキシル基含有モノマーの中でも、反応性及び共重合性の点から、アクリル酸が好ましい。カルボキシル基含有モノマーは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　水酸基を有するモノマー（水酸基含有モノマー）としては、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、及び（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等が挙げられる。水酸基含有モノマーの中でも、水酸基の反応性及び共重合性の点から、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチルが好ましい。水酸基含有モノマーは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、本明細書における「（メタ）アクリル酸」は、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の双方を表す場合に用いる表記であり、他の類似用語についても同様である。
　エポキシ基を有するアクリル酸エステルとしては、例えば、グリシジルアクリレート、及びグリシジルメタクリレート等が挙げられる。
　アクリル系共重合体におけるその他の共重合体成分としては、アルキル基の炭素数が２～２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ヘキシル、メタクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－デシル、（メタ）アクリル酸ｎ－ドデシル、（メタ）アクリル酸ミリスチル、（メタ）アクリル酸パルミチル、及び（メタ）アクリル酸ステアリル等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸アルキルエステルの中でも、粘着性をより向上させる観点から、アルキル基の炭素数が２～４の（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチルがより好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アクリル系共重合体におけるその他の共重合体成分としては、例えば、アルコキシアルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、非架橋性のアクリルアミド、非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステル、酢酸ビニル、及びスチレンからなる群から選択される少なくともいずれかのモノマーに由来する共重合体成分が挙げられる。
　アルコキシアルキル基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メトキシメチル、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシメチル、及び（メタ）アクリル酸エトキシエチルが挙げられる。
　脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルが挙げられる。
　芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸フェニルが挙げられる。
　非架橋性のアクリルアミドとしては、例えば、アクリルアミド、及びメタクリルアミドが挙げられる。
　非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル、及び（メタ）アクリル酸（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピルが挙げられる。
　これらのモノマーは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本実施形態においては、第二の共重合体成分として、カルボキシル基含有モノマー、又は水酸基含有モノマーが好ましく、アクリル酸がより好ましい。アクリル系共重合体が、アクリル酸２－エチルヘキシル由来の共重合体成分、及びアクリル酸由来の共重合体成分を含む場合、アクリル系共重合体全体の質量に占めるアクリル酸由来の共重合体成分の質量の割合が１質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上０．５質量％以下であることがより好ましい。アクリル酸由来の共重合体成分の質量の割合が１質量％以下であれば、粘着剤組成物に架橋剤が含まれる場合にアクリル系共重合体の架橋が早く進行し過ぎることを防止できる。
　アクリル系共重合体は、２種類以上の官能基含有モノマー由来の共重合体成分を含んでいてもよい。例えば、アクリル系共重合体は、３元系共重合体であってもよく、アクリル酸２－エチルヘキシル、カルボキシル基含有モノマー及び水酸基含有モノマーを共重合して得られるアクリル系共重合体が好ましく、このカルボキシル基含有モノマーは、アクリル酸であることが好ましく、この水酸基含有モノマーは、アクリル酸２－ヒドロキシエチルであることが好ましい。アクリル系共重合体におけるアクリル酸２－エチルヘキシルに由来する共重合体成分の割合が８０質量％以上９５質量％以下であり、アクリル酸由来の共重合体成分の質量の割合が１質量％以下であり、残部がアクリル酸２－ヒドロキシエチル由来の共重合体成分であることが好ましい。
　アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０万以上２００万以下であることが好ましく、６０万以上１５０万以下であることがより好ましく、８０万以上１２０万以下であることがさらに好ましい。アクリル系共重合体の重量平均分子量Ｍｗが３０万以上であれば、被着体への粘着剤の残渣なく粘着シートを剥離することができる。アクリル系共重合体の重量平均分子量Ｍｗが２００万以下であれば、被着体へ粘着シートを確実に貼り付けることができる。
　アクリル系共重合体の重量平均分子量Ｍｗは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。ＧＰＣは、Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙの略称である。
　アクリル系共重合体は、前述の各種原料モノマーを用いて、従来公知の方法に従って製造することができる。
　アクリル系共重合体の共重合の形態は、特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、又はグラフト共重合体のいずれでもよい。
　粘着助剤は、反応性基を有するゴム系材料を主成分として含むことが好ましい。粘着剤組成物が反応性粘着助剤を含んでいると、糊残りを減少させることができる。粘着剤組成物中の粘着助剤の含有率は、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。粘着剤組成物中の粘着助剤の含有率が５質量％以上であれば、糊残りの発生を抑制でき、５０質量％以下であれば粘着力の低下を抑制できる。
　本明細書において、反応性基を有するゴム系材料を主成分として含むとは、粘着助剤全体の質量に占める反応性基を有するゴム系材料の質量の割合が５０質量％を超えることを意味する。本実施形態においては、粘着助剤における反応性基を有するゴム系材料の割合は、５０質量％超であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。粘着助剤が実質的に反応性基を有するゴム系材料からなることも好ましい。
　反応性基としては、水酸基、イソシアネート基、アミノ基、オキシラン基、酸無水物基、アルコキシ基、アクリロイル基及びメタクリロイル基からなる群より選択される一種以上の官能基であることが好ましく、水酸基であることがより好ましい。ゴム系材料が有する反応性基は、１種類でも、２種類以上でもよい。水酸基を有するゴム系材料は、さらに前述の反応性基を有していてもよい。また、反応性基の数は、ゴム系材料を構成する１分子中に１つでも、２つ以上でもよい。
　ゴム系材料としては、特に限定されないが、ポリブタジエン系樹脂、及びポリブタジエン系樹脂の水素添加物が好ましく、ポリブタジエン系樹脂の水素添加物がより好ましい。
　ポリブタジエン系樹脂としては、１，４－繰り返し単位を有する樹脂、１，２－繰り返し単位を有する樹脂、並びに１，４－繰り返し単位及び１，２－繰り返し単位の両方を有する樹脂が挙げられる。本実施形態のポリブタジエン系樹脂の水素添加物は、これらの繰り返し単位を有する樹脂の水素化物も含む。
　ポリブタジエン系樹脂、及びポリブタジエン系樹脂の水素添加物は、両末端にそれぞれ反応性基を有することが好ましい。両末端の反応性基は、同一でも異なっていてもよい。両末端の反応性基は、水酸基、イソシアネート基、アミノ基、オキシラン基、酸無水物基、アルコキシ基、アクリロイル基及びメタクリロイル基からなる群より選択される一種以上の官能基であることが好ましく、水酸基であることがより好ましい。ポリブタジエン系樹脂、及びポリブタジエン系樹脂の水素添加物においては、両末端が水酸基であることがより好ましい。
　本実施形態に係る粘着剤組成物は、前述のアクリル系共重合体及び粘着助剤の他に、さらに架橋剤を配合した組成物を架橋させて得られる架橋物を含むことも好ましい。また、粘着剤組成物の固形分は、実質的に、前述のように前述のアクリル系共重合体と、粘着助剤と、架橋剤とを架橋させて得られる架橋物からなることも好ましい。ここで、実質的にとは、不可避的に粘着剤に混入してしまうような微量な不純物を除いて、粘着剤組成物の固形分が当該架橋物だけからなることを意味する。
　架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アミン系架橋剤、及びアミノ樹脂系架橋剤が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　粘着剤組成物の耐熱性や粘着力を向上させる観点から、これら架橋剤の中でも、イソシアネート基を有する化合物を主成分とする架橋剤（イソシアネート系架橋剤）が好ましい。イソシアネート系架橋剤としては、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、及びリジンイソシアネート等の多価イソシアネート化合物が挙げられる。
　また、多価イソシアネート化合物は、前述の化合物のトリメチロールプロパンアダクト型変性体、水と反応させたビュウレット型変性体、又はイソシアヌレート環を有するイソシアヌレート型変性体であってもよい。
　粘着剤組成物中の架橋剤の含有量は、アクリル系共重合体１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下、より好ましくは１質量部以上１５質量部以下、さらに好ましくは５質量部以上１０質量部以下である。粘着剤組成物中の架橋剤の含有量がこのような範囲内であれば、粘着剤層１２と基材１１との接着性を向上させることができ、粘着シートの製造後に粘着特性を安定化させるための養生期間を短縮できる。
　本実施形態においては、粘着剤組成物の耐熱性の観点から、イソシアネート系架橋剤は、イソシアヌレート環を有する化合物（イソシアヌレート型変性体）であることがさらに好ましい。イソシアヌレート環を有する化合物は、アクリル系共重合体の水酸基当量に対して、０．７当量以上１．５当量以下配合されていることが好ましい。イソシアヌレート環を有する化合物の配合量が０．７当量以上であれば、加熱後に粘着力が高くなり過ぎず、粘着シートを剥離し易くなり、糊残りを減少させることができる。イソシアヌレート環を有する化合物の配合量が１．５当量以下であれば、初期粘着力が低くなり過ぎることを防止したり、貼付性の低下を防止したりすることができる。
　本実施形態における粘着剤組成物が架橋剤を含む場合、粘着剤組成物は、架橋促進剤をさらに含むことが好ましい。架橋促進剤は、架橋剤の種類などに応じて、適宜選択して用いることが好ましい。例えば、粘着剤組成物が、架橋剤としてポリイソシアネート化合物を含む場合には、有機スズ化合物などの有機金属化合物系の架橋促進剤をさらに含むことが好ましい。
・シリコーン系粘着剤
　シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルポリシロキサンを含有する粘着剤が挙げられる。シリコーン系粘着剤としては、オルガノポリシロキサン構造、好ましくはジメチルポリシロキサン構造とビニル基等の不飽和基、ＳｉＨ基により架橋し、白金系触媒により硬化された付加重合型シリコーン系粘着剤、又はＢＰＯ等の有機過酸化物により硬化して得られるシリコーン系粘着剤を使用することができる。ＢＰＯは、Ｂｅｎｚｏｙｌ　ｐｅｒｏｘｉｄｅの略称である。耐熱性の観点から付加重合型シリコーン系粘着剤が好ましい。この場合、得られる粘着力を考慮して該不飽和基の密度に応じて架橋密度を調整することが可能である。このシリコーン樹脂層の形成には付加重合させるために加熱等を行うことが必要である。
　粘着剤組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の成分が含まれていてもよい。粘着剤組成物に含まれ得るその他の成分としては、例えば、有機溶媒、難燃剤、粘着付与剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、防腐剤、防黴剤、可塑剤、消泡剤、及び濡れ性調整剤などが挙げられる。
　封止樹脂を加熱硬化させる工程で、粘着シート１０の粘着剤層１２からの発生ガスにより半導体パッケージが汚染されて、再配線層を形成する工程で不具合が生じる場合がある。
　このため、粘着剤層１２の５％重量減少温度は、２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。５％重量減少温度は、熱重量分析装置を用いて次の条件下で測定される。
　・昇温速度　：１０℃／分
　・雰囲気ガス：大気
　・ガス流量　：１００ｍｌ／分
（剥離シート）
　剥離シートＲＬとしては、特に限定されない。例えば、取り扱い易さの観点から、剥離シートＲＬは、剥離基材と、剥離基材の上に剥離剤が塗布されて形成された剥離剤層とを備えることが好ましい。また、剥離シートＲＬは、剥離基材の片面のみに剥離剤層を備えていてもよいし、剥離基材の両面に剥離剤層を備えていてもよい。剥離基材としては、例えば、紙基材、この紙基材にポリエチレン等の熱可塑性樹脂をラミネートしたラミネート紙、並びにプラスチックフィルム等が挙げられる。紙基材としては、グラシン紙、コート紙、及びキャストコート紙等が挙げられる。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、並びにポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルム等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、オレフィン系樹脂、ゴム系エラストマー（例えば、ブタジエン系樹脂、イソプレン系樹脂等）、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂、及びシリコーン系樹脂が挙げられる。
　剥離シートＲＬの厚みは、特に限定されない。剥離シートＲＬの厚みは、通常、２０μｍ以上２００μｍ以下であり、２５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　剥離剤層の厚みは、特に限定されない。剥離剤を含む溶液を塗布して剥離剤層を形成する場合、剥離剤層の厚みは、０．０１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましく、０．０３μｍ以上１．０μｍ以下であることがより好ましい。
　剥離基材としてプラスチックフィルムを用いる場合、当該プラスチックフィルムの厚みは、３μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましい。
　本実施形態に係る粘着シート１０は、加熱後に、次のような粘着力を示すことが好ましい。まず、粘着シート１０を被着体（銅箔、又はポリイミドフィルム）に貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び３０分間の条件で加熱し、さらに１９０℃及び１時間の条件で加熱した後、粘着剤層１２の銅箔に対する室温での粘着力、及び粘着剤層１２のポリイミドフィルムに対する室温での粘着力が、それぞれ０．７Ｎ／２５ｍｍ以上２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このような加熱を行った後の粘着力が０．７Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、加熱によって基材や被着体が変形した場合に粘着シート１０が剥離することを防止できる。また、加熱後の粘着力が２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であれば、剥離力が高くなり過ぎず、粘着シート１０を被着体から剥離し易い。
　なお、本明細書において室温とは、２２℃以上２４℃以下である。
（粘着シートの製造方法）
　粘着シート１０の製造方法は、特に限定されない。
　例えば、粘着シート１０は、次のような工程を経て製造される。まず、基材１１の第一面１１ａの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、粘着剤層１２を形成する。その後、粘着剤層１２を覆うように剥離シートＲＬを貼着する。
　また、粘着シート１０の別の製造方法としては、次のような工程を経て製造される。まず、剥離シートＲＬの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、塗膜を乾燥させて、粘着剤層１２を形成し、この粘着剤層１２に基材１１の第一面１１ａを貼り合わせる。
　粘着剤組成物を塗布して粘着剤層１２を形成する場合、有機溶媒で粘着剤組成物を希釈してコーティング液を調製して用いることが好ましい。有機溶媒としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、及びメチルエチルケトン等が挙げられる。コーティング液を塗布する方法は、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、及びグラビアコート法等が挙げられる。
　有機溶媒や低沸点成分が粘着剤層１２に残留することを防ぐため、コーティング液を基材１１や剥離シートＲＬに塗布した後、塗膜を加熱して乾燥させることが好ましい。また、粘着剤組成物に架橋剤が配合されている場合には、架橋反応を進行させて凝集力を向上させるためにも、塗膜を加熱することが好ましい。
（半導体装置の製造方法）
　本実施形態に係る粘着シート１０を用いて半導体装置を製造する方法を説明する。
　図２Ａ～図２Ｅには、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する概略図が示されている。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、粘着シート１０に複数の開口部２１が形成された枠部材２０を貼着させる工程（粘着シート貼着工程）と、枠部材２０の開口部２１にて露出する粘着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる工程（ボンディング工程）と、半導体チップＣＰを封止樹脂３０で覆う工程（封止工程）と、封止樹脂３０を熱硬化させる工程（熱硬化工程）と、熱硬化させた後、粘着シート１０を剥離する工程（剥離工程）と、を実施する。必要に応じて、熱硬化工程の後に、封止樹脂３０で封止された封止体５０に補強部材４０を貼着させる工程（補強部材貼着工程）を実施してもよい。以下に各工程について説明する。
・粘着シート貼着工程
　図２Ａには、粘着シート１０の粘着剤層１２に枠部材２０を貼着させる工程を説明する概略図が示されている。なお、粘着シート１０に剥離シートＲＬが貼着されている場合には、予め剥離シートＲＬを剥離する。
　本実施形態に係る枠部材２０は、格子状に形成され、複数の開口部２１を有する。開口部２１は、正方格子状に配列されていることが好ましい。
　枠部材２０は、耐熱性を有する材質で形成されていることが好ましい。枠部材２０の材質としては、例えば、金属、及び耐熱性樹脂が挙げられる。金属としては、銅、及びステンレス等が挙げられる。耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂、及びガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。
　枠部材２０の厚みｔＦＲは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、１００μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。
　枠部材２０の厚みｔＦＲが１００μｍ以上であれば、比較的広い面積を封止する際にも半導体パッケージの反りを抑制できる。工程のコストメリットの観点から、封止する領域は、例えば、平面視で縦３０ｃｍ以上、横３０ｃｍ以上の大きさであることが好ましい。
枠部材２０の厚みｔＦＲが１０００μｍ以下であれば、半導体装置の製造プロセスの生産性低下を防止できる。
　開口部２１は、枠部材２０の表裏面を貫通する孔である。開口部２１の形状は、半導体チップＣＰを枠内に収容可能であれば、特に限定されない。開口部２１の孔の深さも、半導体チップＣＰを収容可能であれば、特に限定されない。
　図３には、粘着シート１０と枠部材２０との厚みの関係を説明する断面概略図が示されている。本実施形態では、基材１１の厚みと粘着剤層１２の厚みとの和ｔＡＳが、枠部材２０の厚みｔＦＲよりも小さい。すなわち、ｔＡＳ＜ｔＦＲの関係を満たす。粘着シート１０の厚み、特に基材１１の厚みが大きすぎると、基材の熱収縮の影響を受けて枠部材が反ってしまうが、粘着シート１０と枠部材２０とがこのような厚みの関係を満たすことにより、樹脂封止後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。
　さらに、基材１１の厚みと粘着剤層１２の厚みの和をｔＡＳ［μｍ］とし、枠部材２０の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、０．１≦ｔＡＳ／ｔＦＲ≦０．９の関係を満たすことが好ましく、０．２≦ｔＡＳ／ｔＦＲ≦０．８の関係を満たすことがより好ましい。ｔＡＳ／ｔＦＲが０．９以下であれば、封止工程後、又は熱硬化工程後に基材の熱収縮の影響を受け難くなり、枠部材が反り難くなる。一方、ｔＡＳ／ｔＦＲが０．１以上であれば、粘着シートの厚みが薄すぎて半導体装置の製造方法の一連の工程で粘着シートが破けたり損傷したりするといった不具合が起こり難くなる。
・ボンディング工程
　図２Ｂには、粘着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる工程を説明する概略図が示されている。
　枠部材２０に粘着シート１０を貼着させると、それぞれの開口部２１において開口部２１の形状に応じて粘着剤層１２が露出する。各開口部２１の粘着剤層１２に半導体チップＣＰを貼着させる。半導体チップＣＰは、半導体チップＣＰの回路面が粘着剤層１２で覆われるように貼着させることが好ましい。
・封止工程及び熱硬化工程
　図２Ｃには、粘着シート１０に貼着された半導体チップＣＰ及び枠部材２０を封止する工程を説明する概略図が示されている。
　封止樹脂３０の材質は、熱硬化性樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止樹脂３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、及び硬化促進剤などが含まれていてもよい。
　封止樹脂３０で半導体チップＣＰ及び枠部材２０を覆う方法は、特に限定されない。封止樹脂３０で覆う方法としては、例えば、シート状の封止樹脂３０を用いる方法、又はトランスファーモールド法が挙げられる。ＦＯＷＬＰのような比較的広い面積を封止する場合には、封止工程は、シート状の封止樹脂３０を用いることが好ましい。
　本実施形態では、シート状の封止樹脂３０を用いた態様を例に挙げて説明する。シート状の封止樹脂３０を半導体チップＣＰ及び枠部材２０を覆うように載置し、封止樹脂３０を加熱硬化させて、封止樹脂層３０Ａを形成する。このようにして、半導体チップＣＰ及び枠部材２０が封止樹脂層３０Ａに埋め込まれる。シート状の封止樹脂３０の厚みをｔＭＯ［μｍ］とし、枠部材２０の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合、０．５≦ｔＭＯ／ｔＦＲ≦１．５の関係を満たすことが好ましく、０．７≦ｔＭＯ／ｔＦＲ≦１．２の関係を満たすことがより好ましい。シート状の封止樹脂３０の厚みと枠部材２０の厚みとがこのような厚みの関係を満たすことにより、封止工程後に発生する半導体パッケージの反りを抑制できる。ｔＭＯ／ｔＦＲが１．５以下の場合、封止樹脂層の硬化収縮の影響を受けて枠部材が反ることを抑制できる。一方、ｔＭＯ／ｔＦＲが０．５以上の場合、封止樹脂層３０Ａの厚みが薄すぎて半導体チップＣＰ及び枠部材２０の間に、封止樹脂の未充填部分が生じたり、半導体チップＣＰの上面を封止樹脂で覆えなかったりする不具合を抑制できる。
　シート状の封止樹脂３０を用いる場合には、真空ラミネート法により半導体チップＣＰ及び枠部材２０を封止することが好ましい。この真空ラミネート法により、半導体チップＣＰと枠部材２０との間に空隙が生じることを防止できる。真空ラミネート法による加熱硬化の温度条件範囲は、例えば、８０℃以上１２０℃以下である。
　封止工程では、シート状の封止樹脂３０がポリエチレンテレフタレート等の樹脂シートに支持された積層シートを用いてもよい。この場合、半導体チップＣＰ及び枠部材２０を覆うように積層シートを載置した後、樹脂シートを封止樹脂３０から剥離して、封止樹脂３０を加熱硬化させてもよい。このような積層シートとしては、例えば、ＡＢＦフィルム（味の素ファインテクノ株式会社製）が挙げられる。
　半導体チップＣＰ及び枠部材２０を封止する方法としては、トランスファーモールド法を採用してもよい。この場合、例えば、封止装置の金型の内部に、粘着シート１０に貼着された半導体チップＣＰ及び枠部材２０を収容する。この金型の内部に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる。トランスファーモールド法の場合、加熱及び加圧の条件は、特に限定されない。トランスファーモールド法における通常の条件の一例として、１５０℃以上の温度と、４ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下の圧力を３０秒以上３００秒以下の間維持する。その後、加圧を解除し、封止装置から硬化物を取り出してオーブン内に静置して、１５０℃以上の温度を２時間以上１５時間以下、維持する。このようにして、半導体チップＣＰ及び枠部材２０を封止する。
　前述の封止工程においてシート状の封止樹脂３０を用いる場合、封止樹脂３０を熱硬化させる工程（熱硬化工程）の前に、第一加熱プレス工程を実施してもよい。第一加熱プレス工程においては、封止樹脂３０で被覆された半導体チップＣＰ及び枠部材２０付き粘着シート１０を両面から板状部材で挟み込み、所定の温度、時間、及び圧力の条件下でプレスする。第一加熱プレス工程を実施することにより、封止樹脂３０が半導体チップＣＰと枠部材２０との空隙にも充填され易くなる。また、加熱プレス工程を実施することにより、封止樹脂３０により構成される封止樹脂層３０Ａの凹凸を平坦化することもできる。板状部材としては、例えば、ステンレス等の金属板を用いることができる。
　熱硬化工程の後、粘着シート１０を剥離すると、封止樹脂３０で封止された半導体チップＣＰ及び枠部材２０が得られる。本明細書において、これを封止体５０と称する場合がある。
・補強部材貼着工程
　図２Ｄには、封止体５０に補強部材４０を貼着させる工程を説明する概略図が示されている。
　粘着シート１０を剥離した後、露出した半導体チップＣＰの回路面に対して再配線層を形成する工程やバンプ付け工程が実施される。このような再配線工程やバンプ付け工程における封止体５０の取り扱い性を向上させるため、必要に応じて、封止体５０に補強部材４０を貼着させる工程（補強部材貼着工程）を実施してもよい。補強部材貼着工程を実施する場合には、粘着シート１０を剥離する前に実施することが好ましい。図２Ｄに示すように、封止体５０が粘着シート１０及び補強部材４０によって挟まれた状態で支持されている。
　本実施形態では、補強部材４０は、耐熱性の補強板４１と、耐熱性の接着層４２とを備える。補強板４１としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の耐熱性樹脂を含む板状の部材が挙げられる。接着層４２は、補強板４１と封止体５０とを接着させる。接着層４２としては、補強板４１及び封止樹脂層３０Ａの材質に応じて適宜選択される。
　補強部材貼着工程では、封止体５０の封止樹脂層３０Ａと補強板４１との間に接着層４２を挟み込み、さらに補強板４１側及び粘着シート１０側からそれぞれ板状部材で挟み込み、所定の温度、時間、及び圧力の条件下でプレスする第二加熱プレス工程を実施することが好ましい。第二加熱プレス工程により、封止体５０と補強部材４０とを仮固定する。第二加熱プレス工程の後に、接着層４２を硬化させるために、仮固定された封止体５０と補強部材４０とを所定の温度及び時間の条件下で加熱することが好ましい。加熱硬化の条件は、接着層４２の材質に応じて適宜設定され、例えば、１８５℃、８０分間、及び２．４ＭＰａの条件である。第二加熱プレス工程においても、板状部材としては、例えば、ステンレス等の金属板を用いることができる。
・剥離工程
　図２Ｅには、粘着シート１０を剥離する工程を説明する概略図が示されている。
　本実施形態では、粘着シート１０の基材１１が屈曲可能であるため、粘着シート１０を屈曲させながら、枠部材２０、半導体チップＣＰ、及び封止樹脂層３０Ａから容易に剥離することができる。剥離角度θは、特に限定されないが、９０度以上の剥離角度θで粘着シート１０を剥離することが好ましい。剥離角度θが９０度以上であれば、粘着シート１０を、枠部材２０、半導体チップＣＰ、及び封止樹脂層３０Ａから容易に剥離することができる。剥離角度θは、９０度以上１８０度以下が好ましく、１３５度以上１８０度以下がより好ましい。このように粘着シート１０を屈曲させながら剥離を行うことで、枠部材２０、半導体チップＣＰ、及び封止樹脂層３０Ａにかかる負荷を低減しながら剥離することができ、粘着シート１０の剥離による、半導体チップＣＰ、及び封止樹脂層３０Ａの損傷を抑制することができる。粘着シート１０を剥離した後、前述の再配線工程やバンプ付け工程等が実施される。粘着シート１０の剥離後、再配線工程やバンプ付け工程等の実施前に、必要に応じて、前述の補強部材貼着工程を実施してもよい。
　補強部材４０を貼着させた場合、再配線工程やバンプ付け工程等が実施された後、補強部材４０による支持が不要になった段階で、補強部材４０を封止体５０から剥離する。
　その後、封止体５０を半導体チップＣＰ単位で個片化する（個片化工程）。封止体５０を個片化させる方法は特に限定されない。例えば、半導体ウエハをダイシングする方法と同様の方法で個片化させることができる。ダイシング方法としては、例えば、ダイシングソーなどの切断手段を用いる方法、又はレーザ照射方法が挙げられる。封止体５０を個片化させる工程は、封止体５０をダイシングシート等に貼着させた状態で実施してもよい。封止体５０を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージが製造され、この半導体パッケージは、実装工程においてプリント配線基板等に実装される。
　本実施形態によれば、ＦＯＷＬＰのような比較的広い面積を封止する半導体パッケージの反りを抑制でき、かつ樹脂封止後に剥離しやすい粘着シート１０を提供することができる。
〔実施形態の変形〕
　本発明は、前記実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は、本発明に含まれる。なお、以下の説明では、前記実施形態で説明した部材等と同一であれば、同一符号を付してその説明を省略、又は簡略化する。
　前記実施形態では、粘着シート１０の粘着剤層１２が剥離シートＲＬによって覆われている態様を例に挙げて説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。
　また、粘着シート１０は、枚葉であってもよく、複数枚の粘着シート１０が積層された状態で提供されてもよい。この場合、例えば、粘着剤層１２は、積層される別の粘着シートの基材１１によって覆われていてもよい。
　また、粘着シート１０は、長尺状のシートであってもよく、ロール状に巻き取られた状態で提供されてもよい。ロール状に巻き取られた粘着シート１０は、ロールから繰り出されて所望のサイズに切断するなどして使用することができる。
　前記実施形態では、封止樹脂３０の材質として熱硬化性樹脂である場合を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、封止樹脂３０は、紫外線等のエネルギー線で硬化するエネルギー線硬化性樹脂でもよい。
　前記実施形態では、格子状に形成された枠部材を例に挙げて説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、枠部材は、半導体チップを収容可能な複数の開口部を有し、枠部材に粘着シートが貼着された際に粘着剤層が開口部から露出すればよい。
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
〔評価方法〕
　粘着シートの評価は、以下に示す方法に従って行った。
（工程適性評価）
　得られた粘着シート上に、８ｍｍ×８ｍｍサイズの開口部を有する次に示す枠部材のいずれかを貼着させた。
　　・銅製の枠部材（厚み：１３０μｍ）
　　・銅製の枠部材（厚み：８００μｍ）
　　・耐熱性樹脂製の枠部材（厚み：１３０μｍ）
　次いで、実施例１～３および比較例１～２においては、半導体チップとして、５ｍｍ×５ｍｍサイズのダミーチップ（厚さ１３０μｍ）を準備し、枠部材の開口部の所定位置に配置した。次いで、シート状の封止樹脂（厚さ１００μｍ）を、半導体チップ及び枠部材を覆うように載置し、加熱硬化させて、封止樹脂層を形成した。その後、加熱により樹脂の硬化を促進（ポストモールドキュア）させ、半導体チップを封止樹脂で封止した。次いで、粘着シートを剥離角度１８０°で剥離し、半導体パッケージを得た。比較例３においては、半導体チップとして、５ｍｍ×５ｍｍサイズのダミーチップ（厚さ４５０μｍ）に変更し、シート状の封止樹脂の厚さを５４０μｍに変更した以外は実施例１～３および比較例１，２と同様にして半導体パッケージを得た。
　得られた半導体パッケージの反りを目視で観察した。また、粘着シートを剥離後のパッケージ表面を目視で観察し、粘着剤の残渣の有無、及び半導体パッケージ損傷の有無を確認した。半導体パッケージの反りがなく、糊残りなく、かつ半導体パッケージ損傷もなく剥離できた場合を「Ａ」と判定し、半導体パッケージの反り、糊残り、及び半導体パッケージ損傷の少なくともいずれかが確認できた場合を「Ｂ」と判定した。
（粘着力評価）
　２５ｍｍ幅に切断した粘着シートを室温で被着体としての銅箔及びポリイミドフィルムにラミネートし、銅箔付きシート及びポリイミドフィルム付きシートを得た。銅箔としては、Ｃ１２２０Ｒ－Ｈ規格の厚み０．０８ｍｍの延伸銅箔を用いた。ポリイミドフィルムとしては、東レ・デュポン（株）製の厚み２５μｍのカプトン１００Ｈ（製品名）を用いた。
　この銅箔付きシート及びポリイミドフィルム付きシートを、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び３０分間の条件で加熱し、さらに１９０℃及び１時間の条件で加熱した。加熱後、剥離角度を１８０度とし、剥離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとし、室温でシートを銅箔及びポリイミドフィルムから剥離した際の粘着力を測定した。粘着力の測定装置として、（株）オリエンテック製、「テンシロン」（製品名）を用いた。
（貯蔵弾性率測定）
　実施例又は比較例の粘着剤組成物を用いて、直径８ｍｍ×厚さ２ｍｍの円柱試験片を作製した。この円柱試験片を貯蔵弾性率測定用のサンプルとして用いた。
　貯蔵弾性率測定用のサンプルについて、ＪＩＳ　Ｋ７２４４－６に準拠し、粘弾性測定装置（Ｐｈｙｓｉｃａ社製，ＭＣＲ３００）を用いてねじりせん断法により、以下の条件で貯蔵弾性率（ＭＰａ）を測定した。
　　測定周波数：１Ｈｚ
　　測定温度　：１００℃
（熱収縮率測定）
　実施例又は比較例の基材から、当該基材のＭＤ方向に沿う方向の長さが１５０ｍｍであり、当該基材のＣＤ方向に沿う方向の長さが２０ｍｍである、短冊状試料を切り出した。この短冊状試料を、ＭＤ方向用サンプルとして用いた。
　実施例又は比較例の基材から、当該基材のＭＤ方向に沿う方向の長さが２０ｍｍであり、当該基材のＣＤ方向に沿う方向の長さが１５０ｍｍである、短冊状試料を切り出した。この短冊状試料を、ＣＤ方向用サンプルとして用いた。
　ＭＤ方向用サンプルの長手方向に１００ｍｍ間隔で２つの印を付けた。無荷重下で２つの印の間隔Ａを測定した。
　次に、ＭＤ方向用サンプルの長手方向の一方の端部をクリップを用いてカゴに取り付けて、ＭＤ方向用サンプルを無荷重下で吊るした。カゴに吊るしたＭＤ方向用サンプルを１５０℃の雰囲気下のオーブンに３０分間入れた後、取り出した。その後、３０分間室温で放置した。室温放置後、無荷重下で、２つの印の間隔Ｂを測定した。読み取った間隔Ａ及び間隔Ｂより、ＭＤ方向用サンプルの１５０℃での熱収縮率を下記式１により算出した。
　　熱収縮率（％）＝（（Ａ－Ｂ）／Ａ）×１００　…式１
　ＣＤ方向用サンプルについても、ＭＤ方向用サンプルと同様にして間隔Ａ及び間隔Ｂを測定し、上記式１によりＣＤ方向用サンプルの１５０℃での熱収縮率を算出した。
　以下において、ＭＤ方向用サンプルの１５０℃での熱収縮率を、ＭＤ方向熱収縮率と表記し、ＣＤ方向用サンプルの１５０℃での熱収縮率をＣＤ方向熱収縮率と表記する。
（５％重量減少温度）
　熱重量分析装置（(株)島津製作所製：ＤＴＧ６０）を用いて、次の条件下で測定した。
　・昇温速度　：１０℃／分
　・雰囲気ガス：大気
　・ガス流量　：１００ｍｌ／分
〔粘着シートの作製〕
（実施例１）
（１）粘着剤組成物の作製
　以下の材料（ポリマー、粘着助剤、架橋剤、及び希釈溶剤）を配合し、十分に撹拌して、実施例１に係る塗布用粘着剤液（粘着剤組成物）を調製した。
・ポリマー：アクリル酸エステル共重合体、４０質量部（固形分）
　アクリル酸エステル共重合体は、アクリル酸２－エチルヘキシル９２．８質量％と、アクリル酸２－ヒドロキシエチル７．０質量％と、アクリル酸０．２質量％とを共重合して調製した。
・粘着助剤：両末端水酸基水素化ポリブタジエン〔日本曹達（株）製；ＧＩ－１０００〕、５質量部（固形分）
・架橋剤：ヘキサメチレンジイソシアネートを有する脂肪族系イソシアネート〔日本ポリウレタン工業（株）製；コロネートＨＸ〕、３．５質量部（固形分）
・希釈溶剤：メチルエチルケトンを用い、塗布用粘着剤液の固形分濃度は、３０質量％に調製した。
（２）粘着剤層の作製
　調製した塗布用粘着剤液を、ロールコーターを用いて乾燥後の膜厚が５０μｍになるように、シリコーン系剥離層を設けた３８μｍの透明ポリエチレンテレフタレートフィルムからなる剥離フィルム〔リンテック（株）製；ＳＰ－ＰＥＴ３８２１５０〕の剥離層面側に塗布し、９０℃及び９０秒間の加熱を行い、続いて１１５℃及び９０秒間の加熱を行い、塗膜を乾燥させ、粘着剤層を作製した。
（３）粘着シートの作製
　塗布用粘着剤液の塗膜を乾燥させた後、粘着剤層と、基材とを貼り合わせて実施例１に係る粘着シートを得た。なお、基材として、透明ポリエチレンテレフタレートフィルム〔東洋紡（株）製；ＰＥＴ５０Ａ－４３００、厚み５０μｍ、ガラス転移温度Ｔｇ６７℃、ＭＤ方向熱収縮率：１．２％、ＣＤ方向熱収縮率：０．６％〕を用い、基材の易接着面に粘着剤層を貼り合わせた。この透明ポリエチレンテレフタレートフィルムは、直径１０ｍｍφのステンレス棒に１８０°の巻付角で巻き付けても、折り目や損傷が発生せず、屈曲可能であった。また、粘着剤層の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率は、２．３６×１０５Ｐａだった。また、粘着シートの銅箔に対する粘着力は、１．２Ｎ／２５ｍｍだった。粘着シートのポリイミドフィルムに対する粘着力は、１．１Ｎ／２５ｍｍだった。また、粘着剤層の５％重量減少温度は、３０４℃であった。
　実施例１では、銅製の枠部材（厚み：１３０μｍ）を用いて半導体パッケージを作製した。
（実施例２）
　実施例２の粘着シートは、実施例１における粘着剤組成物及び基材を下記の通り変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
　実施例２の粘着剤組成物は、付加型シリコーン系粘着剤（東レ・ダウコーニング（株）製、商品名：ＳＤ－４５８７Ｌ）１００重量部に白金触媒（東レ・ダウコーニング（株）製、商品名：ＳＲＸ２１２）０．７重量部を配合して得た。この粘着剤組成物を、基材としてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、カプトン１００Ｈ、厚み２５μｍ、Ｔｇ４０２℃、ＭＤ方向熱収縮率：０．２％、ＣＤ方向熱収縮率：０．０２％）に厚み１０μｍとなるように塗布して粘着シートを得た。ポリイミドフィルムは、直径１０ｍｍφのステンレス棒に１８０°の巻付角で巻き付けても、折り目や損傷が発生せず、屈曲可能であった。また、粘着剤層の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率は１．２６×１０５Ｐａだった。また、粘着剤層の５％重量減少温度は、３３０℃であった。
　実施例２では、銅製の枠部材（厚み：１３０μｍ）を用いて半導体パッケージを作製した。
（実施例３）
　実施例３では、実施例１に係る粘着シートを用いた。工程適性評価においては、耐熱性樹脂製の枠部材（厚み：１３０μｍ）を用いて半導体パッケージを作製した。
（比較例１）
　比較例１の粘着シートは、実施例１における基材を下記の通り変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
　比較例１で用いた基材は、透明ポリエチレンテレフタレートフィルム〔東洋紡（株）製；ＰＥＴ１００Ａ－４３００、厚み１００μｍ、Ｔｇ６７℃〕とした。この透明ポリエチレンテレフタレートフィルムは、直径１０ｍｍφのステンレス棒に１８０°の巻付角で巻き付けても、折り目や損傷が発生せず、屈曲可能であった。
（比較例２）
　比較例２の粘着シートは、実施例１における基材をソーダライムガラス板（（株）水戸理化ガラス製，テンパックスフロート（登録商標），厚み：０．７ｍｍ）に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。なお、このソーダライムガラス板は屈曲可能ではなかった。比較例２では、銅製の枠部材（厚み：１３０μｍ）を用いて半導体パッケージを作製した。
（比較例３）
　比較例３の粘着シートは、実施例１における基材をソーダライムガラス板（（株）水戸理化ガラス製，テンパックスフロート（登録商標），厚み：０．７ｍｍ）に変更し、枠部材の厚みを８００μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。比較例３では、銅製の枠部材（厚み：８００μｍ）を用いて半導体パッケージを作製した。
　表１に、実施例１～３、及び比較例１～３の粘着シート及び半導体パッケージの条件を示し、表２に評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　屈曲可能な基材を用い、基材の厚みと粘着剤層の厚みとの和ｔＡＳ［μｍ］と、枠部材の厚みｔＦＲ［μｍ］とが、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす実施例１～３に係る粘着シートは、半導体パッケージの反りも糊残りも半導体パッケージの損傷も発生しなかった。
　基材の厚みと粘着剤層の厚みとの和ｔＡＳ［μｍ］が、枠部材の厚みｔＦＲ［μｍ］よりも大きい比較例１に係る粘着シートにおいては、半導体パッケージの反りが発生した。これは、シート状の封止樹脂を加熱硬化及びポストモールドキュアすると、基材が熱収縮するが、比較例１で用いた基材は、枠部材よりも厚みが大き過ぎたため、基材が熱収縮による影響を抑えることができず、半導体パッケージの反りが発生したと考えられる。
　また、比較例２、３では、半導体パッケージの反りは発生しなかったが、屈曲性を有さない基材を用いたために、剥離後の半導体パッケージに糊残りや損傷が見られた。
　本発明に係る粘着シートは、例えば、半導体装置製造用の耐熱性粘着シートとして利用できる。
　１０…粘着シート、１１…基材、１２…粘着剤層、２０…枠部材、２１…開口部、３０…封止樹脂、５０…封止体、ＣＰ…半導体チップ（半導体素子）。

Claims (12)

  1. 　基材と前記基材の上に形成された粘着剤層とを有する粘着シートに、複数の開口部が形成された枠部材を貼着させる工程と、前記枠部材の前記開口部にて露出する前記粘着剤層に半導体チップを貼着させる工程と、前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、熱硬化させた後、前記粘着シートを剥離する工程と、を有する半導体装置製造プロセスにおいて使用される粘着シートであって、
    　前記基材は、屈曲可能であり、
    　前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす、
    　粘着シート。
  2. 　前記基材は、ガラス転移温度５０℃以上である樹脂フィルムである、
    　請求項１に記載の粘着シート。
  3. 　前記粘着剤層は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上である、
    　請求項１又は請求項２に記載の粘着シート。
  4. 　前記基材の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下である、
    　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の粘着シート。
  5. 　前記粘着剤層の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下である、
    　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の粘着シート。
  6. 　前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、０．１≦ｔＡＳ／ｔＦＲ≦０．９の関係を満たす、
    　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の粘着シート。
  7. 　前記枠部材の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下である、
    　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の粘着シート。
  8. 　１５０℃で３０分間加熱した際の前記基材のＭＤ方向の熱収縮率が、２．０％以下であり、
    　１５０℃で３０分間加熱した際の前記基材のＣＤ方向の熱収縮率が、２．０％以下である、
    　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の粘着シート。
  9. 　前記粘着剤層に含まれる粘着剤は、アクリル系粘着剤又はシリコーン系粘着剤である、
    　請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の粘着シート。
  10. 　前記粘着剤層の５％重量減少温度は、２５０℃以上である、
    　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の粘着シート。
  11. 　屈曲可能な基材と前記基材の上に形成された粘着剤層とを有する粘着シートに、複数の開口部が形成された枠部材を貼着させる工程と、
    　前記枠部材の前記開口部にて露出する前記粘着剤層に半導体チップを貼着させる工程と、
    　前記半導体チップを封止樹脂で覆う工程と、
    　前記封止樹脂を熱硬化させる工程と、
    　熱硬化させた後、前記粘着シートを剥離する工程と、を有し、
    　前記基材の厚みと前記粘着剤層の厚みとの和をｔＡＳ［μｍ］とし、前記枠部材の厚みをｔＦＲ［μｍ］とした場合に、ｔＡＳ［μｍ］＜ｔＦＲ［μｍ］の関係を満たす、
    　半導体装置の製造方法。
  12. 　前記半導体チップを前記封止樹脂で覆う工程において、シート状の封止樹脂を用いる、
    　請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109423225A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 琳得科株式会社 树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法
JP2019050253A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 リンテック株式会社 樹脂シートおよび半導体装置
CN109584722A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 三星显示有限公司 电子装置
JPWO2020031543A1 (ja) * 2018-08-10 2020-08-20 リンテック株式会社 粘着シート用基材及び電子部品加工用粘着シート
US11380659B2 (en) 2019-09-24 2022-07-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device and method of manufacturing light-emitting module
US11404655B2 (en) 2018-03-30 2022-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190006926A (ko) * 2017-07-11 2019-01-21 아사히 가세이 가부시키가이샤 반도체 장치, 및 그 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116929A (ja) * 1996-10-15 1998-05-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002226797A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2002226794A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2003133499A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP2005072343A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用接着シート
JP2011124341A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Sharp Corp 半導体装置及びこれを備える半導体モジュール、並びに半導体装置の製造方法及び半導体モジュールの製造方法
JP2014110337A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Fujitsu Ltd 電子部品装置の製造方法、電子部品装置及び電子装置
WO2015029871A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 三井化学東セロ株式会社 接着フィルムおよび半導体装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014103257A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Nitto Denko Corp 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116929A (ja) * 1996-10-15 1998-05-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002226797A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2002226794A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Nitto Denko Corp 耐熱性粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2003133499A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP2005072343A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用接着シート
JP2011124341A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Sharp Corp 半導体装置及びこれを備える半導体モジュール、並びに半導体装置の製造方法及び半導体モジュールの製造方法
JP2014110337A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Fujitsu Ltd 電子部品装置の製造方法、電子部品装置及び電子装置
WO2015029871A1 (ja) * 2013-08-29 2015-03-05 三井化学東セロ株式会社 接着フィルムおよび半導体装置の製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109423225A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 琳得科株式会社 树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法
JP2019042976A (ja) * 2017-08-31 2019-03-22 リンテック株式会社 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法
JP2019050253A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 リンテック株式会社 樹脂シートおよび半導体装置
CN109584722A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 三星显示有限公司 电子装置
US11775121B2 (en) 2017-09-29 2023-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device
US11404655B2 (en) 2018-03-30 2022-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JPWO2020031543A1 (ja) * 2018-08-10 2020-08-20 リンテック株式会社 粘着シート用基材及び電子部品加工用粘着シート
US11380659B2 (en) 2019-09-24 2022-07-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device and method of manufacturing light-emitting module
US11784170B2 (en) 2019-09-24 2023-10-10 Nichia Corporation Light-emitting device and light-emitting module with frame and covering member

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