JP2019042976A - 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂組成物層の表面におけるタックが小さい場合であっても、樹脂組成物層と支持シートとの界面における浮きが発生し難く、かつ、樹脂組成物層の熱硬化後に、形成された硬化層から支持シートを剥離する半導体装置の製造方法に使用する場合であっても、当該硬化層から支持シートを剥離しやすい樹脂シートを提供する。【解決手段】電子部品２の封止に用いられる樹脂シート１であって、樹脂シート１が第１の支持シート１１と硬化性樹脂組成物層１０とを備え、樹脂組成物層１０が熱硬化性樹脂および無機微粒子を含有する樹脂組成物から形成されたものであり、前記微粒は、含有量が５０〜９０質量％かつ平均粒径が０．０１〜３．０μｍであり、第１の支持シート１１が支持基材１１１と粘着剤層１１２とを備え、樹脂組成物層１０が粘着剤層１１２側の面上に積層されている樹脂シート１。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品の封止に用いられる樹脂シート、当該樹脂シートを使用して製造された半導体装置、および当該樹脂シートの使用方法に関する。

従来、半導体装置の製造方法において、封止材がシート状に形成された層（樹脂組成物層）を備える樹脂シートを用いて、半導体チップといった電子部品を封止することが行われている。例えば、基板上に設けられた電子部品に対し、樹脂シートにおける樹脂組成物層を積層した後、当該樹脂組成物層を硬化させることで、電子部品が封止されている。

上述のような樹脂シートとしては、通常、その加工時や運搬時における取り扱い性を向上するために、樹脂組成物層に支持シートが積層された構成を有する樹脂シートが使用されることがある。例えば、特許文献１には、樹脂組成物層と、当該樹脂組成物層の両面に積層された支持シートとを備える樹脂シートが開示されている。当該支持シートは、樹脂組成物層と接する面がシリコーン系剥離剤により剥離処理されている。また、特許文献２には、樹脂組成物層と、当該樹脂組成物層の片面に積層された支持シートとしての保護フィルムを備える樹脂シートを用いた半導体装置の製造方法が開示されている。当該製造方法では、樹脂シートにおける樹脂組成物層を半導体チップに積層し、当該樹脂組成物層を熱硬化させた後に、樹脂組成物層を熱硬化してなる硬化層から保護フィルムを剥離している。特許文献２には、当該保護フィルムとして、片面がシリコーン離型処理された厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムが開示されている。

また、上述のような樹脂シートは、通常、樹脂組成物層にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や硬化促進剤を含有するため、貯蔵安定性が低いものとなり易く、そのため冷蔵保管が必要になる場合がある。

特開２０１５−１２６１３３号公報 特開２０１６−９６３０８号公報

ところで、樹脂組成物層に支持シートが積層された状態で、樹脂シートにおける樹脂組成物層を熱硬化して硬化層を形成した場合、当該硬化層から支持シートを剥離し難くなることがある。ここで、特許文献２の実施例には、片面がシリコーン離型処理された保護フィルムを使用することにより、硬化層から支持シートを剥離する際の剥離力を所定の範囲に低下させたことが開示されている。

一方で、上述した樹脂シートには、無機充填材含有量の高い樹脂組成物層を使用する場合や、樹脂成分の種類によっては、樹脂組成物層の表面における粘着性（タック）が小さいものも存在する。このようにタックが小さい樹脂組成物層を、特許文献１および２に開示されるような、シリコーン系剥離剤で処理された支持シートで保護する場合、樹脂シートの搬送中、保管中、加工中等において、樹脂組成物層と支持シートとの界面において浮きが発生し易いものとなる。当該浮きが発生すると、樹脂シートの加工時や運搬時に、樹脂組成物層に欠けや割れが発生するなどの問題が生じる。特に、樹脂シートは冷蔵保管されることが多く、当該浮きの問題は、このように冷蔵保管された場合において顕著となる。

また、近年では、樹脂シートを用いてウエハレベルパッケージやパネルスケールパッケージを製造することも検討されている。このようなパッケージの製造には、樹脂シートとして大面積を有するものが使用されるが、樹脂シートのサイズが比較的大面積となる場合、上述した浮きが特に発生し易くなる。

以上のように、従来の樹脂シートでは、硬化層から支持シートを容易に剥離することと、樹脂組成物層と支持シートとの界面における浮きを抑制することとを両立することは困難である。

本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、樹脂組成物層の表面におけるタックが小さい場合であっても、樹脂組成物層と支持シートとの界面における浮きが発生し難く、かつ、樹脂組成物層の熱硬化後に、形成された硬化層から支持シートを剥離する半導体装置の製造方法に使用する場合であっても、当該硬化層から支持シートを剥離しやすい樹脂シートを提供することを目的とする。また、本発明は、そのような封止シートを使用して製造される良好な品質を有する半導体装置、およびそのような樹脂シートの使用方法を提供する。

上記目的を達成するために、第１に本発明は、電子部品の封止に用いられる樹脂シートであって、前記樹脂シートが、第１の支持シートと、前記第１の支持シートにおける片面に積層された硬化性樹脂組成物層とを備え、前記樹脂組成物層が、熱硬化性樹脂および無機微粒子を含有する樹脂組成物から形成されたものであり、前記無機微粒子の前記樹脂組成物中における含有量が、５０質量％以上、９０質量％以下であり、前記無機微粒子の平均粒径が、０．０１μｍ以上、３．０μｍ以下であり、前記第１の支持シートが、支持基材と、前記支持基材の片面側に積層された粘着剤層とを備え、前記樹脂組成物層が、前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層側の面上に積層されていることを特徴とする樹脂シートを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）に係る樹脂シートでは、第１の支持シートが支持基材と粘着剤層とを備えたものであるとともに、当該粘着剤層における支持基材とは反対側の面が硬化性樹脂組成物層に接していることにより、第１の支持シートが硬化性樹脂組成物層に良好に密着するものとなり、それにより、硬化性樹脂組成物層と第１の支持シートとの界面における浮きが発生し難く、硬化性樹脂組成物層を熱硬化してなる硬化層から第１の支持シートを剥離する場合であっても、当該剥離を容易に行うことができる。

上記発明（発明１）において、前記樹脂組成物層は、熱可塑性樹脂を含有し、前記熱可塑性樹脂の前記樹脂組成物中における含有量は、１．０質量％以上、３０質量％以下であることが好ましい（発明２）。

上記発明（発明１，２）において、前記粘着剤層は、アクリル系粘着剤から構成されていることが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１〜３）において、前記樹脂シートを１００℃で３０分間加熱し、さらに１８０℃で６０分間加熱した樹脂シートにおいて、前記樹脂組成物層が硬化してなる硬化層から前記第１の支持シートを剥離する際の剥離力（Ｆ１２）は、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい（発明４）。

上記発明（発明１〜４）において、前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０^５Ｐａ以上であることが好ましい（発明５）。

上記発明（発明１〜５）において、前記第１の支持シートは、前記粘着剤層面を銅箔に貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後における、前記銅箔に対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、前記粘着剤層面をポリイミドフィルムに貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後における、前記ポリイミドフィルムに対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１〜６）において、前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層は、５％重量減少温度が２５０℃以上であることが好ましい（発明７）。

上記発明（発明１〜７）において、前記支持基材は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上である樹脂製の支持基材であることが好ましい（発明８）。

上記発明（発明１〜８）において、前記樹脂シートは、前記樹脂組成物層における前記第１の支持シートとは反対側の面に積層された第２の支持シートを備えることが好ましい（発明９）。

第２に本発明は、上記樹脂シート（発明１〜９）における樹脂組成物層を硬化してなる硬化層を備えることを特徴とする半導体装置を提供する（発明１０）。

第３に本発明は、上記樹脂シート（発明１〜９）の使用方法であって、前記樹脂組成物層を硬化して、硬化層を得る工程と、前記樹脂組成物層の硬化の後に、前記硬化層から前記第１の支持シートを剥離する工程とを備えることを特徴とする樹脂シートの使用方法を提供する（発明１１）。

本発明の樹脂シートによれば、樹脂組成物層の表面におけるタックが小さい場合であっても、樹脂組成物層と支持シートとの界面における浮きが発生し難く、かつ、樹脂組成物層の熱硬化後に、形成された硬化層から支持シートを剥離する半導体装置の製造方法に使用する場合であっても、当該硬化層から支持シートを剥離しやすい。また、本発明の樹脂シートを使用することで、良好な品質を有する半導体装置を製造することができる。

本発明の一実施形態に係る樹脂シートの断面図である。 本実施形態に係る樹脂シートの使用方法を説明する断面図である。 本実施形態に係る樹脂シートの使用方法を説明する断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
〔樹脂シート〕
図１には、本実施形態に係る樹脂シート１の断面図が示される。図１に示すように、本実施形態に係る樹脂シート１は、第１の支持シート１１と、第１の支持シート１１における片面に積層された硬化性樹脂組成物層１０（以下、「樹脂組成物層１０」ということがある。）とを備える。第１の支持シート１１は、支持基材１１１と、支持基材１１１の片面側に積層された粘着剤層１１２とを備えており、樹脂組成物層１０は、第１の支持シート１１における粘着剤層１１２側の面上に積層されている。また、本実施形態に係る樹脂シート１は、図１に示されるように、樹脂組成物層１０における第１の支持シート１１とは反対側の面に積層された第２の支持シート１２を備えることが好ましい。

本実施形態に係る樹脂シート１では、樹脂組成物層１０が、第１の支持シート１１における粘着剤層１１２側の面上に積層されているため、樹脂組成物層１０と第１の支持シート１１との界面における浮きが発生し難いものとなる。特に、樹脂組成物層１０の表面におけるタックが小さい場合であっても、樹脂組成物層１０と第１の支持シート１１との界面における浮きを効果的に抑制することができる。それにより、本実施形態に係る樹脂シート１では、保管時や搬送時において樹脂組成物層１０における欠けや割れの発生が抑制される。

また、本実施形態に係る樹脂シート１では、樹脂組成物層１０が、第１の支持シート１１における粘着剤層１１２側の面上に積層されていることにより、樹脂組成物層１０を熱硬化して、硬化層を形成した場合であっても、当該硬化層から第１の支持シート１１を容易に剥離することが可能となる。

１．硬化性樹脂組成物層
本実施形態における樹脂組成物層１０は、熱硬化性樹脂、および無機微粒子を含有する樹脂組成物から形成されたものである。ここで、無機微粒子の樹脂組成物中における含有量は、５０質量％以上、９０質量％以下であり、無機微粒子の平均粒径は、０．０１μｍ以上、３．０μｍ以下である。また、樹脂組成物層１０は、硬化性を有するものであり、樹脂組成物層１０を硬化することで硬化層を形成することができる。また、樹脂組成物層１０を硬化してなる硬化層は、絶縁性を示すことが好ましい。当該硬化層が絶縁性を示すことにより、得られる半導体装置では、短絡等の不具合が抑制され、優れた性能を得ることができる。

（１）熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ナフトール系樹脂、活性エステル系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、シアネートエステル系樹脂などが挙げられ、これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記エポキシ樹脂としては、公知の種々のエポキシ樹脂が用いることができ、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−ジシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ)シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン等のように、分子内の炭素−炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、トリフェニルメタン骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格等を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。これらエポキシ樹脂は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。上述したエポキシ樹脂の中でも、ビスフェノールＡのグリシジルエーテル（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ナフタレン型エポキシ樹脂）またはこれらの組み合わせを使用することが好ましい。

上記フェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリフェニルメタン型フェノール、テトラキスフェノール、ノボラック型フェノール、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール（ビフェニル型フェノール）等が挙げられ、これらの中でも、ビフェニル型フェノールを使用することが好ましい。これらのフェノール樹脂は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との反応性等の観点から、フェノール樹脂を併用することが好ましい。

樹脂組成物中における熱硬化性樹脂の含有量は、１０質量％以上であることが好ましく、特に１５質量％以上であることが好ましく、さらには、２０質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、６０質量％以下であることが好ましく、特に５０質量％以下であることが好ましく、さらには４０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が１０質量％以上であることで、樹脂組成物層１０の硬化がより十分なものとなり、電子部品をより強固に封止することができる。また、当該含有量が６０質量％以下であることで、樹脂組成物層１０の意図しない段階での硬化をより抑制することができ、保存安定性がより優れたものとなる。なお、熱硬化性樹脂の上記含有量は、固形分換算値である。

（２）熱可塑性樹脂
また、本実施形態における樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、アミド系樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ）等のスチレン系樹脂、シラン系樹脂、ゴム系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、これらは、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの熱可塑性樹脂は、硬化性の官能基を有するものであってもよい。

ここで、半導体装置の小型化や配線の微細化のために、本実施形態に係る樹脂シート１を使用して半導体装置を製造する際には、樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層上に電極を形成することにより、再配線層を設ける場合がある。特に、後述するセミアディティブ法により再配線層を設ける場合、デスミア処理のプロセスにおいて、硬化層は、アルカリ性溶液に晒される等の過酷な条件で処理されることなる。この場合、熱可塑性樹脂の種類によっては、硬化層が溶解し、めっきのピール強度が低くなる等の配線形成性が悪い場合がある。そのため、硬化層への配線形成性の観点から、熱可塑性樹脂はアクリル系樹脂を含有しないことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、上述した熱可塑性樹脂の中でもフェノキシ系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を使用することが好ましい。

フェノキシ系樹脂としては、特に限定されないものの、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡ／ビスフェノールＦ共重合型、ビスフェノールＳ型、ビスフェノールアセトフェノン型、ノボラック型、フルオレン型、ジシクロペンタジエン型、ノルボルネン型、ナフタレン型、アントラセン型、アダマンタン型、テルペン型、トリメチルシクロヘキサン型、ビフェノール型、ビフェニル型のフェノキシ系樹脂等が例示され、これらの中でもビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂を使用することが好ましい。フェノキシ系樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基であってもよい。フェノキシ系樹脂は１種を単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

なお、熱可塑性樹脂としてフェノキシ系樹脂を使用した場合には、樹脂組成物層１０の表面におけるタックが小さくなる傾向がある。しかしながら、本実施形態に係る樹脂シート１では、このようにタックが小さくなる場合であっても、樹脂組成物層１０が第１の支持シート１１における粘着剤層１１２側の面上に積層されていることにより、樹脂組成物層１０と第１の支持シート１１との界面における浮きを効果的に抑制することができる。そのため、本実施形態に係る樹脂シート１は、熱可塑性樹脂としてフェノキシ系樹脂を使用する場合にも好適である。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００以上であることが好ましく、特に１０００以上であることが好ましく、さらには１万以上であることが特に好ましい。また、熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００万以下であることが好ましく、特に８０万以下であることが好ましく、さらには１０万以下であることが特に好ましい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲であれば、樹脂組成物層１０をシート状に形成することがより容易となる。なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される標準ポリスチレン換算値である。

樹脂組成物中における熱可塑性樹脂の含有量は、１．０質量％以上であることが好ましく、特に３．０質量％以上であることが好ましく、さらには５．０質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、３０質量％以下であることが好ましく、特に２０質量％以下であることが好ましく、さらには１０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が上記範囲であることで、造膜性が向上し、得られる樹脂シートのハンドリング性が効果的に向上する。なお、熱可塑性樹脂の上記含有量は、固形分換算値である。

（３）無機微粒子
本実施形態における樹脂組成物は、５０質量％以上、９０質量％以下で無機微粒子を含有する。これにより、樹脂組成物層１０が硬化されてなる硬化層の熱膨張係数および吸水率が比較的小さいものとなり、それにより、樹脂組成物層１０が優れた柔軟性、流動性および接着性を発揮するものとなる。このような観点から、樹脂組成物中における無機微粒子の含有量は、５５質量％以上であることが好ましく、特に６０質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、８５質量％以下であることが好ましく、特に８０質量％以下であることが好ましい。なお、無機微粒子の上記含有量は、固形分換算値である。

また、無機微粒子の平均粒径は、０．０１μｍ以上、３．０μｍ以下である。無機微粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上であることにより、樹脂組成物層１０の可撓性および柔軟性が優れたものとなり易くなるとともに、無機微粒子の含有量を、上述の範囲のような高い充填率に調整し易くなる。また、無機微粒子の平均粒径が３．０μｍ以下であることにより、樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層に再配線層が形成される場合に、電極の形成性が向上しやすくなる。これらの観点から、無機微粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上であることが好ましく、特に０．３μｍ以上であることが好ましい。また、無機微粒子の平均粒径は、１．０μｍ以下であることが好ましい。

また、上記無機微粒子の最大粒径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、特に０．５μｍ以上であることが好ましい。また、当該最大粒径は、５μｍ以下であることが好ましく、特に３μｍ以下であることが好ましい。無機微粒子の最大粒径が上記範囲であることで、樹脂組成物中に無機微粒子を充填し易くなり、硬化時の熱膨張率を低く抑えることができる。また、上述したように、樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層に再配線層が形成される場合に、微細な配線が形成しやすくなる。なお、本明細書における無機微粒子の平均粒径および最大粒径は、粒度分布測定装置（日機装社製，製品名「ナノトラックＷａｖｅ−ＵＴ１５１」）を使用して、動的光散乱法により測定した値とする。

無機微粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、酸化チタン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、ムライト、コージェライト等の複合酸化物、モンモリロナイト、スメクタイト、ベーマイト、タルク、酸化鉄、炭化珪素、酸化ジルコニウム等を材料とする無機微粒子を例示することができ、これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でもシリカ微粒子、アルミナ微粒子を使用することが好ましく、特にシリカ微粒子を使用することが好ましい。

上記無機微粒子は、表面処理剤により表面処理されていることが好ましい。これにより、樹脂組成物中における無機微粒子の分散性や充填性が優れたものとなる。上記表面処理剤としては、エポキシシラン、ビニルシラン、シラザン化合物、アルコキシシラン、シランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、組み合わせて使用してもよい。

上記表面処理剤の最小被覆面積は、５５０ｍ^２／ｇ未満であることが好ましく、特に５２０ｍ^２／ｇ以下であることが好ましく、さらには４５０ｍ^２／ｇ以下であることが好ましい。一方、表面処理剤の最小被覆面積の下限値については、１００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましく、特に２００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましく、さらには３００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。最小被覆面積が上記範囲であることで、樹脂組成物中における無機微粒子の分散性および充填性が向上するとともに、樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層に対する電極の形成性が向上する。

なお、表面処理剤における最小被覆面積（ｍ^２／ｇ）とは、１ｇの表面処理剤を用いて単分子膜を形成した際の当該単分子膜の面積（ｍ^２）をいう。最小被覆面積は、表面処理剤の構造等から理論的に算出することができる。

表面処理剤の好適な例としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシランおよびビニルトリメトキシシラン等のビニルシランが挙げられる。

（４）硬化触媒
本実施形態における樹脂組成物は、硬化触媒をさらに含有することが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の硬化反応を効果的に進行させることが可能となり、樹脂組成物層１０を良好に硬化することが可能となる。硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系硬化触媒、アミン系硬化触媒、リン系硬化触媒等が挙げられる。

上述した硬化触媒は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂組成物中における硬化触媒の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、特に０．０５質量％以上であることが好ましく、さらには、０．１質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、２．０質量％以下であることが好ましく、特に１．５質量％以下であることが好ましく、さらには１．０質量％以下であることが好ましい。当該含有量が上記範囲であることで、樹脂組成物層１０をより良好に硬化することが可能となる。なお、硬化触媒の上記含有量は、固形分換算値である。

（５）その他の成分
本実施形態における樹脂組成物は、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、着色剤、カップリング剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を含有してもよい。

（６）樹脂組成物層の厚さ
樹脂組成物層１０の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましく、特に６０μｍ以上であることが好ましく、さらには１００μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、１０００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であることが好ましく、さらには３００μｍ以下であることが好ましい。樹脂組成物層１０の厚さが上記範囲であれば、電子部品を封止して十分に埋め込むことができる。

２．第１の支持シート
本実施形態における第１の支持シート１１は、支持基材１１１と、支持基材１１１の片面側に積層された粘着剤層１１２とを備える。

（１）支持基材
上記支持基材１１１は、特に限定されないが、例えば、支持基材１１１としては、樹脂フィルム、不織布、紙等を使用することが好ましい。当該樹脂フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム；ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリイミドフィルム等が挙げられる。上記不織布の例としては、レーヨン、アクリル、ポリエステル等の繊維を用いた不織布が挙げられる。上記紙の例としては、上質紙、グラシン紙、含浸紙、コート紙等が挙げられる。これらは、２種以上の積層体として使用してもよい。

上記樹脂フィルムを構成する材料は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上であることが好ましく、特に５５℃以上であることが好ましく、さらには６０℃以上であることが好ましい。当該材料のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上であることで、樹脂組成物層１０に第１の支持シート１１が積層された状態で、樹脂組成物層１０を熱硬化した場合であっても、第１の支持シート１１が熱変形しにくく、これにより、硬化層から第１の支持シート１１が剥離しやすくなる。なお、上記ガラス転移温度（Ｔｇ）の上限については、特に限定されないものの、通常５００℃以下であることが好ましく、特に４００℃以下であることが好ましい。なお、上記ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量分析計を用いて測定した値である。

また、第１の支持シート１１を構成する支持基材１１１は、その表面に積層される粘着剤層１１２との密着性を向上させる目的で、所望により片面または両面に、プライマー処理、コロナ処理、プラズマ処理、酸化処理等の表面処理が施されていてもよい。

上記支持基材１１１の厚さは、特に限定されないが、樹脂シート１のハンドリング性の観点から、１０μｍ以上であることが好ましく、特に１５μｍ以上であることが好ましく、さらには２０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、特に１００μｍ以下であることが好ましく、さらには７５μｍ以下であることが好ましい。

支持基材１１１は、１５０℃で３０分間加熱した際の支持基材１１１のＭＤ方向およびＣＤ方向の熱収縮率が、２．０％以下であることが好ましく、特に１．５％以下であることが好ましい。支持基材１１１のＭＤ方向の熱収縮率の下限値及びＣＤ方向の熱収縮率の下限値については、小さいほど好ましく、通常０．０１％以上であることが好ましい。

また、支持基材１１１のＭＤ方向の熱収縮率及び支持基材１１１のＣＤ方向の熱収縮率が上記範囲を満たすとともに、ＭＤ方向の熱収縮率と、ＣＤ方向の熱収縮率との比（ＭＤ方向の熱収縮率／ＣＤ方向の熱収縮率）が、０．０３以上、３０以下の範囲となることが好ましく、特に０．５以上、５．０以下の範囲となることが好ましい。支持基材１１１がこれらを満たすことで、樹脂組成物層１０の熱硬化後に、形成された硬化層から第１の支持シート１１を剥離する場合に、得られる半導体装置の反りを防止することができる。

上述のＭＤ方向とは、支持基材１１１を長尺で製膜した場合における、支持基材１１１を搬送する方向と並行する方向であり、ＣＤ方向とは、支持基材１１１の同一面上においてＭＤ方向と直交する方向である。

上述した熱収縮率は、ＪＩＳ Ｚ１７１２に準拠して以下の方法で測定したものとする。支持基材１１１を巾２０ｍｍ、長さ２００ｍｍの大きさで、ＭＤ方向、ＴＤ方向にそれぞれカットし、１５０℃の熱風オーブン中に吊るして５分間加熱する。そして、加熱後の長さを測定し、元の長さに対する収縮した長さの割合（百分率）を熱収縮率とする。

なお、支持基材１１１の熱収縮率は、例えば、所望の範囲を満たすような材料を選択することや、支持基材１１１をアニール処理することや、支持基材１１１の成膜方法を変更すること（例えば、延伸方法を変えること）等により調整することもできる。

また、支持基材１１１としては、低分子量成分（オリゴマー）が析出し難いものを選択することが好ましい。このような支持基材１１１を用いることで、樹脂組成物層１０を硬化する際の加熱により支持基材１１１中に含まれるオリゴマーが析出し、硬化層に移行することを抑制し、より高品質の半導体装置を製造することができる。なお、上記低分子量成分の析出の程度は、樹脂シート１を１００℃及び６０分間の条件で加熱し、続いて１７０℃及び６０分間の条件で加熱した後、樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層から第１の支持シート１１を剥離した後、露出した当該硬化層の表面を、デジタル顕微鏡（観察倍率５００倍）にて観察し、低分子量成分に由来する残渣の有無を確認することで判断することができる。

（２）粘着剤層
上記粘着剤層１１２を構成する粘着剤は、第１の支持シート１１が樹脂組成物層１０に対して所望の粘着性を示すものであれば特に限定されない。粘着剤層１１２を構成する粘着剤の例としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。

（２−１）アクリル系粘着剤
上記アクリル系粘着剤は、特に制限はないものの、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）を含む粘着性組成物Ｐを用いて作製される粘着剤であることが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。

上記（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマーとして、アルキル基の炭素数が１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを含有することが好ましい。これにより、得られる粘着剤は、好ましい粘着性を発現することができる。

アルキル基の炭素数が１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、耐熱性の観点から、アルキル基の炭素数が６〜１０である（メタ）アクリル酸アルキルエステルを使用することが好ましく、特に、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルを使用することが好ましい。

（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマー単位として、アルキル基の炭素数が１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを、１０質量％以上含有することが好ましく、特に、５０質量％以上含有することが好ましく、７０質量％以上含有することがより好ましく、特に８５質量％以上含有することが好ましく、さらには９０質量％以上含有することが好ましい。また、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマー単位として、アルキル基の炭素数が１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを、９９質量％以下で含有することが好ましく、特に９８質量％以下で含有することが好ましく、さらには９７質量％以下で含有することが好ましい。

また、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマーとして、反応性の官能基を有するモノマー（反応性官能基含有モノマー）を含有することが好ましい。上記反応性官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシル基含有モノマー、アミノ基含有モノマーなどが好ましく挙げられる。これらの反応性官能基含有モノマーは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマー単位として、反応性官能基含有モノマーを、１質量％以上含有することが好ましく、特に２質量％以上含有することが好ましく、さらには３質量％以上含有することが好ましい。また、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマー単位として、反応性官能基含有モノマーを、３０質量％以下で含有することが好ましく、２０質量％以下で含有することがより好ましく、特に１０質量％以下で含有することが好ましく、さらには７質量％以下で含有することが好ましい。

また、前記（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、当該重合体を構成するモノマーとして、他のモノマーをさらに含有してもよい。当該他のモノマーとしては、例えば、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、非架橋性のアクリルアミド、非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステル、酢酸ビニル、スチレンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

なお、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記アクリル系粘着剤を作製するための粘着性組成物Ｐは、架橋剤（Ｂ）をさらに含むことが好ましく、上記アクリル系粘着剤は、前述した（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）と架橋剤（Ｂ）とを含む粘着性組成物Ｐを架橋してなるものであることが好ましい。

上記架橋剤（Ｂ）としては、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）が有する反応性官能基と反応するものであればよく、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アミン系架橋剤、メラミン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、ヒドラジン系架橋剤、アルデヒド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、アンモニウム塩系架橋剤等が挙げられる。なお、架橋剤（Ｂ）は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて使用することができる。

粘着性組成物Ｐ中における架橋剤（Ｂ）の含有量は、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．１質量部以上であることが好ましく、１質量部以上であることがより好ましく、特に２質量部以上であることが好ましく、さらには３質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、（メタ）アクリル酸エステル重合体（Ａ）１００質量部に対して、２０質量部以下であることが好ましく、特に１５質量部以下であることが好ましく、さらには１０質量部以下であることが好ましい。

（２−２）添加剤
上記粘着剤層１１２を構成する粘着剤には、所望により、通常使用されている各種添加剤、例えば屈折率調整剤、帯電防止剤、粘着付与剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤、充填剤、光硬化剤、光重合開始剤などを添加することができる。

（２−３）粘着剤層の物性等
粘着剤層１１２の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましく、さらには１０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５００μｍ以下であることが好ましく、特に１００μｍ以下であることが好ましく、さらには５０μｍ以下であることが好ましい。

粘着剤層１１２は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０^５Ｐａ以上であることが好ましい。粘着剤層１１２がこのような貯蔵弾性率を有していれば、樹脂組成物層１０を硬化し、硬化層を形成した後に、当該硬化層から第１の支持シート１１をより容易に剥離することができ、かつ硬化層の表面に粘着剤が残るという不具合（いわゆる糊残り）を防止することができる。粘着剤層１１２の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率の上限は、特に限定されないが、１×１０^７Ｐａ以下であることが好ましい。なお、上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いて、ねじりせん断法により測定した値であり、測定方法の詳細は、後述する実施例に記載の通りである。

第１の支持シート１１は、粘着剤層１１２側の面を銅箔に貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後、銅箔に対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。また、第１の支持シート１１の粘着剤層１１２側の面をポリイミドフィルムに貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後、ポリイミドフィルムに対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このような加熱を行った後の粘着力が上記範囲であれば、樹脂組成物層１０を熱硬化してなる硬化層から、第１の支持シート１１をより剥離しやすい。なお、上記粘着力の測定方法の詳細は、後述する実施例に記載の通りとする。また、本明細書において室温とは、２２℃以上、２４℃以下の温度をいうものとする。

粘着剤層１１２は、第１の支持シート１１が加熱された後に硬化層から剥離された際における、粘着剤層１１２の劣化に起因した糊残りを効果的に抑制する観点から、５％重量減少温度が２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。

３．第２の支持シート
本実施形態に係る樹脂シート１は、樹脂組成物層１０における第１の支持シート１１とは反対側の面に積層された第２の支持シート１２を備えることが好ましい。本実施形態に係る樹脂シート１が第２の支持シート１２を備えることにより、第１の支持シート１１と第２の支持シート１２とにより、樹脂組成物層１０を両面から保護することができる。それにより、外観上の問題や樹脂組成物層１０の欠けや割れの発生が効果的に抑制される。

第２の支持シート１２は、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィンフィルムなどのプラスチックフィルム、上質紙、グラシン紙、含浸紙、コート紙等の紙、不織布等が挙げられる。これらは、２種以上の積層体として使用してもよい。第２の支持シート１２は、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。

第２の支持シート１２における樹脂組成物層１０との接触面は、剥離剤によって剥離処理されていてもよい。当該剥離剤としては、シリコーン系剥離剤、アルキド系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキル系剥離剤、オレフィン樹脂系剥離剤、アクリル系剥離剤およびゴム系剥離剤等が挙げられる。これらの中でも、シリコーン系剥離剤、アルキド系剥離剤から選択される少なくとも一種を使用することが好ましく、特に、第２の支持シート１２と樹脂組成物層１０との間における浮きの発生を防止する観点から、アルキド系剥離剤を使用することが好ましい。

また、第２の支持シート１２は、樹脂組成物層１０と接触する側の面に、粘着剤層を備えていてもよい。当該粘着剤層は、第１の支持シート１１が備える粘着剤層１１２と同様のものであってもよい。

第２の支持シート１２の厚さは、特に制限はないが、通常２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。

４．樹脂シートの物性
第１の支持シート１１を硬化前の樹脂組成物層１０から剥離する際の剥離力（Ｆ１１）は、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、さらには０．３Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、当該剥離力（Ｆ１１）は、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、特に２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、さらには０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。上記剥離力（Ｆ１１）が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、樹脂シート１の保管時（特に冷蔵保管時）や取り扱い時における第１の支持シート１１と樹脂組成物層１０との浮きの発生が効果的に抑制される。また、上記剥離力（Ｆ１１）が３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることで、第１の支持シート１１を剥離する際に樹脂組成物層１０の欠けや割れを効果的に抑制することが可能となる。なお、上述した剥離力（Ｆ１１）の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

また、樹脂シートを１００℃で３０分間加熱し、さらに１８０℃で６０分間加熱した樹脂シートにおいて、樹脂組成物層１０を熱硬化してなる硬化層から、第１の支持シート１１を剥離する際の剥離力（Ｆ１２）は、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に０．７Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、さらには０．８Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、当該剥離力（Ｆ１２）は、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、特に２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、さらには１．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。上記剥離力（Ｆ１２）が０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることで、半導体装置の製造の際の樹脂組成物層１０の熱硬化前後における第１の支持シート１１の意図しない剥離を抑制することができ、得られた硬化層の表面を第１の支持シート１１によってより良好に保護することができる。また、上記剥離力（Ｆ１２）が３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることで、第１の支持シート１１を加熱した後であっても、樹脂組成物層１０を硬化してなる硬化層の表面から第１の支持シート１１を良好に剥離し易く、樹脂組成物層１０の欠けや割れを効果的に抑制することが可能となる。なお、上述した剥離力（Ｆ１２）の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

また、本実施形態に係る樹脂シート１が第２の支持シート１２を備える場合、第２の支持シート１２を硬化前の樹脂組成物層１０から剥離する際の剥離力（Ｆ２）は、下式（１）
Ｆ１１／Ｆ２＞１ …（１）
を満たすものであることが好ましい。これにより、第１の支持シート１１と樹脂組成物層１０との間における浮きの発生を抑制しながら、第２の支持シート１２を樹脂組成物層１０から剥離し易いものとなる。なお、剥離力（Ｆ２）は、０．０５Ｎ／１００ｍｍ以上であることが好ましく、特に０．１０Ｎ／１００ｍｍ以上であることが好ましい。また、当該剥離力（Ｆ２）は、２．０Ｎ／１００ｍｍ以下であることが好ましい。なお、上述した剥離力（Ｆ２）の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。

５．樹脂シートの製造方法
本実施形態に係る樹脂シート１の製造方法は、特に限定されず、例えば、第２の支持シート１２上に、上述した樹脂組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）、樹脂組成物層１０を形成する。その後、当該樹脂組成物層１０における第２の支持シート１２とは反対側の面に、別途準備した第１の支持シート１１における粘着剤層１１２側の面を貼り合わせることで製造することができる。なお、第１の支持シート１１の製造方法も特に限定されず、公知の方法で製造することができる。

塗布方式としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ロールナイフコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等の公知の方法が挙げられる。

また、上記溶媒としては、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトンの有機溶媒等が挙げられる。

６．樹脂シートの用途
本実施形態に係る樹脂シート１は、電子部品の封止に利用することができる。より具体的には、ファンアウト型ウエハレベルパッケージやファンアウト型パネルレベルパッケージといった半導体パッケージ等の半導体装置の製造方法において、電子部品の封止等に好適に利用することができる。

〔半導体装置〕
本実施形態に係る半導体装置は、本実施形態に係る樹脂シート１における樹脂組成物層１０を硬化してなる硬化層を備える。特に、本実施形態に係る半導体装置は、当該硬化層によって封止されてなる電子部品を備える。このような半導体装置の例としては、ファンアウト型ウエハレベルパッケージやファンアウト型パネルレベルパッケージといった半導体パッケージが挙げられる。これらの半導体装置は、本実施形態に係る樹脂シート１を用いて、後述する方法により製造することができる。

本実施形態に係る樹脂シート１は、前述した通り、樹脂組成物層１０と第１の支持シート１１との界面における浮きが発生し難くいとともに、樹脂組成物層１０を熱硬化してなる硬化層からの第１の支持シート１１の剥離が容易である。そのため、当該樹脂シート１を用いて製造される、本実施形態に係る半導体装置は、前述した本実施形態に係る樹脂シート１を用いて製造されたものであることにより、良好な品質を有するものとなる。

〔樹脂シートの使用方法〕
本実施形態に係る樹脂シート１は、例えば、半導体装置の製造に使用することができる。以下には、実施形態に係る樹脂シート１によって封止されてなる電子部品を備える半導体装置の製造方法について説明する。図２および図３には、当該製造方法の一例を説明する断面図が示される。最初に、図２（ａ）に示されるように、準備工程として、仮固定材８の片面上に電子部品２を設ける。仮固定材８上に電子部品２を設ける手法は特に限定されず、一般的な手法を採用することができる。仮固定材８としては、当該仮固定材８上に電子部品２を仮固定できるものであれば特に限定されず、基材と当該基材に積層された粘着剤層とからなる粘着シートであってよく、自己粘着性を有する基材であってもよく、硬質支持板であってもよく、または、硬質支持板と当該硬質支持板上に積層された粘着剤層とからなる積層部材であってもよい。

上記電子部品２としては、一般的に封止の対象となる電子部品であれば特に限定されず、例えば、半導体チップ等が挙げられる。さらに、上記電子部品２は、インターポーザの所定の位置に半導体チップが載置されたものであってもよい。この場合、そのように載置された状態で、当該半導体チップ等とともに、インターポーザの少なくとも一部が封止される。上記インターポーザの例としては、リードフレーム、ポリイミドテープ、プリント基板等が挙げられる。さらに、仮固定材８上における電子部品２の周囲に、銅等の金属からなるフレーム、樹脂製フレーム等のフレーム（枠状部材ともいう）を設けてもよい。この場合、当該電子部品２とともに、当該枠状部材の少なくとも一部を封止してもよい。上記枠状部材は、通常、厚さ方向に貫通した孔からなる１以上の開口部と、銅等や樹脂等により構成される枠状部とからなる。

上記枠状部材を用いる場合、準備工程において、例えば、仮固定材８の片面上に、上記枠状部材を載置した後、上記枠状部材の開口部の位置に、電子部品２を載置する。これにより、その後の樹脂組成物層積層工程において、開口部の外への樹脂組成物層１０のしみ出しを抑制し、得られる半導体装置の厚さを均一にすることができ、さらに、硬化層の反りの発生を抑制し、得られる半導体装置の反りを抑制することができる。

続いて、図２（ｂ）に示されるように、樹脂組成物層積層工程として、仮固定材８における電子部品２が設けられた面側に、本実施形態に係る樹脂シート１における樹脂組成物層１０を積層する。当該積層により、仮固定材８上に設けられた電子部品２は、樹脂組成物層１０により覆われる。樹脂組成物層１０を積層する際には、電子部品２の周囲に空間が生じないように積層することが好ましい。樹脂シート１がさらに第２の支持シート１２を備える場合には、樹脂シート１から第２の支持シート１２を剥離して露出した樹脂組成物層１０の露出面が、電子部品２を覆うように積層することが好ましい。第１の支持シート１１は、樹脂組成物層１０の積層の直後に樹脂組成物層１０から剥離してもよいものの、後述する通り、樹脂組成物層１０の硬化の後に剥離することが好ましい。上記樹脂組成物層積層工程は、従来公知のラミネート装置を用いて、従来公知の積層条件にて行うことができる。

次に、図２（ｃ）に示されるように、硬化工程として、樹脂組成物層１０を硬化して、硬化層１０’を形成する。当該硬化は、樹脂組成物層１０を加熱することにより行うことが好ましい。当該硬化により、硬化層１０’と、硬化層１０’により封止された電子部品２とを備える封止体４が得られる。

上述した加熱による樹脂組成物層１０の硬化では、例えば、１００℃〜２４０℃で、１５分間〜３００分間加熱することが好ましい。また、上述した加熱による樹脂組成物層１０の硬化は、複数回の加熱処理により段階的に行うことが好ましい。

次に、図２（ｄ）に示されるように、封止体４から仮固定材８を剥離するとともに、封止体４から第１の支持シート１１を剥離する。

次に、図３（ａ）に示されるように、絶縁膜形成工程として、仮固定材８の剥離により露出した封止体４の面に、一般的な手法により絶縁膜９を形成する。

次に、絶縁膜９に対して、従来公知の任意な方法により電極を形成する。以下では、セミアディティブ法により形成する例を説明する。

図３（ｂ）に示されるように、絶縁膜９を貫通する孔５を形成する。具体的には、絶縁膜９における電子部品２とは反対側の面から、絶縁膜９と電子部品２との界面までを貫通する孔５を形成する。図３（ｂ）の断面図では、１つの電子部品２に対して２つの孔５が形成された様子が示されている。孔５の形成は、一般的な方法で行うことができる。

次に、デスミア処理工程として、孔５が形成された絶縁膜９が積層された封止体４をアルカリ性溶液に晒す。当該工程は、従来公知の一般的な手法により行うことができる。

最後に、図３（ｃ）に示されるように、電極形成工程として、孔５内に電極６を形成する。当該電極６は、孔５を通じて電子部品２に電気的に接続されている。電極６の形成は、一般的な手法により行うことができる。以上により、本実施形態に係る樹脂シート１における樹脂組成物層１０が硬化してなる硬化層１０’を備える半導体装置を得ることができる。

なお、図３（ｂ）および図３（ｃ）においては、絶縁膜９に電極を形成する例を説明したが、硬化層１０’および絶縁膜９のどちらに対して孔形成および電極形成を行ってもよく、または硬化層１０’および絶縁膜９の両方に対して孔形成および電極形成を行ってもよい。

本実施態様に係る樹脂シート１の使用方法によれば、樹脂シート１が冷蔵保管されていた場合でも、樹脂組成物層１０と支持シートとの界面における浮きの発生が効果的に抑制されるとともに、硬化層１０’からの第１の支持シート１１の剥離を容易に行うことができ、その結果、歩留まりを向上させ、高品質のＦＯＷＬＰやＦＯＰＬＰを製造することが可能となる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

以下、実施例および試験例等を示すことにより本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の試験例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）第１の支持シートの作製
アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸２−エチルヘキシル９２．８質量％と、アクリル酸２−ヒドロキシエチル７．０質量％と、アクリル酸０．２質量％との共重合体）４０質量部と、粘着付与剤としての両末端水酸基水素化ポリブタジエン（日本曹達社製，製品名「ＧＩ−１０００」）５質量部と、架橋剤としてのヘキサメチレンジイソシアネートを有する脂肪族系イソシアネート（日本ポリウレタン工業社製，製品名「コロネートＨＸ」）３．５質量部とを、メチルエチルケトン中にて混合し、固形分濃度が３０質量％である粘着剤組成物の塗工液を調製した。

次いで、調製した粘着剤組成物の塗工液を、ロールコーターを用いて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をシリコーン系剥離層により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８２１５０」，厚さ：３８μｍ）の剥離処理面に塗布し、９０℃及び９０秒間の加熱を行い、続いて１１５℃及び９０秒間の加熱を行うことで塗膜を乾燥させた後、支持基材としての透明ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製，製品名「ＰＥＴ５０Ａ−４３００」，厚さ：５０μｍ，ガラス転移温度Ｔｇ：６７℃，ＭＤ方向熱収縮率：１．２％，ＣＤ方向熱収縮率：０．６％）の片面に貼り合わせることで、厚さ５０μｍのアクリル系粘着剤からなる粘着剤層と支持基材とからなる第１の支持シートを、当該粘着剤層側の面に剥離フィルムが積層された状態で作製した。

なお、得られた粘着剤層の１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率は、２．３６×１０^５Ｐａであった。また、得られた第１の支持シートの銅箔に対する粘着力は、１．２Ｎ／２５ｍｍであった。また、第１の支持シートのポリイミドフィルムに対する粘着力は、１．１Ｎ／２５ｍｍであった。また、粘着剤層の５％重量減少温度は、３０４℃であった。これらの物性値は、以下の方法により測定したものである。

（貯蔵弾性率の測定）
厚さの合計が３ｍｍとなるまで積層した粘着剤層について、直径８ｍｍの円柱体（厚さ３ｍｍ）を打ち抜き、これをサンプルとした。当該サンプルについて、ＪＩＳ Ｋ７２４４−６：１９９９に準拠し、粘弾性測定器（ＲＥＯＭＥＴＲＩＣ社製，製品名「ＤＹＮＡＭＩＣ ＡＮＡＬＹＺＥＲ」）を用いてねじりせん断法により、測定周波数：１Ｈｚおよび測定温度：１００℃の条件で貯蔵弾性率（Ｐａ）を測定した。

（銅箔およびポリイミドフィルムに対する粘着力）
第１の支持シートを長さ１００ｍｍ、幅２５ｍｍに裁断し、剥離フィルムを剥離したものを試験片とし、銅箔に対し０．５ＭＰａ、５０℃で２０分加圧して貼付した後、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱し、その後、標準環境下(２３℃，５０％ＲＨ)にて２４時間放置した。その後、標準環境下(２３℃，５０％ＲＨ)にて、引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて１８０°の剥離角度、３００ｍｍ／分の剥離速度で第１の支持シートを銅箔から剥離し、粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。また、上述したポリイミドフィルムに対する粘着力は、第１の支持シートの貼付する対象を、銅箔からポリイミドフィルムに変更する以外、上記と同様の粘着力の測定方法により測定した。

（５％重量減少温度の測定）
粘着剤層について、示差熱・熱重量同時測定装置（島津製作所社製，製品名「ＤＴＧ−６０」）を用い、流入ガスを窒素として、ガス流入速度１００ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度２０℃／ｍｉｎで、４０℃から５５０℃まで昇温させて熱重量測定を行った（ＪＩＳ Ｋ７１２０「プラスチックの熱重量測定方法」に準拠）。得られた熱重量曲線に基づいて、温度１００℃での質量に対して質量が５％減少する温度（５％重量減少温度）を求めた。

（２）硬化性樹脂組成物層の形成
熱可塑性樹脂としてのビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ１２５６」）５．１質量部（固形分換算，以下同じ）と、熱硬化性樹脂としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ８２８」）５．７質量部と、熱硬化性樹脂としてのビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製，製品名「ＮＣ−３０００−Ｌ」）５．７質量部と、熱硬化性樹脂としてのナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製，製品名「ＨＰ−４７００」）４．１質量部と、熱硬化性樹脂としてのビフェニル型フェノール（明和化成社製，製品名「ＭＥＨＣ−７８５１−ＳＳ」）１４．１質量部と、イミダゾール系硬化触媒としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製，製品名「２Ｅ４ＭＺ」）０．１質量部と、無機微粒子としてのエポキシシラン処理シリカフィラー〔シリカフィラー（アドマテックス社製，製品名「ＳＯ−Ｃ２」，平均粒径：０．５μｍ，最大粒径：２μｍ，形状：球状）を３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製，製品名「ＫＢＭ−４０３」，最小被覆面積：３３０ｍ^２／ｇ）を用いて表面処理したもの〕６５質量部とを、メチルエチルケトン中にて混合して、固形分濃度が４０質量％である樹脂組成物の塗工液を得た。

上述の通り得られた塗工液を、第２の支持シートとしての、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をアルキド系剥離剤により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＰＥＴ３８ＡＬ−５」，厚さ：３８μｍ）の剥離処理面に塗布し、得られた塗膜を乾燥することで、厚さ２００μｍの硬化性樹脂組成物層と第２の支持シートとの積層体を得た。

（３）樹脂シートの作製
上記工程（１）において作製した第１の支持シートから剥離フィルムを剥離し、露出した粘着剤層の露出面と、上記工程（２）において作製した積層体における硬化性樹脂組成物層側の面とを貼り合わせることで、第１の支持シートと、硬化性樹脂組成物層と、第２の支持シートとが順に積層されてなる樹脂シートを得た。

〔実施例２〕
第２の支持シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面を非シリコーン系剥離層により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８Ｘ」，厚さ：３８μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にして樹脂シートを得た。

〔比較例１〕
第１の支持シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をシリコーン系剥離剤により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１１」，厚さ：３８μｍ）を使用し、第２の支持シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をシリコーン系剥離剤により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にして樹脂シートを得た。

〔比較例２〕
第１の支持シートとして、両面が剥離剤により剥離処理されていないポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：３８μｍ）を使用するとともに、第２の支持シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面をシリコーン系剥離剤により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にして樹脂シートを得た。

〔試験例１〕（熱硬化後の剥離性の評価）
実施例および比較例で製造した樹脂シートを、５００ｍｍ×４００ｍｍのサイズに裁断した。その後、樹脂シートから第２の支持シートを剥離し、露出した硬化性樹脂組成物層を、銅板に積層した後、１００℃で３０分間加熱し、さらに１８０℃で６０分間加熱することで硬化性樹脂組成物層を硬化した。その後、硬化性樹脂組成物層が硬化してなる硬化層を室温まで冷却した後、当該硬化層から第１の支持シートを剥離した。このときの剥離の状況について、以下の基準に基づいて熱硬化後の剥離性を評価した。結果を、表１に示す。
Ａ：第１の支持シートを剥離できた。
Ｂ：第１の支持シートを剥離できなかった。

〔試験例２〕（保管時の浮きの評価）
実施例および比較例で製造した樹脂シートを、５００ｍｍ×４００ｍｍのサイズに裁断し、５℃の環境下で１週間保管した後、硬化性樹脂組成物層と第１の支持シートとの界面における浮きの発生、および硬化性樹脂組成物層と第２の支持シートとの界面における浮きの発生を確認し、以下の基準に基づいて保管時の浮きを評価した。結果を、表１に示す。
Ａ：硬化性樹脂組成物層と第１の支持シートとの界面、および硬化性樹脂組成物層と第２の支持シートとの界面の両方において浮きが発生していない。
ＡＢ：硬化性樹脂組成物層と第１の支持シートとの界面における浮きは発生していないが、硬化性樹脂組成物層と第２の支持シートとの界面に浮きが発生している。
Ｂ：硬化性樹脂組成物層と第１の支持シートとの界面、および硬化性樹脂組成物層と第２の支持シートとの界面の両方に浮きが発生している。

〔試験例３〕（剥離力の測定）
実施例１および２で製造した樹脂シートについて、下記の方法で、第１の支持シートを硬化前の樹脂組成物層から剥離する際の剥離力（Ｆ１１）、第１の支持シートを、樹脂組成物層を熱硬化してなる硬化層から剥離する際の剥離力（Ｆ１２）、および第２の支持シートを硬化前の樹脂組成物層から剥離する際の剥離力（Ｆ２）を測定した。結果を表１に示す。

（１）剥離力（Ｆ１１）の測定
実施例１および２で製造した樹脂シートを幅２５ｍｍ、長さ２５０ｍｍにカットした。次いで、第２の支持シートを剥離し、露出した硬化性樹脂組成物層の露出面をステンレススチール板に両面テープで貼り合わせて測定サンプルを作製した。次いで、ＪＩＳ Ｚ ０２３７；２００９に基づき、万能引張試験機（島津製作所社製オートグラフ）を用いて、２３℃、相対湿度５０％の環境下において、剥離速度３００ｍｍ／分、剥離角度１８０°にて第１の支持シートを硬化性樹脂組成物層から剥離して、その剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定し、剥離力（Ｆ１１）とした。

（２）剥離力（Ｆ１２）の測定
上記（１）と同様にして作製した測定サンプルを、１００℃で３０分間加熱し、さらに１８０℃で６０分間加熱することで硬化性樹脂組成物層を硬化した。その後、硬化性樹脂組成物層が硬化してなる硬化層を室温まで冷却した。冷却後の測定サンプルについて、上記（１）と同様にして剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定し、剥離力（Ｆ１２）とした。

（３）剥離力（Ｆ２）の測定
実施例１および２で製造した樹脂シートを幅１００ｍｍ、長さ１００ｍｍにカットした。次いで、ＪＩＳ Ｋ６８５４−３：１９９９に基づき、２３℃、相対湿度５０％の環境下において、剥離速度３００ｍｍ／分でＴ形剥離にて、第２の支持シートを硬化性樹脂組成物層から剥離し、その際の剥離力（Ｎ／１００ｍｍ）を測定し、剥離力（Ｆ２）とした。

表１に示されるように、実施例に係る樹脂シートでは、熱硬化後においても、硬化層から第１の支持シートを良好に剥離することができた。また、実施例に係る樹脂シートでは、保管時における第１の支持シートと硬化性樹脂組成物層の間の浮きの発生が抑制された。一方、比較例１に係る樹脂シートは、保管時に浮きが発生していた。また、比較例２に係る樹脂シートは、樹脂組成物層の熱硬化後に、形成された硬化層から支持シートを剥離できなかった。

本発明に係る樹脂シートは、ファンアウト型ウエハレベルパッケージやファンアウト型パネルレベルパッケージといった半導体装置の製造に好適に利用することができる。

１…樹脂シート
１０…硬化性樹脂組成物層
１０’…硬化層
１１…第１の支持シート
１１１…支持基材
１１２…粘着剤層
１２…第２の支持シート
２…電子部品
４…封止体
５…孔
６…電極
８…仮固定材
９…絶縁膜

Claims (11)

1. 電子部品の封止に用いられる樹脂シートであって、
   前記樹脂シートが、第１の支持シートと、前記第１の支持シートにおける片面に積層された硬化性樹脂組成物層とを備え、
   前記樹脂組成物層が、熱硬化性樹脂および無機微粒子を含有する樹脂組成物から形成されたものであり、
   前記無機微粒子の前記樹脂組成物中における含有量が、５０質量％以上、９０質量％以下であり、
   前記無機微粒子の平均粒径が、０．０１μｍ以上、３．０μｍ以下であり、
   前記第１の支持シートが、支持基材と、前記支持基材の片面側に積層された粘着剤層とを備え、
   前記樹脂組成物層が、前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層側の面上に積層されている
   ことを特徴とする樹脂シート。
2. 前記樹脂組成物層は、熱可塑性樹脂を含有し、
   前記熱可塑性樹脂の前記樹脂組成物中における含有量は、１．０質量％以上、３０質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂シート。
3. 前記粘着剤層は、アクリル系粘着剤から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂シート。
4. 前記樹脂シートを１００℃で３０分間加熱し、さらに１８０℃で６０分間加熱した樹脂シートにおいて、前記樹脂組成物層が硬化してなる硬化層から前記第１の支持シートを剥離する際の剥離力（Ｆ１２）は、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上、３．０Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂シート。
5. 前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層は、１００℃における、測定周波数を１Ｈｚとしたときの貯蔵弾性率が１×１０^５Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂シート。
6. 前記第１の支持シートは、
   前記粘着剤層面を銅箔に貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後における、前記銅箔に対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下であり、
   前記粘着剤層面をポリイミドフィルムに貼着させ、１００℃及び３０分間の条件で加熱し、続いて１８０℃及び６０分間の条件で加熱した後における、前記ポリイミドフィルムに対する室温での粘着力が、０．７Ｎ／２５ｍｍ以上、２．０Ｎ／２５ｍｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂シート。
7. 前記第１の支持シートにおける前記粘着剤層は、５％重量減少温度が２５０℃以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂シート。
8. 前記支持基材は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上である樹脂製の支持基材であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の樹脂シート。
9. 前記樹脂シートは、前記樹脂組成物層における前記第１の支持シートとは反対側の面に積層された第２の支持シートを備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の樹脂シート。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂シートにおける樹脂組成物層を硬化してなる硬化層を備えることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂シートの使用方法であって、
    前記樹脂組成物層を硬化して、硬化層を得る工程と、
    前記樹脂組成物層の硬化の後に、前記硬化層から前記第１の支持シートを剥離する工程と
    を備えることを特徴とする樹脂シートの使用方法。

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