KR20190024651A - 수지 시트, 반도체 장치, 및 수지 시트의 사용 방법 - Google Patents

수지 시트, 반도체 장치, 및 수지 시트의 사용 방법 Download PDF

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KR20190024651A
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야스타카 와타나베
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Abstract

본 발명은, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 택이 작은 경우여도, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려우며, 또한, 수지 조성물층의 열경화 후에, 형성된 경화층으로부터 지지 시트를 박리하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 경우여도, 당해 경화층으로부터 지지 시트를 박리하기 쉬운 수지 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 전자 부품(2)의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트(1)로서, 수지 시트(1)가 제1 지지 시트(11)와 경화성 수지 조성물층(10)을 구비하고, 수지 조성물층(10)이 열경화성 수지 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 미립자는, 함유량이 50∼90질량%이며 또한 평균 입경이 0.01∼3.0㎛이고, 제1 지지 시트(11)가 지지 기재(111)와 점착제층(112)을 구비하고, 수지 조성물층(10)이 점착제층(112)측의 면 상에 적층되어 있는 수지 시트(1)를 제공한다.

Description

수지 시트, 반도체 장치, 및 수지 시트의 사용 방법{RESIN SHEET, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR USING RESIN SHEET}
본 발명은, 전자 부품의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트, 당해 수지 시트를 사용해서 제조된 반도체 장치, 및 당해 수지 시트의 사용 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 봉지재가 시트상으로 형성된 층(수지 조성물층)을 구비하는 수지 시트를 사용해서, 반도체 칩과 같은 전자 부품을 봉지하는 것이 행해지고 있다. 예를 들면, 기판 상에 마련된 전자 부품에 대하여, 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 적층한 후, 당해 수지 조성물층을 경화시킴으로써, 전자 부품이 봉지되어 있다.
상술한 바와 같은 수지 시트로서는, 통상적으로, 그 가공 시나 운반 시에 있어서의 취급성을 향상하기 위하여, 수지 조성물층에 지지 시트가 적층된 구성을 갖는 수지 시트가 사용되는 경우가 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 조성물층과, 당해 수지 조성물층의 양면에 적층된 지지 시트를 구비하는 수지 시트가 개시되어 있다. 당해 지지 시트는, 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 수지 조성물층과, 당해 수지 조성물층의 편면에 적층된 지지 시트로서의 보호 필름을 구비하는 수지 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 당해 제조 방법에서는, 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 반도체 칩에 적층하고, 당해 수지 조성물층을 열경화시킨 후에, 수지 조성물층을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터 보호 필름을 박리하고 있다. 특허문헌 2에는, 당해 보호 필름으로서, 편면이 실리콘 이형 처리된 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 개시되어 있다.
또한, 상술한 바와 같은 수지 시트는, 통상적으로, 수지 조성물층에 에폭시 수지 등의 열경화성 수지나 경화촉진제를 함유하기 때문에, 저장안정성이 낮은 것으로 되기 쉽고, 그 때문에 냉장 보관이 필요해지는 경우가 있다.
일본 특개2015-126133호 공보 일본 특개2016-96308호 공보
그런데, 수지 조성물층에 지지 시트가 적층된 상태에서, 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 열경화해서 경화층을 형성했을 경우, 당해 경화층으로부터 지지 시트를 박리하기 어려워지는 경우가 있다. 여기에서, 특허문헌 2의 실시예에는, 편면이 실리콘 이형 처리된 보호 필름을 사용함에 의해, 경화층으로부터 지지 시트를 박리할 때의 박리력을 소정의 범위로 저하시킨 것이 개시되어 있다.
한편, 상술한 수지 시트에는, 무기 충전재 함유량이 높은 수지 조성물층을 사용하는 경우나, 수지 성분의 종류에 따라서는, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 점착성(택)이 작은 것도 존재한다. 이와 같이 택이 작은 수지 조성물층을, 특허문헌 1 및 2에 개시되는 바와 같은, 실리콘계 박리제로 처리된 지지 시트로 보호할 경우, 수지 시트의 반송 중, 보관 중, 가공 중 등에 있어서, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서 들뜸이 발생하기 쉬운 것으로 된다. 당해 들뜸이 발생하면, 수지 시트의 가공 시나 운반 시에, 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하는 등의 문제가 발생한다. 특히, 수지 시트는 냉장 보관되는 경우가 많고, 당해 들뜸의 문제는, 이와 같이 냉장 보관된 경우에 있어서 현저하게 된다.
또한, 최근에는, 수지 시트를 사용해서 웨이퍼 레벨 패키지나 패널 스케일 패키지를 제조하는 것도 검토되고 있다. 이와 같은 패키지의 제조에는, 수지 시트로서 대면적을 갖는 것이 사용되지만, 수지 시트의 사이즈가 비교적 대면적으로 될 경우, 상술한 들뜸이 특히 발생하기 쉬워진다.
이상과 같이, 종래의 수지 시트에서는, 경화층으로부터 지지 시트를 용이하게 박리하는 것과, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸을 억제하는 것을 양립하는 것은 곤란하다.
본 발명은, 이와 같은 실상에 감안하여 이루어진 것이고, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 택이 작은 경우여도, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려우며, 또한, 수지 조성물층의 열경화 후에, 형성된 경화층으로부터 지지 시트를 박리하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 경우여도, 당해 경화층으로부터 지지 시트를 박리하기 쉬운 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그와 같은 봉지 시트를 사용해서 제조되는 양호한 품질을 갖는 반도체 장치, 및 그와 같은 수지 시트의 사용 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 전자 부품의 봉지에 사용되는 수지 시트로서, 상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 경화성 수지 조성물층을 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상, 90질량% 이하이고, 상기 무기 미립자의 평균 입경이, 0.01㎛ 이상, 3.0㎛ 이하이고, 상기 제1 지지 시트가, 지지 기재와, 상기 지지 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층측의 면 상에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트를 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)에 따른 수지 시트에서는, 제1 지지 시트가 지지 기재와 점착제층을 구비한 것임과 함께, 당해 점착제층에 있어서의 지지 기재와는 반대측의 면이 경화성 수지 조성물층에 접하여 있음에 의해, 제1 지지 시트가 경화성 수지 조성물층에 양호하게 밀착하는 것으로 되고, 그것에 의해, 경화성 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 경화성 수지 조성물층을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터 제1 지지 시트를 박리하는 경우여도, 당해 박리를 용이하게 행할 수 있다.
상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 수지 조성물층은, 열가소성 수지를 함유하고, 상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량은, 1.0질량% 이상, 30질량% 이하인 것이 바람직하다(발명 2).
상기 발명(발명 1,2)에 있어서, 상기 점착제층은, 아크릴계 점착제로 구성되어 있는 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 수지 시트를 100℃에서 30분간 가열하고, 추가로 180℃에서 60분간 가열한 수지 시트에 있어서, 상기 수지 조성물층이 경화해서 이루어지는 경화층으로부터 상기 제1 지지 시트를 박리할 때의 박리력(F12)은, 0.5N/25㎜ 이상, 3.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하다(발명 4).
상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층은, 100℃에 있어서의, 측정 주파수를 1Hz로 했을 때의 저장 탄성률이 1×105Pa 이상인 것이 바람직하다(발명 5).
상기 발명(발명 1∼5)에 있어서, 상기 제1 지지 시트는, 상기 점착제층면을 동박에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후에 있어서의, 상기 동박에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하이고, 상기 점착제층면을 폴리이미드 필름에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후에 있어서의, 상기 폴리이미드 필름에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하다(발명 6).
상기 발명(발명 1∼6)에 있어서, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층은, 5% 중량 감소 온도가 250℃ 이상인 것이 바람직하다(발명 7).
상기 발명(발명 1∼7)에 있어서, 상기 지지 기재는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재인 것이 바람직하다(발명 8).
상기 발명(발명 1∼8)에 있어서, 상기 수지 시트는, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하는 것이 바람직하다(발명 9).
둘째로 본 발명은, 상기 수지 시트(발명 1∼9)에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다(발명 10).
셋째로 본 발명은, 상기 수지 시트(발명 1∼9)의 사용 방법으로서, 상기 수지 조성물층을 경화해서, 경화층을 얻는 공정과, 상기 수지 조성물층의 경화 후에, 상기 경화층으로부터 상기 제1 지지 시트를 박리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트의 사용 방법을 제공한다(발명 11).
본 발명의 수지 시트에 의하면, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 택이 작은 경우여도, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려우며, 또한, 수지 조성물층의 열경화 후에, 형성된 경화층으로부터 지지 시트를 박리하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 경우여도, 당해 경화층으로부터 지지 시트를 박리하기 쉽다. 또한, 본 발명의 수지 시트를 사용함으로써, 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트의 단면도.
도 2는 본 실시형태에 따른 수지 시트의 사용 방법을 설명하는 단면도.
도 3은 본 실시형태에 따른 수지 시트의 사용 방법을 설명하는 단면도.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
〔수지 시트〕
도 1에는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)의 단면도가 나타난다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제1 지지 시트(11)와, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 편면에 적층된 경화성 수지 조성물층(10)(이하, 「수지 조성물층(10)」이라 하는 경우가 있다)을 구비한다. 제1 지지 시트(11)는, 지지 기재(111)와, 지지 기재(111)의 편면측에 적층된 점착제층(112)을 구비하고 있고, 수지 조성물층(10)은, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 점착제층(112)측의 면 상에 적층되어 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층(10)에 있어서의 제1 지지 시트(11)와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트(12)를 구비하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)이, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 점착제층(112)측의 면 상에 적층되어 있기 때문에, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다. 특히, 수지 조성물층(10)의 표면에 있어서의 택이 작은 경우여도, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸을 효과적으로 억제할 수 있다. 그것에 의해, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 보관 시나 반송 시에 있어서 수지 조성물층(10)에 있어서의 파편이나 깨짐의 발생이 억제된다.
또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)이, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 점착제층(112)측의 면 상에 적층되어 있음에 의해, 수지 조성물층(10)을 열경화해서, 경화층을 형성한 경우여도, 당해 경화층으로부터 제1 지지 시트(11)를 용이하게 박리하는 것이 가능하게 된다.
1. 경화성 수지 조성물층
본 실시형태에 있어서의 수지 조성물층(10)은, 열경화성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이다. 여기에서, 무기 미립자의 수지 조성물 중에 있어서의 함유량은, 50질량% 이상, 90질량% 이하이고, 무기 미립자의 평균 입경은, 0.01㎛ 이상, 3.0㎛ 이하이다. 또한, 수지 조성물층(10)은, 경화성을 갖는 것이고, 수지 조성물층(10)을 경화함으로써 경화층을 형성할 수 있다. 또한, 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층은, 절연성을 나타내는 것이 바람직하다. 당해 경화층이 절연성을 나타냄에 의해, 얻어지는 반도체 장치에서는, 단락 등의 불량이 억제되어, 우수한 성능을 얻을 수 있다.
(1) 열경화성 수지
열경화성 수지로서는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 나프톨계 수지, 활성 에스테르계 수지, 벤조옥사진계 수지, 시아네이트에스테르계 수지 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
상기 에폭시 수지로서는, 공지의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 구체적으로는, 비스페놀A, 비스페놀F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르; 프탈산, 이소프탈산, 테트라히드로프탈산 등의 카르복시산의 글리시딜에테르; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들면 산화함에 의해 에폭시가 도입된, 소위 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 외에, 비페닐 골격, 트리페닐메탄 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 상술한 에폭시 수지 중에서도, 비스페놀A의 글리시딜에테르(비스페놀A형 에폭시 수지), 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(나프탈렌형 에폭시 수지) 또는 이들의 조합을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A, 테트라메틸비스페놀A, 디알릴비스페놀A, 비페놀, 비스페놀F, 디알릴비스페놀F, 트리페닐메탄형 페놀, 테트라키스페놀, 노볼락형 페놀, 크레졸노볼락 수지, 비페닐아랄킬 골격을 갖는 페놀(비페닐형 페놀) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 비페닐형 페놀을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 페놀 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 에폭시 수지와의 반응성 등의 관점에서, 페놀 수지를 병용하는 것이 바람직하다.
수지 조성물 중에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 20질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 50질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 10질량% 이상임으로써, 수지 조성물층(10)의 경화가 보다 충분한 것으로 되고, 전자 부품을 보다 강고하게 봉지할 수 있다. 또한, 당해 함유량이 60질량% 이하임으로써, 수지 조성물층(10)의 의도하지 않는 단계에서의 경화를 보다 억제할 수 있고, 보존안정성이 보다 우수한 것으로 된다. 또, 열경화성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.
(2) 열가소성 수지
또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 열가소성 수지를 함유하고 있어도 된다. 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 아미드계 수지, 스티렌-이소부틸렌-스티렌 공중합체(SIS) 등의 스티렌계 수지, 실란계 수지, 고무계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르설폰계 수지, 폴리설폰계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또한, 이들 열가소성 수지는, 경화성의 관능기를 갖는 것이어도 된다.
여기에서, 반도체 장치의 소형화나 배선의 미세화를 위하여, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 반도체 장치를 제조할 때에는, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 전극을 형성함에 의해, 재배선층을 마련하는 경우가 있다. 특히, 후술하는 세미 애디티브법에 의해 재배선층을 마련할 경우, 디스미어 처리의 프로세스에 있어서, 경화층은, 알칼리성 용액에 노출되는 등의 과혹한 조건에서 처리되게 된다. 이 경우, 열가소성 수지의 종류에 따라서는, 경화층이 용해하고, 도금의 필 강도가 낮아지는 등의 배선형성성이 나쁜 경우가 있다. 그 때문에, 경화층에의 배선형성성의 관점에서, 열가소성 수지는 아크릴계 수지를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로서는, 상술한 열가소성 수지 중에서도 페녹시계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.
페녹시계 수지로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀A/비스페놀F 공중합형, 비스페놀S형, 비스페놀아세토페논형, 노볼락형, 플루오렌형, 디시클로펜타디엔형, 노르보르넨형, 나프탈렌형, 안트라센형, 아다만탄형, 테르펜형, 트리메틸시클로헥산형, 비페놀형, 비페닐형의 페녹시계 수지 등이 예시되고, 이들 중에서도 비스페놀A형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 페녹시계 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기여도 된다. 페녹시계 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
또, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용한 경우에는, 수지 조성물층(10)의 표면에 있어서의 택이 작아지는 경향이 있다. 그러나, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 이와 같이 택이 작아지는 경우여도, 수지 조성물층(10)이 제1 지지 시트(11)에 있어서의 점착제층(112)측의 면 상에 적층되어 있음에 의해, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸을 효과적으로 억제할 수 있다. 그 때문에, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용하는 경우에도 호적하다.
열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 특히 바람직하고, 1만 이상인 것이 특히 더 바람직하다. 또한, 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100만 이하인 것이 바람직하고, 80만 이하인 것이 특히 바람직하고, 10만 이하인 것이 특히 더 바람직하다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)이 상기 범위이면, 수지 조성물층(10)을 시트상으로 형성하는 것이 보다 용이하게 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값이다.
수지 조성물 중에 있어서의 열가소성 수지의 함유량은, 1.0질량% 이상인 것이 바람직하고, 3.0질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 5.0질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 조막성이 향상하고, 얻어지는 수지 시트의 핸들링성이 효과적으로 향상한다. 또, 열가소성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.
(3) 무기 미립자
본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 50질량% 이상, 90질량% 이하로 무기 미립자를 함유한다. 이것에 의해, 수지 조성물층(10)이 경화되어 이루어지는 경화층의 열팽창 계수 및 흡수율이 비교적 작은 것으로 되고, 그것에 의해, 수지 조성물층(10)이 우수한 유연성, 유동성 및 접착성을 발휘하는 것으로 된다. 이와 같은 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 함유량은, 55질량% 이상인 것이 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 85질량% 이하인 것이 바람직하고, 80질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 무기 미립자의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.
또한, 무기 미립자의 평균 입경은, 0.01㎛ 이상, 3.0㎛ 이하이다. 무기 미립자의 평균 입경이 0.01㎛ 이상임에 의해, 수지 조성물층(10)의 가요성 및 유연성이 우수한 것으로 되기 쉬워짐과 함께, 무기 미립자의 함유량을, 상술의 범위와 같은 높은 충전율로 조정하기 쉬워진다. 또한, 무기 미립자의 평균 입경이 3.0㎛ 이하임에 의해, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층이 형성될 경우에, 전극의 형성성이 향상하기 쉬워진다. 이들 관점에서, 무기 미립자의 평균 입경은, 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.3㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 무기 미립자의 평균 입경은, 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 무기 미립자의 최대 입경은, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 최대 입경은, 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 무기 미립자의 최대 입경이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 무기 미립자를 충전하기 숴워지고, 경화 시의 열팽창률을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층이 형성될 경우에, 미세한 배선이 형성하기 쉬워진다. 또, 본 명세서에 있어서의 무기 미립자의 평균 입경 및 최대 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소샤제, 제품명 「나노트랙 Wave-UT151」)를 사용해서, 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다.
무기 미립자로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 산화티타늄, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카, 뮬라이트, 코디에라이트 등의 복합 산화물, 몬모릴로나이트, 스멕타이트, 베마이트, 탈크, 산화철, 탄화규소, 산화지르코늄 등을 재료로 하는 무기 미립자를 예시할 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 실리카 미립자, 알루미나 미립자를 사용하는 것이 바람직하고, 실리카 미립자를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
상기 무기 미립자는, 표면처리제에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성이나 충전성이 우수한 것으로 된다. 상기 표면처리제로서는, 에폭시실란, 비닐실란, 실라잔 화합물, 알콕시실란, 실란커플링제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 조합해서 사용해도 된다.
상기 표면처리제의 최소 피복 면적은, 550㎡/g 미만인 것이 바람직하고, 520㎡/g 이하인 것이 특히 바람직하고, 450㎡/g 이하인 것이 더 바람직하다. 한편, 표면처리제의 최소 피복 면적의 하한값에 대해서는, 100㎡/g 이상인 것이 바람직하고, 200㎡/g 이상인 것이 특히 바람직하고, 300㎡/g 이상인 것이 더 바람직하다. 최소 피복 면적이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성 및 충전성이 향상함과 함께, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 대한 전극의 형성성이 향상한다.
또, 표면처리제에 있어서의 최소 피복 면적(㎡/g)이란, 1g의 표면처리제를 사용해서 단분자막을 형성했을 때의 당해 단분자막의 면적(㎡)을 말한다. 최소 피복 면적은, 표면처리제의 구조 등으로부터 이론적으로 산출할 수 있다.
표면처리제의 호적한 예로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란 및 비닐트리메톡시실란 등의 비닐실란을 들 수 있다.
(4) 경화 촉매
본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 경화 촉매를 더 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지의 경화 반응을 효과적으로 진행시키는 것이 가능하게 되고, 수지 조성물층(10)을 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 경화 촉매로서는, 예를 들면, 이미다졸계 경화 촉매, 아민계 경화 촉매, 인계 경화 촉매 등을 들 수 있다.
상술한 경화 촉매는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
수지 조성물 중에 있어서의 경화 촉매의 함유량은, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 0.1질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 2.0질량% 이하인 것이 바람직하고, 1.5질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 수지 조성물층(10)을 보다 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 또, 경화 촉매의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.
(5) 그 밖의 성분
본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 또한, 가소제, 안정제, 점착부여제, 착색제, 커플링제, 대전방지제, 산화방지제 등을 함유해도 된다.
(6) 수지 조성물층의 두께
수지 조성물층(10)의 두께는, 20㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 100㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 300㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 수지 조성물층(10)의 두께가 상기 범위이면, 전자 부품을 봉지해서 충분히 매입할 수 있다.
2. 제1 지지 시트
본 실시형태에 있어서의 제1 지지 시트(11)는, 지지 기재(111)와, 지지 기재(111)의 편면측에 적층된 점착제층(112)을 구비한다.
(1) 지지 기재
상기 지지 기재(111)는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 지지 기재(111)로서는, 수지 필름, 부직포, 지(紙) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 수지 필름의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 상기 부직포의 예로서는, 레이온, 아크릴, 폴리에스테르 등의 섬유를 사용한 부직포를 들 수 있다. 상기 지의 예로서는, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로서 사용해도 된다.
상기 수지 필름을 구성하는 재료는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 55℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, 60℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 당해 재료의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상임으로써, 수지 조성물층(10)에 제1 지지 시트(11)가 적층된 상태에서, 수지 조성물층(10)을 열경화한 경우여도, 제1 지지 시트(11)가 열변형하기 어렵고, 이것에 의해, 경화층으로부터 제1 지지 시트(11)가 박리하기 쉬워진다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)의 상한에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 400℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)는, 시차 주사 열량 분석계를 사용해서 측정한 값이다.
또한, 제1 지지 시트(11)를 구성하는 지지 기재(111)는, 그 표면에 적층되는 점착제층(112)과의 밀착성을 향상시키는 목적으로, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 산화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.
상기 지지 기재(111)의 두께는, 특히 한정되지 않지만, 수지 시트(1)의 핸들링성의 관점에서, 10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 15㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 20㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 75㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.
지지 기재(111)는, 150℃에서 30분간 가열했을 때의 지지 기재(111)의 MD 방향 및 CD 방향의 열수축률이, 2.0% 이하인 것이 바람직하고, 1.5% 이하인 것이 특히 바람직하다. 지지 기재(111)의 MD 방향의 열수축률의 하한값 및 CD 방향의 열수축률의 하한값에 대해서는, 작을수록 바람직하고, 통상 0.01% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 지지 기재(111)의 MD 방향의 열수축률 및 지지 기재(111)의 CD 방향의 열수축률이 상기 범위를 충족시킴과 함께, MD 방향의 열수축률과, CD 방향의 열수축률과의 비(MD 방향의 열수축률/CD 방향의 열수축률)가, 0.03 이상, 30 이하의 범위로 되는 것이 바람직하고, 0.5 이상, 5.0 이하의 범위로 되는 것이 특히 바람직하다. 지지 기재(111)가 이들을 충족시킴으로써, 수지 조성물층(10)의 열경화 후에, 형성된 경화층으로부터 제1 지지 시트(11)를 박리할 경우에, 얻어지는 반도체 장치의 휘어짐을 방지할 수 있다.
상술의 MD 방향이란, 지지 기재(111)를 장척으로 제막한 경우에 있어서의, 지지 기재(111)를 반송하는 방향과 병행하는 방향이고, CD 방향이란, 지지 기재(111)의 동일면 상에 있어서 MD 방향과 직교하는 방향이다.
상술한 열수축률은, JIS Z1712에 준거해서 이하의 방법으로 측정한 것으로 한다. 지지 기재(111)를 폭 20㎜, 길이 200㎜의 크기로, MD 방향, TD 방향으로 각각 컷하고, 150℃의 열풍 오븐 중에 매달고 5분간 가열한다. 그리고, 가열 후의 길이를 측정하여, 원래 길이에 대한 수축한 길이의 비율(백분율)을 열수축률로 한다.
또, 지지 기재(111)의 열수축률은, 예를 들면, 원하는 범위를 충족시키는 재료를 선택하는 것이나, 지지 기재(111)를 어닐 처리하는 것이나, 지지 기재(111)의 성막 방법을 변경하는 것(예를 들면, 연신 방법을 바꾸는 것) 등에 의해 조정할 수도 있다.
또한, 지지 기재(111)로서는, 저분자량 성분(올리고머)을 석출하기 어려운 것을 선택하는 것이 바람직하다. 이와 같은 지지 기재(111)를 사용함으로써, 수지 조성물층(10)을 경화할 때의 가열에 의해 지지 기재(111) 중에 포함되는 올리고머가 석출하고, 경화층에 이행하는 것을 억제하여, 보다 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또, 상기 저분자량 성분의 석출의 정도는, 수지 시트(1)를 100℃ 및 60분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 170℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층으로부터 제1 지지 시트(11)를 박리한 후, 노출한 당해 경화층의 표면을, 디지털 현미경(관찰 배율 500배)으로 관찰하여, 저분자량 성분에 유래하는 잔사의 유무를 확인함으로써 판단할 수 있다.
(2) 점착제층
상기 점착제층(112)를 구성하는 점착제는, 제1 지지 시트(11)가 수지 조성물층(10)에 대해서 원하는 점착성을 나타내는 것이면 특히 한정되지 않는다. 점착제층(112)를 구성하는 점착제의 예로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다.
(2-1) 아크릴계 점착제
상기 아크릴계 점착제는, 특히 제한은 없지만, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 포함하는 점착성 조성물 P를 사용해서 제작되는 점착제인 것이 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어도 마찬가지이다.
상기 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머로서, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 얻어지는 점착제는, 바람직한 점착성을 발현할 수 있다.
알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 내열성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 6∼10인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 사용하는 것이 바람직하고, 특히, (메타)아크릴산2-에틸헥실을 사용하는 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르를, 10질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히, 50질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 70질량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 85질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 90질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르를, 99질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 98질량% 이하로 함유하는 것이 특히 바람직하고, 97질량% 이하로 함유하는 것이 더 바람직하다.
또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머로서, 반응성의 관능기를 갖는 모노머(반응성 관능기 함유 모노머)를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 반응성 관능기 함유 모노머로서는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 반응성 관능기 함유 모노머는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 반응성 관능기 함유 모노머를, 1질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 2질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 3질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 반응성 관능기 함유 모노머를, 30질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 20질량% 이하로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 10질량% 이하로 함유하는 것이 특히 바람직하고, 7질량% 이하로 함유하는 것이 더 바람직하다.
또한, 상기 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머로서, 다른 모노머를 더 함유해도 된다. 당해 다른 모노머로서는, 예를 들면, 지방족환을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 비가교성의 아크릴아미드, 비가교성의 3급 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 아세트산비닐, 스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
또, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
상기 아크릴계 점착제를 제작하기 위한 점착성 조성물 P는, 가교제(B)를 더 포함하는 것이 바람직하고, 상기 아크릴계 점착제는, 상술한 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와 가교제(B)를 포함하는 점착성 조성물 P를 가교해서 이루어지는 것임이 바람직하다.
상기 가교제(B)로서는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 갖는 반응성 관능기와 반응하는 것이면 되며, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아민계 가교제, 멜라민계 가교제, 아지리딘계 가교제, 히드라진계 가교제, 알데히드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 암모늄염계 가교제 등을 들 수 있다. 또, 가교제(B)는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
점착성 조성물 P 중에 있어서의 가교제(B)의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0.1질량부 이상인 것이 바람직하고, 1질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 2질량부 이상인 것이 특히 바람직하고, 3질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대해서, 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 15질량부 이하인 것이 특히 바람직하고, 10질량부 이하인 것이 더 바람직하다.
(2-2) 첨가제
상기 점착제층(112)를 구성하는 점착제에는, 소망에 따라, 통상 사용되고 있는 각종 첨가제, 예를 들면 굴절률조정제, 대전방지제, 점착부여제, 실란커플링제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 연화제, 충전제, 광경화제, 광중합개시제 등을 첨가할 수 있다.
(2-3) 점착제층의 물성 등
점착제층(112)의 두께는, 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 10㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 50㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.
점착제층(112)은, 100℃에 있어서의, 측정 주파수를 1Hz로 했을 때의 저장 탄성률이 1×105Pa 이상인 것이 바람직하다. 점착제층(112)이 이와 같은 저장 탄성률을 갖고 있으면, 수지 조성물층(10)을 경화하여, 경화층을 형성한 후에, 당해 경화층으로부터 제1 지지 시트(11)를 보다 용이하게 박리할 수 있으며, 또한 경화층의 표면에 점착제가 남는다는 불량(소위 풀남음)을 방지할 수 있다. 점착제층(112)의 100℃에 있어서의, 측정 주파수를 1Hz로 했을 때의 저장 탄성률의 상한은, 특히 한정되지 않지만, 1×107Pa 이하인 것이 바람직하다. 또, 상기 저장 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치를 사용해서, 비틀림 전단법에 의해 측정한 값이고, 측정 방법의 상세는, 후술하는 실시예에 기재된 바와 같다.
제1 지지 시트(11)는, 점착제층(112)측의 면을 동박에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후, 동박에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 제1 지지 시트(11)의 점착제층(112)측의 면을 폴리이미드 필름에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후, 폴리이미드 필름에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 가열을 행한 후의 점착력이 상기 범위이면, 수지 조성물층(10)을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터, 제1 지지 시트(11)를 보다 박리하기 쉽다. 또, 상기 점착력의 측정 방법의 상세는, 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 실온이란, 22℃ 이상, 24℃ 이하의 온도를 말하는 것으로 한다.
점착제층(112)은, 제1 지지 시트(11)가 가열된 후에 경화층으로부터 박리되었을 때에 있어서의, 점착제층(112)의 열화에 기인한 풀남음를 효과적으로 억제하는 관점에서, 5% 중량 감소 온도가 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.
3. 제2 지지 시트
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 수지 조성물층(10)에 있어서의 제1 지지 시트(11)와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트(12)를 구비하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)가 제2 지지 시트(12)를 구비함에 의해, 제1 지지 시트(11)와 제2 지지 시트(12)에 의해, 수지 조성물층(10)을 양면으로부터 보호할 수 있다. 그것에 의해, 외관상의 문제나 수지 조성물층(10)의 파편이나 깨짐의 발생이 효과적으로 억제된다.
제2 지지 시트(12)는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름 등의 플라스틱 필름, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등의 지, 부직포 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로 해서 사용해도 된다. 제2 지지 시트(12)는, 매드 처리, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시하여 있어도 된다.
제2 지지 시트(12)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면은, 박리제에 의해서 박리 처리되어 있어도 된다. 당해 박리제로서는, 실리콘계 박리제, 알키드계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 올레핀 수지계 박리제, 아크릴계 박리제 및 고무계 박리제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘계 박리제, 알키드계 박리제에서 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하고, 특히, 제2 지지 시트(12)와 수지 조성물층(10)과의 사이에 있어서의 들뜸의 발생을 방지하는 관점에서, 알키드계 박리제를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 지지 시트(12)는, 수지 조성물층(10)과 접촉하는 측의 면에, 점착제층을 구비하고 있어도 된다. 당해 점착제층은, 제1 지지 시트(11)가 구비하는 점착제층(112)과 마찬가지의 것이어도 된다.
제2 지지 시트(12)의 두께는, 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.
4. 수지 시트의 물성
제1 지지 시트(11)를 경화 전의 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력(F11)은, 0.1N/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.2N/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.3N/25㎜ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 박리력(F11)은, 3.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 2.0N/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 0.5N/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 박리력(F11)이 0.1N/25㎜ 이상임으로써, 수지 시트(1)의 보관 시(특히 냉장 보관 시)나 취급 시에 있어서의 제1 지지 시트(11)와 수지 조성물층(10)과의 들뜸의 발생이 효과적으로 억제된다. 또한, 상기 박리력(F11)이 3.0N/25㎜ 이하임으로써, 제1 지지 시트(11)를 박리할 때에 수지 조성물층(10)의 파편이나 깨짐을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다. 또, 상술한 박리력(F11)의 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.
또한, 수지 시트를 100℃에서 30분간 가열하고, 추가로 180℃에서 60분간 가열한 수지 시트에 있어서, 수지 조성물층(10)을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터, 제1 지지 시트(11)를 박리할 때의 박리력(F12)은, 0.5N/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.7N/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.8N/25㎜ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 박리력(F12)은, 3.0N/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 2.0N/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.5N/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 박리력(F12)이 0.5N/25㎜ 이상임으로써, 반도체 장치의 제조 시의 수지 조성물층(10)의 열경화 전후에 있어서의 제1 지지 시트(11)의 의도하지 않는 박리를 억제할 수 있고, 얻어진 경화층의 표면을 제1 지지 시트(11)에 의해서 보다 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 상기 박리력(F12)이 3.0N/25㎜ 이하임으로써, 제1 지지 시트(11)를 가열한 후여도, 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층의 표면으로부터 제1 지지 시트(11)를 양호하게 박리하기 쉽고, 수지 조성물층(10)의 파편이나 깨짐을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다. 또, 상술한 박리력(F12)의 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.
또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)가 제2 지지 시트(12)를 구비할 경우, 제2 지지 시트(12)를 경화 전의 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력(F2)은, 하기 식(1)
F11/F2>1 : (1)
을 충족시키는 것임이 바람직하다. 이것에 의해, 제1 지지 시트(11)와 수지 조성물층(10)과의 사이에 있어서의 들뜸의 발생을 억제하면서, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리하기 쉬운 것으로 된다. 또, 박리력(F2)은, 0.05N/100㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.10N/100㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 박리력(F2)은, 2.0N/100㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또, 상술한 박리력(F2)의 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.
5. 수지 시트의 제조 방법
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)의 제조 방법은, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 제2 지지 시트(12) 상에, 상술한 수지 조성물, 및 소망에 따라 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 도포하고, 건조시켜서(필요에 따라서 가열 가교시켜서), 수지 조성물층(10)을 형성한다. 그 후, 당해 수지 조성물층(10)에 있어서의 제2 지지 시트(12)와는 반대측의 면에, 별도 준비한 제1 지지 시트(11)에 있어서의 점착제층(112)측의 면을 첩합함으로써 제조할 수 있다. 또, 제1 지지 시트(11)의 제조 방법도 특히 한정되지 않으며, 공지의 방법으로 제조할 수 있다.
도포 방식으로서는, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등의 공지의 방법을 들 수 있다.
또한, 상기 용매로서는, 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤의 유기 용매 등을 들 수 있다.
6. 수지 시트의 용도
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 전자 부품의 봉지에 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 팬아웃형 웨이퍼 레벨 패키지나 팬아웃형 패널 레벨 패키지와 같은 반도체 패키지 등의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지 등에 호적하게 이용할 수 있다.
〔반도체 장치〕
본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비한다. 특히, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 당해 경화층에 의해서 봉지되어 이루어지는 전자 부품을 구비한다. 이와 같은 반도체 장치의 예로서는, 팬아웃형 웨이퍼 레벨 패키지나 팬아웃형 패널 레벨 패키지와 같은 반도체 패키지를 들 수 있다. 이들 반도체 장치는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서, 후술하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려움과 함께, 수지 조성물층(10)을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터의 제1 지지 시트(11)의 박리가 용이하다. 그 때문에, 당해 수지 시트(1)를 사용해서 제조되는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 상술한 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 제조된 것임에 의해, 양호한 품질을 갖는 것으로 된다.
〔수지 시트의 사용 방법〕
본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 예를 들면, 반도체 장치의 제조에 사용할 수 있다. 이하에는, 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 의해서 봉지되어 이루어지는 전자 부품을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 2 및 도 3에는, 당해 제조 방법의 일례를 설명하는 단면도가 나타난다. 최초로, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 준비 공정으로서, 가고정재(8)의 편면 상에 전자 부품(2)을 마련한다. 가고정재(8) 상에 전자 부품(2)을 마련하는 방법은 특히 한정되지 않으며, 일반적인 방법을 채용할 수 있다. 가고정재(8)로서는, 당해 가고정재(8) 상에 전자 부품(2)을 가고정할 수 있는 것이면 특히 한정되지 않으며, 기재와 당해 기재에 적층된 점착제층으로 이루어지는 점착 시트여도 되고, 자기점착성을 갖는 기재여도 되고, 경질 지지판이어도 되고, 또는, 경질 지지판과 당해 경질 지지판 상에 적층된 점착제층으로 이루어지는 적층 부재여도 된다.
상기 전자 부품(2)으로서는, 일반적으로 봉지의 대상으로 되는 전자 부품이면 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 또한, 상기 전자 부품(2)은, 인터포저의 소정의 위치에 반도체 칩이 재치된 것이어도 된다. 이 경우, 그와 같이 재치된 상태에서, 당해 반도체 칩 등과 함께, 인터포저의 적어도 일부가 봉지된다. 상기 인터포저의 예로서는, 리드 프레임, 폴리이미드 테이프, 프린트 기판 등을 들 수 있다. 또한, 가고정재(8) 상에 있어서의 전자 부품(2)의 주위에, 구리 등의 금속으로 이루어지는 프레임, 수지제 프레임 등의 프레임(액자상 부재라고도 한다)을 마련해도 된다. 이 경우, 당해 전자 부품(2)과 함께, 당해 액자상 부재의 적어도 일부를 봉지해도 된다. 상기 액자상 부재는, 통상적으로, 두께 방향으로 관통한 구멍으로 이루어지는 1 이상의 개구부와, 구리 등이나 수지 등에 의해 구성되는 액자상부로 이루어진다.
상기 액자상 부재를 사용할 경우, 준비 공정에 있어서, 예를 들면, 가고정재(8)의 편면 상에, 상기 액자상 부재를 재치한 후, 상기 액자상 부재의 개구부의 위치에, 전자 부품(2)을 재치한다. 이것에 의해, 그 후의 수지 조성물층 적층 공정에 있어서, 개구부의 밖으로의 수지 조성물층(10)의 염출을 억제하고, 얻어지는 반도체 장치의 두께를 균일하게 할 수 있고, 추가로, 경화층의 휘어짐의 발생을 억제하고, 얻어지는 반도체 장치의 휘어짐을 억제할 수 있다.
계속해서, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 수지 조성물층 적층 공정으로서, 가고정재(8)에 있어서의 전자 부품(2)이 마련된 면측에, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(10)을 적층한다. 당해 적층에 의해, 가고정재(8) 상에 마련된 전자 부품(2)은, 수지 조성물층(10)에 의해 덮인다. 수지 조성물층(10)을 적층할 때에는, 전자 부품(2)의 주위에 공간이 생기지 않도록 적층하는 것이 바람직하다. 수지 시트(1)가 추가로 제2 지지 시트(12)를 구비하는 경우에는, 수지 시트(1)로부터 제2 지지 시트(12)를 박리해서 노출한 수지 조성물층(10)의 노출면이, 전자 부품(2)을 덮도록 적층하는 것이 바람직하다. 제1 지지 시트(11)는, 수지 조성물층(10)의 적층의 직후에 수지 조성물층(10)으로부터 박리해도 되지만, 후술하는 바와 같이, 수지 조성물층(10)의 경화 후에 박리하는 것이 바람직하다. 상기 수지 조성물층 적층 공정은, 종래 공지의 라미네이트 장치를 사용해서, 종래 공지의 적층 조건에서 행할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 경화 공정으로서, 수지 조성물층(10)을 경화해서, 경화층(10')을 형성한다. 당해 경화는, 수지 조성물층(10)을 가열함에 의해 행하는 것이 바람직하다. 당해 경화에 의해, 경화층(10')과, 경화층(10')에 의해 봉지된 전자 부품(2)을 구비하는 봉지체(4)가 얻어진다.
상술한 가열에 의한 수지 조성물층(10)의 경화에서는, 예를 들면, 100℃∼240℃에서, 15분간∼300분간 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 가열에 의한 수지 조성물층(10)의 경화는, 복수 회의 가열 처리에 의해 단계적으로 행하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 2의 (d)에 나타내는 바와 같이, 봉지체(4)로부터 가고정재(8)를 박리함과 함께, 봉지체(4)로부터 제1 지지 시트(11)를 박리한다.
다음으로, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 절연막 형성 공정으로서, 가고정재(8)의 박리에 의해 노출한 봉지체(4)의 면에, 일반적인 방법에 의해 절연막(9)을 형성한다.
다음으로, 절연막(9)에 대해서, 종래 공지의 임의의 방법에 의해 전극을 형성한다. 이하에서는, 세미 애디티브법에 의해 형성하는 예를 설명한다.
도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 절연막(9)을 관통하는 구멍(5)을 형성한다. 구체적으로는, 절연막(9)에 있어서의 전자 부품(2)과는 반대측의 면으로부터, 절연막(9)과 전자 부품(2)과의 계면까지 관통하는 구멍(5)을 형성한다. 도 3의 (b)의 단면도에서는, 하나의 전자 부품(2)에 대해서 두 구멍(5)이 형성된 모습이 나타나 있다. 구멍(5)의 형성은, 일반적인 방법으로 행할 수 있다.
다음으로, 디스미어 처리 공정으로서, 구멍(5)이 형성된 절연막(9)이 적층된 봉지체(4)를 알칼리성 용액에 노출시켰다. 당해 공정은, 종래 공지의 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다.
마지막으로, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 전극 형성 공정으로서, 구멍(5) 내에 전극(6)을 형성한다. 당해 전극(6)은, 구멍(5)을 통해서 전자 부품(2)에 전기적으로 접속되어 있다. 전극(6)의 형성은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 이상에 의해, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층(10')을 구비하는 반도체 장치를 얻을 수 있다.
또, 도 3의 (b) 및 도 3의 (c)에 있어서는, 절연막(9)에 전극을 형성하는 예를 설명했지만, 경화층(10') 및 절연막(9)의 어느 쪽에 대해서 구멍 형성 및 전극 형성을 행해도 되고, 또는 경화층(10') 및 절연막(9)의 양쪽에 대해서 구멍 형성 및 전극 형성을 행해도 된다.
본 실시태양에 따른 수지 시트(1)의 사용 방법에 따르면, 수지 시트(1)가 냉장 보관되어 있던 경우에도, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생이 효과적으로 억제됨과 함께, 경화층(10')으로부터의 제1 지지 시트(11)의 박리를 용이하게 행할 수 있어, 그 결과, 수율을 향상시켜, 고품질의 FOWLP나 FOPLP를 제조하는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
(실시예)
이하, 실시예 및 시험예 등을 나타냄에 의해 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 시험예 등에 하등 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 제1 지지 시트의 제작
아크릴산에스테르 공중합체(아크릴산2-에틸헥실 92.8질량%와, 아크릴산2-히드록시에틸 7.0질량%와, 아크릴산 0.2질량%와의 공중합체) 40질량부와, 점착부여제로서의 양 말단 수산기 수소화폴리부타디엔(니혼소다샤제, 제품명 「GI-1000」) 5질량부와, 가교제로서의 헥사메틸렌디이소시아네이트를 갖는 지방족계 이소시아네이트(니혼폴리우레탄고교샤제, 제품명 「코로네이트HX」) 3.5질량부를, 메틸에틸케톤 중에서 혼합하여, 고형분 농도가 30질량%인 점착제 조성물의 도공액을 조제했다.
다음으로, 조제한 점착제 조성물의 도공액을, 롤 코터를 사용해서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리층에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET382150」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면에 도포하고, 90℃ 및 90초간의 가열을 행하고, 계속해서 115℃ 및 90초간의 가열을 행함으로써 도막을 건조시킨 후, 지지 기재로서의 투명 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보샤제, 제품명 「PET50A-4300」, 두께 : 50㎛, 유리 전이 온도 Tg : 67℃, MD 방향 열수축률 : 1.2%, CD 방향 열수축률 : 0.6%)의 편면에 첩합함으로써, 두께 50㎛의 아크릴계 점착제로 이루어지는 점착제층과 지지 기재로 이루어지는 제1 지지 시트를, 당해 점착제층측의 면에 박리 필름이 적층된 상태로 제작했다.
또, 얻어진 점착제층의 100℃에 있어서의, 측정 주파수를 1Hz로 했을 때의 저장 탄성률은, 2.36×105Pa이었다. 또한, 얻어진 제1 지지 시트의 동박에 대한 점착력은, 1.2N/25㎜였다. 또한, 제1 지지 시트의 폴리이미드 필름에 대한 점착력은, 1.1N/25㎜였다. 또한, 점착제층의 5% 중량 감소 온도는, 304℃였다. 이들 물성값은, 이하의 방법에 의해 측정한 것이다.
(저장 탄성률의 측정)
두께의 합계가 3㎜로 될 때까지 적층한 점착제층에 대하여, 직경 8㎜의 원주체(두께 3㎜)를 펀칭하여, 이것을 샘플로 했다. 당해 샘플에 대하여, JIS K7244-6:1999에 준거하여, 점탄성 측정기(REOMETRIC사제, 제품명 「DYNAMIC ANALYZER」)를 사용해서 비틀림 전단법에 의해, 측정 주파수 : 1Hz 및 측정 온도 : 100℃의 조건에서 저장 탄성률(Pa)을 측정했다.
(동박 및 폴리이미드 필름에 대한 점착력)
제1 지지 시트를 길이 100㎜, 폭 25㎜로 재단하고, 박리 필름을 박리한 것을 시험편으로 하고, 동박에 대하여 0.5MPa, 50℃에서 20분 가압해서 첩부한 후, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열하고, 그 후, 표준 환경 하(23℃, 50% RH)에서 24시간 방치했다. 그 후, 표준 환경 하(23℃, 50% RH)에서, 인장 시험기(시마즈세이사쿠죠샤제, 제품명 「오토그래프 AG-IS」)를 사용해서 180°의 박리 각도, 300㎜/분의 박리 속도로 제1 지지 시트를 동박으로부터 박리하여, 점착력(mN/25㎜)을 측정했다. 또한, 상술한 폴리이미드 필름에 대한 점착력은, 제1 지지 시트를 첩부하는 대상을, 동박으로부터 폴리이미드 필름으로 변경하는 이외는, 상기와 마찬가지의 점착력의 측정 방법에 의해 측정했다.
(5% 중량 감소 온도의 측정)
점착제층에 대하여, 시차열·열중량 동시 측정 장치(시마즈세이사쿠죠샤제, 제품명 「DTG-60」)를 사용하여, 유입 가스를 질소로 해서, 가스 유입 속도 100ml/min, 승온 속도 20℃/min으로, 40℃ 내지 550℃까지 승온시켜서 열중량 측정을 행했다(JIS K7120 「플라스틱의 열중량 측정 방법」에 준거). 얻어진 열중량 곡선에 의거해서, 온도 100℃에서의 질량에 대해서 질량이 5% 감소하는 온도(5% 중량 감소 온도)를 구했다.
(2) 경화성 수지 조성물층의 형성
열가소성 수지로서의 비스페놀A형 페녹시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER1256」) 5.1질량부(고형분 환산, 이하 같다)와, 열경화성 수지로서의 비스페놀A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER828」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠샤제, 제품명 「NC-3000-L」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC샤제, 제품명 「HP-4700」) 4.1질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 페놀(메이와가세이샤제, 제품명 「MEHC-7851-SS」) 14.1질량부와, 이미다졸계 경화 촉매로서의 2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠가세이샤제, 제품명 「2E4MZ」) 0.1질량부와, 무기 미립자로서의 에폭시실란 처리 실리카 필러〔실리카 필러(아드마텍스샤제, 제품명 「SO-C2」, 평균 입경 : 0.5㎛, 최대 입경 : 2㎛, 형상 : 구상)를 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에쓰가가쿠샤제, 제품명 「KBM-403」, 최소 피복 면적 : 330㎡/g)을 사용해서 표면 처리한 것〕 65질량부를, 메틸에틸케톤 중에서 혼합해서, 고형분 농도가 40질량%인 수지 조성물의 도공액을 얻었다.
상술한 바와 같이 얻어진 도공액을, 제2 지지 시트로서의, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 알키드계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38AL-5」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면에 도포하고, 얻어진 도막을 건조함으로써, 두께 200㎛의 경화성 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 적층체를 얻었다.
(3) 수지 시트의 제작
상기 공정(1)에 있어서 제작한 제1 지지 시트로부터 박리 필름을 박리하고, 노출한 점착제층의 노출면과, 상기 공정(2)에 있어서 제작한 적층체에 있어서의 경화성 수지 조성물층측의 면을 첩합함으로써, 제1 지지 시트와, 경화성 수지 조성물층과, 제2 지지 시트가 순서대로 적층되어 이루어지는 수지 시트를 얻었다.
〔실시예 2〕
제2 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 비실리콘계 박리층에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET38X」, 두께 : 38㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.
〔비교예 1〕
제1 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET3811」, 두께 : 38㎛)을 사용하여, 제2 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 : 38㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.
〔비교예 2〕
제1 지지 시트로서, 양면이 박리제에 의해 박리 처리되어 있지 않은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 : 38㎛)을 사용함과 함께, 제2 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 : 38㎛)을 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.
〔시험예 1〕(열경화 후의 박리성의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 500㎜×400㎜의 사이즈로 재단했다. 그 후, 수지 시트로부터 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 경화성 수지 조성물층을, 동판에 적층한 후, 100℃에서 30분간 가열하고, 추가로 180℃에서 60분간 가열함으로써 경화성 수지 조성물층을 경화했다. 그 후, 경화성 수지 조성물층이 경화해서 이루어지는 경화층을 실온까지 냉각한 후, 당해 경화층으로부터 제1 지지 시트를 박리했다. 이때의 박리의 상황에 대하여, 이하의 기준에 의거해서 열경화 후의 박리성을 평가했다. 결과를, 표 1에 나타낸다.
A : 제1 지지 시트를 박리할 수 있었음
B : 제1 지지 시트를 박리할 수 없었음
〔시험예 2〕(보관 시의 들뜸의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 500㎜×400㎜의 사이즈로 재단하고, 5℃의 환경 하에서 1주간 보관한 후, 경화성 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생, 및 경화성 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 확인하고, 이하의 기준에 의거해서 보관 시의 들뜸을 평가했다. 결과를, 표 1에 나타낸다.
A : 경화성 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 경화성 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽에 있어서 들뜸이 발생하여 있지 않음
AB : 경화성 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸은 발생하여 있지 않지만, 경화성 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면에 들뜸이 발생하여 있음
B : 경화성 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 경화성 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽으로 들뜸이 발생하여 있다.
〔시험예 3〕(박리력의 측정)
실시예 1 및 2에서 제조한 수지 시트에 대하여, 하기의 방법으로, 제1 지지 시트를 경화 전의 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력(F11), 제1 지지 시트를, 수지 조성물층을 열경화해서 이루어지는 경화층으로부터 박리할 때의 박리력(F12), 및 제2 지지 시트를 경화 전의 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력(F2)를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 박리력(F11)의 측정
실시예 1 및 2에서 제조한 수지 시트를 폭 25㎜, 길이 250㎜로 컷했다. 다음으로, 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 경화성 수지 조성물층의 노출면을 스테인리스 스틸판에 양면 테이프로 첩합해서 측정 샘플을 제작했다. 다음으로, JIS Z 0237;2009에 의거해, 만능 인장 시험기(시마즈세이사쿠죠샤제 오토그래프)를 사용해서, 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에 있어서, 박리 속도 300㎜/분, 박리 각도 180°로 제1 지지 시트를 경화성 수지 조성물층으로부터 박리해서, 그 박리력(N/25㎜)을 측정하여, 박리력(F11)으로 했다.
(2) 박리력(F12)의 측정
상기 (1)과 마찬가지로 해서 제작한 측정 샘플을, 100℃에서 30분간 가열하고, 추가로 180℃에서 60분간 가열함으로써 경화성 수지 조성물층을 경화했다. 그 후, 경화성 수지 조성물층이 경화해서 이루어지는 경화층을 실온까지 냉각했다. 냉각 후의 측정 샘플에 대하여, 상기 (1)과 마찬가지로 해서 박리력(N/25㎜)을 측정하여, 박리력(F12)으로 했다.
(3) 박리력(F2)의 측정
실시예 1 및 2에서 제조한 수지 시트를 폭 100㎜, 길이 100㎜로 컷했다. 다음으로, JIS K6854-3:1999에 의거해, 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에 있어서, 박리 속도 300㎜/분으로 T형 박리로, 제2 지지 시트를 경화성 수지 조성물층으로부터 박리하고, 그때의 박리력(N/100㎜)을 측정하여, 박리력(F2)으로 했다.
[표 1]
Figure pat00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예에 따른 수지 시트에서는, 열경화 후에 있어서도, 경화층으로부터 제1 지지 시트를 양호하게 박리할 수 있었다. 또한, 실시예에 따른 수지 시트에서는, 보관 시에 있어서의 제1 지지 시트와 경화성 수지 조성물층의 사이의 들뜸의 발생이 억제되었다. 한편, 비교예 1에 따른 수지 시트는, 보관 시에 들뜸이 발생하여 있었다. 또한, 비교예 2에 따른 수지 시트는, 수지 조성물층의 열경화 후에, 형성된 경화층으로부터 지지 시트를 박리할 수 없었다.
본 발명에 따른 수지 시트는, 팬아웃형 웨이퍼 레벨 패키지나 팬아웃형 패널 레벨 패키지와 같은 반도체 장치의 제조에 호적하게 이용할 수 있다.
1 : 수지 시트
10 : 경화성 수지 조성물층
10' : 경화층
11 : 제1 지지 시트
111 : 지지 기재
112 : 점착제층
12 : 제2 지지 시트
2 : 전자 부품
4 : 봉지체
5 : 구멍
6 : 전극
8 : 가고정재
9 : 절연막

Claims (11)

  1. 전자 부품의 봉지(封止)에 사용되는 수지 시트로서,
    상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 경화성 수지 조성물층을 구비하고,
    상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고,
    상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상, 90질량% 이하이고,
    상기 무기 미립자의 평균 입경이, 0.01㎛ 이상, 3.0㎛ 이하이고,
    상기 제1 지지 시트가, 지지 기재와, 상기 지지 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비하고,
    상기 수지 조성물층이, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층측의 면 상에 적층되어 있는
    것을 특징으로 하는 수지 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물층은, 열가소성 수지를 함유하고,
    상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량은, 1.0질량% 이상, 30질량% 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층은, 아크릴계 점착제로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수지 시트를 100℃에서 30분간 가열하고, 추가로 180℃에서 60분간 가열한 수지 시트에 있어서, 상기 수지 조성물층이 경화해서 이루어지는 경화층으로부터 상기 제1 지지 시트를 박리할 때의 박리력(F12)은, 0.5N/25㎜ 이상, 3.0N/25㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층은, 100℃에 있어서의, 측정 주파수를 1Hz로 했을 때의 저장 탄성률이 1×105Pa 이상인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 시트는,
    상기 점착제층면을 동박에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후에 있어서의, 상기 동박에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하이고,
    상기 점착제층면을 폴리이미드 필름에 첩착시키고, 100℃ 및 30분간의 조건에서 가열하고, 계속해서 180℃ 및 60분간의 조건에서 가열한 후에 있어서의, 상기 폴리이미드 필름에 대한 실온에서의 점착력이, 0.7N/25㎜ 이상, 2.0N/25㎜ 이하인
    것을 특징으로 하는 수지 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 점착제층은, 5% 중량 감소 온도가 250℃ 이상인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기재는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재인 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 수지 시트는, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 사용 방법으로서,
    상기 수지 조성물층을 경화해서, 경화층을 얻는 공정과,
    상기 수지 조성물층의 경화 후에, 상기 경화층으로부터 상기 제1 지지 시트를 박리하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트의 사용 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081328A (ko) * 2019-10-31 2022-06-15 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 가고정용 수지 조성물, 기판 반송용 서포트 테이프 및 전자 기기 장치의 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7320772B2 (ja) 2019-03-08 2023-08-04 大塚テクノ株式会社 電気刺激治療用導子および電気刺激治療器
JP7458374B2 (ja) * 2019-03-26 2024-03-29 リンテック株式会社 剥離シート
CN112011296A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 大和产业科技有限公司 感压胶组合物及包含该组合物的感压胶

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015126133A (ja) 2013-12-26 2015-07-06 日東電工株式会社 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2016096308A (ja) 2014-11-17 2016-05-26 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5961015B2 (ja) * 2012-03-06 2016-08-02 日東電工株式会社 アンダーフィル材及び半導体装置の製造方法
JP5301023B2 (ja) * 2012-11-01 2013-09-25 リンテック株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP6222941B2 (ja) * 2013-02-21 2017-11-01 日東電工株式会社 アンダーフィルシート、裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート、ダイシングテープ一体型アンダーフィルシート及び半導体装置の製造方法
JP6157890B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法
JP2014210880A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
WO2017038913A1 (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 リンテック株式会社 粘着シート及び半導体装置の製造方法
TWI641494B (zh) * 2015-11-04 2018-11-21 日商琳得科股份有限公司 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法
JP2017088758A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 リンテック株式会社 接着シート

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015126133A (ja) 2013-12-26 2015-07-06 日東電工株式会社 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2016096308A (ja) 2014-11-17 2016-05-26 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081328A (ko) * 2019-10-31 2022-06-15 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 가고정용 수지 조성물, 기판 반송용 서포트 테이프 및 전자 기기 장치의 제조 방법

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