KR102645370B1 - 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트에 관한 것이다. 상기 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트는, 기재층; 상기 기재층의 일측에 형성되는 제1 접착제층; 및 상기 기재층의 타측에 형성되는 제2 접착제층을 포함하고, 피착체에 접착되어 150 ℃에서 4 시간 가열된 후 박리되며, 상기 제1 접착제층으로부터 피착체의 계면에 전이된 실리콘 전이량은 ≤ 0.01g/m2이다. 본 발명의 내열성 감압 접착 시트는 반도체 소자의 리드리스 패키징에서 칩을 임시 고정하기 위해 사용된다.

Description

반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트{HEAT-RESISTANT PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트 및 상기 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 사용하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어 대규모 집적 회로의 조립 기술에서 리드리스 패키징(예를 들면, 쿼드 플랫 리드리스 패키징(QFN: Quad Flat No-lead Package), 리드리스 칩 캐리어(LCC: Leadless Chip Carriers))는 소형화 및 고집적화 방면에서 특히 각광을 받고 있는 반도체 소자 패키징 형식 중 하나이다.
최근 리드리스 패키징에 있어서, 복수의 반도체 소자에서 전극을 구비한 일측의 계면을 내열성 감압 접착 시트에 가지런히 합지시키고, 금형의 캐비티 내에서 밀봉 수지와 함께 밀봉한 후 가열 및 경화시키고 수지를 상응한 크기로 절단하며 접착 시트를 제거하여 단일 반도체 소자를 획득함으로써 생산성을 향상시키는 제조 방법이 각광을 받고 있다.
상기 복수의 반도체 소자를 함께 밀봉시키는 제조 방법에 있어서, 수지 밀봉 시 수지가 반도체 소자의 전극 측으로 침투되는 것을 억제하는 것이 매우 어려우므로 반도체 소자 전극이 수지에 피복되는 문제가 발생되기 쉽다.
이 밖에, 내열성 감압 접착 시트로서 밀봉 수지의 침투를 방지해야 할 뿐더러 접착 시트 박리 후 접착제가 반도체 소자에 잔류하지 못하도록 해야 하며 수지가 경화될 경우 고열에 견뎌야 한다. 상기 요구를 충족시키는 접착 시트로서 내열성 접착 시트(특허문헌 1)가 개발되었는데 특허문헌 1에 따른 반도체 장치 제조용 내열성 접착 테이프는 아크릴산계 접착제를 사용하여 밀봉 수지의 침투 및 칩에 접착제가 잔류하는 문제를 해결한다.
CN101186792A
그러나, 특허문헌 1에 따른 반도체 장치 제조용 내열성 접착 테이프는 장시간 고온 가열이 필요한 공정에 사용 시 기포가 발생되어 칩 전극을 오염시키고 접착제가 피착체에 잔류하는 상황을 초래한다.
유기 규소계 접착제는 양호한 내열성 및 내후성을 구비하나 제조 과정에서 실리콘 오일은 완전 배합비의 콜로이드화로 되기 어렵고, 잔류하는 실리콘 오일 성분이 많으며 비 콜로이드화 실리콘 오일은 콜로이드와의 접착이 견고하지 못하여 접착층 계면(이하 "실리콘 전이"라고 지칭함)에 쉽게 전이되므로, 반도체 소자 생산 과정에서 반도체 소자 전극이 오염되어 신뢰성 저하 등 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은, 우수한 내열성을 구비하여 피착체에 인가된 후 150 ℃ 온도에서 4 시간 가열하는 단계를 거친 후에도 여전히 용융 변형되지 않을 뿐더러 접착력이 현저히 증가되지 않으므로, 패키징 과정에서 반도체 소자의 위치 오프셋을 방지할 수 있고 박리 후 접착제층으로부터 피착체 계면에 전이된 실리콘 전이량이 적으므로 수지의 침투도 방지할 수 있으며 박리 후 반도체 소자에 접착제가 잔류하지 않는 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 본 발명의 내열성 감압 접착 시트를 반도체 소자의 생산에 사용하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명인들은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 내열성 감압 접착 시트의 물성, 재료, 두께 등에 대해 장시간 깊이 연구한 결과, 제1 접착제층으로부터 피착체 계면으로 전이되는 실리콘 전이량을 제어함으로써 우수한 내열성을 가지고 장시간의 가열 단계를 거친 후에도 여전히 만족스러운 접착력을 획득할 수 있으며 사용 후 박리가 용이하고 피착체에 접착제 잔류로 인한 오염이 발생되지 않는 내열성 감압 접착 시트를 제공할 수 있음을 발견함으로써 본 발명을 완성시켰다.
즉 본 발명은, 기재층; 상기 기재층의 일측에 형성되는 제1 접착제층; 및 상기 기재층의 타측에 형성되는 제2 접착제층을 포함하고, 피착체에 접착되어 150 ℃에서 4 시간 가열된 후 박리되며, 상기 제1 접착제층으로부터 피착체의 계면에 전이된 실리콘 전이량은 ≤ 0.01g/m2인 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 제공한다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층 및 제2 접착제층은 유기 규소계 접착제를 포함한다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 180° 박리 접착력은 0.1 ~ 2 N/20 mm이다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력은 0.2 ~ 3 N/20 mm이다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 저장 탄성률(storage modulus)은 0.6 × 105 ~ 1.7 × 105 Pa이다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 0.8 × 105 Pa이다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층의 접착제의 겔 분율(gel fraction)은 50 ~ 70 %이고, 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 2,000 ~ 5,000이다.
일 실시형태에 있어서, 제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 15° 박리 접착력은 2 ~ 100 N/20 mm이다.
일 실시형태에 있어서, 제2 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력은 3 ~ 130 N/20 mm이다.
일 실시형태에 있어서, 제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 저장 탄성률은 0.8 × 105 ~ 2.5 × 105 Pa이다.
일 실시형태에 있어서, 제2 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 1.6 × 105 Pa이다.
일 실시형태에 있어서, 제2 접착제층의 접착제의 겔 분율은 40 ~ 90 %이고, 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 2,000 ~ 6,000이다.
일 실시형태에 있어서, 기재층은 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리페닐렌 설파이드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에테르케톤(PEK) 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필름, 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE) 필름, 플루오로화에틸렌프로필렌(FEP) 필름, 폴리비닐리덴디플루오라이드(PVDF) 필름, 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 필름, 또는 에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비가 1:1인 교대 공중합체 필름에서 선택된다.
일 실시형태에 있어서, 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트는 제1 이형 필름 및 제2 이형 필름을 더 포함하고, 제1 이형 필름은 제1 접착제층에서 기재층과 상반되는 일측에 설치되며, 제2 이형 필름은 제2 접착제층에서 기재층과 상반되는 일측에 설치된다.
일 실시형태에 있어서, 제1 접착제층 또는 제2 접착제층의 두께는 5 ~ 50 ㎛이다.
이 밖에, 본 발명은 또한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 반도체 소자의 제조 방법은 상기 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 사용하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 장시간의 가열 단계를 거친 후에도 여전히 만족스러운 접착력을 획득할 수 있고, 고온에서 장시간의 가열 단계를 거친 후에도 박리가 용이하며 피착체 계면에 접착제 잔류로 인한 오염이 발생되지 않으므로 제품의 수율 및 신뢰성을 현저히 향상시키는 우수한 내열성을 구비하는 감압 접착 시트를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 단면 모식도이다.
도 3은 실시예 1의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층과 칩 전극 간의 접촉면의 외관 평가를 도시한 도면이다.
도 4는 실시예 4의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층과 칩 전극 간의 접촉면의 외관 평가를 도시한 도면이다.
도 5는 비교예 1의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층과 칩 전극 간의 접촉면의 외관 평가를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 자세히 설명하나 본 발명은 하기 실시형태에 한정되지 않는다.
<<반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트>>
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 단면 모식도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트(1)는, 기재층(10); 기재층(10)의 일측에 형성되는 제1 접착제층(20); 및 기재층(10)의 타측에 형성되는 제2 접착제층(30)을 포함한다. 반도체 소자 생산 과정에서 제1 접착제층(20)은 반도체 소자의 전극 측을 접착시키기 위한 것이고, 제2 접착제층(30)은 기판을 접착시키기 위한 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 단면 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트(1)는, 기재층(10); 기재층(10)의 일측에 형성되는 제1 접착제층(20); 제1 접착제층(20)에 형성되는 제1 이형 필름(40); 기재층(10)의 타측에 형성되는 제2 접착제층(30); 및 제2 접착제층(30)에 형성되는 제2 이형 필름(50)을 포함한다.
본 명세서에서 언급되는 접착 시트의 개념은 접착 테이프, 접착 라벨, 접착 필름 등으로 불리우는 물체를 포함할 수 있다. 설명해야 할 것은, 본 명세서에 개시된 접착 시트는 단일 시트 형상일 수 있고, 다양한 형상으로 추가 가공된 접착 시트일 수도 있다.
<기재층>
기재층 재료의 종류는 특별히 한정되지 않으나 바람직하게는 수지로 밀봉하는 경우의 가열 조건에서 내열성을 구비하는 기재층을 사용하고, 수지 밀봉 단계는 일반적으로 약 150 ~ 180 ℃의 온도를 필요로 한다. 따라서, 본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 기재층은 상기 가열 조건을 만족시키는 내열성 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
기재층의 구현예로서 내열성 플라스틱 필름을 포함한다. 이러한 내열성 플라스틱 필름으로서, 예를 들어 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리페닐렌 설파이드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에테르케톤(PEK) 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필름, 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE) 필름, 플루오로화에틸렌프로필렌(FEP) 필름, 폴리비닐리덴디플루오라이드(PVDF) 필름, 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 필름,, 에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비가 1:1인 교대 공중합체 필름 등이 바람직하다. 이러한 재료는 단독으로 사용하거나 2 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
내열성 기재층으로서 종이 기재, 예를 들어 셀로판지, 고품질 종이 및 일본 종이를 사용할 수도 있고; 부직포 기재, 예를 들어 셀룰로오스, 폴리아미드, 폴리에스테르 및 방향족 폴리아미드를 사용할 수 있으며; 금속 호일 기재, 예를 들어 알루미늄 호일, SUS 호일 및 Ni 호일을 사용할 수 있다. 이 밖에, 적층이 가능한 재료 역시 기재층으로서 사용될 수 있다.
기재층의 두께는 특별히 한정되지 않고 접착 시트의 용도 등에 따라 적절한 두께로 설정이 가능하다. 기재층의 두께는 바람직하게는 10 ~ 200 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 25 ~ 100 ㎛이다. 기재층의 두께가 상기 범위 내에 포함되는 경우 내열성 감압 접착 시트가 절곡되고 찢어지는 것을 방지할 수 있고, 기재층의 두께가 10 ㎛ 미만인 경우, 박리 시 쉽게 파단 또는 균열되며, 기재층의 두께가 200 ㎛ 초과인 경우, 비용 상승이 야기된다.
본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 접착성을 향상시키기 위해 기재층의 계면에 크롬산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고전압 충격 노출, 또는 전리 방사 처리 등 화학적 또는 물리적 산화 처리와 같은 공지되었거나 일반적인 계면 처리를 적절히 수행할 수 있다. 이 밖에, 초벌칠 또는 이소시아네이트 앵커제와 같은 앵커 코팅층으로 기재층의 계면에 대해 코팅층 처리를 수행할 수 있다.
<접착제층>
본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트에서, 반도체 소자 전극 측의 제1 접착제층은 바람직하게는 유기 규소계 접착제층이 되도록 한다. 기재층의 타측에 위치하는 제2 접착제층은 유기 규소계 접착제층이거나 다른 내열성 접착제층일 수 있다.
(제1 접착제층)
본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층은 피착체에 접착되어 150 ℃에서 4 시간 가열된 후 박리되고, 제1 접착제층으로부터 피착체의 계면에 전이된 실리콘 전이량은 ≤ 0.01g/m2이며, 바람직하게는 ≤ 0.008g/m2이고, 더욱 바람직하게는 ≤ 0.006g/m2이다. 실리콘 전이량이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 장시간 가열하여 사용한 후에도 박리가 용이하며, 피착체에 실리콘으로 인한 오염이 발생되지 않는다. 실리콘 전이량이 상기 값보다 큰 경우, 반도체 소자 전극이 오염되어 패키징 후 반도체 소자의 신뢰성이 저하되고 전극 측 외관의 불량이 발생하며 사용 후 박리가 어렵다.
피착체는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 스테인레스강 (예를 들면, SUS: 304, 430 등), 금, 은, 백금, 금 - 주석 합금, 티타늄 - 알루미늄 합금 등일 수 있다.
본 발명의 제1 접착제층은 접착성 및 내열성을 갖는 한 특별히 한정되지 않으나 유기 규소계 접착제를 함유하는 접착제 조성물로 형성된 유기 규소계 접착제층인 것이 바람직하다.
유기 규소계 접착제층을 구성하는 유기 규소계 접착제로서 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 범위 내에서 임의의 적절한 접착제를 사용할 수 있다. 상기 유기 규소계 접착제로서, 예를 들어 오르가노폴리실록산을 함유하는 유기 실리콘 고무 또는 유기 실리콘 수지 등을 베이스 폴리머로 하는 유기 규소계 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 유기 규소계 접착제를 구성하는 베이스 폴리머로서, 상기 유기 실리콘 고무 또는 유기 실리콘 수지를 가교하여 획득한 베이스 폴리머를 사용할 수도 있다. 설명해야 할 것은, 본 명세서에서, "유기 실리콘 고무"와 "유기 실리콘 수지"의 차이점은 "기술정보협회 접착제(필름·테이프)의 재료 설계 및 기능성 부여 제1판 2009년 9월 30일 제 222 ~ 228 페이지"에 기반한다. 즉, "유기 실리콘 고무"는 디오르가노실록산(D 단위)으로 구성된 직쇄 구조의 유기 실리콘을 의미하고, "유기 실리콘 수지"는 트리오르가노실록산(M 단위)과 규산염(Q 단위)을 포함하는 측쇄 구조를 갖는 유기 실리콘을 의미한다.
상기 유기 실리콘 고무로서, 예를 들면 디메틸실록산을 구조 단위로서 포함하는 오르가노폴리실록산 등일 수 있다. 오르가노폴리실록산에서 필요에 따라 관능기(예를 들면, 비닐기)를 도입할 수 있다.
상기 유기 실리콘 수지로서, 예를 들어 R3SiO1/2 구조 단위, SiO2 구조 단위, RSiO3/2 구조 단위 및 R2SiO 구조 단위에서 선택되는 적어도 하나의 구조 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산(R은 1가의 알킬기 또는 수산기)일 수 있다.
상기 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지는 조합하여 사용할 수 있다. 유기 규소계 접착제 중의 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비(고무: 수지)는 바람직하게는 30: 70 ~ 20: 80이고, 더욱 바람직하게는 30: 70 ~ 23: 77이다. 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비가 상기 범위 내에 포함되는 경우, 우수한 점성 및 유지력을 획득할 수 있고, 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비가 상기 범위 내에 포함되지 않으면, 점성이 낮아져 쉽게 탈락하거나 접착력이 너무 높아 박리가 어렵거나 박리가 불가능해진다.
유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지는 간단한 혼합물 형태로 유기 규소계 접착제에 함유되거나 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지를 부분적으로 축합시키는 방식으로 유기 규소계 접착제에 함유될 수 있다. 설명해야 할 것은, 유기 규소계 접착제 중의 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비는 29Si- NMR 측정을 이용하여 Q 단위와 D 단위의 피크 면적비(유기 실리콘 고무: 유기 실리콘 수지 = D 단위: Q 단위)에 근거하여 구할 수 있다.
상기 접착제는 필요에 따라 임의의 적절한 첨가제를 함유할 수 있다. 상기 첨가제로서, 예를 들어 촉매, 가교제, 증점제, 가소제, 안료, 염료, 충진제, 노화 방지제, 도전재료, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조절제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 항산화제 등일 수 있다.
촉매로서 임의의 적절한 촉매를 사용할 수 있다. 촉매의 구체적인 예로서, 예를 들어 백금 촉매 등일 수 있고, 촉매는 시판품 또는 이를 가공한 후의 가공품을 사용할 수 있으며, 촉매의 첨가량은 특별히 한정되지 않으며 접착제층의 성능 등에 따라 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 유기 실리콘 고무 및 유기 실리콘 수지의 100 중량부의 총 함량에 대해, 바람직하게는 1 ~ 10 중량부이고, 더욱 바람직하게는 2 ~ 5 중량부이다.
가교제로서, 예를 들어 실록산계 가교제, 과산화물계 가교제 등일 수 있고, 과산화물계 가교제로서, 예를 들어 벤조일퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥시벤조에이트, 디쿠밀퍼옥사이드 등일 수 있으며, 실록산계 가교제로서, 예를 들어 폴리오가노하이드로겐실록산 등일 수 있다. 상기 폴리오가노하이드로겐실록산은 바람직하게 실리콘 원자와 결합된 2 개 이상의 수소 원자를 갖는다. 이 밖에, 상기 폴리오가노하이드로겐실록산은 실리콘 원자와 결합된 관능기로서, 알킬기, 페닐기, 할로알킬기를 갖는 것이 바람직하고, 합성 및 처리의 용이성으로부터 보면 메틸기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.
가교제의 첨가량은 특별히 한정되지 않으며 목표 접착력, 접착제층의 성능 등에 따라 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 유기 실리콘 고무 및 유기 실리콘 수지의 100 중량부의 총 함량에 대해, 바람직하게는 1 ~ 10 중량부이고, 더욱 바람직하게는 1.5 ~ 5 중량부이다.
증점제로서 예를 들어 점착 부여 수지와 같은 임의의 적절한 증점제를 사용할 수 있다. 점착 부여 수지의 구체적인 예로서, 로진계 점착 부여 수지(예를 들면, 미 개질 로진, 개질 로진, 로진페놀계 수지, 로진에스테르계 수지 등), 테르펜계 점착 부여 수지(예를 들면, 테르펜계 수지, 테르펜페놀계 수지, 스티렌 변성 테르펜계 수지, 방향족 변성 테르펜계 수지, 수소화 테르펜계 수지), 탄화수소계 점착 부여 수지(예를 들면, 지방족계 탄화수소 수지, 지방족계 환상 탄화수소 수지, 방향족계 탄화수소 수지(예를 들면, 스티렌계 수지, 크실렌계 수지 등), 지방족·방향족계 석유 수지, 지방족·지환족계 석유 수지, 수소화 탄화수소 수지, 쿠마론계 수지, 쿠마론옥심계 수지 등), 페놀계 점착 부여 수지(예를 들면, 알킬기페놀계 수지, 크실렌포름알데히드계 수지, 페놀계 레졸 수지, 페놀계 바니쉬(varnish) 등), 케톤계 점착 부여 수지, 폴리아미드계 점착 부여 수지, 에폭시계 점착 부여 수지, 엘마스토머 점착 부여 수지 등일 수 있다. 증점제는 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 가소제로서 임의의 적절한 가소제를 사용할 수 있는데 가소제의 구체적인 예로서, 예를 들어, 트리멜리테이트계 가소제, 피로멜리테이트계 가소제, 폴리에스테르계 가소제, 아디프산계 가소제 등일 수 있다. 가소제는 단독으로 사용되거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
내열성 감압 접착 시트의 내반발성을 향상시키는 측면에서 고려해보면, 제1 접착제층의 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2,000 ~ 5,000이고, 더욱 바람직하게는 2,000 ~ 4,500이며, 보다 더 바람직하게는 2,000 ~ 4,000이다. 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량을 상기 범위 내로 설정함으로써 접착제가 적절한 응집 강도를 구비할 수 있어 점착 테이프의 내반발성을 향상시킬 수 있다. 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량이 2,000 미만인 경우, 접착제에 필요한 접착력을 구현할 수 없으므로 점성이 낮아지고, 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량이 5,000 이상인 경우, 접착력이 너무 크므로 박리가 어렵거나 박리가 불가능한 경우가 발생한다.
제1 접착제층에서, 접착 특성(접착력, 점성, 내구성, 유지 특성)의 균형 측면에서 고려해보면, 겔 분율은 바람직하게는 50 ~ 70 %이고, 더욱 바람직하게는 55 ~ 70 %이며, 보다 더 바람직하게는 60 ~ 70 %이다. 겔 분율이 50 % 미만인 경우, 응집력이 부족하여 박리 시 응집 파괴가 발생할 가능성이 존재하고, 일부 접착제가 피착체 계면에 잔류하게 되어 가공성이 저하되는 경우가 발생한다. 한편, 겔 분율이 70 % 이상인 경우, 점성이 부족하여 접착 요구에 도달하지 못하므로 접착 신뢰성이 저하되는 경우가 발생할 수 있다.
제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 저장 탄성률은 0.6 × 105 ~ 1.7 × 105 Pa이고, 바람직하게는 0.8 × 105 ~ 1.7 × 105 Pa이다. 상기 저장 탄성률을 갖는 제1 접착제층의 내열성 감압 접착 시트는 피착체에 대해 양호한 접착성을 나타내는 경향이 있다. 이는 내열성 감압 접착 시트의 접착 작업성(예를 들면, 작업 효율, 접착 정밀도) 등 관점에서 보면 바람직한 것이다.
제1 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 0.8 × 105 Pa이고, 바람직하게는 0.6 × 105 ~ 0.8 × 105 Pa이다. 제1 접착제층이 상기 범위 내의 저장 탄성률을 구비하는 경우, 접착성 및 작업성이 우수한 내열성 감압 접착 시트를 획득할 수 있다.
제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력은 0.1 ~ 2 N/20 mm이고, 바람직하게는 0.1 ~ 1.5 N/20 mm이다. 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력이 0.1 N/20 mm 미만인 경우, 반도체 소자의 고정성이 떨어져 제조 과정에서 접착 시트로부터 쉽게 탈락되거나 슬립되며, 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력이 2 N/20 mm 초과인 경우, 박리가 어렵거나 박리가 불가능해진다.
제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 15° 박리 접착력은 2 ~ 22 N/20 mm이고, 바람직하게는 2 ~ 10 N/20 mm이다. 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 15° 박리 접착력이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 피착체에 대한 밀착성이 향상되고 사용 후에도 쉽게 박리 가능하다.
제1 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력은 0.2 ~ 3 N/20 mm이고, 바람직하게는 0.2 ~ 2. 5 N/20 mm이며, 더욱 바람직하게는 0.2 ~ 1 N/20 mm이다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력이 0.2 N/20 mm 미만인 경우, 반도체 소자에 대한 접착성이 불충분해지므로 작업 중 반도체 소자가 쉽게 탈락되고 위치가 오프셋되거나 패키지 수지가 침투된다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력이 3 N/20 mm 초과인 경우, 박리가 어렵고, 반도체 소자가 여전히 제1 접착제층에 잔류하거나 반도체 소자의 구조가 파손되는 경우가 쉽게 발생한다.
제1 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력은 3 ~ 35 N/20 mm이고, 바람직하게는 3 ~ 25 N/20 mm이다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 적절한 접착성을 나타낼 수 있을뿐만 아니라 사용 후 박리가 어려운 현상도 방지할 수 있다.
박리 접착력에 있어서, 밀봉 수지를 패키지에 열경화시는 단계에서는 반도체 소자를 임시로 고정하고, 수지 밀봉 단계 완료 후에는 접착제층으로부터 패키지를 박리하여야 한다. 이‹š 박리 접착력이 너무 낮으면 반도체 소자의 고정성이 떨어져 제조 과정에서 쉽게 접착 시트로부터 탈락되거나 슬립되며, 접착력이 너무 높으면 박리가 어렵다. 따라서, 본 발명의 제1 접착제층의 박리 접착력은 상기 범위내에 포함되어야 한다.
저장 탄성률에 있어서, 밀봉 수지를 패키지에 열경화시는 단계에서는 반도체 소자 전극이 밀봉 수지에 의해 오염되지 않도록 보호할 필요가 있는데 저장 탄성률이 너무 높으면 접착제층과 반도체 소자 사이에 갭이 발생되고, 저장 탄성률이 너무 낮으면 반도체 소자에 오프셋이 발생된다. 따라서, 본 발명의 제1 접착제층의 저장 탄성률은 상기 범위 내에 포함되어야 한다.
이 밖에, 제1 접착제층은 낮은 열 팽창성을 가지므로, 수지로 밀봉한 후 반도체 소자 위치의 오프셋이 작아진다. 그 오프셋 정도는 0.3 mm 이하, 바람직하게는 0.1 mm 이하이다.
본 발명의 제1 접착제층의 두께는 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 임의의 적절한 두께를 적용할 수 있다. 이러한 두께로서, 바람직하게는 5 ~ 50 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 10 ~ 30 ㎛이다. 제1 접착제층의 두께가 5 ㎛ 미만인 경우, 충분한 접착성을 구현하지 못하는 우려가 존재하고, 제1 접착제층의 두께가 50 ㎛ 초과인 경우, 비용이 증가할 뿐만 아니라 접착력도 너무 커져 박리 시 피착체가 파열될 우려가 존재한다.
(제2 접착제층)
제2 접착제층의 재료로서, 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 임의의 적절한 접착제를 사용할 수 있고, 이러한 접착제를 사용하여 임의의 적절한 방법을 통해 제2 접착제층을 제조할 수 있다.
제2 접착제층을 구성하는 접착제로서, 예를 들어 유기 규소계 접착제, 아크릴산계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴산계 접착제, 천연 고무 또는 합성 고무를 베이스 폴리머로서 포함하는 고무계 접착제, 스티렌/공액디엔 블록 공중합체계 접착제, 폴리에스테르계 접착제, 폴리아미드계 접착제 등일 수 있다. 여기서, 내열성 관점으로부터 보면, 유기 규소계 접착제 및 아크릴산계 접착제를 사용하는 것이 바람직하고, 유기 규소계 접착제를 사용하는 것이 더 바람직하다.
상기 유기 규소계 접착제로서, 예를 들어 오르가노폴리실록산을 함유하는 유기 실리콘 고무 또는 유기 실리콘 수지 등을 베이스 폴리머로 하는 유기 규소계 접착제로서 사용하는 것이 바람직하다. 유기 규소계 접착제를 구성하는 베이스 폴리머로서, 상기 유기 실리콘 고무 또는 유기 실리콘 수지를 가교하여 획득한 베이스 폴리머를 사용할 수도 있다.
상기 유기 실리콘 고무로서, 예를 들면 디메틸실록산을 구조 단위로서 포함하는 오르가노폴리실록산 등일 수 있다. 오르가노폴리실록산에 필요에 따라 관능기(예를 들면, 비닐기)를 도입할 수 있다.
상기 유기 실리콘 수지로서, 예를 들어 R3SiO1/2 구조 단위, SiO2 구조 단위, RSiO3/2 구조 단위 및 R2SiO 구조 단위에서 선택되는 적어도 하나의 구조 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산(R은 1가의 알킬기 또는 수산기)일 수 있다.
상기 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지는 조합하여 사용할 수 있다. 유기 규소계 접착제 중의 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비(고무: 수지)는 바람직하게는 80: 20 ~ 20: 80이고, 더욱 바람직하게는 80: 20 ~ 50: 50이다. 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비가 상기 범위 내에 포함되는 경우, 우수한 점성 및 유지력을 획득할 수 있고, 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비가 상기 범위 내에 포함되지 않으면, 점성이 낮아져 쉽게 탈락하거나 접착력이 너무 높아 박리가 어렵거나 박리가 불가능해진다.
유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지는 간단한 혼합물 형태로 유기 규소계 접착제에 함유되거나 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지를 부분적으로 축합시키는 방식으로 유기 규소계 접착제에 함유될 수 있다. 설명해야 할 것은, 유기 규소계 접착제 중의 유기 실리콘 고무와 유기 실리콘 수지의 중량비는 29Si- NMR 측정을 이용하여 Q 단위와 D 단위의 피크 면적비(유기 실리콘 고무: 유기 실리콘 수지 = D 단위: Q 단위)에 근거하여 구할 수 있다.
상기 접착제는 필요에 따라 임의의 적절한 첨가제를 함유할 수 있다. 상기 첨가제로서, 예를 들어 촉매, 가교제, 증점제, 가소제, 안료, 염료, 충진제, 노화 방지제, 도전재료, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조절제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 항산화제 등일 수 있다.
촉매로서 임의의 적절한 촉매를 사용할 수 있다. 촉매의 구체적인 예로서, 예를 들어 백금 촉매 등일 수 있고, 촉매는 시판품 또는 이를 가공한 후의 가공품을 사용할 수 있으며, 촉매의 첨가량은 특별히 한정되지 않으며 접착제층의 성능 등에 따라 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 유기 실리콘 고무 및 유기 실리콘 수지의 100 중량부의 총 함량에 대해, 바람직하게는 1 ~ 10 중량부이고, 더욱 바람직하게는 2 ~ 5 중량부이다.
가교제로서, 예를 들어 실록산계 가교제, 과산화물계 가교제 등일 수 있고, 과산화물계 가교제로서, 예를 들어 벤조일퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥시벤조에이트, 디쿠밀퍼옥사이드 등일 수 있으며, 실록산계 가교제로서, 예를 들어 폴리오가노하이드로겐실록산 등일 수 있다. 상기 폴리오가노하이드로겐실록산은 바람직하게 실리콘 원자와 결합된 2 개 이상의 수소 원자를 갖는다. 이 밖에, 상기 폴리오가노하이드로겐실록산은 실리콘 원자와 결합된 관능기로서, 알킬기, 페닐기, 할로알킬기를 갖는 것이 바람직하고, 합성 및 처리의 용이성으로부터 보면 메틸기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.
가교제의 첨가량은 특별히 한정되지 않으며 목표 접착력, 접착제층의 성능 등에 따라 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 유기 실리콘 고무 및 유기 실리콘 수지의 100 중량부의 총 함량에 대해, 바람직하게는 1 ~ 10 중량부이고, 더욱 바람직하게는 1.5 ~ 5 중량부이다.
증점제로서 예를 들어 점착 부여 수지와 같은 임의의 적절한 증점제를 사용할 수 있다. 점착 부여 수지의 구체적인 예로서, 로진계 점착 부여 수지(예를 들면, 미 개질 로진, 개질 로진, 로진페놀계 수지, 로진에스테르계 수지 등), 테르펜계 점착 부여 수지(예를 들면, 테르펜계 수지, 테르펜페놀계 수지, 스티렌 변성 테르펜계 수지, 방향족 변성 테르펜계 수지, 수소화 테르펜계 수지), 탄화수소계 점착 부여 수지(예를 들면, 지방족계 탄화수소 수지, 지방족계 환상 탄화수소 수지, 방향족계 탄화수소 수지(예를 들면, 스티렌계 수지, 크실렌계 수지 등), 지방족·방향족계 석유 수지, 지방족·지환족계 석유 수지, 수소화 탄화수소 수지, 쿠마론계 수지, 쿠마론옥심계 수지 등), 페놀계 점착 부여 수지(예를 들면, 알킬기페놀계 수지, 크실렌포름알데히드계 수지, 페놀계 레졸 수지, 페놀계 바니쉬(varnish) 등), 케톤계 점착 부여 수지, 폴리아미드계 점착 부여 수지, 에폭시계 점착 부여 수지, 엘마스토머 점착 부여 수지 등일 수 있다. 증점제는 단독으로 사용되거나 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 가소제로서 임의의 적절한 가소제를 사용할 수 있는데 가소제의 구체적인 예로서, 예를 들어, 트리멜리테이트계 가소제, 피로멜리테이트계 가소제, 폴리에스테르계 가소제, 아디프산계 가소제 등일 수 있다. 가소제는 단독으로 사용되거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
내열성 감압 접착 시트의 내반발성을 향상시키는 측면에서 고려해보면, 제2 접착제층의 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 2,000 ~ 6,000이고, 바람직하게는 2,000 ~ 5,000이며, 더욱 바람직하게는 3,000 ~ 5,000이다. 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량을 상기 범위 내로 설정함으로써 접착제가 적절한 응집 강도를 구비할 수 있어 점착 테이프의 내반발성을 향상시킬 수 있다. 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량이 상기 범위 내에 포함되지 않는 경우, 접착제에 필요한 접착력을 구현할 수 없거나 접착력이 너무 크므로 박리가 어렵거나 박리가 불가능해지는 경우가 발생한다.
제2 접착제층에서, 겔 분율은 바람직하게는 40 ~ 90 %이고, 바람직하게는 50 ~ 90 %이며, 보다 더 바람직하게는 60 ~ 90 %이다. 겔 분율이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 충분한 점성을 유지할 수 있고 박리 시 우수한 박리성을 나타낼 수 있으며 피착체에 접착제 잔류로 인한 오염이 발생되지 않고 우수한 작업성을 구현할 수 있다.
제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 저장 탄성률은 0.8 × 105 ~ 2. 5 × 105 Pa이고, 바람직하게는 1 × 105 ~ 2. 5 × 105 Pa이다. 상기 저장 탄성률을 갖는 제2 접착제층의 내열성 감압 접착 시트는 피착체에 대해 양호한 접착성을 나타내는 경향이 있다. 이는 내열성 감압 접착 시트의 접착 작업성(예를 들면, 작업 효율, 접착 정밀도) 등 관점에서 보면 바람직한 것이다.
제2 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 1.6 × 105 Pa이고, 바람직하게는 0.6 × 105 ~ 1.6 × 105 Pa이다. 제2 접착제층이 상기 범위 내의 저장 탄성률을 구비하는 경우, 접착성 및 작업성이 우수한 내열성 감압 접착 시트를 획득할 수 있다.
제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력은 0.1 ~ 8 N/20 mm이고, 바람직하게는 0.1 ~ 2 N/20 mm이다. 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력이 0.1 N/20 mm 미만인 경우, 기판과의 접착성이 떨어져 제조 과정에서 기판으로부터 쉽게 쉽게 탈락되거나 슬립되며. 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 180° 박리 접착력이 8 N/20 mm 초과인 경우, 박리가 어렵거나 박리가 불가능해진다.
제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 15° 박리 접착력은 2 ~ 100 N/20 mm이고, 바람직하게는 2 ~ 50 N/20 mm이며, 더욱 바람직하게는 2 ~ 22 N/20 mm이다. 20 ~ 25 ℃(바람직하게는 23 ℃)에서의 15° 박리 접착력이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 피착체에 대한 밀착성이 향상되고 사용 후에도 쉽게 박리 가능하다.
제2 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력은 0.2 ~ 10 N/20 mm이고, 바람직하게는 0.2 ~ 3 N/20 mm이다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력이 0.2 N/20 mm 미만인 경우, 접착성이 불충분해지므로 작업 중 쉽게 탈락되고 위치가 오프셋된다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력이 10 N/20 mm초과인 경우, 박리가 어렵거나 박리가 불가능해진다.
제2 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력은 3 ~ 130 N/20 mm이고, 바람직하게는 3 ~ 100 N/20 mm이며, 더욱 바람직하게는 3 ~ 41 N/20 mm이다. 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 적절한 접착성을 나타낼 수 있을뿐만 아니라 사용 후 박리가 어려운 현상도 방지할 수 있다.
제2 접착제층의 두께는 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 임의의 적절한 두께를 적용할 수 있다. 이러한 두께로서, 바람직하게는 5 ~ 50 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 10 ~ 30 ㎛이다. 제2 접착제층의 두께 5 ㎛ 미만인 경우, 충분한 접착성을 구현하지 못하는 우려가 존재하고, 제2 접착제층의 두께가 50 ㎛ 초과인 경우, 비용이 증가할 뿐만 아니라 접착력도 너무 커져 박리 시 피착체가 파열될 우려가 존재한다.
<이형 필름>
본 발명의 내열성 감압 접착 시트는 필요에 따라 이형 필름을 더 구비할 수 있다. 이형 필름에서 적어도 일측의 면은 박리면으로 형성되고, 본 발명의 접착제층을 보호하기 위해 설치될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 내열성 감압 접착 시트는 제1 이형 필름 및 제2 이형 필름을 포함하고, 제1 이형 필름은 제1 접착제층에서 기재층과 상반되는 일측에 설치되며, 제2 이형 필름은 제2 접착제층에서 기재층과 상반되는 일측에 설치된다.
이형 필름은 단층 구조 또는 다층 구조를 포함하고 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 재료로 형성된다. 예를 들어, 이형 필름은 기재 필름 및 그 일측에 형성된 이형제층을 포함하는 시트이고, 또한 본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 사용하기 전 접착제층의 각 면을 노출시키기 위해 박리되는 시트이다.
이형제층은 그와 접촉할 접착제에 따라 장쇄알킬기계, 불소 수지계 및 실리콘 수지계를 비롯한 일반적인 이형제층으로부터 적절하게 선택하여 획득할 수 있다.
이형 필름의 기재 필름은 임의의 적절한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아릴화합물 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리비닐클로라이드 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체 필름, 이오노머 수지 필름, 에틸렌-(메틸기)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메틸기)아크릴레이트 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름 및 폴리카보네이트 필름에서 선택될 수 있다.
이형제층은 접착제층의 수지에 따라 불화 유기 규소 수지계 이형제, 불소 수지계 이형제, 유기 규소 수지계 이형제, 폴리비닐알코올 수지, 폴리프로필렌 수지 및 장쇄알킬기 화합물을 비롯한 일반적인 이형제에서 적절한 이형제를 선택하고 선택된 이형제를 상기 수지에 포함시킴으로써 수득된 층일 수 있다.
<<반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제조 방법>>
본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트는 임의의 적절한 방법으로 제조될 수 있다. 본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제조 방법으로서, 기재층에 접착제를 포함하는 조성물을 직접 도포하는 방법, 또는 임의의 적절한 매트릭스에 접착제를 포함하는 조성물을 도포하여 형성된 도포층을 기재층으로 전사하는 방법 등을 예로 들 수 있다. 접착제를 포함하는 조성물은 임의의 적절한 용매를 포함할 수 있고 이러한 내열성 감압 접착 시트를 제조하기 위해 접착제를 기재 또는 분리기에 얇은 층으로 도포하여 건조시킬 수 있다.
<<본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 사용하는 반도체 소자의 제조 방법>>
본 발명의 반도체 소자의 제조 방법에서, 본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 제2 접착제층을 기판(예를 들면, 유리, 스테인레스강 또는 세라믹)에 합지시키고, 복수의 반도체 소자 전극을 구비한 일측의 계면을 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층에 가지런히 합지시켜 금형의 캐비티 내에서 밀봉 수지와 함께 밀봉한 후 80 ~ 200 ℃에서 2 ~ 6 시간 가열하여 성형 후의 수지를 상응한 크기로 절단하고 본 발명의 내열성 감압 접착 시트를 제거하여 단일 반도체 소자 구조물을 획득한다.
구현예로서, 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 사용하는 반도체 소자의 제조 방법을 설명하면 하기와 같다.
본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 기판에 접착 및 고정시키고, 반도체 소자를 임의의 간격으로 상기 시트에 접착 및 고정시킨 후 반도체 소자를 임베이딩 시키기 위해 밀봉 수지로 이미 고정된 반도체 소자를 밀봉시킨다.
다음, 가열 및 박리를 통해 밀봉된 복수의 반도체 소자, 밀봉 수지 및 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 함께 기판으로부터 박리시킨다. 이어서, 본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 수지로 밀봉된 반도체 소자로부터 박리시킨다.
그 다음, 배선용 리드 등이 형성되도록 반도체 소자와 반도체 소자 계면 사이의 영역에 다양한 패턴을 인쇄한다. 배선용 리드는 반도체 소자 계면의 구형 연결 전극인 범프 등을 형성한다.
마지막으로, 절단 등을 통해 반도체 소자 사이의 밀봉 수지의 일부분을 절단함으로써 별도의 반도체 소자가 장착된 각 반도체 소자를 획득할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명하나 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정되지 않으며 실시예 중의 평가방법은 하기와 같다. 이 밖에, 실시예에서 특별한 기재가 없는 한 "부" 및 "%"는 중량을 기준으로 한다.
(1) 실리콘 전이량
형광 X선을 통해 스테인레스강 시트(SUS: 430)의 직경이 30 mm인 원에 해당되는 매 면적 당 존재하는 Si 양 I(kcps)를 블랭크(blank, 레퍼런스, 참조용)로서 분석 측정하고, 측정 대상인 피측정 접착 시트의 접착제층을 상기 스테인레스강 시트에 접착하여 시험편을 제작하였으며, 상기 시험편을 150 ℃의 건조기에서 4 시간 동안 5kg의 하중을 인가시킨 후 상기 하중을 제거하고 상기 건조기에서 꺼내 23 ℃에서 2 시간 동안 유지시킨 후 피측정 접착 시트를 제거하였다. 형광 X선을 통해 상기 스테인레스강 시트의 피접착면의 직경이 30 mm인 원에 해당되는 매 면적 당 존재하는 Si 양 F(kcps)를 분석 측정하였다. 상기 피측정 접착제층의 실리콘 전이량은 F에서 I를 뺀 값이다.
상기 방법에 따라 Rigaku 회사에서 제조한 모델 "Supermini"를 XRF 장치로서 사용하여 하기 조건에서 실리콘 전이량을 측정하였다.
X선원: 수직형 Rh 튜브
분석 범위: 직경이 30 mm인 원 내
분광 결정: Si-Kα
출력: 50 kv, 70 mA
(2) 저장 탄성률
피측정 접착 시트를 각각 23 ℃, 50 % RH 환경에서 복수회 합지시키고, 50 ℃, 5 atm의 오토클레이브에서 20 분간 처리하여 두께가 1.0 mm인 접착제층을 제조하였다. 상기 두께가 1.0 mm인 접착제층을 TA 계기 회사(TA Instruments)에서 제조한 "ARES-G2"를 이용하여 JIS K7244을 기준으로 한 동적 점탄성 측정법(온도범위 -70 ~ 170 ℃, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1Hz, 진폭 0.1 %의 조건)을 통해 점탄성 스펙트럼을 측정하여 23 ℃ 및 150 ℃ 온도에서의 저장 탄성률을 결정하였다.
(3) 겔 분율
0.1 g의 피측정 접착제층을 채취하여 두께가 85 ㎛이고, 평균 구멍 직경이 0.2 ㎛이며, 기공률이 75 %인 다공질 PTFE 시트(닛토덴코(주) 제조)로 포장한 후 연끈으로 잘 묶어 그 당시 중량을 측정하여 포장 후의 중량으로 사용하였다. 이러한 측면에서, 함침 전의 중량은 접착제층(상기에서 채취된 접착제층), PTFE 시트 및 연끈의 총 중량이다. 이 밖에, PTFE 시트 및 연끈의 총 중량을 측정하여 그 중량을 포장물 중량으로 사용하였다.
다음, 상기에서 PTFE 시트로 접착제층을 포장하고 연끈으로 잘 묶은 상기 제품("샘플"이라고 지칭함)을 톨루엔이 충진된 50 ml 용량의 용기에 넣고 23 ℃에서 7 일간 방치한 후 용기로부터 샘플(톨루엔 처리 후)을 꺼내 알루미늄 컵에 옮기고 130 ℃의 건조기에서 2 시간 동안 건조시켜 톨루엔을 제거한 후 그 중량을 측정하여 상기 중량을 함침 후의 중량으로 사용하고 그 후 하기 식을 통해 겔 분율을 산출하였다.
겔 분율(중량 %) = {(A - B)/(C - B)} × 100
상기 식에서, A는 함침 후의 중량을 나타내고, B는 포장물 중량을 나타내며, C는 함침 전 중량을 나타낸다.
(4) 박리 접착력
접착 시트를 두께가 25 ㎛인 PET 필름으로 라이닝시키고 상기 라이닝 후의 접착 시트를 20 mm × 200 mm인 직사각형으로 절단하여 시험편을 제작하였다. 상기 시험편에서 2 kg의 롤러를 1 회 왕복시켜 노출된 접착면을 스테인레스강(SUS: 304) 판에 압착시키고 획득한 재료를 23 ℃, RH50 %의 환경에서 30 분간 유지시킨 후, 인장 시험기(시마즈 코포레이션 제조, 상품명 "덴시론(テンシロン)")를 사용하여 JIS Z0237에 따라 23 ℃ 및 150 ℃에서 4 시간 가열하고 그 후 박리 각도가 180°이고, 인장 속도가 300 mm/분인 조건에서의 박리 접착력 및 23 ℃ 및 150 ℃에서 4 시간 가열한 후 박리 각도가 15°이고, 인장 속도가 300 mm/분인 조건에서의 박리 접착력을 각각 측정하였다.
(5) 접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량
접착제의 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 톨루엔 추출에 의해 얻어진 가용성 부분(졸 부분)의 중량 평균 분자량을 측정하는 방법으로 측정하였다.
접착 시트로부터 약 0.1 g의 피측정 접착제층을 채취하고, 두께가 85 ㎛이고 평균 구경이 0.2 ㎛이며 기공률이 75 %인 다공질 PTFE 시트(닛토덴코(주) 제조)로 포장한 후 연끈으로 잘 묶었다.
다음, 상기에서 PTFE 시트로 포장하고 연끈으로 잘 묶은 접착제층을 톨루엔이 충진된 50 ml 용량의 용기에 넣고 23 ℃에서 7 일간 방치한 후 용기 중의 톨루엔 용액(추출된 졸 부분이 함유됨)을 꺼내 감압 건조시켜 용매(톨루엔)를 증발시킴으로써 졸 부분을 획득하였다.
상기 졸 부분을 테트라히드로푸란(THF)에 용해시키고 GPC 장치(TOSOHCORPORATION 제조, HLC-8220GPC)를 사용하여 하기와 같은 측정 조건에서 졸 부분의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 표준 폴리스티렌 환산을 이용하여 분자량을 구할 수 있다.
샘플 농도: 0.2 wt%(테트라히드로푸란(THF) 용액)
샘플 주입량: 10 μl
용리액: THF
유속: 0.6 ml/min
측정 온도: 40 ℃
컬럼: 샘플 컬럼, TSKguardcolumnSuperHZ-H(1 개) + TSKgelSuperHZM-H(2 개)
참조 컬럼: TSKgelSuperH-RC(1 개)
검출계: 시차 굴절계(RI)
(6) 제1 접착제층과 칩 전극의 접촉면의 외관 평가
칩(전극 재료가 금인 칩)에서 전극을 구비한 일측의 계면을 본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층에 합지시키고 오븐에 넣어 150 ℃에서 4 시간 동안 가열한 후 칩을 접착 시트로부터 박리시키고 현미경(KEYE NCE CORPORATION 제조, 상품명: VHX-100, 배율: 200 배)를 이용하여 상기 칩의 접착면을 관찰하여 칩 전극에 직접 부착된 접착제층 성분의 유무를 확인하였다. 평가는 하기 기준에 따라 수행하였다.
○: 칩 전극에 접착제층 성분이 거의 존재하지 않음
△: 칩 전극에 소량의 접착제층 성분이 부착됨
×: 칩 전극에 대량의 접착제층 성분이 부착됨
(7) 제1 접착제층의 고정성 평가
본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 제2 접착제층을 SUS: 304 스테인레스강 기판에 합지시키고 복수의 칩(전극 재료가 금인 칩) 전극을 구비한 일측의 계면을 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층에 가지런히 합지시켜 금형의 캐비티 내에서 밀봉 수지와 함께 밀봉한 후, 2차원 측정기(모델: "YVM-3020VT", 중국 광동 원싱헝준 정밀계기(주) 제조)를 이용하여 제1 접착제층에서의 칩의 상대 위치 변화 여부를 관찰하여 위치 변동량이 0.005 mm를 초과하면 위치 오프셋이 발생된 것으로 인정하고 하기 기준에 따라 평가를 수행하였다.
○: 제1 접착제층에서의 위치 오프셋이 발생된 칩의 개수 < 0.1 %.
×: 제1 접착제층에서의 위치 오프셋이 발생된 칩의 개수 ≥ 0.1 %.
(8) 제2 접착제층의 고정성 평가
본 발명의 내열성 감압 접착 시트의 제2 접착제층을 SUS: 304 스테인레스강 기판에 합지시키고 복수의 칩(전극 재료가 금인 칩) 전극을 구비한 일측의 계면을 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층에 가지런히 합지시켜 금형의 캐비티 내에서 밀봉 수지와 함께 밀봉한 후, 150 ℃에서 4 시간 가열시키고 성형 후의 수지를 상응한 크기로 절단시키고 스테인레스강 기판에서의 접착 시트의 위치 슬립 여부, 테두리가 들리거나 탈락되는 등 접착 불량인 상황을 육안으로 관찰하였으며, 하기 기준에 따라 평가를 수행하였다.
○: 슬립이 없고 테두리가 들리거나 탈락되는 등 접착 불량의 상황이 발생되지 않음
×: 슬립이 존재하고, 테두리가 들리거나 탈락되는 등 접착 불량의 상황이 발생됨
(9) 제1 접착제층의 박리성 평가
복수의 칩(전극 재료가 금인 칩) 전극을 구비한 일측의 계면을 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층에 가지런히 합지시키고 150 ℃에서 4 시간 가열한 후 PVC 편면 테이프(상품명: SPV-224, 닛토덴코(주) 제조)를 칩 타측에 접착시킨 후 180° 박리 내열성 감압 접착 시트로 칩이 제1 접착제층로부터 PVC 편면 테이프로 전이되었는지 여부를 관찰하고 하기 기준에 따라 평가를 수행하였다.
◎: 제1 접착제층에 잔류하는 칩의 개수가 0 개임
○: 제1 접착제층에 잔류하는 칩의 개수가 0.1 % 미만임
△: 제1 접착제층에 잔류하는 칩의 개수가 0.1 % ~ 1 %임
×: 제1 접착제층에 잔류하는 칩의 개수가 1 % 초과임
(10) 제2 접착제층의 박리성 평가
내열성 감압 접착 시트의 제2 접착제층을 SUS: 304 스테인레스강 기판에 접착시키고 150 ℃에서 4 시간 동안 가열한 후 내열성 감압 접착 시트를 15°로 박리시켜 주관적인 손의 감촉을 통해 박리 측의 제2 접착제층을 스테인레스강 기판으로부터 쉽게 박리 가능한지의 여부를 확인하고 하기 기준에 따라 평가를 수행하였다.
○: 매우 쉽게 박리됨
△: 비교적 쉽게 박리됨
×: 쉽게 박리되지 않음
(11) 종합 평가
상기 각 평가 결과에 기반하여 하기 기준에 따라 종합 평가를 수행하였다.
○: 종합적 효과가 우수함
△: 종합적 효과가 양호함
×: 종합적 효과가 나쁨
실시예 1
두께가 75 ㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(상품명: 2축 연신 폴리에스테르 필름, 중국 난징 야볼리안 신소재 기술(주) 제조 )을 기재층으로서 사용하였다.
말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산 "XB-601"(중국 광저우 지버우 화학공업 기술(주) 제조) 30 중량부, 비닐기 MQ 수지 "VSP8201-1"(중국 청두 보어다아이프 과학기술(주) 제조) 70 중량부, 가교제 "91A"(중국 장시 란씽씽훠 유기 실리콘(주) 제조) 1.8 중량부 및 백금 촉매 "CATA 12070" (중국 장시 란씽씽훠 유기 실리콘 (주) 제조) 2 중량부를 톨루엔에 첨가시키고 균일하게 분산시킨 후 수득된 분산액을 기재층의 일측에 도포한 후 건조시켜 두께가 25 ㎛인 제1 접착제층을 제조하였다.
다음, 폴리디메틸실록산 "107실리콘 고무"(심천 지펑 실리콘 불소 재료 (주) 제조) 55 중량부, 비닐기 MQ 수지 "VSP8201-4"(중국 청두 보어다 아이프 과학기술 (주) 제조) 45 중량부, 가교제 "91A"(중국 장시 란씽씽훠 유기 실리콘 (주) 제조) 1.5 중량부 및 백금 촉매 "CATA 12070"(중국 장시 란씽씽훠 유기 실리콘 (주) 제조) 2 중량부를 톨루엔에 첨가하고 균일하게 분산시켜 수득된 분산액을 기재층의 타측에 도포한 후 건조시켜 두께가 25 ㎛인 제2 접착제층을 제조하였다.
이로써, 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 평가 결과는 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 2
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 27 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 73 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 3
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 23 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 77 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 4
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 20 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 80 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 5
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 25 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 75 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 80 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 20 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 1에 도시된 바와 같다.
실시예 6
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 25 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 75 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 60 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 40 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 2에 도시된 바와 같다.
실시예 7
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 25 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 75 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 50 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 50 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 2에 도시된 바와 같다.
실시예 8
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 25 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 75 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 20 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 80 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 2에 도시된 바와 같다.
비교예 1
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 15 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 85 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 85 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 15 중량부로 설정한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 2에 도시된 바와 같다.
비교예 2
제1 접착제층에 첨가되는 말단 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 10 중량부로 설정하고, 제1 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 90 중량부로 설정하였으며, 제2 접착제층에 첨가되는 폴리디메틸실록산의 첨가량을 13 중량부로 설정하고, 제2 접착제층에 첨가되는 비닐기 MQ 수지의 첨가량을 87 중량부로 설정한 것 외에, 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트를 획득하였다. 그 평가 결과는 표 2에 도시된 바와 같다.
표 1 및 표 2로부터 알 수 있다 시피, 본 발명의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트는 우수한 내열성을 구비하고 그를 피착체에 접착시켜 150 ℃에서 4 시간 동안 가열하여 박리한 후 피착체 계면의 실리콘 전이량이 적으므로 밀봉 수지의 침투를 효과적으로 방지할 수 있고 고온에서 장시간의 가열 단계를 거친 후에도 박리가 용이하며 또한 박리 후 피착체 계면에는 접착제가 거의 잔류하지 않으므로 제품의 수율 및 신뢰성을 현저히 향상시킬 수 있다.
그러나, 비교예 1 및 2에서, 제1 접착제층으로부터 피착체의 계면에 전이된 실리콘 전이량이 많으므로 사용 후 박리가 어렵고 박리 후의 접착제가 잔류하게 된다.
이 밖에, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 실시예 1 및 4의 반도체 소자 제조용 내열성 감압 접착 시트의 제1 접착제층과 칩 전극의 접촉면은 외관 평가가 우수하고, 칩 전극에는 접착제층 성분이 거의 부착되지 않거나 소량이 부착되나, 도 5에 도시된 바와 같이, 비교예 1의 제1 접착제층과 칩 전극의 접촉면은 외관 평가가 좋지 않고, 칩 전극에는 대량의 접착제층 성분이 부착된다.
10: 기재층
20: 제1 접착제층
30: 제2 접착제층
40: 제1 이형 필름
50: 제2 이형 필름

Claims (16)

  1. 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트로서,
    기재층;
    상기 기재층의 일측에 형성되는 제1 접착제층; 및
    상기 기재층의 타측에 형성되는 제2 접착제층을 포함하고,
    상기 접착 시트는 피착체에 접착되어 150 ℃에서 4 시간 가열된 후 박리되며, 상기 제1 접착제층으로부터 피착체의 계면에 전이된 실리콘 전이량은 ≤ 0.01 g/m2이고,
    상기 제1 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 0.8 × 105 Pa인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접착제층 및 상기 제2 접착제층은 유기 규소계 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 180° 박리 접착력은 0.1 ~ 2 N/20 mm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 180° 박리 접착력은 0.2 ~ 3 N/20 mm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 저장 탄성률은 0.6 × 105 ~ 1.7 × 105 Pa인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  6. 삭제
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 접착제층의 접착제의 겔 분율(gel fraction)은 50 ~ 70 %이고, 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 2,000 ~ 5,000인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 15° 박리 접착력은 2 ~ 100 N/20 mm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 접착제층이 150 ℃에서 4 시간 가열된 후의 15° 박리 접착력은 3 ~ 130 N/20 mm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 접착제층이 20 ~ 25 ℃에서의 저장 탄성률은 0.8 × 105 ~ 2.5 × 105 Pa인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 접착제층이 150 ℃에서의 저장 탄성률은 0.5 × 105 ~ 1.6 × 105 Pa인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 접착제층의 접착제의 겔 분율은 40 ~ 90 %이고, 가용성 부분의 중량 평균 분자량은 2,000 ~ 6,000인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기재층은 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리페닐렌 설파이드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리에테르케톤(PEK) 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필름, 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE) 필름, 플루오로화에틸렌프로필렌(FEP) 필름, 폴리비닐리덴디플루오라이드(PVDF) 필름, 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE) 필름 필름, 또는 에틸렌과 클로로트리플루오로에틸렌의 몰비가 1:1인 교대(alternating) 공중합체 필름에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 이형 필름 및 제2 이형 필름을 더 포함하고, 상기 제1 이형 필름은 상기 제1 접착제층에서 상기 기재층과 상반되는 일측에 설치되며, 상기 제2 이형 필름은 상기 제2 접착제층에서 상기 기재층과 상반되는 일측에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 접착제층 또는 상기 제2 접착제층의 두께는 5 ~ 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트.
  16. 제1항 또는 제2항의 반도체 소자 제조용 감압 접착 시트를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
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