WO2018042771A1

WO2018042771A1 - 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート

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Publication number: WO2018042771A1
Application number: PCT/JP2017/018681
Authority: WO
Inventors: 哲士本田; 悠樹菅生; 麻由下田
Original assignee: 日東電工株式会社
Priority date: 2016-08-31
Filing date: 2017-05-18
Publication date: 2018-03-08
Also published as: EP3509092A1; EP3509092A4; TW201811948A; CN109690745B; CN109690745A; US20210198526A1; US11390777B2; TWI740984B; JP2018037547A; JP6815132B2

Abstract

加熱により焼結層となる焼結前層と、成分移行防止層とを有する加熱接合用シート。

Description

加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート

　本発明は、加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートに関する。

　半導体装置の製造において半導体素子を金属リードフレームなどの被着体に接着する方法(いわゆるダイボンディング法)は、従来の金－シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストによる方法に推移してきた。現在では、導電性の樹脂ペーストを使用することがある。

　近年、電力の制御や供給を行うパワー半導体装置の普及が顕著となっている。パワー半導体装置には常に電流が流れるため、発熱量が大きい。それゆえ、パワー半導体装置に使用される導電性の接着剤は、高い放熱性と低い電気抵抗率を持つことが望ましい。

　パワー半導体装置には、低損失で高速動作が求められる。従来、パワー半導体装置にはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などのＳｉを用いた半導体が用いられていた。近年では、ＳｉＣやＧａＮなどの半導体を用いたものが開発され、今後拡大するものと予想されている。

　ＳｉＣやＧａＮを用いた半導体は、バンドギャップが大きい、絶縁破壊電界が高いなどの特徴があり、低損失、高速動作、高温動作が可能となる。高温動作は、熱環境が厳しい自動車や小型電力変換機器等においてメリットとなる。熱環境が厳しい用途の半導体装置は、２５０℃前後の高温動作が想定されており、従来の接合・接着材料であるはんだや導電性接着剤では、熱特性、信頼性に問題が生じる。

　そこで、従来、空孔率が１５～５０体積％であり、銀及び／又は銅を含み、炭素分が１．５質量％以下である多孔質シートからなるダイボンドシートが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１５／０６０３４６号

　しかしながら、特許文献１のダイボンドシートは、炭素分が１．５質量％以下である。そのため、特許文献１のダイボンドシートは、シート作成時の作業性が低いといった問題がある。具体的に、特許文献１では、金属成分が多量に含まれているペースト状組成物を作成した後、いったん、ガラス板上に塗布して２００℃に加熱して硬化膜とし、さらに、これを剥離してダイボンドシートとして得ている。
　また、特許文献１のダイボンドシートは、炭素分が少ないために、焼結前の段階での密着性が低い。そのため、焼結前の段階で接合対象物との間で仮止めしにくいといった問題がある。

　一方で、本発明者らが検討したところ、加熱接合用シートに有機成分を少し多めに含有させて、シート作成時の作業性や、焼結前の仮接着時の接着力を向上させようとしても、本来の性能が発揮できない場合があった。

　この点について、本発明者らは鋭意検討を行った。その結果、例えば、加熱接合用シートをダイシングテープ等の他のテープに貼り付けて使用した場合に、加熱接合用シートから他のテープに成分の一部が移行してしまい、加熱接合用シートとして本来の性能が発揮できなくなることを突き止めた。また、他のテープから加熱接合用シートに成分の一部が移行する場合もあり、この場合も同様に、加熱接合用シートとして本来の性能が発揮できなくなることを突き止めた。

　本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、他のシートと貼り合わせた際に、成分の移行を抑制することが可能な加熱接合用シート、及び、当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供することにある。

　本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、加熱接合用シートについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、他のシートと貼り合わせた際に、成分の移行を抑制することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明に係る加熱接合用シートは、
　加熱により焼結層となる焼結前層と、成分移行防止層とを有することを特徴とする。

　前記構成によれば、焼結前層と成分移行防止層とを有する。従って、他のシートと貼り合わせて使用する際に、他のシートに成分移行防止層が接触する態様で積層させて使用すれば、成分移行防止層が成分の移行を防止する。その結果、焼結前層の成分が他のシートに移行することや、他のシートの成分が焼結前層に移行することを抑制することができる。

　前記構成において、前記焼結前層は、金属微粒子と、有機バインダーとを含み、
　前記成分移行防止層は、少なくとも有機バインダーを含むことが好ましい。

　前記焼結前層が金属微粒子を含むと、加熱により焼結層を形成することができる。また、前記焼結前層、及び、前記成分移行防止層が有機バインダーを含むと、シートとして扱い易い。また、前記焼結前層が有機バインダーを含むと、焼結前の段階での密着性をコントロールしやすい。
　また、前記焼結前層が有機バインダーを含んでいても、成分移行防止層が存在するため、焼結前層の成分が他のシートに移行することや、他のシートの成分が焼結前層に移行することを抑制することができる。

　前記構成において、前記焼結前層に含まれる金属微粒子の含有量は、焼結前層全体に対して、３０～７０体積％の範囲内であり、
　前記成分移行防止層に含まれる金属微粒子の含有量は、成分移行防止層全体に対して、０～３０体積％の範囲内であることが好ましい。

　前記焼結前層に含まれる金属微粒子の含有量が、焼結前層全体に対して、３０～７０体積％の範囲内であると、加熱により、好適に焼結層を形成することができる。
　また、前記成分移行防止層に含まれる金属微粒子の含有量が、成分移行防止層全体に対して、０～３０体積％の範囲内であると、焼結前層の成分が他のシートへ移行するための通り道を少なくすることができる。その結果、成分の移行をより抑制することができる。

　前記構成において、前記焼結前層に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含み、
　前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含むことが好ましい。

　前記焼結前層に含まれる有機バインダーが熱分解性バインダーを含むと、加熱により焼結層とした際に、熱分解性バインダーが熱分解される。その結果、より好適に焼結層を形成することができる。
　また、熱分解性バインダーは、低分子量成分が通り抜けにくい傾向にある。そこで、前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーが、熱分解性バインダーを含むと、焼結前層の成分が他のシートへ移行することを好適に抑制することができる。

　前記構成において、前記焼結前層に含まれる有機バインダーは、焼結前層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を２０～８０重量％含み、
　前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーは、成分移行防止層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を０～２０重量％含むことが好ましい。

　分子量５００以下の有機成分は、金属微粒子を熱分解性バインダーに分散させる際に、分散させやすくすることができる。そこで、前記焼結前層に含まれる有機バインダーが、分子量５００以下の有機成分を２０～８０重量％含むと、金属微粒子の取り扱いを容易とすることができる。また、分子量５００以下の有機成分を用いれば、任意の機械的特性を調整することが容易となる。
　一方、分子量５００以下の有機成分は、分子量が小さいため、他のシートに移行しやすい成分である。そこで、前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーが、分子量５００以下の有機成分を０～２０重量％の範囲内で含むと、移行しやすい成分は少ないといえる。従って、成分移行防止層から焼結前層や他のシートに成分が移行することを抑制できる。

　前記構成において、前記焼結前層の厚さが、５～１００μｍの範囲内であり、
　前記成分移行防止層の厚さが、２～１０μｍの範囲内であることが好ましい。

　前記焼結前層の厚さが、５～１００μｍの範囲内であると、より好適に焼結層を形成することができる。
　また、成分移行防止層は、金属微粒子を含まないか、含有量は焼結前層よりも少ない。そのため、厚すぎると焼結による接合に支障をきたす。そこで、前記成分移行防止層の厚さが、２～１０μｍの範囲内であると、焼結による結合に大きな影響を与えることを防止できる。

　また、本発明に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートは、
　ダイシングテープと、
　前記加熱接合用シートと
　を有し、
　前記加熱接合用シートは、前記ダイシングテープと前記成分移行防止層とが接触する態様で前記ダイシングテープ上に積層されていることを特徴とする。

　前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートによれば、ダイシングテープと一体型であるため、ダイシングテープと貼り合わせる工程を省略することができる。また、成分移行防止層が存在するため、焼結前層の成分がダイシングテープに移行することや、ダイシングテープの成分が焼結前層に移行することを抑制することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。本発明の他の実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。

　（ダイシングテープ付き加熱接合用シート）
　本発明の一実施形態に係る加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートについて、以下に説明する。本実施形態に係る加熱接合用シートは、以下に説明するダイシングテープ付き加熱接合用シートにおいて、ダイシングテープが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングテープ付き加熱接合用シートについて説明し、加熱接合用シートについては、その中で説明することとする。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシングテープ付き加熱接合用シートを示す断面模式図である。

　図１に示すように、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０は、ダイシングテープ１１上に加熱接合用シート３が積層された構成を有する。ダイシングテープ１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、加熱接合用シート３は粘着剤層２上に設けられている。

　本発明のダイシングテープ付き加熱接合用シートは、図２に示すダイシングテープ付き加熱接合用シート１２のように、ワーク貼り付け部分にのみ加熱接合用シート３’を形成した構成であってもよい。

　（加熱接合用シート）
　加熱接合用シート３、３’は、シート状である。ペーストではなく、シートであるため、貼り付け時のはみ出しや貼り付け対象物表面への這い上がりを抑制できる。

　本実施形態に係る加熱接合用シート３、３’は、加熱により焼結層となる焼結前層３１と、成分移行防止層３２とを有する。加熱接合用シート３は、ダイシングテープ１１と成分移行防止層３２とが接触する態様でダイシングテープ１１上に積層されている。

　本実施形態では、加熱接合用シート３が、焼結前層３１と成分移行防止層３２との２層で構成されている場合について説明するが、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、さらに他の層を有していてもよい。また、本発明における、焼結前層は、加熱により焼結層となる層を複数積層した構成であってもよい。
　すなわち、本発明における加熱接合用シートは、焼結前層と、成分移行防止層とを有していればよく、その構成は特に限定されない。

　加熱接合用シート３、３’を、ダイシングテープ１１と貼り合わせた形態とする場合、すなわち、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２とする場合、成分移行防止層３２を有するため、使用に供するまでの間に、ダイシングテープ１１に焼結前層３１の成分が移行することや、焼結前層３１にダイシングテープ１１の成分が移行することを防止できる。
　また、加熱接合用シート３、３’を、ダイシングテープ１１と一体化させないで、単体のシートとする場合、成分移行防止層３２を有するため、他のシートと貼り合わせて使用する際に、他のシートに成分移行防止層３２が接触する態様で積層させて使用すれば、成分移行防止層３２が成分の移行を防止する。その結果、他のシートと貼り合わせた後、使用に供するまでの間に、焼結前層３１の成分が他のシートに移行することや、他のシートの成分が焼結前層３１に移行することを抑制することができる。

　（焼結前層）
　焼結前層３１は、加熱により焼結層となる層である。

　焼結前層３１は、金属微粒子と、有機バインダーとを含むことが好ましい。焼結前層３１が金属微粒子を含むと、加熱により焼結層を形成することができる。また、焼結前層３１が有機バインダーを含むと、シートとして扱い易い。また、焼結前層３１が有機バインダーを含むと、焼結前の段階での密着性をコントロールしやすい。

　焼結前層３１に含まれる金属微粒子の含有量は、焼結前層３１全体に対して３０～７０体積％の範囲内で含むことが好ましい。前記金属微粒子の含有量は、３５～６５体積％の範囲内であることがより好ましく、４０～６０体積％の範囲内であることがさらに好ましい。前記金属微粒子を３０～７０体積％の範囲内で含むと、加熱により、好適に焼結層を形成することができる。その結果、金属微粒子を焼結、又は、溶融させて２つの物（例えば、半導体チップとリードフレーム）を接合させることができる。

　焼結前層３１に含まれる金属微粒子の含有量は、次の方法で測定する。なお、後述する成分移行防止層３２に含まれる金属微粒子の含有量も、同様の方法で測定する。
　　１．焼結前層を冷却環境でイオンポリッシングし、断面を露出させる。
　　２．断面を、電界放出形走査電子顕微鏡　ＳＵ８０２０（メーカー：日立ハイテクノロジーズ）を用いて撮像する。撮像条件は、加速電圧５ｋＶ、倍率５００００倍とし、反射電子像を画像データとして得る。
　　３．画像解析ソフト　Ｉｍａｇｅ　Ｊを用い、得られた画像データを自動２値化処理してから、全体に対する金属微粒子由来の明部の面積により算出する。このとき、一般的には観察した断面に垂直な方向において、金属微粒子由来の明部の面積は均一であるため、体積％はここで得られた面積％と同じであるとする。

　前記金属微粒子としては、焼結性金属粒子を挙げることができる。

　前記焼結性金属粒子としては、金属微粒子の凝集体を好適に使用できる。金属微粒子としては、金属からなる微粒子などが挙げられる。前記金属としては、金、銀、銅、酸化銀、酸化銅などが挙げられる。なかでも、銀、銅、酸化銀、酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。前記金属微粒子が、銀、銅、酸化銀、酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも１種であると、より好適に加熱接合することができる。

　前記焼結性金属粒子の平均粒径は、好ましくは０．０００５μｍ以上、より好ましくは０．００１μｍ以上である。平均粒径の下限として、０．０１μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍも例示できる。一方、焼結性金属粒子の平均粒径は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。平均粒径の上限として、２０μｍ、１５μｍ、１０μｍ、５μｍも例示できる。

　前記焼結性金属粒子の平均粒径は、次の方法で測定する。すなわち、前記焼結性金属粒子をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し、平均粒子径を計測する。なお、ＳＥＭ観察は、例えば、焼結性金属粒子がマイクロサイズの場合、５０００倍で観察し、サブミクロンサイズの場合、５００００倍観察で観察し、ナノサイズの場合、３０００００倍で観察するのが好ましい。

　前記焼結性金属粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、棒状、鱗片状、不定形状である。

　焼結前層３１に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含むことが好ましい。

　前記熱分解性バインダーを含有すると、加熱により焼結層とした際に、熱分解性バインダーが熱分解される。その結果、より好適に焼結層を形成することができる。

　前記熱分解性バインダーは、２３℃で固形であることが好ましい。本明細書において、「固形」とは、具体的に前記レオメータによる粘度測定による２３℃における粘度が１００，０００Ｐａ・ｓよりも大きいことをいう。前記熱分解性バインダーが、２３℃で固形であると、常温（２３℃）にて加熱接合用シートをフィルム状に形成しやすくなり、ハンドリング性が向上する。
　前記熱分解性バインダーは、通常、分子量５００よりも大きい。

　本明細書において「熱分解性バインダー」とは、加熱接合工程において熱分解させることが可能なバインダーをいう。前記熱分解性バインダーは、加熱接合工程後には、焼結層（加熱後の焼結前層３１）に、ほとんど残存しないことが好ましい。前記熱分解性バインダーとしては、例えば、焼結前層３１に含有させたとしても、大気雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で、２３℃から４００℃まで昇温を行った後のエネルギー分散型Ｘ線分析により得られる炭素濃度が１５重量％以下となるような材料が挙げられる。例えば、熱分解性バインダーとして、より熱分解させ易い材料を採用すれば、比較的含有量を多くしても、加熱接合工程後に、焼結層（加熱後の焼結前層３１）にほとんど残存させないようにすることができる。

　前記熱分解性バインダーとしては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エチルセルロース、ポリビニルアルコール等を挙げることができる。これらの材料は単独で、又は、２種以上を混合して使用できる。なかでも、熱分解性が高いという観点から、ポリカーボネートが好ましい。

　前記ポリカーボネートとしては、加熱接合工程において熱分解させることが可能なものであれば、特に限定されないが、主鎖の炭酸エステル基（－O－CO－O－）間に芳香族化合物（例えば、ベンゼン環など）を含まず、脂肪族鎖からなる脂肪族ポリカーボネートや、主鎖の炭酸エステル基（－O－CO－O－）間に芳香族化合物を含む芳香族ポリカーボネートを挙げることができる。なかでも、脂肪族ポリカーボネートか好ましい。
　前記脂肪族ポリカーボネートとしては、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート等が挙げられる。なかでもシート形成のためのワニス作製における有機溶剤への溶解性の観点から、ポリプロピレンカーボネートが好ましい。
　前記芳香族ポリカーボネートとしては、主鎖にビスフェノールA構造を含むもの等が挙げられる。
　前記ポリカーボネートの重量平均分子量は、１０，０００～１，０００，０００の範囲内であることが好適である。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

　前記アクリル樹脂としては、加熱接合工程において熱分解させることが可能な範囲において、炭素数３０以下、特に炭素数４～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

　また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル若しくは（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）－メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

　アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１万～１００万のものがより好ましく、３万～７０万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、加熱接合工程前の接着性、及び、加熱接合工程時における熱分解性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
　また、アクリル樹脂のなかでも、２００℃～４００℃で熱分解するアクリル樹脂が好ましい。

　焼結前層３１に含まれる有機バインダーは、焼結前層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を２０～８０重量％含むことが好ましい。前記分子量５００以下の有機成分の含有量は、３０～７０重量％であることがより好ましく、４０～６０重量％であることがさらに好ましい。
　分子量５００以下の有機成分は、金属微粒子を熱分解性バインダーに分散させる際に、分散させやすくすることができる。そこで、焼結前層３１に含まれる有機バインダーが、分子量５００以下の有機成分を２０～８０重量％含むと、金属微粒子の取り扱いを容易とすることができる。また、分子量５００以下の有機成分を用いれば、任意の機械的特性を調整することが容易となる。

　焼結前層３１に含まれる分子量５００以下の有機成分の含有量は、次の方法で測定する。なお、後述する成分移行防止層３２に含まれる分子量５００以下の有機成分の含有量も、同様の方法で測定する。
　加熱接合用シートの焼結前層部分を採取し、クロロホルムに浸し、１２時間静置する。この溶液を０．４５μｍメンブレンフィルターでろ過し、ろ液についてＧＰＣ分取を行う。ＴＯＳＯＨ社製ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣを用い、以下の条件で分取を行い、分子量５００以下の成分と分子量５００より大きい成分を分離・回収したのちに各々乾燥重量を求めることで重量比を求める。
カラム：ＳｈｏｄｅｘＨ２００３／Ｈ２００２／Ｈ２００１
溶離液：クロロホルム
流量：４ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ
カラム温度：室温（２３℃）
注入量：３０００μＬ
　分子量はポリスチレン換算で算出する。

　分子量５００以下の有機成分は、低沸点バインダーを含むことが好ましい。なお、本明細書において、分子量５００以下の有機成分とは、低沸点バインダーと、低沸点バインダー以外の分子量５００以下の有機成分とを含む概念である。低沸点バインダー以外の分子量５００以下の有機成分は、焼結前層３１に含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。

　前記低沸点バインダーは、前記金属微粒子の取り扱いを容易とするために用いられる。また、前記低沸点バインダーは、任意の機械的物性を調整するためにも用いられる。具体的には、前記金属微粒子を前記低沸点バインダーに分散させた金属微粒子含有ペーストとして使用することができる。

　前記低沸点バインダーは、通常、２３℃で液状である。本明細書において、「液状」とは、半液状を含む。具体的に、動的粘弾性測定装置（レオメーター）による粘度測定による２３℃における粘度が１００，０００Ｐａ・ｓ以下であることをいう。
　粘度測定の条件は、下記の通りである。
　　　レオメータ：Ｔｈｅｒｍｏ　ＳＣＩＥＮＴＦＩＣ社製　ＭＥＲ　III
　　　治具：パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ１００μｍ、せん断速度　１／秒）

　前記低沸点バインダーは、沸点１００℃以上４００℃以下である。前記低沸点バインダーの具体例としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、１－デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、α－テルピネオール、1,6-ヘキサンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）等の一価及び多価アルコール類、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＭＡ）等を挙げることができる。これらは２種以上を併用してもよい。なかでも、沸点の異なる２種類を併用することが好ましい。沸点の異なる２種類を用いると、シート形状の維持の点で優れる。

　なお、焼結前層３１には、前記成分以外にも、例えば、可塑剤などを適宜含有してよい。

　焼結前層３１は、大気雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で、２３℃から４００℃まで昇温を行った後のエネルギー分散型Ｘ線分析により得られる炭素濃度が１５重量％以下であることが好ましく、１２重量％以下であることがより好ましく、１０重量％以下であることがさらに好ましい。前記炭素濃度が１５重量％以下であると、焼結前層３１は、４００℃まで昇温を行った後には有機物がほとんど存在しない。その結果、加熱接合工程後は、耐熱性に優れ、高温環境においても高い信頼性、熱特性が得られる。

　焼結前層３１は、大気雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で、２３℃から５００℃まで示差熱分析を行った際のピークが１５０～３５０℃に存在することが好ましく、１７０～３２０℃に存在することがより好ましく、１８０～３１０℃に存在することがさらに好ましい。前記ピークが１５０～３５０℃に存在すると、有機物（例えば、焼結前層３１を構成する樹脂成分）がこの温度領域で熱分解しているといえる。その結果、加熱接合工程後の耐熱性により優れる。

　焼結前層３１の厚さは、５～１００μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、２０～９０μｍの範囲内であり、さらに好ましくは、４０～８０μｍの範囲内である。焼結前層３１の厚さが、５～１００μｍの範囲内であると、より好適に焼結層を形成することができる。

　焼結前層３１の厚さは、次の方法で測定する。なお、後述する成分移行防止層３２の厚さも、同様の方法で測定する。
　　１．焼結前層を冷却環境でイオンポリッシングし、断面を露出させる。
　　２．断面を、電界放出形走査電子顕微鏡　ＳＵ８０２０（メーカー：日立ハイテクノロジーズ）を用いて撮像する。撮像条件は、加速電圧５ｋＶ、倍率２０００倍とし、反射電子像を画像データとして得る。
　　３．画像解析ソフト　Ｉｍａｇｅ　Ｊを用い、得られた画像データから厚さを測定する。

　（成分移行防止層）
　成分移行防止層３２は、焼結前層３１の成分がダイシングテープ１１に移行することや、ダイシングテープ１１の成分が焼結前層３１に移行することを抑制するための層である。
　なお、成分移行防止層３２は、加熱により分解される成分を多量に含むため、焼結前層３１を加熱して焼結層とした際には、ほぼ分解されてなくなる。

　成分移行防止層３２は、少なくとも有機バインダーを含むことが好ましい。成分移行防止層３２が有機バインダーを含むと、シートとして扱い易い。また、焼結前層３１が有機バインダーを含んでいても、成分移行防止層３２が存在するため、焼結前層３１の成分がダイシングテープ１１に移行することや、ダイシングテープ１１の成分が焼結前層３１に移行することを抑制することができる。

　成分移行防止層３２に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含むことが好ましい。熱分解性バインダーは、低分子量成分が通り抜けにくい傾向にある。そこで、成分移行防止層３２に含まれる有機バインダーが、熱分解性バインダーを含むと、焼結前層３１の成分がダイシングテープ１１へ移行することやダイシングテープ１１の成分が焼結前層３１に移行することを好適に抑制することができる。

　前記熱分解性バインダーとしては、焼結前層３１で用いるものと同様のものを採用できる。

　前記熱分解性バインダーの含有量は、成分移行防止層３２全体に対して、８０～１００重量％であることが好ましく、９０～１００重量％であることがより好ましい。前記熱分解性バインダーの含有量が、成分移行防止層３２全体に対して、８０～１００重量％であると、焼結前層３１とダイシングテープ１１との間での成分の移行を好適に抑制できる。

　成分移行防止層３２に含まれる有機バインダーは、成分移行防止層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を０～２０重量％含むことが好ましい。すなわち、分子量５００以下の有機成分を含まないか、含むとしても、２０重量％以下であることが好ましい。前記分子量５００以下の有機成分の含有量は、０～１５重量％であることがより好ましく、０～１０重量％であることがさらに好ましい。
　分子量５００以下の有機成分は、分子量が小さいため、他のシート（本実施形態では、ダイシングテープ１１）に移行しやすい成分である。そこで、成分移行防止層３２に含まれる有機バインダーが、分子量５００以下の有機成分を０～２０重量％の範囲内で含むと、移行しやすい成分は少ないといえる。従って、成分移行防止層３２から焼結前層３１やダイシングテープ１１に成分が移行することを抑制できる。

　前記分子量５００以下の有機成分としては、焼結前層３１で用いるものと同様のものを採用できる。

　成分移行防止層３２は、金属微粒子を含まないか、含むとしても、成分移行防止層全体に対して３０体積％以下の範囲内で含むことが好ましい。すなわち、成分移行防止層３２に含まれる金属微粒子の含有量は、成分移行防止層全体に対して、０～３０体積％の範囲内であることが好ましい。成分移行防止層３２に含まれる金属微粒子の含有量が、成分移行防止層全体に対して、０～３０体積％の範囲内であると、焼結前層３１の成分がダイシングテープ１１へ移行するための通り道を少なくすることができる。その結果、成分の移行をより抑制することかできる。

　前記金属微粒子としては、焼結前層３１で用いるものと同様のものを採用できる。

　成分移行防止層３２の厚さは、２～１０μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、２．５～８μｍの範囲内であり、さらに好ましくは、３～６μｍの範囲内である。成分移行防止層３２は、金属微粒子を含まないか、含有量は焼結前層よりも少ない。そのため、厚すぎると焼結による接合に支障をきたす。そこで、成分移行防止層３２の厚さが、２～１０μｍの範囲内であると、焼結による結合に大きな影響を与えることを防止できる。
　特に、成分移行防止層３２の厚さを前記数値範囲内において薄くする場合は、金属微粒子を含まないか、前記数値範囲内において、含有量を少なくすることが好ましい。低分子成分の通り道を少なくすることができるからである。
　一方で、成分移行防止層３２の厚さを前記数値範囲内において厚くする場合は、金属微粒子を前記数値範囲内において、含有量を多くすることが好ましい。厚さがある場合は、焼結後に成分移行防止層３２が存在していた部分の接合力が弱くなる可能性がある。そのため、ある程度金属微粒子を含有させておくことにより焼結後の接合力を持たせることができる。なお、厚くすれば、焼結前の粘着力をコントロールしやすい。

　加熱接合用シート３、３’は、通常の方法で製造できる。例えば、焼結前層３１を形成するための前記各成分を含有するワニスを作製し、ワニスを基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させ、焼結前層３１を得る。
　一方、成分移行防止層３２を形成するための前記各成分を含有するワニスを作製し、ワニスを基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させ、成分移行防止層３２を得る。
　その後、焼結前層３１と成分移行防止層３２とを貼り合わせることで、加熱接合用シート３、３’を製造できる。

　ワニスに用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶剤やアルコール溶剤が好ましい。前記有機溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。また、前記アルコール溶剤としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、２－ブテン－１，４－ジオール、１，２，６－ヘキサントリオール、グリセリン、オクタンジオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、テルピネオールが挙げられる。

　塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０～１６０℃、乾燥時間１～５分間で行うことができる。なお、塗布膜を乾燥させた後であっても溶剤の種類によって、溶剤の全部が気化せずに塗膜中に残る場合がある。

　焼結前層３１が前記低沸点バインダーを含有する場合、前記乾燥条件に応じて、前記低沸点バインダーの一部が揮発する場合がある。そのため、前記乾燥条件に応じて、焼結前層３１を構成する各成分の比率が変化する。例えば、同一のワニスから形成した焼結前層３１であっても、乾燥温度が高いほど、また、乾燥時間が長いほど、焼結前層３１全体に占める金属微粒子の含有量や、熱分解性バインダーの含有量は多くなる。従って、焼結前層３１中の金属微粒子や熱分解性バインダーの含有量が所望の量となるように、前記乾燥条件を設定することが好ましい。
　成分移行防止層３２が前記低沸点バインダーを含有する場合も同様である。

　基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。

　加熱接合用シート３、３’の他の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して焼結前層３１、成分移行防止層３２を作成し、これらを貼り合わせる方法が挙げられる。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。

　加熱接合用シート３、３’の全体の厚さは、加熱前における２３℃での厚さが、２０～１００μｍであることが好ましく、３０～９０μｍであることがより好ましい。

　（ダイシングテープ）
　ダイシングテープ１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されている。

　基材１は、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。基材１としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

　また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２と加熱接合用シート３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

　基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

　基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５～２００μｍ程度である。

　粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。前記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

　前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１～３０、特に炭素数４～１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

　前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

　さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

　前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、さらに好ましくは２０万～３００万程度であり、特に好ましくは３０万～１００万程度である。

　また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１～５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

　粘着剤層２は、放射線硬化型粘着剤により形成してもよい。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射によりその粘着力をコントロールすることができる。例えば、加熱接合用シート３が貼り合わせられた状態で紫外線を照射すると、加熱接合用シート３との間でアンカー効果を生じさせることができる。これにより、粘着剤層２と加熱接合用シート３との密着性を向上させることができる。また、加熱接合用シートを貼り合わせる前に、放射線を照射することにより、粘着剤層２と加熱接合用シート３との粘着力を低下させることができる。

　放射線硬化型粘着剤は、炭素－炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

　配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００～３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５～５００重量部、好ましくは４０～１５０重量部程度である。

　また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。

　前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素－炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

　前記アクリル系ポリマーへの炭素－炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素－炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

　これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素－炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素－炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

　前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０～１０重量部の範囲である。

　前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１―プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサントン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５～２０重量部程度である。

　また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０－１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

　前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。

　粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や加熱接合用シート３、３’の固定保持の両立性等の点よりは、１～５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２～３０μｍ、さらには５～２５μｍが好ましい。

　本実施の形態に係るダイシングテープ１１は、例えば、次の通りにして作製される。
　まず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

　次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０～１５０℃、乾燥時間０．５～５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングテープ１１が作製される。

　ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングテープ１１の粘着剤層２と加熱接合用シート３とを貼り合わせることで、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０を製造できる。
　ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０においては、加熱接合用シート３がセパレータで覆われていることが好ましい。例えば、ダイシングテープ１１と加熱接合用シート３とを貼り合わせた後、加熱接合用シート３に積層されていた前記基材セパレータを剥離し、前基材セパレータを剥離した後のダイシングテープ付き加熱接合用シート１０の加熱接合用シート３の露出面に、セパレータを貼り付ける方法が挙げられる。すなわち、ダイシングテープ１１、加熱接合用シート３、及び、前記セパレータがこの順で積層された形態とすることが好ましい。

　上述した実施形態では、ダイシングテープと加熱接合用シートとが積層されたダイシングテープ付き加熱接合用シートについて説明した。しかしながら、本発明の加熱接合用シートは、ダイシングテープと貼り合わせない状態で提供されてもよい。
　加熱接合用シートは、ダイシングテープが貼り合わせられていない形態とする場合、２枚のセパレータに挟まれた両面セパレータ付き加熱接合用シートとすることが好ましい。すなわち、第１のセパレータ、加熱接合用シート、及び、第２のセパレータがこの順で積層された両面セパレータ付き加熱接合用シートとすることが好ましい。
　なお、加熱接合用シートは、ダイシングテープが貼り合わせられていない形態とする場合、加熱接合用シートの一方の面にのみセパレータが積層された形態であってもよい。

　（半導体装置の製造方法）
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記加熱接合用シートを準備する工程と、
　前記加熱接合用シートに、ダイシングテープを貼り合わせてダイシングテープ付き加熱接合用シートを得る工程と、
　前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートの加熱接合用シートと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記半導体ウェハを前記加熱接合用シートと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
　前記半導体チップを、前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートから前記加熱接合用シートと共にピックアップするピックアップ工程と、
　前記加熱接合用シートを介して、前記半導体チップを被着体上に加熱接合する加熱接合工程とを含む（以下、第１実施形態ともいう）。
　また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ付き加熱接合用シートを準備する工程と、
　前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートの加熱接合用シートと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記半導体ウェハを前記加熱接合用シートと共にダイシングして、チップ状の半導体チップを形成するダイシング工程と、
　前記半導体チップを、前記ダイシングテープ付き加熱接合用シートから前記加熱接合用シートと共にピックアップするピックアップ工程と、
　前記加熱接合用シートを介して、前記半導体チップを被着体上に加熱接合する加熱接合工程とを含むものでもある（以下、第２実施形態ともいう）。
　第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法が、ダイシングテープ付き加熱接合用シートを用いているのに対して、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法では、加熱接合用シートを単体で用いている点で異なりその他の点で共通する。第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、加熱接合用シートを準備した後、これをダイシングテープと貼り合わせる工程を行なえば、その後は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様とすることができる。そこで、以下では、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明することとする。

　本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２を準備する（準備する工程）。

　加熱接合用シート３、３’は、焼結前層３１と、成分移行防止層３２とを有する。成分移行防止層３２を有するため、使用に供するまでの間に、ダイシングテープ１１に焼結前層３１の成分が移行することや、焼結前層３１にダイシングテープの成分が移行することを防止できる。

　ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０、１２は、加熱接合用シート３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図１、図３を参照しながらダイシングテープ付き加熱接合用シート１０を用いた場合を例にして説明する。

　まず、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０における加熱接合用シート３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２３～９０℃の範囲内であることが好ましい。

　半導体ウェハ４としては、一方の面に電極パッドが形成され、他方の面（以下、裏面ともいう）の最表面に銀薄膜が形成されているものが好ましい。前記銀薄膜の厚さとしては、例えば、１０ｎｍ～１０００ｎｍが挙げられる。また、半導体ウェハ４と前記銀薄膜との間に、さらに、チタン薄膜が形成されていてもよい。前記チタン薄膜の厚さとしては、例えば、１０ｎｍ～１０００ｎｍが挙げられる。前記銀薄膜が形成されていると、後述する加熱接合工程において、半導体チップ５と加熱接合用シート３とを強固に加熱接合することができる。また、前記チタン薄膜が形成されていると電極の信頼性が向上する。前記銀薄膜、及び、前記チタン薄膜は、例えば、蒸着により形成することができる。

　次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングの方法は特に限定されないが、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングテープ付き加熱接合用シート１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ４は、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。

　次に、ダイシングテープ付き加熱接合用シート１０に接着固定された半導体チップ５を剥離するために、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ付き加熱接合用シート１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

　ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５～１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５～１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。

　ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行ってもよい。これにより、粘着剤層２の加熱接合用シート３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、公知のものを使用することができる。なお、粘着剤層に予め紫外線照射し硬化させておき、この硬化した粘着剤層と加熱接合用シートとを貼り合わせている場合や、粘着剤層と加熱接合用シートを貼り合わせた後に放射線を照射している場合は、ここでの紫外線照射は行わなくてもよい。

　次に、ピックアップした半導体チップ５を、加熱接合用シート３を介して被着体６にダイアタッチ（加熱接合）する（加熱接合工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

　前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームを挙げることができる。また、前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。例えば、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド－トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を挙げることができる。なかでも、金属リームフレームを用いれば、加熱接合により金属微粒子と一体化することができる。また、前記基板としては、セラミックプレート等の絶縁基板に、銅回路基板が積層された絶縁回路基板を挙げることができる。絶縁回路基板を用いれば、例えば、電力の制御や供給を行うパワー半導体装置を製造することができる。

　前記加熱接合工程では、加熱により金属微粒子を焼結するとともに、必要に応じて熱分解性バインダーを熱分解させる。また、乾燥工程により揮発しきらなかった残留低沸点バインダーを揮発させる。加熱温度は、好ましくは１８０～４００℃、より好ましくは１９０～３７０℃、さらに好ましくは２００～３５０℃で行うことができる。また、加熱時間は、好ましくは０．３～３００分、より好ましくは０．５～２４０分、さらに好ましくは１～１８０分で行うことができる。また、加熱接合は、加圧条件下で行なってもよい。加圧条件としては、１～５００ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内が好ましく、５～４００ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内がより好ましい。加圧下での加熱接合は、例えば、フリップチップボンダーのような加熱と加圧とを同時に行える装置で実施ができる。また、平行平板プレスでもよい。

　次に、必要に応じて、図３に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、２３～３００℃、好ましくは２３～２５０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒～数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。

　次に、必要に応じて、図３に示すように、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行うことができる。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０～９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５～１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂８を硬化させる。なお、本封止工程では、シート状の封止用シートに半導体チップ５を埋め込む方法（例えば、特開２０１３－７０２８号公報参照）を採用することもできる。また、金型による封止樹脂の成型以外にも、ケース型容器にシリコーンゲルを流し込むゲル封止型でもよい。

　次に、必要に応じて加熱を行い、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５～１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５～８時間程度である。

　なお、本発明の加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間に加熱接合用シートとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、加熱接合用シートのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
　また、本発明の加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シートは、上記に例示した用途に限定されず、２つのものを加熱接合するのに利用することができる。

　以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

　実施例で使用した成分について説明する。
　熱分解性バインダーＡ（ポリプロピレンカーボネート樹脂）：Ｅｍｐｏｗｅｒ社製のＱＰＡＣ４０、２３℃で固形
　低沸点バインダーＡ（イソボルニルシクロヘキサノール）：日本テルペン化学株式会社製のテルソルブＭＴＰＨ、２３℃で液状
　金属微粒子Ａ：三井金属鉱業株式会社製の平均粒径２００ｎｍの銅微粒子
　有機溶剤Ａ：メチルエチルケトン（ＭＥＫ）

　（実施例１）
　　＜焼結前層の作製＞
　熱分解性バインダーＡをＭＥＫにあらかじめ重量比で１：１で溶解させた溶液(１２重量％)、低沸点バインダーＡ(４重量％)、金属微粒子Ａ(６０重量％)、及び、有機溶剤Ａ(２４重量％)を、ハイブリッドミキサー(キーエンス製　ＨＭ－５００)の攪拌釜に入れ、攪拌モード、３分で攪拌・混合した。
　得られたワニスを、離型処理フィルム（三菱樹脂（株）製のＭＲＡ３８）に乾燥後の厚みが７０μｍとなるように、塗布・乾燥させて焼結前層Ａを得た。乾燥条件は、８０℃２分間とした。

　　＜成分移行防止層の作製＞
　熱分解性バインダーＡをＭＥＫにあらかじめ重量比で１：１で溶解させた溶液(５０重量％)、及び、有機溶剤Ａ(５０重量％)を、ハイブリッドミキサー(キーエンス製　ＨＭ－５００)の攪拌釜に入れ、攪拌モード、３分で攪拌・混合した。
　得られたワニスを、離型処理フィルム（三菱樹脂（株）製のＭＲＡ３８）に乾燥後の厚みが３μｍとなるように、塗布・乾燥させて成分移行防止層Ａを得た。乾燥条件は、８０℃２分間とした。

　　＜加熱接合用シートの作製＞
　焼結前層Ａと成分移行防止層Ａとの塗布乾燥表面同士を対面させ、油圧式ラミネータ―にて７０℃で貼り合わせることで、加熱接合用シートＡを得た。

　（実施例２）
　　＜成分移行防止層の作製＞
　実施例１の成分移行層Ａ用のワニスを用い、乾燥後の厚みが６μｍとなるように、塗布・乾燥させて成分移行防止層Ｂを得た。

　　＜加熱接合用シートの作製＞
　焼結前層Ａと成分移行防止層Ｂとの塗布乾燥表面同士を対面させ、油圧式ラミネータ―にて７０℃で貼り合わせることで、加熱接合用シートＢを得た。

　［成分移行抑制評価］
　　＜ダイシングテープの作製＞
　冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２－エチルヘキシル１００部、アクリル酸－２－ヒドロキシエチル１９部、過酸化ベンゾイル０．４部、及び、トルエン８０部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
　このアクリル系ポリマーＡに２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１．２部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
　次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）１．３部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）３部を加えて、粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ａ」ともいう）を作製した。
　前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ１２５μｍのグンゼ社製ＥＶＡフィルム（エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングテープＡを得た。

　＜評価＞
　実施例の加熱接合用シートを、それぞれ作製したダイシングテープＡに室温（２３℃）で貼り付けた。次に、ＵＶ照射(条件：紫外線（ＵＶ）照射装置（商品名「ＵＭ－８１０」（日東精機株式会社製））を用いて、紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ^２にて紫外線照射)を行った。その後、さらに、７０℃で１０分間加熱処理を行った。次に、ダイシングテープＡを剥離した。なお、ここでのＵＶ照射、及び、加熱処理は、いわゆる加速試験のためであり、実際の使用条件とは異なる。

　ダイシングテープＡを剥離した後の加熱接合用シート（焼結前層Ａと成分移行防止層Ａとの２層構成のシート）を約１０ｍｇ切り出したサンプルに対して、窒素雰囲気下、昇温速度９０℃／分の条件で、２３℃から５００℃まで熱重量分析を行った。測定には、ＴＧ－ＤＴＡ同時測定装置（示差熱－熱重量同時測定装置）、より具体的には、理学電機（株）製の差動型示差熱天秤　ＴＧ－ＤＴＡ　ＴＧ８１２０を用いた。２３℃での重量減少量を０％とした。なお、この分析では、重量が２３℃での重量よりも減少すると、値がマイナスの値となる。５００℃での値（重量減少量（％））をＹとした。

　実施例の加熱接合用シート（焼結前層Ａと成分移行防止層Ａとの２層構成のシート）に対して、ダイシングテープに貼り付けることなくそのまま、熱重量分析を行った。熱重量分析の方法は、上記と同様とした。５００℃での値（重量減少量（％））をＹ０とした。

　［［（Ｙ－Ｙ０）／Ｙ０］×１００］の絶対値が５より大きい場合、成分移行が充分起こっているとみなし、「×」と判定した。［［（Ｙ－Ｙ０）／Ｙ０］×１００］の絶対値が０～５の範囲にある場合、成分移行は抑制されているとみなし、「○」と判定した。結果を表１に示す。

　　　　１　　基材
　　　　２　　粘着剤層
　　　　３、３’　　加熱接合用シート
　　　　４　　半導体ウェハ
　　　　５　　半導体チップ
　　　　６　　被着体
　　　　７　　ボンディングワイヤー
　　　　８　　封止樹脂
　　　１０、１２　　ダイシングテープ付き加熱接合用シート
　　　１１　　ダイシングテープ
　　　３１　　焼結前層
　　　３２　　成分移行防止層

Claims

　加熱により焼結層となる焼結前層と、成分移行防止層とを有することを特徴とする加熱接合用シート。
　前記焼結前層は、金属微粒子と、有機バインダーとを含み、
　前記成分移行防止層は、少なくとも有機バインダーを含む
　ことを特徴とする請求項１に記載の加熱接合用シート。
　前記焼結前層に含まれる金属微粒子の含有量は、焼結前層全体に対して、３０～７０体積％の範囲内であり、
　前記成分移行防止層に含まれる金属微粒子の含有量は、成分移行防止層全体に対して、０～３０体積％の範囲内である
　ことを特徴とする請求項２に記載の加熱接合用シート。
　前記焼結前層に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含み、
　前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーは、熱分解性バインダーを含む
　ことを特徴とする請求項２又は３に記載の加熱接合用シート。
　前記焼結前層に含まれる有機バインダーは、焼結前層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を２０～８０重量％含み、
　前記成分移行防止層に含まれる有機バインダーは、成分移行防止層の有機バインダー全体に対して、分子量５００以下の有機成分を０～２０重量％含む
　ことを特徴とする請求項２～４のいずれか１に記載の加熱接合用シート。
　前記焼結前層の厚さが、５～１００μｍの範囲内であり、
　前記成分移行防止層の厚さが、２～１０μｍの範囲内である
　ことを特徴とする請求項１～５のいずれか１に記載の加熱接合用シート。
　ダイシングテープと、
　請求項１～６のいずれか１に記載の加熱接合用シートと
　を有し、
　前記加熱接合用シートは、前記ダイシングテープと前記成分移行防止層とが接触する態様で前記ダイシングテープ上に積層されていることを特徴とするダイシングテープ付き加熱接合用シート。