JP4421204B2 - 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置並びに製造方法 - Google Patents

半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置並びに製造方法 Download PDF

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    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに剥離可能に貼着され、ＱＦＮ等の半導体装置（半導体パッケージ）を製造する際に用いて好適な半導体装置製造用接着シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型パソコン、携帯電話等の電子機器の小型化、多機能化に伴い、電子機器を構成する電子部品の小型化、高集積化の他、電子部品の高密度実装技術が必要になっている。このような背景下、従来のＱＦＰ(Quad Flat Package)やＳＯＰ(Small Outline Package)等の周辺実装型の半導体装置に代わって、高密度実装が可能なＣＳＰ(Chip Scale Pakeage)等の面実装型の半導体装置が注目されている。また、ＣＳＰの中でも特にＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded)は、従来の半導体装置の製造技術を適用して製造できるため、主に１００ピン以下の少端子型の半導体装置として好適に用いられている。
【０００３】
従来、ＱＦＮの製造方法として、概略下記の方法が知られている。
はじめに、接着シート貼着工程において、リードフレームの一方の面に接着シートを貼着し、次いで、ダイアタッチ工程において、リードフレームに複数形成された半導体素子搭載部（ダイパッド部）に、ＩＣチップ等の半導体素子を各々搭載する。次に、ワイヤボンディング工程において、リードフレームの各半導体素子搭載部の外周に沿って配設された複数のリードと半導体素子とをボンディングワイヤにより電気的に接続する。次に、樹脂封止工程において、リードフレームに搭載された半導体素子を封止樹脂により封止し、その後、接着シート剥離工程において、接着シートをリードフレームから剥離することにより、複数のＱＦＮが配列されたＱＦＮユニットを形成することができる。最後に、ダイシング工程において、このＱＦＮユニットを各ＱＦＮの外周に沿ってダイシングすることにより、複数のＱＦＮを同時に製造することができる。
この製法で用いる接着シートの接着剤としては、エポキシ樹脂／ＮＢＲ系接着剤やシリコーン系接着剤が一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１８１２２７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シリコーン系接着剤ではワイヤボンディング性が低く、また、モールドフラッシュが生じ易い問題がある。
そこで、ワイヤボンディング工程前にプラズマクリーニングを実施することで、表面に付着した不純物を除去することにより、ワイヤボンディング性を向上させることが一般化している。この際、接着シートの接着剤層の露出面がプラズマクリーニングにより粗化され、接着シートの再剥離時に、半導体パッケージの接続端子、モールド樹脂面に接着剤移行（以下「糊残り」と表記することがある）が発生することがあった。このような糊残りが発生した場合には、モールド樹脂、およびその近傍のリードの外部接続端子部分に接着剤が付着するため、製造された半導体装置を配線基板等に実装する際に、接続不良が発生する恐れがある。
【０００６】
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、ＱＦＮ等の半導体装置の製造に用いた場合に、良好なワイヤボンディング性、モールドフラッシュ特性を維持したまま、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる半導体装置製造用接着シート、それを用いた半導体装置、その製造方法を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置製造用接着シート（以下、「接着シート」と略記することがある。）は、耐熱性基材の一方の面に接着剤層を積層し、リードフレームまたは配線基板に剥離可能に貼着した後に、リードフレームまたは配線基板から剥離する接着シートであって、前記接着剤層が、熱硬化性樹脂成分（ａ）と、熱可塑性樹脂成分（ｂ）と、反応性シリコーンオイルからなる再剥離性付与成分（ｃ）とを混合した接着剤であることを特徴とする。
また、接着剤層の熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比率（ａ）／（ｂ）が１〜２．５であることを特徴とする。
また、再剥離性付与成分（ｃ）が、熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）の混合物と化学的に結合状態にあることを特徴とする。
さらに、接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が１５０〜２５０℃において１０ＭＰａ以上であることを特徴とする。
銅または金メッキした銅に貼付け、接着シートの硬化後の１５０〜２００℃における剥離力が０．０３〜５Ｎ／ｃｍであることが望ましい。
接着剤層は、再剥離性付与成分（ｃ）と熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）との混合物を成膜してなるもの、または、再剥離性付与成分（ｃ）が、熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）からなる接着剤層の表面に成膜されたものが好ましい。
接着剤層の熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）及び再剥離性付与成分（ｃ）の重量比率（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）が６〜２，０００であることが望ましい。
熱可塑性樹脂成分（ｂ）は、その重量平均分子量が２，０００〜１，０００，０００であることが望ましい。
耐熱性基材は、ガラス転移温度が１５０℃以上であり、且つ、熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃の耐熱性樹脂フィルム、または、熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃の金属箔が望ましい。
接着剤層の片面に保護フィルムが設けられていることが望ましい。
銅または金メッキした銅と貼合せした際の接着強度が０．０９８Ｎ／ｃｍ以上であることが望ましい。
本発明の半導体装置は、上述した半導体装置製造用接着シートを用いて製造されたことを特徴とするものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置製造用接着シートを用いて製造することを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
本発明の接着シートは、耐熱性基材の一方の面に、熱可塑性樹脂成分（ｂ）、またはさらに、熱硬化性樹脂成分（ａ）と、再剥離性付与成分（ｃ）を含む接着剤層を具備して構成されたものである。
耐熱性基材としては、耐熱性樹脂フィルムや金属箔等を挙げることができる。
本発明の接着シートを用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造する際に、接着シートは、ダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程において、１５０〜２５０℃の高温に曝される。耐熱性基材として耐熱性樹脂フィルムを用いる場合、該耐熱性樹脂フィルムの熱膨張係数はガラス転移温度（Ｔｇ）以上になると急激に増加し、金属製のリードフレームとの熱膨張差が大きくなるため、室温に戻した際に、耐熱性樹脂フィルムとリードフレームに反りが発生する恐れがある。そして、耐熱性樹脂フィルムとリードフレームに反りが発生した場合には、樹脂封止工程において、金型の位置決めピンにリードフレームを装着することができず、位置ずれ不良を起こす恐れがある。
【０００９】
したがって、耐熱性基材として耐熱性樹脂フィルムを用いる場合、ガラス転移温度が１５０℃以上の耐熱性樹脂フィルムであることが好ましく、更に１８０℃以上であることがより好ましい。
また、金属製のリードフレームとの熱膨張差は小さいことが望ましいので、耐熱性樹脂フィルムの１５０〜２５０℃における熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、更に１０〜３０ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。かかる特性を有する耐熱性樹脂フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルイミド等からなるフィルムを例示することができる。
【００１０】
また、耐熱性基材として金属箔を用いる場合においても、耐熱性樹脂フィルムと同様の理由から、金属箔の１５０〜２５０℃における熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、更に１０〜３０ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。金属としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、パラジウム、カドミウム、インジウム、錫、鉛からなる箔や、これらの金属を主成分とした合金箔、あるいはこれらのメッキ箔を例示することができる。
【００１１】
また、本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する際に、接着シート剥離工程における糊残りを防止するためには、耐熱性基材と接着剤層との接着強度Ｓａと、封止樹脂及びリードフレームと接着剤層との接着強度Ｓｂとの比（接着強度比）Ｓａ／Ｓｂが１.５以上であることが好ましい。Ｓａ／Ｓｂが１.５未満の場合では、接着シート剥離工程において糊残りが発生しやすいため好ましくない。なお、接着強度比Ｓａ／Ｓｂを１.５以上とするためには、耐熱性樹脂フィルムの場合には、接着剤層を形成する前に、耐熱性樹脂フィルムの接着剤層を形成する側の表面に、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理、サンドブラスト等の、耐熱性樹脂フィルムと接着剤層との接着強度Ｓａを高くするような処理を予め施しておくことが好適である。また、金属箔の場合では、その製法から圧延金属箔と電解金属箔とに分類されるが、接着強度比Ｓａ／Ｓｂを１.５以上とするために、電解金属箔を用いると共に粗面化された側の面に接着剤層を設けて調整することが好ましい。また、電解金属箔の中でも特に、電解銅箔を用いることが特に好ましい。
また、接着剤層と、銅または金メッキした銅からなるリードフレームの温度が１５０〜２００℃において、接着剤層とリードフレームとの接着強度が０.０９８Ｎ／ｃｍ以上であることが望ましい。０.０９８Ｎ／ｃｍ以上の場合にはモールドフラッシュ防止性能が十分といえるからである。
【００１２】
接着剤層は、熱可塑性樹脂成分（ｂ）と再剥離性付与成分（ｃ）を必須成分とし、望ましくはさらに、熱硬化性樹脂成分（ａ）を有する。この場合、熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）との重量比（ａ）／（ｂ）は３.５以下が好ましく、（ａ）／（ｂ）は０.３〜３.５が更に好ましく、０.３〜２.５がより好ましく、１〜２.５がより好ましい。
（ａ）／（ｂ）が３.５より大きい場合、接着剤層の可とう性が低下するため、プラズマクリーニング工程を経た接着シート付きリードフレームは、樹脂封止工程において接着シートの接着力が低下して、リードフレームと接着シートとが部分的に剥離しモールドフラッシュが発生し、また糊残りが生じ易くなる。他方、（ａ）／（ｂ）が０.３未満になると、弾性率の低下に伴うワイヤボンディング不良が生じやすくなるので好ましくない。
熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）の混合物、または熱可塑性樹脂成分（ｂ）の単独である接着剤成分と再剥離性付与成分（ｃ）の重量比（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）、または（ｂ）／（ｃ）は６〜２,０００であることが好ましい。更に（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）、または（ｂ）／（ｃ）は１０〜１,０００が好ましい。
（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）、または（ｂ）／（ｃ）が６未満の場合、リードフレームと接着シートの接着力が低下するため、樹脂封止工程において、リードフレームと接着シートとが部分的に剥離してモールドフラッシュが発生し、また糊残りが生じ易くなる。（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）、または（ｂ）／（ｃ）が２,０００より大きい場合、プラズマクリーニング工程を経た接着シート付きリードフレームを使用すると、リードフレームと接着シートの接着力が増加するため、半導体製造用接着シートを再剥離する際に、糊残りが生じ易くなる。
【００１３】
接着剤層の成分として、熱硬化性樹脂成分（ａ）が適量含まれていると、ワイヤボンディング性、モールドフラッシュ特性を向上できる。熱硬化性樹脂成分（ａ）としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アセトグアナミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、イソシアナート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ナジイミド樹脂等を例示することができる。なお、これらの樹脂は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。中でも特にエポキシ樹脂とフェノール樹脂の少なくとも１種を含有することによって、ワイヤボンディング工程における処理温度下で高弾性率を有すると共に、樹脂封止工程における処理温度下でリードフレームとの接着強度が高い接着剤層が得られるため好ましい。
【００１４】
熱可塑性樹脂成分（ｂ）としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクロロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレン樹脂（ＳＢＳ）、ポリブタジエン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン等が挙げられるが、その中でも特にアミド結合を有するポリアミドやポリアミドイミドや、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂が耐熱性に優れているため好ましい。
また、熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量平均分子量が２,０００〜１,０００,０００、好ましくは５,０００〜８００,０００、更に好ましくは１０,０００〜５００,０００である。この範囲内であれば、接着剤層の凝集力を高めることができ、接着シート剥離工程における糊残りを更に防止することができる。
【００１５】
再剥離性付与成分（ｃ）としてはシリコーンオイル、変性シリコーンオイルが挙げられる。シリコーンオイルとして、ジメチルポリシロキサンタイプ、メチルハイドロジェンポリシロキサンタイプ、メチルフェニルポリシロキサンタイプ等が挙げられる。変性シリコーンオイルは、反応性シリコーンオイルとして、アミノ変性タイプ、エポキシ変性タイプ、カルボキシル変性タイプ、カルビノール変性タイプ、メタクリル変性タイプ、メルカプト変性タイプ、フェノール変性タイプ、非反応性シリコーンオイルとして、ポリエーテル変性タイプ、メチルスチリル変性タイプ、アルキル変性タイプ、脂肪酸エステル変性タイプ、アルコキシ変性タイプ、フッ素変性タイプ等を例示できる。なお、これらのシリコーンオイルは、単独で用いても良いし、２種以上併用しても良い。
この中でも特に反応性シリコーンオイルは、熱可塑性樹脂成分（ｂ）や、熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）の混合物と化学的に結合した状態となることにより、再剥離時にシリコーンオイルのパッケージへの移行がなくなるため特に好ましい。
【００１６】
また、接着剤層の熱膨張係数、熱伝導率、表面タック、接着性等を調整するために、接着剤層に無機、または有機フィラーを添加することが好ましい。ここで、無機フィラーとしては、粉砕型シリカ、溶融型シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン等からなるフィラー、あるいはこれらの表面にトリメチルシロキシル基等を導入したもの等を例示することができる。また、有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン樹脂等からなるフィラーを例示することができる。
【００１７】
半導体パッケージを製造するための樹脂封止工程においては、１５０〜２００℃に加熱しながら、５〜１０ＧＰａの圧力をかけて半導体素子を樹脂封止により封止する。そのため、接着シートの接着剤層が高温に曝される結果、接着剤層の接着力（接着剤層とリードフレームとの接着強度）が低下し、封止樹脂の圧力により、接着剤層がリードフレームから部分的に剥離してモールドフラッシュが発生する場合があるが、本発明の接着剤層を用いた接着シートでは、接着剤層の接着力が低下しにくく、モールドフラッシュが生じにくい。
【００１８】
耐熱性基材の一方の面に接着剤層を形成する方法としては、耐熱性基材上に直接、接着剤を塗布し、乾燥させるキャスティング法や、接着剤を離型性フィルム上に一旦塗布し、乾燥させた後、耐熱性基材上に転写させるラミネート法等が好適である。なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）、熱可塑性樹脂成分（ｂ）、再剥離性付与成分（ｃ）何れも有機溶剤、例えばトルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン系極性溶剤、テトラヒドロフラン等の単独あるいは混合物に対して１質量％以上、好ましくは５質量％以上溶解して接着剤塗布液として使用することが好ましい。
【００１９】
接着剤層は、再剥離性付与成分（ｃ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）またはさらに熱硬化性樹脂成分（ａ）とで混合物を調製し、その混合物を成膜したものの他、熱可塑性樹脂成分（ｂ）またはさらに熱硬化性樹脂成分（ａ）により接着剤層を形成し、その後その表面に再剥離性付与成分（ｃ）を成膜して全体として接着剤層としても良い。再剥離性付与成分（ｃ）を後で成膜した場合には、予め混合物としておいた場合よりも、少量の再剥離性付与成分（ｃ）の使用量で再剥離性機能を得ることができるので好ましい。
【００２０】
本発明の接着シートの接着剤層上に剥離可能な保護フィルムを貼着し、半導体装置製造直前に保護フィルムを剥離する構成としても良い。この場合には、接着シートが製造されてから使用されるまでの間に、接着剤層が損傷されることを防止することができる。保護フィルムとしては離型性を有するものであればいかなるフィルムを用いても良いが、例えばポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムや、これらフィルムの表面をシリコーン樹脂又はフッ素化合物で離型処理したフィルム等を例示することができる。
【００２１】
また、１５０℃から２５０℃の温度範囲全てにおける接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率は、１ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ以上、更に５０ＭＰａ以上であることが好ましい。なお、ここでいう硬化後とは、ダイアタッチ工程において加熱処理された状態における接着剤層のことをいう。貯蔵弾性率の測定条件等については実施例で説明する。半導体パッケージを製造するためのワイヤボンディング工程においては、ボンディングワイヤを用いて半導体素子とリードフレームとを接続するために、該ボンディングワイヤの両端を１５０〜２５０℃に加熱して６０〜１２０ｋＨｚの超音波で融着するその際、リードフレームの直下に位置する接着シートの接着剤層は、上記加熱による高温に曝されて低弾性化し、超音波を吸収しやすくなり、その結果リードフレームが振動してワイヤボンディング不良が発生しやすいが、上記貯蔵弾性率を有する接着剤層から構成された本発明の接着シートの場合は、このような問題が発生しにくくなる。貯蔵弾性率を１ＭＰａ以上とする為には、例えば、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の質量比を０.３以上に調整すればよい。
銅または金メッキした銅に貼付けた接着シートの硬化後の１５０〜２００℃における剥離力は０.０３〜５Ｎ／ｃｍであることが好ましい。剥離力が０.０３Ｎ／ｃｍ未満の場合では接着力不足により、モールド樹脂封止時にモールドフラッシュの不具合が発生する場合がある。一方、５Ｎ／ｃｍを超えた場合には、剥離時に接着シートが破れる等の不具合が発生して剥離が困難になる。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）
次に、図１、図２に基づいて、本発明の接着シートを用いて、半導体装置を製造する方法の一例について説明する。以下、半導体装置としてＱＦＮを製造する場合を例として説明する。
【００２３】
はじめに、図１に示す概略構成のリードフレーム２０を用意する。リードフレーム２０は、ＩＣチップ等の半導体素子を搭載する島状の複数の半導体素子搭載部（ダイパッド部）２１を具備し、各半導体素子搭載部２１の外周に沿って多数のリード２２が配設されたものである。次に、図２（ａ）に示すように、接着シート貼着工程において、リードフレーム２０の一方の面上に、本発明の接着シート１０を接着剤層（図示略）側がリードフレーム２０側となるように貼着する。なお、接着シート１０をリードフレーム２０に貼着する方法としては、ラミネート法等が好適である。次に、図２（ｂ）に示すように、ダイアタッチ工程において、リードフレーム２０の半導体素子搭載部２１に、接着シート１０が貼着されていない側からＩＣチップ等の半導体素子３０を、ダイアタッチ材（図示略）を用いて搭載する。
【００２４】
次に、ワイヤボンディング直前までにかかる熱履歴で、接着シートや、ダイアタッチ剤等から発生するアウトガス成分が、リードフレームに付着し、ワイヤの接合不良による歩留低下を防止するため、ワイヤボンディング工程実施前に、接着シート、ダイアタッチ剤、ＩＣチップが搭載されたリードフレームをプラズマクリーニングする。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示すように、ワイヤボンディング工程において、半導体素子３０とリードフレーム２０のリード２２とを、金ワイヤ等のボンディングワイヤ３１を介して電気的に接続する。次に、図２（ｄ）に示すように、樹脂封止工程において、図２（ｃ）に示す製造途中の半導体装置を金型内に載置し、封止樹脂（モールド材）を用いてトランスファーモールド（金型成型）することにより、半導体素子３０を封止樹脂４０により封止する。
次に、図２（ｅ）に示すように、接着シート剥離工程において、接着シート１０を封止樹脂４０及びリードフレーム２０から剥離することにより、複数のＱＦＮ５０が配列されたＱＦＮユニット６０を形成することができる。最後に、図２（ｆ）に示すように、ダイシング工程において、ＱＦＮユニット６０を各ＱＦＮ５０の外周に沿ってダイシングすることにより、複数のＱＦＮ５０を製造することができる。
このように本発明の接着シート１０を用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、熱硬化型接着剤のワイヤボンディング性、モールドフラッシュ防止性を維持したまま、該接着シートがプラズマクリーニング工程を経た状態においても、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる。
【００２６】
【実施例】
次に、本発明に係る実施例及び比較例について説明する。
各実施例、比較例において、接着剤を調製して接着シートを作製し、得られた接着剤層や接着シートの評価を行った。尚、下記表１、２における配合比は質量比である。
【００２７】
＜実施例１＞
表１に示す組成及び配合比でテトラヒドロフランに混合し接着剤溶液を作製した。次に、耐熱性基材としてポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン社製 商品名：カプトン１００ＥＮ、厚さ２５μｍ、ガラス転移温度３００℃以上、熱膨張係数１６ｐｐｍ／℃）を用い、その上に乾燥後の厚さが６μｍになるように、上記接着剤溶液を塗布した後、１２０℃で５分間乾燥させ、接着剤層を有する本発明の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５、及び（熱硬化性樹脂成分（ａ）＋熱可塑性樹脂成分（ｂ））／（再剥離性付与成分（ｃ））の重量比は２８.５７である。
【００２８】
＜実施例２＞
接着剤溶液を表１に示す組成及び配合比に変更した以外は実施例１と同様にして本発明の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５、及び（熱硬化性樹脂成分（ａ）＋熱可塑性樹脂成分（ｂ））／（再剥離性付与成分（ｃ））の重量比は３３.３３である。
【００２９】
＜実施例３＞
熱硬化性樹脂成分（ａ）、熱可塑性樹脂成分（ｂ）及び硬化促進剤を表１に示す組成及び配合比でテトラヒドロフランに混合し接着剤溶液を作製した。次に、耐熱性基材としてポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン社製 商品名：カプトン１００ＥＮ、厚さ２５μｍ、ガラス転移温度３００℃以上、熱膨張係数１６ｐｐｍ／℃）を用い、その上に乾燥後の厚さが６μｍになるように、上記接着剤溶液を塗布した、１００℃で３分間乾燥させた接着剤を得た後、再剥離性付与成分（ｃ）１重量部をテトラヒドロフラン５０重量部に希釈した溶液を表１に示す配合比になるように接着剤上面に塗布し、更に１２０℃で５分乾燥させた接着剤層を有する本発明の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５である。
【００３０】
＜実施例４＞
接着剤溶液を表１に示す組成及び配合比に変更した以外は実施例３と同様にして本発明の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５である。
【００３１】
＜実施例５＞
実施例１と同様の組成及び配合比で接着剤溶液を作製し、次に耐熱性基材として３／４オンスの銅箔（三井金属鉱業社製 商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ、厚さ２５μｍ、熱膨張係数２０ｐｐｍ／℃）を使用し、その粗化面上に乾燥後の厚さが８μｍになるように上記接着剤溶液を塗布し、１２０℃で５分間乾燥させ、接着剤層を有する本発明の接着シートを得た。
【００３３】
【表１】
Figure 0004421204
【００３４】
＜比較例１＞
接着剤溶液を表２に示す組成及び配合比で混合した接着剤溶液に変更した以外は実施例１と同様にして比較用の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５である。
【００３５】
＜比較例２＞
接着剤溶液を表２に示す組成及び配合比に変更した以外は実施例１と同様にして比較用の接着シートを得た。
なお、熱硬化性樹脂成分（ａ）／熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比は１.５である。
【００３６】
【表２】
Figure 0004421204
【００３７】
＜貯蔵弾性率の測定＞
実施例及び比較例において得られた接着剤溶液を離型フィルム上に塗布した後、接着シートを作製する際と同じ乾燥条件にて乾燥し、更にダイアタッチ工程の熱処理条件（１７５℃で２時間）で熱処理を行い、接着剤層付き離型性フィルムを作製した。なお、乾燥後の厚さが０.１ｍｍになるように接着剤の塗布、乾燥を行った。
得られたサンプルを５ｍｍ×３０ｍｍに切断し、弾性率測定装置（オリエンテック社製レオバイブロンＤＤＶ−II）を用いて、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、測定温度範囲１５０℃〜２５０℃で測定を行なった。その結果を表３に示した。なお、表３の数値は、測定温度範囲１５０℃〜２５０℃における貯蔵弾性率の最小値を示す。
【００３８】
＜接着シートの評価＞
１．ワイヤボンディング不良
各実施例及び比較例において得られた接着シートを、外寸２００ｍｍ×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐｄ−ＮｉメッキＣｕリードフレーム、４×１６個（計６４個）のマトリックス配列、パッケージサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、８４ピン）にラミネート法により貼着した。
それらの半数について、プラズマクリーニングを施した。
次いで、エポキシ系ダイアタッチ剤を用いてアルミニウムが蒸着されたダミーチップ（６ｍｍ×６ｍｍ、厚さ０.４ｍｍ）をリードフレームの半導体素子搭載部に搭載した後、ワイヤボンダー（新川社製、ＵＴＣ−４７０ＢＩ）を用い、加熱温度を２１０℃、ＵＳ ＰＯＷＥＲを３０、荷重を０.５９Ｎ、処理時間を１０ｍｓｅｃ／ピンとして、ダミーチップとリードとを金ワイヤにより電気的に接続した。
得られたパッケージ６４個を検査し、リード側接続不良が発生したパッケージ数を、ワイヤボンディング不良の発生個数として検出し、その結果を表３に示した。
【００３９】
２．モールドフラッシュ
ワイヤボンディング不良の評価後のリードフレームを用いてモールドフラッシュの評価を行った。先ずプラズマクリーニングを実施したフレームと実施しないフレームに分け、それぞれエポキシ系モールド剤（ビフェニルエポキシ系、フイラー量８５質量％）を用い、加熱温度を１８０℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を３分間として、トランスファーモールド（金型成型）により、ダミーチップを封止樹脂により封止した。
樹脂封止後のパッケージ６４個を検査し、リードの外部接続用部分（リードの接着シート側の面）に封止樹脂が付着しているパッケージ数を、モールドフラッシュの発生個数として検出し、その結果を表３に示した。
【００４０】
３．糊残り
プラズマクリーニングの有無を含むモールドフラッシュの評価後のリードフレームを用い、糊残りの評価を行った。先ず接着シートをリードフレームから剥離速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で剥離した。
接着シートの剥離後のパッケージ６４個を検査し、リードの外部接続用部分、モールド樹脂面を含む接着シート剥離面に接着剤が付着しているパッケージ個数を、糊残りの発生数として表３に示した。
【００４１】
４．接着強度
各実施例及び比較例において得られた接着シートを１ｃｍ幅に切断し、５０ｍｍ×１００ｍｍ×０.２５ｍｍｔの銅板（三菱メテックス社製 商品名：ＭＦ−２０２）、及びに銅板に金メッキした板に、ロールラミネーションにより圧着させた。次にダイアタッチキュア（１７５℃ １時間）、モールド樹脂キュア（１８０℃ ４時間）相当の熱履歴後常温に戻した。これらの板を１５０℃に加熱し、得られた積層体の接着剤層を板に対して９０°方向に引き剥がした時の剥離強度を測定した。
さらに、この剥離強度の測定を、板の加熱温度を１５０℃から２００℃まで５℃ごとに上昇させて行った。そして、１５０〜２００℃の各測定温度における剥離強度のうち最小値を接着シートの接着強度とし、その結果を表３に示した。この場合、実用上必要とされる銅板への接着力は、金メッキの有無を問わず０.０９８Ｎ／ｃｍ以上である。
【００４２】
【表３】
Figure 0004421204
【００４３】
表３に示すように、本発明の接着シートは、プラズマクリーニングを実施したリードフレームにおいても、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ及び糊残りが全く発生しなかった。これに対し、再剥離性付与成分（ｃ）を含有しない比較例では、糊残りが多数発生した。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の半導体装置製造用接着シートにおいては、接着剤層がプラズマクリーニングに曝されても、適切な剥離性を保持し、糊残りが発生しないため、本発明の接着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュはもとより、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の半導体装置製造用接着シートを用いてＱＦＮを製造する際に用いて好適なリードフレームの構造を示すもので、半導体素子を搭載する側から見た概略平面図である。
【図２】 図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置製造用接着シートを用いてＱＦＮを製造する方法の一例を示す工程図で、図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した拡大概略断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体装置製造用接着シート
２０ リードフレーム
３０ 半導体素子
３１ ボンディングワイヤ
４０ 封止樹脂

Claims (12)

  1. リードフレームまたは配線基板に剥離可能に貼着した後に、リードフレームまたは配線基板から剥離する半導体装置製造用接着シートにおいて、
    耐熱性基材と接着剤層を有する積層体からなるシートで、該接着剤層が熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）及び反応性シリコーンオイルからなる再剥離性付与成分（ｃ）を含有しており、
    前記接着剤層の熱硬化性樹脂成分（ａ）および熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量比率（ａ）／（ｂ）が１〜２．５であり、
    前記接着剤層の再剥離性付与成分（ｃ）が、熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）の混合物と化学的に結合状態にあり、
    前記接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が１５０〜２５０℃において１０ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
  2. 銅または金メッキした銅に貼付け、硬化後の１５０〜２００℃における剥離力が０．０３〜５Ｎ／ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  3. 前記接着剤層は、再剥離性付与成分（ｃ）と熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）との混合物を成膜してなるものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  4. 前記接着剤層の熱硬化性樹脂成分（ａ）及び熱可塑性樹脂成分（ｂ）及び再剥離性付与成分（ｃ）の重量比率（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）が６〜２，０００であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  5. 再剥離性付与成分（ｃ）が、熱硬化性樹脂成分（ａ）と熱可塑性樹脂成分（ｂ）からなる接着剤層の表面に成膜されたものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  6. 熱可塑性樹脂成分（ｂ）の重量平均分子量が２，０００〜１，０００，０００であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  7. 前記耐熱性基材が、ガラス転移温度が１５０℃以上であり、且つ、熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃の耐熱性樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  8. 前記耐熱性基材が、熱膨張係数が５〜５０ｐｐｍ／℃の金属箔であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  9. 前記接着剤層の片面に保護フィルムが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  10. 銅または金メッキした銅と貼合せした際の接着強度が０．０９８Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用接着シート。
  11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置製造用接着シートを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置製造用接着シートを用いて製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP4538398B2 (ja) * 2005-10-31 2010-09-08 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
JP4863690B2 (ja) * 2005-10-31 2012-01-25 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置並びにその製造方法
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JP4505649B2 (ja) * 2006-03-23 2010-07-21 フジコピアン株式会社 固定シート
JP2009158817A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tomoegawa Paper Co Ltd Ｑｆｎ用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いたｑｆｎ用接着シート
KR20110087547A (ko) * 2010-01-26 2011-08-03 도레이첨단소재 주식회사 내열성 점착시트를 이용한 반도체 장치의 제조방법
JP5714349B2 (ja) * 2011-01-31 2015-05-07 ニッタ株式会社 易剥離性粘着シートおよび易剥離性粘着テープ
CN110734736B (zh) * 2014-08-08 2022-04-19 东丽株式会社 临时粘接用粘合剂、粘合剂层、晶片加工体及使用其的半导体器件的制造方法
TWI732764B (zh) * 2015-06-01 2021-07-11 日商富士軟片股份有限公司 暫時接著劑、接著膜、接著性支持體、積層體及接著劑套組
CN108922854B (zh) * 2018-06-14 2020-06-05 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种用于封装硅基芯片的瞬态电路封装结构实现方法
JP7187906B2 (ja) * 2018-09-10 2022-12-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法
EP4083159A4 (en) * 2019-12-23 2024-01-10 Nissan Chemical Corp ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR PEELING LAMINATE AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR FORMING SUBSTRATE

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