JP7187906B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップを仮固定する際に使用される仮固定材樹脂組成物により形成する仮固定材層を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型、軽量化、及び高機能化の要求が高まっている。これらの要求に応じて電子機器を構成する半導体装置についても、小型化、薄型化、及び高密度実装化が求められている。

このような半導体装置の製造には、基板又は仮止め材等に固定された半導体チップを封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位の半導体装置となるようにダイシングする手順が採用されている。このような過程の中で、上記要求に応えるべく、封止樹脂で封止後に封止体を研削して薄型化を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２等を参照）。フリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、フリップチップＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、ファンイン型ウェハレベルパッケージ、及びファンアウト型ウェハレベルパッケージ等の薄型半導体装置の製造においては、研削による薄型化に加えて、薄厚半導体チップを適用することも重要な要素となる。近年は製造コストの観点から製造の大面積化が求められている。

封止材にて封止する半導体装置の製造方法が用いられるパッケージにはＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）が存在しており、微細なパターンが形成された金属製リードフレームを被加工体として用いている（特許文献３を参照）。こちらも近年は製造コストの観点から製造の大面積化が求められているが、大面積化するにつれて封止樹脂にて封止した後に半導体装置の反りが増大することから、支持基板に仮止めし、反りを抑制する半導体装置の製造方法が考えられている。

特許第３４２０７４８号公報 特許第３６６６５７６号公報 特許第３５４３８００号公報

支持体及び仮止め材を使用したＱＦＮの製造方法は、支持体に仮止め材を形成する第一工程と、前記仮止め材側に被加工体を仮接合する第二工程と、前記仮接合後に仮止め材を硬化する第三工程と、前記硬化後に半導体装置製造を行う第四工程と、前記第四工程後の仮止め材と被加工体を剥離する第五工程を備えており、前記第四工程までは、半導体装置製造に耐えうる十分な密着性が求められており、前記第五行程では、仮止め材と被加工体を容易に剥離できる、軽剥離性が求められている。

上記工程を熱硬化性樹脂組成物からなる仮止め材を用いて検討した場合、前記第五工程で被加工体の微細なパターン部分から剥離の際に仮止め材が破断することがあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、被加工体及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の被加工体及び封止体から容易に破断なく剥離できる仮止め材の形成を可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、〔１〕 支持体上に、仮固定材樹脂組成物からなる仮固定材層を形成する第一工程と、前記仮固定材層を半硬化する第二工程と、前記半硬化を行った仮固定材層上に被加工体を仮接合する第三工程と、前記仮接合後に本硬化を行う第四工程と、前記本硬化後に半導体装置製造の加工を行う第五工程と、前記第五工程を経た半導体装置から前記仮固定材層を剥離する第六工程と、を備え、前記半硬化後の仮固定材層と被加工体とのラミネート後の密着力が１０Ｎ／ｍ以上であり、前記半硬化後の仮固定材層に対する被加工体の埋め込み量が５μｍ以下である半導体装置の製造方法である。
また、本発明は、〔２〕 前記第三工程の被加工体がリードフレームであり、第五工程の半導体装置製造の加工が、リードフレームの露出面上のダイパッドに半導体素子を接着しワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続し、被加工体の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止するものである請求項１に記載の半導体装置の製造方法である。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、被加工体及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の被加工体及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層を形成することができる。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持体からも容易に剥離することができる。更に、本発明に係る仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層は、溶剤に浸漬させる等の操作を行わなくとも、被加工体及び封止材、並びに支持体からの剥離を行うことができる。

また、本発明は、〔３〕 前記半硬化が熱による硬化反応である上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔４〕 前記半硬化の硬化温度条件が仮固定材層の反応開始温度以上である、上記〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔５〕 前記半硬化後の仮固定材層は硬化反応率が１５～３５％である、上記〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔６〕 前記半硬化後の仮固定材層の応力緩和が７５～９０％である仮固定材樹脂組成物を用いた、上記〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔７〕 前記仮固定材樹脂組成物が熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、シリコーン化合物及び硬化促進剤を含み、半硬化温度条件が９０℃より高く１５０℃より低い、上記〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔８〕 前記熱可塑性樹脂が反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体である、上記〔７〕に記載の半導体装置の製造方法である。

また、本発明は、〔９〕 前記シリコーン化合物が有機基で変性されたシリコーン化合物である、上記〔７〕又は〔８〕に記載の半導体装置の製造方法である。

本発明によれば、被加工体及びその封止体を支持体に充分固定できるとともに、加工後の被加工体及び封止体から容易に剥離できる仮固定材層の形成を可能とする仮固定材樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

本実施形態の仮止め用樹脂フィルムシート（支持フィルム／仮固定材層（仮止め用樹脂フィルムシート）／保護フィルム）の一実施形態を示す上面図（ａ）と、(ａ)のＩ－Ｉ線に沿った模式断面図（ｂ）である。 仮止め用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示し、仮止めする部材の形状に合わせて仮固定材層（仮止め用樹脂フィルムシート）及び保護フィルムを予め裁断する状態を示す上面図（ａ）と、（ａ）のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図（ｂ）である。 本発明の半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態（以下、「本実施形態」という場合もある。）について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものでは
ない。

［半硬化］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半硬化後の仮固定材層と被加工体とのラミネート後の密着力が１０Ｎ／ｍ以上で、半硬化後の仮固定材層に対する被加工体の埋め込み量が５μｍ以下とするため仮固定材樹脂組成物は、好ましくは熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、シリコーン化合物及び硬化促進剤を含有した樹脂組成物を用いて、被加工体と、該被加工体を封止する封止体とを仮止めするために用いられる。

本実施形態で用いる半導体装置の製造方法としては、前記ＱＦＮの製造方法における支持体に仮固定材層（仮止め材）を形成する第一工程と、前記仮固定材層（仮止め材）側に被加工体を仮接合する第三工程の間に、前記仮固定材層（仮止め材）を半硬化する第二工程を加えることで、仮固定材層（仮止め材）の流動性及び接着強度を抑制し、半導体装置製造に耐えうる十分な密着性と、仮固定材層（仮止め材）と被加工体を容易に剥離できる、軽剥離性の両立が可能である。

前記半硬化の硬化温度条件としては前記仮固定材樹脂組成物の反応開始温度以上であることが好ましい。更に好ましくは９０℃より高く、１５０℃より低いことが好ましい。これにより、半導体装置製造に耐えうる十分な密着性と、仮固定材層（仮止め材）と被加工体を容易に剥離できる、軽剥離性の両立が可能である。

前記半硬化の仮固定材樹脂組成物は硬化反応率が、１５～３５％であることが好ましい。硬化反応率を抑制することにより、過度な半硬化や半硬化不足を抑制することができ、半導体装置製造に耐えうる十分な密着性と、仮固定材層（仮止め材）と被加工体を容易に剥離できる、軽剥離性の両立が可能である。

前記半硬化後の仮固定材樹脂組成物の粘度が２０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。更に好ましくは１，００００Ｐa・ｓ以下であることが好ましい。これにより、半導体装置製造に耐えうる十分な密着性を確保することができ、仮固定材層（仮止め材）の裂けを抑制することができる。

［仮固定材樹脂組成物］
〔熱可塑性樹脂〕
前記仮固定材樹脂組成物に用いる熱可塑性樹脂としては、仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層（仮止め層）及び仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）の耐熱性及び低温貼付性に優れるという観点から、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。

（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、アクリルガラス、アクリルゴム等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体などが挙げられる。これらの中でも、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。具体的なモノマーの組み合わせによる共重合体としては、共重合成分としてブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体、及び共重合成分としてエチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体が挙げられる。

反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。

反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基及びエピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点からエポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。

本実施形態において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４－ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル及び３，４－エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが挙げられる。反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーは、中でも、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート及びグリシジルメタクリレートが好ましい。

熱可塑性樹脂のＴｇは、－５０℃～５０℃であることが好ましい。熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、仮固定材樹脂組成物から仮固定材層（フィルム状の仮止め材）を形成したときに、柔軟性を確保しやすく、低温貼付性を向上させることができる。また、半導体チップに凹凸が存在する場合、１５０℃以下でのバンプ埋め込みが更に容易になる。一方、熱可塑性樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、仮固定材樹脂組成物から仮固定材層（フィルム状の仮止め材）を形成したときに、柔軟性が高くなりすぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる。

熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上、２００万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定材樹脂組成物の耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が２００万以下であると、仮固定材樹脂組成物から仮固定材層（フィルム状の仮固定材）を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制しやすい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの配合量は合計で、共重合成分全量を基準として０．１質量％以上であってよく、０．５質量％以上であってもよく、１．０質量％以上であってもよく、２．０質量％以上であってもよく、３．０質量％以上であってもよい。上記配合量は、４０質量％以下であってよく、３５質量％以下がであってもよく、３０質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよく、１５質量％以下であってもよく、１０質量％以下であってもよい。上記配合量は、例えば、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１５質量％であることがより好ましく、１．０～１０質量％であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定材樹脂組成から仮固定材層（フィルム状の仮止め材）を形成したときに、耐熱性と柔軟性とをより高水準で両立することができる。同様の観点から、上記配合量は、１．０～４０質量％であることが好ましく、２．０～３５質量％であることがより好ましく、３．０～３０質量％であることが更に好ましい。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物が、後述する光熱変換材を更に含有する場合、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体が共重合成分として含むグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートの配合量は、合計で、共重合成分全量を基準として、１．０～４０質量％であることが好ましく、２．０～３５質量％であることがより好ましく、３．０～３０質量％であることが更に好ましい。配合量が上記範囲内であると、仮固定材樹脂組成から仮固定材層（フィルム状の仮止め材）を形成したときに、耐熱性と柔軟性とをより高水準で両立することができる。

上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）等の市販品を用いてもよい。

本実施形態の仮固定材樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、仮固定材樹脂組成物全量を基準として、３０～９９質量％が好ましく、５０～９５質量％がより好ましい。

〔シリコーン化合物〕
本実施形態で用いるシリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、シリコーン変性樹脂、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

仮固定材樹脂組成物がシリコーン化合物を含有することで、仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層（フィルム状の仮止め材）を、半導体チップ及び封止体並びに支持体から剥離する際、１００℃以下の低温であっても、溶剤を用いることなく容易に剥離することが可能となる。

本実施形態で用いるシリコーン化合物がシリコーン変性樹脂である場合、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。

シリコーン変性アルキド樹脂を得る方法としては、例えば、（ｉ）アルキド樹脂を得る通常の合成反応、すなわち多価アルコールと脂肪酸、多塩基酸等とを反応させる際に、オルガノポリシロキサンをアルコール成分として同時に反応させる方法、及び、（ｉｉ）あらかじめ合成された一般のアルキド樹脂に、オルガノポリシロキサンを反応させる方法が挙げられる。

アルキド樹脂の原料として用いられる多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の二価アルコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、マンニット、ソルビット等の四価以上の多価アルコールが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アルキド樹脂の原料として用いられる多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、無水トリメット酸等の芳香族多塩基酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族飽和多塩基酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の脂肪族不飽和多塩基酸、シクロペンタジエン－無水マレイン酸付加物、テルペン－無水マレイン酸付加物、ロジン－無水マレイン酸付加物等のディールス・アルダー反応による多塩基酸が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリコーン変性アルキド樹脂としては、例えば、テスファイン３１９、ＴＡ３１－２０９Ｅ（以上、日立化成株式会社製、商品名）等の市販品を用いることもできる。

アルキド樹脂は、変性剤又は架橋剤を更に含有していてもよい。

変性剤は、例えばオクチル酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレイン酸、エレオステアリン酸、リシノレイン酸、脱水リシノレイン酸、或いはヤシ油、アマニ油、キリ油、ヒマシ油、脱水ヒマシ油、大豆油、サフラワー油及びこれらの脂肪酸等を用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物がシリコーン変性アルキド樹脂を含有する場合、シリコーン変性アルキド樹脂を熱架橋できる架橋剤、又は架橋剤及び触媒を更に含むことが好ましい。係る架橋剤としては、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂が挙げられる。この場合、仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層（フィルム状の仮止め材）の耐熱性及び剥離性を更に向上させることができる。

架橋剤としては、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂等のアミノ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂が挙げられる。これらの中でも、アミノ樹脂を用いた場合、アミノ樹脂により架橋されたアミノアルキド樹脂が得られ好ましい。架橋剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリコーン変性アルキド樹脂においては、硬化触媒として酸性触媒を用いることができる。酸性触媒は特に制限なく使用でき、アルキド樹脂の架橋反応触媒として公知の酸性触媒の中から適宜選択して用いることができる。このような酸性触媒としては、例えばｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機系の酸性触媒が好適である。酸性触媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸性触媒の配合量は、アルキド樹脂と架橋剤との合計１００質量部に対し、通常０.１～４０質量部、好ましくは０.５～３０質量部、より好ましくは１～２０質量部の範囲で選定される。

シリコーン変性アルキド樹脂の表面自由エネルギーは１５～３０ｍＮ／ｍであることが好ましい。シリコーン変性アルキド樹脂の表面自由エネルギーがこのような範囲にあると、仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層（仮止め材層）の耐熱性と剥離性とを更に高水準で両立させることができる。更に、仮固定材樹脂組成物は、耐熱性の観点から、表面自由エネルギーが１５～２７ｍＮ／ｍであるシリコーン変性アルキド樹脂を含むことがより好ましく、１５～２４ｍＮ／ｍであるシリコーン変性アルキド樹脂を含むことが更に好ましい。なお、表面自由エネルギーは、シリコーン変性アルキド樹脂をＰＥＴフィルム上に塗布後、１５０℃で３０秒乾燥して得られた厚み０．３μｍの膜に対して、接触角計（協和界面科学株式会社製ＣＡ－Ｘ型）を用いて、水、エチレングリコール、及びヨウ化メチルの接触角を測定し、表面自由エネルギー解析ソフト（協和界面科学株式会社製ＥＧ－２）により、算出することができる。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物におけるシリコーン化合物の配合量は、溶解性と接着性とのバランスの観点から、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、合計で１．０～１００質量部が好ましく、３．０～８０質量部がより好ましい。同様の観点から、シリコーン化合物の配合量は、３．０～５０質量部であってもよく、５．０～４０質量部であってもよい。シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であると、仮固定材層（仮止め材）における半導体チップ及び封止体からの剥離性が更に向上する。

〔硬化促進剤〕
硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物における硬化促進剤の配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１～５０質量部が好ましく、０．０５～２０質量部がより好ましい。硬化促進剤の配合量が上記範囲内であると、本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物の硬化性を向上させながら保存安定性の低下を充分抑制できる傾向にある。

〔熱硬化性樹脂〕
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば特に制限なく用いることができる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱硬化性樹脂としては、耐熱性、作業性、及び信頼性に優れる仮固定材樹脂組成物が得られるという観点から、エポキシ樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。

エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。エポキシ樹脂は、また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲシリーズ（商品名：ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９）、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＲ－３３０、ＤＥＲ－３０１、ＤＥＲ－３６１、新日鉄住金化学株式会社製の商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製の商品名：ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＰＰＮ－２０１、ダウケミカル社製の商品名：ＤＥＮ－４３８等が挙げられる。ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製の商品名：ＥＯＣＮ－１０２Ｓ、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＥＯＣＮ－１０１２、ＥＯＣＮ－１０２５、ＥＯＣＮ－１０２７、新日鉄住金化学株式会社製の商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製の商品名：Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、ハンツマン・ジャパン株式会社製の商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製の商品名：デナコールＥＸ－６１１、ＥＸ－６１４、ＥＸ－６１４Ｂ、ＥＸ－６２２、ＥＸ－５１２、ＥＸ－５２１、ＥＸ－４２１、ＥＸ－４１１、ＥＸ－３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製の商品名：エピコート６０４、新日鉄住金化学株式会社製の商品名：ＹＨ－４３４、三菱ガス化学株式会社製の商品名：ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ－Ｃ、住友化学株式会社製の商品名：ＥＬＭ－１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、ハンツマン・ジャパン株式会社製の商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ユニオン・カーバイド社製の商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に、吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。

上記エポキシ樹脂硬化剤として使用するフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ－２０９０、フェノライトＴＤ－２１４９、フェノライトＶＨ－４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ－１、三菱ケミカル株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、ｊＥＲキュアＹＬ６０６５、ｊＥＲキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。

本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物における熱硬化性成分の配合量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０～３００質量部が好ましく、３０～１００質量部がより好ましい。熱硬化性成分の配合量が上記範囲内であると、本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物は、充分な低温貼付性と耐熱性とを両立しやすくなる。

［仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）］
本実施形態に係る仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）は、上記本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物をフィルム状に形成してなるものである。
本実施形態に係る仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）は、例えば、仮固定材樹脂組成物を支持フィルムに塗布することにより容易に製造することができる。また、仮固定材樹脂組成物が有機溶剤で希釈されている場合、該樹脂組成物を支持フィルムに塗布し、有機溶剤を加熱乾燥により除去することにより製造することができる。

支持フィルム上に設けられた仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）は、必要に応じて保護フィルムを貼り付けることができる。この場合、後述する、支持フィルム、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）及び保護フィルムからなる３層構造を有する仮止め用樹脂フィルムシートを得ることができる。

このようにして得られた仮止め用樹脂フィルムシートは、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。

図１（ａ）は、本実施形態の仮止め用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩ－Ｉ線に沿った模式断面図である。

図１に示す仮止め用樹脂フィルムシート１００は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０と、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０は、上記本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物をフィルム状に形成してなる。

支持フィルム１０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等が挙げられる。柔軟性及び強靭性の観点から、支持フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド等であることが好ましい。また、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。

支持フィルム１０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３～２５０μｍであることが好ましい。厚みが３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、２５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１０の厚みは、５～２００μｍであることがより好ましく、７～１５０μｍであることが更に好ましい。

本実施形態の仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０の厚みについては特に限定されないが、乾燥後の厚みが５～３００μｍであることが好ましい。厚みが５μｍ以上であれば、フィルム又はフィルムの硬化物の強度を充分確保することが容易となり、３００μｍ以下であれば、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときに発泡することを更に少なくできる。

厚膜のフィルムを製造する場合は、予め形成した厚み１００μｍ以下のフィルムを貼り合せてもよい。このように貼り合せたフィルムを用いることで、厚膜化フィルムを作製したときの残存溶剤を低下させることができる。

保護フィルム３０としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。柔軟性及び強靭性の観点から、保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等であることが好ましい。また、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルムとして用いることが好ましい。

保護フィルム３０の厚みは、目的とする柔軟性により適宜設定することができる。保護フィルム３０の厚みは、１０～２５０μｍであることが好ましい。厚みが１０μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、２５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、保護フィルム３０の厚みは、１５～２００μｍであることがより好ましく、２０～１５０μｍであることが更に好ましい。

図２（ａ）は、本発明に係る仮止め用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図である。

図２に示す仮止め用樹脂フィルムシート２００は、仮止めする部材の形状に合わせて仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０及び保護フィルム３０が予め裁断されていること以外は、仮止め用樹脂フィルムシート１００と同様の構成を有する。なお、図２では、裁断された仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）２０及び保護フィルム３０の外縁部が除去されているが、仮止めする部材の形状に合わせて仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）及び保護フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。

［半導体装置の製造方法］
図３に示す本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）支持体に仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を形成する工程、（ｂ）支持体付きの仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を半硬化させる工程、（ｃ）被加工体であるリードフレームの片面に、支持体付き仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を接着する工程、続いて仮接合後に本硬化を行い、(ｄ)被加工体の露出面上のダイパッドに半導体素子を接着しワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、（ｅ）被加工体の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程、（ｆ）仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を支持体から剥離する工程、（ｉ）並びに半導体装置から仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を剥離する工程からなる。その後、個片化する工程を設けてもよい。

以上に説明したように、上記本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物から形成される仮固定材層を設け、工程中に仮固定材樹脂組成物の半硬化を設けることにより、被加工体及びその封止体を支持体に充分固定して半導体装置製造を良好に行うことができ、加工後には、仮固定材層を溶剤等に浸漬させる等の操作を行わなくとも、被加工体及び封止体から仮固定材層を容易に剥離でき、効率的に半導体装置を製造することができる。また、本実施形態に係る製造方法では、加工後の半導体装置から仮固定材層を容易に剥離することができるため、半導体装置へのストレスをより低減することができる。

以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［仮固定材樹脂組成物ワニスの調整］
表１に示す質量部の組成で熱可塑性樹脂、シリコーン化合物、熱硬化性樹脂、及び硬化促進剤と溶剤としてシクロヘキサノンとを配合し、仮固定材樹脂組成物のワニス（固形分濃度３０質量％）を調製した。

［仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）の作製］
表１に示す質量部の組成で、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を形成するためのワニスを調製した。調製したワニスを、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で５分間、１４０℃で５分間加熱乾燥した。その後、樹脂層上に上記フィルムをカバーフィルムとして更に貼り合わせ、カバーフィルム及び支持フィルムが付いた、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を得た。

［半硬化］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、所定の条件にて加熱を行うことで、表２に示す実施例１～５及び比較例１～５のサンプルを得た。

［ラミネート後密着力］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、ＦＩＲＳＴ ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ）を用いて６０℃でリードフレーム用銅板ＥＦＴＥＣ－６４Ｔ（古河電気工業株式会社製）にラミネートした。これを１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度をラミネート後密着力とした。

［埋め込み性］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、ＦＩＲＳＴ ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ）を用いて６０℃でリードフレーム用銅板ＥＦＴＥＣ－６４Ｔにパターンが形成されたリードフレーム（新光電気工業株式会社製）にラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させ、得られたサンプルを剥離角度が１５０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、剥離後の仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）の凹凸を接触式表面粗さ計にて測定し、その時の凹凸の高さを埋め込み性評価結果とした。

［剥離強度（１５０°）］
リードフレーム用銅板ＥＦＴＥＣ-６４Ｔ及び仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）の間の１５０°剥離強度を下記の方法により評価した。仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、ＦＩＲＳＴ ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ）を用いて６０℃でリードフレーム用銅板ＥＦＴＥＣ－６４Ｔにラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させた。これを１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が１５０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を１５０°剥離強度とした。

［ラミネート性］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、ＦＩＲＳＴ ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ）を用いて６０℃で厚み７７５μｍのシリコンミラーウェハ（１２インチ）にラミネートした。その後、表面を目視にて確認し、ボイドの有無を観察し、ラミネート性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
×：ボイドが発生する場合、
○：ボイドが発生しない場合

［仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム） 裂けの有無］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を被加工体から剥離する際の裂けの発生について、下記の方法にて評価した。仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のカバーフィルムを剥離し、小型ラミネート機（大成ラミネーター株式会社製、ＦＩＲＳＴ ＬＡＭＩＮＡＴＯＲ）を用いて６０℃でリードフレーム用銅板ＥＦＴＥＣ－６４Ｔにパターンが形成されたリードフレーム（新光電気工業株式会社製）にラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させ、裂け発生検討サンプルとした。得られたサンプルを剥離角度が１５０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）の裂け発生有無を確認した。評価基準は以下のとおりである。
×：仮止め用樹脂フィルムに裂けが発生する場合、
○：仮止め用樹脂フィルムに裂けが発生しない場合

［ずり粘度（６０℃）］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）について、実施例及び比較例のずり粘度を下記の方法により評価した。仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を厚さ１２０μｍに調整した測定用単層フィルムを６０℃でラミネートし、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント株式会社製、ＡＲＥＳ）を用いて、ずり粘度を測定した。測定方法は「ｐａｒａｌｌ ｐｌａｔｅ」、測定冶具は直径８ｍｍの円形の治具、測定モードは「Ｄｙｎａｍｉｃ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒａｍｐ」、周波数は１Ｈｚで行い、測定用単層フィルムに３５℃で５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で１２０℃まで昇温し、実際にラミネートする際の温度領域である６０℃に到達したときの測定用フィルムのずり粘度を測定した。

［半硬化後の硬化反応率］
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）について、実施例１～５及び比較例１～５の半硬化後の硬化反応率を下記の方法により評価した。
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）１０ｍｇをアルミパンに入れた後、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ－７型）を用いて昇温速度２０℃／ｍｉｎ、３０～３００℃の温度範囲で測定した。未処理のサンプルを測定した場合の発熱量ΔＨ（Ｊ／ｇ）を「ΔＨ１」、表２に示した半硬化後のサンプルを測定した場合の発熱量ΔＨ（Ｊ／ｇ）を「ΔＨ２」とし、以下の式で硬化反応率を算出した。
半硬化後の硬化反応率＝（ΔＨ１－ΔＨ２）／ΔＨ１×１００

［応力緩和（６０℃）]
仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）について、実施例１～５及び比較例１～５の応力緩和を下記の方法により評価した。仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）を厚さ１２０μｍに調整した測定用単層フィルムを６０℃でラミネートし、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント株式会社製、ＡＲＥＳ）を用いて、応力緩和を測定した。測定冶具は直径８ｍｍの円形の治具、測定用単層フィルムに６０℃で１０％の歪みを与えた状態で保持し、２００ｓｅｃ後に到達したときの測定用フィルムの応力緩和を下記式（１）にて算出した。
応力緩和(%)＝（２００ｓｅｃ到達後応力／測定開始時応力）x １００・・・式（１）

表１中に記載の化合物は、以下のとおりである。
ＨＴＲ-８６０Ｐ-３ＣＳＰ；ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量：８０万、グリシジル官能基モノマー比率：３質量％、Ｔｇ：－７℃、
ＥＸＡ８３０－ＣＲＰ；ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５５－１６３ｇ／ｅｑ、室温（２５℃）で液状、
ＹＤＣＮ－７００－１０；新日鉄住金化学株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃、
ＴＡ３１－２０９Ｅ；日立化成株式会社製、熱硬化型樹脂（シリコーン化合物）、５％重量減少温度：２３３℃。
ＳＨ３７７３Ｍ；東レ・ダウコーニング株式会社製、ポリエーテル変性シリコーンオイル、５％重量減少温度：２１５℃
２ＰＺ－ＣＮ；四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール
上記の半硬化の条件を表２に示した。

仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）のラミネート後密着力、埋め込み性、剥離強度（１５０°）、ラミネート性、裂けの有無、ずり粘度（６０℃）、半硬化後の硬化反応率、応力緩和（６０℃）の測定・評価結果について、まとめて表３に示した。

半硬化後の反応率を高くした比較例２、３のラミネート後の密着力は１０Ｎ／ｍ未満の１～２Ｎ／ｍと弱く、ラミネート性、応力緩和に劣る。また、埋め込み量が５μｍを超える比較例１、４、５は、半硬化後の反応率が低く、剥離時に裂けが発生した。
これに対し、ラミネート後の密着力が１０Ｎ／ｍ以上で、半硬化後の仮固定材層に対する埋め込み量が５μｍ以下である実施例１～５は、１５０℃での剥離強度が適度であり、ラミネート性に優れ、剥離時に裂けがなく、仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）として優れており、好適に半導体装置を製造することができる。

１０…支持フィルム
２０…仮固定材層（仮止め用樹脂フィルム）
３０…保護フィルム
１００、２００…仮止め用樹脂フィルムシート

Claims (8)

1. 支持体上に、仮固定材樹脂組成物からなる仮固定材層を形成する第一工程と、
   前記仮固定材層を半硬化する第二工程と、
   前記半硬化を行った仮固定材層上に被加工体を仮接合する第三工程と、
   前記仮接合後に本硬化を行う第四工程と、
   前記本硬化後に半導体装置製造の加工を行う第五工程と、
   前記第五工程を経た半導体装置から前記仮固定材層を剥離する第六工程と、
   を備え、
   前記半硬化後の仮固定材層と被加工体とのラミネート後の密着力が１０Ｎ／ｍ以上であり、
   前記半硬化後の仮固定材層に対する被加工体の埋め込み量が５μｍ以下であり、
   前記半硬化後の仮固定材層の応力緩和が７５～９０％である、
   半導体装置の製造方法。
2. 前記第三工程の被加工体がリードフレームであり、
   前記第五工程の半導体装置製造の加工が、リードフレームの露出面上のダイパッドに半導体素子を接着しワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続し、被加工体の露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止するものである、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記半硬化が熱による硬化反応である、
   請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記半硬化の硬化温度条件が仮固定材層の反応開始温度以上である、
   請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記半硬化後の仮固定材層の硬化反応率が１５～３５％である、
   請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記仮固定材樹脂組成物が、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、シリコーン化合物及び硬化促進剤を含み、半硬化温度条件が９０℃より高く１５０℃より低い、
   請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記熱可塑性樹脂が反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体である、
   請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記シリコーン化合物が有機基で変性されたシリコーン化合物である、
   請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

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