JPH05335379A - 耐熱性接着材料およびその使用方法 - Google Patents
耐熱性接着材料およびその使用方法Info
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- JPH05335379A JPH05335379A JP4142915A JP14291592A JPH05335379A JP H05335379 A JPH05335379 A JP H05335379A JP 4142915 A JP4142915 A JP 4142915A JP 14291592 A JP14291592 A JP 14291592A JP H05335379 A JPH05335379 A JP H05335379A
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
縁フィルムの少なくとも片面に形成されたポリイミド系
樹脂層とからなり、該ポリイミド系樹脂の酸成分がベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳
香族テトラカルボン酸二無水物であり、ジアミン成分が
シロキサン系ジアミンを主成分として、かつパラフェニ
レンジアミンを2.5モル%〜30モル%含むものから
なり、しかも、該ポリイミド系樹脂層が、加熱温度10
0℃以上300℃以下における発生ガス量が250pp
m以下であることを特徴とする耐熱性接着材料を提供す
るものである。 【効果】本発明によれば、耐熱性、電気特性、耐薬品
性、寸法安定性が優れ、さらに接着性の著しく改良され
た耐熱性接着材料を得ることができる。
Description
の使用方法に関するものであり、更に詳しくは高い接着
力を有し、かつ寸法安定性に優れる高品位な耐熱性接着
材料およびその使用方法に関するものである。
特徴を生かし種々の分野で使用されている。例えば、金
属箔と接着剤で積層したFPC(フレキシブルプリント
基板)、TAB用のフィルムキャリアテープなどは周知
のとおりである。これらは、ポリイミドなどの耐熱性樹
脂フィルムと金属箔とをエポキシ樹脂系、アクリル樹脂
系、ポリアミド樹脂系、NBR系などの接着剤で張り合
わせられている。このようなフィルムキャリアテープの
諸特性は、使用する接着剤の性能でほぼ決まり、ポリイ
ミドフィルムの有する優れた耐熱性、耐薬品性、電気特
性、機械特性などを十分に生かしていないのが実情であ
る。たとえば、耐熱性については、ポリイミドの耐熱性
が350℃以上であるにもかかわらず、フィルムキャリ
アテープの半田耐熱性は通常300℃以下である。
接着剤を用いずに金属箔表面にポリイミド前駆体ないし
ポリイミドの有機極性溶媒溶液を直接塗布したあと、溶
媒の乾燥除去、イミド化するもの、あるいはポリイミド
系接着剤でポリイミドフィルムと金属箔を張り合わせる
ものなどが知られている。しかしながら、前者はICチ
ップを搭載するデバイスホールの加工が困難であるため
実用化に至っていない。また後者によるものは、耐熱
性、耐薬品性、電気特性などは前者の接着剤より優れた
ものが得られるが、銅箔と耐熱性樹脂フィルムを張り合
わせたあとの、キュア時にイミド化反応に伴う縮合水発
生のため銅箔と耐熱性樹脂との間に発泡が生ずる重大な
問題点があるため実用化されていないのが現状である。
またLOC(lead on chip)用接着テープ
に使用する場合には、NIKKEIMICRODEVA
ICES 1989年9月号などに記載されているごと
く、キュア時の発生ガスが基板金属表面を汚染し、接着
力低下やパッケージクラック発生原因になる問題がある
ため、発生ガスのない耐熱性接着剤テープが求められて
いるが、まだ実用化にいたっていないのが実情である。
技術の諸欠点に鑑み創案されたものであって、その目的
とするところは、ポリイミド系樹脂を使用したものであ
りながら、キュア時に発生するガス量が極めて少なく、
しかも優れた接着性、耐薬品性および寸法安定性を有す
る耐熱性接着材料を提供するところにある。
耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィルムの少なく
とも片面に形成されたポリイミド系樹脂層とからなり、
該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロキサン系ジア
ミンを主成分として、かつパラフェニレンジアミンを
2.5モル%〜19モル%含むものからなり、しかも、
該ポリイミド系樹脂層の、加熱温度100℃以上300
℃以下における発生ガス量が250ppm以下であるこ
とを特徴とする耐熱性接着材料により達成される。
は、融点が280℃以上のもの、あるいはJIS C40
03で規定される長時間連続使用の最高許容温度が121
℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分子樹脂
フィルムであればよい。
スフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レート、ポリスルホン、またはポリエーテルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネートとの縮合物、あるいはビスフ
ェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェ
ニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂フィルム等があげられる。これらの
高分子樹脂フィルムの中でも、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミド、特にピロメリット酸二無水物、あるいは
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェ
ニルエーテル、パラフェニレンジアミンなどの芳香族ジ
アミンとの縮合物である芳香族ポリイミド樹脂フィルム
は特に好ましい。また当然の事ながら、上記耐熱性樹脂
フィルム表面は、コロナ放電処理、低温プラズマ処理な
ど目的に応じ接着性改良の処理が施されているほうが好
ましい。
成分としては、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,2´,3,3´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物等のベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物を主成分とした芳香族テトラ
カルボン酸二無水物であれば良く、他の酸成分を混合し
て用いることもできる。ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物の使用量は全酸成分中で50モル%以上が好
ましく、より好ましくは、60モル%以上である。
ピロメリット酸二無水物、3,3´,4,4´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,2´,3,3´−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、
2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エ
ーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカル
ボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカ
ルボキシフェニル)メタン二無水物、2,3,6,7−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,
6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,
9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,7,8−フェナントレン、テトラカルボン酸二
無水物、などが用いられる。これらは単独或いは2種以
上混合して用いられる。
脂のジアミン成分としては、シロキサン系ジアミンを主
成分とし、他のジアミン成分として、パラフェニレンジ
アミンを全ジアミン成分中、2.5モル%〜19モル%
含むことが重要である。全ジアミノ化合物中のシロキサ
ン系ジアミンの割合はイミド化後のカール防止効果およ
び接着性の向上効果の点からは、50mol%以上9
7.5mol%以下であることが好ましい。より好まし
くは、60mol%以上95mol%以下である。パラ
フェニレンジアミンの量が、2.5mol%未満ではイ
ミド化後の耐薬品性が低下する。19mol%より多い
場合は接着性が低下するため、2.5mol%以上19
mol%以下であることが必要である。好ましくは、5
mol%以上19mol%以下である。
アミンとしては、次の一般式(I)で表わされるものが
挙げられる。
びR2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、R3 、R4 、R5 およ
びR6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。)[I]の
具体例としては、1,1,3,3−テトラメチル−1,
3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキサン、1,
1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ビス(4−ア
ミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3,5,5−
ヘキサメチル−1,5−ビス(4−アミノフェニル)ト
リシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,
3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,
3,3−テトラフェニル−1,3−ビス(3−アミノプ
ロピル)ジシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニ
ル−3,3−ジメチル−1,5−ビス(3−アミノプロ
ピル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニ
ル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブ
チル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニ
ル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペ
ンチル)トリシロキサン、1,1,3,3−テトラメチ
ル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、
1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−ア
ミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラ
メチル−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシロキサ
ン、1,3−ジメチル−1,3−ジメトキシ−1,3ビ
ス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,1,5,5
−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス
(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5
−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス
(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5
−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス
(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,
3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(3−アミノ
プロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−
ヘキサエチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)ト
リシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピ
ル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサ
ンなどが挙げられる。
二種以上混合して用いられる。
ロキサン系ジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じ
て行うことができる。例えば、略化学量論量の酸成分と
ジアミン成分とを、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロ
リドン等の有機溶媒中で、0〜80℃の温度で反応させ
れば良い。これらの溶媒は、単独あるいは2種以上混合
して用いられ、ポリアミック酸が析出しない程度であれ
ば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、
テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン等を加えても
良い。
スの濃度は、特に限定されないが、通常5〜60重量%
が好ましく、10〜40重量%が特に好ましい。
耐熱性絶縁フィルムにベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキサン系
ジアミンを主成分とする樹脂を塗布し、イミド化した薄
膜を有する耐熱性絶縁材料であって、かつ該接着材料は
加熱温度100〜300℃において発生するガス量が2
50ppm以下の条件を満足することが重要である。
〜300℃において発生するガス量とは該耐熱性接着材
料のサンプルについて後述するTG・DTG−MS法 「TG :Thermogravimetric Analysis (熱重量分析) DTG:Derivative Thermogravimetric Analysis (微分熱重量分析) MS :Mass Spectrometry (質量分析) 」 により測定して求めたものである。
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンを含むシロキ
サン系ジアミンを主成分とするポリイミド系樹脂を塗布
し、イミド化した薄膜を有する耐熱性絶縁材料であっ
て、かつ該接着材料は加熱温度100〜300℃におい
て発生するガス量が250ppm以下の条件を満足する
ものを得る方法としては、例えば次の方法が挙げられ
る。
リアミック酸ワニスを含む溶媒溶液を製膜用スリットか
ら吐出させて均一に塗工する。この塗工方法としてはロ
ールコータ、ナイフコータ、密封コータ、コンマコー
タ、ドクターブレードフロートコータなどによるものが
挙げられる。次に上記のように耐熱性樹脂フィルムに塗
工した溶液の溶媒を、通常60℃〜190℃程度の温度
で連続的または断続的に10〜60分間で加熱除去した
後、さらにイミド化およびガス発生量を250ppm以
下となすための加熱処理を行なう。イミド化およびガス
発生量を250ppm以下となすための加熱処理として
は200〜350℃の範囲で1〜15分程度の加熱処理
を行なうことが好ましい。
〜30μmのポリアミック酸のイミド化した薄膜を形成
する。その後、汚染防止、キズ防止などの必要に応じ、
厚み15〜60μmのポリエステルフィルム、ポリプロ
ピレンなどの保護フィルムをイミド化せしめた薄膜上に
張り合わせておくことが好ましい。
00〜300℃において発生ガス量が250ppm以下
であれば金属箔、耐熱樹脂などと接着した場合の発泡は
無いが、好ましくは150ppm以下、より好ましくは
100ppm以下が良い。
フィルム同志の積層、金属との積層、例えば銅箔と積層
するフレキシプリント基板用途、LOC用接着テープ、
TAB用キャリアテープなど種々あげられる。
ープに使用する場合には、本発明品を使用目的の幅にス
リットしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびI
Cを搭載するデバイスホールをパンチングしたあと、ポ
リイミド樹脂上の保護フィルムを剥がし、吸着水分を除
去後、金属箔と重ね合わせ150℃以上350℃で加熱
圧着すれば良い。接着力向上のためにはさらに加熱キュ
アを施したほうが好ましい。圧着の温度、圧力および加
熱キュアの条件は樹脂の組成、膜厚、銅箔の表面粗さな
どによって適宜選定すればよい。また、加熱圧着の方法
は、一般的に加熱ロールによる方法が好ましい。
テープに使用する場合には、耐熱樹脂フィルムの両面に
接着層を施し使用目的のサイズにカットしたあとリード
フレームに該接着テープを接着し、さらにICチップを
接着固定すれば良い。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で発泡、加熱時の発生ガス量および接着
力はそれぞれ次の方法で評価および測定したものであ
る。
表面を光学顕微鏡によって観察した。
試料約100mgを精密化学天秤で秤量後、TG・DT
G−MS法によって測定した。
S装置を直結して、重量変化と同時に、加熱時に試料か
ら発生するガスの濃度変化を温度の関数として追跡する
手法である。測定機および測定条件はつぎのとおりであ
る。
クロ天秤)−MS同時測定装置 データ処理;東レリサーチセンター製データ処理システ
ム“THADAP−TGMS” 測定精度 ;10ppm 測定モード;試料を白金製容器に入れてあらかじめ50
℃で6時間真空乾燥した後、TG装置にセット後、乾燥
ヘリウムを50ml/分で12時間以上流してから、1
0℃/分で昇温を開始し、400℃までのTG−MS曲
線を測定し、100℃から300℃の発生ガスの総量を
求めた。
0°剥離をテンシロンにて、引張り速度50mm/分で
測定した。実用的は、0.8kg/cm以上の接着力が
必要とされる。
°剥離をテンシロンにて、引張り速度50mm/分で測
定した。実用的は、0.8kg/cm以上の接着力が必
要とされる。
口を供えた300mlの4口フラスコにN,N−ジメチ
ルアセトアミド105g入れ窒素気流下で1,1,3,
3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピ
ル)ジシロキサン12.52g(90mol%)および
p−フェニレンジアミン0.605g(10mol%)
を溶解したあと、3,3´,4,4´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物14.431g(80mol
%)およびピロメリット酸二無水物4.352g(20
mol%)を加え、10℃で1時間攪拌を続けた。その
後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニ
スを得た。
ラズマ処理した50μmのポリイミドフィルム(“ユー
ピレックス”50S(宇部興産(株)製))に乾燥後の
膜厚が20μmになるように塗工し、80℃で10分、
ついで、130℃で10分、さらに、160℃で15分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため250℃で4分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ50ppm以下であった。
ト加工し、予備乾燥を80℃で3分したあと、リードフ
レーム用金属箔として用いられている42合金と重ね合
わせ、表面温度250℃に加熱したロールラミネータで
線圧10kg/cm、速度1m/分で張り合わせ、さら
に窒素雰囲気下で加熱ステップキュア(キュア条件;
[80℃,30分]+[80℃〜150℃の昇温,30
分]+[150℃,60分]+[150℃〜250℃の
昇温,30分]+[250℃,120分]+室温まで徐
冷)した。キュア品の発泡は認められない上、接着力は
2.5kg/cm以上で、LOC用接着テープとして実
用レベルを十分満足するものであった。
ミド105g入れ窒素気流下で1,1,3,3−テトラ
メチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキ
サン14.933g(95mol%)およびp−フェニ
レンジアミン0.342g(5mol%)を溶解したあ
と、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物18.345g(90mol%)およびピ
ロメリット酸二無水物1.379g(10mol%)を
加え、10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3
時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
処理した75μmのポリイミドフィルム(“ユーピレッ
クス”75S(宇部興産(株)製))に乾燥後の膜厚が
10μmになるように塗工し80℃で10分、ついで、
120℃で10分、さらに、150℃で15分乾燥し
た。該塗工品をイミド化のため210℃で5分、加熱処
理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したところ
50ppm以下であった。
mのポリイミドフィルム(“カプトン”300K(東レ
・デュポン(株)製))と重ね合わせ表面温度250℃
に加熱したロールラミネータで線圧7kg/cm、速度
1m/分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例
1と同様に加熱キュアした。キュア品は発泡がなく、接
着力2.3kg/cmで、耐熱積層テープとして実用レ
ベルを十分満足するものであった。
アミド105g入れ窒素気流下で1,1,3,3−テト
ラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロ
キサン13.62g(85mol%)およびp−フェニ
レンジアミン1.046g(15mol%)を溶解した
あと、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物20.782g(100mol%)を加
え、10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
ラズマ処理した75μmのポリイミドフィルム(“ユー
ピレックス”75S(宇部興産(株)製))に乾燥後の
膜厚が12μmになるように塗工し、80℃で10分、
ついで、130℃で10分、さらに、150℃で15分
乾燥した。該塗工品をイミド化のため250℃で5分加
熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ50ppm以下であった。
トしたあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイ
スホール加工したあと、80℃で3分予備乾燥後、35
μmの電解銅箔(JLP 10Z 日鉱グールドフォイル(株)
製)を表面温度250℃に加熱したロールラミネータで
線圧5kg/cm、速度1m/分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で、実施例1と同様に加熱ステップキュア
した。キュア後の発泡は認められない上、接着力は2.
5kg/cm以上で、TAB用フィルムキャリアテープ
として実用レベルを十分満足するものであった。
アミド105g入れ窒素気流下で1,1,3,3−テト
ラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロ
キサン15.239g(100mol%)を溶解したあ
と、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物19.76g(100mol%)を加え1
0℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3時間攪拌
して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
ラズマ処理しておいた75μmのポリイミドフィルム
(“ユーピレックス”75S(宇部興産(株)製))に
乾燥後の膜厚が12μmになるように塗工し80℃で1
0分、ついで、130℃で10分、さらに、150℃で
15分乾燥した。該塗工品をイミド化のため250℃で
5分加熱処理を施した。該フィルムの発生ガス量を測定
したところ50ppm以下であった。
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例1と同じ条件で
行った後、35μmの電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル(株)製)と重ね合わせ表面温度220℃に加
熱したロールラミネータで線圧5kg/cm、速度1m
/分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例1と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡はなく、接着力
も2.2kg/cmあったが、接着剤がアセトンに一部
溶解または膨潤し耐薬品性が不足であり、TAB用フィ
ルムキャリアテープとしては、満足と言えないレベルで
あった。
口を供えた500mlの4口フラスコにN,N−ジメチ
ルアセトアミド183g入れ窒素気流下で1,1,3,
3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピ
ル)ジシロキサン4.97g(20mol%)およびp
−フェニレンジアミン8.652g(80mol%)を
溶解したあと、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物32.20g(100mol
%)を加え10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃
で3時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得
た。
(“ユーピレックス”75S(宇部興産(株)製))に
乾燥後の膜厚が10μmになるように塗工し80℃で1
0分、ついで、120℃で10分、さらに、150℃で
15分乾燥した。該フィルムの発生ガス量を測定したと
ころ1500ppmであった。
したあと、穿孔機でスプロッケトホールおよびデバイス
ホール加工したあと、予備乾燥を実施例1と同じ条件で
行った後、35μmの電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グールド
フォイル(株)製)と重ね合わせ表面温度220℃に加
熱したロールラミネータで線圧5kg/cm、速度1m
/分で張り合わせ、さらに窒素雰囲気下で、実施例1と
同様に加熱キュアした。キュア品の発泡は全面に発生し
ており、TAB用フィルムキャリアテープとしては、実
用できないレベルであった。
アミド105g入れ窒素気流下で1,1,3,3−テト
ラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロ
キサン10.153g(60mol%)およびp−フェ
ニレンジアミン2.942g(40mol%)を溶解し
たあと、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物21.916g(100mol%)を
加え10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3時
間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。該ワ
ニスを75μmのポリイミドフィルム(“ユーピレック
ス”75S(宇部興産(株)製))に乾燥後の膜厚が1
2μmになるように塗工し80℃で10分、さらに、1
30℃で10分、さらに、160℃で15分乾燥した。
ついで該塗工品に250℃で5分加熱処を施して、イミ
ド化および発生ガス量を制御する処理を行なった。得ら
れたフィルムの発生ガス量を測定したところ50ppm
以下であった。
したあと、穿孔機でスプロケットホールおよびデバイス
ホール加工し、予備乾燥を80℃で3分したあと、35
μmの電解銅箔(JLP 1oz日鉱グールドフォイル
(株)製)と重ね合わせ、表面温度270℃に加熱した
ロールラミネータで線圧7kg/cm,速度1m/分で
張り合わせを試みたが、まったく接着しなかった。
加熱キュアしたが接着力はなく、TAB用フィルムキャ
リアテープとしては実用できないレベルであった。
金属、耐熱性樹脂などと接着が容易に可能な上、キュア
時に発生するガス量が極めて少なく、また張り合わせキ
ュア後の発泡がなく、さらに接着性、耐熱性、電気特
性、耐薬品性、寸法安定性が優れた耐熱性接着材料を確
実に得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】耐熱性絶縁フィルムと、該耐熱性絶縁フィ
ルムの少なくとも片面に形成されたポリイミド系樹脂層
とからなり、該ポリイミド系樹脂層の酸成分がベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族
テトラカルボン酸二無水物であり、ジアミン成分がシロ
キサン系ジアミンを主成分として、かつパラフェニレン
ジアミンを2.5モル%〜19モル%含むものからな
り、しかも、該ポリイミド系樹脂層の、加熱温度100
℃以上300℃以下における発生ガス量が250ppm
以下であることを特徴とする耐熱性接着材料。 - 【請求項2】シロキサン系ジアミンが次の一般式(I)
で表わされるものである請求項1記載の耐熱性接着材
料。 【化1】 (ただし、式中nは1以上の整数を示す。またR1 およ
びR2 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキレ
ン基またはフェニレン基を示し、R3 、R4 、R5 およ
びR6 は、それぞれ同一または異なって、低級アルキル
基、フェニル基またはフェノキシ基を示す。) - 【請求項3】請求項1記載の耐熱性接着材料を、フィル
ムキャリアテープ用接着剤として使用する方法。 - 【請求項4】請求項1記載の耐熱性接着材料を、リード
フレーム固定用またはリードオンチップ用接着剤として
使用する方法。
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---|---|---|---|
JP14291592A JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
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JP14291592A JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
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---|---|
JPH05335379A true JPH05335379A (ja) | 1993-12-17 |
JP3196320B2 JP3196320B2 (ja) | 2001-08-06 |
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JP14291592A Expired - Lifetime JP3196320B2 (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 耐熱性接着材料およびその使用方法 |
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JP (1) | JP3196320B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176895A (ja) * | 1994-10-31 | 2001-06-29 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造法 |
US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6855579B2 (en) | 1995-07-06 | 2005-02-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP14291592A patent/JP3196320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
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JP2001176895A (ja) * | 1994-10-31 | 2001-06-29 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状有機ダイボンディング材のラミネ−ト方法、ダイボンディング方法、ラミネ−ト装置、ダイボンディング装置、半導体装置および半導体装置の製造法 |
US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US6855579B2 (en) | 1995-07-06 | 2005-02-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7012320B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7078094B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7387914B2 (en) | 1995-07-06 | 2008-06-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7781896B2 (en) | 1995-07-06 | 2010-08-24 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
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